WO2020008297A1

WO2020008297A1 - 電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器

Info

Publication number: WO2020008297A1
Application number: PCT/IB2019/055319
Authority: WO
Inventors: 高橋圭; 楠紘慈; 豊高耕平; 渡邉一徳
Original assignee: 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date: 2018-07-06
Filing date: 2019-06-25
Publication date: 2020-01-09
Also published as: JP7322022B2; JPWO2020008297A1; US11817698B2; US20210376646A1

Abstract

要約書新規な構成の電池管理回路、および当該電池回路を備えた蓄電装置を提供すること。蓄電装置は、直列接続された複数の電池セルと、電池管理回路と、を有する。電池管理回路は、電池セルのいずれか一における一対の電極間の電圧値を取得する機能を有する電圧モニタ回路を有する。電圧モニタ回路は、マルチプレクサと、マルチプレクサを制御する信号を出力するバッファ回路と、を有する。マルチプレクサおよびバッファ回路は、ｎチャネル型トランジスタで構成される。ｎチャネル型トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体を有するトランジスタである。マルチプレクサは、トランジスタをオフ状態とすることで電池セルの出力電圧を保持する機能を有する。

Description

電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器

　本発明の一態様は、電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器に関する。

　なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

　蓄電装置（バッテリ、二次電池ともいう）は、小型の電気機器から自動車に至るまで幅広い分野で利用されるようになっている。電池の応用範囲が広がるにつれて、複数の電池セルを直列に接続したマルチセル構成のバッテリスタックを使ったアプリケーションが増えている。

　蓄電装置は、充電状態（Ｓｔａｔｅ　Ｏｆ　Ｃｈａｒｇｅ：ＳＯＣ）を把握するため、通常電池管理回路（Ｂａｔｔｅｌｙ　Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ　Ｕｎｉｔ：ＢＭＵ）を備えている。ＢＭＵは、充放電時の異常の検知を行うため、電圧や電流等のデータを取得する。ＢＭＵは、観測データに基づいて、充放電の停止やセル・バランシングなどの制御を行う。

　特許文献１は、複数の電池セルに接続されたマルチプレクサと、当該マルチプレクサを制御するロジック部を備えたＢＭＵの構成について開示している。

国際公開第２０１３／０９４０１５号

　電池セルの電圧をサンプリングするマルチプレクサにおいて、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ（Ｓｉトランジスタ）で形成されるＦＥＴスイッチを用いる場合、温度上昇時の特性の変動が顕著になるといった問題がある。特に電池セルの充放電等によりＢＭＵが高温環境下に曝されることになると、内部のトランジスタ特性の変動が大きくなる。この場合、トランジスタを介したリーク電流の増大、さらにはトランジスタ特性の変動に伴って正常な動作が難しくなるといった問題が生じる虞がある。

　本発明の一態様は、新規な電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器等を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、温度上昇時の特性の変動が小さいスイッチを有する、新規な構成の電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器等を提供することを課題の一とする。

　なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一つの課題を解決するものである。

　本発明の一態様は、電池セルの電池管理回路であって、電圧モニタ回路を有し、電圧モニタ回路は、マルチプレクサと、マルチプレクサを制御する信号を出力するバッファ回路と、を有し、マルチプレクサおよびバッファ回路は、ｎチャネル型トランジスタで構成され、ｎチャネル型トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体を有するトランジスタで構成される電池管理回路である。

　本発明の一態様において、マルチプレクサは、トランジスタをオフ状態とすることで電池セルの出力電圧を保持する機能を有する電池管理回路が好ましい。

　本発明の一態様において、電池管理回路は、カルマンフィルタを利用した演算処理を行う演算処理回路を有する電池管理回路が好ましい。

　本発明の一態様は、直列接続された複数の電池セルと、電池管理回路と、を有し、電池管理回路は、電池セルのいずれか一における一対の電極間の電圧値を取得する機能を有する電圧モニタ回路を有し、電圧モニタ回路は、マルチプレクサと、マルチプレクサを制御する信号を出力するバッファ回路と、を有し、マルチプレクサおよびバッファ回路は、ｎチャネル型トランジスタで構成され、ｎチャネル型トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体を有するトランジスタで構成される蓄電装置である。

　本発明の一態様において、マルチプレクサは、トランジスタをオフ状態とすることで電池セルの出力電圧を保持する機能を有する蓄電装置が好ましい。

　本発明の一態様において、電池管理回路は、カルマンフィルタを利用した演算処理を行う演算処理回路を有する蓄電装置が好ましい。

　本発明の一態様は、上記記載の蓄電装置と、表示部と、を有する電気機器である。

　なおその他の本発明の一態様については、以下で述べる実施の形態における説明、及び図面に記載されている。

　本発明の一態様は、新規な電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器等を提供することができる。または、本発明の一態様は、温度上昇時の特性の変動が小さいスイッチを有する、新規な構成の電池管理回路、蓄電装置、及び電気機器等を提供することができる。

　なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び／又は他の効果のうち、少なくとも一つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した効果を有さない場合もある。

図１は、本発明の一態様を説明するブロック図である。図２（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一態様を説明する回路図である。図３は、本発明の一態様を説明する回路図である。図４（Ａ）−（Ｃ）は、本発明の一態様を説明する回路図である。図５は、本発明の一態様を説明するタイミングチャートである。図６（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一態様を説明する回路図である。図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一態様を説明する回路図である。図８（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の一態様を説明する回路図である。図９（Ａ）−（Ｃ）は、本発明の一態様を説明する回路図およびタイミングチャートである。図１０（Ａ）−（Ｃ）は、本発明の一態様を説明する回路図およびタイミングチャートである。図１１は、本発明の一態様を説明するフローチャートである。図１２は、半導体装置の構成例を示す断面図である。図１３は、半導体装置の構成例を示す断面図である。図１４（Ａ）−（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。図１５（Ａ）、（Ｂ）は、電子部品の作製工程を示すフローチャート図及び斜視模式図である。図１６は、本発明の一態様の電気機器を説明する図である。図１７（Ａ）−（Ｃ）は、本発明の一態様の電気機器を説明する図である。図１８は、本発明の一態様の電気機器を説明する図である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第２」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第１」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略することもありうる。

　なお図面において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

（実施の形態１）
　電池管理回路、および当該電池管理回路を備えた蓄電装置の構成について、図１乃至図５を参照して説明する。

　図１には、蓄電装置１００のブロック図の一例について示す。図１に示す蓄電装置１００は、電池管理回路１１０、複数の電池セル１２１を備えた組電池セル１２０、電圧モニタ回路１１１、電流モニタ回路１１２、および演算装置１１３を有する。

　図１では、電圧モニタ回路１１１を複数設ける構成について図示しているが、単数でも複数でもよい。電圧モニタ回路１１１は、電池セル１２１の電圧（モニタ電圧）を観測するための回路である。電圧モニタ回路１１１は、電池セル１２１の電圧をサンプリングして保持した後、演算装置１１３に出力する機能を有する。

　また図１では、組電池セル１２０と電池管理回路１１０を一組備えた蓄電装置１００について図示しているが、それぞれ複数備えた蓄電装置としてもよい。また電池セル１２１をリチウムイオン二次電池セルとして説明するが、リチウムイオン二次電池セルに限定されず、二次電池の正極材料として例えば、元素Ａ、元素Ｘ、及び酸素を有する材料を用いることができる。元素Ａは第１族の元素および第２族の元素から選ばれる一以上である。第１族の元素として例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属を用いることができる。また、第２族の元素として例えば、カルシウム、ベリリウム、マグネシウム等を用いることができる。元素Ｘとして例えば金属元素、シリコン及びリンから選ばれる一以上を用いることができる。また、元素Ｘはコバルト、ニッケル、マンガン、鉄、及びバナジウムから選ばれる一以上である。代表的には、リチウムコバルト複合酸化物ＬｉＣｏＯ_２や、リン酸鉄リチウムＬｉＦｅＰＯ_４が挙げられる。

　電流モニタ回路１１２は、組電池セル１２０を充電するための電圧（ＶＤＤＤ−ＶＳＳＳ）を印加する配線に流れる電流（モニタ電流）をモニタするための回路である。図１では、抵抗素子の両端に接続し、抵抗素子を流れる電流を観測する構成について図示しているが、他の構成としてもよい。

　演算装置１１３は、電圧モニタ回路１１１で得られたモニタ電圧、電流モニタ回路１１２で得られたモニタ電流を基に、組電池セル１２０内の各電池セル１２１の状態推定を行うための演算処理を行う回路である。演算処理によって得られた演算結果を含む信号は、端子１１４を介して上位の制御装置に送信される。なお電圧モニタ回路１１２から演算装置１１３に出力される信号は、アナログ値の信号でもよいし、デジタル値に変換された信号でもよい。

　電池セル１２１の状態推定を行うための演算手段としては、モニタ電圧およびモニタ電流等のデータに基づく回帰モデルを用いて充電率を算出する演算が好適である。回帰モデルとしては、状態方程式に基づくカルマンフィルタが好ましい。

　カルマンフィルタは、無限インパルス応答フィルタの一種である。また、重回帰分析は多変量解析の一つであり、回帰分析の独立変数を複数にしたものである。重回帰分析としては、最小二乗法などがある。回帰分析では観測値の時系列が多く必要とされる一方、カルマンフィルタは、ある程度のデータの蓄積さえあれば、逐次的に最適な補正係数が得られるメリットを有する。また、カルマンフィルタは、非定常時系列に対しても適用できる。

　二次電池の内部抵抗及びＳＯＣ（Ｓｔａｔｅ　Ｏｆ　Ｃｈａｒｇｅ）を推定する方法として、非線形カルマンフィルタ（具体的には無香料カルマンフィルタ（ＵＫＦとも呼ぶ））を利用することができる。また、拡張カルマンフィルタ（ＥＫＦともよぶ）を用いることもできる。

　本発明の一態様において、電圧モニタ回路１１１内のマルチプレクサおよびバッファ回路を構成するトランジスタは、単極性回路、特にチャネル形成領域が酸化物半導体を有するトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタという）で構成されることが好ましい。電圧モニタ回路１１１内の回路を単極性のトランジスタで構成される回路（単極性回路）とすることでトランジスタ作製時のフォトマスク数が削減でき、電池管理回路の低コスト化を図ることができる。なお単極性回路は、ｎチャネル型トランジスタまたはｐチャネル型トランジスタで構成される回路である。

　本発明の一態様の構成では、ＯＳトランジスタを有するマルチプレクサおよびバッファ回路を用いる構成とすることで、オフ時にソースとドレイン間を流れるリーク電流（以下、オフ電流）が極めて低いことを利用して、モニタ電圧をマルチプレクサ内のサンプリング回路に保持させることができる。そのため、モニタ電圧の精度の高い取得を可能にする構成とすることができ、電池セルの状態推定の見積もりをより正確に行うことが可能になる。

　加えてＯＳトランジスタを用いた電圧モニタ回路では、電荷の充電又は放電することによってモニタ電圧の書き換えおよび読み出しが可能となるため、実質的に無制限回のモニタ電圧の取得および読み出しが可能である。ＯＳトランジスタを用いた電圧モニタ回路は、磁気メモリあるいは抵抗変化型メモリなどのように原子レベルでの構造変化を伴わないため、書き換え耐性に優れている。またＯＳトランジスタを用いた電圧モニタ回路は、フラッシュメモリのように繰り返し書き換え動作でも電子捕獲中心の増加による不安定性が認められない。

　またＯＳトランジスタを用いた電圧モニタ回路は、Ｓｉトランジスタを用いた回路上などに自由に配置可能であるため、集積化を容易に行うことができる。またＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと同様の製造装置を用いて作製することが可能であるため、低コストで作製可能である。

　またＯＳトランジスタは、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極に加えて、バックゲート電極を含むと、４端子の半導体素子とすることができる。ゲート電極またはバックゲート電極に与える電圧に応じて、ソースとドレインとの間を流れる信号の入出力が独立制御可能な電気回路網で構成することができる。そのため、ＬＳＩと同一思考で回路設計を行うことができる。加えてＯＳトランジスタは、高温環境下において、Ｓｉトランジスタよりも優れた電気特性を有する。具体的には、１２５℃以上１５０℃以下といった高温下においてもオン電流とオフ電流の比が大きいため、良好なスイッチング動作を行うことができる。

　次いで組電池セル１２０の具体的な例を挙げた後、電圧モニタ回路１１１の構成例について説明する。

　図２（Ａ）には、図１で説明した組電池セル１２０の一例として、６個の電池セル１２１が直列に接続された模式図を図示している。また図２（Ａ）では、上述したモニタ電圧を取得するための端子として７つの端子を図示している。電圧モニタ回路１１１は、各端子から電圧ＶＣ０乃至ＶＣ６を取得する。電圧モニタ回路１１１は、例えば電圧ＶＣ１と電圧ＶＣ０との差を見積もることで、１個の電池セルからモニタ電圧を取得することができる。

　図２（Ｂ）には、図１で説明した電圧モニタ回路１１１のブロック図の一例を図示している。図２（Ｂ）では、マルチプレクサ１３１と、制御回路１３２と、から構成される電圧モニタ回路１１１を図示している。

　マルチプレクサ１３１は、電圧ＶＣ０乃至ＶＣ６から各電池セルのモニタ電圧を取得（サンプリング）する。マルチプレクサ１３１は、リセット信号ＲＥＳＥＴが入力され、出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬとして読み出されるモニタ電圧を初期化する。マルチプレクサ１３１は、制御信号Ｆ０、および制御信号Ｆ１乃至Ｆ６が制御回路１３２から与えられて、電圧ＶＣ０乃至ＶＣ６のサンプリングおよびモニタ電圧の読み出しが制御される。マルチプレクサ１３１は、電池セル１２１毎のモニタ電圧を出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬとして出力する。

　なお図２（Ｂ）では、制御信号Ｆ０および制御信号Ｆ１乃至Ｆ６を制御回路１３２から出力される構成として図示しているが、他の構成でもよい。制御回路１３２は電圧モニタ回路１１１とは別の構成とし、電圧モニタ回路１１１とは別の構成からマルチプレクサ１３１に出力する構成としてもよい。

　マルチプレクサ１３１は、モニタ電圧をサンプリングするためのスイッチ、サンプリングしたモニタ電圧を読み出すためのスイッチ、を有する。マルチプレクサ１３１は、当該スイッチを駆動するための制御信号Ｆ０および制御信号Ｆ１乃至Ｆ６の電流供給能力を増幅するバッファ回路を有していてもよい。また当該バッファ回路は、入力される制御信号Ｆ０および制御信号Ｆ１乃至Ｆ６の電圧レベルを昇圧する機能を有するレベルシフタとして機能していてもよい。

　リセット信号ＲＥＳＥＴは、出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬを初期化するための信号である。制御信号Ｆ０は、電池セル１２１から電圧をサンプリングし、マルチプレクサ１３１内の容量素子に保持させるための信号である。制御信号Ｆ１乃至Ｆ６のいずれか一は、６個の電池セルのモニタ電圧のいずれか一を選択して出力するための信号である。

　図３は、図２（Ｂ）で説明したマルチプレクサ１３１の回路構成の一例である。

　図３に示すマルチプレクサ１３１はサンプリング回路１４１、およびスイッチ１４２を有する。サンプリング回路１４１は複数設けられ、それぞれ電圧ＶＣ０乃至ＶＣ６を与える端子に接続される。サンプリング回路１４１は２点の電圧の差を保持し、選択的に出力する。図３の例では、６個の電池セルのモニタ電圧を取得するため、６個のサンプリング回路を図示している。

　サンプリング回路１４１は、複数のスイッチＳＷ１乃至ＳＷ４、および容量素子Ｃ１乃至Ｃ６のいずれか一（Ｃ［Ｎ］ともいう。）を有する。

　スイッチＳＷ１およびＳＷ２は、制御信号Ｆ０でオンまたはオフが制御される。制御信号Ｆ０は、各サンプリング回路１４１のスイッチＳＷ１およびＳＷ２を一斉にオンとすることで、電圧ＶＣ０乃至ＶＣ６に接続された端子から電池セルのモニタ電圧を取得する。制御信号Ｆ０は、各サンプリング回路１４１のスイッチＳＷ１およびＳＷ２を一斉にオフとすることで、各電池セルからサンプリングして得られたモニタ電圧を容量素子Ｃ１乃至Ｃ６に保持する。

　スイッチＳＷ３およびＳＷ４は、制御信号Ｆ１乃至Ｆ６のいずれか一でオンまたはオフが制御される。制御信号Ｆ１乃至Ｆ６は、各サンプリング回路１４１のスイッチＳＷ３およびＳＷ４を選択してオンとすることで、サンプリング回路１４１の容量素子Ｃ１乃至Ｃ６に保持された電圧を出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬとして順に出力することができる。制御信号Ｆ１乃至Ｆ６は、各サンプリング回路１４１のスイッチＳＷ３およびＳＷ４を選択してオフとすることで、各電池セルからサンプリングして得られたモニタ電圧を容量素子Ｃ１乃至Ｃ６に保持する。

　スイッチ１４２は、出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬを伝える配線間をオンにして、当該配線間の電圧を初期化するためのスイッチである。リセット信号ＲＥＳＥＴの制御によって、オンまたはオフが制御される。出力電圧ＯＵＴＬを伝える配線は、基準電位、例えばグラウンド電位に接続されることが好適である。

　図４（Ａ）乃至（Ｃ）は、図３で説明したサンプリング回路１４１に適用可能なサンプリング回路１４１Ａ乃至１４１Ｃの構成例について説明する図である。

　図４（Ａ）に図示するサンプリング回路１４１Ａは、トランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４、および容量素子Ｃ［Ｎ］を有する。なお電圧ＶＣ［Ｎ］、ＶＣ［Ｎ−１］は、電池セル１２１の２端子の電圧（例えば図３の電圧ＶＣ１、ＶＣ０）に相当する。トランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４は、図３で説明したスイッチＳＷ１乃至ＳＷ４に対応する機能を有する。制御信号Ｆ［Ｎ］は、図３で説明した制御信号Ｆ１乃至Ｆ６のいずれか一に対応する信号に相当する。

　上述したようにマルチプレクサ１３１が有するサンプリング回路１４１Ａを構成するトランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４は、ＯＳトランジスタとすることが好適である。ＯＳトランジスタはオフ電流が極めて低い。そのためスイッチとして機能するトランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４をオフにすることで容量素子Ｃ［Ｎ］にモニタ電圧に応じた電荷を保持することができる。つまり、トランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４をオフ状態とすることで電池セルの出力電圧を容量素子Ｃ［Ｎ］に保持することができる。

　ＯＳトランジスタを有するマルチプレクサを用いる構成とすることで、オフ電流が極めて低いことを利用して、モニタ電圧をマルチプレクサ内のサンプリング回路に保持させることができる。そのため、モニタ電圧の精度の高い取得を可能にする構成とすることができる。その結果、演算装置による充電率などのパラメータ値の予測精度を上げることができる。

　図４（Ｂ）では、図４（Ａ）で図示した構成において、各トランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４のそれぞれにバックゲート電極を設け、ゲート電極とバックゲート電極の双方に信号を印加する構成を図示している。図４（Ｂ）の構成とすることで、ゲート電極とバックゲート電極の双方からチャネル形成領域を制御する電圧を印加することができる。そのため、より確実に、スイッチとして機能するトランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４のオンまたはオフの制御を行うことができる。

　図４（Ｃ）では、図４（Ａ）で図示した構成において、各トランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４のそれぞれにバックゲート電極を設け、バックゲート電極に別の電位、例えばバックゲート電位線から別の電位を与える構成を図示している。図４（Ｃ）の構成として、バックゲート電位線にしきい値電圧を制御可能な電位を与える構成とすることで高温環境下におけるオフ電流を低減可能な構成とすることができる。そのため、高温環境下においても、スイッチとして機能するトランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４のオンまたはオフの制御を行うことができる。

　図５は、図４（Ａ）で説明したサンプリング回路１４１Ａを図３のマルチプレクサ１３１に適用した際の動作を説明するためのタイミングチャートである。図５のタイミングチャートでは、図３で図示した制御信号Ｆ０乃至Ｆ６、リセット信号ＲＥＳＥＴ、出力電圧ＯＵＴＨについて図示している。

　時刻Ｔ１１から時刻Ｔ１２では、制御信号ＦＯをＨレベルとし、トランジスタＭＴ１乃至ＭＴ２をオンにする。容量素子Ｃ［Ｎ］の両端の電極に電池セル１２１の両端の電圧が印加される。この間リセット信号ＲＥＳＥＴおよび制御信号Ｆ１乃至Ｆ６は、Ｌレベルとしておく。

　時刻Ｔ１２から時刻Ｔ１３では、リセット信号ＲＥＳＥＴをＨレベルとしてスイッチ１４２をオンにし、出力電圧ＯＵＴＨを初期化する。この間制御信号Ｆ０および制御信号Ｆ１乃至Ｆ６は、Ｌレベルとしておく。

　次いで時刻Ｔ１３から時刻Ｔ１４まで制御信号Ｆ１をＨレベルとし、制御信号Ｆ１が与えられるサンプリング回路１４１のトランジスタＭＴ３乃至ＭＴ４をオンにする。この間制御信号Ｆ０、リセット信号ＲＥＳＥＴ、および制御信号Ｆ２乃至Ｆ６は、Ｌレベルとしておく。その結果、時刻Ｔ１１から時刻Ｔ１２でサンプリング回路のいずれか一に保持されたモニタ電圧（ＶＣ１−ＶＣ０）を出力電圧ＯＵＴＨとして選択的に読み出すことができる。

　時刻Ｔ１５以降、リセット信号ＲＥＳＥＴをＨレベルとする動作と、制御信号Ｆ２乃至Ｆ６のいずれか一をＨレベルとする動作を繰り返して、モニタ電圧に相当する電圧（ＶＣ２−ＶＣ１）、（ＶＣ３−ＶＣ２）、（ＶＣ４−ＶＣ３）、（ＶＣ５−ＶＣ４）、（ＶＣ６−ＶＣ５）を読み出す構成とする。

　本発明の一態様の構成では、サンプリング回路を構成するトランジスタとしてＯＳトランジスタを用いる構成とする。そのため、一旦サンプリングして保持した電荷を長期間保持することができる。図５のように電池セルから電圧をサンプリングする期間と、モニタ電圧を読み出す期間と、を分離しても精度の高いモニタ電圧を得ることが可能となる。当該構成は、組電池セル内の電池セル数が増えた場合に有効である。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、上記実施の形態で説明したマルチプレクサ１３１とは別構成のマルチプレクサを備えた電池管理回路、当該電池管理回路を備えた蓄電装置の構成について説明する。

　図６（Ａ）には、図１で説明した電圧モニタ回路１１１に適用可能な、電圧モニタ回路１１１Ａのブロック図の一例を図示している。図６（Ｂ）では、マルチプレクサ１３１Ａと、制御回路１３２と、から構成される電圧モニタ回路１１１Ａを図示している。

　マルチプレクサ１３１Ａは、電圧ＶＣ０乃至ＶＣ６から各電池セルのモニタ電圧をサンプリングする。マルチプレクサ１３１Ａは、リセット信号ＲＥＳＥＴが入力され、出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬとして読み出されるモニタ電圧を初期化する。マルチプレクサ１３１Ａは、制御信号Ｆ０、Ｆ０Ｂ１、およびＦ０Ｂ２、並びに、制御信号Ｆ１乃至Ｆ６、Ｆ１Ｂ１乃至Ｆ６Ｂ１、およびＦ１Ｂ２乃至Ｆ６Ｂ２が制御回路１３２から与えられて、電圧ＶＣ０乃至ＶＣ６のサンプリングおよびモニタ電圧の読み出しが制御される。マルチプレクサ１３１Ａは、電池セル１２１毎のモニタ電圧を出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬとして出力する。

　なお図６（Ａ）において制御信号Ｆ０Ｂ１は、制御信号Ｆ０の反転信号である。また制御信号Ｆ０Ｂ２は、制御信号Ｆ０Ｂ１とはタイミングの異なる制御信号である。同様に、図６（Ａ）において制御信号Ｆ１Ｂ１乃至Ｆ６Ｂ１は、制御信号Ｆ１乃至Ｆ６の反転信号である。また制御信号Ｆ０Ｂ２は、制御信号Ｆ０Ｂ１とはタイミングの異なる制御信号である。

　なお図６（Ａ）では制御信号Ｆ０、Ｆ０Ｂ１、およびＦ０Ｂ２、並びに、制御信号Ｆ１乃至Ｆ６、Ｆ１Ｂ１乃至Ｆ６Ｂ１、およびＦ１Ｂ２乃至Ｆ６Ｂ２を制御回路１３２から出力される構成として図示しているが、他の構成でもよい。制御回路１３２は電圧モニタ回路１１１Ａとは別の構成とし、電圧モニタ回路１１１Ａとは別の構成からマルチプレクサ１３１Ａに出力する構成としてもよい。

　マルチプレクサ１３１Ａは、モニタ電圧をサンプリングするためのスイッチ、サンプリングしたモニタ電圧を読み出すためのスイッチ、を有する。マルチプレクサ１３１Ａは、当該スイッチを駆動するための制御信号Ｆ０および制御信号Ｆ１乃至Ｆ６の電流供給能力を増幅するバッファ回路を有する。また当該バッファ回路は、入力される制御信号Ｆ０および制御信号Ｆ１乃至Ｆ６の電圧レベルを昇圧する機能を有するレベルシフタとして機能させることができる。

　リセット信号ＲＥＳＥＴは、出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬを初期化するための信号である。制御信号Ｆ０は、電池セル１２１から電圧をサンプリングし、マルチプレクサ１３１Ａ内の容量素子に保持させるための信号である。制御信号Ｆ１乃至Ｆ６のいずれか一は、６個の電池セルのモニタ電圧のいずれか一を選択して出力するための信号である。

　図６（Ｂ）は、図６（Ａ）で説明したマルチプレクサ１３１Ａの回路構成の一例である。

　図６（Ｂ）に示すマルチプレクサ１３１Ａはサンプリング回路１５０、サンプリング回路１６０、およびスイッチ１４２を有する。サンプリング回路１５０は複数設けられ、それぞれ電圧ＶＣ１乃至ＶＣ６を与える端子に接続される。サンプリング回路１６０は、電圧ＶＣ１およびＶＣ０を与える端子に接続される。サンプリング回路１５０、１６０は２点の電圧の差を保持し、選択的に出力する。なおサンプリング回路１６０は、低電位側の電池セルの２点の電圧の差を保持し、選択的に出力する。

　次いでサンプリング回路１５０、１６０の構成例について説明する。図７（Ａ）、（Ｂ）ではサンプリング回路１５０について説明し、図８（Ａ）、（Ｂ）ではサンプリング回路１６０について説明する。

　図７（Ａ）は、図６（Ｂ）に示すサンプリング回路１５０のシンボルを抜き出したブロック図である。図７（Ａ）では、サンプリング回路１５０がサンプリングする電圧として、電圧ＩＮＨ、ＩＮＬを図示している。また図７（Ａ）では、サンプリング回路１５０の出力電圧として、出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬを図示している。図７（Ａ）では、サンプリング回路１５０に与えられる制御信号として、制御信号ＩＮＴ０、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ２、制御信号ＩＮＴ、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ２を図示している。制御信号ＩＮＴ０、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ２、制御信号ＩＮＴ、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ２は、図６（Ｂ）で図示した制御信号Ｆ０、制御信号Ｆ０Ｂ１、制御信号Ｆ０Ｂ２、制御信号Ｆ６、制御信号Ｆ６Ｂ１、制御信号Ｆ６Ｂ２に相当する。

　図７（Ｂ）は、サンプリング回路１５０の具体的な回路構成例である。サンプリング回路１５０は、上記実施の形態１の図４（Ａ）で説明したサンプリング回路１４１Ａの構成に加えて、バッファ回路１５１を有する。図７（Ｂ）の複数のバッファ回路１５１では、図示するように、それぞれのバッファ回路１５１に制御信号ＩＮＴ０、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ２、制御信号ＩＮＴ、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ２、電圧ＩＮＨ、電圧ＩＮＬが与えられる。バッファ回路１５１から出力される信号ＢＵＦＦ＿Ｖ１は、サンプリング回路１４１Ａが有するトランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４のゲートに与えられる。

　なお図７（Ｂ）に示すバッファ回路１５１では、各端子をＩＮ、ＩＮＢ１、ＩＮＢ２、ＶＣと図示している。具体的な回路構成例については図９（Ａ）乃至（Ｃ）で説明する。

　図８（Ａ）では、図７（Ａ）と同様にして、図６（Ｂ）に示すサンプリング回路１６０のシンボルを抜き出したブロック図である。図８（Ａ）では、サンプリング回路１６０がサンプリングする電圧として、電圧ＩＮＨ、ＩＮＬを図示している。また図８（Ａ）では、サンプリング回路１６０の出力電圧として、出力電圧ＯＵＴＨ、ＯＵＴＬを図示している。図８（Ａ）では、サンプリング回路１６０に与えられる制御信号として、制御信号ＩＮＴ０、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ２、制御信号ＩＮＴ、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ２を図示している。制御信号ＩＮＴ０、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ２、制御信号ＩＮＴ、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ２は、図６（Ｂ）で図示した制御信号Ｆ０、制御信号Ｆ０Ｂ１、制御信号Ｆ０Ｂ２、制御信号Ｆ１、制御信号Ｆ１Ｂ１、制御信号Ｆ１Ｂ２に相当する。

　図８（Ｂ）は、サンプリング回路１６０の具体的な回路構成例である。サンプリング回路１６０は、上記実施の形態１の図４（Ａ）で説明したサンプリング回路１４１Ａの構成に加えて、バッファ回路１５１およびバッファ回路１６１を有する。図８（Ｂ）の複数のバッファ回路１５１およびバッファ回路１６１では、図示するように、それぞれのバッファ回路１５１およびバッファ回路１６１に制御信号ＩＮＴ０、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ０＿Ｂ２、制御信号ＩＮＴ、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ１、制御信号ＩＮＴ＿Ｂ２、電圧ＩＮＨ、電圧ＩＮＬが与えられる。バッファ回路１５１およびバッファ回路１６１から出力される信号ＢＵＦＦ＿Ｖ１は、サンプリング回路１４１Ａが有するトランジスタＭＴ１乃至ＭＴ４のゲートに与えられる。

　なお図８（Ｂ）に示すバッファ回路１６１では、各端子をＩＮ、ＩＮＢ１と図示している。具体的な回路構成例については図１０（Ａ）乃至（Ｃ）で説明する。

　次いでバッファ回路１５１の構成例について説明する。

　図９（Ａ）は、図７（Ｂ）に示すバッファ回路１５１のシンボルを抜き出したブロック図である。図９（Ａ）では、バッファ回路１５１の入力信号、入力端子としてＩＮ、ＩＮＢ１、ＩＮＢ２を図示している。図９（Ａ）では、バッファ回路１５１の電源電圧、電源電圧端子としてＶＣを図示している。図９（Ａ）では、バッファ回路１５１の出力信号、出力端子としてＯＵＴを図示している。

　図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示すバッファ回路１５１の具体的な回路構成例を示す図である。バッファ回路１５１は、トランジスタ１５２乃至１５５および容量素子１５６を有する。また図９（Ｂ）に図示するように各トランジスタのゲートおよびソース又はドレインには、入力信号ＩＮ、ＩＮＢ１、ＩＮＢ２、電源電圧ＶＣが与えられる。電源電圧ＶＤＤは、電源電圧ＶＣより低い電圧である。

　図９（Ｃ）は、図９（Ｂ）に示すバッファ回路１５１の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。

　バッファ回路１５１は、図９（Ｃ）に図示するように時刻Ｔ３１で入力信号ＩＮをＨレベル、入力信号ＩＮＢ１をＬレベルとする。トランジスタ１５２がオンになり、出力電圧がＶＤＤを下回る電圧まで上昇する。時刻Ｔ３２で入力信号ＩＮＢ２をＨレベルからＬレベルに切り替えることで、トランジスタ１５５がオンからオフに切りかわる。容量素子１５６の容量結合によって、出力信号ＯＵＴの電位が上昇する。時刻Ｔ３３で入力信号ＩＮをＬレベル、入力信号ＩＮＢ１およびＩＮＢ２をＨレベルとすることで、出力信号ＯＵＴがＬレベルとなる。

　図９（Ｃ）の動作とすることで、図９（Ｂ）の単極性回路において、出力信号ＯＵＴを入力信号ＩＮから昇圧された信号とすることができる。

　次いでバッファ回路１６１の構成例について説明する。

　図１０（Ａ）では、図８（Ｂ）に示すバッファ回路１６１のシンボルを抜き出したブロック図である。図１０（Ａ）では、バッファ回路１６１の入力信号、入力端子としてＩＮ、ＩＮＢ１を図示している。図１０（Ａ）では、バッファ回路１６１の出力信号、出力端子としてＯＵＴを図示している。

　図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示すバッファ回路１６１の具体的な回路構成例を示す図である。バッファ回路１６１は、トランジスタ１６２乃至１６３および容量素子１６４を有する。また図１０（Ｂ）に図示するように各トランジスタのゲートおよびソース又はドレインには、入力信号ＩＮ、ＩＮＢ１、電源電圧ＶＤＤが与えられる。

　図１０（Ｃ）は、図１０（Ｂ）に示すバッファ回路１６１の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。

　バッファ回路１６１は、図１０（Ｃ）に図示するように時刻Ｔ４１で入力信号ＩＮをＨレベル、入力信号ＩＮＢ１をＬレベルとする。トランジスタ１６２がオン、トランジスタ１６３がオフになり、出力電圧がＶＤＤを下回る電圧まで上昇する。時刻Ｔ４２で入力信号ＩＮをＬレベル、入力信号ＩＮＢ１をＨレベルとすることで、出力信号ＯＵＴがＬレベルとなる。

　図１０（Ｃ）の動作とすることで、図１０（Ｂ）の単極性回路は、出力信号ＯＵＴが入力信号ＩＮと比べてトランジスタ１６２のしきい値電圧分だけ降圧した信号となる。一方で、バッファ回路１６１が接続される電池セルの電位は小さい。そのため、バッファ回路１６１の出力信号ＯＵＴに振幅電圧が小さくても、トランジスタＭＴ２およびＭＴ４のオン及びオフの動作に支障はない。当該構成とすることで、バッファ回路１６１のトランジスタ数をバッファ回路１５１と比べて少なくすることが可能となる。

　以上説明した本実施の形態の電池管理回路、および当該電離管理回路を備えた蓄電装置は、実施の形態１で説明した構成による効果に加えて、トランジスタ数を削減することといった効果がある。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、上記実施の形態で説明した電池管理回路、および当該電池管理回路を備えた蓄電装置の動作例について説明する。

　図１１では、電池管理回路、および当該電離管理回路を備えた蓄電装置の動作例を説明するためのフローチャートを図示する。

　上述したように電池管理回路は、電池セル毎の電流・電圧を測定する（ステップＳ００１）。電池セル毎の電流の測定は、モニタ電流のデータ、電池セル毎の電圧の測定は、モニタ電圧のデータを取得することで行われる。

　次いで電池管理回路は、ステップＳ００１で測定した各データをもとに、組電池セルにおける充電または放電の異常判定の有無（ＹＥＳまたはＮＯ）を演算装置で判断する（ステップＳ００２）。異常判定は、大電圧あるいは大電流を検出するなど、正常な状態とは異なる挙動を検知して行われる。異常判定がなければ充電完了の判断のステップＳ００５に進み、充電完了であれば（ＹＥＳ）終了する。充電完了でなければ（ＮＯ）再度ステップＳ００１を行う。

　次いで電池管理回路は、ステップＳ００２で異常判定と判断した場合、演算装置で制御信号を生成する（ステップＳ００３）。

　次いで演算装置は端子１１４等を介して外部に設けられた充放電制御用のトランジスタのオンまたはオフを制御するトランジスタの制御信号を出力し、充放電制御用のトランジスタの接続切り替えを行う（ステップＳ００４）。充放電制御用のトランジスタは、充放電を行うための電圧および電流を伝えるための配線に設けられたトランジスタである。

　以上の動作により、電池管理回路はモニタ電圧およびモニタ電流から充放電時の異常を検知し、充放電を停止することができる。

（実施の形態４）
　図１２に示す半導体装置は、トランジスタ３００と、トランジスタ５００と、容量素子６００と、を有している。図１４（Ａ）はトランジスタ５００のチャネル長方向の断面図であり、図１４（Ｂ）はトランジスタ５００のチャネル幅方向の断面図であり、図１４（Ｃ）はトランジスタ３００のチャネル幅方向の断面図である。

　トランジスタ５００は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。トランジスタ５００は、オフ電流が小さいため、これを半導体装置が有するＯＳトランジスタに用いることにより、長期にわたり書き込んだデータを保持することが可能である。つまり、リフレッシュ動作の頻度が少ない、あるいは、リフレッシュ動作を必要としないため、半導体装置の消費電力を低減することができる。

　本実施の形態で説明する半導体装置は、図１２に示すようにトランジスタ３００、トランジスタ５００、容量素子６００を有する。トランジスタ５００はトランジスタ３００の上方に設けられ、容量素子６００はトランジスタ３００、及びトランジスタ５００の上方に設けられている。

　トランジスタ３００は、基板３１１上に設けられ、導電体３１６、絶縁体３１５、基板３１１の一部からなる半導体領域３１３、ソース領域又はドレイン領域として機能する低抵抗領域３１４ａ、及び低抵抗領域３１４ｂを有する。なお、トランジスタ３００は、例えば、上記実施の形態におけるトランジスタに適用することができる。

　トランジスタ３００は、図１４（Ｃ）に示すように、半導体領域３１３の上面及びチャネル幅方向の側面が絶縁体３１５を介して導電体３１６に覆われている。このように、トランジスタ３００をＦｉｎ型とすることにより、実効上のチャネル幅が増大することによりトランジスタ３００のオン特性を向上させることができる。また、ゲート電極の電界の寄与を高くすることができるため、トランジスタ３００のオフ特性を向上させることができる。

　なお、トランジスタ３００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。

　半導体領域３１３のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域、又はドレイン領域となる低抵抗領域３１４ａ、及び低抵抗領域３１４ｂなどにおいて、シリコン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい。又は、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成してもよい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコンを用いた構成としてもよい。又はＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジスタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。

　低抵抗領域３１４ａ、及び低抵抗領域３１４ｂは、半導体領域３１３に適用される半導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、又はホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含む。

　ゲート電極として機能する導電体３１６は、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材料、金属材料、合金材料、又は金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。

　なお、導電体の材料によって仕事関数が決まるため、当該導電体の材料を選択することで、トランジスタのしきい値電圧を調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層として用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。

　なお、図１２に示すトランジスタ３００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。例えば、半導体装置をＯＳトランジスタのみの単極性回路とする場合、図１３に示すとおり、トランジスタ３００の構成を、酸化物半導体を用いているトランジスタ５００と同様の構成にすればよい。なお、トランジスタ５００の詳細については後述する。

　トランジスタ３００を覆って、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、及び絶縁体３２６が順に積層して設けられている。

　絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、及び絶縁体３２６として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。

　なお、本明細書中において、酸化窒化シリコンとは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。また、本明細書中において、酸化窒化アルミニウムとは、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化アルミニウムとは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　絶縁体３２２は、その下方に設けられるトランジスタ３００などによって生じる段差を平坦化する平坦化膜としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁体３２２の上面は、平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ）法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。

　また、絶縁体３２４には、基板３１１、又はトランジスタ３００などから、トランジスタ５００が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。

　水素に対するバリア性を有する膜の一例として、例えば、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いることができる。ここで、トランジスタ５００等の酸化物半導体を有する半導体素子に、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したがって、トランジスタ５００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とする。

　水素の脱離量は、例えば、昇温脱離ガス分析法（ＴＤＳ）などを用いて分析することができる。例えば、絶縁体３２４の水素の脱離量は、ＴＤＳ分析において、膜の表面温度が５０℃から５００℃の範囲において、水素原子に換算した脱離量が、絶縁体３２４の面積当たりに換算して、１０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下、好ましくは５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下であればよい。

　なお、絶縁体３２６は、絶縁体３２４よりも誘電率が低いことが好ましい。例えば、絶縁体３２６の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。また例えば、絶縁体３２６の比誘電率は、絶縁体３２４の比誘電率の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下がより好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。

　また、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、及び絶縁体３２６には容量素子６００、又はトランジスタ５００と接続する導電体３２８、及び導電体３３０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８、及び導電体３３０は、プラグ又は配線としての機能を有する。また、プラグ又は配線としての機能を有する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、及び導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。

　各プラグ、及び配線（導電体３２８、導電体３３０等）の材料としては、金属材料、合金材料、金属窒化物材料、又は金属酸化物材料などの導電性材料を、単層又は積層で用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。又は、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。

　絶縁体３２６、及び導電体３３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３５０、絶縁体３５２、及び絶縁体３５４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２、及び絶縁体３５４には、導電体３５６が形成されている。導電体３５６は、トランジスタ３００と接続するプラグ、又は配線としての機能を有する。なお導電体３５６は、導電体３２８、及び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

　なお、例えば、絶縁体３５０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３５６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

　なお、水素に対するバリア性を有する導電体としては、例えば、窒化タンタル等を用いるとよい。また、窒化タンタルと導電性が高いタングステンを積層することで、配線としての導電性を保持したまま、トランジスタ３００からの水素の拡散を抑制することができる。この場合、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル層が、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０と接する構造であることが好ましい。

　絶縁体３５４、及び導電体３５６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３６０、絶縁体３６２、及び絶縁体３６４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３６０、絶縁体３６２、及び絶縁体３６４には、導電体３６６が形成されている。導電体３６６は、プラグ又は配線としての機能を有する。なお導電体３６６は、導電体３２８、及び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

　なお、例えば、絶縁体３６０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３６６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３６０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

　絶縁体３６４、及び導電体３６６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３７０、絶縁体３７２、及び絶縁体３７４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３７０、絶縁体３７２、及び絶縁体３７４には、導電体３７６が形成されている。導電体３７６は、プラグ又は配線としての機能を有する。なお導電体３７６は、導電体３２８、及び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

　なお、例えば、絶縁体３７０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３７６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３７０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

　絶縁体３７４、及び導電体３７６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３８０、絶縁体３８２、及び絶縁体３８４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３８０、絶縁体３８２、及び絶縁体３８４には、導電体３８６が形成されている。導電体３８６は、プラグ又は配線としての機能を有する。なお導電体３８６は、導電体３２８、及び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

　なお、例えば、絶縁体３８０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３８６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３８０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

　上記において、導電体３５６を含む配線層、導電体３６６を含む配線層、導電体３７６を含む配線層、及び導電体３８６を含む配線層、について説明したが、本実施の形態に係る半導体装置はこれに限られるものではない。導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を３層以下にしてもよいし、導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を５層以上にしてもよい。

　絶縁体３８４上には絶縁体５１０、絶縁体５１２、絶縁体５１４、及び絶縁体５１６が、順に積層して設けられている。絶縁体５１０、絶縁体５１２、絶縁体５１４、及び絶縁体５１６のいずれかは、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。

　例えば、絶縁体５１０、及び絶縁体５１４には、例えば、基板３１１、又はトランジスタ３００を設ける領域などから、トランジスタ５００を設ける領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。したがって、絶縁体３２４と同様の材料を用いることができる。

　水素に対するバリア性を有する膜の一例として、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いることができる。ここで、トランジスタ５００等の酸化物半導体を有する半導体素子に、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したがって、トランジスタ５００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とする。

　また、水素に対するバリア性を有する膜として、例えば、絶縁体５１０、及び絶縁体５１４には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。

　特に、酸化アルミニウムは、酸素、及びトランジスタの電気特性の変動要因となる水素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中及び作製後において、水素、水分などの不純物のトランジスタ５００への混入を防止することができる。また、トランジスタ５００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジスタ５００に対する保護膜として用いることに適している。

　また、例えば、絶縁体５１２、及び絶縁体５１６には、絶縁体３２０と同様の材料を用いることができる。また、これらの絶縁体に、比較的誘電率が低い材料を適用することで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体５１２、及び絶縁体５１６として、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。

　また、絶縁体５１０、絶縁体５１２、絶縁体５１４、及び絶縁体５１６には、導電体５１８、及びトランジスタ５００を構成する導電体（例えば、導電体５０３）等が埋め込まれている。なお、導電体５１８は、容量素子６００、又はトランジスタ３００と接続するプラグ、又は配線としての機能を有する。導電体５１８は、導電体３２８、及び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

　特に、絶縁体５１０、及び絶縁体５１４と接する領域の導電体５１８は、酸素、水素、及び水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、酸素、水素、及び水に対するバリア性を有する層で、分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

　絶縁体５１６の上方には、トランジスタ５００が設けられている。

　図１４（Ａ）（Ｂ）に示すように、トランジスタ５００は、絶縁体５１４及び絶縁体５１６に埋め込まれるように配置された導電体５０３と、絶縁体５１６及び導電体５０３の上に配置された絶縁体５２０と、絶縁体５２０の上に配置された絶縁体５２２と、絶縁体５２２の上に配置された絶縁体５２４と、絶縁体５２４の上に配置された酸化物５３０ａと、酸化物５３０ａの上に配置された酸化物５３０ｂと、酸化物５３０ｂ上に互いに離れて配置された導電体５４２ａ及び導電体５４２ｂと、導電体５４２ａ及び導電体５４２ｂ上に配置され、導電体５４２ａと導電体５４２ｂの間に重畳して開口が形成された絶縁体５８０と、開口の底面及び側面に配置された酸化物５３０ｃと、酸化物５３０ｃの形成面に配置された絶縁体５５０と、絶縁体５５０の形成面に配置された導電体５６０と、を有する。

　また、図１４（Ａ）（Ｂ）に示すように、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂと、絶縁体５８０との間に絶縁体５４４が配置されることが好ましい。また、図１４（Ａ）（Ｂ）に示すように、導電体５６０は、絶縁体５５０の内側に設けられた導電体５６０ａと、導電体５６０ａの内側に埋め込まれるように設けられた導電体５６０ｂと、を有することが好ましい。また、図１４（Ａ）（Ｂ）に示すように、絶縁体５８０、導電体５６０、及び絶縁体５５０の上に絶縁体５７４が配置されることが好ましい。

　なお、以下において、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、及び酸化物５３０ｃをまとめて酸化物５３０という場合がある。

　なお、トランジスタ５００では、チャネルが形成される領域と、その近傍において、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、及び酸化物５３０ｃの３層を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、酸化物５３０ｂの単層、酸化物５３０ｂと酸化物５３０ａの２層構造、酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃの２層構造、又は４層以上の積層構造を設ける構成にしてもよい。また、トランジスタ５００では、導電体５６０を２層の積層構造として示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体５６０が、単層構造であってもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。また、図１２、図１４（Ａ）に示すトランジスタ５００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。

　ここで、導電体５６０は、トランジスタのゲート電極として機能し、導電体５４２ａ及び導電体５４２ｂは、それぞれソース電極又はドレイン電極として機能する。上記のように、導電体５６０は、絶縁体５８０の開口、及び導電体５４２ａと導電体５４２ｂに挟まれた領域に埋め込まれるように形成される。導電体５６０、導電体５４２ａ及び導電体５４２ｂの配置は、絶縁体５８０の開口に対して、自己整合的に選択される。つまり、トランジスタ５００において、ゲート電極を、ソース電極とドレイン電極の間に、自己整合的に配置させることができる。よって、導電体５６０を位置合わせのマージンを設けることなく形成することができるので、トランジスタ５００の占有面積の縮小を図ることができる。これにより、半導体装置の微細化、高集積化を図ることができる。

　さらに、導電体５６０が、導電体５４２ａと導電体５４２ｂの間の領域に自己整合的に形成されるので、導電体５６０は、導電体５４２ａ又は導電体５４２ｂと重畳する領域を有さない。これにより、導電体５６０と導電体５４２ａ及び導電体５４２ｂとの間に形成される寄生容量を低減することができる。よって、トランジスタ５００のスイッチング速度を向上させ、高い周波数特性を有せしめることができる。

　導電体５６０は、第１のゲート（トップゲートともいう）電極として機能する場合がある。また、導電体５０３は、第２のゲート（ボトムゲートともいう）電極として機能する場合がある。その場合、導電体５０３に印加する電位を、導電体５６０に印加する電位と、連動させず、独立して変化させることで、トランジスタ５００のしきい値電圧を制御することができる。特に、導電体５０３に負の電位を印加することにより、トランジスタ５００のしきい値電圧を０Ｖより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したがって、導電体５０３に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体５６０に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。

　導電体５０３は、酸化物５３０、及び導電体５６０と、重なるように配置する。これにより、導電体５６０、及び導電体５０３に電位を印加した場合、導電体５６０から生じる電界と、導電体５０３から生じる電界と、がつながり、酸化物５３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。本明細書等において、第１のゲート電極、及び第２のゲート電極の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ　ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ−ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。

　また、導電体５０３は、導電体５１８と同様の構成であり、絶縁体５１４及び絶縁体５１６の開口の内壁に接して導電体５０３ａが形成され、さらに内側に導電体５０３ｂが形成されている。なお、トランジスタ５００では、導電体５０３ａ及び導電体５０３ｂを積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体５０３は、単層、又は３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。

　ここで、導電体５０３ａは、水素原子、水素分子、水分子、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい）導電性材料を用いることが好ましい。又は、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）導電性材料を用いることが好ましい。なお、本明細書において、不純物、又は酸素の拡散を抑制する機能とは、上記不純物、又は上記酸素のいずれか一又は、すべての拡散を抑制する機能とする。

　例えば、導電体５０３ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、導電体５０３ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することができる。

　また、導電体５０３が配線の機能を兼ねる場合、導電体５０３ｂは、タングステン、銅、又はアルミニウムを主成分とする、導電性が高い導電性材料を用いることが好ましい。その場合、導電体５０５は、必ずしも設けなくともよい。なお、導電体５０３ｂを単層で図示したが、積層構造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。

　絶縁体５２０、絶縁体５２２、絶縁体５２４、及び絶縁体５５０は、第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。

　ここで、酸化物５３０と接する絶縁体５２４は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む絶縁体を用いることが好ましい。つまり、絶縁体５２４には、過剰酸素領域が形成されていることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物５３０に接して設けることにより、酸化物５３０中の酸素欠損を低減し、トランジスタ５００の信頼性を向上させることができる。

　過剰酸素領域を有する絶縁体として、具体的には、加熱により一部の酸素が脱離する酸化物材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化物とは、ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、さらに好ましくは２．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は３．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、又は１００℃以上４００℃以下の範囲が好ましい。

　また、絶縁体５２４が、過剰酸素領域を有する場合、絶縁体５２２は、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子など）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）ことが好ましい。

　絶縁体５２２が、酸素や不純物の拡散を抑制する機能を有することで、酸化物５３０が有する酸素は、絶縁体５２０側へ拡散することがなく、好ましい。また、導電体５０３が、絶縁体５２４や、酸化物５３０が有する酸素と反応することを抑制することができる。

　絶縁体５２２は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウム及びハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）、又は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）などのいわゆるｈｉｇｈ−ｋ材料を含む絶縁体を単層又は積層で用いることが好ましい。トランジスタの微細化、及び高集積化が進むと、ゲート絶縁膜の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁膜として機能する絶縁体にｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。

　特に、不純物、及び酸素などの拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）絶縁性材料であるアルミニウム、ハフニウムの一方又は双方の酸化物を含む絶縁体を用いるとよい。アルミニウム、ハフニウムの一方又は双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウム及びハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。このような材料を用いて絶縁体５２２を形成した場合、絶縁体５２２は、酸化物５３０からの酸素の放出や、トランジスタ５００の周辺部から酸化物５３０への水素等の不純物の混入を抑制する層として機能する。

　又は、これらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。又はこれらの絶縁体を窒化処理してもよい。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコン又は窒化シリコンを積層して用いてもよい。

　また、絶縁体５２０は、熱的に安定していることが好ましい。例えば、酸化シリコン及び酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、好適である。また、ｈｉｇｈ−ｋ材料の絶縁体を酸化シリコン、または酸化窒化シリコンと組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造の絶縁体５２０や、絶縁体５２６を得ることができる。

　なお、図１４（Ａ）（Ｂ）のトランジスタ５００では、３層の積層構造からなる第２のゲート絶縁膜として、絶縁体５２０、絶縁体５２２、及び絶縁体５２４が図示されているが、第２のゲート絶縁膜は、単層、２層、又は４層以上の積層構造を有していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。

　トランジスタ５００は、チャネル形成領域を含む酸化物５３０に、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、酸化物５３０として、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は複数種）等の金属酸化物を用いるとよい。特に、酸化物５３０として適用できるＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物は、ＣＡＡＣ−ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳであることが好ましい。また、酸化物５３０として、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物を用いてもよい。

　酸化物５３０においてチャネル形成領域にとして機能する金属酸化物は、バンドギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上のものを用いることが好ましい。このように、バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

　酸化物５３０は、酸化物５３０ｂ下に酸化物５３０ａを有することで、酸化物５３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物５３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。また、酸化物５３０ｂ上に酸化物５３０ｃを有することで、酸化物５３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物５３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。

　なお、酸化物５３０は、各金属原子の原子数比が異なる酸化物により、積層構造を有することが好ましい。具体的には、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物において、構成元素中の元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、構成元素中の元素Ｍの原子数比より、大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｃは、酸化物５３０ａ又は酸化物５３０ｂに用いることができる金属酸化物を、用いることができる。

　また、酸化物５３０ａ及び酸化物５３０ｃの伝導帯下端のエネルギーが、酸化物５３０ｂの伝導帯下端のエネルギーより高くなることが好ましい。また、言い換えると、酸化物５３０ａ及び酸化物５３０ｃの電子親和力が、酸化物５３０ｂの電子親和力より小さいことが好ましい。

　ここで、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、及び酸化物５３０ｃの接合部において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、及び酸化物５３０ｃの接合部における伝導帯下端のエネルギー準位は、連続的に変化又は連続接合するともいうことができる。このようにするためには、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂとの界面、及び酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃとの界面において形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。

　具体的には、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂ、酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃが、酸素以外に共通の元素を有する（主成分とする）ことで、欠陥準位密度が低い混合層を形成することができる。例えば、酸化物５３０ｂがＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物の場合、酸化物５３０ａ及び酸化物５３０ｃとして、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、酸化ガリウムなどを用いるとよい。

　このとき、キャリアの主たる経路は酸化物５３０ｂとなる。酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｃを上述の構成とすることで、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂとの界面、及び酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くすることができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ５００は高いオン電流を得られる。

　酸化物５３０ｂ上には、ソース電極、及びドレイン電極として機能する導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂが設けられる。導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂとしては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンから選ばれた金属元素、又は上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、又は、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。更に、窒化タンタルなどの金属窒化物膜は、水素又は酸素に対するバリア性があるため好ましい。

　また、図１４では、導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂを単層構造として示したが、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、窒化タンタル膜とタングステン膜を積層するとよい。また、チタン膜とアルミニウム膜を積層してもよい。また、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造としてもよい。

　また、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。

　また、図１４（Ａ）に示すように、酸化物５３０の、導電体５４２ａ（導電体５４２ｂ）との界面とその近傍には、低抵抗領域として、領域５４３ａ、及び領域５４３ｂが形成される場合がある。このとき、領域５４３ａはソース領域又はドレイン領域の一方として機能し、領域５４３ｂはソース領域又はドレイン領域の他方として機能する。また、領域５４３ａと領域５４３ｂに挟まれる領域にチャネル形成領域が形成される。

　酸化物５３０と接するように上記導電体５４２ａ（導電体５４２ｂ）を設けることで、領域５４３ａ（領域５４３ｂ）の酸素濃度が低減する場合がある。また、領域５４３ａ（領域５４３ｂ）に導電体５４２ａ（導電体５４２ｂ）に含まれる金属と、酸化物５３０の成分とを含む金属化合物層が形成される場合がある。このような場合、領域５４３ａ（領域５４３ｂ）のキャリア密度が増加し、領域５４３ａ（領域５４３ｂ）は、低抵抗領域となる。

　絶縁体５４４は、導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂを覆うように設けられ、導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂの酸化を抑制する。このとき、絶縁体５４４は、酸化物５３０の側面を覆い、絶縁体５２４と接するように設けられてもよい。

　絶縁体５４４として、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、ネオジム、ランタン又は、マグネシウムなどから選ばれた一種、又は二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。また、絶縁体５４４として、窒化酸化シリコン又は窒化シリコンなども用いることができる。

　特に、絶縁体５４４として、アルミニウム、又はハフニウムの一方又は双方の酸化物を含む絶縁体である、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウム、及びハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。特に、ハフニウムアルミネートは、酸化ハフニウム膜よりも、耐熱性が高い。そのため、後の工程での熱処理において、結晶化しにくいため好ましい。なお、導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂが耐酸化性を有する材料、又は、酸素を吸収しても著しく導電性が低下しない場合、絶縁体５４４は、必須の構成ではない。求めるトランジスタ特性により、適宜設計すればよい。

　絶縁体５４４を有することで、絶縁体５８０に含まれる水、及び水素などの不純物が酸化物５３０ｃ、絶縁体５５０を介して、酸化物５３０ｂに拡散することを抑制することができる。また、絶縁体５８０が有する過剰酸素により、導電体５６０が酸化するのを抑制することができる。

　絶縁体５５０は、第１のゲート絶縁膜として機能する。絶縁体５５０は、酸化物５３０ｃの内側（上面、及び側面）に接して配置することが好ましい。絶縁体５５０は、上述した絶縁体５２４と同様に、過剰に酸素を含み、かつ加熱により酸素が放出される絶縁体を用いて形成することが好ましい。

　具体的には、過剰酸素を有する酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素、及び窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンを用いることができる。特に、酸化シリコン、及び酸化窒化シリコンは熱に対し安定であるため好ましい。

　加熱により酸素が放出される絶縁体を、絶縁体５５０として、酸化物５３０ｃの上面に接して設けることにより、絶縁体５５０から、酸化物５３０ｃを通じて、酸化物５３０ｂのチャネル形成領域に効果的に酸素を供給することができる。また、絶縁体５２４と同様に、絶縁体５５０中の水又は水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。絶縁体５５０の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とするのが好ましい。

　また、絶縁体５５０が有する過剰酸素を、効率的に酸化物５３０へ供給するために、絶縁体５５０と導電体５６０との間に金属酸化物を設けてもよい。当該金属酸化物は、絶縁体５５０から導電体５６０への酸素拡散を抑制することが好ましい。酸素の拡散を抑制する金属酸化物を設けることで、絶縁体５５０から導電体５６０への過剰酸素の拡散が抑制される。つまり、酸化物５３０へ供給する過剰酸素量の減少を抑制することができる。また、過剰酸素による導電体５６０の酸化を抑制することができる。当該金属酸化物としては、絶縁体５４４に用いることができる材料を用いればよい。

　なお、絶縁体５５０は、第２のゲート絶縁膜と同様に、積層構造としてもよい。トランジスタの微細化、及び高集積化が進むと、ゲート絶縁膜の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合があるため、ゲート絶縁膜として機能する絶縁体を、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、熱的に安定している材料との積層構造とすることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。また、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。

　第１のゲート電極として機能する導電体５６０は、図１４（Ａ）（Ｂ）では２層構造として示しているが、単層構造でもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。

　導電体５６０ａは、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ_２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ_２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。又は、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。導電体５６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、絶縁体５５０に含まれる酸素により、導電体５６０ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することができる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒化タンタル、ルテニウム、又は酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。また、導電体５６０ａとして、酸化物５３０に適用できる酸化物半導体を用いることができる。その場合、導電体５６０ｂをスパッタリング法で成膜することで、導電体５６０ａの電気抵抗値を低下させて導電体にすることができる。これをＯＣ（Ｏｘｉｄｅ　Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電極と呼ぶことができる。

　また、導電体５６０ｂは、タングステン、銅、又はアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体５６０ｂは、配線としても機能するため、導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、タングステン、銅、又はアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体５６０ｂは積層構造としてもよく、例えば、チタン、窒化チタンと上記導電性材料との積層構造としてもよい。

　絶縁体５８０は、絶縁体５４４を介して、導電体５４２ａ、及び導電体５４２ｂ上に設けられる。絶縁体５８０は、過剰酸素領域を有することが好ましい。例えば、絶縁体５８０として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素、及び窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、又は樹脂などを有することが好ましい。特に、酸化シリコン、及び酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため好ましい。特に、酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンは、後の工程で、容易に過剰酸素領域を形成することができるため好ましい。

　絶縁体５８０は、過剰酸素領域を有することが好ましい。加熱により酸素が放出される絶縁体５８０を、酸化物５３０ｃと接して設けることで、絶縁体５８０中の酸素を、酸化物５３０ｃを通じて、酸化物５３０へと効率良く供給することができる。なお、絶縁体５８０中の水又は水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。

　絶縁体５８０の開口は、導電体５４２ａと導電体５４２ｂの間の領域に重畳して形成される。これにより、導電体５６０は、絶縁体５８０の開口、及び導電体５４２ａと導電体５４２ｂに挟まれた領域に、埋め込まれるように形成される。

　半導体装置を微細化するに当たり、ゲート長を短くすることが求められるが、導電体５６０の導電性が下がらないようにする必要がある。そのために導電体５６０の膜厚を大きくすると、導電体５６０はアスペクト比が高い形状となりうる。本実施の形態では、導電体５６０を絶縁体５８０の開口に埋め込むように設けるため、導電体５６０をアスペクト比の高い形状にしても、工程中に導電体５６０を倒壊させることなく、形成することができる。

　絶縁体５７４は、絶縁体５８０の上面、導電体５６０の上面、及び絶縁体５５０の上面に接して設けられることが好ましい。絶縁体５７４をスパッタリング法で成膜することで、絶縁体５５０、及び絶縁体５８０へ過剰酸素領域を設けることができる。これにより、当該過剰酸素領域から、酸化物５３０中に酸素を供給することができる。

　例えば、絶縁体５７４として、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、又はマグネシウムなどから選ばれた一種、又は二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。

　特に、酸化アルミニウムはバリア性が高く、０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の薄膜であっても、水素、及び窒素の拡散を抑制することができる。したがって、スパッタリング法で成膜した酸化アルミニウムは、酸素供給源であるとともに、水素などの不純物のバリア膜としての機能も有することができる。

　また、絶縁体５７４の上に、層間膜として機能する絶縁体５８１を設けることが好ましい。絶縁体５８１は、絶縁体５２４などと同様に、膜中の水又は水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。

　また、絶縁体５８１、絶縁体５７４、絶縁体５８０、及び絶縁体５４４に形成された開口に、導電体５４０ａ、及び導電体５４０ｂを配置する。導電体５４０ａ及び導電体５４０ｂは、導電体５６０を挟んで対向して設ける。導電体５４０ａ及び導電体５４０ｂは、後述する導電体５４６、及び導電体５４８と同様の構成である。

　絶縁体５８１上には、絶縁体５８２が設けられている。絶縁体５８２は、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。したがって、絶縁体５８２には、絶縁体５１４と同様の材料を用いることができる。例えば、絶縁体５８２には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。

　また、絶縁体５８２上には、絶縁体５８６が設けられている。絶縁体５８６は、絶縁体３２０と同様の材料を用いることができる。また、これらの絶縁体に、比較的誘電率が低い材料を適用することで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体５８６として、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。

　また、絶縁体５２０、絶縁体５２２、絶縁体５２４、絶縁体５４４、絶縁体５８０、絶縁体５７４、絶縁体５８１、絶縁体５８２、及び絶縁体５８６には、導電体５４６、及び導電体５４８等が埋め込まれている。

　導電体５４６、及び導電体５４８は、容量素子６００、トランジスタ５００、又はトランジスタ３００と接続するプラグ、又は配線としての機能を有する。導電体５４６、及び導電体５４８は、導電体３２８、及び導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

　続いて、トランジスタ５００の上方には、容量素子６００が設けられている。容量素子６００は、導電体６１０と、導電体６２０と、絶縁体６３０と、を有する。

　また、導電体５４６、及び導電体５４８上に、導電体６１２を設けてもよい。導電体６１２は、トランジスタ５００と接続するプラグ、又は配線としての機能を有する。導電体６１０は、容量素子６００の電極としての機能を有する。なお、導電体６１２、及び導電体６１０は、同時に形成することができる。

　導電体６１２、及び導電体６１０には、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜、又は上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。又は、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用することもできる。

　図１２では、導電体６１２、及び導電体６１０は単層構造を示したが、当該構成に限定されず、２層以上の積層構造でもよい。例えば、バリア性を有する導電体と導電性が高い導電体との間に、バリア性を有する導電体、及び導電性が高い導電体に対して密着性が高い導電体を形成してもよい。

　絶縁体６３０を介して、導電体６１０と重畳するように、導電体６２０を設ける。なお、導電体６２０は、金属材料、合金材料、又は金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。また、導電体などの他の構造と同時に形成する場合は、低抵抗金属材料であるＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）等を用いればよい。

　導電体６２０、及び絶縁体６３０上には、絶縁体６４０が設けられている。絶縁体６４０は、絶縁体３２０と同様の材料を用いて設けることができる。また、絶縁体６４０は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。

　本構造を用いることで、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた半導体装置において、電気特性の変動を抑制するとともに、信頼性を向上させることができる。又は、酸化物半導体を有するトランジスタを用いた電池管理回路において、微細化又は高集積化を図ることができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、上述の実施の形態で説明し電池管理回路を電子部品とする例について、図１５を用いて説明する。

　図１５（Ａ）では上述の実施の形態で説明した電池制御回路を電子部品とする例について説明する。なお電子部品は、半導体パッケージ、又はＩＣ用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。

　ＯＳトランジスタやＳｉトランジスタで構成される回路部は、組み立て工程（後工程）を経て、プリント基板に脱着可能な部品が複数合わさることで完成する。

　後工程については、図１５（Ａ）に示す各工程を経ることで完成させることができる。具体的には、前工程で得られる素子基板が完成（ステップＳ１）した後、基板の裏面を研削する（ステップＳ２）。この段階で基板を薄膜化することで、前工程での基板の反り等を低減し、部品としての小型化を図るためである。

　基板の裏面を研削して、基板を複数のチップに分離するダイシング工程を行う。そして、分離したチップを個々にピックアップしてリードフレーム上に搭載し接合する、ダイボンディング工程を行う（ステップＳ３）。このダイボンディング工程におけるチップとリードフレームとの接着は、樹脂による接着や、テープによる接着等、適宜製品に応じて適した方法を選択する。なお、ダイボンディング工程は、インターポーザ上に搭載し接合してもよい。

　次いでリードフレームのリードとチップ上の電極とを、金属の細線（ワイヤー）で電気的に接続する、ワイヤーボンディングを行う（ステップＳ４）。金属の細線には、銀線や金線を用いることができる。また、ワイヤーボンディングは、ボールボンディングや、ウェッジボンディングを用いることができる。

　ワイヤーボンディングされたチップは、エポキシ樹脂等で封止される、モールド工程による封止が施される（ステップＳ５）。モールド工程を行うことで電子部品の内部が樹脂で充填され、機械的な外力による内蔵される回路部やワイヤーに対するダメージを低減することができ、また水分や埃による特性の劣化を低減することができる。

　次いでリードフレームのリードをめっき処理する。そしてリードを切断及び成形加工する（ステップＳ６）。このめっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。

　次いでパッケージの表面に印字処理（マーキング）を施す（ステップＳ７）。そして最終的な検査工程（ステップＳ８）を経てＰＬＤを含む回路部を有する電子部品が完成する（ステップＳ９）。

　また、完成した電子部品の斜視模式図を図１５（Ｂ）に示す。図１５（Ｂ）では、電子部品の一例として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）の斜視模式図を示している。図１５（Ｂ）に示す電子部品７００は、リード７０１及び回路部７０３を示している。図１５（Ｂ）に示す電子部品７００は、例えばプリント基板７０２に実装される。このような電子部品７００が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板７０２上で電気的に接続されることで電気機器の内部に搭載することができる。完成した回路基板７０４は、電気機器等の内部に設けられる。

（実施の形態６）
　本発明の一態様である蓄電装置は、電力により駆動する様々な電気機器の電源として用いることができる。

　本発明の一態様である蓄電装置を用いた電気機器の具体例として、表示装置、照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ブルーレイディスク（Ｂｌｕ−ｒａｙ　Ｄｉｓｃ）などの記録媒体に記憶された静止画または動画を再生する画像再生装置、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、携帯型ゲーム機、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、エアコンディショナーなどの空調設備、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、ＤＮＡ保存用冷凍庫、透析装置などが挙げられる。また、蓄電装置からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電気機器の範疇に含まれるものとする。上記移動体として、例えば、電気自動車、内燃機関と電動機を併せ持った複合型自動車（ハイブリッドカー）、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車などが挙げられる。

　なお、上記電気機器は、消費電力の殆ど全てを賄うための蓄電装置（主電源と呼ぶ）として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることができる。また、上記電気機器は、上記主電源や商用電源からの電力の供給が停止した場合に、電気機器への電力の供給を行うことができる蓄電装置（無停電電源と呼ぶ）として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることができる。また、上記電気機器は、上記主電源や商用電源からの電気機器への電力の供給と並行して、電気機器への電力の供給を行うための蓄電装置（補助電源と呼ぶ）として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることができる。

　図１６に上記電気機器の具体的な構成を示す。図１６において、表示装置５０００は、蓄電装置５００４を用いた電気機器の一例である。具体的に、表示装置５０００は、ＴＶ放送受信用の表示装置に相当し、筐体５００１、表示部５００２、スピーカー部５００３、蓄電装置５００４等を有する。蓄電装置５００４は、筐体５００１の内部に設けられている。表示装置５０００は、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置５００４に蓄積された電力を用いることもできる。よって、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、蓄電装置５００４を無停電電源として用いることで、表示装置５０００の利用が可能となる。

　表示部５００２には、液晶表示装置、有機ＥＬ素子などの発光素子を各画素に備えた発光装置、電気泳動表示装置、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ）、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ　Ｄｉｓｐｌａｙ　Ｐａｎｅｌ）、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）などの、半導体表示装置を用いることができる。

　なお、表示装置には、ＴＶ放送受信用の他、パーソナルコンピュータ用、広告表示用など、全ての情報表示用表示装置が含まれる。

　図１６において、据え付け型の照明装置５１００は、蓄電装置５１０３を用いた電気機器の一例である。具体的に、照明装置５１００は、筐体５１０１、光源５１０２、蓄電装置５１０３等を有する。図１６では、蓄電装置５１０３が、筐体５１０１および光源５１０２が据え付けられた天井５１０４の内部に設けられている場合を例示しているが、蓄電装置５１０３は、筐体５１０１の内部に設けられていても良い。照明装置５１００は、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置５１０３に蓄積された電力を用いることもできる。よって、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、蓄電装置５１０３を無停電電源として用いることで、照明装置５１００の利用が可能となる。

　なお、図１６では天井５１０４に設けられた据え付け型の照明装置５１００を例示しているが、本発明の一態様である蓄電装置は、天井５１０４以外、例えば側壁５１０５、床５１０６、窓５１０７等に設けられた据え付け型の照明装置に用いることもできるし、卓上型の照明装置などに用いることもできる。

　また、光源５１０２には、電力を利用して人工的に光を得る人工光源を用いることができる。具体的には、白熱電球、蛍光灯などの放電ランプ、ＬＥＤや有機ＥＬ素子などの発光素子が、上記人工光源の一例として挙げられる。

　図１６において、室内機５２００および室外機５２０４を有するエアコンディショナーは、蓄電装置５２０３を用いた電気機器の一例である。具体的に、室内機５２００は、筐体５２０１、送風口５２０２、蓄電装置５２０３等を有する。図１６では、蓄電装置５２０３が、室内機５２００に設けられている場合を例示しているが、蓄電装置５２０３は室外機５２０４に設けられていてもよい。或いは、室内機５２００と室外機５２０４の両方に、蓄電装置５２０３が設けられていてもよい。エアコンディショナーは、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置５２０３に蓄積された電力を用いることもできる。特に、室内機５２００と室外機５２０４の両方に蓄電装置５２０３が設けられている場合、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、本発明の一態様である蓄電装置５２０３を無停電電源として用いることでエアコンディショナーの利用が可能となる。

　なお、図１６では、室内機と室外機で構成されるセパレート型のエアコンディショナーを例示しているが、室内機の機能と室外機の機能とを１つの筐体に有する一体型のエアコンディショナーに、本発明の一態様である蓄電装置を用いることもできる。

　図１６において、電気冷凍冷蔵庫５３００は、蓄電装置５３０４を用いた電気機器の一例である。具体的に、電気冷凍冷蔵庫５３００は、筐体５３０１、冷蔵室用扉５３０２、冷凍室用扉５３０３、蓄電装置５３０４等を有する。図１６では、蓄電装置５３０４が、筐体５３０１の内部に設けられている。電気冷凍冷蔵庫５３００は、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置５３０４に蓄積された電力を用いることもできる。よって、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、蓄電装置５３０４を無停電電源として用いることで電気冷凍冷蔵庫５３００の利用が可能となる。

　なお、上述した電気機器のうち、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器などの電気機器は、短時間で高い電力を必要とする。よって、商用電源では賄いきれない電力を補助するための補助電源として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることで電気機器の使用時に商用電源の規定電力量を超えることを抑制することができる。

　また、電気機器が使用されない時間帯、特に商用電源の供給元が供給可能な総電力量のうち、実際に使用される電力量の割合（電力使用率と呼ぶ）が低い時間帯において、蓄電装置に電力を蓄えておくことで、上記時間帯以外において電力使用率が高まるのを抑えることができる。例えば、電気冷凍冷蔵庫５３００の場合、気温が低く、冷蔵室用扉５３０２、冷凍室用扉５３０３の開閉が行われない夜間において、蓄電装置５３０４に電力を蓄える。そして、気温が高くなり、冷蔵室用扉５３０２、冷凍室用扉５３０３の開閉が行われる昼間において、蓄電装置５３０４を補助電源として用いることで昼間の電力使用率を低く抑えることができる。

　図１６において、ノート型パーソナルコンピュータ５４００は、蓄電装置５４０１を用いた電気機器の一例である。図１６では、蓄電装置５４０１が、筐体の内部に設けられている。ノート型パーソナルコンピュータ５４００は、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置５４０１に蓄積された電力を用いることもできる。よって、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、蓄電装置５４０１を無停電電源として用いることでノート型パーソナルコンピュータ５４００の利用が可能となる。

　次に、本発明の一態様である蓄電装置を備えた電気機器の一例として、携帯情報端末について説明する。

　図１７（Ａ）に携帯情報端末６５０の表側の模式図を示す。図１７（Ｂ）に携帯情報端末６５０の裏側の模式図を示す。携帯情報端末６５０は、筐体６５１、表示部６５２（表示部６５２ａおよび表示部６５２ｂを含む。）、電源スイッチ６５３、光センサ６５４、カメラ用レンズ６５５、スピーカー６５６、マイクロフォン６５７および電源６５８を有する。

　表示部６５２ａおよび表示部６５２ｂはタッチパネルであり、文字入力を行うためのキーボードボタンは必要に応じて表示させることでき、当該キーボードボタンに指やスタイラスなどでふれることにより文字入力を行うことができる。また、当該キーボードボタンを表示させず、指やスタイラスなどを用いて表示部６５２ａに直接文字や図をかくことで表示部６５２ａにその文字や図を表示させることができる。

　また、表示部６５２ｂには携帯情報端末６５０で行うことができる機能が表示されており、所望の機能を示すマーカーを指やスタイラスでふれることにより、携帯情報端末６５０は当該機能を実行する。例えば、マーカー６５９にふれることで電話としての機能を行うことができるようになり、スピーカー６５６およびマイクロフォン６５７を用いて通話することができる。

　携帯情報端末６５０はジャイロ、加速度センサなど傾きを検出する検出装置（図示せず）を内蔵している。そのため、筐体６５１を縦または横にすることで、表示部６５２ａおよび表示部６５２ｂにおいて縦表示または横表示などの表示方向を切り替えることができる。

　また、携帯情報端末６５０には光センサ６５４が設けられており、携帯情報端末６５０は、光センサ６５４で検出される外光の光量に応じて表示部６５２ａおよび表示部６５２ｂの輝度を最適に制御することができる。

　携帯情報端末６５０には電源６５８が設けられており、電源６５８は太陽電池６６０、および充放電制御回路６７０を有する。なお、図１７（Ｃ）では充放電制御回路６７０の一例としてバッテリー６７１、ＤＣＤＣコンバータ６７２、コンバータ６７３を有する構成について示しており、バッテリー６７１は、上記実施の形態で説明した蓄電装置を有している。

　また、携帯情報端末６５０はこの他に、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作または編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。

　携帯情報端末６５０に装着された太陽電池６６０によって、電力を表示部または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池６６０は、筐体６５１の片面又は両面に設けることができ、バッテリー６７１の充電を効率的に行う構成とすることができる。なおバッテリー６７１としては、本発明の一態様に係る蓄電装置を用いると、小型化を図ることができるなどの利点がある。

　また、図１７（Ｂ）に示す充放電制御回路６７０の構成、および動作について図１７（Ｃ）に示したブロック図を用いて説明する。図１７（Ｃ）には、太陽電池６６０、バッテリー６７１、ＤＣＤＣコンバータ６７２、コンバータ６７３、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部６５２について示しており、バッテリー６７１、ＤＣＤＣコンバータ６７２、コンバータ６７３、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図１７（Ｂ）に示す充放電制御回路６７０に対応する箇所となる。

　まず、外光により太陽電池６６０により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池６６０で発電した電力は、バッテリー６７１を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコンバータ６７２で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部６５２の動作に太陽電池６６０からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ６７３で表示部６５２に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部６５２での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー６７１の充電を行う構成とすればよい。

　なお、太陽電池６６０については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッテリー６７１の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。

　さらに、電気機器の一例である移動体の例について、図１８を用いて説明する。

　先の実施の形態で説明した蓄電装置を移動体のバッテリーに用いることができる。移動体のバッテリーは、プラグイン技術や非接触給電による外部からの電力供給により充電をすることができる。なお、移動体が鉄道用電気車両の場合、架線や導電軌条からの電力供給により充電をすることができる。

　図１８は、電気自動車の一例を示している。電気自動車６８０には、バッテリー６８１が搭載されている。バッテリー６８１の電力は、制御回路６８２により出力が調整されて、駆動装置６８３に供給される。制御回路６８２は、図示しないＲＯＭ、ＲＡＭ、ＣＰＵ等を有する処理装置６８４によって制御される。

　駆動装置６８３は、直流電動機若しくは交流電動機単体、または電動機と内燃機関と、を組み合わせて構成される。処理装置６８４は、電気自動車６８０の運転者の操作情報（加速、減速、停止など）や走行時の情報（上り坂や下り坂等の情報、駆動輪にかかる負荷情報など）の入力情報に基づき、制御回路６８２に制御信号を出力する。制御回路６８２は、処理装置６８４の制御信号により、バッテリー６８１から供給される電気エネルギーを調整して駆動装置６８３の出力を制御する。交流電動機を搭載している場合は、図示していないが、直流を交流に変換するインバータも内蔵される。

　バッテリー６８１は、プラグイン技術による外部からの電力供給により充電することができる。例えば、商用電源から電源プラグを通じてバッテリー６８１に充電する。充電は、ＡＣ／ＤＣコンバータ等の変換装置を介して、一定の電圧値を有する直流定電圧に変換して行うことができる。バッテリー６８１として、本発明の一態様に係る蓄電装置を搭載することで、電池の高容量化などに寄与することができ、利便性を向上させることができる。また、バッテリー６８１の特性の向上により、バッテリー６８１自体を小型軽量化することができれば、車両の軽量化に寄与するため、燃費を向上させることができる。

（本明細書等の記載に関する付記）
　以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。

　各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、構成例を適宜組み合わせることが可能である。

　なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことが出来る。

　なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

　なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。

　また本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立したブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわたって一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。

　また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。

　本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）という表記を用いる。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。

　また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。

　また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電圧（接地電圧）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖを意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配線等に与える電位を変化させる場合がある。

　なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

　本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。

　本明細書等において、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲートとが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとの間の距離をいう。

　本明細書等において、チャネル幅とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。

　本明細書等において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的に接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。

　１００：蓄電装置、１１０：電池管理回路、１１１：電圧モニタ回路、１１２：電流モニタ回路、１１３：演算装置、１１４：端子、１２０：組電池セル、１２１：電池セル

Claims

　電池セルの電池管理回路であって、
　電圧モニタ回路を有し、
　前記電圧モニタ回路は、マルチプレクサと、前記マルチプレクサを制御する信号を出力するバッファ回路と、を有し、
　前記マルチプレクサおよび前記バッファ回路は、ｎチャネル型トランジスタで構成され、
　前記ｎチャネル型トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体を有するトランジスタである、電池管理回路。
　請求項１において、
　前記マルチプレクサは、前記トランジスタをオフ状態とすることで前記電池セルの出力電圧を保持する機能を有する、電池管理回路。
　請求項１または請求項２において、
　前記電池管理回路は、
　カルマンフィルタを利用した演算処理を行う演算処理回路を有する、電池管理回路。
　直列接続された複数の電池セルと、電池管理回路と、を有し、
　前記電池管理回路は、前記電池セルのいずれか一における一対の電極間の電圧値を取得する機能を有する電圧モニタ回路を有し、
　前記電圧モニタ回路は、マルチプレクサと、前記マルチプレクサを制御する信号を出力するバッファ回路と、を有し、
　前記マルチプレクサおよび前記バッファ回路は、ｎチャネル型トランジスタで構成され、
　前記ｎチャネル型トランジスタは、チャネル形成領域が酸化物半導体を有するトランジスタである、蓄電装置。
　請求項４において、
　前記マルチプレクサは、前記トランジスタをオフ状態とすることで前記電池セルの出力電圧を保持する機能を有する、蓄電装置。
　請求項４または請求項５において、
　前記電池管理回路は、
　カルマンフィルタを利用した演算処理を行う演算処理回路を有する、蓄電装置。
　請求項４乃至６のいずれか一に記載の蓄電装置と、
　表示部と、を有する電気機器。