TWI831328B - 探針陣列及探針結構 - Google Patents

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TWI831328B TW111130670A TW111130670A TWI831328B TW I831328 B TWI831328 B TW I831328B TW 111130670 A TW111130670 A TW 111130670A TW 111130670 A TW111130670 A TW 111130670A TW I831328 B TWI831328 B TW I831328B
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Abstract

本揭露提供一種探針陣列及探針結構。探針陣列包含第一探針結構以及第二探針結構。第一探針結構包含第一本體，第一本體具有第一端以及第二端。第二探針結構包含第二本體，第二本體具有第一端以及第二端。第一本體之第一端以及第二本體之第一端於第一截面上具有相同截面積，第一本體之第二端以及第二本體之第二端於第二截面具有相同截面積。第一本體以及第二本體具有相異形狀

Description

探針陣列及探針結構
本揭露係關於一種探針陣列及探針結構。特別是關於一種具有可探測相異訊號種類之多種探針結構之探針陣列。
習知技術中，各式各樣之積體電路晶片於製造之過程須進行電性測試。為滿足特定測試目的，不同之探針結構因此發展。舉例而言：用於高電流測試之探針結構需具有較厚之尺寸、用於高頻測試之探針結構具有較薄之尺寸。惟現有之探針結構大多未能同時滿足多種測試目的。
再者，若欲將不同尺寸之探針結構安排於同一探針陣列以滿足不同測試目的，則探針陣列中用於設置探針結構之導板，其開口尺寸將無法統一，此將造成：(1)探針陣列之複數探針結構觸待測物時，其接觸力難以平衡，導致測試過程不穩定；(2)探針陣列之複數探針結構之間距調整不易；(3)探針陣列之複數探針結構觸待測物時，測試過程之溫度控制不易。
上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不構成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應作為本案之任一部分。
本揭露之一實施例提供一種探針陣列，包含一第一探針結構以及一第二探針結構。該第一探針結構包含一第一本體，該第一本體具有一第一端以及一第二端。該第二探針結構包含一第二本體，該第二本體具有一第一端以及一第二端。該第一本體之該第一端以及該第二本體之該第一端於一第一截面上具有相同截面積，該第一本體之該第二端以及該第二本體之該第二端於一第二截面具有相同截面積，該第一本體以及該第二本體具有相異形狀。
在一些實施例中，該第一本體之該第一端以及該第二本體之該第一端位於同側。
在一些實施例中，該第一截面以及該第二截面平行。
在一些實施例中，該第一本體之該第一端以及該第二本體之該第一端具有相同形狀。
在一些實施例中，該第一本體之該第二端以及該第二本體之該第二端具有相同形狀。
在一些實施例中，該第一本體上形成自該第一探針結構之該第一端延伸至該第一探針結構之該第二端之至少一第一鏤空部位、至少一第一內縮部位或該至少一第一鏤空部位以及該至少一第一內縮部位之組合。
在一些實施例中，該第二本體上形成自該第二探針結構之該第一端延伸至該第二探針結構之該第二端之至少一第二鏤空部位、至少一第二內縮部位或該至少一第二鏤空部位以及該至少一第二內縮部位之組合。
在一些實施例中，該探針陣列更包含一導板。該導板具有一第一孔槽以及一第二孔槽。該第一孔槽容置該第一探針結構之該第一端。該第二孔槽容置該第二探針結構之該第一端。
在一些實施例中，該第一孔槽以及該第二孔槽之大小及形狀相同。
本揭露之另一實施例提供一種探針結構，包含一本體。該本體具有一第一端以及一第二端。該本體上形成自該第一端延伸至該第二端之至少一鏤空部位、至少一內縮部位或該至少一鏤空部位以及該至少一內縮部位之組合。該第一端於一第一截面之截面積與該第二端於一第二截面之截面積相同，該第一截面以及該第二截面平行。
在一些實施例中，該第一端以及該第二端具有相同形狀。
在一些實施例中，該本體上形成該至少一內縮部位或該至少一鏤空部位以及該至少一內縮部位之組合，該至少一內縮部位具有一弧形或一梯形。
在一些實施例中，該本體沿該第一端至該第二端具有相同厚度。
上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。構成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。
4:探針陣列
5:探針陣列
11:探針結構
12:探針結構
13:探針結構
21:探針結構
22:探針結構
23:探針結構
31:探針結構
41:探針結構
41A:探針結構
41B:探針結構
43:導板
51:探針結構
51A:探針結構
51B:探針結構
53:導板
111:本體
111A:第一端
111B:第二端
121:本體
121A:第一端
121B:第二端
131:本體
131A:第一端
131B:第二端
211:本體
211A:第一端
211B:第二端
221:本體
221A:第一端
221B:第二端
231:本體
231A:第一端
231B:第二端
311:本體
311A:第一端
311B:第二端
311S1:第一面
311S2:側面
311S3:側面
411A:第一本體
411B:第一本體
413A:第一端
413B:第一端
415A:第二端
415B:第二端
430:孔槽
511A:第一本體
511B:第一本體
513A:第一端
513B:第一端
515A:第二端
515B:第二端
530:孔槽
1110:鏤空部位
1212:內縮部位
1310:鏤空部位
1312:內縮部位
2110:鏤空部位
2212A:第一內縮部位
2212B:第二內縮部位
2310:鏤空部位
2312A:第一內縮部位
2312B:第二內縮部位
3110:鏤空部位
3112A:第一內縮部位
3112B:第二內縮部位
CS11:第一截面
CS12:第二截面
CS13:第一截面
CS14:第二截面
CS15:第一截面
CS16:第二截面
CS21:第一截面
CS22:第二截面
CS23:第一截面
CS24:第二截面
CS25:第一截面
CS26:第二截面
CS31:第一截面
CS32:第二截面
CS41:第一截面
CS42:第二截面
CS51:第一截面
CS52:第二截面
T31:厚度
T32:厚度
W31:寬度
參閱實施方式與申請專利範圍合併考量圖式時，可得以更全面了解本申請案之揭示內容，圖式中相同的元件符號係指相同的元件。
圖1A例示本揭露一些實施例之探針結構之正視圖。
圖1B例示本揭露一些實施例之探針結構之正視圖。
圖1C例示本揭露一些實施例之探針結構之正視圖。
圖2A例示本揭露一些實施例之探針結構之正視圖。
圖2B例示本揭露一些實施例之探針結構之正視圖。
圖2C例示本揭露一些實施例之探針結構之正視圖。
圖3A例示本揭露一些實施例之探針結構之正視圖。
圖3B例示本揭露一些實施例之探針結構之側視圖。
圖3C例示本揭露一些實施例之探針結構之側視圖。
圖4例示本揭露一些實施例之探針陣列之示意圖。
圖5例示本揭露一些實施例之探針陣列之示意圖。
本揭露之以下說明伴隨併入且組成說明書之一部分的圖式，說明本揭露之實施例，然而本揭露並不受限於該實施例。此外，以下的實施例可適當整合以完成另一實施例。
「一實施例」、「實施例」、「例示實施例」、「其他實施例」、「另一實施例」等係指本揭露所描述之實施例可包括特定特徵、結構或是特性，然而並非每一實施例必須包括該特定特徵、結構或是特性。再者，重複使用「在實施例中」一語並非必須指相同實施例，然而可為相同實施例。
為了使得本揭露可被完全理解，以下說明提供詳細的步驟與結構。顯然，本揭露的實施不會限制該技藝中的技術人士已知的特定細節。此外，已知的結構與步驟不再詳述，以免不必要地限制本揭露。本揭露的較佳實施例詳述如下。然而，除了詳細說明之外，本揭露亦可廣泛實施於其他實施例中。本揭露的範圍不限於詳細說明的內容，而是由申請專利範圍定義。
應當理解，以下揭露內容提供用於實作本發明的不同特徵的諸多不同的實施例或實例。以下闡述組件及排列形式的具體實施例或實例以簡化本揭露內容。當然，該些僅為實例且不旨在進行限制。舉例而言，元件的尺寸並非僅限於所揭露範圍或值，而是可相依於製程條件及/或裝置的所期望性質。此外，以下說明中將第一特徵形成於第二特徵「之上」或第二特徵「上」可包括其中第一特徵及第二特徵被形成為直接接觸的實施例，且亦可包括其中第一特徵與第二特徵之間可形成有附加特徵、進而使得所述第一特徵與所述第二特徵可能不直接接觸的實施例。為簡潔及清晰起見，可按不同比例任意繪製各種特徵。在附圖中，為簡化起見，可省略一些層/特徵。
此外，為易於說明，本文中可能使用例如「之下(beneath)」、「下面(below)」、「下部的(lower)」、「上方(above)」、「上部的(upper)」等空間相對關係用語來闡述圖中所示的一個元件或特徵與另一(其他)元件或特徵的關係。所述空間相對關係用語旨在除圖中所繪示的取向外亦囊括元件在使用或操作中的不同取向。所述裝置可具有其他取向(旋轉90度或處於其他取向)且本文中所用的空間相對關係描述語可同樣相應地進行解釋。
本揭露之實施例之探針陣列包含第一探針結構以及第二探針結構，第一探針結構之第一端以及第二探針之第一端於第一截面上具有相同截面積，第一探針結構之第二端以及第二探針之第二端於第二截面具有相同截面積。其中，第一探針結構之本體以及第二探針結構之本體可具有相異形狀，例如：(1)至少一鏤空部位；(2)至少一內縮部位；或(3)至少一鏤空部位以及至少一內縮部位之組合。
如此一來，透過本揭露之不同探針結構具有相同端部之設置，便可將不同探針結構設置於同一探針陣列，以滿足同時進行：高電流測試(例如：將探針結構之主體設計為具有較大截面積)、高頻測試(例如：將探針結構之主體設計為具有較小截面積)等不同測試需求。同時，探針結構之外部尺寸可一致，使得使用此探針結構之探針陣列於接觸待測物時接觸力平均、容易安裝或更換探針、探針結構之間距調整容易(例如：可具有較小之相同間距)且測試過程之溫度控制簡單。
參考圖1A，其係本揭露一些實施例之一探針結構11之正視圖。具體而言，探針結構11包含一本體111，本體111具有一第一端111A以及一第二端111B。其中，本體111上形成至少一鏤空部位1110，且至少一鏤空部位1110自第一端111A延伸至第二端111B。
於一些實施例中，第一端111A於一第一截面CS11上具有截面積，第二端111B於一第二截面CS12上具有截面積。其中，第一端111A於第一截面CS11上之截面積與第二端111B於第二截面CS12上之截面積相同，且第一截面CS11平行於第二截面CS12。
參考圖1B，其係本揭露一些實施例之一探針結構12之正視圖。具體而言，探針結構12包含一本體121，本體121具有一第一端121A 以及一第二端121B。其中，本體121上形成至少一內縮部位1212，且至少一內縮部位1212自第一端121A延伸至第二端121B。
於一些實施例中，第一端121A於一第一截面CS13上具有截面積，第二端121B於一第二截面CS14上具有截面積。其中，第一端121A於第一截面CS13上之截面積與第二端121B於第二截面CS14上之截面積相同，且第一截面CS13平行於第二截面CS14。
參考圖1C，其係本揭露一些實施例之一探針結構13之正視圖。具體而言，探針結構13包含一本體131，本體131具有一第一端131A以及一第二端131B。其中，本體131上形成至少一鏤空部位1310以及至少一內縮部位1312，且至少一鏤空部位1310以及至少一內縮部位1312分別自第一端131A延伸至第二端131B。
於一些實施例中，第一端131A於一第一截面CS15上具有截面積，第二端131B於一第二截面CS16上具有截面積。其中，第一端131A於第一截面CS15上之截面積與第二端131B於第二截面CS16上之截面積相同，且第一截面CS15平行於第二截面CS16。
參考圖2A，其係本揭露一些實施例之一探針結構21之正視圖。具體而言，探針結構21包含一本體211，本體211具有一第一端211A以及一第二端211B。其中，本體211上形成複數鏤空部位2110，且每一鏤空部位2110自第一端211A延伸至第二端211B。於一些實施例中，複數鏤空部位2110具有相同形狀(例如：長條型)。
於一些實施例中，第一端211A於一第一截面CS21上具有截面積，第二端211B於一第二截面CS22上具有截面積。其中，第一端211A於第一截面CS21上之截面積與第二端211B於第二截面CS22上之截 面積相同，且第一截面CS21平行於第二截面CS22。於一些實施例中，第一端211A以及第二端211B具有相同形狀。
參考圖2B，其係本揭露一些實施例之一探針結構22之正視圖。具體而言，探針結構22包含一本體221，本體221具有一第一端221A以及一第二端221B。其中，本體221上形成一第一內縮部位2212A以及一第二內縮部位2212B，且第一內縮部位2212A以及第二內縮部位2212B自第一端121A延伸至第二端121B。於一些實施例中，第一內縮部位2212A以及第二內縮部位2212B於正視圖觀之各具有一弧形，並對稱地形成於本體221上。
於一些實施例中，第一端221A於一第一截面CS23上具有截面積，第二端221B於一第二截面CS24上具有截面積。其中，第一端221A於第一截面CS23上之截面積與第二端221B於第二截面CS24上之截面積相同，且第一截面CS23平行於第二截面CS24。於一些實施例中，第一端221A以及第二端221B具有相同形狀。
參考圖2C，其係本揭露一些實施例之一探針結構23之正視圖。具體而言，探針結構23包含一本體231，本體231具有一第一端231A以及一第二端231B。其中，本體231上形成複數鏤空部位2310、一第一內縮部位2312A以及一第二內縮部位2312B，且每一鏤空部位2310、第一內縮部位2312A以及第二內縮部位2312B分別自第一端231A延伸至第二端231B。於一些實施例中，第一內縮部位2312A以及第二內縮部位2312B於正視圖觀之各具有一梯形，並對稱地形成於本體231上。
於一些實施例中，第一端231A於一第一截面CS25上具有截面積，第二端231B於一第二截面CS26上具有截面積。其中，第一端 231A於第一截面CS25上之截面積與第二端231B於第二截面CS26上之截面積相同，且第一截面CS25平行於第二截面CS26。於一些實施例中，第一端231A以及第二端231B具有相同形狀。
需特別說明，前述內縮部位及鏤空之樣式並非用以限定本揭露內縮部位之實施態樣，可用以達成相同功效之內縮及鏤空形狀皆為本揭露保護之範圍。
參考圖3A，其係本揭露一些實施例之一探針結構31之正視圖。具體而言，探針結構31包含一本體311，本體311具有一第一端311A以及一第二端311B。更詳細來說，於圖3A所示之正視面觀之，第一端311A以第二端311B具有相同寬度W31，本體311於一第一面311S1上形成貫穿本體311之複數鏤空部位3110。本體311具有鄰接於第一面311S1之至少一側面311S2、311S3。本體311於側面311S2、311S3上分別形成一第一內縮部位3112A以及一第二內縮部位3112B。於此些實施例中，每一鏤空部位3110、第一內縮部位3112A以及第二內縮部位3112B分別自第一端311A延伸至第二端311B。
於一些實施例中，第一端311A於一第一截面CS31上具有截面積，第二端311B於一第二截面CS32上具有截面積。其中，第一端311A於第一截面CS31上之截面積與第二端311B於第二截面CS32上之截面積相同，且第一截面CS31平行於第二截面CS32。於一些實施例中，第一端311A以及第二端311B具有相同形狀。
參考圖3B，其係本揭露一些實施例之探針結構31之側視圖。具體而言，圖3B之側視圖係自第一內縮部位3112A所在之側面311S2之視圖，本體311沿第一端311A至第二端311B具有相同厚度T31。換言 之，本體311之側面311S2沿第一端311A至第二端311B具有相同寬度。於此些實施例中，本體311之寬度W31大於厚度T31。
參考圖3C，其係本揭露一些實施例之探針結構31之另一側視圖。具體而言，圖3C之側視圖係自第一內縮部位3112A所在之側面311S2之視圖，本體311沿第一端311A至第二端311B具有相同厚度T32。換言之，本體311之側面311S2沿第一端311A至第二端311B具有相同寬度。於此些實施例中，本體311之寬度W31等於厚度T31。
參考圖4，其係本揭露一些實施例之一探針陣列4之示意圖。具體而言，探針陣列4具有複數探針結構41以及一導板43。導板43具有複數孔槽430，用以容置探針結構41之一端。於一些實施例中，探針結構41包含至少一探針結構41A以及至少一探針結構41B。每一探針結構41A包含一第一本體411A，每一第一本體411A具有一第一端413A以及一第二端415A。每一探針結構41B包含一第二本體411B，每一第二本體411B具有一第一端413B以及一第二端415B。第一本體411A之第一端413A與第二本體411B之第一端413B位於探針陣列4之同側。
於一些實施例中，第一本體411A之第一端413A以及第二本體411B之第一端413B於一第一截面CS41上具有相同截面積，第一本體411A之第二端415A以及第二本體411B之第二端415B於一第二截面CS42上具有相同截面積。第一截面CS41平行於第二截面CS42。
於一些實施例中，探針結構41A之第一本體411A與探針結構41B之第二本體411B具有相異之形狀(例如：第一本體411A具有一種形狀，第二本體411B具有另一種形狀)。於一些實施例中，探針結構41可包含前述實施例之探針結構11、12、13、21、22、23、31或其任意組合， 惟並非限制探針結構41之實施態樣。
參考圖5，其係本揭露一些實施例之一探針陣列5之示意圖。具體而言，探針陣列5具有複數探針結構51以及一導板53。導板53具有複數孔槽530，用以容置探針結構51之一端。於一些實施例中，探針結構51包含至少一探針結構51A以及至少一探針結構51B。每一探針結構51A包含一第一本體511A，每一第一本體511A具有一第一端513A以及一第二端515A。每一探針結構51B包含一第二本體511B，每一第二本體511B具有一第一端513B以及一第二端515B。第一本體511A之第一端513A與第二本體511B之第一端513B位於探針陣列5之同側。
於一些實施例中，第一本體511A之第一端513A以及第二本體511B之第一端513B於一第一截面CS51上具有相同截面積，第一本體511A之第二端515A以及第二本體511B之第二端515B於一第二截面CS52上具有相同截面積。於一些實施例中，第一本體511A之第一端513A於第一截面CS51上之截面積與第一本體511A之第二端515A於第二截面CS52上之截面積相同。第二本體511B之第一端513B於第一截面CS51上之截面積與第二本體511B之第二端515B於第二截面CS52上之截面積相同。第一截面CS51平行於第二截面CS52。
於一些實施例中，第一本體511A之第一端513A、第一本體511A之第二端515A、第二本體511B第一端513B以及第二本體511B第二端515B具有相同形狀，導板53之複數孔槽530之大小及形狀皆相同。據此，複數孔槽530可同時容置第一本體511A之第一端513A以及第二本體511B之第一端513B。
於一些實施例中，探針結構51A之第一本體511A與探針結 構51B之第二本體511B具有相異之形狀(例如：第一本體511A具有一種形狀，第二本體511B具有另一種形狀)。於一些實施例中，探針結構51可包含前述實施例之探針結構11、12、13、21、22、23、31或其任意組合，惟並非限制探針陣列5及探針結構51之實施態樣。
透過前述本揭露之探針陣列結構，便可將將不同尺寸、形狀之探針結構安排於同一探針陣列以滿足不同測試目的。更進一步來說，本揭露之探針陣列之多種探針結構之端部形狀一致，且探針陣列中用於設置探針結構之導板開口尺寸一致，如此一來，至少可使得：(1)探針陣列之複數探針結構觸待測物時之接觸力平衡，穩定測試過程；(2)探針陣列之複數探針結構之間距調整便利；(3)探針陣列之複數探針結構觸待測物時，由於接觸面一致，測試過程之溫度控制簡易。
雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，並且以其他製程或其組合替代上述的許多製程。
再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中所述之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文所述之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質組成物、手段、方法、或步驟係包括於本申請案之申請專利範圍內。
4:探針陣列
41:探針結構
41A:探針結構
41B:探針結構
43:導板
411A:第一本體
411B:第一本體
413A:第一端
413B:第一端
415A:第二端
415B:第二端
430:孔槽

Claims (13)

  1. 一種探針陣列，包含：一第一探針結構，包含：一第一本體，具有一第一端以及一第二端；以及一第二探針結構，包含：一第二本體，具有一第一端以及一第二端；其中，該第一本體之該第一端以及該第二本體之該第一端於一第一截面上具有相同截面積，該第一本體之該第二端以及該第二本體之該第二端於一第二截面具有相同截面積，該第一本體以及該第二本體具有相異形狀；其中，該第一本體上形成自該第一探針結構之該第一端延伸至該第一探針結構之該第二端之至少一第一內縮部位。
  2. 如請求項1所述之探針陣列，其中，該第一本體之該第一端以及該第二本體之該第一端位於同側。
  3. 如請求項1所述之探針陣列，其中，該第一截面以及該第二截面平行。
  4. 如請求項1所述之探針陣列，其中，該第一本體之該第一端以及該第二本體之該第一端具有相同形狀。
  5. 如請求項1或4所述之探針陣列，其中，該第一本體之該第二端以及該第二本體之該第二端具有相同形狀。
  6. 如請求項1所述之探針陣列，其中，該第一本體上形成自該第一探針結構之該第一端延伸至該第一探針結構之該第二端之至少一第一鏤空部位以及該至少一第一內縮部位之組合。
  7. 如請求項1或6所述之探針陣列，其中，該第二本體上形成自該第二探針結構之該第一端延伸至該第二探針結構之該第二端之至少一第二鏤空部位、至少一第二內縮部位或該至少一第二鏤空部位以及該至少一第二內縮部位之組合。
  8. 如請求項1所述之探針陣列，更包含：一導板，具有：一第一孔槽，容置該第一本體之該第一端；以及一第二孔槽，容置該第二本體之該第一端。
  9. 如請求項8所述之探針陣列，其中，該第一孔槽以及該第二孔槽之大小及形狀相同。
  10. 一種探針結構，包含：一本體，具有一第一端以及一第二端，其中，該本體上形成自該第一端延伸至該第二端之至少一鏤空部位以及至少一內縮部位之組合； 其中，該第一端於一第一截面之截面積與該第二端於一第二截面之截面積相同，該第一截面以及該第二截面平行。
  11. 如請求項10所述之探針結構，其中，該第一端以及該第二端具有相同形狀。
  12. 如請求項10所述之探針結構，其中，該至少一內縮部位具有一弧形或一梯形。
  13. 如請求項10所述之探針結構，其中，該本體沿該第一端至該第二端具有相同厚度。
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