TWI838530B - 被加工物的分割方法，晶片的尺寸檢出方法及削切裝置 - Google Patents

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[課題]提供一種能簡易地檢出晶片的尺寸的被加工物的分割方法。 [解決手段]一種被加工物的切割方法，以具備：保持在藉由相互交叉的複數分割預定線畫分的複數區域分別具有電極的被加工物的保持機構；裝設將藉由保持機構保持的被加工物削切的削切刀片的削切機構；攝像被加工物的攝像機構；控制保持機構與削切機構的控制機構的削切裝置，將被加工物分割成複數晶片檢出晶片的實際尺寸，具有：將被加工物以削切刀片沿著該分割預定線削切分割成複數該晶片的分割步驟；將晶片以攝像機構攝像，取得晶片的影像的影像取得步驟；基於影像，以控制機構檢出晶片的實際尺寸的檢出步驟。

Description

被加工物的分割方法，晶片的尺寸檢出方法及削切裝置
本發明係有關於將被加工物分割成複數晶片的被加工物的分割方法、檢出該晶片的尺寸的晶片的尺寸檢出方法、及能檢出該晶片的尺寸的削切裝置。
將在基底基板上配列的複數裝置晶片以樹脂形成的密封材(模具樹脂)被覆，形成QFN封裝(Quad Flat Non-Lead Package)基板等的封裝基板。將該封裝基板沿著分割預定線(格線)分割，得到分別包含裝置晶片的複數晶片(封裝裝置)。
代表上述封裝基板的被加工物的分割，例如，使用具備保持被加工物的吸盤、裝設將被加工物削切的圓環狀的削切刀片的削切單元的削切裝置(例如，專利文獻1參照)。以藉由吸盤保持被加工物的狀態，使削切刀片旋轉切入被加工物，將被加工物削切分割成複數晶片。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 特開2017－50309號公報
[發明所欲解決的問題]
將被加工物分割成複數晶片後，進行確認是否得到所期望的晶片的作業。例如，測定藉由被加工物的分割得到的晶片的尺寸(晶片全體的大小、晶片具備的電極的位置等)，且基於晶片的實際尺寸算出工程能力指數。接著，基於晶片的實際尺寸及工程能力指數進行晶片的評價。
晶片的尺寸的測定，例如是晶片的評價者使用顯微鏡進行。此時，評價者有將顯微鏡與晶片的對位、晶片的尺寸測定、測定到的晶片的尺寸的記錄等的作業在每個晶片個別進行的必要。因此，特別是在進行多數晶片的評價時，晶片的評價需要花上相當多的時間和勞力。
本發明係鑑於相關的問題而完成者，目的為提供一種能簡易地檢出晶片的尺寸的被加工物的分割方法、晶片的尺寸檢出方法、及削切裝置。 [解決問題的手段]
根據本發明的一態樣，提供一種被加工物的分割方法，以具備：保持在藉由相互交叉的複數分割預定線畫分的複數區域分別具有電極的被加工物的保持機構；裝設將藉由該保持機構保持的該被加工物削切的削切刀片的削切機構；攝像該被加工物的攝像機構；控制該保持機構與該削切機構的控制機構的削切裝置，將該被加工物分割成複數晶片檢出該晶片的實際尺寸，具有：將該被加工物以該削切刀片沿著該分割預定線削切分割成複數該晶片的分割步驟；將該晶片以該攝像機構攝像，取得該晶片的影像的影像取得步驟；基於該影像，以該控制機構檢出該晶片的實際尺寸的檢出步驟。
此外，較佳為該被加工物的分割方法，更具備：以該控制機構算出表示該晶片的實際尺寸的偏差的程度的值的算出步驟。又，較佳為在該分割步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被分割；在該影像取得步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被攝像。
又，根據本發明的一態樣，提供一種晶片的尺寸檢出方法，以具備：保持在藉由相互交叉的複數分割預定線畫分的複數區域分別具有電極的被加工物的保持機構；裝設將藉由該保持機構保持的該被加工物削切的削切刀片的削切機構；攝像該被加工物的攝像機構；控制該保持機構與該削切機構的控制機構的削切裝置，將該被加工物分割成複數晶片檢出該晶片的實際尺寸，具有：將該被加工物以該削切刀片沿著該分割預定線削切分割成複數該晶片的分割步驟；將該晶片以該攝像機構攝像，取得該晶片的影像的影像取得步驟；基於該影像，以該控制機構檢出該晶片的實際尺寸的檢出步驟。
此外，較佳為該晶片的尺寸檢出方法，更具備：以該控制機構算出表示該晶片的實際尺寸的偏差的程度的值的算出步驟。又，較佳為在該分割步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被分割；在該影像取得步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被攝像。
又，根據本發明的一態樣，提供一種削切裝置，具備：保持被加工物的保持機構；裝設將藉由該保持機構保持的該被加工物削切的削切刀片的削切機構；攝像該被加工物的攝像機構；控制該保持機構與該削切機構的控制機構，其中，該攝像機構，攝像以該削切刀片分割成複數晶片的該被加工物取得該晶片的影像；該控制機構具備基於該影像檢出該晶片的實際尺寸的檢出部。
此外，較佳為該控制機構更具備：記憶預先設定的該晶片的尺寸的基準值的記憶部；基於該晶片的實際尺寸、該基準值，算出表示該晶片的實際尺寸的偏差的程度的值的算出部。又較佳為該削切裝置，更具備：顯示以該算出部算出的值的顯示機構。 [發明的效果]
本發明的一態樣的削切裝置，具備：攝像分割成複數晶片的被加工物的攝像機構、基於藉由攝像取得到的晶片的影像檢出晶片的實際尺寸的控制機構。藉此，能夠藉由削切裝置自動測定晶片的尺寸，將晶片的尺寸的檢出簡易化。
以下，參照圖式說明本實施形態。首先，說明關於本實施形態的削切裝置的構成例。圖1表示削切裝置2的斜視圖。
削切裝置2具備支持構成削切裝置2的各構成要素的基台4。在基台4前方的角部形成開口4a，在該開口4a的內部設有藉由升降機構(未圖示)升降的卡匣支持台6。又，在卡匣支持台6上，配置能收容藉由削切裝置2削切的複數被加工物11(圖2(A)、圖2(B)參照)的卡匣8。此外，圖1在說明的方便上，僅示有卡匣8的輪廓。
圖2(A)為表示被加工物11的平面圖、圖2(B)為表示被加工物11的底面圖。本實施形態中，說明關於被加工物11為封裝基板的情形。例如，作為被加工物11，使用CSP(Chip Size Package)基板、QFN封裝(Quad Flat Non-Lead Package)基板等的封裝基板。
被加工物11具備具有表面13a及裏面13b且俯視時形成矩形狀的板狀的基底基板13。基底基板13使用例如42合金(鐵與鎳的合金)及銅等的金屬形成。但是，基底基板13的材質、形狀、構造、大小等沒有限制。
基底基板13的裏面13b側配置包含以IC (Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等而成的裝置的複數裝置晶片(未圖示)。該裝置晶片藉由形成於基底基板13的裏面13b側的樹脂層(模具樹脂)15覆蓋、密封。此外，裝置晶片的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等沒有限制。
如圖2(A)所示，被加工物11藉由以相互交叉的方式配列成格子狀的複數分割預定線(格線)17畫分成複數裝置區域11a。形成於基底基板13的裏面13b側的裝置晶片分別配置於該裝置區域11a。藉由將被加工物11沿著分割預定線17分割，各裝置區域11a被分離，得到分別包含藉由樹脂密封的裝置晶片的複數晶片(封裝裝置)。
圖2(C)為將被加工物11擴大表示的平面圖。被加工物11具備形成於裝置區域11a的表面的複數電極19。電極19例如形成球狀，以在基底基板13的表面13a側露出的方式配列。圖2(C)表示沿著裝置區域11a的外周緣(輪廓)配列2列的電極19之例。
例如電極19通過配置於基底基板13的裏面13b側的裝置晶片、及金屬引線(未圖示)等連接。電極19作為在被加工物11被分割成複數晶片後，將晶片實裝於其他實裝基板等時的連接電極作用。
此外，在此說明關於被加工物11為封裝基板的情形，但被加工物11的種類、材質、形狀、構造、大小等沒有限制。例如被加工物11是在藉由相互交叉的複數分割預定線畫分的複數區域，分別形成IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integration)等的裝置的半導體晶圓等也可以。又，該裝置具備在表面露出的電極也可以。
將被加工物11藉由削切裝置2(圖1參照)削切時，被加工物11藉由環狀的框支持。圖3表示由環狀的框23支持的被加工物11的平面圖。
在被加工物11的裏面側(樹脂層15(圖2(B)參照)側)，貼附具有能覆蓋被加工物11全體的徑的圓形賿帶21。賿帶21例如為在由聚烯烴、聚氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二脂等樹脂而成的基材上，藉由形成橡膠系及丙烯酸系的黏著層(糊層)得到的柔軟的薄膜。
賿帶21的外周部貼附有環狀的框23。框23具備具有能收容被加工物11的徑的圓形開口23a。被加工物11以表面側(基底基板13的表面13a側)在上方露出的方式配置於開口23a的內側的狀態，藉由賿帶21被框23支持。
此外，賿帶21貼附於被加工物11的表面側也可以。此時，被加工物11以裏面側(樹脂層15側)在上方露出的狀態，藉由框23支持。又，在賿帶21貼附複數被加工物11也可以。此時，使用具備具有能收容複數被加工物11的徑的開口23a的框23。
又，被加工物11未必要以框23支持。未使用框23時，例如，在被加工物11的表面側或裏面側貼附形成與被加工物11概略相同形狀、大小的矩形狀的賿帶。
藉由框23支持的被加工物11收容於圖1所示的卡匣8。接著，收容複數被加工物11的卡匣8，配置於卡匣支持台6上。
在卡匣支持台6的側方，形成長邊方向沿著X軸方向(加工進給方向、前後方向)的矩形狀的開口4b。在開口4b的內部，配置滾珠螺槓式的X軸移動機構10、覆蓋X軸移動機構10的上部的防塵防滴保護殼12。X軸移動機構10具備X軸移動載台10a，使X軸移動載台10a沿著X軸方向移動。
又，在卡匣支持台6的側方，用來將被加工物11暫置的暫置機構14以與開口4b重疊的方式配置。暫置機構14具備維持與Y軸方向(分度進給方向、左右方向)概略平行的狀態並相互接近及離隔的一對導軌14a、14b。導軌14a、14b將被加工物11沿著X軸方向包夾並一致於預定的位置。
X軸移動載台10a上設置保持被加工物11的吸盤(保持載台、保持機構)16。吸盤16連結至馬達等的旋轉驅動源(未圖示)，該旋轉驅動源使吸盤16繞與Z軸方向(鉛直方向、上下方向)概略平行的旋轉軸旋轉。又，吸盤16藉由X軸移動機構10沿著X軸方向移動。
吸盤16的上面構成保持被加工物11的保持面16a。保持面16a與X軸方向及Y軸方向概略平行而形成，通過設於吸盤16的內部的吸引路(未圖示)連接至噴射器等的吸引源(未圖示)。又，在吸盤16的周圍，設置將支持被加工物11的環狀的框23(圖3參照)把持固定的4個夾具18。
此外，在開口4b的附近，設置將收容於卡匣8的被加工物11搬送至吸盤16的搬送機構(未圖示)。被加工物11藉由搬送機構搬送，例如以表面側(基底基板13(圖3參照)的表面13a側)在上方露出的方式，配置於吸盤16的保持面16a上。
基台4的上面以門型的支持構造20跨越開口4b的方式配置。支持構造20支持相對於藉由吸盤16保持的被加工物11施予削切加工的2組削切單元(削切機構)22。又，在支持構造20的前面(表面)側的上部，裝設使削切單元22沿著Y軸方向及Z軸方向移動的2組移動機構24。
移動機構24分別裝設於在支持構造20的前面側沿著Y軸方向配置的一對Y軸導軌26。具體來說，移動機構24具備Y軸移動板28，Y軸移動板28以能沿著Y軸導軌26滑動的狀態，安裝於Y軸導軌26。
Y軸移動板28的後面(裏面)側設有螺母部(未圖示)，在該螺母部，螺合與Y軸導軌26概略平行配置的Y軸滾珠螺槓30。又，Y軸滾珠螺槓30的一端部連結Y軸脈衝馬達32。藉由Y軸脈衝馬達32使Y軸滾珠螺槓30旋轉後，Y軸移動板28沿著Y軸導軌26在Y軸方向移動。
Y軸移動板28的前面(表面)側，設置沿著Z軸方向配置的一對Z軸導軌34。Z軸導軌34以Z軸移動板36能沿著Z軸導軌34滑動的狀態安裝。
Z軸移動板36的後面(裏面)側設有螺母部(未圖示)，在該螺母部，螺合與Z軸導軌34概略平行配置的Z軸滾珠螺槓38。又，Z軸滾珠螺槓38的一端部連結有Z軸脈衝馬達40。藉由Z軸脈衝馬達40使Z軸滾珠螺槓38旋轉後，Z軸移動板36沿著Z軸導軌34在Z軸方向移動。
Z軸移動板36的下部固定有削切單元22。削切單元22具備在Y軸方向概略平行配置的圓筒狀轉軸(未圖示)。轉軸的一端側(前端部)裝設將被加工物11削切的圓環狀的削切刀片42。削切刀片42，例如，將以鑽石、立方晶氮化硼(cBN)等形成的研磨粒，藉由以金屬、陶瓷、樹脂等形成的黏合材固定形成。
又，在轉軸的另一端側(基端部)，連結使轉軸旋轉的馬達等旋轉驅動源(未圖示)。轉軸的前端部以裝設削切刀片42的狀態，使轉軸藉由旋轉驅動源旋轉後，藉由從旋轉驅動源通過轉軸傳達的動力讓削切刀片42旋轉。
在鄰接削切單元22的位置，設置將被加工物11等攝像的攝像單元(攝像機構)44。以移動機構24使Y軸移動板28在Y軸方向移動後，削切單元22及攝像單元44沿著Y軸方向移動。又，以移動機構24使Z軸移動板36在Z軸方向移動後，削切單元22及攝像單元44沿著Z軸方向移動。基於藉由攝像單元44取得到的被加工物11的影像，進行保持被加工物11的吸盤16與削切單元22的對位。
在相對於開口4b與開口4a相反側的位置，形成開口4c。在開口4c的內部，配置有洗淨被加工物11的洗淨單元46。藉由削切單元22加工的被加工物11，藉由搬送機構(未圖示)從吸盤16上搬送至洗淨單元46，被洗淨。接著，洗淨後的被加工物11藉由搬送機構收容至卡匣8。
又，削切裝置2設有顯示關於被加工物11的加工的各種資訊的顯示部(顯示機構)48。顯示部48藉由例如成為使用者介面的觸控面板式的監視器構成。此時，削切裝置2的操作者能夠對該監視器輸入加工條件等資訊。
又，構成削切裝置2的各構成要素(X軸移動機構10、暫置機構14、吸盤16、削切單元22、移動機構24、攝像單元44、洗淨單元46等)連接至設於削切裝置2的控制部(控制機構)60。控制部80例如以電腦等構成，控制各構成要素的動作。
藉由上述削切裝置2，被加工物11沿著分割預定線17(圖3參照)被削切，分割成複數晶片。又，藉由被加工物11的分割得到的晶片的尺寸藉由削切裝置2檢出。以下，說明使用削切裝置2的被加工物的分割方法、晶片的尺寸檢出方法的具體例。
首先，將收容於卡匣8的被加工物11藉由搬送機構(未圖示)搬送至暫置機構14。接著，藉由暫置機構14進行被加工物11的對位後，被加工物11被搬送至吸盤16的保持面16a上，藉由吸盤16保持。
圖4為表示由吸盤16保持的被加工物11的一部分剖面側面圖。被加工物11，例如，以表面側(基底基板13的表面13a側)向上方露出，裏面側(樹脂層15側)與保持面16a對向的方式，配置於吸盤16上。又，支持被加工物11的框23，藉由夾具18固定。在該狀態下，在保持面16a使吸引源的負壓作用後，被加工物11藉由賿帶21被吸盤16吸引保持。
接著，使吸盤16旋轉，使一分割預定線17(圖3參照)的長度方向一致於X軸方向。又，以削切刀片42的下端配置於比被加工物11的裏面(賿帶21的上面)還下方且比保持面16a(賿帶21的下面)還上方的方式，調整削切單元22的高度。再來，以在該一分割預定線17的延長線上配置削切刀片42的方式，調整削切單元22的Y軸方向的位置。
接著，使削切刀片42旋轉，使吸盤16沿著X軸方向移動。藉此，吸盤16與削切單元22沿著分割預定線17相對移動，削切刀片42切入被加工物11。其結果，被加工物11沿著分割預定線17被削切、分割。
之後，重複同樣的順序，將被加工物11沿著全部的分割預定線17削切。藉此，被加工物11的裝置區域11a(圖3參照)被個片化，被加工物11被分割成複數晶片(分割步驟)。
圖5為將分割後的被加工物11擴大表示的平面圖。被加工物11被分割成分別具備複數電極19的複數晶片(封裝裝置)25。又，在被加工物11的藉由削切刀片42削切的區域，形成從被加工物11的表面至裏面的切痕(切口)11b。此外，切痕11b的寬度對應削切刀片42(圖4參照)的厚度。圖5中，在形成切痕11b的區域附加陰影線。
被加工物11的分割後，進行確認是否得到所期望的尺寸的晶片25的作業。具體來說，測定藉由被加工物11的分割得到的晶片25的尺寸(晶片25全體的大小、晶片25具備的電極19的位置等)，基於晶片25的實際尺寸進行晶片25的評價。
檢出晶片25的實際尺寸時，首先，將該晶片25以攝像單元44(圖1參照)攝像，取得晶片25的影像(影像取得步驟)。在影像取得步驟中，被加工物11以被吸盤16保持的狀態攝像。
圖6為表示攝像單元44的構成例的示意圖。攝像單元44具備收容構成攝像單元44的各構成要素的框體60。框體60的前端部(下端部)設有將框體60的內部與外部區分的隔壁62。此外，隔壁62配置於比框體60的下端60a還上側。隔壁62具備將隔壁62在上下貫通的開口部，該開口部中設有以透明構件形成的光透過部64。又，框體60收容配置於隔壁62上側的對物透鏡66。
藉由框體60的前端部與隔壁62包圍的空間68，通過形成於框體60的水供應口60b與閥門70，連接至水源72。被加工物11的攝像時，以框體60的下端60a與被加工物11的表面的距離例如成為0.5mm以上1mm以下左右的方式，定位攝像單元44。又，從水源72通過閥門70及水供應口60b向空間68將水以預定流量供應，在空間68填充水。
又，攝像單元44具備照射閃光的閃光光源74。作為閃光光源74，例如使用氙閃光。從閃光光源74出射的閃光的一部分，被設於框體60內部的束分光鏡76反射，通過對物透鏡66及光透過部64，照射至藉由吸盤16保持的被加工物11。
對物透鏡66的光軸上設有攝像照射閃光的被加工物11的攝影機78。例如攝影機78使用CCD(Charged-Coupled Devices)影像感測器構成。
閃光光源74及攝影機78連接至控制部80，藉由控制部80控制其動作。接著，控制部80使來自閃光光源74的閃光的照射與攝影機78的攝像同步。藉此，被加工物11(晶片25)的上面側藉由攝像單元44攝像，取得被加工物11(晶片25)的影像。
此外，對被加工物11施予削切加工後(圖4參照)，有在被加工物11附著因削切產生的屑(削切屑)等異物的情形。因此，接續分割步驟以攝像單元44攝像被加工物11時，從水源72向空間68供應水，將附著於被加工物11的異物洗去較佳。藉此，能夠防止被加工物11的攝像被異物阻害。
但是，以攝像單元44攝像被加工物11時，未必要對空間68供應水。例如，在被加工物11的分割後且被加工物11的攝像前，另外實施洗淨被加工物11的工程(洗淨步驟)時，在被加工物11的攝像時被加工物11未附著異物。此時，能夠省略從水源72向空間68的水的供應。
又，被加工物11的攝像，使被加工物11與攝像單元44相對移動同時進行也可以。例如，使保持被加工物11的吸盤16相對於攝像單元44移動，同時使來自閃光光源74的閃光的照射與攝影機78的攝像同步，以攝像單元44將被加工物11複數次連續攝像。藉此，能夠同時進行被加工物11的削切與攝像。
藉由攝像單元44的攝像取得到的影像(攝像影像)被輸出至控制部80(圖1參照)。接著，基於攝像影像，以控制部80檢出晶片25的實際尺寸(檢出步驟)。
圖1所示，控制部80具備檢出晶片25的實際尺寸的檢出部82。例如檢出部82藉由對攝像影像，施予邊緣檢出、圖案匹配等影像處理，測定晶片25的尺寸。作為測定到的晶片25的尺寸之例，有晶片25全體的大小、及具備晶片25的電極19的位置等。
圖5表示測定到的晶片25的尺寸之例。L1 及L2 為表示晶片25全體大小的值。具體來說，L1 為以箭頭A表示的第1方向(被加工物11的長邊方向、紙面左右方向)的晶片25長度、L2 為以箭頭B表示的第2方向(被加工物11的短邊方向、紙面上下方向)的晶片25的長度。此外，第1方向及第2方向相互垂直。L1 與L2 分別相當於從晶片25的一端到另一端的距離。
又，L3 及L4 為表示晶片25具備的電極19的位置、及切痕11b的位置的值。具體來說，L3 為從沿著第1方向(箭頭A)的切痕11b(晶片25的外周緣)到配置於最接近該切痕11b的位置的一電極19的距離。又，L4 為從沿著第2方向(箭頭B)的切痕11b(晶片25的外周緣)到配置於最接近該切痕11b的位置的一電極19的距離。圖5中，將形成於最接近晶片25的四角的位置的4個電極19作為基準，設定L3 及L4 。
檢出部82(圖1參照)例如藉由對攝像影像施予邊緣檢出處理，檢出L1 與L2 。具體來說，檢出部82基於攝像影像的濃淡，特定出晶片25與切痕11b的邊界(晶片25的外周緣、切痕11b的端部)的座標。接著，從包夾晶片25對向的2個邊界的座標的差分，算出L1 與L2 。
又，檢出部82例如藉由對攝像影像施予圖案匹配處理，檢出L3 與L4 。具體來說，預先取得表示電極19的晶片25的影像(參照用影像)，比較藉由攝像單元44取得到的攝像影像與參照用影像。接著，基於在攝像影像表示的電極19的位置與在參照用影像表示的電極19的位置一致時的吸盤16(被加工物11)與攝像單元44的位置關係，特定出電極19的座標。
之後，檢出部82算出晶片25的外周緣的座標、和與電極19的座標的差分。藉此，算出L3 與L4 。此外，L1 、L2 、L3 、L4 的檢出方法沒有限制，檢出部82使用其他方法檢出L1 、L2 、L3 、L4 也可以。
又，藉由攝像單元44取得到的攝像影像，可以是被加工物11的全體影像、也可以是被加工物11的一部分影像。特別是藉由攝像單元44取得晶片25的擴大影像，能夠使晶片25的實際尺寸的檢出的精度提升。又，將一晶片25的四角附近分別個別攝像，基於藉此得到的複數攝像影像，檢出晶片25的實際尺寸也可以。
再來，控制部80藉由合成表示被加工物11的一部分的複數攝像影像，生成被加工物11的全體影像也可以。此時，檢出部82使用生成的合成影像檢出晶片25的實際尺寸也可以。又，檢出部82檢出藉由被加工物11的分割得到的全部的晶片25的實際尺寸也可以、檢出一部分晶片25的實際尺寸也可以。
藉由檢出部82檢出的晶片25的實際尺寸，例如能夠顯示於顯示部48(圖1參照)。此時，控制部80控制顯示部48，在顯示部48顯示晶片25的實際尺寸。藉此，對削切裝置2的操作者通報晶片25的實際尺寸。
如同上述，在本實施形態的削切裝置2中，晶片25的實際尺寸的檢出藉由控制部80實施。因此，能夠省略晶片25的評價者使用顯微鏡等以手動測定晶片25的尺寸的作業，讓晶片25的評價工程簡易化。
此外，控制部80除了晶片25的實際尺寸的檢出以外，算出表示晶片25的實際尺寸的偏差的程度的值(偏離值)也可以(算出步驟)。作為偏差值之例，有實際尺寸的分散、實際尺寸的標準差、工程能力指數(Cp 、Cpk 等)等。
如圖1所示，控制部80具備算出晶片25的實際尺寸的偏差值的算出部84、記憶用於算出部84所致的處理程式及各種參數等的記憶部86。記憶部86中記憶有藉由檢出部82檢出的晶片25的實際尺寸、晶片25的尺寸的基準值、用來算出晶片25的實際尺寸的偏差值的程式等。此外，晶片25的尺寸的基準值例如為晶片25的尺寸的規格值，晶片25的實際尺寸的容許值(上限值與下限值)等作為基準值記憶於記憶部86。
接著，算出部84基於藉由檢出部82檢出的晶片25的實際尺寸，算出晶片25的實際尺寸的分散及標準差。又，算出部84基於晶片25的實際尺寸、記憶於記憶部86的基準值(上限值與下限值)，算出晶片25的工程能力指數(Cp 、Cpk 等)。
藉由算出部84算出晶片25的實際尺寸的偏差值後，控制部80在顯示部48顯示該偏差值。藉此，對削切裝置2的操作者通報晶片25的實際尺寸的偏差的程度。此外，此時顯示部48與偏差值一同顯示晶片25的實際尺寸的基準值(上限值與下限值)。
如同上述，在本實施形態的削切裝置2中，晶片25的實際尺寸的偏差值的算出也能夠藉由控制部80實施。藉此，能夠省略晶片25的評價者基於晶片25的實際尺寸算出偏差值的作業，讓晶片25的評價工程簡易化。
此外，檢出部82除了晶片25的尺寸以外，再檢出形成於被加工物11的切痕11b(圖5參照)的位置也可以。切痕11b的位置，例如，在藉由攝像單元44取得到的影像中施予預定的影像處理(邊緣檢出、圖案匹配等)來實施。藉由檢出部82檢出切痕11b的位置(例如，在切痕11b的寬度方向的中央或端部的座標)，能夠確認被加工物11是否在所期望的位置被切斷。
又，記憶部86記憶應進行被加工物11的削切的位置(理想的切痕11b的位置)的資訊也可以。此時，檢出部82算出理想的切痕11b的位置、與檢出的切痕11b的位置的差分，即削切區域的偏差量也可以。該偏差量記憶於記憶部86。
上述偏差量記憶於記憶部86時，之後以削切刀片42將被加工物11削切時(圖4參照)，可以以抵消該偏差量的方式補正被加工物11與削切刀片42的位置關係。藉此，能夠將被加工物11藉由削切刀片42正確地削切。
例如，被加工物11在該製造工程中會有產生彎曲的情形。具體來說，製造被加工物11時進行用來使樹脂層15(圖2(B)參照)硬化的加熱處理後，會有樹脂層15收縮而在被加工物11產生彎曲的情形。產生該被加工物11的彎曲後，分割預定線17(圖2(A)參照)的位置會變動。藉此，被加工物11難以沿著分割預定線17被適切地削切，切痕11b的位置偏差變得容易產生。
其中，在相同批量(相同工程)製造的被加工物11的彎曲程度概略相等，切痕11b的位置偏差的程度也有概略相等的傾向。因此，檢出分割一被加工物11時的切痕11b的位置偏差，以在分割相同批量製造的其他被加工物11時，該位置偏差抵消的方式補正削切區域的位置，藉此能夠將其他被加工物11沿著理想的切痕11b的位置進行削切。
具體來說，首先，將一被加工物11分割成複數晶片25後，以攝像單元44進行攝像，檢出切痕11b的位置。例如，攝像在圖5中的中央沿著以箭頭B表示的方向形成的切痕11b。接著，檢出從該切痕11b的一端(圖5中為左端)，到配置於最接近該切痕11b的一端的位置的電極19為止的距離L4 (距離L4a )、及從該切痕11b的另一端(圖5中為右端)，到配置於最接近該切痕11b的另一端的位置的電極19為止的距離L4 (距離L4b )。
在此，考慮關於理想的L4a 、L4b 的值為0.4mm、檢出的L4a 、L4b 的值分別為0.3mm、0.5mm的情形。此時，以箭頭A表示的方向(第1方向)的削切區域的位置偏差量為0.1mm。接著，該位置偏差量記憶於記憶部86。
之後，分割在相同批量製造的其他被加工物11時，削切區域的位置，以在該切痕11b的另一端側(圖5中為右側)僅補正上述位置偏差量(0.1mm)的狀態，實施削切加工。藉此，因被加工物11的彎曲引起的分割預定線17的位置的變動的影響被抵消，將被加工物11適切地削切。
此外，在上述中雖說明關於削切一被加工物11時的削切區域的位置偏差量、及削切其他被加工物11時的削切區域的補正量設為相同(0.1mm)的情形，但兩者未必相同也可以。例如，能夠將相當於削切一被加工物11時的削切區域的位置偏差量的一半的值(0.05mm)，設定成削切其他被加工物11時的削切區域的補正量。
如同以上，本實施形態的的削切裝置2，具備攝像分割成複數晶片25的被加工物11的攝像單元44、基於藉由攝像取得到的晶片25的影像檢出晶片25的實際尺寸的控制部80。藉此，能夠藉由削切裝置2自動測定晶片25的尺寸，將晶片25的尺寸的檢出簡易化。
此外，本實施形態的削切裝置2的構成要素的細部能夠適宜變更。例如，取代圖1所示的吸盤16，也可以使用保持被加工物11的夾具載台。夾具載台，例如對應被加工物11的形狀在俯視時形成矩形狀，夾具載台的上面構成保持被加工物11的保持面。
夾具載台的保持面側之中，在對應被加工物11的裝置區域11a(圖2(A)參照)的區域分別設有吸引孔。複數該吸引孔，通過形成於夾具載台的內部的吸引路連接至吸引源。在夾具載台的保持面上配置被加工物11的狀態下，通過吸引孔使吸引源的負壓在被加工物11的下面作用，藉此被加工物11被夾具載台吸引保持。
又，夾具載台的保持面側的對應分割預定線17(圖2(A)參照)的區域，形成插入削切刀片42(圖4參照)的下端部的線狀的溝(逃脫溝)。將藉由夾具載台保持的被加工物11以削切刀片42切斷時，削切刀片42的下端部通過該溝的內部。藉此，迴避了削切刀片42與夾具載台的接觸。
被加工物11被分割成複數晶片25後，晶片25分別藉由通過形成於夾具載台的吸引孔作用的吸引源的負壓被保持。因此，被加工物11的分割後也維持晶片25的配置。此外，將被加工物11藉由夾具載台保持時，能夠省略向被加工物11的賿帶21的貼附。
此外，上述實施形態的構造、方法等，只要不脫離本發明的目的範圍，能夠進行適宜變更並實施。
11:被加工物 11a:裝置區域 11b:切痕(切口) 13:基底基板 13a:表面 13b:裏面 15:樹脂層(模具樹脂) 17:分割預定線(格線) 19:電極 21:賿帶 23:框 23a:開口 25:晶片(封裝裝置) 2:削切裝置 4:基台 4a:開口 4b:開口 4c:開口 6:卡匣支持台 8:卡匣 10:X軸移動機構 10a:X軸移動載台 12:防塵防滴保護殼 14:暫置機構 14a,14b:導軌 16:吸盤(保持載台、保持機構) 16a:保持面 18:夾具 20:支持構造 22:削切單元(削切機構) 24:移動機構 26:Y軸導軌 28:Y軸移動板 30:Y軸滾珠螺槓 32:Y軸脈衝馬達 34:Z軸導軌 36:Z軸移動板 38:Z軸滾珠螺槓 40:Z軸脈衝馬達 42:削切刀片 44:攝像單元(攝像機構) 46:洗淨單元 48:顯示部(顯示機構) 60:框體 60a:下端 60b:水供應口 62:隔壁 64:光透過部 66:對物透鏡 68:空間 70:閥門 72:水源 74:閃光光源 76:束分光鏡 78:攝影機 80:控制部(控制機構) 82:檢出部 84:算出部 86:記憶部
[圖1]表示削切裝置的斜視圖。 [圖2]圖2(A)為表示被加工物的平面圖、圖2(B)為表示被加工物的底面圖、圖2(C)為將被加工物擴大表示的平面圖。 [圖3]表示由環狀的框支持的被加工物的平面圖。 [圖4]表示由吸盤保持的被加工物的一部分剖面側面圖。 [圖5]將分割後的被加工物擴大表示的平面圖。 [圖6]表示攝像單元的構成例的示意圖。
2:削切裝置
4:基台
4a:開口
4b:開口
4c:開口
6:卡匣支持台
8:卡匣
10:X軸移動機構
10a:X軸移動載台
12:防塵防滴保護殼
14:暫置機構
14a,14b:導軌
16:吸盤(保持載台、保持機構)
16a:保持面
18:夾具
20:支持構造
22:削切單元(削切機構)
24:移動機構
26:Y軸導軌
28:Y軸移動板
30:Y軸滾珠螺槓
32:Y軸脈衝馬達
34:Z軸導軌
36:Z軸移動板
38:Z軸滾珠螺槓
40:Z軸脈衝馬達
42:削切刀片
44:攝像單元(攝像機構)
46:洗淨單元
48:顯示部(顯示機構)
80:控制部(控制機構)
82:檢出部
84:算出部
86:記憶部

Claims (6)

  1. 一種被加工物的分割方法，以具備：保持在藉由相互交叉的複數分割預定線畫分的複數區域分別具有電極的被加工物的保持機構；裝設將藉由該保持機構保持的該被加工物削切的削切刀片的削切機構；攝像該被加工物的攝像機構；控制該保持機構與該削切機構的控制機構的削切裝置，將該被加工物分割成複數晶片檢出該晶片的實際尺寸，具有：將該被加工物以該削切刀片沿著該分割預定線削切分割成複數該晶片的分割步驟；將該晶片以該攝像機構攝像，取得該晶片的影像的影像取得步驟；基於該影像，以該控制機構檢出該晶片的實際尺寸的檢出步驟；以該控制機構算出表示該晶片的實際尺寸的偏差的程度的值的算出步驟。
  2. 如請求項1記載的被加工物的分割方法，其中，在該分割步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被分割；在該影像取得步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被攝像。
  3. 一種晶片的尺寸檢出方法，以具備：保 持在藉由相互交叉的複數分割預定線畫分的複數區域分別具有電極的被加工物的保持機構；裝設將藉由該保持機構保持的該被加工物削切的削切刀片的削切機構；攝像該被加工物的攝像機構；控制該保持機構與該削切機構的控制機構的削切裝置，將該被加工物分割成複數晶片檢出該晶片的實際尺寸，具有：將該被加工物以該削切刀片沿著該分割預定線削切分割成複數該晶片的分割步驟；將該晶片以該攝像機構攝像，取得該晶片的影像的影像取得步驟；基於該影像，以該控制機構檢出該晶片的實際尺寸的檢出步驟；以該控制機構算出表示該晶片的實際尺寸的偏差的程度的值的算出步驟。
  4. 如請求項3記載的晶片的尺寸檢出方法，其中，在該分割步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被分割；在該影像取得步驟中，該被加工物以藉由該保持機構保持的狀態被攝像。
  5. 一種削切裝置，具備：保持被加工物的保持機構；裝設將藉由該保持機構保持的該被加工物削切的削切 刀片的削切機構；攝像該被加工物的攝像機構；控制該保持機構與該削切機構的控制機構，其中，該攝像機構，攝像以該削切刀片分割成複數晶片的該被加工物取得該晶片的影像；該控制機構具備：基於該影像檢出該晶片的實際尺寸的檢出部；記憶預先設定的該晶片的尺寸的基準值的記憶部；基於該晶片的實際尺寸、該基準值，算出表示該晶片的實際尺寸的偏差的程度的值的算出部。
  6. 如請求項5記載的削切裝置，更具備：顯示以該算出部算出的值的顯示機構。
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