TWI828768B - 表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種非磁性陶瓷成形體，其表面具有粗化結構，且上述粗化結構具有凹凸，上述凹凸之厚度方向之截面形狀具有曲面，上述非磁性陶瓷為氧化物系之非磁性陶瓷。

Description

表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體及其製造方法
本發明之一態樣係關於一種表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體及其製造方法。
已知非磁性陶瓷作為餐具、杯子、花瓶等日用品、工程陶瓷而被廣泛用於各種成形品，且根據所應用之用途進行於表面形成凹凸之處理。
於日本特開2002-308683號公報中揭示有一種藉由酸性蝕刻液而形成有凹凸結構之陶瓷構件。
於日本專利第6032903號公報中記載有一種具有特定之凹凸結構之燒成用托架之發明（申請專利範圍），作為上述燒成用托架之材料，例示有氧化鋯、氧化鋁、氧化鎂、尖晶石、堇青石等（段落號0013）。
於WO2011/121808A1中揭示有一種發明，其係具備金屬製或陶瓷製之基材、藉由在上述基材之滑動側之表面部形成凹部而設置之含浸層、及含浸於上述含浸層且被覆上述基材之滑動側之表面之樹脂層的滑動構件，且上述凹部係藉由機械加工而形成（申請專利範圍）。記載有凹部為複數個直線狀槽，且上述槽之最大深度為200～2000 μm（段落編號0026）。
作為上述機械加工，例示有雷射加工、線切割加工等（段落號0014），但並未記載關於具體之加工條件，實施例中僅記載有對鋼進行線切割加工，並無關於陶瓷之具體記載。
於日本特開2015-109966號公報中揭示有一種醫療機器材料之製造方法，其於含有正方晶氧化鋯之醫療機器材料之特定部位塗佈磷酸鈣，其特徵在於：包括：第一步驟，其對上述特定部位照射超短脈衝雷射而於表面形成凹凸；及第二步驟，其使與上述凹凸之週期相比較小之磷酸鈣微粒子蒸鍍或析出於上述特定部位（申請專利範圍）。
於日本專利第6111102號公報中揭示有一種金屬-陶瓷接合基板之製造方法，其特徵在於：對與以AlN或Al2 O3 作為主成分之陶瓷基板之至少一面的電路圖案大致相同之平面形狀之部分照射波長300～1500 nm的雷射光，而於與該陶瓷基板之至少一面的電路圖案大致相同之平面形狀之部分形成鋁膜，於該鋁膜上配置銅板，以鋁與銅之共晶點以上且650℃以下之溫度進行加熱，藉此經由鋁膜而將銅板接合至陶瓷基板。
於日本特開2003-171190號公報中揭示有一種陶瓷構件，其中，由純度95%以上之緻密質陶瓷所構成之基材的表面形成為表面粗糙度Ra3～40 μm之帶弧度之第1凹凸，且該第1凹凸之表面形成為表面粗糙度Ra0.1～2.9 μm之帶弧度之第2凹凸。圖示出第2凹凸覆蓋第1凹凸之整面。
於日本特開2003-137677號公報、日本特開2004-66299號公報中揭示有一種對陶瓷體之表面進行雷射加工而形成凹凸之技術。
於日本專利第5774246號公報、日本專利第5701414號公報中揭示有一種使用連續波雷射以2000 mm/sec以上之照射速度連續照射雷射光而將金屬成形體之表面粗化之發明、金屬成形體與樹脂成形體的複合成形體之製造方法之發明，但並無關於陶瓷之記載。
本發明之一態樣之課題在於：提供一種表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體及其製造方法。
本發明之一實施態樣提供一種表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體，且 上述粗化結構具有凹凸，上述凹凸之厚度方向之截面形狀具有曲面， 上述非磁性陶瓷為氧化物系之非磁性陶瓷。又，本發明之另一實施態樣提供一種表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體之製造方法。
本發明之一實施態樣的表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體可用作製造與其他材料的複合成形體之中間體。因此，本發明之另一態樣亦適於此種複合成形體之製造方法、及複合成形體。
根據本發明之一實施態樣之製造方法，可於不因破裂而分離成2個以上之情況下將原本硬脆之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面粗化。
根據本發明之一實施態樣，表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體係由氧化物系之非磁性陶瓷所構成者。上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體於本發明之較佳之一態樣中為含有氧化鋁、氧化鋯、氧化鎂、氧化矽、氧化鈦、氧化鈰、氧化鋅、氧化錫、氧化鈾、β-氧化鋁、富鋁紅柱石、YAG、鎂橄欖石（2MgO・SiO2 ）、鈦酸鋇（BaTiO3 ）、塊滑石（MgO・SiO2 ）、堇青石（2MgO・2Al2 O3 ・5SiO2 ）、或鈦酸鋯酸鉛等氧化物系陶瓷之成形體，該等中，本發明之另一較佳之一態樣為含有氧化鋁或氧化鋯者。
氧化鋁除僅由氧化鋁所構成者以外，只要為滿足規定之熱衝擊溫度之範圍內，則亦可由氧化鋁、與其他非磁性陶瓷、金屬的複合體所構成。規定之熱衝擊溫度（JIS R1648：2002）於本發明之較佳之一態樣中為150～700℃之範圍，於本發明之另一較佳之一態樣中為180～680℃之範圍，於本發明之又一較佳之一態樣中為200～650℃之範圍。
關於含有氧化鋁之非磁性陶瓷成形體，為了防止於利用雷射光之照射進行之加工時破裂，而於本發明之較佳之一態樣中厚度為0.5 mm以上，於本發明之另一較佳之一態樣中厚度為1.0 mm以上。再者，本發明中之「破裂」意指成形體之一部分破裂而分割成2個以上之情況，不包括「裂紋」。又，「破裂」亦包括以下情況：雖於利用雷射光之照射進行之加工時不破裂，但強度明顯降低，而於其後之移動時及加工時分割成2個以上。
氧化鋯除僅由氧化鋯所構成者以外，只要為滿足規定之熱衝擊溫度之範圍內，則亦可由氧化鋯、與其他非磁性陶瓷、金屬的複合體所構成。規定之熱衝擊溫度（JIS R1648：2002）於本發明之較佳之一態樣中為1～10℃之範圍，於本發明之另一較佳之一態樣中為3～8℃。關於含有氧化鋯之非磁性陶瓷成形體，為了防止於雷射光之照射時產生龜裂、或破裂，而於本發明之較佳之一態樣中厚度為3 mm以上，於本發明之另一較佳之一態樣中厚度為3.5 mm以上。
根據本發明之一實施態樣，表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體係上述粗化結構具有凹凸，上述凹凸之厚度方向之截面形狀具有曲面者。上述凹凸之厚度方向之截面形狀可包含局部圓形或局部橢圓形。局部圓形係半圓形、1/3圓形等包含圓之一部分之形狀。局部橢圓形係半橢圓形、1/3橢圓形等包含橢圓之一部分之形狀。
上述凹凸的表面粗糙度（Ra）於本發明之較佳之一態樣中為1～30 μm之範圍，於本發明之另一較佳之一態樣中為3～25 μm之範圍，於本發明之又一較佳之一態樣中為4～23 μm之範圍。上述凹凸之凸部與凹部之高低差（Rz）於本發明之較佳之一態樣中為10～200 μm之範圍，於本發明之另一較佳之一態樣中為15～180 μm之範圍，於本發明之又一較佳之一態樣中為20～150 μm之範圍。
進而，上述粗化結構部分（凹凸部分）之Sa（算術平均高度）、Sz（最大高度）、Sdr（界面之展開面積比）、Sdq（均方根傾斜）可為以下範圍。Sa（算術平均高度）於本發明之較佳之一態樣中為1～50 μm，於本發明之另一較佳之一態樣中為3～40 μm，於本發明之又一較佳之一態樣中為5～30 μm。
Sz（最大高度）於本發明之較佳之一態樣中為30～280 μm，於本發明之另一較佳之一態樣中為40～250 μm，於本發明之又一較佳之一態樣中為50～230 μm。
Sdr（界面之展開面積比）於本發明之較佳之一態樣中為0.05～2.00，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.1～1.50，於本發明之又一較佳之一態樣中為0.10～1.00。
Sdq（均方根傾斜）於本發明之較佳之一態樣中為0.3～3.0，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.4～2.0，於本發明之又一較佳之一態樣中為0.5～2.0。
上述凹凸之凹部之深度方向之截面形狀可包括表面側的開口部寬度較寬（最大內徑部分）且寬度朝向深度方向（底部方向）逐漸變窄之楔形、如表面側的開口部之寬度較窄且於自開口部至底部為止之間存在最大內徑部分之壺形。最大內徑部分於本發明之較佳之一態樣中為1～500 μm，於本發明之另一較佳之一態樣中為2～300 μm，於本發明之又一較佳之一態樣中為10～100 μm。
根據本發明之一實施態樣，表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體可為於上述凹凸空開間隔呈線狀連續地形成時，上述凹部之平面形狀包括橢圓形或與其類似之形狀者。所謂上述凹凸空開間隔呈線狀連續地形成，係指線狀之凸部與線狀凹部沿固定方向交替地形成之形態。
於上述凹部之平面形狀為類似橢圓形之形狀時，例如包括：長軸側之對向之兩邊為曲線（圓弧）1a，但短軸側之對向之兩邊僅由直線2所構成之形狀（圖1（a）及（b））；長軸側之對向之兩邊為曲線（圓弧）1a，但短軸側之對向之兩邊由直線2與曲線1b所構成之形狀（圖2（a）及（b））；長軸側之對向之兩邊為曲線（圓弧）1a，但短軸側之對向之兩邊之直線2或曲線1b局部地彎曲者（圖3（a）～（d））。
根據本發明之一實施態樣，表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體可為於上述凹凸分散且無規地形成時，上述凹部之平面形狀包含圓形、橢圓形或與其等類似之形狀者。此時之凹部於上述粗化結構之平面形狀中呈島狀分散地形成，凹部以外之部分為凸部。上述凹凸可為凹部以等間隔呈島狀分散地形成，亦可為凹部彼此以不同間隔呈島狀分散地形成。
於上述凹部之平面形狀為類似圓形之形狀時，例如為：具有以圓周之一部分自圓形之中心遠離之方式突出之部分（突出部）5的形狀（圖4（a）及（b））；具有圓周之一部分向圓形之中心方向凹陷之部分（凹陷部）6之形狀（圖4（c）及（d））；及其等混合存在之形狀（圖4（e））。突出部5與凹陷部6亦可分別有複數個部位。
於上述凹部之平面形狀為類似橢圓形之形狀時，例如如圖1～圖3所示，包括長軸側之對向的兩邊為曲線（圓弧）但短軸側之對向的兩邊僅由直線所構成之形狀、由直線與曲線所構成之形狀、短軸側之對向之兩邊之直線或曲線局部地彎曲者。
根據本發明之一實施態樣，非磁性陶瓷成形體除可用作能夠於粗化結構部分保持液體、粉體等之載體等以外，亦可用作用以製造與由其他材料（非磁性陶瓷以外之材料）所構成之成形體的複合成形體的製造中間體。
＜表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的第1製造方法＞ 繼而，對本發明之一實施態樣的表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的第1製造方法進行說明。本發明之一實施態樣之非磁性陶瓷成形體可使用連續波雷射以5,000 mm/sec以上之照射速度對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光而製造。
本發明之一實施態樣之製造方法中所使用之氧化物系之非磁性陶瓷成形體之形狀、大小、厚度等並無特別限制，根據用途選擇並視需要調整。例如作為氧化物系之非磁性陶瓷成形體，除可使用平板、圓桿、方桿（截面為多邊形之桿）、管、杯形者、立方體、長方體、球或局部球（半球等）、橢圓球或局部橢圓球（半橢圓球等）、不定形等之成形體以外，亦可使用既有之非磁性體陶瓷製品。上述既有之氧化物系之非磁性陶瓷製品除僅由氧化物系之非磁性陶瓷所構成者以外，亦可為由氧化物系之非磁性陶瓷與其他材料（金屬、樹脂、橡膠、玻璃、木材等）的複合體所構成者。
根據一實施態樣，於使用連續波雷射以5,000 mm/sec以上之照射速度對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光時，能夠以沿相同方向或不同方向形成由直線、曲線及該等之組合所構成之複數條線之方式連續照射雷射光。
又，根據另一實施態樣，於使用連續波雷射以5,000 mm/sec以上之照射速度對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光時，能夠以沿相同方向或不同方向形成由直線、曲線及該等之組合所構成之複數條線之方式連續照射雷射光，並多次連續照射雷射光而形成1條直線或1條曲線。
進而，根據另一實施態樣，於使用連續波雷射以5,000 mm/sec以上之照射速度對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光時，能夠以沿相同方向或不同方向形成由直線、曲線及該等之組合所構成之複數條線之方式連續照射雷射光，且以上述複數條直線或上述複數條曲線空開等間隔或不同間隔而形成之方式連續照射雷射光。
關於雷射光之照射速度，為了將氧化物系之非磁性陶瓷成形體粗化，可為5,000 mm/sec以上，於本發明之較佳之一態樣中為5,000～20,000 mm/sec，於本發明之另一較佳之一態樣中為5,000～10,000 mm/sec。若雷射光之照射速度未達5,000 mm/sec，則難以於非磁性陶瓷成形體的表面形成粗化結構。
雷射之輸出於本發明之較佳之一態樣中為100～4,000 W，於本發明之另一較佳之一態樣中為200～2,000 W，於本發明之又一較佳之一態樣中為300～1,000 W。可藉由以下方式調整粗化狀態，即，於雷射光之照射速度在上述範圍內較慢時使雷射光之輸出變小，於雷射光之照射速度在上述範圍內較快時使雷射光之輸出變大。例如於雷射光之輸出為100 W時，於本發明之較佳之一態樣中，雷射光之照射速度為5,000～7,500 mm/sec，於雷射光之輸出為500 W時，於本發明之較佳之一態樣中，雷射光之照射速度為7,500～10,000 mm/sec。
雷射光之點徑於本發明之較佳之一態樣中為10～100 μm，於本發明之另一較佳之一態樣中為10～75 μm。
雷射光照射時之能量密度於本發明之較佳之一態樣中為3～1,500 MW/cm2 ，於本發明之另一較佳之一態樣中為5～700 MW/cm2 。雷射光照射時之能量密度係自雷射光之輸出（W）、與雷射光之光點面積（cm2 ）（π・[點徑/2]2 ）根據下式而求出：雷射光之輸出/光點面積。
雷射光照射時之重複次數（通過次數）於本發明之較佳之一態樣中為1～50次，於本發明之另一較佳之一態樣中為3～40次，於本發明之又一較佳之一態樣中為5～30次。雷射光照射時之重複次數係於線狀地照射雷射光時為了形成1條線（槽）而照射之合計次數。
於對1條線重複照射時，可選擇雙向照射與單向照射。雙向照射係以下方法，即，於形成1條線（槽）時，自線（槽）之第1端部向第2端部照射連續波雷射後，自第2端部向第1端部照射連續波雷射，其後，如自第1端部向第2端部、自第2端部向第1端部這般重複照射連續波雷射。單向照射係以下方法，即，重複進行自第1端部向第2端部之單向之連續波雷射照射。於進行雙向照射或單向照射時，粗化結構部分之凹部之平面形狀例如成為如圖1～圖3所示之形狀。
於直線狀地照射雷射光時，鄰接之照射線（鄰接之由照射所形成之槽）之寬度之中間位置彼此的間隔（線間隔或間距間隔）於本發明之較佳之一態樣中為0.03～1.0 mm，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.03～0.2 mm。線間隔可相同，亦可不同。
於照射雷射光時，亦可於空開上述線間隔進行雙向照射或單向照射而形成複數條槽後，進而實施自與上述複數條槽正交或斜交之方向空開上述線間隔進行雙向照射或單向照射之交叉照射。於進行交叉照射時，粗化結構部分之凹部之平面形狀例如成為如圖4所示之形狀。
雷射光之波長於本發明之較佳之一態樣中為300～1200 nm，於本發明之另一較佳之一態樣中為500～1200 nm。照射雷射光時之焦點偏移距離於本發明之較佳之一態樣中為-5～+5 mm，於本發明之另一較佳之一態樣中為-1～+1 mm，於本發明之又一較佳之一態樣中為-0.5～+0.1 mm。焦點偏移距離可將設定值設為固定而進行雷射照射，亦可使焦點偏移距離變化並同時進行雷射照射。例如於雷射照射時，亦可使焦點偏移距離逐漸變小或者週期性地變大或變小。
連續波雷射可使用公知者，例如可使用：YVO4 雷射、光纖雷射（較佳為單模光纖雷射）、準分子雷射、二氧化碳氣體雷射、紫外線雷射、YAG雷射、半導體雷射、玻璃雷射、紅寶石雷射、He-Ne雷射、氮氣雷射、螯合物雷射、染料雷射。該等中，就可提高能量密度之方面而言，較佳為光纖雷射，尤佳為單模光纖雷射。
＜表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的第2製造方法＞ 本發明之一實施態樣的表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的第2製造方法係與上述第1製造方法除雷射光的照射形態不同以外其餘均相同之方法。
第2製造方法具有以下步驟，即，於與第1製造方法同樣地使用連續波雷射以5,000 mm/sec以上之照射速度對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光的步驟中，於對成為粗化對象之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光時，以交替地產生雷射光之照射部分與非照射部分之方式進行照射。
第2製造方法係於以成為直線、曲線或直線與曲線之組合之方式照射雷射光時，以交替地產生雷射光之照射部分與非照射部分之方式進行照射。所謂以交替地產生雷射光之照射部分與非照射部分之方式進行照射，包括如圖5所示般進行照射之實施形態。圖5表示以交替地產生長度L1的雷射光之照射部分11與處於鄰接之長度L1的雷射光之照射部分11之間的長度L2的雷射光之非照射部分12，而整體形成為虛線狀之方式進行照射之狀態。上述虛線亦包含單點鏈線、二點鏈線等鏈線。
於進行多次照射時，可使雷射光之照射部分相同，亦可藉由使雷射光之照射部分不同（錯開雷射光之照射部分）而將氧化物系之非磁性陶瓷成形體整體粗化。於使雷射光之照射部分相同而進行多次照射時，呈虛線狀照射，但若重複地錯開雷射光之照射部分，即以雷射光之照射部分重疊於最初為雷射光之非照射部分之部分的方式錯開而照射，則即便於呈虛線狀照射之情形時，最終亦照射成實線狀態。重複次數可設為1～20次。
若對氧化物系之非磁性陶瓷成形體連續地照射雷射光，則亦有於厚度較小之成形體產生破裂等變形之虞。然而，若如圖5所示般呈虛線狀進行雷射照射，則交替地產生雷射光之照射部分11與雷射光之非照射部分12，因此於繼續照射雷射光之情形時，於厚度較小之成形體亦難以產生破裂等變形。此時，於如上所述般使雷射光之照射部分不同（錯開雷射光之照射部分）之情形時，亦獲得相同之效果。
雷射光之照射方法例如可使用對金屬成形體20之表面如圖6（a）所示般向單向照射之方法、或如圖6（b）所示之虛線般自雙向進行照射之方法。此外，亦可為以雷射光之虛線照射部分交叉之方式進行照射之方法。照射後之各虛線的間隔b1可根據金屬成形體之照射對象面積等進行調整，但可設為與第1製造方法之線間隔相同之範圍。
圖5所示的雷射光之照射部分11的長度（L1）與雷射光之非照射部分12的長度（L2）能夠以成為L1/L2＝1/9～9/1之範圍之方式進行調整。關於雷射光之照射部分11的長度（L1），為了粗化成複雜之多孔結構，於本發明之較佳之一態樣中為0.05 mm以上，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.1～10 mm，於本發明之又一較佳之一態樣中為0.3～7 mm。
於本發明的第2製造方法之一個例示性實施形態中，上述雷射光之照射步驟係使用將直接轉換雷射之驅動電流的直接調變方式之調變裝置連接於雷射電源而成之光纖雷射裝置，調整工作比（duty ratio）而進行雷射照射。
雷射之激發有脈衝激發與連續激發兩種，藉由脈衝激發所獲得之脈衝波雷射一般稱為常規脈衝。即便為連續激發亦可產生脈衝波雷射，可藉由以下方式來產生脈衝波雷射：使脈衝寬度（脈衝ON時間）較常規脈衝短而相應地峰值功率較高之雷射振盪之Q開關脈衝振盪方法、藉由利用AOM或LN光強度調變機在時間上截斷光來產生脈衝波雷射之外部調變方式、機械性地進行斬波而脈衝化之方法、操作檢流計鏡而脈衝化之方法、直接調變雷射之驅動電流而產生脈衝波雷射之直接調變方式。操作檢流計鏡而脈衝化之方法係藉由檢流計鏡與檢流計控制器之組合，經由檢流計鏡照射自雷射振盪機振盪的雷射光之方法，具體而言，可如下所述般進行實施。
自檢流計控制器週期性地將Gate信號進行ON/OFF輸出，利用該ON/OFF信號將經雷射振盪機振盪的雷射光進行ON/OFF，藉此可不使雷射光之能量密度變化而進行脈衝化。藉此，可藉由以下方式照射雷射光，即，如圖5所示般交替地產生雷射光之照射部分11與處於鄰接的雷射光之照射部分11之間的雷射光之非照射部分12，而整體形成為虛線狀。操作檢流計鏡而脈衝化之方法可不改變雷射光之振盪狀態本身而調整工作比，因此操作簡單。
該等方法中，就為不變更連續波雷射之能量密度而可容易地進行脈衝化（以交替地產生照射部分與非照射部分之方式進行照射）之方法而言，可使用機械性地進行斬波而脈衝化之方法、操作檢流計鏡而脈衝化之方法、直接調變雷射之驅動電流而產生脈衝波雷射之直接調變方式。於如上所述之例示性實施形態中，可藉由使用將直接轉換雷射之驅動電流的直接調變方式之調變裝置連接於雷射電源而成之光纖雷射裝置，來連續激發雷射而產生脈衝波雷射。
工作比係自雷射光之輸出之ON時間與OFF時間根據下式而求出之比。 工作比（%）＝ON時間/（ON時間＋OFF時間）×100 工作比係與圖5所示之L1與L2（即L1/[L1＋L2]）對應者，因此例如可自10～90%之範圍選擇。藉由調整工作比而照射雷射光，能夠以如圖5所示之虛線狀進行照射。
＜表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的第3製造方法＞ 本發明之一實施態樣的第3製造方法係與第1製造方法及第2製造方法不同之使用脈衝波雷射之方法。
於照射上述脈衝波雷射光時，藉由調整下述要件（i）～（v），可於表面形成粗化結構。關於照射脈衝波雷射光之方法，除通常之照射脈衝波雷射光之方法以外，例如可與日本專利第5848104號公報、日本專利第5788836號公報、日本專利第5798534號公報、日本專利第5798535號公報、日本特開2016-203643號公報、日本專利第5889775號公報、日本專利第5932700號、或日本專利第6055529號公報中所記載之脈衝波雷射光之照射方法同樣地實施。
＜要件（i）對氧化物系之非磁性陶瓷成形體照射雷射光時之照射角度＞ 對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光之角度於本發明之較佳之一態樣中為15度～90度之角度，於本發明之另一較佳之一態樣中為45～90度之角度。
＜要件（ii）對氧化物系之非磁性陶瓷成形體照射雷射光時之照射速度＞ 雷射光之照射速度於本發明之較佳之一態樣中為10～1,000 mm/sec，於本發明之另一較佳之一態樣中為10～500 mm/sec，於本發明之另一較佳之一態樣中為10～100 mm/sec，於本發明之又一較佳之一態樣中為10～80 mm/sec。
＜（iii）對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體照射雷射光時之能量密度＞ 雷射光之照射時之能量密度係自雷射光之1脈衝之能量輸出（W）與雷射光之光點面積（cm2 ）（π・[點徑/2]2 ）求出。雷射光之照射時之能量密度於本發明之較佳之一態樣中為0.1～50 GW/cm2 ，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.1～20 GW/cm2 ，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.5～10 GW/cm2 ，於本發明之又一較佳之一態樣中為0.5～5 GW/cm2 。能量密度變得越大，孔變得越深且越大。
雷射光之1脈衝之能量輸出（W）係自下式求出。 雷射光之1脈衝之能量輸出（W）＝（雷射光之平均輸出/頻率）/脈衝寬度 雷射光之平均輸出於本發明之較佳之一態樣中為4～400 W，於本發明之另一較佳之一態樣中為5～100 W，於本發明之又一較佳之一態樣中為10～100 W。若其他雷射光之照射條件相同，則輸出越大，孔變得越深且越大；輸出越小，孔變得越淺且越小。頻率（KHz）於本發明之較佳之一態樣中為0.001～1000 kHz，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.01～500 kHz，於本發明之又一較佳之一態樣中為0.1～100 kHz。脈衝寬度（nsec）於本發明之較佳之一態樣中為1～10,000 nsec，於本發明之另一較佳之一態樣中為1～1,000 nsec，於本發明之又一較佳之一態樣中為1～100 nsec。
雷射光之點徑（μm）於本發明之較佳之一態樣中為1～300 μm，於本發明之另一較佳之一態樣中為10～300 μm，於本發明之又一較佳之一態樣中為20～150 μm，於本發明之又一較佳之一態樣中為20～80 μm。
＜（iv）照射雷射光時之重複次數＞ 重複次數（用以形成一個孔之合計的雷射光之照射次數）於本發明之較佳之一態樣中為1～80次，於本發明之另一較佳之一態樣中為3～50次，於本發明之另一較佳之一態樣中為5～30次。若為相同之雷射照射條件，則重複次數越多，孔變得越深且越大；重複次數越少，孔變得越淺且越小。
＜（v）對氧化物系之非磁性陶瓷成形體照射雷射光時之線間隔＞ 於對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體線狀地照射雷射光時，藉由使鄰接之線彼此的間隔變寬、或變窄，可調整孔之大小、孔之形狀、孔之深度。再者，脈衝波雷射光係照射點並將複數個上述點相連而形成線者。
線間隔於本發明之較佳之一態樣中為0.01～1 mm之範圍，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.01～0.5 mm之範圍，於本發明之另一較佳之一態樣中為0.03～0.3 mm，於本發明之又一較佳之一態樣中為0.05～0.1 mm。若線間隔較窄，則對鄰接之線亦造成熱影響，因此處於孔變大、孔之形狀變得複雜、孔之深度變深之傾向，但亦存在若熱影響變得過大則難以形成複雜且較深之形狀之孔之情況。若線間隔較寬，則處於孔變小、孔之形狀不會變得複雜、孔不會變得太深之傾向，但可提高處理速度。
作為其他照射條件，可亦包括以下照射形態，即，於對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體照射雷射光時，自上述成形體進行散熱並同時進行照射。例如可列舉：於使氧化物系之非磁性陶瓷成形體與熱導率大於上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體之金屬成形體接觸的狀態下照射雷射光之方法；於將上述成形體保持中空之狀態下照射雷射光之方法。此外，脈衝波雷射光之波長可為500～11,000 nm。
對將本發明之一實施態樣的表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體用作製造中間體時的複合成形體之製造方法的若干示例進行說明，該製造中間體用以製造與由其他材料（非磁性陶瓷以外之材料）所構成之成形體的複合成形體。該等複合成形體之製造方法及所製造的複合成形體亦包含於本發明之範圍內。
（1）具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與樹脂成形體的複合成形體之製造方法 於第1步驟中，藉由上述第1製造方法、第2製造方法或第3製造方法製造表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體。
於第2步驟中，將第1步驟中所獲得的表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化結構之部分配置於模具內，將成為上述樹脂成形體之樹脂進行射出成形；或於第2步驟中，將在第1步驟中經雷射光照射之非磁性陶瓷成形體之包含粗化結構之部分配置於模具內，於至少使上述包含粗化結構之部分與成為上述樹脂成形體之樹脂接觸之狀態下進行壓縮成形。
作為第2步驟中所使用之樹脂，除熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂以外，亦包含熱塑性彈性體。熱塑性樹脂可根據用途自公知之熱塑性樹脂中適當選擇。例如可列舉：聚醯胺系樹脂（PA6、PA66等脂肪族聚醯胺、芳香族聚醯胺）、聚苯乙烯、ABS樹脂、AS樹脂等含有苯乙烯單位之共聚物、聚乙烯、含有乙烯單位之共聚物、聚丙烯、含有丙烯單位之共聚物、其他之聚烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚碳酸酯系樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚縮醛系樹脂、及聚苯硫醚系樹脂。
熱硬化性樹脂可根據用途自公知之熱硬化性樹脂中適當選擇。例如可列舉：尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、酚樹脂、間苯二酚樹脂、環氧樹脂、聚胺酯（polyurethane）、及乙烯基胺酯。於使用熱硬化性樹脂時，使用預聚物形態者，可於後續步驟中進行加熱硬化處理。
熱塑性彈性體可根據用途自公知之熱塑性彈性體中適當選擇。例如可列舉：苯乙烯系彈性體、氯乙烯系彈性體、烯烴系彈性體、胺酯系彈性體、聚酯系彈性體、腈系彈性體、及聚醯胺系彈性體。
於該等熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及熱塑性彈性體中，可摻合公知之纖維狀填充材。作為公知之纖維狀填充材，可列舉：碳纖維、無機纖維、金屬纖維、有機纖維等。
碳纖維為公知者，可使用PAN系、瀝青系、嫘縈系、木質素系等。作為無機纖維，可列舉：玻璃纖維、玄武岩纖維、二氧化矽纖維、矽鋁纖維、氧化鋯纖維、氮化硼纖維、氮化矽纖維等。作為金屬纖維，可列舉：由不鏽鋼、鋁、銅等所構成之纖維。 作為有機纖維，可使用聚醯胺纖維（全芳香族聚醯胺纖維、二胺與二羧酸中任一者為芳香族化合物之半芳香族聚醯胺纖維、脂肪族聚醯胺纖維）、聚乙烯醇纖維、丙烯酸纖維、聚烯烴纖維、聚甲醛纖維、聚四氟乙烯纖維、聚酯纖維（包含全芳香族聚酯纖維）、聚苯硫醚纖維、聚醯亞胺纖維、液晶聚酯纖維等合成纖維或天然纖維（纖維素系纖維等）或再生纖維素（嫘縈）纖維等。
該等纖維狀填充材可使用纖維直徑為3～60 μm之範圍者，但該等中，例如可使用纖維直徑小於金屬成形體10的接合面12經粗化而形成之開放孔30等之開口直徑者。纖維直徑於本發明之較佳之一態樣中為5～30 μm，於本發明之另一較佳之一態樣中為7～20 μm。纖維狀填充材相對於熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、或熱塑性彈性體100質量份之摻合量於本發明之較佳之一態樣中為5～250質量份。於本發明之另一較佳之一態樣中為25～200質量份，於本發明之又一較佳之一態樣中為45～150質量份。
（2-1）具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與橡膠成形體的複合成形體之製造方法 於第1步驟中，藉由第1製造方法、第2製造方法或第3製造方法製造表面具有粗化結構之非磁性陶瓷成形體。於第2步驟中，應用加壓成形或轉移成形等公知之成形方法使第1步驟中所獲得之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與橡膠成形體一體化。
於應用加壓成形法時，例如將氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化結構之部分配置於模具內，針對上述包含粗化結構之部分，於已加熱及加壓之狀態下對成為上述橡膠成形體之未硬化橡膠進行加壓後，進行冷卻後取出。於應用轉移成形法時，例如將氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化結構之部分配置於模具內，將未硬化橡膠射出成形至模具內，其後，進行加熱及加壓，而使氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化結構之部分與橡膠成形體一體化，進行冷卻後取出。
再者，根據所使用之橡膠之種類，為了主要去除殘留單體，可於自模具取出後附加利用烘箱等進而進行二次加熱（二次硬化）之步驟。
該步驟中所使用之橡膠成形體之橡膠並無特別限制，可使用公知之橡膠，但不包含熱塑性彈性體。作為公知之橡膠，可使用：乙烯-丙烯共聚物（EPM）、乙烯-丙烯-二烯三元共聚物（EPDM）、乙烯-辛烯共聚物（EOM）、乙烯-丁烯共聚物（EBM）、乙烯-辛烯三元共聚物（EODM）、乙烯-丁烯三元共聚物（EBDM）等乙烯-α-烯烴橡膠；乙烯/丙烯酸橡膠（EAM）、聚氯丁二烯橡膠（CR）、丙烯腈-丁二烯橡膠（NBR）、氫化NBR（HNBR）、苯乙烯-丁二烯橡膠（SBR）、烷基化氯磺化聚乙烯（ACSM）、環氧氯丙烷（ECO）、聚丁二烯橡膠（BR）、天然橡膠（包含合成聚異戊二烯）（NR）、氯化聚乙烯（CPE）、溴化聚甲基苯乙烯-丁烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯及苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚物、丙烯酸系橡膠（ACM）、乙烯-乙酸乙烯酯彈性體（EVM）、及聚矽氧橡膠等。
於橡膠中，可視需要含有與橡膠之種類對應之硬化劑，但此外，可摻合公知之各種橡膠用添加劑。作為橡膠用添加劑，可使用：硬化促進劑、抗老化劑、矽烷偶合劑、補強劑、阻燃劑、抗臭氧化劑、填充劑、加工處理油、塑化劑、黏著賦予劑、及加工助劑等。
（2-2）具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與橡膠成形體的複合成形體（包含接著劑層）之製造方法 根據一實施態樣，氧化物系之非磁性陶瓷成形體與橡膠成形體的複合成形體之製造方法可使接著劑層介存於氧化物系之非磁性陶瓷成形體與橡膠成形體的接合面。
於第1步驟中，與上述方法同樣地使用連續波雷射或脈衝波雷射並藉由第1、第2或第3製造方法將氧化物系之非磁性陶瓷成形體粗化。於第2步驟中，於氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化結構面塗佈接著劑（接著劑溶液）而形成接著劑層。此時，亦可壓入接著劑。藉由塗佈接著劑，可使接著劑存在於非磁性陶瓷之粗化結構面與內部之孔中。
接著劑並無特別限制，可使用公知之熱塑性接著劑、熱硬化性接著劑、橡膠系接著劑等。作為熱塑性接著劑之例，可列舉：聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚乙烯甲醛、聚乙烯丁醛、丙烯酸系接著劑、聚乙烯、氯化聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離子聚合物、氯化聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、塑料溶膠、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯醚、聚乙烯吡咯啶酮、聚醯胺、尼龍、飽和無定形聚酯、及纖維素衍生物。
作為熱硬化性接著劑之例，可列舉：尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、酚樹脂、間苯二酚樹脂、環氧樹脂、聚胺酯、及乙烯基胺酯。作為橡膠系接著劑之例，可列舉：天然橡膠、合成聚異戊二烯、聚氯丁二烯、腈橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯-乙烯基吡啶三元共聚物、聚異丁烯-丁基橡膠、多硫化物橡膠、聚矽氧RTV、氯化橡膠、溴化橡膠、牛皮橡膠、嵌段共聚物、及液狀橡膠。
該製造方法之例係於第3步驟中實施以下步驟：對已在上一步驟中形成接著劑層的氧化物系之非磁性陶瓷成形體之面接著另外成形的橡膠成形體之步驟；或將含有已在上一步驟中形成接著劑層的氧化物系之非磁性陶瓷成形體之面的部分配置於模具內，於使氧化物系之非磁性陶瓷成形體之面與成為橡膠成形體之未硬化橡膠接觸的狀態下進行加熱及加壓而使之一體化。於該步驟之情形時，為了主要去除殘留單體，可於自模具取出後，附加利用烘箱等進而進行二次加熱（二次硬化）之步驟。
（3-1）具有粗化結構之氧化物系之陶瓷成形體與金屬成形體的複合成形體之製造方法 於第1步驟中，藉由第1製造方法、第2製造方法或第3製造方法製造具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體。於第2步驟中，於模具內以已粗化的氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含多孔結構部之面朝上的方式配置。其後，例如應用公知之壓鑄法，將熔融狀態之金屬流入至模具內後進行冷卻。
所使用之金屬只要為熔點低於構成氧化物系之非磁性陶瓷成形體的氧化物系之非磁性陶瓷之熔點者，便無限制。例如可選擇鐵、鋁、鋁合金、金、銀、鉑、銅、鎂、鈦或其等之合金、不鏽鋼等與複合成形體之用途對應之金屬。
（3-2）具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與金屬成形體的複合成形體（有接著劑層）之製造方法 第1步驟與第2步驟係與上述「（2-2）具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與橡膠成形體的複合成形體（包含接著劑層）之製造方法」同樣地實施，而製造具有接著劑層的氧化物系之非磁性陶瓷成形體。
於第3步驟中，將金屬成形體壓抵於具有接著劑層的氧化物系之非磁性陶瓷成形體之接著劑層而接著並一體化。於接著劑層由熱塑性樹脂系接著劑所構成時，可於視需要進行加熱而使接著劑層變軟之狀態下與非金屬成形體之接著面接著。又，於接著劑層由熱硬化性樹脂系接著劑之預聚物所構成時，於接著後放置於加熱環境而將預聚物加熱硬化。
（4）具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與UV硬化性樹脂成形體的複合成形體之製造方法 於第1步驟中，藉由上述第1製造方法、第2製造方法或第3製造方法製造表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體。
於下一步驟中，使形成UV硬化性樹脂層之單體、低聚物或其等的混合物與氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化部分在內的部分接觸（單體、低聚物或其等的混合物之接觸步驟）。作為單體、低聚物或其等的混合物之接觸步驟，可實施將單體、低聚物或其等的混合物塗佈於氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化部分在內的部分之步驟。塗佈單體、低聚物或其等的混合物之步驟係可將刷塗、使用刮刀之塗佈、滾筒塗佈、流延、灌注等單獨使用，或組合使用。
單體、低聚物或其等的混合物之接觸步驟可實施以下步驟：利用模框包圍氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化部分在內的部分，向上述模框內注入單體、低聚物或其等的混合物。又，單體、低聚物或其等的混合物之接觸步驟可實施以下步驟：於使氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化部分朝上之狀態下放入至模具內部後，向上述模具內部注入單體、低聚物或其等的混合物。
藉由該單體、低聚物或其等的混合物之接觸步驟，單體、低聚物或其等的混合物進入至氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化部分之多孔中。單體、低聚物或其等的混合物進入至多孔中之形態例如包括單體、低聚物或其等的混合物於本發明之較佳之一態樣中進入至所有孔之50%以上、於本發明之另一較佳之一態樣中進入至70%以上、於本發明之又一較佳之一態樣中進入至80%以上、於本發明之又一較佳之一態樣中進入至90%以上之孔之形態，此外，亦包括混合存在單體、低聚物或其等的混合物進入至孔之底部之形態，單體、低聚物或其等的混合物進入至孔深度之中途深度之形態，單體、低聚物或其等的混合物僅進入至孔之入口附近之形態的形態。
單體、低聚物或其等的混合物於在常溫為液體（亦包括低黏度之凝膠）或溶解於溶劑之溶液形態時，可直接塗佈或注入，於為固體（粉末）時，可於加熱熔融、或溶解於溶劑後進行塗佈或注入。
單體、低聚物或其等的混合物之接觸步驟中所使用之單體、低聚物或其等的混合物可選自自由基聚合性單體及自由基聚合性單體之低聚物，或者選自陽離子聚合性單體及上述單體之陽離子聚合性單體低聚物、或選自其等中之兩種以上的混合物。
（自由基聚合性單體） 作為自由基聚合性化合物，可列舉一個分子內具有1個以上(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯氧基、(甲基)丙烯醯胺基、乙烯醚基、乙烯基芳基、及乙烯氧基羰基等自由基聚合性基之化合物等。
作為一個分子內具有1個以上(甲基)丙烯醯基之化合物，可列舉：1-丁烯-3-酮、1-戊烯-3-酮、1-己烯-3-酮、4-苯基-1-丁烯-3-酮、5-苯基-1-戊烯-3-酮等、及該等之衍生物等。
作為一個分子內具有1個以上(甲基)丙烯醯氧基之化合物，可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸三級丁酯、(甲基)丙烯酸正己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸正月桂酯、(甲基)丙烯酸正硬脂酯、(甲基)丙烯酸正丁氧基乙酯、丁氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙胺基乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、鄰苯二甲酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、酸式磷酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、癸烷二(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羥基-3-(甲基)丙烯醯氧基丙酯、二羥甲基三環癸烷二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸三氟乙酯、(甲基)丙烯酸全氟辛基乙酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸異十四酯、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、異氰酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、異氰酸1,1-雙(丙烯醯氧基)乙酯、異氰酸2-(2-(甲基)丙烯醯氧基乙氧基)乙酯、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等、及該等之衍生物等。
作為一個分子內具有1個以上(甲基)丙烯醯胺基之化合物，可列舉：4-(甲基)丙烯醯嗎福林、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-丙基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-正丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-己基(甲基)丙烯醯胺、N-辛基(甲基)丙烯醯胺等、及該等之衍生物等。
作為一個分子內具有1個以上乙烯醚基之化合物，例如可列舉：3,3-雙(乙烯氧基甲基)氧環丁烷、2-羥基乙基乙烯醚、3-羥基丙基乙烯醚、2-羥基丙基乙烯醚、2-羥基異丙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、3-羥基丁基乙烯醚、2-羥基丁基乙烯醚、3-羥基異丁基乙烯醚、2-羥基異丁基乙烯醚、1-甲基-3-羥基丙基乙烯醚、1-甲基-2-羥基丙基乙烯醚、1-羥基甲基丙基乙烯醚、4-羥基環己基乙烯醚、1,6-己二醇單乙烯醚、1,4-環己烷二甲醇單乙烯醚、1,3-環己烷二甲醇單乙烯醚、1,2-環己烷二甲醇單乙烯醚、對二甲苯二醇單乙烯醚、間二甲苯二醇單乙烯醚、鄰二甲苯二醇單乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚、三乙二醇單乙烯醚、四乙二醇單乙烯醚、五乙二醇單乙烯醚、低聚乙二醇單乙烯醚、聚乙二醇單乙烯醚、二丙二醇單乙烯醚、三丙二醇單乙烯醚、四丙二醇單乙烯醚、五丙二醇單乙烯醚、低聚丙二醇單乙烯醚、聚丙二醇單乙烯醚等、及該等之衍生物等。
作為一個分子內具有1個以上乙烯基芳基之化合物，可列舉：苯乙烯、二乙烯苯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、羥基苯乙烯、乙烯基萘、乙烯基蒽、乙酸4-乙烯基苯酯、(4-乙烯基苯基)二羥基硼烷、N-(4-乙烯基苯基)順丁烯二醯亞胺等、及該等之衍生物等。
作為一個分子內具有1個以上乙烯氧基羰基之化合物，可列舉：甲酸異丙烯酯、乙酸異丙烯酯、丙酸異丙烯酯、丁酸異丙烯酯、異丁酸異丙烯酯、己酸異丙烯酯、戊酸異丙烯酯、異戊酸異丙烯酯、乳酸異丙烯酯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、己酸乙烯酯、辛酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯、肉豆蔻酸乙烯酯、棕櫚酸乙烯酯、硬脂酸乙烯酯、環己烷羧酸乙烯酯、三甲基乙酸乙烯酯、辛酸乙烯酯、單氯乙酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯、丙烯酸乙烯酯、甲基丙烯酸乙烯酯、丁烯酸乙烯酯、山梨酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、肉桂酸乙烯酯等、及該等之衍生物等。
（陽離子聚合性單體） 作為陽離子聚合性單體，可列舉一個分子內具有1個以上環氧環（環氧乙烷基）（oxyranyl）、乙烯醚基、乙烯基芳基等氧環丁基等以外之陽離子聚合性基之化合物等。
作為一個分子內具有一個以上環氧環之化合物，可列舉：縮水甘油基甲醚、雙酚A二縮水甘油醚、雙酚F二縮水甘油醚、雙酚S二縮水甘油醚、溴化雙酚A二縮水甘油醚、溴化雙酚F二縮水甘油醚、溴化雙酚S二縮水甘油醚、環氧酚醛清漆樹脂、氫化雙酚A二縮水甘油醚、氫化雙酚F二縮水甘油醚、氫化雙酚S二縮水甘油醚、(3,4-環氧基)環己烷羧酸3,4-環氧環己基甲酯、2-(3,4-環氧環己基-5,5-螺-3,4-環氧基)環己烷-甲基-二烷、己二酸雙(3,4-環氧環己基甲基)酯、己二酸雙(3,4-環氧基-6-甲基環己基甲基)酯、3',4'-環氧基-6'-甲基環己烷羧酸3,4-環氧基-6-甲基環己酯、亞甲基雙(3,4-環氧環己烷)、二環戊二烯二環氧化物、乙二醇之二(3,4-環氧環己基甲基)醚、伸乙基雙(3,4-環氧環己烷羧酸酯)、環氧六氫鄰苯二甲酸二辛酯、環氧六氫鄰苯二甲酸二-2-乙基己酯、1,4-丁二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚類；藉由對乙二醇、丙二醇、甘油等脂肪族多元醇加成一種或兩種以上之環氧烷（alkylene oxide）而獲得之聚醚多元醇之聚縮水甘油醚類；脂肪族長鏈二元酸之二縮水甘油酯類；脂肪族高級醇之單縮水甘油醚類；苯酚、甲酚、丁基苯酚或對該等加成環氧烷而獲得之聚醚醇之單縮水甘油醚類；及高級脂肪酸之縮水甘油酯類等。
作為一個分子內具有1個以上乙烯醚基之化合物、一個分子內具有1個以上乙烯基芳基之化合物，可列舉與作為自由基聚合性化合物而例示之化合物相同之化合物。
作為一個分子內具有一個以上氧環丁基之化合物，可列舉：1,3-環氧丙烷、3,3-雙(乙烯氧基甲基)氧環丁烷、3-乙基-3-羥基甲基氧環丁烷、3-乙基-3-(2-乙基己氧基甲基)氧環丁烷、3-乙基-3-(羥甲基)氧環丁烷、3-乙基-3-[(苯氧基)甲基]氧環丁烷、3-乙基-3-(己氧基甲基)氧環丁烷、3-乙基-3-(氯甲基)氧環丁烷、3,3-雙(氯甲基)氧環丁烷、1,4-雙[(3-乙基-3-氧環丁基甲氧基)甲基]苯、雙{[1-乙基(3-氧環丁基)]甲基}醚、4,4'-雙[(3-乙基-3-氧環丁基)甲氧基甲基]聯環己烷、1,4-雙[(3-乙基-3-氧環丁基)甲氧基甲基]環己烷、及3-乙基-3{[(3-乙基氧環丁-3-基)甲氧基]甲基}氧環丁烷等。
自由基聚合性單體與陽離子聚合性單體之低聚物可列舉單官能或多官能(甲基)丙烯酸系低聚物。可使用一種或組合兩種以上使用。作為單官能或多官能(甲基)丙烯酸系低聚物，可列舉：(甲基)丙烯酸胺酯低聚物、環氧(甲基)丙烯酸酯低聚物、聚醚(甲基)丙烯酸酯低聚物、及聚酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
作為(甲基)丙烯酸胺酯低聚物，可列舉：聚碳酸酯系(甲基)丙烯酸胺酯、聚酯系(甲基)丙烯酸胺酯、聚醚系(甲基)丙烯酸胺酯、及己內酯系(甲基)丙烯酸胺酯等。(甲基)丙烯酸胺酯低聚物可藉由使多元醇與二異氰酸酯反應而獲得之異氰酸酯化合物，與具有羥基之(甲基)丙烯酸酯單體之反應來獲得。作為上述多元醇，可列舉：聚碳酸酯二醇、聚酯多元醇、聚醚多元醇、及聚己內酯多元醇。
環氧(甲基)丙烯酸酯低聚物例如係藉由低分子量之雙酚型環氧樹脂或酚醛清漆環氧樹脂之環氧乙烷環與丙烯酸之酯化反應來獲得。聚醚(甲基)丙烯酸酯低聚物係藉由以下方式獲得，即，藉由多元醇之脫水縮合反應而獲得兩末端具有羥基之聚醚低聚物，繼而，利用丙烯酸將該兩末端之羥基進行酯化。聚酯(甲基)丙烯酸酯低聚物例如係藉由以下方式獲得，即，藉由多羧酸與多元醇之縮合獲得兩末端具有羥基之聚酯低聚物，繼而，利用丙烯酸將該兩末端之羥基進行酯化。
單官能或多官能(甲基)丙烯酸系低聚物之重量平均分子量於本發明之較佳之一態樣中為100,000以下，於本發明之另一較佳之一態樣中為500～50,000。
於使用上述單體、低聚物或其等的混合物時，可相對於上述單體、低聚物或其等的混合物100質量份使用0.01～10質量份之光聚合起始劑。
於下一步驟中，對與氧化物系之非磁性陶瓷成形體之包含粗化部分之部分接觸之單體、低聚物或其等的混合物照射UV而使其硬化，可獲得具有硬化性樹脂層的複合成形體。
（5）具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體彼此的複合成形體、或具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體與不同種類之非磁性陶瓷成形體的複合成形體之製造方法 具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體彼此的複合成形體例如可藉由以下方式製造：使用複數個不同形狀之具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體，經由形成於其等的接合面之接著劑層而接合一體化。上述接著劑層可進行將接著劑塗佈於氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化結構部分等而形成。作為接著劑，可使用與上述其他複合成形體之製造中所使用之接著劑相同者。
進而，對於由氧化物系之非磁性陶瓷成形體與不同種類之非磁性陶瓷成形體所構成的複合成形體，亦可同樣地製造。
於該實施形態中，除於氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化結構部分形成接著劑層，使之與不同種類之非磁性陶瓷成形體接合一體化之方法以外，可使不同種類之非磁性陶瓷成形體的表面亦成為粗化結構並形成接著劑層，其後，使氧化物系之非磁性陶瓷成形體之具有接著劑層的面與不同種類之非磁性陶瓷成形體之具有接著劑層的面接合一體化而製造複合成形體。
不同種類之非磁性陶瓷為碳化物系、氮化物系、硼化物系、及矽化物系等。作為將不同種類之非磁性陶瓷成形體的表面粗化之方法，雖方法或條件根據非磁性陶瓷之種類而不同，但例如可應用與本案發明同樣地照射雷射光之方法、或藉由銼削加工、噴擊加工、蝕刻加工等進行粗化之方法。
各實施形態中之各構成及其等之組合等為一例，可於不脫離本發明之主旨之範圍內適當進行構成之附加、省略、取代及其他變更。本發明並不受實施形態限定，僅受申請專利範圍限定。 [實施例]
＜熱衝擊溫度（JIS R1648：2002）＞ 熱衝擊溫度係將經加熱之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的試片（4×35×厚度3 mm）浸漬於30℃之水中時被破壞之溫度。於被急遽冷卻時在內部及表面產生溫度差，於因該溫度差而產生之內部應力超出試片之強度時被破壞。
Ra（算術平均粗糙度）：於氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化結構部分的面劃11根1.5 mm長度之線，藉由單觸發3D形狀測定機（基恩士製造）測定其等之Ra。
Rz（最大高度）：於氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化結構部分的面劃11根1.5 mm長度之線，藉由單觸發3D形狀測定機（基恩士製造）測定其等之Rz。
Sa（算術平均高度）：藉由單觸發3D形狀測定機（基恩士製造）測定氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化結構部分的面之9×1.8 mm範圍之Sa。
Sz（最大高度）：藉由單觸發3D形狀測定機（基恩士製造）測定氧化物系之非磁性陶瓷成形體之粗化結構部分的面之9×1.8 mm範圍之Sz。
Sdr（界面之展開面積比）：表示定義區域之展開面積（表面積）相對於定義區域之面積增大了多少，完全平坦之面之Sdr成為0。藉由單觸發3D形狀測定機（基恩士製造）測定Sdr。
Sdq（均方根傾斜）：係藉由定義區域之所有點中之傾斜之均方根算出之參數，完全平坦之面之Sdq成為0。若表面有傾斜則Sdq變大，例如由45°之傾斜分量所形成之平面之Sdq成為1。藉由單觸發3D形狀測定機（基恩士製造）而測定。
實施例1～7、比較例1～2 針對表1所示之種類之非磁性陶瓷成形體（10×50×厚度2 mm之平板）之表面，使用下述連續波雷射裝置以表1所示之條件連續照射雷射光而進行粗化。表1中，氧化鋁92表示純度92%，氧化鋁99表示純度99.5%。 （雷射裝置） 振盪器：IPG-Yb fiber；YLR-300-SM 檢流計鏡 SQUIREEL（ARGES公司製造） 聚光系統：fc＝80 mm/fθ＝100 mm
再者，交叉照射與雙向照射實施如下。 交叉（交叉照射）：以空開0.05 mm的間隔形成10條槽（第1群之槽）之方式照射連續波雷射光後，在與第1群之槽正交之方向以空開0.05 mm的間隔形成10條槽（第2群之槽）之方式照射連續波雷射光。
雙向照射：重複進行以下操作，即，以沿單向形成1條槽之方式呈直線狀照射連續波雷射光後，空開0.05 mm的間隔沿相反方向同樣地呈直線狀照射連續波雷射光。
交叉照射與雙向照射之0.05 mm的間隔係鄰接之槽（線）彼此之寬度的中間位置之間之距離。
將實施例1～7、比較例2之氧化物系之非磁性陶瓷成形體之具有粗化結構之部分的SEM照片示於圖7～圖14。SEM照片之倍率係以200倍進行攝影，但並不限於200倍，只要調整為容易觀察粗化結構之倍率即可，例如能夠以200～400倍進行攝影。
使用實施例1～7、比較例1～2中所獲得之具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體，製造與樹脂成形體（含有30質量%之玻璃纖維之聚醯胺6之成形體）的複合成形體（圖15）。
使用所獲得之各複合成形體，測定非磁性陶瓷成形體與樹脂成形體之接合強度。
[拉伸試驗] 使用圖15所示的複合成形體（依據ISO19095-2：2015之試片）於下述條件下進行拉伸試驗而評價剪切接合強度（S1）。將結果示於表1。拉伸試驗係依據ISO19095，於將氧化物系之非磁性陶瓷成形體30側之端部固定之狀態下，向圖13所示之X方向拉伸直至氧化物系之非磁性陶瓷成形體30與樹脂成形體31斷裂，測定上述情形時之至接合面被破壞為止之最大負重。將結果示於表1。
＜拉伸試驗條件＞ 試驗機：島津製作所製造之AUTOGRAPH AG-X plus（50 kN） 拉伸速度：10 mm/min 夾具間距離：50 mm
[表1]
   實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 比較例1 比較例2
非磁性陶瓷 氧化鋯 氧化鋁92 氧化鋁92 氧化鋁99 氧化鋁99 塊滑石 堇青石 氧化鋯 氧化鋁99
熱衝擊溫度（℃） 6 200 200 200 200 150 400 6 200
照射速度（mm/sec） 7500 7500 7500 7500 7500 7500 7500 3000 3000
照射形態 雙向 雙向 交叉 雙向 交叉 雙向 交叉 雙向 雙向
輸出（W） 280 280 280 280 280 280 280 300 300
焦點偏移距離（mm） 0 0 0 0 0 0 0 0 0
間距間隔（mm） 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05
通過次數（次） 10/20 10 10 10 10 10 6 10 10
粗化狀態 Ra（μm） 15.0 4.7 6.5 5.8 11.0 13 5.0 28.5 2.5
Rz（μm） 115 30 45 44 59 83 35 146.6 17.2
Sa（μm） 12.0 5.3 6 5.6 11.0 16 5.1 39.5 2.8
Sz（μm） 150 72 80 72 88 212 74 424.4 39.8
Sdr（-） 0.72 0.18 0.19 0.25 0.44 0.93 0.13 0.34 0.02
Sdq（-） - - - - - 1.84 0.54 - -
SEM照片 圖7 圖8 圖9 圖10 圖11 圖13 圖14 - 圖12
有無破裂 無 無 無 無 無 無 無 有 無
接合強度（MPa） 16 22 4 17 34 11 10 - -
關於實施例1～7之氧化鋯成形體、氧化鋁成形體、塊滑石成形體、堇青石成形體中之粗化結構之凹凸，自圖7～圖11、圖13、及圖14的SEM照片（俯視照片或剖面照片）可明確得知凹凸部之厚度方向之截面形狀包括曲面（局部圓）形狀。
實施例1（圖7）、實施例2（圖8）、實施例4（圖10）、實施例6（圖13）之凹部之平面形狀為如圖1～圖3所示之形狀。實施例3（圖9）、及實施例5（圖11）之凹部之平面形狀為如圖4（a）～（e）所示之形狀、及其等與如圖1～圖3所示之形狀之組合。實施例7（圖14）之凹部之平面形狀為如圖4（a）～（e）所示之形狀。
雷射光之照射速度較慢之比較例1係於成形體之一部分產生破裂而分割成2個以上，比較例2未開孔且表面變形成皺褶狀。
認為實施例1～7之氧化鋯成形體、氧化鋁成形體、塊滑石成形體、堇青石成形體與樹脂成形體的複合成形體具有較高之接合強度，因此即便於製造與其他材料（熱硬化性樹脂、橡膠、彈性體、金屬、UV硬化性樹脂）的複合成形體之情形時，亦可獲得較高之接合強度的複合成形體。
實施例8 以表2所示之條件對表2所示之種類之非磁性陶瓷成形體（10×50×厚度2 mm之平板）之表面照射脈衝波雷射光而進行粗化。於圖16示出粗化後的SEM照片。
[表2]
   實施例6
種類 塊滑石
雷射振盪器 IPG-Yb fiber（YLP-RΑ-50-30-30）
聚光光學系統 LXD30＋SCANLAB公司之HurrySCAN10（擴束器2倍/fθ100 mm）
處理面積（mm2 ） 20
輸出（W） 30
波長（nm） 1069
點徑（μm） 32
頻率（kHz） 30
脈衝寬度（nsec） 50
照射圖案 線（雙向）
（i）照射角度（度） 90
（ii）照射速度（mm/sec） 50
（iii）能量密度（GW/cm2 ） 2.49
（iv）重複次數（次） 15
（v）間距（mm） 0.08
Sa（μm） 23
Sz（μm） 219
Sdr 0.40
Sdq 1.04
自圖16（實施例8）與圖7（實施例1）、圖10（實施例4）、圖13（實施例6）的SEM照片之對比可明確得知，實施例8之非磁性陶瓷成形體之粗化後之結構與上述其他實施例相同。 [產業上之可利用性]
本發明之表面具有粗化結構之氧化物系之非磁性陶瓷成形體可用作氧化物系之非磁性陶瓷成形體與樹脂、橡膠、彈性體、金屬的複合成形體之中間體。
1a:曲線（圓弧） 1b:曲線 2:直線 5:突出部 6:凹陷部
圖1（a）及圖1（b）係表示本發明之一例的非磁性陶瓷成形體表面之凹凸之凹部的若干個不同之實施形態的俯視圖。 圖2（a）及圖2（b）係表示本發明之另一例的非磁性陶瓷成形體表面之凹凸之凹部的若干個不同之實施形態的俯視圖。 圖3（a）～（d）係表示本發明之又一例的非磁性陶瓷成形體表面之凹凸之凹部的若干個不同之實施形態的俯視圖。 圖4（a）～（e）係表示本發明之又一例的非磁性陶瓷成形體表面之凹凸之凹部的若干個不同之實施形態的俯視圖。 圖5係表示實施本發明之一例的第2製造方法時之一實施形態的雷射光之照射狀態的圖。 圖6係表示實施本發明之一例的第2製造方法時的雷射光之照射圖案的圖，且（a）為相同方向之照射圖案，（b）為雙向之照射圖案。 圖7（a）係實施例1之氧化鋯成形體之粗化結構部分之俯視圖的SEM照片，圖7（b）係圖7（a）之厚度方向剖面的SEM照片。 圖8係實施例2之氧化鋁成形體（純度92%）之粗化結構部分（俯視圖）的SEM照片。 圖9係實施例3之氧化鋁成形體（純度92%）之粗化結構部分（俯視圖）的SEM照片。 圖10（a）係實施例4之氧化鋁成形體（純度99.5%）之粗化結構部分之俯視圖的SEM照片，圖10（b）係圖10（a）之厚度方向剖面的SEM照片。 圖11（a）係實施例5之氧化鋁成形體（純度99.5%）之粗化結構部分之俯視圖的SEM照片，圖11（b）係圖11（a）之厚度方向剖面的SEM照片。 圖12係比較例2之氧化鋁成形體（純度99.5%）之粗化結構部分（俯視圖）的SEM照片。 圖13（a）係實施例6之塊滑石成形體之粗化結構部分之俯視圖的SEM照片，圖13（b）係圖13（a）之厚度方向剖面的SEM照片。 圖14（a）係實施例7之堇青石成形體之粗化結構部分之俯視圖的SEM照片，圖14（b）係圖14（a）之厚度方向剖面的SEM照片。 圖15係實施例中所製造之氧化鋁成形體之斜視圖、及用以對使用氧化鋁成形體與樹脂成形體的複合成形體的接合強度之試驗進行說明之斜視圖。 圖16（a）係實施例8之塊滑石成形體之粗化結構部分之俯視圖的SEM照片，圖16（b）係圖16（a）之厚度方向剖面的SEM照片。
1a:曲線(圓弧)
1b:曲線
2:直線

Claims (19)

  1. 一種非磁性陶瓷成形體，其表面具有粗化結構，且上述粗化結構具有凹凸，上述凹凸之厚度方向之截面形狀具有曲面，上述非磁性陶瓷為氧化物系之非磁性陶瓷，上述凹凸之算術平均高度(Sa)為1~50μm之範圍，上述凹凸之凸部之最大高度(Sz)為30~280μm之範圍，上述凹凸之界面之展開面積比(Sdr)為0.05~2.00之範圍。
  2. 如請求項1所述之非磁性陶瓷成形體，其中，上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體之熱衝擊溫度(JIS R1648：2002)為150~700℃之範圍，厚度為0.5mm以上。
  3. 如請求項2所述之非磁性陶瓷成形體，其中，上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體含有氧化鋁。
  4. 如請求項1所述之非磁性陶瓷成形體，其中，上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體之熱衝擊溫度(JIS R1648：2002)為1~10℃之範圍，厚度為3mm以上。
  5. 如請求項4所述之非磁性陶瓷成形體，其中，上述氧化物系之非磁性陶瓷含有氧化鋯。
  6. 如請求項1至5中任一項所述之非磁性陶瓷成形體，其中，上述凹凸之厚度方向之截面形狀為局部圓形或局部橢圓形。
  7. 如請求項1至5中任一項所述之非磁性陶瓷成形體，其中，上述凹凸之表面粗糙度(Ra)為1~30μm之範圍，上述凹凸之凸部與凹部之高低差(Rz)為10~200μm之範圍。
  8. 如請求項1至5中任一項所述之非磁性陶瓷成形體，其中，上述凹凸之均方根傾斜(Sdq)為0.3~3.0之範圍。
  9. 如請求項1至5中任一項所述之非磁性陶瓷成形體，其中，於上述凹凸空開間隔呈線狀連續地形成時，上述凹部之平面形狀包括橢圓形或與其類似之形狀。
  10. 如請求項1至5中任一項所述之非磁性陶瓷成形體，其中，於上述凹凸分散且無規地形成時，上述凹部之平面形狀包含圓形、橢圓形或與其等類似之形狀。
  11. 一種非磁性陶瓷成形體之製造方法，其係請求項1至10中任一項所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，且藉由使用連續波雷射以5,000mm/sec以上之照射速度對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光而進行粗化。
  12. 一種非磁性陶瓷成形體之製造方法，其係請求項1至10中任一項所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，且具有使用連續波雷射以5,000mm/sec以上之照射速度對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光之步驟，上述雷射光之照射步驟係於對成為粗化對象之氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光時，以交替地產生雷射光之照射部分與非照射部分之方式進行照射之步驟。
  13. 如請求項11或12所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，其中，於使用連續波雷射以5,000mm/sec以上之照射速度對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光時，以沿相同方向或不同方向形成由直線、曲線及該等之組合所構成之複數條線之方式連續照射雷射光。
  14. 如請求項11或12所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，其中，於使用連續波雷射以5,000mm/sec以上之照射速度對上述氧化物系之非磁性陶 瓷成形體的表面連續照射雷射光時，以沿相同方向或不同方向形成由直線、曲線及該等之組合所構成之複數條線之方式連續照射雷射光，並多次連續照射雷射光而形成1條直線或1條曲線。
  15. 如請求項11或12所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，其中，於使用連續波雷射以5,000mm/sec以上之照射速度對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面連續照射雷射光時，以沿相同方向或不同方向形成由直線、曲線及該等之組合所構成之複數條線之方式連續照射雷射光，且以上述複數條直線或上述複數條曲線空開等間隔或不同間隔而形成之方式連續照射雷射光。
  16. 一種非磁性陶瓷成形體之製造方法，其係請求項1至10中任一項所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，且藉由使用脈衝波雷射以滿足下述要件(i)~(v)之方式對氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射脈衝波雷射光而進行粗化，(i)對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光時之照射角度為15度~90度、(ii)對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光時之照射速度為10~1,000mm/sec、(iii)對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光時之能量密度為0.1~50GW/cm2、(iv)對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光時之重複次數為1~80次、(v)對上述氧化物系之非磁性陶瓷成形體的表面照射雷射光時之線間隔為0.01~1mm。
  17. 如請求項16所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，其中，上述要件(i)~(v)為下述數值範圍，(i)15度~90度、(ii)10~500mm/sec、(iii)0.1~50GW/cm2、(iv)1~80次、(v)0.01~0.5mm。
  18. 如請求項16所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，其中，上述要件(i)~(v)為下述數值範圍，(i)15度~90度、(ii)10~100mm/sec、(iii)0.1~20GW/cm2、(iv)3~50次、(v)0.03~0.3mm。
  19. 如請求項16所述之非磁性陶瓷成形體之製造方法，其中，上述要件(i)~(v)為下述數值範圍，(i)45度~90度、(ii)10~80mm/sec、(iii)0.5~5GW/cm2、(iv)5~30次、(v)0.05~0.1mm。
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