TWI836757B - 光感測裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明實施例提供光感測裝置。光感測裝置包括半導體基板、隔離部件、第一摻雜區、第二摻雜區以及第三摻雜區。半導體基板具有第一導電類型。半導體基板包括感測區以及圍繞感測區的隔離區。第一摻雜區位於感測區中。第一摻雜區具有第二導電類型。第二摻雜區位於感測區中，且位於第一摻雜區上方。第二摻雜區具有第二導電類型。第三摻雜區位於感測區中，且位於第二摻雜區上。第三摻雜區具有第一導電類型。在剖面圖中，第一摻雜區具有第一長度，第二摻雜區具有第二長度，第二長度與第一長度的第一比值大於0且小於1。
Description
本發明是關於光感測裝置，特別是關於光學感測器。
光學感測器(例如影像感測器)是用於將聚焦在光學感測器上的光學影像轉換為電子訊號。光學感測器通常包含數組像素，其中像素包括例如光電二極體之光偵測元件，並藉由光偵測元件的配置以產生相應於光偵測元件上之光照射(light impinging)強度的電子訊號。所產生之電子訊號可進一步透過訊號處理電路來處理，以呈現光學影像的資訊。
現今，應用於智慧型手機中的光學感測器(包括接收可見光的環境光源感測器(Ambient Light Sensor，ALS)以及接收紅外光的距離感測器(Proximity Sensor，PS)的製造技術已不斷地快速發展，以提升手機的電池使用時間。然而，光學感測器之暗電流問題仍需進一步改善。
本發明一些實施例提供一種光感測裝置。光感測裝置包括半導體基板、隔離部件、第一摻雜區、第二摻雜區以及第三摻雜區。半導體基板具有第一導電類型，其中半導體基板包括感測區以及圍繞感測區的隔離區。第一摻雜區位於感測區中，其中第一摻雜區具有第二導電類型。第二摻雜區位於感測區中，且位於第一摻雜區上方，其中第二摻雜區具有第二導電類型。第三摻雜區位於感測區中，且位於第二摻雜區上，其中第三摻雜區具有第一導電類型，其中在剖面圖中，第一摻雜區具有第一長度，第二摻雜區具有第二長度，其中第二長度與第一長度的第一比值大於0且小於1。
以下參照本發明實施例之圖式以更全面地闡述本揭露。然而，本揭露亦可以各種不同的實施方式實現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度可能會為了清楚起見而放大，並且在各圖式中相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件。
以下提供了各種不同的實施例或範例，用於實施所提供的半導體結構之不同元件。敘述中若提及第一部件形成於第二部件之上，可能包含形成第一和第二部件直接接觸的實施例，也可能包含額外的部件形成於第一和第二部件之間，使得第一和第二部件不直接接觸的實施例。另外，本發明實施例可能在許多範例中使用重複的元件符號。這些重複僅是為了簡化和清楚的目的，而非代表所討論各種實施例及/或配置之間有特定的關係。
第1圖為本發明一些實施例之光感測裝置500的俯視示意圖。第2、3、4圖分別為本發明一些實施例之沿實質平行於第1圖的光感測裝置500的方向100的A-A’、B-B’、C-C’切線的剖面示意圖。為了說明，第1圖僅顯示部分部件，其餘部件可見於第2、3、4圖的剖面示意圖。在一些實施例中，光感測裝置500包括半導體基板200、隔離部件204、第一摻雜區210、第二摻雜區212、第三摻雜區214、第一井區220以及第二井區222。
在一些實施例中，半導體基板200包括元素半導體，例如矽(Si)、鍺(Ge)等；化合物半導體，例如氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、砷化銦(InAs)、銻化銦(InSb)等；合金半導體，例如矽鍺合金(SiGe)、磷砷鎵合金(GaAsP)、砷鋁銦合金(AlInAs)、砷鋁鎵合金(AlGaAs)、砷銦鎵合金(GaInAs)、磷銦鎵合金(GaInP)、磷砷銦鎵合金(GaInAsP)、或上述材料之組合。此外，半導體基板200也可包括絕緣層上覆半導體(semiconductor on insulator，SOI)。在一些實施例中，半導體基板200的導電類型可依設計需要為P型或N型。在本實施例中，半導體基板200可摻雜摻質而具有第一導電類型，例如可為P型，上述摻質例如硼、鋁、鎵、銦、三氟化硼離子(BF
3 +)、或上述之組合，摻雜濃度在約1E14 atoms/cm
2至約1E15 atoms/cm
2之間。在一些實施例中，半導體基板200包括感測區250(包括相鄰的感測區250-1、250-2)、圍繞感測區250的隔離區252以及圍繞隔離區252的保護環區254。
光感測裝置500具有多個隔離部件204，從半導體基板200的頂面201延伸至部分半導體基板200中。隔離部件204用以定義感測區250、隔離區252以及保護環區254。如第1~4圖所示，隔離部件204位於感測區250和隔離區252之間，以及隔離區252和保護環區254之間。此外，隔離部件204也可設置於相鄰的感測區250-1、250-2之間。在一些實施例中，隔離部件204例如由氧化矽(SiO)、氮化矽(SiN)、氮氧化矽(SiON)、及/或上述之組合形成的。在一些實施例中，使用圖案化製程及後續的沉積製程和平坦化製程形成隔離部件204。
如第1~4圖所示，第一摻雜區210位於感測區250-1、250-2中的半導體基板200的頂面201的下方，且位於感測區250-1、250-2之間的隔離部件204以及感測區250與隔離區252之間的隔離部件204之間。第一摻雜區210具有頂面210T和底面210B，且隔離部件204的底面204B位於第一摻雜區210的底面210B上方。如第2~4圖的剖面圖所示，第一摻雜區210沿方向100(實質平行於半導體基板200的頂面201的方向)具有相同的第一長度L1，且沿方向110(實質垂直於半導體基板200的頂面201的方向)具有第一深度D1(即第一摻雜區210的底面210B與半導體基板200的頂面201之間的距離)。第一摻雜區210並未連接至與其接近的隔離部件204。換句話說，第一摻雜區210的第一長度L1可小於於感測區250-1、250-2中相鄰隔離部件204之間的距離(圖未顯示)。在一些實施例中，第一摻雜區210具有與第一導電類型相反的第二導電類型。舉例來說，半導體基板200例如為P型半導體基板時，第一摻雜區210例如為N型深摻雜區。在一些實施例中，第一摻雜區210的摻雜濃度在約1E15 atoms/cm2至約1E17 atoms/cm2之間。
第二摻雜區212位於感測區250-1、250-2中的半導體基板200的頂面201的下方，且位於第一摻雜區210上方。相較於第一摻雜區210，第二摻雜區212接近於半導體基板200的頂面201。如第2圖所示，第二摻雜區212與第一摻雜區210彼此分離。換句話說，第二摻雜區212不相鄰第一摻雜區210，且與第一摻雜區210之間不存在一界面。如第1圖的俯視圖所示，第二摻雜區212的俯視圖面積(垂直投影面積)212A可小於第一摻雜區210的俯視圖面積210A。舉例來說，俯視圖面積212A可小於俯視圖面積210A的二分之一。另外，第一摻雜區210在俯視方向(垂直於第1圖紙面方向(意即垂直半導體基板200方向)且平行於第2~4圖的方向110)方向上具有第一投影(與俯視圖面積210A的形狀相同)，第二摻雜區212在俯視方向上具有第二投影(與俯視圖面積212A的形狀相同)，且第二投影完全位於第一投影內。並且，第一摻雜區210和第二摻雜區212可具有不相似的俯視圖形狀(意即第一投影和第二投影可具有不相似的形狀)。在第2~4圖的剖面圖中，第二摻雜區212沿方向100可具有不同的第二長度，例如第二長度L2-1、L2-2、L2-3，而第一摻雜區210均具有相同的第一長度L1。並且，第二長度L2-1、L2-2、L2-3均可小於第一長度L1。在一些實施例中，第二長度L2-1、L2-2、L2-3與第一長度L1的比值大於0且小於1。此外，第二摻雜區212沿方向110具有第二深度D2(即第二摻雜區212的底面210B與半導體基板200的頂面201相隔的距離)。第二深度
D2可小於第一深度D1。在一些實施例中，第二摻雜區212具有第二導電類型。舉例來說，半導體基板200例如為P型半導體基板時，第二摻雜區212例如為N型淺摻雜區。在一些實施例中，第二摻雜區212的摻雜濃度在約1E15 atoms/cm2至約1E17 atoms/cm2之間。
第三摻雜區214位於感測區250-1、250-2中，且位於第二摻雜區212上。如第2圖所示，第三摻雜區214鄰近半導體基板200的頂面201，例如可從半導體基板200的頂面201延伸至部分半導體基板200中，且第二摻雜區212鄰接第三摻雜區214的底面214B。此外，第三摻雜區214延伸至感測區250-1、250-2之間的隔離部件204以及感測區250與隔離區252之間的隔離部件204。在第2~4圖的剖面圖中，第三摻雜區214沿方向100具有第三長度L3，且沿方向110具有第三深度D3(即第三摻雜區214的底面214B與半導體基板200的頂面201相隔的距離)。第三長度L3可大於第二長度L2-1且小於第一長度L1，且第三深度D3可小於第二深度D2。在一些實施例中，第二長度L2-1與第三長度L3的比值大於第二長度L2-1與第一長度L1的比值且小於1。在一些實施例中，第三摻雜區214具有第一導電類型。舉例來說，半導體基板200例如為P型半導體基板時，第三摻雜區214例如為P型淺摻雜區。在一些實施例中，第三摻雜區214的摻雜濃度在約1E15 atoms/cm2至約1E17 atoms/cm2之間。
在一些實施例中，藉由半導體基板200、第一摻雜
區210、第二摻雜區212、以及第三摻雜區214之導電類型、摻雜濃度與深度的配置，可形成多個位於半導體基板200之感測區250中之不同深度的P-N接面(P-N junction)，例如半導體基板200與第一摻雜區210形成的P-N接面、半導體基板200與第二摻雜區212形成的P-N接面、以及第二摻雜區212與第三摻雜區214形成的P-N接面。
由於半導體基板200對於不同波長之入射光具有不同的吸收深度，例如長波長的不可見光(波長大於700奈米(nanometer，nm))相較於可見光(波長在約400至700奈米的範圍)可射入半導體基板200的深度較深，因而可藉由上述配置調整多個P-N接面的深度來對應不同波長範圍的入射光，並在不同的深度的P-N接面轉換為電子與電洞，進而產生電流訊號。值得注意的是，本發明實施例所包含之P-N接面的深度與數量可依據產品設計進行調整，並不以此為限。在一些實施例中，第三摻雜區214、第二摻雜區212以及第二摻雜區212和第一摻雜區210之間的部分半導體基板200形成第一光學感測器OS1。另外，第二摻雜區212和第一摻雜區210之間的部分半導體基板200、第一摻雜區210以及第一摻雜區210下方的另一部分半導體基板200形成第二光學感測器OS2。舉例來說，第一光學感測器OS1可為接收可見光的環境光源感測器(Ambient Light Sensor，ALS)，而第二光學感測器OS2可為接收波長約為940nm的紅外光的距離感測器
(Proximity Sensor，PS)。由於第二摻雜區212的俯視圖面積212A和第二長度L2-1、L2-2、L2-3小於第一摻雜區210的俯視圖面積210A和第一長度L1，可在維持接收可見光的第一光學感測器OS1的光敏感度(light sensitivity)的條件下降低第一光學感測器OS1的光線吸收面積，進一步抑制第一光學感測器OS1的暗電流(dark current)。
如第2~4圖所示，光感測裝置500更包括第四摻雜區206。第四摻雜區206包圍感測區250-1、250-2和隔離區252之間的隔離部件204和感測區250-1、250-2之間的隔離部件204的側面(圖未顯示)和底面204B。第四摻雜區206用以進一步增強圍繞感測區250-1、250-2的隔離部件204的暗電流隔絕能力。在一些實施例中，第四摻雜區206具有第二導電類型。舉例來說，半導體基板200例如為P型半導體基板時，第四摻雜區206例如為P型摻雜區。在一些實施例中，第四摻雜區206的摻雜濃度在約1E17 atoms/cm2至約1E18 atoms/cm2之間。
如第1~4圖所示，光感測裝置500更包括第一井區220。第一井區220位於隔離區252以及部分感測區250-1、250-2中，且圍繞第二摻雜區212。並且，第一井區220包圍感測區250-1、250-2和隔離區252之間的隔離部件204和感測區250-1、250-2之間的隔離部件204的側面(圖未顯示)和底面204B。此外，第一井區220包圍第四摻雜區206。在第2~4圖的剖面圖中，
在感測區250-1、250-2中的第一井區220沿方向100可具有不同的第一延伸長度，例如第一延伸長度E1-1、E1-2、E1-3。在一些實施例中，第一井區220與第一摻雜區210部分重疊，且與第二摻雜區212完全不重疊。並且，第一井區220的底面220B位於第一摻雜區210的頂面210T和底面210B之間。此外，隔離部件204的底面204B位於第一井區220的底面220B上方。在一些實施例中，第一井區220具有第一導電類型。舉例來說，半導體基板200例如為P型半導體基板時，第一井區220例如為P型井區。並且，第一井區220的摻雜濃度大於半導體基板200的摻雜濃度。因此，位於隔離區252中的第一井區220可用以將感測區250與外部區域電性隔絕，延伸至部分感測區250-1、250-2中的第一井區220可用以抑制為接收可見光的第一光學感測器OS1和接收波長約為940nm的紅外光的第二光學感測器OS2的暗電流。在一些實施例中，第一井區220的摻雜濃度在約1E17 atoms/cm2至約1E18 atoms/cm2之間。
如第1~4圖所示，光感測裝置500更包括第二井區222。第二井區222位於保護環區254中。第二井區222的底面222B位於隔離部件204的底面204B下方，且可與第一井區220的底面220B齊平。第二井區222用以避免外部電路信號干擾感測區250-1、250-2中的第一光學感測器OS1和第二光學感測器OS2。在一些實施例中，第二井區222具有第二導電類型。舉例來說，半導
體基板200例如為P型半導體基板時，第二井區222例如為N型井區。在一些實施例中，第二井區222的摻雜濃度在約1E17 atoms/cm2至約1E18 atoms/cm2之間。
如第1~4圖所示，光感測裝置500更包括第三井區224。第三井區224位於感測區250-1、250-2和隔離區252之間的隔離部件204的下方，且位於感測區250-1、250-2之間的隔離部件204的下方。並且，第三井區224鄰接第一井區220的底面220B。第三井區224從感測區250-1、250-2和隔離區252之間的隔離部件204的正下方以及從感測區250-1、250-2之間的隔離部件204的正下方延伸至部分感測區250-1、250-2中。在第2~4圖的剖面圖中，在感測區250-1、250-2中的第三井區224沿實質平行於半導體基板200的頂面201的方向可具有相同的第二延伸長度E2。在一些實施例中，第一延伸長度E1-1、E1-2、E1-3均大於第二延伸長度E2。第三井區224的導電類型可與第一井區220相同，可用以增加隔離區252的電性隔絕效能。在一些實施例中，第三井區224具有第一導電類型。舉例來說，半導體基板200例如為P型半導體基板時，第三井區224例如為P型深井區。在一些實施例中，第三井區224的摻雜濃度可小於第一井區220的摻雜濃度，且第三井區224的摻雜濃度在約1E16 atoms/cm2至約1E17 atoms/cm2之間。
如第1~3圖所示，光感測裝置500更包括第一重摻雜區218和第二重摻雜區219。第一重摻雜區218和第二重摻雜區
219鄰近半導體基板200的頂面201，例如可從半導體基板200的頂面201延伸至部分半導體基板200中。在一些實施例中，第一重摻雜區218位於隔離區252中的第一井區220上。第二重摻雜區219位於感測區250-1、250-2中的第三摻雜區214上以及保護環區254中的第二井區222上。在第2~4圖的剖面圖中，第一重摻雜區218和第二重摻雜區219沿方向110具有第四深度D4(即第一重摻雜區218和第二重摻雜區219的底面(圖未顯示)與半導體基板200的頂面201相隔的距離)，且第四深度D4可小於第三深度D3。在一些實施例中，第一重摻雜區218具有第一導電類型，且第二重摻雜區219具有第二導電類型。舉例來說，半導體基板200例如為P型半導體基板時，第一重摻雜區218例如為P型重摻雜區(P+)，且第二重摻雜區219例如為N型重摻雜區(N+)。在一些實施例中，第一重摻雜區218和第二重摻雜區219的摻雜濃度在約1E20 atoms/cm2至約1E21 atoms/cm2之間。
在一些實施例中，可利用多道離子植入及/或擴散製程，於半導體基板200中分別植入具有第一導電類型和第二導電類型的摻質以形成第一摻雜區210、第二摻雜區212、第三摻雜區214、第一井區220、第二井區222、第三井區224、第一重摻雜區218以及第二重摻雜區219。在一些實施例中，第一導電類型的摻質例如P型摻質，其可包括硼、鎵、鋁、銦、三氟化硼離子(BF3 +)、或上述之組合。在一些實施例中，第二導電類型的摻質例如為N型
摻質，其可包括磷、砷、氮、銻、或上述之組合。
如第1~4圖所示，光感測裝置500更包括矽化物遮蔽層(silicide block layer)226。矽化物遮蔽層226位於感測區250-1、250-2中，且覆蓋部分半導體基板200的頂面201，以使感測區250-1、250-2中的部分第二重摻雜區219暴露出來。矽化物遮蔽層226係用於遮蔽禁止形成矽化物的區域，防止矽化製程於上述區域形成矽化物，以維持上述區域的電性。
如第1~3圖所示，光感測裝置500更包括接觸插塞230。接觸插塞230位於感測區250-1、250-2、隔離區252以及保護環區254的半導體基板200的頂面201上。感測區250-1、250-2中的接觸插塞230電性連接未被矽化物遮蔽層226覆蓋的第二重摻雜區219，以偵測入射光在感測區250-1、250-2中所產生的電流訊號。隔離區252中的接觸插塞230電性連接第一井區220上的第一重摻雜區218，以利於外部電路根據不同操作條件對隔離區252中的第一井區220施加電壓。另外，保護環區254中的接觸插塞230電性連接第二井區222上的第二重摻雜區219，以利於外部電路根據不同操作條件對保護環區254中的第二井區222施加電壓。
本發明實施例提供一種光感測裝置，例如應用於智慧型手機中的光學感測器(包括接收可見光的環境光源感測器(ALS)和接收紅外光的距離感測器(PS))，藉由縮小用於可見光感測器中的N型摻雜區的橫向尺寸，以可在維持可見光敏感度的條件下降低可見光吸收區域的面積，並將位於隔離區中的P型井區延伸覆蓋部分感測區且圍繞上述可見光感測器中的N型摻雜區，可改善光學感測器的暗電流的問題。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許之更動與潤飾。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100,110:方向
200:半導體基板
201:頂面
204:隔離部件
204B,210B,212B,214B,220B,222B:底面
206:第四摻雜區
210:第一摻雜區
210T:頂面
210A,212A:俯視圖面積
212:第二摻雜區
214:第三摻雜區
218:第一重摻雜區
219:第二重摻雜區
220:第一井區
222:第二井區
224:第三井區
226:矽化物遮蔽層
230:接觸插塞
250,250-1,250-2:感測區
252:隔離區
254:保護環區
500:光感測裝置
D1:第一深度
D2:第二深度
D3:第三深度
D4:第四深度
E1-1,E1-2,E1-3:第一延伸長度
E2:第二延伸長度
L1:第一長度
L2-1,L2-2,L2-3:第二長度
L3:第三長度
OS1:第一光學感測器
OS2:第二光學感測器
A-A’,B-B’,C-C’:切線
當與所附圖式一起閱讀時，從以下詳細描述中可以更加理解本發明實施例的觀點。應注意的是，依據在業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製且僅用以說明例示。事實上，可任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本發明實施例的特徵。
第1圖為本發明一些實施例之光感測裝置的俯視示意圖。
第2圖為本發明一些實施例之沿第1圖的光感測裝置的A-A’切線的剖面示意圖。
第3圖為本發明一些實施例之沿第1圖的光感測裝置的B-B’切線的剖面示意圖。
第4圖為本發明一些實施例之沿第1圖的光感測裝置的C-C’切線的剖面示意圖。
100,110:方向
200:半導體基板
201:頂面
204:隔離部件
204B,210B,212B,214B,220B,222B:底面
206:第四摻雜區
210:第一摻雜區
210T:頂面
212:第二摻雜區
214:第三摻雜區
218:第一重摻雜區
219:第二重摻雜區
220:第一井區
222:第二井區
224:第三井區
226:矽化物遮蔽層
230:接觸插塞
250,250-1,250-2:感測區
252:隔離區
254:保護環區
D1:第一深度
D2:第二深度
D3:第三深度
D4:第四深度
E1-1:第一延伸長度
E2:第二延伸長度
L1:第一長度
L2-1:第二長度
L3:第三長度
OS1:第一光學感測器
OS2:第二光學感測器
A-A’:切線
Claims (14)
- 一種光感測裝置，包括：一半導體基板，具有一第一導電類型，其中該半導體基板包括一感測區以及圍繞該感測區的一隔離區；一第一摻雜區，位於該感測區中，其中該第一摻雜區具有一第二導電類型；一第二摻雜區，位於該感測區中，且位於該第一摻雜區上方，其中該第二摻雜區具有該第二導電類型；一第三摻雜區，位於該感測區中，且位於該第二摻雜區上，其中該第三摻雜區具有該第一導電類型，其中在一剖面圖中，該第一摻雜區具有一第一長度，該第二摻雜區具有一第二長度，其中該第二長度與該第一長度的一第一比值大於0且小於1；以及一第一井區，位於該隔離區和部分該感測區中，其中該第一井區具有該第一導電類型，其中該第一井區與該第一摻雜區部分重疊。
- 如請求項1之光感測裝置，其中在該剖面圖中，該第三摻雜區具有一第三長度，其中該第二長度與該第三長度的一第二比值大於該第一比值且小於1。
- 如請求項1之光感測裝置，其中該第一摻雜區在一垂直該半導體基板方向上具有一第一投影，該第二摻雜區在該垂直該半導體基板方向上具有一第二投影，且該第二投影位於該第一投 影內。
- 如請求項3之光感測裝置，其中該第一投影和該第二投影具有不相似的形狀。
- 如請求項1之光感測裝置，其中該第三摻雜區從該半導體基板的一頂面延伸至該半導體基板中，該第二摻雜區鄰接該第三摻雜區的一底面且與該第一摻雜區彼此分離。
- 如請求項5之光感測裝置，其中該第三摻雜區、該第二摻雜區以及該第二摻雜區和該第一摻雜區之間的部分該半導體基板形成一第一光學感測器。
- 如請求項5之光感測裝置，其中該第二摻雜區和該第一摻雜區之間的部分該半導體基板、該第一摻雜區以及該第一摻雜區下方的部分該半導體基板形成一第二光學感測器。
- 如請求項1之光感測裝置，其中該第一井區與該第二摻雜區完全不重疊。
- 如請求項1之光感測裝置，其中該第一井區的一底面位於該第一摻雜區的一頂面和一底面之間。
- 如請求項1之光感測裝置，其中該半導體基板包括圍繞該隔離區的一保護環區，且其中該光感測裝置更包括：一第二井區，位於該保護環區中，其中該第二井區具有該第二導電類型。
- 如請求項10之光感測裝置，更包括： 多個隔離部件，從該半導體基板的一頂面延伸至該半導體基板中，且位於該感測區和該隔離區之間以及該隔離區和該保護環區之間，其中該些隔離部件的多個底面位於該第一摻雜區的一底面、該第一井區的一底面和該第二井區的一底面上方。
- 如請求項11之光感測裝置，更包括：一第三井區，位於該隔離區和部分該感測區中，且鄰接該第一井區的該底面，其中該第三井區具有該第一導電類型。
- 如請求項12之光感測裝置，其中在該剖面圖中，該第一井區在該感測區中具有一第一延伸長度，該第三井區在該感測區中具有一第二延伸長度，該第一延伸長度大於該第二延伸長度。
- 如請求項1之光感測裝置，更包括：一第一重摻雜區，位於該隔離區中的該第一井區上，其中該第一重摻雜區具有該第一導電類型；以及一第二重摻雜區，位於該感測區中的該第三摻雜區上，其中該第二重摻雜區具有該第二導電類型。
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI836757B true TWI836757B (zh) | 2024-03-21 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210376171A1 (en) | 2020-06-02 | 2021-12-02 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Optical sensor and method for forming the same |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210376171A1 (en) | 2020-06-02 | 2021-12-02 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Optical sensor and method for forming the same |
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