TWI837882B - 晶片封裝體及其製造方法 - Google Patents

晶片封裝體及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI837882B
TWI837882B TW111138918A TW111138918A TWI837882B TW I837882 B TWI837882 B TW I837882B TW 111138918 A TW111138918 A TW 111138918A TW 111138918 A TW111138918 A TW 111138918A TW I837882 B TWI837882 B TW I837882B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
marking
chip package
main body
portions
support layer
Prior art date
Application number
TW111138918A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202329384A (zh
Inventor
鄭家明
賴炯霖
張恕銘
劉滄宇
Original Assignee
精材科技股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 精材科技股份有限公司 filed Critical 精材科技股份有限公司
Publication of TW202329384A publication Critical patent/TW202329384A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI837882B publication Critical patent/TWI837882B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14636—Interconnect structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14687—Wafer level processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

一種晶片封裝體包括感測元件、支撐層與透光蓋板。感測元件的表面具有感測區與導電墊。導電墊鄰近此表面的邊緣。支撐層位於感測元件的表面上且圍繞感測區。支撐層具有本體部與複數個記號部。這些記號部分別位於本體部的複數個角落中、位於本體部的側壁中、分別位於感測元件的複數個角落上、分別位於本體部的複數個內緣上、或分別位於本體部的複數個外緣上。透光蓋板位於支撐層上。

Description

晶片封裝體及其製造方法
本揭露是有關一種晶片封裝體及一種晶片封裝體的製造方法。
隨著積體電路(IC)製造技術日益進步，晶片的尺寸越來越小，因此要追蹤生產過程中的晶片並不容易。傳統上，可採額外製程在晶片上形成編號，以利追蹤生產過程中的晶片。然而，額外的製程會使製造成本與生產時間增加，而使產品競爭力下降。
本揭露之一技術態樣為一種晶片封裝體。
根據本揭露之一些實施方式，一種晶片封裝體包括感測元件、支撐層與透光蓋板。感測元件的表面具有感測區與導電墊。導電墊鄰近此表面的邊緣。支撐層位於感測元件的表面上且圍繞感測區。支撐層具有本體部與複數個記號部。這些記號部分別位於本體部的複數個角落中、位於本體部的側壁中、分別位於感測元件的複數個角落上、分別位於本體部的複數個內緣上、或分別位於本體部的複數個外緣上。透光蓋板位於支撐層上。
在一些實施方式中，上述支撐層的記號部為2進位的圖案、8進位的圖案、10進位的圖案或16進位的圖案。
在一些實施方式中，當上述記號部分別位於本體部的角落中時，這些記號部彼此分開。
在一些實施方式中，上述記號部為貫穿支撐層的開口。
在一些實施方式中，當上述記號部位於本體部的側壁中時，這些記號部相鄰。
在一些實施方式中，上述記號部為凹部，其頂面低於本體部的頂面。
在一些實施方式中，當上述記號部分別位於感測元件的角落上時，這些記號部彼此分開。
在一些實施方式中，上述記號部為凸部，其材料與本體部相同。
在一些實施方式中，上述記號部的頂面與本體部的頂面齊平。
在一些實施方式中，當上述記號部分別位於本體部的內緣上時，這些記號部彼此分開。
在一些實施方式中，上述本體部的內緣為鋸齒狀，這些記號部具有與此鋸齒狀不同的形狀。
在一些實施方式中，上述記號部為凹部、凸部或其組合。
在一些實施方式中，當上述記號部分別位於本體部的外緣上時，這些記號部彼此分開。
在一些實施方式中，上述本體部的外緣為直線狀，這些記號部具有與此直線狀不同的形狀。
在一些實施方式中，上述記號部為凹部、凸部或其組合。
本揭露之另一技術態樣為一種晶片封裝體的製造方法。
根據本揭露之一些實施方式，一種晶片封裝體的製造方法包括形成支撐層於透光蓋板與感測元件其中一者上，其中感測元件的表面具有感測區與導電墊，導電墊鄰近此表面的邊緣；圖案化支撐層，使支撐層具有本體部與複數個記號部，且這些記號部分別位於本體部的複數個角落中、位於本體部的一側壁中、分別位於感測元件的複數個角落上、分別位於本體部的複數個內緣上、或分別位於本體部的複數個外緣上；以及接合支撐層於透光蓋板與感測元件其中另一者。
在一些實施方式中，上述晶片封裝體的製造方法更包括切割透光蓋板。
在本揭露上述實施方式中，由於支撐層的記號部可分別位於本體部的複數個角落中、位於本體部的側壁中、分別位於感測元件的複數個角落上、分別位於本體部的複數個內緣上、或分別位於本體部的複數個外緣上，因此可根據記號部的圖案組合對晶片封裝體編號，以利追蹤生產過程中的晶片封裝體。此外，支撐層的記號部可與本體部於同一圖案化步驟形成，可省略額外的製程，進而減少晶片封裝體的製造成本與生產時間，有利於提升產品競爭力。
以下揭示之實施方式內容提供了用於實施所提供的標的之不同特徵的許多不同實施方式，或實例。下文描述了元件和佈置之特定實例以簡化本案。當然，該等實例僅為實例且並不意欲作為限制。此外，本案可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複係用於簡便和清晰的目的，且其本身不指定所論述的各個實施方式及/或配置之間的關係。
諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……之上」、「上部」等等空間相對術語可在本文中為了便於描述之目的而使用，以描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語意欲涵蓋除了附圖中所示的定向之外的在使用或操作中的裝置的不同定向。裝置可經其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)並且本文所使用的空間相對描述詞可同樣相應地解釋。
第1圖繪示根據本揭露一實施方式之晶片封裝體100的上視圖。第2圖繪示第1圖之支撐層120的記號部126a的局部放大圖。同時參閱第1圖與第2圖，晶片封裝體100包括感測元件110、支撐層120與透光蓋板130。感測元件110的表面111具有感測區112與導電墊114。導電墊114鄰近感測元件110的表面111的邊緣。支撐層120位於感測元件110的表面111上且圍繞感測區112。支撐層120具有本體部122與複數個記號部126a、126b、126c、126d。在本實施方式中，記號部的數量與本體部122的角落123的數量皆為四，但並不用以限制本揭露。四記號部126a、126b、126c、126d分別位於本體部122的四角落123中。支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d可以為2進位的圖案、8進位的圖案、10進位的圖案或16進位的圖案，依設計需求而定。此外，透光蓋板130位於支撐層120上，感測區112可接收通過透光蓋板130的光線。
此外，由於支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d分別位於本體部122的角落123中，因此記號部126a、126b、126c、126d彼此分開。在本實施方式中，記號部126a、126b、126c、126d可以為貫穿支撐層120的開口。
在本實施方式中，感測元件110可為影像感測元件，例如CIS(CMOS Image Sensor)感測元件。支撐層120的材料可包括環氧樹脂(Epoxy)，且為感光材料。此外，透光蓋板130可以為玻璃片，以供光線通過至感測區112。
第3A圖至第3D圖分別繪示第1圖之記號部126a、126b、126c、126d的局部放大圖。在第1圖中，記號部126a的圖案可定義為X數值，記號部126b的圖案可定義為x數值，記號部126c的圖案可定義為Y數值，且記號部126d的圖案可定義為y數值，使晶片封裝體100可具有編號XxYy。在本實施方式中，第3A圖可表示數值1，第3B圖可表示數值2，第3C圖可表示數值3，且第3D圖可表示數值4。當晶片封裝體100的支撐層120形成記號部126a、126b、126c、126d後，此晶片封裝體100的編號XxYy可供機台判讀為1234。
第4圖至第7圖繪示第1圖之晶片封裝體100的製造方法在各階段的剖面圖。同時參閱第4圖與第5圖，首先形成支撐層120於透光蓋板130上，接著圖案化支撐層120，使支撐層120具有本體部122與記號部126a。應理解記號部126a僅為示例，實際上第1圖的記號部126b、126c、126d亦與記號部126a同時形成。在上述步驟中，可使用具有開口O的遮罩M對支撐層120執行曝光(Photo)製程，使支撐層120定義出本體部122與記號部126a。在其他實施方式中，支撐層120可形成於感測元件110上(將於第15圖說明)。接著，可執行顯影(Development)製程，以去除支撐層120未被照光的部分，以形成開口型式的記號部126a。
參閱第6圖，待圖案化支撐層120後，可利用黏膠A將支撐層120接合於感測元件110，使支撐層120圍繞感測區112。參閱第7圖，接著，便可切割透光蓋板130，便可得到第1圖的晶片封裝體100。
參閱第1圖，由於支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d可分別位於本體部122的角落123中，因此可根據記號部126a、126b、126c、126d的圖案組合對晶片封裝體100編號，以利追蹤生產過程中的晶片封裝體100。此外，支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d可與本體部122於同一圖案化步驟形成，可省略額外的製程，進而減少晶片封裝體100的製造成本與生產時間，有利於提升產品競爭力。
應瞭解到，已敘述過的元件連接關係、材料與功效將不再重複贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明其他型式的晶片封裝體及其製造方法。
第8圖繪示根據本揭露另一實施方式之晶片封裝體100a的上視圖。第9圖繪示第8圖之支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d的局部放大圖。同時參閱第8圖與第9圖，晶片封裝體100a包括感測元件110、支撐層120與透光蓋板130。本實施方式與第1圖實施方式不同的地方在於晶片封裝體100a的支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d位於本體部122的側壁124中。舉例來說，記號部126a、126b、126c、126d一同位於本體部122的一側(如上側)的側壁124中，且記號部126a、126b、126c、126d相鄰。此外，記號部126a、126b、126c、126d可以為凹部，例如盲孔，其頂面低於本體部122的頂面。
支撐層120的記號部126a的圖案可定義為X數值，記號部126b的圖案可定義為x數值，記號部126c的圖案可定義為Y數值，且記號部126d的圖案可定義為y數值，使晶片封裝體100a可具有編號XxYy。在本實施方式中，第9圖的記號部126a、126b、126c、126d的圖案可分別表示數值1、2、3、4。當晶片封裝體100a的支撐層120形成記號部126a、126b、126c、126d後，此晶片封裝體100a的編號XxYy可供機台判讀為1234。
第10圖至第12圖繪示第8圖之晶片封裝體100a的製造方法在各階段的剖面圖。同時參閱第10圖與第11圖，首先形成支撐層120於透光蓋板130上，接著圖案化支撐層120，使支撐層120具有本體部122與記號部126a、126b、126c、126d。在上述步驟中，可使用具有開口O的遮罩M對支撐層120執行曝光(Photo)製程，使支撐層120定義出本體部122與記號部126a、126b、126c、126d。在本實施方式中，遮罩M的非開口O區域可供光線微幅穿過。接著，可執行顯影(Development)製程，以去除支撐層120僅輕微被照光的部分。如此一來，便可形成凹部(即盲孔)型式的記號部126a、126b、126c、126d。
參閱第12圖，待圖案化支撐層120後，可利用黏膠A將支撐層120接合於感測元件110。接著，可執行切割透光蓋板130的步驟，便可得到第8圖的晶片封裝體100a。
第13圖繪示根據本揭露又一實施方式之晶片封裝體100b的上視圖。第14圖繪示第13圖之支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d的局部放大圖。同時參閱第13圖與第14圖，晶片封裝體100b包括感測元件110、支撐層120與透光蓋板130。本實施方式與第1圖實施方式不同的地方在於晶片封裝體100b的支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d分別位於感測元件110的四角落上。也就是說，記號部126a、126b、126c、126d位於感測元件110的表面111上，且記號部126a、126b、126c、126d彼此分開。此外，記號部126a、126b、126c、126d可以為凸部，其材料與本體部122相同，且記號部126a、126b、126c、126d的頂面與本體部122的頂面齊平。
支撐層120的記號部126a的圖案可定義為X數值，記號部126b的圖案可定義為x數值，記號部126c的圖案可定義為Y數值，且記號部126d的圖案可定義為y數值，使晶片封裝體100b可具有編號XxYy。每一記號部126a、126b、126c、126d的圖案可為第3A圖至第3D圖其中一者。當晶片封裝體100b的支撐層120形成記號部126a、126b、126c、126d後，此晶片封裝體100b的編號XxYy可供機台判讀。
第15圖至第18圖繪示第13圖之晶片封裝體100b的製造方法在各階段的剖面圖。同時參閱第15圖與第16圖，首先形成支撐層120於感測元件110上，接著圖案化支撐層120，使支撐層120具有本體部122與記號部126a。應理解記號部126a僅為示例，實際上第13圖的記號部126b、126c、126d亦與記號部126a同時形成。在上述步驟中，可使用具有開口O的遮罩M對支撐層120執行曝光(Photo)製程，使支撐層120定義出本體部122與記號部126a。接著，可執行顯影(Development)製程，以去除支撐層120未被照光的部分，以形成凸部型式的記號部126a，且支撐層120的本體部122圍繞感測區112。
參閱第17圖，待圖案化支撐層120後，可利用黏膠A將支撐層120接合於透光蓋板130。參閱第18圖，接著，便可切割透光蓋板130，便可得到第13圖的晶片封裝體100b。
第19圖繪示根據本揭露再一實施方式之晶片封裝體100c的上視圖。第20圖繪示第19圖之支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d的局部放大圖。同時參閱第19圖與第20圖，晶片封裝體100c包括感測元件110、支撐層120與透光蓋板130。本實施方式與第1圖實施方式不同的地方在於晶片封裝體100c的支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d分別位於本體部122的四內緣125a上。記號部126a、126b、126c、126d彼此分開。此外，支撐層120的本體部122的內緣125a為鋸齒狀，這些記號部126a、126b、126c、126d具有與此鋸齒狀不同的形狀。舉例來說，記號部126a、126b、126c、126d可為非鋸齒狀(例如圓弧形、梯形與矩形)的凹部、凸部或其組合。
在本實施方式中，記號部126a、126b、126c、126d為半圓形的凸部(如第20圖所示)，具有相同的形狀。記號部126a為上內緣125a沿方向D1取代齒的位置可定義為X數值，記號部126b為下內緣125a沿方向D2取代齒的位置可定義為x數值，記號部126c為左內緣125a沿方向D3取代齒的位置可定義為Y數值，且記號部126d為右內緣125a沿方向D4取代齒的位置可定義為y數值，使晶片封裝體100c可具有編號XxYy。在本實施方式中，第19圖的記號部126a、126b、126c、126d分別取代第4個齒、第6個齒、第3個齒、第5個齒，可分別表示數值4、6、3、5。當晶片封裝體100c的支撐層120形成記號部126a、126b、126c、126d後，此晶片封裝體100c的編號XxYy可供機台判讀為4635。
第21圖至第24圖繪示第19圖之晶片封裝體100c的製造方法在各階段的剖面圖。同時參閱第21圖與第22圖，首先形成支撐層120於透光蓋板130上，接著圖案化支撐層120，使支撐層120具有本體部122與記號部126a。應理解記號部126a僅為示例，實際上第19圖的記號部126b、126c、126d亦與記號部126a同時形成。在上述步驟中，可使用具有開口O的遮罩M對支撐層120執行曝光(Photo)製程，使支撐層120定義出本體部122與記號部126a。接著，可執行顯影(Development)製程，以去除支撐層120未被照光的部分，以形成非鋸齒狀的記號部126a。
參閱第23圖，待圖案化支撐層120後，可利用黏膠A將支撐層120接合於感測元件110，使支撐層120圍繞感測區112。參閱第24圖，接著，可執行切割透光蓋板130的步驟，便可得到第19圖的晶片封裝體100c。
第25圖繪示根據本揭露一實施方式之晶片封裝體100d的上視圖。第26A圖至第26D圖繪示第25圖之記號部126a、126b、126c、126d的局部放大圖。晶片封裝體100d包括感測元件110、支撐層120與透光蓋板130。本實施方式與第19圖實施方式不同的地方在於晶片封裝體100d的支撐層120的記號部126a的圖案可定義為X數值，記號部126b的圖案可定義為x數值，記號部126c的圖案可定義為Y數值，且記號部126d的圖案可定義為y數值，使晶片封裝體100d具有編號XxYy。在本實施方式中，第26A圖可表示數值1，第26B圖可表示數值2，第26C圖可表示數值3，且第26D圖可表示數值4。當晶片封裝體100d的支撐層120形成記號部126a、126b、126c、126d後，此晶片封裝體100d的編號XxYy可供機台判讀為1342。
第27圖繪示根據本揭露又一實施方式之晶片封裝體100e的上視圖。第28A圖至第28D圖分別繪示第27圖之記號部126a、126b、126c、126d的局部放大圖。晶片封裝體100e包括感測元件110、支撐層120與透光蓋板130。本實施方式與第25圖實施方式不同的地方在於晶片封裝體100e的支撐層120的記號部126a、126b、126c、126d分別位於本體部122的四外緣125b上。記號部126a、126b、126c、126d彼此分開。此外，支撐層120的本體部122的外緣125b為直線狀，這些記號部126a、126b、126c、126d具有與此直線狀不同的形狀。舉例來說，記號部126a、126b、126c、126d可為非直線狀(例如三角形、圓弧形、梯形與矩形)的凹部、凸部或其組合。
晶片封裝體100e的支撐層120的記號部126a的圖案可定義為X數值，記號部126b的圖案可定義為x數值，記號部126c的圖案可定義為Y數值，且記號部126d的圖案可定義為y數值，使晶片封裝體100e具有編號XxYy。在本實施方式中，第28A圖可表示數值1，第28B圖可表示數值2，第28C圖可表示數值3，且第28D圖可表示數值4。當晶片封裝體100e的支撐層120形成記號部126a、126b、126c、126d後，此晶片封裝體100e的編號XxYy可供機台判讀為1234。
前述概述了幾個實施方式的特徵，使得本領域技術人員可以更好地理解本揭露的態樣。本領域技術人員應當理解，他們可以容易地將本揭露用作設計或修改其他過程和結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式相同的目的和/或實現相同的優點。本領域技術人員還應該認識到，這樣的等效構造不脫離本揭露的精神和範圍，並且在不脫離本揭露的精神和範圍的情況下，它們可以在這裡進行各種改變，替換和變更。
100,100a,100b,100c,100d,100e:晶片封裝體 110:感測元件 111:表面 112:感測區 114:導電墊 120:支撐層 122:本體部 123:角落 124:側壁 125a:內緣 125b:外緣 126a,126b,126c,126d:記號部 130:透光蓋板 A:黏膠 D1,D2,D3,D4:方向 M:遮罩 O:開口
當與隨附圖示一起閱讀時，可由後文實施方式最佳地理解本揭露內容的態樣。注意到根據此行業中之標準實務，各種特徵並未按比例繪製。實際上，為論述的清楚性，可任意增加或減少各種特徵的尺寸。 第1圖繪示根據本揭露一實施方式之晶片封裝體的上視圖。 第2圖繪示第1圖之支撐層的記號部的局部放大圖。 第3A圖至第3D圖分別繪示第1圖之記號部的局部放大圖。 第4圖至第7圖繪示第1圖之晶片封裝體的製造方法在各階段的剖面圖。 第8圖繪示根據本揭露另一實施方式之晶片封裝體的上視圖。 第9圖繪示第8圖之支撐層的記號部的局部放大圖。 第10圖至第12圖繪示第8圖之晶片封裝體的製造方法在各階段的剖面圖。 第13圖繪示根據本揭露又一實施方式之晶片封裝體的上視圖。 第14圖繪示第13圖之支撐層的記號部的局部放大圖。 第15圖至第18圖繪示第13圖之晶片封裝體的製造方法在各階段的剖面圖。 第19圖繪示根據本揭露再一實施方式之晶片封裝體的上視圖。 第20圖繪示第19圖之支撐層的記號部的局部放大圖。 第21圖至第24圖繪示第19圖之晶片封裝體的製造方法在各階段的剖面圖。 第25圖繪示根據本揭露一實施方式之晶片封裝體的上視圖。 第26A圖至第26D圖繪示第25圖之記號部的局部放大圖。 第27圖繪示根據本揭露又一實施方式之晶片封裝體的上視圖。 第28A圖至第28D圖分別繪示第27圖之記號部的局部放大圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:晶片封裝體
110:感測元件
111:表面
112:感測區
114:導電墊
120:支撐層
122:本體部
123:角落
126a,126b,126c,126d:記號部
130:透光蓋板

Claims (16)

  1. 一種晶片封裝體，包括：一感測元件，其一表面具有一感測區與一導電墊，該導電墊鄰近該表面的邊緣；一支撐層，位於該感測元件的該表面上且圍繞該感測區，其中該支撐層具有一本體部與複數個記號部，該些記號部為2進位的圖案、8進位的圖案、10進位的圖案或16進位的圖案，且該些記號部分別位於該本體部的複數個角落中、位於該本體部的一側壁中、分別位於該感測元件的複數個角落上、分別位於該本體部的複數個內緣上、或分別位於該本體部的複數個外緣上；以及一透光蓋板，位於該支撐層上。
  2. 如請求項1所述之晶片封裝體，其中當該些記號部分別位於該本體部的該些角落中時，該些記號部彼此分開。
  3. 如請求項2所述之晶片封裝體，其中該些記號部為貫穿該支撐層的開口。
  4. 如請求項1所述之晶片封裝體，其中當該些記號部位於該本體部的該側壁中時，該些記號部相鄰。
  5. 如請求項4所述之晶片封裝體，其中該些記 號部為凹部，其頂面低於該本體部的頂面。
  6. 如請求項1所述之晶片封裝體，其中當該些記號部分別位於該感測元件的該些角落上時，該些記號部彼此分開。
  7. 如請求項6所述之晶片封裝體，其中該些記號部為凸部，其材料與該本體部相同。
  8. 如請求項6所述之晶片封裝體，其中該些記號部的頂面與該本體部的頂面齊平。
  9. 如請求項1所述之晶片封裝體，其中當該些記號部分別位於該本體部的該些內緣上時，該些記號部彼此分開。
  10. 如請求項9所述之晶片封裝體，其中該本體部的該些內緣為一鋸齒狀，該些記號部具有與該鋸齒狀不同的形狀。
  11. 如請求項9所述之晶片封裝體，其中該些記號部為凹部、凸部或其組合。
  12. 如請求項1所述之晶片封裝體，其中當該些 記號部分別位於該本體部的該些外緣上時，該些記號部彼此分開。
  13. 如請求項12所述之晶片封裝體，其中該本體部的該些外緣為一直線狀，該些記號部具有與該直線狀不同的形狀。
  14. 如請求項12所述之晶片封裝體，其中該些記號部為凹部、凸部或其組合。
  15. 一種晶片封裝體的製造方法，包括：形成一支撐層於一透光蓋板與一感測元件其中一者上，其中該感測元件的一表面具有一感測區與一導電墊，該導電墊鄰近該表面的邊緣；圖案化該支撐層，使該支撐層具有一本體部與複數個記號部，該些記號部為2進位的圖案、8進位的圖案、10進位的圖案或16進位的圖案，且該些記號部分別位於該本體部的複數個角落中、位於該本體部的一側壁中、分別位於該感測元件的複數個角落上、分別位於該本體部的複數個內緣上、或分別位於該本體部的複數個外緣上；以及接合該支撐層於該透光蓋板與該感測元件其中另一者。
  16. 如請求項15所述之晶片封裝體的製造方法，更包括： 切割該透光蓋板。
TW111138918A 2022-01-14 2022-10-13 晶片封裝體及其製造方法 TWI837882B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202263299704P 2022-01-14 2022-01-14
US63/299,704 2022-01-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202329384A TW202329384A (zh) 2023-07-16
TWI837882B true TWI837882B (zh) 2024-04-01

Family

ID=87161141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111138918A TWI837882B (zh) 2022-01-14 2022-10-13 晶片封裝體及其製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230230933A1 (zh)
CN (1) CN116487365A (zh)
TW (1) TWI837882B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201131710A (en) * 2010-02-26 2011-09-16 Xintec Inc Chip package and fabrication method thereof
TW201241908A (en) * 2011-04-13 2012-10-16 Xintec Inc Chip package and manufacturing method thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201131710A (en) * 2010-02-26 2011-09-16 Xintec Inc Chip package and fabrication method thereof
TW201241908A (en) * 2011-04-13 2012-10-16 Xintec Inc Chip package and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
TW202329384A (zh) 2023-07-16
CN116487365A (zh) 2023-07-25
US20230230933A1 (en) 2023-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI466259B (zh) 半導體封裝件、其製造方法及重佈晶片封膠體的製造方法
CN110391261B (zh) 微型发光二极管显示面板
TWI697990B (zh) 感測器封裝結構及其感測模組
TWI837882B (zh) 晶片封裝體及其製造方法
TWI530845B (zh) 光電感測陣列、製作光電感測陣列之方法及顯示裝置
KR20180024203A (ko) 나노임프린트 리소그래피를 이용한 패턴 형성 방법
TW202306146A (zh) 顯示模組及其製造方法
US11476451B2 (en) Display device and manufacturing method thereof for reducing color cast between view angles
WO2021218413A1 (zh) 掩膜板、显示基板及其制作方法、显示装置
WO2021226744A1 (zh) 显示面板及其制作方法和显示装置及其制作方法
JP2009110793A (ja) 画像表示装置の製造方法およびそれに用いる露光マスク
JP5254156B2 (ja) 光ポインティング装置及び該装置を搭載した電子機器
CN108415219B (zh) 功能膜层图形、显示基板及其制作方法、显示装置
WO2020232692A1 (zh) Oled显示基板、面板、装置、制作方法、指纹识别模组
WO2018166375A1 (zh) 基板及其制备方法、以及显示面板
US11751461B2 (en) Display motherboard, fabricating method and aligning method of display motherboard
CN112802832B (zh) 微发光二极体显示装置及其制造方法
TW201944168A (zh) 光罩以及形成圖案的方法
JP2017103347A (ja) 基板同士の組立方法
CN110349984B (zh) 具有光学结构的集成电路
TWI481950B (zh) 光罩圖案之設計方法
JP4368241B2 (ja) 配線基板の製造方法
JP2010045107A (ja) 光半導体装置の製造方法
TWI844001B (zh) 背光模組
KR100976791B1 (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법