TWI845526B

TWI845526B - 在基板上沉積矽碳化物膜的方法

Info

Publication number: TWI845526B
Application number: TW108125985A
Authority: TW
Inventors: 馬修史考特韋默; 巴德里Ｎ凡拉德拉彥; 龔波; 桂喆
Original assignee: 美商蘭姆研究公司
Priority date: 2018-07-24
Filing date: 2019-07-23
Publication date: 2024-06-21

Abstract

可利用遠端電漿化學氣相沉積(CVD)技術以沉積經摻雜或未經摻雜之矽碳化物膜。將一或更多含矽前驅物提供至反應腔室。處於實質低能態或基態的自由基物種(例如氫自由基物種)係加以提供，並與該一或更多含矽前驅物進行交互作用而沉積矽碳化物膜。可使共反應物與該一或更多含矽前驅物一起流動，其中該共反應物可為用以增加矽碳化物膜之階梯覆蓋率的沉積添加劑或非沉積添加劑。

Description

在基板上沉積矽碳化物膜的方法

本文之實施例係關於使用異質前驅物交互作用的矽碳化物膜之保形沉積。

薄膜中的矽碳化物(SiC)類別具有獨特的物理、化學、及機械特性且係用於各種應用中，尤其係用於積體電路應用中。SiC薄膜的種類包含摻雜氧之矽碳化物(亦公知為矽之碳氧化物)、摻雜氮的矽碳化物(亦公知為矽之碳氮化物)、及摻雜氧與氮的矽碳化物(亦公知為矽之碳氮氧化物)、以及未經摻雜之矽碳化物。

此處所提供之先前技術說明係為了大體上介紹本發明之背景。在此先前技術章節中所敘述之範圍內之本案列名之發明人的成果、以及在申請時不適格作為先前技術之說明書的實施態樣，皆非有意地或暗示地被承認為對抗本發明之先前技術。

本文提供一種在基板上沉積矽碳化物膜的方法。該方法包含：提供一基板於反應腔室中；使一含矽前驅物流入該反應腔室中並朝向該基板流動；以及使一共反應物與該含矽前驅物一起流入該反應腔室中。該含矽前驅物(i)具有一或更多Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結、(ii)具有一或更多Si-C鍵結、Si-N鍵結、及/或Si-O鍵結、(iii)不具有C-O鍵結、並且(iv)不具有C-N鍵結。該共反應物為一烴分子。該方法更包含：在一遠端電漿源中由一氫源氣體產生氫之自由基，氫之該等自由基係在該含矽前驅物及該共反應物的上游產生；以及將氫之該等自由基導入該反應腔室中並導向該基板，其中氫之該等自由基係處於基態以與該含矽前驅物及該共反應物進行反應，從而在該基板上形成經摻雜或未經摻雜之矽碳化物膜，其中經摻雜或未經摻雜之該矽碳化物膜具有至少90%的保形性。

在某些實施例中，在鄰近該基板之環境中的所有或實質上所有的氫之該等自由基為處於基態的氫之自由基。在某些實施例中，經摻雜或未經摻雜之該矽碳化物膜為碳氧化矽(SiCO)、碳氮化矽(SiCN)、或氧碳氮化矽(SiOCN)的經摻雜之矽碳化物膜。在某些實施例中，該烴分子具有一或更多碳與碳之雙鍵或三鍵。該烴分子可包含丙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、戊二烯、己二烯、庚二烯、甲苯、苯、丙炔、丁炔、戊炔、或己炔。在某些實施例中，該含矽前驅物與該共反應物係同時沿著相同流動路徑而流入該反應腔室中。在某些實施例中，該含矽前驅物包含烷基碳矽烷、矽氧烷、或矽氮烷。

另一態樣包含一種在基板上沉積矽碳化物膜的方法。該方法包含：提供一基板於反應腔室中；使第一有機矽前驅物流入該反應腔室中；以及使第二有機矽前驅物流入該反應腔室中。該第一有機矽前驅物具有(i)一或更多 Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結、以及(ii)一或更多Si-C鍵結、Si-N鍵結、及/或Si-O鍵結，且該第二有機矽前驅物(i)不包含Si-H鍵結、並且(ii)不包含Si-Si鍵結。該方法更包含：在一遠端電漿源中由一氫源氣體產生氫之自由基，氫之該等自由基係在該第一有機矽前驅物及該第二有機矽前驅物的上游產生；以及將氫之該等自由基導入該反應腔室中並導向該基板，其中氫之該等自由基係處於基態以與該第一有機矽前驅物及該第二有機矽前驅物進行反應，從而在該基板上形成經摻雜或未經摻雜之矽碳化物膜。

在某些實施例中，所有或實質上所有的氫之該等自由基為處於基態的氫之自由基。在某些實施例中，經摻雜或未經摻雜之該矽碳化物膜為碳氧化矽(SiCO)、碳氮化矽(SiCN)、或氧碳氮化矽(SiOCN)的經摻雜之矽碳化物膜。在某些實施例中，該第二有機矽前驅物之流率為該第一有機矽前驅物之流率的至少兩倍。在某些實施例中，經摻雜或未經摻雜之該矽碳化物膜具有至少95%的保形性。在某些實施例中，該第二有機矽前驅物包含四甲基矽烷(4MS)。在某些實施例中，該第一有機矽前驅物與該第二有機矽前驅物係同時沿著相同流動路徑而流入該反應腔室中。

以下參照圖式而進一步說明該等及其他實施態樣。

100:基板

101:矽碳化物膜

110:基板

111:矽碳化物膜

112:特徵部

120:矽基板

121:矽碳化物間隔件/襯墊

122:源極

123:汲極

124:閘極介電質

125:閘電極

130:氣隙

131:襯墊

132:銅線

133:非保形介電層

140:孔隙

141:矽碳化物膜

142:多孔介電層

300:裝置

310:反應腔室

320:噴淋頭

330:基板

335:底座

340:控制器

350:容器

355:第一氣體入口

360:遠端電漿源

365:第二氣體入口

400:設備

402:遠端電漿源

404:反應腔室

406:多埠氣體分配器

408:化學氣相沉積區域

412:基板

414:底座

418:線圈

422:電漿產生器控制器

424:電漿區域

426:源氣體供應部

428:氣體供應部

434:複數氣體埠

438:鬆弛區域

440:前驅物供應源

442:氣體出口

448:出口

450:控制器

452:處理器系統

454:資料系統

圖1A顯示沉積在基板上之例示性經摻雜或未經摻雜之矽碳化物膜的橫剖面示意圖。

圖1B顯示保形沉積在基板之特徵部上之例示性經摻雜或未經摻雜之矽碳化物膜的橫剖面示意圖。

圖1C顯示電晶體之閘電極之側壁上的例示性經摻雜或未經摻雜之矽碳化物垂直結構的橫剖面示意圖。

圖1D顯示在氣隙式金屬化層中之銅線之裸露側壁上的例示性經摻雜或未經摻雜之矽碳化物垂直結構的橫剖面示意圖。

圖1E顯示多孔介電材料之例示性經摻雜或未經摻雜之矽碳化物孔隙封填物的橫剖面示意圖。

圖2顯示代表性的籠式矽氧烷前驅物之範例的化學結構。

依據某些實施例，圖3顯示具有遠端電漿源之例示性電漿處理設備的示意圖。

依據某些其他實施例，圖4顯示具有遠端電漿源之例示性電漿處理設備的示意圖。

圖5A顯示在沒有使用含碳非沉積添加劑之情況下沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。

圖5B顯示使用含碳非沉積添加劑之沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。

圖6A顯示在沒有使用含矽沉積添加劑之情況下沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。

圖6B顯示使用含矽沉積添加劑之沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。

在本揭示內容中，用語「半導體晶圓」、「晶圓」、「基板」、「晶圓基板」、及「部分加工之積體電路」係可互換地使用。該領域中具通常知識者將會理解：用語「部分加工之積體電路」可指涉在積體電路加工之許多階段之任一者期間的矽晶圓。用於半導體裝置產業中的晶圓或基板通常具有200mm、或300mm、或450mm的直徑。以下實施方式說明假設在晶圓上實施本揭示內容。然而，本揭示內容並非如此受限。工件可為各種外形、尺寸、及材料。除了半導體晶圓之外，可利用本揭示內容的其他工件包含各種物件，例如印刷電路板等。

前言

半導體裝置的製造通常涉及在積體製造製程中將一或更多薄膜沉積於基板上。在製造程序的某些態樣中，利用原子層沉積(ALD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)、或任何其他適合的沉積方法沉積各種類型的薄膜，如矽碳化物、矽之碳氧化物、矽之碳氮化物、及矽之碳氮氧化物。如本文所使用，用語矽碳化物包含未經摻雜或經摻雜的矽碳化物，如摻雜氧之矽碳化物(SiCO)、摻雜氮之矽碳化物(SiCN)、及摻雜氮與氧之矽碳化物(SiOCN)。對於許多情況而言，經摻雜之矽碳化物具有至多約50原子%的摻雜原子，無論該等原子為氧、氮、或其他元素之原子。摻雜程度提供期望的薄膜特性。

用以沉積矽碳化物之前驅物分子可包含具有矽-氫(Si-H)及/或矽-矽(Si-Si)鍵結以及矽-碳(Si-C)鍵結的含矽分子。用以沉積矽之碳氧化物之前驅物分子包含具有矽-氫(Si-H)鍵結及/或矽-矽(Si-Si)鍵結、及矽-氧(Si-O)鍵結及/或矽-碳(Si-C)鍵結的含矽分子。用以沉積矽之碳氮化物的前驅物分子包含具有矽-氫(Si-H)鍵結及/或矽-矽(Si-Si)鍵結、及矽-氮(Si-N)鍵結及/或矽-碳(Si-C)鍵結的含矽分子。用以沉積矽之碳氮氧化物之前驅物分子包含具有矽-氫(Si-H)鍵結及/或矽-矽(Si-Si)鍵結、及矽-氮(Si-N)鍵結、矽-氧(Si-O)鍵結及/或矽-碳(Si-C)鍵結的含矽分子。目前的PECVD製程可使用原位電漿處理，在原位電漿處理中直接在基板鄰近提供電漿。

吾人已發現，沉積高品質的矽碳化物薄膜可能會有某些挑戰，如提供具有優異階梯覆蓋能力、低介電常數、高崩潰電壓、低漏電流、高孔隙度、及/或覆蓋裸露金屬表面而不會氧化金屬表面的薄膜。

雖然本發明不受任何特定理論所限制，但一般相信，典型PECVD製程中的電漿條件會以產生非期望影響的方式使含矽前驅物分子片段化。例如，PECVD可能會打斷前驅物分子中的Si-O及/或Si-C鍵而產生高度反應性的自由基或具有高黏滯係數的其他片段類型。所得之經摻雜之矽碳化物膜的片段可能包含具有「懸鍵」的矽、碳、及/或氧原子，意指矽、碳、及/或氧原子具有反應性之未成對的價電子。由於反應性前驅物片段可不成比例地黏附至凹陷特徵部中之側壁與其他結構的上部區域，因此前驅物分子及其片段的高黏滯係數可能沉積具有不良階梯覆蓋的矽碳化物膜。

懸鍵可能在經沉積之矽之碳氧化物或矽之碳氮氧化物薄膜中產生矽醇基團(Si-OH)。因此，薄膜可能具有不利的高介電常數。由於直接電漿條件傾向於自沉積薄膜擷取出碳，因此亦可能不利地影響薄膜品質。

再者，懸鍵可在所沉積之矽碳化物膜中產生較多的矽-氫鍵結(Si-H)。在直接電漿沉積條件中Si-C的斷鍵可被Si-H所取代。矽碳化物膜中Si- H鍵結的存在可能產生具有不良電特性的薄膜。例如，由於Si-H鍵結提供電子的滲漏路徑，因此Si-H鍵結的存在可能減低崩潰電壓並可能增加漏電流。

此外，懸鍵可能導致矽碳化物膜中不受控制的化學或形態結構。在某些情況下，此類結構為具有低孔隙度或無孔隙度的緻密片段，使得薄膜具有不被接受的高介電常數。缺乏孔隙度可能係肇因於直接電漿條件打斷環矽氧烷中之Si-C及/或Si-O鍵，若非如此可在超低介電常數介電材料中提供孔隙度。

由於打斷前驅物分子的能量可為在表面處產生大量離子轟擊的低頻能量，因此在PECVD中有時使用的直接電漿條件可能導致沉積的方向性。方向性沉積亦可能導致沉積具有不良階梯覆蓋的矽碳化物膜。直接電漿為在沉積期間駐留於基板表面附近(有時僅與基板表面隔著電漿鞘)的電漿(適當濃度的電子及正離子)。

典型的PECVD製程有時不適合在暴露的銅或其他金屬表面上方沉積矽碳化物膜，因為此等製程可能使金屬氧化。PECVD製程可能使用氧化劑如氧(O₂)、臭氧(O₃)、二氧化碳(CO₂)、或其他氧化物種以形成矽之碳氧化物薄膜。

沉積期間基板表面處之環境

圖1A顯示沉積於基板上之例示性矽碳化物膜的橫剖面。可在鄰近基板100處產生相對溫和環境的製程條件下形成矽碳化物膜101。基板100可為任何晶圓、半導體晶圓、部分加工之積體電路、印刷電路板、顯示螢幕、或其他適合的工作件。用以沉積矽碳化物膜101之處理可涉及一或更多含矽前驅物，其具有一或更多Si-H鍵結及/或一或更多Si-Si鍵結、以及其他鍵結如Si-C鍵結、Si-O鍵結、及/或Si-N鍵結，其取決於待產生之經摻雜結構類型，。

圖1B-1E中繪示使用矽碳化物膜的某些應用。在某些實施例中，含矽前驅物可包含含矽-氧前驅物、含矽-氮前驅物、及/或含矽-碳前驅物。含矽-氧前驅物可包含一或更多Si-O鍵結、含矽-氮前驅物可包含一或更多Si-N鍵結、含矽-碳前驅物可包含一或更多Si-C鍵結。在某些實施例中，例如，含矽前驅物可包含具有Si-O與Si-C鍵結、或Si-N與Si-C鍵結的單一反應物A。在某些實施例中，含矽前驅物可包含具有Si-O鍵結、或Si-N鍵結的反應物B及具有Si-C鍵結的反應物C。應理解，可在本發明的範疇中使用任何數目之適當反應物。例示性含矽前驅物之化學結構係在下文中進一步詳細討論。

含矽前驅物包含一或更多Si-H鍵結及/或一或更多Si-Si鍵結。然而，應理解，另外的含矽前驅物可不必包含Si-H或Si-Si鍵結。該等另外的含矽前驅物可與具有一或更多Si-H及/或Si-Si鍵結的含矽前驅物同時提供。在沉積製程期間，Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結被打斷並作為用於在所沉積之矽碳化物膜101中於含矽前驅物之間形成鍵結之反應部位。被打斷的鍵結亦可用作在沉積期間或之後所進行之熱處理期間交聯用之部位。在反應部位處的鍵結及交聯可共同形成所得之矽碳化物膜101中的主要骨幹或基質。

在某些實施例中，製程條件可保留或實質上保留矽碳化物膜101之沉積膜層中的Si-C鍵結及若存在的Si-O與Si-N鍵結。因此，與基板100相鄰的反應條件提供Si-H及/或Si-Si鍵結之選擇性斷鍵，例如自經打斷的Si-H鍵結擷取氫，但反應條件不會自Si-O鍵結擷取氧、自Si-N鍵結擷取氮、或自Si-C鍵結擷取碳。然而，導入共反應物(例如氧)可自Si-C鍵結擷取碳。應理解，可能在鄰近基板表面之環境下發生其他反應機制，包括動力學上較不利的反應機制，如取代反應。一般而言，所述之反應條件存在於基板100的暴露面處(矽碳化物膜101之沉積面)。其更可存在於基板100上方的某距離處，例如基板100上方約0.5微米至約150毫米處。事實上，前驅物之活化可於基板100上方一實質距離處以氣相發生。通常，相關的反應條件在基板100之整個暴露面上方係均勻或實質上均勻的，但某些應用可允許某種程度的變異。

除了含矽前驅物之外，鄰近工作件(如基板100)之環境可包含一或更多自由基物種，較佳為處於實質低能態的自由基物種。此等物種的一範例包含氫自由基(亦即，氫原子自由基)。在某些實施例中，所有、或實質上所有、或實質部分的氫原子自由基可處於基態，例如鄰近工作件之至少約90%或95%的氫原子自由基係處於基態。在某些實施例中，源氣體係於載氣(例如氦)中提供。例如，氫氣可於氦載氣中以約1-10%之氫濃度提供。選擇載氣(例如氦)的壓力、分率及其他製程條件俾使氫原子以處於低能態之自由基的形式與基板100相遇而不重新結合。

如他處所說明，可將氫氣供應至遠端電漿源中而產生氫原子自由基。可將遠端電漿源定位於基板表面及鄰近基板表面之環境的上游。氫原子自由基一旦產生後，即可處於激發能態。例如，處於激發能態的氫可具有至少10.2eV的能量(第一激發態)。經激發的氫原子自由基可能造成含矽前驅物之非選擇性的分解。例如，處於激發態的氫原子自由基可輕易地打斷Si-H、Si-Si、Si-N、Si-O、及Si-C鍵結，其可能改變矽碳化物膜101的組成、或物理或電特性。在某些實施例中，當經激發的氫原子自由基失去其能量或鬆弛，經激發的氫原子自由基可變成實質低能態的氫原子自由基或基態的氫原子自由基。處於實質低能態或基態的氫原子自由基可選擇性地打斷Si-H與Si-Si鍵結並同時大致上保留Si-O、Si-N、及Si-C鍵結。在某些實施例中，可提供製程條件俾使經激發的氫原子自由基失去能量或鬆弛而形成實質低能態或基態的氫原子自由基。例如，可設計遠端電漿源或相關元件俾使自遠端電漿源擴散至基板100的滯留時間大於經激發的氫原子自由基的能量鬆弛時間。經激發的氫原子自由基的能量鬆弛時間可約等於或少於約1x10^-3秒。

可藉由各種技術來實現處於基態的實質部分之氫原子自由基。設計某些設備(如下述之設備)以達到此狀態。可測試與調諧設備特徵與製程控制特徵以產生一溫和狀態，在該溫和狀態中實質部分之氫原子自由基係處於基態的。例如，可針對電漿源的下游(亦即，靠近基板100處)的帶電粒子操作與測試設備。可調諧製程與設備直到實質上無帶電物種存在於基板100附近。此外，可將設備與製程特徵調諧至開始自標準含矽前驅物形成矽碳化物膜101的一配置。選擇支持此等薄膜沉積的相對溫和條件。

自由基物種的其他範例包含含氧物種如元素氧自由基(原子或雙原子)、含氮物種(例如元素氮自由基)(原子或雙原子)、及含N-H之自由基(例如氨自由基)，其中氮係選用性地含入薄膜中。含N-H之自由基的範例包含(但不限於)甲胺、二甲胺、苯胺的自由基。上述之自由基物種可自包含氫、氮、含N-H物種、或其混合物的源氣體所產生。在某些實施例中，所沉積之薄膜之實質上所有或實質部分之原子係由前驅物分子所提供。在此等情況下，用以驅動沉積反應之低能自由基可為氫一者或不會實質上對所沉積之膜層之質量有貢獻的其他物種。在某些實施例中，如下文中所更詳細討論，可藉由遠端電漿源產生自由基物種。在某些實施例中，更高能態的一些自由基或離子可潛在地存在於晶圓平面附近。

在某些實施例中，製程條件使用處於足以打斷Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結並同時實質上保留Si-O、Si-N、及Si-C鍵結之實質低能態的自由基物種。此等製程條件可能不具有顯著數量之處於高能態(例如高於基態之能態)的離子、電子、或自由基物種。在某些實施例中，在與薄膜相鄰之區域中的離子濃度係不大於約10⁷/cm³。顯著數量之離子或高能自由基的存在傾向於打斷Si-O、Si-N、及Si-C鍵結，其可能產生具有非所欲之電特性(例如高介電常數及/或低崩潰電壓)及不良保形性的薄膜。一般相信，過度反應性之環境產生具有高黏滯係數(代表以化學或物理方式黏附至工作件側壁的傾向)的反應性前驅物片段，其導致不良的保形性。

含矽前驅物通常利用其他物種(尤其是載氣)輸送至鄰近基板100之環境中。在某些實施例中，含矽前驅物係與自由基物種及其他物種(包含其他反應性物種及/或載氣)一起存在。在某些實施例中，含矽前驅物可以混合物的形式導入。在沉積反應表面的上游，含矽前驅物可與惰性載氣混合。例示性的惰性載氣包含(但不限於)氬(Ar)及氦(He)。此外，可以具有主要與次要物種的混合物將含矽前驅物導入，其中次要物種包含以相對低濃度存在於矽碳化物膜101中的某些元素或結構特徵(如環形結構、籠形結構、不飽和鍵結等)。然而，應理解，次要物種可能不會顯著地影響矽碳化物膜101之組成及結構特徵。多種前驅物可以等莫耳的方式存在、或以適合在所得之矽碳化物膜101中形成主要骨幹或基質的相對類似比例存在。在其他實施例中，不同前驅物的相對量係實質上偏離等體積莫耳濃度。

在某些實施例中，一或更多含矽前驅物提供了矽碳化物膜101之實質所有質量，僅有來自遠端電漿之少量的氫或其他元素提供薄膜質量之少於約5原子%或少於約2原子%。在某些實施例中，僅有自由基物種及該一或多種含矽前驅物對所沉積之矽碳化物膜101的組成有貢獻。在其他實施例中，沉積反應包含非一或更多含矽前驅物和自由基物種的共反應物，其可能會或不會對所沉積之矽碳化物膜101的組成有貢獻。此類共反應物的範例包含二氧化碳(CO₂)、一氧化碳(CO)、水(H₂O)、甲醇(CH₃OH)、氧(O₂)、臭氧(O₃)、氮(N₂)、一氧化二氮(N₂O)、氨(NH₃)、二氮烯(N₂H₂)、甲烷(CH₄)、乙烷(C₂H₆)、乙炔(C₂H₂)、乙烯(C₂H₄)、二硼烷(B₂H₆)、及其組合。此類材料可用以作為氮化劑、氧化劑、反應物等。在某些情況下，藉由移除或加入含矽前驅物所提供之部分碳，其可用以調諧沉積薄膜中的碳量。在使用非氫之共反應物的某些實施例中，共反應物係藉由與含矽前驅物相同的流動路徑而被導入反應腔室中；例如包含氣體出口或噴淋頭且通常不直接暴露於電漿的路徑。在某些實施例中，在沉積期間使氧及/或二氧化碳與前驅物一起導入，以藉由自薄膜或前驅物移除碳而改變矽碳化物膜101的組成。在使用非氫之共反應物的某些實施例中，共反應物係藉由與氫相同的流動路徑而被導入反應室中，因此至少部分共反應物被轉化為自由基及/或離子。在此等實施例中，氫自由基與共反應物自由基兩者皆與(複數)含矽前驅物反應而產生沉積的矽碳化物膜101。

在使用共反應物且其係與會被轉變為自由基之物種(例如氫)一起導入反應腔室的某些實施例中，相對於反應腔室中的其他氣體(包含自由基之來源(例如氫)及任何(複數)載氣(例如氦))，以相對少量將共反應物提供至反應腔室中。例如，共反應物可以約0.05質量%或更少、0.01質量%或更少、或0.001質量 %或更少的比例存在於製程氣體中。例如，反應物混合物(進入電漿源中者)可為每分鐘約10-20升(L/m)之He、每分鐘約200-500標準立方公分(sccm)之H₂、及約1-10sccm之氧。然而，應理解，在某些實施例中，共反應物可以約0.05質量%或更多、或1質量%或更多、或20質量%或更多的比例存在於製程氣體中。當共反應物與含矽前驅物一起被導入反應腔室(例如經由氣體出口或噴淋頭)時，其可以較高的濃度存在；例如約2質量%或更少、或約0.1質量%或更少。當共反應物為相對弱之反應物(例如諸如二氧化碳之弱氧化劑)時，其可以甚至更高的濃度(如約10質量%或更少、或約4質量%或更少)存在。當共反應物為添加劑時，其可以甚至更高的濃度(如約10質量%或更多、或約20質量%或更多)存在。

在鄰近基板100之環境中的溫度可為促進沉積反應的任何合適溫度，但有時其受到包含矽碳化物膜101之裝置之應用的限制。在某些實施例中，在沉積矽碳化物膜101期間在鄰近基板100之環境中的溫度大多可藉由支撐基板100於其上之底座的溫度所控制。在某些實施例中，操作溫度可介於約50℃至約500℃之間。例如，在許多的積體電路應用中操作溫度可介於約250℃至約400℃之間。在某些實施例中，增加溫度可能導致基板表面上的交聯增加。

在鄰近基板100之環境中的壓力可為用以在反應腔室中產生反應性自由基的任何合適壓力。在某些實施例中，壓力可約為35Torr或更低。例如，在使用微波生成之電漿的實施例中，壓力可介於約10Torr至約20Torr之間。在其他範例中，例如在使用射頻(RF)生成之電漿的實施例中，壓力可低於約5Torr或介於約0.2Torr至約5Torr之間。

鄰近基板100之環境促成透過遠端電漿CVD在基板100上沉積矽碳化物膜101。將源氣體供應至遠端電漿源，並提供功率至遠端電漿源，功率可使源氣體解離並產生處於激發能態的離子及自由基。在激發之後，處於激發能態的自由基鬆弛為實質低能態之自由基或基態之自由基，例如基態之氫自由基。可藉由處於鬆弛能態之氫自由基以選擇性地打斷含矽前驅物中之鍵結。可藉由處於鬆弛能態之氫自由基以選擇性地打斷共反應物或另外的前驅物中之鍵結，俾活化共反應物或另外的前驅物。

矽碳化物膜經常被使用於半導體裝置中。例如，經摻雜或未經摻雜的矽碳化物膜可用作金屬擴散阻障層、蝕刻停止層、硬遮罩層、針對源極與汲極佈植之閘極間隔件、磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)或電阻式隨機存取記憶體(RRAM)之包覆障壁、及在氣隙處的氣密擴散阻障層等。圖1B-1E顯示在各種應用中包含矽碳化物膜之結構的橫剖面。圖1B顯示保形地沉積於基板之特徵部上的矽碳化物垂直薄膜。圖1C顯示電晶體之閘電極結構之側壁上的矽碳化物垂直結構。圖1D顯示在氣隙式金屬化層中之銅線之裸露側壁上的矽碳化物垂直結構。圖1E顯示多孔介電材料之矽碳化物孔隙封填物。該等應用之各者係在下文中更詳細地討論。

前驅物之化學結構

如所討論的，在形成矽碳化物膜時所使用之前驅物可包含含矽前驅物，其中至少一些含矽前驅物具有至少一Si-H及/或至少一Si-Si鍵結。在某些實施例中，含矽前驅物在每個矽原子上具多具有一氫原子。因此，例如，具有一矽原子的前驅物具有至多一氫原子鍵結至該矽原子；具有兩個矽原子的前驅物具有一氫原子鍵結至一矽原子並選用性地具有另一氫原子鍵結至第二矽原子；具有三個矽原子的前驅物具有一氫原子鍵結至一矽原子並選用性地具有一或兩個氫原子鍵結至剩餘之矽原子的一或兩者；以此類推。此外，含矽前驅物可包含至少一Si-O鍵結、至少一Si-N鍵結、及/或至少一Si-C鍵結。雖然在形成矽碳化物膜時可使用任何數目之適合前驅物，但至少部分前驅物將包含具有下列各者的含矽前驅物：至少一Si-H鍵結或Si-Si鍵結、及選用性的至少一Si-O鍵結、Si-N鍵結、及/或Si-C鍵結。在各種實施例中，(複數)含矽前驅物不包含O-C或N-C鍵結；例如(複數)前驅物不包含烷氧基(-O-R)，其中R為一有機基團(例如烴基團)、或胺(-NR₁R₂)基團，其中R₁與R₂彼此獨立地為氫或有機基團。一般相信，此等基團可使其所駐留之前驅物或片段具有高黏滯係數。

在某些實施例中，在矽碳化物膜中所提供之碳之一部份可來自於含矽前驅物上的一或更多烴官能部分。此等官能部分可來自於烷基團、烯基團、炔基團、芳基團等。在某些實施例中，烴基團具有單一的碳原子以最小化在沉積期間打斷反應之Si-H及/或Si-Si鍵結的空間阻礙。然而，前驅物並不限於單碳基團；可使用較高數目之碳原子，例如2、3、4、5、或6個碳原子。在某些實施例中，烴基團為線性的。在某些實施例中，烴基團為環形的。

在某些實施例中，在矽碳化物膜中所提供之碳之一部份可來自於含矽前驅物中的一或更多烴分子。此等烴分子可包含碳-碳鏈，其中可使用若干碳原子，例如2、3、4、5、6、或7個碳原子。在某些實施例中，烴分子包含一或更多碳雙鍵及/或碳三鍵。

在某些實施例中，含矽前驅物落入一化學類別中。應理解，可使用其他化學類別之含矽前驅物且含矽前驅物並不限於下文中所討論的化學類別。

在某些實施例中，含矽前驅物可為矽氧烷。在某些實施例中，矽氧烷可為環形的。環矽氧烷可包含環四矽氧烷，例如2,4,6,8-四甲基環四矽氧烷(TMCTS)、十甲基環四矽氧烷(OMCTS)、及七甲基環四矽氧烷(HMCTS)。其他環矽氧烷亦可包含(但不限於)環三矽氧烷與環五矽氧烷。使用環矽氧烷的實施例為環形結構，其可將孔隙度導入矽碳化物膜且孔隙的尺寸係對應於環的半徑。例如，環四矽氧烷之環可具有約6.7Å之半徑。

在某些實施例中，矽氧烷可具有三維或籠形結構。圖2顯示代表籠形矽氧烷前驅物的範例。籠形矽氧烷具有藉由氧原子彼此橋接而形成多面體或任何3-D結構的矽原子。籠形矽氧烷前驅物分子的範例為倍半矽氧烷。籠形矽氧烷結構係更詳細地記載於Cleemput等人之共有的美國專利第6,576,345號中，在此將其所有內容引入作為所有目的之參考。類似於環矽氧烷，籠形矽氧烷可在矽碳化物膜中導入孔隙度。在某些實施例中，孔隙度的尺度為中孔。

在某些實施例中，矽氧烷可為線性的。合適之線性矽氧烷的範例包含(但不限於)二矽氧烷(例如五甲基二矽氧烷(PMDSO)與四甲基二矽氧烷(TMDSO))、及三矽氧烷(例如六甲基三矽氧烷、七甲基三矽氧烷)。

在某些實施例中，含矽前驅物可為烷基矽烷或其他烴取代的矽烷。烷基矽烷包含中央矽原子、以及鍵結至中央矽原子的一或更多烷基團與鍵結至中央矽原子的一或更多氫原子。在某些實施例中，烷基團中的任一或多者包含1-5個碳原子。烴基團可為飽和或未飽和的(例如烯(如乙烯)、炔、及芳香基團)。範例包含(但不限於)三甲基矽烷(3MS)、三乙基矽烷、五甲基二矽甲烷((CH₃)₂Si-CH₂-Si(CH₃)₃)、及二甲基矽烷(2MS)。

在某些實施例中，含矽前驅物可為烷氧基矽烷。然而，在某些實施例中，應理解，含矽前驅物並非烷氧基矽烷，以避免烷氧基團的存在。烷氧基矽烷包含中央矽原子、及鍵結至中央矽原子之一或更多烷氧基團與鍵結至中央矽原子的一或更多氫原子。範例包含(但不限於)三甲氧基矽烷(TMOS)、二甲氧基矽烷(DMOS)、甲氧基矽烷(MOS)、甲基二甲氧基矽烷(MDMOS)、二乙氧基甲基矽烷(DEMS)、二甲基乙氧基矽烷(DMES)、及二甲基甲氧基矽烷(DMMOS)。

可使用二矽烷、三矽烷、或其他較高矽烷以取代單矽烷。來自烷基矽烷類別之此類二矽烷的範例為六甲基二矽烷(HMDS)。來自烷基矽烷類別之此類二矽烷的另一範例可包含五甲基二矽烷(PMDS)。其他類型的烷基矽烷可包含烷基碳矽烷，其可具有分支聚合結構、及鍵結至矽原子之碳與鍵結至矽原子之烷基團。範例包含二甲基三甲基矽基甲烷(DTMSM)與二-二甲基矽基乙烷(BDMSE)。在某些實施例中，複數矽原子中之一者可具有與其附接的含碳或含烴基團，而該複數矽原子中的一者可具有與其附接的氫原子。

在某些實施例中，含矽前驅物可為含氮化合物，例如矽-氮氫化物(例如，矽氮烷)。一般而言，此等化合物包含碳，但碳僅與矽原子鍵結，而不與氮原子鍵結。在某些實施例中，含氮化合物不具有任何的碳-氮鍵。在某些實施例中，含氮化合物不具有任何的胺官能基(-C-NR₁R₂)，其中R₁及R₂係諸如氫原子及烴基團(例如，烷基基團、烯基基團、或炔基基團)之相同或不同基團。適當之矽-氮前驅物的範例包括各種矽氮烷，例如包含下者的環形或線形矽氮烷：與一或更多矽原子鍵結的一或更多烴官能基、以及與一或更多矽原子鍵結的一或更多氫原子。矽氮烷的範例包括甲基取代二矽氮烷、及三矽氮烷，例如四甲基二矽氮烷及六甲基三矽氮烷。

在沉積矽碳化物時，在製程氣體中可存在複數含矽前驅物。例如，可一起使用矽氧烷與烷基矽烷、或可一起使用矽氧烷與烷氧基矽烷。可基於所選之前驅物的化學結構及所得之矽碳化物膜的應用而選擇個別前驅物的相對比例。例如，矽氧烷的莫耳百分比量可大於矽烷之莫耳百分比量，以產生如下所更詳細討論的多孔薄膜。

針對摻雜氧的矽碳化物膜之沉積，合適之前驅物的範例可包含環矽氧烷，例如環四矽氧烷(如七甲基環四矽氧烷(HMCTS)與四甲基環四矽氧烷)。其他環矽氧烷亦可包含(但不限於)環三矽氧烷與環五矽氧烷。針對摻雜氧的矽碳化物膜之沉積，合適之前驅物的其他範例包含線性矽氧烷，例如(但不限於)二矽氧烷，如五甲基二矽氧烷(PMDSO)、四甲基二矽氧烷(TMDSO)、六甲基三矽氧烷、及七甲基三矽氧烷。

針對未經摻雜之矽碳化物膜之沉積，合適之前驅物的範例可包含經一或更多的含有例如1-5個碳原子的烷、烯、及/或炔基團取代的單矽烷。範例包含(但不限於)三甲基矽烷(3MS)、二甲基矽烷(2MS)、三乙基矽烷(TES)、及五甲基二矽甲烷。此外，可使用二矽烷、三矽烷、或其他較高矽烷以取代單矽烷。二矽烷之範例包含六甲基二矽烷(HMDS)及五甲基二矽烷(PMDS)。烷基矽烷的其他類型可包含烷基碳矽烷。範例包含二甲基三甲基矽基甲烷(DTMSM)與二-二甲基矽基乙烷(BDMSE)。

針對摻雜氮的矽碳化物膜之沉積，合適之前驅物的範例可包含矽氮烷例如烷基二矽氮烷、及包含分別鍵結至一或更多矽原子之胺基(-NH2)及烷基團的可能化合物。烷基二矽氮烷包含矽氮烷及鍵結至兩個矽原子的烷基團。一範例包含1,1,3,3-四甲基二矽氮烷(TMDSN)。

如所說明的，選擇含矽前驅物以提供高度保形的矽碳化物膜。一般相信，具有低黏滯係數的含矽前驅物能夠產生高度保形的薄膜。「黏滯係數」一詞係用以描述相同時間期間內吸附/黏附於表面之吸附物種(如片段或分子)的數目對撞擊在表面上之物種總數的比值。符號Sc有時用以指涉黏滯係數。Sc的數值係介於0(意指無物種黏附)與1(意指所有撞擊的的物種皆黏附)之間。影響黏滯係數的各種因素包含撞擊物種的類別、表面溫度、表面階梯覆蓋、表面的結構細節、及撞擊物種的動能。某些物種在本質上比其他物種更「具黏滯性」，使其在每次撞擊至表面上時更容易吸附於表面上。該等更具黏滯性的物種具有較大的黏滯係數(當其他因素相同時)，且相較於具有較低黏滯係數的低黏滯性物種，具有較大黏滯係數的物種更容易吸附於凹陷特徵部的入口附近。在某些情況下，前驅物的黏滯係數(在相關沉積條件下)可約為0.05或更小，例如約0.001或更小。

設備

本發明之一態樣為一種配置以完成本文所述方法的設備。合適的設備包含用以完成製程操作的硬體、及具有用以依據本發明而控制製程操作之指令的系統控制器。在某些實施例中，用以進行上述製程操作的設備包含遠端電漿源。相較於直接電漿，遠端電漿源提供溫和的反應條件。合適的遠端電漿設備的範例係記載於2013年10月24日申請之美國專利申請案第14/062,648號中，在此將其所有內容引入作為所有目的之參考。

圖3為依據某些實施例之遠端電漿設備的示意圖。裝置300包含具有噴淋頭320的反應腔室310。在反應腔室310中，基板330係座落在一座臺或底座335上。在某些實施例中，底座335可設有加熱/冷卻元件。控制器340可連接至裝置300的複數元件以控制裝置300的操作。例如，控制器340可包含用以控制裝置300之操作之製程條件的指令，製程條件例如是溫度製程條件及/或壓力製程條件。在某些實施例中，控制器340可包含用以控制前驅物氣體、共反應物氣體、源氣體、及載氣之流率的指令。控制器340可包含用以隨著時間改變共反應物氣體之流率的指令。附加地或替代性地，控制器340可包含用以隨著時間改變前驅物氣體之流率的指令。更為詳盡的控制器340之說明係在下文中提供。

在操作期間，藉由耦合至反應腔室310的一或更多氣體入口而將氣體或氣體混合物導入至反應腔室310中。在某些實施例中，二或更多氣體入口係耦合至反應腔室310。第一氣體入口355可耦合至反應腔室310並連接至一容器350，且第二氣體入口365可耦合至反應腔室310並連接至遠端電漿源360。在包含遠端電漿源配置的實施例中，用以輸送前驅物與在遠端電漿源中所產生之自由基物種的輸送線係彼此分離。因此，在到達基板330之前前驅物與自由基物種實質上不會彼此作用。應理解，在某些實施例中，可使氣體管線顛倒，使得容器350可經由第二氣體入口365而提供前驅物氣體流，而遠端電漿源360可經由第一氣體入口355而提供離子及自由基。

一或更多自由基物種可在遠端電漿源360中生成並且係配置以經由第二氣體入口365而進入反應腔室310。在遠端電漿源360中可使用任何類型的電漿源以產生自由基物種。此包含(但不限於)電容耦合電漿、感應耦合電漿、微波電漿、DC電漿、電射生成之電漿。電容耦合電漿的範例可為射頻(RF)電漿。高頻電漿可配置以操作於13.56MHz或更高的頻率。此類遠端電漿源360的一範例可為加州費利蒙之科林研發公司所製造的GAMMA®。此類遠端電漿源360的另一範例可為麻州威爾明頓之MKS儀器所製造的Astron®，其可在440kHz下操作且可被提供為閂鎖在用以平行處理一或更多基板之大型設備上的一子單元。在某些實施例中，微波電漿可用作遠端電漿源360，如在亦為MKS儀器所製造的Astex®。微波電漿可用以在2.45GHz的頻率下操作。被提供至遠端電漿源之氣體可包含氫、氮、氧、及本文他處所提及的其他氣體。在某些實施例中，在載氣(例如氦)中提供氫。例如，可在氦載氣中提供約1-10%的氫濃度之氫氣。

前驅物可被提供於容器350中且可經由第一氣體入口355而供至噴淋頭320。噴淋頭320將前驅物分配至反應腔室310中朝向基板330分配。基板330可位於噴淋頭320下方。應理解，噴淋頭320可具有任何適當的形狀，且可具有任何數目與配置之用以將氣體分配至基板330的接口。前驅物可被供至噴淋頭320，並最終以受控之流率被供至基板330。

在遠端電漿源360中所形成的一或更多自由基物種可以氣相朝向基板330載送。一或更多自由基物種可流經第二氣體入口365而流至反應腔室310中。應理解，第二氣體入口365不需如圖3所示地橫跨基板330的表面。在某些實施例中，第二氣體入口365可位於基板330正上方或位於其他位置處。可配置遠端電漿源360與反應腔室310之間的距離以提供溫和的反應條件，俾使在遠端電漿源360中所產生之離子化物種被實質上中和，但至少部分處於實質低能態的自由基物種留在鄰近基板330之環境中。此等低能態之自由基物種不會重新結合而形成穩定的化合物。遠端電漿源360與反應腔室310之間的距離可為下列各者之函數：電漿的侵略性(例如部分由源RF功率位準所決定)、電漿中之氣體的密度(例如，若有高濃度的氫原子，則其大部分在到達反應腔室310之前可重新結合而形成H₂)、及其他因素。在某些實施例中，遠端電漿源360與反應腔室310之間的距離可介於約1cm至30cm之間，例如約5cm或約15cm。

在某些實施例中，在沉積反應期間導入非為主要含矽前驅物或氫自由基的共反應物。在某些實施例中，設備係配置以經由第二氣體入口365而導入共反應物，其中共反應物至少部分被轉化為電漿。在某些實施例中，設備係經由第一氣體入口355通過噴淋頭320而導入共反應物。共反應物的範例包含氧、氮、氨、二氧化碳、一氧化碳等。共反應物的流率可隨著時間而變化，以在漸變的薄膜中產生組成梯度。

依據某些其他實施例，圖4顯示具有遠端電漿源之例示性電漿處理設備的示意圖。電漿處理設備400包含與反應腔室404分離的遠端電漿源402。遠端電漿源402係經由多埠氣體分配器406而與反應腔室404流體耦合，多埠氣體分配器406亦可被稱為噴淋頭。自由基物種係產生於遠端電漿源402中並被供應至反應腔室404。將一或更多含矽前驅物供應至遠端電漿源402及多埠氣體分配器406之下游的反應腔室404。該一或更多含矽前驅物與自由基物種在反應腔室404之化學氣相沉積區域408中進行反應，以在基板412之表面上沉積矽碳化物膜。化學氣相沉積區域408包含鄰近基板412之表面的環境。

基板412被支撐在基板支座或底座414上。底座414可在反應腔室404內移動，以將基板412定位於化學氣相沉積區域408內。在圖4所示之實施例中，底座414係顯示為已將基板412升高於化學氣相沉積區域408內。在某些實施例中，底座414亦可調整基板412之溫度，底座414可提供對基板412上之熱活化表面反應的某些選擇性控制。

圖4顯示設置於遠端電漿源402周圍的線圈418，其中遠端電漿源402包含一外壁(例如石英圓頂)。線圈418係電耦合至電漿產生器控制器422，其可用以透過感應耦合電漿生成而在電漿區域424內形成並維持電漿。在某些實施例中，電漿產生器控制器422可包含供應功率至線圈418的電源，其中在電漿產生期間功率可在約1至6千瓦(kW)的範圍內。在某些實施例中，用於平行板或電容耦合電漿生成的電極或天線可用以透過電漿激發而產生自由基之連續供應，而非使用感應耦合電漿生成。無論用於在電漿區域424內引燃和維持電漿的機制為何，可在薄膜沉積期間利用電漿激發而連續地產生自由基物種。在某些實施例中，在穩態薄膜沉積期間於近似穩態條件下產生氫自由基，但在薄膜沉積開始及結束時可能存在暫態。

當氫氣或其他源氣體被供應至遠端電漿源402時，可在電漿區域424內連續地產生氫自由基之供應。可在遠端電漿源402中產生經激發之氫自由基。若未重新激發或重新供應能量或與其他自由基重新結合，則經激發之氫自由基失去其能量或鬆弛。因此，經激發之氫自由基可鬆弛而形成處於實質低能態或基態的氫自由基。

可使用一或更多額外氣體將氫氣或其他源氣體稀釋。該等一或更多額外氣體可被供應至遠端電漿源402。在某些實施例中，使氫氣或其他源氣體與一或更多額外氣體進行混合而形成氣體混合物，其中該一或更多額外氣體可包含載氣。額外氣體之非限制性範例可包含氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、及氮(N₂)。該一或更多額外氣體可支持或穩定遠端電漿源402內的穩態電漿狀態、或有助於暫態電漿之引燃或熄滅程序。在某些實施例中，使用例如氦將氫氣或其他源氣體稀釋可促成更高的總壓力而不會造成伴隨的電漿崩潰(plasma breakdown)。換言之，氫氣與氦之稀釋氣體混合物可促成更高的總氣體壓力，而不會使供至遠端電漿源402的電漿功率增加。如圖4所示，源氣體供應部426係與遠端電漿源402流體耦合，以供應氫氣或源氣體。此外，額外的氣體供應部428係與遠端電漿源402流體耦合，以供應一或更多額外氣體。該一或更多額外氣體亦可包含上述之共反應物氣體。雖然圖4之實施例繪示源氣體及一或更多額外氣體之氣體混合物係經由分離的氣體出口而導入，但應理解，可將該氣體混合物直接導入至遠端電漿源402中。亦即，可經由單一氣體出口將預混合之稀釋氣體混合物供應至遠端電漿源402。

氣體(例如經激發之氫與氦自由基、及鬆弛的氣體/自由基)自遠端電漿源402流出，並經由多埠氣體分配器406而流入反應腔室404。在多埠氣體分配器406內及反應腔室404內的氣體通常不會在其內經受連續的電漿激發。在某些實施例中，多埠氣體分配器406包含離子過濾器及/或光子過濾器。將離子及/或光子過濾可減少基板損害、非期望之分子再激發、及/或反應腔室404內之含矽前驅物之選擇性裂解或分解。多埠氣體分配器406可具有複數氣體埠434，以使氣體流擴散至反應腔室404中。在某些實施例中，複數氣體埠434可相互隔開。在某些實施例中，可將複數氣體埠434設置成規則間隔之通道或通孔的陣列，該等通道或通孔延伸穿過將遠端電漿源402與反應腔室404分隔的板件。複數氣體埠434可將自遠端電漿源402離開的自由基平穩地分散和擴散至反應腔室404中。

典型遠端電漿源與反應容器迥然不同。因此，自由基消滅及重組(例如透過壁碰撞事件)可能使活性物種大幅減少。相對地，在某些實施例中，可基於在典型處理條件下的平均自由徑或氣流滯留時間而配置複數氣體埠434的尺寸，俾協助自由基自由地進入反應腔室404。在某些實施例中，複數氣體埠434的開口可佔據多埠氣體分配器406之約5%至約20%之間的暴露表面積。在某些實施例中，複數氣體埠434可各自具有介於約3：1至10：1之間、或介於約6：1至8：1之間的軸向長度對直徑之比率。此等深寬比可使通過複數氣體埠434的自由基物種之壁碰撞頻率減低，並同時為大多數激發態自由基物種提供足夠的時間以鬆弛為基態自由基物種。在某些實施例中，可配置複數氣體埠434的尺寸以使得氣體通過多埠氣體分配器406的滯留時間大於激發態自由基物種一般的能量鬆弛時間。氫源氣體的激發態自由基物種在圖4中可由˙H^*表示，且氫源氣體的基態自由基物種在圖4中可由˙H表示。

在某些實施例中，離開複數氣體埠434之激發態自由基物種可流入鬆弛區域438中，鬆弛區域438係包含於反應腔室404之內部中。鬆弛區域438位在化學氣相沉積區域408的上游，但在多埠氣體分配器406的下游。離開多埠氣體分配器406之實質上所有或至少90%的激發態自由基物種會在鬆弛區域438中轉變成鬆弛態自由基物種。換言之，幾乎所有進入鬆弛區域438之激發態自由基物種(經激發之氫自由基)在離開鬆弛區域438之前變得去激發(de-excited)、或轉變成鬆弛態自由基物種(例如基態氫自由基)。在某些實施例中，可配置鬆弛區域438的製程條件或幾何形狀，俾使自由基物種流過鬆弛區域438之滯留時間(例如由平均自由徑及平均分子速度所決定的時間)引致鬆弛態自由基物種自鬆弛區域438流出。

隨著自由基物種自多埠氣體分配器406輸送至鬆弛區域438，可將一或更多含矽前驅物及/或一或更多共反應物導入化學氣相沉積區域408中。可透過氣體分配器或氣體出口442將一或更多含矽前驅物導入，其中氣體出口442可與前驅物供應源440流體耦合。鬆弛區域438可包含於多埠氣體分配器406與氣體出口442之間的空間內。氣體出口442可包含彼此間隔開的開口，使得可在與自鬆弛區域438流出之氣體混合物平行的方向上導入一或更多含矽前驅物之流動。氣體出口442可位在多埠氣體分配器406及鬆弛區域438的下游。氣體出口442可位在化學氣相沉積區域408及基板412的上游。化學氣相沉積區域408位在反應腔室404之內部中、且位在氣體出口442與基板412之間。

可防止實質上所有的一或更多含矽前驅物之流動與鄰近多埠氣體分配器406的激發態自由基物種相混合。鬆弛態或基態的自由基物種在鄰近基板412之區域中與一或更多含矽前驅物相混合。化學氣相沉積區域408包含鄰近基板412之區域，在該區域中鬆弛態或基態自由基物種與一或更多含矽前驅物混合。在矽碳化物膜之CVD形成期間，鬆弛態或基態自由基物種與一或更多含矽前驅物以氣相混合。

在某些實施例中，共反應物可自氣體出口442導入並與一或更多含矽前驅物一起流動。共反應物可包含如下文所述之沉積添加劑或非沉積添加劑。可在遠端電漿源402的下游將共反應物導入。可從前驅物供應源440或與氣體出口442流體耦合的其他來源(未圖示)供應共反應物。共反應物可為如下文所述之含碳前驅物或不含Si-H或Si-Si鍵結的第二含矽前驅物。在某些實施例中，共反應物可自多埠氣體分配器406導入，並與在遠端電漿源402中產生的自由基物種一起流動而流入反應腔室404。此可包含在遠端電漿源402中提供的共反應物氣體之自由基及/或離子。共反應物可從額外的氣體供應部428供應。

氣體出口442可與多埠氣體分配器406分離一充足距離，以防止一或更多含矽前驅物之反向擴散或反向流。在某些實施例中，氣體出口442可與複數氣體埠434分離如下距離：介於約0.5英吋至約5英吋之間、或介於約1.5英吋至約4.5英吋之間、或介於約1.5英吋至約3英吋之間的距離。

可經由一出口448而將製程氣體自反應腔室404中去除，出口448係配置以與一泵浦(未圖示)流體耦合。因此，可將過量的含矽前驅物、共反應物、自由基物種、及稀釋與置換或排淨氣體自反應腔室404中去除。在某些實施例中，系統控制器450係與電漿處理設備400進行操作性通訊。在某些實施例中，系統控制器450包含處理器系統452(例如微處理器)，其係配置以執行保存於資料系統454(例如記憶體)中的指令。在某些實施例中，系統控制器450可與電漿產生器控制器422進行通訊以控制電漿參數及/或條件。在某些實施例中，系統控制器450可與底座414進行通訊以控制底座高度及溫度。在某些實施例中，系統控制器450可控制其他處理條件，例如RF功率設定、頻率設定、工作週期、脈衝時間、反應腔室404內之壓力、遠端電漿源402內之壓力、來自源氣體供應部426及額外的氣體供應部428之氣體流率、來自前驅物供應源440及其他來源之氣體流率、底座414之溫度、及反應腔室404之溫度等。

下述圖4之控制器450的態樣亦適用於圖3之控制器340。控制器450可包含用於控制電漿處理設備400之操作之製程條件的指令。控制器450通常包含一或更多記憶體裝置及一或更多處理器。處理器可包含CPU或電腦、類比及/或數位輸入/輸出連接件、步進馬達控制器板等。用以施行適當控制操作的指令係於處理器上執行。此些指令可儲存在與控制器450相關的記憶體裝置上或其可藉由網路提供。

在某些實施例中，控制器450控制本文所述之電漿處理設備400之所有或大部分的活動。例如，控制器450可控制與沉積矽碳化物膜相關之電漿處理設備400之所有或大部分的活動，並選用性地控制包含矽碳化物膜之製造流程中的其他操作。控制器450可執行包含用以控制下列各者之多組指令的系統控制軟體：時序、氣體組成、氣體流率、製程室壓力、腔室溫度、RF功率位準、基板位置、及/或其他參數。在某些實施例中可使用儲存在與控制器450相關之記憶體裝置上的其他電腦程式、腳本、或例行程序。為了在鄰近基板412之環境處提供相對溫和的反應條件，可藉由控制器450調整及維持參數如RF功率位準、流至電漿區域424之氣體流率、流至化學氣相沉積區域408之氣體流率、及電漿點燃的時序。此外，調整基板位置可進一步減少鄰近基板412之環境處之高能自由基物種的存在。在一多站反應器中，控制器450可針對不同的設備站點而包含不同或相同的指令，因此使該等設備站點得以獨立操作或同步操作。

在某些實施例中，控制器450可包含用以進行例如下列操作的指令：使一或更多含矽前驅物經由氣體出口442而流至反應腔室404中、提供源氣體至遠端電漿源402中、在遠端電漿源402中產生該源氣體之一或更多自由基物種、自遠端電漿源402將處於實質上低能態的一或更多自由基物種導入至反應腔室404中以與一或更多含矽前驅物反應而在基板412上沉積矽碳化物膜。反應腔室404中在鄰近基板412之環境中的一或更多自由基物種可為處於基態的氫自由基。在某些實施例中，控制器450可包含使共反應物與一或更多含矽前驅物一起流至反應腔室404中的指令。共反應物可包含非沉積添加劑或沉積添加劑。

在某些實施例中，設備400可包含和控制器450相關的使用者介面。使用者介面可包含顯示螢幕、設備400及/或製程條件的圖形化軟體顯示、及使用者輸入裝置如指向裝置、鍵盤、觸控螢幕、麥克風等。

可以任何習知的電腦可讀程式語言撰寫控制上述操作用的電腦程式碼，電腦可讀程式語言例如是組合語言、C、C++、Pascal、Fortran或其他語言。可藉由處理器執行經編譯之物件碼或腳本以執行程式中所認定的任務。

用於監視該處理的信號可藉由系統控制器的類比及/或數位輸入連結所提供。用於控制該處理的信號係在處理系統的類比與數位輸出連結上輸出。

一般而言，本文所述方法可在包含半導體處理設備(例如一或複數處理工具、一或複數腔室、用於處理的一或複數工作台、及/或特定處理元件(晶圓底座、氣流系統等))的系統上執行。該等系統可與電子裝置整合，以於半導體晶圓或基板之處理前、處理期間、及處理後控制其操作。一般而言，將該等電子裝置稱為控制器，其可控制一或複數系統的各種元件或子部件。依據處理之需求及/或系統之類型，可將控制器程式化以控制本文中所揭示之處理的任一者，包含處理氣體之輸送、溫度設定(如：加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、RF產生器設定、RF匹配電路設定、頻率設定、流動速率設定、流體輸送設定、位置及操作設定、進出工具及連接至特定系統或與特定系統介面接合的其他傳送工具及/或負載鎖之晶圓傳送。

廣泛而言，可將控制器定義為具有接收指令、發送指令、控制操作、允許清潔操作、允許端點量測等之各種積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。該積體電路可包含儲存程式指令的韌體形式之晶片、數位信號處理器(DSPs)、定義為特殊應用積體電路(ASICs)之晶片、及/或執行程式指令(如軟體)之一或更多的微處理器或微控制器。程式指令可為以各種個別設定(或程式檔案)之形式傳送到控制器的指令，其定義用以在半導體晶圓上、或針對半導體晶圓、或對系統執行特定處理的操作參數。在一些實施中，該等操作參數可為由製程工程師所定義之配方的部分，該配方係用以在基板之一或更多的膜層、材料(例如矽碳化物)、表面、電路、及/或晶粒的製造期間，完成一或更多的處理步驟。

在一些實施例中，控制器可為電腦的部分或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、或透過網路連接至系統、或上述之組合。例如，控制器係可位於「雲端」、或為晶圓廠主機電腦系統的全部或部分，其可允許基板處理之遠端存取。該電腦能達成對該系統之遠端存取，以監視製造操作之目前進度、查看過去製造操作之歷史、查看來自多個製造操作之趨勢或性能指標，俾改變目前處理之參數，以設定處理步驟而接續目前的處理、或開始新的處理。在一些範例中，遠端電腦(如伺服器)可透過網路將處理配方提供給系統，該網路可包含區域網路或網際網路。該遠端電腦可包含可達成參數及/或設定之輸入或編程的使用者介面，該等參數或設定接著自該遠端電腦傳送至該系統。在一些範例中，控制器接收資料形式之指令，在一或更多的操作期間，其針對該待執行的處理步驟之各者而指定參數。應理解，該等參數可特定於待執行之處理的類型、及工具(控制器係配置成與該工具介面接合或控制該工具) 的類型。因此，如上所述，控制器可分散，例如藉由包含一或更多的分離的控制器，其透過網路連接在一起並朝共同的目標而作業，例如本文中所敘述之處理及控制。用於此類目的之分開的控制器之範例可為腔室上之一或更多的積體電路，其與位於遠端(例如為平台等級、或為遠端電腦的部分)之一或更多的積體電路連通，其結合以控制該腔室上的處理。

除了本文所述之矽碳化物沉積之外，範例系統還可包含電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉沖洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、潔淨腔室或模組、斜邊蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、徑跡腔室或模組、及可與半導體晶圓之製造及/或生產有關或用於其中的任何其他半導體處理系統。

如上所述，依據將藉由工具執行之(複數)處理步驟，控制器可與半導體製造工廠中之下列一或更多者進行通訊：其他工具電路或模組、其他工具元件、群集工具、其他工具介面、鄰接之工具、鄰近之工具、遍布工廠的工具、主電腦、另一控制器、或材料運輸中所使用之工具，該材料運輸中所使用之工具將晶圓容器輸送往返於工具位置及/或裝載埠。

本文上述之設備/處理可與例如用於製造半導體元件、顯示器、LED、光伏面板等之微影圖案化工具或處理一起使用。一般而言，雖然並非必要，但此類工具/處理會在一共同的製造廠房中一起使用或進行。薄膜之微影圖案化通常包括下列操作之一些或全部，每一操作以幾個可能的工具而提供：(1)使用旋塗式或噴塗式工具在工作件(亦即，基板)上光阻之塗佈；(2)使用加熱板或加熱爐或UV固化工具進行光阻之固化；(3)以工具(例如，晶圓步進機)使光阻暴露至可見光或UV光或x射線光；(4)使光阻顯影，以便使用工具(例如，濕式清洗台)選擇性地移除光阻及從而使其圖案化；(5)使用乾式或電漿輔助蝕刻工具，將光阻圖案轉移至下方薄膜或工作件中；及(6)使用工具(例如，RF或微波電漿光阻剝除器)移除光阻。

用以改善階梯覆蓋率之共反應物

ALD技術通常實現高階梯覆蓋率，其中階梯覆蓋率可等於或大於90%、等於或大於95%、等於或大於99%、或甚至為100%。然而，使用ALD之矽碳化物膜沉積顯現許多挑戰，包括可能使矽碳化物膜之ALD難以達成的熱力學挑戰。此外，與典型CVD技術相比，ALD之沉積速率較慢，在製造程序中可能係非所欲的。本發明係關於使用遠端電漿CVD之矽碳化物膜之沉積。可利用遠端電漿CVD技術以沉積經摻雜或未經摻雜之矽碳化物膜，其可達成與ALD技術相當的階梯覆蓋率。

如上所述，沉積矽碳化物膜之沉積反應除了含矽前驅物及自由基物種之外還可包含共反應物。共反應物之導入可用以增加矽碳化物膜之階梯覆蓋率。可使共反應物與含矽前驅物一起流入反應腔室中，其中可使共反應物在遠端電漿源之下游流動。例如，用以導入含矽前驅物及共反應物之氣體出口可位於遠端電漿源之下游。遠端電漿源被視為在基板及鄰近基板之環境的上游。在某些實施例中，用以導入含矽前驅物及共反應物之氣體出口可位於遠端電漿源的下游、及基板與鄰近基板之環境的上游。

在某些實施例中，共反應物可為沉積添加劑或非沉積添加劑。如本文所使用，非沉積添加劑為沉積反應之添加劑，其在參與遠端電漿CVD反應之含矽前驅物不存在的情況下不會自行進行沉積。沉積添加劑為沉積反應之添加劑，其即使在參與遠端電漿CVD反應之含矽前驅物不存在的情況下仍會自行進行沉積。

除了含矽前驅物之外，還可將非沉積添加劑或沉積添加劑導入以作為第二前驅物。第二前驅物具有用於改善矽碳化物膜之階梯覆蓋率的化學性質。可相對於基板之一或更多特徵部而量測所沉積之矽碳化物膜的階梯覆蓋率。本文所用之「特徵部」可指涉基板上之非平面結構，通常為在半導體裝置加工操作中被修改的表面。特徵部之範例包含溝槽、通孔、襯墊、柱體、圓頂等。特徵部通常具有一深寬比(深度或高度對寬度)。在某些實施例中，矽碳化物膜之階梯覆蓋率為至少90%、至少95%、或至少99%。

非沉積添加劑

在某些實施例中，非沉積添加劑為烴分子。例如，烴分子可為具有至少一個雙鍵或至少一個三鍵的短鏈烴分子。在某些實施例中，烴分子包含介於3個碳原子至7個碳原子之間的碳鏈。烴分子可包含一或更多不飽和碳鍵，例如一或更多碳與碳之雙鍵或三鍵。因此，烴分子可包含烯、或炔基團。合適的烴分子之範例包含丙烯、乙烯、丁烯、戊烯、丁二烯、戊二烯(例如1,4-戊二烯)、己二烯、庚二烯、甲苯、及苯。合適的烴分子之其他範例包含乙炔、丙炔、丁炔、戊炔(例如1-戊炔)、及己炔(例如2-己炔)。非沉積添加劑亦可稱為含碳前驅物或非沉積含碳前驅物。

使非沉積添加劑與如上述之一或更多含矽前驅物一起流動。含矽前驅物之各者可包含一或更多Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結。此外，含矽前驅物之各者可包含一或更多Si-C鍵結、Si-N鍵結、及/或Si-O鍵結、不含C-O鍵結、且不含C-N鍵結。含矽前驅物之範例可包含(但不限於)烷基碳矽烷、矽氧烷、或矽氮烷。可在一或更多自由基物種的下游將非沉積添加劑導入反應腔室中。可在導入非沉積添加劑之氣體出口之上游的遠端電漿源中產生自由基物種。自由基物種可包含氫自由基，其中在與非沉積添加劑進行混合或交互作用時，該等氫自由基處於實質低能態或基態。

在不受任何理論之限制下，處於實質低能態或基態之氫自由基可與非沉積添加劑進行交互作用。一般相信，處於實質低能態或基態之氫自由基可與非沉積添加劑進行交互作用而形成無法在適當溫度(例如大於約50℃或大於約25℃)下進行沉積的物種。氫自由基可與非沉積添加劑之烴分子中的炔或烯基團進行交互作用而形成活化的烷類(例如甲烷)。在某些情況下，烴分子斷成短鏈烴分子或自由基。此類物種可能過輕且可能具有過低的黏滯係數以致於無法自行沉積。換言之，非沉積添加劑在沉積反應中可作為被動的旁觀者，而不會對矽碳化物膜之組成有顯著貢獻。在不受任何理論之限制下，活化的烷類可與含矽前驅物進行交互作用而形成一新物種，該新物種具有比原始的含矽前驅物更低的黏滯係數。烴分子、及與處於實質低能態或基態之氫自由基的任何反應之副產物不會大量地被含入矽碳化物膜中。如本文所使用，針對添加劑被含入矽碳化物膜中之情況，「大量」一詞可指涉：相較於沒有使用添加劑之矽碳化物膜沉積，碳或矽之原子濃度的變化量等於或大於約5%。在某些實施例中，矽碳化物膜中之C-C鍵結的百分比等於或小於約2%、等於或小於約1%、等於或小於約0.5%、或甚至為0%。

在某些實施例中，可對非沉積物種的流率進行控制。非沉積物種的流率可影響沉積條件，如矽碳化物膜之沉積速率及階梯覆蓋率。在某些實施例中，非沉積物種的流率為介於約1sccm至約50sccm之間、或介於約5sccm至約25sccm之間。

圖5A顯示在沒有使用含碳非沉積添加劑之情況下沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。該矽碳化物膜係利用包含含矽物種之第一前驅物而加以沉積，而沒有使用包含含碳物種之第二前驅物。圖5B顯示使用含碳非沉積添加劑之沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。該矽碳化物膜係利用包含含矽物種之第一前驅物及包含含碳物種之第二前驅物而加以沉積。

表1將圖5A及圖5B之間的矽碳化物膜沉積之差異針對階梯覆蓋率而進行總結。第二前驅物(尤其係諸如丙烯之含碳前驅物)之導入顯著地改善矽碳化物膜之階梯覆蓋率。例如，矽碳化物膜之階梯覆蓋率為至少95%或至少99%。此外，在導入含碳前驅物之情況下，不會明顯改變矽碳化物膜之薄膜組成。在導入含碳前驅物之情況下，亦實質上保持薄膜品質及薄膜密度。例如，薄膜密度可等於或大於約2.0g/cm³。

沉積添加劑

在某些實施例中，沉積添加劑為一第二含矽前驅物，其係與第一含矽前驅物一起流動。第一含矽前驅物具有一或更多Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結。第二含矽前驅物不具有Si-H鍵結且不具有Si-Si鍵結。在某些實施例中，第二含矽前驅物具有一或更多Si-C鍵結。在某些實施例中，第二含矽前驅物為包含烷基矽烷的有機矽前驅物。包含烷基矽烷而不具有任何Si-H鍵結或Si-Si鍵結的有機矽前驅物之範例包含(但不限於)四甲基矽烷(4MS)、四乙基矽烷、四丙基矽烷、及六甲基二矽基戊烷。在某些實施例中，第二含矽前驅物為包含矽氮烷的有機矽前驅物。包含矽氮烷而不具有任何Si-H鍵結或Si-Si鍵結的有機矽前驅物之範例包含(但不限於)六甲基二矽氮烷。在某些實施例中，第二含矽前驅物為包含烷基矽基基團的有機矽前驅物。包含烷基矽基基團而不具有任何Si-H鍵結或Si-Si鍵結的有機矽前驅物之範例包含(但不限於)二(三甲基矽基)甲烷。

使沉積添加劑與一或更多上述之第一含矽前驅物一起流動。第一含矽前驅物之各者可包含一或更多Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結。此外，第一含矽前驅物之各者可包含一或更多Si-C鍵結、Si-N鍵結、及/或Si-O鍵結、不含C-O鍵結、且不含C-N鍵結。第一含矽前驅物之範例可包含(但不限於)烷基碳矽烷、矽氧烷、或矽氮烷。可在一或更多自由基物種的下游將沉積添加劑導入反應腔室中。可在導入沉積添加劑之氣體出口之上游的遠端電漿源中產生自由基物種。自由基物種可包含氫自由基，其中在與沉積添加劑(第二含矽前驅物)進行混合或交互作用時，該等氫自由基處於實質低能態或基態。

在不受任何理論之限制下，在沉積反應中較為動力學上有利之反應機制中之一者包含奪氫反應(hydrogen abstraction)，其涉及第一含矽前驅物中之Si-H鍵結的選擇性斷鍵。在沉積反應中於動力學上較不利之反應機制中之一者包含氫置換(hydrogen substitution)，其涉及以氫置換第二含矽前驅物中之烷基團。置換作用造成可與第一含矽前驅物之經活化的物種進行反應的烴自由基。藉由提高第二含矽前驅物之分壓，反應平衡朝向氫置換反應機制之生成物的方向增加。一般相信，處於實質低能態或基態之氫自由基可與沉積添加劑進行交互作用而形成能夠在不論溫度為何之情況下(即使係在大於約50℃或大於約25℃之溫度)進行沉積的物種。與氫自由基之交互作用可造成活化的第一含矽前驅物及/或活化的第二含矽前驅物(亦即，活化的添加性含矽前驅物)，其可與彼此進行反應。在不受任何理論之限制下，一種可能的機制涉及：第一含矽前驅物被氫自由基所活化、並且經活化之第一含矽前驅物形成基於矽之自由基，該基於矽之自由基可與第二含矽前驅物進行反應而形成新的沉積物種及烴自由基。此新物種具有比原始的含矽前驅物更低的黏滯係數。因此沉積添加劑並非作為被動的旁觀者，而是可對矽碳化物膜之組成有顯著貢獻。沉積添加劑、及與處於實質低能態或基態之氫自由基的任何反應之副產物可大量地被含入矽碳化物膜中。

在某些實施例中，可對沉積物種的流率進行控制。沉積物種的流率可影響沉積條件，如矽碳化物膜之沉積速率及階梯覆蓋率。在某些實施例中，沉積物種的流率為介於約25sccm至約200sccm之間、或介於約50sccm至約100sccm之間。在某些實施例中，沉積物種的流率可為原始的含矽前驅物之流率的至少兩倍。

圖6A顯示在沒有使用含矽沉積添加劑之情況下沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。該矽碳化物膜係利用包含具有一或更多Si-H及/或Si-Si鍵結之含矽物種的第一前驅物而加以沉積，而沒有使用包含不具有Si-H或Si-Si鍵結之含矽物種的第二前驅物。圖6B顯示使用含矽沉積添加劑之沉積於基板特徵部上的矽碳化物薄膜之TEM圖。該矽碳化物膜係利用包含具有一或更多Si-H及/或Si-Si鍵結之含矽物種的第一前驅物、及包含不具有Si-H或Si-Si鍵結之含矽物種的第二前驅物而加以沉積。

表2將圖6A及圖6B之間的矽碳化物膜沉積之差異針對階梯覆蓋率而進行總結。第二前驅物(尤其係不具有Si-H或Si-Si鍵結之有機矽前驅物(如四甲基矽烷))之導入顯著地改善矽碳化物膜之階梯覆蓋率。例如，矽碳化物膜之階梯覆蓋率為至少95%或至少99%。在導入第二含矽前驅物之情況下，使得矽碳化物膜之薄膜組成略微改變但不會顯著改變。在導入第二含矽前驅物之情況下，亦實質上保持薄膜品質及薄膜密度。例如，薄膜密度可等於或大於約2.0g/cm³。

沉積膜之結構及特性

沉積膜包含矽、碳，且在一些情況下包含氧、氮、及/或一或更多其他元素。在某些實施例中，矽的原子濃度係在約15%至45%(或約25%至40%)之間，碳的原子濃度係在約10%至50%之間，氧的原子濃度係在約0%至45%之間，且氮的原子濃度係在約0%至45%之間。在一範例中，矽的原子濃度約為30%，氧的原子濃度約為25%，且碳的原子濃度約為45%。在另一範例中，矽的原子濃度約為30%，氧的原子濃度約為45%，且碳的原子濃度約為25%。在另一範例中，薄膜含有約10-15%的碳及約30-40%的氧，兩者皆係基於原子濃度。在所有情況下，薄膜含有一些氫。然而，應理解，氫之相對原子濃度很小，例如等於或少於約5%。應理解，相對原子濃度可根據前驅物之選擇而變化。矽原子會與碳形成鍵結，且選用性地與氮及/或氧原子形成鍵結。在某些實施例中，沉積膜含有比Si-C鍵結更多的Si-O鍵結。此可提供具有較低介電常數之相對多孔的薄膜。在某些範例中，沉積膜含有的Si-O鍵結與Si-C鍵結之比率介於約0.5：1至3：1之間。在某些實施例中，沉積膜含有比Si-C鍵結更多的Si-N鍵結。在某些範例中，沉積膜含有的Si-N鍵結與Si-C鍵結之比率介於約0.5：1至3：1之間。在某些實施例中，薄膜密度係介於約2至2.7g/cm³之間。

在某些實施例中，前驅物的內部結構係保留在沉積膜中。此結構可保留前驅物中之Si-C、及Si-O及/或Si-N鍵結(若存在)中的所有者或大多者，同時經由以下者而聯結或交聯各別前驅物的官能部分：經由存在於前驅物分子中之Si-H鍵結及/或Si-Si鍵結位置處的鍵結、及/或若提供充分熱量時則經由成長表面上的額外凝結反應。

本文先前所述的製程條件可提供高度保形的薄膜結構。相對溫和的製程條件可使基板表面處的離子轟擊程度最小化，俾使沉積不具有方向性。此外，相對溫和的製程條件可使具有高黏滯係數之自由基的數目減少，具有高黏滯係數之自由基傾向於黏附在先前沉積之膜層或薄膜的側壁上。在某些實施例中，對於約2：1至10：1的深寬比，矽碳化物膜可沉積得到介於約25%至100%之間的保形性、更通常介於約50%至100%之間的保形性、及甚至更通常介於約80%至100%之間的保形性。保形性可藉由下列方式計算：將特徵部底部上、側壁上、或頂部上之沉積膜的平均厚度與上特徵部底部上、側壁上、或頂部上之沉積膜的平均厚度進行比較。例如，保形性可藉由下列方式計算：將側壁上之沉積膜的平均厚度除以特徵部頂部處之沉積膜的平均厚度，並將其乘以100以得到百分比。對於某些應用而言，介於約85%至95%之間的保形性已足夠。在某些範例中，在具有介於約2：1至約4：1之間之深寬比的特徵部上沉積矽碳化物，保形性至少為約90%。某些BEOL製程(後段製程)落在此範疇內。在某些範例中，在具有介於約4：1至約6：1之間之深寬比的特徵部上沉積矽碳化物，保形性至少為約80%。某些間隔件沉積製程落在此範疇內。在某些範例中，在具有介於約7：1至約10：1(及甚至更高)之間之深寬比的特徵部上沉積矽碳化物，保形性至少為約90%。某些DRAM(動態隨機存取記憶體)製造製程落在此範疇內。

製程條件亦可提供具有高崩潰電壓與低漏電流的薄膜結構。藉由將有限量的氧或氮導入SiC類別材料中，可藉由氧或氮阻擋Si-H鍵結及/或Si-CH₂-Si鍵結所提供的漏失路徑。在低電場處Si-O與Si-N中的導電模式可能不同。此可提供改良的電特性並同時維持相對低的介電常數。在各種實施例中，薄膜具有約5或更低、或約4.0或更低、在某些情況中約3.5或更低、在某些情況中約3.0或更低、甚至某些實施例中約2.5或更低的有效介電常數。有效介電常數可取決於鍵結與密度。在某些實施例中，SiOC膜被製成具有6或更高的介電常數，尤其是當碳含量相對高時。若漏電流為重要的考量，則SiOC膜需要小於5的介電常數。介電常數愈低則其密封及阻障與熱抵抗力特性愈差。在某些應用要求低的密封度及擴散限制、優異的抗蝕刻性、熱穩定性等之實施例中，可使矽碳化物膜為緻密且高度交聯的。此可藉由例如下列各者而完成：a)在相對高溫下沉積薄膜、及/或b)提供相對高的自由基：前驅物之比率。在某些實施例中，矽碳化物膜係可為相對薄，並仍作為有效的密封與擴散阻障。

在某些實施例中，沉積膜可為多孔的。如本文先前討論，含矽前驅物可包含環形矽氧烷與籠形矽氧烷。該等前驅物、及具有顯著內部開放空間的其他者可將顯著的多孔性導入沉積膜的結構內。沉積膜中的多孔性可進一步降低介電常數。在某些實施例中，所沉積之矽碳化物膜的孔隙率介於約20%至50%之間。多孔膜的孔尺寸可跟隨環形或籠形前驅物的孔洞尺寸。在某些實施例中，膜的平均孔洞尺寸介於約5Å至20Å之間，例如約16Å。

應用

藉由參照下文中高品質矽碳化物膜的應用可更瞭解本發明，該等應用純粹是說明性的。本發明不受特定應用範圍的限制，該等特定應用僅例示本發明的態樣。

在某些實施例中，矽碳化物膜可被沉積在暴露的銅上方。在沉積矽碳化物膜之某些實施例中，鄰近基板之反應條件可能無氧化劑(如O₂、O₃、及CO₂(包含其自由基))。因此，可將矽碳化物膜直接沉積在暴露的銅上方而不使銅氧化(例如產生氧化銅)。此類薄膜可用作一蝕刻停止層，其亦可用作一銅擴散阻障層。矽碳化物膜的存在可提供充分低介電常數及優異滲漏特性以用作擴散阻障層。矽碳化物膜本身可為蝕刻停止及/或擴散阻障層、或為一雙層堆疊體(例如沉積在暴露之銅上方之SiCO/SiNC雙層)。在某些實施例中，矽碳化物膜可被置於相鄰之通常以鑲嵌製程所產生之金屬化膜層之間。矽碳化物膜可抵抗蝕刻且可為充分緻密以使銅離子擴散進入介電材料的相鄰區域的現象最小化。在某些實施例中，可藉著使用含氮前驅物或電漿活化含氮自由基(例如元素氮之自由基或胺自由基)而將氮含入薄膜中。

在如圖1B所示之某些實施例中，矽碳化物膜111可被保形沉積於基板110之特徵部112上。特徵部112可為孤立或密集的特徵部，其中特徵部112可具有相對小的臨界尺寸(CD)。在某些實施例中，特徵部可具有等於或小於約20nm、等於或小於約10nm、或者等於或小於約5nm的CD。特徵部112的高度與寬度之深寬比可為大於2：1、大於5：1、大於10：1、或大於20：1。沉積於特徵部112上之矽碳化物膜111的階梯覆蓋率為至少90%、至少95%、或至少99%。

在某些實施例中，可沉積矽碳化物膜作為與金屬或半導體結構相鄰的垂直結構。矽碳化物之沉積提供沿著金屬或半導體結構之側壁的優異階梯覆蓋而產生垂直結構。在某些實施例中，垂直結構可稱為間隔件或襯墊。

圖1C顯示沉積在電晶體之閘電極結構之側壁上之矽碳化物襯墊的橫剖面。如圖1C中所示，電晶體可為CMOS電晶體，其中矽基板120具有源極122與汲極123。閘極介電質124可被沉積至矽基板120上方，閘電極125可被沉積在閘極介電質124上方以形成電晶體。矽碳化物間隔件或襯墊121可被沉積在閘電極125之側壁與閘極介電質124上。

在另一範例中，圖1D顯示沉積在氣隙式金屬化層中之裸露銅線之側壁上之矽碳化物的橫剖面。氣隙130可被導入銅線132之間的積體電路層中，其可減少膜層的有效介電常數值。矽碳化物襯墊131可被沉積在銅線132的側壁上，且非保形介電層133可被沉積在氣隙130、襯墊131、及銅線132上。此等氣隙式金屬化層的範例係記載於Fei Wang等人之美國專利公開案第2004/0232552號中，在此將其所有內容引入作為所有目的之參考。

在某些實施例中，矽碳化物膜可被沉積在經圖案化之多孔介電材料的側壁上。超低介電常數介電材料可由多孔結構所製成。此類材料中的孔隙可在後續膜層的沉積期間(包含含金屬(如鉭(Ta))之擴散阻障層之沉積期間)提供使金屬進入的區域。若過多金屬遷移進入介電材料中，則介電材料可能引起相鄰銅金屬化線之間的短路。

圖1E顯示作為多孔介電材料之孔隙封填物之矽碳化物膜的橫剖面。多孔介電層142可具有被裁切至多孔介電層142中以形成孔隙140的溝槽或通孔。矽碳化物膜141可沿著孔隙140沉積以有效地將孔隙140密封。以矽碳化物膜141將孔隙140密封可避免對多孔介電層142造成損害，該損害可能因使用電漿之其他密封技術而招致。矽碳化物膜141可為充分地緻密而作為孔隙封填物，且可包含非環形含矽前驅物，如PMDSO及TMDSO。在某些實施例中，經蝕刻的介電材料(例如多孔介電層142)可先受到「介電常數回復(k-recovery)」之製程，該製程將多孔介電層142暴露於UV輻射及還原劑。此回復製程係進一步記載於Varadarajan等人之共有之美國專利公開案第2011/0111533號中，在此將其所有內容引入作為所有目的之參考。在另一「介電常數回復」之製程中，可將多孔介電層142暴露於UV輻射及化學矽烷化劑。此回復製程係進一步記載於Varadarajan等人之共有之美國專利公開案第2011/0117678號中，在此將其所有內容引入作為所有目的之參考。在將孔隙140暴露於回復處理而使表面更親水性並提供一材料單層之後，可沉積一層保形沉積的矽碳化物膜141以有效地將多孔介電層142的孔隙140密封。

在某些實施例中，矽碳化物膜可被沉積以本身作為超低介電常數介電材料。超低介電常數介電材料在習知上被定義為介電常數低於2.5的材料。在此等配置中，矽碳化物的超低介電常數介電材料可為多孔介電層。可藉由使用環形或籠形的前驅物分子(包含環矽氧烷與倍半矽氧烷)而導入介電層的孔隙。在一範例中，矽碳化物之超低介電常數介電層的孔隙度可介於約20%至50%之間。再者，超低介電常數介電層可具有小於約100Å(例如介於約5Å至20Å之間)的平均孔隙尺寸。例如，環矽氧烷之環可具有約6.7Å的半徑。雖然增加孔隙的數目與尺寸可使介電常數降低，但若介電層太過多孔可能會損害介電層的機械完整性。

結論

在以上的敘述中，說明了大量的特定細節，以提供對所提出之實施例的徹底理解。所揭示之實施例可在毋須若干或全部此等特定細節之情況下實行。在其他的範例中，為了不使本發明晦澀難懂，習知的製程操作不會有詳細敘述。雖然所揭示之實施例係結合特定實施例而加以說明，但應理解，並非意圖限制所揭示之實施例。

為了讓熟知此項技藝者能清楚瞭解本發明，已詳細說明了上述的實施例，應理解，在隨附之申請專利範圍的範疇內可進行某些變化與修改。應注意，有許多替代方式施行本文實施例之製程、系統、及設備。因此，本文實施例應被視為是說明性而非限制性的，且該等實施例並不受限於本文所提供之細節。