TWI840542B

TWI840542B - 研磨墊

Info

Publication number: TWI840542B
Application number: TW109110479A
Authority: TW
Inventors: 松岡立馬; 栗原浩; 鳴島早月; 高見沢大和
Original assignee: 日商富士紡控股股份有限公司
Priority date: 2019-03-29
Filing date: 2020-03-27
Publication date: 2024-05-01

Abstract

本發明之研磨墊1於由硬質胺酯所構成之研磨層之研磨面形成有呈同心圓狀設置之複數個圓形溝槽2、及呈格子狀交叉之複數個直線溝槽3。相鄰之圓形溝槽2與圓形溝槽2之槽距超過5 mm且為10 mm以下，並且，將圓形岸台部之面積率與直線岸台部之面積率相乘所得的岸台面積比率為0.70～0.92；該圓形岸台部之面積率係自形成於圓形溝槽2與圓形溝槽2之間之圓形岸台部4之岸台寬及圓形溝槽2之槽寬求出；該直線岸台部之面積率係自形成於直線溝槽3與直線溝槽3之間之直線岸台部5之岸台寬及直線溝槽3之槽寬求出。藉由抑制岸台部之變形，可獲得研磨性能良好之研磨墊1。

Description

研磨墊

本發明係關於一種研磨墊，更詳細而言，係關於一種於由硬質胺酯所構成之研磨層之研磨面形成有呈同心圓狀設置之複數個圓形溝槽、及呈格子狀交叉之複數個直線溝槽的研磨墊。

以往，為了研磨光學材料或半導體基板、硬碟用玻璃基板等被研磨物，使用研磨墊，作為此種研磨墊，已知有具備由聚胺酯等硬質胺酯所構成之研磨層，且於該研磨層之研磨面形成有呈同心圓狀設置之複數個圓形溝槽、及呈格子狀交叉之複數個直線溝槽的研磨墊（專利文獻1、2）。於使用上述研磨墊進行被研磨物之研磨之情形時，於被研磨物與研磨墊之間供給液狀漿料，此時，上述圓形溝槽作為保持上述漿料之保持槽發揮功能，上述直線溝槽作為排出研磨屑及使用後之漿料之排出槽發揮功能。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2006-156876號公報 [專利文獻2]日本特開2013-35108號公報

[發明所欲解決之課題]

上述圓形溝槽與直線溝槽較理想為以漿料之保持功能與排出功能平衡之方式形成，但於圓形溝槽與圓形溝槽之槽距較窄之情形時，形成於圓形溝槽與圓形溝槽之間之岸台部變窄而無法維持剛性，從而有對研磨性能造成影響之虞。鑒於此種問題，本發明提供進一步提高研磨性能之研磨墊。 [解決課題之技術手段]

即，請求項1之發明中之研磨墊係於由硬質胺酯所構成之研磨層之研磨面形成有呈同心圓狀設置之複數個圓形溝槽、及呈格子狀交叉之複數個直線溝槽者，其特徵在於：相鄰之圓形溝槽與圓形溝槽之槽距超過5 mm且為10 mm以下，並且，將圓形岸台部之面積率與直線岸台部之面積率相乘所得的岸台面積比率為0.70～0.92；該圓形岸台部之面積率係自形成於圓形溝槽與圓形溝槽之間之圓形岸台部之岸台寬及圓形溝槽之槽寬求出；該直線岸台部之面積率係自形成於直線溝槽與直線溝槽之間之直線岸台部之岸台寬及直線溝槽之槽寬求出。 [發明之效果]

藉由上述發明，可維持形成於圓形溝槽與圓形溝槽之間之圓形岸台部之剛性，並且可平衡地發揮圓形溝槽之漿料保持功能與直線溝槽之排出功能，從而可獲得良好之研磨性能。

以下，針對圖示實施例對本發明進行說明，圖1表示本發明之研磨墊1，用於研磨光學材料或半導體基板、硬碟用玻璃基板等被研磨物。上述研磨墊1具有呈大致圓盤狀之由硬質胺酯所構成之研磨層，於研磨被研磨物之研磨面形成有呈同心圓狀設置之複數個圓形溝槽2、及呈格子狀交叉之複數個直線溝槽3。構成研磨層之硬質胺酯藉由預聚物法而製造，該預聚物法係使用作為多元醇成分與異氰酸酯成分之反應中間物之胺酯預聚物，使添加混合二胺類或二醇類等硬化劑（鏈延長劑）、發泡劑、觸媒等而獲得之聚胺酯聚脲樹脂硬化。雖未圖示，上述研磨墊1藉由雙面膠帶等固定於研磨裝置之研磨壓盤，上述被研磨物真空吸附於支持壓盤。並且，藉由驅動手段使上述研磨壓盤及支持壓盤相對旋轉，並且使上述支持壓盤自研磨壓盤之中心位置沿半徑方向往返移動，藉此，上述研磨墊1與被研磨物相對旋轉並滑動，進行被研磨物之研磨。此時，於研磨墊1與被研磨物之間，供給所需之藥品中混合有研磨粒之液狀漿料，進行藉由上述研磨墊1而進行之機械研磨、及藉由上述漿料而進行之化學研磨。具有此種構成之研磨裝置本身係以往公知者，省略進一步之詳細說明。再者，除具有上述構成之研磨裝置以外，亦可使用例如不驅動支持壓盤而藉由研磨壓盤之旋轉帶動支持壓盤旋轉之研磨裝置等具有其他構成之研磨裝置。

繼而，作為本實施例之研磨墊1之研磨層之製造方法，例如可列舉包含：準備步驟，其係至少準備作為預聚物之含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物、硬化劑、中空體；混合步驟，其至少將上述含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物、硬化劑混合，獲得成形體成形用混合液；成形體成形步驟，其係自上述成形體成形用混合液成形聚胺酯聚脲樹脂成形體；及研磨層形成步驟，其係自上述聚胺酯聚脲樹脂成形體形成具有上述研磨面之研磨層。

作為上述準備步驟，於上述研磨墊1之製造中，例如使用含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物、硬化劑、中空體作為聚胺酯聚脲樹脂成形體之原料。進而亦可將多元醇化合物與上述成分一起使用，亦可於不損及本發明之效果之範圍內併用除上述以外之成分。

上述準備步驟中準備之上述含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物係藉由使下述聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物於通常使用之條件下反應而獲得之化合物，且於分子內包含胺酯鍵與異氰酸基。又，於含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物中，亦可於不損及本發明之效果之範圍內包含其他成分。作為上述含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物，亦可使用市售者，亦可使用使聚異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而合成者。上述反應無特別限制，只要於聚胺酯樹脂之製造中使用公知之方法及條件進行加成聚合反應即可。例如，可藉由如下方法製造：一面於氮氣氛圍下攪拌，一面將加溫至50℃之聚異氰酸酯化合物添加至加溫至40℃之多元醇化合物中，30分鐘後升溫至80℃，進而於80℃反應60分鐘。

首先，上述聚異氰酸酯化合物係指分子內含有2個以上異氰酸基之化合物。又，作為聚異氰酸酯化合物，只要於分子內具有2個以上異氰酸基，則無特別限制。例如，作為分子內具有2個異氰酸基之二異氰酸酯化合物，可列舉：間苯二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯（2,6-TDI）、2,4-甲苯二異氰酸酯（2,4-TDI）、萘-1,4-二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯（MDI）、4,4'-亞甲基-雙(環己基異氰酸酯)（氫化MDI）、3,3'-二甲氧基-4,4'-聯苯二異氰酸酯、3,3'-二甲基二苯基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、苯二甲基-1,4-二異氰酸酯、4,4'-二苯基丙烷二異氰酸酯、三亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸丙基-1,2-二異氰酸酯、伸丁基-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,2-二異氰酸酯、伸環己基-1,4-二異氰酸酯、對苯二異硫氰酸酯、苯二甲基-1,4-二異硫氰酸酯、次乙基二異硫氰酸酯等。進而，作為聚異氰酸酯化合物，較佳為二異氰酸酯化合物，其中，更佳為2,4-TDI、2,6-TDI、MDI，尤佳為2,4-TDI、2,6-TDI。該等聚異氰酸酯化合物可單獨使用，亦可組合使用複數個聚異氰酸酯化合物。

繼而，上述多元醇化合物係指分子內具有2個以上醇性羥基（OH）之化合物。作為用於合成上述含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物之多元醇化合物，可列舉：乙二醇、二乙二醇（DEG）、丁二醇等二醇化合物、三醇化合物等；聚氧四亞甲基二醇（或聚四亞甲基醚二醇）（PTMG）等聚醚多元醇化合物；乙二醇與己二酸之反應物及丁二醇與己二酸之反應物等聚酯多元醇化合物；聚碳酸酯多元醇化合物、聚己內酯多元醇化合物等。又，亦可使用已加成環氧乙烷之3官能性丙二醇。其中，較佳為PTMG、或PTMG與DEG之組合。上述多元醇化合物可單獨使用，亦可組合使用複數個多元醇化合物。

此處，作為表示每1個NCO基之PP（預聚物）之分子量的預聚物之NCO當量，較佳為200～800，更佳為300～700，進而更較佳為400～600。具體而言，上述預聚物之NCO當量能夠以如下方式求出。預聚物之NCO當量＝（聚異氰酸酯化合物之質量份＋多元醇化合物之質量份）/[（聚異氰酸酯化合物每1分子之官能基數×聚異氰酸酯化合物之質量份/聚異氰酸酯化合物之分子量）－（多元醇化合物每1分子之官能基數×多元醇化合物之質量份/多元醇化合物之分子量）]

作為上述硬化劑（亦稱為鏈伸長劑），例如可使用聚胺化合物及/或多元醇化合物。聚胺化合物係指分子內具有2個以上胺基之化合物，可使用脂肪族或芳香族之聚胺化合物、特別是二胺化合物。例如可列舉：乙二胺、丙二胺、六亞甲基二胺、異佛爾酮二胺、二環己基甲烷-4,4'-二胺、3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯甲烷(亞甲基雙-鄰氯苯胺)（以下，簡略記為MOCA）、具有與MOCA相同之結構之聚胺化合物等。又，聚胺化合物亦可具有羥基，作為此種胺系化合物，例如可列舉：2-羥乙基乙二胺、2-羥乙基丙二胺、二-2-羥乙基乙二胺、二-2-羥乙基丙二胺、2-羥丙基乙二胺、二-2-羥丙基乙二胺等。作為聚胺化合物，較佳為二胺化合物，更佳為MOCA、二胺基二苯甲烷、二胺基二苯基碸，尤佳為MOCA。聚胺化合物可單獨使用，亦可組合使用複數個聚胺化合物。為了容易與其他成分混合、及/或提高隨後之成形體形成步驟中之氣泡直徑之均一性，聚胺化合物較佳為視需要於加熱之狀態下進行減壓下消泡。作為減壓下之消泡方法，於聚胺酯之製造中使用公知之方法即可，例如可使用真空泵以0.1 MPa以下之真空度進行消泡。於使用固體之化合物作為硬化劑（鏈伸長劑）之情形時，可一面藉由加熱進行熔融，一面進行減壓下消泡。

又，作為硬化劑之多元醇化合物只要係二醇化合物及三醇化合物等化合物，則可無特別限制地使用。又，可與用於形成預聚物之多元醇化合物相同，亦可不同。作為具體例，可列舉：乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、戊二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,6-己二醇等低分子量二醇、聚氧四亞甲基二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等高分子量之多元醇化合物等。上述多元醇化合物可單獨使用，亦可組合使用複數個多元醇化合物。

此處，以作為存在於硬化劑之活性氫基（胺基及羥基）相對於存在於上述含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物之末端之異氰酸基之當量比的R值成為0.60～1.40之方式混合各成分。R值較佳為0.65～1.30，更佳為0.70～1.20。

上述中空體係指具有空隙之微小球體。微小球體包含球狀、橢圓狀、及接近該等之形狀者。作為中空體之例，可列舉：以由熱塑性樹脂所構成之外殼（聚合物殼）、及包含於外殼內之低沸點烴構成之未發泡之加熱膨脹性微小球狀體、或使未發泡之加熱膨脹性微小球狀體加熱膨脹而得者。作為上述聚合物殼，如日本專利特開昭57-137323號公報等所揭示，例如可使用丙烯腈-偏二氯乙烯共聚物、丙烯腈-甲基丙烯酸甲酯共聚物、氯乙烯-乙烯共聚物等熱塑性樹脂。同樣地，作為包含於聚合物殼內之低沸點烴，例如可使用異丁烷、戊烷、異戊烷、石油醚等。再者，除使用上述中空體以外，亦可使用水發泡等化學發泡或機械攪拌之發泡形成氣泡，亦可組合該等方法。

繼而，對混合步驟進行說明，於該混合步驟中，將上述準備步驟中準備之作為預聚物之含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物、硬化劑及中空體供給至混合機內，進行攪拌、混合。混合步驟係於加溫至可確保上述各成分之流動性之溫度之狀態下進行。混合順序無特別限制，但較佳為準備將含有胺酯鍵之異氰酸酯化合物與中空體混合所得之混合液、及將硬化劑及視需要之其他成分混合所得之混合液，將兩混合液供給至混合器內，進行混合攪拌。如此，製備成形體成形用混合液。

繼而，於成形體成形步驟中，使上述混合步驟中製備之成形體成形用混合液流入50～100℃之模框內，預聚物、硬化劑反應而形成聚胺酯聚脲樹脂，藉此，該混合液硬化，成形為聚胺酯聚脲樹脂成形體。

繼而，於研磨層形成步驟中，將藉由上述成形體成形步驟獲得之聚胺酯聚脲樹脂成形體切割成片狀，並且將切割之樹脂片裁斷成圓形。以此方式獲得之圓盤狀之樹脂片之一面成為上述研磨面，使用所需之切割機對該研磨面進行切削加工等，藉此，可形成具有任意之間距、寬度、深度之上述同心圓狀之圓形溝槽2、及格子狀之直線溝槽3，藉此可獲得本實施例之研磨墊1。

圖2係表示形成於上述研磨墊1之相鄰之圓形溝槽2與圓形溝槽2之關係之剖面圖。再者，此處，雖對相鄰之圓形溝槽2與圓形溝槽2進行說明，但亦可用作說明直線溝槽3與直線溝槽3之關係之圖。於本實施例中，相鄰之圓形溝槽2與圓形溝槽2之槽距係以溝槽中之研磨墊1之例如中心側之端面為基準進行測定，本實施例中之圓形溝槽2之槽距係以成為超過5 mm且為10 mm以下之尺寸之方式設置。又，各圓形溝槽2之槽寬形成為0.4～0.8 mm，深度形成為0.6 mm。藉由界定上述圓形溝槽2之槽距，將形成於圓形溝槽2與圓形溝槽2之間之圓形岸台部4、即研磨時與被研磨物接觸之部分之尺寸設定在4.2～9.6 mm之範圍。具體而言，於將槽距設為5.6 mm，將圓形溝槽2之槽寬設為0.4 mm之情形時，圓形岸台部4之岸台寬為5.2 mm。

另一方面，相鄰之直線溝槽3與直線溝槽3之槽距小於100 mm，可設定為35～60 mm之範圍，又，直線溝槽3之槽寬形成為2 mm，深度形成為0.6 mm。於此情形時，亦藉由界定槽距，將形成於直線溝槽3與直線溝槽3之間之直線岸台部5之岸台寬設定在33～58 mm之範圍。於直線溝槽之槽距為100 mm以上之情形時，不易排出漿料及研磨屑，存在容易產生研磨損傷之傾向。

繼而，於本實施例中，藉由以下之實驗可知，藉由將上述圓形溝槽2之槽距設置成超過5 mm且為10 mm以下之尺寸，並且如下所述般界定上述圓形岸台部4之岸台寬與直線岸台部5之岸台寬之關係，可獲得良好之研磨結果。於本實施例之研磨墊1中，形成有上述岸台部之面積相對於研磨面整體之面積之比率設為岸台面積比率之情形時，本實施例之研磨墊1係以岸台面積比率成為0.70～0.92之方式形成。

具體而言，對上述岸台面積比率之算出方法進行說明，最初以如下方式算出圓形溝槽2之岸台面積率（圓形岸台部4之面積率）及直線溝槽3之岸台面積率（直線岸台部5之面積率）。圓形溝槽2之岸台面積率＝圓形溝槽2之岸台寬/圓形溝槽2之槽距･･･（式1）直線溝槽3之岸台面積率＝直線溝槽3之岸台寬2/直線溝槽3之槽距2･･･（式2）基於該式1、式2，以如下方式算出上述研磨墊1整體之岸台面積比率。岸台面積比率＝圓形溝槽2之岸台面積率×直線溝槽3之岸台面積率･･･（式3）

[表1]

	溝槽之構成	實施例1	實施例2	實施例3	實施例4	比較例1	比較例2	比較例3	比較例4
同心圓溝槽	槽距（mm）	5.6	5.6	5.6	5.6	2.8	2.8	11.2	11.2
槽寬（mm）	0.4	0.8	0.4	0.8	0.4	0.8	0.4	0.4
岸台寬（mm）	5.2	4.8	5.2	4.8	2.4	2.0	10.8	10.8
格子溝槽	槽距（mm）	35	35	60	60	35	35	35	120
槽寬（mm）	2	2	2	2	2	2	2	2
岸台寬（mm）	33	33	58	58	33	33	33	118
岸台面積比率	0.83	0.76	0.87	0.80	0.76	0.63	0.86	0.93
研磨速率（Å/min）	1040	1040	1055	951	747	729	734	711

上述表1表示基於上述岸台面積比率，對於本發明之實施例1～4、及比較例1～4之研磨墊1之研磨性能於以下所示之條件下進行實驗之結果。於上述實施例1～4及比較例1～4中，使用具有由相同之素材所構成之研磨層之研磨墊1，於該研磨墊1之研磨面以表1所示之槽距及槽寬形成圓形溝槽2及直線溝槽3。

上述實施例及比較例中使用之研磨墊1係以如下方式製造。於使2,4-甲苯二異氰酸酯（TDI）、聚氧四亞甲基二醇（PTMG）及二乙二醇（DEG）反應而成之NCO當量460之胺酯預聚物100份中，添加混合外殼部分由丙烯腈-偏二氯乙烯共聚物構成、且殼內包含異丁烷氣體之粒子之尺寸為15～25 μm之膨脹之中空微粒子2.8份，獲得胺酯預聚物混合液。將所獲得之胺酯預聚物混合液裝入第1液罐，於80℃保溫。又，將作為硬化劑之3,3'-二氯-4,4'-二胺基二苯甲烷(亞甲基雙-鄰氯苯胺)（MOCA）25.5份及聚丙二醇8.5份裝入不同於第1液罐之第2液罐，於120℃加熱熔融，進行混合而獲得硬化劑熔融液。

繼而，自具備2個注入口之混合機之各者之注入口注入第1液罐、第2液罐之各者之液體，進行攪拌混合而獲得混合液。再者，此時，以表示存在於硬化劑之胺基及羥基相對於存在於胺酯預聚物中之末端之異氰酸基之當量比的R值成為0.90之方式調整混合比率。

將所獲得之混合液於已預熱至100℃之模框中澆鑄成型，於110℃一次硬化30分鐘。將所形成之嵌段狀成形物自模框抽出，藉由烘箱於130℃二次硬化2小時，獲得聚胺酯聚脲樹脂成形體。將所獲得之聚胺酯聚脲樹脂成形體放冷至25℃後，再次藉由烘箱於120℃加熱5小時後，以成為1.3 mm厚度之方式實施切片處理，獲得發泡聚胺酯片（研磨層）。其後，如以下所示之實施例1～4或比較例1～4般於研磨層之表面形成同心圓狀之圓形溝槽及格子狀之直線溝槽，進而於研磨中不使用之背面貼附雙面膠帶，形成研磨墊。

於實施例1之研磨墊1中，以槽距5.6 mm、槽寬0.4 mm、槽深0.6 mm、岸台寬5.2 mm形成圓形溝槽2，以槽距35 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬33 mm形成直線溝槽3。其結果，實施例1之岸台面積比率為0.83。於實施例2之研磨墊1中，以槽距5.6 mm、槽寬0.8 mm、槽深0.6 mm、岸台寬4.8 mm形成圓形溝槽2，以槽距35 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬33 mm形成直線溝槽3。其結果，實施例2之岸台面積比率為0.76。於實施例3之研磨墊1中，以槽距5.6 mm、槽寬0.4 mm、槽深0.6 mm、岸台寬5.2 mm形成圓形溝槽2，以槽距60 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬58 mm形成直線溝槽3。其結果，實施例3之岸台面積比率為0.87。於實施例4之研磨墊1中，以槽距5.6 mm、槽寬0.8 mm、槽深0.6 mm、岸台寬4.8 mm形成圓形溝槽2，以槽距60 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬58 mm形成直線溝槽3。其結果，實施例4之岸台面積比率為0.80。

於比較例1之研磨墊1中，以槽距2.8 mm、槽寬0.4 mm、槽深0.6 mm、岸台寬2.4 mm形成圓形溝槽2，以槽距35 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬33 mm形成直線溝槽3。其結果，比較例1之岸台面積比率為0.76。於比較例2之研磨墊1中，以槽距2.8 mm、槽寬0.8 mm、槽深0.6 mm、岸台寬2.0 mm形成圓形溝槽2，以槽距35 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬33 mm形成直線溝槽3。其結果，比較例2之岸台面積比率為0.63。於比較例3之研磨墊1中，以槽距11.2 mm、槽寬0.4 mm、槽深0.6 mm、岸台寬10.8 mm形成圓形溝槽2，以槽距35 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬33 mm形成直線溝槽3。其結果，比較例3之岸台面積比率為0.86。於比較例4之研磨墊1中，以槽距11.2 mm、槽寬0.4 mm、槽深0.6 mm、岸台寬10.8 mm形成圓形溝槽2，以槽距120 mm、槽寬2 mm、槽深0.6 mm、岸台寬118 mm形成直線溝槽3。其結果，比較例4之岸台面積比率為0.93。

於實驗中，使用荏原製作所製造之F-REX300X作為研磨裝置，對作為被研磨物之氮化鉭膜基板之表面進行研磨。又，將研磨裝置之保持壓盤之轉速設定為70 rpm，將研磨壓盤之轉速設定為71 rpm，一面以研磨壓力3.5 psi將研磨墊1壓抵於被研磨物，一面進行研磨。又，於研磨墊1與被研磨物之間，以20℃、200 ml/min之比率供給作為漿料之Fuji Film製造之CuBM用漿料。修整器使用3M公司製造之A188。又，墊斷裂為32N20分鐘，藉由Ex-situ 35N 4掃描進行調節。

繼而，使用上述研磨裝置進行60秒研磨，針對經研磨之被研磨物，以如下方式測定研磨速率。針對研磨試驗前後之基板上之氮化鉭膜，遍及整個基板上隨機地選定121個部位，測定該等部位之研磨試驗前後之厚度。基於測定之厚度，算出研磨試驗前之厚度之平均值及研磨試驗後之厚度之平均值，藉由取該等平均值之差，算出經研磨之厚度之平均值。繼而，藉由將所獲得之經研磨之厚度之平均值除以研磨時間而求出研磨速率（Å/min）。再者，厚度測定係以光學式膜厚膜質測定器（KLA Tencor公司製造，型號「ASET-F5x」）之DBS模式進行測定。

上述實驗之結果，如表1所示，關於實施例1～4，研磨速率超過950，均可獲得良好之研磨結果，與此相對，上述比較例1～4未獲得良好之研磨結果。推測理由如下：將實施例2與比較例1進行比較，雖岸台面積比率相同，但由於比較例1之圓形溝槽2之槽距為5 mm以下，故無法維持研磨中之圓形岸台部4之剛性。與此相同地推測，於比較例2中，圓形溝槽2之槽距為5 mm以下，且岸台面積比率未達0.70，因此無法獲得良好之研磨速率。又推測，於比較例3中，雖岸台面積比率為0.83，但由於圓形溝槽2之槽距大於10 mm，故無法充分保持漿料，因此無法獲得良好之研磨速率。進而推測，於比較例4中，由於岸台面積比率大於0.92，故圓形溝槽2之漿料保持能力與直線溝槽3之漿料排出功能之平衡較差，又，由於圓形溝槽2之槽距大於10 mm，故無法充分保持漿料，因此無法獲得良好之研磨速率。

1:研磨墊 2:圓形溝槽 3:直線溝槽 4:圓形岸台部 5:直線岸台部

[圖1]係本實施例之研磨墊之平面圖。 [圖2]係對溝槽與溝槽之關係進行說明之剖面圖。

1:研磨墊

2:圓形溝槽

3:直線溝槽

4:圓形岸台部

5:直線岸台部

Claims

一種研磨墊，其係於由硬質胺酯所構成之研磨層之研磨面形成有呈同心圓狀設置之複數個圓形溝槽、及呈格子狀交叉之複數個直線溝槽者，其特徵在於：相鄰之圓形溝槽與圓形溝槽之槽距超過5mm且為10mm以下，直線岸台部之岸台寬設定為33~58mm，並且，將圓形岸台部之面積率與直線岸台部之面積率相乘所得的岸台面積比率為0.70~0.92；該圓形岸台部之面積率係自形成於圓形溝槽與圓形溝槽之間之圓形岸台部之岸台寬及圓形溝槽之槽寬求出；該直線岸台部之面積率係自形成於直線溝槽與直線溝槽之間之直線岸台部之岸台寬及直線溝槽之槽寬求出。
如請求項1之研磨墊，其中，相鄰之直線溝槽與直線溝槽之槽距小於100mm。