TWI850325B - 擴展方法及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明有關一種擴展方法，其包含將黏貼有複數個半導體裝置(CP)之第1薄片(10)拉伸，而擴大複數個半導體裝置(CP)之間隔的步驟，複數個半導體裝置(CP)之各者具有第1半導體裝置面(W1)及第1半導體裝置面(W1)之相反側的第2半導體裝置面(W3)，複數個半導體裝置(CP)之各者係藉由於第2半導體裝置面(W3)與第1薄片(10)之間包含保護層(100)而黏貼。

Description

擴展方法及半導體裝置之製造方法

本發明有關擴展方法及半導體裝置之製造方法。

近幾年來，電子機器進展為小型化、輕量化及高機能化。搭載於電子機器之半導體裝置亦被要求小型化、薄型化及高密度化。半導體晶片有以接近其尺寸之封裝安裝之情況。此等封裝亦稱為晶片規格封裝(Chip Scale Package：CSP)。作為CSP之一，舉例為晶圓等級封裝(Wafer Level Package：WLP)。WLP中，於藉由切割而單片化之前，於晶圓上形成外部電極等，最終切割晶圓並單片化。作為WLP，舉例為扇入(Fan-In)型與扇出(Fan-Out)型。扇出型之WLP(以下亦簡稱為「FO-WLP」)中，半導體晶片密封構件覆蓋比晶片尺寸大之區域而形成半導體晶片之密封體，不僅於半導體晶片之電路面形成再配線層及外部電極，亦形成於密封構件之表面區域。

例如，文獻1(國際公開第2010/058646號)中記載針對自半導體晶圓單片化之複數半導體晶片，留下其電路形成面，使用模製構件包圍周圍而形成擴張晶圓，於半導體晶片外之區域延伸形成再配線圖型之半導體封裝之製造方法。文獻1中記載之製造方法中，經單片化之複數半導體晶片以模製構件包圍之前，換貼於擴展用晶圓黏片膠帶上，使晶圓黏片膠帶延展，使複數半導體晶片間之距離擴大。

又，文獻2(日本特開2017-076748號公報)中，記載依序具備第二基材層、第一基材層及第一黏著劑層，且第二基材層之斷裂伸長度為400%以上之黏著薄片。文獻2中記載之半導體裝置之製造方法具備將半導體晶圓貼黏於該黏著薄片之第一黏著劑層之步驟，藉由切割將半導體晶圓單片化，形成複數半導體晶片之步驟，及拉長黏著薄片，使半導體晶片彼此之間隔擴大之步驟。

擴展步驟所用之膠帶通常具有用以固定膠帶上之半導體晶片之黏著劑層與支持黏著劑層之基材。如文獻1中記載之擴展用晶圓黏片膠帶拉長時，不僅是膠帶之基材被拉伸，黏著劑層亦被拉伸。擴展步驟後，半導體晶片自黏著劑層剝離時，有產生於與黏著劑層接觸之半導體晶片表面殘留黏著劑層之缺陷的情況。此等缺陷於本說明書中，有時稱為殘糊。

又，使用文獻2中記載之黏著薄片實施擴展步驟時，由於與半導體晶片接觸之黏著劑層不被拉長，故認為難以產生殘糊。然而，由於文獻2中記載之黏著薄片係使第二基材層與第一基材層與第一黏著劑層層合成之膠帶構成，故對於可使用更簡略之膠帶構成防止殘糊之擴展方法殷切期盼。又，文獻2中記載之製程，係切割黏著薄片上之半導體晶圓，不轉印至其他黏著薄片，而直接拉長黏著薄片實施擴展步驟。因此，必須以使切割之際的切割刀片不到達第二基材層之方式，慎重控制切割刀片之切入深度，故對於可藉由更簡略方法防止殘糊之擴展方法亦殷切期盼。

又，擴展方法中作為支持於黏著薄片上之被黏著體，不僅為半導體晶片，亦舉例為例如晶圓、半導體裝置封裝及微型LED等之半導體裝置。該等半導體裝置亦與半導體晶片同樣，有使半導體裝置彼此之間隔擴張之情況。

本發明之目的在於提供與以往相比可使膠帶構成及製程之至少任一者簡略化且可抑制殘糊之擴展方法，以及提供包含該擴展方法之半導體裝置之製造方法。

依據本發明一態樣，提供一種擴展方法，其包含將黏貼有複數個半導體裝置之第1薄片拉伸，而擴大前述複數個半導體裝置之間隔的步驟，前述複數個半導體裝置之各者具有第1半導體裝置面及前述第1半導體裝置面之相反側的第2半導體裝置面，前述複數個半導體裝置之各者係藉由於前述第1半導體裝置面或前述第2半導體裝置面與前述第1薄片之間包含保護層而黏貼。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳於前述第1半導體裝置面形成前述保護層後，將前述複數個半導體裝置黏貼於前述第1薄片。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳將加工對象物切割，獲得前述複數個半導體裝置。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳於前述加工對象物形成前述保護層，將前述加工對象物及前述保護層切割，獲得前述複數個半導體裝置。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳將形成有前述保護層之前述加工對象物黏貼於具有第2黏著劑層及第2基材之第2黏著薄片之前述第2黏著劑層上，將前述保護層及前述加工對象物切割，獲得前述複數個半導體裝置，於切割後之前述保護層黏貼前述第1薄片。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳於切割後之前述保護層黏貼前述第1薄片後，將前述第2黏著薄片剝離。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳將前述加工對象物黏貼於具有前述保護層及第3薄片之複合薄片之前述保護層上，將前述加工對象物及前述保護層切割，獲得前述複數個半導體裝置，自前述保護層剝離前述第3薄片。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述保護層與前述第1薄片係預先層合，前述加工對象物由前述保護層予以支持，將前述加工對象物及前述保護層切割，獲得前述複數個半導體裝置。

本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述加工對象物為半導體晶圓。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述第1薄片為擴展薄片。 本發明之一態樣之擴展方法中，較佳前述第1半導體裝置面具有電路。

依據本發明之一態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包含前述本發明之一態樣之擴展方法。

依據本發明之一態樣，可提供與以往相比可使膠帶構成及製程之至少任一者簡略化且可抑制殘糊之擴展方法。依據本發明之另一態樣，可提供包含該擴展方法之半導體裝置之製造方法。

[第1實施形態]

以下，針對本實施形態之擴展方法及包含該擴展方法之半導體裝置之製造方法加以說明。 圖1(圖1A、圖1B及圖1C)、圖2(圖2A及圖2B)、圖3、圖4(圖4A及圖4B)及圖5(圖5A及圖5B)係說明包含本實施形態之擴展方法之半導體裝置之製造方法的剖面概略圖。 本實施形態之擴展方法至少具備如下步驟(P1)~(P2)。 (P1)準備黏貼於第1薄片之複數半導體裝置之步驟。複數半導體裝置於與第1薄片之間包含保護層予以黏貼。 (P2)使第1薄片拉伸，擴大複數半導體裝置之間隔的步驟。 圖1A、圖1B、圖1C、圖2A及圖2B係用以說明步驟(P1)之圖。

(加工對象物) 圖1A顯示具有保護層之加工對象物之剖面概略圖。 本實施形態中，作為加工對象物舉例為半導體晶圓W加以說明。本發明中，加工對象物不限定於晶圓。 半導體晶圓W具有作為第1加工對象面之電路面W1與作為第2加工對象物面之背面W3。於電路面W1形成電路W2。本實施形態中，於電路面W1設有保護層100。 半導體晶圓W可為例如矽晶圓，亦可為鎵・砷等之化合物半導體晶圓。作為於半導體晶圓W之電路面W1形成電路W2之方法，舉例為廣泛使用之方法，舉例為例如蝕刻法及剝離法等。

(保護層) 保護層100係被覆電路面W1及電路W2之層。保護層100若可保護電路面W1及電路W2，則不特別限定。保護層100之厚度較佳為1μm以上，更為5μm以上。保護層100之厚度較佳為500μm以下，更為300μm以下。 作為保護層100舉例為例如保護膜及保護薄片。 作為保護膜較佳為例如將樹脂材料於電路面W1上成膜所得之膜。構成保護膜之層可為1層，亦可為2層以上。作為成膜方法，舉例為印刷法、噴霧塗佈法、旋轉塗佈法及浸漬法。

作為保護薄片舉例為例如具有黏著劑層與基材之黏著薄片。作為保護薄片中之基材，若為適當作為構成保護層之構件之一發揮功能且可支持黏著劑層，則其構成材料並未特別限定。保護薄片中之基材較佳由以樹脂系之材料為主要材料之薄膜構成。作為以樹脂系之材料為主要材料之薄膜舉例為例如乙烯系共聚合薄膜、聚烯烴系薄膜、聚氯乙烯系薄膜、聚酯系薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜及氟樹脂薄膜。 作為保護薄片中之黏著劑層，若為適當作為構成保護層之構件之一發揮功能且可密著於基材及電路面W1，則其構成材料並未特別限定。作為保護薄片中之黏著劑層，較佳為由例如自丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、橡膠系黏著劑及矽氧系黏著劑所成之群中選擇之至少一種黏著劑所構成，更佳為以丙烯酸系黏著劑構成。 本實施形態之說明中，雖以保護層10由1層所成之保護膜之情況為例，但本發明不限定於此等態樣。

[背面研磨步驟] 半導體晶圓W較佳係經過背面研磨步驟所得之晶圓。準備黏貼於第1薄片之複數半導體裝置之步驟(P1)較佳包含該背面研磨步驟作為步驟(P1-1)。 背面研磨步驟中，對半導體晶圓W之與電路面W1相反側之面研削至特定厚度。背面W3較佳係對半導體晶圓W進行背面研削所形成之面。研削半導體晶圓W後露出的面為背面W3。 作為研削半導體晶圓W之方法並未特別限定，舉例為例如使用研磨機等之習知方法。研削半導體晶圓W之際，為了保護電路W2，較佳於電路面W1黏貼稱為背面研磨薄片之黏著薄片。晶圓之背面研削係藉由夾具台等固定半導體晶圓W之電路面W1側，亦即背面研磨薄片側，藉由研磨機研削未形成電路之背面側。將背面研磨薄片黏貼於電路面W1之步驟稱為背面研磨薄片之黏貼步驟。 研削前之半導體晶圓W的厚度並未特別限定，通常為500μm以上、1000μm以下。 研削後之半導體晶圓W的厚度並未特別限定，通常為20μm以上、500μm以下。

[第2黏著薄片之黏貼步驟] 圖1B顯示於背面W3黏貼第2黏著薄片20之半導體晶圓W。 步驟(P1)所準備之半導體晶圓W較佳係經過背面研磨步驟，進而經過於背面W3黏貼第2黏著薄片20之黏貼步驟所得之晶圓。該黏貼步驟有時稱為第2黏著薄片之黏貼步驟。 如後述，步驟(P2)中，半導體晶圓W藉由切割而單片化為複數半導體晶片CP。切割半導體晶圓W之際，為了保持半導體晶圓W，較佳將稱為切割薄片之黏著薄片黏貼於背面W3。本實施形態中，第2黏著薄片20較佳為切割薄片。使用第2黏著薄片20作為切割薄片之情況下，半導體晶圓係背面W3朝向第2黏著薄片20之第2黏著劑層22而黏貼。半導體晶圓W之電路面W1相當於半導體晶片CP之電路面W1。半導體晶圓W之背面W3相當於半導體晶片CP之背面W3。

[切割步驟] 圖1C係用以說明切割作為加工對象物之半導體晶圓W之切割步驟的圖。圖1C中，顯示保持於第2黏著薄片20之複數半導體晶片CP。本實施形態中，作為半導體裝置之一例舉半導體晶片為例加以說明，但本發明不限定於此等態樣。作為半導體裝置舉例為例如晶圓、半導體裝置封裝及微型LED。 步驟(P1)準備之複數半導體裝置較佳為於切割步驟中藉由切割半導體晶圓W而得之複數半導體晶片CP。步驟(P1)較佳包含將支持於第2黏著薄片20之半導體晶圓切割之切割步驟作為步驟(P1-2)。 於電路面W1設置保護層100，於背面W3黏貼第2黏著薄片20之狀態之半導體晶圓W藉由切割而單片化，形成複數半導體晶片CP。本實施形態中，自保護層100側切入切口，切斷保護層100，進而切斷半導體晶圓W。切割步驟後之複數半導體晶片CP之電路面W1分別為藉由經切斷之保護層100覆蓋之狀態。 切割係使用切割鋸等之切斷機構。 切割時之切斷深度若為可將保護層100及半導體晶圓W單片化之深度則未特別限定。基於確實切斷半導體晶圓W之觀點，切割步驟中之切口較佳形成為自保護層100側至到達第2黏著薄片20之深度，更佳到達至第2黏著薄片20之第2黏著劑層22之深度。藉由切割，第2黏著劑層22亦被切斷為與半導體晶片CP相同大小。進而，會有藉由切割而亦於第2基材21形成切口之情況。

[第1薄片之黏貼步驟] 圖2A係用以說明於切割步驟後將第1薄片10黏貼於複數半導體晶片CP之步驟的圖。圖2A中，顯示於藉由切割步驟所得之複數半導體晶片CP黏貼第1薄片10之狀態。本實施形態之第1薄片10係具有第1黏著劑層12與第1基材11之黏著薄片。第1薄片10之細節於後述。又，本發明中，第1薄片不限定於具有第1黏著劑層與第1基材之2層構成之黏著薄片。 本實施形態中，第1薄片10黏貼於複數半導體晶片CP之電路面W1側時，獲得複數半導體晶片CP與第1薄片10之第1黏著劑層12之間介隔經單片化之保護層100之層合構造。

[第2黏著薄片之剝離步驟] 圖2B係用以說明第1薄片之黏貼步驟後，剝離第2黏著薄片之步驟的圖。該步驟有時稱為第2黏著薄片之剝離步驟。圖2B中顯示於黏貼第1薄片10後自半導體晶圓W之背面W3剝離第2黏著薄片20之狀態。 黏貼第1薄片10之後，剝離第2黏著薄片20時，露出複數半導體晶片CP之背面W3。 又，於第2黏著劑層22中調配能量線聚合性化合物之情況下，較佳自第2基材21側對第2黏著劑層22照射能量線，使能量線聚合性化合物硬化後，剝離第2黏著薄片20。

[擴展步驟] 圖3係用以說明步驟(P2)的圖。步驟(P2)有時稱為擴展步驟。圖3顯示剝離第2黏著薄片20後，拉伸第1薄片10，擴大複數半導體晶片CP之間隔之狀態。 擴大複數半導體晶片CP之間隔之際，較佳於藉由稱為擴展薄片之黏著薄片保持複數半導體晶片CP之狀態將擴展薄片拉伸。本實施形態中，第1薄片10較佳為擴展薄片。 擴展步驟中拉長第1薄片10之方法並未特別限定。作為拉長第1薄片10之方法舉例為例如壓抵環狀或圓狀擴展器拉長第1薄片10之方法，及使用把持構件等捏住第1薄片10之外周部並拉長之方法等。本實施形態中，複數半導體晶片CP之間隔D1由於係依存於半導體晶片CP之大小，故未特別限定。尤其，黏貼於黏著薄片單面之複數半導體晶片CP之相鄰半導體晶片CP之相互間隔D1較佳為200μm以上。又，該半導體晶片CP之相互間隔D1之上限並未特別限定。該半導體晶片CP之相互間隔D1之上限可為例如6000μm。

[第1轉印步驟] 本實施形態中，擴展步驟之後，亦可實施將黏貼於第1薄片10之複數半導體晶片CP轉印於另一黏著薄片(例如第5黏著薄片)之步驟(以下有時稱為「第1轉印步驟」)。 圖4A中顯示說明將黏貼於第1薄片10之複數半導體晶片CP轉印於第5黏著薄片50之步驟(以下有時稱為「轉印步驟」)的圖。 第5黏著薄片50若可保持複數半導體晶片CP，則未特別限定。第5黏著薄片50具有第5基材51與第5黏著劑層52。

本實施形態中實施轉印步驟時，較佳例如於擴展步驟之後，於複數半導體晶片CP之背面W3黏貼第5黏著薄片50，隨後，剝離第1薄片10。 第5黏著薄片50亦可與複數半導體晶片CP一起黏貼於第二環狀框。該情況下，於第5黏著薄片50之第5黏著劑層52上載置環狀框，將其輕輕按壓並固定。隨後，於環狀框之環形狀內側露出之第5黏著劑層52壓抵於半導體晶片CP之背面W3，將複數半導體晶片CP固定於第5黏著薄片50。 圖4B中顯示說明第5黏著薄片50黏貼後，剝離第1薄片10之步驟的圖。

本實施形態中，係舉剝離第1薄片10之際，將覆蓋半導體晶片CP之電路面W1之經單片化之第1薄片10與保護層100一起剝離之態樣為例加以說明。又，亦可為覆蓋電路面W1之經單片化保護層100仍殘留於半導體晶片CP而僅剝離第1薄片10之態樣。 黏貼第5黏著薄片50後，剝離第1薄片10及保護層100時，露出複數半導體晶片CP之電路面W1。剝離第1薄片10及保護層100後，亦較佳維持在擴展步驟中擴張之複數半導體晶片CP間之間隔D1。

[第2轉印步驟] 圖5A中顯示說明將黏貼於第5黏著薄片50之複數半導體晶片CP轉印於第6黏著薄片60之步驟(以下有時稱為「第2轉印步驟」)之圖。 自第5黏著薄片50轉印至第6黏著薄片60之複數半導體晶片CP較佳維持半導體晶片CP間之間隔D1。 第6黏著薄片60若可保持複數半導體晶片CP，則未特別限定。第6黏著薄片60具有第6基材61與第6黏著劑層62。 欲密封第6黏著薄片60上之複數半導體晶片CP之情況下，作為第6黏著薄片60，較佳使用密封步驟用之黏著薄片，更佳使用具有耐熱性之黏著薄片。又，使用具有耐熱性之黏著薄片作為第6黏著薄片60之情況，較佳第6基材61及第6黏著劑層62分別以可耐受密封步驟中經歷之溫度的耐熱性的材料而形成。 自第5黏著薄片50轉印至第6黏著薄片60之複數半導體晶片CP係將電路面W1朝向第6黏著劑層62黏貼。

[密封步驟] 圖5B中顯示說明使用密封構件300密封複數半導體晶片CP之步驟(以下有時稱為「密封步驟」)的圖。 本實施形態中，密封步驟係於將複數半導體晶片CP轉印於第6黏著薄片60之後實施。 密封步驟中，以電路面W1經第6黏著薄片60保護之狀態，藉由以密封構件300覆蓋複數半導體晶片CP而形成密封體3。於複數半導體晶片CP之間亦填充有密封構件300。由於藉由第6黏著薄片60覆蓋電路面W1及電路W2，故可防止以密封構件300覆蓋電路面W1。

藉由密封步驟，獲得以每特定距離隔開之複數半導體晶片CP埋入密封構件300中之密封體3。密封步驟中，複數半導體晶片CP較佳以維持實施擴展步驟後之間隔D1之狀態，藉由密封構件300覆蓋。 密封步驟後，剝離第6黏著薄片60。剝離第6黏著薄片60時，露出半導體晶片CP之電路面W1及密封體3之與第6黏著薄片60接觸之面3A。 前述擴展步驟之後，藉由重複任意次數之轉印步驟及擴展步驟，將半導體晶片CP間之距離設為期望距離，可將密封半導體晶片CP之際的電路面的方向成為期望方向。

[其他步驟] 自密封體3剝離黏著薄片後，對該密封體3依序進行形成與半導體晶片CP電性連接之再配線層的再配線層形成步驟與將再配線層與外部端子電極電性連接之連接步驟。藉由再配線層形成步驟及與外部端子電極之連接步驟，將半導體晶片CP之電路與外部端子電極電性連接。 連接有外部端子電極之密封體3以半導體晶片CP單位單片化。將密封體3單片化之方法並未特別限定。藉由將密封體3單片化，而製造半導體晶片CP單位之半導體封裝。於半導體晶片CP之區域外連接經扇出之外部電極的半導體封裝係作為扇出型之晶圓等級封裝(FO-WLP)而製造。

(第1薄片) 本實施形態之第1薄片10具有第1基材11與第1黏著劑層12。第1黏著劑層12層合於第1基材11。 ・第1基材 第1基材11只要於擴展步驟等之期望步驟(例如步驟(P2))發揮適當機能，則其構成材料並未特別限定。 第1基材11具有第1基材表面及第1基材背面。第1基材背面係與第1基材表面相反側之面。 第1薄片10中，較佳於第1基材表面及第1基材背面之一面設置第1黏著劑層12，較佳於另一面未設置黏著劑層。

基於容易大幅延伸之觀點，第1基材11之材料較佳為熱塑性彈性體、或橡膠系材料，更佳為熱塑性彈性體。 又，基於容易大幅延伸之觀點，作為第1基材11之材料較佳使用玻璃轉移溫度(Tg)比較低的樹脂。此等樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為90℃以下，更佳為80℃以下，又更佳為70℃以下。 作為熱塑性彈性體舉例為胺基甲酸酯系彈性體、烯烴系彈性體、氯乙烯系彈性體、聚酯系彈性體、苯乙烯系彈性體、丙烯酸系彈性體及醯胺系彈性體等。熱塑性彈性體可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。作為熱塑性彈性體，基於容易大幅延伸之觀點，較佳使用胺基甲酸酯系彈性體。

胺基甲酸酯系彈性體一般可使長鏈多元醇、鏈延長劑及二異氰酸酯反應而獲得。胺基甲酸酯系彈性體係由軟片段與硬片段所成，該軟片段具有自長鏈多元醇衍生之構成單位，該硬片段具有由鏈延長劑與二異氰酸酯反應所得之聚胺基甲酸酯構造。 胺基甲酸酯系彈性體若根據長鏈多元醇種類分類，則分為聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體、聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體及聚碳酸酯系聚胺基甲酸酯彈性體等。胺基甲酸酯系彈性體可單獨使用1種或可組合2種以上使用。本實施形態中，基於容易大幅延伸之觀點，胺基甲酸酯彈性體較佳為聚醚系聚胺基甲酸酯彈性體。 作為長鏈多元醇之例，舉例為內酯系聚酯多元醇及己二酸酯系聚酯多元醇等之聚酯多元醇；聚丙烯(乙烯)多元醇及聚四亞甲基醚二醇等之聚醚多元醇；聚碳酸酯多元醇等。本實施形態中，基於容易大幅延伸之觀點，長鏈多元醇較佳為己二酸酯系聚酯多元醇。

作為二異氰酸酯之例舉例為2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯及六亞甲基二異氰酸酯等。本實施形態中，基於容易大幅延伸之觀點，二異氰酸酯較佳為六亞甲基二異氰酸酯。 作為鏈延長劑舉例為低分子多元醇(例如1,4-丁烷二醇及1,6-己烷二醇等)及芳香族二胺等。該等中，基於容易大幅延伸之觀點，較佳使用1,6-己烷二醇。 作為烯烴系彈性體舉例為包含選自乙烯･α-烯烴共聚物、丙烯･α-烯烴共聚物、丁烯･α-烯烴共聚物、乙烯･丙烯･α-烯烴共聚物、乙烯･丁烯･α-烯烴共聚物、丙烯･丁烯･α-烯烴共聚物、乙烯･丙烯･丁烯･α-烯烴共聚物、苯乙烯･異戊二烯共聚物及苯乙烯･乙烯･丁烯共聚物所成之群之至少1種樹脂的彈性體。烯烴系彈性體可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

烯烴系彈性體之密度並未特別限定。例如烯烴系彈性體之密度較佳為0.860g/cm³ 以上、未達0.905 g/cm³ ，更佳為0.862g/cm³ 以上、未達0.900g/cm³ ，特佳為0.864g/cm³ 以上、未達0.895g/cm³ 。藉由使烯烴系彈性體之密度滿足上述範圍，基材於將作為被黏著體的半導體裝置貼附於黏著薄片時之凹凸追隨性等優異。 烯烴系彈性體於用以形成該彈性體之全部單體中，由烯烴系化合物所成之單體的質量比率(本說明書中亦稱為「烯烴含有率」)較佳為50質量%以上、100質量%以下。 烯烴含有率過度低之情況，作為包含源自烯烴之構造單位的彈性體之性質難以顯現，基材難以顯示柔軟性及橡膠彈性。 基於穩定地獲得柔軟性及橡膠彈性之觀點，烯烴含有率較佳為50質量%以上，更佳為60質量%以上。

作為苯乙烯系彈性體，舉例為苯乙烯-共軛二烯共聚物及苯乙烯-烯烴共聚物等。作為苯乙烯-共軛二烯共聚物之具體例，可舉例為苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物(SBS)、苯乙烯-丁二烯-丁烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物(SIS)、苯乙烯-乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物等之未氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物、苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯共聚物(SEPS，苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯共聚物之氫化物)及苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚物(SEBS，苯乙烯-丁二烯共聚物之氫化物)等之氫化苯乙烯-共軛二烯共聚物等。且，工業上，作為苯乙烯系彈性體，可舉例為Tufprene(旭化成股份有限公司製)、Clayton(日本Clayton聚合物股份有限公司製)、住友TPE-SB(住友化學股份有限公司製)、Epofriend(DAICEL股份有限公司製)、Rabaron (三菱化學股份有限公司製)、Septon(Kuraray股份有限公司製)及Tuftec(旭化成股份有限公司製)等之商品名。苯乙烯系彈性體可為氫化物，亦可為未氫化物。

作為橡膠系材料舉例為例如天然橡膠、合成異戊二烯橡膠(IR)、丁二烯橡膠(BR)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、氯丁二烯橡膠(CR)、丙烯腈-丁二烯共聚合橡膠(NBR)、丁基橡膠(IIR)、鹵化丁基橡膠、丙烯酸橡膠、胺基甲酸酯橡膠及多硫化橡膠等。橡膠系材料可單獨使用該等之1種或可組合2種以上使用。 第1基材11可為使如上述材料(例如熱塑性彈性體或橡膠系材料)所成之薄膜複數層合而成之層合薄膜。又，第1基材11亦可為使如上述材料(例如熱塑性彈性體或橡膠系材料)所成之薄膜與其他薄膜層合而成之層合薄膜。 第1基材11亦可於以上述樹脂系材料為主材料之薄膜內含有添加劑。作為添加劑之具體例與第1基材11之說明舉例之添加劑相同。作為添加劑舉例為例如顏料、染料、難燃劑、可塑劑、抗靜電劑、滑劑及填料等。作為顏料，例示為例如二氧化鈦及碳黑等。又，作為填料舉例為如三聚氰胺樹脂之有機系材料、如發煙氧化矽之無機系材料及如鎳粒子之金屬系材料。薄膜內可含有之添加劑含量並未特別限定，但較佳侷限於第1基材11可發揮期望機能之範圍。

第1基材11亦可於第1基材11之單面或兩面上實施用以提高與層合於第1基材11表面之第1黏著劑層12之密著性的處理。 第1黏著劑層12含有能量線硬化性黏著劑時，第1基材11較佳對於能量線具有透過性。使用紫外線作為能量線時，第1基材11較佳對紫外線具有透過性。使用電子束作為能量線時，第1基材11較佳具有電子束之透過性。 第1基材11之厚度只要能使第1薄片10於期望步驟中適當發揮機能，則未特別限定。第1基材11之厚度較佳為20μm以上，更佳為40μm以上。又，第1基材11之厚度較佳為250μm以下，更佳為200μm以下。

又，於第1基材11之第1基材表面或第1基材背面之面內方向以2cm間隔測定複數部位厚度之際的第1基材11之厚度標準偏差較佳為2μm以下，更佳為1.5μm以下，又更佳為1μm以下。藉由該標準偏差為2μm以下，第1薄片10具有精度高的厚度，可使第1薄片10均一延伸。 於23℃下之第1基材11之MD方向及CD方向之拉伸彈性模數分別為10MPa以上350MPa以下，於23℃下之第1基材11之MD方向及CD方向之100%應力較佳分別為3MPa以上20MPa以下。 藉由使拉伸彈性模數及100%應力為上述範圍，可使第1薄片10大幅延伸。

第1基材11之100%應力係如下獲得之值。自第1基材11切出150mm(長度方向)×15mm(寬度方向)大小的試驗片。切出之試驗片長度方向兩端以捏夾具間長度成為100mm之方式由捏夾具捏住。以捏夾具捏住試驗片後，以速度200mm/min於長度方向拉伸，讀取捏夾具間長度成為200mm時之拉伸力測定值。第1基材11之100%應力係將讀取之拉伸力測定值除以基材截面積而得之值。第1基材11之截面積係以寬度方向15mm×第1基材11(試驗片)之厚度而算出。該切出係以基材製造時之行進方向(MD方向)或與MD方向正交之方向(CD方向)與試驗片長度方向一致之方式進行。又，該拉伸試驗中，試驗片厚度並未特別限定，可與成為試驗對象之基材厚度相同。 於23℃下之第1基材11之MD方向及CD方向之斷裂伸長度較佳分別為100%以上。 藉由使第1基材11之MD方向及CD方向之斷裂伸長度分別為100%以上，而不會產生斷裂，可使第1薄片10大幅延伸。

基材之拉伸彈性模數(MPa)及基材之斷裂伸長度(%)可如下測定。將基材裁斷為15mm×140mm獲得試驗片。針對該試驗片，依據JIS K7161:2014及 JIS K7127:1999，測定於23℃下之斷裂伸長度及拉伸彈性模數。具體而言，將上述試驗片以拉伸試驗機(島津製作所股份有限公司製，製品名「Autograph AG-IS 500N」)，設定為夾具間距離100mm後，以200mm/min之速度進行拉伸試驗，測定斷裂伸長度(%)及拉伸彈性模數(MPa)。又，測定係於基材製造時之行進方向(MD)及與其直角方向(CD)之兩者進行。

・第1黏著劑層 第1黏著劑層12只要可於擴展步驟等之期望步驟中發揮適當機能，則其構成材料並未特別限定。作為第1黏著劑層12中所含之黏著劑舉例為例如橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑及胺基甲酸酯系黏著劑。

・能量線硬化性樹脂(ax1) 第1黏著劑層12較佳含有能量線硬化性樹脂(ax1)。能量線硬化性樹脂(ax1)於分子內具有能量線硬化性雙鍵。 含有能量線硬化性樹脂之黏著劑層係藉由能量線照射而硬化且使黏著力降低。欲分離被黏著體與黏著薄片時，藉由對黏著劑層照射能量線，可容易分離。 能量線硬化性樹脂(ax1)較佳為(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(ax1)較佳為紫外線硬化性樹脂，更佳為紫外線硬化性之(甲基)丙烯酸系樹脂。 能量線硬化性樹脂(ax1)係受到能量線照射時聚合硬化之樹脂。作為能量線舉例為例如紫外線及電子束等。 作為能量線硬化性樹脂(ax1)之例舉例為具有能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能單體、多官能單體、單官能寡聚物及多官能寡聚物)。能量線硬化性樹脂(ax1)具體而言，係使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯及1,6-己烷二醇二丙烯酸酯等之丙烯酸酯，二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯及異冰片基丙烯酸酯等之含環狀脂肪族骨架之丙烯酸酯，以及聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧改質丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及依康酸寡聚物等之丙烯酸酯系化合物。能量線硬化性樹脂(ax1)可單獨使用1種或組合2種以上使用。 能量線硬化性樹脂(ax1)之分子量通常為100以上30000以下，較佳為300以上10000以下左右。

・(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 第1黏著劑層12較佳進而含有(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。(甲基)丙烯酸系共聚物與前述能量線硬化性樹脂(ax1)不同。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)較佳具有能量線硬化性之碳-碳雙鍵。亦即，本實施形態中，第1黏著劑層12較佳含有能量線硬化性樹脂(ax1)及能量線硬化性之(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)。 第1黏著劑層12較佳相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 100質量份以10質量份以上之比例，更佳以20質量份以上之比例，又更佳以25質量份以上之比例含有能量線硬化性樹脂(ax1)。 第1黏著劑層12較佳相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 100質量份以80質量份以下之比例，更佳以70質量份以下之比例，又更佳以60質量份以下之比例含有能量線硬化性樹脂(ax1)。

(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬以上，更佳為15萬以上，又更佳為20萬以上。 又，(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之重量平均分子量(Mw)較佳為150萬以下，更佳為100萬以下。 又，本說明書中之重量平均分子量(Mw)係藉由凝膠滲透層析法(GPC法)測定之標準聚苯乙烯換算之值。 (甲基)丙烯酸系共聚物(b1)較佳為於側鏈導入有具有能量線硬化性之官能基(能量線硬化性基)之(甲基)丙烯酸酯共聚物(b2)(以下有時稱為「能量線硬化性聚合物(b2)」)。

・能量線硬化性聚合物(b2) 能量線硬化性聚合物(b2)較佳係具有含官能基之單體單位之丙烯酸系共聚物(b21)與具有與該官能基鍵結之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應而得之共聚物。 本說明書中，所謂(甲基)丙烯酸酯意指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯之兩者。其他類似用語亦相同。 丙烯酸系共聚物(b21)較佳含有自含官能基之單體導出之構成單位與自(甲基)丙烯酸酯單體或(甲基)丙烯酸酯單體之衍生物導出之構成單位。 作為丙烯酸系共聚物(b21)之構成單位的含官能基單體較佳係於分子內具有聚合性雙鍵與官能基之單體。官能基較佳為自羥基、羧基、胺基、取代胺基及環氧基等之群選擇之至少任一種官能基。

作為含羥基之單體舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等。含羥基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。 作為含羧基之單體舉例為丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。 作為含胺基之單體或含取代胺基之單體舉例為例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯及(甲基)丙烯酸正丁胺基乙酯等。含胺基之單體或含取代胺基之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。

作為構成丙烯酸系共聚物(b21)之(甲基)丙烯酸酯單體，除了烷基之碳數為1以上20以下之(甲基)丙烯酸烷酯以外，較佳使用分子內具有脂環式構造之單體(含脂環式構造之單體)。 作為(甲基)丙烯酸烷酯，較佳為烷基之碳數為1以上18以下之(甲基)丙烯酸烷酯。作為(甲基)丙烯酸烷酯舉例為例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯。作為(甲基)丙烯酸烷酯可單獨使用1種或組合2種以上使用。 作為含脂環式構造之單體較佳使用例如(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸金剛烷酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯及(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯等。含脂環式構造之單體可單獨使用1種或組合2種以上使用。

丙烯酸系共聚物(b21)較佳以1質量%以上之比例含有自上述含官能基單體導出之構成單位，更佳以5質量%以上之比例含有，又更佳以10質量%以上之比例含有。 且，丙烯酸系共聚物(b21)較佳以35質量%以下之比例含有自上述含官能基單體導出之構成單位，更佳以30質量%以下之比例含有，又更佳以25質量%以下之比例含有。 再者，丙烯酸系共聚物(b21)較佳以50質量%以上之比例含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之構成單位，更佳以60質量%以上之比例含有，又更佳以70質量%以上之比例含有。 且，丙烯酸系共聚物(b21)較佳以99質量%以下之比例含有自(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物導出之構成單位，更佳以95質量%以下之比例含有，又更佳以90質量%以下之比例含有。

丙烯酸系共聚物(b21)係藉由使如上述之含官能基單體與(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物以常用方法共聚合而獲得。 丙烯酸系共聚物(b21)除上述單體以外，亦可含有自二甲基丙烯醯胺、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯等所成之群選擇之至少任一者之構成單位。 具有上述含官能基之單體單位的丙烯酸系共聚物(b21)藉由與具有鍵結於該官能基之官能基的含不飽和基之化合物(b22)反應，而獲得能量線硬化性聚合物(b2)。 含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基可對應於丙烯酸系共聚物(b21)具有之含官能基單體單位之官能基種類適當選擇。例如丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基為羥基、胺基或取代胺基之情況，作為含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基較佳為異氰酸酯基或環氧基，丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基為環氧基之情況，作為含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基較佳為胺基、羧基或氮丙啶基。

含不飽和基之化合物(b22)於1分子中含有至少1個，較佳含1個以上6個以下，更佳含1個以上4個以下之能量線聚合性碳-碳雙鍵。 作為含不飽和基之化合物(b22)舉例為例如異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯(甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯)、異氰酸間-異丙烯基-α,α-二甲基苄酯、異氰酸甲基丙烯醯酯、異氰酸烯丙酯、異氰酸1,1-(雙丙烯醯氧基甲基)乙酯；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；二異氰酸酯化合物或聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物、(甲基)丙烯酸羥基乙酯反應而獲得之丙烯醯基單異氰酸酯化合物；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯；(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸2-(1-氮丙啶基)乙酯、2-乙烯基-2-噁唑啉、2-異丙烯基-2-噁唑啉等。

含不飽和基之化合物(b22)較佳相對於丙烯酸系共聚物(b21)之含官能基單體之莫耳數以50莫耳%以上之比例(加成率)使用，更佳以60莫耳%以上之比例使用，又更佳以70莫耳%以上之比例使用。 且含不飽和基之化合物(b22)較佳相對於丙烯酸系共聚物(b21)之含官能基單體之莫耳數以95莫耳%以下之比例使用，更佳以93莫耳%以下之比例使用，又更佳以90莫耳%以下之比例使用。 丙烯酸系共聚物(b21)與含不飽和基之化合物(b22)之反應中，可對應於丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基與含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基之組合，適當選擇反應溫度、壓力、溶劑、時間、觸媒之有無及觸媒種類。藉此，使丙烯酸系共聚物(b21)具有之官能基與含不飽和基之化合物(b22)具有之官能基反應，於丙烯酸系共聚物(b21)之側鏈導入不飽和基，獲得能量線硬化性聚合物(b2)。 能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)較佳1萬以上，更佳為15萬以上，又更佳為20萬以上。 又，能量線硬化性聚合物(b2)之重量平均分子量(Mw)較佳150萬以下，更佳為100萬以下。

・光聚合起始劑(C) 第1黏著劑層12含有紫外線硬化性化合物(例如紫外線硬化性樹脂)時，第1黏著劑層12較佳含有光聚合起始劑(C)。 藉由使第1黏著劑層12含有光聚合起始劑(C)，可減少聚合硬化時間及光照射量。 光聚合起始劑(C)之具體例舉例為例如苯偶因化合物、苯乙酮化合物、醯基氧化膦化合物、二茂鈦化合物、噻噸酮化合物及過氧化物化合物。進而作為光聚合起始劑(C)舉例為例如胺或醌等之光增感劑等。 作為更具體之光聚合起始劑(C)舉例為例如1-羥基環己基苯基酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苄基苯硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、二聯苯醯、聯乙醯(diacetyl)、8-氯蒽醌及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦等。光聚合起始劑(C)可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。 光聚合起始劑(C)之調配量，相對於黏著性樹脂100質量份，較佳為0.01質量份以上10質量份以下，更佳為0.03質量份以上5質量份，又更佳為0.05質量份以上5質量份以下。

於黏著劑層中調配能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，光聚合起始劑(C)相對於能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份，較佳以0.1質量份以上之量使用，更佳以0.5質量份以上之量使用。 又，於黏著劑層中調配能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)時，光聚合起始劑(C)相對於能量線硬化性樹脂(ax1)及(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)之合計量100質量份，較佳以10質量份以下之量使用，更佳以6質量份以下之量使用。 第1黏著劑層12除上述成分以外，亦可調配其他適宜成分。作為其他成分舉例為例如交聯劑(E)。

・交聯劑(E) 作為交聯劑(E)，可使用與(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)等所具有之官能基具有反應性之多官能性化合物。 作為第1薄片10中之多官能性化合物之例舉例為異氰酸酯化合物、環氧化合物、胺化合物、三聚氰胺化合物、氮丙啶化合物、聯胺化合物、醛化合物、噁唑啉化合物、金屬烷氧化物化合物、金屬螯合化合物、金屬鹽、銨鹽及反應性酚樹脂等。 交聯劑(E)之調配量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1) 100質量份，較佳為0.01質量份以上，更佳為0.03質量份以上，又更佳為0.04質量份以上。 又，交聯劑(E)之調配量，相對於(甲基)丙烯酸系共聚物(b1)100質量份，較佳為8質量份以下，更佳為5質量份以下，又更佳為3.5質量份以下。

第1黏著劑層12之厚度並未特別限定。第1黏著劑層12之厚度例如較佳為10μm以上，更佳為20μm以上。又，第1黏著劑層12之厚度例如較佳為150μm以下，更佳為100μm以下。 第1薄片10之復原率較佳為70%以上，更佳為80%以上，又更佳為85%以上。第1薄片10之復原率較佳為100%以下。復原率若為上述範圍，則可大幅延伸黏著薄片。 復原率係自黏著薄片切出150mm(長度方向)×15mm(寬度方向)大小的試驗片，將長度方向兩端以捏夾具間長度成為100mm之方式由捏夾具捏住，隨後將捏夾具間之長度以200mm/min之速度拉伸至成為200mm，於捏夾具間長度擴張至200mm之狀態下保持1分鐘，隨後將捏夾具間之長度以200mm/min之速度於長度方向恢復至捏夾具間之長度成為100mm，於捏夾具間長度恢復至100mm之狀態下保持1分鐘，隨後以60mm/min之速度於長度方向拉伸，測定拉伸力之測定值顯示0.1N/15mm時之捏夾具間之長度，將自該長度減去初期之捏夾具間之長度100mm之長度設為L2(mm)，將自前述擴張狀態下之捏夾具間之長度200mm減去初期之捏夾具間之長度100mm之長度設為L1(mm)時，以下述數式(數2)算出。 復原率(%)={1-(L2÷L1)}×100       …(數2)

復原率為上述範圍時，意指即使黏著薄片大幅延伸後亦容易復原。一般，若具有降伏點之薄片延伸至降伏點以上，則薄片引起塑性變形，引起塑性變形之部分，即極端延伸之部分成為局部存在之狀態。此等狀態之薄片若進一步延伸，則自上述極端延伸之部分產生斷裂，或即使不產生斷裂亦會使擴展不均一。且，於分別將變形作為x軸，將伸長度作為y軸而作圖之應力-變形線圖中，即使係斜率dx/dy不成為自正值變化為0或負值之應力值，且不顯示明確降伏點之薄片，亦隨著拉伸量變大而引起薄片塑性變形，同樣會產生斷裂或擴展不均一。另一方面，於不產生塑性變形而產生彈性變形之情況，藉由卸除應力而薄片容易恢復至原來形狀。因此，藉由使表示以充分大的拉伸量的100%伸長後恢復至何種程度之指標的復原率為上述範圍，於大幅延伸黏著薄片之際，可將薄膜之塑性變形抑制於最小限度，而難以產生斷裂，且可進行均一擴展。

(剝離薄片) 亦可於第1薄片10之表面貼附剝離薄片。剝離薄片具體而言係貼附於第1薄片10之第1黏著劑層12表面。剝離薄片藉由貼附於第1黏著劑層12表面而於輸送及保管時保護第1黏著劑層12。剝離薄片係可剝離地貼附於第1薄片10，於使用第1薄片10之前，自第1薄片10剝離去除。 剝離薄片係使用至少一面經剝離處理之剝離薄片。具體舉例為例如具備剝離薄片用基材與於該基材表面上塗佈剝離劑而形成之剝離劑層的剝離薄片。 作為剝離薄片用基材較佳為樹脂薄膜。作為構成作為剝離薄片用基材之樹脂薄膜之樹脂舉例為例如聚對苯二甲酸以二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂及聚萘二甲酸乙二酯樹脂等之聚酯樹脂薄膜，以及聚丙烯樹脂及聚乙烯樹脂等之聚烯烴樹脂等。 作為剝離劑舉例為例如矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂等。 剝離薄片之厚度並未特別限制，但較佳為10μm以上200μm以下，更佳為20μm以上、150μm以下。

(黏著薄片之製造方法) 作為第1薄片10及其他本說明書中記載之黏著薄片之製造方法並未特別限制，可藉由習知方法製造。 例如，設於剝離薄片上之黏著劑層貼合於基材單面，可製造於黏著劑層表面貼附有剝離薄片之黏著薄片。且，設於剝離薄片上之緩衝層與基材貼合，去除剝離薄片，而獲得緩衝層與基材之層合體。而且，設於剝離薄片上之黏著劑層貼合於層合體之基材側，可製造於黏著劑層表面貼附剝離薄片之黏著薄片。又，於基材兩面上設置緩衝層時，黏著劑層係形成於緩衝層上。貼附於黏著劑層表面之剝離薄片於黏著薄片使用前適當剝離並去除即可。 作為黏著薄片之製造方法之更具體一例舉例為如下方法。首先，調製構成黏著劑層之黏著性組成物及根據期望進而含有溶劑或分散介質之塗佈液。其次，藉由塗佈機構將塗佈液塗佈於基材一面上形成塗膜。作為塗佈機構，舉例為例如模嘴塗佈器、簾流塗佈器、噴霧塗佈器、狹縫塗佈器及刮刀塗佈器等。其次，藉由使該塗膜乾燥，可形成黏著劑層。塗佈液若可進行塗佈，則其性狀並未特別限定。塗佈液亦有含有用以形成黏著劑層之成分作為溶質之情況，亦有含有用以形成黏著劑層之成分作為分散介質之情況。同樣，亦可於基材單面或緩衝層上直接塗佈黏著劑組成物，形成黏著劑層。 又，作為黏著薄片之製造方法之更具體另一例，舉例如下方法。首先，於前述剝離薄片之剝離面上塗佈塗佈液而形成塗膜。其次使塗膜乾燥形成由黏著劑層與剝離薄片所成之層合體。其次，於該層合體之黏著劑層中與剝離薄片側之面相反側之面上貼附基材，亦可獲得黏著薄片與剝離薄片之層合體。該層合體中之剝離薄片亦可作為步驟材料予以剝離，於被黏著體(例如半導體晶片及半導體晶圓等)貼附於黏著劑層之前，可保護黏著劑層。

於塗佈液含有交聯劑之情況下，若藉由改變塗膜乾燥條件(例如溫度及時間等)，或藉由另外進行加熱處理，例如進行塗膜內之(甲基)丙烯酸系共聚物與交聯劑之交聯反應，而於黏著劑層內以期望存在密度形成交聯構造即可。為了充分進行該交聯反應，於藉由上述方法等於基材上層合黏著劑層後，所得黏著薄片亦可進行於例如23℃、相對濕度50%之環境下靜置數天之養生。 第1薄片10之厚度較佳為30μm以上，更佳為50μm以上。第1薄片10之厚度較佳為400μm以下，更佳為300μm以下。

(第2黏著薄片) 本實施形態之第2黏著薄片20具有第2基材21與第2黏著劑層22。第2黏著劑層22層合於第2基材21。 ・第2基材 本實施形態之第2基材21只要於切割步驟等之期望步驟中發揮適當機能，則其構成材料未特別限定。 第2基材21較佳由以樹脂系之材料為主要材料之薄膜構成。作為以樹脂系之材料為主要材料之薄膜舉例為例如乙烯系共聚合薄膜、聚烯烴系薄膜、聚氯乙烯系薄膜、聚酯系薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜及氟樹脂薄膜。 ・第2黏著劑層 第2黏著劑層22只要於切割步驟等之期望步驟中發揮適當機能，則其構成材料未特別限定。 作為第2黏著劑層22，較佳為由例如自丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、橡膠系黏著劑及矽氧系黏著劑所成之群中選擇之至少一種黏著劑所構成，更佳為以丙烯酸系黏著劑構成。 第2黏著劑層22亦可由非能量線硬化性黏著劑構成，亦可由能量線硬化性黏著劑層構成。

[本實施形態之效果] 依據本實施形態之擴展方法，拉伸第1薄片10之際，半導體晶片CP之電路面W1不與第1薄片10之第1黏著劑層12接觸。半導體晶片CP之各者中，由於電路面W1與第1黏著劑層12之間介隔於切割步驟中經單片化之保護層100，故即使拉伸第1薄片10，與電路面W1接觸之保護層100亦不拉長。其結果，依據本實施形態之擴展方法，可抑制殘糊。 又，本實施形態之擴展方法中使用之黏著薄片均係由基材與黏著劑層所成之簡易構成。又，實施擴展步驟之前，由於將實施切割步驟之際使用之黏著薄片貼換為擴展步驟用之黏著薄片，故並無必要於切割步驟中慎重地控制切入深度以使切割刀片不到達至切割薄片之基材。 因此，依據本實施形態之擴展方法，與以往相比，可使黏著薄片構成及製程簡略化且可抑制殘糊。 再者，可提供包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。

[第2實施形態] 其次，針對本發明之第2實施形態加以說明。 第1實施形態與第2實施形態主要於如下方面不同。第1實施形態中於加工對象物(半導體晶圓W)之第1對象加工物面(電路面W1)設置保護層，相對於此，第2實施形態中，藉由將加工對象物(半導體晶圓W)之第2加工對象物面(背面W3)黏貼於具有保護層與第3薄片之複合薄片之該保護層，而於加工對象物設置保護層。 以下說明中，主要以與第1實施形態之不同部分加以說明，針對重複之說明則省略或簡略化。與第1實施形態相同之構成賦予相同符號並省略或簡略化說明。

圖6(圖6A、圖6B及圖6C)及圖7(圖7A、圖7B及圖7C)係說明包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法的剖面概略圖。 本實施形態之擴展方法具備如下步驟(PX1)~(PX5)之步驟。 (PX1)將加工對象物黏貼於具有保護層與第3薄片之複合薄片之該保護層之步驟。 (PX2)自加工對象物的第1加工對象物面側切入切口，切斷晶圓，進而至少切斷保護層而單片化為複數半導體裝置之步驟。第1加工對象物面成為半導體裝置之電路面，第2加工對象物面成為半導體裝置之背面。 (PX3)以保護層殘留於半導體裝置之背面之狀態，剝離第3薄片之步驟。 (PX4)於半導體裝置之背面側的保護層上黏貼第1薄片之步驟。 (PX5)拉伸第1薄片並擴展複數半導體裝置之間隔的步驟。 (複合薄片) 圖6A係顯示本實施形態所用之複合薄片130之剖面概略圖。 複合薄片130具有保護層100A與第3薄片30。複合薄片130於切割半導體晶圓W之際保持半導體晶圓W。半導體晶圓W係背面W3朝向複合薄片130之保護層100A而黏貼。

(保護層) 複合薄片130之保護層100A係層合於第3薄片30上。保護層100A若可黏貼於作為加工對象物的半導體晶圓W及作為半導體裝置之半導體晶片CP之背面W3(半導體裝置之背面)，而保護背面W3，則並未特別限定。作為保護層100A舉例為例如保護膜及保護薄片。保護層100A之厚度較佳為1μm以上，更佳為5μm以上。保護層100A之厚度較佳為500μm以下，更佳為300μm以下。 作為保護層100A，例如可為與第1實施形態中說明之保護層100同樣的保護層。 (第3薄片) 複合薄片130之第3薄片30係支持保護層100A之構件。第3薄片30若可支持保護層100A，則其構成材料並未特別限定。本實施形態之步驟(PX3)中，為了以保護層100A殘留於半導體晶片CP之背面W3之狀態剝離第3薄片30，第3薄片30較佳以可自保護層100A剝離之材質等構成。 針對複合薄片130之更詳細例將於後述。

[複合薄片之黏貼步驟] 圖6B係用以說明步驟(PX1)之圖。圖6B中記載黏貼有複合薄片130之半導體晶圓W。本實施形態中半導體晶圓W亦較佳係藉由經過背面研磨步驟所得之晶圓。該步驟(PX1)有時稱為複合薄片之黏貼步驟。 如後述，步驟(PX2)中，半導體晶圓W藉由切割而單片化為複數半導體晶片CP。本實施形態中，切割半導體晶圓W之際，為了保持半導體晶圓W，而於背面W3黏貼複合薄片130。半導體晶圓W係背面W3朝向複合薄片130之保護層100而黏貼。 本實施形態中，以露出電路面W1之狀態進行製程之態樣為例加以說明，但作為其他態樣之例，舉例為例如於電路面W1黏貼與保護層100A不同的保護薄片或保護膜等之保護構件之狀態進行製程的態樣。

[切割步驟] 圖6C係用以說明步驟(PX2)之圖。步驟(PX2)有時稱為切割步驟。圖6C中，顯示由複合薄片130保持之複數半導體晶片CP。 於背面W3黏貼複合薄片130之狀態的半導體晶圓W藉由切割而單片化，形成複數半導體晶片CP。作為第1半導體裝置面之電路面W1相當於晶片之電路面。作為第2半導體裝置面之背面W3相當於晶片背面。 本實施形態中，自電路面W1側切入切口，切斷半導體晶圓W，進而切斷複合薄片130之至少保護層100A。 切割之際的切斷深度若為可使半導體晶圓W及保護層100A單片化之深度則未特別限定。本實施形態中，以未切入至第3薄片30之態樣為例加以說明，但本發明不限於此等態樣。例如於另一實施形態中，基於確實切斷半導體晶圓W及保護層100A之觀點，亦可藉由切割，以深至到達第3薄片30之深度形成切口。

[第3薄片之剝離步驟] 圖7A係用以說明步驟(PX3)之圖。步驟(PX3)有時稱為第3薄片之剝離步驟。圖7A中顯示於切割步驟後經單片化之半導體晶片CP之背面W3上殘留保護層100A之狀態，剝離第3薄片30之步驟。 作為複合薄片130之一態樣，於第3薄片30上直接層合保護層100A之情況下，於第3薄片之剝離步驟中，較佳於保護層100A與第3薄片30之界面剝離。剝離第3薄片時，獲得於背面W3黏貼保護層100A之複數半導體晶片CP。 自保護層100A剝離第3薄片30之際的剝離力較佳為10mN/25mm以上、2000mN/25mm以下。藉由將自保護層100A剝離第3薄片30之際的剝離力設為10mN/25mm以上，獲得切割時之半導體晶片保持性優異之效果。藉由將自保護層100A剝離第3薄片30之際的剝離力設為2000 mN/25mm以下，獲得切割後之半導體晶片之拾取性優異之效果。自保護層100A剝離第3薄片30之際的剝離力更佳為30 mN/25mm以上、1000mN/25mm以下，又更佳為50mN/ 25mm以上、500mN/25mm以下。

[第1薄片之黏貼步驟] 圖7B係用以說明步驟(PX4)之圖。步驟(PX4)有時稱為第1薄片之黏貼步驟。圖7B中顯示藉由切割步驟所得之複數半導體晶片CP上黏貼有第1薄片10之狀態。本實施形態之第1薄片10與第1實施形態所用之第1薄片10相同。 本實施形態中，第1薄片10黏貼於複數半導體晶片CP之背面W3側時，獲得於複數半導體晶片CP與第1薄片10之第1黏著劑層之間介隔晶單片化之保護層100A之層合構造。

[擴展步驟] 圖7C係用以說明步驟(PX5)之圖。步驟(PX5)有時稱為擴展步驟。圖7C中顯示於黏貼第1薄片10之後，將第1薄片10拉伸，擴大複數半導體晶片CP之間隔的狀態。 本實施形態之擴展步驟中，拉長第1薄片10之方法與第1實施形態相同。本實施形態中，複數半導體晶片CP之間隔D1由於亦依存於半導體晶片CP之大小，故未特別限定。相鄰半導體晶片CP之相互間隔D1較佳為200μm以上。又該半導體晶片CP之相互間隔上限並未特別限定。該半導體晶片CP之相互間隔上限可為例如6000μm。

[第1轉印步驟] 本實施形態中，擴展步驟之後，黏貼於第1薄片10之複數半導體晶片CP亦可實施與第1實施形態相同的轉印至第6黏著薄片之步驟(以下有時稱為「第1轉印步驟」)。 本實施形態中實施轉印步驟時，較佳例如於擴展步驟之後，將第6黏著薄片60黏貼於複數半導體晶片CP之電路面W1，隨後，自背面W3剝離第1薄片10及保護層100A。第1薄片10及保護層100A亦可一起自背面W3剝離，亦可先剝離第1薄片10後自背面W3剝離保護層100A。自背面W3剝離保護層100A之步驟有時稱為保護層之剝離步驟。 保護層100A之剝離步驟之後，亦較佳維持擴展步驟中擴張之複數半導體晶片CP間之間隔D1。

自背面W3剝離保護層100A之際，基於抑制於背面W3之殘糊之一觀點，保護層100A較佳含有第1能量線硬化性樹脂。保護層100A含有第1能量線硬化性樹脂之情況下，對保護層100A照射能量線，使第1能量線硬化性樹脂硬化。使第1能量線硬化性樹脂硬化時，保護層100A之凝集力提高，可使保護層100A與半導體晶片CP之背面W3之間的黏著力降低或消失。作為能量線，舉例為例如紫外線(UV)或電子束(EB)等，較佳為紫外線。因此，第1能量線硬化性樹脂較佳為紫外線硬化型之樹脂。 基於第1薄片10及保護層100A一起自背面W3剝離之一觀點，第1薄片10具備第1黏著劑層12之情況，第1黏著劑層12較佳含有第2能量線硬化性樹脂。於保護層100A含有第1能量線硬化性樹脂且第1黏著劑層12含有第2能量線硬化性樹脂之情況下，自第1基材11側對第1黏著劑層12及保護層100A照射能量線，使第2能量線硬化性樹脂及第1能量線硬化性樹脂硬化。作為用以使第2能量線硬化性樹脂硬化之能量線舉例為例如紫外線(UV)或電子束(EB)等，較佳為紫外線。因此，第2能量線硬化性樹脂較佳為紫外線硬化型之樹脂。第1基材11較佳具有能量線之透過性。 又，作為與本實施形態不同之態樣，亦可不自半導體晶片CP之背面W3剝離保護層100A，作為用以保護半導體晶片CP之背面W3之保護膜使用。保護層100A作為背面W3之保護膜使用之情況，保護層100A較佳含有硬化性之黏著劑組成物。

[密封步驟及其他步驟] 本實施形態中，亦可與第1實施形態同樣，實施密封步驟以及其他步驟(再配線層形成步驟及與外部端子電極之連接步驟)。 (複合薄片) 本實施形態之一態樣中，亦較佳複合薄片130之保護層100A為第3黏著劑層，第3薄片30為第3基材。亦即，複合薄片130係具有第3基材與第3黏著劑層之黏著薄片，較佳第3基材與第3黏著劑層之間可剝離。

・第3基材 本實施形態之第3基材只要於期望步驟中可發揮適當機能，則其構成材料未特別限定。第3基材為支持第3黏著劑層之構件。 第3基材為例如樹脂薄膜。作為樹脂薄膜係使用例如自聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺基甲酸酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯･(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯･(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜及氟樹脂薄膜所成之群中選擇之至少任一種薄膜。且，作為第3基材，亦使用該等之交聯薄膜。再者，第3基材亦可為該等之層合薄膜。 又，第3基材例如亦可為硬質支持體。硬質支持體之材質只要考慮機械強度及耐熱性適當決定即可。 硬質支持體之材質舉例為例如SUS等之金屬材料；玻璃、矽晶圓等之非金屬無機材料；環氧、ABS、丙烯酸、工程塑膠、超級工程塑膠、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺等之樹脂材料；玻璃環氧樹脂等之複合材料等，該等中，較佳為SUS、玻璃及矽晶圓。作為工程塑膠舉例為尼龍、聚碳酸酯(PC)及聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等。作為超級工程塑膠舉例為聚苯硫醚(PPS)、聚醚碸(PES)及聚醚醚酮(PEEK)等。

第3基材之厚度並未特別限定。第3基材之厚度較佳為20μm以上50mm以下，更佳60μm以上20mm以下。藉由將第3基材厚度設為上述範圍，於第3基材為樹脂薄膜之情況下，由於第3薄片30具有充分可撓性，故對於加工對象物(工件)顯示良好貼附性。作為加工對象物為例如晶圓或半導體元件，作為更具體之例，為半導體晶圓或半導體晶片等。第3基材為硬質支持體時，硬質支持體厚度只要考慮機械強度及處理性等適當決定即可。硬質支持體之厚度為例如100μm以上50mm以下。

・第3黏著劑層 第3黏著劑層只要於期望步驟中可發揮適當機能，則其構成材料未特別限定。 第3黏著劑層之一態樣中，較佳為由例如自丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚酯系黏著劑、橡膠系黏著劑及矽氧系黏著劑所成之群中選擇之至少一種黏著劑所構成，更佳為以丙烯酸系黏著劑構成。 第3黏著劑層之一態樣中，較佳含有自外部接受能量線而硬化之硬化性黏著劑組成物。作為自外部供給之能量，舉例為例如紫外線、電子束及熱等。第3黏著劑層較佳含有紫外線硬化型黏著劑及熱硬化型黏著劑之至少任一種。第3基材具備耐熱性之情況，由於可抑制熱硬化時之殘存應力發生，故黏著劑層較佳為含有熱硬化型黏著劑之熱硬化性黏著劑層。

第3黏著劑層例如含有第一接著劑組成物。第一接著劑組成物含有黏合劑聚合物成分(A)及硬化性成分(B)。 (A)黏合劑聚合物成分 為了對第3黏著劑層賦予充分黏著性及造膜性(薄片形成性)，而使用黏合劑聚合物成分(A)。作為黏合劑聚合物成分(A)，可使用以往習知之丙烯酸聚合物、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸胺基甲酸酯樹脂、矽氧樹脂、橡膠系聚合物等。 黏合劑聚合物成分(A)之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬以上200萬以下，更佳為10萬以上120萬以下。本說明書中，重量平均分子量(Mw)係藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography；GPC)法測定之標準聚苯乙烯換算值。 作為黏合劑聚合物成分(A)較佳使用丙烯酸聚合物。丙烯酸聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃以上、50℃以下，更佳為-50℃以上、40℃以下，又更佳為-40℃以上、30℃以下之範圍。

作為構成上述丙烯酸聚合物之單體舉例為(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。例如烷基之碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯，具體舉例為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。又，舉例為具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，具體為(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸醯亞胺酯等。進而作為具有官能基之單體舉例為具有羥基之(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯等；此外，舉例為具有環氧基之(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。丙烯酸聚合物於含有具有羥基之單體的丙烯酸聚合物由於與後述之硬化性成分(B)的相溶性良好故而較佳。又，上述丙烯酸聚合物亦可共聚合有例如自丙烯酸、甲基丙烯酸、依康酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈及苯乙烯所成之群選擇之至少1種。 再者，作為黏合劑聚合物成分(A)，亦可調配用以保持硬化後之第3黏著劑層的膜之可撓性之熱塑性樹脂。作為此等熱塑性樹脂較佳為重量平均分子量為1000以上10萬以下之樹脂，更佳為3000以上8萬以下之樹脂。熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度較佳為-30℃以上120℃以下，更佳為 -20℃以上120℃以下。作為熱塑性樹脂舉例為聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯氧基樹脂、聚丁烯、聚丁二烯或聚苯乙烯等。該等熱塑性樹脂可單獨使用1種或組合2種以上使用。

(B)硬化性成分 硬化性成分(B)係使用熱硬化性成分及能量線硬化性成分中之至少任一種成分。作為硬化性成分(B)亦可使用熱硬化性成分及能量線硬化性成分。 作為熱硬化性成分係使用熱硬化樹脂及熱硬化劑。作為熱硬化樹脂較佳為環氧樹脂。 作為環氧樹脂可使用以往習知之環氧樹脂。作為環氧樹脂具體舉例為多官能系環氧樹脂，或雙酚A二縮水甘油醚或其氫化物、鄰甲酚酚醛清漆環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、伸苯骨架型環氧樹脂等之分子中具有2官能以上之環氧化合物。該等可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。 第3黏著劑層中，相對於黏合劑聚合物成分(A)100質量份，熱硬化樹脂較佳含有1質量份以上1000質量份以下，更佳為10質量份以上500質量份以下，又更佳為20質量份以上200質量份以下。熱硬化性樹脂含量若為1質量份以上，則可抑制無法獲得充分黏著性之缺點。熱硬化性樹脂之含量若為1000質量份以下，則可防止第3黏著劑層與第3基材之剝離力變得過高。若防止該剝離力變得過高，則可防止第3黏著劑層對半導體晶片CP之背面W3的轉印不良。

熱硬化劑係作為對於熱硬化樹脂，尤其是環氧樹脂之硬化劑發揮機能。作為較佳之熱硬化劑，舉例為1分子中具有2個以上可與環氧基反應之官能基之化合物。作為可與環氧基反應之官能基舉例為酚性羥基、醇性羥基、胺基、羧基及酸酐基等。該等中，較佳為酚性羥基、胺基及酸酐基等，又更佳為酚性羥基及胺基。 作為酚性硬化劑之具體例舉例為多官能系酚樹脂、雙酚、酚醛清漆型酚樹脂、二環戊二烯系酚樹脂、Xyloc型酚樹脂及芳烷基酚樹脂。作為胺系硬化劑之具體例舉例為DICY(二氰二醯胺)。該等熱硬化劑可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。 熱硬化劑之含量，相對於熱硬化樹脂100質量份，較佳為0.1質量份以上500質量份以下，更佳為1質量份以上200質量份以下。 第3黏著劑層含有熱硬化性成分作為硬化性成分(B)時，第3黏著劑層具有熱硬化性。該情況，可藉由加熱第3黏著劑層而硬化，但本實施形態之第1薄片10中，於第3基材具有耐熱性之情況下，於第3黏著劑層熱硬化之際，不易於基材產生殘存應力而產生缺陷。

作為能量線硬化性成分，可使用包含能量線聚合性基，於接受紫外線、電子束等之能量線照射時聚合硬化之低分子化合物(能量線聚合性化合物)。作為此等能量線硬化性成分具體舉例為三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯系寡聚物、環氧改質丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及依康酸寡聚物等之丙烯酸系化合物。此等化合物於分子內具有至少1個聚合性雙鍵，通常重量平均分子量為100以上30000以下，較佳為300以上10000以下。能量線聚合性化合物之調配量，相對於黏合劑聚合物成分(A) 100質量份，較佳為1質量份以上1500質量份以下，更佳為10質量份以上500質量份以下，又更佳為20質量份以上200質量份以下。 又，作為能量線硬化性成分，只要使用於黏合劑聚合物成分(A)之主鏈或側鏈鍵結能量線聚合性基而成之能量線硬化型聚合物即可。此等能量線硬化型聚合物兼具作為黏合劑聚合物成分(A)之機能與作為硬化性成分(B)之機能。

能量線硬化型聚合物之主骨架並未特別限定，可為作為黏合劑聚合物成分(A)而廣泛使用之丙烯酸聚合物，且亦可為聚酯、聚醚等，但基於容易合成及控制物性，較佳以丙烯酸聚合物為主骨架。 鍵結於能量線硬化型聚合物之主鏈或側鏈之能量線聚合性基為例如包含能量線聚合性之碳-碳雙鍵之基，具體可例示為(甲基)丙烯醯基等。能量線聚合性基亦可經由伸烷基、伸烷氧基、聚伸烷氧基鍵結於能量線硬化型聚合物。 鍵結有能量線聚合性基之能量線硬化型聚合物之重量平均分子量(Mw)較佳為1萬以上200萬以下，更佳為10萬以上150萬以下。且，能量線硬化型聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為-60℃以上50℃以下，更佳為-50℃以上40℃以下，又更佳為-40℃以上30℃以下。 能量線硬化型聚合物係由例如含有官能基之丙烯酸聚合物與含聚合性基之化合物反應而得。作為該含有官能基之丙烯酸聚合物所具有之官能基舉例為例如羥基、羧基、胺基、取代胺基及環氧基等。該含有聚合性基之化合物係每1分子具有1~5個與丙烯酸聚合物所具有之該取代基反應之取代基與能量線聚合性碳-碳雙鍵之含聚合性基之化合物。作為與該官能基反應之取代基舉例為異氰酸酯基、縮水甘油基及羧基等。

作為含聚合性基之化合物舉例為(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間-異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、烯丙基異氰酸酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯及(甲基)丙烯酸等。 丙烯酸聚合物較佳為具有羥基、羧基、胺基、取代胺基及環氧基等之官能基之(甲基)丙烯酸單體或其衍生物與可與其共聚合之其他(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物而成之共聚物。 作為具有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等之官能基之(甲基)丙烯酸單體或其衍生物舉例為例如具有羥基之(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯；具有羧基之丙烯酸、甲基丙烯酸、依康酸；具有環氧基之甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸縮水甘油酯等。 作為可與上述(甲基)丙烯酸單體共聚合之其他(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物舉例為例如烷基之碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯，具體舉例為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。 作為可與上述(甲基)丙烯酸單體共聚合之其他(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物舉例為具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯，具體為(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸二環戊酯、丙烯酸二環戊烯酯、丙烯酸二環戊烯氧基乙酯及丙烯酸醯亞胺酯等。又，上述丙烯酸聚合物亦可共聚合有例如自乙酸乙烯酯、丙烯腈及苯乙烯所成之群選擇之至少任1種。

即使使用能量線硬化型聚合物之情況，亦可併用前述能量線聚合性化合物，且亦可併用黏合劑聚合物成分(A)。本實施形態中之第3黏著劑層中之該等三者的調配量關係，係相對於能量線硬化型聚合物及黏合劑聚合物成分(A)之質量合計100質量份，能量線聚合性化合物較佳為1質量份以上1500質量份以下，更佳為10質量份以上500質量份以下，又更佳為20質量份以上200質量份以下。 藉由對第3黏合劑層賦予能量線硬化性，可使第3黏合劑層簡便且於短時間硬化，而提高附硬化性黏著劑層之晶片的生產效率。硬化黏著劑層可作為用以保護半導體元件之保護膜發揮機能。以往，晶片等之半導體元件用之保護膜一般係藉由環氧樹脂等之熱硬化樹脂而形成，但熱硬化樹脂之硬化溫度超過200℃，且硬化時間需要2小時左右，成為提高生產效率上的阻礙。然而，能量線硬化性之黏著劑層由於藉由照射能量線而於短時間硬化，故可簡便地形成保護膜，可助於提高生產效率。

・其他成分 第3黏著劑層除了上述黏合劑聚合物成分(A)及硬化性成分(B)以外，可含有下述成分。 (CX)著色劑 第3黏著劑層於一態樣中含有著色劑(CX)。藉由於第3黏著劑層中調配著色劑，於使第3黏著劑層硬化成為半導體晶片CP之保護膜時，於將半導體裝置組裝於機器之際，保護膜會遮蔽自周圍裝置發生之紅外線等，可防止半導體裝置因該等紅外線等所致之誤動作。又，於使含有著色劑(CX)之第3黏著劑層硬化所得之硬化黏著劑層(保護膜)上列印製品編號等之際的文字視認性提高。亦即於形成有保護膜之半導體裝置或半導體晶片，通常藉由雷射標記法(利用雷射光削除保護膜表面而進行印字之方法)於保護膜表面上列印產品編號等。藉由保護膜含有著色劑(CX)，可充分獲得保護膜之藉由雷射光削除之部分與未被削除之部分之對比差，提高視認性。作為著色劑(CX)係使用有機顏料、無機顏料、有機染料及無機染料之至少任一者。作為著色劑(CX)，基於電磁波或紅外線遮蔽性之觀點較佳為黑色顏料。作為黑色顏料係使用碳黑、氧化鐵、二氧化錳、苯胺黑及活性碳等，但不限定於該等。基於提高半導體裝置之信賴性之觀點，作為著色劑(CX)特佳為碳黑。著色劑(CX)可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。本實施形態中之第3黏著劑層之高硬化性尤其於使用使可見光及紅外線之至少任一者與紫外線之兩者的透過性降低之著色劑，而降低紫外線之透過性之情況下，可較佳地發揮。作為使可見光及紅外線之至少任一者與紫外線之兩者的透過性降低之著色劑，除上述黑色顏料以外，若為於可見光及紅外線之至少任一者與紫外線之兩者的波長區域具有吸收性或反射性之著色劑，則未特別限定。 著色劑(CX)之調配量，相對於構成第3黏著劑層之全固形分100質量份，較佳為0.1質量份以上35質量份以下，更佳為0.5質量份以上25質量份以下，又更佳為1質量份以上15質量份以下。

(D)硬化促進劑 硬化促進劑(D)係為了調整第3黏著劑層之硬化速度而使用。硬化促進劑(D)尤其較佳使用於於硬化性成分(B)中併用環氧樹脂與熱硬化劑之情況。 作為較佳之硬化促進劑舉例為三伸乙基二胺、苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲胺基乙醇、三(二甲胺基甲基)苯酚等之3級胺類；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等之咪唑類；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等之有機膦類；四苯基鏻四苯基硼酸鹽、三苯基膦四苯基硼酸鹽等之四苯基硼酸鹽等。該等硬化促進劑可單獨使用1種或可混合2種以上使用。 硬化促進劑(D)相對於硬化性成分(B) 100質量份，較佳以0.01質量份以上10質量份以下，更佳0.1質量份以上1質量份以下之量含有。

(EX)偶合劑 偶合劑(EX)係為了提高第3黏著劑層對半導體元件之黏著性、密著性及硬化性黏著劑層(保護膜)之凝集性之至少任一者而使用。又，藉由使用偶合劑(EX)，不損及使第3黏著劑層硬化所得之硬化黏著劑層(保護膜)之耐熱性，而可提高其耐水性。 作為偶合劑(EX)較佳使用具有與黏合劑聚合物成分(A)、硬化性成分(B)等所具有官能基反應之基的化合物。作為偶合劑(EX)，期望為矽烷偶合劑。作為此等偶合劑舉例為γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。該等偶合劑(EX)可單獨使用1種，或可混合2種以上使用。 偶合劑(EX)，相對於黏合劑聚合物成分(A)及硬化性成分(B)之合計100質量份，通常含有0.1質量份以上20質量份以下，更佳含有0.2質量份以上10質量份以下，又更佳含有0.3質量份以上5質量份以下之比例。

(F)無機填充材 藉由於第3黏著劑層中調配無機填充材(F)，可調整硬化後之硬化黏著劑層(保護膜)之熱膨脹係數。 作為較佳之無機填充材舉例為氧化矽、氧化鋁、滑石、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鐵、碳化矽及氮化硼等之粉末、將該等球形化之珠粒、單結晶纖維以及玻璃纖維等。該等無機填充材中，較佳為氧化矽填料及氧化鋁填料。上述無機填充材(F)可單獨使用1種，或可混合2種以上使用。無機填充材(F)之含量，相對於構成接著劑層之全固形分100質量份，通常可於1質量份以上80質量份以下之範圍內調整。

(G)光聚合起始劑 第3黏著劑層於含有能量線硬化性成分作為前述硬化性成分(B)之情況下，於其使用之際，照射紫外線等之能量線，使能量線硬化性成分硬化。此時，藉由於構成第3黏著劑層之組成物中含有光聚合起始劑(G)，可縮短聚合硬化時間，進而可減少光線照射量。 作為此等光聚合起始劑(G)具體舉例為二苯甲酮、苯乙酮、苯偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苯偶因異丁醚、苯偶因苯甲酸、苯偶因苯甲酸甲酯、苯偶因二甲基縮醛、2,4-二乙基噻噸酮、α-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆單硫醚、偶氮雙異丁腈、聯苯醯、二聯苯醯、聯乙醯、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基氧化膦及β-氯蒽醌等。光聚合起始劑(G)可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。 光聚合起始劑(G)之調配比例，相對於能量線硬化性成分100質量份，較佳含有0.1質量份以上10質量份以下，更佳含有1質量份以上5質量份以下。光聚合起始劑(G)之調配比例若為0.1質量份以上，則可防止因光聚合不足而無法獲得滿足之轉印性的缺陷。光聚合起始劑(G)之調配比例若為10質量份以下，則可防止生成無助於光聚合之殘留物而使第3黏著劑層之硬化性變不充分之缺陷。

(H)交聯劑 為了調節第3黏著劑層之初期黏著力及凝集力，亦可於第3黏著劑層中添加交聯劑。作為交聯劑(H)舉例為有機多元異氰酸酯化合物及有機多元亞胺化合物等。 作為上述有機多元異氰酸酯化合物，可舉例為芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物及該等之有機多元異氰酸酯化合物之三聚物、以及該等有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而得之末端異氰酸酯胺基甲酸酯預聚物等。 作為有機多元異氰酸酯化合物舉例為例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、三羥甲基丙烷加成甲苯二異氰酸酯及離胺酸異氰酸酯。 作為上述有機多元亞胺化合物舉例為N.N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-氮丙啶羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-氮丙啶羧醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。 相對於黏合劑聚合物成分(A)及能量線硬化型聚合物之合計100質量份，交聯劑(H)通常以0.01質量份以上20質量份以下之比例使用，更佳以0.1質量份以上10質量份以下之比例使用，又更佳以0.5質量份以上5質量份以下之比例使用。

(I)廣泛使用之添加劑 第3黏著劑層中除上述以外，亦可根據需要調配各種添加劑。作為各種添加劑舉例為調平劑、可塑劑、抗靜電劑、抗氧化劑、離子捕捉劑、聚集劑及鏈轉移劑等。 由如上述各成分所成之第3黏著劑層具有黏著性及硬化性，於未硬化狀態藉由按壓加工對象物(半導體晶圓或晶片等)可容易接著。又，第3黏著劑層可為單層構造，又只要含有1層以上含有上述成分之層則可為多層構造。 第3黏著劑層之厚度並未特別限定。第3黏著劑層之厚度較佳為3μm以上300μm以下，更佳為5μm以上250μm以下，又更佳為7μm以上200μm以下。 以上係有關第3黏合劑層之說明。

・剝離薄片 複合薄片130之表面可貼附剝離薄片。剝離薄片具體而言係貼附於複合薄片130之第3黏著劑層表面。剝離薄片藉由貼附於第3黏著劑層表面而於輸送時及保管時保護第3黏著劑層。剝離薄片係可剝離地貼附於複合薄片130，於複合薄片130使用之前，自複合薄片130剝離去除。 剝離薄片係使用至少一面經剝離處理之剝離薄片。具體而言，舉例為例如具備剝離薄片用基材與於該基材表面塗佈剝離劑而形成之剝離劑層的剝離薄片。 作為剝離薄片用基材較佳為樹脂薄膜。作為構成剝離薄片用基材之樹脂薄膜的樹脂舉例為例如聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂及聚萘二甲酸乙二酯樹脂等之聚酯樹脂薄膜，以及聚丙烯樹脂及聚乙烯樹脂等之聚烯烴樹脂等。 作為剝離劑舉例為例如矽氧系樹脂、烯烴系樹脂、異戊二烯系樹脂、丁二烯系樹脂等之橡膠系彈性體、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂及氟系樹脂等。 剝離薄片之厚度並未特別限制，但較好為10μm以上、200μm以下，更佳為20μm以上、150μm以下。

[本實施形態之效果] 依據本實施形態之擴展方法，拉伸第1薄片10之際，半導體晶片CP之背面W3不與第1薄片10之第1黏著劑層12接觸。半導體晶片CP之各者中，由於背面W3與第1黏著劑層之間介隔於切割步驟中經單片化之保護層100A，故即使拉伸第1薄片10，與背面W3接觸之第1黏著劑層12亦不拉長。其結果，依據本實施形態之擴展方法，可抑制殘糊。 又，本實施形態中，切割步驟之際，半導體晶圓W並未被切割薄片支持，而被複合薄片130支持。因此，為了形成用以保護切割後之半導體晶片CP之背面W3之層(本實施形態中為保護層100A)，亦可不實施自切割步驟所用之黏著薄片換貼為另一黏著薄片之步驟，若於保護層100A與第3薄片30之間剝離，則可形成用以保護背面W3之層。 再者，於實施擴展步驟之前，為了將自實施切割步驟之際所用之黏著薄片換貼為擴展步驟用之黏著薄片，並無必要慎重控制切入深度以使切割步驟中切割刀片不會到達至切割薄片之基材。 因此，依據本實施形態之擴展方法，與以往相比，可使膠帶構成及製程簡略化且可抑制殘糊。 再者，可提供包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。

[第3實施形態] 其次，針對本發明之第3實施形態加以說明。 第1實施形態與第3實施形態主要於如下方面不同。 第1實施形態中於加工對象物(半導體晶圓W)之第1對象加工物面(電路面W1)設置保護層，於切割步驟後、擴展步驟之前，自切割薄片(第2黏著薄片20)換貼為擴展薄片(第1薄片)。相對於此，第3實施形態中，藉由將加工對象物(半導體晶圓W)之第2加工對象物面(背面W3)黏貼於具有保護層與第1薄片之複合薄片之該保護層，而於加工對象物設置保護層，於切割步驟之後，將第1薄片換貼為另一薄片而實施擴展步驟。 以下說明中，主要以與第1實施形態之不同部分加以說明，針對重複之說明則省略或簡略化。與第1實施形態相同之構成賦予相同符號並省略或簡略化說明。

本實施形態之擴展方法具備如下步驟(PY1) ~(PY3)之步驟。 (PY1)將加工對象物黏貼於具有保護層與第1薄片之複合薄片之該保護層之步驟。保護層為與加工對象物大致相同形狀。 (PY2)自加工對象物的第1加工對象物面側切入切口，切斷晶圓，進而至少切斷保護層而單片化為複數半導體裝置之步驟。第1加工對象物面成為半導體裝置之電路面，第2加工對象物面成為半導體裝置之背面。 (PY3)拉伸第1薄片並擴大複數半導體裝置之間隔的步驟。 圖8(圖8A、圖8B及圖8C)及圖9係說明包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法的剖面概略圖。

(複合薄片) 圖8A係顯示本實施形態所用之複合薄片140之剖面概略圖。 複合薄片140具有保護層100B與第1薄片10。複合薄片140於切割半導體晶圓W之際保持半導體晶圓W，實施擴展步驟。半導體晶圓W係背面W3朝向複合薄片140之保護層100B而黏貼。 黏貼於背面W3之第1薄片10及保護層100B較佳為預先層合之層合型複合薄片140。

(保護層) 複合薄片140之保護層100B係層合於第1薄片10上。保護層100B若可黏貼於作為加工對象物的半導體晶圓W及作為半導體裝置之半導體晶片CP之背面W3(半導體裝置之背面)，而保護背面W3，則並未特別限定。 本實施形態中，保護層100B與半導體晶圓W之背面W3大致為相同形狀。保護層100B之形狀較佳為可覆蓋半導體晶圓W之背面W3的形狀。因此保護層100B較佳形成為與半導體晶圓W之背面W3為大致相同，或比背面W3稍大。 又，保護層100B較佳形成為於薄片之面方向上小於第1薄片10。第1薄片10之第1黏著劑層12中未層合保護層100B之部分可貼附環狀框等之治具。 本實施形態之保護層100B由單層而成。又，保護層100B亦可為複數層層合而成之薄片。基於光線透過率之控制容易性及製造成本之觀點，保護層100B較佳由單層而成。 保護層100B之厚度較佳為1μm以上，更佳為5μm以上。保護層100B之厚度較佳為500μm以下，更佳為300μm以下。 作為保護層100B舉例為例如保護膜及保護薄片。作為保護層100B，例如可為與第1實施形態中說明之保護層100同樣的保護層。又針對保護層100B之另一較佳態樣將於後述。

(第1薄片) 複合薄片140之第1薄片10係支持保護層100B之構件。第1薄片10若可支持保護層100B，則其構成材料並未特別限定。 複合薄片140之第1薄片10具有第1黏著劑層12與第1基材11。第1薄片10與第1實施形態之第1薄片10相同。 本實施形態中，第1薄片以可自保護層100B剝離之材質等構成之情況下，亦可以保護層100B殘留於半導體晶片CP之背面W3之狀態剝離第1薄片10。

[複合薄片之黏貼步驟] 圖8B係用以說明步驟(PY1)之圖。圖8B中記載黏貼有具有第1薄片10及保護層100B之複合薄片140之半導體晶圓W。本實施形態中半導體晶圓W亦較佳係藉由經過背面研磨步驟所得之晶圓。該步驟(PY1)有時稱為複合薄片之黏貼步驟。 如後述，步驟(PY2)中，半導體晶圓W藉由切割而單片化為複數半導體晶片CP。本實施形態中，切割半導體晶圓W之際，為了保持半導體晶圓W，而於背面W3黏貼複合薄片140。半導體晶圓W係背面W3朝向複合薄片140之保護層100而黏貼。由於保護層101B形成為與背面W3大致相同形狀，故可覆蓋背面W3。本實施形態中，半導體晶圓W與第1薄片10之間夾持保護層100B。 本實施形態中，以露出電路面W1之狀態進行製程之態樣為例加以說明，但作為其他態樣之例，舉例為例如於電路面W1黏貼與保護層100B不同的保護薄片或保護膜等之保護構件之狀態進行製程的態樣。 又，於背面W3黏貼第1薄片10及保護層100B之步驟不限定於使用層合型複合薄片140之態樣，亦可為例如於半導體晶圓W之背面W3黏貼保護層100B之後，將第1薄片10貼合於保護層100B之態樣。

[切割步驟] 圖8C係用以說明步驟(PY2)之圖。步驟(PY2)有時稱為切割步驟。圖8C中，顯示由第1薄片10保持之複數半導體晶片CP。 於背面W3黏貼第1薄片10及保護層101B之狀態的半導體晶圓W藉由切割而單片化，形成複數半導體晶片CP。 本實施形態中，自電路面W1側切入切口，切斷半導體晶圓W，進而切斷保護層100B，進而切口到達至第1黏著劑層12。藉由切割，亦可將保護層100B切斷為與半導體晶片CP相同大小。 切割之際的切斷深度若為可使半導體晶圓W及保護層100B單片化之深度則未特別限定。本實施形態中，以未切入至第1基材11之態樣為例加以說明，但本發明不限於此等態樣。例如於另一實施形態中，基於更確實切斷半導體晶圓W及保護層100B之觀點，亦可藉由切割，以深至到達第1基材11之深度形成切口。又，切口亦可不到達第1黏著劑層12，而切斷保護層101B。 本實施形態中，藉由切割步驟，獲得於半導體晶片CP之背面W3側，於複數半導體晶片CP與第1薄片10之第1黏著劑層12之間介隔經單片化之保護層100B之層合構造。

[擴展步驟] 圖9係用以說明步驟(PY3)之圖。步驟(PY3)有時稱為擴展步驟。圖9中顯示於切割步驟之後，將第1薄片10拉伸，擴大複數半導體晶片CP之間隔的狀態。 本實施形態之擴展步驟中，拉長第1薄片10之方法與第1實施形態相同。本實施形態中，複數半導體晶片CP之間隔D1由於亦依存於半導體晶片CP之大小，故未特別限定。相鄰半導體晶片CP之相互間隔D1較佳為200μm以上。又該半導體晶片CP之相互間隔上限並未特別限定。該半導體晶片CP之相互間隔上限可為例如6000μm。 [轉印步驟、密封步驟及其他步驟] 本實施形態中，與第1實施形態或第2實施形態同樣，亦可實施轉印步驟、密封步驟及其他步驟(再配線層形成步驟及與外部端子電極之連接步驟)。

(保護層) 保護層100B之一態樣，較佳由未硬化之硬化性接著劑形成。該情況下，於保護層100B重疊半導體晶圓W等之加工對象物(工件)後藉由使保護層100B硬化，可將保護層100B之硬化物(保護膜)強固接著於加工對象物，可對於半導體晶片CP等之半導體裝置形成具有耐久性之保護膜。 保護層100B較佳於常溫具有黏著性，或藉由加熱發揮黏著性。藉此，於如上述之保護層100B上重疊半導體晶圓W等之加工對象物時，可將兩者貼合。因此，使保護層100B硬化前可確實進行定位。 構成具有如上述特性之保護層100B之硬化性接著劑較佳含有硬化性成分與黏合劑聚合物成分。作為硬化性成分可使用熱硬化性成分、能量線硬化性成分或該等之混合物，但特佳使用熱硬化性成分。亦即，保護層100B較佳由熱硬化性接著劑構成。

作為熱硬化性成分舉例為例如環氧樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯并噁嗪樹脂等，以及該等之混合物。該等中，作為熱硬化性成分，較佳使用環氧樹脂、酚樹脂及該等之混合物。 環氧樹脂具有若接受加熱則進行三次元網狀化而形成強固被膜之性質。作為此等環氧樹脂，係使用過去以來習知之各種環氧樹脂。通常較佳為數平均分子量300~2000左右之環氧樹脂，更佳為數平均分子量300~500之環氧樹脂。再者，較佳使用將數平均分子量330~400之於常態下為液狀之環氧樹脂與數平均分子量400~2500(較佳數平均分子量500~2000)之於常溫為固體之環氧樹脂摻合成之摻合型環氧樹脂。且，環氧樹脂之環氧當量較佳為50g/eq~ 5000g/eq。又，環氧樹脂之數平均分子量可藉由使用GPC法之方法求出。 作為此等環氧樹脂具體可舉例為例如雙酚A、雙酚F、間苯二酚、苯基酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等之酚類之縮水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等之醇類的縮水甘油醚；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、四氫鄰苯二甲酸等之羧酸之縮水甘油醚；苯胺異氰脲酸酯等之鍵結於氮原子之活性氫經縮水甘油基取代之縮水甘油基型或烷基縮水甘油基型之環氧樹脂；乙烯基環己烷二環氧化物、3,4-環氧基環己基甲基-3,4-二環己烷羧酸酯、2-(3,4-環氧基)環己基-5,5-螺(3,4-環氧基)環己烷-間二噁烷等之分子內之碳-碳雙鍵藉由例如氧化而導入環氧基之所謂脂環型環氧化物。此外，亦可使用例如具有自聯苯骨架、二環己烷二烯骨架及萘骨架所成之群中選擇之至少1種骨架之環氧樹脂。

該等環氧樹脂之具體例中，作為環氧樹脂較佳使用雙酚系縮水甘油基型環氧樹脂、鄰-甲酚酚醛清漆型環氧樹脂及酚酚醛清漆型環氧樹脂。該等環氧樹脂可單獨使用1種，或可組合2種以上使用。 使用環氧樹脂之情況，較佳併用熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑作為助劑。所謂熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑係於室溫布與環氧樹脂反應，藉由某溫度以上之加熱而活化並與環氧樹脂反應之類型的硬化劑。熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑之活化方法存在有：藉由加熱之化學反應產生活性種(陰離子、陽離子)之方法；於室溫附近穩定分散於樹脂中並於高溫與環氧樹脂相溶、溶解，開始硬化反應之方法；以分子篩封入型之硬化劑於高溫溶出並開始硬化反應之方法；利用微膠囊之方法等。 作為熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑之具體例舉例為各種鎓鹽、二元酸聯醯肼化合物、二氰二醯胺、胺加成硬化劑、咪唑化合物等之高熔點活性氫化合物等。該等熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑可單獨使用1種，或可組合2種以上。如上述之熱活性型潛在性環氧樹脂硬化劑相對於環氧樹脂100重量份，較佳以0.1重量份以上20重量份以下，更佳以0.2重量份以上10重量份以下，又更佳以0.3重量份以上5重量份以下之比例使用

作為酚系樹脂可無特別限制地使用烷基酚、多元酚、萘酚等之酚類與醛類之縮合物等。具體而言使用例如酚酚醛清漆樹脂、鄰-甲酚酚醛清漆樹脂、對-甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚酚醛清漆樹脂、二環戊二烯甲酚樹脂、聚對乙烯酚樹脂、雙酚A型酚醛清漆樹脂或該等之改質物等。 該等酚系樹脂中所含之酚性羥基與上述環氧樹脂之環氧基藉由加熱而容易進行加成反應，可形成耐衝擊性高的硬化物。因此，亦可併用環氧樹脂與酚系樹脂作為熱硬化性成分。 黏合劑聚合物成分可對保護層100B賦予適度觸黏性。黏合劑聚合物成分之重量平均分子量(Mw)通常於5萬以上200萬以下，較佳10萬以上150萬以下，更佳20萬以上100萬以下之範圍。分子量過低時，保護層100B之薄膜形成變不充分，過高時與其他成分之相溶性變差，故結果妨礙均一薄膜形成。作為此等黏合劑聚合物成分係使用例如選自由丙烯酸系聚合物、聚酯樹脂、苯氧基樹脂、胺基假酸酯樹脂、矽氧樹脂及橡膠系聚合物所成之群中之至少1種樹脂，特佳使用丙烯酸聚合物。

作為丙烯酸系聚合物舉例為例如由(甲基)丙烯酸酯單體與自(甲基)丙烯酸衍生物導出之構成單位所成之(甲基)丙烯酸酯共聚物。此處，作為(甲基)丙烯酸酯單體較佳為烷基之碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯，例如使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯等。又作為(甲基)丙烯酸衍生物可舉例為(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸羥基乙酯等。 上述中，於使用甲基丙烯酸縮水甘油酯等作為構成單位之丙烯酸系聚合物中導入縮水甘油基時，與作為前述熱硬化性成分之環氧樹脂的相溶性提高，保護層100B之硬化後的玻璃轉移溫度(Tg)變高，耐熱性提高。又，上述中，於使用丙烯酸羥基乙酯等作為構成單位之丙烯酸系聚合物中導入羥基時，可控制對加工對象物之密著性或黏著物性。 使用丙烯酸系聚合物作為黏合劑聚合物之情況下之前述聚合物之重量平均分子量(Mw)較佳為10萬以上，更佳為15萬以上100萬以下。丙烯酸系聚合物之玻璃轉移溫度(Tg)通常為20℃以下，較佳為-70℃~0℃左右，丙烯酸系聚合物於常溫(23℃)下具有黏著性。 熱硬化性成分與黏合劑聚合物成分之調配比例，相對於黏合劑聚合物成分100重量份，熱硬化性成分較佳調配為50重量份以上1500重量份以下，更佳為70重量份以上1000重量份以下，又更佳為80重量份以上800重量份以下。以此等比例調配熱硬化性成分與黏合劑聚合物時，硬化前顯示適度觸黏，可穩定地進行貼附作業，且硬化後獲得被膜強度優異之保護膜。

保護層100B較佳含有著色劑及填料之至少任一者，特佳為含有著色劑及填料之兩者。 作為著色劑可使用例如無機系顏料、有機系顏料、有機系染料等之習知著色劑，但基於提高光線透過率之控制性之觀點，較佳著色劑含有有機系之著色劑。基於提高著色劑之化學安定性(具體例示為溶出容易性、產生色移容易性、經時變化少)之觀點，較佳著色劑係由顏料所成。 作為填料舉例為例如結晶氧化矽、熔融氧化矽、合成氧化矽等之氧化矽，或氧化鋁、玻璃中空球等之無機填料。該等無機填料中，作為填料較佳為氧化矽，更佳為合成氧化矽，較佳為極力去除成為半導體裝置誤作動要因之α線的線源之類型的合成氧化矽。作為填料之形狀，舉例為球形、針狀、不定形等，但較佳為球形，更佳為真球形。

又，保護層100B亦可含有偶合劑。藉由含有偶合劑，於保護層100B硬化後，可不損及保護膜之耐熱性，而可提高保護膜與加工對象物之接著性、密著性，同時可提高耐水性(耐濕熱性)。作為偶合劑，基於其廣泛利用性與成本效益等，較佳為矽烷偶合劑。 作為矽烷偶合劑舉例為γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-(甲基丙烯醯氧基丙基)三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-6-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-脲基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、雙(3-三乙氧基矽烷基丙基)四硫醚、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、咪唑矽烷等。作為矽烷偶合劑，該等矽烷偶合劑可單獨使用1種，或可混合2種以上使用。 為了調節硬化前之凝集力，保護層100B亦可含有有機多元異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物、有機金屬螯合化合物等之交聯劑。又，為了抑制靜電提高晶片之信賴性，保護層100B可含有抗靜電劑。進而，為了提高保護膜之難燃性能，提高作為封裝體之信賴性，保護層100B亦可含有磷酸化合物、溴化合物、磷系化合物等之難燃劑。 保護層100B之厚度並未特別限定。使保護層100B硬化作為保護膜使用之情況，為了有效發揮作為保護膜之機能，保護膜100B之厚度較佳為3μm以上、300μm以下，更佳為5μm以上、200μm以下，又更佳為7μm以上、100μm以下。

[本實施形態之效果] 依據本實施形態之擴展方法，拉伸第1薄片10之際，半導體晶片CP之背面W3不與第1薄片10之第1黏著劑層12接觸。半導體晶片CP之各者中，由於背面W3與第1黏著劑層之間介隔於切割步驟中經單片化之保護層100B，故即使拉伸第1薄片10，與背面W3接觸之保護層100B亦不拉長。其結果，依據本實施形態之擴展方法，可抑制殘糊。 又，本實施形態之擴展方法中，保護層100B與半導體晶圓W之背面W3為大致相同形狀，關於藉由切割而源自半導體晶圓W之端部側所形成之半導體晶片CP(外周側之半導體晶片)之背面W3，由於保護膜100B亦經單片化，故可充分擴張半導體晶片CP彼此之間隔。 又，本實施形態中，切割步驟之際，半導體晶圓W並未被切割薄片支持，而被具有第1薄片10及保護層100B之複合薄片140支持。因此，為了形成用以保護切割後之半導體晶片CP之背面W3之層(本實施形態中為保護層100B)，亦可不實施自切割步驟所用之黏著薄片換貼為另一黏著薄片之步驟，而可使製程簡略化。 再者，於實施擴展步驟之前，並無必要將自實施切割步驟之際所用之黏著薄片換貼為擴展步驟用之黏著薄片。 因此，依據本實施形態之擴展方法，與以往相比，可使製程簡略化且可充分擴張晶片彼此之間隔同時可抑制殘糊。 再者，可提供包含本實施形態之擴展方法的半導體裝置之製造方法。

[實施形態之變化] 本發明並非限定於上述實施形態。本發明在可達成本發明目的之範圍，包含使上述實施形態變化之態樣等。 例如半導體晶圓或半導體晶片中之電路等不限定於圖示之排列或形狀等。半導體封裝之與外部端子電極之連接構造等亦不限定於前述實施形態中說明之態樣。前述實施形態中，舉製造FO-WLP型半導體封裝之態樣為例加以說明，但本發明亦可適用於製造扇入型之WLP等之其他半導體封裝之態樣。 上述FO-WLP之製造方法亦可變更一部分步驟，亦可省略一部分步驟。 切割步驟中之切割，亦可替代使用上述之切斷機構，而對半導體晶圓照射雷射光而進行。例如，藉由照射雷射光，亦可使半導體晶圓完全分斷，而單片化為複數半導體晶片。該等方法中，雷射光之照射亦可自半導體晶圓之任一側進行。 第2實施形態中，作為複合薄片130，雖舉具有保護層100A與第3薄片30之態樣、或保護層100A為第3黏著劑層，第3薄片30為第3基材為例加以說明，但本發明不限定於該等態樣。例如亦可為於第3黏著劑層與第3基材之間具有剝離層之黏著薄片。剝離層較佳使用第1實施形態之說明中的剝離薄片同樣的材料而構成。 實施例

以下舉實施例進一步詳細說明本發明。本發明並未限定於該等實施例。 (黏著薄片之製作) [實施例1] 使丙烯酸丁酯(BA)62質量份、甲基丙烯酸甲酯(MMA) 10質量份及丙烯酸2-羥基乙酯(2HEA)28質量份共聚合，獲得丙烯酸系共聚物。調製對該丙烯酸系共聚物，加成甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯(昭和電工股份有限公司製，製品名「CURRANTS MOI」(註冊商標))之樹脂(丙烯酸A)之溶液(黏著劑主劑，固形分35.0質量%)。加成率對於丙烯酸系共聚物之2HEA 100莫耳%，甲基丙烯酸2-異氰酸酯基乙酯為90莫耳%。 所得樹脂(丙烯酸A)之重量平均分子量(Mw)為60萬，Mw/Mn為4.5。藉由凝膠滲透層析(GPC)法，測定標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量Mw及數平均分子量Mn，自各測定值求出分子量分佈(Mw/Mn)。 於該黏著劑主劑中添加UV樹脂A(10官能胺基甲酸酯丙烯酸酯，三菱化學股份有限公司製，製品名「UV-5806」，Mw=1740，包含光聚合起始劑)及作為交聯劑之甲苯二異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺基甲酸酯工業股份有限公司製，製品名「CORONATE L」)。對於黏著劑主劑中之固形分100質量份，添加50質量份之UV樹脂A，添加0.2質量份交聯劑。添加後，攪拌30分鐘，調製黏著劑組成物A1。

其次，將所調製之黏著劑組成物A1的溶液塗佈於聚對苯二甲酸乙二酯(PET)系剝離薄膜(LINTEC股份有限公司製，製品名「SP-PET381031」，厚38μm)並乾燥，於剝離薄膜上形成厚40μm之黏著劑層。 對該黏著劑層貼合作為基材之聚酯系聚胺基甲酸酯彈性體薄片(SHEEDOM股份有限公司製，製品名「HIGRESS DUS202」，厚100μm)後，切除寬度方向之端部不要部分，製作黏著薄片SA1。

(晶片間隔之測定方法) 將實施例1所得之黏著薄片切斷為210mm×210mm獲得試驗用薄片。此時，以裁斷後之薄片各邊成為與黏著薄片之基材MD方向平行或垂直之方式進行裁斷。 藉由以下所示順序準備黏貼於黏著薄片的半導體晶片。將作為保護層之薄片(實施例中，有時稱為保護薄片)黏貼於6吋矽晶圓上。使用LINTEC股份有限公司製之「E-3125KL」(製品名)作為保護薄片。其次自保護薄片側切割6吋矽晶圓，以使3mm×3mm大小之晶片於X軸方向成為5行，及Y軸方向成為5行之方式，切出計25個晶片。於晶片各者黏貼經切割之保護薄片。 剝離試驗用薄片之剝離薄膜，於露出之黏著劑層之中心部，貼附如上述切出之計25個晶片之保護薄片側。此時，晶片於X軸方向排列5行，及Y軸方向排列5行。 其次，將貼附有晶片之試驗用薄片設置於雙軸可延伸之擴展裝置(隔開裝置)。圖10中顯示說明該擴展裝置400之俯視圖。圖10中，X軸及Y軸處於互相正交之關係，將該X軸之正方向設為+X軸方向，該X軸之負方向設為-X軸方向，將該Y軸之正方向設為+Y軸方向，該Y軸之負方向設為-Y軸方向。試驗用薄片500以各邊與X軸或Y軸平行之方式，設置於擴展裝置400。其結果，試驗用薄片500中之基材MD方向與X軸或Y軸平行。又，圖10中省略晶片。

如圖10所示，擴展裝置400於+X軸方向、-X軸方向、+Y軸方向及-Y軸方向分別具備5個保持機構401(計20個保持機構401)。各方向中之5個保持機構401中，保持機構401A位於兩端，保持機構401C位於中央，保持機構401B位於保持機構401A與保持機構401C之間。試驗用薄片500之各邊藉由該等保持機構401抓持。 此處，如圖10所示，試驗薄片500之一邊為210mm。且各邊之保持機構401彼此之間隔為40mm。且，試驗用薄片500之一邊的端部(薄片之頂點)與存在於該邊之最接近該端部之保持機構401A之間隔為25mm。 接著，將與保持機構401分別對應之未圖示之複數張力賦予機構進行驅動，使保持機構401各獨立移動。以捏夾治具固定試驗用薄片之四邊，於X軸方向及Y軸方向分別以5mm/s之速度，以200mm之擴張量擴展試驗用薄片。隨後，藉由環狀框保持試驗用薄片500之擴張狀態。 以保持擴張狀態的狀態下，以數位顯微鏡測定各晶片間之距離，將各晶片間之距離平均值設為晶片間隔。 晶片間隔若為1800μm以上則判定為合格「A」，晶片間隔若未達1800μm則判定為不合格「B」。

(晶片排列性之測定方法) 測定上述經測定晶片間隔之工件之X軸及Y軸方向之相鄰晶片之自中心線之偏移率。 圖11顯示具體測定方法之概略圖。 選擇於X軸方向排列5個晶片之一行，於該行中，以數位顯微鏡測定晶片最上端與晶片最下端之距離Dy。基於下述數式(數3)算出Y軸方向之偏移率。Sy係Y軸方向之晶片大小，本實施例中設為3mm。 Y軸方向之偏移率[%]=[(Dy-Sy)/2]/Sy×100 …(數3) 針對於X軸方向排列5個晶片之其他四行，亦同樣算出Y軸方向之偏移率。 選擇於Y軸方向排列5個晶片之一行，於該行中，以數位顯微鏡測定晶片最左端與晶片最右端之距離Dx。基於下述數式(數4)算出X軸方向之偏移率。Sx係X軸方向之晶片大小，本實施例中設為3mm。 X軸方向之偏移率[%]=[(Dx-Sx)/2]/Sx×100 …(數4) 針對於Y軸方向排列5個晶片之其他四行，亦同樣算出X軸方向之偏移率。 數式(數3)及(數4)中，除以2之理由係將擴張後晶片自特定位置偏移之最大距離以絕對值表現之故。 X軸方向及Y軸方向之所有行(計10行)中，偏移率未達±10%時判定為合格「A」，若一行以上之行中為±10%以上時判定為不合格「B」。

(殘糊之評價方法) 以前述晶片間隔之測定方法所記載之條件擴展後，使用紫外線照射裝置(LINTEC股份有限公司製「RAD-2000 m/12」)，自實施例1之黏著薄片之與搭載晶片之面相反側之面以照度220mW/cm² 、光量460mJ/cm² 之條件照射紫外線。紫外線照射後，以吸附台保持晶片，剝離黏著薄片。剝離黏著薄片後，以光學顯微鏡觀察黏貼有黏著薄片之晶片表面。於晶片表面未觀察到殘糊之情況判定為合格「A」，觀察到殘糊之情況判定為不合格「B」。 使用實施例1之黏著薄片擴展後，晶片間隔之評價結果為合格「A」判定，晶片排列性之評價結果為合格「A」判定。 晶片與實施例之黏著薄片之間介隔保護薄片並使黏著薄片擴展後，晶片表面之殘糊評價結果為合格「A」判定。

3:密封體 3A:面 10:第1薄片 11:第1基材 12:第1黏著劑層 20:第2黏著薄片 21:第2基材 22:第2黏著劑層 30:第3薄片 50:第5黏著薄片 51:第5基材 52:第5黏著劑層 60:第6黏著薄片 61:第6基材 62:第6黏著劑層 100,100A,100B:保護層 130,140:複合薄片 300:密封構件 400:擴展裝置 401,401A,401B,401C:保持機構 500:試驗用薄片 W:半導體晶圓 W1:電路面 W2:電路 W3:背面 CP:半導體晶片 Sx:X軸方向之晶片大小 Sy:Y軸方向之晶片大小 Dx:晶片最左端與晶片最右端之距離 Dy:晶片最上端與晶片最下端之距離 D1:間隔

[圖1A] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖1B] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖1C] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖2A] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖2B] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖3] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖4A] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖4B] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖5A] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖5B] 係說明第1實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖6A] 係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖6B] 係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖6C] 係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖7A] 係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖7B] 係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖7C] 係說明第2實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖8A] 係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖8B] 係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖8C] 係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖9] 係說明第3實施形態之製造方法之剖面圖。 [圖10] 係說明實施例所用之雙軸延伸擴展裝置之俯視圖。 [圖11] 係用以說明晶片排列性之測定方法之概略圖。

10:第1薄片

11:第1基材

12:第1黏著劑層

100:保護層

W1:電路面

W2:電路

W3:背面

CP:半導體晶片

D1:間隔

Claims (12)

1. 一種擴展方法，其包含將黏貼有複數個半導體裝置之第1薄片拉伸，而擴大前述複數個半導體裝置之間隔的步驟，前述複數個半導體裝置之各者具有第1半導體裝置面及前述第1半導體裝置面之相反側的第2半導體裝置面，前述複數個半導體裝置之各者係藉由於前述第1半導體裝置面或前述第2半導體裝置面與前述第1薄片之間包含保護層而黏貼，前述第1薄片的100%伸長後的復原率為70%以上、100%以下。
2. 如請求項1之擴展方法，其中，於前述第1半導體裝置面形成前述保護層後，將前述複數個半導體裝置黏貼於前述第1薄片。
3. 如請求項1之擴展方法，其中，將加工對象物切割，獲得前述複數個半導體裝置。
4. 如請求項3之擴展方法，其中，於前述加工對象物形成前述保護層，將前述加工對象物及前述保護層切割，獲得前述複數個半導體裝置。
5. 如請求項4之擴展方法，其中，將形成有前述保護層之前述加工對象物黏貼於具有第2黏著劑層及第2基材之第2黏著薄片之前述第2黏著劑層上， 將前述保護層及前述加工對象物切割，獲得前述複數個半導體裝置，於切割後之前述保護層黏貼前述第1薄片。
6. 如請求項5之擴展方法，其中，於切割後之前述保護層黏貼前述第1薄片後，將前述第2黏著薄片剝離。
7. 如請求項3之擴展方法，其中，將前述加工對象物黏貼於具有前述保護層及第3薄片之複合薄片之前述保護層上，將前述加工對象物及前述保護層切割，獲得前述複數個半導體裝置，自前述保護層剝離前述第3薄片。
8. 如請求項3之擴展方法，其中，前述保護層與前述第1薄片係預先層合，前述加工對象物由前述保護層予以支持，將前述加工對象物及前述保護層切割，獲得前述複數個半導體裝置。
9. 如請求項3之擴展方法，其中，前述加工對象物為半導體晶圓。
10. 如請求項1之擴展方法，其中，前述第1薄片為擴展薄片。
11. 如請求項1至10中任一項之擴展方法，其中，前述第1半導體裝置面具有電路。
12. 一種半導體裝置之製造方法，其包含如請求項1至11中任一項之擴展方法。

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