TWM323575U - High-power LED lampstand heat dissipating structure - Google Patents
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Description
M323575 八、新型說明: 【新型所屬之技術領域】 本新型是有關於一種高功率LED燈座散熱結構, 特別是指一種在一基板一面正、負極接點焊組一高功 率LED燈,其高熱可由整個基板、及所加工的上、下 導熱絕緣層,迅速作大面積的導熱散熱,構造簡單且 製造省成本之高功率LED燈座散熱結構者。 【先前技術】 台灣新型專利號數M244398「強光型LED手電筒」 ,疋申明人先前所申請的一種較新型的手電筒,其 LED燈的功率為約i瓦左右,而在此之前led手電筒 的LED燈,可產生的只有〇 κο.2瓦左右的功率,因此 該案可作比一般LED燈更強光的照射,使手電筒的照 明焭度作更加的精進,而該案受限於小型電池的供電 持續力無法再提高,因此只能適用在小型手電筒的領 域,超過1瓦則就無法適用,縱算可使用,在㈣燈 週邊結構會因高熱而熔解損毀,其功率無法再作提高 ,因此申請人繼續改良並於中華民國94年12月9曰申 請-第94143588號「強光手電筒散熱構造」新型專利 案,該案即將公開,用來提供給一更高功率、作強光 投射的小型或大型強光手電筒皆可適用,且作快速散 熱效率,惟該案的構造仍有精簡的空間,且隨著led 燈的瓦數更為提高,其散熱已經需考慮到更提高至約 為5瓦左右,因此,如何構思製造出一種在一基板一面 M323575 正、負極接點焊組一高功率LED燈,J:古勒γ i # >且 丹间熱可由整個 基板、及所加玉的上、τ導熱絕緣層,迅速作大面積 的導熱散熱,構造簡單且製造省成本之高功率LED燈 座散熱結構’是一可再作改進的問題。 【新型内容】 大面積的導熱散熱,構造簡單且製造省成本之高功率 led燈座散熱結構。 因此’本新型之主要㈣,即在提供—種在一基 板一面正、負極接點焊組一高功帛LED燈,其高熱可 由整個基板、及所加工的上、下導熱絕緣層,迅速'作 於是,本新型高功率LED燈座散熱結構,包括有 一基板,在一面,凸設有一第一負極接點及一第一正 極接點,並鑽穿有一正極孔及一負極孔;一第一導熱 絕緣層,被覆該基板的兩面及正極孔、負極孔之至少 之正極孔内;一導電層,被覆於該第一導熱絕緣層上 ,且使在該基板的一面導電層,形成為一使第一正極 接點與正極孔導通的第一彎型導片及一使第一負極接 點與負極孔導通的第二彎型導片,在另一面的導電層 /〇基片之周緣形成_負極圈環部並與負極孔導通,在 中〜形成一點狀導電部並與正極孔作導通;及一第二 導熱絕緣層,被覆於該導電層上,且第一彎型導片在 该一面只外露一第二正極接點與第二彎型導片在該另 卜路 卓一負極接點,且正極孔與負極孔是外 路’在第二面的負極圈環部與中心點狀導電部及正極 M323575 :匕與負極孔是外露;於基板的該一面中心點,置放一 - ㈤功率LED燈,將其中的—接腳,電性連接至第二負 、 #接點,將另一接腳電性連接至第二正極接點,該高 功率LED㈣高熱可由整個基板、第_面及第二面的 *有導熱效果第二絕緣層,迅速作大面積的導熱散熱 者。 本新型之功效,能提供一散熱結構,給一使用高 丨至5瓦左右的高功率LED燈作投射的強光手電筒作散 熱,且只是在基板上作加工,並不藉其它的複雜機構 來達成,構造簡單且製造更省成本者。 【實施方式】 有關本新型之前述及其他技術内容、特點與功效 ’在以下配合參考圖式之一實施例的詳細說明中,將 可清楚的明白。 圖1,是本新型高功率led燈座散熱結構的第一 實施例,包括有: 一基板1,是以一金屬板料作裁切成,配合圖2的 適當大小之基板1,具有第一面14及一遠離第一面的 弟一面15,在第一面14,以中心點16為對稱點並距離 - 一適當距離,凸設有一第一負極接點10及一第一正極 . 接點11,以中心點16為對稱點並距離一適當距離,鑽 穿有一正極孔12及一負極孔13 ; 一弟一導熱絕緣層2,被覆該基板1的第一面14、 第二面15及正極孔12、負極孔13之至少之正極孔12 7 M323575 内以環氧树脂材料為最佳,被覆後,第一負極接點 10及第一正極接點11仍為外露,該被覆加工本實施例 為在正極孔12與負極孔13内都作被覆,但也可只被覆 在正極孔12内,負極孔13内不被覆; 一導電層3,被覆於該第一導熱絕緣層2上,配合 圖3 ’且使在該基板的第一面14導電層30,形成為一 使第一正極接點1〇與正極孔12導通的第一彎型導片 300及一使第一負極接點11與負極孔13導通的第二彎 型導片301,在該第二面μ的導電層31,配合圖4, 沿基片之周緣形成一負極圈環部310並藉一短導片302 與負極孔13導通,在中心形成一點狀導電部311並藉 —短導片312與正極孔12作導通;及 一第二導熱絕緣層4,被覆於該導電層3上,且配 合圖5,第一彎型導片300只外露一第二正極接點1〇, ’第二彎型導片3〇1只外露一第二負極接點11,,且正 極孔12與負極孔13是外露的,配合圖6,在第二面 15的負極圈環部3 10與中心點狀導電部3 11及正極孔 12與負極孔13是外露的,該負極圈環部31〇是為一電 池包負極接點,中心點狀導電部311是為一電池包正極 接點。 當於基板1的第一面14中心點16,再配合圖5, 置放一高功率LED燈5,如前所述,該高功率LED燈 疋了產生南到5瓦左右的功率,且將其中的一接腳5〇 篆f生連接至弟一負極接點11 ’’將另一接腳5 1電性 M323575 連接至第二正極接點1〇,。 使用時,配合圖7,、虑細古古Λ ^ 知組有冋功率led燈5的基 板1’是放置在一丰^ , 電同6的前部機殼60裡部,其中 基板1第二面! 5的篥- ’、 弟一、、、邑緣層4,在本實施例是抵觸 於機殼60的内壁6〇〇,A , 基板1的側壁17是貼觸於機殼 的另内J 601,而電池盒7的正極點70是頂抵於 基板1第二面15外露的中心點狀導電部311,負極點 另以導線7GG及開關8電性連接至基板1的任〆負 極部位。 當撥動開關8,使電池盒7的負極點71與基板! 的負極部位形成通路,因此電流由正極點經中心點 狀導电4 311、圖4的短導片312、正極孔12、圖3的 第奢型導片300至圖5的高功率[ED燈5接腳51、 南功率LED燈5、接腳5〇、圖3的第二彎型導片3〇ι 、、負極孔11、圖4的短導片3〇2、負極圈環部31〇,形 、匕路鬲功率LED燈5通電發光,而高功率LED 燈5所產生的高熱,再考圖7,可由基板1的側部17 導熱到機殼60的該另一内壁6〇1,也可由基板i第二 面15的第二絕緣層4導熱到機殼60的該一内壁600, 作迅速且大面積的導熱散熱。 圖8是本新型高功率lED燈座散熱結構第二實施 例’與圖1不同的地方僅在於,在該負極孔丨3内,不 作被覆4層具有導熱效果的第一絕緣層2,即在負極孔 13内的導電層3可直接接觸基板1作導通,因其對整 M323575 個迴路的電性導通LED㈣並無任何的影響,且導電 層3疋直接接觸基板丨增加導熱面積,可增加散熱效果 〇 因此本案確實較第M244398號「強光型led手電 筒」與第94143588號「強光手電筒散熱構造」新型專 利申請案的散熱效果更佳’適用高達5瓦左右的功率 LED燈的散熱’且本案只是在基1上作加工並不藉 其它的複雜機構來達成,構造簡單,在製造上是可更 省成本。 一准以上所述者,僅為本新型之較佳實施例而已, 當不能以此限定本新型實施之範圍,即大凡依本新型 申請專利範圍及新型說明書内容所作之簡單的等效變 化與修飾,皆應仍屬本新型專利涵蓋之範圍内。
10 M323575 【圖式簡單說明】 圖1是本新型高功率LED燈座散熱結構第一實施 例沿著一極孔的縱向斷面示意圖; 圖2是圖1的基板第一面示意圖; 圖3是圖2鍍導電層後之示意圖; 圖4是圖1的基板第二面鍍導電層後之示意圖; 圖5是圖3被覆第二絕緣層後及焊組LED燈之外 觀示意圖;
圖6疋圖4被覆弟二絕緣層後之外觀圖; 圖7是圖1產品置組入一手電筒内之部份剖视八 思圖;及 圖8是本新型高功率LED燈座散熱結構_余 沿著負極孔的縱向斷面示意圖。 只 施例 11 M323575
【主要元件符號說明】 1 基板 5 LED燈 10 第一正極接點 50 LED燈一接腳 105 第二正極接點 51 LED燈另一接腳 11 第一負極接點 6 手電筒 1Γ 第二負極接點 60 手電筒前部機殼 12 正極孔 600 前部機殼内壁 13 負極孔 601 前部機殼另一内壁 14 基板的第一面 7 電池盒 15 基板的第二面 70 電池盒正極點 16 中心點 700 導線 17 基板側壁 71 電池盒負極點 2 導熱之第一絕緣層 8 開關 3 導電層 30 在第一面的導電層 300 第一彎型導片 301 第二彎型導片 302 短導片 31 在第二面的導電層 310 負極圈環部 311 點狀導電部 312 短導片 4 導熱之第二絕緣層 12
Claims (1)
- M323575 九、申請專利範圍: 1.一種高功率LED燈座散熱結構,係包括有: 一基板,是為一金屬板,具有第一面及一遠離第一面 的第二面,在第一面,以中心點為對稱點並距離一適當距 離’凸設有一第一負極接點及一第一正極接點,以中心點 為對稱點並距離-適當距離,鑽穿有一正極孔及一負極孔一第一導熱絕緣層,被覆該基板的第一面、第二面及 正極孔、負極孔之至少之正極孔内,被覆後,第一負極接 點及第一正極接點為外露; 一導電層’被覆於㈣m緣層上,且使在該基 板的第-面導電層,形成為一使第—正極接點與正極孔導 通的第-彎型導片及一使第一負極接點與負極孔導通的第 二弯型導片,在該第二面的導電層沿基片之周緣形成一負 極圈環部並藉-短導片與貞極孔導通,在中心形成一點狀 導電部並藉一短導片與正極孔作導通;及 ,一第二導熱絕緣層,被覆於該導電層上,且第一彎 型導片在第-面只外露一第二正極接點與第二彎型導片 在第-面只外露-第二負極接點,且正極孔與負極孔是 外露’在第二面的負極圈環部與中心點狀導電部及正極 孔與負極孔是外露; 於基板的第一面中心s;,罢# 令上士 w ^點,置放一咼功率LED燈,將 其中的一接腳,電性遠接 包丨王埂接至第一負極接點,將另一接腳 電性連接至第二正極接一 镬;該冋功率led燈的高熱可由 13 M323575 整個基板、第-面及第二面的具有導熱效果第二絕緣層 ,迅速作大面積的導熱散熱,整體構造簡單。 2·根據申請專利制第丨項所述之高功率㈣燈 構,其中負極圈環部是為-電池包負極接點,所形成的、: 心點狀導電部是為一電池包正極接點。 3 ·根據申請專利範圍第1馆撕、+、 ^ 诚所述之南功率LED燈座散熱結 構、、有V熱效果的第一絕緣層,可為一防焊文字層。 4. 根射請專利範㈣1項或第2項或第3項所述之高功率 燈座散熱結構,在正極孔與負極孔内,皆被覆有該 層具有導熱效果的第一絕緣層。 5. 根射請專利範圍第1項或第2項或第3項所述之高功率 LED燈座散熱結構,該基板為一銘板。 6. 根射請專利範圍第1項或第2項或第3項所述之高功率 LED燈座散熱結構,該導電層為一銅材質者。 7. 根射請專利範圍第1項或第2項或第3項所述之高功率 LE=燈座散熱結構,該第—層、第二層具有導熱效果絕緣 層為一環氧樹脂者。 8. 根據中請專利範圍第1項或第2項或第3項所述高功率 燈座散熱結構,其中只在正極孔内,被覆有該層具有 導熱效果的第—絕緣層,可使負極孔的導電層與基板直接 導通,增加導熱面積,可增加散熱效果者。 14
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TWM323575U true TWM323575U (en) | 2007-12-11 |
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TW96210525U TWM323575U (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | High-power LED lampstand heat dissipating structure |
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- 2007-06-28 TW TW96210525U patent/TWM323575U/zh not_active IP Right Cessation
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