TWM312774U - Non-polar surface adhesive LED - Google Patents

Description

M312774 八、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作一種無極性表面黏著型發光二極體之主要目的，係提供一 種無極性之發光二極體單元，不會因極性接反而造成失去發光之功能。 【先前技術】 請參閱第一圖習用之表面黏著型發光二極體，其中該表面黏著型 #發光一鋪-端為P型接面1〇〇，另一端為N型接面腦；該p型接面 100接上正極電壓，N型接面2〇〇接上負極電極，以順向偏壓方式，令 表面黏著型發光二極體發光；若p型接面1〇〇接上負極電壓，N型接 面200接上正極電極，此時逆向偏壓造成該表面黏著型發光二極體内 部斷路，而無法發光； 故驾知表面黏者型發光二極體，具有一定之極性，在實際電路 應用時，須根據其極性給予順向電壓，才能發光，若不慎接反時，則 瞻$亥發光一極體將失去其功能，又該習知之表面黏著型發光二極體，僅 能承載3V至5V的低電壓，若應用於較高電壓之迴路時，必須外接分 壓電阻，如此一來，不僅增加電路設計之複雜性，且提高了成本支出。 因此，如何摒除極性及承載電壓的缺失，即為本案創作人所欲解 決之技術困難點之所在。 【新型内容】 本創作係一種無極性表面黏著型發光二極體，其包括··基板、發 .M312774 .光體、金屬薄膜、封裝層；-基板，該基板兩面係熱壓貼合銅箱金屬 薄膜，該基板正通刻成四_立區塊之金屬義，於基板背祕刻 成-獨立區塊之金屬薄膜，该發光體係由晶元電阻及晶元發光二極體 組成’並以導電膠體固定於金屬薄膜上，並_熱源超音波焊接技術 分別在晶元餘及該晶元發光二極斷料線，焊接賴發光體並聯 之等效電路後，並於兩側以電鍵通孔方式使上下兩塊獨立之銅羯導 通，其基板正面以該封裝層封裝表面，構成—種無極性表面黏著型發 •光二極體，提供雙向電壓均能使本創作動作，亦即本創作該兩端施予 電壓何者為正，何者為負均能達到發光目的。 再者’本創作之發光體其所承載電壓高低，隨著該晶元電阻之阻 值大小所變化，其中該晶元電阻係切半導體限流電阻㈤_ Resister Chip) ’其等效公式為：Vl=i •㈣，Vl為承載電壓、ι為石夕 半$體限大電流、R為;5夕半導體限流電阻之阻值、％為發光 二極體之額定軸電壓；因此’切半導體限流電阻之阻鎌低時， 鲁則所承載的電壓較低，反之阻值較高時，其承載的電壓較高。 【實施方式】 首先Μ參’二圖及第三1|所示，本創作—種無極性表面黏著型 發光二極體，其實施時： 本創作係一種無極性表面黏著型發光二極體，其包括：基板i、 金屬薄膜2、發光體3、封裝層4 ; 一基板1，該基板1兩面係熱壓貼合銅箔金屬薄膜，該基板正面 M312774 蝕刻成四個獨立之金屬薄膜區塊，於基板反面蝕刻成二獨立之金屬薄 膜區塊，又該基板兩端各設有左鑛通孔23A、右鑛通孔23B，使基板正 面至反面之金屬薄膜予以導電。 金屬薄膜2，該金屬薄膜2係熱壓貼合於基板正面、反面，其正 面蝕刻成左、右、上、下獨立金屬薄膜區塊21A、21B、21C、21D，反 面金屬薄膜22蝕刻成左金屬薄膜區塊22A、右金屬薄膜區塊22B，該 正面之左、右獨立金屬薄膜區塊21A、21B藉左鍍通孔23A、右鍍通孔 φ 23B和左金屬薄膜區塊22A、右金屬薄膜區塊22B連接導通，又該正面 之左、右獨立金屬薄膜區塊21A、21B分別固接發光體3，利用熱源超 音波焊接技術，於晶元電阻31與晶元發光二極體32打出導線焊接於 上、下獨立金屬薄膜區塊21C、21D，連接成一並聯等效電路（如第四 圖）。 一發光體3 ’該發光體3係由晶元電阻31及晶元發光二極體32 組成’並分別以導電膠體黏固於該基板正面之左、右獨立金屬薄膜區 •塊 21A、21B 上。 一封裝層4，該封裝層4係封裝於基板上之發光體，以保護晶元 電阻31及晶元發光二極體32。 本創作一種無極性表面黏著型發光二極體6，其中該基板1兩面 係熱壓貼合銅箔金屬薄膜2，又該基板1正面蝕刻成左、右、上、下 獨立金屬薄膜區塊21A、21B、21C、21D，於基板1反面蝕刻成左金屬 薄膜區塊22A、右金屬薄膜區塊22B，該發光體3係由晶元電阻31及 晶元發光一極體32組成，並以導電膠體固定於左獨立金屬薄膜區塊 M312774 21A、右獨立金屬薄膜區塊21B上，並利用超音波焊接技術分別在晶元 電阻31及該晶元發光二極體32打出導線，焊接成該發光體3並聯之 等效電路後，其基板1正面以該封裝層4封裝表面，構成一種無極性 表面黏著型發光二極體6，提供雙向電壓均能使本創作動作，亦即本 創作該兩端施予電壓何者為正，何者為負均能達到發光目的。 請參閱第四圖本創作之等效電路圖，其中該晶元電阻31係等效為

Rl、R2 321、322，該晶元發光二極體32係等效為LED1、LED2 301、 • 302，該基板1兩側鍍通孔23係等效為a、β兩端點，其電路結構：一 組為R1 321串聯LED1 301，另一組為R2 322串聯LED2 302，且該二 組反向並聯接出A、B兩端點，其中該LED1 301與LED2 302為反向； 當A端接正極，β端接負極時，則LED1 3〇1順向導通，LED2 3〇2逆向 截止，此時LED1 301發光；反之，當A端接負極，B端接正極，則LED1 3〇1逆向截止，LED2 302順向導通，此時LED2 302會發光；故無論正' 負極接於那一端，該無極性表面黏著型發光二極體均能達到發光之目 鲁的。 請參閱第五®本創狀實施例，在實際生產上，本創作係採取陣 列式模組化生產，亦即在-個較大面積基板5上，利用侧技術來佈 局，將數百個甚至於上千個微小之無極性表面黏著型發光二極體6， 口併刀佈其上’經固晶’打線和封裝之後，再予以切割成無極性表面 黏著型發光二極體6，能夠大量生產，並且降低成本。 睛茶閱第六圖本創作另-實施例，本創作其應用時，利用其基板 反面之左金屬薄膜區塊22A、右金屬薄膜區塊22B，搭接鱗接組合於 M312774 : ’該保險絲61其兩端沒有錄的分別，該保 ==^_著型發光二極體6,不贿麵-義接於正料 祕i 斷紐時令設置於紐_之無錄表面黏著 型發光二極體發光。 两#者 兹為突顯本創作係制將其優點作—簡述如下： 本創作之優點： 結構薄而精巧，該無極性表面黏著型發光二極體係為 SMD(Surface Mounted Devices)表面黏著元件者。 2. 無極性’無論該無極性表面黏著型發光二極體兩端施予電塵何 者為正，何者為負均能達到發光目的。 3. 本創作係半導體之製織術來生產，所以其體積可以非常 微小’且為—基板切割成數百個單位而成，故能大量生產進而 降低生產成本。 4.承載電壓高，該無極雌面黏著型發光二極體係串接秒半導體 限流電阻，經調整石夕轉體⑯流電阻之阻值大小，改變承載電 壓之耐壓程度。 •應用性佳，該基板反面之金屬薄膜係供搭接或銲接組合應用 之，如第五圖，該無極性表面黏著型發光二極體搭接於保險絲 内加以應用。 綜上所述，本創作在突破先前之技術結構下，確實已達到所欲增 進之功效，且也非熟悉該項技藝者所易於思及；再者，本創作申請前 未冒公開，其所具之進步性、實用性，顯已符合新型專利之申請要件， M312774 爰依法提出新型申請。 惟以上所述僅為本創作之一較佳可行實施例，非因此即拘限本創 作之專利範圍，故舉凡運用本創作說明書及圖式内容所為之等效結構 ’直接或間接運用於其它相關技術領域者，均同理皆理應包含於本創 作之精神範疇的範圍内，合予陳明。 【圖式簡單說明】 I 第一圖習用之發光二極體圖。 第二圖本創作之正面立體結構圖。 第三圖本創作之反面立體結構圖。 第四圖本創作之等效電路圖 第五圖本創作之實施例。 第六圖本創作另一實施例。 I 【主要元件符號說明】 100 P型接面 200 N型接面 21B右獨立金屬薄膜區塊 21D下獨立金屬薄膜區塊 22A左金屬薄膜區塊 23鍍通孔 23B右鍍通孔 1基板 2金屬薄膜 21A左獨立金屬薄膜區塊 21C上獨立金屬薄膜區塊 22反面金屬薄膜 22B右金屬薄膜區塊 23A左鍛通孔 M312774 3發光體 302 LED2 32晶元發光二極體 322 R2 5大面積基板 6無極性表面黏著型發光二極體 301 LED1 31晶元電阻 321 R1 4封裝層 61保險絲

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Claims (1)

1. .M312774 九、申請專利範圍： _ h —種無極性表面黏著型魏二極體，其包括：基板、發光體、 金屬薄膜、封裝層； -基板’該基板兩聽熱壓貼合鋪金屬_，其正通刻成四 個獨立之金屬薄膜區塊’於基板反面綱成二獨立之金屬薄膜 ㊣塊，又該基板兩端各設-鍍通孔，使基板正面至反面之金屬 薄膜予以導通； ^ —金屬薄膜，該金屬薄膜係熱壓貼合於基板正、反面金屬薄膜， 其正面金屬薄膜姓刻成左、右、上、下四個獨立金屬薄膜區塊， 反面金屬薄膜，侧成左、右兩個獨立金屬薄膜區塊，該正面 之左、右兩個獨立金屬薄膜區塊藉左、右兩個鑛通孔和反面之 左、右獨立金屬薄膜區塊連接導通，分別固接發光體，利用超 音波焊接技術，於晶元電阻與發光二極體打出導線焊接於上、 下獨立金屬薄膜區塊，連接成一並聯等效電路； 鲁 一發光體，该發光體係由晶元電阻及晶元發光二極體組成，並分 別以導電膠體黏固於該基板正面之左、右區塊金屬薄膜上； 一封裝層，该封裝層係封裝於基板上之發光體，以保護晶元電阻 及晶元二極體。 2·如申請專利範圍第1項所述之無極性表面黏著型發光二極體， 其中該發光體串接晶元電阻，用以承載較高電壓，同時能避免 晶元發光二極體燒毀。 3·如申請專利範圍第1項所述之無極性表面黏著型發光二極體， 12 M312774 該無極性表面黏著型發光二極體内有二組晶元發光二極體串 接晶元電阻之結構，其中該一組晶元發光二極體串接晶元電阻 之結構與另一組反向並聯之，藉以達到無正負極性之限制。 4·如申請專利範圍第1項所述之無極性表面黏著型發光二極體， 該無極性表面黏著型發光二極體係為SMD(SUrfaCe Mounted Devices)表面黏著元件者，其中該晶元電阻係為矽半導體限流 電阻(Silicon Resister Chip)，該晶元發光二極體係為（LED CHIP)者。 5·如申請專利範圍第1項所述之無極性表面黏著型發光二極體， 該基板反面之金屬薄膜係供搭接或銲接組合應用之。