TWI848994B - 蓄電裝置及蓄電裝置的工作方法 - Google Patents

蓄電裝置及蓄電裝置的工作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI848994B
TWI848994B TW108138117A TW108138117A TWI848994B TW I848994 B TWI848994 B TW I848994B TW 108138117 A TW108138117 A TW 108138117A TW 108138117 A TW108138117 A TW 108138117A TW I848994 B TWI848994 B TW I848994B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
voltage
transistor
circuit unit
insulator
oxide
Prior art date
Application number
TW108138117A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202034601A (zh
Inventor
高橋圭
池田隆之
松嵜隆德
上妻宗廣
井上廣樹
田島亮太
門馬洋平
三上真弓
栗城和貴
山崎舜平
Original Assignee
日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 日商半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW202034601A publication Critical patent/TW202034601A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI848994B publication Critical patent/TWI848994B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/007—Regulation of charging or discharging current or voltage
    • H02J7/00712—Regulation of charging or discharging current or voltage the cycle being controlled or terminated in response to electric parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/02—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries for charging batteries from ac mains by converters
    • H02J7/04—Regulation of charging current or voltage
    • H02J7/06—Regulation of charging current or voltage using discharge tubes or semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
    • H01L29/78648—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate arranged on opposing sides of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/42—Methods or arrangements for servicing or maintenance of secondary cells or secondary half-cells
    • H01M10/48—Accumulators combined with arrangements for measuring, testing or indicating the condition of cells, e.g. the level or density of the electrolyte
    • H01M10/486—Accumulators combined with arrangements for measuring, testing or indicating the condition of cells, e.g. the level or density of the electrolyte for measuring temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/0029—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits
    • H02J7/0031—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries with safety or protection devices or circuits using battery or load disconnect circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/007—Regulation of charging or discharging current or voltage
    • H02J7/0071—Regulation of charging or discharging current or voltage with a programmable schedule
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/007—Regulation of charging or discharging current or voltage
    • H02J7/00712—Regulation of charging or discharging current or voltage the cycle being controlled or terminated in response to electric parameters
    • H02J7/007182—Regulation of charging or discharging current or voltage the cycle being controlled or terminated in response to electric parameters in response to battery voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
    • H02J7/00—Circuit arrangements for charging or depolarising batteries or for supplying loads from batteries
    • H02J7/007—Regulation of charging or discharging current or voltage
    • H02J7/007188—Regulation of charging or discharging current or voltage the charge cycle being controlled or terminated in response to non-electric parameters
    • H02J7/007192—Regulation of charging or discharging current or voltage the charge cycle being controlled or terminated in response to non-electric parameters in response to temperature
    • H02J7/007194—Regulation of charging or discharging current or voltage the charge cycle being controlled or terminated in response to non-electric parameters in response to temperature of the battery
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

提供一種新穎結構的電池控制電路、新穎結構的電池保護電路及包括該電池電路的蓄電裝置。提供一種蓄電裝置，包括第一電路部、第二電路部、第三電路部及二次電池，其中第一電路部具有控制二次電池的充電的功能，第一電路部具有對第三電路部傳送二次電池的充電的開始時刻及結束時刻的功能，第二電路部具有生成第一電壓及第一電流並將其供應給第三電路部的功能，第三電路部具有藉由對電容器充電第一電流，生成第二電壓的功能，並且第三電路部具有對第一電壓和第二電壓進行比較的功能。

Description

蓄電裝置及蓄電裝置的工作方法
本發明的一個實施方式係關於一種半導體裝置及半導體裝置的工作方法。另外，本發明的一個實施方式係關於電池控制電路、電池保護電路、蓄電裝置及電子裝置。
本發明的一個實施方式不限定於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。因此，明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子，可以舉出顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、攝像裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或這些裝置的製造方法。
[先前技術]
蓄電裝置(也稱為電池、二次電池)被應用於小型電子裝置、汽車等各種領域。隨著電池的應用範圍的擴大，利用將多個電池單元串聯連接的多單元結構的電池堆疊的應用增多。
蓄電裝置具備檢測出過放電、過充電、過電流或短路等充放電時的異常的電路。如此，在進行電池的保護及控制的電路中，為了檢測出充放電時的異常，取得電壓或電流等的資料。另外，在這種電路中，根據被觀察的資料，停止充放電或進行單元平衡等控制。
專利文獻1公開了被用作電池保護電路的保護IC。在專利文獻1所記載的保護IC中，公開了其內部設有多個比較器(Comparator)並對參考電 壓和連接有電池的端子的電壓進行比較來檢測出充放電時的異常的結構。
另外，在專利文獻2中公開了檢測出二次電池的微小短路的電池狀態檢測裝置及內藏它的電池組。
另外，在專利文獻3中公開了用來保護串聯連接的二次電池單元的組電池的保護用半導體裝置。
[專利文獻1]美國專利申請公開第2011-267726號說明書
[專利文獻2]日本專利申請公開第2010-66161號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第2010-220389號公報
本發明的一個實施方式的蓄電裝置較佳為檢測出微短路或微短路的預兆而提高二次電池的安全性。
微短路是指二次電池內部的極小的短路，不是由於二次電池的正極和負極之間發生短路而不能進行充放電的狀態，而是在極小的短路部分中短時間短路電流流過的現象。微短路的原因被估計為由於進行充放電多次而導致劣化，因此在電池內部析出鋰或鈷等的金屬元素，並且該析出物長大來在正極的一部分和負極的一部分局部發生電流的集中，由此產生隔離體的一部分不工作的部分或產生副反應產物。
為了實現二次電池的小型化，需要減薄隔離體，並且需要以高電壓進行高速供電的充電，在上述結構中，二次電池容易發生微短路。
從來，設備的設計者設定所使用的二次電池的上限電壓及下限電壓來控制外部輸出電流的上限。二次電池的下限電壓以上且上限電壓以下的範圍內是推薦使用的電壓的範圍內，保護電路等不執行其範圍內發生的微短路等異常檢測。因此，由於微短路反復出現暫時地流過的大電流，有可能導致二次電池的異常發熱及發火等的重大的事故。因而較佳為早期發現微短路。另外，為了減少該危險，對電池有控制充放電的需求。
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的電池控制電路、新穎的電池保護電路、蓄電裝置及電子裝置等。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是實現功耗的減少。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的結構的電池控制電路、電池保護電路、蓄電裝置及電子裝置等。
另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種檢測出二次電池的微短路或微短路的預兆並具有高安全性的蓄電裝置。
注意，本發明的一個實施方式的目的不侷限於上述目的。上述列舉的目的並不妨礙其他目的的存在。另外，其他目的是上面沒有提到而將在下面的記載中進行說明的目的。本領域技術人員可以從說明書或圖式等的記載中導出並適當抽出上面沒有提到的目的。注意，本發明的一個實施方式實現上述目的及/或其他目的中的至少一個目的。
(1)本發明的一個實施方式是一種蓄電裝置，包括：第一電路部；第二電路部；包括比較器及電容器的第三電路部；以及二次電池，其中第一電路部具有控制二次電池的充電的功能，第一電路部具有對第三電路部傳送二次電池的充電的開始的功能，第二電路部具有生成第一電壓及第一電流並將其供應給第三電路部的功能，第三電路部具有藉由對電容器充電第一電流，生成第二電壓的功能，比較器具有對第一電壓和第二電壓進行比較的功能。
(2)另外，在上述(1)的結構的蓄電裝置中，較佳的是，第二電路部轉換從第一電路部供應的數位信號並生成第一電壓，該第一電壓為類比信號。
(3)另外，在上述(1)或(2)的結構的蓄電裝置中，較佳的是，第三電路部包括電晶體，電晶體的通道形成區域包含銦、鋅及元素M，元素M為鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢及鎂中的一個以上的元素，比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個與電容器中的一個電極電連接，比較器的非反相輸入端子 及反相輸入端子中的另一個與電晶體的源極及汲極中的一個電連接，藉由使電晶體處於關閉狀態來使電晶體的源極及汲極中的一個保持第一電壓的功能。
(4)另外，在上述(1)、(2)或(3)的結構的蓄電裝置中，較佳的是，第三電路部包括第二電晶體，第二電晶體的通道形成區域包含銦、鋅及元素M，元素M為鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢及鎂中的一個以上的元素，第二電晶體的源極及汲極中的一個與電容器的一個電極電連接。
(5)另外，本發明的一個實施方式是一種蓄電裝置的工作方法，該蓄電裝置包括：第一電路部；第二電路部；第三電路部；以及二次電池，第一電路部具有控制二次電池的充電的功能，該蓄電裝置的工作方法包括在第二電路部中生成第一電壓及第一電流的第一步驟；將第一電壓及第一電流供應給第三電路部的第二步驟；對二次電池供應電流並開始充電的第三步驟；將傳送充電的開始的第一信號從第一電路部供應給第三電路部的第四步驟；第三電路部生成對應於從充電的開始時刻的經過時間的第二電壓的第五步驟；以及對第一電壓和第二電壓進行比較的第六步驟。
(6)另外，在上述(5)的蓄電裝置中，較佳的是，第三電路部包括電容器，在第五步驟中，第三電路部對電容器充電相當於第一電流和經過時間的積的電荷量，作為上述第二電壓得到上述電容器的兩端的電極的電位差。
(7)另外，根據上述(5)或(6)的工作方法的第一步驟，較佳的是，第二電路部轉換從第一電路部供應的數位信號並生成第一電壓，該第一電壓為類比信號。
(8)另外，根據上述(5)、(6)或(7)的工作方法，較佳的是，第三電路部包括比較器及電晶體，比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個與電晶體的源極及汲極中的一個電連接，在第二步驟中，對比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個供應第一電壓，在第三步驟至第六步驟中，藉由使電晶體處於關閉狀態來保持供應給比較器的非反相 輸入端子及反相輸入端子中的一個的第一電壓，在第五步驟中，對比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的另一個供應第二電壓。
(9)另外，根據上述(5)、(6)、(7)或(8)的工作方法，較佳的是，第三電路部包括電容器，由於第一信號開始對電容器的第一電流的充電，第二電壓對應於電容器的兩端的電位差。
(10)或者，本發明的一個實施方式是一種蓄電裝置的工作方法，該蓄電裝置包括：第一電路部；第二電路部；第三電路部；溫度感測器；以及二次電池，第一電路部包括運算電路及記憶體，第一電路部具有控制二次電池的充電的功能，該蓄電裝置還包括：對二次電池供應電流且在第一時刻開始第一充電的第一步驟；在第二時刻結束第一充電的第二步驟；將由溫度感測器測定的溫度、第一時刻及第二時刻供應給記憶體的第三步驟；在第一電路部中，使用記憶體所儲存的溫度、第一時刻及第二時刻藉由運算電路進行運算而決定第一電壓的大小的第四步驟；在第二電路部中，生成藉由運算決定大小的第一電壓及第一電流的第五步驟；對第三電路部供應第一電壓及第一電流的第六步驟；對二次電池供應電流且開始第二充電的第七步驟；將傳送第二充電的開始的第一信號從第一電路部供應給第三電路部的第八步驟；第三電路部生成對應於從充電的開始時刻的經過時間的第二電壓的第九步驟；對第一電壓和第二電壓進行比較的第十步驟，第一充電為CC充電，第二充電為CV充電。
另外，根據上述(10)的工作方法，較佳的是，第三電路部包括電容器，在第八步驟中，第三電路部對電容器充電相當於第一電流和經過時間的積的電荷量，作為第二電壓得到電容器的兩端的電極的電位差。
(12)另外，根據上述(10)或(11)的工作方法，較佳的是，在第五步驟中，第二電路部轉換從第一電路部供應的數位信號並生成第一電壓，第一電壓為類比信號。
另外，根據(10)、(11)或(12)的工作方法，較佳的是，第三電路部包括比較器及電晶體，比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個與電晶體的源極及汲極中的一個電連接，在第六步驟中，對比較器的非 反相輸入端子及反相輸入端子中的一個供應第一電壓，在第六步驟至第十步驟中，藉由使電晶體處於關閉狀態來保持供應給比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個的第一電壓，在第九步驟中，對比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的另一個供應第二電壓。
本發明的一個實施方式可以提供一種新穎的電池控制電路、新穎的電池保護電路、蓄電裝置及電子裝置等。另外，本發明的一個實施方式可以實現功耗的減少。另外，本發明的一個實施方式可以提供一種新穎的結構的電池控制電路、電池保護電路、蓄電裝置及電子裝置等。
另外，本發明的一個實施方式可以提供一種檢測出二次電池的微短路或微短路的預兆並具有高安全性的蓄電裝置。
注意，本發明的一個實施方式的效果不侷限於上述列舉的效果。上述列舉的效果並不妨礙其他效果的存在。其他效果是下面記載的在本節中未說明的效果。本領域技術人員可以從說明書或圖式等的記載導出並適當地抽出該在本節中未說明的效果。注意，本發明的一個實施方式至少具有上述列舉的效果及/或其他效果中的一個效果。因此，本發明的一個實施方式有時不具有上述列舉的效果。
Hi:信號
I:電流
IN:端子
IN1:端子
IN2:端子
Iref:電流
Iss1:電流
Iss2:電流
Iss3:電流
Lo:信號
OUT:端子
OUT2:端子
Q:信號
QB:信號
RESET:信號
RESETB:信號
VB:電壓
VC:電壓
VR:電壓
Vdd:高電位信號
Vin:電壓
Vref1:電壓
Vref2:高電位信號
Vref3:高電位信號
t1:時刻
t2:時刻
t3:時刻
t4:時刻
100:蓄電裝置
101:控制電路
102:基準生成電路
103:計時器電路
104:調節器
105:電源
106:計數器
121:二次電池
131:電阻器
137:保護電路
140:電晶體
150:電晶體
152:電晶體
153:電晶體
156:線圈
160:電容器
161:電容器
162:開關
163:恆定電流源
164:比較器
165:電晶體
166:開關
167:恆定電流源
168:開關
169:開關
170:恆定電流源
171:比較器
172:比較器
173:恆定電流源
174:電容器
175:電容器
178:NAND電路
179:NAND電路
181:電晶體
182:電晶體
183:電晶體
184:電晶體
185:電晶體
186:電晶體
187:電晶體
188:電晶體
190:電晶體
191:電流供應部
192:電流供應部
193:電流供應部
194:電晶體
195:電晶體
196:電晶體
197:電晶體
在圖式中：圖1是說明本發明的一個實施方式的方塊圖。
圖2A是說明本發明的一個實施方式的電路圖。圖2B是說明本發明的一個實施方式的電路圖。
圖3是示出本發明的一個實施方式的工作例子的流程圖。
圖4A是示出本發明的一個實施方式的工作例子的時序圖。圖4B是示出本發明的一個實施方式的工作例子的時序圖。
圖5A是說明本發明的一個實施方式的電路圖。圖5B是示出本發明的一個實施方式的工作例子的時序圖。
圖6A是說明本發明的一個實施方式的電路圖。圖6B是說明本發明的 一個實施方式的電路圖。
圖7是說明本發明的一個實施方式的電路圖。
圖8A是說明本發明的一個實施方式的電路圖。圖8B是說明本發明的一個實施方式的電路圖。
圖9是說明本發明的一個實施方式的電路圖。
圖10是說明本發明的一個實施方式的方塊圖。
圖11A是說明二次電池的充電方法的圖。圖11B是說明二次電池的充電方法的圖。圖11C是示出二次電池電壓及充電電流的例子的圖。
圖12A是說明二次電池的充電方法的圖。圖12B是說明二次電池的充電方法的圖。圖12C是說明二次電池的充電方法的圖。
圖13A是示出二次電池電壓及充電電流的例子的圖。圖13B是示出二次電池電壓及放電電流的例子的圖。
圖14是示出半導體裝置的結構例子的剖面圖。
圖15是示出半導體裝置的結構例子的剖面圖。
圖16A是示出電晶體的結構例子的剖面圖。圖16B是示出電晶體的結構例子的剖面圖。圖16C是示出電晶體的結構例子的剖面圖。
圖17A是示出記憶體的結構例子的方塊圖。圖17B是示出記憶單元的一個例子的圖。
圖18A是示出記憶單元陣列的結構例子的圖。圖18B是示出記憶單元的一個例子的圖。圖18C是示出記憶單元的一個例子的圖。
圖19A是示出記憶單元的一個例子的圖。圖19B是示出記憶體的結構例子的圖。
圖20A是示出電子構件的製程的流程圖。圖20B是電子構件的透視示意圖。
圖21A是示出二次電池的一個例子的圖。圖21B是示出二次電池的一個例子的剖面圖。圖21C是示出蓄電系統的一個例子的圖。圖21D是示出蓄電系統的一個例子的圖。
圖22A是示出二次電池組的外觀的一個例子的圖。圖22B是說明二次電池組的結構的一個例子的圖。圖22C是說明二次電池組的結構的一個例子的圖。
圖23A是說明本發明的一個實施方式的車輛的圖。圖23B是說明本發明的一個實施方式的車輛的圖。圖23C是說明本發明的一個實施方式的車輛的圖。
圖24A是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。圖24B是示出本發明的一個實施方式的蓄電系統的一個例子的圖。
圖25A是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。圖25B是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。圖25C是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。
圖26是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。
圖27A是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。圖27B是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。圖27C是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。圖27D是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。圖27E是說明本發明的一個實施方式的電子裝置的圖。
圖28是說明市場形象的圖。
圖29A是示出二次電池的充電時間的圖。圖29B是示出二次電池的充電時間的圖。
圖30A是示出二次電池的充電時間的圖。圖30B是示出二次電池的充電時間的圖。
圖31A是二次電池的充電曲線。圖31B是二次電池的充電曲線。圖31C是二次電池的充電曲線。
圖32是示出二次電池的充電時間的圖。
以下，參照圖式對實施方式進行說明。但是，實施方式可以以多個不同方式來實施，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實，就是其方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發明的精神及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在本說明書等中，“第一”、“第二”、“第三”等序數詞是為了避免組件的混淆而附加的。因此，該序數詞不限制組件的個數。此外，該序數詞不限制組件的順序。另外，例如，在本說明書等中，一個實施方式中的“第一”所指的組件有可能在其他實施方式或申請專利範圍的範圍中被設為“第二”所指的組件。此外，例如，在本說明書等中，一個實施方式中的“第一”所指的組件有可能在其他實施方式或申請專利範圍的範 圍中被省略。
在圖式中，有時使用同一元件符號表示同一組件、具有相同功能的組件、由同一材料形成的組件或者同時形成的組件等，並且有時省略重複說明。
實施方式1
在本實施方式中，示出本發明的一個實施方式的蓄電裝置的一個例子。
圖1所示的蓄電裝置100包括控制電路101、基準生成電路102、計時器電路103、調節器104、電源105、電阻器131及二次電池121。
控制電路101對基準生成電路102及計時器電路103供應信號。另外，控制電路101具有進行二次電池121的充電的功能。
電阻器131與二次電池121串聯電連接。控制電路101較佳為與電阻器131的兩端電連接。控制電路101具有測量流過電阻器131的電流的功能。例如，流過電阻器131的電流和流過二次電池121的電流大致相同。
基準生成電路102根據控制電路101提供的信號對計時器電路103供應基準電壓及基準電流(Vref、Iref(Digital))。另外，基準生成電路102具有將被供應的數位信號轉換為類比信號的功能。在控制電路101提供作為數位信號的基準電壓及基準電流等的信號的情況下，可以轉換為類比信號並供應給計時器電路103。
計時器電路103具有根據被供應的基準電壓及基準電流(Vref、Iref(Analog))測量或監視二次電池121的定電流充電時間及定電壓充電時間的功能。計時器電路103可以使用基準生成電路102提供的電流Iref生成下面說明的電流Iss1、電流Iss2及電流Iss3等。
計時器電路103具有保持被供應的類比信號的功能。另外，具有對被供應的兩個以上的類比信號進行比較的功能。另外，還具有算出對應於被 供應的類比信號的時間的功能。
圖2A及圖2B示出計時器電路103的結構的一個例子。圖2A所示的計時器電路103包括電流供應部191、電容器161及比較器164。電流供應部191包括開關162及恆定電流源163。開關162中的一個電極與接地電位電連接，恆定電流源163中的一個電極與高電位信號Vdd電連接。將比較器164的非反相輸入端子稱為端子IN1，將輸出端子稱為端子OUT。在圖2A中，端子IN1與電容器161中的一個電極、開關162的另一個電極及恆定電流源163的另一個電極電連接。另外，電容器161中的另一個電極與接地電位電連接。注意，在本實施方式中，也可以使用低電位信號而代替接地電位。
有時將圖2A所示的電流源稱為拉電流源。
圖1、圖2A及圖2B所示的計時器電路103較佳為包括OS電晶體。下面將說明OS電晶體。因為計時器電路103包括OS電晶體，可以保持被供應的類比信號。計時器電路103具有保持信號的功能，可以進行電源閘控。將用來電源閘控的信號PG從控制電路101供應給基準生成電路102。
圖2B示出可以進行電源閘控的計時器電路103的結構的一個例子。圖2B所示的計時器電路103與圖2A的不同之處在於圖2B所示的計時器電路103包括記憶元件159。比較器164的反相輸入端子與電晶體165的源極和汲極中的一個連接。記憶元件159包括電晶體165及電容器160。在此，將圖2B中的電晶體165的源極和汲極中的一個稱為節點ND。藉由使電晶體165為OS電晶體且使電晶體165成為關閉狀態，可以將供應給反相輸入端子的電位儲存於節點ND長時間。節點ND較佳為與電容器160中的一個電極電連接。電容器160中的另一個電極例如與接地電位連接。在電晶體165處於關閉狀態的期間中，可以從基準生成電路102對計時器電路103不供應信號。因此，在該期間中，較佳為對基準生成電路102供應信號PG並進行根據被供應的信號的工作。藉由基準生成電路102被供應信號PG，例如遮斷基準生成電路102的電源。或者，遮斷基準生成電路102的一部分的電源。或者，將供應給基準生成電路102的電壓的至少一部分設定為低電位信號，例如為接地信號。由於電源閘控，可以使基準生成電路102的消 耗電流極少。
有時將圖2B所示的電流源稱為拉電流源。
下面將說明圖1所示的調節器104。
另外，在本說明書等中，有時將本發明的一個實施方式的電池控制電路或包括該電池控制電路的蓄電裝置稱為BTOS(Battery operating system；電池操作系統，或者Battery oxide semiconductor；電池氧化物半導體)。BTOS有時可以以低功耗構建系統。BTOS有時可以由簡單的電路構建系統。
〈充電時間〉
本發明的一個實施方式的蓄電裝置較佳為檢測出微短路或微短路的預兆而提高二次電池的安全性。
本發明人發現了在二次電池的充電等時觀察到預測微短路的現象之前充電時間變長。作為預測微短路的現象的一個例子可以舉出充電電壓的急劇的下降。“觀察到預測微短路的現象之前”是指例如預測微短路的充電的上一個循環的充電或者上三個循環至上一個循環之間的充電中的至少一個。“充電時間較長”是指例如比二次電池或蓄電裝置的出貨後或者上十個循環以上的充電時的充電時間長等。
注意，充電時間依賴於二次電池的溫度(例如二次電池所包括的溫度感測器的溫度)及二次電池的使用導致的劣化等，然而例如在參考那種變化原因而考慮充電時間也充電時間意外地變長的情況下，可以判斷發生微短路。
因此，在監視二次電池的充電時間且該充電時間比所指定的時間長的情況下，藉由例如停止二次電池的工作或限制二次電池的工作，更明確而言，例如使二次電池的電壓範圍變窄等，可以抑制微短路而提高二次電池的安全性。
關於微短路和充電時間的關係可以考察為如下。在發生微短路時，充電時的電壓不容易上升而定電流(Constant current，下面記載為CC)充電的時間變長。另外，在定電壓(Constant voltage，下面記載為CV)的充電時，可以估計為由於短路電流流過而充電電流到達下限的時間變長。
與CC充電相比，有時CV充電更明顯地受到微短路的影響。
本發明的一個實施方式的蓄電裝置除了檢測出微短路之外，還可以進行二次電池的SOH(State of Health，下面也記載為健康狀態)的評價。在SOH中以二次電池的新貨狀態為100時，該二次電池隨著劣化而SOH成為比100小。隨著二次電池的劣化，有時CV充電的時間變長。例如，觀察充電時間並對儲存於表格(table)等的資料進行比較等可以算出SOH。
下面將說明CC充電及CV充電。
[充放電方法]
二次電池的充放電例如可以如下述那樣進行。
首先，作為充電方法的一個說明CC充電。CC充電是指在充電期間的整個期間中使恆定電流流過二次電池，並且在二次電池的電壓成為規定電壓時停止充電的充電方法。如圖11A所示那樣，將二次電池假設為內部電阻R與二次電池容量C的等效電路。在此情況下，二次電池電壓VB是施加到內部電阻R的電壓VR和施加到二次電池容量C的電壓VC的總和。
在進行CC充電期間，如圖11A所示那樣，開關開啟，恆定電流I流過二次電池。在此期間，因為電流I恆定，所以施加到內部電阻R的電壓VR根據VR=R×I的歐姆定律而恆定。另一方面，施加到二次電池容量C的電壓VC隨著時間推移而上升。因此，二次電池電壓VB隨著時間推移而上升。
並且，當二次電池電壓VB成為規定電壓，例如4.3V時，停止充電。當停止CC充電時，如圖11B所示那樣，開關關閉，成為電流I=0。因此，施加到內部電阻R的電壓VR成為0V。因此，二次電池電壓VB下降。
圖11C示出進行CC充電期間及停止CC充電之後的二次電池電壓VB與充電電流的例子。由圖11C可知，在進行CC充電期間上升的二次電池電壓VB在停止CC充電之後稍微降低。
接著，對與上述不同的充電方法，亦即，CCCV充電進行說明。CCCV充電是指首先進行CC充電而充電到規定電壓，然後進行CV充電而充電到流過的電流變少，明確而言，充電到成為終止電流值的充電方法。
在進行CC充電期間，如圖12A所示那樣，恆定電流的開關開啟，恆定電壓的開關關閉，因此恆定的電流I流過二次電池。在此期間，因為電流I恆定，所以施加到內部電阻R的電壓VR根據VR=R×I的歐姆定律而恆定。另一方面，施加到二次電池容量C的電壓VC隨著時間推移而上升。因此，二次電池電壓VB隨著時間推移而上升。
並且，當二次電池電壓VB成為規定電壓，例如4.3V時，從CC充電切換為CV充電。在進行CV充電期間，如圖12B所示那樣，恆定電流的開關開啟，恆定電壓的開關關閉，因此二次電池電壓VB為恆定。另一方面，施加到二次電池容量C的電壓VC隨著時間推移而上升。因為滿足VB=VR+VC，所以施加到內部電阻R的電壓VR隨著時間推移而變小。隨著施加到內部電阻R的電壓VR變小，流過二次電池的電流I根據VR=R×I的歐姆定律而變小。
並且，當流過二次電池的電流I成為規定電流，例如相當於0.01C的電流時，停止充電。當停止CCCV充電時，如圖12C所示那樣，所有開關關閉，成為電流I=0。因此，施加到內部電阻R的電壓VR成為0V。但是，因為藉由CV充電充分地降低了施加到內部電阻R的電壓VR，所以即使內部電阻R的電壓不下降，二次電池電壓VB也幾乎不下降。
圖13A示出進行CCCV充電期間及停止CCCV充電之後的二次電池電壓VB與充電電流的例子。由圖13A可知，二次電池電壓VB即使在停止CCCV充電之後也幾乎不下降。
接著，說明放電方法之一的CC放電。CC放電是指在放電期間的整個期間中從二次電池放出恆定電流，並且在二次電池電壓VB成為規定電壓，例 如2.5V時，停止放電的放電方法。
圖13B示出進行CC放電期間的二次電池電壓VB與放電電流的例子。從圖13B可知，二次電池電壓VB隨著放電的進展而下降。
在此，對放電率及充電率進行說明。放電率是指放電時的電流相對於電池容量的比率，並且由單位C表示。在額定容量X(Ah)的電池中，相當於1C的電流是X(A)。在以2X(A)的電流放電的情況下，可以說以2C放電，並且在以X/5(A)的電流放電的情況下，可以說以0.2C放電。另外，充電率也是同樣的，在以2X(A)的電流充電的情況下，可以說以2C充電，並且在以X/5(A)的電流充電的情況下，可以說以0.2C充電。
〈蓄電裝置的工作例子〉
圖3示出本發明的一個實施方式的蓄電裝置的工作的一個例子的流程圖。另外，圖4A及圖4B示出表示信號RESET、端子IN1及端子OUT的狀態的時序圖的一個例子。在圖4A及圖4B中，將高電位信號記載為Hi，將低電位信號記載為Lo。
首先，在步驟S000中開始處理。
接著，在步驟S001中選擇充電模式。例如，選擇CC充電和CV充電中的一個。
接著，在步驟S002中設定充電的基準時間。在充電模式為CC充電的情況下設定定電流充電的基準時間Tc，在為CV充電的情況下設定定電壓充電的基準時間tv。更明確而言，例如從基準生成電路102對計時器電路103供應對應於設定了的基準時間的電壓Vref1及電流Iss1。將電壓Vref1供應給比較器164的反相輸入端子，將電流Iss1供應給恆定電流源163。
對應於充電時間的電壓及電流可以如下述那樣得到。將電容器161的電容值設定為電容值Ca1。電流Iss1和時間tr的積相等於電容值Ca1和電壓Vref1的積。藉由利用該關係，以充電時間tr成為所希望的值的方式決定電流Iss1及電壓Vref1。
基準時間是例如對被估計的充電時間加上某一定的餘地的值。基準時間Tc及基準時間tv例如既可以使用預先決定的值，又可以使用對上次充電時測量的充電時間加上規定時間的值。基準時間Tc及基準時間tv例如可以儲存於表格。表格包括例如揮發性記憶體及非揮發性記憶體中的一個或兩個。作為記憶體可以使用下面說明的DOSRAM、NOSRAM等。
例如可以根據充電開始時的二次電池的電壓決定基準時間Tc的值。依賴於二次電池的剩餘容量SOC(State of charge；充電狀態)，充電開始時的電壓變化。表格較佳為儲存根據充電開始時的電壓的基準時間Tc。作為充電開始電壓例如舉出充電開始之後經過某一定的時間，例如幾秒後的電壓。
例如，充電時間依賴於二次電池的溫度Tb，因此例如表格較佳為儲存對應於溫度的基準時間。表格例如儲存幾個條件，在此作為例子儲存對應於三種溫度的基準時間，並且至於儲存於表格的溫度之外的基準時間，可以是使用儲存於表格的值由控制電路101等所包括的運算電路而得到的。
將溫度Tb的依賴性、剩餘容量SOC的依賴性設定為某個係數並且可以將上次充電時測量的充電時間乘以該係數的值被用作基準時間。
此外，也可以使用溫度Tb、被實測的CC充電的時間而算出基準時間tv。
另外，由於內部電阻有時二次電池的電壓上升(或者下降)。電壓的上升量(或者下降量)依賴於內部電阻及電流密度。藉由作為二次電池的電壓使用開路電壓(Open circuit voltage：OCV)，有時能夠抑制內部電阻的影響。因此，作為二次電池的充電開始時的電壓可以使用OCV。或者，較佳為使用規定的電流密度時的電壓。或者，當算出基準時間時較佳為考量由於電流密度的電壓的上升量。
接著，在步驟S003中進行重設工作(圖4A及圖4B的時刻t1)。明確而言，從控制電路101對計時器電路103供應信號RESET。例如，如圖4A 及圖4B所示那樣，被供應高電位信號。計時器電路103藉由被供應信號RESET，開關162成為開啟狀態。藉由開關162成為開啟狀態，端子IN1被供應接地電位。
在步驟S004中，開始充電且開關162成為關閉狀態，開始充電時間tb的測量(圖4A及圖4B的時刻t2)。在開始充電時，例如，信號RESET成為低電位且開關162成為關閉狀態。注意，在此藉由在計時器電路103中測量端子IN1的電壓來得到充電時間。就是說，在步驟S004中，進行端子IN1的電壓(以下，電壓Vin)的測量即可。
接著，在步驟S005中，在電壓Vin超過電壓Vref1的情況下(圖4B的時刻t4)進入步驟S006，在電壓Vin不超過電壓Vref1的情況下進入步驟S008。在此，電壓Vin超過電壓Vref1相當於充電時間比已設定的充電的基準時間更長。在電壓Vin超過電壓Vref1的情況下，從比較器164的輸出端子OUT例如輸出高電位信號，在電壓Vin不超過電壓Vref1的情況下，從比較器164的輸出端子OUT輸出反極性的信號，在此例如低電位信號Lo。
接著，在步驟S006中，蓄電裝置100向使用者發出警告。警告例如可以顯示在蓄電裝置100所包括的顯示部上，或者從蓄電裝置100所包括的揚聲器發出警告音。注意，在步驟S006中，開關162例如依然處於關閉狀態，也可以成為開啟狀態。
或者，在步驟S006中，蓄電裝置100可以停止二次電池121的充電。
在步驟S008中，判斷是否結束現在的充電模式。該判斷例如由控制電路101進行。在結束現在的充電模式的情況下進入步驟S009，在不結束現在的充電模式的情況下回到步驟S005。
在步驟S009中，信號RESET從控制電路101供應給計時器電路103，開關162成為開啟狀態且進行重設工作(圖4A的時刻t3)。
接著，在步驟S010中，在以不同的充電模式繼續進行充電的情況下回 到步驟S001，在不繼續進行充電的情況下進入步驟S099。
在步驟S099中，結束處理。
〈調節器〉
如圖1所示那樣，蓄電裝置100較佳為包括調節器104。調節器104例如具有根據被供應的信號輸出所希望的電壓的功能。另外，調節器104較佳為具有使被供應的電壓下降或上升的功能。
對圖1所示的調節器104進行說明。調節器104是降壓型功率級。調節器104包括電晶體152、電晶體153及線圈156。電晶體152的源極及汲極中的一個與二次電池121的負極及電源的負極電連接。電晶體153的源極及汲極中的一個與電源的正極電連接。電晶體152的源極及汲極中的另一個與電晶體153的源極及汲極中的另一個電連接。線圈156中的一個電極經過電阻器131與二次電池121的正極電連接。線圈156中的另一個電極與電晶體152的源極及汲極中的另一個電極電連接。電晶體152及電晶體153的閘極電極分別被供應來自控制電路101的信號。
〈計時器電路的變形例子〉
參照圖5至圖9對計時器電路103的變形例子進行說明。
圖5A所示的計時器電路103包括電流供應部192而代替圖2A所示的電流供應部191。電流供應部192包括開關162及恆定電流源163。開關162中的一個電極與高電位信號Vref2電連接，恆定電流源163中的一個電極與接地電位電連接。開關162中的另一個電極及恆定電流源163中的另一個電極與電容器161的一個電極電連接。此外，在圖5A中，電容器161的一個電極與被用作比較器164的反相輸入端子的端子IN2電連接。比較器164的非反相輸入端子經過記憶元件159被供應電壓Vref11。
在圖5B中示出表示圖5A所示的計時器電路103中的信號RESET、端子IN2及端子OUT的狀態的時序圖的一個例子。在時刻t1，信號RESET被供應給開關162且對端子IN2供應高電位信號Vref2。在時刻t2開始充電。在圖5A所示的計時器電路103中，隨著電流流過恆定電流源163，端子IN2 的電壓逐漸降低。
在時刻t4，在端子IN2的電壓低於電壓Vref11，亦即，充電時間比充電的基準時間長時，從端子OUT輸出高電位信號。在圖5B中，將高電位信號記載為Hi，將低電位信號記載為Lo。
圖6A所示的計時器電路103除了圖2A所示的計時器電路103之外還包括計數器106。計數器106被供應信號RESET，並且由於信號RESET例如重設計數。比較器164的端子OUT輸入到計數器106。在計數器106被供應來自端子OUT的信號(例如高電位信號)時，計數器106的計數加1(向上計數)。另外，由於來自端子OUT的高電位信號，開關166成為開啟狀態且電容器161的電壓成為接地電位。計時器電路103包括計數器106，可以從被用作計時器電路103的輸出端子的端子OUT2輸出對應於二次電池的充電時間的計數。
圖6B所示的計時器電路103具有電流供應部192代替圖6A所示的計時器電路103中的電流供應部191的結構。
圖7所示的計時器電路103包括電流供應部193、電容器161、比較器171、比較器172、計數器106、NAND電路178及NAND電路179。
電流供應部193包括開關162、恆定電流源167、開關168、開關169及恆定電流源170。恆定電流源167、開關168、開關169及恆定電流源170按恆定電流源167、開關168、開關169和恆定電流源170的順序串聯電連接，並且恆定電流源167中的不與開關168電連接的電極與接地電位電連接，恆定電流源170中的不與開關169電連接的電極與高電位信號Vdd電連接。開關162中的一個電極與高電位信號Vdd電連接，開關162中的另一個電極與開關169、開關168及電容器161的每一個電極電連接。
電容器161中的一個電極與比較器171的非反相輸入端子及比較器172的反相輸入端子電連接。比較器171的反相輸入端子被供應電壓Vref1，比較器172的非反相輸入端子被供應高電位信號Vref2。注意，如圖7所示那樣，電壓Vref1及高電位信號Vref2可以分別經過記憶元件159供應給比 較器的端子。NAND電路178的第一輸入被供應比較器171的輸出信號，第二輸入被供應NAND電路179的輸出。NAND電路179的第一輸入被供應比較器172的輸出信號，第二輸入被供應NAND電路178的輸出。NAND電路179的輸出輸入到計數器106。從計數器106的端子OUT2輸出計數。
圖7示出計時器電路103的工作的一個例子。信號QB是與信號Q的反相的信號。
在作為信號RESET被供應高電位信號的情況下，開關162成為開啟狀態，並且電容器161被供應高電位信號Vdd。另外，由於信號RESET使計數器106重設。
接著，作為信號RESET被供應低電位信號，並且開關162成為關閉狀態。
在信號Q是高電位的情況下，開關168成為開啟狀態，開關169成為關閉狀態，電容器161與恆定電流源167電連接，恆定電流源167與接地電位電連接，因此電容器161的電壓逐漸降低。在電容器161的電壓低於Vref1時從比較器171輸出低電位信號，信號Q和信號QB的信號反轉而信號QB成為高電位。
在信號QB成為高電位的情況下，開關169成為開啟狀態，開關168成為關閉狀態，電容器161與恆定電流源170電連接，恆定電流源170與高電位信號Vdd電連接，因此電容器161的電壓逐漸上升。在電容器161的電壓高於高電位信號Vref2時從比較器172輸出低電位信號，信號Q和信號QB的信號反轉而信號Q成為高電位。供應給計數器106的信號Q再成為高電位，因此計數器106的計數加1。
如此，作為電流源組合拉電流源和灌電流源，在電壓Vref1至高電位信號Vref2的範圍內電容器161的電壓反復地交替增加和減少，因此供應給計數器106的信號反復地交替高電位和低電位而振盪。
圖8A示出可用於電流供應部192的具體例子。電流供應部192包括恆 定電流源173、電容器174及電晶體181至電晶體184。恆定電流源173中的一個電極與高電位信號Vdd電連接，恆定電流源173中的另一個電極與電晶體181的源極及汲極中的一個及閘極電連接，電晶體181的源極及汲極中的另一個與接地電位電連接，電晶體182的源極及汲極中的一個與電晶體181的閘極電連接，電晶體182的源極及汲極中的另一個與電晶體183的閘極及電容器174中的一個電極電連接，電容器174中的另一個電極與接地電位電連接，電晶體182的閘極及電晶體184的閘極分別被供應信號RESET，電晶體183的源極及汲極中的一個與接地電位電連接，電晶體183的源極及汲極中的另一個與電晶體184的源極及汲極中的一個及電容器161中的一個電極電連接，電晶體184的源極及汲極中的另一個被供應高電位信號Vdd。
對圖8A所示的電路的工作的一個例子進行說明。在圖8A中，在作為信號RESET被供應高電位信號的情況下，電晶體181、電晶體182、電晶體183及電晶體184成為開啟狀態，對應於流過恆定電流源173的電流Iref的電流Iss1流過電晶體183及電晶體184。電流Iref和電流Iss1的比根據電晶體181和電晶體183的尺寸的比(通道長度的倒數、通道寬度等)變化。由於流過電晶體182的電流，在電容器174中儲存電荷。由於電流Iss1，在電容器161中儲存電荷。
接著，在作為信號RESET被供應低電位信號的情況下，電晶體181、電晶體182及電晶體184成為關閉狀態，對電晶體183的閘極被施加對應於儲存在電容器174中的電荷的電壓而電晶體183成為開啟狀態。儲存在電容器161中的電荷流過電晶體183，電容器161的電壓逐漸降低。
圖8B示出可用於電流供應部191的具體例子。電流供應部191包括恆定電流源173、電容器175、電晶體181及電晶體185至電晶體190。恆定電流源173中的一個電極被供應高電位信號Vdd，恆定電流源173中的另一個電極與電晶體181的源極及汲極中的一個、閘極及電晶體185的源極及汲極中的一個電連接，電晶體185的源極及汲極中的另一個與接地電位電連接，電晶體186的源極及汲極中的一個被供應高電位信號Vref3，電晶體186的源極及汲極中的另一個與電容器175中的一個電極及電晶體188的閘極電連接，電晶體188的源極及汲極中的一個被供應高電位信號Vdd，電晶 體188的源極及汲極中的另一個與電晶體187的源極及汲極的一個及電晶體190的源極及汲極中的一個電連接，電晶體187的源極及汲極中的另一個與接地電位電連接，電晶體188的源極及汲極中的另一個與電容器175中的另一個電極電連接，電晶體190的源極及汲極中的另一個與電容器161中的一個電極電連接。將信號RESET供應給電晶體186的閘極，將信號RESETB供應給電晶體185的閘極及電晶體190的閘極。
信號RESETB是信號RESET的反相的信號。反相的信號是指例如在從一個信號輸出高電位信號的情況下，從另一個信號輸出低電位信號。
對圖8B所示的電路的工作的一個例子進行說明。在圖8B中，在作為信號RESET被供應高電位信號的情況下，電晶體188的閘極被供應電壓Vref3，電晶體181、電晶體187及電晶體188成為開啟狀態，對應於流過恆定電流源173的電流Iref的電流Iss1流過電晶體188及電晶體187。電流Iref和電流Iss1的比根據電晶體181和電晶體187的比變化。
接著，在作為信號RESET供應低電位信號的情況下，電晶體186成為關閉狀態，在電晶體188的閘極中保持對應於儲存在電容器175中的電荷的電壓而電晶體188成為開啟狀態。另外，電晶體190成為開啟狀態，並且電晶體187成為關閉狀態。因此，對電容器161施加流過電晶體188的電流Iss1，電容器161的電壓逐漸上升。
在圖8A及圖8B中，在作為信號RESET被供應低電位信號的期間不必要從恆定電流源173供應電流，因此可以停止恆定電流源173。因而，在作為信號RESET被供應低電位信號的期間可以進行基準生成電路102的電源閘控。
OS電晶體可以降低關態電流，因此也可以使用高值至低值的較廣範圍的通態電流。因為也可以控制低值的通態電流，所以有時作為通態電流例如可以使用10-10A/μm以下的電流。因此，藉由作為圖8A的電晶體183及電晶體184及圖8B的電晶體187及188使用OS電晶體，可以減少電容器161的電容值，例如可以減少電容器161的面積。因而能夠實現電路的縮小。
作為電晶體181至電晶體188及電晶體190可以使用OS電晶體。
OS電晶體的由於溫度變化導致的臨界值的變化小，例如有時將OS電晶體適當地用於如二次電池那樣的溫度範圍較廣的裝置。
圖9示出可用於電流供應部193的具體例子。電流供應部193具有組合圖8A所示的電流供應源和圖8B所示的電流供應源的結構。
在電流供應部193中，關於恆定電流源173、電晶體181、電晶體182、電容器174及電晶體183的每一個的電連接可以參照圖8A。關於電晶體186、電容器175、電晶體188的每一個的電連接可以參照圖8B。電晶體194的閘極被供應信號RESET，電晶體194的源極及汲極中的一個與電晶體183的源極及汲極中的另一個及電晶體195的源極及汲極中的一個電連接，電晶體194的源極及汲極中的另一個與電晶體196的源極和汲極中的一個及電晶體188的源極及汲極中的另一個電極電連接。電晶體195的閘極被供應信號Q，電晶體196的閘極被供應信號QB。電晶體190的閘極被供應信號RESETB，電晶體190的源極及汲極中的一個與電晶體195的源極及汲極中的另一個及電晶體196的源極及汲極中的另一個電連接，電晶體190的源極及汲極中的另一個與電晶體197的源極及汲極中的一個及電容器161中的一個電極電連接。電晶體197的源極及汲極中的另一個被供應電壓Vref1。電晶體197的閘極被供應信號RESET。
〈蓄電裝置的變形例子〉
圖10所示的蓄電裝置100除了圖1所示的結構之外還包括保護電路137、電晶體140及電晶體150。
保護電路137較佳為與控制電路101電連接並與控制電路101進行信號的接收。
保護電路137具有在二次電池121滿足被設定的某種條件的情況下停止二次電池的工作的功能。例如，在二次電池121的電流超過某值的情況下，停止其工作。此外，例如在二次電池121的電壓成為某值以上或某值以下的情況下，停止其工作。
保護電路137可以具有在停止二次電池121的工作時使二次電池121的兩極短路的路徑。該路徑也可以設有電阻器或電容器。圖10所示的電晶體140及電晶體150被用作遮斷電流的開關，並且在判斷保護電路137停止二次電池121時使切換工作。作為電晶體140及電晶體150可以使用具有寄生二極體的MOSFET。另外，作為電晶體140及電晶體150可以使用OS電晶體。或者，蓄電裝置100也可以採用不包括電晶體140及電晶體150中的一個的結構。
例如，可以在同一個晶片中設置保護電路137及計時器電路103。“同一個晶片中”是指例如在同一個矽基板上或同一個玻璃基板上設置兩個電路的結構。
或者，例如可以在同一個封裝中設置保護電路137及計時器電路103。“同一個封裝中”是指例如在同一個印刷電路板上設置包括保護電路137的晶片及包括計時器電路103的晶片的結構。
本實施方式可以與其他實施方式的記載適當地組合。
實施方式2
對可用於在上述實施方式中說明的電池控制電路的半導體裝置的結構例子進行說明。
圖14所示的半導體裝置包括電晶體300、電晶體500及電容器600。圖16A是電晶體500的通道長度方向上的剖面圖，圖16B是電晶體500的通道寬度方向上的剖面圖，圖16C是電晶體300的通道寬度方向上的剖面圖。
電晶體500為OS電晶體。由於電晶體500的關態電流小，所以藉由將該電晶體500用於半導體裝置所包括的OS電晶體，可以長期間保持被寫入的資料。
電晶體500例如為n通道型電晶體。
作為本發明的一個實施方式的蓄電裝置所包括的電晶體可以使用OS電晶體。另外，可以任意組合並使用OS電晶體和Si電晶體。另外，所有電晶體可以採用OS電晶體或Si電晶體。作為Si電晶體，可以舉出含有非晶矽的電晶體、含有結晶性的矽(典型為低溫多晶矽、單晶矽等)的電晶體等。
OS電晶體的關態電流極低且具有即使在高溫環境下也其開關特性良好的特性。因此，即使在高溫環境下也沒有誤動作地控制對組電池120的充電或放電。
另外，使用OS電晶體的記憶元件可以層疊在使用Si電晶體的電路上等而能夠自由地配置，因此可以容易進行集成化。另外，藉由使用與Si電晶體相同的製造裝置可以製造OS電晶體，由此能夠以低成本製造。
另外，作為OS電晶體可以採用除了閘極電極、源極電極及汲極電極之外，還包括背閘極電極的4端子的半導體元件。由根據供應給閘極電極或背閘極電極的電壓可以獨立地控制源極與汲極之間的信號的輸入輸出的電路網路構成。因此，可以與LSI同樣地進行電路設計。再者，OS電晶體具有在高溫環境下比Si電晶體優越的電特性。明確而言，即使在100℃以上且200℃以下，較佳為在125℃以上且150℃以下等高溫下也因為通態電流與關態電流的比大，所以可以進行良好的切換工作。
如圖14所示，本實施方式所說明的半導體裝置包括電晶體300、電晶體500及電容器600。電晶體500設置在電晶體300的上方，電容元件600設置在電晶體300及電晶體500的上方。
電晶體300設置在基板311上，並包括：導電體316；絕緣體315；由基板311的一部分構成的半導體區域313；以及被用作源極區域或汲極區域的低電阻區域314a及低電阻區域314b。例如，電晶體300可以應用於上述實施方式中的比較器所包括的電晶體等。
如圖16C所示，在電晶體300中，導電體316隔著絕緣體315覆蓋半導體區域313的頂面及通道寬度方向的側面。如此，藉由使電晶體300具有Fin型結構，實效上的通道寬度增加，從而可以改善電晶體300的通態特性。此外，由於可以增加閘極電極的電場的影響，所以可以改善電晶體300的關態特性。
另外，電晶體300可以為p通道電晶體或n通道電晶體。
半導體區域313的通道形成區域或其附近的區域、被用作源極區域或汲極區域的低電阻區域314a及低電阻區域314b等較佳為包含矽類半導體等半導體，更佳為包含單晶矽。此外，也可以使用包含Ge(鍺)、SiGe(矽鍺)、GaAs(砷化鎵)、GaAlAs(鎵鋁砷)等的材料形成。可以使用對晶格施加應力，改變晶面間距而控制有效質量的矽。此外，電晶體300也可以是使用GaAs和GaAlAs等的HEMT(High Electron Mobility Transistor：高電子移動率電晶體)。
在低電阻區域314a及低電阻區域314b中，除了應用於半導體區域313的半導體材料之外，還包含砷、磷等賦予n型導電性的元素或硼等賦予p型導電性的元素。
作為被用作閘極電極的導電體316，可以使用包含砷、磷等賦予n型導電性的元素或硼等賦予p型導電性的元素的矽等半導體材料、金屬材料、合金材料或金屬氧化物材料等導電材料。
此外，由於導電體的材料決定功函數，所以藉由選擇導電體的材料，可以調整電晶體的臨界電壓。明確而言，作為導電體較佳為使用氮化鈦或氮化鉭等材料。為了兼具導電性和埋入性，作為導電體較佳為使用鎢或鋁等金屬材料的疊層，尤其在耐熱性方面上較佳為使用鎢。
注意，圖14所示的電晶體300的結構只是一個例子，不侷限於上述結構，根據電路結構或驅動方法使用適當的電晶體即可。例如，當只由OS電晶體構成半導體裝置時，如圖15所示，使電晶體300具有與使用氧化物半導體的電晶體500同樣的結構，即可。另外，下面描述電晶體500的詳細 內容。
以覆蓋電晶體300的方式依次層疊有絕緣體320、絕緣體322、絕緣體324及絕緣體326。
作為絕緣體320、絕緣體322、絕緣體324及絕緣體326，例如可以使用氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氧氮化鋁、氮氧化鋁及氮化鋁等。
注意，在本說明書中，氧氮化矽是指在其組成中氧含量多於氮含量的材料，而氮氧化矽是指在其組成中氮含量多於氧含量的材料。注意，在本說明書中，氧氮化鋁是指氧含量多於氮含量的材料，“氮氧化鋁”是指氮含量多於氧含量的材料。
絕緣體322也可以被用作用來減少因設置在其下方的電晶體300等而產生的步階平坦化的平坦化膜。例如，為了提高絕緣體322的頂面的平坦性，其頂面也可以藉由利用化學機械拋光(CMP)法等的平坦化處理被平坦化。
作為絕緣體324，較佳為使用能夠防止氫或雜質從基板311或電晶體300等擴散到設置有電晶體500的區域中的具有阻擋性的膜。
作為對氫具有阻擋性的膜的一個例子，例如可以使用藉由CVD法形成的氮化矽。在此，有時氫擴散到電晶體500等具有氧化物半導體的半導體元件中，導致該半導體元件的特性下降。因此，較佳為在電晶體500與電晶體300之間設置抑制氫的擴散的膜。明確而言，抑制氫的擴散的膜是指氫的脫離量少的膜。
氫的脫離量例如可以利用熱脫附譜分析法(TDS)等測量。例如，在TDS分析中的膜表面溫度為50℃至500℃的範圍內，當將換算為氫原子的脫離量換算為絕緣體324的每單位面積的量時，絕緣體324中的氫的脫離量為10×1015atoms/cm2以下，較佳為5×1015atoms/cm2以下，即可。
注意，絕緣體326的介電常數較佳為比絕緣體324低。例如，絕緣體326的相對介電常數較佳為低於4，更佳為低於3。例如，絕緣體326的相對介電常數較佳為絕緣體324的相對介電常數的0.7倍以下，更佳為0.6倍以下。藉由將介電常數低的材料用於層間膜，可以減少產生在佈線之間的寄生電容。
此外，在絕緣體320、絕緣體322、絕緣體324及絕緣體326中埋入有與電容元件600或電晶體500連接的導電體328、導電體330等。此外，導電體328及導電體330具有插頭或佈線的功能。注意，有時使用同一元件符號表示具有插頭或佈線的功能的多個導電體。此外，在本說明書等中，佈線、與佈線連接的插頭也可以是一個組件。就是說，導電體的一部分有時被用作佈線，並且導電體的一部分有時被用作插頭。
作為各插頭及佈線(導電體328、導電體330等)的材料，可以使用金屬材料、合金材料、金屬氮化物材料或金屬氧化物材料等導電材料的單層或疊層。較佳為使用兼具耐熱性和導電性的鎢或鉬等高熔點材料，較佳為使用鎢。或者，較佳為使用鋁或銅等低電阻導電材料。藉由使用低電阻導電材料可以降低佈線電阻。
此外，也可以在絕緣體326及導電體330上設置佈線層。例如，在圖14中，依次層疊有絕緣體350、絕緣體352及絕緣體354。此外，在絕緣體350、絕緣體352及絕緣體354中形成有導電體356。導電體356具有與電晶體300連接的插頭或佈線的功能。此外，導電體356可以使用與導電體328及導電體330同樣的材料設置。
此外，與絕緣體324同樣，絕緣體350例如較佳為使用對氫具有阻擋性的絕緣體。此外，導電體356較佳為包含對氫具有阻擋性的導電體。尤其是，在對氫具有阻擋性的絕緣體350所具有的開口中形成對氫具有阻擋性的導電體。藉由採用該結構，可以使用障壁層將電晶體300與電晶體500分離，從而可以抑制氫從電晶體300擴散到電晶體500中。
注意，作為對氫具有阻擋性的導電體，例如較佳為使用氮化鉭等。此外，藉由層疊氮化鉭和導電性高的鎢，不但可以保持作為佈線的導電性而 且可以抑制氫從電晶體300擴散。此時，對氫具有阻擋性的氮化鉭層較佳為與對氫具有阻擋性的絕緣體350接觸。
此外，也可以在絕緣體354及導電體356上設置佈線層。例如，在圖14中，依次層疊有絕緣體360、絕緣體362及絕緣體364。此外，在絕緣體360、絕緣體362及絕緣體364中形成有導電體366。導電體366具有插頭或佈線的功能。此外，導電體366可以使用與導電體328及導電體330同樣的材料設置。
此外，與絕緣體324同樣，絕緣體360例如較佳為使用對氫具有阻擋性的絕緣體。此外，導電體366較佳為包含對氫具有阻擋性的導電體。尤其是，較佳為在對氫具有阻擋性的絕緣體360所具有的開口中形成對氫具有阻擋性的導電體。藉由採用該結構，可以使用障壁層將電晶體300與電晶體500分離，從而可以抑制氫從電晶體300擴散到電晶體500中。
此外，也可以在絕緣體364及導電體366上設置佈線層。例如，在圖14中，依次層疊有絕緣體370、絕緣體372及絕緣體374。此外，在絕緣體370、絕緣體372及絕緣體374中形成有導電體376。導電體376具有插頭或佈線的功能。此外，導電體376可以使用與導電體328及導電體330同樣的材料設置。
此外，與絕緣體324同樣，絕緣體370例如較佳為使用對氫具有阻擋性的絕緣體。此外，導電體376較佳為包含對氫具有阻擋性的導電體。尤其是，較佳為在對氫具有阻擋性的絕緣體370所具有的開口中形成對氫具有阻擋性的導電體。藉由採用該結構，可以使用障壁層將電晶體300與電晶體500分離，從而可以抑制氫從電晶體300擴散到電晶體500中。
此外，也可以在絕緣體374及導電體376上設置佈線層。例如，在圖14中，依次層疊有絕緣體380、絕緣體382及絕緣體384。此外，在絕緣體380、絕緣體382及絕緣體384中形成有導電體386。導電體386具有插頭或佈線的功能。此外，導電體386可以使用與導電體328及導電體330同樣的材料設置。
此外，與絕緣體324同樣，絕緣體380例如較佳為使用對氫具有阻擋性的絕緣體。此外，導電體386較佳為包含對氫具有阻擋性的導電體。尤其是，較佳為在對氫具有阻擋性的絕緣體380所具有的開口中形成對氫具有阻擋性的導電體。藉由採用該結構，可以使用障壁層將電晶體300與電晶體500分離，從而可以抑制氫從電晶體300擴散到電晶體500中。
在上面說明包括導電體356的佈線層、包括導電體366的佈線層、包括導電體376的佈線層及包括導電體386的佈線層，但是根據本實施方式的半導體裝置不侷限於此。與包括導電體356的佈線層同樣的佈線層可以為三層以下，與包括導電體356的佈線層同樣的佈線層可以為五層以上。
在絕緣體384上依次層疊有絕緣體510、絕緣體512、絕緣體514及絕緣體516。作為絕緣體510、絕緣體512、絕緣體514及絕緣體516中的任一個，較佳為使用對氧或氫具有阻擋性的物質。
例如，作為絕緣體510及絕緣體514，較佳為使用能夠防止氫或雜質從基板311或設置有電晶體300的區域等擴散到設置有電晶體500的區域中的具有阻擋性的膜。因此，絕緣體510及絕緣體514可以使用與絕緣體324同樣的材料。
作為對氫具有阻擋性的膜的一個例子，可以使用藉由CVD法形成的氮化矽。在此，有時氫擴散到電晶體500等具有氧化物半導體的半導體元件中，導致該半導體元件的特性下降。因此，較佳為在電晶體300與電晶體500之間設置抑制氫的擴散的膜。明確而言，抑制氫的擴散的膜是指氫的脫離量少的膜。
例如，作為對氫具有阻擋性的膜，絕緣體510及絕緣體514較佳為使用氧化鋁、氧化鉿、氧化鉭等金屬氧化物。
尤其是，氧化鋁的不使氧及導致電晶體的電特性變動的氫、水分等雜質透過的阻擋效果高。因此，在電晶體的製程中及製程之後，氧化鋁可以防止氫、水分等雜質進入電晶體500中。此外，氧化鋁可以抑制氧從構成電晶體500的氧化物釋放。因此，氧化鋁適合用於電晶體500的保護膜。
例如，作為絕緣體512及絕緣體516，可以使用與絕緣體320同樣的材料。此外，藉由對上述絕緣體使用介電常數較低的材料，可以減少產生在佈線之間的寄生電容。例如，作為絕緣體512及絕緣體516，可以使用氧化矽膜和氧氮化矽膜等。
此外，在絕緣體510、絕緣體512、絕緣體514及絕緣體516中埋入有導電體518、構成電晶體500的導電體(例如，導電體503)等。此外，導電體518被用作與電容元件600或電晶體300連接的插頭或佈線。導電體518可以使用與導電體328及導電體330同樣的材料設置。
尤其是，與絕緣體510及絕緣體514接觸的區域的導電體518較佳為對氧、氫及水具有阻擋性的導電體。藉由採用該結構，可以利用對氧、氫及水具有阻擋性的層將電晶體300與電晶體500分離，從而可以抑制氫從電晶體300擴散到電晶體500中。
在絕緣體516的上方設置有電晶體500。
如圖16A、圖16B所示，電晶體500包括以埋入絕緣體514及絕緣體516的方式配置的導電體503、配置在絕緣體516及導電體503上的絕緣體520、配置在絕緣體520上的絕緣體522、配置在絕緣體522上的絕緣體524、配置在絕緣體524上的氧化物530a、配置在氧化物530a上的氧化物530b、彼此分開地配置在氧化物530b上的導電體542a及導電體542b、配置在導電體542a及導電體542b上並以重疊於導電體542a和導電體542b之間的方式形成開口的絕緣體580、配置在開口的底面及側面的氧化物530c、配置在氧化物530c的形成面上的絕緣體550以及配置在絕緣體550的形成面上的導電體560。
另外，如圖16A、圖16B所示，較佳為在氧化物530a、氧化物530b、導電體542a及導電體542b與絕緣體580之間配置有絕緣體544。此外，如圖16A、圖16B所示，導電體560較佳為包括設置在絕緣體550的內側的導電體560a及以埋入導電體560a的內側的方式設置的導電體560b。此外，如圖16A和圖16B所示，較佳為在絕緣體580、導電體560及絕緣體550上 配置有絕緣體574。
注意，下面有時將氧化物530a、氧化物530b及氧化物530c統稱為氧化物530。
在電晶體500中，在形成通道的區域及其附近層疊有氧化物530a、氧化物530b及氧化物530c的三層，但是本發明不侷限於此。例如，可以設置氧化物530b的單層、氧化物530b與氧化物530a的兩層結構、氧化物530b與氧化物530c的兩層結構或者四層以上的疊層結構。另外，在電晶體500中，導電體560具有兩層結構，但是本發明不侷限於此。例如，導電體560也可以具有單層結構或三層以上的疊層結構。注意，圖14、圖16A所示的電晶體500的結構只是一個例子而不侷限於上述結構，可以根據電路結構或驅動方法使用適當的電晶體。
在此，導電體560被用作電晶體的閘極電極，導電體542a及導電體542b被用作源極電極或汲極電極。如上所述，導電體560以埋入絕緣體580的開口中及夾在導電體542a與導電體542b之間的區域的方式設置。導電體560、導電體542a及導電體542b相對於絕緣體580的開口的配置是自對準地被選擇。換言之，在電晶體500中，可以在源極電極與汲極電極之間自對準地配置閘極電極。由此，可以在不設置用於對準的餘地的方式形成導電體560，所以可以實現電晶體500的佔有面積的縮小。由此，可以實現半導體裝置的微型化及高積體化。
再者，導電體560自對準地形成在導電體542a與導電體542b之間的區域，所以導電體560不包括與導電體542a及導電體542b重疊的區域。由此，可以降低形成在導電體560與導電體542a及導電體542b之間的寄生電容。因此，可以提高電晶體500的切換速度，從而電晶體500可以具有高頻率特性。
導電體560有時被用作第一閘極(也稱為頂閘極)電極。導電體503有時被用作第二閘極(也稱為底閘極)電極。在此情況下，藉由獨立地改變供應到導電體503的電位而不使其與供應到導電體560的電位聯動，可以控制電晶體500的臨界電壓。尤其是，藉由對導電體503供應負電位， 可以使電晶體500的臨界電壓大於0V且可以減小關態電流。因此，與不對導電體503施加負電位時相比，在對導電體503施加負電位的情況下，可以減小對導電體560施加的電位為0V時的汲極電流。
導電體503以與氧化物530及導電體560重疊的方式配置。由此，在對導電體560及導電體503供應電位的情況下，從導電體560產生的電場和從導電體503產生的電場連接，可以覆蓋形成在氧化物530中的通道形成區域。在本說明書等中，將由第一閘極電極的電場和第二閘極電極的電場電圍繞通道形成區域的電晶體的結構稱為surrounded channel (S-channel：圍繞通道)結構。
另外，在本說明書等中，surrounded channel(S-channel)結構具有如下特徵，亦即，與通道形成區域相同，接觸於被用作源極電極及汲極電極的導電體542a及導電體542b的氧化物530的側面及周邊為I型。另外，因為接觸於導電體542a及導電體542b的氧化物530的側面及周邊與絕緣體544接觸，所以與通道形成區域相同，有可能成為I型。注意，在本說明書等中，I型可以說與後面說明的高純度本質相同。此外，本說明書等中公開的S-channel結構與Fin型結構及平面型結構不同。藉由採用S-channel結構，可以提高對於短通道效果的耐性，換言之，可以實現不容易發生短通道效果的電晶體。
此外，導電體503具有與導電體518相同的結構，以與絕緣體514及絕緣體516的開口的內壁接觸的方式形成有導電體503a，其內側形成有導電體503b。另外，在電晶體500中，疊層有導電體503a與導電體503b，但是本發明不侷限於此。例如，導電體503可以具有單層結構，也可以具有三層以上的疊層結構。
在此，作為導電體503a較佳為使用具有抑制氫原子、氫分子、水分子、銅原子等雜質的擴散的功能(不容易使上述雜質透過)的導電材料。另外，較佳為使用具有抑制氧(例如，氧原子、氧分子等中的至少一個)的擴散的功能(不容易使上述氧透過)的導電材料。在本說明書中，抑制雜質或氧的擴散的功能是指抑制上述雜質和上述氧中的任一個或全部的擴散的功能。
例如，藉由使導電體503a具有抑制氧的擴散的功能，可以抑制因導電體503b氧化而導致導電率的下降。
另外，在導電體503還具有佈線的功能的情況下，作為導電體503b，較佳為使用以鎢、銅或鋁為主要成分的導電性高的導電材料。在此情況下，不一定需要設置導電體503a。在圖式中，導電體503b具有單層結構，但是也可以具有疊層結構，例如，可以採用鈦或氮化鈦和上述導電材料的疊層結構。
絕緣體520、絕緣體522及絕緣體524被用作第二閘極絕緣膜。
在此，與氧化物530接觸的絕緣體524較佳為使用包含超過化學計量組成的氧的絕緣體。換言之，較佳為在絕緣體524中形成有過量氧區域。藉由以與氧化物530接觸的方式設置上述包含過量氧的絕緣體，可以減少氧化物530中的氧空位，從而可以提高電晶體500的可靠性。
明確而言，作為具有過量氧區域的絕緣體，較佳為使用藉由加熱使一部分的氧脫離的氧化物材料。藉由加熱使氧脫離的氧化物是指在TDS(Thermal Desorption Spectroscopy：熱脫附譜)分析中換算為氧原子的氧的脫離量為1.0×1018atoms/cm3以上，較佳為1.0×1019atoms/cm3以上，進一步較佳為2.0×1019atoms/cm3以上，或者3.0×1020atoms/cm3以上的氧化物膜。另外，進行上述TDS分析時的膜的表面溫度較佳為在100℃以上且700℃以下，或者100℃以上且400℃以下的範圍內。
此外，也可以以使上述具有過量氧區域的絕緣體和氧化物530彼此接觸的方式進行加熱處理、微波處理或RF處理中的任一個或多個處理。藉由進行該處理，可以去除氧化物530中的水或氫。例如，在氧化物530中發生VOH鍵合被切斷的反應，換言之，發生“VOH→VO+H”的反應而可以進行脫氫化。此時產生的氫的一部分有時與氧鍵合併從氧化物530或氧化物530附近的絕緣體被去除作為H2O。此外，氫的一部分有時擴散到導電體542或者被導電體542俘獲(也稱為吸雜)。
此外，作為上述微波處理，例如較佳為使用包括產生高密度電漿的電源的裝置或包括對基板一側施加RF的電源的裝置。例如，藉由使用包含氧的氣體及高密度電漿，可以生成高密度的氧自由基，並且藉由對基板一側施加RF，可以將由高密度電漿生成的氧自由基高效地導入氧化物530或氧化物530附近的絕緣體中。此外，在上述微波處理中，壓力為133Pa以上，較佳為200Pa以上，更佳為400Pa以上。此外，作為對進行微波處理的裝置內導入的氣體，例如使用氧及氬，並且氧流量比(O2/(O2+Ar))為50%以下，較佳為10%以上且30%以下。
此外，在電晶體500的製程中，較佳為在氧化物530的表面露出的狀態下進行加熱處理。該加熱處理例如以100℃以上且450℃以下，更佳為以350℃以上且400℃以下進行，即可。另外，加熱處理在氮氣體或惰性氣體的氛圍或包含10ppm以上、1%以上或10%以上的氧化性氣體的氛圍下進行。例如，加熱處理較佳為在氧氛圍下進行。由此，可以對氧化物530供應氧來減少氧空位(VO)。此外，加熱處理也可以在減壓狀態下進行。或者，也可以在氮氣體或惰性氣體的氛圍下進行加熱處理，然後為了填補脫離的氧而在包含10ppm以上、1%以上或10%以上的氧化性氣體的氛圍下進行加熱處理。或者，也可以在包含10ppm以上、1%以上或10%以上的氧化性氣體的氛圍下進行加熱處理，然後連續地在氮氣體或惰性氣體的氛圍下進行加熱處理。
另外，藉由對氧化物530進行加氧化處理，可以由被供應的氧填補氧化物530中的氧空位，換言之，可以促進“VO+O→null”的反應。再者，藉由使殘留在氧化物530中的氫與被供應的氧起反應，可以去除該氫作為H2O(脫水化)。由此，可以抑制殘留在氧化物530中的氫與氧空位再鍵合而形成VOH。
當絕緣體524具有過量氧區域時，絕緣體522較佳為具有抑制氧(例如，氧原子、氧分子等)的擴散的功能(不容易使上述氧透過)。
當絕緣體522具有抑制氧或雜質的擴散的功能時，氧化物530所包含的氧不擴散到絕緣體520一側，所以是較佳的。另外，可以抑制導電體503與絕緣體524或氧化物530所包含的氧起反應。
作為絕緣體522，例如較佳為使用包含氧化鋁、氧化鉿、含有矽及鉿的氧化物(矽酸鉿)、氧化鉭、氧化鋯、鋯鈦酸鉛(PZT)、鈦酸鍶(SrTiO3)或(Ba，Sr)TiO3(BST)等所謂的high-k材料的絕緣體的單層或疊層。當進行電晶體的微型化及高積體化時，由於閘極絕緣膜的薄膜化，有時發生洩漏電流等問題。藉由作為被用作閘極絕緣膜的絕緣體使用high-k材料，可以在保持物理厚度的同時降低電晶體工作時的閘極電位。
尤其是，較佳為使用作為具有抑制雜質及氧等的擴散的功能(不容易使上述氧透過)的絕緣材料的包含鋁和鉿中的一者或兩者的氧化物的絕緣體。作為包含鋁和鉿中的一者或兩者的氧化物的絕緣體，較佳為使用氧化鋁、氧化鉿、包含鋁及鉿的氧化物(鋁酸鉿)等。當使用這種材料形成絕緣體522時，絕緣體522被用作抑制氧從氧化物530釋放或氫等雜質從電晶體500的周圍部進入氧化物530的層。
或者，例如也可以對上述絕緣體添加氧化鋁、氧化鉍、氧化鍺、氧化鈮、氧化矽、氧化鈦、氧化鎢、氧化釔、氧化鋯。此外，也可以對上述絕緣體進行氮化處理。另外，還可以在上述絕緣體上層疊氧化矽、氧氮化矽或氮化矽。
絕緣體520較佳為具有熱穩定性。例如，因為氧化矽及氧氮化矽具有熱穩定性，所以是較佳的。另外，藉由組合high-k材料的絕緣體與氧化矽或氧氮化矽，可以形成具有熱穩定性且相對介電常數高的疊層結構的絕緣體520或絕緣體526。
另外，在圖16A、圖16B的電晶體500中，作為由三層的疊層結構而成的第二閘極絕緣膜示出絕緣體520、絕緣體522及絕緣體524，但是第二閘極絕緣膜也可以具有單層結構、兩層結構或四層以上的疊層結構。此時，不侷限於採用由相同材料而成的疊層結構，也可以採用由不同材料而成的疊層結構。
在電晶體500中，較佳為將被用作氧化物半導體的金屬氧化物用於包含通道形成區域的氧化物530。例如，作為氧化物530較佳為使用In-M-Zn 氧化物(元素M為選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種)等金屬氧化物。作為可應用作氧化物530的In-M-Zn氧化物，可以使用具有c軸配向性且多個奈米晶在a-b面方向上連接而具有畸變的結晶結構的CAAC(c-axis-aligned crystalline)-OS(oxide semiconductor)或CAC(cloud-aligned composite)-OS。此外，作為氧化物530，也可以使用In-Ga氧化物、In-Zn氧化物。
此外，例如作為氧化物530較佳為使用載子濃度低的金屬氧化物。在降低金屬氧化物的載子濃度時，只要降低金屬氧化物中的雜質濃度及缺陷態密度即可。在本說明書等中，雜質濃度低且缺陷態密度低的情況是指高純度本質或實質上高純度本質。另外，作為金屬氧化物中的雜質，例如有氫、氮、鹼金屬、鹼土金屬、鐵、鎳、矽等。
特別是，由於金屬氧化物所包含的氫與鍵合於金屬原子的氧起反應而成為水，因此有時在金屬氧化物中形成氧空位(也稱為VO：oxygen vacancy)。在金屬氧化物中的通道形成區域包含氧空位的情況下，電晶體有時具有常開啟特性。此外，當氫進入氧空位的空位被用作施體，有時生成作為載子的電子。此外，有時氫的一部分與鍵合於金屬原子的氧而生成作為載子的電子。因此，使用包含多量的氫的金屬氧化物的電晶體容易具有常開啟特性。此外，當氫進入金屬氧化物中的氧空位時，有時氧空位與氫鍵合而形成VOH。VOH被用作施體，有時生成作為載子的電子。此外，有時氫的一部分與鍵合於金屬原子的氧而生成作為載子的電子。因此，使用包含多量的氫的金屬氧化物的電晶體容易具有常開啟特性。此外，因為金屬氧化物中的氫因受熱、電場等作用而容易移動，所以當金屬氧化物包含多量的氫時可能會導致電晶體的可靠性降低。在本發明的一個實施方式中，較佳為儘量減少氧化物530中的VOH來實現高純度本質或實質上高純度本質。像這樣，為了得到VOH被充分降低的金屬氧化物，去除金屬氧化物中的水分、氫等雜質(有時也記載為脫水、脫氫化處理)及對金屬氧化物供應氧填補氧空位(有時也記載為加氧化處理)是重要的。藉由將VOH等雜質被充分降低的金屬氧化物用於電晶體的通道形成區域，可以賦予穩定的電特性。
氫進入了氧空位的缺陷可能被用作金屬氧化物的施體。然而，定量地 評價該缺陷是困難的。於是，在金屬氧化物中，有時不以施體濃度而以載子濃度進行評價。因此，在本說明書等中，有時作為金屬氧化物的參數，不採用施體濃度而採用假定不施加電場的狀態的載子濃度。也就是說，本說明書等所記載的“載子濃度”有時可以稱為“施體濃度”。
因此，較佳為儘量減少氧化物530中的氫。明確而言，在金屬氧化物中，藉由二次離子質譜分析法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)得到的氫濃度低於1×1020atoms/cm3，較佳為低於1×1019atoms/cm3，更佳為低於5×1018atoms/cm3，進一步較佳為低於1×1018atoms/cm3。藉由將氫等雜質被充分降低的金屬氧化物用於電晶體的通道形成區域，可以賦予穩定的電特性。
此外，通道形成區域的金屬氧化物的載子濃度較佳為1×1018cm-3以下，更佳為低於1×1017cm-3，進一步較佳為低於1×1016cm-3，進一步較佳為低於1×1013cm-3，進一步較佳為低於1×1012cm-3。注意，對通道形成區域的金屬氧化物的載子濃度的下限值沒有特別的限制，例如可以為1×10-9cm-3。
作為在氧化物530中被用作通道形成區域的金屬氧化物，較佳為使用其能帶間隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上的金屬氧化物。如此，藉由使用能帶間隙較寬的金屬氧化物，可以減小電晶體的關態電流。
在氧化物530中，當在氧化物530b之下設置有氧化物530a時，可以抑制雜質從形成在氧化物530a下的結構物擴散到氧化物530b。當在氧化物530b之上設置有氧化物530c時，可以抑制雜質從形成在氧化物530c的上方的結構物擴散到氧化物530b。
另外，氧化物530較佳為具有各金屬原子的原子個數比互不相同的氧化物的疊層結構。明確而言，用於氧化物530a的金屬氧化物的構成元素中的元素M的原子個數比較佳為大於用於氧化物530b的金屬氧化物的構成元素中的元素M的原子個數比。另外，用於氧化物530a的金屬氧化物中的相對於In的元素M的原子個數比較佳為大於用於氧化物530b的金屬氧化物中的相對於In的元素M的原子個數比。另外，用於氧化物530b的金屬氧化物中的相對於元素M的In的原子個數比較佳為大於用於氧化物530a的 金屬氧化物中的相對於元素M的In的原子個數比。另外，氧化物530c可以使用可用於氧化物530a或氧化物530b的金屬氧化物。
較佳的是，使氧化物530a及氧化物530c的導帶底的能量高於氧化物530b的導帶底的能量。換言之，氧化物530a及氧化物530c的電子親和力較佳為小於氧化物530b的電子親和力。
在此，在氧化物530a、氧化物530b及氧化物530c的接合部中，導帶底的能階平緩地變化。換言之，也可以將上述情況表達為氧化物530a、氧化物530b及氧化物530c的接合部的導帶底的能階連續地變化或者連續地接合。為此，較佳為降低形成在氧化物530a與氧化物530b的介面以及氧化物530b與氧化物530c的介面的混合層的缺陷態密度。
明確而言，藉由使氧化物530a與氧化物530b以及氧化物530b與氧化物530c除了氧之外還包含共同元素(為主要成分)，可以形成缺陷態密度低的混合層。例如，在氧化物530b為In-Ga-Zn氧化物的情況下，作為氧化物530a及氧化物530c較佳為使用In-Ga-Zn氧化物、Ga-Zn氧化物及氧化鎵等。
此時，載子的主要路徑為氧化物530b。藉由使氧化物530a及氧化物530c具有上述結構，可以降低氧化物530a與氧化物530b的介面及氧化物530b與氧化物530c的介面的缺陷態密度。因此，介面散射對載子傳導的影響減少，可以提高電晶體500的通態電流。
在氧化物530b上設置有被用作源極電極及汲極電極的導電體542a及導電體542b。作為導電體542a及導電體542b，較佳為使用選自鋁、鉻、銅、銀、金、鉑、鉭、鎳、鈦、鉬、鎢、鉿、釩、鈮、錳、鎂、鋯、鈹、銦、釕、銥、鍶和鑭中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或者組合上述金屬元素的合金等。例如，較佳為使用氮化鉭、氮化鈦、鎢、包含鈦和鋁的氮化物、包含鉭和鋁的氮化物、氧化釕、氮化釕、包含鍶和釕的氧化物、包含鑭和鎳的氧化物等。另外，氮化鉭、氮化鈦、包含鈦和鋁的氮化物、包含鉭和鋁的氮化物、氧化釕、氮化釕、包含鍶和釕的氧化物、包含鑭和鎳的氧化物是不容易氧化的導電材料或者吸收氧也維持導電性的 材料，所以是較佳的。氮化鉭等的金屬氮化物膜對氫或氧具有阻擋性，所以是更佳的。
此外，雖然在圖16A示出導電體542a及導電體542b的單層結構，但是也可以採用兩層以上的疊層結構。例如，較佳為層疊氮化鉭膜及鎢膜。另外，也可以層疊鈦膜及鋁膜。另外，也可以採用在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構。
另外，也可以使用：在鈦膜或氮化鈦膜上層疊鋁膜或銅膜並在其上形成鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、在鉬膜或氮化鉬膜上層疊鋁膜或銅膜而並在其上形成鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。另外，也可以使用包含氧化銦、氧化錫或氧化鋅的透明導電材料。
另外，如圖16A所示，有時在氧化物530與導電體542a(導電體542b)的介面及其附近作為低電阻區域形成有區域543a及區域543b。此時，區域543a被用作源極區域和汲極區域中的一個，區域543b被用作源極區域和汲極區域中的另一個。此外，通道形成區域形成在夾在區域543a和區域543b之間的區域中。
藉由以與氧化物530接觸的方式設置上述導電體542a(導電體542b)，區域543a(區域543b)的氧濃度有時降低。另外，在區域543a(區域543b)中有時形成包括包含在導電體542a(導電體542b)中的金屬及氧化物530的成分的金屬化合物層。在此情況下，區域543a(區域543b)的載子濃度增加，區域543a(區域543b)成為低電阻區域。
此外，藉由上述導電體542a(導電體542b)和氧化物530接觸而氧化物530中的氧擴散到電極中，由此導電體有時被氧化。導電體的導電率因導電體的氧化而下降的可能性變高。注意，也可以將氧化物530中的氧向導電體擴散的情況稱為導電體吸收氧化物530中的氧。
此外，當氧化物530中的氧擴散到導電體542a(導電體542b)時，氧化物530和導電體的介面可能會形成另一層。因為該另一層包含比上述導 電體542a(導電體542b)多的氧，所以推測該另一層的具有絕緣性。此時，可以認為上述導電體542a(導電體542b)、該另一層和氧化物530的三層結構是由金屬-絕緣體-半導體構成的三層結構，有時也將其稱為MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)結構或以MIS結構為主的二極體連接結構。
絕緣體544以覆蓋導電體542a及導電體542b的方式設置，抑制導電體542a及導電體542b的氧化。此時，絕緣體544也可以以覆蓋氧化物530的側面且與絕緣體524接觸的方式設置。
作為絕緣體544，可以使用包含選自鉿、鋁、鎵、釔、鋯、鎢、鈦、鉭、鎳、鍺、釹、鑭或鎂等中的一種或兩種以上的金屬氧化物。此外，作為絕緣體544也可以使用氮氧化矽或氮化矽等。
尤其是，作為絕緣體544，較佳為使用作為包含鋁和鉿中的一者或兩者的氧化物的絕緣體的氧化鋁、氧化鉿、包含鋁及鉿的氧化物(鋁酸鉿)等。尤其是，鋁酸鉿的耐熱性比氧化鉿膜高。因此，在後面的製程的熱處理中不容易晶化，所以是較佳的。另外，在導電體542a及導電體542b是具有耐氧化性的材料或者吸收氧也其導電性不會顯著降低的情況下，不需要必須設置絕緣體544。根據所需要的電晶體特性，適當地設計即可。
藉由包括絕緣體544，可以抑制絕緣體580所包含的水、氫等雜質經過氧化物530c、絕緣體550擴散到氧化物530b。此外，可以抑制絕緣體580所包含的過量氧使導電體560氧化。
絕緣體550被用作第一閘極絕緣膜。絕緣體550較佳為以接觸於氧化物530c的內側(頂面及側面)的方式配置。絕緣體550較佳為與上述絕緣體524同樣地使用包含過剩的氧並藉由加熱而釋放氧的絕緣體形成。
明確而言，可以使用包含過量氧的氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、添加有氟的氧化矽、添加有碳的氧化矽、添加有碳及氮的氧化矽、具有空孔的氧化矽。尤其是，氧化矽及氧氮化矽具有熱穩定性，所以是較佳的。
藉由作為絕緣體550以與氧化物530c的頂面接觸的方式設置藉由加熱而釋放氧的絕緣體，可以高效地從絕緣體550藉由氧化物530c對氧化物530b的通道形成區域供應氧。此外，與絕緣體524同樣，較佳為降低絕緣體550中的水或氫等雜質的濃度。絕緣體550的厚度較佳為1nm以上且20nm以下。
另外，為了將絕緣體550所包含的過量氧高效地供應到氧化物530，也可以在絕緣體550與導電體560之間設置金屬氧化物。該金屬氧化物較佳為抑制從絕緣體550到導電體560的氧擴散。藉由設置抑制氧的擴散的金屬氧化物，從絕緣體550到導電體560的過量氧的擴散受到抑制。換言之，可以抑制供應到氧化物530的過量氧量減少。另外，可以抑制因過量氧導致的導電體560的氧化。作為該金屬氧化物，可以使用可用於絕緣體544的材料。
另外，與第二閘極絕緣膜同樣，絕緣體550也可以具有疊層結構。由於當進行電晶體的微型化及高積體化時，有時閘極絕緣膜的薄膜化導致洩漏電流等問題，因此藉由使被用作閘極絕緣膜的絕緣體具有high-k材料與具有熱穩定性的材料的疊層結構，可以在保持物理厚度的同時降低電晶體工作時的閘極電位。此外，可以實現具有熱穩定性及高相對介電常數的疊層結構。
在圖16A及圖16B中，被用作第一閘極電極的導電體560具有兩層結構，但是也可以具有單層結構或三層以上的疊層結構。
作為導電體560a，較佳為使用具有抑制氫原子、氫分子、水分子、氮原子、氮分子、氧化氮分子(N2O、NO、NO2等)、銅原子等雜質的擴散的功能的導電材料。另外，較佳為使用具有抑制氧(例如，氧原子、氧分子等中的至少一個)的擴散的功能的導電材料。藉由使導電體560a具有抑制氧的擴散的功能，可以抑制因絕緣體550所包含的氧導致導電體560b氧化而導電率下降。作為具有抑制氧的擴散的功能的導電材料，例如，較佳為使用鉭、氮化鉭、釕或氧化釕等。此外，作為導電體560a可以使用可應用於氧化物530的氧化物半導體。在此情況下，藉由採用濺射法形成導電體 560b，可以降低導電體560a的電阻值來使其成為導電體。其可以稱為OC(Oxide Conductor)電極。
作為導電體560b，較佳為使用以鎢、銅或鋁為主要成分的導電材料。由於導電體560b還被用作佈線，所以較佳為使用導電性高的導電體。導電體560b也可以具有疊層結構，例如，可以採用鈦或氮化鈦和上述導電材料的疊層結構。
絕緣體580較佳為隔著絕緣體544設置在導電體542a及導電體542b上。絕緣體580較佳為具有過量氧區域。例如，絕緣體580較佳為包含氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽、添加有氟的氧化矽、添加有碳的氧化矽、添加有碳及氮的氧化矽、具有空孔的氧化矽或樹脂等。尤其是，氧化矽及氧氮化矽具有熱穩定性，所以是較佳的。尤其是，氧化矽和具有空孔的氧化矽容易在後面的製程中形成過量氧區域，所以是較佳的。
絕緣體580較佳為具有過量氧區域。藉由以與氧化物530c接觸的方式設置藉由加熱而釋放氧的絕緣體580，可以將絕緣體580中的氧藉由氧化物530c高效地供應給氧化物530。另外，較佳為降低絕緣體580中的水或氫等雜質的濃度。
絕緣體580的開口以與導電體542a和導電體542b之間的區域重疊的方式形成。由此，導電體560以埋入絕緣體580的開口中及夾在導電體542a與導電體542b之間的區域的方式設置。
在進行半導體裝置的微型化時，需要縮短閘極長度，但是需要防止導電體560的導電性的下降。為此，在增大導電體560的厚度的情況下，導電體560有可能具有縱橫比高的形狀。在本實施方式中，由於將導電體560以埋入絕緣體580的開口的方式設置，所以即使導電體560具有縱橫比高的形狀，在製程中也不發生導電體560的倒塌。
絕緣體574較佳為以與絕緣體580的頂面、導電體560的頂面及絕緣體550的頂面的方式設置。藉由利用濺射法形成絕緣體574，可以在絕緣體550及絕緣體580中形成過量氧區域。由此，可以將氧從該過量氧區域供應 到氧化物530中。
例如，作為絕緣體574，可以使用包含選自鉿、鋁、鎵、釔、鋯、鎢、鈦、鉭、鎳、鍺和鎂等中的一種或兩種以上的金屬氧化物。
尤其是，氧化鋁具有高阻擋性，即使是0.5nm以上且3.0nm以下的薄膜，也可以抑制氫及氮的擴散。由此，藉由利用濺射法形成的氧化鋁可以在被用作氧供應源的同時還具有氫等雜質的障壁膜的功能。
另外，也可以在形成電晶體500之後，以圍繞電晶體500的方式形成開口，並以覆蓋該開口的方式形成對氫或水具有高阻擋性的絕緣體。藉由由上述高阻擋性的絕緣體包裹電晶體500，可以防止水分及氫從外部進入。或者，多個電晶體500都可以由對氫或水具有高阻擋性的絕緣體包裹。另外，在圍繞電晶體500地形成開口的情況下，例如，當形成到達絕緣體514或絕緣體522的開口並接觸於絕緣體514或絕緣體522地形成上述高阻擋性的絕緣體時可以兼作電晶體500的製程的一部分，所以是較佳的。此外，作為對氫或水具有高阻擋性的絕緣體，例如使用與絕緣體522同樣的材料即可。
另外，較佳為在絕緣體574上設置被用作層間膜的絕緣體581。與絕緣體524等同樣，較佳為降低絕緣體581中的水或氫等雜質的濃度。
另外，在形成於絕緣體581、絕緣體574、絕緣體580及絕緣體544中的開口配置導電體540a及導電體540b。導電體540a及導電體540b以隔著導電體560彼此對置的方式設置。導電體540a及導電體540b具有與後面說明的導電體546及導電體548同樣的結構。
在絕緣體581上設置有絕緣體582。絕緣體582較佳為使用對氧或氫具有阻擋性的物質。因此，作為絕緣體582可以使用與絕緣體514同樣的材料。例如，作為絕緣體582較佳為使用氧化鋁、氧化鉿、氧化鉭等金屬氧化物。
尤其是，氧化鋁的不使氧及導致電晶體的電特性變動的氫、水分等雜 質透過的阻擋效果高。因此，在電晶體的製程中及製程之後，氧化鋁可以防止氫、水分等雜質進入電晶體500中。此外，氧化鋁可以抑制氧從構成電晶體500的氧化物釋放。因此，氧化鋁適合用於電晶體500的保護膜。
此外，在絕緣體582上設置有絕緣體586。作為絕緣體586可以使用與絕緣體320同樣的材料。此外，藉由作為這些絕緣體應用介電常數較低的材料，可以減少產生在佈線之間的寄生電容。例如，作為絕緣體586，可以使用氧化矽膜及氧氮化矽膜等。
此外，在絕緣體520、絕緣體522、絕緣體524、絕緣體544、絕緣體580、絕緣體574、絕緣體581、絕緣體582及絕緣體586中埋入有導電體546及導電體548等。
導電體546及導電體548被用作與電容元件600、電晶體500或電晶體300連接的插頭或佈線。導電體546及導電體548可以使用與導電體328及導電體330同樣的材料設置。
接著，在電晶體500的上方設置有電容元件600。電容元件600包括導電體610、導電體620及絕緣體630。
此外，也可以在導電體546及導電體548上設置導電體612。導電體612被用作與電晶體500連接的插頭或者佈線。導電體610被用作電容元件600的電極。此外，可以同時形成導電體612及導電體610。
作為導電體612及導電體610可以使用包含選自鉬、鈦、鉭、鎢、鋁、銅、鉻、釹、鈧中的元素的金屬膜或以上述元素為成分的金屬氮化物膜(氮化鉭膜、氮化鈦膜、氮化鉬膜、氮化鎢膜)等。或者，也可以使用銦錫氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等導電材料。
在圖14中，導電體612及導電體610具有單層結構，但是不侷限於此，也可以具有兩層以上的疊層結構。例如，也可以在具有阻擋性的導電體與 導電性高的導電體之間形成與具有阻擋性的導電體以及導電性高的導電體緊密性高的導電體。
以隔著絕緣體630重疊於導電體610的方式設置導電體620。作為導電體620可以使用金屬材料、合金材料、金屬氧化物材料等導電材料。較佳為使用兼具耐熱性和導電性的鎢或鉬等高熔點材料，尤其較佳為使用鎢。當與導電體等其他組件同時形成導電體620時，使用低電阻金屬材料的Cu(銅)或Al(鋁)等即可。
在導電體620及絕緣體630上設置有絕緣體640。絕緣體640可以使用與絕緣體320同樣的材料設置。此外，絕緣體640可以被用作覆蓋其下方的凹凸形狀的平坦化膜。
藉由採用本結構，可以在抑制使用包含氧化物半導體的電晶體的半導體裝置的電特性變動的同時提高可靠性。此外，使用包含氧化物半導體的電晶體的電池控制電路中可以實現微型化或高積體化。
下面說明使用本發明的一個實施方式的OS電晶體的記憶體。
本發明的一個實施方式所包括的蓄電裝置較佳為具有記憶體。作為記憶體，可以應用使用OS電晶體的記憶體裝置。例如，可以使用下面說明的NOSRAM(註冊商標)、DOSRAM(註冊商標)等。
NOSRAM是指由OS電晶體構成記憶單元的寫入電晶體的增益單元型DRAM。NOSRAM是Nonvolatile Oxide Semiconductor RAM的簡稱。下面示出NOSRAM的結構例子。
〈NOSRAM〉
圖17A是示出NOSRAM的結構例子的方塊圖。在NOSRAM240中設置電源定域242、243、功率開關245至247。在電源定域242中設置記憶單元陣列250，在電源定域243中設置NOSRAM240的週邊電路。週邊電路包括控制電路251、行電路252及列電路253。
從外部對NOSRAM240輸入電壓VDDD、VSSS、VDHW、VDHR、VBG2、時脈信號GCLK2、位址信號、信號CE、WE、PSE5。信號CE、WE是晶片賦能信號、寫入賦能信號。信號PSE5控制功率開關245至247的開啟及關閉。功率開關245至247分別控制向電源定域243的電壓VDDD、VDHW、VDHR的輸入。
另外，根據NOSRAM240的電路結構及工作方法適當地選擇輸入到NOSRAM240的電壓、信號等。例如，NOSRAM240也可以設有不受到電源閘控的電源定域並設有生成信號PSE5的電源閘控控制電路。
記憶單元陣列250包括記憶單元10、寫入字線WWL、讀出字線RWL、寫入位元線WBL、讀出位元線RBL及源極線SL。
如圖17B所示，記憶單元10是2T1C(2個電晶體1個電容器)型的增益單元，包括節點SN1、電晶體M1、M2、電容器C1。電晶體M1是寫入電晶體，並是包括背閘極的OS電晶體。電晶體M1的背閘極與供應電壓VBG2的佈線BGL2電連接。電晶體M2是讀出電晶體，並是p通道型Si電晶體。電容器C1是用來保持節點SN1的電壓的儲存電容器。
電壓VDDD、VSSS分別是表示資料“1”、“0”的電壓。注意，寫入字線WWL、RWL的高位準電壓是VDHW、VDHR。
圖18A示出記憶單元陣列250的結構例子。在圖18A所示的記憶單元陣列250中，對鄰接的2行提供一個源極線。
在記憶單元10中，原理上其寫入次數沒有限制，並能夠以低能量進行資料改寫，因此資料的保持不消耗電力。因為電晶體M1是具有極小的關態電流的OS電晶體，所以記憶單元10能夠長時間地保持資料。因此，藉由由NOSRAM240構成快取記憶體裝置202、202，可以使快取記憶體裝置202、203成為非揮發性的低功耗的記憶體裝置。
記憶單元10的電路結構不侷限於圖17B的電路結構。例如，讀出電晶體M2可以為包括背閘極的OS電晶體或n通道型Si電晶體。或者，記憶單元10也可以為3T型增益單元。例如，圖18B及圖18C示出3T型增益單元 的例子。圖18B所示的記憶單元15包括電晶體M3至M5、電容器C3及節點SN3。電晶體M3至M5分別是寫入電晶體、讀出電晶體、選擇電晶體。電晶體M3為包括背閘極的OS電晶體，電晶體M4、M5為p通道型Si電晶體。電晶體M4、M5可以由n通道型Si電晶體或包括背閘極的OS電晶體構成。在圖18C所示的記憶單元16中，三個電晶體由包括背閘極的OS電晶體構成。
節點SN3是保持節點。電容器C3是用來保持節點SN3的電壓的儲存電容器。可以意圖性地不設置電容器C3，由電晶體M4的閘極電容等構成儲存電容器。佈線PDL被供應固定電壓(例如VDDD)。佈線PDL是代替源極線SL的佈線，例如被供應電壓VDDD。
控制電路251是具有對NOSRAM240的所有工作進行控制的功能。例如，控制電路251對信號CE、WE進行邏輯運算而判斷來自外部的訪問是寫入訪問還是讀出訪問。
行電路252具有選擇位址信號所指定的被選擇的行的寫入字線WWL、讀出字線的功能。列電路253具有對位址信號所指定的列的寫入位元線寫入資料的功能及從該列的讀出位元線WBL讀出資料的功能。
〈DOSRAM〉
DOSRAM是包括1T1C型的記憶單元的RAM，是Dynamic Oxide Semiconductor RAM的簡稱。以下參照圖19A及圖19B說明DOSRAM。
如圖19A所示，DOSRAM351的記憶單元16與位元線BL(或BLB)、字線WL、佈線BGL6及PL電連接。位元線BLB是反轉位元線。例如，佈線BGL6、PL被供應電壓VBG6、VSSS。記憶單元16包括電晶體M6及電容器C6。電晶體M6為包括背閘極的OS電晶體。
由於藉由電容器C6的充放電來改寫資料，所以原理上對DOSRAM351的改寫次數沒有限制，並且可以以低功耗進行資料的寫入及讀出。另外，記憶單元16的電路結構簡單，容易實現大容量化。記憶單元16的寫入電晶體為OS電晶體，因此與DRAM相比，DOSRAM351的保持時間很長。因而可以 降低更新頻率，或者不需要更新工作，而能夠減少更新工作所需的功耗。
如圖19B所示，在DOSRAM351中，記憶單元陣列361可以層疊在週邊電路365上。這是因為記憶單元16的電晶體M6為OS電晶體的緣故。
在記憶單元陣列361中，行列狀地配置多個記憶單元16，根據記憶單元16的配列設置位元線BL、BLB、字線WL、佈線BGL6及PL。在週邊電路365中設置控制電路、行電路及列電路。行電路進行訪問對象的字線WL的選擇等。列電路對由BL及BLB構成的位元線對進行資料的寫入及讀出等。
為了進行週邊電路365的電源閘控，設置功率開關371、373。功率開關371、373分別控制供應給週邊電路365的電壓VDDD、VDHW6的輸入。注意，電壓VDHW6是字線WL的高位準電壓。功率開關371、373的開啟及關閉被信號PSE6控制。例如，信號PSE6在PMU113中生成。
本實施方式可以與其他實施方式的記載適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖20A及圖20B說明將在上述的實施方式中說明的電池控制電路用作電子構件的例子進行說明。
在圖20A中，說明將在上述實施方式中說明的電池控制電路用作電子構件的例子。注意，電子構件也被稱為半導體封裝或IC用封裝。該電子構件根據端子取出方向或端子的形狀具有不同規格和名稱。在本實施方式中，說明其一個例子。
藉由在組裝製程(後製程)中組合多個能夠裝卸在印刷電路板上的構件，完成由OS電晶體或Si電晶體構成的電路部。
後製程可以經過進行圖20A所示的製程完成。明確而言，在由前製程得到的元件基板完成(步驟S1)之後，研磨基板的背面(步驟S2)。藉由在此階段使基板薄膜化，可以減少在前製程中產生的基板的翹曲等，而實 現構件的小型化。
研磨基板的背面且進行將基板分成多個晶片的切割(dicing)製程。並且，進行將被切割的各晶片安裝於引線框架上並實現接合的晶片接合(die bonding)製程(步驟S3)。該晶片接合製程中的晶片與引線框架的黏接可以根據產品適當地選擇合適的方法，如利用樹脂的黏接或利用膠帶的黏接等。另外，在晶片接合製程中，也可以將各晶片安裝於插入物(interposer)上而實現接合。
接著，進行將引線框架的引線與晶片上的電極藉由金屬細線(wire)電連接的打線接合(wire bonding)(步驟S4)。作為金屬細線可以使用銀線或金線。此外，打線接合可以使用球焊(ball bonding)或楔焊(wedge bonding)。
對進行了打線接合後的晶片實施由環氧樹脂等密封的模塑(molding)製程(步驟S5)。藉由進行模塑製程，使電子構件的內部被樹脂填充，可以降低對安裝於電子構件內部的電路部及金屬細線因機械外力導致的損傷，還可以降低因水分或灰塵而導致的特性劣化。
接著，對引線框架的引線進行電鍍處理。並且對引線進行切斷及成型加工(步驟S6)。藉由該電鍍處理可以防止引線生銹，而在之後將引線安裝於印刷電路板時，可以更加確實地進行銲接。
接著，對封裝表面實施印字處理(marking)(步驟S7)。並且經過最終的檢驗步驟(步驟S8)完成包括包含PLD的電路部的電子構件(步驟S9)。
圖20B示出完成的電子構件的透視示意圖。在圖20B中，作為電子構件的一個例子，示出QFP(Quad Flat Package：四面扁平封裝)的透視示意圖。圖20B所示的電子構件700包括引線701及電路部703。圖20B所示的電子構件700例如安裝於印刷電路板702。藉由組合多個這樣的電子構件700並使其在印刷電路板702上彼此電連接，可以安裝於電子裝置的內部。完成的電路板704設置於電子裝置等的內部。
實施方式4
在本實施方式中，對可以使用包括在上述實施方式中說明的電池控制電路的電子構件的蓄電裝置及蓄電系統的結構進行說明。
[圓筒型二次電池]
參照圖21A說明圓筒型二次電池的例子。如圖21A所示，圓筒型二次電池400的頂面包括正極蓋(電池蓋)401，其側面及底面包括電池罐(外包裝罐)402。這些正極蓋401與電池罐(外裝罐)402藉由墊片(絕緣墊片)410絕緣。
圖21B是示意性地示出圓筒型二次電池的剖面的圖。圖21B所示的圓筒型的二次電池在頂面具有正極蓋(電池蓋)601，並在側面及底面具有電池罐(外裝罐)602。上述正極蓋與電池罐(外裝罐)602藉由墊片(絕緣墊片)610絕緣。
在中空圓柱狀電池罐602的內側設置有帶狀正極604和帶狀負極606夾著隔離體605被捲繞的電池元件。雖然未圖示，但是電池元件以中心銷為中心被捲繞。電池罐602的一端關閉且另一端開著。作為電池罐602可以使用對電解液具有抗腐蝕性的鎳、鋁、鈦等金屬、它們的合金或者它們和其他金屬的合金(例如不鏽鋼等)。另外，為了防止電解液所引起的腐蝕，電池罐602較佳為被鎳或鋁等覆蓋。在電池罐602的內側，正極、負極及隔離體被捲繞的電池元件由對置的一對絕緣板608和絕緣板609夾著。另外，在設置有電池元件的電池罐602的內部中注入有非水電解液(未圖示)。作為非水電解液，可以使用與硬幣型二次電池相同的電解液。
因為用於圓筒型蓄電池的正極及負極被捲繞，從而活性物質較佳為形成在集電器的兩個表面。正極604連接有正極端子(正極集電引線)603，而負極606與負極端子(負極集電引線)607連接。正極端子603及負極端子607都可以使用鋁等金屬材料。將正極端子603電阻銲接到安全閥機構613，而將負極端子607電阻銲接到電池罐602底。安全閥機構613與正極蓋601藉由PTC(Positive Temperature Coefficient：正溫度係數)元件611電連接。當電池的內壓上升到超過指定的臨界值時，安全閥機構613切 斷正極蓋601與正極604的電連接。另外，PTC元件611是在溫度上升時其電阻增大的熱敏感電阻器，並藉由電阻的增大來限制電流量以防止異常發熱。PTC元件可以使用鈦酸鋇(BaTiO3)類半導體陶瓷等。
圖21C示出蓄電系統415的一個例子。蓄電系統415包括多個二次電池400。每個二次電池的正極接觸於由絕緣體425分離的導電體424而該正極彼此電連接。導電體424藉由佈線423與控制電路420電連接。此外，每個二次電池的負極藉由佈線426與控制電路420電連接。作為控制電路420可以使用上述實施方式所說明的電池控制電路。
圖21D示出蓄電系統415的一個例子。蓄電系統415包括多個二次電池400，多個二次電池400夾在導電板413和導電板414之間。多個二次電池400藉由佈線416與導電板413及導電板414電連接。多個二次電池400可以並聯連接，串聯連接或者並聯連接後再串聯連接。藉由構成包括多個二次電池400的蓄電系統415，可以獲取大電力。
另外，也可以在多個二次電池400之間包括溫度控制裝置。在二次電池400過熱時可以藉由溫度控制裝置冷卻，在二次電池400過冷時可以藉由溫度控制裝置加熱。因此，蓄電系統415的性能不容易受到外氣溫的影響。
另外，在圖21D中，蓄電系統415藉由佈線421及佈線422與控制電路420電連接。作為控制電路420可以使用上述實施方式所說明的電池控制電路。佈線421藉由導電板413與多個二次電池400的正極電連接，佈線422藉由導電板414與多個二次電池400的負極電連接。
[二次電池組]
接著，參照圖22A、圖22B及圖22C對本發明的一個實施方式的蓄電系統的例子進行說明。
圖22A是示出二次電池組531的外觀的圖。圖22B是說明二次電池組531的結構的圖。二次電池組531包括電路板501及二次電池513。二次電池513貼合有簽條509。電路板501由密封帶515固定。此外，二次電池組 531包括天線517。
電路板501包括控制電路590。作為控制電路590，可以使用上述實施方式所示的電池控制電路。例如，如圖22B所示那樣，在電路板501上包括控制電路590。另外，電路板501與端子511電連接。另外，電路板501與天線517、二次電池513的正極引線及負極引線中的一個551、正極引線及負極引線的另一個552電連接。
另外，如圖22C所示那樣，二次電池組系統也可以包括設置在電路板501上的電路系統590a以及藉由端子511與電路板501電連接的電路系統590b。例如，本發明的一個實施方式的控制電路的一部分設置在電路系統590a中，其他的一部分設置在電路系統590b中。
另外，天線517的形狀不侷限於線圈狀，例如可以為線狀、板狀。另外，還可以使用平面天線、口徑天線、行波天線、EH天線、磁場天線或介質天線等天線。或者，天線517也可以為平板狀的導體。該平板狀的導體也可以用作電場耦合用的導體之一。換言之，也可以將天線517用作電容器所具有的兩個導體中之一。由此，不但利用電磁、磁場，而且還可以利用電場交換電力。
二次電池組531在天線517和二次電池513之間包括層519。層519例如具有可以遮蔽來自二次電池513的電磁場的功能。作為層519，例如可以使用磁性體。
二次電池513也可以包括捲繞的電池元件。該電池元件包括負極、正極及隔離體。該電池元件例如為隔著隔離體層疊負極和正極且捲繞該疊層的膜。
本實施方式可以與其他實施方式的記載適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，示出將本發明的一個實施方式的蓄電系統安裝在車輛的例子。作為車輛，例如可以舉出汽車、二輪車和自行車等。
當將蓄電系統安裝在車輛時，可以實現混合動力汽車(HEV)、電動汽車(EV)或插電式混合動力汽車(PHEV)等新一代清潔能源汽車。
在圖23A、圖23B及圖23C中，例示出使用本發明的一個實施方式的蓄電系統的車輛。圖23A所示的汽車8400是作為行駛的動力源使用電動機的電動汽車。或者，汽車8400是作為行駛的動力源能夠適當地使用電動機或引擎的混合動力汽車。藉由使用本發明的一個實施方式，可以實現行駛距離長的車輛。另外，汽車8400具備蓄電系統。蓄電系統不但驅動電發動機8406，而且還可以將電力供應到車頭燈8401或室內燈(未圖示)等發光裝置。
另外，蓄電系統可以將電力供應到汽車8400所具有的速度表、轉速計等顯示裝置。此外，蓄電系統可以將電力供應到汽車8400所具有的導航系統等。
在圖23B所示的汽車8500中，可以藉由利用插電方式或非接觸供電方式等從外部的充電設備接收電力，來對汽車8500所具有的蓄電系統8024進行充電。圖23B示出從地上設置型充電裝置8021藉由電纜8022對安裝在汽車8500中的蓄電系統8024進行充電的情況。當進行充電時，作為充電方法或連接器的規格等，可以適當地使用CHAdeMO(註冊商標)或聯合充電系統“Combined Charging System”等的規定的方式。作為充電裝置8021，也可以使用設置在商業設施的充電站或家庭的電源。例如，藉由利用插電技術從外部供應電力，可以對安裝在汽車8500中的蓄電系統8024進行充電。可以藉由AC/DC轉換器等轉換裝置將交流電力轉換成直流電力 來進行充電。
另外，雖然未圖示，但是也可以將受電裝置安裝在車輛中並從地上的送電裝置非接觸地供應電力來進行充電。當利用非接觸供電方式時，藉由在公路或外壁中組裝送電裝置，不但在停車時而且在行駛時也可以進行充電。此外，也可以利用該非接觸供電方式，在車輛之間進行電力的發送及接收。再者，還可以在車輛的外部設置太陽能電池，在停車時或行駛時進行蓄電系統的充電。可以利用電磁感應方式或磁場共振方式實現這樣的非接觸供電。
圖23C是使用本發明的一個實施方式的蓄電系統的二輪車的例子。圖23C所示的小型摩托車8600包括蓄電系統8602、後視鏡8601及方向燈8603。蓄電系統8602可以對方向燈8603供電。
此外，在圖23C所示的小型摩托車8600中，可以將蓄電系統8602收納在座位下收納部8604中。即使座位下收納部8604空間小，也可以將蓄電系統8602收納在座位下收納部8604中。
另外，圖24A示出使用本發明的一個實施方式的蓄電系統的電動自行車的一個例子。圖24A所示的電動自行車8700可以使用本發明的一個實施方式的蓄電系統。本發明的一個實施方式的蓄電系統例如包括多個蓄電池、保護電路及神經網路。
電動自行車8700包括蓄電系統8702。蓄電系統8702對輔助駕駛者的電動機供應電力。另外，蓄電系統8702是可攜帶的，圖24B示出從自行車取出的蓄電系統8702。蓄電系統8702內置有多個本發明的一個實施方式的蓄電系統所包括的蓄電池8701，可以由顯示部8703顯示剩餘電量等。另外，蓄電系統8702包括本發明的一個實施方式的控制電路8704。控制電路8704與蓄電池8701的正極及負極電連接。作為控制電路8704可以使用上述實施方式所示的電池控制電路。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式6
在本實施方式中，對將上述實施方式所示的蓄電系統安裝在電子裝置中的例子進行說明。
接著，圖25A和圖25B示出能夠進行對折的平板終端(包括clamshell型終端)的一個例子。圖25A和圖25B所示的平板終端9600包括外殼9630a、外殼9630b、連接外殼9630a和外殼9630b的可動部9640、顯示部9631、顯示模式切換開關9626、電源開關9627、省電模式切換開關9625、扣件9629以及操作開關9628。藉由將撓性面板用於顯示部9631，可以實現顯示部更大的平板終端。圖25A示出打開平板終端9600的狀態，圖25B示出合上平板終端9600的狀態。
平板終端9600在外殼9630a及外殼9630b的內部具備蓄電體9635。蓄電體9635穿過可動部9640設置在外殼9630a及外殼9630b。
在顯示部9631中，可以將其一部分用作觸控面板的區域，並且可以藉由接觸所顯示的操作鍵來輸入資料。此外，藉由使用手指或觸控筆等接觸觸控面板上的鍵盤顯示切換按鈕的位置，可以在顯示部9631上顯示鍵盤按鈕。
另外，顯示模式切換開關9626能夠進行豎屏顯示和橫屏顯示等顯示的方向的切換以及黑白顯示和彩色顯示的切換等。根據藉由平板終端9600所內置的光感測器所檢測的使用時的外光的光量，省電模式切換開關9625可以使顯示的亮度設定為最適合的亮度。平板終端除了光感測器以外還可以內置陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度的感測器等的其他檢測裝置。
圖25B是平板終端9600被對折的狀態，並且平板終端9600包括外殼 9630、太陽能電池9633及本發明的一個實施方式的蓄電系統。蓄電系統包括控制電路9634及蓄電體9635。作為控制電路9634可以使用上面實施方式所示的電池控制電路。
此外，平板終端9600能夠進行對折，因此不使用時可以以重疊的方式折疊外殼9630a及外殼9630b。藉由折疊外殼9630a及外殼9630b，可以保護顯示部9631，而可以提高平板終端9600的耐久性。
此外，圖25A和圖25B所示的平板終端還可以具有如下功能：顯示各種各樣的資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)；將日曆、日期或時刻等顯示在顯示部上；對顯示在顯示部上的資訊進行觸摸輸入操作或編輯的觸摸輸入；藉由各種各樣的軟體(程式)控制處理等。
藉由利用安裝在平板終端的表面上的太陽能電池9633，可以將電力供應到觸控面板、顯示部或影像信號處理部等。注意，太陽能電池9633可以設置在外殼9630的一個表面或兩個表面，可以高效地對蓄電體9635進行充電。
另外，在圖25A及圖25B中說明將使用上面實施方式所示的電池控制電路的控制電路用於能夠進行對折的平板終端的結構，然而也可以採用其他結構。例如，如圖25C所示，可以用於作為clamshell型終端的膝上型個人電腦。圖25C示出膝上型個人電腦9601，其在外殼9630a中包括顯示部9631，在外殼9630b中包括鍵盤部9636。在膝上型個人電腦9601中包括圖25A及圖25B所說明的控制電路9634及蓄電體9635。作為控制電路9634可以使用上面實施方式所示的電池控制電路。
圖26示出其他電子裝置的例子。在圖26中，顯示裝置8000是安裝有本發明的一個實施方式的蓄電系統的電子裝置的一個例子。明確地說，顯示裝置8000相當於電視廣播接收用顯示裝置，包括外殼8001、顯示部8002、揚聲器部8003及二次電池8004等。根據本發明的一個實施方式的檢測系統設置在外殼8001的內部。顯示裝置8000既可以接收來自商業電 源的電力供應，又可以使用蓄積在二次電池8004中的電力。
作為顯示部8002，可以使用半導體顯示裝置諸如液晶顯示裝置、在每個像素中具備有機EL元件等發光元件的發光裝置、電泳顯示裝置、DMD(數位微鏡裝置：Digital Micromirror Device)、PDP(電漿顯示面板：Plasma Display Panel)及FED(場致發射顯示器：Field Emission Display)等。
另外，聲音輸入裝置8005也使用二次電池。聲音輸入裝置8005包括上面實施方式所示的蓄電系統。除了無線通訊元件之外，聲音輸入裝置8005還包括包含麥克風的多個感測器(光學感測器、溫度感測器、濕度感測器、氣壓感測器、照度感測器、動作感測器等)，根據使用者命令可以操作其他設備，例如可以操作顯示裝置8000的電源且調節照明設備8100的光量等。聲音輸入裝置8005藉由聲音可以進行周邊裝置的操作，而能夠代替手動遙控器。
另外，聲音輸入裝置8005包括車輪或機械式移動單元，向聽見使用者的聲音的方向移動且由內置有的麥克風正確地聽懂命令，並且在顯示部8008上顯示其內容或能夠進行顯示部8008的觸摸輸入操作。
另外，聲音輸入裝置8005可以被用作智慧手機等可攜式資訊終端8009的充電基座。可攜式資訊終端8009及聲音輸入裝置8005能夠以有線或無線進行電力的接受。可攜式資訊終端8009因為在屋裡內沒有特別攜帶的必要，並且在確保必要的容量的同時需要回避對二次電池施加負載而導致劣化，所以較佳為藉由聲音輸入裝置8005能夠進行二次電池的管理及維修。另外，聲音輸入裝置8005包括揚聲器8007及麥克風，因此即使對可攜式資訊終端8009進行充電時也可以免提通話。此外，在降低聲音輸入裝置8005的二次電池的容量時，向箭頭方向移動且藉由連接於外部電源的充電模組8010以無線充電進行充電即可。
另外，可以將聲音輸入裝置8005放在台上。此外，可以使聲音輸入裝置8005設有車輪或機械式移動單元來移動到所希望的位置，或者聲音輸入裝置8005不設有台或車輪而固定於所希望的位置，例如地板上等。
另外，除了電視廣播接收用的顯示裝置之外，顯示裝置還包括所有顯示資訊用顯示裝置，例如個人電腦用顯示裝置或廣告顯示用顯示裝置等。
在圖26中，安鑲型照明設備8100是使用由控制充電的微處理器(包括APS)控制的二次電池8103的電子裝置的一個例子。明確地說，照明設備8100包括外殼8101、光源8102及二次電池8103等。雖然在圖26中例示出二次電池8103設置在安鑲有外殼8101及光源8102的天花板8104的內部的情況，但是二次電池8103也可以設置在外殼8101的內部。照明設備8100既可以接收來自商業電源的電力供應，又可以使用蓄積在二次電池8103中的電力。
另外，雖然在圖26中例示出設置在天花板8104的安鑲型照明設備8100，但是二次電池8103可以用於設置在天花板8104以外的例如側壁8105、地板8106或窗戶8107等的安鑲型照明設備，也可以用於臺式照明設備等。
另外，作為光源8102，可以使用利用電力人工性地得到光的人工光源。明確地說，作為上述人工光源的一個例子，可以舉出白熾燈泡、螢光燈等放電燈以及LED或有機EL元件等發光元件。
在圖26中，具有室內機8200及室外機8204的空調器是使用二次電池8203的電子裝置的一個例子。明確地說，室內機8200包括外殼8201、出風口8202及二次電池8203等。雖然在圖26中例示出二次電池8203設置在室內機8200中的情況，但是二次電池8203也可以設置在室外機8204中。或者，也可以在室內機8200和室外機8204的兩者中設置有二次電池8203。空調器可以接收來自商業電源的電力供應，也可以使用蓄積在二次電池8203中的電力。
在圖26中，電冷藏冷凍箱8300是使用二次電池8304的電子裝置的一個例子。明確地說，電冷藏冷凍箱8300包括外殼8301、冷藏室門8302、冷凍室門8303及二次電池8304等。在圖26中，二次電池8304設置在外殼8301的內部。電冷藏冷凍箱8300可以接收來自商業電源的電力供應，也可以使用蓄積在二次電池8304中的電力。
另外，在不使用電子裝置的時間段，尤其是在商業電源的供應源能夠供應的電力總量中的實際使用的電力量的比率(稱為電力使用率)低的時間段中，將電力蓄積在二次電池中，由此可以抑制在上述時間段以外的時間段中電力使用率增高。例如，在為電冷藏冷凍箱8300時，在氣溫低且不進行冷藏室門8302或冷凍室門8303的開關的夜間，將電力蓄積在二次電池8304中。並且，在氣溫高且進行冷藏室門8302或冷凍室門8303的開關的白天，將二次電池8304用作輔助電源，由此可以抑制白天的電力使用率。
二次電池不侷限於安裝在上述電子裝置，也可以安裝在所有電子裝置。藉由採用本發明的一個實施方式，可以提高二次電池的循環特性。因此，藉由將控制本發明的一個實施方式的充電的微處理器(包括APS)安裝在本實施方式所說明的電子裝置，可以實現使用壽命更長的電子裝置。本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
首先，圖27A至圖27E示出將本發明的一個實施方式的蓄電系統安裝在電子裝置的例子。作為應用本發明的一個實施方式的蓄電系統的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等大型遊戲機等。
圖27A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401中的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，行動電話機7400具有本發明的一個實施方式的蓄電系統。本發明的一個實施方式的蓄電系統例如包括蓄電池7407、上述實施方式所示的電池控制電路。
圖27B示出使行動電話機7400彎曲的狀態。在利用外部的力量使行動電話機7400變形而使其整體彎曲時，設置在其內部的蓄電池7407有時也會被彎曲。在此情況下，作為蓄電池7407，較佳為使用撓性蓄電池。圖27C示出撓性蓄電池的被彎曲的狀態。蓄電池與控制電路7408電連接。作為控制電路7408，可以使用上面實施方式所示的電池控制電路。
此外，也可以將具有撓性的蓄電池沿著在房屋及高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝修或外部裝修的曲面組裝。
圖27D示出手鐲型的顯示裝置的一個例子。可攜式顯示裝置7100包括外殼7101、顯示部7102、操作按鈕7103及本發明的一個實施方式的蓄電系統。本發明的一個實施方式的蓄電系統包括例如蓄電池7104、上面實施方式所示的電池控制電路。
圖27E是手錶型可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7200包括外殼7201、顯示部7202、帶子7203、帶扣7204、操作按鈕7205、輸入輸出端子7206等。
可攜式資訊終端7200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
顯示部7202的顯示面是彎曲的，能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示。另外，顯示部7202具備觸控感測器，可以用手指或觸控筆等觸控螢幕來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7202的圖示7207，可以啟動應用程式。
操作按鈕7205除了時刻設定之外，還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的設置及取消、省電模式的設置及取消等各種功能。例如，藉由利用組裝在可攜式資訊終端7200中的操作系統，可以自由地設定操作按鈕7205的功能。
另外，可攜式資訊終端7200可以執行被通訊標準化的近距離無線通訊。例如，藉由與可無線通訊的耳麥通訊，可以進行免提通話。
另外，可攜式資訊終端7200具備輸入輸出端子7206，可以藉由連接器直接向其他資訊終端發送資料或從其他資訊終端接收資料。另外，也可以藉由輸入輸出端子7206進行充電。另外，充電工作也可以利用無線供電進行，而不利用輸入輸出端子7206。
可攜式資訊終端7200包括本發明的一個實施方式的蓄電系統。該蓄電系統包括蓄電池及上面實施方式所示的電池控制電路。
可攜式資訊終端7200較佳為包括感測器。作為感測器例如較佳為安裝指紋感測器、脈搏感測器、體溫感測器等人體感測器、觸控感測器、壓力感測器、加速度感測器等。
本實施方式可以與其他實施方式的記載適當地組合。
實施方式7
在本實施方式中，對可以使用OS電晶體的市場形象進行說明。
〈市場形象〉
首先，在圖28中示出可以使用OS電晶體的市場形象。在圖28中，區域801表示可以應用於使用OS電晶體的顯示器(Display)的產品區域(OS Display)，區域802表示可以將使用OS電晶體的LSI(Large Scale Integration；大型積體電路)應用於類比(analog)處理的產品區域(OS LSI analog)，區域803表示可以將使用OS電晶體的LSI應用於數位(digital)處理的產品區域(OS LSI digital)。將OS電晶體可以較佳地應用於圖28所示的區域801、區域802及區域803的三個區域，換言之，可以較佳地應用於三個大市場。
此外，在圖28中，區域804表示區域801與區域802重疊的區域，區域805表示區域802與區域803重疊的區域，區域806表示區域801與區域803重疊的區域，區域807表示區域801、區域802及區域803都重疊的區域。
在OS Display中例如可以較佳地使用Bottom Gate型的OS FET(BG OSFET)、Top Gate型的OS FET(TG OS FET)等FET結構。注意，Bottom Gate型的OS FET包括通道蝕刻型的FET及通道保護型的FET。另外，Top Gate型的OS FET包括TGSA(Top Gate Self-Aligned；頂閘極自對準)型的FET。
此外，在OS LSI analog及OS LSI digital中例如可以較佳地使用Gate Last型的OS FET(GL OS FET)。
注意，上面的電晶體分別包括一個閘極電極的Single Gate結構的電晶體、兩個閘極電極的Dual Gate結構的電晶體、或者三個以上的閘極電極的電晶體。另外，在Dual Gate結構的電晶體中尤其較佳為使用S-channel(surrounded channel)結構的電晶體。
另外，作為包含在OS Display(區域801)中的產品，可以舉出將LCD(liquid crystal display)、EL(Electro Luminescence)、及LED(Light Emitting Diode)用於顯示裝置的產品。另外，組合上述的顯示裝置和Q-Dot(Quantum Dot)也是較佳的。
另外，在本實施方式中，EL包括有機EL及無機EL。此外，在本實施方式中，LED包括Micro LED、Mini LED及Macro LED。另外，在本說明書等中，有時將晶片的面積為10000μm2以下的發光二極體記載為Micro LED，將晶片的面積為大於10000μm2且1mm2以下的發光二極體記載為Mini LED，將晶片的面積為大於1mm2的發光二極體記載為Macro LED。
另外，作為包含在OS LSI analog(區域802)中的產品，可以舉出對應於各種頻率的音域(例如，頻率為20Hz至20kHz的可聞聲、或者20kHz以上的超聲波等)的聲源定位設備或電池制御用設備(電池制御用IC、電池保護用IC或電池管理系統)等。
另外，包含在OS LSI digital(區域803)中的產品，可以舉出記憶體裝置、CPU(Central Processing Unit)裝置、GPU(Graphics Processing Unit)裝置、FPGA(field-programmable gate array)裝置、功率裝置、使OS LSI和Si LSI層疊或混在一起的混合裝置、發光裝置等。
另外，作為包含在區域804中的產品，可以舉出在顯示區域中包括紅外線感測器或近紅外線感測器的顯示裝置、具備具有OS FET的感測器的信號處理裝置、或者嵌入型生物感測器裝置等。另外，作為包含在區域805中的產品，可以舉出包括A/D(Analog to Digital；類比數位)轉換電路 等的處理電路、或者包括該處理電路的AI(Artificial Intelligence；人工智慧)裝置等。此外，作為包含在區域806中的產品，可以舉出應用Pixel AI技術的顯示裝置等。另外，在本說明書等中，Pixel AI技術是指活用由安裝在顯示器的像素電路的OS FET等構成的記憶體的技術。
另外，作為包含在區域807中的產品，可以舉出組合包含在上述區域801至區域806中的所有產品的複合產品。
本發明的一個實施方式的半導體裝置像圖28所示那樣地可以應用於各種產品區域。就是說，本發明的一個實施方式的半導體裝置可以應用於許多的市場。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
(關於本說明書等的記載的附加說明)
下面，對上述實施方式及實施方式中的各結構的說明進行附加說明。
各實施方式所示的結構可以與其他實施方式所示的結構適當地組合而構成本發明的一個實施方式。另外，當在一個實施方式中示出了多個結構例子時，可以適當地組合這些結構例子。
另外，可以將某一實施方式中說明的內容(或其一部分)應用於該實施方式中說明的其他內容(或其一部分)及/或一個或多個其他實施方式中說明的內容(或其一部分)、將某一實施方式中說明的內容(或其一部分)與該實施方式中說明的其他內容(或其一部分)及/或一個或多個其他實施方式中說明的內容(或其一部分)組合、用某一實施方式中說明的內容(或其一部分)替換該實施方式中說明的其他內容(或其一部分)及/或一個或多個其他實施方式中說明的內容(或其一部分)。
另外，實施方式中說明的內容是指在各實施方式中參照各個圖式所說明的內容或者利用說明書所記載的文字說明的內容。
另外，藉由將某一實施方式中示出的圖式(或其一部分)與該圖式的 其他部分、該實施方式中示出的其他圖式(或其一部分)及/或一個或多個其他實施方式中示出的圖式(或其一部分)組合，可以構成更多的圖。
此外，在本說明書等中，按照功能對組件進行分類並在方塊中以彼此獨立的方塊表示。然而，有時也存在有在實際的電路等中難以按照功能區分組件、一個電路涉及到多個功能或者多個電路涉及到一個功能的情況。因此，方塊圖中的方塊不限定於在說明書中說明過的組件，而可以根據情況適當地換個方式表述。
此外，為了便於說明，在圖式中，任意示出尺寸、層的厚度或區域。因此，本發明並不限定於圖式中的尺寸。此外，圖式是為了明確起見而示意性地示出的，而不限定於圖式所示的形狀或數值等。例如，可以包括雜訊引起的信號、電壓或電流的不均勻、或者時間偏差引起的信號、電壓或電流的不均勻等。
在本說明書等中，當說明電晶體的連接關係時，記載為“源極和汲極中的一個”(或者第一電極或第一端子)或“源極和汲極中的另一個”(或者第二電極或第二端子)。這是因為電晶體的源極和汲極根據電晶體的結構或工作條件等而改變。此外，根據情況可以將電晶體的源極和汲極適當地換稱為源極(汲極)端子或源極(汲極)電極等。
此外，在本說明書等中，“電極”或“佈線”這樣的用語不在功能上限定其組件。例如，有時將“電極”用作“佈線”的一部分，反之亦然。再者，“電極”或“佈線”這樣的用語還包括多個“電極”或“佈線”被形成為一體的情況等。
另外，在本說明書等中，可以適當地換稱電壓和電位。電壓是指與成為基準的電位之間的電位差，例如在成為基準的電位為接地電壓時，可以將電壓換稱為電位。接地電位不一定意味著0V。此外，電位是相對的，對佈線等供應的電位有時根據成為基準的電位而變化。
此外，在本說明書等中，根據情況或狀況，可以互相調換“膜”和“層”等詞句。例如，有時可以將“導電層”這個用語變更為“導電膜” 這個用語。此外，例如，有時可以將“絕緣膜”這個用語變更為“絕緣層”這個用語。
在本說明書等中，開關是指具有藉由變為導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)來控制是否使電流流過的功能的元件。或者，開關是指具有選擇並切換電流的路徑的功能的元件。
在本說明書等中，例如，通道長度是指在電晶體的俯視圖中，半導體(或在電晶體處於導通狀態時在半導體中電流流過的部分)和閘極重疊的區域或者形成通道的區域中的源極和汲極之間的距離。
在本說明書等中，例如，通道寬度是指半導體(或在電晶體處於導通狀態時在半導體中電流流過的部分)和閘極重疊的區域或者形成通道的區域中的源極和汲極相對的部分的長度。
在本說明書等中，“A與B連接”除了包括A與B直接連接的情況以外，還包括A與B電連接的情況。在此，“A與B電連接”是指在A與B之間存在具有某種電作用的物件，能夠在A和B之間進行電信號的授受。
實施例1
在本實施例中，對在改變二次電池的充電開始時的電壓及溫度時CC充電所需的時間及CV充電所需的時間的變化進行測定。
圖29A、圖29B、圖30A及圖30B示出CC充電所需的時間(下面記為時間Tccr)及CV充電所需的時間(下面記為時間Tcvr)和充電開始時的電壓(以下，電壓Vst)的關係。CC充電的上限電壓為4.2V。
圖29A示出二次電池的溫度為45℃時的二次電池的時間Tccr及時間Tcvr和電壓Vst的關係。在剩餘容量SOC變大時電壓Vst也上升。因此，觀察到在電壓Vst高時時間Tccr短的趨向。
另外，在與充電的上限電壓相比電壓Vst十分低的電壓範圍中，時間 Tcvr的變化小而穩定，由此觀察到對於電壓Vst的依賴性低的趨向。另一方面，在電壓Vst不達到上限電壓的情況下，在電壓Vst高的範圍中，觀察到隨著電壓Vst的上升，Tcvr降低的明顯的依賴性。
圖29B、圖30A及圖30B示出二次電池的溫度分別為30℃、25℃及10℃時的二次電池的時間Tccr及時間Tcvr和電壓Vst的關係。觀察到隨著溫度的下降，時間Tccr穩定時的電壓Vst的範圍縮小的趨向。
如圖29A、圖29B、圖30A及圖30B所示那樣，時間Tcvr受到由於二次電池的溫度及時間Tccr的很大的影響。
實施例2
在本實施例中，對二次電池的充電所需的時間Tccr及時間Tcvr的循環帶來的變化及二次電池的充電的工作進行評價。
進行二次電池的充放電循環。圖31A、圖31B及圖31C分別示出第61次、第62次及第63次循環的充電曲線。在圖31A、圖31B及圖31C中，橫軸表示充電容量且縱軸表示充電的電壓。
第63次的以虛線的圓形圍繞的區域等中，觀察到表示微短路的波形。
在得到表示微短路的波形的循環的上一個循環，亦即，第62次循環中，與第61次循環相比，時間Tcvr，亦即，定電壓充電所需的時間明顯地變長。此外，時間Tccr，亦即，定電流充電時間也變長。
圖32示出第60次至第64次充放電循環中的時間Tcvr及時間Tccr。橫軸表示充放電循環的次數且縱軸表示時間Tcvr及時間Tccr。在表示微短路的循環的上一個循環中，可知增加時間Tcvr及時間Tccr。
RESET:信號
100:蓄電裝置
101:控制電路
102:基準生成電路
103:計時器電路
104:調節器
105:電源
121:二次電池
131:電阻器
152:電晶體
153:電晶體
156:線圈

Claims (12)

  1. 一種蓄電裝置，包括：第一電路部；第二電路部；第三電路部；以及二次電池，其中該第三電路部包括比較器及電容器，該第一電路部具有控制該二次電池的充電的功能，該第一電路部具有對該第三電路部傳送該二次電池的充電的開始的功能，該第二電路部具有生成第一電壓及第一電流並將其供應給該第三電路部的功能，該第三電路部具有藉由對該電容器充電該第一電流，生成第二電壓的功能，該比較器具有對該第一電壓和該第二電壓進行比較的功能，其中該第二電路部轉換從該第一電路部供應的數位信號並生成該第一電壓，並且該第一電壓為類比信號。
  2. 根據申請專利範圍第1項之蓄電裝置，其中該第三電路部包括第一電晶體，該第一電晶體的通道形成區域包含銦、鋅及元素M，元素M為鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢及鎂中的一個以上的元素，該比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個與該電容器中的一個電極電連接，該比較器的該非反相輸入端子及該反相輸入端子中的另一個與該第一電晶體的源極及汲極中的一個電連接，藉由使該第一電晶體處於關閉狀態來該第一電晶體的該源極及該汲極中的一個保持該第一電壓的功能。
  3. 根據申請專利範圍第1項之蓄電裝置，其中該第三電路部包括第二電晶體，該第二電晶體的通道形成區域包含銦、鋅及元素M，元素M為鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢及鎂中的一個以上的元素， 並且該第二電晶體的源極及汲極中的一個與該電容器中的一個電極電連接。
  4. 一種蓄電裝置的工作方法，該蓄電裝置包括：第一電路部；第二電路部；第三電路部；以及二次電池，其中該第一電路部具有控制該二次電池的充電的功能，該蓄電裝置的工作方法包括：在該第二電路部中生成第一電壓及第一電流的第一步驟；將該第一電壓及該第一電流供應給該第三電路部的第二步驟；對該二次電池供應電流並開始充電的第三步驟；將傳送該第三步驟中的充電的開始的第一信號從該第一電路部供應給該第三電路部的第四步驟；該第三電路部生成對應於從該充電的開始時刻的經過時間的第二電壓的第五步驟；以及對該第一電壓和該第二電壓進行比較的第六步驟。
  5. 根據申請專利範圍第4項之蓄電裝置的工作方法，其中該第三電路部包括電容器，在該第五步驟中，該第三電路部對該電容器充電相當於該第一電流和該經過時間的積的電荷量，作為該第二電壓得到該電容器的兩端的電極的電位差。
  6. 根據申請專利範圍第4項之蓄電裝置的工作方法，其中在該第一步驟中，該第二電路部轉換從該第一電路部供應的數位信號並生成該第一電壓，並且該第一電壓為類比信號。
  7. 根據申請專利範圍第4項之蓄電裝置的工作方法，其中該第三電路部包括比較器及電晶體，該比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個與該電晶體的源極及汲極中的一個電連接，在該第二步驟中，對該比較器的該非反相輸入端子及該反相輸入端子中的一個供應該第一電壓， 在該第三步驟至該第六步驟中，藉由使該電晶體處於關閉狀態來保持供應給該比較器的該非反相輸入端子及該反相輸入端子中的一個的該第一電壓，在該第五步驟中，對該比較器的該非反相輸入端子及該反相輸入端子中的另一個供應該第二電壓。
  8. 根據申請專利範圍第4項之蓄電裝置的工作方法，其中該第三電路部包括電容器，由於該第一信號開始對該電容器的該第一電流的充電，該第二電壓對應於該電容器的兩端的電位差。
  9. 一種蓄電裝置的工作方法，該蓄電裝置包括：第一電路部；第二電路部；第三電路部；溫度感測器；以及二次電池，其中該第一電路部包括運算電路及記憶體，並且該第一電路部具有控制該二次電池的充電的功能，該蓄電裝置的工作方法包括：對該二次電池供應電流且在第一時刻開始第一充電的第一步驟；在第二時刻結束該第一充電的第二步驟；將由該溫度感測器測定的溫度、該第一時刻及該第二時刻供應給該記憶體的第三步驟；在該第一電路部中，使用該記憶體儲存的該溫度、該第一時刻及該第二時刻藉由該運算電路進行運算而決定第一電壓的大小的第四步驟；在該第二電路部中，生成藉由該運算決定大小的第一電壓及第一電流的第五步驟；對該第三電路部供應該第一電壓及該第一電流的第六步驟；對該二次電池供應電流且開始第二充電的第七步驟；將傳送該第七步驟中的該第二充電的開始的第一信號從該第一電路部供應給該第三電路部的第八步驟；該第三電路部生成對應於從該第二充電的開始時刻的經過時間的第二電壓的第九步驟；以及 對該第一電壓和該第二電壓進行比較的第十步驟，其中該第一充電為定電流充電，該第二充電為定電壓充電。
  10. 根據申請專利範圍第9項之蓄電裝置的工作方法，其中該第三電路部包括電容器，並且該第八步驟中，該第三電路部對該電容器充電相當於該第一電流和該經過時間的積的電荷量，作為該第二電壓得到該電容器的兩端的電極的電位差。
  11. 根據申請專利範圍第9項之蓄電裝置的工作方法，其中在該第五步驟中，該第二電路部轉換從該第一電路部供應的數位信號並生成該第一電壓，並且該第一電壓為類比信號。
  12. 根據申請專利範圍第9項之蓄電裝置的工作方法，其中該第三電路部包括比較器及電晶體，該比較器的非反相輸入端子及反相輸入端子中的一個與該電晶體的源極及汲極中的一個電連接，在該第六步驟中，對該比較器的該非反相輸入端子及該反相輸入端子中的一個供應該第一電壓，在該第六步驟至該第十步驟中，藉由使該電晶體處於關閉狀態來保持供應給該比較器的該非反相輸入端子及該反相輸入端子中的一個的該第一電壓，在該第九步驟中，對該比較器的該非反相輸入端子及該反相輸入端子中的另一個供應該第二電壓。
TW108138117A 2018-10-25 2019-10-22 蓄電裝置及蓄電裝置的工作方法 TWI848994B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018200834 2018-10-25
JP2018-200834 2018-10-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202034601A TW202034601A (zh) 2020-09-16
TWI848994B true TWI848994B (zh) 2024-07-21

Family

ID=70330661

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108138117A TWI848994B (zh) 2018-10-25 2019-10-22 蓄電裝置及蓄電裝置的工作方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210384751A1 (zh)
JP (1) JP7405763B2 (zh)
KR (1) KR20210080425A (zh)
CN (1) CN112930636A (zh)
TW (1) TWI848994B (zh)
WO (1) WO2020084398A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210242690A1 (en) * 2018-08-31 2021-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and operating method of semiconductor device
US11714138B2 (en) 2018-11-22 2023-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, power storage device, and electronic device
JP7546544B2 (ja) 2019-02-26 2024-09-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7191873B2 (ja) * 2020-01-17 2022-12-19 株式会社東芝 充放電制御装置、充放電システム、充放電制御方法及び充放電制御プログラム
DE102021200003A1 (de) * 2021-01-04 2022-07-07 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren und Vorrichtung zur Verwendung eines Halbleiterbauelements
US11768237B2 (en) * 2022-05-10 2023-09-26 Google Llc Leakage screening based on use-case power prediction
KR20240125135A (ko) * 2023-02-10 2024-08-19 주식회사 엘지에너지솔루션 배터리 상태 진단 장치 및 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10322917A (ja) * 1997-05-12 1998-12-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 二次電池の劣化判定方法およびその装置
JP2000092735A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Mitsumi Electric Co Ltd 充電制御回路
JP2002345164A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Nippon Soken Inc バッテリ充電装置
US20110267726A1 (en) * 2009-01-14 2011-11-03 Mitsumi Electric Co., Ltd. Protection monitoring circuit, battery pack, secondary battery monitoring circuit, and protection circuit
TWI514598B (zh) * 2009-06-05 2015-12-21 Semiconductor Energy Lab 光電轉換裝置及其製造方法
US10091563B2 (en) * 2015-03-02 2018-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Environmental sensor or semiconductor device

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3195555B2 (ja) * 1997-02-10 2001-08-06 セイコーインスツルメンツ株式会社 充放電制御回路
US7434953B2 (en) * 2003-05-02 2008-10-14 Bayco Products, Ltd. Rechargeable fluorescent task lamp
DE102004002013B4 (de) * 2004-01-14 2009-08-27 Infineon Technologies Ag Hochauflösender Digital-Analog-Umsetzer mit geringem Flächenbedarf
US8188706B2 (en) * 2007-02-16 2012-05-29 Broadcom Corporation Power management unit with battery detection controller and switchable regulator block
JP5815195B2 (ja) 2008-09-11 2015-11-17 ミツミ電機株式会社 電池状態検知装置及びそれを内蔵する電池パック
JP5434168B2 (ja) 2009-03-17 2014-03-05 株式会社リコー 二次電池の保護用半導体装置およびそれを用いたバッテリパックならびに電子機器
JP5975907B2 (ja) * 2012-04-11 2016-08-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10322917A (ja) * 1997-05-12 1998-12-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 二次電池の劣化判定方法およびその装置
JP2000092735A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Mitsumi Electric Co Ltd 充電制御回路
JP2002345164A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Nippon Soken Inc バッテリ充電装置
US20110267726A1 (en) * 2009-01-14 2011-11-03 Mitsumi Electric Co., Ltd. Protection monitoring circuit, battery pack, secondary battery monitoring circuit, and protection circuit
TWI514598B (zh) * 2009-06-05 2015-12-21 Semiconductor Energy Lab 光電轉換裝置及其製造方法
US10091563B2 (en) * 2015-03-02 2018-10-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Environmental sensor or semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
US20210384751A1 (en) 2021-12-09
JPWO2020084398A1 (ja) 2021-12-16
KR20210080425A (ko) 2021-06-30
WO2020084398A1 (ja) 2020-04-30
CN112930636A (zh) 2021-06-08
JP7405763B2 (ja) 2023-12-26
TW202034601A (zh) 2020-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI848994B (zh) 蓄電裝置及蓄電裝置的工作方法
JP7330986B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の動作方法
TWI812830B (zh) 半導體裝置及半導體裝置的工作方法
US12062764B2 (en) Semiconductor device
CN112385113A (zh) 半导体装置
JP2022119979A (ja) 電池保護回路、及び、蓄電装置
US11988720B2 (en) Semiconductor device and battery pack
US11923707B2 (en) Battery protection circuit, power storage device, and electric device
JP7404264B2 (ja) 電源回路、半導体装置
JP7222657B2 (ja) 二次電池の残量計測回路
WO2020008297A1 (ja) 電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器