TWI842868B - 製作電子裝置的方法 - Google Patents

Abstract

公開了一種製作電子裝置的方法。首先，在第一基板上提供多個發光元件。然後，透過轉移接頭將發光元件中的至少一個從第一基板上轉移到第二基板上。轉移接頭包括電極以及懸臂，懸臂支撐電極，且懸臂具有U形部。

Description

製作電子裝置的方法

本揭露有關於一種製作電子裝置的方法，特別是一種利用轉移接頭轉移發光元件的製作電子裝置的方法。

電子裝置中的元件(例如發光二極體)已朝微型化發展。由於電子裝置中的微型元件數量增加，需發展出轉移技術來將微型元件進行大量轉移。然而，現有的轉移技術存在許多缺點，例如轉移接頭之移動自由度不佳而容易造成拾取不良，或微型元件損壞的問題。

根據本揭露的一實施例，公開一種製作電子裝置的方法。首先，在第一基板上提供多個發光元件。然後，透過轉移接頭將發光元件中的至少一個從第一基板上轉移到第二基板上。轉移接頭包括電極以及懸臂，懸臂支撐電極，且懸臂具有U形部。

根據本揭露的另一實施例，公開另一種製作電子裝置的方法。首先，在第一基板上提供多個發光元件。然後，透過轉移接頭將發光元件中的至少一個從第一基板上轉移到第二基板上。轉移接頭包括電極以及懸臂，懸臂支撐電極，電極包括第一子電極以及第二子電極，且第一子電極和第二子電極錯開。

1,1a:電子裝置

102:第一基板

104:發光元件

104a:半導體主體

104b,104c:接墊

106,106a:轉移接頭

106S:拾取面

108,208,308,408,508:接頭單元

110,310:電極

110E1,110E2,310E1,310E2:子電極

110S,114S:表面

112,412:懸臂

112a,112b,212a,212b,312a,312b,412a,412b,412c,412d,512a,512b:子懸臂

112L:L形部

112U,212U,512U:U形部

114,126:基板

116:連接元件

IN1,IN2,IN3:絕緣層

116a,OP:開口

118:介電層

120:第二基板

122:保護層

124,CL1,CL2:導電層

128:電路結構層

130,132:電極

134:第一電極

136:第二電極

138:第一半導體層

140:發光層

142:第二半導體層

CP1:連接部

D1:第一方向

D2:第二方向

DE:汲極

G:間距

GE:閘極

ML:材料層

PDL:像素定義層

S1,S2:側邊

SC:半導體層

SE:源極

SP:子部份

TFT:薄膜電晶體

VD:俯視方向

W1,W2,W3,W4,W5:寬度

A-A’:剖線

T1,T2:厚度

US1,US2,US3:上表面

CP:彎折部

C1,C2,C3:連接處

第1圖到第3圖所示為本揭露第一實施例的製作電子裝置的方法示意圖；

第4圖所示為本揭露第一實施例的一變化實施例的轉移接頭的剖視示意圖；

第5圖所示為本揭露一實施例的電子裝置的剖視示意圖；

第6圖所示為本揭露第一實施例的接頭單元的俯視示意圖；

第7圖所示為本揭露第二實施例的接頭單元的俯視示意圖；

第8圖所示為本揭露第三實施例的接頭單元的俯視示意圖；

第9圖所示為本揭露第四實施例的接頭單元的俯視示意圖；以及

第10圖所示為本揭露第五實施例的接頭單元的俯視示意圖。

下文結合具體實施例和附圖對本揭露的內容進行詳細描述，且為了使本揭露的內容更加清楚和易懂，下文各附圖為可能為簡化的示意圖，且其中的元件可能並非按比例繪製。附圖中的各元件的數量與尺寸僅為示意，並非用於限制本揭露範圍。

本揭露通篇說明書與所附的權利要求中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件，且本文並未意圖區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與權利要求書中，“含有”、“包括”與”具有”等詞均為開放式詞語，因此應被解 釋為“含有但不限定為...”之意。

本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本揭露。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。

當相應的構件例如膜層或區域被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向(orientation)。

應當理解到，當構件或膜層被稱為「連接至」另一個構件或膜層時，它可以直接連接到此另一構件或膜層，或者兩者之間存在有插入的構件或膜層。當構件被稱為「直接連接至」另一個構件或膜層時，兩者之間不存在有插入的構件或膜層。另外，當構件被稱為「耦接於另一個構件(或其變體)」時，它可以直接地連接到此另一構件，通過一或多個構件間接地連接(例如電性接)到此另一構件。

術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。

說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”等之用詞，以修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。

須說明的是，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本揭露精神的情況下構成另一實施例。

本揭露的電子裝置可包括顯示裝置、發光裝置、感測裝置或拼接裝置、其他適合的裝置、或上述裝置的組合，但不以此為限。顯示裝置可為可彎折或可撓式顯示裝置。

第1圖到第3圖所示為本揭露第一實施例的製作電子裝置的方法示意圖。如下將對第1圖到第3圖進行說明，且請同時參閱第6圖，第6圖為本揭露第一實施例的接頭單元的俯視示意圖，其中第1圖到第3圖所示的接頭單元108可例如為沿著第6圖的剖線A-A’的剖視示意圖，但不以此為限。如第1圖，首先在第一基板102上提供多個發光元件104。第1圖到第3圖所繪示的方法中以三個發光 元件104為例，但不以此為限。發光元件104可包括發光二極體(LED)、微型發光二極體(mini-LED或micro-LED)、量子點(quantum dots,QDs)材料、量子點發光二極體(QLED、QDLED)、螢光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他適合之材料或上述之組合，但不以此為限。發光元件104例如可發射出紅光、綠色、藍光或其它合適的波段光，但不以此為限。詳細的發光元件104的層疊將於後續第5圖所敘述。在一些實施例中，接墊104b及接墊104c可分別作為發光元件104的陽極與陰極，且接墊104b及接墊104c例如設置於半導體主體104a的同一側，例如為半導體主體104a之鄰近第一基板102的一側，但不限於此。在一些實施例中，第一基板102可例如作為暫時承載發光元件104的基板。第一基板102的材料包括玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、聚亞醯胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、其他適合的材料、或上述材料的組合，但不限於此。在一些實施例中，第一基板102可包括硬性基板、軟性基板或可撓式基板。在一些實施例中，發光元件104可包括導電圖案(於此實施例中，導電圖案可比對為半導體主體104a)，用以與轉移接頭106接觸。

接著，如第1圖到第3圖所示，透過轉移接頭106將發光元件104中的至少一個從第一基板102上轉移到第二基板120上。在一些實施例中，轉移接頭106可包括多個接頭單元108，用以分別拾取對應的發光元件104。本案舉一個接頭單元108用以拾取所對應的一個發光元件104為例，但不限於此。在其它實施例中(未繪示)，一個接頭單元108例如拾取所對應的多個發光元件104。詳細來說，轉移接頭106(例如接頭單元108)可包括電極110以及懸臂112，其中懸臂112連接電極110並用以支撐電極110。在一些實施例中，接頭單元108之電極110可例如具有一拾取面106S，拾取面106S例如朝向發光元件104透過電極110將其拾 取。在一些實施例中，電極110可包括兩個子電極(例如子電極110E1及子電極110E2)，且子電極110E1(可對應權利要求書中的第一子電極與第二子電極的其中一個)和子電極110E2(可對應權利要求書中的第一子電極與第二子電極的其中另一個)錯開，但不以此為限。在一些實施例中(未繪示)，電極110可例如無區分為兩個子電極(即無分第一子電極及第二子電極)，即電極110可例如為一體的結構，但不限於此。

參閱第1圖到第3圖，在一些實施例中，電極110及懸臂112可例如包括相同材料，但不限於此。換句話說，電極110及懸臂112可例如一體成形。在一些實施例中，電極110及/或懸臂112的材料例如包括半導體材料、透明導電材料、金屬導電材料或上述之組合，但不以此為限。半導體材料例如包括矽、鍺或上述之組合，但不限於此。在一些實施例中，電極110及/或懸臂112可包括單層材料或多層材料，但不限於此。在一些實施例中，電極110及/或懸臂112例如由材料層ML(例如為半導體材料)所形成，此材料層ML中可例如摻有摻雜物，使材料層ML可具有導電特性。在一些實施例中，外部線路(未繪示)可提供電壓至懸臂112，且此電壓可例如透過懸臂112傳送至電極110，但不以此為限。在一些實施例中，摻雜物可例如包括N型摻雜物、P型摻雜物或其他合適材料，但不限於此。

參閱第1圖到第3圖，轉移接頭106可包括基板114、連接元件116及/或介電層118，但不限於此。在一些實施例中，基板114可例如軟性基板或硬性基板。在一些實施例中，基板114上可選擇性包括電路，用以傳送電壓至電極110，但不以此為限。在一些實施例中，連接元件116例如設置於接頭單元108與 基板114之間。在一些實施例中，連接元件116可例如與懸臂112連接或接觸，以透過連接元件116將懸臂112固定於基板114上，但不限於此。在一些實施例中，相鄰的連接元件116之間可形成開口116a。在一些實施例中，在俯視方向VD上，電極110及/或懸臂112可例如重疊於開口116a，使電極110與部分的懸臂112懸空在開口116a上，用以提高電極110與懸臂112的移動自由度。藉此，電極110的拾取面106S可具有多方向的移動的自由度或旋轉的自由度，提高拾取面106S拾取發光元件104。在一些實施例中，連接元件116的材料例如包括絕緣材料，可例如包括氧化矽、其他合適材料或上述之組合，但不限於此。在一些實施例中，轉移接頭106可選擇性包括電路板(圖未示)，經由電路板將電極110及/或懸臂112電連接到控制元件(或電源)。在一些實施例中(未繪示)，基板114中可形成穿孔(via)，穿孔中例如設有導電材料，懸臂112可例如經由設於穿孔中的導電材料電連接到控制元件(或電源)。在一些實施例中(未繪示)，懸臂112與外部電路(未繪示)之間可透過其它連接的導電線所電性連接。

參閱第1圖到第3圖，在一些實施例中，介電層118可例如設置於部分的基板114之表面114S上，表面114S例如為鄰近於接頭單元108的表面。在一些實施例中，介電層118可設置於懸臂112上。在一些實施例中，表面114S上的介電層118及接頭單元108(包括懸臂112及電極110)上的介電層118可彼此相連接，但不限於此。換句話說，表面114S上的介電層118與接頭單元108上的介電層118可例如於相同製程中所形成，但不限於此。在一些實施例中，介電層118可例如透過原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)技術或其它合適的方法來製作。在一些實施例中，介電層118可覆蓋於連接元件116、及/或接頭單元108。在一些實施例中，透過將介電層118設置於轉移接頭106的電極110上，可使轉移接頭106 與發光元件104接觸時，電極110與發光元件104彼此絕緣。

在一些實施例中，電極110包括子電極110E1及子電極110E2，可透過分別施加不同電壓(例如不同極性的電壓)至子電極110E1及子電極110E2，使子電極110E1與子電極110E2之間產生電場(例如邊界電場)，進而使電極110與發光元件104之間產生靜電感應(electrostatic induction)。當電極110與發光元件104之間產生靜電感應，發光元件104與轉移接頭106之間可例如產生感應電荷，用以將發光元件104吸起或拾取。在一些實施例中，施加於子電極110E1與子電極110E2之間的電壓差的範圍可大於0V且小於或等於110V(0V<電壓差≦110V)，但不限於此。在一些實施例中，施加於子電極110E1與子電極110E2之間的電壓差的範圍可大於或等於10V且小於或等於80V(10V≦電壓差≦80V)，但不限於此。

在一些實施例中，介電層118的材料可包括絕緣材料，例如高介電係數的介電材料或其他適合的材料。介電層118的材料可例如包括氧化鋁、氧化矽、其他適合的材料或上述之組合，且不以此為限。

參閱第1圖到第3圖及第6圖，在一些實施例中，於剖視方向上，電極110的厚度例如大於懸臂112的厚度，但不限於此。在一些實施例中，電極110與懸臂112例如由同一材料層(例如材料層ML)所形成時，電極110可定義為材料層ML中厚度較厚的部分，而懸臂112則定義為材料層ML中厚度較薄的部分。在一些實施例中(如第1圖至第6圖所示)，電極110與懸臂112例如由同一材料層(例如材料層ML)所形成時，電極110可大致對應於中間部分。透過將電極110的厚度設計大於懸臂112的厚度，當轉移接頭106與發光元件104接觸時，電極110可較懸 臂112更接近於發光元件104，透過電極110來拾取對應的發光元件104，提高發光元件104轉移至第二基板的對位準確性。換句話說，透過將電極110的厚度設計大於懸臂112的厚度，可降低發光元件104被懸臂112誤拾取的情況。在一些實施例中，電極110的厚度T1與懸臂112的厚度T2差異可大於或等於20μm且小於或等於70μm(20μm≦T1-T2≦70μm)，但不限於此。在一些實施例中，電極110的厚度T1與懸臂112的厚度T2差異可大於或等於30μm且小於或等於60μm(30μm≦T1-T2≦60μm)，但不限於此。在其它實施例(未繪示)，於剖視方向上，電極110的厚度T1例如大致等於或大於懸臂112的厚度T2，而電極110的材料例如比懸臂112的材料有更高的導電性。

請參閱第4圖，其所示為本揭露第一實施例的一變化實施例的轉移接頭的剖視示意圖。第4圖的轉移接頭顯示一個接頭單元，但不以此為限。第4圖所示的轉移接頭106a與第1圖所示的轉移接頭106的差異在於，轉移接頭106a更包括導電層124，導電層124例如設置於電極110的上表面110S與介電層118之間。詳細來說，在一些實施例中，當電極110的材料包括半導體材料，且未摻有摻雜物時，可另外透過導電層124的設置，用以使導電層124與發光元件104產生靜電感應。在一些實施例中，導電層124可設置於至少部分的懸臂112與介電層118之間。在一些實施例中，導電層124可設置於連接元件116與介電層118之間。

請繼續參閱第1圖到第3圖。將發光元件104從第一基板102轉移到第二基板120上的步驟詳細描述如下。如第1圖所示，移動轉移接頭106，使轉移接頭106之不同電極110之拾取面106S分別與欲拾取的發光元件104接觸。在一些實施例中，不同發光元件104的上表面(例如遠離第一基板102的表面)可例如非位於 相同的水平面上。上述的水平面例如為與第一基板102的表面大致平行的表面。舉例來說，如第1圖所示，最左側的發光元件104的上表面US1與中間的發光元件104的上表面US2例如非位於相同的水平面上。在一些實施例中，發光元件104(例如最右側的發光元件104)的上表面US3可例如呈傾斜表面(或具有弧形的表面)，即上表面US3可例如未平行於第一基板102的表面。在一些實施例中，懸臂112可具有彎折部，用以提高電極110之拾取面106S的移動自由度，詳細彎折部的敘述可參考後續第6圖說明。透過懸臂112的彎折部設計，在將轉移接頭106接觸發光元件104時，不同的拾取面106S可更自由的配合發光元件104的上表面，提高拾取面106S與對應的發光元件104的接觸面積，增加拾取發光元件104的機率。如第2圖所示，發光元件104例如被吸附在轉移接頭106之電極110之的拾取面106S上，後續可將發光元件104與第一基板102分離。

如第3圖所示，將轉移接頭106移至第二基板120上，然後移除電極110上的電壓，使發光元件104可脫離轉移接頭106，而位於第二基板120上。如第1圖至第3圖之步驟，形成本實施例的電子裝置1，但不限於此，可根據需求增加或刪除步驟。

請參閱第5圖，其所示為本揭露一實施例的電子裝置的剖視示意圖。在將發光元件104設置在第二基板120上後，可選擇性設置保護層122於發光元件104與第二基板120上。在一些實施例中，第二基板120可例如包括薄膜電晶體基板或電路板，但不以此為限。舉例來說，第二基板120可例如包括基板126及電路結構層128，電路結構層128用以傳送訊號至設置於第二基板120上的發光元件104。基板126可包括硬性基板或可撓性基板，基板的材料例如包括玻璃、陶瓷、 石英、藍寶石、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)或聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)，或前述的組合，但不限於此。在一些實施例中，基板126可包括硬性基板、軟性基板或可撓式基板。在一些實施例中，電路結構層128可包括用於形成閘極GE及/或掃描線(未繪示)的導電層CL1、絕緣層IN1、半導體層SC、絕緣層IN2、以及用於形成源極SE、汲極DE及/或資料線(未繪示)的導電層CL2，但不以此為限。導電層CL1、絕緣層IN1、半導體層SC、絕緣層IN2及導電層CL2可形成多個薄膜電晶體TFT，且發光元件104可電性連接於薄膜電晶體TFT。薄膜電晶體TFT的類型不限如第5圖所示的底閘型，也可包括頂閘型、雙閘型或其他合適的類型，但不限於此。在一些實施例中，保護層122可例如包括無機材料層、有機材料層或上述之組合，用以降低水氣或氧氣的影響。在一些實施例中，保護層122例如包括單層或多層的結構。

在一些實施例中，第二基板120可包括電極130、電極132及絕緣層IN3，絕緣層IN3設置於電路結構層128上，電極130與電極132設置於絕緣層IN3上，且電極130透過絕緣層IN3的穿孔與薄膜電晶體TFT電性連接。在一些實施例中，半導體層SC可例如包括金屬氧化物、非晶矽、低溫多晶矽(low-temperature polysilicon,LTPS)或低溫多晶氧化物(low-temperature polycrystalline oxide,LTPO)，但不限於此。在一些實施例中，不同的薄膜電晶體TFT可包含上述不同材料的半導體層SC，但不限於此。在一些實施例中，第二基板120可包括像素定義層PDL，設置於絕緣層IN3上，且像素定義層PDL具有多個開口OP，發光元件104可設置於開口OP中且電性連接電極130與電極132。

在一些實施例中，發光元件104(例如半導體主體104a)可包括第一電 極134、第二電極136、第一半導體層138、發光層140以及第二半導體層142，但不限於此。第一電極134連接於第一半導體層138與接墊104b之間，第二電極136連接於第二半導體層142與接墊104c之間。舉例來說，第一半導體層138可包括P型半導體材料及N型半導體材料中的一者，第二半導體層142可包括P型半導體材料及N型半導體材料中的另一者，但不以此為限。在一些實施例中，第二半導體層142可為導電圖案，用以與轉移接頭接觸，但不限於此。

需說明的是，雖然第1圖到第3圖未繪示出，但本實施例的懸臂112在俯視方向VD上可具有至少一彎折部(如第6圖所示彎折部CP)。在一些實施例中，於俯視方向VD上，懸臂112可包括L形部、U形部或其他合適的形狀部。透過上述設計，可提高懸臂112與所連接的電極110之間的移動自由度或提高電極110(例如拾取面106S)的旋轉之自由度。舉例來說，當發光元件104的表面高低不同(即位於不同水平面)或具有傾斜表面時，透過如上的懸臂112設計，當轉移接頭106的拾取面106S接觸發光元件104(例如發光元件104的表面)時，轉移接頭106的拾取面106S可根據所對應的發光元件104的表面情況而有所調變，例如調變轉移接頭106的拾取面106S的傾斜度或拾取面106S與基板114的距離，提升電極110的拾取面106S與對應的發光元件104的接觸面積，提升拾取的機率。

請參閱第6圖，第6圖所示為第一實施例的接頭單元的俯視示意圖，其中第1圖到第3圖所示的接頭單元108或第4圖所示的接頭單元108可例如為沿著第6圖的剖線A-A’的剖視示意圖，但不以此為限。下文以第1圖到第3圖所示的接頭單元108為例描述。如第6圖所示，懸臂112可包括至少兩條子懸臂(例如子懸臂112a、子懸臂112b)，子懸臂112a及子懸臂112b例如分別連接於子電極110E1及 子電極110E2，透過子懸臂112a及子懸臂112b分別用以支撐子電極110E1及子電極110E2。在一些實施例中，子懸臂112a、子懸臂112b可例如分別連接於電極110的兩相對側，但不限於此。在一些實施例中，子懸臂112a、電極110及子懸臂112b可例如沿著第一方向D1依序排列，但不限於此。在一些實施例中(未繪示)，接頭單元108可包括至少一子懸臂，連接於電極110的至少一側。在一些實施例中(未繪示)，子電極110E1及子電極110E2可具有弧形邊緣。

在一些實施例中，在俯視方向VD上，子懸臂112a及/或子懸臂112b可分別具有至少一彎折部。具體而言，子懸臂112a及/或子懸臂112b可包括至少兩個彎折部CP，以形成至少一U形部112U(或ㄩ形部)。在一些實施例中(未繪示)，彎折部CP可根據需求設計成有弧形邊緣。在第6圖所示的接頭單元108中，子懸臂112a及/或子懸臂112b可例如具有兩個U形部112U，兩個U形部112U例如分別朝向相反的方向，例如一個U形部112U的開口處朝上，另一個U形部112U的開口處朝下，但不限於此。其中兩個U形部112U可例如彼此連接以形成蜿蜒形狀，不限於此，而兩個U形部112U例如具有一連接處C3。在一些實施例中，子懸臂112a及子懸臂112b中的至少一個可選擇性包括L形部112L，連接於U形部112U與對應的子電極110E1(或子電極110E2)之間，但不限於此。在一些實施例中，將子懸臂112a大致旋轉180度後即為子懸臂112b，但不限於此。在一些實施例中(未繪示)，子懸臂112a及子懸臂112b可例如呈鏡像對稱，但不限於此。在一些實施例中(未繪示)，子懸臂112a及子懸臂112b可例如不對稱。一些實施例中，子懸臂112a及子懸臂112b的長度及/或外型可以相同或不同，但不限於此。

在一些實施例中，子懸臂112a與子電極110E1的連接處C1可例如與子 懸臂112b與子電極110E2的連接處C2位於不同的水平線上，上述水平線例如平行第一方向D1。在一些實施例中(未繪示)，子懸臂112a與子電極110E1的連接處C1可例如與子懸臂112b與子電極110E2的連接處C2位於相同的水平線上。在一些實施例中，在第一方向D1上，子懸臂112a的寬度W2及/或子懸臂112b的寬度W3可大於或等於50μm且小於或等於200μm(50μm≦W2≦200μm；50μm≦W3≦200μm)，但不限於此。在一些實施例中，在第一方向D1上，子懸臂112a的寬度W2(及/或子懸臂112b的寬度W3)可大於或等於80μm且小於或等於170μm(80μm≦W2≦170μm；80μm≦W3≦170μm)，但不限於此。在一些實施例中，寬度W2與寬度W3可以相同或不同。

在一些實施例中，於俯視方向VD方向上看，子電極110E1及/或子電極110E2可呈螺旋狀，但不限於此。在一些實施例中，於俯視方向VD方向上看，子電極110E1及/或子電極110E2的形狀也可為梳狀或其他適合的形狀。在一些實施例中，於俯視方向VD方向上看，框住電極110之外邊緣的圖型輪廓(如粗虛線的框)可例如包括矩形、圓形、多邊形、弧邊形或其他合適的形狀。第6圖所示之圖型輪廓以矩形為例，子電極110E1及/或子電極110E2可包括多個長度不同的子部份，依序連接成螺旋狀，但不限於此。在一些實施例中，子電極110E1及子電極110E2的子部份的數量可相同或不相同。

在一些實施例中，子電極110E1及子電極110E2彼此錯開。在一些實施例中，子電極110E1及子電極110E2之間可具有間距G1及間距G2。間距G1例如為子電極110E1及子電極110E2之間於第一方向D1上的最小距離，間距G2例如為子電極110E1及子電極110E2之間於第二方向D2上的最小距離，其中第一方向D1 與第二方向D2不同(兩者可大致呈垂直)，但不限於此。在一些實施例中，間距G1及間距G2可以相同或不同。在一些實施例中，子電極110E1的側邊S1可鄰近於子電極110E2的側邊S2，當於子電極110E1與子電極110E2之間施加不同的電壓時，子電極110E1的側邊S1與子電極110E2的側邊S2之間可例如形成一電場(例如邊緣電場)。在一些實施例中，隨著側邊S1及側邊S2的長度越長，可提高電場，使電極110對發光元件104的吸附力提高。在一些實施例中，間距G1(及/或間距G2)可大於或等於3μm且小於或等於500μm(3μm≦G1≦500μm；3μm≦G2≦500μm)，但不限於此。在一些實施例中，間距G1(及/或間距G2)可大於或等於10μm且小於或等於400μm(10μm≦G1≦400μm；10μm≦G2≦400μm)，但不限於此。在一些實施例中，間距G1(及/或間距G2)可大於或等於100μm且小於或等於300μm(100μm≦G1≦300μm；100μm≦G2≦300μm)，但不限於此。

在一些實施例中，子電極110E1的寬度W4與子電極110E2的寬度W5可例如相同或不同。寬度W4可例如為在垂直子部份(子電極110E1中的其中一子部份)的延伸方向上所量測的最大寬度，而寬度W5可例如在垂直子部份(子電極110E2的其中一子部份)的延伸方向上所量測的最大寬度。在一些實施例中，寬度W4(及/或寬度W5)可大於或等於1μm且小於或等於500um(1μm≦W4≦500μm；1μm≦W5≦500μm)。在一些實施例中，寬度W4(及/或寬度W5)可大於或等於5μm且小於或等於300um(5μm≦W4≦300μm；5μm≦W5≦300μm)。在一些實施例中，在第一方向D1上，電極110的寬度W1可例如與發光元件104的寬度實質上相同，但不限於此。在一些實施例中，在第一方向D1上，電極110的寬度W1可例如大於發光元件104的寬度。在一些實施例中，在第一方向D1上，電極110的寬度W1可例如小於發光元件104的寬度。在一些實施例中，在俯視方向VD上， 電極110的面積可例如與發光元件104的面積實質上相同。在一些實施例中，在俯視方向VD上，電極110的面積可例如大於發光元件104的面積。在一些實施例中，在俯視方向VD上，電極110的面積可例如小於發光元件104的面積。

第7圖所示為本揭露第二實施例的接頭單元的俯視示意圖。如第7圖所示，接頭單元208與第6圖的接頭單元的差異在於子電極110E1及/或子電極110E2例如可分別連接兩條子懸臂(例如子懸臂212a及子懸臂212b)，但不限於此。在其他實施例中，子電極所連接的子懸臂數量可根據需求做調整。在一些實施例中，子懸臂212a及/或子懸臂212b可例如連接於子電極E1(及/或子電極E2)之側邊部的中間部，但不限於此。

在一些實施例中，子懸臂212a及/或子懸臂212b可分別包括兩個U形部212U，兩個U形部212U的開口可例如分別朝向不同方向，但不以此為限。

在一些實施例中，連接同一子電極(例如子電極110E1或子電極110E2)的子懸臂212a及子懸臂212b可相對於第一方向D1彼此對稱，但不限於此。

第8圖所示為本揭露第三實施例的接頭單元的俯視示意圖。如第8圖所示，接頭單元308與第6圖或第7圖之實施例的接頭單元的差異在於子電極310E1及/或子電極310E2在俯視方向VD的形狀可例如為梳狀。具體來說，子電極310E1及/或子電極310E2可分別具有多個子部份SP及連接部CP1。在一些實施例中，在子電極310E1及/或子電極310E2中，連接部CP1例如與多個子部份SP連 接以形成梳狀。在一些實施例中，子電極310E1的子部份SP與子電極310E2的子部份SP可例如沿著第一方向D1交替或錯位(錯開)排列，使子電極310E1的子部份SP與子電極310E2的子部份SP之間可形成電場，以提升電極310的吸附力。在一些實施例中，連接同一子電極(例如子電極310E1或子電極310E2)的子懸臂312a及子懸臂312b可相對於子電極(例如子電極310E1或子電極310E2)彼此對稱。在一些實施例中，連接子電極310E1的子懸臂312a可與連接子電極310E2的子懸臂312a彼此對稱。在一些實施例中，連接子電極310E1的子懸臂312b可與連接子電極310E2的子懸臂312b彼此對稱。

第9圖所示為本揭露第四實施例的接頭單元的俯視示意圖。如第9圖所示，接頭單元408與第一實施例的接頭單元的差異在於懸臂412可包括四個子懸臂(例如子懸臂412a、子懸臂412b、子懸臂412c及子懸臂412d)，分別連接於電極110的四側邊，但不限於此。

在一些實施例中，在俯視方向VD上，子懸臂412a、子懸臂412b、子懸臂412c及/或子懸臂412d的形狀可例如為U形(ㄩ形)或L形。在一些實施例中，子懸臂412a、子懸臂412b、子懸臂412c及/或子懸臂412d的開口可例如朝向電極110。在一些實施例中，子懸臂412a、子懸臂412b、子懸臂412c及/或子懸臂412d的至少一端部可連接到電極110。舉例來說，子懸臂412a的一端部可連接到子電極110E1，而另一端部與子電極110E1分隔開。子懸臂412b的一端部可連接到子電極110E2，而另一端部與子電極110E2分隔開。在一些實施例中，子懸臂412c的兩端部皆可連接到子電極110E1。在一些實施例中，子懸臂412d的兩端部皆可連接到子電極110E2。

第10圖所示為本揭露第五實施例的接頭單元的俯視示意圖。如第10圖所示，接頭單元508與上述實施例的接頭單元的差異在於分別與子電極110E1、110E2連接的子懸臂512a及子懸臂512b可包括多個U形部512U，且U形部512U的開口分別朝左及右。在一些實施例中，子懸臂512a及/或子懸臂512b的U形部512U可例如相連接而形成蜿蜒形狀，且於一端部連接對應的子電極110E1及/或子電極110E2。在一些實施例中，多個子懸臂可根據需求連接於電極的不同角落。在一些實施例中(未繪示)，不同子懸臂可例如分別設置在電極的兩相對側，但不限於此。在一些實施例中(未繪示)，不同的子懸臂可例如分別設置在電極的鄰近兩側。

綜上所述，本揭露的轉移接頭由於具有彎折的子懸臂，使得由懸臂支撐的電極不只可在垂直方向上的移動，還可具有旋轉的自由度，如此一來可提升對應電極的拾取面與微型元件接觸的自由度。藉此，當不同微型元件的表面高低不同或具有傾斜表面時，轉移接頭的拾取面可搭配對應的微型元件的表面，而提升與對應的微型元件的接觸面積，以增加拾取的成功率，或者降低對微型元件的破壞。另外，本揭露透過圖案化電極，使得子電極彼此對應的側邊長度(即邊緣電場區域的長度)可增加，因此當子電極之間施加電壓差時，可提升電極所提供的吸附力，進而降低拾取不良或遺漏。

以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。

102:第一基板

104:發光元件

104a:半導體主體

104b,104c:接墊

106:轉移接頭

106S:拾取面

108:接頭單元

110:電極

110E1,110E2:子電極

112:懸臂

114:基板

114S:表面

116:連接元件

116a:開口

118:介電層

D1:第一方向

D2:第二方向

ML:材料層

VD:俯視方向

T1,T2:厚度

US1,US2,US3:上表面

Claims (9)

1. 一種製作電子裝置的方法，包括：在一第一基板上提供多個發光元件；以及透過一轉移接頭將所述多個發光元件中的至少一個從所述第一基板上轉移到一第二基板上；其中所述轉移接頭包括一電極、一懸臂、一基板與兩相鄰的連接元件，所述懸臂包括一第一子懸臂及一第二子懸臂，所述第一子懸臂及所述第二子懸臂支撐所述電極，所述第一子懸臂連接於所述電極的一端，所述第二子懸臂連接於所述電極的另一端，且從所述轉移接頭的俯視方向觀看，所述第一子懸臂與所述第二子懸臂具有U形部，其中所述兩相鄰的連接元件中的一者連接於所述第一子懸臂與所述基板之間，所述兩相鄰的連接元件中的另一者連接於所述第二子懸臂與所述基板之間，所述兩相鄰的連接元件之間形成開口，且從所述轉移接頭的所述俯視方向觀看，所述電極重疊於所述開口。
2. 根據請求項1所述的製作電子裝置的方法，其中所述電極包括一第一子電極以及一第二子電極，且所述第一子電極和所述第二子電極錯開。
3. 根據請求項2所述的製作電子裝置的方法，其中所述第一子懸臂支撐所述第一子電極，且所述第二子懸臂支撐所述第二子電極。
4. 根據請求項2所述的製作電子裝置的方法，其中所述第一子電極為 梳狀。
5. 根據請求項2所述的製作電子裝置的方法，其中所述第一子電極為螺旋狀。
6. 根據請求項1所述的製作電子裝置的方法，其中所述多個發光元件中的所述至少一個包括一導電圖案，用以與所述轉移接頭接觸。
7. 一種製作電子裝置的方法，包括：在一第一基板上提供多個發光元件；以及透過一轉移接頭將所述多個發光元件中的至少一個從所述第一基板上轉移到一第二基板上；其中所述轉移接頭包括一電極以及一懸臂，所述懸臂支撐所述電極，所述電極包括一第一子電極以及一第二子電極，所述懸臂包括一第一子懸臂及一第二子懸臂，所述第一子懸臂連接於所述第一子電極的一端，所述第二子懸臂連接於所述第二子電極的一端，且所述第一子電極和所述第二子電極錯開，其中從所述轉移接頭的俯視方向觀看，所述第一子懸臂及所述第二子懸臂分別具有至少一彎折部，且所述第一子電極的一子部份設置於所述第二子電極的兩子部份之間。
8. 根據請求項7所述的製作電子裝置的方法，其中所述第一子電極為梳狀。
9. 根據請求項7所述的製作電子裝置的方法，其中所述第一子電極為螺旋狀。

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