TWI834740B - 接著劑組成物、層合體、層合體之製造方法，及電子零件之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題，為提供耐熱性高，且接著層的去除容易之接著劑組成物、使用該接著劑組成物所製造之層合體、該層合體之製造方法，以及使用該接著劑組成物之電子零件之製造方法。 其解決手段為一種接著劑組成物，其係用於形成將半導體基板或電子裝置與支撐體臨時接著之接著層的接著劑組成物，其中前述接著劑組成物係藉由熱而形成交聯結構來硬化，藉以進行前述臨時接著者，前述交聯結構係藉由酸或鹼而分解，且於該分解的過程中或過程後去除前述接著層者。

Description

接著劑組成物、層合體、層合體之製造方法，及電子零件之製造方法
本發明係關於接著劑組成物、層合體、層合體之製造方法，及電子零件之製造方法。
於包含半導體元件之半導體封裝(電子零件)，依所對應尺寸，存在有各種形態，例如係有WLP (Wafer Level Package)、PLP(Panel Level Package)等。 半導體封裝之技術，可列舉扇入型技術、扇出型技術。以扇入型技術所為之半導體封裝，已知有將位於裸晶(bare chip)端部之端子於晶片區域內進行再配置的扇入型WLP(Fan-in Wafer Level Package)等。以扇出型技術所為之半導體封裝，已知有將該端子於晶片區域外進行再配置的扇出型WLP(Fan-out Wafer Level Package)等。
近年來，特別是扇出型技術，作為應用於將半導體元件配置於面板上而封裝化的扇出型PLP(Fan-out Panel Level Package)等在半導體封裝中可實現更加高積體化、薄型化及小型化等之方法，而受到注目。
為了實現半導體封裝之小型化，使所組裝元件中的基板厚度變薄係重要的。但是，使基板厚度變薄時，其強度降低，製造半導體封裝時容易產生基板的破損。對此，已知有使用接著劑將基板臨時接著於支撐體，進行基板加工後，使基板與支撐體分離的技術。
作為基板與支撐體之臨時接著所用之接著劑，由於容易以溶劑等去除接著層，故多使用熱可塑系接著劑。例如，專利文獻1中，揭示含有熱可塑性彈性體、高沸點溶劑與低沸點溶劑之接著劑組成物。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2016/52315號
[發明所欲解決之課題]
而於半導體封裝製造中，可能會實施薄膜形成、燒成、晶粒接合等之高溫處理。接著劑之耐熱性低時，高溫處理時係有產生基板的位置偏離或基板的隱沒等之顧慮。另一方面，提高接著劑之耐熱性時，係有基板與支撐體之接著性降低的傾向。 使用熱硬化性接著劑於支撐體與基板的接著時，雖高溫處理時不產生位置偏離或隱沒等的問題，但不易以溶劑等去除接著層，即使設置分離層，藉由分離層之變質使支撐體與基板分離後，亦不易去除附著於基板之接著層。 本發明係有鑑於上述實情而為者，其課題為提供耐熱性高，且接著層的去除容易之接著劑組成物、使用該接著劑組成物所製造之層合體、該層合體之製造方法，以及使用該接著劑組成物之電子零件之製造方法。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明採用以下構成。 亦即，本發明之第1態樣，係一種接著劑組成物，其係用於形成將半導體基板或電子裝置與支撐體臨時接著之接著層的接著劑組成物，其中前述接著劑組成物係藉由熱而形成交聯結構來硬化，藉以進行前述臨時接著者，前述交聯結構係藉由酸或鹼而分解，且於該分解的過程中或過程後去除前述接著層者。
本發明之第2態樣，為一種層合體，其係依序層合有支撐體、接著層，及半導體基板或電子裝置之層合體，其中前述接著層，為前述第1態樣之接著劑組成物的硬化體。
本發明之第3態樣，為一種層合體之製造方法，其係依序層合有支撐體、接著層及半導體基板之層合體之製造方法，其具有於前述支撐體或半導體基板塗佈前述第1態樣之接著劑組成物，形成接著劑組成物層之接著劑組成物層形成步驟、將前述半導體基板，隔著前述接著劑組成物層載置於前述支撐體上之半導體基板載置步驟，與藉由將前述接著劑組成物層加熱，於前述接著劑組成物層內形成交聯結構而硬化，以形成接著層之接著層形成步驟。
本發明之第4態樣，為一種依序層合有支撐體、接著層及電子裝置之層合體之製造方法，其進一步具有在藉由前述第3態樣之層合體之製造方法得到層合體之後，形成電子裝置之電子裝置形成步驟，該電子裝置為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。
本發明之第5態樣，為一種層合體之製造方法，其係依序層合有支撐體、接著層及電子裝置之層合體之製造方法，其具有於前述支撐體上塗佈前述第1態樣之接著劑組成物，形成前述接著劑組成物之層之接著劑組成物層形成步驟、於前述接著劑組成物層上形成由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體之電子裝置之電子裝置形成步驟，與藉由將前述接著劑組成物層加熱，於前述接著劑組成物層內形成交聯結構而硬化，以形成接著層之接著層形成步驟。
本發明之第6態樣，為一種電子零件之製造方法，其具有在藉由前述第3~第5中任一態樣之層合體之製造方法得到層合體之後，藉由酸或鹼來分解前述接著層中之前述交聯結構，以去除前述接著層之接著層去除步驟。
本發明之第7態樣，為一種電子零件之製造方法，其具有在藉由前述第3~第5中任一態樣之層合體之製造方法得到層合體之後，藉由隔著前述支撐基體對前述分離層照射光，使前述分離層變質，以使前述電子裝置，與前述支撐基體分離之分離步驟，與於前述分離步驟之後，藉由酸或鹼來分解前述接著層中之前述交聯結構，以去除附著於前述電子裝置的前述接著層之接著層去除步驟。 [發明之效果]
依照本發明，提供耐熱性高，且接著層的去除容易之接著劑組成物、使用該接著劑組成物所製造之層合體、該層合體之製造方法，以及使用該接著劑組成物之電子零件之製造方法。
本說明書及本申請專利範圍中，「脂肪族」係指相對於芳香族之概念，定義為意指不具芳香族性之基、化合物等者。 「烷基」，只要無特別指明，係包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀之1價飽和烴基者。烷氧基中之烷基亦相同。 「伸烷基」，只要無特別指明，係包含直鏈狀、分支鏈狀及環狀之2價飽和烴基者。 「鹵化烷基」，為烷基之氫原子的一部分或全部被鹵素原子取代之基，該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子。 「氟化烷基」或「氟化伸烷基」，係指烷基或伸烷基之氫原子的一部分或全部被氟原子取代之基。 「構成單位」，意指構成高分子化合物(樹脂、聚合物、共聚物)之單體單位(單體單位)。 記載為「可具有取代基」或「亦可具有取代基」時，包含將氫原子(-H)以1價基取代的情況，與將亞甲基(-CH2 -)以2價基取代的情況兩者。 「曝光」，為包含全部放射線照射的概念。
「由羥基苯乙烯衍生之構成單位」，意指羥基苯乙烯之乙烯性雙鍵進行開裂所構成之構成單位。「由羥基苯乙烯衍生物所衍生之構成單位」，意指羥基苯乙烯衍生物之乙烯性雙鍵進行開裂所構成的構成單位。 「羥基苯乙烯衍生物」，為包含羥基苯乙烯之α位氫原子被烷基、鹵化烷基等其他取代基取代者，以及該等之衍生物之概念。該等之衍生物，可列舉α位氫原子可被取代基取代之羥基苯乙烯的羥基之氫原子經有機基取代者；α位氫原子可被取代基取代之羥基苯乙烯的苯環上鍵結有羥基以外之取代基者等。再者，α位(α位之碳原子)，只要無特別指明，係指鍵結有苯環之碳原子。 取代羥基苯乙烯之α位氫原子的取代基，可列舉與前述α取代丙烯酸酯中，作為α位之取代基所列舉的相同者。
作為上述α位之取代基的烷基，較佳為直鏈狀或分支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉碳數1~5之烷基(甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基)等。 又，作為α位之取代基的鹵化烷基，具體而言，可列舉將上述「作為α位之取代基的烷基」之氫原子的一部分或全部，以鹵素原子取代之基。該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。 又，作為α位之取代基的羥基烷基，具體而言，可列舉將上述「作為α位之取代基的烷基」之氫原子的一部分或全部，以羥基取代之基。該羥基烷基中之羥基的數目，較佳為1~5、最佳為1。
本說明書及本申請專利範圍中，依化學式表示之結構不同，係有存在不對稱碳，而可存在有鏡像異構物(enantiomer)或非鏡像異構物(diastereomer)者，此時，係以一個化學式為代表，來表示該等之異構物。該等之異構物可單獨使用、亦可作為混合物來使用。
(接著劑組成物) 本發明之第1態樣之接著劑組成物，為用於形成將半導體基板或電子裝置與支撐體臨時接著之接著層的接著劑組成物，其特徵為，前述接著劑組成物係藉由熱而形成交聯結構來硬化，藉以進行前述臨時接著者，前述交聯結構係藉由酸或鹼而分解，且於該分解的過程中或過程後去除前述接著層者。
＜臨時接著之對象＞ 本實施形態之接著劑組成物，係用於形成將半導體基板或電子裝置與支撐體臨時接著之接著層。本說明書中，「臨時接著」，係指將接著對象一時地(例如任意之作業步驟之間)接著。更具體而言，半導體基板或電子裝置，係以裝置之薄化、半導體基板之搬送、對半導體基板之構裝等為目的，而一時地被接著於支撐體，固定於支撐體上(臨時接著)，於該過程結束後，自支撐體分離。
≪半導體基板≫ 應用本實施形態之接著劑組成物的半導體基板，並無特殊限定，可為作為半導體基板一般所使用者。半導體基板(裸晶)，係以被支撐於支撐體之狀態，進行薄化、構裝等之過程。於半導體基板，亦可構裝有例如積體電路或金屬凸塊等之結構物。 半導體基板典型而言，可列舉矽晶圓基板，但不限於此，亦可為陶瓷基板、薄膜基板、可撓基板等。
≪電子裝置≫ 本說明書中，「電子裝置」，意指構成電子零件之至少一部分的構件。電子裝置並無特殊限制，可為於半導體基板之表面，形成有各種機械結構或電路者。電子裝置，較佳亦可為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。電子裝置亦可為後述再配線層，及/或半導體元件或其他元件，被密封材或絕緣材密封或絕緣者，可具有單層或複數層之結構。
≪支撐體≫ 支撐體為支撐半導體基板或電子裝置之構件。如後所述，支撐體可由具有使光透過之特性，且為支撐半導體基板之構件的支撐基體，與藉由光照射而變質之分離層所構成。
＜藉由熱而形成交聯結構，且前述交聯結構藉由酸或鹼而分解之成分：(C)成分＞ 本實施形態之接著劑組成物，藉由熱而形成交聯結構來硬化，藉以於半導體基板或電子裝置，與支撐體之間形成接著層，進行前述構件之臨時接著。進一步地，前述交聯結構，具有藉由酸或鹼而分解之性質，前述接著層，可藉由含有酸或鹼之處理液而輕易地去除。因此，本實施形態之接著劑組成物，含有具有藉由熱而形成交聯結構來硬化，且前述交聯結構藉由酸或鹼而分解之性質的成分(以下亦稱為「(C)成分」)。 該成分並無特殊限定，例如可列舉藉由熱而形成胺基甲酸酯鍵之成分。藉由熱而形成胺基甲酸酯鍵之成分，可列舉聚異氰酸酯化合物，及多元醇。
≪聚異氰酸酯化合物：(I)成分≫ 本實施形態之接著劑組成物，亦可含有聚異氰酸酯化合物(以下亦稱為「(I)成分」)，作為(C)成分。本說明書中，「聚異氰酸酯化合物」，意指具有2個以上之異氰酸酯基(-N=C=O)的化合物(聚異氰酸酯)或具有2個以上之經封端之異氰酸酯基的化合物(封端聚異氰酸酯)。聚異氰酸酯，並無特殊限定，可無特別限制地使用胺基甲酸酯樹脂之製造中一般所用者。 封端聚異氰酸酯，為聚異氰酸酯之異氰酸酯基藉由與封端劑的反應被封端，而經不活化之化合物。作為(I)成分使用之封端聚異氰酸酯，較佳為異氰酸酯基藉由熱解離性封端劑而經封端者。熱解離性封端劑，例如可列舉肟類、二酮類、酚類、己內醯胺類等之封端劑。以熱解離性封端劑所得之封端聚異氰酸酯，於常溫下異氰酸酯基為不活性，而藉由加熱，熱解離性封端劑解離而使異氰酸酯基再生。
聚異氰酸酯之具體例子，例如可列舉六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯等之脂肪族二異氰酸酯；二環己基甲烷二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、1、4-環己烷二異氰酸酯、氫化伸二甲苯基二異氰酸酯、氫化甲苯二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯等之脂環式二異氰酸酯；及甲苯二異氰酸酯、4,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、2,4’-二苯基甲烷二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、伸二甲苯基二異氰酸酯、二甲基聯苯二異氰酸酯、p-伸苯基二異氰酸酯、伸萘基二異氰酸酯等之芳香族二異氰酸酯；以及此等之縮二脲體、異三聚氰酸酯體、三羥甲基丙烷之加合體等。聚異氰酸酯，可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。
聚異氰酸酯亦可使用市售者。市售之聚異氰酸酯，例如可列舉Duranate(註冊商標)24A-100、Duranate 22A-75P、Duranate TPA-100、Duranate TKA-100、Duranate P301-75E、Duranate 21S-75E、Duranate MFA-75B、Duranate MHG-80B、Duranate TUL-100、Duranate TLA-100、Duranate TSA-100、Duranate TSS-100、Duranate TSE100、Duranate E402-80B、Duranate E405-70B、Duranate AS700-100、Duranate D101、Duranate D201，及Duranate A201H(以上，商品名，旭化成Chemicals公司製名)等。此等之製品，可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。
封端異氰酸酯，可列舉如上述之聚異氰酸酯的異氰酸酯基，藉由與封端劑之反應而經保護之化合物。封端劑，只要係熱解離性之封端劑，亦即加成於異氰酸酯基，於常溫下為安定，但加熱至解離溫度以上會游離而生成異氰酸酯基之化合物，則無特殊限定，可無特殊限制地使用公知者。 封端劑之具體例子，例如可列舉γ-丁內醯胺、ε-己內醯胺、γ-戊內醯胺、丙內醯胺等之內醯胺化合物；甲基乙基酮肟、甲基異戊基酮肟、甲基異丁基酮肟、甲醯胺肟、乙醯胺肟、丙酮肟、二乙醯基單肟、二苯甲酮肟、環己酮肟等之肟化合物；酚、甲酚、兒茶酚、硝基酚等之單環酚化合物；1-萘酚等之多環酚化合物；甲醇、乙醇、異丙醇、tert-丁醇、三羥甲基丙烷、2-乙基己醇等之醇化合物；乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、乙二醇單丁基醚等之醚化合物；丙二酸烷酯、丙二酸二烷酯、乙醯乙酸烷酯、乙醯基丙酮等之活性亞甲基化合物等。封端劑，可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。
封端聚異氰酸酯，可藉由使聚異氰酸酯與封端劑反應來製造。聚異氰酸酯與封端劑之反應，例如係於不具備活性氫之溶劑(1.4二噁烷、賽珞蘇乙酸酯等)中，於50~100℃左右之加熱下，及依需要之封端化觸媒的存在下進行。聚異氰酸酯與封端劑之使用比例並無特殊限制，較佳為，以聚異氰酸酯中之異氰酸酯基與封端劑之當量比計，為0.95：1.0~1.1：1.0、更佳為1：1.05~1.15。封端化觸媒可使用公知者，例如，可列舉甲醇化鈉、乙醇化鈉、苯酚鈉、甲醇化鉀等之金屬醇化物；四甲基銨、四乙基銨、四丁基銨等之四烷基銨之氫氧化物；此等之乙酸鹽、辛酸鹽、肉豆蔻酸鹽、安息香酸鹽等之有機弱酸鹽；以及乙酸、己酸、辛酸、肉豆蔻酸等之烷基羧酸之鹼金屬鹽等。封端化觸媒，可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。
封端聚異氰酸酯亦可使用市售者。市售之封端聚異氰酸酯，例如可列舉Duranate MF-K60B、Duranate SBB-70P、Duranate SBN-70D、Duranate MF-B60B、Duranate 17B-60P、Duranate TPA-B80E，及Duranate E402-B80B(以上，商品名，旭化成股份有限公司製)等。
(I)成分較佳為異氰酸酯基藉由熱解離性封端劑而經封端之封端聚異氰酸酯。 (I)成分，可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。 本實施形態之接著劑組成物中之(I)成分之含量，相對於(C)成分全量而言，例示有5~50質量%、較佳為10~40質量%。
≪多元醇：(P)成分≫ 本實施形態之接著劑組成物，亦可含有多元醇(以下亦稱為「(P)成分」)作為(C)成分。多元醇為具有2個以上之羥基(-OH)的化合物。多元醇並無特殊限定，可無特殊限制地使用於胺基甲酸酯樹脂之製造中一般所使用者。
多元醇之具體例子，例如可列舉乙二醇、丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,3-丁二醇、1,2-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、新戊二醇、碳數7~22之烷二醇、二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、2-乙基-2-丁基-1,3-丙二醇、碳數17~20之烷-1,2-二醇、1,3-環己烷二甲醇、1,4-環己烷二甲醇、1,4-環己二醇、氫化雙酚A、1,4-二羥基-2-丁烯、2,6-二甲基-1-辛烯-3,8-二醇、雙酚A等之2元醇；甘油、三羥甲基丙烷等之3元醇；四羥甲基甲烷(季戊四醇)、二甘油等之4元醇；木糖醇等之5元醇；山梨醇、甘露醇、阿洛醇、艾杜醇、半乳糖醇、阿卓糖醇(altritol)、肌醇、二季戊四醇等之6元醇；洋梨醇等之7元醇；以及蔗糖等之8元醇等。
又，多元醇亦可為酚樹脂、包含羥基苯乙烯骨架之樹脂、聚酯多元醇、聚醚多元醇、聚醚酯多元醇、聚酯醯胺多元醇、丙烯酸多元醇、聚碳酸酯多元醇、聚羥基烷、聚胺基甲酸酯多元醇、蓖麻油或該等之混合物(以下稱此等為多元醇(1))等之高分子之多元醇。此時，多元醇之數平均分子量，就接著劑組成物之黏度的觀點，較佳為500~100,000。
[酚樹脂] 酚樹脂可為酚醛清漆型酚樹脂、亦可為甲階酚醛型酚樹脂。酚醛清漆型酚樹脂，可藉由使具有酚性羥基之芳香族化合物(以下稱「酚類」)與醛類在酸觸媒下加成縮合而得到。甲階酚醛型酚樹脂，可藉由使酚類與醛類在鹼觸媒下加成縮合而得到。
前述酚類，例如可列舉酚；m-甲酚、p-甲酚、o-甲酚等之甲酚類；2,3-二甲酚、2,5-二甲酚、3,5-二甲酚、3,4-二甲酚等之二甲酚類；m-乙基酚、p-乙基酚、o-乙基酚、2,3,5-三甲基酚、2,3,5-三乙基酚、4-tert-丁基酚、3-tert-丁基酚、2-tert-丁基酚、2-tert-丁基-4-甲基酚、2-tert-丁基-5-甲基酚等之烷基酚類；p-甲氧基酚、m-甲氧基酚、p-乙氧基酚、m-乙氧基酚、p-丙氧基酚、m-丙氧基酚等之烷氧基酚類；o-異丙烯基酚、p-異丙烯基酚、2-甲基-4-異丙烯基酚、2-乙基-4-異丙烯基酚等之異丙烯基酚類；苯基酚等之芳基酚類；4,4’-二羥基聯苯、雙酚A、間苯二酚、氫醌、五倍子酚、9,9-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀、1,1-雙(4-羥基-3-甲基苯基)環己烷等之聚羥基酚類等。
前述醛類，例如可列舉甲醛、多聚甲醛、三噁烷、呋喃甲醛、苯甲醛、對苯二甲醛、苯基乙醛、α-苯基丙基醛、β-苯基丙基醛、o-羥基苯甲醛、m-羥基苯甲醛、p-羥基苯甲醛、o-甲基苯甲醛、m-甲基苯甲醛、p-甲基苯甲醛、o-氯苯甲醛、m-氯苯甲醛、p-氯苯甲醛、桂皮醛、4-異丙基苯甲醛、4-異丁基苯甲醛、4-苯基苯甲醛等。
加成縮合反應時之酸觸媒，並無特殊限定，例如係使用鹽酸、硝酸、硫酸、甲酸、草酸、乙酸等。加成縮合反應時之鹼觸媒，並無特殊限定，係使用氫氧化鈉、氫氧化鋰、氫氧化鉀、氨水、三乙基胺、碳酸鈉、六亞甲基四胺等。
[包含羥基苯乙烯骨架之樹脂] 包含羥基苯乙烯骨架之樹脂，只要係具有由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生之構成單位者則無特殊限定。由羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物所衍生之構成單位之具體例子，可列舉下述通式(a10-1)表示之構成單位。
[式中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。Yax1 為單鍵或2價連結基。Wax1 為(nax1 +1)價之芳香族烴基。nax1 為1~3之整數]。
前述式(a10-1)中，R為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之鹵化烷基。 R之碳數1~5之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀或分支鏈狀之烷基，具體而言，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。R之碳數1~5之鹵化烷基，係前述碳數1~5之烷基之氫原子的一部分或全部被鹵素原子取代之基。該鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，特佳為氟原子。 R較佳為氫原子、碳數1~5之烷基或碳數1~5之氟化烷基，就工業上之獲得容易性而言，最佳為氫原子或甲基。
前述式(a10-1)中，Yax1 為單鍵或2價連結基。 Yax1 中之2價連結基，例如可列舉可具有取代基之2價烴基、包含雜原子之2價連結基，作為適宜者。
･可具有取代基之2價烴基： Yax1 為可具有取代基之2價烴基時，該烴基，可為脂肪族烴基、亦可為芳香族烴基。
･･Yax1 中之脂肪族烴基 該脂肪族烴基，意指不具備芳香族性之烴基。該脂肪族烴基，可為飽和亦可為不飽和，通常較佳為飽和。 前述脂肪族烴基，可列舉直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，或結構中包含環之脂肪族烴基等。
･･･直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基 該直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數1~10者、更佳為碳數1~6、又更佳為碳數1~4、最佳為碳數1~3。 直鏈狀之脂肪族烴基，較佳為直鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉亞甲基[-CH2 -]、伸乙基[-(CH2 )2 -]、三亞甲基[-(CH2 )3 -]、四亞甲基[-(CH2 )4 -]、五亞甲基[-(CH2 )5 -]等。 該分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為碳數2~10、更佳為碳數3~6、又更佳為碳數3或4、最佳為碳數3。 分支鏈狀之脂肪族烴基，較佳為分支鏈狀之伸烷基，具體而言，可列舉-CH(CH3 )-、-CH(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )2 -、-C(CH3 )(CH2 CH3 )-、-C(CH3 )(CH2 CH2 CH3 )-、-C(CH2 CH3 )2 -等之烷基亞甲基；-CH(CH3 )CH2 -、-CH(CH3 )CH(CH3 )-、 -C(CH3 )2 CH2 -、-CH(CH2 CH3 )CH2 -、-C(CH2 CH3 )2 -CH2 -等之烷基伸乙基；-CH(CH3 )CH2 CH2 -、-CH2 CH(CH3 )CH2 -等之烷基三亞甲基；-CH(CH3 )CH2 CH2 CH2 -、 -CH2 CH(CH3 )CH2 CH2 -等之烷基四亞甲基等之烷基伸烷基等。烷基伸烷基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基。
前述之直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，可具有亦可不具有取代基。該取代基可列舉氟原子、經氟原子取代之碳數1~5之氟化烷基、羰基等。
･･･結構中包含環之脂肪族烴基 該結構中包含環之脂肪族烴基，可列舉環結構中可含有包含雜原子之取代基的環狀之脂肪族烴基(自脂肪族烴環去除氫原子2個而得之基)、前述環狀之脂肪族烴基鍵結於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基的末端而得之基、前述環狀之脂肪族烴基存在於直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基途中之基等。前述之直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基，可列舉與前述相同者。 環狀之脂肪族烴基，較佳為碳數3~20、更佳為碳數3~12。 環狀之脂肪族烴基，可為多環式基、亦可為單環式基。單環式之脂環式烴基，較佳為自單環烷去除2個氫原子而得之基。該單環烷較佳為碳數3~6者，具體而言可列舉環戊烷、環己烷等。多環式之脂環式烴基，較佳為自聚環烷去除2個氫原子而得之基，該聚環烷較佳為碳數7~12者，具體而言可列舉金剛烷、降莰烷、異莰烷、三環癸烷、四環十二烷等。
環狀之脂肪族烴基，可具有亦可不具有取代基。該取代基可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基、羰基等。 作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基；最佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。 作為前述取代基之烷氧基，較佳為碳數1~5之烷氧基；更佳為甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、iso-丙氧基、n-丁氧基、tert-丁氧基；最佳為甲氧基、乙氧基。 作為前述取代基之鹵素原子，可列舉氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，較佳為氟原子。 作為前述取代基之鹵化烷基，可列舉前述烷基之氫原子的一部分或全部被前述鹵素原子取代之基。 環狀之脂肪族烴基，構成其環結構之碳原子的一部分亦可被包含雜原子之取代基取代。該包含雜原子之取代基，較佳為-O-、-C(=O)-O-、-S-、-S(=O)2 -、-S(=O)2 -O-。
･･Yax1 中之芳香族烴基 該芳香族烴基，為具有至少1個芳香環之烴基。 該芳香環，只要係具備4n+2個π電子的環狀共軛系統則無特殊限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數較佳為5~30、更佳為碳數5~20、又更佳為碳數6~15、特佳為碳數6~12。惟，該碳數中不包含取代基中的碳數。芳香環具體而言，可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分被雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。 芳香族烴基具體而言，可列舉自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除氫原子2個而得之基(伸芳基或伸雜芳基)；自包含2個以上之芳香環的芳香族化合物(例如聯苯、茀等)去除氫原子2個而得之基；自前述芳香族烴環或芳香族雜環去除氫原子1個而得之基(芳基或雜芳基)的氫原子之1被伸烷基取代之基(例如自苄基、苯乙基、1-萘基甲基、2-萘基甲基、1-萘基乙基、2-萘基乙基等之芳基烷基中之芳基進一步去除氫原子1個而得之基)等。鍵結於前述芳基或雜芳基的伸烷基之碳數，較佳為1~4、更佳為碳數1~2、特佳為碳數1。
前述芳香族烴基，該芳香族烴基所具有的氫原子亦可被取代基取代。例如，鍵結於該芳香族烴基中之芳香環的氫原子亦可被取代基取代。該取代基例如可列舉烷基、烷氧基、鹵素原子、鹵化烷基、羥基等。 作為前述取代基之烷基，較佳為碳數1~5之烷基；最佳為甲基、乙基、丙基、n-丁基、tert-丁基。 作為前述取代基之烷氧基、鹵素原子及鹵化烷基，可列舉作為取代前述環狀之脂肪族烴基所具有的氫原子之取代基所例示者。
･包含雜原子之2價連結基： Yax1 為包含雜原子之2價連結基時，作為該連結基的較佳者，可列舉-O-、-C(=O)-O-、-C(=O)-、-O-C(=O)-O-、-C(=O)-NH-、-NH-、-NH-C(=NH)-(H亦可被烷基、醯基等之取代基取代)、-S-、-S(=O)2 -、-S(=O)2 -O-、通式  -Y21 -O-Y22 -、-Y21 -O-、-Y21 -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21 -、 -[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -、-Y21 -O-C(=O)-Y22 -或-Y21 -S(=O)2 -O-Y22 -表示之基[式中，Y21 及Y22 係分別獨立地為可具有取代基之2價烴基，O為氧原子，m”為0~3之整數]等。 前述包含雜原子之2價連結基為-C(=O)-NH-、-C(=O)-NH-C(=O)-、-NH-、-NH-C(=NH)-時，其H亦可被烷基、醯基等之取代基取代。該取代基(烷基、醯基等)，較佳為碳數1~10、更佳為1~8、特佳為1~5。 通式-Y21 -O-Y22 -、-Y21 -O-、-Y21 -C(=O)-O-、-C(=O)-O-Y21 -、-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -、-Y21 -O-C(=O)-Y22 -或-Y21 -S(=O)2 -O-Y22 -中，Y21 及Y22 ，係分別獨立地為可具有取代基之2價烴基。該2價烴基，可列舉與作為前述2價連結基之說明所列舉的(可具有取代基之2價烴基)相同者。 Y21 較佳為直鏈狀之脂肪族烴基、更佳為直鏈狀之伸烷基、又更佳為碳數1~5之直鏈狀之伸烷基、特佳為亞甲基或伸乙基。 Y22 較佳為直鏈狀或分支鏈狀之脂肪族烴基；更佳為亞甲基、伸乙基或烷基亞甲基。該烷基亞甲基中之烷基，較佳為碳數1~5之直鏈狀之烷基、更佳為碳數1~3之直鏈狀之烷基、最佳為甲基。 式-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -表示之基中，m”為0~3之整數、較佳為0~2之整數、更佳為0或1、特佳為1。換言之，式-[Y21 -C(=O)-O]m” -Y22 -表示之基，特佳為式-Y21 -C(=O)-O-Y22 -表示之基。其中尤以式-(CH2 )a’ -C(=O)-O-(CH2 )b’ -表示之基為佳。該式中，a’為1~10之整數、較佳為1~8之整數、更佳為1~5之整數、又更佳為1或2、最佳為1。b’為1~10之整數、較佳為1~8之整數、更佳為1~5之整數、又更佳為1或2、最佳為1。
Yax1 較佳為單鍵、酯鍵[-C(=O)-O-]、醚鍵 (-O-)、-C(=O)-NH-、直鏈狀或分支鏈狀之伸烷基，或此等之組合；其中尤特佳為單鍵。
前述式(a10-1)中，Wax1 為(nax1 +1)價之芳香族烴基。 Wax1 中之芳香族烴基，可列舉自芳香環去除(nax1 +1)個氫原子而得之基。此處之芳香環，只要係具備4n+2個之π電子的環狀共軛系統則無特殊限定，可為單環式亦可為多環式。芳香環之碳數較佳為5~30、更佳為碳數5~20、又更佳為碳數6~15、特佳為碳數6~12。芳香環具體而言，可列舉苯、萘、蒽、菲等之芳香族烴環；構成前述芳香族烴環之碳原子的一部分被雜原子取代之芳香族雜環等。芳香族雜環中之雜原子，可列舉氧原子、硫原子、氮原子等。芳香族雜環具體而言，可列舉吡啶環、噻吩環等。
前述式(a10-1)中，nax1 為1~3之整數、較佳為1或2、更佳為1。
以下，顯示前述通式(a10-1)表示之構成單位之具體例子。 下述式中，Rα 表示氫原子、甲基或三氟甲基。
包含羥基苯乙烯骨架之樹脂，較佳為羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物之聚合物、更佳為羥基苯乙烯之聚合物(聚羥基苯乙烯)。
[其他多元醇] 聚酯多元醇，例如可列舉使對苯二甲酸、間苯二甲酸、己二酸、壬二酸、癸二酸等二元酸或該等之二烷酯或該等之混合物；與例如乙二醇、丙二醇、二乙二醇、丁二醇、新戊二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、3,3’-二羥甲基庚烷、聚氧乙二醇、聚氧丙二醇、聚四亞甲基醚二醇等之二醇類或該等之混合物反應而得到的聚酯多元醇或使聚己內酯、聚戊內酯、聚(β-甲基-γ-戊內酯)等之內酯類開環聚合而得到的聚酯多元醇。
聚醚多元醇，例如可列舉使環氧乙烷、環氧丙烷、環氧丁烷、四氫呋喃等之環氧乙烷化合物，以例如水、乙二醇、丙二醇、三羥甲基丙烷、甘油等之低分量多元醇為起始劑進行聚合而得到的聚醚多元醇。
聚醚酯多元醇，例如可列舉使對苯二甲酸、間苯二甲酸、己二酸、壬二酸、癸二酸等之二元酸或該等之二烷酯或該等之混合物，與上述聚醚多元醇反應而得到的聚醚酯多元醇。
聚酯醯胺多元醇，可列舉於上述酯化反應時，例如藉由以乙二胺、丙二胺、六亞甲基二胺等之具有胺基之脂肪族二胺為原料一併使用而得到的聚酯醯胺多元醇。
丙烯酸多元醇，可列舉藉由使1分子中包含1個以上之羥基的丙烯酸羥基乙酯、丙烯酸羥基丙酯、丙烯酸羥基丁酯等或此等所對應之甲基丙烯酸衍生物等，與例如丙烯酸、甲基丙烯酸或其酯共聚合而得到的聚酯醯胺多元醇。
聚碳酸酯多元醇，例如可列舉藉由使乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、3-甲基-1,5-戊二醇、1,9-壬二醇、1,8-壬二醇、新戊二醇、二乙二醇、二丙二醇、1,4-環己二醇、1,4-環己烷二甲醇、雙酚A，或氫化雙酚A等之1種或2種以上之二醇，與碳酸二甲酯、碳酸二苯酯、碳酸伸乙酯、光氣等反應而得到的聚碳酸酯多元醇。
聚羥基烷，可列舉使丁二烯或丁二烯與丙烯醯胺等共聚合而得到的液狀橡膠。
聚胺基甲酸酯多元醇，為1分子中具有1個以上之胺基甲酸酯鍵的多元醇，例如，可列舉使數平均分子量200~20,000之聚醚多元醇、聚酯多元醇、聚醚酯多元醇等，與聚異氰酸酯，在較佳為NCO/OH未達1、更佳為0.9以下進行反應而得到的聚胺基甲酸酯多元醇。
上述之中，(P)成分尤以酚樹脂，或包含羥基苯乙烯骨架之樹脂為佳，更佳為酚醛清漆樹脂或包含羥基苯乙烯骨架之樹脂、又更佳為羥基苯乙烯或羥基苯乙烯衍生物之聚合物、特佳為聚羥基苯乙烯樹脂。
(P)成分，可1種單獨使用、亦可合併使用2種以上。 本實施形態之接著劑組成物中之(P)成分之含量，相對於(C)成分全量而言，例示有50~95質量%、較佳為60~90質量%。
本實施形態之接著劑組成物，較佳含有上述(I)成分及(P)成分，作為(C)成分。此時，相對於本實施形態之接著劑組成物中所含有的(I)成分中之異氰酸酯基   (-NCO)而言(P)成分中之羥基(-OH)的莫耳比(NCO/OH)，較佳為0.1~1、更佳為0.3~0.7。 又，本實施形態之接著劑組成物中所含有的(I)成分，與(P)成分之含量比((I)成分質量：(P)成分質量)，較佳為1：10~10：1之範圍、更佳為2：8~8：2、又更佳為2：8~5：5。
＜其他成分＞ 本實施形態之接著劑組成物，除了上述(C)成分以外，在不損及本發明之效果的範圍內，亦可含有其他成分。其他成分並無特殊限定，例如可使用脫模劑、可塑劑、接著輔助劑、安定劑、著色劑、界面活性劑、硬化反應促進劑等慣用的各種添加劑。又，接著劑亦可含有稀釋溶劑。稀釋溶劑只要係對上述(C)成分為不活性者即可，例如可列舉乙酸乙酯等之酯系、甲基乙基酮等之酮系；甲苯、二甲苯等之芳香族烴系等。
依照本實施形態之接著劑組成物，將半導體基板或電子裝置，與支撐體進行臨時接著時，藉由熱而形成交聯結構來硬化，以形成接著層，將半導體基板或電子裝置與支撐體進行接著。該接著層由於係由藉由熱而形成交聯結構來硬化的接著層所形成，故耐熱性高，即使於半導體基板或電子裝置之加工時進行高溫處理，亦不易產生位置偏離或隱沒等之不良狀況。 另一方面，前述接著層中之交聯結構，可藉由酸或鹼而分解。因此，於支撐體上之半導體基板或電子裝置的加工結束，將半導體基板或電子裝置，與支撐體予以分離時，藉由使酸或鹼作用於接著層，交聯結構分解，接著層被去除。藉此，可將半導體基板或電子裝置與支撐體容易地分離。進一步地，亦可藉由酸或鹼容易地去除附著於半導體基板或電子裝置之接著層的殘渣。
(層合體) 本發明之第2態樣之層合體，為依序層合有支撐體、接著層，及半導體基板或電子裝置之層合體，其特徵為前述接著層，為第1態樣之接著劑組成物的硬化體。
圖1顯示第2態樣之層合體之一實施形態。 圖1所示之層合體100，具備層合有支撐基體1與分離層2之支撐體12、接著層3，與半導體基板4。層合體100中，支撐體12、接著層3及半導體基板4係依序層合。 圖1之例子中，支撐體12包含支撐基體1及分離層2，但不限定於此，亦可僅由支撐基體構成支撐體。
圖2顯示第2態樣之層合體的其他實施形態。 圖2所示之層合體200，除了包含半導體基板4、密封材層5及配線層6之電子裝置456，係層合於接著層3上以外，係與層合體100為同樣的構成。
圖3顯示第2態樣之層合體的又其他實施形態。 圖3所示之層合體300，除了電子裝置包含配線層6以外，係與層合體100為同樣的構成。
圖4顯示第2態樣之層合體的又其他實施形態。 圖4所示之層合體400，除了包含配線層6、半導體基板4及密封材層5之電子裝置645，係層合於接著層3上以外，係與層合體100為同樣的構成。
＜支撐體＞ 支撐體為支撐半導體基板或電子裝置之構件。圖1~4之例子中，支撐體12，具備支撐基體1，與設置於支撐基體1上之分離層2。本實施形態之層合體中，支撐體可具有亦可不具有分離層2。支撐體不具有分離層2時，支撐基體1係成為支撐體。
≪支撐基體≫ 支撐基體具有使光透過之特性，其係支撐半導體基板或電子零件之構件。如圖1~4般設置分離層時，支撐基體，係隔著分離層及接著層，而被貼合於半導體基板或電子裝置。不設置分離層時，支撐基體，係隔著接著層，而被貼合於半導體基板或電子裝置。因此，作為支撐基體，較佳為於裝置之薄化、半導體基板之搬送、對半導體基板之構裝等時，具有防止半導體基板之破損或變形所必要的強度。又，支撐體具有分離層時，支撐基體，較佳為使可將分離層變質之波長的光透過者。 支撐基體之材料，例如可使用玻璃、矽、丙烯酸系樹脂等。支撐基體之形狀，例如可列舉矩形、圓形等，但不限定於此。又，為了進一步的高密度積體化或生產效率的提高，作為支撐基體，亦可使用將圓形的支撐基體之尺寸大型化者、於俯視之形狀為四角形的大型面板。
≪分離層≫ 分離層為鄰接於接著層，藉由光的照射而變質，可自透過接著層固定於支撐體之半導體基板或電子裝置分離支撐基體的層。 該分離層，可使用後述之分離層形成用組成物來形成，例如，係藉由將分離層形成用組成物所含有的成分進行燒成，或藉由化學氣相堆積(CVD)法來形成。該分離層，係藉由吸收透過支撐基體所照射之光，而適合地變質。 分離層較佳為僅由吸收光之材料所形成，但在不損及本發明中之本質性特性的範圍內，亦可為經摻合不具有吸收光之結構的材料之層。
分離層之厚度，例如較佳為0.05μm以上且50μm以下之範圍內、更佳為0.3μm以上且1μm以下之範圍內。分離層之厚度若為0.05μm以上且50μm以下之範圍內，則可藉由短時間之光照射及低能量之光照射，使分離層產生所期望之變質。又，分離層之厚度，就生產性之觀點，特佳為1μm以下之範圍內。
分離層較佳係鄰接於接著層之側的面為平坦(未形成凹凸)，藉此，可容易地進行接著層之形成，且變得容易將半導體基板或電子裝置與支撐基體均勻地貼附。
･分離層形成用組成物 用以形成分離層之材料即分離層形成用組成物，例如可列舉氟碳、具有包含具有光吸收性之結構的重複單位之聚合物、無機物、具有紅外線吸收性之結構的化合物、紅外線吸收物質、反應性聚倍半矽氧烷，或含有具有酚骨架之樹脂成分者。 又，分離層形成用組成物，亦可含有填料、可塑劑、熱酸產生劑成分、光酸產生劑成分、有機溶劑成分、界面活性劑、增感劑，或可提高支撐基體之分離性的成分等，作為任意成分。
･･氟碳 分離層亦可含有氟碳。以氟碳所構成之分離層，藉由吸收光而變質，其結果，失去接受光照射前的強度或接著性。因而，藉由施加少許外力(例如拉起支撐體等)，分離層被破壞，可使支撐體與半導體基板或電子裝置容易分離。構成分離層之氟碳，可藉由電漿CVD法而適合地成膜。 氟碳依其種類，會吸收具有固有範圍之波長的光。藉由對分離層照射用於分離層之氟碳會吸收之範圍之波長的光，可使氟碳適合地變質。分離層之光之吸收率，較佳為80%以上。
對分離層所照射之光，依氟碳可吸收之波長，例如可適當使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4 雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射；色素雷射等之液體雷射；CO2 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射；半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光，或非雷射光。可使氟碳變質之波長，例如可使用600nm以下之範圍的波長。
･･具有包含具有光吸收性之結構的重複單位之聚合物 分離層亦可含有具有包含具有光吸收性之結構的重複單位之聚合物。該聚合物係受到光照射而變質。 具有光吸收性之結構，例如可列舉含有包含取代或非取代之苯環、縮合環或雜環之共軛π電子系的原子團。具有光吸收性之結構，更具體而言，可列舉cardo結構，或存在於該聚合物之側鏈的二苯甲酮結構、二苯基亞碸結構、二苯基碸結構(雙苯基碸結構)、二苯基結構或二苯基胺結構。 上述具有光吸收性之結構，依其種類，可吸收具有所期望之範圍的波長之光。例如，上述具有光吸收性之結構可吸收之光的波長，較佳為100~2000nm之範圍內、更佳為100~500nm之範圍內。
上述具有光吸收性之結構可吸收之光，例如為由高壓水銀燈(波長254nm以上且436nm以下)、KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)、F2 準分子雷射(波長157nm)、XeCl雷射(波長308nm)、XeF雷射(波長351nm)或固體UV雷射(波長355nm)所發出之光，或g線(波長436nm)、h線(波長405nm)或i線(波長365nm)等。
･･無機物 分離層亦可為含有無機物者。該無機物，只要係藉由吸收光而變質者即可，例如可適合列舉選自由金屬、金屬化合物及碳所成之群的1種以上。金屬化合物係指包含金屬原子之化合物，例如可列舉金屬氧化物、金屬氮化物。 如此的無機物，可列舉選自由金、銀、銅、鐵、鎳、鋁、鈦、鉻、SiO2 、SiN、Si3 N4 、TiN，及碳所成之群的1種以上。 再者，碳係亦可包含碳之同素異形體的概念，例如包含金剛石、富勒烯、類金剛石碳、碳奈米管等。 上述無機物，依其種類，而吸收具有固有範圍的波長之光。
對含有無機物之分離層所照射的光，依上述無機物可吸收之波長，例如可適當使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4 雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射；色素雷射等之液體雷射；CO2 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射；半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光，或非雷射光。 含有無機物之分離層，例如可藉由濺鍍、化學蒸鍍(CVD)、鍍敷、電漿CVD、旋轉塗佈等之公知技術，形成於支撐基體上。
･･具有紅外線吸收性之結構的化合物 分離層，亦可含有具有紅外線吸收性之結構的化合物。該具有紅外線吸收性之結構的化合物，係藉由吸收紅外線而變質。 具有紅外線吸收性之結構，或具有該結構之化合物，例如可列舉烷、烯(乙烯基、反式、順式、亞乙烯基、三取代、四取代、共軛、疊烯、環式)、炔(一取代、二取代)、單環式芳香族(苯、一取代、二取代、三取代)、醇或酚類(自由OH、分子內氫鍵、分子間氫鍵、飽和二級、飽和三級、不飽和二級、不飽和三級)、縮醛、縮酮、脂肪族醚、芳香族醚、乙烯基醚、環氧乙烷環醚、過氧化物醚、酮、二烷基羰基、芳香族羰基、1,3-二酮之烯醇、o-羥基芳基酮、二烷基醛、芳香族醛、羧酸(二聚體、羧酸陰離子)、甲酸酯、乙酸酯、共軛酯、非共軛酯、芳香族酯、內酯(β-、γ-、δ-)、脂肪族酸氯化物、芳香族酸氯化物、酸酐(共軛、非共軛、環式、非環式)、一級醯胺、二級醯胺、內醯胺、一級胺(脂肪族、芳香族)、二級胺(脂肪族、芳香族)、三級胺(脂肪族、芳香族)、一級胺鹽、二級胺鹽、三級胺鹽、銨離子、脂肪族腈、芳香族腈、碳二亞胺、脂肪族異腈、芳香族異腈、異氰酸酯、硫氰酸酯、脂肪族異硫氰酸酯、芳香族異硫氰酸酯、脂肪族硝基化合物、芳香族硝基化合物、硝基胺、亞硝基胺、硝酸酯、亞硝酸酯、亞硝基鍵結(脂肪族、芳香族、單體、二聚體)、硫醇或硫酚或硫醇酸等之硫化合物、硫羰基、亞碸、碸、磺醯氯、一級磺醯胺、二級磺醯胺、硫酸酯、碳-鹵素鍵結、Si-A1 鍵結(A1 為H、C、O或鹵素)、P-A2 鍵結(A2 為H、C或O)或Ti-O鍵結。
包含上述之碳-鹵素鍵結之結構，例如可列舉-CH2 Cl、-CH2 Br、-CH2 I、-CF2 -、-CF3 、-CH=CF2 、-CF =CF2 、氟化芳基或氯化芳基等。
包含上述之Si-A1 鍵結之結構，例如可列舉SiH、SiH2 、SiH3 、Si-CH3 、Si-CH2 -、Si-C6 H5 、SiO-脂肪族、Si-OCH3 、Si-OCH2 CH3 、Si-OC6 H5 、Si-O-Si、Si-OH、SiF、SiF2 或SiF3 等。包含Si-A1 鍵結之結構，特佳為形成矽氧烷骨架或倍半矽氧烷骨架。
包含上述之P-A2 鍵結之結構，例如可列舉PH、PH2 、P-CH3 、P-CH2 -、P-C6 H5 、A3 3 -P-O(A3 為脂肪族基或芳香族基)、(A4 O)3 -P-O(A4 為烷基)、P-OCH3 、P-OCH2 CH3 、P-OC6 H5 、P-O-P、P-OH或O=P-OH等。
包含上述之Ti-O鍵結之化合物，例如可列舉(i)四-i-丙氧基鈦、四-n-丁氧基鈦、肆(2-乙基己氧基)鈦或鈦-i-丙氧基辛二醇酸酯等之烷氧基鈦；(ii)二-i-丙氧基･雙(乙醯丙酮)鈦或丙烷二氧鈦雙(乙基乙醯乙酸酯)等之鈦鉗合物；(iii)i-C3 H7 O-[-Ti(O-i-C3 H7 )2 -O-]n -i-C3 H7 或n-C4 H9 O-[-Ti(O-n-C4 H9 )2 -O-]n -n-C4 H9 等之鈦聚合物；(iv)三-n-丁氧基鈦單硬脂酸酯、鈦硬脂酸酯、二-i-丙氧基鈦二異硬脂酸酯或(2-n-丁氧基羰基苄醯氧基)三丁氧基鈦等之鈦醯化物；(v)二-n-丁氧基･雙(三乙醇胺)鈦等之水溶性鈦化合物等。 此等之中，包含Ti-O鍵結之化合物，尤以二-n-丁氧基･雙(三乙醇胺)鈦(Ti(OC4 H9 )2 [OC2 H4 N(C2 H4 OH)2 ]2 )為佳。
上述紅外線吸收性之結構，依其種類的選擇，可吸收具有所期望之範圍的波長之紅外線。具體而言，上述紅外線吸收性之結構可吸收的紅外線之波長，例如為1~20μm之範圍內，可更適合地吸收2~15μm之範圍內。 進一步地，上述結構為Si-O鍵結、Si-C鍵結或Ti-O鍵結時，較佳為9~11μm之範圍內。
再者，上述各結構可吸收的紅外線之波長，可為所屬技術領域中具有通常知識者容易地理解。例如，各結構之吸收帶，可參照非專利文獻：SILVERSTEIN･BASSLER･MORRILL著「以有機化合物之光譜所為之鑑定法(第5版)-MS、IR、NMR、UV之併用-」(1992年發行)第146頁至第151頁之記載。
用於分離層之形成的具有紅外線吸收性之結構的化合物，只要係在具有如上述之結構的化合物當中，為了進行塗佈而可溶解於溶劑，且可固化而形成固相層者，則無特殊限定。但是，欲使分離層中之化合物有效果地變質，使支撐基體與基板的分離成為容易，較佳為分離層之紅外線的吸收大，亦即，對分離層照射紅外線時之紅外線的透過率低。具體而言，分離層中之紅外線的透過率較佳低於90%、紅外線的透過率更佳低於80%。
･･紅外線吸收物質 分離層亦可含有紅外線吸收物質。該紅外線吸收物質，只要係藉由吸收光而變質者即可，例如可適合地使用碳黑、鐵粒子，或鋁粒子。 紅外線吸收物質，依其種類，而吸收具有固有範圍的波長之光。藉由對分離層照射用於分離層之紅外線吸收物質會吸收的範圍之波長的光，可適合地使紅外線吸收物質變質。
･･反應性聚倍半矽氧烷 分離層可藉由使反應性聚倍半矽氧烷聚合來形成。藉此所形成之分離層，具備高的耐藥品性與高的耐熱性。
「反應性聚倍半矽氧烷」，係指於聚倍半矽氧烷骨架之末端具有矽醇基，或可藉由水解而形成矽醇基的官能基之聚倍半矽氧烷。藉由使該矽醇基，或可形成矽醇基的官能基縮合，可互相聚合。又，反應性聚倍半矽氧烷，只要具有矽醇基，或可形成矽醇基的官能基，則可採用具備隨機結構、籠型結構、梯狀結構等之倍半矽氧烷骨架的反應性聚倍半矽氧烷。
反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量，較佳為70~99莫耳%、更佳為80~99莫耳%。 反應性聚倍半矽氧烷之矽氧烷含量若為前述較佳範圍內，則可形成可藉由照射紅外線(較佳為遠紅外線、更佳為波長9~11μm之光)而適合地變質之分離層。
反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)，較佳為500~50000、更佳為1000~10000。 反應性聚倍半矽氧烷之重量平均分子量(Mw)若為前述較佳範圍內，則可適合地溶解於溶劑，可適合地塗佈於支撐板上。
可作為反應性聚倍半矽氧烷使用之市售品，例如可列舉小西化學工業股份有限公司製之SR-13、SR-21、SR-23或SR-33(商品名)等。
･･具有酚骨架之樹脂成分 分離層亦可含有具有酚骨架之樹脂成分。藉由具有酚骨架，容易藉由加熱等而變質(氧化等)，光反應性提高。 此處所稱的「具有酚骨架」，意指包含羥基苯結構。 具有酚骨架之樹脂成分，具有膜形成能力，較佳為分子量1000以上。藉由使該樹脂成分之分子量為1000以上，膜形成能力會提高。該樹脂成分之分子量，更佳為1000~30000、又更佳為1500~20000、特佳為2000~15000。該樹脂成分之分子量，藉由為前述較佳範圍之上限值以下，分離層形成用組成物對溶劑之溶解性提高。 再者，樹脂成分之分子量，係使用以GPC(凝膠滲透層析)所得之聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)。
具有酚骨架之樹脂成分，例如可列舉酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛型酚樹脂、羥基苯乙烯樹脂、羥基苯基倍半矽氧烷樹脂、羥基苄基倍半矽氧烷樹脂、含有酚骨架之丙烯酸樹脂等。此等之中尤以酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛型酚樹脂更佳。
＜接著層＞ 接著層係為了將半導體基板或電子裝置臨時接著於支撐體而設置。接著層為上述第1實施形態之接著劑組成物之硬化體。更具體而言，接著層係藉由將上述第1實施形態之接著劑組成物熱硬化而形成。接著層之厚度，例如較佳為1μm以上且200μm以下之範圍內、更佳為5μm以上且150μm以下之範圍內。
又，本實施形態之接著層，如上所述，為接著劑組成物之硬化體，構成該接著層之材料(硬化體)較佳滿足如下特性。 亦即，由以下條件測定硬化體之複數彈性率時，於50℃之複數彈性率較佳為1.0×108 Pa以上、更佳為5.0×108 Pa以上、又更佳為1.0×109 Pa以上。於50℃之複數彈性率之上限值，例如為1.0×1010 Pa以下。 又，由以下條件測定硬化體之複數彈性率時，於200℃之複數彈性率較佳為1.0×104 Pa以上、更佳為5.0×104 Pa以上、又更佳為1.0×105 Pa以上。於200℃之複數彈性率之上限值，例如為1.0×108 以下。
再者，硬化體之複數彈性率，可使用動態黏彈性測定裝置Rheogel-E4000(UBM股份有限公司製)來測定。具體而言，係對於接著劑組成物，將之塗佈於附脫模劑之PET薄膜上，藉由大氣壓下之烘箱，於90℃加熱5分鐘、接著於200℃加熱60分鐘，形成厚度20μm之試驗片，之後，可對於由PET薄膜剝離的試驗片(尺寸0.5cm×1cm、厚度20μm)，使用上述測定裝置來測定。 又，測定條件，可採用於頻率1Hz之拉伸條件下，自開始溫度40℃起，以昇溫速度5℃/分鐘昇溫至240℃之條件。
＜半導體基板或電子裝置＞ 半導體基板或電子裝置，係隔著接著層，而臨時接著於支撐體。
≪半導體基板≫ 半導體基板並無特殊限制，例示有與於上述「(接著劑組成物)」所例示的相同者。半導體基板，可為半導體元件或其他元件，可具有單層或複數層之結構。
≪電子裝置≫ 電子裝置並無特殊限制，例示有與於上述「(接著劑組成物)」所例示的相同者。電子裝置，較佳為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。具體而言，電子裝置，包含密封材層及配線層之至少一者，且可進一步包含半導體基板。 圖2所示之層合體200中，電子裝置456，係由半導體基板4與密封材層5，及配線層6所構成。圖3所示之層合體300中，電子裝置6，係由配線層6所構成。圖4所示之層合體400中，電子裝置645，係由配線層6、半導體基板4及密封材層5所構成。
[密封材層] 密封材層，係為了密封半導體基板所設置者，係使用密封材形成。密封材係使用可絕緣或密封由金屬或半導體所構成之構件的構件。 密封材例如可使用樹脂組成物。密封材層5，較佳以被覆接著層3上之半導體基板4全部的方式設置，而非每個半導體基板4個別設置者。用於密封材之樹脂，只要係可將金屬或半導體密封及/或絕緣者，則無特殊限定，例如可列舉環氧系樹脂或聚矽氧系樹脂等。 密封材，除樹脂以外，亦可含有填料等之其他成分。填料例如可列舉球狀二氧化矽粒子等。
≪配線層≫ 配線層，亦稱為RDL(Redistribution Layer：再配線層)，其係構成連接於基板之配線的薄膜之配線體，可具有單層或複數層之結構。配線層可為於介電體(氧化矽(SiOx )、感光性環氧樹脂等之感光性樹脂等)之間藉由導電體(例如鋁、銅、鈦、鎳、金及銀等之金屬以及銀-錫合金等之合金)形成有配線者，但不限定於此。
再者，圖1~圖4之層合體中，支撐基體1與分離層2係鄰接，但不限定於此，於支撐基體1與分離層2之間亦可進一步形成其他層。此時，其他層只要由使光透過之材料構成即可。藉此，可在不妨礙光對分離層2之入射下，適當追加對層合體100~400賦予較佳性質等之層。依構成分離層2之材料的種類，可使用之光波長係相異。因而，構成其他層之材料，沒有必要使全部波長之光透過，可由使可使構成分離層2之材料變質之波長的光透過之材料中適當選擇。
(層合體之製造方法(1)) 本發明之第3態樣之層合體之製造方法，係依序層合有支撐體、接著層及半導體基板之層合體之製造方法，其特徵為具有於前述支撐體或半導體基板塗佈前述第1態樣之接著劑組成物，形成接著劑組成物層之接著劑組成物層形成步驟、將前述半導體基板，隔著前述接著劑組成物層載置於前述支撐體上之半導體基板載置步驟，與藉由將前述接著劑組成物層加熱，於前述接著劑組成物層內形成交聯結構而硬化，以形成接著層之接著層形成步驟。
圖5~6為說明本實施形態之層合體之製造方法之一實施形態的概略步驟圖。 圖5(a)~(c)為說明依序層合有支撐體12、接著劑組成物層3’，及半導體基板4的層合體100’之製造步驟的圖。圖5(a)為顯示支撐體12之圖。支撐體12係由支撐基體1及分離層2構成。圖5(b)為說明接著劑組成物層形成步驟之圖。圖5(c)為說明半導體基板載置步驟之圖。 圖6為說明接著層形成步驟之圖。其係使層合體100’中之接著劑組成物層3’熱硬化形成接著層3，得到層合體100。
[接著劑組成物層形成步驟] 本實施形態之層合體之製造方法，包含接著劑組成物層形成步驟。接著劑組成物層形成步驟，為於支撐體或半導體基板塗佈接著劑組成物，形成接著劑組成物層之步驟。支撐體具有分離層時，接著劑組成物層，係形成於支撐體中具有分離層之側的面。 圖5(b)中，係於支撐體12之分離層2側之面，使用接著劑組成物形成接著劑組成物層3’。
接著劑組成物層3’對支撐體12上之形成方法並無特殊限定，例如可列舉旋轉塗佈、浸漬、輥刀、噴霧塗佈、狹縫塗佈等之方法。 接著劑組成物層，亦可以同樣的方法形成於半導體基板4。
接著劑組成物層形成後，亦可進行烘烤處理。烘烤溫度條件，係設為較後述接著層形成步驟中之加熱溫度更低的溫度。烘烤條件可依接著劑組成物所含有的(C)成分之種類而變化，例如可列舉70~100℃之溫度條件、1~10分鐘等。
[半導體基板載置步驟] 本實施形態之層合體之製造方法，包含半導體基板載置步驟。半導體基板載置步驟，為將半導體基板，隔著接著劑組成物層，載置於支撐體上之步驟。藉此，可得到層合體100’。 圖5(c)中，半導體基板4，係隔著形成於支撐體12上之接著劑組成物層3’，載置於支撐體12。
隔著接著劑組成物層3’於支撐體12上載置半導體基板4之方法，並無特殊限定，可採用作為將半導體基板配置於特定位置之方法而一般所使用的方法。
[接著層形成步驟] 本實施形態之層合體之製造方法，包含接著層形成步驟。接著層形成步驟，為藉由將接著劑組成物層加熱，於前述接著劑組成物層內形成交聯結構而硬化，以形成接著層之步驟。藉此，可得到層合體100。 圖6中，係藉由接著劑組成物層3’之加熱，形成接著層3。
本步驟中之加熱溫度，係依使用於接著劑組成物層3’之形成的接著劑組成物所含有的(C)成分之熱硬化溫度來適當選擇即可。例如，(C)成分包含(I)成分及(P)成分時，加熱溫度可設為該(I)成分及(P)成分之交聯反應所起始的溫度以上。例如，(I)成分含有封端聚異氰酸酯時，本步驟中之加熱溫度，可設為將該封端聚異氰酸酯中之異氰酸酯基封端的熱解離性封端劑之解離溫度以上的溫度。該加熱溫度，可依熱解離性封端劑之種類而變化，例如可列舉80℃以上，100℃以上，130℃以上，或150℃以上等。加熱溫度之上限並無特殊限定，就能量消耗之觀點，例如可列舉350℃以下、300℃以下，或250℃以下等。加熱溫度之範圍，例如可列舉80~350℃、100~300℃、130~300℃，或150~300℃等。 加熱時間，只要係(C)成分之熱硬化所足夠的時間則無特殊限定，例如可為15分鐘以上，30分鐘以上，或45分鐘以上等。加熱時間之上限並無特殊限定，就作業效率等之觀點，例如可為120分鐘以下、100分鐘以下、80分鐘以下，或60分鐘以下等。加熱時間之範圍，例如可列舉15~120分鐘、30~120分鐘，或45~120分鐘等。
藉由本步驟，接著劑組成物層3’中之(C)成分形成交聯結構而硬化，形成接著劑組成物層3’之硬化體即接著層3。藉此，支撐體12與半導體基板4係被臨時接著。其結果，可得到層合體100。
[任意步驟] 本實施形態之層合體之製造方法，於上述步驟以外，亦可包含其他步驟。其他步驟例如可列舉分離層形成步驟，及各種機械或化學處理(磨光或化學機械研磨(CMP)等之薄膜化處理、化學氣相沈積(CVD)或物理氣相沈積(PVD)等之高溫/真空下之處理、使用有機溶劑、酸性處理液或鹼性處理液等之藥品的處理、鍍敷處理、活性光線之照射、加熱/冷卻處理等)等。
･分離層形成步驟 支撐體包含分離層時，本實施形態之層合體之製造方法，亦可包含分離層形成步驟。分離層形成步驟，係使用分離層形成用組成物，於支撐基體上之一方，形成分離層之步驟。 圖5(a)中，藉由使用分離層形成用組成物(含有氟碳者)，於支撐基體1上形成分離層2(亦即製作附有分離層之支撐基體)。
分離層2對支撐基體1上之形成方法並無特殊限定，例如可列舉旋轉塗佈、浸漬、輥刀、噴霧塗佈、狹縫塗佈、化學氣相沈積(CVD)等之方法。 例如，分離層形成步驟中，可藉由於加熱環境下或減壓環境下，自塗佈於支撐基體1上之分離層形成用組成物的塗佈層中去除溶劑成分而成膜，或藉由於支撐基體1上以蒸鍍法成膜，而得到支撐體12。
(層合體之製造方法(2)) 本發明之第4態樣之層合體之製造方法，其特徵為於藉由前述第3態樣之層合體之製造方法得到層合體後，進一步具有形成電子裝置之電子裝置形成步驟，該電子裝置為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。
藉由本實施形態之層合體之製造方法所得到的層合體，為依序層合有支撐體、接著層及電子裝置之層合體。該層合體，可藉由對以前述第3態樣之層合體之製造方法所得之層合體，進行電子裝置形成步驟而得到。
[電子裝置形成步驟] 本實施形態之層合體之製造方法，包含電子裝置形成步驟。電子裝置形成步驟，為形成電子裝置之步驟，該電子裝置為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。 電子裝置形成步驟，可包含密封步驟、研削步驟、配線層形成步驟之任一者。一實施態樣中，電子裝置形成步驟，包含基板固定步驟及密封步驟。此時，電子裝置形成步驟，亦可進一步包含研削步驟及配線層形成步驟。
･關於密封步驟 密封步驟，為將固定於支撐體上之基板，使用密封材密封之步驟。 圖7(a)中，係得到隔著接著層3被臨時接著於支撐體12之半導體基板4的全體，被密封材層5密封之層合體110。
密封步驟中，例如被加熱至130~170℃的密封材，在一邊維持高黏度之狀態下，以被覆半導體基板4的方式，被供給至接著層3上，藉由壓縮成形，而製作於接著層3上設置有密封材層5之層合體110。 此時，溫度條件例如為130~170℃。 對半導體基板4所施加的壓力，例如為50~500N/cm2 。
密封材層5，較佳以被覆接著層3上之半導體基板4全部的方式設置，而非每個半導體基板4個別設置者。
･關於研削步驟 研削步驟，為於前述密封步驟之後，研削密封體中之密封材部分(密封材層5)，使半導體基板的一部分露出的步驟。 密封材部分之研削，例如如圖7(b)所示，係藉由將密封材層5，研削至成為與半導體基板4大致同等之厚度來進行。
･關於配線層形成步驟 配線層形成步驟，為於前述研削步驟之後，於前述露出的半導體基板上形成配線層之步驟。 圖7(c)中，係於半導體基板4及密封材層5上，形成配線層6。藉此，可得到層合體120。層合體120中，半導體基板4、密封材層5及配線層6，係構成電子裝置456。
形成配線層6之方法，例如可列舉以下方法。 首先，於密封材層5上，形成氧化矽(SiOx )、感光性樹脂等之介電體層。含有氧化矽之介電體層，例如可藉由濺鍍法、真空蒸鍍法等形成。含有感光性樹脂之介電體層，例如可藉由以旋轉塗佈、浸漬、輥刀、噴霧塗佈、狹縫塗佈等之方法，於密封材層5上塗佈感光性樹脂來形成。
接著，藉由金屬等之導電體於介電體層形成配線。形成配線之方法，例如可使用光微影術(阻劑微影術)等之微影術處理、蝕刻處理等之公知的半導體製程手法。如此的微影術處理，例如可列舉使用正型阻劑材料之微影術處理、使用負型阻劑材料之微影術處理。
本實施形態之層合體之製造方法中，可進一步地，於配線層6上進行凸塊之形成，或元件之構裝。元件對配線層6上之構裝，例如可使用晶片構裝器(chip mounter)等來進行。
(層合體之製造方法(3)) 本發明之第5態樣之層合體之製造方法，為依序層合有支撐體、接著層及電子裝置之層合體之製造方法，其特徵為具有於前述支撐體上塗佈前述第1態樣之接著劑組成物，形成前述接著劑組成物之層之接著劑組成物層形成步驟、於前述接著劑組成物層上形成由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體之電子裝置之電子裝置形成步驟，與藉由將前述接著劑組成物層加熱，於前述接著劑組成物層內形成交聯結構而硬化，以形成接著層之接著層形成步驟。
藉由本實施形態之層合體之製造方法所得到的層合體，與前述第4態樣之製造方法同樣地，為依序層合有支撐體、接著層及電子裝置之層合體。
本實施形態之製造方法中，接著劑組成物層形成步驟，可與前述第3態樣之層合體之製造方法中者同樣地進行。
本實施形態之製造方法中，接著劑組成物層形成步驟後，係進行電子裝置形成步驟。該電子裝置形成步驟，可包含配線層形成步驟。電子裝置形成步驟，亦可進一步包含半導體基板載置步驟、密封步驟，及研削步驟等。又，電子裝置形成步驟，亦可為將半導體基板經密封材密封之密封體，隔著接著劑組成物層，載置於支撐體上之步驟。
接著層形成步驟，可與前述第3態樣之層合體之製造方法中者同樣地進行。
接著層形成步驟後，亦可進一步依需要，進行電子裝置形成步驟。該電子裝置形成步驟，例如可包含半導體基板載置步驟、密封步驟，及研削步驟等。
依照上述第3~第5態樣之層合體之製造方法，支撐體與半導體基板或電子裝置，係隔著耐熱性高的接著層被臨時接著，因此可安定地製造依序層合有支撐體、接著層，與半導體基板或電子裝置而成的層合體。該層合體，為基於設置於半導體基板之端子構裝於擴展至晶片區域外的配線層之扇出型技術的製程中所製作的層合體。
(電子零件之製造方法) 本發明之第6態樣之電子零件之製造方法，其特徵為，具有於藉由前述第3~第5中任一態樣之層合體之製造方法得到層合體後，藉由酸或鹼來分解前述接著層中之前述交聯結構，以去除前述接著層之接著層去除步驟。 支撐體由支撐基體與分離層構成時，本實施形態之方法，於接著層去除步驟之前，亦可進一步具有藉由隔著前述支撐基體對前述分離層照射光，使前述分離層變質，以使前述電子裝置，與前述支撐基體分離之分離步驟。
圖8為說明半導體封裝(電子零件)之製造方法之一實施形態的概略步驟圖。圖8(a)為顯示層合體120之圖，圖8(b)為說明分離步驟之圖，圖8(c)為說明接著劑去除步驟之圖。
[分離步驟] 支撐體具有分離層時，本實施形態之電子零件之製造方法，亦可具有分離步驟。本實施形態中之分離步驟，為隔著支撐基體1對分離層2照射光(箭頭)，使分離層2變質，藉以自電子裝置456分離支撐基體1之步驟。 如圖8(a)所示，分離步驟中，藉由隔著支撐基體1，對分離層2照射光(箭頭)，使分離層2變質。
可使分離層2變質之波長，例如可列舉600nm以下之範圍。 所照射之光的種類及波長，可依支撐基體1之透過性，及分離層2之材質適當選擇，例如可使用YAG雷射、紅寶石雷射、玻璃雷射、YVO4 雷射、LD雷射、光纖雷射等之固體雷射、色素雷射等之液體雷射、CO2 雷射、準分子雷射、Ar雷射、He-Ne雷射等之氣體雷射、半導體雷射、自由電子雷射等之雷射光、非雷射光。藉此，使分離層2變質，可成為可使支撐基體1與電子裝置456容易地分離的狀態。
照射雷射光時，雷射光照射條件之一例，可列舉以下之條件。 雷射光之平均輸出值，較佳為1.0W以上且5.0W以下、更佳為3.0W以上且4.0W以下。雷射光之重複頻率，較佳為20kHz以上且60kHz以下、更佳為30kHz以上且50kHz以下。雷射光之掃描速度，較佳為100mm/s以上且10000mm/s以下。
對分離層2照射光(箭頭)使分離層2變質後，如圖8(b)所示，自電子裝置456使支撐基體1分離。 例如，藉由於支撐基體1與電子裝置456互相遠離的方向施加力，使支撐基體1與電子裝置456分離。具體而言，可藉由於將支撐基體1或電子裝置456側(配線層6)之一方固定於載台之狀態，將另一方以具備波紋管墊等之吸附墊的分離板一邊吸附保持一邊拉起，使支撐基體1與電子裝置456分離。 對層合體200所施加之力，只要依層合體200之大小等適當調整即可，並無限定，例如，若為直徑300mm左右之層合體，可藉由施加0.1~5kgf(0.98~49N)左右之力，將支撐基體1與電子裝置456適合地分離。
支撐體不具有分離層時，支撐體與半導體基板或電子裝置之分離，可藉由後述之接著層去除步驟來進行。
[接著層去除步驟] 本實施形態之電子零件之製造方法，具有接著層去除步驟。接著層去除步驟，為將接著層中之交聯結構以酸或鹼分解，而去除前述接著層之步驟。 圖8(b)中，分離步驟之後，接著層3及分離層2係附著於電子裝置456。本步驟中，藉由使用酸或鹼分解接著層3，去除接著層3及分離層2，得到電子零件50。
本步驟中，用於分解接著層3中之交聯結構的酸或鹼，只要係可分解前述交聯結構者則無特殊限定。例如，前述交聯結構係由胺基甲酸酯鍵構成時，可使用可分解胺基甲酸酯鍵之酸或鹼。可分解胺基甲酸酯鍵之酸，例如可列舉鹽酸、硫酸、硝酸等，但不限定於此等。又，可分解胺基甲酸酯鍵之鹼，可列舉氫氧化鉀、氫氧化鈉等之無機鹼；及氫氧化四甲基銨、單乙醇胺等之有機胺類，但不限定於此等。
前述酸或鹼，可溶解於溶劑，作為接著層去除用之處理液來使用。前述溶劑較佳為極性溶劑，例如可列舉二甲基亞碸(DMSO)、N-甲基吡咯啶酮(NMP)、二乙二醇單丁基醚、二乙二醇或乙二醇、丙二醇等。 前述接著劑去除用處理液，除了上述成分以外，亦可含有界面活性劑等之公知添加劑。 前述處理液中之酸或鹼之含量並無特殊限定，例如可列舉1~50質量%。又，前述處理液中之極性溶劑之含量，可列舉50~99質量%。 藉由使含有酸或鹼之如前述的處理液，接觸於接著層3，接著層3中之交聯結構被分解，可去除接著層3。
依照本實施形態之電子零件之製造方法，係使用藉由熱形成交聯結構而硬化，且前述交聯結構藉由酸或鹼而分解的接著劑組成物，來將半導體基板或電子裝置，與支撐體進行臨時接著，因此可形成亦可耐受電子裝置形成過程等中的高溫處理之耐熱性高的接著層。又，前述接著層中之交聯結構，係藉由酸或鹼而被分解，因此可容易地進行電子裝置形成製程等結束後的接著層之洗淨去除。
本實施形態之電子零件之製造方法，於上述接著層去除步驟之後，亦可進一步地對電子零件50進行焊球形成、切割，或氧化膜形成等之處理。 [實施例]
以下，藉由實施例以更詳細說明本發明，但本發明不受此等例子的限定。
＜接著劑組成物之調製＞ (實施例1、2) 混合表1所示之成分，分別調製各例之接著劑組成物。
表1中，各縮寫分別具有以下意義。[ ]內之數值為摻合量(質量份)。
(P)-1：酚醛清漆型酚樹脂(MEHC-7841-3H(商品名)、明和化成股份有限公司製)。 (P)-2：聚羥基苯乙烯樹脂(VPS-2515(商品名)、日本曹達股份有限公司製)。 (I)-1：加合型封端聚異氰酸酯(E402-B80B(商品名)、旭化成股份有限公司製)。 (Ad)-1：界面活性劑(BYK0310(商品名)、BYK公司製)。
＜評估＞ ≪耐熱性≫ 耐熱性之評估，係藉由測定接著劑組成物之硬化體之複數彈性率來進行。 將各例之接著劑組成物，塗佈於附脫模劑之PET薄膜上，藉由大氣壓下之烘箱，於90℃加熱5分鐘、接著200℃加熱60分鐘，形成試驗片(厚度20μm)。之後，使用動態黏彈性測定裝置Rheogel-E4000(UBM股份有限公司製)測定自PET薄膜剝離的試驗片(尺寸0.5cm×1cm、厚度20μm)之複數彈性率。 測定條件設為於頻率1Hz之拉伸條件下，自起始溫度40℃起，以昇溫速度5℃/分鐘昇溫至240℃之條件。
圖9為對於使用各例之接著劑組成物所形成之試驗片(接著層)，顯示複數彈性率對溫度之行為的圖。如圖9所示，實施例1及2之接著劑組成物，於高溫部(約150℃以上)，維持大致一定範圍的高複數彈性率。
≪去除性≫ 於玻璃支撐基體(尺寸直徑30cm、厚度1000μm)上，藉由旋轉塗佈法，將各例之接著劑組成物一邊以1000rpm旋轉一邊分別進行塗佈。接著，將經塗佈各例之接著劑組成物的支撐基體，藉由分別於90℃加熱5分鐘、200℃加熱60分鐘，形成厚度50μm之接著層。
將各例之接著層，於室溫(23℃)，以處理液(對N-甲基吡咯啶酮(NMP)及二甲基亞碸(DMSO)之混合溶劑(NMP：DMS=50：50(質量比))，使氫氧化四甲基銨(TMAH)以2質量%之濃度經稀釋者)進行處理，測定完全溶解的時間。由相對於膜厚之溶解時間，算出各例之接著層的溶解速度。其結果示於表2。
由表2所示結果，確認到使用實施例1及2之接著劑組成物所形成之接著層，迅速溶解於處理液中，可使用處理液容易地去除。
1:支撐基體 2:分離層 3:接著層 3’:接著劑組成物層 4:半導體基板 5:密封材層 6:配線層 10:中間層 12:支撐體 20:層合體 50:電子零件 100:層合體 100’:層合體 110:層合體 120:層合體 200:層合體 300:層合體 400:層合體 456:電子裝置 645:電子裝置
[圖1]顯示應用本發明的層合體之一實施形態的示意圖。 [圖2]顯示應用本發明的層合體之一實施形態的示意圖。 [圖3]顯示應用本發明的層合體之一實施形態的示意圖。 [圖4]顯示應用本發明的層合體之一實施形態的示意圖。 [圖5]說明依序層合有支撐體、接著劑組成物層，及半導體基板之層合體100’之製造方法之一實施形態的概略步驟圖。圖5(a)為顯示包含支撐基體及分離層之支撐體的圖，圖5(b)為說明接著劑組成物層形成步驟的圖，圖5(c)為說明半導體基板載置步驟的圖。 [圖6]說明接著層形成步驟的圖。 [圖7]說明製造層合體120之方法之一實施形態的概略步驟圖。圖7(a)為說明密封步驟的圖，圖7(b)為說明研削步驟的圖，圖7(c)為說明配線層形成步驟的圖。 [圖8]說明自層合體120製造半導體封裝(電子零件)之方法之一實施形態的概略步驟圖。圖8(a)為顯示層合體200之圖，圖8(b)為說明分離步驟的圖，圖8(c)為說明接著層去除步驟的圖。 [圖9]顯示應用本發明的接著劑組成物之硬化體的複數彈性率對溫度之行為之圖。

Claims (10)

  1. 一種接著劑組成物，其係用於形成將半導體基板或電子裝置與支撐體臨時接著之接著層的接著劑組成物，其中前述接著劑組成物係藉由熱而形成交聯結構來硬化，藉以進行前述臨時接著者，前述交聯結構係藉由酸或鹼而分解，且於該分解的過程中或過程後去除前述接著層者，前述接著劑組成物含有聚異氰酸酯化合物((I)成分)及多元醇((P)成分)，接著劑組成物中所含有的(I)成分與(P)成分之含量比((I)成分質量：(P)成分質量)，為2：8~5：5之範圍。
  2. 如請求項1之接著劑組成物，其中前述交聯結構係藉由胺基甲酸酯鍵而形成。
  3. 如請求項1之接著劑組成物，其中由金屬或半導體所構成之構件與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體，係隔著前述接著層，層合於前述支撐體，來作為前述電子裝置。
  4. 一種層合體，其係依序層合有支撐體、接著層，及半導體基板或電子裝置之層合體，其中前述接著層，為如請求項1~3中任一項之接著劑組成物之硬化體。
  5. 一種層合體之製造方法，其係依序層合有支撐體、接著層及半導體基板之層合體之製造方法，其 具有於前述支撐體或半導體基板，塗佈如請求項1~3中任一項之接著劑組成物，形成接著劑組成物層之接著劑組成物層形成步驟、將前述半導體基板，隔著前述接著劑組成物層載置於前述支撐體上之半導體基板載置步驟，與藉由將前述接著劑組成物層加熱，於前述接著劑組成物層內形成交聯結構而硬化，以形成接著層之接著層形成步驟。
  6. 一種依序層合有支撐體、接著層及電子裝置之層合體之製造方法，其係於藉由如請求項5之層合體之製造方法得到層合體之後，進一步具有形成電子裝置之電子裝置形成步驟，該電子裝置為由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體。
  7. 一種層合體之製造方法，其係依序層合有支撐體、接著層及電子裝置之層合體之製造方法，其具有於前述支撐體上，塗佈如請求項1~3中任一項之接著劑組成物，形成前述接著劑組成物之層之接著劑組成物層形成步驟、於前述接著劑組成物層上形成由金屬或半導體所構成之構件，與密封或絕緣前述構件之樹脂的複合體之電子裝置之電子裝置形成步驟，與 藉由將前述接著劑組成物層加熱，於前述接著劑組成物層內形成交聯結構而硬化，以形成接著層之接著層形成步驟。
  8. 如請求項5~7中任一項之層合體之製造方法，其中前述支撐體，係由支撐基體及藉由光照射而變質之分離層所構成，且前述接著劑組成物層形成步驟，為於前述分離層上形成接著劑組成物層之步驟。
  9. 一種電子零件之製造方法，其係於藉由如請求項5~7中任一項之層合體之製造方法得到層合體之後，具有藉由酸或鹼來分解前述接著層中之前述交聯結構，以去除前述接著層之接著層去除步驟。
  10. 一種電子零件之製造方法，其係於藉由如請求項8之層合體之製造方法得到層合體之後，具有藉由隔著前述支撐基體對前述分離層照射光，使前述分離層變質，以使前述電子裝置，與前述支撐基體分離之分離步驟，與於前述分離步驟之後，藉由酸或鹼來分解前述接著層中之前述交聯結構，以去除附著於前述電子裝置的前述接著層之接著層去除步驟。
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