TWI853229B - 用於驗證和再利用處理流體的設備和方法 - Google Patents

Abstract

本揭示案之實施例大體係關於用於驗證及再利用處理流體的設備及方法。設備通常包括用於執行微影術的工具及耦接至工具的再循環路徑。再循環路徑通常包括在第一端耦接至工具的第一端的收集單元、及在第一端耦接至收集單元的第二端的探針，探針用於決定從工具流出的流體的一或更多個特性。設備的再循環路徑通常進一步包括在第一端處耦接至收集單元的第三端的淨化單元，此淨化單元在第二端處進一步耦接至探針的第二端，此淨化單元用於改變流體的特性。

Description

用於驗證和再利用處理流體的設備和方法

本揭示案之實施例大體係關於用於驗證及再利用處理流體的設備及方法。

在基板處理期間，處理流體與光阻劑接觸並因此受到污染。污染可為從基板及光阻劑材料、處理環境、及處理腔室之部件中瀝濾出的顆粒或光化學副產物。此類污染會導致處理流體的電氣性質（如電阻率）劣化。此外，污染會負面地影響對例如微影製程中的半導體結構的控制。因此，控制處理流體污染在基板處理起到重要作用。

習知情況下，由於該等污染問題，此類處理流體只使用一次就被丟棄。然而，由於處理流體價格昂貴且供應有限，其一次性使用表示基板製造的障礙。此外，處理流體的特性/性質可能因供應商及批次而異，導致基板處理不一致。

需要用於驗證處理流體及再利用處理流體的設備及方法。

本揭示案之實施例大體係關於用於驗證及再利用處理流體的設備及方法。

在一實施例中，提供了一種設備。設備包括用於執行微影術的工具及耦接至工具的再循環路徑。再循環路徑包括在第一端耦接至工具的第一端的收集單元、及在第一端耦接至收集單元的第二端的探針，該探針用於決定從工具流出的流體的一或更多個特性。設備的再循環路徑進一步包括在第一端處耦接至收集單元的第三端的淨化單元，此淨化單元在第二端處進一步耦接至探針的第二端，該淨化單元用於改變流體的特性。

在另一實施例中，提供了一種方法。方法包含以下步驟：將流體從工具流向收集單元，收集單元沿再循環路徑佈置，再循環路徑進一步包含與收集單元流體耦接的淨化單元。方法進一步包括以下步驟：使流體從收集單元流向沿再循環路徑佈置的探針，決定流體特性的第一值，將特性的第一值與臨限值或範圍進行比較，及基於第一值改變流體的流動路徑。

在另一實施例中，提供了一種非暫時性電腦可讀媒體，該媒體儲存指令，當在處理器上執行此些指令時，此些指令執行流體驗證或流體回收操作。操作包括以下步驟：將流體從工具流向收集單元，收集單元沿再循環路徑佈置，再循環路徑進一步包含與收集單元流體耦接的探針及淨化單元。操作包括以下步驟：使流體從收集單元流向探針，決定流體的第一電阻率，將第一電阻率與臨限值或範圍進行比較，並基於第一電阻率改變流體的流動路徑。

發明人發現了用於驗證及再利用處理流體的新設備及方法。簡而言之，本文描述的實施例利用處理流體流經的再循環路徑。路徑包括用於監測/量測處理流體一或更多個特性並驗證處理流體的探針，及用於清潔處理流體的淨化單元或回收系統。本文描述的實施例能夠控制處理流體的電特性及清潔度，且可與用於基板處理的各種工具整合。可對處理流體進行淨化，以滿足基板處理的要求，並重新用於處理，從而降低基板處理的相關成本，並減輕處理流體供應方面任何變化的影響。此外，由於處理流體在供應商之間可能不同，因此本文描述的設備及方法亦可用於保持進入基板處理工具的處理流體之間的一致性。

第1圖為根據至少一個實施例的用於驗證處理流體的性質及用於回收或再利用的示例性設備100的示意圖。設備100能夠監控進出用於基板處理及淨化所用處理流體的工具的所用處理流體的特性。設備100亦能夠監測未使用的處理流體的特性，並淨化未使用的處理流體。

設備100通常包括用於處理流體101循環的再循環路徑105。沿再循環路徑105的部件包括用於收集使用過或未使用的處理流體101的收集單元103、用於決定處理流體101的一或更多個特性的探針109、及用於淨化、清潔或以其他方式去除處理流體101中雜質的淨化單元111。處理流體101可為從用於基板處理的工具116流出的使用過的處理流體。此外，或者替代地，處理流體101可為未使用的處理流體。處理流體（無論使用過或未使用）經由管線114耦接至入口管線102。管線114及入口管線102可為相同或不同的管線。

處理流體101經由耦接至收集單元103的入口管線102進入再循環路徑105，並藉由出口管線112b退出再循環路徑105。再循環路徑105將收集單元103、探針109、及淨化單元111中的每一個流體耦接至入口管線102及出口管線112b。在退出再循環路徑105後，處理流體101可直接流入用於基板處理的工具115，或收集在儲液器113中，在儲液器中可儲存處理流體以在工具115中用於基板處理。此外，或者替代地，且儘管未顯示，但處理流體101可從再循環路徑105直接流向工具116，或收集在儲液器中，例如儲液罐113（及/或單獨的儲液器），在儲液器中，處理流體101可儲存以在工具116中用於基板處理。在此類實施例中，出口管線112b（或單獨的出口管線）可藉由閥耦接至工具116。

收集單元103從基板處理工具收集使用過的處理流體101及/或收集未使用的處理流體。在一些實例中，收集單元103包括用於容納或以其他方式儲存處理流體101的再填充罐，及用於經由入口管線102將處理流體101吸入收集單元103的泵送元件。收集單元103經由管線106a、106b耦接至探針109。探針109的示意圖如第3圖所示。簡而言之，探針109能夠決定處理流體101的一或更多個特性，該等特性與處理流體101是否可用於基板處理有關。基於此決定，可淨化處理流體。因此，本文描述的實施例可用於處理流體驗證及/或偵測處理流體的狀態。

收集單元103亦藉由管線104a、104b耦接至淨化單元111。淨化單元111包括用以淨化、清潔或以其他方式去除處理流體101中雜質的設備。此類雜質可包括水、金屬、有機化合物、及細顆粒。淨化單元111中的設備可執行各種方法，包括保護床處理、薄膜處理、碳床處理、冷卻、過濾、靜電過濾、精過濾、洗滌、淨化、化學清洗、真空蒸餾、分餾、蒸發、萃取或其組合。因此，淨化單元111可包括保護床、碳床、離子交換樹脂、薄膜、熱交換器、冷卻器、過滤器、洗滌器、淨化器、用於清洗流體的化學品、蒸餾設備，及用於淨化、清洗或以其他方式去除處理流體101中雜質的其他合適設備。保護床、碳床、離子交換樹脂、薄膜、及類似設備可針對粒度、分子量、及其他合適參數選擇。在一些實施例中，淨化單元111包括精濾器、碳床、分子篩、乾燥劑、及/或蒸餾設備。精濾器可用於從處理流體101中去除懸浮或細固體。含有活性碳的碳床可用於去除處理流體101中的雜質。在一些實例中，分子篩及/或乾燥劑用於去除處理流體101中的水。蒸餾設備可用於基於沸點差異分離處理流體101的組分。蒸餾設備可配備真空，以便能夠淨化在環境壓力下不容易蒸餾的材料。

如第1圖所示，探針109亦藉由管線108、管線112a、及管線104b耦接至淨化單元111，從而能夠再利用進入探針109的處理流體101。可選的過濾單元107可佈置在收集單元103與探針109之間。可選過濾單元107可包括用於從處理流體101中去除物種（例如，污染物及/或顆粒）的設備或裝置，此些物種可阻塞或以其他方式阻止流體進入或離開探針109。另外，或者可選地，可選過濾單元107亦可包括從處理流體101中去除可在其他情況下損害探針109功能的物種的設備。此外，或者可選地，過濾單元可用於粗過濾淨化單元111中的保護部件。在一些實例中，可選過濾單元107包括用於從處理流體101中去除或基本上去除具有約10 nm至約100 nm尺寸的物種的過滤器。

在操作中，離開工具或腔室（若使用）的處理流體101藉由打開閥120流向收集單元103。一部分處理流體101經由管線106a、106b流向探針109，在此執行操作以決定處理流體101的一或更多個特性。下文結合第2圖論述由探針109執行的操作及其他操作。

若處理流體101的一或更多個特性不滿足此類特性的一或更多個臨限值，則打開閥122以連接管線104a、104b，並且處理流體101流向淨化單元111。淨化後，從退出淨化單元111的處理流體101可退出再循環路徑105，並經由管線110、112a及112b流向儲液器113。此處，閥124打開以連接管線110、112a。閥126、閥122及閥128亦被打開，以連接管線112a、112b，使得淨化或以其他方式適合用於基板處理的處理流體101可進入儲液器113。

若處理流體101的一或更多個特性滿足此類特性的一或更多個臨限值，則打開閥122以連接管線104a及管線112。閥128亦打開，以連接管線104a、112b，並將處理流體101餽送至儲液器113。隨後，處理流體101可流入用於基板處理的工具115（或腔室）或用於基板處理的工具116（或腔室）。示例性工具115、116包括用於執行曝光後烘焙（post-exposure bake; PEB）及場增強曝光後烘焙（field enhanced post-exposure bake; FE-PEB）等的工具。其他工具包括彼等用於執行微影術、執行週期性層沉積(cyclical layer deposition; CLD)、原子層沉積(atomic layer deposition; ALD)、化學氣相沉積(chemical vapor deposition; CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition; PVD)、及/或其他基板製程的工具。在一些態樣，處理流體101離開工具116並流過再循環路徑105的一或更多個部件（例如，用於驗證及/或淨化），可重新進入相同的工具116或進入不同的工具，例如，工具115。

處理流體101中流向探針109的部分亦可淨化。此處，處理流體101經由管線108退出探針109。閥124打開以連接管線108、112。閥126及閥122亦打開，以便處理流體可從管線112a流向管線104b。隨後，處理流體101可流向淨化單元111。如上所述，處理流體可離開淨化單元111並流入儲液器113。可設想，第1圖中描述的一或更多個元件可耦接至控制器（例如，第3圖中所示的控制器344）。

儘管第1圖中未顯示，但應理解，用於控制處理流體101的溫度、壓力及流量的額外設備及設備100的一或更多個部件。例如，熱交換器可用於冷卻或加熱沿各種管線或在設備100的各種單元內行進的處理流體101，而泵及馬達可用於控制設備100中材料的流速。亦可使用各種處理控制裝置，如壓力指示器、差壓感測器、溫度指示器、熱聯軸器、溫度開關、電阻式溫度偵測器、螺線管、流量計、流量調節器及閥、濕度感測器、電流計、測流計、液位偵測器、進料液位探針、及/或電氣驅動器。

第2圖為顯示用於驗證處理流體的性質及回收或再利用的方法200的選定操作的流程圖。處理流體，例如處理流體101，可為從供應商處獲得的使用過的流體或未使用的流體。儘管第2圖的論述與處理流體101的電阻率有關，但可決定諸如處理流體中水的濃度、處理流體的介電常數及處理流體的氣體含量的其他特性。視情況，可沿再循環路徑105添加顆粒計數器系統，以確保處理流體不含或基本不含污染物。

在操作210，決定用於基板處理的處理流體101的一或更多個特性。對於流體電阻率量測，向用以使處理流體101流經的探針（例如，第3圖及第4圖所示的探針300）施加電壓。探針300為可與本文所述實施例一起使用的探針的非限制性實例，因為考慮了其他探針及其修改。

電壓產生電流，以從金屬棒332流過處理流體101，流入接地電極336。根據探針300內流過處理流體101的電流計算處理流體101的電阻率。例如，電壓（V）由電壓源（未示出）施加到由接地電極336包圍的金屬桿332上。電流（I）從金屬桿332經過間隙400流入接地電極336。間隙400的橫剖面基本上為環形的。將從約50 V至約500 V的電壓施加至金屬棒332，諸如從約100 V至約450 V，諸如從約150 V至約400 V，諸如從約200 V至約350 V，諸如從約250 V至約300 V的電壓。在另一實例中，將從約75 V至約150 V的電壓施加至金屬棒332，諸如從約100 V至約125 V的電壓。在另一實例中，電壓小於約500 V。

第3圖所示的控制器344量測電流並計算電阻(R)，控制器344透過觸點340與接地電極336電耦接。金屬棒332及接地電極336為已知的金屬，因此控制器344可經程式設計以過濾掉金屬棒332或接地電極336中使用的金屬固有的電阻。

基於計算的電阻決定處理流體101的電阻率(ρ=RA/L)，其中R為計算的電阻，A為接地電極336的表面積，且L為金屬棒332與接地電極336之間的距離。在一個實例中，電阻率(ρ)與接地電極336的內表面的表面積成比例（A=2nr*I ₁），其中r等於內徑408，且I ₁等於長度416，而L等於間隙400的長度。

在操作220，將處理流體101的特性（例如，電阻率ρ）與特性臨限值（例如，ρ _th）進行比較。臨限值ρ _th可為基於處理流體的正常操作資料決定的特定值或值範圍。正常操作資料可是為正常（或固有）基板處理收集的參考資料。臨限值ρ _th可為儲存在記憶體元件（如記憶體352）上的資料集。

臨限值ρ _th儲存在記憶體元件（如記憶體352）上。臨限值對應於處理流體101中的顆粒污染程度。若決定處理流體101的量測電阻率(ρ _m)小於臨限值ρ _th（指示處理流體適合基板處理），則處理流體101可流入儲液器113。此處，控制器344可向輸入/輸出裝置（如顯示單元或音訊設備（未示出））發送信號，指示處理流體可流向儲液器113。若決定處理流體101的量測電阻率(ρ _m)大於或等於臨限值(ρ _m≧ρ _th)，則控制器344向輸入/輸出裝置（如顯示單元或音訊設備（未示出））發送警告。警告指示將對處理流體101執行動作。

操作230執行的動作的實例可包括淨化處理流體101。此處，動作可進一步包括藉由打開閥122將處理流體101從收集單元103餽送至淨化單元111，從而允許處理流體101從管線104a流向管線104b。淨化單元111中的設備降低處理流體101中的污染物濃度，使得處理流體101的量測電阻率ρ _m變得小於臨限值ρ _th。可在新的時間迭代中決定處理流體101的電阻率。方法200可重複預定的時間段或預定數量的決定週期。此外，在一些實施例中，為第二、第三或第n次迭代量測的處理流體101的至少一部分可包括來自收集單元103的新體積的處理流體。

第3圖為根據至少一個實施例的用於量測處理流體的一或更多個特性的探針300的橫剖面示意圖。作為非限制性實例，探針300可用於量測處理流體101的流體電阻率。探針300（例如，探針109）包括量測部分328，量測部分佈置在耦接至入口301的上游聯軸器304及耦接至出口302的下游聯軸器316之間。關於第1圖，入口301可為將處理流體餽送至探針109的管線106b，且出口302可為使處理流體離開探針109的管線108。在一個實例中，入口301及出口302各自與流體入口334a及流體出口334b成直線並沿其佈置。上游聯軸器304及下游聯軸器316中的每一個均流體耦接至入口301及出口302。

上游聯軸器304包括上游垂直聯軸器308及上游水平聯軸器312。上游垂直聯軸器308直接耦接至入口301。上游水平聯軸器312實體連接到上游垂直聯軸器308，並且水平聯軸器312基本上正交於上游垂直聯軸器308佈置。上游水平聯軸器312流體耦接至入口301及出口302。在一個實例中，上游垂直聯軸器308壓裝到入口301。在另一實例中，上游垂直聯軸器308被熱焊接到入口301。

上游垂直聯軸器308可包括一螺紋表面及一螺母，藉由插入並相對於螺紋表面轉動螺母，將入口301壓縮安裝在上游垂直聯軸器308內。在又一實例中，上游垂直聯軸器308具有快速連接或推壓配件，其包括夾頭、圍繞夾頭的O形環及佈置在上游垂直聯軸器308內的主體。藉由將入口301穿過夾頭進入上游垂直聯軸器308的主體，從而形成密封，入口301可耦接到上游垂直聯軸器308。入口301藉由夾頭、主體及入口301之間的相對移動從上游垂直聯軸器308釋放。

下游聯軸器316具有下游垂直聯軸器320及下游水平聯軸器324。下游垂直聯軸器320直接耦接至出口302。下游水平聯軸節324基本上與下游垂直聯軸器320正交佈置。下游垂直聯軸器320實體連接至下游水平聯軸器324，並且下游水平聯軸器324流體耦接至入口301及出口302。上游聯軸器304及下游聯軸器316的合適材料包括聚合物、塑膠及其他非導電或非金屬材料。

與上述關於上游垂直聯軸器308的實例類似，上游水平聯軸器312、下游垂直聯軸器320及下游水平聯軸器324中的每一個均可配置為螺紋表面及螺母。在另一實例中，上游水平聯軸器312、下游垂直聯軸器320及下游水平聯軸器324可配置為快速連接或推壓配件。在又一實例中，上游水平聯軸器312、下游垂直聯軸器320及下游水平聯軸器324中的每一個均可進行熱焊接。

量測系統300具有在上游聯軸器304與下游聯軸器316之間流體耦接的量測部分328。量測部分328實體耦接至上游水平聯軸器312及下游水平聯軸器324。處理流體用以流經入口301且通過上游聯軸器304，並隨後繼續穿過量測部分328、下游聯軸器316，且透過出口302退出。

量測部分328包括金屬棒332及接地電極336。金屬棒332連接到電壓源（未顯示）。接地電極336限定金屬棒332。因此，金屬棒332及接地電極336基本上為同軸的。量測部分328的表面積由金屬棒332的表面積及接地電極336的表面積的重疊來定義。因此，量測部分328的長度小於或等於接地電極336的長度。儘管量測部分328被示為基本線性，但量測部分328不限於此形狀。只要金屬棒332及接地電極336之間的距離在整個量測部分328的長度上基本相等，量測部分328的合適配置可包括彎曲或u形。

在一個實例中，金屬棒332水平延伸穿過上游水平聯軸器312並穿過下游水平聯軸器324的每一端。在一個實例中，金屬棒332為實心圓柱形結構。示例性材料包括導電金屬，諸如鋁、銅及含鐵金屬。然而，金屬棒332不限於該等材料，並且可為任何導電金屬。

接地電極336為導電金屬。接地電極336耦接至接地（未示出），並且在接地電極336的表面上具有觸點340，接地電極耦接至控制器344。接地電極336水平延伸穿過上游水平聯軸器312的至少一部分及下游水平聯軸器324的至少一部分。接地電極336為包圍金屬棒332的空心管。接地電極336為導電金屬，諸如鋁、銅及含鐵金屬。

顯示了外半徑基本等於接地電極336外半徑的間隔物360。間隔物360的內直徑的內半徑基本上等於金屬棒332的外半徑。如圖所示，為基本上中空棒的間隔物360用於壓縮上游水平聯軸器312及/或下游水平聯軸器324內的金屬棒332。間隔物360由非導電材料製成，諸如塑膠或聚合物。因此，接地電極336及金屬棒332被壓縮地裝配到上游水平聯軸器312及下游水平聯軸器324中。

控制器344與量測部分328的接地電極336表面上的觸點340電耦接。導線364經由觸點340將控制器電連接到接地電極336。控制器344包括處理器348、記憶體352及支援電路356。處理器348可為任何形式的通用微處理器、或通用中央處理單元(central processing unit; CPU)中的一種，其中每一種都可在工業環境中使用，如可程式設計邏輯控制器(programmable logic controller; PLC)、監控及資料獲取(supervisory control and data acquisition; SCADA)系統、或其他合適的工業控制器。

記憶體352為非暫時性的，且可為一或更多個隨時可用的記憶體，如隨機存取記憶體(random access memory; RAM)、唯讀記憶體(read only memory; ROM)或任何其他形式的本端或遠端數位儲存器。記憶體352含有當由處理器348執行時促進量測部分328的操作的指令。記憶體352中的指令以程式產品的形式，如實現本揭示案方法的程式。程式產品的程式碼可符合多種不同程式設計語言中的任何一種。說明性電腦可讀儲存媒體包括但不限於：（i）永久儲存資訊的不可寫儲存媒體（例如，電腦內的唯讀記憶體元件，如可由CD-ROM磁片讀取的CD-ROM驅動器、快閃記憶體、ROM晶片或任何類型的固態非揮發性半導體記憶體）；及（ii）儲存可變資訊的可寫儲存媒體（例如，軟碟機內的軟碟或硬碟驅動器或任何類型的固態隨機存取半導體記憶體）。當承載指導本文所述方法的功能的電腦可讀指令時，此種電腦可讀儲存媒體為本揭示案的實例。在一個實例中，本揭示案可實現為儲存在電腦可讀儲存媒體（例如，記憶體352）上的程式產品，用於電腦系統（未示出）。程式產品的程式定義了本揭示案的功能，如本文所述。

第4圖為沿著第3圖中的線A-A截取的探針300的量測部分328的等距橫剖面視圖。間隙400由金屬棒332及接地電極336之間的空間定義。間隙400的橫剖面積基本上為環形。金屬棒332具有外半徑404，並且金屬棒332至少與長度416一樣長。如上，金屬棒332的總長度可大於長度416。接地電極336具有內徑408及厚度412。間隙400為金屬棒332的外半徑404（即，金屬棒332的外表面）與接地電極336的內半徑408（即，接地電極336的內表面）之間的空間。接地電極336與長度416一樣長。處理流體流過間隙400，同時流體的電阻率由量測部分328量測。在測定電阻率的同時，接地電極336的內表面及金屬棒332的外表面均與處理流體101流體接觸。

在一些實施例中，可使用可程式設計邏輯控制器(programmable logic controller; PLC)實現本文描述的設備100的一或更多個操作及/或方法200的一或更多個操作，及/或可作為指令包括在電腦可讀媒體中，以供控制單元（例如，一或更多個處理器）或任何其他處理系統執行。電腦可讀媒體可包括用於儲存指令的任何合適的記憶體，諸如唯讀記憶體(read-only memory; ROM)、隨機存取記憶體(random access memory; RAM)、快閃記憶體、電可擦除可程式設計ROM (electrically erasable programmable ROM; EEPROM)、光碟ROM (compact disc ROM; CD-ROM)、軟碟、穿孔卡、磁帶等。

本文描述的實施例大體係關於用於驗證處理流體的設備及方法。本文的實施例能夠例如再利用處理流體及決定未使用的處理流體是否適合於基板處理。相對於習知設備及方法，藉由本文描述的實施例可實現更低的生產成本及基板之間更高的一致性。

在上文中，參考了本發明的實施例。然而，應當理解，本揭示案不限於具體描述的實施例。相反，考慮了以下特徵及元素的任何組合，無論是否與不同實施例相關，均為了實現及實踐本揭示案。此外，儘管本揭示案的實施例可實現優於其他可能的解決方案及/或先前技術的優勢，但無論特定優勢是否由給定實施例實現，都不限制本揭示案。因此，上述態樣、特徵、實施例及優點僅僅係說明性的，並且不被視為所附申請專利範圍的要素或限制，除非在申請專利範圍中明確敘述。同樣，對「本揭示案」的引用不應被解釋為本文所揭示的任何主張標的的概括，亦不應被視為所附申請專利範圍的要素或限制，除非在申請專利範圍中明確敘述。如本文所用，除非另有相反規定或上下文另有明確指示，否則不定冠詞「一(a)」或「一(an)」應指「至少一個」。

儘管前述內容係關於本揭示案的實施例，但在不偏離本發明基本範圍的情況下，可設計本發明的其他及進一步實施例，並且其範圍由以下申請專利範圍決定。

100:設備 101:處理流體 102:入口管線 103:收集單元 104a:管線 104b:管線 105:再循環路徑 106a:管線 106b:管線 107:過濾單元 108:管線 109:探針 110:管線 111:淨化單元 112a:管線 112b:出口管線 113:儲液器 114:管線 115:工具 116:工具 120:閥 122:閥 124:閥 126:閥 128:閥 200:方法 210:操作 220:操作 230:操作 300:探針 301:探針 302:出口 304:上游聯軸器 308:上游垂直聯軸器 312:上游水平聯軸器 316:下游聯軸器 320:下游垂直聯軸器 324:下游水平聯軸器 328:量測部分 332:金屬棒 334a:流體入口 334b:流體出口 336:接地電極 340:流體出口 344:控制器 348:處理器 352:記憶體 356:支援電路 360:間隔物 364:導線 400:間隙 404:外半徑 408:內徑 412:厚度 416:長度 A:線

為了能夠詳細理解本揭示案的上述特徵的方式，可透過參考實施例來獲得上文簡要概述的本揭示案的更具體的描述，實施例中的一些在附圖中示出。然而，應當注意，附圖僅示出了示例性實施例，因此不應被視為限制其範圍，且可允許其他同樣有效的實施例。

第1圖為根據至少一個實施例的用於驗證處理流體的示例性設備的示意圖。

第2圖為根據至少一個實施例的用於驗證處理流體的方法的選定操作的流程圖。

第3圖為根據至少一個實施例的用於量測及決定處理流體的一或更多個特性的探針的橫剖面示意圖。

第4圖為根據至少一個實施例，沿著第3圖中的剖面線A-A截取的流體探針量測剖面的等距橫剖面視圖。

為了便於理解，儘可能使用了相同的元件符號來表示圖中常見的相同元件。可設想，一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中，而無需進一步敘述。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100:設備

101:處理流體

102:入口管線

103:收集單元

104a:管線

104b:管線

105:再循環路徑

106a:管線

106b:管線

107:過濾單元

108:管線

109:探針

110:管線

111:淨化單元

112a:管線

112b:出口管線

113:儲液器

114:管線

115:工具

116:工具

120:閥

122:閥

124:閥

126:閥

128:閥

Claims (21)

1. 一種用於驗證和再利用處理流體之設備，包含：一工具，用於執行微影術；及一再循環路徑，耦接至該工具，該再循環路徑包含：一收集單元，在一第一端耦接至該工具的一第一端；一探針，在一第一端耦接至該收集單元的一第二端，該探針用於決定從該工具流出的一流體的一或更多個特性；及一淨化單元，在一第一端耦接至該收集單元的一第三端，該淨化單元在一第二端進一步耦接至該探針的一第二端，該淨化單元用於改變該流體之一特性；及一處理器，該處理器經配置以：控制該流體從該收集單元流向該探針；決定該流體之一第一電阻率；及將該流體的該第一電阻率與一臨限值或範圍進行比較；其中，當該第一電阻率等於或高於該臨限值或範圍時，該處理器進一步經配置以：決定該流體之一第二電阻率；將該流體的該第二電阻率與該臨限值或範圍進行比較；當該第二電阻率等於或高於該臨限值或範圍時， 使該流體從該收集單元流向該淨化單元；及當該第二電阻率小於該臨限值或範圍時，使該流體從該收集單元流向一儲液器，該儲液器耦接至該再循環路徑。
2. 如請求項1所述之設備，其中該一或更多個特性包含一電阻率。
3. 如請求項1所述之設備，其中，當該流體的該第一電阻率低於該臨限值或範圍時，該處理器進一步經配置以使該流體從該收集單元流向一儲液器，該儲液器耦接至該工具的一第二端。
4. 如請求項1所述之設備，其中該處理器進一步經配置以在當該第一電阻率等於或高於該臨限值或範圍時，使該流體從該收集單元流向該淨化單元。
5. 如請求項1所述之設備，其中該淨化單元包含一精濾器(polishing filter)，該精濾器耦接至一過滤器，該過濾器包含活性碳、離子交換樹脂、分子篩或一薄膜。
6. 如請求項5所述之設備，其中該淨化單元進一步包含一真空蒸餾塔，該真空蒸餾塔耦接至該過濾器。
7. 一種用於驗證和再利用處理流體之方法，包含以下步驟：將一流體從一工具流向一收集單元，該收集單元沿一再循環路徑佈置，該再循環路徑進一步包含一淨化單元， 該淨化單元與該收集單元流體耦接；使該流體從該收集單元流向一探針，該探針沿該再循環路徑佈置；決定該流體之一電阻率的一第一值；將該電阻率的該第一值與一臨限值或範圍進行比較；基於該第一值改變該流體的一流動路徑；當電阻率的該第一值等於或大於該臨限值或範圍時，使該流體流向該淨化單元；決定該流體之電阻率的一第二值；將該流體之電阻率的該第二值與該臨限值或範圍進行比較；當電阻率的該第二值等於或高於該臨限值或範圍時，使該流體流向該淨化單元；及當電阻率的該第二值小於該臨限值或範圍時，使該流體流向一儲液器，該儲液器耦接至該再循環路徑。
8. 如請求項7所述之方法，進一步包含以下步驟：當電阻率的該第一值低於該臨限值或範圍時，使該流體流向一儲液器，該儲液器與該再循環路徑耦接。
9. 如請求項8所述之方法，其中該儲液器進一步耦接至該工具。
10. 如請求項7所述之方法，其中該工具經配置以執行微影術。
11. 如請求項7所述之方法，其中該淨化單元包含一精濾器(polishing filter)，該精濾器耦接至一過 滤器，該過濾器包含活性碳、離子交換樹脂、分子篩或一薄膜。
12. 如請求項11所述之方法，其中該淨化單元進一步包含一真空蒸餾塔，該真空蒸餾塔耦接至該過濾器。
13. 一種用於驗證和再利用處理流體方法，包含以下步驟：將一流體從一工具流向一收集單元，該收集單元沿一再循環路徑佈置，該再循環路徑進一步包含一淨化單元，該淨化單元與該收集單元流體耦接；使該流體從該收集單元流向一探針，該探針沿該再循環路徑佈置；決定該流體之一電阻率的一第一值，其中決定該電阻率的該第一值包含以下步驟：向該探針施加一電壓，該探針具有該流體流經的一空間；量測流過該流體的一電流；及基於該電壓及該電流計算該流體的電阻率的該第一值；將該電阻率的該第一值與一臨限值或範圍進行比較；及基於該第一值改變該流體的一流動路徑。
14. 如請求項13所述之方法，其中該工具經配置以執行微影術。
15. 如請求項13所述之方法，進一步包含以下步驟：當電阻率的該第一值低於該臨限值或範圍時，使該流體流向一儲液器，該儲液器與該再循環路徑耦接。
16. 如請求項13所述之方法，其中該淨化單元包含一精濾器(polishing filter)，該精濾器耦接至一過滤器，該過濾器包含活性碳、離子交換樹脂、分子篩或一薄膜。
17. 如請求項16所述之方法，其中該淨化單元進一步包含一真空蒸餾塔，該真空蒸餾塔耦接至該過濾器。
18. 一種儲存指令的非暫時性電腦可讀媒體，當在一處理器上執行該等指令時，該等指令執行流體驗證或流體回收操作，該等操作包含以下步驟：將一流體從一工具流向一收集單元，該收集單元沿一再循環路徑佈置，該再循環路徑進一步包含與該收集單元流體耦接之一探針，及與該收集單元流體耦接之一淨化單元；使該流體從該收集單元流向該探針；決定該流體的一第一電阻率；將該第一電阻率與一臨限值或範圍進行比較；及基於該第一電阻率改變該流體的一流動路徑；使該流體流向該探針；決定該流體的一第二電阻率；將該流體的該第二電阻率與該臨限值或範圍進行比 較；當該第二電阻率等於或高於該臨限值或範圍時，使該流體流向該淨化單元；及當該第二電阻率小於該臨限值或範圍時，使該流體流向一儲液器，該儲液器耦接至該工具。
19. 如請求項18所述之非暫時性電腦可讀媒體，其中該等操作進一步包含以下步驟：當該第一電阻率等於或高於該臨限值或範圍時，使該流體流向該淨化單元；當該第一電阻率小於該臨限值或範圍時，使該流體流向一儲液器，該儲液器耦接至該再循環路徑；或上述的一組合。
20. 如請求項19所述之非暫時性電腦可讀媒體，其中該儲液器進一步耦接至該工具。
21. 如請求項18所述之非暫時性電腦可讀媒體，其中該工具經配置以執行微影術。