TWI856466B - 反射型光罩基底、反射型光罩、反射型光罩基底之製造方法以及反射型光罩之製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係一種EUV微影法用反射型光罩基底，其自下而上依序具有基板、反射EUV光之多層反射膜、保護上述多層反射膜之保護膜及吸收上述EUV光之吸收膜，且上述保護膜具備：上層，其包含銠系材料，該銠系材料包含Rh，或包含Rh及選自由N、O、C、B、Ru、Nb、Mo、Ta、Ir、Pd、Zr及Ti所組成之群中之至少一種元素；及下層，其於EUV區域滿足k＜-0.15n＋0.16[式中，n為折射率，k為消光係數]。
Description
本發明係關於一種反射型光罩基底、反射型光罩、反射型光罩基底之製造方法以及反射型光罩之製造方法。
近年來，伴隨著半導體元件之微細化，開發出作為使用極紫外線(Extreme Ultra-Violet：EUV)之曝光技術之EUV微影法(EUVL)。EUV包括軟X射線及真空紫外線，具體而言，係波長為0.2 nm～100 nm左右之光。目前，主要研究13.5 nm左右之波長之EUV。
EUVL使用反射型光罩。反射型光罩依序包括基板、多層反射膜、及形成有開口圖案之吸收膜。於EUVL中，將反射型光罩之開口圖案轉印至半導體基板等對象基板。
作為反射型光罩之構成，亦已知於多層反射膜與吸收膜之間進而設置有保護膜者。保護膜係具有保護多層反射膜免受製造光罩時於吸收膜形成開口圖案時所實施之蝕刻處理等影響之功能，且製造後仍殘留於反射型光罩之膜。
例如，於專利文獻1中揭示有一種反射型光罩基底，其包括：基板；多層反射膜，其形成於該基板上並反射曝光之光；吸收膜，其形成於該多層反射膜上並選擇性地吸收上述曝光之光；及中間層，其形成於上述多層反射膜與吸收膜之間並對吸收膜之蝕刻環境具有耐受性，且中間層之材料包含選自Cr、Ru、Rh中之至少一種元素及Si。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本專利第4346656號公報
[發明所欲解決之問題]
保護膜之材料係鑒於吸收膜之材料及與該吸收膜對應之蝕刻條件而選擇。然而，近年來，作為吸收膜，研究了各種材料。根據吸收膜之材料及該吸收膜之蝕刻條件，有時先前之保護膜之材料之耐受性不充分，而無法充分保護多層反射膜。又，另一方面，選擇保護膜之材料時，亦需要考慮到在保護膜與正下方之多層反射膜之間之混合、或對曝光之光之反射率之影響。
因此，本發明之一形態之課題在於提供一種具備保護膜之構成，該保護膜具有優異之耐蝕刻性，並且與多層反射膜之混合得到抑制。
[解決問題之技術手段]
本發明之一形態之反射型光罩基底係自下而上依序具有基板、反射EUV光之多層反射膜、保護上述多層反射膜之保護膜及吸收上述EUV光之吸收膜之EUV微影法用反射型光罩基底，且上述保護膜具備：上層，其包含以Rh為主成分之銠系材料，該銠系材料包含Rh，或包含Rh及選自由N、O、C、B、Ru、Nb、Mo、Ta、Ir、Pd、Zr及Ti所組成之群中之至少一種元素；及下層，其於EUV區域滿足k＜-0.15n＋0.16[式中，n為折射率，k為消光係數]。
[發明之效果]
根據本發明之一形態，可提供一種具備保護膜之構成，該保護膜具有優異之耐蝕刻性，並且與多層反射膜之混合得到抑制。
以下，參照圖式對本發明之實施方式進行說明。於各圖式中，有時對相同或對應之構成標註相同符號，省略說明。於說明書中，表示數值範圍之「～」意指包含其前後所記載之數值作為下限值及上限值。
於圖1～圖3中，X軸方向、Y軸方向及Z軸方向為彼此正交之方向。Z軸方向為與基板10之面方向垂直之方向，以Z軸之正方向(+Z方向)作為上方向，以Z軸之反方向(-Z方向)作為下方向。此處，照射EUV光之側為上側，其相反方向為下側。X軸方向為與EUV光之入射面(包含入射光線及反射光線之面)正交之方向。再者，如圖3所示，自X軸方向觀察時，入射光線及反射光線越朝向-Z軸方向或-Z軸方向則越向Y軸方向傾斜。
參照圖1，對一實施方式之反射型光罩基底1進行說明。反射型光罩基底1自下而上依序至少具有基板10、多層反射膜11、保護膜12、吸收膜13及蝕刻遮罩膜14。又，如圖1所示，於本實施方式中，保護膜12至少具備下層12L及形成於下層12L上之上層12U。多層反射膜11、保護膜12之下層12L、保護膜12之上層12U、吸收膜13及蝕刻遮罩膜14自下而上依序形成於基板10之上側之主面(上表面)10a。
反射型光罩基底1可進而具有圖1中未示出之功能膜。例如，反射型光罩基底1可於下側具有導電膜。例如，導電膜可形成於基板10之與上表面10a為相反側之面即下表面10b。導電膜例如用於使反射型光罩2吸附於曝光裝置之靜電吸盤。
反射型光罩基底1亦可於保護膜12與吸收膜13之間具有緩衝膜，但並未圖示。緩衝膜保護保護膜12免受於吸收膜13形成開口圖案13a之蝕刻氣體影響。緩衝膜相較於吸收膜13而言緩慢地被蝕刻。緩衝膜與保護膜12不同，最終會具有與吸收膜13之開口圖案13a相同之開口圖案。
繼而，參照圖2及圖3，對一實施方式之反射型光罩2進行說明。反射型光罩2例如為於圖1所示之反射型光罩基底1中之吸收膜13形成有與所需之半導體元件之圖案對應之開口圖案13a者。再者，圖1所示之蝕刻遮罩膜14於在吸收膜13形成開口圖案13a之後被去除。於EUVL中，將吸收膜13之開口圖案13a轉印至半導體基板等對象基板。轉印包括縮小轉印。
以下，對基板10、多層反射膜11、保護膜12、吸收膜13及蝕刻遮罩膜14進行說明。
基板10例如為玻璃基板。基板10之材質較佳為含有TiO
2之石英玻璃。與一般鈉鈣玻璃相比，石英玻璃之線膨脹係數較小，而由溫度變化所導致之尺寸變化較小。石英玻璃可包含80質量%～95質量%之SiO
2、4質量%～17質量%之TiO
2。若TiO
2含量為4質量%～17質量%，則室溫附近之線膨脹係數大致為零，在室溫附近幾乎不產生尺寸變化。石英玻璃亦可包含除SiO
2及TiO
2以外之第三成分或雜質。再者，基板10之材質亦可為析出β石英固溶體之結晶化玻璃、矽或金屬等。
如上所述，於基板10之上表面10a形成多層反射膜11等。於俯視(Z軸方向觀察)下，基板10之尺寸例如為縱152 mm、橫152 mm。縱尺寸及橫尺寸可為152 mm以上。基板10之上表面10a及下表面10b於各自之中央處具有例如縱142 mm、橫142 mm之正方形之品質保證區域。上表面10a之品質保證區域較佳為具有0.15 nm以下之均方根粗糙度(RMS)及100 nm以下之平坦度。又，上表面10a之品質保證區域較佳為不具有產生相位缺陷之缺點。
多層反射膜11為反射EUV光之膜，例如為交替地積層高折射率層及低折射率層而成者。高折射率層之材質例如為矽(Si)，低折射率層之材質例如為鉬(Mo)。因此，可使用Mo/Si多層反射膜作為多層反射膜。再者，Ru/Si多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Mo化合物/Si化合物多層反射膜、Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜等亦可用作多層反射膜11。
構成多層反射膜11之各層之厚度及層之重複單元數可根據各層之材質及對EUV光之反射率而適宜地選擇。於多層反射膜11為Mo/Si多層反射膜之情形時，為了對入射角θ(圖3)為6°之EUV光達成60%以上之反射率，將厚度2.3±0.1 nm之Mo層與厚度4.5±0.1 nm之Si層以重複單元數成為30以上60以下之方式積層即可。多層反射膜11較佳為對入射角θ為6°之EUV光具有60%以上之反射率。反射率更佳為65%以上。
構成多層反射膜11之各層之成膜方法例如為DC(Direct Current，直流)濺鍍法、磁控濺鍍法或離子束濺鍍法等。於使用離子束濺鍍法來形成Mo/Si多層反射膜之情形時，Mo層與Si層各者之成膜條件之一例如下所示。
＜Si層之成膜條件＞
靶：Si靶
濺鍍氣體：氬氣
氣體壓力：1.3×10
-2Pa～2.7×10
-2Pa
離子加速電壓：300 V～1500 V
成膜速度：0.030 nm/sec～0.300 nm/sec
Si層之厚度：4.5±0.1 nm
＜Mo層之成膜條件＞
靶：Mo靶
濺鍍氣體：氬氣
氣體壓力：1.3×10
-2Pa～2.7×10
-2Pa
離子加速電壓：300 V～1500 V
成膜速度：0.030 nm/sec～0.300 nm/sec
Mo層之厚度：2.3±0.1 nm
＜Si層及Mo層之重複單元＞
重複單元數：30～60(較佳為40～50)。
保護膜12為形成於多層反射膜11與吸收膜13之間，具有保護多層反射膜11之功能之膜。保護膜12保護多層反射膜11免受於吸收膜13形成開口圖案13a(圖2及圖3)之蝕刻氣體影響。又，保護膜12在製造反射型光罩2時不被去除，殘留於多層反射膜11上。保護膜12不會妨礙多層反射膜11對EUV光之反射，或將反射率之降低抑制到最小限度。
用於形成吸收膜13之開口圖案13a之蝕刻氣體例如可為氧系氣體、鹵素系氣體或其等之混合氣體，較佳為氧系氣體。氧系氣體適宜在吸收膜13包含釕系材料之情形時使用。作為氧系氣體，可例舉氧氣(O
2)、臭氧(O
3)等。作為鹵素系氣體，可例舉氯系氣體、氟系氣體。上述蝕刻氣體、特別是氧系氣體不僅在反射型光罩之製造步驟中使用，還可在開始使用反射型光罩之後之維護時，用於對反射型光罩之表面進行清潔。
蝕刻選擇比、即，使用蝕刻氣體之吸收膜13之蝕刻速度ER1相對於使用蝕刻氣體之保護膜12之蝕刻速度ER2的比(ER1/ER2)可較佳為10以上，更佳為30以上，又，較佳為200以下，更佳為100以下。
如圖1～圖3所示，保護膜12具有下層12L及上層12U。下層12L為與多層反射膜11之最上面接觸而形成之層，上層12U係與吸收膜13之最下面接觸。如此，藉由將保護膜12製成複數層構造，可將特定功能優異之材料用於各層，因此可實現保護膜12整體之多功能化。
上層12U可為銠(Rh)系材料。銠系材料可僅包含Rh，亦可包含Rh及除Rh以外之元素。上層12U中所包含之材料中，較佳為以at%為基準(以原子%為基準)，Rh包含最多。又，銠系材料較佳為以Rh為主成分，即Rh之含量為50at%以上者。銠系材料中之Rh之含量可較佳為50at%～100at%，更佳為超過50at%～100at%。藉由使上層12U為銠系材料，於反射型光罩2製造時之吸收膜13之蝕刻步驟中，保護膜12可獲得對蝕刻氣體之較高耐蝕刻性。例如，於上層12U為銠系材料之情形時，與上層12U為釕系材料之情形相比，可獲得對特別是氧系蝕刻氣體之較高之耐乾式蝕刻性。因此，可防止於吸收膜13形成開口圖案13a時保護膜12被削掉而使多層反射膜11產生損傷。又，於在開始使用反射型光罩後，對反射型光罩2之表面進行清潔時，使用蝕刻氣體、特別是氧系蝕刻氣體之情形時，亦可提高保護膜12之耐蝕刻性，可延長反射型光罩2之使用年限。
又，藉由以銠系材料形成上層12U，亦提昇保護膜12對硫酸-過氧化氫溶液混合液(SPM洗淨液)等之耐受性。因此，於去除抗蝕膜(下文敍述)或洗淨反射型光罩2等步驟中，亦可維持保護膜12，抑制對多層反射膜11之損傷。進而，藉由將銠系材料用於上層12U，可對EUV光維持相對較高之反射率。
再者，於上層12U包含除Rh以外之元素之情形時，作為除Rh以外之元素，較佳為包含選自由N、O、C、B、Ru、Nb、Mo、Ta、Ir、Pd、Zr及Ti所組成之群中之至少一種元素。其中，於上層12U中所包含之除Rh以外之元素為選自由N、O、C及B所組成之群中之至少一種之情形時，就降低上層12U之結晶性而提昇平滑性之觀點而言較佳。又，於上層12U中所包含之除Rh以外之元素包含選自由Ru、Nb、Mo、Zr及Ti所組成之群中之至少一種元素之情形時，就可抑制折射率n增大，並且減小消光係數k，可提昇對EUV光之反射率之觀點而言較佳。
於上層12U包含Rh及除Rh以外之元素之情形時，上層12U中所包含之Rh與除Rh以外之元素之元素比可較佳為50：50～99：1，更佳為70：30～95：5。於本說明書中，元素比係莫耳比。藉由使Rh與除Rh以外之元素之元素比處於上述範圍，可抑制折射率n增大，並且減小消光係數k，因此可提昇對EUV光之反射率，又，可抑制上層12U之結晶化。
此處，就提昇對蝕刻氣體之耐受性等觀點而言，較佳為使用上述銠系材料作為保護膜12之材料。然而，於將包含銠系材料之層直接形成於多層反射膜11上之情形時，有時會因各層之成膜方法、多層反射膜11之材料等而於保護膜12與多層反射膜11之間產生混合。反射型光罩基底1或反射型光罩2之層間之混合可藉由利用XPS(X-ray photoelectron spectroscopy，X射線光電子光譜法)進行深度分析或藉由拉塞福逆散射譜法等對元素之分佈狀態進行分析、觀察，又，根據電子顯微鏡照片等而亦可在視覺上識別為界面之錯亂。
本發明人等發現藉由於保護膜12之上層12U與多層反射膜11之間設置於EUV區域滿足下式(I)之下層12L，可抑制保護膜12與多層反射膜11之間之混合。
k＜-0.15n＋0.16 (I)
[式中，n為折射率，k為消光係數]。即，發現藉由設置滿足本實施方式之上式(I)之下層12L，可防止上層12U中所包含之物質向多層反射膜11之下方擴散，又，下層12L中所包含之物質亦難以向多層反射膜11內擴散。於多層反射膜11為Si/Mo多層反射膜之情形時，可抑制保護膜12與構成多層反射膜11之最上層之Si層之混合。層間之混合會導致反射率降低或耐久性降低，但藉由本實施方式之構成，抑制層間之混合，藉此可維持反射型光罩2對EUV光之反射率。
又，如圖4所示，滿足k＜-0.15n＋0.16之物質(單質及/或化合物)可同時減小折射率n及消光係數k，因此亦可抑制下層12L本身對EUV光之反射率之影響。
再者，膜或層之折射率n及消光係數k可為X射線光學中心勞倫斯柏克萊國家實驗室之資料庫之值、或根據下述反射率之「入射角之依賴性」所算出之值。EUV光之入射角θ、對EUV光之反射率R、膜之折射率n及膜之消光係數k滿足下述式(1)。
R＝｜(sinθ－((n＋ik)2－cos2θ)1/2)/(sinθ＋((n＋ik)2－cos2θ)1/2)｜ (1)
對入射角θ與反射率R之組合進行複數次測定，以複數個測定資料與式(1)之誤差成為最小之方式進行擬合，藉此可算出折射率n及消光係數k。
下層12L較佳為包含選自由Ru、Nb、Mo、Zr、Y、C及B所組成之群中之至少一種元素，更佳為包含Ru。下層12L較佳為釕系材料。釕系材料可僅包含Ru，亦可包含Ru及除Ru以外之元素。釕系材料中之Ru之含量較佳為50at%～100at%。藉由使下層12L包含上述元素，可進一步促進抑制與多層反射膜11之混合及抑制反射率降低。
進而，下層12L之折射率n較佳為0.875以上0.930以下，更佳為0.875以上0.920以下，進而較佳為0.875以上0.910以下，特佳為0.875以上0.900以下。又，下層12L之消光係數k較佳為0.005以上0.03以下。
本實施方式中之滿足上式(I)之下層12L例如可藉由離子束濺鍍或反應性濺鍍來調整。經離子束濺鍍調整之下層12L成為緻密之膜，能夠以更薄之膜厚抑制保護膜12與多層反射膜11之間之混合。又，於藉由反應性濺鍍調整下層12L之情形時，藉由下層12L成膜時之活性電漿種，對多層反射膜11進行滅活，可抑制保護膜12與多層反射膜11之間之混合。作為反應性濺鍍所使用之氣體，較佳為氮氣、氧氣、CO
2及CH
4之一種以上，更佳為氮氣。
如此，於本實施方式中，藉由以上層12U與下層12L之組合構成保護膜12，可提供一種具備保護膜12之構成，該保護膜12對蝕刻氣體、特別是氧系蝕刻氣體之耐受性較高，且與下層之多層反射膜11之混合得到抑制，良好地維持EUV光之反射率。
上層12U之厚度較佳為0.5 nm以上3.5 nm以下，更佳為0.9 nm以上3.0 nm以下，進而較佳為1.0 nm以上2.5 nm以下。藉由使上層12U之厚度處於上述範圍，可充分確保製造反射型光罩時之蝕刻步驟中之多層反射膜11之保護功能，並且抑制多層反射膜11之反射率之降低。又，下層12L之厚度較佳為0.4 nm以上2.5 nm以下，更佳為0.5 nm以上2.5 nm以下，進而較佳為0.5 nm以上1.6 nm以下。藉由使下層12L之厚度處於上述範圍，可充分抑制上層12U之材料擴散至多層反射膜11內，亦可抑制多層反射膜11之反射率之降低。進而，保護膜12整體之厚度較佳為1.0 nm以上5.0 nm以下，更佳為2.0 nm以上3.5 nm以下。
保護膜12之上表面(形成吸收膜之面)即上層12U之上表面之均方根粗糙度(RMS)較佳為0.3 nm以下，更佳為0.1 nm以下。
關於保護膜12之成膜方法，上層12U及下層12L均無特別限定，例如可為DC濺鍍法、磁控濺鍍法(以下，有時記載為MS法)、離子束濺鍍法(以下，有時記載為IBD法)等。上層12U及下層12L較佳為在成膜過程中不暴露於大氣中(即，不開放於大氣)而連續成膜。又，更佳為自多層反射膜11成膜後至上層12U及下層12L成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。即，在多層反射膜11成膜完成之後可暫時開放於大氣，但較佳為自多層反射膜11成膜開始至保護膜之上層12U成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。藉由不暴露於大氣而連續成膜，可抑制可能導致反射率降低之氧化物之形成。又，進而較佳為在多層反射膜11成膜後，上層12U及下層12L成膜完成，其後在吸收膜13成膜完成之前，不開放於大氣而連續成膜。
於使用磁控濺鍍法形成Rh膜作為上層12U之情形時，成膜條件之一例如下所示。
＜Rh膜之成膜條件＞
靶：Rh靶
濺鍍氣體：氬氣之氣體壓力：0.10 Pa～0.20 Pa
靶之輸出密度：1.0 W/cm
2～2.0 W/cm
2成膜速度：0.02 nm/sec～0.07 nm/sec
Rh膜之膜厚：0.5 nm～3.5 nm。
於使用離子束濺鍍法形成Ru膜作為下層12L之情形時，成膜條件之一例如下所示。
＜Ru膜之成膜條件＞
靶：Ru靶
濺鍍氣體：氬氣之氣體壓力：0.010 Pa～0.020 Pa
成膜速度：0.01 nm/sec～0.10 nm/sec
Ru膜之膜厚：0.5 nm～2.5 nm。
如圖1所示，反射型光罩基底1中之吸收膜13為要形成開口圖案13a之膜。即，於反射型光罩2之製造步驟中，藉由於吸收膜13形成開口圖案13a而對反射型光罩基底1進行加工，獲得反射型光罩2。
吸收膜13吸收EUV光。吸收膜13可為相位偏移膜，不僅吸收EUV光，例如，如圖3所示，亦可使第2EUV光L2之相位相對於第1EUV光L1發生偏移。第1EUV光L1係不透過吸收膜13而透過開口圖案13a，被多層反射膜11反射，再次不透過吸收膜13而通過開口圖案13a之光。第2EUV光L2係一面被吸收膜13部分吸收一面透過吸收膜13，被多層反射膜11反射，再次一面被吸收膜13部分吸收一面透過吸收膜13之光。
第1EUV光L1與第2EUV光L2之相位差(≧0)例如為170°～250°。相較於第2EUV光L2之相位而言，第1EUV光L1之相位可超前，亦可延遲。相位偏移膜可利用第1EUV光L1及第2EUV光L2之干涉而提昇轉印圖像之對比度。轉印圖像係將吸收膜13之開口圖案13a轉印至對象基板而得之圖像。
於EUVL中，會產生所謂投影效應(遮蔽效應)。遮蔽效應係指由EUV光之入射角θ不為0°(例如為6°)引起，於開口圖案13a之側壁附近產生EUV光被側壁遮住之區域，產生轉印圖像之位置偏差或尺寸偏差。為了減少遮蔽效應，有效的是降低開口圖案13a之側壁，且有效的是減薄吸收膜13。
為了減少遮蔽效應，吸收膜13之膜厚例如為60 nm以下，較佳為50 nm以下，另一方面，為了確保第1EUV光L1與第2EUV光L2之相位差，較佳為20 nm以上，更佳為30 nm以上。
吸收膜13並無特別限定，較佳為包含選自由Ru、Ir、Pt、Pd、Au、Ta及Cr所組成之群中之至少一種金屬元素。上述金屬元素具有相對較小之折射率(圖4)，因此可減小吸收膜(相位偏移膜)13之膜厚。藉此，可確保第1EUV光L1與第2EUV光L2之相位差，並且減少上述遮蔽效應。吸收膜13較佳為包含上述金屬元素中之Ru。即便於如此吸收膜13包含Ru之情形時，在本實施方式中亦如上所述，保護膜12之上層12U包含銠系材料，因此可獲得吸收膜13與保護膜12之間之良好之蝕刻選擇比、特別是對氧系氣體之良好之蝕刻選擇比。吸收膜13可為吸收膜下層及吸收膜上層之雙層構造。吸收膜下層為與保護膜12之最上面接觸而形成之層。藉由製成雙層構造，可調整第1EUV光L1與第2EUV光L2之相位差。就加工特性之觀點而言，較佳為吸收層13於吸收膜下層包含Ta且於吸收膜上層包含Ru之構成、或吸收膜下層包含Ru且吸收膜上層包含Ir之構成。
吸收膜13除包含上述金屬元素以外，還可進而包含選自N、O、B及C中之至少一種非金屬元素。藉由包含上述非金屬元素，可抑制吸收膜13之結晶化，可減小開口圖案13a之側壁之粗糙度。非金屬元素較佳為至少包含氧，更佳為包含氧及氮。於吸收膜13除包含金屬元素以外，還進而包含非金屬元素之情形時，吸收膜13可為RuN膜、TaN膜、RuTaON膜、TaON膜等。
吸收膜13之成膜方法可為DC濺鍍法、磁控濺鍍法、離子束濺鍍法、反應性濺鍍等。
於使用反應性濺鍍法形成RuTaON膜作為吸收膜13之情形時，成膜條件之一例如下所示。
＜RuTaON膜之成膜條件＞
靶：Ru靶及Ta靶
Ru靶之輸出密度：8.8 W/cm
2Ra靶之輸出密度：0.41 W/cm
2濺鍍氣體：氬氣、氧氣(O
2)及氮氣(N
2)之混合氣體
濺鍍氣體中之氧氣(O
2)之體積比(O
2/(Ar＋O
2＋N
2))：0.06
濺鍍氣體中之氮氣(N
2)之體積比(N
2/(Ar＋O
2＋N
2))：0.21。
蝕刻遮罩膜14係形成於吸收膜13上，用於在吸收膜13形成開口圖案13a。於蝕刻遮罩膜14上設置未圖示之抗蝕膜。於反射型光罩2之製造步驟中，首先，於抗蝕膜形成第1開口圖案，繼而，使用第1開口圖案於蝕刻遮罩膜14形成第2開口圖案，繼而，使用第2開口圖案於吸收膜13形成第3開口圖案13a。第1開口圖案、第2開口圖案及第3開口圖案13a於俯視(Z軸方向觀察)下具有相同尺寸及相同形狀。蝕刻遮罩膜14可實現抗蝕膜之薄膜化。
蝕刻遮罩膜14較佳為包含選自由Al、Hf、Y、Cr、Nb、Ti、Mo、Ta及Si所組成之群中之至少一種元素。蝕刻遮罩膜14除包含上述元素以外，還可包含選自由O、N及B所組成之群中之至少一種元素。
蝕刻遮罩膜14之膜厚較佳為2 nm以上30 nm以下，更佳為2 nm以上25 nm以下，進而較佳為2 nm以上10 nm以下。蝕刻遮罩膜14之成膜方法例如為DC濺鍍法、磁控濺鍍法或離子束濺鍍法等。
又，本發明之一形態可為反射型光罩基底之製造方法，其包括於基板上形成反射EUV光之多層反射膜，形成保護上述多層反射膜之保護膜，形成吸收上述EUV光之吸收膜，且上述保護膜之形成包括形成：(i)下層，其於EUV區域滿足k＜-0.15n＋0.16[式中，n為折射率，k為消光係數]；及(ii)上層，其包含銠系材料，該銠系材料包含Rh，或包含Rh及選自由N、O、C、B、Ru、Nb、Mo、Ta、Ir、Pd、Zr及Ti所組成之群中之至少一種元素。
參照圖5，對一實施方式之反射型光罩基底1之製造方法進行說明。反射型光罩基底1之製造方法例如具有圖5所示之步驟S101～S105。於步驟S101中，準備基板10。於步驟S102中，在基板10之第1主面10a形成多層反射膜11。於步驟S103中，在多層反射膜11上形成保護膜12。於步驟S104中，在保護膜12上形成吸收膜13。於步驟S105中，在吸收膜13上形成蝕刻遮罩膜14。
再者，反射型光罩基底1之製造方法只要至少具有步驟S101～S104即可。反射型光罩基底1之製造方法亦可進而具有形成圖5中未示出之功能膜之步驟。
進而，本發明之一形態可為反射型光罩之製造方法，其包括：準備反射型光罩基底，在反射型光罩基底中之吸收膜形成開口圖案。
參照圖6，對一實施方式之反射型光罩2之製造方法進行說明。反射型光罩2之製造方法具有圖6所示之步驟S201～S204。於步驟S201中，準備反射型光罩基底1。於步驟S202中，對蝕刻遮罩膜14進行加工。於蝕刻遮罩膜14上設置未圖示之抗蝕膜。首先，於抗蝕膜形成第1開口圖案，繼而，使用第1開口圖案於蝕刻遮罩膜14形成第2開口圖案。於步驟S203中，使用第2開口圖案於吸收膜13形成第3開口圖案13a。於步驟S203中，使用蝕刻氣體對吸收膜13進行蝕刻。於步驟S204中，去除抗蝕膜及蝕刻遮罩膜14。為了去除抗蝕膜，例如使用硫酸-過氧化氫溶液混合液。為了去除蝕刻遮罩膜14，例如使用蝕刻氣體。步驟S204(蝕刻遮罩膜14之去除)所使用之蝕刻氣體可與步驟S203(開口圖案13a之形成)所使用之蝕刻氣體為同種。再者，反射型光罩2之製造方法只要至少具有步驟S201及S203即可。
[實施例]
以下，對實驗資料進行說明。下述例1、例2、例6～例13為實施例，例3～例5為比較例。表1中總結了實施例及比較例之成膜條件及測定結果。又，作為參考例，示出例14及例15。
[表1]
| 保護膜 | EUV光反射率(%) ※保護膜形成後之反射率 | ||||||
| 下層 | 上層 | ||||||
| 膜種 | 膜厚(nm) | 成膜方法 | 膜種 | 膜厚(nm) | 成膜方法 | ||
| 例1 | Ru | 1.0 | IBD法 | Rh | 1.0 | MS法 | 65.1 |
| 例2 | Nb | 0.5 | MS法 | Rh | 2.5 | MS法 | 65.0 |
| 例3 | Rh | 2.5 | MS法 | - | - | - | 63.9 |
| 例4 | Ta | 0.5 | MS法 | Rh | 2.5 | MS法 | 63.5 |
| 例5 | Ta | 1.0 | MS法 | Rh | 2.5 | MS法 | 61.7 |
| 例6 | Ru | 0.9 | IBD法 | Rh | 1.6 | IBD法 | 65.8 |
| 例7 | Ru | 0.9 | IBD法 | Rh | 1.8 | IBD法 | 65.7 |
| 例8 | Ru | 0.9 | IBD法 | Rh | 2.0 | IBD法 | 65.3 |
| 例9 | Ru | 1.1 | IBD法 | Rh | 1.6 | IBD法 | 65.7 |
| 例10 | Ru | 1.1 | IBD法 | Rh | 1.8 | IBD法 | 65.5 |
| 例11 | Ru | 1.1 | IBD法 | Rh | 2.0 | IBD法 | 65.0 |
| 例12 | Ru | 1.6 | IBD法 | Rh | 1.6 | IBD法 | 65.3 |
| 例13 | Ru | 1.6 | IBD法 | Rh | 1.8 | IBD法 | 65.0 |
(例1)
製作包含基板、多層反射膜、保護膜及吸收膜之反射型光罩基底。作為基板，準備SiO
2-TiO
2系玻璃基板(外形為6英吋(152 mm)見方，厚度為6.3 mm)。該玻璃基板於20℃下之熱膨脹係數為0.02×10
-7/℃，楊氏模數為67 GPa，泊松比為0.17，比剛性為3.07×10
7m
2/s
2。由於研磨，基板之正面(上表面)之品質保證區域具有0.15 nm以下之均方根粗糙度(RMS)及100 nm以下之平坦度。於基板之背面(下表面)使用磁控濺鍍法形成厚度100 nm之Cr膜。Cr膜之薄片電阻為100 Ω/□。
作為多層反射膜，乃形成Mo/Si多層反射膜。Mo/Si多層反射膜係藉由如下方式形成：將所獲得之基板以與背面側之Cr膜相對向之方式固定於平板狀之靜電吸盤，於該基板之表面上使用離子束濺鍍法形成Si層(膜厚為4.5 nm)及形成Mo層(膜厚為2.3 nm)，將上述操作重複40次。Mo/Si多層反射膜之合計膜厚為272 nm((4.5 nm＋2.3 nm)×40)。
進而，於作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成包含Ru膜之下層及Rh膜之上層之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為1.0 nm)，於該Ru膜上使用磁控濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.0 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。再者，於本例中，在Ru膜之下層成膜後暫時開放於大氣。
形成保護膜後，測定EUV光之反射率(圖3所示之第1EUV光L1之反射率)，結果最大為65.1%。
繼而，於保護膜上自下而上依序形成Ru膜、TaN膜及TaON膜作為吸收膜。再者，Ru膜係藉由DC濺鍍法形成，TaN膜及TaON膜係藉由反應性濺鍍法形成。使用搭載有能量分散型X射線分析裝置之TEM(Transmission Electron Microscopy，穿透式電子顯微鏡)，對將所獲得之反射型光罩基底沿厚度方向(Z方向)切斷而得之剖面進行元素分析及形狀觀察。圖7(a)為包含保護膜之部分之剖面之暗視野圖像，圖7(b)為針對主要元素檢測出之元素映射圖像。於圖7(b)中，各圖像之厚度方向之位置彼此對齊。於圖7(b)中，以灰度表示各元素之濃度。顏色越明亮，各元素之濃度越高。於圖8(b)及圖9(b)中亦相同。
(例2)
除保護膜之成膜條件以外，以與例1相同之方式，製作反射型光罩基底。於例2中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Nb膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用磁控濺鍍法形成作為保護膜之下層之Nb膜(膜厚為0.5 nm)，於該Nb膜上形成作為上層之Rh膜(膜厚為2.5 nm)。下層所使用之Nb為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。在Si/Mo多層反射膜成膜後進行開放於大氣，自Si/Mo多層反射膜成膜後至Nb膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.0%。
進而，以與例1相同之方式，於保護膜上自下而上依序形成Ru膜、TaN膜及TaON膜作為吸收膜，藉此製作反射型光罩基底。以與例1相同之方式，對所獲得之反射型光罩基底之包含保護膜之部分之厚度方向(Z方向)之剖面進行分析、觀察。將觀察結果示於圖8(a)及(b)。
(例3)
於例3中，在作為以與例1相同之方式所形成之Si/Mo多層反射膜之最上層的Si層上使用磁控濺鍍法形成Rh膜(膜厚為2.5 nm)，藉此形成保護膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為63.9%。
進而，於保護膜上使用DC濺鍍法形成Ru膜作為吸收膜，藉此製作反射型光罩基底。以與例1相同之方式，對所獲得之反射型光罩基底之包含保護膜之部分之厚度方向(Z方向)之剖面進行分析、觀察。將觀察結果示於圖9(a)及(b)。
如上所述，保護膜形成後所測得之EUV光之反射率於形成有具有包含Rh膜之上層及包含滿足k＜-0.15n＋0.16之材料之下層之保護膜的構成中最大為65.1%(例1)及65.0%(例2)，另一方面，於具有Rh膜一層之保護膜之構成(例3)中降低至63.9%。
又，由圖7～圖9可知，關於保護膜與Mo/Si多層反射膜之最上層之Si膜之間之界面，於例1及例2中平坦(圖7(a)及圖8(a))，但於例3中，在界面觀察到錯亂(圖9(a))，產生混合。進而可知，於例1及例2中，Rh之分佈範圍與Si之分佈範圍幾乎不重疊，Rh之擴散得到抑制(圖7(b)及圖8(b))。可知於例3中，Rh之分佈範圍與Si之分佈範圍重疊，Rh與Si之間產生混合(圖9(b))。
(例4)
除保護膜之成膜條件以外，以與例1相同之方式，製作反射型光罩基底。於例4中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ta膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用磁控濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ta膜(膜厚為0.9 nm)，於該Ta膜上形成作為上層之Rh膜(膜厚為2.3 nm)。下層所使用之Ta為不滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。在Si/Mo多層反射膜成膜後進行開放於大氣，自該多層反射膜成膜後至Ta膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為63.5%。
(例5)
除Ta膜之下層膜厚以外，以與例4相同之方式，製作反射型光罩基底。於例5中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ta膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用磁控濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ta膜(膜厚為1.3 nm)，於該Ta膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜為2.4 nm)。下層所使用之Ta為不滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。在Si/Mo多層反射膜成膜後進行開放於大氣，自Si/Mo多層反射膜成膜後至Ta膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為61.7%。
(例6)
除保護膜之成膜條件以外，以與例1相同之方式，製作反射型光罩基底。於例6中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為0.9 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.6 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.8%。
(例7)
除保護膜之膜厚以外，以與例6相同之方式，製作反射型光罩基底。於例7中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為0.9 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.8 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜之成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.7%。
(例8)
除保護膜之膜厚以外，以與例6相同之方式，製作反射型光罩基底。於例8中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為0.9 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為2.0 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.3%。
(例9)
除保護膜之膜厚以外，以與例6相同之方式，製作反射型光罩基底。於例9中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為1.1 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.6 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.7%。
(例10)
除保護膜之膜厚以外，以與例6相同之方式，製作反射型光罩基底。於例10中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為1.1 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.8 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.5%。
(例11)
除保護膜之膜厚以外，以與例6相同之方式，製作反射型光罩基底。於例11中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為1.1 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為2.0 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.0%。
(例12)
除保護膜之膜厚以外，以與例6相同之方式，製作反射型光罩基底。於例12中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為1.6 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.6 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.3%。
(例13)
除保護膜之膜厚以外，以與例6相同之方式，製作反射型光罩基底。於例12中，在作為Si/Mo多層反射膜之最上層之Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為1.6 nm)，於該Ru膜上使用離子束濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.8 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。自Si/Mo多層反射膜成膜開始至Ru膜之下層及Rh膜之上層成膜完成，不開放於大氣而連續成膜。
形成保護膜後，以與例1相同之方式測定EUV光之反射率，結果最大為65.0%。
(例14)
於例14中，在作為以與例1相同之方式所形成之Si/Mo多層反射膜之最上層的Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為0.9 nm)，於該Ru膜上使用磁控濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.6 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。再者，於本例中，在Ru膜之下層形成後暫時開放於大氣。
進而，於保護膜上自下而上依序形成RuN膜、TaN膜及TaON膜作為吸收膜，藉此製作反射型光罩基底。再者，上述吸收膜均藉由反應性濺鍍法形成。
(例15)
於例15中，在作為以與例1相同之方式所形成之Si/Mo多層反射膜之最上層的Si層上形成具有Ru膜之下層及Rh膜之上層之雙層構造之保護膜。更具體而言，使用離子束濺鍍法形成作為保護膜之下層之Ru膜(膜厚為0.9 nm)，於該Ru膜上使用磁控濺鍍法形成作為上層之Rh膜(膜厚為1.6 nm)。下層所使用之Ru為滿足k＜-0.15n＋0.16(n＝折射率；k＝消光係數)之材料(圖4)。再者，於本例中，在Ru膜之下層形成後暫時開放於大氣。
進而，於保護膜上自下而上依序形成TaON膜及RuTaON膜作為吸收膜，藉此製作反射型光罩基底。再者，上述吸收膜均藉由反應性濺鍍法形成。
以上，對本發明之反射型光罩基底、反射型光罩、反射型光罩基底之製造方法以及反射型光罩之製造方法進行了說明，但本發明並不限定於上述實施方式等。可於申請專利範圍所記載之範疇內，進行各種變更、修正、置換、附加、刪除及組合。其等當然亦屬於本發明之技術範圍。
本申請案主張基於2021年12月28日向日本特許廳申請之特願2021-214753號之優先權，將其全部內容援用於本申請案。
1:反射型光罩基底
2:反射型光罩
10:基板
10a:基板之上表面
10b:基板之下表面
11:多層反射膜
12:保護膜
12L:保護膜之下層
12U:保護膜之上層
13:吸收膜
13a:開口圖案
14:蝕刻遮罩膜
圖1係表示一實施方式之反射型光罩基底之剖面圖。
圖2係表示一實施方式之反射型光罩之剖面圖。
圖3係表示由圖2之反射型光罩所反射之EUV光之一例的剖面圖。
圖4係表示各物質之折射率及消光係數之一例之圖。
圖5係表示一實施方式之反射型光罩基底之製造方法之流程圖。
圖6係表示一實施方式之反射型光罩之製造方法之流程圖。
圖7(a)、(b)係表示例1之反射型光罩基底之分析、觀察結果之圖。
圖8(a)、(b)係表示例2之反射型光罩基底之分析、觀察結果之圖。
圖9(a)、(b)係表示例3之反射型光罩基底之分析、觀察結果之圖。
1:反射型光罩基底
10:基板
10a:基板之上表面
10b:基板之下表面
11:多層反射膜
12:保護膜
12L:保護膜之下層
12U:保護膜之上層
13:吸收膜
14:蝕刻遮罩膜
Claims (14)
- 一種反射型光罩基底，其係自下而上依序具有基板、反射EUV光之多層反射膜、保護上述多層反射膜之保護膜及吸收上述EUV光之吸收膜之EUV微影法用反射型光罩基底，且上述保護膜具備：上層，其包含含有50~100原子%之Rh之銠系材料，該銠系材料包含Rh，或包含Rh及選自由N、O、C、B、Ru、Nb、Mo、Ta、Ir、Pd、Zr及Ti所組成之群中之至少一種元素；及下層，其包含選自由Ru、Nb、Mo、Zr、Y、C及B所組成之群中之至少一種元素，且於EUV區域滿足下式(I)，k<-0.15n+0.16 (I)[式中，n為折射率，k為消光係數]。
- 如請求項1之反射型光罩基底，其中上述下層包含選自由Ru及Nb所組成之群中之至少一種元素。
- 如請求項1或2之反射型光罩基底，其中上述下層之折射率n為0.92以下。
- 如請求項1或2之反射型光罩基底，其中上述下層包含Ru。
- 如請求項1或2之反射型光罩基底，其中上述上層之厚度為0.5nm以 上3.5nm以下，且上述下層之厚度為0.4nm以上2.5nm以下。
- 如請求項1或2之反射型光罩基底，其中上述吸收膜包含：選自Ru、Ir、Pt、Pd、Au、Ta及Cr中之至少一種元素；及選自O、B及C中之至少一種非金屬元素。
- 如請求項1或2之反射型光罩基底，其於上述吸收膜上具有蝕刻遮罩膜，且上述蝕刻遮罩膜包含選自由Al、Hf、Y、Cr、Nb、Ti、Mo、Ta及Si所組成之群中之至少一種元素。
- 一種反射型光罩，其於如請求項1或2之反射型光罩基底之上述吸收膜形成有圖案。
- 一種反射型光罩基底之製造方法，其包括於基板上形成反射EUV光之多層反射膜，形成保護上述多層反射膜之保護膜，形成吸收上述EUV光之吸收膜，且上述保護膜之形成包括形成：(i)下層，其包含選自由Ru、Nb、Mo、Zr、Y、C及B所組成之群中之至少一種元素，且於EUV區域滿足下式(I)，k<-0.15n+0.16 (I) [式中，n為折射率，k為消光係數]；及(ii)上層，其包含含有50~100原子%之Rh之銠系材料，該銠系材料包含Rh，或包含Rh及選自由N、O、C、B、Ru、Nb、Mo、Ta、Ir、Pd、Zr及Ti所組成之群中之至少一種元素，上述反射型光罩基底自下而上依序具有上述多層反射膜、上述保護膜及上述吸收膜。
- 如請求項9之反射型光罩基底之製造方法，其中自上述保護膜之上述下層之形成開始至上述保護膜之上述上層之形成完成，不開放於大氣而連續成膜。
- 如請求項10之反射型光罩基底之製造方法，其中自上述多層反射膜之形成開始至上述保護膜之上述下層及上述上層之形成完成，不開放於大氣而連續成膜。
- 如請求項10或11之反射型光罩基底之製造方法，其使用磁控濺鍍法或離子束濺鍍法將上述保護膜之上述下層及上述上層分別成膜。
- 如請求項11之反射型光罩基底之製造方法，其使用磁控濺鍍法或離子束濺鍍法將上述多層反射膜、以及上述保護膜之上述下層及上述上層分別成膜。
- 一種反射型光罩之製造方法，其包括：使用如請求項9之製造方法準 備反射型光罩基底，且於上述吸收膜形成開口圖案。
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150261082A1 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and Method for Reflective-Type Mask |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
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