TWI917543B - 保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、具保護膜之工件加工物的製造方法、以及具保護膜之工件的製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種保護膜形成膜，係熱硬化性之保護膜形成膜，並且，於將作為多片前述保護膜形成膜之積層物的寬度4mm之試片取20mm之間隔以兩處保持，藉由拉伸模式一邊以頻率11Hz、升溫速度3℃/min、等速升溫之條件將前述試片自-10℃升溫至170℃為止，一邊測定前述試片之儲存彈性模數E’時，於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之儲存彈性模數E’成為1MPa以上。

Description

保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、具保護膜之工件加工物的製造方法、以及具保護膜之工件的製造方法

本發明係關於一種保護膜形成膜、保護膜形成用複合片、具保護膜之工件加工物的製造方法、以及具保護膜之工件的製造方法。 本申請案係基於2021年3月22日於日本提出申請之日本特願2021-047600號並主張優先權，將該申請案之內容援用於此。

於半導體晶圓或絕緣體晶圓等晶圓中，有下述晶圓：於該晶圓的一面(電路面)形成有電路，進而於該面(電路面)上形成有凸塊等突狀電極。此種晶圓係藉由分割而成為晶片，藉由將該晶片之突狀電極連接於電路基板上之連接墊，而搭載於前述電路基板。 此種晶圓或晶片中，為了抑制龜裂之產生等破損，有時以保護膜來保護與電路面為相反側之面(內面)。

為了形成此種保護膜，於晶圓的內面貼附用以形成保護膜之保護膜形成膜。保護膜形成膜有時係積層於用以支撐該保護膜形成膜之支撐片上而以保護膜形成用複合片之狀態使用，亦有時係不積層於支撐片上而使用(參照專利文獻1)。繼而，於內面具備保護膜形成膜之晶圓(具保護膜形成膜之晶圓)係經由後續之各種步驟，而加工成於內面具備保護膜之晶片(具保護膜之晶片)。此種具保護膜之晶片係於拾取後搭載於電路基板，構成各種基板裝置(例如半導體裝置)。

前述具保護膜之晶片例如可藉由下述方式製作：製作上述具保護膜形成膜之晶圓後，將晶圓加以分割而製作晶片，並切斷保護膜形成膜，藉此製作於內面具備切斷後之保護膜形成膜之晶片(具保護膜形成膜之晶片)，進而使切斷後之保護膜形成膜硬化，形成保護膜。

而且，前述具保護膜之晶片例如亦可藉由下述方式製作：製作上述具保護膜形成膜之晶圓後，使其中之保護膜形成膜硬化而形成保護膜，繼而將晶圓加以分割而製作晶片，並切斷保護膜。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]國際公開第2015/111632號。

[發明所欲解決之課題]

作為前述保護膜形成膜，可廣泛地利用熱硬化性之保護膜形成膜，該熱硬化性之保護膜形成膜係藉由加熱進行熱硬化而能夠形成保護膜。熱硬化性之保護膜形成膜例如大多情況下於120℃至130℃左右之溫度熱硬化。另一方面，於此種溫度之熱硬化通常係進行數小時。因此，於具保護膜之晶片之製造過程中，期望藉由縮短該熱硬化所需要之時間，而縮短步驟總體之時間。因此，考慮提高使保護膜形成膜進行熱硬化時之加熱溫度。

然而，如上文所述，於製作於內面具備切斷後之保護膜形成膜之晶片、亦即具保護膜形成膜之晶片，並將該切斷後之保護膜形成膜於較先前更高之溫度加熱之情形時，於保護膜形成膜充分硬化之前，保護膜形成膜之流動性較先前更高。於是，於存在於附近的具保護膜形成膜之晶片彼此之間，保護膜形成膜容易互相接觸，於接觸而密接之情形時，保持該經密接之狀態而進行保護膜形成膜之硬化，製作出多個晶片由保護膜相連之不良品。

而且，如上文所述，於製作具保護膜形成膜之晶圓後，將其中之保護膜形成膜於較先前更高之溫度加熱之情形時，的確於保護膜形成膜充分硬化之前，保護膜形成膜之流動性較先前更高。於是，於具保護膜形成膜之晶圓中的沿著晶圓的外周之周緣部中，保護膜形成膜變形，典型而言越係靠近外周之部位則厚度越變薄。此種現象亦容易受到加熱時產生之熱風之影響。於此種情形時，於繼而將晶圓加以分割而製作晶片，並切斷保護膜，藉此製作具保護膜之晶片時，於由靠近晶圓之外周的部位所製作之具保護膜之晶片中，保護膜之厚度較通常更薄，或保護膜形成傾斜面，仍然製作出不良品。

如此，於形成保護膜時，將保護膜形成膜於較先前更高之溫度加熱之情形時，所形成之保護膜發生各種異常。另外，專利文獻1所揭示之保護膜形成膜並非以解決此種問題點為目的。

此處，關於將保護膜形成膜於較先前更高之溫度加熱之情形的問題點，列舉由晶圓製作晶片之情形為例進行了說明，但此種問題點於加工晶圓以外之工件之情形時亦可能產生。

本發明之目的在於提供一種保護膜形成膜、具備前述保護膜形成膜之保護膜形成用複合片、使用前述保護膜形成膜或保護膜形成用複合片之具保護膜之工件加工物的製造方法，前述保護膜形成膜係熱硬化性之保護膜形成膜，並且，於將保護膜形成膜貼附於工件，然後將工件加工而製作工件加工物，使保護膜形成膜熱硬化形成保護膜，藉此製造具保護膜之工件加工物時，即便使保護膜形成膜於較先前更高之溫度進行熱硬化，亦能夠抑制保護膜中發生異常。 [用以解決課題之手段]

本發明提供一種保護膜形成膜，係熱硬化性之保護膜形成膜，並且，於將作為多片前述保護膜形成膜之積層物的寬度4mm之試片取20mm之間隔於兩處進行保持，藉由拉伸模式一邊以頻率11Hz、升溫速度3℃/min、等速升溫之條件將前述試片自-10℃升溫至170℃為止，一邊測定前述試片之儲存彈性模數E’時，於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之儲存彈性模數E’成為1MPa以上。

藉由將本發明之保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度區域加熱1小時而獲得之熱硬化物在波長550nm之光之穿透率亦可為90%以下。 本發明之保護膜形成膜之厚度亦可未達50μm。

本發明提供一種保護膜形成用複合片，係具備支撐片、及設置於前述支撐片的一面上之保護膜形成膜，前述保護膜形成膜為上述本發明之保護膜形成膜。 本發明提供一種具保護膜之工件加工物的製造方法，前述具保護膜之工件加工物係具備藉由將工件加工而獲得之工件加工物、及設置於前述工件加工物的任一部位之保護膜，前述製造方法係具有下述步驟：貼附步驟，將上述本發明之保護膜形成膜、或上述本發明之保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜貼附於前述工件的目標部位，藉此製作具備前述工件及保護膜形成膜的具保護膜形成膜之工件；加工步驟，於前述貼附步驟後，藉由將前述工件加工而製作前述工件加工物；切斷步驟，於前述貼附步驟後，切斷前述保護膜形成膜；以及熱硬化步驟，於前述加工步驟及切斷步驟後，使切斷後之前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成前述保護膜，藉此製作前述具保護膜之工件加工物。

本發明係一種具保護膜之工件的製造方法，並且，前述具保護膜之工件係具備工件、及設置於前述工件的任一部位之保護膜，前述製造方法係具有下述步驟：貼附步驟，將上述本發明之保護膜形成膜、或上述本發明之保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜貼附於前述工件的目標部位，藉此製作具備前述工件及保護膜形成膜的具保護膜形成膜之工件；以及熱硬化步驟，於前述貼附步驟後，使前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成前述保護膜，藉此製作前述具保護膜之工件。 [發明功效]

根據本發明，提供一種保護膜形成膜、具備前述保護膜形成膜之保護膜形成用複合片、使用前述保護膜形成膜或保護膜形成用複合片之具保護膜之工件加工物的製造方法，前述保護膜形成膜係於將保護膜形成膜貼附於工件，然後將工件加工而製作工件加工物，使保護膜形成膜熱硬化形成保護膜，藉此製造具保護膜之工件加工物時，即便使保護膜形成膜於較先前更高之溫度進行熱硬化，亦能夠抑制保護膜中發生異常。

◇保護膜形成膜 本發明之一實施形態之保護膜形成膜係熱硬化性之保護膜形成膜，並且，於將作為多片前述保護膜形成膜之積層物的寬度4mm之試片取20mm之間隔於兩處進行保持，藉由拉伸模式一邊以頻率11Hz、升溫速度3℃/min、等速升溫之條件將前述試片自-10升溫至170℃為止，一邊測定前述試片之儲存彈性模數E’時，於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之儲存彈性模數E’成為1MPa以上。 本實施形態之保護膜形成膜例如可如後述般，藉由與支撐片積層而構成保護膜形成用複合片。

於本實施形態中，作為工件，例如可列舉半導體晶圓等晶圓、半導體裝置面板等。所謂半導體裝置面板，為半導體裝置之製造過程中所操作者，作為該半導體裝置面板之具體例，可列舉：使用一個或兩個以上之電子零件經密封樹脂密封之狀態的半導體裝置，將多個這些半導體裝置於圓形、矩形等形狀之區域內平面地配置而構成之半導體裝置面板。 於本說明書中，將對工件進行加工而成之物品稱為「工件加工物」。例如於工件為半導體晶圓之情形時，作為工件加工物，可列舉半導體晶片。

藉由使用本實施形態之保護膜形成膜、或具備該保護膜形成膜之保護膜形成用複合片，而能夠製造具備工件加工物及設置於前述工件加工物的任一部位之保護膜的具保護膜之工件加工物。例如，於工件為晶圓之情形時，藉由使用前述保護膜形成膜或保護膜形成用複合片，而能夠製造具備晶片及設置於前述晶片的內面之保護膜的具保護膜之晶片。

於本說明書中，作為「晶圓」，可列舉：由矽、鍺、硒等之元素半導體或GaAs、GaP、InP、CdTe、ZnSe、SiC等之化合物半導體所構成之半導體晶圓；由藍寶石、玻璃、鈮酸鋰、鉭酸鋰等絕緣體所構成之絕緣體晶圓。 於這些晶圓的一面上形成有電路，於本說明書中，將如此形成有電路之側的晶圓之面稱為「電路面」。另外，將晶圓中的與電路面為相反側之面稱為「內面」。 晶圓係藉由切割等手段而經分割成為晶片。於本說明書中，與晶圓之情形同樣地，將形成有電路之側的晶片之面稱為「電路面」，將晶片中的與電路面為相反側之面稱為「內面」。 於晶圓的電路面及晶片之電路面，較佳為均設有凸塊、支柱等突狀電極。突狀電極較佳為由焊料所構成。

進而，藉由使用前述具保護膜之晶片，而能夠製造基板裝置。 於本說明書中，所謂「基板裝置」，意指將具保護膜之晶片於該晶片的電路面上之突狀電極中覆晶連接於電路基板上之連接墊而構成之基板裝置。例如，若為使用半導體晶圓作為晶圓之情形，則作為基板裝置，可列舉半導體裝置。

前述試片之儲存彈性模數E’於160℃至170℃之整個溫度區域中成為1MPa以上，藉此，於使用本實施形態之保護膜形成膜製造前述具保護膜之工件加工物時，即便使保護膜形成膜於較先前更高之溫度進行熱硬化，亦能夠抑制保護膜中發生異常。更具體而言，例如於相鄰之具保護膜之工件加工物彼此中，能夠抑制保護膜之密接，而且，於具保護膜之工件中，能夠抑制配置於工件周緣部之保護膜之變形。具保護膜之工件藉由工件之加工而成為具保護膜之工件加工物。 如此，本實施形態之保護膜形成膜即便於較先前更高之溫度進行熱硬化，亦能夠抑制保護膜中發生異常，故而藉由使用本實施形態之保護膜形成膜，而能夠以較先前更短之時間製造前述具保護膜之工件加工物。

本實施形態之保護膜形成膜具有熱硬化性，藉由熱硬化而作為保護膜發揮功能。

藉由將常溫之保護膜形成膜加熱至超過常溫之溫度為止，繼而冷卻至達到常溫為止，而製成加熱、冷卻後之保護膜形成膜，於將加熱、冷卻後之保護膜形成膜之硬度與加熱前之保護膜形成膜之硬度於相同溫度進行比較時，加熱、冷卻後之保護膜形成膜更硬之情形時，該保護膜形成膜為熱硬化性。

保護膜形成膜可由一層(單層)所構成，亦可由兩層以上之多層所構成。於保護膜形成膜由多層所構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。

於本說明書中，不限於保護膜形成膜之情形，所謂「多層可彼此相同亦可不同」，意指「可使所有層相同，亦可使所有層不同，亦可僅一部分層相同」，進而所謂「多層互不相同」，意指「各層之構成材料及厚度之至少一者互不相同」。

前述儲存彈性模數E’之測定係藉由將多片前述保護膜形成膜加以積層並切出而製作寬度4mm之積層物，將該積層物用作試片而進行。更具體而言，將前述試片取20mm之間隔於兩處進行保持，於該狀態下一邊將試片以升溫速度3℃/min自-10℃等速升溫至170℃為止，一邊於頻率11Hz之條件下測定試片之儲存彈性模數E’。 所謂將試片取20mm之間隔於兩處進行保持，意指試片之儲存彈性模數E’的測定對象部分之長度為20mm。

前述試片之於前述兩處之保持例如可使用公知之夾具等保持手段來進行。

前述試片(積層物)之厚度係只要不妨礙前述試驗之實施，且不損及前述儲存彈性模數E’之測定精度，則並無特別限定。 通常，前述試片之厚度較佳為190μm至210μm，更佳為195μm至205μm，尤佳為200μm。

構成前述試片之保護膜形成膜之片數只要為兩片以上，則並無特別限定，可根據各保護膜形成膜之厚度而任意選擇。 例如，藉由使用厚度為40μm之5片保護膜形成膜，而可製作厚度為200μm之前述試片。然而，該情況為一例，所使用之保護膜形成膜之片數及厚度不限定於此。

前述試片於160℃至170℃之整個溫度區域中顯示之儲存彈性模數E’只要為1MPa以上，則並無特別限定，較佳為3MPa以上，更佳為5MPa以上，例如亦可為10MPa以上、20MPa以上及30MPa以上的任一個。前述儲存彈性模數E’越高，則抑制上述保護膜中發生異常之功效越變高。

前述試片於160℃至170℃之整個溫度區域中顯示之儲存彈性模數E’之上限值並無特別限定。於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之儲存彈性模數E’成為350MPa以下之保護膜形成膜係實現性高，前述儲存彈性模數E’例如亦可為200MPa以下、150MPa以下、及120MPa以下的任一個。

前述試片於160℃至170℃之整個溫度區域顯示之儲存彈性模數E’可於將上述任一下限值與任一上限值任意組合而設定之範圍內適當調節。例如，於一實施形態中，前述儲存彈性模數E’可為1MPa至350MPa、3MPa至350MPa、5MPa至350MPa、10MPa至350MPa、20MPa至350MPa及30MPa至350MPa的任一個，亦可為1MPa至200MPa、3MPa至200MPa、5MPa至200MPa、10MPa至200MPa、20MPa至200MPa及30MPa至200MPa的任一個，亦可為1MPa至150MPa、3MPa至150MPa、5MPa至150MPa、10MPa至150MPa、20MPa至150MPa及30MPa至150MPa的任一個，亦可為1MPa至120MPa、3MPa至120MPa、5MPa至120MPa、10MPa至120MPa、20MPa至120MPa及30MPa至120MPa的任一個。然而，這些為前述儲存彈性模數E’之一例。

前述試片較佳為於160℃至170℃之溫度區域中，溫度越高則顯示越高之儲存彈性模數E’。 亦即，前述保護膜形成膜較佳為，前述試片於160℃至170℃之溫度區域中，伴隨溫度之上升而顯示儲存彈性模數E’之上升。此種保護膜形成膜發揮抑制上述保護膜中發生異常之更高功效。

前述試片於160℃之溫度顯示之儲存彈性模數E’(於本說明書中，有時稱為「E’(160)」)亦可與上述的前述試片於160℃至170℃之整個溫度區域中顯示之儲存彈性模數E’之下限值相同。 前述試片於170℃之溫度顯示之儲存彈性模數E’(於本說明書中，有時稱為「E’(170)」)亦可與上述的前述試片於160℃至170℃之整個溫度區域中顯示之儲存彈性模數E’之上限值相同。 例如，E’(170)亦可高於E’(160)。

前述試片之儲存彈性模數E’可藉由調節前述保護膜形成膜之含有成分之種類及其含量而調節。 例如，於保護膜形成膜含有後述之聚合物成分(A)之情形時，藉由調節聚合物成分(A)所具有之構成單元之種類及其量，而能夠更容易地調節試片之儲存彈性模數E’。更具體而言，例如藉由使用具有一定量以上之自丙烯腈或丙烯酸所衍生之構成單元的丙烯酸樹脂作為聚合物成分(A)，並調節該丙烯酸樹脂之含量，而能夠更容易地調節試片之儲存彈性模數E’。 而且，例如於保護膜形成膜含有後述之填充材(D)之情形時，藉由調節填充材(D)之平均粒徑，而能夠更容易地調節試片之儲存彈性模數E’。典型而言，填充材(D)之平均粒徑越小，有試片之儲存彈性模數E’越變大之傾向。

於本說明書中，所謂「平均粒徑」只要無特別說明，則意指藉由雷射繞射散射法所求出之粒度分佈曲線中的累計值50%時之粒徑(D ₅₀)之值。

保護膜形成膜之厚度較佳為未達50μm，更佳為43μm以下，例如亦可為40μm以下。藉由保護膜形成膜之厚度為前述上限值以下，而抑制上述保護膜中發生異常之功效更高。

保護膜形成膜之厚度就能夠形成保護性能更高之保護膜之方面而言，較佳為5μm以上。

保護膜形成膜之厚度可於將上述任一上限值與下限值任意組合而設定之範圍內適當調節。例如，於一實施形態中，保護膜形成膜之厚度亦可為5μm以上至未達50μm、5μm至43μm及5μm至40μm的任一個。然而，這些為保護膜形成膜之厚度之一例。

於本說明書中，所謂「保護膜形成膜之厚度」，意指保護膜形成膜總體之厚度，例如所謂由多層所構成之保護膜形成膜之厚度，意指構成保護膜形成膜之所有層之合計厚度。

於本說明書中，不限於保護膜形成膜之情形，所謂「厚度」，只要無特別說明，則為於對象物中隨機選出之5處測定的厚度之平均所表示之值，可依據JIS(Japanese Industrial Standards；日本工業標準)K7130使用定壓厚度測定器獲取。

藉由將前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度區域加熱1小時而得之熱硬化物在波長550nm之光之穿透率(於本說明書中，有時稱為「光(550nm)穿透率」)並無特別限定，較佳為90%以下，例如亦可為70%以下、50%以下、30%以下及20%以下的任一個。藉由前述熱硬化物之光(550nm)穿透率為前述上限值以下，而能夠容易地辨識由前述保護膜形成膜所形成之保護膜之存在，具有更佳之外觀。

前述熱硬化物之光(550nm)穿透率之下限值並無特別限定。例如，前述熱硬化物之光(550nm)穿透率為1%以上之保護膜形成膜係能夠更容易地製造。

前述熱硬化物之光(550nm)穿透率可於將上述任一上限值與下限值任意組合而設定之範圍內適當調節。例如，於一實施形態中，前述熱硬化物之光(550nm)穿透率亦可為1%至90%、1%至70%、1%至50%、1%至30%及1%至20%的任一個。然而，這些為前述熱硬化物之光(550nm)穿透率之一例。

不限於前述光(550nm)穿透率，前述熱硬化物之光之穿透率可藉由調節前述保護膜形成膜之含有成分之種類及其含量而調節。 例如，於保護膜形成膜含有後述之著色劑(I)之情形時，藉由調節著色劑(I)之種類及其於保護膜形成膜中之含量，而能夠更容易地調節前述熱硬化物之光之穿透率。

於本實施形態中，藉由將前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度區域加熱1小時而得之熱硬化物較佳為作為保護膜發揮功能。

關於將前述保護膜形成膜貼附於晶圓的目標部位並進行熱硬化而形成保護膜時之硬化條件，只要保護膜成為充分發揮功能之程度之硬化度，則並無特別限定，只要根據保護膜形成膜之種類而適當選擇即可。

例如，保護膜形成膜之熱硬化時之加熱溫度亦可為100℃至200℃、110℃至180℃及120℃至170℃的任一個。然而，於本實施形態中，於前述加熱溫度為160℃至170℃之情形時，前述保護膜形成膜發揮之功效變得特別顯著。

前述熱硬化時之加熱時間只要考慮加熱溫度而適當設定即可，例如亦可為0.5小時至5小時、0.5小時至3小時及1小時至2小時的任一個。 例如，於前述加熱溫度為160℃至170℃，且前述加熱時間為0.5小時至1小時之情形時，前述保護膜形成膜發揮之功效變得特別顯著。

[保護膜形成用組成物] 前述保護膜形成膜可使用含有該保護膜形成膜之構成材料的保護膜形成用組成物(更具體而言為熱硬化性保護膜形成用組成物)來形成。例如，保護膜形成膜可藉由於該保護膜形成膜之形成對象面塗敷保護膜形成用組成物，根據需要加以乾燥來形成。保護膜形成用組成物中的於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與保護膜形成膜中的前述成分彼此之含量之比率相同。於本說明書中，所謂「常溫」，意指不特別冷或特別熱之溫度、亦即平常之溫度，例如可列舉15℃至25℃之溫度等。

前述保護膜形成膜亦可除了熱硬化性以外，還具有能量線硬化性。

於本說明書中，所謂「能量線」，意指電磁波或帶電粒子束中具有能量量子者，作為能量線之例，可列舉紫外線、放射線、電子束等。紫外線例如可藉由使用高壓水銀燈、熔合燈(fusion lamp)、氙氣燈、黑光或LED(Light Emitting Diode，發光二極體)燈等作為紫外線源而照射。關於電子束，可照射藉由電子束加速器等而產生者。 於本說明書中，所謂「能量線硬化性」，意指藉由照射能量線而硬化之性質，所謂「非能量線硬化性」，意指即便照射能量線亦不硬化之性質。

於保護膜形成膜中，相對於保護膜形成膜之總質量，保護膜形成膜之一種或兩種以上之後述的含有成分之合計含量之比率不超過100質量%。 同樣地，於保護膜形成用組成物中，相對於保護膜形成用組成物之總質量，保護膜形成用組成物之一種或兩種以上之後述的含有成分之合計含量之比率不超過100質量%。

保護膜形成用組成物之塗敷只要藉由公知之方法進行即可，例如可列舉：使用氣刀塗佈機、刀片塗佈機、棒塗機、凹版塗佈機、輥式塗佈機、輥刀塗佈機、簾幕式塗佈機、模塗機、刀式塗佈機、網版塗佈機、邁耶棒塗佈機、吻合式塗佈機等各種塗佈機之方法。

保護膜形成用組成物之乾燥條件並無特別限定。其中，於保護膜形成用組成物含有後述之溶媒之情形時，較佳為加熱乾燥。另外，含有溶媒之保護膜形成用組成物例如較佳為以70℃至130℃且10秒鐘至5分鐘之條件進行加熱乾燥。然而，保護膜形成用組成物為熱硬化性，故而較佳為以該組成物自身、及由該組成物所形成之熱硬化性之保護膜形成膜不發生熱硬化之方式加熱乾燥。

作為較佳之保護膜形成膜，例如可列舉：含有聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)及填充材(D)之保護膜形成膜。聚合物成分(A)係被視為聚合性化合物進行聚合反應而形成之成分。熱硬化性成分(B)係以熱作為反應之觸發而能夠進行硬化(聚合)反應之成分。再者，於本說明書中，聚合反應中亦包含縮聚反應。 以下，對保護膜形成用組成物之組成加以詳細說明。

[保護膜形成用組成物(III)] 作為較佳之保護膜形成用組成物，例如可列舉：含有前述聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)及填充材(D)之保護膜形成用組成物(III)(於本說明書中，有時簡稱為「組成物(III)」)等。

[聚合物成分(A)] 聚合物成分(A)為用以對保護膜形成膜賦予造膜性或可撓性等之聚合物化合物。再者，於本說明書中，聚合物化合物中亦包含縮聚反應之產物。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之聚合物成分(A)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些聚合物成分(A)之組合及比率可任意地選擇。

作為聚合物成分(A)，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧樹脂、聚矽氧樹脂、飽和聚酯樹脂等，較佳為丙烯酸樹脂。

作為聚合物成分(A)中之前述丙烯酸樹脂，可列舉公知之丙烯酸聚合物。 丙烯酸樹脂之重量平均分子量(Mw)較佳為10000至2000000，更佳為100000至1500000，進而佳為200000至1200000，尤佳為300000至1000000。藉由丙烯酸樹脂之重量平均分子量為前述下限值以上，而更容易增大前述E’(160)及E’(170)。藉由丙烯酸樹脂之重量平均分子量為前述上限值以下，而保護膜形成膜容易追隨被黏附體之凹凸面。

於本說明書中，所謂「重量平均分子量」，只要無特別說明，則為藉由凝膠滲透層析(GPC)法所測定之聚苯乙烯換算值。

丙烯酸樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃至70℃，更佳為-50℃至50℃，進而佳為-50℃至20℃，尤佳為-50℃至-5℃。藉由丙烯酸樹脂之Tg為前述下限值以上，而例如抑制保護膜形成膜之硬化物與支撐片之密接性，支撐片之剝離性適度提高。藉由丙烯酸樹脂之Tg為前述上限值以下，而保護膜形成膜及其硬化物與被黏附體之接著力提高。

丙烯酸樹脂具有m種(m為2以上之整數)構成單元，於對衍生出這些構成單元之m種單體分別依序分配1至m中任一個不重複之編號而命名為「單體m」之情形時，丙烯酸樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)可使用以下所示之Fox公式而算出。

(式中，Tg為丙烯酸樹脂之玻璃轉移溫度；m為2以上之整數；Tg _k為單體m之均聚物之玻璃轉移溫度；W _k為丙烯酸樹脂中的自單體m衍生之構成單元m之質量分率，其中，W _k滿足下述式)。

(式中，m及W _k與前述相同)。

作為前述Tg _k，可使用高分子資料手冊、黏著手冊或聚合物手冊(Polymer Handbook)等所記載之值。例如，丙烯酸甲酯之均聚物之Tg _k為10℃，甲基丙烯酸甲酯之均聚物之Tg _k為105℃，丙烯酸2-羥基乙酯之均聚物之Tg _k為-15℃，甲基丙烯酸縮水甘油酯之均聚物之Tg _k為41℃，丙烯酸2-乙基己酯之均聚物之Tg _k為-70℃，丙烯酸之均聚物之Tg _k為103℃，丙烯腈之均聚物之Tg _k為97℃，丙烯酸正丁酯之均聚物之Tg _k為-54℃，丙烯酸乙酯之均聚物之Tg _k為-24℃。

作為丙烯酸樹脂，例如可列舉：一種或兩種以上之(甲基)丙烯酸酯之聚合物；選自前述(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯及N-羥甲基丙烯醯胺等中的兩種以上之單體之共聚物等。

作為構成丙烯酸樹脂之前述(甲基)丙烯酸酯，例如可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯((甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯((甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯((甲基)丙烯酸棕櫚酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯((甲基)丙烯酸硬脂酯)等構成烷基酯之烷基為碳數1至18之鏈狀結構的(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯；(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯酯等(甲基)丙烯酸環烯基酯；(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸環烯氧基烷基酯；(甲基)丙烯酸醯亞胺；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含縮水甘油基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等含羥基之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸N-甲基胺基乙酯等含經取代之胺基之(甲基)丙烯酸酯等。此處，所謂「經取代之胺基」，意指具有胺基之一個或兩個氫原子經氫原子以外之基取代的結構之基。

於本說明書中，所謂「(甲基)丙烯酸」，為包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之概念。關於與(甲基)丙烯酸類似之用語亦同樣，例如所謂「(甲基)丙烯醯基」，為包含「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」兩者之概念，所謂「(甲基)丙烯酸酯」，為包含「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」兩者之概念。

構成丙烯酸樹脂之單體可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些單體之組合及比率可任意地選擇。

丙烯酸樹脂亦可具有乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等能夠與其他化合物鍵結之官能基。丙烯酸樹脂之前述官能基可經由後述之交聯劑(F)來與其他化合物鍵結，亦可不經由交聯劑(F)而與其他化合物直接鍵結。

作為較佳之丙烯酸樹脂之一例，可列舉：具有自(甲基)丙烯酸烷基酯衍生之構成單元，進而具有自丙烯腈衍生之構成單元、與自丙烯酸衍生之構成單元的任一者或兩者之丙烯酸樹脂(α)。

於前述丙烯酸樹脂(α)中，相對於構成丙烯酸樹脂(α)之構成單元之總量，自前述丙烯腈衍生之構成單元、與自丙烯酸衍生之構成單元之合計量之比率(含量)較佳為0.5質量%至50質量%，例如可為0.5質量%至18質量%、0.5質量%至11質量%及0.5質量%至4質量%的任一個，亦可為18質量%至45質量%及20質量%至40質量%的任一個。

於前述丙烯酸樹脂(α)中，相對於構成丙烯酸樹脂(α)之構成單元之總量，自前述(甲基)丙烯酸酯衍生之構成單元之量之比率(含量)較佳為50質量%至99.5質量%，例如亦可為50質量%至82質量%及82質量%至99.5質量%的任一個。

於本發明中，作為聚合物成分(A)，可不使用丙烯酸樹脂而單獨使用丙烯酸樹脂以外之熱塑化性樹脂(以下，有時簡稱為「熱塑化性樹脂」)，亦可與丙烯酸樹脂併用。藉由使用前述熱塑化性樹脂，有時保護膜自支撐片之剝離性提高，或保護膜形成膜容易追隨被黏附體之凹凸面。

前述熱塑化性樹脂之重量平均分子量較佳為1000至100000，更佳為3000至80000。

前述熱塑化性樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-30℃至150℃，更佳為-20℃至120℃。

作為前述熱塑化性樹脂，例如可列舉：聚酯、聚胺基甲酸酯、苯氧樹脂、聚丁烯、聚丁二烯、聚苯乙烯等。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之前述熱塑化性樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些熱塑化性樹脂之組合及比率可任意地選擇。

於組成物(III)中，不受聚合物成分(A)之種類的影響，相對於溶媒以外之所有成分之總含量，聚合物成分(A)之含量之比率較佳為10質量%至85質量%，更佳為15質量%至70質量%，例如可為15質量%至45質量%及15質量%至35質量%的任一個，亦可為20質量%至70質量%及25質量%至70質量%的任一個。 此內容係與下述情況為相同含意：保護膜形成膜中，不受聚合物成分(A)之種類的影響，相對於保護膜形成膜之總質量，聚合物成分(A)之含量之比率較佳為10質量%至85質量%，更佳為15質量%至70質量%，例如可為15質量%至45質量%及15質量%至35質量%的任一個，亦可為20質量%至70質量%及25質量%至70質量%的任一個。 這一情況係基於：於自含有溶媒之樹脂組成物去除溶媒而形成樹脂膜之過程中，溶媒以外之成分之量通常不變化；於樹脂組成物與樹脂膜中，溶媒以外之成分彼此之含量之比率相同。因此，於本說明書中，以下不限於保護膜形成膜之情形，關於溶媒以外之成分之含量，僅記載自樹脂組成物去除溶媒之樹脂膜中之含量。

聚合物成分(A)有時亦相當於熱硬化性成分(B)。於本發明中，於組成物(III)含有此種相當於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)兩者之成分之情形時，視為組成物(III)含有聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)。

[熱硬化性成分(B)] 熱硬化性成分(B)為用以使保護膜形成膜硬化之成分。 組成物(III)及保護膜形成膜所含有之熱硬化性成分(B)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些熱硬化性成分(B)之組合及比率可任意地選擇。

作為熱硬化性成分(B)，例如可列舉環氧系熱硬化性樹脂、熱硬化性聚醯亞胺樹脂、不飽和聚酯樹脂等，較佳為環氧系熱硬化性樹脂。 於本說明書中，所謂熱硬化性聚醯亞胺樹脂，為藉由熱硬化而形成聚醯亞胺樹脂之聚醯亞胺前驅物、與熱硬化性聚醯亞胺之總稱。

[環氧系熱硬化性樹脂] 環氧系熱硬化性樹脂係由環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)所構成。 組成物(III)及保護膜形成膜所含有之環氧系熱硬化性樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些環氧系熱硬化性樹脂之組合及比率可任意地選擇。

·環氧樹脂(B1) 作為環氧樹脂(B1)，可列舉公知之環氧樹脂，例如可列舉：多官能系環氧樹脂、聯苯化合物、雙酚A二縮水甘油醚及其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯基骨架型環氧樹脂等二官能以上之環氧化合物。

作為環氧樹脂(B1)，亦可使用具有不飽和烴基之環氧樹脂。

環氧樹脂(B1)之數量平均分子量並無特別限定，就保護膜形成膜之硬化性、以及保護膜之強度及耐熱性之方面而言，較佳為300至30000，更佳為300至10000，尤佳為300至3000。 環氧樹脂(B1)之環氧當量較佳為100g/eq至1000g/eq，更佳為150g/eq至950g/eq。

環氧樹脂(B1)可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，於併用兩種以上之情形時，這些環氧樹脂(B1)之組合及比率可任意地選擇。

·熱硬化劑(B2) 熱硬化劑(B2)作為對環氧樹脂(B1)之硬化劑發揮功能。 作為熱硬化劑(B2)，例如可列舉於一分子中具有兩個以上之能夠與環氧基反應之官能基的化合物。作為前述官能基，例如可列舉酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基、酸基經酐化而成之基等，較佳為酚性羥基、胺基、或酸基經酐化而成之基，更佳為酚性羥基或胺基。

熱硬化劑(B2)中，作為具有酚性羥基之酚系硬化劑，例如可列舉：多官能酚樹脂、聯苯酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等。 熱硬化劑(B2)中，作為具有胺基之胺系硬化劑，例如可列舉二氰二胺等。

熱硬化劑(B2)亦可具有不飽和烴基。

於使用酚系硬化劑作為熱硬化劑(B2)之情形時，就保護膜自支撐片之剝離性提高之方面而言，熱硬化劑(B2)較佳為軟化點或玻璃轉移溫度高。

熱硬化劑(B2)中，例如多官能酚樹脂、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、芳烷基型酚樹脂等樹脂成分之數量平均分子量較佳為300至30000，更佳為400至10000，尤佳為500至3000。 熱硬化劑(B2)中，例如聯苯酚、二氰二胺等非樹脂成分之分子量並無特別限定，例如較佳為60至500。

熱硬化劑(B2)可單獨使用一種，亦可併用兩種以上，於併用兩種以上之情形時，這些熱硬化劑(B2)之組合及比率可任意地選擇。

於組成物(III)及保護膜形成膜中，相對於環氧樹脂(B1)之含量100質量份，熱硬化劑(B2)之含量較佳為0.1質量份至100質量份，更佳為0.5質量份至50質量份，例如亦可為0.5質量份至25質量份、0.5質量份至10質量份及0.5質量份至5質量份的任一個。藉由熱硬化劑(B2)之前述含量為前述下限值以上，而更容易進行保護膜形成膜之硬化。藉由熱硬化劑(B2)之前述含量為前述上限值以下，而降低保護膜形成膜之吸濕率，使用保護膜形成膜所得之封裝體之可靠性進一步提高。

於組成物(III)及保護膜形成膜中，相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)之總含量100質量份，熱硬化性成分(B)之含量(例如環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)之總含量)較佳為10質量份至70質量份，更佳為20質量份至60質量份，進而佳為25質量份至50質量份，尤佳為30質量份至45質量份。藉由熱硬化性成分(B)之前述含量為此種範圍，而例如抑制保護膜形成膜之硬化物與支撐片之密接性，支撐片之剝離性提高。

[填充材(D)] 組成物(III)及保護膜形成膜較佳為含有填充材(D)。藉由保護膜形成膜含有填充材(D)，而能夠更容易地調節前述試片之儲存彈性模數E’。更具體而言，藉由調節保護膜形成膜所含有之填充材(D)之平均粒徑、及保護膜形成膜之填充材(D)之含量，而能夠更容易地調節前述試片之儲存彈性模數E’。而且，藉由保護膜形成膜含有填充材(D)，保護膜形成膜及保護膜之熱膨脹係數之調整變容易，藉由相對於保護膜之形成對象物使該熱膨脹係數最適化，使用保護膜形成膜所得的具保護膜之晶片之可靠性進一步提高。而且，藉由保護膜形成膜含有填充材(D)，亦能夠降低保護膜之吸濕率，或提高散熱性。

填充材(D)可為有機填充材及無機填充材的任一種，較佳為無機填充材。 作為較佳之無機填充材，例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、鈦白、鐵丹、碳化矽、氮化硼等之粉末；將這些無機填充材球形化而得之珠粒；這些無機填充材之表面改質品；這些無機填充材之單晶纖維；玻璃纖維等。 這些中，無機填充材較佳為二氧化矽或氧化鋁，更佳為二氧化矽。

就保護膜形成用組成物中的填充材(D)對除填充材(D)以外之成分的分散性提高之方面而言，前述二氧化矽較佳為經有機基進行了表面修飾之二氧化矽，更佳為經乙烯基、環氧基、苯基或甲基丙烯酸基進行了表面修飾之二氧化矽，尤佳為經乙烯基或環氧基進行了表面修飾之二氧化矽。

就保護膜形成用組成物中的填充材(D)對除填充材(D)以外之成分的分散性提高之方面而言，填充材(D)之平均粒徑較佳為0.02μm至2μm，更佳為0.05μm至0.7μm，尤佳為0.07μm至0.5μm。藉由填充材(D)之平均粒徑為前述上限值以下，而有能夠進一步增大前述E’(160)及E’(170)之傾向。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之填充材(D)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些填充材(D)之組合及比率可任意地選擇。

於使用填充材(D)之情形時，保護膜形成膜中，相對於保護膜形成膜之總質量，填充材(D)之含量之比率較佳為15質量%至70質量%，例如可為40質量%至70質量%、45質量%至70質量%及50質量%至70質量%的任一個，亦可為15質量%至60質量%。藉由前述比率為此種範圍，上述的前述試片之儲存彈性模數E’之調節、以及保護膜形成膜與保護膜之熱膨脹係數之調節變得更容易。

[硬化促進劑(C)] 組成物(III)及保護膜形成膜亦可含有硬化促進劑(C)。硬化促進劑(C)係用以調整組成物(III)之硬化速度的成分。 作為較佳之硬化促進劑(C)，例如可列舉：三乙二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基胺基乙醇、三(二甲基胺基甲基)苯酚等三級胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等咪唑類(一個以上之氫原子經氫原子以外之基取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有機膦類(一個以上之氫原子經有機基取代的膦)；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等四苯基硼鹽等。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之硬化促進劑(C)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些硬化促進劑(C)之組合及比率可任意地選擇。

於使用硬化促進劑(C)之情形時，於組成物(III)及保護膜形成膜中，相對於熱硬化性成分(B)之含量100質量份，硬化促進劑(C)之含量較佳為0.01質量份至10質量份，更佳為0.1質量份至7質量份。藉由硬化促進劑(C)之前述含量為前述下限值以上，而更顯著地獲得由使用硬化促進劑(C)所得之功效。藉由硬化促進劑(C)之含量為前述上限值以下，例如抑制高極性之硬化促進劑(C)於高溫、高濕度條件下於保護膜形成膜中移動至與被黏附體之接著界面側而偏析之功效變高。結果，使用保護膜形成膜所得之具保護膜之晶片之可靠性進一步提高。

[偶合劑(E)] 組成物(III)及保護膜形成膜亦可含有偶合劑(E)。藉由使用具有可與無機化合物或有機化合物反應之官能基者作為偶合劑(E)，而能夠提高由保護膜形成膜所形成之保護膜對被黏附體之接著性。而且，藉由使用偶合劑(E)，可於前述保護膜不損及耐熱性之前提下提高耐水性。

偶合劑(E)較佳為具有能夠與聚合物成分(A)、熱硬化性成分(B)等所具有之官能基反應的官能基之化合物，更佳為矽烷偶合劑。

作為較佳之前述矽烷偶合劑，例如可列舉：3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基胺基)丙基甲基二乙氧基矽烷、3-(苯基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、3-脲基丙基三乙氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。

作為較佳之前述矽烷偶合劑，亦可列舉於一分子中具有多個烷氧基矽基之寡聚物型矽烷偶合劑。 前述寡聚物型矽烷偶合劑不易揮發，且於一分子中具有多個烷氧基矽基，故而於有效提高耐久性之方面而言較佳。 作為前述寡聚物型矽烷偶合劑，例如可列舉：作為含環氧基之寡聚物型矽烷偶合劑之「X-41-1053」、「X-41-1059A」、「X-41-1056」及「X-40-2651」(均為信越化學公司製造)；作為含巰基之寡聚物型矽烷偶合劑之「X-41-1818」、「X-41-1810」及「X-41-1805」(均為信越化學公司製造)等。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之偶合劑(E)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些偶合劑(E)之組合及比率可任意地選擇。

於使用偶合劑(E)之情形時，於組成物(III)及保護膜形成膜中，相對於聚合物成分(A)及熱硬化性成分(B)之總含量100質量份，偶合劑(E)之含量較佳為0.03質量份至10質量份，更佳為0.05質量份至5質量份，尤佳為0.1質量份至2質量份。藉由偶合劑(E)之前述含量為此種範圍，則能夠多少控制保護膜形成膜與被黏附體之化學相互適性，更容易調整黏著性與剝離性。另一方面，藉由偶合劑(E)之前述含量為前述下限值以上，而更顯著地獲得填充材(D)於樹脂之分散性提高、或保護膜形成膜與被黏附體之接著性提高等由使用偶合劑(E)所得之功效。藉由偶合劑(E)之前述含量為前述上限值以下，而進一步抑制逸氣之產生。

[交聯劑(F)] 於使用上述丙烯酸樹脂等具有能夠與其他化合物鍵結之乙烯基、(甲基)丙烯醯基、胺基、羥基、羧基、異氰酸酯基等官能基之成分作為聚合物成分(A)之情形時，組成物(III)及保護膜形成膜亦可含有交聯劑(F)。交聯劑(F)為用以使聚合物成分(A)中之前述官能基與其他化合物鍵結而交聯之成分，藉由如此交聯，而能夠調節保護膜形成膜之黏著力及凝聚力。

作為交聯劑(F)，例如可列舉：有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、金屬螯合系交聯劑(具有金屬螯合結構之交聯劑)、氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)等。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之交聯劑(F)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑(F)之組合及比率可任意地選擇。

於保護膜形成用組成物之經時穩定性提高之方面而言，較佳為組成物(III)不含交聯劑(F)，或者於組成物(III)中，相對於聚合物成分(A)之含量100質量份，交聯劑(F)之含量為例如未達0.01質量份等，亦即交聯劑(F)之含量少。 相對於此，於使用一定量以上之交聯劑(F)之情形時，於組成物(III)中，相對於聚合物成分(A)之含量100質量份，交聯劑(F)之含量較佳為0.01質量份至20質量份，更佳為0.1質量份至10質量份，尤佳為0.5質量份至5質量份。藉由交聯劑(F)之前述含量為前述下限值以上，而更顯著地獲得由使用交聯劑(F)所得之功效。藉由交聯劑(F)之前述含量為前述上限值以下，而抑制交聯劑(F)之過度使用。

[能量線硬化性樹脂(G)] 組成物(III)及保護膜形成膜亦可含有能量線硬化性樹脂(G)。保護膜形成膜藉由含有能量線硬化性樹脂(G)，而能夠藉由能量線之照射使特性變化。

能量線硬化性樹脂(G)為能量線硬化性化合物、或者可視為由能量線硬化性化合物所合成之寡聚物或聚合物(聚合體)。 作為前述能量線硬化性化合物，例如可列舉於分子內具有至少一個聚合性雙鍵之化合物，較佳為具有(甲基)丙烯醯基之丙烯酸酯系化合物。

作為前述丙烯酸酯系化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯等含鏈狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；二(甲基)丙烯酸二環戊酯等含環狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯；聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯；寡聚酯(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物；環氧改質(甲基)丙烯酸酯；前述聚伸烷基二醇(甲基)丙烯酸酯以外之聚醚(甲基)丙烯酸酯；伊康酸寡聚物等。

前述能量線硬化性化合物之重量平均分子量較佳為100至30000，更佳為300至10000。

用於合成前述寡聚物或聚合物之前述能量線硬化性化合物可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物之組合及比率可任意地選擇。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之能量線硬化性樹脂(G)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性樹脂(G)之組合及比率可任意地選擇。

於使用能量線硬化性樹脂(G)之情形時，於組成物(III)中，相對於組成物(III)之總質量，能量線硬化性樹脂(G)之含量之比率較佳為1質量%至30質量%，更佳為5質量%至25質量%，尤佳為10質量%至20質量%。

[光聚合起始劑(H)] 組成物(III)及保護膜形成膜於含有能量線硬化性樹脂(G)之情形時，為了高效率地進行能量線硬化性樹脂(G)之聚合反應，亦可含有光聚合起始劑(H)。

作為組成物(III)中之光聚合起始劑(H)，例如可列舉：安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香異丁醚、安息香苯甲酸、安息香苯甲酸甲酯、安息香二甲基縮酮等安息香化合物；苯乙酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、2-羥基-1-(4-(4-(2-羥基-2-甲基丙醯基)苄基)苯基)-2-甲基丙烷-1-酮、2-(二甲基胺基)-1-(4-嗎啉基苯基)-2-苄基-1-丁酮等苯乙酮化合物；雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦等醯基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋蘭姆等硫醚化合物；1-羥基環己基苯基酮等α-縮酮化合物；偶氮雙異丁腈等偶氮化合物；二茂鈦等二茂鈦化合物；噻噸酮等噻噸酮化合物；過氧化物化合物；二乙醯等二酮化合物；苯偶醯；二苯偶醯；二苯甲酮；2,4-二乙基噻噸酮；1,2-二苯基甲烷；2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物。 而且，作為光聚合起始劑(H)，例如亦可列舉胺等光增感劑等。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之光聚合起始劑(H)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑(H)之組合及比率可任意地選擇。

於使用光聚合起始劑(H)之情形時，於組成物(III)中，相對於能量線硬化性樹脂(G)之含量100質量份，光聚合起始劑(H)之含量較佳為0.1質量份至20質量份，更佳為1質量份至10質量份，尤佳為2質量份至5質量份。

[著色劑(I)] 組成物(III)及保護膜形成膜較佳為含有著色劑(I)。藉由含有著色劑(I)，而能夠容易地調節保護膜形成膜及保護膜之光穿透性。

作為著色劑(I)，例如可列舉無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等公知之著色劑。

作為前述有機系顏料及有機系染料，例如可列舉：銨系色素、花青系色素、部花青系色素、克酮鎓系色素、角鯊烯鎓系色素、薁鎓系色素、聚次甲基系色素、萘醌系色素、吡喃鎓系色素、酞菁系色素、萘酞菁系色素、萘內醯胺系色素、偶氮系色素、縮合偶氮系色素、靛藍系色素、紫環酮系色素、苝系色素、二噁嗪系色素、喹吖啶酮系色素、異吲哚啉酮系色素、喹酞酮系色素、吡咯系色素、硫靛藍系色素、金屬錯合物系色素(金屬錯鹽染料)、二硫醇金屬錯合物系色素、吲哚苯酚系色素、三烯丙基甲烷系色素、蒽醌系色素、萘酚系色素、次甲基偶氮系色素、苯并咪唑酮系色素、皮蒽酮系色素及士林(threne)系色素等。

作為前述無機系顏料，例如可列舉：碳黑、鈷系色素、鐵系色素、鉻系色素、鈦系色素、釩系色素、鋯系色素、鉬系色素、釕系色素、鉑系色素、ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)系色素、ATO(Antimony Tin Oxide；氧化銻錫)系色素等。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之著色劑(I)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些著色劑(I)之組合及比率可任意地選擇。

於使用著色劑(I)之情形時，保護膜形成膜之著色劑(I)之含量只要根據目的適當調節即可。例如，藉由調節保護膜形成膜之著色劑(I)之含量，來調節保護膜形成膜之光穿透性，而能夠調節對保護膜形成膜或保護膜進行雷射印字之情形之印字辨識性。而且，藉由調節保護膜形成膜之著色劑(I)之含量，而亦能夠提高保護膜之創意性，或不易看到晶圓的內面之磨削痕。若考慮這些方面，則保護膜形成膜中，相對於保護膜形成膜之總質量，著色劑(I)之含量之比率較佳為0.1質量%至10質量%，更佳為0.1質量%至7.5質量%，尤佳為0.1質量%至5質量%。藉由前述比率為前述下限值以上，而更顯著地獲得由使用著色劑(I)所得之功效。例如，於自被黏附體剝離保護膜形成膜時，能夠藉由目視容易地確認保護膜形成膜有無殘存於被黏附體。藉由前述比率為前述上限值以下，而抑制著色劑(I)之過度使用。

[通用添加劑(J)] 組成物(III)及保護膜形成膜亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有通用添加劑(J)。 通用添加劑(J)可為公知者，可根據目的而任意選擇，並無特別限定，作為較佳之添加劑，例如可列舉：塑化劑、抗靜電劑、抗氧化劑、吸氣劑、紫外線吸收劑等。

組成物(III)及保護膜形成膜所含有之通用添加劑(J)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些通用添加劑(J)之組合及比率可任意地選擇。 組成物(III)及保護膜形成膜之通用添加劑(J)之含量並無特別限定，只要根據目的適當選擇即可。

[溶媒] 組成物(III)較佳為更含有溶媒。含有溶媒之組成物(III)係操作性變良好。 於本說明書中，所謂「溶媒」，只要無特別說明，則設為下述概念：不僅為使對象成分溶解者，亦包含使對象成分分散之分散媒。

前述溶媒並無特別限定，作為較佳者，例如可列舉：甲苯、二甲苯等烴；甲醇、乙醇、2-丙醇、異丁基醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氫呋喃等醚；二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺(具有醯胺鍵之化合物)等。 組成物(III)所含有之溶媒可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶媒之組合及比率可任意地選擇。

組成物(III)所含有之溶媒中，作為更佳之溶媒，例如就能夠將組成物(III)中之含有成分更均勻地混合之方面而言，可列舉甲基乙基酮、甲苯、乙酸乙酯等。

組成物(III)之溶媒之含量並無特別限定，例如只要根據溶媒以外之成分之種類而適當選擇即可。

[保護膜形成用組成物(III)的製造方法] 組成物(III)係藉由將用以構成該組成物之各成分加以調配而獲得。 各成分之調配時之添加順序並無特別限定，亦可同時添加兩種以上之成分。 於調配時混合各成分之方法並無特別限定，只要自下述方法等公知之方法中適當選擇即可：使攪拌子或攪拌翼等旋轉而進行混合之方法；使用混合機進行混合之方法；施加超音波進行混合之方法。 各成分之添加及混合時之溫度以及時間只要各調配成分不劣化，則並無特別限定，只要適當調節即可，溫度較佳為15℃至30℃。

◎保護膜形成膜之例 圖1係示意性地表示本實施形態之保護膜形成膜之一例的剖面圖。再者，以下之說明中所用之圖有時為了容易理解本發明之特徵，為方便起見而將成為要部之部分放大表示，各構成要素之尺寸比率等未必與實際相同。

此處所示之保護膜形成膜13於一面(於本說明書中，有時稱為「第一面」)13a上具備第一剝離膜151，於與前述第一面13a為相反側的另一面(於本說明書中，有時稱為「第二面」)13b上具備第二剝離膜152。 此種保護膜形成膜13例如適於以輥狀保存。

於測定使用保護膜形成膜13所製作之前述試片之儲存彈性模數E’時，於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之儲存彈性模數E’成為1MPa以上。

保護膜形成膜13可使用上述保護膜形成用組成物而形成。

第一剝離膜151及第二剝離膜152均可為公知之剝離膜。 第一剝離膜151及第二剝離膜152可彼此相同，例如亦可為自保護膜形成膜13剝離時所需要之剝離力互不相同等而互不相同。

圖1所示之保護膜形成膜13係將第一剝離膜151及第二剝離膜152的任一者去掉，所生成之露出面成為對工件(圖示省略)的任一部位之貼附面。另外，於使用後述之支撐片或切割片之情形時，將第一剝離膜151及第二剝離膜152的剩餘另一者去掉，所生成之保護膜形成膜13的露出面成為前述支撐片或切割片之貼附面。

於圖1中，示出剝離膜設置於保護膜形成膜13的兩面(第一面13a、第二面13b)之例，但剝離膜亦可僅設置於保護膜形成膜13的任一面，亦即僅設置於第一面13a或僅設置於第二面13b。

作為本實施形態之較佳之保護膜形成膜之一例，可列舉下述保護膜形成膜：係熱硬化性之保護膜形成膜，並且，於將作為多片前述保護膜形成膜之積層物的寬度4mm之試片取20mm之間隔以兩處保持，藉由拉伸模式一邊以頻率11Hz、升溫速度3℃/min、等速升溫之條件將前述試片自-10℃升溫至170℃為止，一邊測定前述試片之儲存彈性模數E’時，於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之儲存彈性模數E’成為1MPa以上；前述保護膜形成膜含有聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)及填充材(D)；前述聚合物成分(A)為丙烯酸樹脂，前述丙烯酸樹脂具有自(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生之構成單元，進而具有自丙烯腈所衍生之構成單元、與自丙烯酸所衍生之構成單元中的一者或兩者；前述保護膜形成膜中，相對於前述保護膜形成膜之總質量，前述聚合物成分(A)之含量之比率為10質量%至85質量%、15質量%至70質量%、15質量%至45質量%、15質量%至35質量%、20質量%至70質量%及25質量%至70質量%的任一個；於前述保護膜形成膜中，相對於前述環氧樹脂(B1)之含量100質量份，前述熱硬化劑(B2)之含量為0.1質量份至100質量份、0.5質量份至50質量份、0.5質量份至25質量份、0.5質量份至10質量份及0.5質量份至5質量份的任一個；於前述保護膜形成膜中，相對於前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)之總含量100質量份，前述環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)之總含量為10質量份至70質量份、20質量份至60質量份、25質量份至50質量份及30質量份至45質量份的任一個；前述保護膜形成膜中，相對於前述保護膜形成膜之總質量，前述填充材(D)之含量之比率為15質量%至70質量%、40質量%至70質量%、45質量%至70質量%、50質量%至70質量%及15質量%至60質量%的任一個；其中，於前述保護膜形成膜中，相對於前述保護膜形成膜之總質量，前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)及填充材(D)之合計含量之比率不超過100質量%。

作為本實施形態之較佳之保護膜形成膜之另一例，可列舉下述保護膜形成膜：係熱硬化性之保護膜形成膜，並且，於將作為多片前述保護膜形成膜之積層物的寬度4mm之試片取20mm之間隔以兩處保持，藉由拉伸模式一邊以頻率11Hz、升溫速度3℃/min、等速升溫之條件將前述試片自-10℃升溫至170℃為止，一邊測定前述試片之儲存彈性模數E’時，於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之儲存彈性模數E’成為1MPa以上；前述保護膜形成膜含有聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)及填充材(D)；前述聚合物成分(A)為丙烯酸樹脂，前述丙烯酸樹脂具有自(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生之構成單元，進而具有自丙烯腈所衍生之構成單元、與自丙烯酸所衍生之構成單元中的任一者或兩者；於前述丙烯酸樹脂中，相對於構成前述丙烯酸樹脂之構成單元之總量，自前述(甲基)丙烯酸酯所衍生之構成單元之量之比率為50質量%至99.5質量%、50質量%至82質量%及82質量%至99.5質量%的任一個；於前述丙烯酸樹脂中，相對於構成前述丙烯酸樹脂之構成單元之總量，自前述丙烯腈所衍生之構成單元、與自前述丙烯酸所衍生之構成單元之合計量之比率為0.5質量%至50質量%、0.5質量%至18質量%、0.5質量%至11質量%、0.5質量%至4質量%、18質量%至45質量%及20質量%至40質量%的任一個；前述填充材(D)之平均粒徑為0.02μm至2μm、0.05μm至0.7μm及0.07μm至0.5μm的任一個；前述保護膜形成膜中，相對於前述保護膜形成膜之總質量，前述聚合物成分(A)之含量之比率為10質量%至85質量%、15質量%至70質量%、15質量%至45質量%、15質量%至35質量%、20質量%至70質量%及25質量%至70質量%的任一個；於前述保護膜形成膜中，相對於前述環氧樹脂(B1)之含量100質量份，前述熱硬化劑(B2)之含量為0.1質量份至100質量份、0.5質量份至50質量份、0.5質量份至25質量份、0.5質量份至10質量份及0.5質量份至5質量份的任一個；於前述保護膜形成膜中，相對於前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)的總含量100質量份，前述環氧樹脂(B1)及熱硬化劑(B2)之總含量為10質量份至70質量份、20質量份至60質量份、25質量份至50質量份及30質量份至45質量份的任一個；前述保護膜形成膜中，相對於前述保護膜形成膜之總質量，前述填充材(D)之含量之比率為15質量%至70質量%、40質量%至70質量%、45質量%至70質量%、50質量%至70質量%及15質量%至60質量%的任一個；其中，於前述保護膜形成膜中，相對於前述保護膜形成膜之總質量，前述聚合物成分(A)、環氧樹脂(B1)、熱硬化劑(B2)及填充材(D)之合計含量之比率不超過100質量%。

本實施形態之保護膜形成膜藉由與後述之支撐片併用，而可構成能夠一併進行保護膜之形成與切割的保護膜形成用複合片。以下，對此種保護膜形成用複合片加以說明。

◇保護膜形成用複合片 本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片係具備支撐片、及設置於前述支撐片的一面上之保護膜形成膜，前述保護膜形成膜為上述本發明之一實施形態之保護膜形成膜。 本實施形態之保護膜形成用複合片可藉由該複合片中之保護膜形成膜而貼附於工件的目標部位(例如晶圓的內面)。

於本說明書中，即便於保護膜形成膜硬化之後，亦只要維持支撐片與保護膜形成膜之硬化物的積層結構，則將該積層結構體稱為「保護膜形成用複合片」。

以下，對構成前述保護膜形成用複合片之各層加以詳細說明。

◎支撐片 前述支撐片可由一層(單層)所構成，亦可由兩層以上之多層所構成。於支撐片由多層所構成之情形時，這些多層之構成材料及厚度可彼此相同亦可不同，這些多層之組合只要不損及本發明功效，則並無特別限定。

支撐片可為透明及非透明的任一種，亦可根據目的而著色。 於保護膜形成膜具有能量線硬化性之情形時，支撐片較佳為使能量線穿透。

作為支撐片，例如可列舉：具備基材及設置於前述基材的一面上之黏著劑層之支撐片；僅由基材所構成之支撐片等。於支撐片具備黏著劑層之情形時，黏著劑層於保護膜形成用複合片中，配置於基材與保護膜形成膜之間。

於使用具備基材及黏著劑層之支撐片之情形時，能夠於保護膜形成用複合片中，容易地調節支撐片與保護膜形成膜之間的密接性及剝離性。 於使用僅由基材所構成之支撐片之情形時，能夠以低成本製造保護膜形成用複合片。

以下，一邊參照圖式，一邊對本實施形態之保護膜形成用複合片之例按此種支撐片之種類分別進行說明。

◎保護膜形成用複合片之一例 圖2係示意性地表示本實施形態之保護膜形成用複合片之一例的剖面圖。 再者，圖2以後之圖中，對於與已說明之圖中所示相同之構成要素，標註與該已說明之圖之情形相同之符號，省略詳細說明。

此處所示之保護膜形成用複合片101係具備支撐片10、及設置於支撐片10的一面(於本說明書中，有時稱為「第一面」)10a上之保護膜形成膜13而構成。 支撐片10係具備基材11、及設置於基材11的一面(第一面)11a上之黏著劑層12而構成。保護膜形成用複合片101中，黏著劑層12配置於基材11與保護膜形成膜13之間。 亦即，保護膜形成用複合片101係將基材11、黏著劑層12及保護膜形成膜13依序於這些之厚度方向積層而構成。 支撐片10的第一面10a係與黏著劑層12中的與基材11側為相反側之面(於本說明書中，有時稱為「第一面」)12a相同。

保護膜形成用複合片101進而於保護膜形成膜13上具備治具用接著劑層16及剝離膜15。 於保護膜形成用複合片101中，於黏著劑層12的第一面12a之全面或大致全面積層有保護膜形成膜13，於保護膜形成膜13中的與黏著劑層12側為相反側之面(於本說明書中，有時稱為「第一面」)13a的一部分、亦即周緣部附近之區域積層有治具用接著劑層16。進而，於保護膜形成膜13的第一面13a中未積層有治具用接著劑層16之區域、及治具用接著劑層16中的與保護膜形成膜13側為相反側之面(於本說明書中，有時稱為「第一面」)16a積層有剝離膜15。於保護膜形成膜13中的與第一面13a為相反側之面(於本說明書中，有時稱為「第二面」)13b設有支撐片10。

不限於保護膜形成用複合片101之情形，本實施形態之保護膜形成用複合片中，剝離膜(例如圖2所示之剝離膜15)為任意之構成，本實施形態之保護膜形成用複合片可具備剝離膜，亦可不具備。

治具用接著劑層16係用於將保護膜形成用複合片101固定於環形框架等治具。 治具用接著劑層16例如可具有含有接著劑成分或黏著劑成分之單層結構，亦可具有多層結構，該多層結構係具備成為芯材之片材、及設置於前述片材的兩面之含有接著劑成分或黏著劑成分之層。

保護膜形成用複合片101係以去掉剝離膜15之狀態，於保護膜形成膜13的第一面13a貼附工件的目標部位，進而將治具用接著劑層16的第一面16a貼附於環形框架等治具而使用。

如上文所述，於使用保護膜形成膜13製造前述具保護膜之工件加工物時，即便使保護膜形成膜13於較先前更高之溫度熱硬化，亦能夠抑制保護膜中發生異常。

圖3係示意性地表示本實施形態之保護膜形成用複合片之另一例的剖面圖。 此處所示之保護膜形成用複合片102除了保護膜形成膜之形狀及大小不同，且治具用接著劑層積層於黏著劑層的第一面而非保護膜形成膜的第一面之方面以外，與圖2所示之保護膜形成用複合片101相同。

更具體而言，於保護膜形成用複合片102中，保護膜形成膜23積層於黏著劑層12的第一面12a的一部分區域、亦即黏著劑層12之寬度方向(圖3中之左右方向)的中央側之區域。進而，於黏著劑層12的第一面12a中未積層有保護膜形成膜23之區域，以將保護膜形成膜23自寬度方向之外側非接觸地包圍之方式積層有治具用接著劑層16。另外，於保護膜形成膜23中的與黏著劑層12側為相反側之面(於本說明書中，有時稱為「第一面」)23a、及治具用接著劑層16的第一面16a，積層有剝離膜15。於保護膜形成膜23的與第一面23a為相反側之面(於本說明書中，有時稱為「第二面」)23b設有支撐片10。

圖4係示意性地表示本實施形態之保護膜形成用複合片之進而另一例的剖面圖。 此處所示之保護膜形成用複合片103除了不具備治具用接著劑層16之方面以外，與圖3所示之保護膜形成用複合片102相同。

圖5係示意性地表示本實施形態之保護膜形成用複合片之進而另一例的剖面圖。 此處所示之保護膜形成用複合片104除了具備支撐片20代替支撐片10而構成之方面以外，與圖2所示之保護膜形成用複合片101相同。

支撐片20係僅由基材11所構成。 亦即，保護膜形成用複合片104係將基材11及保護膜形成膜13於這些之厚度方向積層而構成。 支撐片20的保護膜形成膜13側之面(一面第一面)20a係與基材11的第一面11a相同。

本實施形態之保護膜形成用複合片不限定於圖1至圖5所示，亦可於不損及本發明功效之範圍內，將圖1至圖5所示之一部分構成變更或刪除，或者對迄今為止所說明的保護膜形成用複合片進一步追加其他構成。

繼而，對構成支撐片之各層加以更詳細說明。

○基材 前述基材為片狀或膜狀，作為該基材之構成材料，例如可列舉各種樹脂。 作為前述樹脂，例如可列舉：低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯樹脂等聚乙烯以外之聚烯烴；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯系共聚物(使用乙烯作為單體而得之共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯系樹脂(使用氯乙烯作為單體而得之樹脂)；聚苯乙烯；聚環烯烴；聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、所有構成單元具有芳香族環式基之全芳香族聚酯等聚酯；兩種以上之前述聚酯之共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚胺基甲酸酯；聚丙烯酸胺基甲酸酯；聚醯亞胺；聚醯胺；聚碳酸酯；氟樹脂；聚縮醛；改質聚苯醚；聚苯硫醚；聚碸；聚醚酮等。 而且，作為前述樹脂，例如亦可列舉前述聚酯與除此以外之樹脂之混合物等聚合物合金。前述聚酯與除此以外之樹脂之聚合物合金較佳為聚酯以外之樹脂之量為相對較少之量。 而且，作為前述樹脂，例如亦可列舉：至此為止所例示之前述樹脂的一種或兩種以上交聯而成之交聯樹脂；使用至此為止所例示之前述樹脂的一種或兩種以上之離子聚合物等改質樹脂。 前述樹脂就耐熱性優異之方面而言，較佳為聚丙烯或聚對苯二甲酸丁二酯。

構成基材之樹脂可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些樹脂之組合及比率可任意地選擇。

基材可由一層(單層)所構成，亦可由兩層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。

基材之厚度較佳為50μm至300μm，更佳為60μm至100μm。藉由基材之厚度為此種範圍，保護膜形成用複合片之可撓性、及對晶圓之貼附適性進一步提高。 此處，所謂「基材之厚度」，意指基材總體之厚度，例如所謂由多層所構成之基材之厚度，意指構成基材之所有層之合計厚度。

基材亦可除了前述樹脂等主要之構成材料以外，含有填充材、著色劑、抗氧化劑、有機滑劑、觸媒、軟化劑(塑化劑)等公知之各種添加劑。

基材可為透明及非透明的任一種，亦可根據目的而著色，亦可蒸鍍有其他層。 於保護膜形成膜具有能量線硬化性之情形時，基材較佳為使能量線穿透。

基材亦可為了調節與設置於該基材之上的層(例如黏著劑層、保護膜形成膜或前述其他層)之密接性，而對表面實施有下述處理：利用噴砂處理、溶劑處理等之凹凸化處理；電暈放電處理、電子束照射處理、電漿處理、臭氧-紫外線照射處理、火焰處理、鉻酸處理、熱風處理等氧化處理；親油處理；親水處理等。而且，基材亦可表面經底塗處理。

基材亦可藉由含有特定範圍之成分(例如樹脂等)，而於至少一面具有黏著性。

基材可藉由公知之方法製造。例如，含有樹脂之基材可藉由將含有前述樹脂之樹脂組成物加以成形而製造。

○黏著劑層 前述黏著劑層為片狀或膜狀，含有黏著劑。 作為前述黏著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、橡膠系樹脂、聚矽氧樹脂、環氧系樹脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯系樹脂等黏著性樹脂。

黏著劑層可由一層(單層)所構成，亦可由兩層以上之多層所構成，於由多層所構成之情形時，這些多層可彼此相同亦可不同，這些多層之組合並無特別限定。

黏著劑層之厚度並無特別限定，較佳為1μm至100μm，更佳為1μm至60μm，尤佳為1μm至30μm。 此處，所謂「黏著劑層之厚度」，意指黏著劑層總體之厚度，例如所謂由多層所構成之黏著劑層之厚度，意指構成黏著劑層之所有層之合計厚度。

黏著劑層可為透明及非透明的任一種，亦可根據目的而著色。 於保護膜形成膜具有能量線硬化性之情形時，黏著劑層較佳為使能量線穿透。

黏著劑層可為能量線硬化性及非能量線硬化性的任一種。能量線硬化性黏著劑層係能夠調節硬化前及硬化後之物性。例如，藉由在後述的具保護膜之晶片之拾取前使能量線硬化性黏著劑層硬化，而可更容易地拾取該具保護膜之晶片。

於本說明書中，即便於能量線硬化性黏著劑層進行能量線硬化之後，亦只要維持基材與能量線硬化性黏著劑層之硬化物的積層結構，則將該積層結構體稱為「支撐片」。

黏著劑層可使用含有黏著劑之黏著劑組成物而形成。例如，於黏著劑層之形成對象面塗敷黏著劑組成物，根據需要加以乾燥，藉此可於目標部位形成黏著劑層。黏著劑組成物中的於常溫不氣化之成分彼此之含量之比率通常與黏著劑層中的前述成分彼此之含量之比率相同。

於黏著劑層中，相對於黏著劑層之總質量，黏著劑層之一種或兩種以上之後述的含有成分之合計含量之比率不超過100質量%。 同樣地，於黏著劑組成物中，相對於黏著劑組成物之總質量，黏著劑組成物之一種或兩種以上之後述的含有成分之合計含量之比率不超過100質量%。

黏著劑組成物之塗敷及乾燥例如可藉由與上述保護膜形成用組成物之塗敷及乾燥之情形相同之方法進行。

於黏著劑層為能量線硬化性之情形時，作為能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉下述黏著劑組成物等：黏著劑組成物(I-1)，含有非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-1a)」)及能量線硬化性化合物；黏著劑組成物(I-2)，含有於非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)之側鏈導入有不飽和基的能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)(以下，有時簡稱為「黏著性樹脂(I-2a)」)；以及黏著劑組成物(I-3)，含有前述黏著性樹脂(I-2a)及能量線硬化性化合物。

於黏著劑層為非能量線硬化性之情形時，作為非能量線硬化性之黏著劑組成物，例如可列舉：含有前述非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)的黏著劑組成物(I-4)等。

[非能量線硬化性之黏著性樹脂(I-1a)] 前述黏著性樹脂(I-1a)較佳為丙烯酸樹脂。

作為前述丙烯酸樹脂，例如可列舉：至少具有源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元的丙烯酸聚合物。 作為前述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可列舉構成烷基酯之烷基之碳數為1至20的(甲基)丙烯酸烷基酯，前述烷基較佳為直鏈狀或分支鏈狀。

前述丙烯酸聚合物較佳為除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外，進而具有源自含官能基單體之構成單元。 作為前述含官能基單體，例如可列舉：藉由前述官能基與後述之交聯劑反應而成為交聯起點的單體。

作為前述含官能基單體，例如可列舉：含羥基單體、含羧基單體、含胺基單體、含環氧基單體等。

前述丙烯酸聚合物亦可除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元、及源自含官能基單體之構成單元以外，進而具有源自其他單體之構成單元。 前述其他單體只要能夠與(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚，則並無特別限定。 作為前述其他單體，例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯醯胺等。

於前述黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)、黏著劑組成物(I-3)及黏著劑組成物(I-4)(以下包括這些黏著劑組成物而簡稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)」)中，前述丙烯酸聚合物等前述丙烯酸樹脂所具有之構成單元可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些構成單元之組合及比率可任意地選擇。

於前述丙烯酸聚合物中，相對於構成單元之總量，源自含官能基單體之構成單元之量之比率較佳為1質量%至35質量%。

黏著劑組成物(I-1)或黏著劑組成物(I-4)所含有之黏著性樹脂(I-1a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-1a)之組合及比率可任意地選擇。

於由黏著劑組成物(I-1)或黏著劑組成物(I-4)所形成之黏著劑層中，相對於前述黏著劑層之總質量，黏著性樹脂(I-1a)之含量之比率較佳為5質量%至99質量%。

[能量線硬化性之黏著性樹脂(I-2a)] 前述黏著性樹脂(I-2a)例如係藉由使具有能量線聚合性不飽和基之含不飽和基化合物與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而獲得。

前述含不飽和基化合物為除了前述能量線聚合性不飽和基以外，進而具有藉由與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基反應而能夠與黏著性樹脂(I-1a)鍵結之基的化合物。 作為前述能量線聚合性不飽和基，例如可列舉(甲基)丙烯醯基、乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)等，較佳為(甲基)丙烯醯基。 作為能夠與黏著性樹脂(I-1a)中之官能基鍵結之基，例如可列舉：能夠與羥基或胺基鍵結之異氰酸酯基及縮水甘油基、以及能夠與羧基或環氧基鍵結之羥基及胺基等。

作為前述含不飽和基化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。

黏著劑組成物(I-2)或黏著劑組成物(I-3)所含有之黏著性樹脂(I-2a)可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些黏著性樹脂(I-2a)之組合及比率可任意地選擇。

於由黏著劑組成物(I-2)或黏著劑組成物(I-3)所形成之黏著劑層中，相對於前述黏著劑層之總質量，黏著性樹脂(I-2a)之含量之比率較佳為5質量%至99質量%。

[能量線硬化性化合物] 作為前述黏著劑組成物(I-1)或黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物，可列舉：具有能量線聚合性不飽和基且能夠藉由能量線之照射而硬化之單體或寡聚物。

能量線硬化性化合物中，作為單體，例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；環氧(甲基)丙烯酸酯等。 能量線硬化性化合物中，作為寡聚物，例如可列舉作為上述所例示之單體之聚合物的寡聚物等。

黏著劑組成物(I-1)或黏著劑組成物(I-3)所含有之前述能量線硬化性化合物可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些能量線硬化性化合物之組合及比率可任意地選擇。

於由黏著劑組成物(I-1)或黏著劑組成物(I-3)所形成之黏著劑層中，相對於前述黏著劑層之總質量，前述能量線硬化性化合物之含量之比率較佳為1質量%至95質量%。

[交聯劑] 於使用除了源自(甲基)丙烯酸烷基酯之構成單元以外進而具有源自含官能基單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-1a)之情形時，黏著劑組成物(I-1)或黏著劑組成物(I-4)較佳為進而含有交聯劑。 而且，例如於使用與黏著性樹脂(I-1a)中同樣的具有源自含官能基單體之構成單元的前述丙烯酸聚合物作為黏著性樹脂(I-2a)之情形時，黏著劑組成物(I-2)或黏著劑組成物(I-3)亦可進而含有交聯劑。

前述交聯劑例如與前述官能基反應，將黏著性樹脂(I-1a)彼此或黏著性樹脂(I-2a)彼此加以交聯。 作為交聯劑，例如可列舉：甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、二甲苯二異氰酸酯、這些二異氰酸酯之加合物等異氰酸酯系交聯劑(具有異氰酸酯基之交聯劑)；乙二醇縮水甘油醚等環氧系交聯劑(具有縮水甘油基之交聯劑)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷雜三嗪等氮丙啶系交聯劑(具有氮丙啶基之交聯劑)；鋁螯合物等金屬螯合物系交聯劑(具有金屬螯合物結構之交聯劑)；異氰脲酸酯系交聯劑(具有異氰脲酸骨架之交聯劑)等。

黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)所含有之交聯劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些交聯劑之組合及比率可任意地選擇。

於前述黏著劑組成物(I-1)或黏著劑組成物(I-4)中，相對於黏著性樹脂(I-1a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份。 於前述黏著劑組成物(I-2)或黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，交聯劑之含量較佳為0.01質量份至50質量份。

[光聚合起始劑] 黏著劑組成物(I-1)、黏著劑組成物(I-2)及黏著劑組成物(I-3)(以下包括這些黏著劑組成物而簡稱為「黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)」)亦可進而含有光聚合起始劑。含有光聚合起始劑之黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)即便照射紫外線等能量相對較低之能量線，亦充分進行硬化反應。

作為前述光聚合起始劑，例如可列舉與上述光聚合起始劑(H)同樣之光聚合起始劑。

黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-3)所含有之光聚合起始劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些光聚合起始劑之組合及比率可任意地選擇。

於黏著劑組成物(I-1)中，相對於前述能量線硬化性化合物之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份。 於黏著劑組成物(I-2)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)之含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份。 於黏著劑組成物(I-3)中，相對於黏著性樹脂(I-2a)及前述能量線硬化性化合物之總含量100質量份，光聚合起始劑之含量較佳為0.01質量份至20質量份。

[其他添加劑] 黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)亦可於不損及本發明功效之範圍內，含有亦不相當於上述任一成分之其他添加劑。 作為前述其他添加劑，例如可列舉：抗靜電劑、抗氧化劑、軟化劑(塑化劑)、填充材(填料)、防鏽劑、著色劑(顏料、染料)、增感劑、增黏劑、反應延遲劑、交聯促進劑(觸媒)等公知之添加劑。 再者，所謂反應延遲劑，例如為抑制因混入黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)中之觸媒之作用造成保存中之黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)中進行非目標之交聯反應之成分。作為反應延遲劑，例如可列舉藉由對觸媒之螯合而形成螯合錯合物之化合物，更具體而言，可列舉於一分子中具有兩個以上之羰基(-C(=O)-)之化合物。

黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)所含有之其他添加劑可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些其他添加劑之組合及比率可任意地選擇。

黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)之其他添加劑之含量並無特別限定，只要根據添加劑之種類而適當選擇即可。

[溶媒] 黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)亦可含有溶媒。黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)藉由含有溶媒，而提高相對於塗敷對象面之塗敷適性。

前述溶媒較佳為有機溶媒，作為前述有機溶媒，例如可列舉：甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氫呋喃、二噁烷等醚；環己烷、正己烷等脂肪族烴；甲苯、二甲苯等芳香族烴；1-丙醇、2-丙醇等醇等。

黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)所含有之溶媒可僅為一種，亦可為兩種以上，於為兩種以上之情形時，這些溶媒之組合及比率可任意地選擇。

黏著劑組成物(I-1)至黏著劑組成物(I-4)之溶媒之含量並無特別限定，只要適當調節即可。

○黏著劑組成物的製造方法 黏著劑組成物例如除了調配成分之種類不同之方面以外，可藉由與上文所說明之保護膜形成用組成物之情形相同的方法製造。

◇保護膜形成用複合片的製造方法 前述保護膜形成用複合片可藉由下述方式製造：將上述各層以成為對應之位置關係之方式積層，根據需要而調節一部分或所有層之形狀。各層之形成方法如上文所說明。

例如，於製造支撐片時當於基材上積層黏著劑層之情形時，只要於基材上塗敷上述黏著劑組成物，根據需要加以乾燥即可。 而且，藉由下述方法亦能夠於基材上積層黏著劑層：於剝離膜上塗敷黏著劑組成物，根據需要加以乾燥，藉此於剝離膜上預先形成黏著劑層，將該黏著劑層的露出面與基材的一表面貼合。此時，黏著劑組成物較佳為塗敷於剝離膜的剝離處理面。而且，該情形之剝離膜只要於保護膜形成用複合片之製造過程或使用過程的任一時機去掉即可。 至此為止，列舉於基材上積層黏著劑層之情形為例，但上述方法例如亦可應用於在基材上積層黏著劑層以外之其他層之情形。

另一方面，例如於已積層於基材上之黏著劑層之上進而積層保護膜形成膜之情形時，可於黏著劑層上塗敷保護膜形成用組成物，直接形成保護膜形成膜。保護膜形成膜以外之層亦可使用用以形成該層之組成物，藉由同樣之方法於黏著劑層之上積層該層。如此，於已積層於基材上之任一層(以下有時簡稱為「第一層」)上形成新的層(以下簡稱為「第二層」)而形成連續兩層之積層結構(換言之，第一層及第二層之積層結構)之情形時，可應用於前述第一層上塗敷用以形成前述第二層之組成物，根據需要加以乾燥之方法。 然而，第二層較佳為使用用以形成該第二層之組成物而於剝離膜上預先形成，將該已形成之第二層中的與接觸於前述剝離膜之側為相反側之露出面來與第一層的露出面貼合，藉此形成連續兩層之積層結構。此時，前述組成物較佳為塗敷於剝離膜之剝離處理面。剝離膜只要於形成積層結構後，根據需要而去掉即可。 此處，列舉於黏著劑層上積層保護膜形成膜之情形為例，但例如於黏著劑層上積層保護膜形成膜以外之層(膜)之情形等時，成為對象之積層結構可任意選擇。

如此，構成保護膜形成用複合片之基材以外之層均能夠藉由預先形成於剝離膜上並貼合於目標層的表面之方法來積層，故而只要根據需要適當選擇採用此種步驟之層而製造保護膜形成用複合片即可。

再者，保護膜形成用複合片通常係以於與支撐片為相反側之最表層(例如保護膜形成膜)的表面貼合有剝離膜之狀態來保管。因此，於該剝離膜(較佳為剝離處理面)上塗敷保護膜形成用組成物等用以形成構成最表層之層的組成物，根據需要加以乾燥，藉此於剝離膜上預先形成構成最表層之層，於該層中的與接觸於剝離膜之側為相反側的露出面上積層其餘各層，不將剝離膜去掉而保持貼合之狀態，藉此可獲得具剝離膜之保護膜形成用複合片。

◇具保護膜之工件加工物的製造方法(保護膜形成膜及保護膜形成用複合片之使用方法) 前述保護膜形成膜及保護膜形成用複合片係用於製造具保護膜之工件加工物，該具保護膜之工件加工物具備藉由將工件加工所得之工件加工物、及設置於前述工件加工物的任一部位之保護膜。 尤其於藉由將具備保護膜形成膜之工件加工物加熱而製造具保護膜之工件加工物時，適合使用前述保護膜形成膜及保護膜形成用複合片。

本實施形態之具保護膜之工件加工物的製造方法係具有下述步驟：貼附步驟，將不構成前述保護膜形成用複合片之前述保護膜形成膜、或前述保護膜形成用複合片中之保護膜形成膜貼附於工件的目標部位，藉此製作具備前述工件及保護膜形成膜的具保護膜形成膜之工件；加工步驟，於前述貼附步驟後，將前述工件加工，藉此製作前述工件加工物；切斷步驟，於前述貼附步驟後，切斷前述保護膜形成膜；以及熱硬化步驟，於前述加工步驟及切斷步驟後，使切斷後之前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成保護膜，藉此製作前述具保護膜之工件加工物。 於工件為晶圓之情形時，作為前述具保護膜之工件加工物，可列舉具備晶片及設置於前述晶片的內面之保護膜的具保護膜之晶片。 前述具保護膜之晶片的製造方法係具有下述步驟：貼附步驟，將不構成前述保護膜形成用複合片之保護膜形成膜、或前述保護膜形成用複合片中之保護膜形成膜貼附於晶圓的內面，藉此製作具備前述晶圓及設置於前述晶圓的內面之前述保護膜形成膜的具保護膜形成膜之晶圓；加工步驟(亦可稱為「分割步驟」)，於前述貼附步驟後，將前述晶圓分割，藉此製作晶片；切斷步驟，於前述貼附步驟後，切斷前述保護膜形成膜；以及熱硬化步驟，於前述加工步驟及切斷步驟後，使切斷後之前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成保護膜，藉此製作前述具保護膜之晶片。

以下，作為具保護膜之工件加工物的製造方法，列舉具保護膜之晶片的製造方法為例，一邊引用圖式一邊加以說明。 圖6A至圖6D係用以示意性地說明本實施形態之具保護膜之晶片的製造方法中使用保護膜形成用複合片之情形的製造方法之一例(於本說明書中，有時稱為「製造方法(1-1)」)的剖面圖。此處，對使用圖2所示之保護膜形成用複合片101之情形加以說明。

[具保護膜之晶片的製造方法(製造方法(1-1))] 於前述製造方法(1-1)之前述貼附步驟中，如圖6A所示，將去掉了剝離膜15之前述保護膜形成用複合片101中的保護膜形成膜13貼附於晶圓9的內面9b，藉此製作具保護膜形成膜之晶圓901。保護膜形成膜13係將第一面13a與晶圓9的內面9b貼合。

保護膜形成膜13向晶圓9之貼附可藉由使用輥之方法等公知之方法進行。

保護膜形成膜13向晶圓9之貼附條件並無特別限定。通常，貼附時之保護膜形成膜13之溫度(貼附溫度)較佳為20℃至100℃，貼附保護膜形成膜13之速度(貼附速度)較佳為0.1m/min至2m/min，於貼附時對保護膜形成膜13施加之壓力(貼附壓力)較佳為0.1MPa至0.6MPa。

於前述製造方法(1-1)之前述貼附步驟後，於前述加工步驟中，將晶圓9加以分割，藉此製作晶片90。 而且，於前述貼附步驟後，於前述切斷步驟中，切斷保護膜形成膜13。 藉由進行前述加工步驟及切斷步驟，而如圖6B所示，製作具備晶片90及設置於該晶片90的內面90b之切斷後之保護膜形成膜130的具保護膜形成膜之晶片913，並且製作具保護膜形成膜之晶片群902，該具保護膜形成膜之晶片群902係於支撐片10上以整齊排列之狀態保持有多個這些具保護膜形成膜之晶片913而構成。 圖6B中，符號130a表示切斷後之保護膜形成膜130的第一面，對應於保護膜形成膜13的第一面13a。而且，符號130b表示切斷後之保護膜形成膜130的第二面，對應於保護膜形成膜13的第二面13b。

於製造方法(1-1)中，較佳為於前述貼附步驟後，同時進行前述加工步驟與前述切斷步驟，或者進行前述加工步驟後進行前述切斷步驟。 於製造方法(1-1)中，不論順序為何，當為不中斷地藉由相同操作連續地進行晶圓之加工(分割)與保護膜形成膜之切斷之情形時，視為同時進行加工步驟及切斷步驟。

前述加工步驟及切斷步驟均可根據進行這些步驟之順序藉由公知之方法進行。

例如，於同時進行加工步驟及切斷步驟之情形時，可藉由使用刀片之刀片切割、利用雷射照射之雷射切割、或藉由噴附包含研磨劑之水而進行的水切割等各種切割，同時進行晶圓9之分割與保護膜形成膜13之切斷。 而且，藉由下述方式亦可同時進行晶圓9的分割與保護膜形成膜13的切斷：對於藉由隱形切割(stealth dicing，註冊商標)形成改質層且未進行分割之晶圓9、與保護膜形成膜13，一併進行於相對於這些之表面平行的方向拉伸之所謂擴展(expand)。此種擴展較佳為於-20℃至5℃等之低溫下進行。

所謂隱形切割(註冊商標)，為如下方法。亦即，首先於晶圓的內部設定分割預定部位，以該部位為焦點，以聚焦於該焦點之方式照射雷射光，藉此於晶圓的內部形成改質層。晶圓之改質層係與晶圓的其他部位不同，藉由雷射光之照射而變質，強度變弱。因此，藉由對晶圓施加力，而於晶圓的內部之改質層中產生向晶圓的兩面方向延伸之龜裂，成為晶圓分割之起點。繼而，對晶圓施加力，於前述改質層之部位中分割晶圓，製作晶片。

於製造方法(1-1)之前述加工步驟及切斷步驟後，於前述熱硬化步驟中，使切斷後之保護膜形成膜130於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成保護膜130’。藉此，如圖6C所示，製作具備晶片90及設置於該晶片90的內面90b之保護膜130’的具保護膜之晶片913’，並且製作具保護膜之晶片群903，該具保護膜之晶片群903係於支撐片10上以整齊排列之狀態保持有多個這些具保護膜之晶片913’而構成。 圖6C中，符號130a’表示保護膜130’的第一面，對應於切斷後之保護膜形成膜130的第一面130a。而且，符號130b’表示保護膜130’的第二面，對應於切斷後之保護膜形成膜130的第二面130b。

於使用先前之保護膜形成膜之情形時，於使該保護膜形成膜於160℃至170℃等較先前更高之溫度進行熱硬化之情形時，於保護膜形成膜充分硬化之前，保護膜形成膜之流動性較先前更高。於是，於存在於附近之具保護膜形成膜之晶片彼此之間，保護膜形成膜容易互相接觸，於接觸而密接之情形時，保持該密接之狀態進行保護膜形成膜之硬化，製作出多個晶片由保護膜相連之不良品。 相對於此，於使用本實施形態之保護膜形成膜的製造方法(1-1)之情形時，能夠抑制發生此種保護膜中之異常。

於前述熱硬化步驟中，可將具保護膜形成膜之晶片群902以表面(例如切斷後之保護膜形成膜130的第一面130a、晶片90的內面90b)相對於水平方向成平行之方式配置(所謂「橫置」)，使保護膜形成膜130進行熱硬化。 另一方面，於前述熱硬化步驟中，亦可將具保護膜形成膜之晶片群902以表面(與上述相同)相對於水平方向成正交(換言之，相對於鉛垂方向成平行之方式)配置(所謂「縱置」)，使保護膜形成膜130進行熱硬化。於如此將具保護膜形成膜之晶片群902縱置並進行加熱之情形時，與橫置並進行加熱之情形相比，可抑制支撐片10中的保持具保護膜之晶片913’之區域中產生垂弛。

於製造方法(1-1)之前述熱硬化步驟後，如圖6D所示，可進行將具保護膜之晶片群903中的具保護膜之晶片913’自支撐片10扯離並拾取之拾取步驟，藉此取出目標之具保護膜之晶片913’。 於製造方法(1-1)之前述拾取步驟中，於具保護膜之晶片913’中的保護膜130’的第二面130b’與支撐片10中的黏著劑層12的第一面12a之間發生剝離。

具保護膜之晶片913’可藉由公知之方法拾取。 此處表示使用真空筒夾等扯離機構7將具保護膜之晶片913’沿箭頭P方向扯離之情形。

至此為止，作為製造方法(1-1)，對使用保護膜形成用複合片之情形的具保護膜之晶片的製造方法進行了說明，但亦可代替保護膜形成用複合片而使用不構成保護膜形成用複合片之保護膜形成膜，製造具保護膜之晶片。 圖7A至圖7E係用以示意性地說明本實施形態之具保護膜之晶片的製造方法中使用不構成保護膜形成用複合片之保護膜形成膜之情形的製造方法之一例(於本說明書中，有時稱為「製造方法(1-2)」)的剖面圖。此處，對使用圖1所示之保護膜形成膜13之情形加以說明。

[具保護膜之晶片的製造方法(製造方法(1-2))] 於前述製造方法(1-2)之前述貼附步驟中，如圖7A所示，將不構成前述保護膜形成用複合片之保護膜形成膜13、更具體而言將去掉了第一剝離膜151之保護膜形成膜13貼附於晶圓9的內面9b，藉此製作具保護膜形成膜之晶圓901。 本步驟係使用具備第二剝離膜152之保護膜形成膜13來代替構成保護膜形成用複合片101之保護膜形成膜13、換言之具備支撐片10之保護膜形成膜13，除了該方面以外，與製造方法(1-1)之前述貼附步驟相同。

保護膜形成膜13亦可於貼附於晶圓9的內面9b之前，事先裁斷成與晶圓9相同之直徑或較晶圓之直徑小1mm至10mm的直徑之圓形狀。藉由如此設定，貼附步驟中之作業性、及後述去掉第二剝離膜152的作業性提高。

於前述製造方法(1-2)之前述貼附步驟後且前述加工步驟前，如圖7B所示，自具保護膜形成膜之晶圓901去掉第二剝離膜152，於藉此而新生成之露出面、亦即保護膜形成膜13的第二面13b貼附切割片80。切割片80具備基材81及設置於該基材81的一面之黏著劑層82。本步驟中，將黏著劑層82中的與基材81側為相反側之面(於本說明書中，有時稱為「第一面」)82a貼附於保護膜形成膜13的第二面13b。黏著劑層82的第一面82a係與切割片80的第一面80a相同。 如此，前述製造方法(1-2)於前述貼附步驟與前述加工步驟之間，具有切割片貼附步驟，該切割片貼附步驟係於前述具保護膜形成膜之晶圓中的前述保護膜形成膜中的與前述晶圓側為相反側之面貼附切割片。

切割片80亦可與保護膜形成用複合片101中的支撐片10具有同樣之構成。 此處，表示了使用切割片80之情形，但製造方法(1-2)中，例如亦可使用僅由基材構成之切割片等切割片80以外之公知之切割片。

切割片80向保護膜形成膜13之貼附可藉由公知之方法進行，例如可藉由與製造方法(1-1)之前述貼附步驟中的保護膜形成用複合片101向晶圓9之貼附之情形相同的方法進行。

於製造方法(1-2)中，除了於前述切割片貼附步驟以後，使用具備切割片80的具保護膜形成膜之晶圓901代替上述具備支撐片10的具保護膜形成膜之晶圓901的方面以外，可藉由與製造方法(1-1)之情形相同之方法進行加工步驟、切斷步驟、熱硬化步驟及拾取步驟，可製造目標之具保護膜之晶片913’並取出。

例如，於製造方法(1-2)中，藉由進行前述加工步驟及切斷步驟，而如圖7C所示，製作具保護膜形成膜之晶片913，並且製作具保護膜形成膜之晶片群904，該具保護膜形成膜之晶片群904係於切割片80上以整齊排列之狀態保持有多個這些具保護膜形成膜之晶片913而構成。 具保護膜形成膜之晶片群904除了具備切割片80代替支撐片10之方面以外，與製造方法(1-1)中的具保護膜形成膜之晶片群902相同。

例如，於製造方法(1-2)中，藉由進行前述熱硬化步驟，而如圖7D所示，製作具保護膜之晶片913’，並且製作具保護膜之晶片群905，該具保護膜之晶片群905係於切割片80上以整齊排列之狀態保持有多個這些具保護膜之晶片913’而構成。 具保護膜之晶片群905除了具備切割片80代替支撐片10之方面以外，與製造方法(1-1)中之具保護膜之晶片群903相同。 於使用本實施形態之保護膜形成膜的製造方法(1-2)之情形時，亦能夠抑制發生如上述般之保護膜中之異常。

於製造方法(1-2)之前述熱硬化步驟中，亦藉由將具保護膜形成膜之晶片群904縱置使保護膜形成膜130進行熱硬化，而能夠抑制支撐片10的保持具保護膜之晶片913’之區域中產生垂弛。

例如，於製造方法(1-2)之前述熱硬化步驟後，如圖7E所示，藉由進行將具保護膜之晶片群905中的具保護膜之晶片913’自切割片80扯離並拾取之拾取步驟，而可取出目標之具保護膜之晶片913’。 於製造方法(1-2)之前述拾取步驟中，於具保護膜之晶片913’中的保護膜130’的第二面130b’與切割片80中的黏著劑層82的第一面82a之間發生剝離。

[具保護膜之工件加工物的製造方法之變形例] 本實施形態之具保護膜之工件加工物的製造方法亦可於不損及本發明功效之範圍內，具有亦不相當於前述貼附步驟、前述加工步驟、前述切斷步驟、前述熱硬化步驟、前述拾取步驟及前述切割片貼附步驟的任一個之其他步驟。 前述其他步驟可根據目的任意選擇，並無特別限定。 進行前述其他步驟之時機可根據前述其他步驟之內容適當選擇。

作為前述具保護膜之晶片的製造方法中的前述其他步驟之一例，可列舉：背面研磨帶貼附步驟，於前述貼附步驟前，於前述晶圓的電路面貼附背面研磨帶；以及背面研磨帶去除步驟，於前述背面研磨帶貼附步驟後且前述加工步驟前及前述切斷步驟前，自前述晶圓的電路面去掉背面研磨帶。 前述背面研磨帶可為公知之背面研磨帶，前述背面研磨帶對晶圓的電路面之貼附、及自晶圓的電路面之去除可藉由公知之方法進行。

於本說明書中，僅「貼附步驟」之記載意指不相當於「切割片貼附步驟」及「背面研磨帶貼附步驟」的任一個，而為上述的將前述保護膜形成膜、或前述保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜貼附於工件的目標部位(例如晶圓的內面)之步驟。

作為前述具保護膜之晶片的製造方法中的前述其他步驟之另一例，可列舉：印字步驟，於前述貼附步驟後且前述拾取步驟前，於前述保護膜形成膜或保護膜中的與前述晶圓側為相反側、或與前述晶片側為相反側之面，進行雷射印字。 對保護膜形成膜或保護膜之雷射印字可藉由公知之方法進行。

至此為止，作為前述製造方法(1-1)，對使用圖2所示之保護膜形成用複合片101之情形進行了說明，但本實施形態之具保護膜之工件加工物的製造方法中，亦可使用以圖3所示之保護膜形成用複合片102、圖4所示之保護膜形成用複合片103、圖5所示之保護膜形成用複合片104等為代表之其他保護膜形成用複合片。 於使用前述其他保護膜形成用複合片之情形時，基於前述其他保護膜形成用複合片與圖2所示之保護膜形成用複合片101之構成之差異，本實施形態之具保護膜之工件加工物的製造方法亦可具有於任一時機進行之前述其他步驟。

◇具保護膜之工件的製造方法(保護膜形成膜及保護膜形成用複合片之使用方法) 前述保護膜形成膜及保護膜形成用複合片可用於製造具備工件及設置於前述工件的任一部位之保護膜的具保護膜之工件。 本實施形態之具保護膜之工件的製造方法於不具有藉由將工件加工而製作工件加工物之步驟之方面，與上述具保護膜之工件加工物的製造方法不同。

本實施形態之具保護膜之工件的製造方法係具有下述步驟：貼附步驟，將不構成前述保護膜形成用複合片之保護膜形成膜、或前述保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜貼附於工件的目標部位，藉此製作具備前述工件及保護膜形成膜之具保護膜形成膜之工件；熱硬化步驟，於前述貼附步驟後，使前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成保護膜，藉此製作前述具保護膜之工件。 於工件為晶圓之情形時，作為前述具保護膜之工件，可列舉具備晶圓及設置於前述晶圓的內面之保護膜的具保護膜之晶圓。 前述具保護膜之晶圓的製造方法係具有下述步驟：貼附步驟，將不構成前述保護膜形成用複合片之保護膜形成膜、或前述保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜貼附於晶圓的內面，藉此製作具備前述晶圓及設置於前述晶圓的內面之前述保護膜形成膜的具保護膜形成膜之晶圓；以及熱硬化步驟，於前述貼附步驟後，使前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成保護膜，藉此製作前述具保護膜之工件。

以下，作為具保護膜之工件的製造方法，列舉具保護膜之晶圓的製造方法為例，一邊引用圖式一邊進行說明。 圖8A至圖8B係用以示意性地說明本實施形態之具保護膜之晶圓的製造方法中使用保護膜形成用複合片之情形的製造方法之一例(於本說明書中，有時稱為「製造方法(2-1)」)的剖面圖。此處，對使用圖2所示之保護膜形成用複合片101之情形加以說明。

[具保護膜之晶圓的製造方法(製造方法(2-1))] 於前述製造方法(2-1)之前述貼附步驟中，如圖8A所示，將去掉了剝離膜15之前述保護膜形成用複合片101中的保護膜形成膜13貼附於晶圓9的內面9b，藉此製作具保護膜形成膜之晶圓901。 製造方法(2-1)之前述貼附步驟與製造方法(1-1)之前述貼附步驟相同。

於前述製造方法(2-1)之前述貼附步驟後，於前述熱硬化步驟中，使對晶圓9貼附後之保護膜形成膜13於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成保護膜13’，藉此如圖8B所示，製作具保護膜之晶圓906。 製造方法(2-1)之熱硬化步驟可藉由與製造方法(1-1)之熱硬化步驟之情形相同的方法進行。

於使用先前之保護膜形成膜之情形時，於使該保護膜形成膜於160℃至170℃等較先前更高之溫度進行熱硬化之情形時，於保護膜形成膜充分硬化之前，保護膜形成膜之流動性較先前更高。於是，配置於具保護膜形成膜之晶圓中的沿著晶圓外周之周緣部處的保護膜形成膜會變形，典型而言，越靠近外周之部位則厚度越變薄。此種現象亦容易受到加熱時產生之熱風之影響。於此種情形中，於繼而藉由將晶圓加以分割製作晶片並切斷保護膜而製作具保護膜之晶片時，於由靠近晶圓外周之部位所製作的具保護膜之晶片中，保護膜之厚度較通常更薄，或保護膜形成傾斜面，而製作出不良品。 相對於此，於使用本實施形態之保護膜形成膜的製造方法(2-1)之情形時，可抑制發生此種保護膜中之異常。

藉由使用上述所得之具保護膜之晶圓906，將晶圓9加以分割並切斷保護膜13’，而可製作具保護膜之晶片(圖示省略)，並且可製作具保護膜之晶片群，該具保護膜之晶片群係於支撐片10上以整齊排列之狀態保持有多個這些具保護膜之晶片而構成。此處所得之具保護膜之晶片群例如與由製造方法(1-1)所得之具保護膜之晶片群903相同。

晶圓9之分割與保護膜13’之切斷較佳為同時進行，或者進行晶圓9之分割後進行保護膜13’之切斷。 晶圓9之分割方法例如可與製造方法(1-1)之前述加工步驟中的晶圓9之分割方法相同。 保護膜13’之切斷可為公知之方法，例如可與製造方法(1-1)之前述切斷步驟中的保護膜形成膜13之切斷方法相同。

藉由使用所得之前述具保護膜之晶片將具保護膜之晶片自支撐片10扯離並拾取，而可取出具保護膜之晶片。此時之步驟可與製造方法(1-1)中說明之拾取步驟相同。

至此為止，作為製造方法(2-1)，對使用保護膜形成用複合片之情形的具保護膜之晶圓的製造方法進行了說明，但即便使用不構成保護膜形成用複合片之保護膜形成膜代替保護膜形成用複合片，亦可製造具保護膜之晶圓。 圖9A至圖9B係用以示意性地說明本實施形態之具保護膜之晶圓的製造方法中使用不構成保護膜形成用複合片之保護膜形成膜之情形的製造方法之一例(於本說明書中，有時稱為「製造方法(2-2)」)之剖面圖。此處，對使用圖1所示之保護膜形成膜13之情形加以說明。

[具保護膜之晶圓的製造方法(製造方法(2-2))] 於前述製造方法(2-2)之前述貼附步驟中，如圖9A所示，將不構成前述保護膜形成用複合片之前述保護膜形成膜13、更具體而言將去掉了第一剝離膜151之保護膜形成膜13貼附於晶圓9的內面9b，藉此製作具保護膜形成膜之晶圓901。 本步驟除了使用具備第二剝離膜152之保護膜形成膜13代替構成保護膜形成用複合片101之保護膜形成膜13、換言之具備支撐片10之保護膜形成膜13之方面以外，與製造方法(2-1)之前述貼附步驟相同。

前述製造方法(2-2)中，保護膜形成膜13亦可於貼附於晶圓9的內面9b之前，裁斷成與晶圓9相同之直徑或較晶圓之直徑小1mm至10mm之直徑的圓形狀。藉由如此設定，貼附步驟中之作業性與後述去掉第二剝離膜152的作業性提高。

於前述製造方法(2-2)之前述貼附步驟後且前述熱硬化步驟前，自具保護膜形成膜之晶圓901去掉第二剝離膜152。繼而，於前述熱硬化步驟中，使保護膜形成膜13於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成保護膜13’，藉此如圖9B所示，製作具保護膜之晶圓906。 製造方法(2-2)之熱硬化步驟除了使用不具備支撐片10(保護膜形成膜13之第二面13b成為露出面)之具保護膜形成膜之晶圓901來代替具備支撐片10之具保護膜形成膜之晶圓901的方面以外，與製造方法(2-1)之前述熱硬化步驟相同。 於使用本實施形態之保護膜形成膜的製造方法(2-2)之情形時，亦可抑制發生如上述般之保護膜中之異常。

通常，於如上述般將貼附於晶圓9的內面9b之前的保護膜形成膜裁斷成與晶圓9相同之直徑或較晶圓之直徑小1mm至10mm之直徑的圓形狀之情形時，若使保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，則相較於並未如此將保護膜形成膜裁斷之情形、或前述製造方法(2-1)之情形，容易產生上文所說明之配置於晶圓周緣部之保護膜形成膜之變形。 相對於此，於使用本實施形態之保護膜形成膜之情形時，此種保護膜形成膜之變形得到抑制，故而於如上述般將貼附於晶圓9的內面9b之前的保護膜形成膜預先裁斷且採用製造方法(2-2)之情形時，更顯著地發揮抑制保護膜中發生異常之功效。

例如，於製造方法(2-2)之前述熱硬化步驟後，於具保護膜之晶圓906中的保護膜13’的第二面13b’貼附切割片(圖示省略)，將晶圓9加以分割並切斷保護膜13’，藉此可製作具保護膜之晶片(圖示省略)，並且可製作具保護膜之晶片群，該具保護膜之晶片群係於切割片上以整齊排列之狀態保持有多個這些具保護膜之晶片而構成。此處所得之具保護膜之晶片群例如亦可與由製造方法(1-2)所得之具保護膜之晶片群905相同。

晶圓9之分割及保護膜13’之切斷係於對保護膜形成膜13貼附切割片之後進行。 前述切割片可為公知者，例如可與製造方法(1-2)所用之切割片80相同。 晶圓9之分割及保護膜13’之切斷只要藉由公知之方法進行即可，例如可藉由與製造方法(2-1)之情形相同之方法進行。

藉由使用所得之前述具保護膜之晶片群，將具保護膜之晶片自支撐片10扯離並拾取，而可取出具保護膜之晶片。此時之步驟可與製造方法(1-2)中說明之拾取步驟相同。

[具保護膜之工件的製造方法之變形例] 本實施形態之具保護膜之工件的製造方法亦可於不損及本發明功效之範圍內，具有不相當於前述貼附步驟及前述熱硬化步驟的任一個之其他步驟。 前述其他步驟可根據目的任意選擇，並無特別限定。 進行前述其他步驟之時機可根據前述其他步驟之內容適當選擇。

作為前述具保護膜之晶圓的製造方法中之前述其他步驟之一例，若為使用在電路面設有背面研磨帶者作為前述晶圓之情形，則可列舉於前述貼附步驟前，自前述晶圓的電路面去掉背面研磨帶之背面研磨帶去除步驟。 前述背面研磨帶可為公知之背面研磨帶，前述背面研磨帶對晶圓的電路面之貼附、及自晶圓的電路面之去除可藉由公知之方法進行。

至此為止，作為前述製造方法(2-1)，對使用圖2所示之保護膜形成用複合片101之情形進行了說明，但於本實施形態之具保護膜之工件的製造方法中，亦可使用以圖3所示之保護膜形成用複合片102、圖4所示之保護膜形成用複合片103、圖5所示之保護膜形成用複合片104等為代表之其他保護膜形成用複合片。 於使用前述其他保護膜形成用複合片之情形時，基於前述其他保護膜形成用複合片與圖2所示之保護膜形成用複合片101之構成之差異，本實施形態之具保護膜之工件的製造方法亦可具有於任一時機進行之前述其他步驟。

◇基板裝置的製造方法(具保護膜之晶片之使用方法) 藉由上述製造方法獲得具保護膜之晶片之後，除了使用該具保護膜之晶片代替先前之具保護膜之晶片的方面以外，可藉由與先前之基板裝置的製造方法相同的方法製造基板裝置。

作為此種基板裝置的製造方法，例如可列舉具有下述覆晶連接步驟之製造方法：使利用前述保護膜形成膜所得的具保護膜之晶片上的突狀電極接觸於電路基板上之連接墊，藉此將前述突狀電極與前述電路基板上之連接墊加以電性連接。 [實施例]

以下，藉由具體實施例對本發明加以更詳細說明。然而，本發明不受以下所示之實施例之任何限定。

[樹脂之製造原料] 將本實施例及比較例中簡稱的樹脂之製造原料之正式名稱示於以下。 MA：丙烯酸甲酯 HEA：丙烯酸2-羥基乙酯 2EHA：丙烯酸2-乙基己酯 GMA：甲基丙烯酸縮水甘油酯 AAc：丙烯酸 MMA：甲基丙烯酸甲酯 BA：丙烯酸正丁酯 EA：丙烯酸乙酯 AN：丙烯腈

[保護膜形成用組成物之製造原料] 將用於製造保護膜形成用組成物之原料示於以下。 [聚合物成分(A)] (A)-1：丙烯酸共聚物(長瀨化成(Nagase Chemtex)公司製造之「Teisanresin SG-P3」) (A)-2：將2EHA(62質量份)、MA(12質量份)、GMA(7質量份)、AAc(1質量份)及HEA(18質量份)加以共聚而成之丙烯酸聚合物(重量平均分子量500000，玻璃轉移溫度-47℃) (A)-3：將2EHA(65質量份)、MA(11質量份)、GMA(7質量份)及HEA(17質量份)加以共聚而成之丙烯酸聚合物(重量平均分子量500000，玻璃轉移溫度-49℃) (A)-4：將MA(97質量份)及HEA(3質量份)加以共聚而成之丙烯酸聚合物(重量平均分子量500000，玻璃轉移溫度9℃) (A)-5：將BA(45質量份)、MA(38質量份)、GMA(3質量份)及HEA(14質量份)加以共聚而得之丙烯酸系樹脂(重量平均分子量400000，玻璃轉移溫度-25℃) [環氧樹脂(B1)] (B1)-1：雙酚A型環氧樹脂(三菱化學公司製造之「jER828」，環氧當量184g/eq至194g/eq) (B1)-2：二環戊二烯型環氧樹脂(DIC公司製造之「Epiclone HP-7200」，環氧當量254g/eq至264g/eq) [熱硬化劑(B2)] (B2)-1：二氰二胺(熱活性潛伏性環氧樹脂硬化劑，三菱化學公司製造之「DICY7」) [硬化促進劑(C)] (C)-1：2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(四國化成工業公司製造之「Curezole 2PHZ」) [填充材(D)] (D)-1：二氧化矽填料(雅都瑪(Admatechs)公司製造之「Y100SV-CM1」，經乙烯基進行了表面修飾之球狀二氧化矽填料，平均粒徑0.1μm) (D)-2：二氧化矽填料(雅都瑪(Admatechs)公司製造之「SC105G-MMQ」，經乙烯基進行了表面修飾之球狀二氧化矽填料，平均粒徑0.3μm) (D)-3：二氧化矽填料(雅都瑪(Admatechs)公司製造之「3SE-CM6」，經環氧基進行了表面修飾之球狀二氧化矽填料，平均粒徑0.3μm) (D)-4：二氧化矽填料(雅都瑪(Admatechs)公司製造之「SC2050MA」，經環氧基進行了表面修飾之球狀二氧化矽填料，平均粒徑0.5μm) [偶合劑(E)] (E)-1：具有環氧基、甲基及甲氧基之寡聚物型矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「X-41-1056」，環氧當量280g/eq) [著色劑(I)] (I)-1：有機系黑色顏料(大日精化工業公司製造之「6377黑」)

[實施例1] [保護膜形成膜之製造] [保護膜形成用組成物(III)-1之製造] 使聚合物成分(A)-1(25質量份)、環氧樹脂(B1)-1(10質量份)、環氧樹脂(B1)-2(5質量份)、熱硬化劑(B2)-1(0.1質量份)、硬化促進劑(C)-1(0.1質量份)、填充材(D)-1(57.5質量份)、偶合劑(E)-1(0.3質量份)及著色劑(I)-1(2質量份)溶解或分散於甲基乙基酮，於23℃攪拌，藉此獲得溶媒以外之所有成分之合計濃度為60質量%的熱硬化性之保護膜形成用組成物(III)-1。此處所示之甲基乙基酮以外之成分之調配量全部為不含溶媒之目標物之調配量。

[保護膜形成膜之製造] 使用藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面進行了剝離處理之剝離膜(第二剝離膜，琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET502150」，厚度50μm)，於該剝離膜的前述剝離處理面塗敷上述所得之保護膜形成用組成物(III)-1，於100℃乾燥2分鐘，藉此製造厚度40μm之熱硬化性之保護膜形成膜。

進而，於所得之保護膜形成膜的不具備第二剝離膜之側的露出面，以貼附速度2m/min、貼附溫度60℃、貼附壓力0.5MPa之條件貼合剝離膜(第一剝離膜，琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)的剝離處理面，藉此製造具備保護膜形成膜、設置於前述保護膜形成膜的一面之第一剝離膜、及設置於前述保護膜形成膜的另一面之第二剝離膜而構成的具剝離膜之保護膜形成膜。

[保護膜形成膜之評價] [試片之儲存彈性模數E’之測定] 使用上述所得之5片具剝離膜之保護膜形成膜，一邊去掉這些之第一剝離膜或第二剝離膜，一邊將保護膜形成膜的露出面彼此逐漸依序貼合，藉此製作將第二剝離膜、5片保護膜形成膜(合計之厚度200μm)及第二剝離膜依序積層而構成之積層物。繼而，自該積層物切出寬度為4mm且長度為30mm之切片。 繼而，自該切片去掉最表面的2片第二剝離膜，將所得者作為試片。 繼而，使用動態黏彈性自動測定裝置(A&D公司製造之「Rheovibron DDV-01FP」)，藉由拉伸法(拉伸模式)以夾頭間距離20mm、頻率11Hz、升溫速度3℃/min、等速升溫之測定條件，於-10℃至170℃之溫度區域中測定前述試片之儲存彈性模數E’。其中，將E’(160)及E’(170)示於表1。

[保護膜形成用複合片之製造] [黏著劑組成物(I-4)之製造] 將作為黏著性樹脂(I-1a)之丙烯酸樹脂(100質量份)、與交聯劑(三羥甲基丙烷之二甲苯二異氰酸酯加成物，三井武田化學公司製造之「Takenate D110N」)(20質量份)加以混合，進而以甲基乙基酮加以稀釋，於23℃攪拌，製造上述甲基乙基酮以外之兩成分之合計濃度為25質量%的黏著劑組成物(I-4)。此處所示之甲基乙基酮以外之兩成分之調配量均為不含溶媒之目標物之調配量。此處所用之丙烯酸樹脂為將2EHA(60質量份)、MMA(30質量份)及HEA(10質量份)加以共聚而成之(甲基)丙烯酸酯共聚物(重量平均分子量600000)。

[支撐片之製造] 使用藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面進行了剝離處理之剝離膜(琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)，於該剝離膜的前述剝離處理面，使用刀式塗佈機塗敷上述所得之黏著劑組成物(I-4)，於100℃加熱乾燥2分鐘，藉此形成非能量線硬化性之黏著劑層(厚度5μm)。

繼而，使用無著色之聚丙烯製膜(厚度80μm，融點156℃，作為一面的粗面之表面粗糙度(Ra)為0.20μm、作為另一面的微粗面之表面粗糙度(Ra)為0.15μm)作為基材，於該粗面貼附上述所得之黏著劑層的露出面(與剝離膜側為相反側之面)，藉此製造將基材、黏著劑層及剝離膜依序於這些之厚度方向積層而成的具剝離膜之支撐片。

[治具用接著劑層之形成] 將作為黏著性樹脂(I-1a)之丙烯酸樹脂(100質量份)與交聯劑(甲苯二異氰酸酯系交聯劑，東曹(Tosoh)公司製造之「Coronate L」)(5質量份)加以混合，進而以甲苯加以稀釋，於23℃攪拌，藉此製造上述甲苯以外之兩成分之合計濃度為15質量%的治具用接著劑組成物。此處所示之甲苯以外之兩成分之調配量均為不含溶媒之目標物之調配量。此處所用之丙烯酸樹脂為將BA(69.5質量份)、MA(30質量份)及HEA(0.5質量份)加以共聚而成之(甲基)丙烯酸酯共聚物(重量平均分子量500000)。

使用藉由聚矽氧處理將聚對苯二甲酸乙二酯製膜的單面進行了剝離處理之剝離膜(第一剝離膜，琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET382150」，厚度38μm)，於該剝離膜的前述剝離處理面，使用刀式塗佈機塗敷上述所得之治具用接著劑組成物，於120℃加熱乾燥2分鐘，藉此形成非能量線硬化性之治具用接著劑層(厚度20μm)。 進而，於所得之治具用接著劑層的不具備第一剝離膜之側的露出面貼合剝離膜(第二剝離膜，琳得科(Lintec)公司製造之「SP-PET381031」，厚度38μm)的剝離處理面，藉此獲得具備治具用接著劑層、設置於前述治具用接著劑層的一面之第一剝離膜、及設置於前述治具用接著劑層的另一面之第二剝離膜而構成的具剝離膜之治具用接著劑層。

[保護膜形成用複合片之製造] 自上述所得之具剝離膜之保護膜形成膜(厚度40μm)去掉第一剝離膜，使保護膜形成膜的一面露出。 自上述所得之具剝離膜之支撐片去掉剝離膜，使黏著劑層的一面(與基材側為相反側之面)露出。 將保護膜形成膜的露出之前述一面與黏著劑層的露出之前述一面加以貼合，藉此製造將前述基材、黏著劑層、保護膜形成膜及第二剝離膜依序於這些之厚度方向積層而構成之積層片。

自上述所得之具剝離膜之治具用接著劑層去掉第一剝離膜，自治具用接著劑層去除直徑220mm之圓形狀之區域。

自上述所得之積層片去掉第二剝離膜，將藉此生成之保護膜形成膜的露出面與上述第二剝離膜上之治具用接著劑層的露出面(與第二剝離膜側為相反側之面)加以貼合並使之壓接。 繼而，針對所得之壓接物中第二剝離膜以外之部位，以治具用接著劑層成為環狀之方式去除外周部附近之區域，藉此製造圖2所示之構成的具剝離膜之保護膜形成用複合片，該具剝離膜之保護膜形成用複合片係於第二剝離膜上以直徑270mm之圓形狀之形式設有前述保護膜形成膜、黏著劑層及基材之積層物。亦即，製造下述具剝離膜之保護膜形成用複合片：將基材(厚度80μm)、黏著劑層(厚度5μm)及保護膜形成膜(厚度40μm)依序於這些之厚度方向積層，沿著保護膜形成膜的與黏著劑層側為相反側之面的周緣部設有環狀之治具用接著劑層，於治具用接著劑層中的與保護膜形成膜側為相反側之面以及保護膜形成膜的露出面設有第二剝離膜。

[保護膜形成膜之評價] [相鄰之具保護膜之矽晶片彼此的保護膜之密接抑制功效(1)之評價(硬化溫度160℃)] [具保護膜形成膜之矽晶片群之製造] 自上述所得之保護膜形成用複合片去掉第二剝離膜，於保護膜形成用複合片之徑向上，將位於較前述治具用接著劑層更靠內側而露出之保護膜形成膜貼附於矽晶圓(直徑8吋，厚度350μm，矽鏡面晶圓)之乾式拋光面，藉此製作將矽晶圓、保護膜形成膜及支撐片依序積層而成之積層物(亦即具保護膜形成用複合片之矽晶圓)。此時之貼附溫度設為70℃，貼附速度設為0.3m/min，貼附壓力設為0.3MPa。進而，藉由前述治具用接著劑層將該具保護膜形成用複合片之矽晶圓貼附於環形框架，靜置30分鐘。

繼而，使用切割裝置(DISCO公司製造之「DFD6361」)及切割刀片(ZH05-SD2000-N1-90)，以切割刀片之移動速度50mm/sec、切割刀片之旋轉速度40000rpm之條件將該靜置後之具保護膜形成用複合片之矽晶圓中的矽晶圓及保護膜形成膜加以切割。藉此，製作下述狀態之具保護膜形成膜之矽晶片群：具備大小為2mm×5mm之矽晶片、及設置於該矽晶片的乾式拋光面之相同大小(2mm×5mm)之保護膜形成膜的多個具保護膜形成膜之矽晶片整齊排列地固定於黏著劑層上。該具保護膜形成膜之矽晶片群中，切割線之寬度(切縫寬度)為25μm至30μm。

[具保護膜之矽晶片群之製造] 將上述所得之具保護膜形成膜之矽晶片群設置於烘箱的內部。此時，使具保護膜形成膜之矽晶片群的表面相對於水平方向而正交，將具保護膜形成膜之矽晶片群縱置。 繼而，保持該狀態將具保護膜形成膜之矽晶片群於160℃加熱1小時，使保護膜形成膜進行熱硬化而製成保護膜，藉此製作具保護膜之矽晶片群。

[保護膜之密接抑制功效(1)之評價(硬化溫度160℃)] 針對相當於上述所得之具保護膜之矽晶片群中的靠中央之互相正交之兩方向的具保護膜之矽晶片各8列、亦即64個矽晶片之區域，使用數位顯微鏡，著眼於有無切割線而確認相鄰之具保護膜之矽晶片彼此中的保護膜有無密接。繼而，按下述基準評價保護膜之密接抑制功效。將結果示於表1中之「保護膜之密接抑制功效」之「(1)160℃」之欄。 [評價基準] A：完全未確認到保護膜之密接。 B：確認到保護膜之密接的具保護膜之矽晶片為2個至4個。 C：確認到保護膜之密接的具保護膜之矽晶片為5個以上。

[相鄰之具保護膜之矽晶片彼此的保護膜之密接抑制功效(2)之評價(硬化溫度170℃)] 除了將具保護膜形成膜之矽晶片群之加熱溫度設為170℃代替160℃之方面以外，藉由與上述保護膜之密接抑制功效(1)之評價之情形相同的方法，評價相鄰之具保護膜之矽晶片彼此的保護膜之密接抑制功效(保護膜之密接抑制功效(2)之評價)。將結果示於表1中之「保護膜之密接抑制功效」之「(2)170℃」之欄。

[具保護膜之矽晶圓中的配置於矽晶圓周緣部之保護膜之變形抑制功效(1)之評價(硬化溫度160℃)] [具保護膜之矽晶圓之製造] 將上述所得之具剝離膜之保護膜形成膜(厚度40μm)裁斷成較後述之矽晶圓之直徑小4mm之直徑的圓形狀。 繼而，自該圓形狀之具剝離膜之保護膜形成膜去掉第一剝離膜，使保護膜形成膜的一面露出。 繼而，將保護膜形成膜的該一面(露出面)貼附於矽晶圓(直徑8吋，厚度350μm，矽鏡面晶圓)的乾式拋光面。此時之貼附溫度設為70℃，貼附速度設為0.3m/min，貼附壓力設為0.3MPa。而且，此時使保護膜形成膜的中心之位置與矽晶圓的中心之位置於這些之表面方向上一致。 繼而，自保護膜形成膜去掉第二剝離膜，藉此製作具備矽晶圓及設置於該矽晶圓的乾式拋光面之保護膜形成膜的具保護膜形成膜之矽晶圓。

繼而，將該具保護膜形成膜之矽晶圓設置於烘箱之內部。此時，使具保護膜形成膜之矽晶圓的表面相對於水平方向而正交，將具保護膜形成膜之矽晶圓縱置。 繼而，保持該狀態將具保護膜形成膜之矽晶圓於160℃加熱1小時，使保護膜形成膜進行熱硬化而製成保護膜，藉此製作具備矽晶圓及設置於該矽晶圓的乾式拋光面之保護膜的具保護膜之矽晶圓。

[保護膜之變形抑制功效(1)之評價(硬化溫度160℃)] 針對上述所得之具保護膜之矽晶圓中的保護膜，測定自該保護膜的外周靠向中心0.5mm且互相為等間隔之12處之厚度，算出這些之平均值(以下稱為「保護膜之靠外周之厚度之平均值」)。 繼而，針對該保護膜，測定自該保護膜的中心靠向外周20mm且互相為等間隔之12處之厚度，算出這些之平均值(以下稱為「保護膜之靠中心之厚度之平均值」)。繼而，藉由下述式算出保護膜之厚度之變化率，根據該值按照下述基準評價保護膜之變形抑制功效。將結果示於表1中之「保護膜之變形抑制功效」之「(1)160℃」之欄。 [保護膜之厚度之變化率(%)]＝([保護膜之靠中心之厚度之平均值]－[保護膜之靠外周之厚度之平均值])／[保護膜之靠中心之厚度之平均值]×100。 [評價基準] A：保護膜之厚度之變化率未達1.5%。 B：保護膜之厚度之變化率為1.5%以上至未達3%。 C：保護膜之厚度之變化率為3%以上。

[具保護膜之矽晶圓中的配置於矽晶圓周緣部之保護膜之變形抑制功效(2)之評價(硬化溫度170℃)] 除了將具保護膜形成膜之矽晶圓之加熱溫度設為170℃代替160℃之方面以外，藉由與上述保護膜之變形抑制功效(1)之評價之情形相同的方法，評價具保護膜之矽晶圓中的配置於矽晶圓周緣部之保護膜之變形抑制功效(保護膜之變形抑制功效(2)之評價)。將結果示於表1中之「保護膜之變形抑制功效」之「(2)170℃」之欄。

[保護膜形成膜之熱硬化物之光(550nm)穿透率之測定] 將上述所得之具剝離膜之保護膜形成膜(厚度40μm)於160℃至170℃之溫度區域加熱1小時，藉此進行熱硬化。 繼而，於所得之熱硬化物中去掉第一剝離膜及第二剝離膜。繼而，針對熱硬化物，使波長為200nm至3000nm之光自該熱硬化物的一面側之外部入射，測定光(550nm)穿透率。此時，不使用測定裝置內之積分球。將結果示於表1。

[保護膜形成膜之製造、保護膜形成用複合片之製造及保護膜形成膜之評價] [實施例2至實施例7、比較例1至比較例3] 以保護膜形成膜之含有成分及含量成為如表1或表2所示之方式，變更調配成分之種類，除了該方面以外，藉由與實施例1之情形相同之方法製造保護膜形成膜及保護膜形成用複合片，評價保護膜形成膜。將結果示於表1或表2。

[表1]

	實施例
1	2	3	4	5
保護膜形成膜之含有成分(質量份)	聚合物成分(A)	(A)-1	25	25	25	25	-
(A)-2	-	-	-	-	25
(A)-3	-	-
(A)-4	-	-	-	-	-
(A)-5	-	-	-	-	-	-
環氧樹脂(B1)	(B1)-1	10	10	10	10	10
(B1)-2	5	5	5	5	5
熱硬化劑(B2)	(B2)-1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1
硬化促進劑(C)	(C)-1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1
填充材(D)	(D)-1	57.5	-	-	-	-
(D)-2	-	57.5	-	-	-
(D)-3	-	-	57.5	-	-
(D)-4	-	-	-	57.5	57.5
偶合劑(E)	(E)-1	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3
著色劑(I)	(I)-1	2	2	2	2	2
評價結果	保護膜形成膜之試片之儲存彈性模數E'(MPa)	E'(160)	23.4	5.8	20.1	6.1	7.2
E'(170)	51.0	8.7	47.6	12.7	17.9
保護膜之密接抑制功效	(1)160℃	A	B	A	B	B
(1)170℃	A	B	A	B	B
保護膜之變形抑制功效	(1)160℃	A	B	A	B	B
(1)170℃	A	B	A	B	B
保護膜形成膜之熱硬化物之光(550nm)穿透率(%)	12	8	9	13	10

[表2]

	實施例	比較例
6	7	1	2	3
保護膜形成膜之含有成分(質量份)	聚合物成分(A)	(A)-1	-	-	-	-	-
(A)-2	25	25	-	-	-
(A)-3	-	-	25	-	-
(A)-4	-	-	-	25	-
(A)-5	-	-	-	-	25
環氧樹脂(B1)	(B1)-1	10	10	10	10	10
(B1)-2	5	5	5	5	5
熱硬化劑(B2)	(B2)-1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1
硬化促進劑(C)	(C)-1	0.1	0.1	0.1	0.1	0.1
填充材(D)	(D)-1	-	57.5	-	57.5	-
(D)-2	-	-	57.5	-	57.5
(D)-3	57.5	-	-	-	-
(D)-4	-	-	-	-	-
偶合劑(E)	(E)-1	0.3	0.3	0.3	0.3	0.3
著色劑(I)	(I)-1	2	2	2	2	2
評價結果	保護膜形成膜之試片之儲存彈性模數E'(MPa)	E'(160)	32.0	39.2	0.49	0.16	0.65
E'(170)	91.0	108.0	0.41	0.14	0.59
保護膜之密接抑制功效	(1)160℃	A	A	C	C	C
(1)170℃	A	A	C	C	C
保護膜之變形抑制功效	(1)160℃	A	A	C	C	C
(1)170℃	A	A	C	C	C
保護膜形成膜之熱硬化物之光(550nm)穿透率(%)	11	13	11	10	12

如由上述結果所表明，實施例1至實施例7中，即便使保護膜形成膜於160℃或170℃進行熱硬化而製造具保護膜之矽晶片，亦能夠於相鄰之具保護膜之矽晶片彼此抑制保護膜之密接。而且，於實施例1至實施例7中，即便使具保護膜形成膜之矽晶圓於160℃或170℃進行熱硬化而製造具保護膜之矽晶圓，亦能夠抑制該具保護膜之矽晶圓中的配置於矽晶圓周緣部之保護膜之變形。這些具保護膜之矽晶圓適於製造具保護膜之矽晶片。

於表1中，作為試片之儲存彈性模數E’，僅顯示出E’(160)及E’(170)，但實施例1至實施例7中之試片之儲存彈性模數E’於160℃至170℃之整個溫度區域中，滿足1MPa以上之條件(為5.8MPa以上)。而且，實施例1至實施例7中之試片於160℃至170℃之溫度區域中，伴隨溫度之上升而顯示儲存彈性模數E’之上升。 實施例1至實施例7之保護膜形成膜中，聚合物成分(A)具有自(甲基)丙烯酸烷基酯所衍生之構成單元，進而具有自丙烯腈所衍生之構成單元與自丙烯酸所衍生之構成單元中的任一個。因此推測聚合物成分(A)之分子彼此之分子間力提高，聚合物成分(A)之凝聚性高，故而E’(160)及E’(170)高。

如此，實施例1至實施例7之保護膜形成膜即便於較先前更高之溫度進行熱硬化，亦於該熱硬化之過程中不具有流動性，或將流動性抑制得低。尤其實施例1、實施例3、實施例6、實施例7之保護膜形成膜係上述抑制保護膜之密接之功效與抑制保護膜之變形之功效均高，推測於較先前更高之溫度進行熱硬化時之抑制流動之功效尤其高。

實施例1、實施例3至實施例7、尤其實施例5至實施例7之結果顯示下述傾向：保護膜形成膜所含有之填充材(D)之平均粒徑越小，E’(160)及E’(170)越變大。

實施例1至實施例7中，藉由將填充材(D)加以表面修飾，保護膜形成用組成物中之填充材(D)之分散性良好，尤其實施例2及實施例3之結果顯示下述傾向：於填充材(D)經環氧基進行了表面修飾之情形時，保護膜形成膜之E’(160)及E’(170)變高。

如此推測，藉由填充材(D)之平均粒徑小，並且填充材(D)經表面修飾(尤其經環氧基進行了表面修飾)，可一邊維持保護膜形成用組成物中之填充材(D)之分散性，一邊適度提高填充材(D)之粒子彼此互相吸引之力，填充材(D)之凝聚性高，故而E’(160)及E’(170)高。

實施例1至實施例7中，保護膜形成膜之熱硬化物之光(550nm)穿透率為13%以下，為明顯之黑色，且作為保護膜具有較佳之外觀。

相對於此，比較例1至比較例3中，於使保護膜形成膜於160℃或170℃進行熱硬化而製造具保護膜之矽晶片時，於相鄰之具保護膜之矽晶片彼此抑制保護膜之密接之功效低。而且，比較例1至比較例3中，於使具保護膜形成膜之矽晶圓於160℃或170℃進行熱硬化而製造具保護膜之矽晶圓時，該具保護膜之矽晶圓中的配置於矽晶圓周緣部之保護膜之變形的抑制功效低。這些具保護膜之矽晶圓不適於製造具保護膜之矽晶片。

於表1中，作為試片之儲存彈性模數E’，僅顯示出E’(160)及E’(170)，但比較例1至比較例3中之試片之儲存彈性模數E’於160℃至170℃之整個溫度區域中，滿足未達1MPa之條件(為0.65MPa以下)。而且，比較例1至比較例3中之試片於160℃至170℃之溫度區域中，伴隨溫度之上升而顯示儲存彈性模數E’之下降。 [產業可利用性]

本發明能夠用於製造以半導體裝置為代表之各種基板裝置。

7:扯離機構 9:晶圓 9b:晶圓的內面 10,20:支撐片 10a,20a:支撐片的一面(第一面) 11,81:基材 11a:基材的一面(第一面) 12,82:黏著劑層 12a,82a:黏著劑層的第一面 13,23:保護膜形成膜(熱硬化性之保護膜形成膜) 13a,23a:保護膜形成膜的一面(第一面) 13b,23b:保護膜形成膜的另一面(第二面) 13’,130’:保護膜 13b’,130b’:保護膜的第二面 16:治具用接著劑層 16a:治具用接著劑層的第一面 80:切割片 80a:切割片的第一面 90:晶片 90b:晶片的內面 101,102,103,104:保護膜形成用複合片 130:切斷後之保護膜形成膜 130a:切斷後之保護膜形成膜的第一面 130b:切斷後之保護膜形成膜的第二面 130a’:保護膜的第一面 151:第一剝離膜 152:第二剝離膜 901:具保護膜形成膜之晶圓 902,904具保護膜形成膜之晶片群 903,905:具保護膜之晶片群 906:具保護膜之晶圓 913:具保護膜形成膜之晶片 913’:具保護膜之晶片 P:扯離方向

[圖1]係示意性地表示本發明之一實施形態之保護膜形成膜之一例的剖面圖。 [圖2]係示意性地表示本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之一例的剖面圖。 [圖3]係示意性地表示本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之另一例的剖面圖。 [圖4]係示意性地表示本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之進而另一例的剖面圖。 [圖5]係示意性地表示本發明之一實施形態之保護膜形成用複合片之進而另一例的剖面圖。 [圖6A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之一例的剖面圖。 [圖6B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之一例的剖面圖。 [圖6C]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之一例的剖面圖。 [圖6D]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之一例的剖面圖。 [圖7A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之另一例的剖面圖。 [圖7B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之另一例的剖面圖。 [圖7C]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之另一例的剖面圖。 [圖7D]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之另一例的剖面圖。 [圖7E]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶片的製造方法之另一例的剖面圖。 [圖8A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶圓的製造方法之一例的剖面圖。 [圖8B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶圓的製造方法之一例的剖面圖。 [圖9A]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶圓的製造方法之另一例的剖面圖。 [圖9B]係用以示意性地說明本發明之一實施形態之具保護膜之晶圓的製造方法之另一例的剖面圖。

13:保護膜形成膜(熱硬化性之保護膜形成膜)

13a:保護膜形成膜的一面(第一面)

13b:保護膜形成膜的另一面(第二面)

151:第一剝離膜

152:第二剝離膜

Claims (8)

1. 一種保護膜形成膜，係熱硬化性之保護膜形成膜； 前述保護膜形成膜含有丙烯酸樹脂； 前述丙烯酸樹脂係具有自(甲基)丙烯酸烷基酯衍生之構成單元，進而具有選自於自丙烯腈衍生之構成單元、及自丙烯酸衍生之構成單元中之至少一者； 相對於前述保護膜形成膜之總質量，前述丙烯酸樹脂之含量為10質量%至85質量%； 於將作為多片前述保護膜形成膜之積層物的寬度4mm之試片取20mm之間隔以兩處保持，藉由拉伸模式一邊以頻率11Hz、升溫速度3℃/min、等速升溫之條件將前述試片自-10℃升溫至170℃為止，一邊測定前述試片之儲存彈性模數E’時，於160℃至170℃之整個溫度區域中，前述試片之前述儲存彈性模數E’成為1MPa以上。
2. 如請求項1所記載之保護膜形成膜，其中前述保護膜形成膜含有寡聚物型矽烷偶合劑。
3. 如請求項1所記載之保護膜形成膜，其中於前述丙烯酸樹脂中，相對於構成前述丙烯酸樹脂之構成單元之總量，前述自丙烯腈衍生之構成單元、與前述自丙烯酸衍生之構成單元之合計量之比率為0.5質量%至50質量%。
4. 如請求項1所記載之保護膜形成膜，其中藉由將前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度區域加熱1小時而得之熱硬化物在波長550nm之光之穿透率為90%以下。
5. 如請求項1至4中任一項所記載之保護膜形成膜，其中前述保護膜形成膜之厚度未達50μm。
6. 一種保護膜形成用複合片，係具備支撐片、及設置於前述支撐片的一面上之保護膜形成膜； 　　前述保護膜形成膜為如請求項1至5中任一項所記載之保護膜形成膜。
7. 一種具保護膜之工件加工物的製造方法，前述具保護膜之工件加工物係具備藉由將工件加工而得之工件加工物、及設置於前述工件加工物的任一部位之保護膜； 　　前述具保護膜之工件加工物的製造方法係具有下述步驟： 　　貼附步驟，係將如請求項1至5中任一項所記載之保護膜形成膜、或如請求項6所記載之保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜貼附於前述工件的目標部位，藉此製作具備前述工件及前述保護膜形成膜的具保護膜形成膜之工件； 　　加工步驟，於前述貼附步驟後，藉由將前述工件加工而製作前述工件加工物； 　　切斷步驟，於前述貼附步驟後，切斷前述保護膜形成膜；以及 　　熱硬化步驟，於前述加工步驟及前述切斷步驟後，使切斷後之前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成前述保護膜，藉此製作前述具保護膜之工件加工物。
8. 一種具保護膜之工件的製造方法，前述具保護膜之工件具備工件、及設置於前述工件的任一部位之保護膜； 　　前述具保護膜之工件的製造方法係具有下述步驟： 　　貼附步驟，將如請求項1至5中任一項所記載之保護膜形成膜、或如請求項6所記載之保護膜形成用複合片中的保護膜形成膜貼附於前述工件的目標部位，藉此製作具備前述工件及前述保護膜形成膜的具保護膜形成膜之工件；以及 熱硬化步驟，於前述貼附步驟後，使前述保護膜形成膜於160℃至170℃之溫度進行熱硬化，形成前述保護膜，藉此製作前述具保護膜之工件。