TWI837669B - 研磨裝置及研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可適當進行研磨墊表面之溫度調節的研磨裝置及研磨方法。該研磨裝置具備：可旋轉地構成之研磨台，且為用於支撐研磨墊之研磨台；保持研磨對象物，用於將研磨對象物抵住研磨墊之基板保持部；用於在研磨面上供給研磨液之研磨液供給部；用於從研磨面除去研磨液之研磨液除去部；及用於調節研磨面之溫度的溫度調節部。而後，在研磨台之旋轉方向，依序配置有研磨液供給部、藉由基板保持部將研磨對象物抵住研磨面之研磨區域、研磨液除去部、及溫度調節部。

Description

研磨裝置及研磨方法
本發明係關於一種研磨裝置、及研磨方法。
在半導體元件之製造工序中，半導體元件表面之平坦化技術愈來愈重要。平坦化技術習知有化學機械研磨（CMP(Chemical Mechanical Polishing)）。該化學機械研磨係使用研磨裝置將包含二氧化矽（SiO 2）或二氧化鈰（CeO 2）等研磨粒之研磨液（漿液）供給至研磨墊，並使半導體晶圓等基板滑動接觸於研磨墊來進行研磨者。
進行CMP處理之研磨裝置具備：支撐研磨墊之研磨台；及用於保持基板之上方環形轉盤或稱為研磨頭等的基板保持機構。該研磨裝置從研磨液供給噴嘴供給研磨液至研磨墊，並將基板對研磨墊表面（研磨面）以指定壓力按壓。此時，藉由使研磨台與基板保持機構旋轉，基板滑動接觸於研磨面，而將基板表面研磨成平坦之鏡面。
基板之研磨率除了基板對研磨墊的研磨負荷之外，還取決於研磨墊之表面溫度。此因，研磨液對基板之化學性作用取決於溫度。此外，有些製造之基板為了防止品質降低，須在低溫下執行CMP處理。因此，在研磨裝置中，將基板研磨中之研磨墊的表面溫度保持在最佳值很重要。因而，近年來，提出有具備調節研磨墊之表面溫度的溫度調節機構之研磨裝置。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開第2013-99828號公報
（發明所欲解決之問題）
在基板研磨中調節研磨墊之表面溫度的方法之一例，包括朝向研磨墊表面噴射氣體、及在研磨墊之表面附近設置熱交換器等。但是，使用此種溫度調節機構時，藉由研磨墊上之研磨液擔任隔熱層的角色，有時造成研磨墊表面之溫度調節效率降低。此外，特別是朝向研磨墊表面噴射氣體時，也會有研磨液之噴霧飛散到周圍的問題。研磨液附著在研磨裝置內之零件表面而乾燥時，有可能變成粉末而掉落到研磨墊表面，成為基板表面發生刮痕的原因。
本發明係鑑於上述情形者，目的之一為提供一種可適當進行研磨墊表面之溫度調節的研磨裝置及研磨方法。此外，本發明的目的之一為提供一種可抑制研磨墊上之研磨液飛散的研磨裝置及研磨方法。 （解決問題之手段）
[形態1]形態1提出一種使用具有研磨面之研磨墊進行研磨對象物之研磨的研磨裝置，該研磨裝置具備：研磨台，其係可旋轉地構成，且用於支撐研磨墊；基板保持部，其係保持研磨對象物，用於將研磨對象物抵住研磨墊；研磨液供給部，其係用於在研磨面上供給研磨液；研磨液除去部，其係用於從研磨面除去研磨液；及溫度調節部，其係用於調節研磨面之溫度。而後，在研磨台之旋轉方向，依序配置有研磨液供給部、藉由基板保持部將研磨對象物抵住研磨面之研磨區域、研磨液除去部、及溫度調節部。採用該形態1時，由於在研磨台之旋轉方向，於溫度調節部之前方設有研磨液除去部，因此，溫度調節部可在除去研磨液之狀態下調節研磨面的溫度。藉此，可提高溫度調節部調節研磨面之溫度的效率。
[形態2]形態2如形態1之研磨裝置，其中溫度調節部具有噴吹氣體至研磨面之噴射器、及在內部流入流體之熱交換器的至少一方。採用該形態2時，可藉由噴射器及/或熱交換器調節研磨面之溫度。此外，在研磨面上噴吹氣體時，由於亦可在除去研磨液之狀態下在研磨面上噴吹氣體，因此可抑制研磨墊上之研磨液飛散。
[形態3]形態3如形態1或形態2之研磨裝置，其中研磨液除去部至少具有以下元件之一方：吸引部，其係吸引研磨液；及堰堤部，其係抵接於研磨面上之研磨液，妨礙該研磨液在旋轉方向移動。採用該形態3時，可藉由吸引部及/或堰堤部從研磨面除去研磨液。
[形態4]形態4如形態3之研磨裝置，其中研磨液除去部具有吸引部及堰堤部，堰堤部在旋轉方向配置於吸引部之後方，並與吸引部一體設置。採用該形態4時，可藉由吸引部吸引藉由堰堤部妨礙向旋轉方向移動之研磨液，可從研磨面適當除去研磨液。
[形態5]形態5如形態1至形態4中任一形態之研磨裝置，其中進一步具備溫度測定部，其係測定研磨面之溫度，溫度調節部係以藉由溫度測定部所測定之溫度達到目標溫度的方式調節研磨面的溫度。採用該形態5時，可依據藉由溫度測定部所測定之溫度，藉由溫度調節部調節研磨面之溫度。
[形態6]形態6提出一種研磨方法，係使安裝有研磨墊之研磨台旋轉，並且將研磨對象物抵住研磨墊來研磨研磨對象物，該研磨方法具備：研磨液供給工序，其係在研磨墊之研磨面上供給研磨液；研磨液除去工序，其係從研磨面除去研磨液；及溫度調節工序，其係調節研磨面之溫度。而後，在研磨台之旋轉方向依序進行研磨液供給工序、對研磨墊抵住研磨對象物、研磨液除去工序、及溫度調節工序。採用形態6時，可達到與上述研磨裝置同樣之效果。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，圖式中，在同一個或相當之元件上註記同一符號，並省略重複之說明。
第一圖係顯示本發明一種實施形態之研磨裝置的概略構成圖。本實施形態之研磨裝置10係構成可使用具有研磨面102之研磨墊100進行作為研磨對象物之半導體晶圓等的基板Ｗｋ之研磨。如圖示，研磨裝置10具備：支撐研磨墊100之研磨台20；及保持基板Ｗｋ並抵住研磨墊100之上方環形轉盤（基板保持部）30。進一步，研磨裝置10具備在研磨墊100上供給研磨液（漿液）之研磨液供給噴嘴（研磨液供給部）40。
研磨台20形成圓盤狀，且構成將其中心軸作為旋轉軸線而可旋轉。在研磨台20上藉由貼合等安裝有研磨墊100。研磨墊100之表面形成研磨面102。研磨墊100藉由研磨台20藉由無圖示之馬達旋轉而與研磨台20一體旋轉。
上方環形轉盤30在其下面藉由真空吸附等而保持作為研磨對象物之基板Ｗｋ。上方環形轉盤30構成藉由來自無圖示之馬達的動力可與基板Ｗｋ一起旋轉。上方環形轉盤30之上部經由軸桿31而連接於支撐臂34。上方環形轉盤30藉由無圖示之空氣汽缸可在上下方向移動，並可調節與研磨台20之距離。藉此，上方環形轉盤30可將保持之基板Ｗｋ抵住研磨墊100的表面（研磨面）102。再者，支撐臂34係構成可藉由無圖示之馬達而搖動，並使上方環形轉盤30在與研磨面102平行之方向移動。本實施形態之上方環形轉盤30係構成可在無圖示之基板Ｗｋ的接收位置與研磨墊100之上方位置移動，並且構成可變更基板Ｗｋ對研磨墊100之抵住位置。以下，亦將基板Ｗｋ藉由上方環形轉盤30之抵住位置（保持位置）稱為「研磨區域」。
研磨液供給噴嘴40設於研磨台20上方，並在支撐於研磨台20之研磨墊100上供給研磨液（漿液）。研磨液供給噴嘴40藉由軸桿42支撐。軸桿42構成可藉由無圖示之馬達而搖動，研磨液供給噴嘴40在研磨中可變更研磨液之滴下位置。
另外，研磨裝置10亦具備控制研磨裝置10整個動作之控制部70（參照第四圖）。控制部70亦可具備CPU、記憶體等，而構成使用軟體實現所需功能之微電腦，亦可構成進行專用運算處理之硬體電路。
研磨裝置10係如下進行基板Ｗｋ之研磨。首先，使在下面保持基板Ｗｋ之上方環形轉盤30旋轉，並且使研磨墊100旋轉。在該狀態下，從研磨液供給噴嘴40供給研磨液至研磨墊100之研磨面102，保持於上方環形轉盤30之基板Ｗｋ對研磨面102抵接。藉此，在基板Ｗｋ表面存在漿液下與研磨墊100接觸之狀態下，基板Ｗｋ與研磨墊100相對移動。如此研磨基板Ｗｋ。
如第一圖所示，研磨裝置10進一步具備：研磨液除去部50、及溫度調節部60。第二圖係顯示研磨裝置10之各元件配置關係的俯視圖。如第二圖所示，本實施形態之研磨裝置10在進行基板Ｗｋ之研磨時，係在研磨台20之旋轉方向Rd依序配置有研磨液供給噴嘴40、基板Ｗｋ之研磨區域（基板Ｗｋ藉由上方環形轉盤30之抵住位置）、研磨液除去部50、及溫度調節部60。另外，本實施形態係設置成研磨液除去部50與溫度調節部60彼此鄰接。不過不限於此種例，亦可將研磨液除去部50與溫度調節部60分離設置。
研磨液除去部50為了從研磨面102除去研磨液，而設置在比基板Ｗｋ之研磨區域在研磨台20的旋轉方向Rd後方（下游側）。換言之，研磨液除去部50係從研磨面102除去研磨基板Ｗｋ時曾經使用過的研磨液。如第二圖所示，研磨液除去部50係以沿著研磨台20之直徑方向延伸的方式配置。
第三圖係模式顯示研磨液除去部50之一例圖。另外，第三圖係顯示與研磨液除去部50之長度方向（研磨台20之直徑方向）垂直的剖面。如第三圖所示，本實施形態之研磨液除去部50具有：阻擋研磨面102上之研磨液SL的堰堤部52、及吸引研磨液SL之吸引部56。本實施形態係將堰堤部52與吸引部56一體構成。
堰堤部52抵接於研磨面102，妨礙研磨液SL在研磨台20之旋轉方向Rd移動。堰堤部52宜以不致損傷研磨面102，並且不致因與研磨面102抵接而堰堤部52本身的研削屑殘留於研磨面102上的方式選擇其材質。一個例子為堰堤部52亦可為與保持基板Ｗｋ外周緣之無圖示的扣環相同材質，亦可以PPS（聚苯硫醚）等合成樹脂或不銹鋼等金屬型成。此外，堰堤部52之表面亦可塗敷PEEK（聚醚醚酮）、PTFE（聚四氟乙烯）、或氯化聚乙烯等樹脂塗層。再者，如第三圖所示，堰堤部52為了減少與研磨面102之抵接阻力，亦可將抵接於研磨面102之部位削圓（或倒角）。
吸引部56在研磨台20之旋轉方向Rd鄰接於堰堤部52的前方（上游側）而配置。吸引部56具有朝向研磨面102開口之縫隙57，該縫隙57經由流路58連接於無圖示之真空源。本實施形態從縫隙57朝向無圖示之真空源的流路58對研磨面102形成90度之角度。縫隙57在研磨液除去部50之長度方向宜形成比堰堤部52的長度短，且比基板Ｗｋ之直徑長。此外，縫隙57之寬度Sw可依研磨液SL之種類及無圖示之真空源的性能等來決定。一個例子當基板Ｗｋ之直徑係300mm時，縫隙57之長度方向的長度係300mm以上，寬度Sw宜為1~2mm程度。
因此，本實施形態之研磨液除去部50係在研磨台20之旋轉方向Rd與吸引研磨液SL之吸引部56的後方連續，而配置有阻擋研磨液SL之堰堤部52。因而，可藉由吸引部56吸引藉由堰堤部52所阻擋的研磨液SL，並可從研磨面102適當地除去研磨液SL。
另外，研磨液除去部50藉由無圖示之霧化器或修整器調整研磨面102時，宜從研磨面102離開。換言之，研磨液除去部50係構成可在除去研磨液SL之研磨液除去位置、與從研磨面102離開的等待位置之間移動，進行研磨面102之調整時亦可位於等待位置。本實施形態之研磨裝置10藉由研磨液除去部50從研磨面102除去研磨液狀態下，可進行研磨面102之調整。因而，可抑制藉由霧化器或修整器使用之液體與研磨液混合。因此，可將基板Ｗｋ之研磨及調整時產生之使用後的液體分別回收，而有助於環境保護。
說明回到第一圖及第二圖。溫度調節部60在研磨台20之旋轉方向Rd配置於研磨液除去部50的後方。溫度調節部60藉由控制部控制而調節研磨面102之溫度。第四圖係藉由控制部控制溫度調節部60之說明圖。另外，第四圖省略了研磨液除去部50之圖示。如圖示，本實施形態之溫度調節部60具有用於在研磨面102上噴吹氣體之氣體噴射噴嘴（噴射器）62。氣體噴射噴嘴62經由壓縮空氣供給管線63連接於壓縮空氣源。壓縮空氣供給管線63中設有壓力控制閥64，藉由從壓縮空氣源供給之壓縮空氣通過壓力控制閥64可控制壓力及流量。壓力控制閥64連接於控制部70。另外，壓縮空氣亦可保持常溫，亦可冷卻或加溫至指定溫度。
如第四圖所示，在研磨墊100上方設置檢測研磨墊100之表面溫度的溫度感測器68。此處之溫度感測器68宜在研磨台20之旋轉方向Rd設於研磨液除去部50的後方，檢測除去研磨液狀態下之研磨面102溫度。溫度感測器68連接於控制部70。控制部70依指定溫度或輸入之設定溫度的目標溫度、與藉由溫度感測器68所檢測研磨面102的實際溫度之差，藉由PID控制調整壓力控制閥64之閥門開度，控制從氣體噴射噴嘴62噴射之壓縮空氣流量。藉此，從氣體噴射噴嘴62噴吹最佳流量之壓縮空氣於研磨墊100的研磨面102，而將研磨面102溫度維持在目標溫度。
第五圖及第六圖係模式顯示溫度調節部60之氣體噴射噴嘴62與研磨墊100的俯視圖及側視圖。如第五圖所示，溫度調節部60具備沿著研磨台20直徑方向，隔以指定間隔而配置之複數個氣體噴射噴嘴62（圖示之例安裝了8個噴嘴）。第五圖中，研磨墊100於研磨中係在旋轉中心CT周圍順時鐘方向Rd旋轉。此處，從墊內側以1、2、3…8的順序在噴嘴上賦予編號，例如以第三個與第六個的2個氣體噴射噴嘴62為例作說明。亦即，通過第3個與第6個之2個氣體噴射噴嘴62正下方的點P1、P2，描繪以CT為中心之同心圓C1、C2，並將在同心圓C1、C2上之點P1、P2的切線方向定義為研磨墊100之旋轉切線方向時，氣體噴射噴嘴62之氣體噴射方向對研磨墊的旋轉切線方向在墊中心側傾斜指定角度（θ1）程度。所謂氣體噴射方向，係指氣體從氣體噴射噴嘴口扇狀擴散之角度（氣體噴射角）的中心線方向。第3個與第6個噴嘴以外之其他噴嘴亦同樣地對研磨墊之旋轉切線方向在墊中心側傾斜指定角度（θ1）。而後，氣體噴射噴嘴62對研磨墊之旋轉切線方向的氣體噴射方向之角度（θ1），因為與溫度調節能力之關係而設定為15˚～35˚。另外，此處係說明有8個噴嘴，不過噴嘴數量可藉由插塞等封閉噴嘴孔作調整，而可為任意數量。噴嘴數量宜依研磨墊100之大小而適當選定。
此外，如第六圖所示，氣體噴射噴嘴62之氣體噴射方向對研磨墊100的表面（研磨面）102並非垂直，而係在研磨台20之旋轉方向Rd側傾斜指定角度程度。將氣體噴射噴嘴62對研磨面102之氣體噴射方向的角度，亦即將研磨面102與氣體噴射噴嘴62之氣體噴射方向形成的角度定義為氣體進入角度（θ2）時，氣體進入角度（θ2）因為與溫度調節能力之關係而設定為30˚～50˚。此處，所謂氣體噴射方向，係指氣體從氣體噴射噴嘴口扇狀擴散之角度（氣體噴射角）的中心線方向。此外，如第六圖所示，氣體噴射噴嘴62構成可上下運動，並可調整氣體噴射噴嘴62從研磨面102之高度Hn。
藉由此種溫度調節部60，在基板Ｗｋ研磨中，可朝向研磨墊100（研磨面102）從至少1個氣體噴射噴嘴62噴射氣體來調節研磨面102之溫度。而且，在研磨台20之旋轉方向Rd，於溫度調節部60前方設有從研磨面102除去研磨液之研磨液除去部50。因而，在除去可成為隔熱層之研磨液的狀態下，溫度調節部60可調節研磨面102之溫度，並可提高研磨面102之溫度調節效率。此外，從溫度調節部60之氣體噴射噴嘴62強勢噴射氣體至研磨面102時，亦可抑制研磨液飛散，而抑制基板Ｗｋ上發生刮痕。再者，本實施形態之研磨裝置10由於藉由研磨液除去部50除去研磨基板Ｗｋ時曾經使用過的研磨液，此時係從研磨液供給噴嘴40供給新的研磨液至研磨面102上，因此可將使用於研磨基板Ｗｋ之研磨液保持一定品質。 （變形例1）
第七圖係模式顯示變形例之研磨液除去部的一例圖。上述實施形態之吸引部56的縫隙57及流路58係以對研磨面102形成90度之方式設置。但是，不限定於此種例，如第七圖所示，吸引部56之縫隙57及流路58亦可以與研磨台20之旋轉方向Rd的形成角度為10度以上，90度以下之方式傾斜。如此，可隨著研磨台20之旋轉將研磨液SL引導至流路58，並可適當吸引研磨液SL。
此外，上述實施形態係吸引部56之堰堤部52抵接於研磨面102。但是，不限定於此種例，堰堤部52只要與研磨液抵接即可，亦可設置成與研磨面102之間有間隙。此時，由於堰堤部52與研磨面102不抵接，因此可防止堰堤部52產生研削屑或產生抵接阻力。另外，研磨裝置10亦可進一步具備檢測研磨面102之位置、或是研磨液除去部50與研磨面102之距離的感測器。而後，研磨裝置10亦可依據檢測出之位置或距離，將研磨液除去部50抵接於研磨面102，亦可將研磨液除去部50與研磨面102之距離保持一定。
再者，上述實施形態係研磨液除去部50一體具有堰堤部52與吸引部56。但是，不限定於此種例，研磨液除去部50亦可分別具有堰堤部52與吸引部56，亦可僅具有堰堤部52與吸引部56之一方。此外，研磨液除去部50亦可與用於調整研磨墊100之修整器或霧化器等至少一部分一體設置。 （變形例2）
第八圖係藉由控制部控制變形例之溫度調節部160的說明圖。上述實施形態之溫度調節部60係具有朝向研磨面102噴射氣體之氣體噴射噴嘴（噴射器）62。但是，溫度調節部60亦可取代其或是另外具有在內部流入流體之熱交換器。如第八圖所示，變形例之溫度調節部60A取代氣體噴射噴嘴62而具有熱交換器62A。另外，第八圖所示之變形例除了溫度調節部60A之外，與實施形態之研磨裝置10相同。此外，第八圖省略了研磨液除去部50之圖示。如第八圖所示，熱交換器62A在內部形成有無圖示之流路，並經由配管63A而連接於流體供給源66A。配管63A中設有壓力控制閥64A，可藉由從流體供給源66A供給之流體通過壓力控制閥64A來控制壓力及流量。壓力控制閥64A連接於控制部70。使用於熱交換器62A之流體亦可使用水等液體，亦可使用空氣等氣體。此外，熱交換器62A中，亦可在內部流入反應氣體，亦可在熱交換器62A內部設置促進反應氣體之發熱反應的觸媒。再者，熱交換器62A亦可配置成抵接於研磨面102，亦可配置成在與研磨面102之間具有間隙。
控制部70與上述實施形態同樣地，依據溫度感測器68檢測之溫度調整壓力控制閥64A的閥門開度，來控制流入熱交換器62A內部之流體的流量。藉由此種變形例之溫度調節部60A，與上述實施形態同樣地亦可調節研磨面102之溫度。而且，在研磨台20之旋轉方向Rd，於溫度調節部60A前方設有研磨液除去部50。因而，變形例之研磨裝置可在除去可成為隔熱層之研磨液的狀態下藉由溫度調節部60A調節研磨面102之溫度，可提高研磨面102之溫度調節效率。
以上，係說明本發明之實施形態，不過上述發明之實施形態係為了容易理解本發明者，而並非限定本發明者。本發明在不脫離其旨趣範圍內可進行變更、改良，並且本發明當然包含其均等物。此外，在可解決上述課題之至少一部分的範圍、或是達到效果之至少一部分的範圍內，實施形態及變形例可任意組合，且申請專利範圍及說明書記載之各元件可任意組合或省略。
本申請案依據2017年4月11日申請之日本專利申請編號第2017-078060號而主張優先權。包含日本專利申請編號第2017-078060號之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部揭示內容，以參照之方式援用於本申請案。包含日本特開2013-99828號公報（專利文獻1）之說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部揭示，以參考之方式全部援用於本申請案。
10:研磨裝置 20:研磨台 30:上方環形轉盤 31:軸桿 34:支撐臂 40:研磨液供給噴嘴 42:軸桿 50:研磨液除去部 52:堰堤部 56:吸引部 57:縫隙 58:流路 60、60A:溫度調節部 62:氣體噴射噴嘴 62A:熱交換器 63:壓縮空氣供給管線 63A:配管 64、64A:壓力控制閥 66A:流體供給源 68:溫度感測器 70:控制部 100:研磨墊 102:研磨面 Rd:旋轉方向 SL:研磨液 Ｗｋ:基板
第一圖係顯示本發明一種實施形態之研磨裝置的概略構成圖。 第二圖係顯示研磨裝置之各元件配置關係的俯視圖。 第三圖係模式顯示研磨液除去部之一例圖。 第四圖係藉由控制部控制溫度調節部之說明圖。 第五圖係模式顯示溫度調節部之氣體噴射噴嘴與研磨墊的俯視圖。 第六圖係模式顯示溫度調節部之氣體噴射噴嘴與研磨墊的側視圖。 第七圖係模式顯示變形例之研磨液除去部的一例圖。 第八圖係藉由控制部控制變形例之溫度調節部的說明圖。
10:研磨裝置
20:研磨台
30:上方環形轉盤
31:軸桿
40:研磨液供給噴嘴
42:軸桿
50:研磨液除去部
60:溫度調節部
100:研磨墊
Rd:旋轉方向

Claims (6)

  1. 一種研磨裝置，係使用具有研磨面之研磨墊進行研磨對象物的研磨，且具備：研磨台，其係沿著旋轉方向可旋轉地構成，且用於支撐前述研磨墊；基板保持部，其係保持研磨對象物，用於將研磨對象物抵住前述研磨墊；研磨液供給部，其係用於在前述研磨面上供給研磨液；及研磨液除去部，其係用於從前述研磨面除去前述研磨液；其中，前述研磨液除去部具有：吸引部，其具有：縫隙，用以吸引前述研磨液；及流路，用以引導前述研磨液；及堰堤部，抵接於前述研磨面，以妨礙該研磨液在前述旋轉方向移動，前述堰堤部抵接於前述研磨面之部位係削圓或倒角，且前述堰堤部在前述旋轉方向配置於前述吸引部之後方並與前述吸引部一體設置；其中，從前述縫隙至前述流路之方向相對於前述研磨面係形成一角度，俾使前述研磨液為前述縫隙所吸引且為前述流路所引導。
  2. 一種研磨裝置，係使用具有研磨面之研磨墊進行研磨對象物的研磨，且具備：研磨台，其係沿著旋轉方向可旋轉地構成，且用於支撐前述研磨墊；基板保持部，其係保持研磨對象物，用於將研磨對象物抵住前述研磨墊； 研磨液供給部，其係用於在前述研磨面上供給研磨液；及研磨液除去部，其係用於從該研磨墊之前述研磨面除去前述研磨液；其中前述研磨液除去部具有吸引部與堰堤部，前述吸引部具有用以吸引前述研磨液的縫隙，前述堰堤部係抵接於前述研磨面上的前述研磨液以妨礙該研磨液在前述旋轉方向移動，而前述縫隙在該研磨液除去部的長度方向形成比前述堰堤部的長度短、且比被前述基板保持部所保持之前述研磨對象物的直徑長。
  3. 如請求項1或2之研磨裝置，其中前述研磨裝置更具備用以調節前述研磨面之溫度的溫度調節部，且前述溫度調節部具有下列至少一方：噴吹氣體至前述研磨面之噴射器；及在內部流入流體之熱交換器。
  4. 如請求項2之研磨裝置，其中前述堰堤部在前述旋轉方向配置於前述吸引部之後方，並與前述吸引部一體設置。
  5. 如請求項3之研磨裝置，其中進一步具備溫度測定部，其係測定前述研磨面之溫度，前述溫度調節部係調節前述研磨面的溫度，使得前述溫度測定部所測定之溫度達到目標溫度。
  6. 一種研磨方法，係使安裝有研磨墊之研磨台沿著旋轉方向旋轉，並且將研磨對象物抵住前述研磨墊來研磨前述研磨對象物，且具備：研磨液供給工序，其係在前述研磨墊之研磨面上供給研磨液；及 研磨液除去工序，其係在隨著供給前述研磨液將前述研磨對象物抵住前述研磨墊時，從該研磨墊之前述研磨面除去前述研磨液；其中前述研磨液除去工序係藉由具有吸引部與堰堤部的研磨液除去部來進行，前述吸引部具有用以吸引前述研磨液的縫隙，前述堰堤部係抵接於前述研磨面上的前述研磨液以妨礙該研磨液在前述旋轉方向移動，而前述縫隙在該研磨液除去部的長度方向形成比前述堰堤部的長度短、且比前述研磨對象物的直徑長。
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