TWM334968U - Anti-reflection semi-reflective capacitive flat touch panel display - Google Patents

Description

M334968 \ 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係-種觸控式半反射半穿透平面顯示裳置 才曰-種抗反射之電容式觸控半反射半穿透平面顯示裝置。 【先前技術】 觸控面板係用以結合於平面顯示褒置，使 参 經過按鍵或滑鼠等週邊電腦設備 ’、、、需 統進行下達指令的動作，由於_ μ心對電腦系 7旳勖作，由於觸控面板技術漸趨成孰 功能之平面顯示器亦推陳出新，於現今市面上儼/已 成為炙手可熱的電子產品。 已 習用觸控面板可由一上導電層、一下導電層及 所構成，以電容式觸控面板為例說明，該： 設於該基板之上下表面，其中該上導電層表面可 數條平仃排列之上導電電極， 子 數相對垂吉!·道h "下導電層表面可形成有複 直上¥電電極之下導電電極，藉由該上下交又垂 直之導電電極形成均勻之雷 生電W m 電豕，可對人體手指微弱電流產 生冤％改變以達觸控效果。 該觸控面板早期係為獨 y^ ^ 资& U有 生產，待完成後才與尺寸相 付的千面顯示器結合，因 能，需Β ^欲使一平面顯示器具備觸控功 月匕 而進一步裝設一對靡丄々 接用办Βμ 野應尺寸之觸控面板，其結合方式可 知用黏貼，令觸控面板貼 、寸於该平面顯示器的表面。由於 千面顯不器，如液晶顯示哭 萌二士 时 易文限於環境光線強度的強 而有可視度品質優劣的差異，當該觸控面板直接設於 4 M334968 該平面顯示器上，將產生嚴重反射，其整體反射率可高達 25/°，導致於強烈的外在環境光照下，使用者無法自該觸 • &式平面顯示器的出光面清楚觀看影像。 為改善於強光下影像可視度不佳之問題，一般觸控式 平面顯不斋會藉由光偏振原理，於其内部加設一偏光片， 如此可利用外界光源的不同偏振方向特性，令偏光片吸收 邛伤外界光源降低反射，此法雖可改善光反射，但於實際 φ …用下，未被偏光片吸收之光線還會自平面顯示器之下層 、。構反射回去，即使再加設一抗反射膜，亦只能改善首層 反射之問題，且會影響平面顯示器的出光效率。 盖因此亦有相關業者針對顯示器設計增亮方式，期以改 善此-現象，#中包括增加燈管及導光板最佳設計、提高 j率、制增党膜或其他高分子材料使背光源能有效被 利用等技術，甚至於觸控面板及顯示器中間灌入液態矽等 去依不同的上述方式有耗電、可靠度不佳、製程複雜 _ 專缺點，且共通缺點為價格昂貴。 目前觸控式平面顯示器為解決外界光源反射問題，係 、，原來的穿透式液晶面板改採用—半反射半穿透液晶面 .=’當置於外界干擾光源強的環境下，反射率會較穿透率 二故可有效利用外界光源而讓整體亮度增加，如此即能 X侍較佳顯示品質（外界光利用率約10%以上）。惟觸栌面 ^本身反射干擾依然存在，且因觸控面板本身會反料界 你’原’而造成半反射半穿透液晶面板利用外界光源使亮度 曰加的功能變弱，讓整體顯示裝置無法達到較佳顯示品 5 M334968 夤，因此，就目前觸_ 能提升仍有待改良 面顯示器結構設計的抗反射功 【新型内容】 丰反:㈤作之目的係提供—種抗反射之電容式觸控 +射：牙透平面顯示裝置’除令具有觸控功能的平面顯 不Is輕薄化，亦能左％杰 強先…、射下，有效將光線轉化面板螢 幕出光面的光線’提高出光面的亮度，以提供使用者清楚 的顯影畫面’減低環境光線對顯影的影響，提高可視度。 "達述目的所使用的技術手段係令該抗反射之電容 式觸控半反射半穿透平面顯示裝置包含有： 半反射半牙透液晶顯示面板，係包含有一薄膜電晶 體基板半透光半反射板' -液晶層及一上基板，該半 透光半反射板及該液晶層係設於該薄膜電晶體基板及該上 基板之間，#中该薄膜冑晶體基板之下I面設有一下圓偏 光片；及 一一電容式觸控面板，係設置於該半反射半穿透液晶顯 不面板的上基板上，其主要由下而上係依序包含有一下導 電層、-第-基板、一上導電層、一相位差板、一偏光板 及第一基板，其中該偏光板的光軸角度係與該相位差板 呈角度差，且該偏光板及相位差板的光軸角度係配合該 下圓偏光片的光軸角度，再者，該第二基板之上表面係設 有一抗反射膜。 本創作可進一步包含至少一中導電層，該中導電層係 設於上導電層與下導電層之間，以降低上導電層與下導電 6 M334968 層之間的電磁干擾。 本創作係於該電容式觸控面板之第二基板與上導電層 •之間設一相位差板及一偏光板，該相位差板可為1/4λ的 相位差板，其中該偏光板之光軸角度係與該相位差板以呈 45度角度差為最佳，亦有可能因半反射半穿透液晶顯示器 光學設計額外增設一層或二層1/4又相位差板，其中各層 角度差則視設計需求；再者，令半反射半穿透平面顯示裝 _置之下圓偏光片之光轴角度對應至電容式觸控面板之偏光 板及相位差板’可簡化觸控式半反射半穿透平面顯示裝置 之、（構’如此不{旦可使觸控面板達最低表自干擾反射率⑶ /以下），亦因為光進入觸控式半反射半穿透平面顯示裝置 後因下圓偏光片應用無法直接由觸控面板各層反射（干擾 反射），而使進入光線有效由半反射半穿透平面顯示器内 所構成之反射機構反射（顯示反射率15%以上效率），真 =降低觸控式半反射半穿透平面顯示裝置之干擾反射，提 ν觸控式半反射半穿透平面顯示裝置顯示反射率，使觸控 式半反射半穿透平面顯示裝置於強光照射下，有效將域 反射轉化為LCD出光面的光線，提高出光面的亮度，以提 供使用者清楚的顯影畫面，減低環境光線對顯影的影塑， 提高可視度。 曰 【實施方式】 首先請參閱第一 觸控半反射半穿透平 圖所不，係為本創作抗反射之電容式 面顯示裝置一較佳實施例，其包含 7 M334968 有： 一背光模組（1 〇 ); 一半反射半穿透液晶顯示面板（2 〇 )，係設於該背 光模組（20)上，依層疊順序由下而上包含有一薄膜電 晶體基板（2 1 )、一半透光半反射板（2 2 )、一液晶 層（2 3)及一上基板（24)，其中該薄膜電晶體基板 (2 1 )下表面增設有一下圓偏光片（2 5 )，本實施例 中’該半透光半反射板（2 2 )係與薄膜電晶體基板（2 1 )整合，其亦可與上基板（24)整合； 一電容式觸控面板（30)，係透過一黏合層（1〇 〇 )固疋於該平面顯示面板（2 〇 )的上基板（2 4)上， 其依層疊順序由下至上係包含有一下導電層（31)、一 第一基板（3 2 )、一上導電層（3 3 )、一相位差板（3 4)、一偏光板（35)、一第二基板（36)及一抗反 射膜（4 0 )。 則述偏光板（3 5 )的光軸角度分別與相位差板（3 4)呈一角度差，而其中以45度角度差為最佳。又，本 貝施例中’該相位差板（3 4 )係採用1 /4λ相位差板， '、材負可為玻璃、聚碳酸酯（PC )、聚原冰片烯（ARTON)、 ♦鱗^(PES) '聚環烯烴（ZEONOR)、三乙醯基纖維素 (1^(^);且該1/4人相位差板（34)與偏光板（35) 的光轴角度須與半反射半穿透液晶面板之下圓偏光片（2 5 )成對搭配。 再者’该抗反射膜（Anti Reflection Film，AR) ( 4 δ M334968 ο)可使反射率降低，其主要是利用鍍膜的方式於第二基 板（3 6 )上濺鍍或蒸鍍多層折射率不同的材質，該材質 可為聚碳酸酯（pc)、聚原冰片烯（ART〇N)、聚醚砜（pES)、 聚環烯烴（ZEONOR )、聚芳基酸酯（pAR )、聚對萘二曱 酸乙二酯（PEN )、聚對苯二甲酸乙二酯（pET )或三乙醯 基纖維素（TAC)。

請參考第二圖所示，係為本創作抗反射之電容式觸控 半反射半穿透平面顯示裝置另—較佳實施例，與前述實施 例不同之處在於該電容式觸控面板（3 〇 )進一步包含一 第三基板（37)及-中導電層（38)，可降低上導電 層（33)與下導電層（31)之間的電磁干擾。該第三 基板（3 7 )係位於上導電層（3 3 )及相位差板（3 4 ) 之間、亥上導電層（3 3 )可形成於該第三基板下表面（3 7 )’相位差板（3 4 )可藉光學膠黏附於該第三基板（3 7 )上表面；該中導電層（3 8 )係形成於第一基板（3 2)之上表面而位於上導電層（3 3)之下方。 明參考第二圖所不，係為本創作抗反射之電容式觸抑 半反射半穿透平面顯示裝置又—較佳實施例，與前一實: 例不同之處在於第三基板（3 7 )係設於該電容式觸控面 板（3 〇 )最下層，下導電I ( 3 1 )係形成於該第三基 板（3 7)上表面，且中導電層（3 8)係形成於第一： 板（32)之下表面。 土 ’會在出光面上 式設計，各層的 由於平面液晶面板為了具有觸控功能 整合一觸控面板，惟觸控面板同樣為多層 9 M334968 反射及折射率並不一定，但對平面液晶面板的抗反射率或 出光率均有影響，因此，為了減少觸控面板對平面液晶面 板的影響，並且能夠改善平面液晶面板不受外在環境光線 支化而衫響可視度的問題，本創作即增設了一 對應該偏光板光軸角度之相μ板，並配合以半 透液晶面板内之上圓偏光片，即可於外在環境的 牙 讓使用者能夠見及顯示影像。 ， 【圖式.簡單說明】 圖 :-圖：係本創作一較佳實施例的側剖示意圖。 第：；：係本創作另一較佳實施例的侧剖示意圖 -圖：係本創作又一較佳實施例的側剖示音 【主要元件符號說明】 (1〇 )背光模組 (2 0 )半反射半穿透液晶顯示面板 (2 1 )薄膜電晶體基板 (22)半透光半反射板 3 )液晶層 5 )下圓偏光片 1)下導電層 3)上導電層 5 )偏光板 7 )第三基板 4 )上基板 〇)電容式觸控面板 2 )第一基板 4 )相位差板 6 )第二基板 8 )中導電層 M334968 (4 Ο )抗反射膜

Claims (1)

1. M334968 九、申請專利範圍: 半反射半穿透平面顯示 一種抗反射之電容式觸控 顯示面板及一電容式 一薄膜電晶體基板、 裝置’其包含有一半反射半穿透液晶 觸控面板，該液晶顯示面板係包含有 該半透光半反 及該上基板之 下圓偏光片； 一半透光半反射板、一液晶層及一上基板， 射板及该液晶層係設於該薄膜電晶體基板 間’其中該薄膜電晶體基板之下表面設有一

   該電容式觸控面板係設置於該半反射半穿透液晶顯示面板 的^基板上，其主要由下而上係依序包含有一下導電層、 一第一基板、一上導電層及一第二基板；其特徵在於： 該上導電層與第二基板之間設有一相位差板及一偏光 板其中该偏光板的光軸角度係與該相位差板呈一角度 差再者，该第二基板之上表面係設有一抗反射膜。 “ 2 ·如申請專利範圍第1項所述抗反射之電容式觸控 半反射半穿透平面顯示裝置，該電容式觸控面板進一步包 含： —第三基板，係位於上導電層及相位差板之間，該上 導電芦彳备y 曰乐形成於該第三基板下表面，相位差板係藉光學膠 站附於"亥第三基板之上表面；及 中導電層，係形成於第一基板之上表面而位於上導 電層之下方。 半 3 ·如申請專利範圍第1項所述抗反射之電容式觸控 半穿透平面顯不装置，該電容式觸控面板進一步包 含： 12 M334968 一第三基板，係設於該電容式觸控面板最下層，下導 電層係形成於該第三基板上表面；及 一中導電層，係形成於第一基板之下表面。 4 ·如申請專利範圍第1、2或3項所述抗反射之電 容式觸控半反射半穿透平面顯示裝置，該偏光板的光軸角 度與該相位差板的角度差係為4 5度角。 5 ·如申請專利範圍第1、2或3項所述抗反射之電 容式觸控半反射半穿透平面顯示裝置，該電容式觸控面板 的相位差板係為1 /4λ相位差板。 6 ·如申請專利範圍第4項所述抗反射之電容式觸控 半反射半穿透平面顯示裝置，該電容式觸控面板的相位差 板係為1 / 4 λ相位差板。 7 ·如申請專利範圍第5項所述抗反射之電容式觸控 半反射半穿透平面顯示裝置，該1 /4λ相位差板的材質係 可為玻璃、聚碳酸酯（PC )、聚原冰片烯（art〇N )、聚 醚砜（PES )、聚環烯烴（ZE0N0R)或三乙醯基纖維素（TAC )。 8 ·如申凊專利範圍第6項所述抗反射之電容式觸控 半反射半穿透平面顯示裝置，該1/4λ相位差板的材質係 可為玻璃、聚碳酸酯（PC )、聚原冰片烯（ART〇N )、聚 醚颯（PES)、聚環烯烴（ZE0N0R)或三乙醯基纖維素（TAc)。 谷式觸控半反射半穿透平面顯示裝置， 鍍膜的方 該抗反射膜係利用

   9 ·如申請專利範圍第χ、2或3項所述抗反射之電 的材質， 13 M334968 聚醚石風（PES )、聚環烯烴（ZEONOR )、聚芳基酸酯（PAR )、 聚對奈二甲酸乙二酯（PEN )、聚對苯二甲酸乙二酯（PET ) 或三乙醯基纖維素（TAC)。 1 0 ·如申請專利範圍第4項所述抗反射之電容式觸 控半反射半穿透平面顯示裝置，該抗反射膜係利用鍍膜的 方式设於第二基板上表面，其包含多層折射率不同的材 質’该材質可為聚碳酸酯（PC)、聚原冰片烯（art〇n )、 聚醚颯（PES)、聚環烯烴（ZE0N0R)、聚芳基酸酯（pAR)、 I對奈一甲酸乙二酯（PEN )、聚對苯二甲酸乙二酯（pet ) 或三乙醯基纖維素（TAC)。 1 1 ·如申請專利範圍第5項所述抗反射之電容式觸 控半反射半穿透平面顯示裝置，該抗反射膜係利用鍍膜的 方式a又於第二基板上表面，其包含多層折射率不同的材 貝，々材質可為聚碳酸酯（pc )、聚原冰片烯（aRT〇n )、 聚醚砜（PES)、聚環烯烴（ZE〇N〇R)、聚芳基酸酯（pAR)、 _ 聚對奈一甲酸乙二酯（PEN )、聚對苯二甲酸乙二酯（pet ) 或三乙醯基纖維素（TAC)。 1 2 ·如申請專利範圍第6項所述抗反射之電容式觸 才工半反射半牙透平面顯示裝置，該抗反射膜係利用鍍膜的 方式/又於第_基板上表面，其包含多層折射率不同的材 貝該材貝可為聚碳酸酯（PC )、聚原冰片烯（ART〇N)、 聚崎石風（PES)、聚環烯烴（ZE〇_)、聚芳基酸醋（pAR)、 聚對奈一甲酸乙二酯（pEN )、聚對苯二甲酸乙二酯（PET ) 或二乙基纖維素（Tac )。 14