TWI837778B - 研磨頭及具有其的晶圓研磨裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明關於於一種使晶圓研磨後更加平坦、均勻、一致的研磨頭及具有其的晶圓研磨裝置。該研磨頭，包括：一本體，該本體內沿一施力方向依次設有第一軟膜腔室和第二軟膜腔室；及一施力結構，其設於該第一軟膜腔室和第二軟膜腔室的連接處，且延伸至接近該第二軟膜腔室的作用面的外邊緣，具有在該第一軟膜腔室中的氣體壓力作用下對該第二軟膜腔室的作用面的外邊緣施力，以使其按壓待研磨件的邊緣的第一狀態，和在該第一軟膜腔室內未填充氣體時，與該第二軟膜腔室的作用面的外邊緣間隙設置的第二狀態。

Description

研磨頭及具有其的晶圓研磨裝置
本發明關於一種晶圓研磨技術，特別關於一種研磨頭及具有其的晶圓研磨裝置。
在晶片製造過程中，化學機械拋光(CMP)製程作為重要的平坦化技術被應用於晶圓的研磨過程中，然而隨著晶圓直徑尺寸的增大和晶片關鍵特徵尺寸的逐漸縮小，對於晶片的高平坦化，晶圓表面的均勻性，一致性的加工難度也越來越大。同時在晶圓製造製程中，晶圓是不斷加厚的，尤其是後段的金屬和通孔製作製程，會多次用到化學機械拋光(CMP)製程對晶圓進行研磨，以確保晶圓表面的高平坦性。在研磨過程中如果晶圓邊緣的研磨速率過慢，或材料去除率過低，所導致的結果為邊緣與中心存在較大的高度差，在後續的研磨過程中又會對相鄰的完整晶片造成影響。
習知晶圓研磨技術均為經由對研磨頭內的軟膜腔室進行壓力填充，其中軟膜腔室的尺寸大小與晶圓相似，通過壓力填充使軟膜腔室內部產生下壓力，對晶圓在拋光墊上進行研磨拋光。而對於研磨頭內與晶圓直接接觸的軟膜腔室有且只有一個，雖然習知技術對軟膜腔室進行了分區設計，使壓力填充在軟膜腔室內形成不同的壓力區，惟相對於圓形介面，在壓力填充過程中，軟膜機構中心區域的壓力填充後所產生的下壓力更加均勻，而越靠近軟膜腔室邊緣，受限於軟膜腔室的材質屬性偏軟，軟膜腔室的邊緣部分無法直接接觸到晶圓邊緣區域，導致晶圓邊緣區域的受壓狀態不均勻。
緣是，本發明要解決的技術問題在於克服習知技術中因軟膜腔室邊緣部分無法直接接觸到晶圓邊緣區域，導致晶圓邊緣區域的受壓狀態不均勻的缺陷，從而提供一種使晶圓研磨後更加平坦、均勻、一致的研磨頭及具有其的晶圓研磨裝置。
本發明之一實施例提供一種研磨頭，包括：一本體，該本體內沿施力方向依次設有第一軟膜腔室和第二軟膜腔室；以及一施力結構，其設於該第一軟膜腔室和第二軟膜腔室的連接處，且延伸至接近該第二軟膜腔室的作用面的外邊緣，具有在該第一軟膜腔室中的氣體壓力作用下對該第二軟膜腔室的作用面的外邊緣施力，以使其按壓待研磨件的邊緣的第一狀態，和在該第一軟膜腔室內未填充氣體時，與該第二軟膜腔室的作用面的外邊緣間隙設置的第二狀態。在本發明的另一實施例中，該施力結構包括設於該第一軟膜腔室中的第一支撐件、設於第二軟膜腔室中的加壓件以及用於連接該第一支撐件和加壓件的連接元件，該加壓件受力可在該第二軟膜腔室中運動，以按壓該第二軟膜腔室的作用面的外邊緣。在本發明的另一實施例中，該連接元件包括同時與該第一支撐件和加壓件連接的緊固件以及套設在該緊固件外的限位件，該限位件包覆在該第一軟膜腔室的外周壁上，以限制該第一軟膜腔室在氣體壓力作用下的徑向形變。在本發明的另一實施例中，該第二軟膜腔室的外周壁上套設有第二支撐件，以限制該第二軟膜腔室在氣體壓力作用下的徑向形變。在本發明的另一實施例中，該加壓件靠近該第二軟膜腔室的作用面一端成型為平面。在本發明的另一實施例中，該第一支撐件與該連接元件之間設有第一彈性密封件，該連接元件與該加壓件之間設有第二彈性密封件。在本發明的另一實施例中，該第一彈性密封件為環狀凸台結構。在本發明的另一實施例中，該第一軟膜腔室和第二軟膜腔室內的填充壓力差值小於或等於2psi。在本發明的 另一實施例中，該第一軟膜腔室內填充壓力為3.5-6.5psi，該第二軟膜腔室內填充壓力為1.5-4.5psi。本發明的又一實施例中係關於一種晶圓研磨裝置，包括如上述的任一實施例的研磨頭。
本發明所提供技術方案，具有如下優點：
1.本發明提供的研磨頭，施力結構設於第一軟膜腔室和第二軟膜腔室的連接處，且延伸至接近第二軟膜腔室的作用面的外邊緣，具有在第一軟膜腔室中的氣體壓力作用下對第二軟膜腔室的作用面的外邊緣施力，以使其按壓待研磨件的邊緣的第一狀態，和在第一軟膜腔室內未填充氣體時，與第二軟膜腔室的作用面的外邊緣間隙設置的第二狀態。在對待研磨件進行研磨時，通過施力結構配合第二軟膜腔室按壓待研磨件的邊緣，使得第二軟膜腔室的底面與待研磨件完全接觸，研磨更加均勻；且硬質的施力結構所產生的下壓力較於真空壓力接觸所產生的下壓力傳遞更快，沒有滯後性，時效性高，使得待研磨件研磨的更平坦。
2.本發明提供的研磨頭，其施力結構包括設於第一軟膜腔室中的第一支撐件、設於第二軟膜腔室中的加壓件以及用於連接第一支撐件和加壓件的連接元件，加壓件受力可在第二軟膜腔室中運動，以按壓第二軟膜腔室的作用面的外邊緣。第一軟膜腔室與第二軟膜腔室通過連接元件連接，保證了加壓件下壓的均勻性。
3.本發明提供的研磨頭，連接元件包括同時與第一支撐件和加壓件連接的緊固件以及套設在緊固件外的限位件，該限位件包覆在第一軟膜腔室的外周壁上，以限制第一軟膜腔室在氣體壓力作用下的徑向形變。限位件有效的限制了第一軟膜腔室的徑向形變，使得第一軟膜腔室在壓力作用下產生恒定的縱向形變，縱向形變產生均勻的下壓力，再通過限位件有效傳遞到加壓件，進一步提高了力傳遞的時效性，實現對待研磨件邊緣的有效按壓，保證按壓的均勻性。
4.本發明提供的研磨頭，其第二軟膜腔室的外周壁上套設有第二 支撐件，以限制第二軟膜腔室在氣體壓力作用下的徑向形變。第二支撐件有效的限制了第二軟膜腔室的徑向形變，迫使第二軟膜腔室形成縱向形變，進一步提高了力傳遞的時效性，從而使得第二軟膜腔室的底面與待研磨件的背面接觸，提高待研磨件邊緣研磨的平坦性。
5.本發明提供的研磨頭，加壓件靠近第二軟膜腔室的作用面一端成型為平面。平面的設置增大了加壓件與第二軟膜腔室的作用面接觸面積，使得第一軟膜腔室縱向形變所產生的下壓力傳遞至加壓件上，均勻分散作用在待研磨件上，防止因下壓力集中在一點上使得待研磨件發生破損。
6.本發明提供的研磨頭，其第一支撐件與連接元件之間設有第一彈性密封件，連接元件與加壓件之間設有第二彈性密封件，第一彈性密封件為環狀凸台結構。通過環狀凸台擠壓連接元件，提高了密封的效果；並且通過環抱第一軟膜腔室，解決了研磨頭在使用時軟膜結構偏離中心問題，第一軟膜腔室氣壓受力沿豎直方向向下施力，運動順暢；同時減小了第一軟膜腔室拉伸變形量，提高了使用壽命以及工作的穩定性。
7.本發明提供的研磨頭，第一軟膜腔室和第二軟膜腔室內的填充壓力差值小於或等於2psi。較小的壓力差提升了工藝的一致性，且防止了加壓件過度壓迫待研磨件，提高了待研磨件邊緣壓力的可控性，減小了軟膜腔室使用時漏氣的風險。
A:本體
B:施力結構
C:槽體
F:施力方向
1:第一軟膜腔室
2:第一支撐件
3:緊固件
4:第二軟膜腔室
5:加壓件
6:第二支撐件
7:第三軟膜腔室
8:第三支撐件
9:限位件
10:保持環
11:殼體
12:第一彈性密封件
13:第二彈性密封件
41:作用面的外邊緣
51:支撐部
52:施力部
53:端部
511:內環部分
G:間隙
為了更清楚地說明本發明具體實施方式或習知技術中的技術方案，下面將對具體實施方式或習知技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施方式，並非用以限制本發明的內容。
圖1為本發明一實施例的研磨頭局部的結構示意圖。
圖2為本發明一實施例的密封件的結構示意圖。
為更清楚瞭解本創作之特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本創作配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本創作的申請專利範圍。
本文中的用語「一」或「一種」係用以敘述本創作之元件及成分。此術語僅為了敘述方便及給予本創作之基本觀念。此敘述應被理解為包括一種或至少一種，且除非明顯地另有所指，表示單數時亦包括複數。於申請專利範圍中和「包含」一詞一起使用時，該用語「一」可意謂一個或超過一個。此外，本文中的用語「或」其意同「及/或」。
除非另外規定，否則諸如「上方」、「下方」、「向上」、「左邊」、「右邊」、「向下」、「本體」、「底座」、「垂直」、「水準」、「側」、「較高」、「下部」、「上部」、「上方」、「下面」等空間描述係關於圖中所展示之方向加以指示。應理解，本文中所使用之空間描述僅出於說明之目的，且本文中所描述之結構之實際實施可以任何相對方向在空間上配置，此限制條件不會改變本發明實施例之優點。舉例來說，在一些實施例之描述中，提供「在」另一元件「上」之一元件可涵蓋前一元件直接在後一元件上(例如，與後一元件實體接觸)的狀況以及一或複數個介入元件位於前一元件與後一元件之間的狀況。
如本文中所使用，術語「大致」、「實質上」、「實質的」及「約」用以描述及考慮微小之變化。當與事件或情形結合使用時，該等術語可意指事件或情形明確發生之情況以及事件或情形極近似於發生之情況。
如圖1及圖2所示的一種研磨頭，用於研磨晶圓，包括一本體A和 一施力結構B。該本體A內沿該研磨頭之施力方向F，依次設有第一軟膜腔室1和第二軟膜腔室4。施力結構B設於第一軟膜腔室1和第二軟膜腔室4的連接處，且向下延伸至接近第二軟膜腔室4的作用面的外邊緣41，具體而言，施力結構B包括設於第一軟膜腔室1中的第一支撐件2、設於第二軟膜腔室4中的加壓件5、及用於連接第一支撐件2和加壓件5的緊固件3，緊固件3可為一螺釘，緊固件3外更套設有限位件9，限位件9為“T”型結構，通過螺釘3與第一支撐件2和加壓件5連接，“T”型結構水平放置，以使得其夾角包覆在第一軟膜腔室1的下端側壁上，加壓件5包括具有槽體的支撐部51和設于支撐部下方的施力部52，螺釘3的下端緊固在支撐部的槽體C中，支撐部的內環部分511與第三軟膜腔室7的頂部接觸。
施力結構B具有在第一軟膜腔室1中的氣體壓力作用下對第二軟膜腔室4的作用面的外邊緣施力，以使其按壓待研磨件(未顯示)的邊緣的第一狀態，和在第一軟膜腔室1內未填充氣體時，與第二軟膜腔室4的作用面的外邊緣間隙G設置的第二狀態。具體的，第一狀態為對第一軟膜腔室1充氣時，第一軟膜腔室1產生形變帶動第一支撐件2向下運動，因限位件9上部限制了第一軟膜腔室1的徑向形變，且第一支撐件2與第一軟膜腔室1相連，使得第一軟膜腔室1產生恒定的縱向形變，第一軟膜腔室1的縱向形變所產生的下壓力通過限位件9傳遞到位於第二軟膜腔室4的加壓件5。
加壓件5受力在第二軟膜腔室4中運動，以按壓第二軟膜腔室4的作用面的外邊緣41。為保證待研磨件(未顯示)邊緣不過度受壓，加壓件5靠近第二軟膜腔室4的作用面一端53成型為平面。為保證第二軟膜腔室4的作用面的外邊緣41與待研磨件完全接觸，第二軟膜腔室4的外周上套設有第二支撐件6和第三支撐件8，第二支撐件6與第三支撐件8限制了第二軟膜腔室4的徑向形變，且第二支撐件6限制第三軟膜腔室7的徑向形變，迫使第二軟膜腔室4和第三軟膜腔室7形成縱向形變，使得第二軟膜腔室4的作用面與待研磨件的邊緣背部接 觸，且第二軟膜腔室4的縱向形變所產生的下壓力傳遞至第三軟膜腔室7，第三軟膜腔室7受力抵壓待研磨件(例如晶圓)的中心背部；第二狀態為第一軟膜腔室1未填入氣體時，加壓件5與第二軟膜腔室4之間保持0.7-1mm間隙。
為保證研磨頭整體的密封性，如圖2所示，第一支撐件2與限位件9之間設有第一彈性密封件12，第一彈性密封件12為環狀凸台結構，環狀凸台通過擠壓限位件9，達到了進一步增強密封的作用，且凸台為半圓形結構，環狀凸台圈數
Figure 111131284-A0305-02-0009-2
2圈；限位件9與加壓件5之間更設有第二彈性密封件13，第二彈性密封件13為“O”型密封圈；緊固件3與第一支撐件2之間也設有“O”型密封圈，且緊固件3與“O”型密封圈抵接處為曲面，以限制“O”型密封圈移動，進一步提高密封性。
為使得待研磨件在研磨頭上不滑脫，研磨頭殼體11邊緣處設有保持環10。當使用研磨頭時，先對接觸晶圓的軟膜腔室進行不同壓力氣體的填充，其中，第一軟膜腔室1內填充壓力為3.5-6.5psi，第二軟膜腔室4內填充壓力為1.5-4.5psi，且第一軟膜腔室1和第二軟膜腔室4內的填充壓力差值控制在
Figure 111131284-A0305-02-0009-1
2psi。
當第一軟膜腔室1內填入氣體，第一軟膜腔室1產生形變，由於限位件9上部限制第一軟膜腔室1的徑向變形，使得第一軟膜腔室1產生恒定的縱向變形，第一軟膜腔室1的縱向變形所產生的下壓力帶動第一支撐件2向下運動，由於第一支撐件2與加壓件5通過緊固件3連接，此時第一軟膜腔室1的縱向變形所產生的下壓力傳遞至加壓件5上，使得加壓件5在第二軟膜腔室4中運動，加壓件5的底端按壓第二軟膜腔室4的作用面的外邊緣，第二軟膜腔室4的作用面與晶圓邊緣接觸。對第二軟膜腔室4中注入氣體，第二軟膜腔室4產生形變，由於第二軟膜腔室4的外周壁上套設有第二支撐件6，第二支撐件6限制了第二軟膜腔室4在氣體壓力作用下的徑向形變，使得第二軟膜腔室4產生縱向形變，因加壓件5底端對第二軟膜腔室4作用面有作用力，有利於第二軟膜腔室4 作用面完全與晶圓背部接觸。同時第二軟膜腔室4因氣體作用所產生的向下的力傳遞至第三軟膜腔室7，由於第二支撐件6限制第三軟膜腔室7的徑向變形，使得第三軟膜腔室7產生縱向變形，從而使得第三軟膜腔室7作用面接觸晶圓中心。
本發明的其他實施例提供一種晶圓研磨裝置，其包括以上該的研磨頭。
在其他實施例中，上述施力結構為一體成型、同時貫穿第一軟膜腔室1和第二軟膜腔室4的壓條，壓條的下端成型有斜面。
在其他實施例中，上述限位件9和第二支撐件6均為環狀，分別套設在第一軟膜腔室1和第二軟膜腔室4的外周。
在其他實施例中，上述環狀凸台可為長圓形等其它形狀結構。
以上該之實施例僅係為說明本創作之技術思想及特點，其目的在使熟習此項技藝之人士能夠瞭解本創作之內容並據以實施，當不能以之限定本創作之專利範圍，依本創作所揭示之精神所作之均等變化或修飾，仍應涵蓋在本創作之專利範圍內。
A:本體
B:施力結構
C:槽體
F:施力方向
1:第一軟膜腔室
2:第一支撐件
3:緊固件
4:第二軟膜腔室
5:加壓件
6:第二支撐件
7:第三軟膜腔室
8:第三支撐件
9:限位件
10:保持環
11:殼體
41:作用面的外邊緣
51:支撐部
511:內環部分

Claims (8)

  1. 一種研磨頭，包括：一本體(A)，該本體(A)內沿該研磨頭之施力方向(F)依次設有第一軟膜腔室(1)和第二軟膜腔室(4)；以及一施力結構(B)，設於該第一軟膜腔室(1)和第二軟膜腔室(4)的連接處，且向下延伸至接近該第二軟膜腔室(4)之一作用面的外邊緣(41)；其中當該第一軟膜腔室(1)內填充氣體時，該施力結構(B)對該第二軟膜腔室(4)的作用面的外邊緣(41)施力，以使其按壓一待研磨件，且其中當該第一軟膜腔室(1)內未填充氣體時，該施力結構(B)與該第二軟膜腔室(4)的作用面的外邊緣(41)之間保持一間隙(G)；其中該施力結構(B)包括設於該第一軟膜腔室(1)中的第一支撐件(2)、設於第二軟膜腔室(4)中的加壓件(5)以及用於連接該第一支撐件(2)和加壓件(5)的連接元件，該加壓件(5)受力可在該第二軟膜腔室(4)中運動，以按壓該第二軟膜腔室(4)的作用面的外邊緣(41)；且其中該連接元件包括同時與該第一支撐件(2)和加壓件(5)連接的緊固件(3)以及套設在該緊固件(3)外的限位件(9)，該限位件(9)包覆在該第一軟膜腔室(1)的外周壁上，以限制該第一軟膜腔室(1)在氣體壓力作用下的徑向形變。
  2. 如請求項1之研磨頭，其中該第二軟膜腔室(4)的外周壁上套設有第二支撐件(6)，以限制該第二軟膜腔室(4)在氣體壓力作用下的徑向形變。
  3. 如請求項1或2之研磨頭，其中該加壓件(5)靠近該第二軟膜腔室(4)的作用面之一端部(53)成型為平面。
  4. 如請求項1或2之研磨頭，其中該第一支撐件(2)與該連接元件之間設有第一彈性密封件(12)，該連接元件與該加壓件(5)之間設有第二彈性密封件(13)。
  5. 如請求項4之研磨頭，其中該第一彈性密封件(12)為環狀凸台結構。
  6. 如請求項1或2之研磨頭，其中該第一軟膜腔室(1)和第二軟膜腔室(4)內的填充壓力差值小於或等於2psi。
  7. 如請求項6之研磨頭，其中該第一軟膜腔室(1)內填充壓力為3.5-6.5psi，該第二軟膜腔室(4)內填充壓力為1.5-4.5psi。
  8. 一種晶圓研磨裝置，其包括請求項1-7任一項之研磨頭。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116038552A (zh) * 2023-02-10 2023-05-02 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种抛光头和基板抛光装置及研磨方法
CN116372775B (zh) * 2023-03-01 2024-01-30 北京晶亦精微科技股份有限公司 一种抛光头及具有其的晶圆抛光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW476691B (en) * 1999-09-02 2002-02-21 Mitsubishi Materials Corp Polishing head, polishing apparatus using polishing head, and method for sensing polished surface state
TWI234504B (en) * 2000-02-01 2005-06-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Structure of polishing head of polishing apparatus

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW523443B (en) * 2002-01-28 2003-03-11 Mitsubishi Materials Corp Polishing head, polishing device and polishing method
US7750657B2 (en) * 2007-03-15 2010-07-06 Applied Materials Inc. Polishing head testing with movable pedestal
CN108145593A (zh) * 2017-12-28 2018-06-12 德淮半导体有限公司 晶圆加工装置及其工作方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW476691B (en) * 1999-09-02 2002-02-21 Mitsubishi Materials Corp Polishing head, polishing apparatus using polishing head, and method for sensing polished surface state
TWI234504B (en) * 2000-02-01 2005-06-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd Structure of polishing head of polishing apparatus

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