TWI844877B - 雷射處理設備與方法 - Google Patents

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林志光
何正榮
董必正
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國立中央大學
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Abstract

一種雷射處理設備,包含承載座、平台、第一影像攝取裝置、主控裝置、第二影像攝取裝置與雷射模組。平台、第一影像攝取裝置、第二影像攝取裝置以及雷射模組設於承載座的頂面並與主控裝置電性連接。第一影像攝取裝置對工件進行影像拍攝並生成第一影像。主控裝置基於第一影像找出工件中的目標區域,目標區域包含有特定特徵。第二影像攝取裝置對目標區域進行影像拍攝並生成第二影像。主控裝置基於第一影像或第二影像對目標區域中的特定特徵進行特徵辨識步驟,基於辨識結果控制雷射模組對工件進行處理。本發明另提出一種雷射處理方法。

Description

雷射處理設備與方法
本發明有關一種雷射處理設備與雷射處理方法,尤其是一種結合影像攝取裝置的雷射處理設備與雷射處理方法。
印刷電路板的製作過程中曝光或顯影製程經常利用光阻劑轉印光罩圖案,因光阻劑多為碳氫化合物,曝光後可被特定化學溶劑溶解,但仍無法避免於印刷電路板表面有些許光阻劑的殘留,殘留的光阻劑會影響後續製程。目前印刷電路板上的殘留物多以人工進行檢查並去除,然此方式除了相當耗費時間與精力外,去除的過程中亦容易損害印刷電路板上的其他元件。
本發明提供一種雷射處理設備與雷射處理方法,一次性地進行殘留物的檢查與去除,以節省大量的人力與時間,同時避免對其他元件的損傷,以確保整體製程的良率。
為解決上述問題,本發明的一實施例提供一種雷射處理設備,用以處理工件,雷射處理設備包含承載座、平台、第一影像攝取裝置、主控裝置、第二影像攝取裝置以及雷射模組。承載座具有頂面,平台設於頂面,用以承載工件。第一影像攝取裝置,設置於頂面,且適於對工件進行影像 拍攝,並生成第一影像。主控裝置與平台以及第一影像攝取裝置電性連接,主控裝置接收第一影像攝取裝置所拍攝的第一影像,基於第一影像找出工件中的目標區域,目標區域包含有特定特徵。第二影像攝取裝置,設置於頂面並與主控裝置電性連接,第二影像攝取裝置對目標區域進行影像拍攝並生成第二影像,主控裝置基於第一影像或第二影像對目標區域中的特定特徵進行特徵辨識步驟。雷射模組與主控裝置電性連接,主控裝置基於特徵辨識步驟的結果控制雷射模組對工件進行雷射處理。主控裝置可控制平台、第一影像攝取裝置、第二影像攝取裝置與雷射模組相對位移。第一影像攝取裝置的視野較第二影像攝取裝置的視野大,第二影像攝取裝置的解析度較第一影像攝取裝置的解析度高。
在本發明的一實施例中,第一影像攝取裝置包含多個攝影元件,多個攝影元件沿線性方向排列。
在本發明的一實施例中,雷射模組包含多個雷射源。
在本發明的一實施例中,多個雷射源包含連續性雷射或脈衝式雷射。
在本發明的一實施例中,多個雷射源包含CO2雷射、CO雷射、氦鎘雷射、半導體雷射、光纖雷射、氦氖雷射、準分子雷射、光纖雷射或YAG雷射。
在本發明的一實施例中,雷射源的雷射光為深紫外光、紫外光、綠光、近紅外光或中紅外光。
在本發明的一實施例中,第一影像攝取裝置與平台沿第二方向相對移動,第二影像攝取裝置與雷射模組沿第一方向與第三方向移動,第一方向、第二方向與第三方向相互正交。
本發明的一實施例提供一種雷射處理方法,雷射處理方法包含:提供工件,工件包含有目標區域,目標區域包含特定特徵;進行定位步驟,以第一影像攝取裝置對工件進行影像拍攝,並生成第一影像,第一影像攝取裝置將第一影像傳送至主控裝置,主控裝置透過第一影像在工件上找尋目標區域。若第一影像的解析度足以進行特徵辨識步驟,則主控裝置基於第一影像進行特徵辨識步驟,對目標區域中的特定特徵進行輪廓辨識及/或材質辨識,以及進行雷射處理步驟,藉由主控裝置控制雷射模組基於特定特徵辨識步驟的結果對特定特徵進行雷射處理;若第一影像的解析度不足以進行特徵辨識步驟,則進行精定位步驟,主控裝置控制第二影像攝取裝置針對目標區域進行影像拍攝並生成第二影像,主控裝置接收第二影像,主控裝置基於第二影像進行特徵辨識步驟,對目標區域的特定特徵進行輪廓辨識及/或材質辨識,以及進行雷射處理步驟。
在本發明的一實施例中,雷射處理步驟包含主控裝置基於輪廓辨識的結果進行CAD/CAM建模,並基於CAD/CAM建模的結果進行雷射處理步驟的處理路徑規劃。
在本發明的一實施例中,雷射處理步驟包含主控裝置基於材質辨識的結果調整雷射模組的雷射源的參數。
在本發明的一實施例中,雷射模組包含有多個雷射源,雷射處理步驟包含主控裝置基於工件的類型或材質辨識的結果選擇多個雷射源的其中之一或複數個執行雷射處理步驟。
在本發明的一實施例中,於定位步驟前,主控裝置控制雷射模組對工件進行雷射預處理。
本發明的一實施例的雷射處理設備與雷射處理方法採用兩種影像攝取裝置,對工件進行大範圍的掃描以找尋目標區域,亦針對目標區域中 的特定特徵進行輪廓與材質的辨識,以選擇合適的雷射源與雷射參數對工件進行雷射處理,因此可以一次性地進行殘留物的檢測與去除,而不傷及周圍的其他元件。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
10:雷射處理設備
11:承載座
111:第一線性滑軌
112:第二線性滑軌
113:第三線性滑軌
114:頂面
12:平台
13:第一影像攝取裝置
131:攝影元件
14:第二影像攝取裝置
15:主控裝置
16:雷射模組
20:工件
21:目標區域
22:特定特徵
P1:第一影像
P2:第二影像
S1、S2、S3、S4、S41、S42、S43、S44:步驟
圖1為本發明一實施例雷射處理設備的立體示意圖。
圖2為本發明一實施例雷射處理設備的俯視示意圖。
圖3為本發明一實施例雷射處理設備的側視示意圖。
圖4為本發明一實施例雷射處理方法的流程示意圖。
圖5為本發明一實施例雷射處理方法中第一影像的示意圖。
圖6為本發明一實施例雷射處理方法中第二影像的示意圖。
現將參考附圖透過示例更詳細地描述本發明。
請參閱圖1至圖3。圖1為本發明的一實施例雷射處理設備的立體示意圖,圖2為本發明一實施例雷射處理設備的俯視示意圖,圖3為本發明一實施例雷射處理設備的側視示意圖。圖1示出了用以處理工件20的雷射處理設備10,雷射處理設備10包含承載座11、平台12、第一影像攝取裝置13、主控裝置15、第二影像攝取裝置14與雷射模組16。承載座11具有頂面114。平台12設於承載座11的頂面114,用以承載工件20。第一影像攝取裝置13,設於頂面114,且適於對工件20進行影像拍攝,並生成第一影像P1(繪示於 圖5)。主控裝置15與平台12以及第一影像攝取裝置13電性連接,主控裝置15接收第一影像攝取裝置13所拍攝的第一影像P1,基於第一影像P1找出工件20中的一或多個目標區域21,目標區域21包含有一或多個特定特徵22。第二影像攝取裝置14,設置於頂面114並與主控裝置15電性連接,第二影像攝取裝置14對目標區域21進行影像拍攝並生成第二影像P2(繪示於圖6),主控裝置15基於第一影像P1或第二影像P2對目標區域21中的特定特徵22進行特徵辨識步驟。雷射模組16與主控裝置15電性連接,主控裝置15基於特徵辨識步驟的結果控制雷射模組16對工件20進行雷射處理。主控裝置15可控制平台12、第一影像攝取裝置13、第二影像攝取裝置14與雷射模組16相對位移。
接續上述說明,第一影像攝取裝置13例如為線性掃描器,舉例來說,第一影像攝取裝置13包含多個攝影元件131(繪示於圖3),多個攝影元件131沿一線性方向排列,所述之線性方向為與工件20其中一邊對應的第一方向,第一方向可例如為圖1所繪示之X方向。另外,可依據工件20於第一方向的邊長選擇具有合適寬度的第一影像攝取裝置。當工件20沿一第二方向與第一影像攝取裝置13進行相對移動時,沿第一方向排列的多個攝影元件131使第一影像攝取裝置13以一長條型的範圍對工件20進行全面性的掃描。所述之第二方向可為如圖1所繪示的Y方向。第一影像攝取裝置13設置於承載座11的頂面114上,於本實施例中,第一影像攝取裝置13是直接設置於頂面114上,然本發明不以此為限,第一影像攝取裝置13亦可透過線性滑軌設置於頂面114上,並適於透過線性滑軌上沿上述之第二方向移動,以對工件20進行全面性的影像攝取。
接續上述說明,承載座11的頂面114上例如設有第一線性滑軌111、第二線性滑軌112。平台12設置於第一線性滑軌111上,並藉由第一線性滑 軌111設置於承載座11的頂面114。平台12適於在第一線性滑軌111上沿第二方向移動。於一實施例中,第二方向可為如圖1所示之Y方向。當第一影像攝取裝置13對平台12上的工件20進行影像拍攝以生成第一影像P1時,平台12沿第二方向移動,使第一影像攝取裝置13對工件20進行全面性的掃描。於本實施例中,於第一影像P1的拍攝期間,第一影像攝取裝置13固設於頂面114,由平台12進行相對移動。然本發明不以此為限,於另一未繪示的實施例中,平台12可固定不動,由第一影像攝取裝置13沿第二方向移動。
接續上述說明,第二線性滑軌112固設於承載座11的頂面114,第二影像攝取裝置14與雷射模組16藉由第三線性滑軌113共同設置於第二線性滑軌112上。其中,第二影像攝取裝置14與雷射模組16可為同軸設置,意即兩者為共光軸設計。於一實施例中,第三線性滑軌113為設於第二線性滑軌112上且適於沿第一方向移動的滑軌,所述的第一方向可為X方向。因此,設置於第三線性滑軌113上的第二影像攝取裝置14與雷射模組16可沿第一方向移動。於本實施例中,平台12沿第二方向移動,第二影像攝取裝置14與雷射模組16沿第一方向移動,從而當第二影像攝取裝置14對平台12上的工件20進行影像拍攝時或雷射模組16對工件20進行雷射處理時,可針對工件20上的任一位置進行拍攝或雷射處理。然本發明不以此為限,平台12、第二影像攝取裝置14與雷射模組16亦可為於第一方向以及第二方向上皆可移動的態樣。於一實施例中,第二影像攝取裝置14與雷射模組16可於第三線性滑軌113上沿第三方向移動,第三方向可為如圖1所繪示的Z方向。因此,第二影像攝取裝置14與雷射模組16可透過第三線性滑軌113執行拍攝時鏡頭的對焦或雷射處理時雷射光束的對焦。
請續參閱圖1至圖3,主控裝置15設置於承載座11的內部,並與第一影像攝取裝置13、第二影像攝取裝置14、雷射模組16、平台12以及第三 線性滑軌113電性連接。於本實施例中,主控裝置15控制平台12沿第二方向移動,使第一影像攝取裝置13對平台12上的工件20進行拍攝並生成第一影像P1,主控裝置15接收第一影像P1後基於第一影像P1找出工件20中具有特定特徵22的目標區域21。目標區域21的個數可為一個或多個,目標區域21中的特定特徵22的個數可為一個或多個。主控裝置15控制平台12與第三線性滑軌113,使目標區域21移至第二影像攝取裝置14的正下方以進行影像拍攝並生成第二影像P2(繪示於圖6)。主控裝置15基於第一影像P1或第二影像P2對目標區域21中的特定特徵22進行特徵辨識步驟。接著,主控裝置15控制平台12與第三線性滑軌113,使目標區域21的特定特徵22移至雷射模組16的正下方,以進行工件20的雷射處理。於一實施例中,主控裝置15可包含有分別用於控制平台12、第一影像攝取裝置13、第二影像攝取裝置14以及雷射模組16的多個控制器(圖未示)。於另一實施例中,主控裝置15可電性連接至用於控制平台12、第一影像攝取裝置13、第二影像攝取裝置14以及雷射模組16的多個控制器。
接續上述說明,雷射模組16可包含多個雷射源。多個雷射源為不同的雷射源,包含連續性雷射源或脈衝式雷射源。連續性雷射源可為CO2雷射、CO雷射、氦鎘雷射、半導體雷射、光纖雷射或氦氖雷射。脈衝式雷射源可為準分子雷射、光纖雷射或YAG雷射。雷射源的雷射光可為深紫外光、紫外光、綠光、近紅外光或中紅外光。主控裝置15基於特徵辨識步驟的結果或是工件20的材質選擇多個雷射源中一個合適的雷射源對工件20上的特定特徵22進行雷射處理。於一實施例中,當工件20上包含有多個特定特徵22時,主控裝置15可選擇多個雷射源以針對不同的特定特徵22分別以不同的雷射源進行處理。除此之外,主控裝置15亦可基於特徵辨識步驟的 結果調整所選雷射源的參數,以對目標區域21中的特定特徵22進行雷射處理。
請參閱圖4至圖6。圖4為本發明一實施例雷射處理方法的流程示意圖。圖5為本發明一實施例雷射處理方法中第一影像的示意圖。圖6為本發明一實施例雷射處理方法中第二影像的示意圖。本發明一實施例的雷射處理方法,包括提供工件20,此為步驟S1。工件20包含有目標區域21,目標區域21包含有特定特徵22。接著,進行定位步驟,此為步驟S2。以第一影像攝取裝置13對工件20進行影像拍攝,並生成第一影像P1,第一影像攝取裝置13將第一影像P1傳送至主控裝置15,主控裝置15透過第一影像P1在工件20上找尋目標區域21,目標區域21中可包含有一個或多個特定特徵22。於一實施例中,第一影像P1為包含有整體工件20的影像,且工件20上可包含有一或多個目標區域21。
請續參閱圖4,步驟S3為特徵辨識步驟,主控裝置15對目標區域21中的特定特徵22進行輪廓辨識及/或材質辨識。上述步驟S3特徵辨識步驟中的輪廓辨識與材質辨識無特定執行順序。於另一實施例中,於執行步驟S3前,可依據第一影像P1的解析度是否足以進行特徵辨識步驟,判斷是否須先進行精定位步驟。若第一影像P1的解析度足以進行特徵辨識步驟,則主控裝置15基於第一影像P1進行特徵辨識步驟,對目標區域21中的特定特徵22進行輪廓辨識及/或材質辨識。若第一影像P1的解析度不足以進行特徵辨識步驟,則先進行精定位步驟,主控裝置15控制第二影像攝取裝置14針對目標區域21進行影像拍攝並生成第二影像P2,主控裝置15接收第二影像P2。接著,主控裝置15基於第二影像P2進行步驟S3特徵辨識步驟,對目標區域21中的特定特徵22進行輪廓辨識及/或材質辨識。於此實施例中,雷射處理方法於步驟S3特徵辨識步驟之前對第一影像P1的解析度進行評估,以 判斷是否進行精定位步驟。然本發明不以此為限。於另一實施例中,使用者可於主控裝置15進行設定,於執行雷射處理方法時預設主控裝置15皆以第一影像P1進行特徵辨識步驟,或預設主控裝置15皆須進行精定位步驟,並以第二影像P2進行特徵辨識步驟。
接續上述說明,主控裝置15進行步驟S3特徵辨識步驟之後,則進行雷射處理步驟,此為步驟S4。主控裝置15控制雷射模組16基於特徵辨識步驟的結果對工件20進行雷射處理。
於步驟S1中,工件20可提供至平台12,平台12可透過吸附、限位件等方式將工件20固定於平台12上。工件20可為印刷電路板、基板、玻璃或手機蓋板等平板型的工件。特定特徵22可為殘膠、刮痕、電子佈線缺陷等。
於步驟S2中,主控裝置15先控制平台12將工件20移至第一影像攝取裝置13處,並於影像拍攝過程中沿第二方向移動工件20,使第一影像攝取裝置13對整個工件20進行掃描後生成第一影像P1。主控裝置15基於第一影像P1透過影像處理技術判定工件20上何處具有特定特徵22以進行標定,並將具有特定特徵22的區塊定義為目標區域21。影像處理技術可包含HSV顏色過濾、灰階化、中值濾波、二值化、Canny邊緣偵測等。於此階段,主控裝置15亦可對特定特徵22進行面積與周長的計算。
於精定位步驟中,主控裝置15控制平台12沿第二方向移動並控制第三線性滑軌113沿第一方向上移動,使目標區域21移至第二影像攝取裝置14的正下方以進行影像拍攝並生成第二影像P2(繪示於圖6)。
於步驟S3中,主控裝置15接收第一影像P1或第二影像P2並基於第一影像P1或第二影像P2透過影像處理技術對目標區域21中的特定特徵22進行輪廓辨識及/或材質辨識。輪廓辨識與材質辨識兩者並無一定的執行順 序,亦可兩步驟同時進行。影像處理技術可包含HSV顏色過濾、灰階化、中值濾波、二值化、Canny邊緣偵測等。輪廓辨識是針對特定特徵22的形狀如:面積、周長或位置進行辨識。材質辨識可基於第一影像P1或第二影像P2中與特定特徵22相關的影像資訊如灰階值的深淺,去判定特定特徵22為殘膠、刮痕或是電子佈線缺陷等。於一實施例中,第一影像攝取裝置13與第二影像攝取裝置14兩者規格不同。第一影像攝取裝置13可為具有多個沿線性方向排列的攝影元件131的線性掃描器,其掃描的寬度與工件20於第一方向上的邊長對應,如:9公分、10公分、15公分、20公分或30公分。而第二影像攝取裝置14可為顯微鏡,其視野(FOV)可為6mm*5mm或更小。因此,第一影像攝取裝置13的視野較第二影像攝取裝置14的視野大。再者,第一影像攝取裝置13的解析度可約為6μm,而第二影像攝取裝置14的解析度可為1μm,第二影像攝取裝置14的解析度較第一影像攝取裝置13的解析度高。
於步驟S4中,主控裝置15控制平台12與第三線性滑軌113,使目標區域21的特定特徵22移至雷射模組16的正下方,以對工件20上的特定特徵22進行雷射處理。步驟S4例如包括步驟S41:CAD/CAM建模與處理路徑規劃;步驟S42:自多個雷射源中選擇一個雷射源;步驟S43:調整雷射模組16的雷射源的參數;以及步驟S44:對工件進行雷射處理。
接續上述說明,步驟S41中,CAD/CAM建模與處理路徑規劃是指主控裝置15基於輪廓辨識的結果進行CAD/CAM建模,並基於CAD/CAM建模的結果進行步驟S44中對工件20進行雷射處理的路徑規劃。步驟S42中,自多個雷射源中選擇一個雷射源,是指雷射模組16包含有多個雷射源,雷射源可為CO2雷射、CO雷射、氦鎘雷射、半導體雷射、光纖雷射、氦氖雷射、準分子雷射或YAG雷射。主控裝置15基於工件20的類型或材質辨識的 結果選擇雷射源的其中之一執行步驟S44。舉例來說,工件20為具有高反射率的金屬則選擇具有綠光雷射的雷射源進行處理。於本實施例中,主控裝置15自多個雷射源中選擇一個雷射源對工件20進行雷射處理,然本發明不以此為限,主控裝置15亦可自多個雷射源中選擇多個雷射源對工件20進行處理。步驟S43中,調整雷射模組16的雷射源的參數是指主控裝置15基於材質辨識的結果調整雷射模組16的雷射源的參數,雷射源的參數可例如為功率、脈衝頻率、焦距、聚焦平面等。步驟S44對工件20進行處理,是指基於輪廓辨識及/或材質辨識的結果或依據步驟S41、步驟S42或步驟S43的設定對工件20進行雷射處理。
於一實施例中,於上述步驟S2定位步驟前,主控裝置15控制雷射模組16對工件20進行雷射預處理。透過雷射模組16先對整個工件20或工件20上的特定區域進行雷射預處理,可例如為對無法辨識之特定特徵22進行雷射預處理。雷射預處理可例如為雷射清潔,雷射預處理的雷射源參數可與後續雷射處理步驟中的雷射源參數不同。
本發明的雷射處理設備與雷射處理方法可應用於去除印刷電路板上光阻等殘膠、玻璃上的瑕疵、手機蓋板上的殘膠等,亦可用於執行基板雷射修補,如:電子佈線缺陷的修補等領域。使用者透過影像處理技術進行辨識,從而可依據工件的種類或是欲去除或修補的對象選擇合適的雷射源進行一次性的處理,以節省大量的人力與時間。
本發明亦可採用兩種影像攝取裝置,先以視野較大的第一影像攝取裝置如:線性掃描器對工件進行大範圍的掃描以找尋目標區域,再用解析度較高的第二影像攝取裝置如:顯微鏡頭針對目標區域中的特定特徵進行輪廓與材質的辨識,並基於所辨識的結果選擇合適的雷射源並調整雷射 源的參數,以一次性地對工件進行雷射處理,同時避免傷及周遭的其他元件,以提升整體製程良率。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,本發明所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:雷射處理設備
11:承載座
111:第一線性滑軌
112:第二線性滑軌
113:第三線性滑軌
114:頂面
12:平台
13:第一影像攝取裝置
14:第二影像攝取裝置
15:主控裝置
16:雷射模組
20:工件

Claims (11)

  1. 一種雷射處理設備,用以處理一工件,該雷射處理設備包含:一承載座,具有一頂面;一平台,設於該頂面,用以承載該工件;一第一影像攝取裝置,設置於該頂面,且適於對該工件進行影像拍攝,並生成一第一影像;一主控裝置,與該平台以及該第一影像攝取裝置電性連接,該主控裝置接收該第一影像攝取裝置所拍攝的該第一影像,基於該第一影像找出該工件中的至少一目標區域,該至少一目標區域包含至少一特定特徵;一第二影像攝取裝置,設置於該頂面並與該主控裝置電性連接,該第二影像攝取裝置對該至少一目標區域進行影像拍攝並生成一第二影像,該主控裝置基於該第一影像或該第二影像對該至少一目標區域中的該至少一特定特徵進行一特徵辨識步驟;以及一雷射模組,與該主控裝置電性連接,該主控裝置基於該特徵辨識步驟的結果控制該雷射模組對該工件進行雷射處理;該主控裝置適於控制該平台、該第一影像攝取裝置、該第二影像攝取裝置與該雷射模組相對位移;其中該第一影像攝取裝置的視野較該第二影像攝取裝置的視野大,該第二影像攝取裝置的解析度較該第一影像攝取裝置的解析度高;其中該第一影像攝取裝置與該平台適於沿一第二方向相對移動,該第二影像攝取裝置與該雷射模組適於沿一第一方向與一第三方向移動,該第一方向、該第二方向與該第三方向相互正交。
  2. 如請求項1所述之雷射處理設備,其中該第一影像攝取裝置包含多個攝影元件,該些攝影元件沿一線性方向排列。
  3. 如請求項1所述之雷射處理設備,其中該雷射模組包含多個雷射源。
  4. 如請求項3所述之雷射處理設備,其中該些雷射源包含連續性雷射或脈衝式雷射。
  5. 如請求項3所述之雷射處理設備,其中該些雷射源包含CO2雷射、CO雷射、氦鎘雷射、半導體雷射、光纖雷射、氦氖雷射、準分子雷射或YAG雷射。
  6. 如請求項3所述之雷射處理設備,其中該些雷射源的雷射光為深紫外光、紫外光、綠光、近紅外光或中紅外光。
  7. 一種雷射處理方法,包括提供一工件,該工件包含至少一目標區域,該至少一目標區域包含至少一特定特徵;進行一定位步驟,以一第一影像攝取裝置對該工件進行影像拍攝,並生成一第一影像,該第一影像攝取裝置將該第一影像傳送至一主控裝置,該主控裝置透過該第一影像在該工件上找尋該至少一目標區域;以及若該第一影像的解析度足以進行一特徵辨識步驟,則:該主控裝置基於該第一影像進行該特徵辨識步驟,對該至少一目標區域中的該至少一特定特徵進行一輪廓辨識及/或一材質辨識;以及進行一雷射處理步驟,藉由該主控裝置控制一雷射模組基於該特定特徵辨識步驟的結果對該特定特徵進行雷射處理; 若該第一影像的解析度不足以進行該特徵辨識步驟,則:進行一精定位步驟,該主控裝置控制一第二影像攝取裝置針對該至少一目標區域進行影像拍攝並生成一第二影像,該主控裝置接收該第二影像;該主控裝置基於該第二影像進行該特徵辨識步驟,對該至少一目標區域的該至少一特定特徵進行該輪廓辨識及/或該材質辨識;以及進行該雷射處理步驟;其中該第一影像攝取裝置與該平台適於沿一第二方向相對移動,該第二影像攝取裝置與該雷射模組適於沿一第一方向與一第三方向移動,該第一方向、該第二方向與該第三方向相互正交。
  8. 如請求項7所述之雷射處理方法,其中,該雷射處理步驟更包含該主控裝置基於該輪廓辨識的結果進行CAD/CAM建模,並基於該CAD/CAM建模的結果進行該雷射處理步驟的處理路徑規劃。
  9. 如請求項7所述之雷射處理方法,其中,該雷射處理步驟更包含該主控裝置基於該材質辨識的結果調整該雷射模組的一雷射源的參數。
  10. 如請求項7所述之雷射處理方法,其中該雷射模組包含有多個雷射源,該雷射處理步驟更包含該主控裝置基於該工件的類型或該材質辨識的結果,選擇該些雷射源的其中一個或複數個執行該雷射處理步驟。
  11. 如請求項7所述之雷射處理方法,其中於該定位步驟前,該主控裝置控制該雷射模組對該工件進行雷射預處理。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2015040917A1 (ja) 2013-09-17 2015-03-26 株式会社日立製作所 マルチカメラ撮影画像合成装置およびマルチカメラ撮影画像の合成方法

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