TWI827930B - 半導體裝置的製造裝置及製造方法 - Google Patents

半導體裝置的製造裝置及製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明的課題在於提供一種半導體裝置的製造裝置，其能夠以簡易的順序將接合頭的保持面調整為相對於載物台的載置面高精度地平行。半導體裝置的製造裝置包括：載物台12、接合頭14、搭載於接合頭14的仿形機構22、以及執行調整處理的控制器34，所述控制器34於所述調整處理中，在將所述仿形機構22設為所述鎖定狀態後，使接合頭14的相向面50抵接於載物台12的基準面110，之後，將所述仿形機構22切換為自由狀態，然後將所述相向面50推壓到所述基準面110，進而，其後，將所述仿形機構22切換為所述鎖定狀態。

Description

半導體裝置的製造裝置及製造方法
本說明書揭示一種於載物台或接合頭搭載有仿形機構的半導體裝置的製造裝置及製造方法。
自先前起，如下技術便廣為人知：於在接合頭的前端面(以下稱為「保持面」)抽吸保持有半導體晶片的狀態下，驅動接合頭，將半導體晶片接合到基板，藉此製造半導體裝置。於所述半導體裝置的製造技術中，為了將半導體晶片良好地接合到基板的表面，而要求保持面以高的精度與基板的平面平行。
為了以簡易的順序使保持面相對於基板平行，亦已知有於載置基板的載物台或保持半導體晶片的接合頭搭載有仿形機構的製造裝置。此處，所謂仿形機構，是指如下機構：具有包含凹狀半球面及凸狀半球面的其中一者的固定構件、以及包含凹狀半球面及凸狀半球面的另一者的可動構件，且可動構件相對於固定構件可三維地擺動。仿形機構能夠切換為能夠實現可動構件的擺動的自由狀態、以及可動構件的擺動受到限制的鎖定狀態。
專利文獻1中揭示有搭載有此種仿形機構的接合頭。於專利文獻1中，在將仿形機構設為自由的狀態下，使由接合頭保持的第二對象物抵接於保持於載物台上的第一對象物並進行按壓， 藉此將第二對象物的抵接面調整為相對於第一對象物的面平行。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3919684號公報
根據專利文獻1的技術，能夠以簡易的順序使接合頭的保持面相對於載物台以某種程度平行。但是，於將接合頭的保持面或由接合頭保持的第二對象物單純地推按到載物台或由載物台保持的第一對象物的情況下，有時因摩擦的影響等，保持面相對於載置面不會完全平行。即，於現有技術中，難以將接合頭的保持面調整為相對於載物台的載置面高精度地平行。
因此，於本說明書中，揭示有一種半導體裝置的製造裝置及製造方法，其能夠以簡易的順序將接合頭的保持面調整為相對於載物台的載置面高精度地平行。
本說明書中揭示的半導體裝置的製造裝置的特徵在於包括：載物台，具有載置基板的載置面；接合頭，具有抽吸保持晶片的保持面，且相對於所述載物台而能夠於所述載物台的面方向及法線方向上相對地移動；仿形機構，具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且搭載於所述載物台或所述接合頭，所述仿形機構使是所述載置面或所述保持面且與所 述第二球面連接的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，並能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態；以及控制器，執行一次以上的調整處理，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，所述調整處理中，於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀態，將所述相向面直接或間接地推壓到所述基準面，其後，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。
該情況下，所述控制器亦可反覆進行所述調整處理，直至於所述調整處理中將所述相向面推壓到所述基準面時的所述接合頭的軸向位置即推壓位置達到規定的基準值為止。
另外，所述控制器亦可記憶將所述相向面推壓到所述基準面時的所述接合頭的軸向位置作為推壓位置，所述控制器亦可反覆進行所述調整處理，直至藉由上次推壓獲得的所述推壓位置、與藉由此次推壓獲得的所述推壓位置的變化量達到規定的基準值為止。
另外，所述仿形機構亦可搭載於所述載物台，所述控制器亦可於所述調整處理中，將作為所述基準面的所述保持面推壓到作為所述相向面的載置面、與通過所述仿形機構的擺動中心的載置面的法線的交點。
另外，所述控制器亦可進而於所述調整處理之前亦執行 初期處理，所述控制器亦可於所述初期處理中，在將所述仿形機構設為所述自由狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述相向面直接或間接地推壓到所述基準面，進而，其後，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。
本說明書中揭示的半導體裝置的製造方法藉由對載置於載物台的基板接合由具有仿形機構的接合頭的保持面抽吸保持的晶片來製造半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法的特徵在於：對所述載物台或所述接合頭搭載仿形機構，所述仿形機構具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且使作為所述載置面或所述保持面的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，所述仿形機構能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態，所述製造方法包括進行如下動作的調整步驟，所述動作中，於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀態，將所述相向面直接或間接地推壓到所述基準面，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態，並且所述製造方法執行一次以上的所述調整步驟，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行。
根據本說明書中揭示的技術，能夠以簡易的順序將接合頭的保持面調整為相對於載物台12的載置面18高精度地平行。
10:製造裝置
12:載物台
14:接合頭
14u:上部
14d:下部
18:載置面
20:保持面
22:仿形機構
24:加熱器
26:移動機構
28:加熱器驅動部
30:真空源
31:空氣配管
32:仿形機構驅動部
34:控制器
40:固定構件
42:可動構件
43:支持器
44:球面空氣靜壓軸承
46:空氣通路
47:空氣配管
50:相向面
100:基板
102:半導體晶片
110:基準面
A、A*:軸
B:箭頭
L1:法線
O:擺動中心
P:接點
Pc:交點
S10~S50:步驟
圖1是表示半導體裝置的製造裝置的結構的圖。
圖2是表示仿形機構的結構的一例的圖。
圖3是表示仿形處理的原理的示意圖。
圖4A是表示仿形處理的形態的示意圖。
圖4B是表示仿形處理的形態的示意圖。
圖5A是表示仿形處理的形態的示意圖。
圖5B是表示仿形處理的形態的示意圖。
圖6A是表示仿形處理的形態的示意圖。
圖6B是表示仿形處理的形態的示意圖。
圖7是表示仿形處理整體的流程的流程圖。
圖8是表示初期處理的流程的流程圖。
圖9是表示調整處理的流程的流程圖。
圖10是表示半導體裝置的製造裝置的其他結構的圖。
以下，參照圖式對半導體裝置的製造裝置10的結構進行說明。圖1是表示製造裝置10的結構的圖。如圖1所示，製造裝置10包括：載置基板100的載物台12、以及抽吸保持半導體晶片102的接合頭14。
載物台12能夠抽吸保持基板100，且於其內部搭載有用於對基板100進行加溫的加熱器(未圖示)。該載物台12的加溫 及抽吸是由後述的控制器34控制。載物台12的上表面作為載置基板100的載置面18發揮功能。本例的載物台12是其鉛垂方向及水平方向上的位置不變的固定載物台，但視情況，亦可使載物台12於鉛垂方向及水平方向的至少一方向上可動。
接合頭14與載物台12相向地配置，且相對於載物台12而能夠於水平方向及鉛垂方向上移動。為了實現該接合頭14的移動，而設置有移動機構26。移動機構26例如具有馬達或油壓缸等驅動源、以及將該驅動源的動作傳遞至接合頭14的直動機構或齒輪等傳遞機構。該移動機構26的驅動是由控制器34控制。
接合頭14可於作為其前端面的保持面20，抽吸保持半導體晶片102。因此，於接合頭14的前端部形成有用於抽吸保持半導體晶片102的抽吸孔(未圖示)，該抽吸孔經由空氣配管31而與真空源30連結。另外，於接合頭14的前端部內置有用於對所保持的半導體晶片102進行加熱的加熱器24。該加熱器24是由加熱器驅動部28控制。
接合頭14於利用保持面20抽吸保持半導體晶片102後，將該半導體晶片102載置於基板100表面，並進行加壓加熱，藉此將半導體晶片102接合到基板100。此處，近年來，藉由半導體製程的微細化，半導體裝置實行高積體化。為了能夠實現所述高積體化，需要高精度地保持基板100、和與該基板100接合的半導體晶片102的平行度。作為此種平行調整的手段，先前提出有被稱為測角台(goniostage)的手動角度調整設備、或夾著墊片對傾斜 進行調整的方法等。然而，此種現有的平行調整手段需要高的技巧與大量的調整時間。
因此，為了能夠以簡易的順序進行平行調整，本例的接合頭14搭載有仿形機構22。仿形機構22是內置有球面空氣靜壓軸承44(參照圖2)的空氣壓設備。以下，將接合頭14中、該仿形機構22更上側稱為「上部14u」，將更下側稱為「下部14d」。
圖2是表示該仿形機構22的結構的一例的圖。仿形機構22具有固定構件40、相對於該固定構件40可動的可動構件42、以及支持器43。由該固定構件40及可動構件42構成球面空氣靜壓軸承44。固定構件40的上端固定於接合頭14的上部14u。固定構件40的底面呈凹狀的半球面。另外，於固定構件40，形成有用於供給或抽吸空氣的空氣通路46。該空氣通路46自固定構件40的側面貫通到底面(即凹狀半球面)。於固定構件40的側面，連接有用於將該空氣通路46、與仿形機構驅動部32流體連結的空氣配管47(參照圖1)。
可動構件42被保持為相對於固定構件40能夠三維地擺動。可動構件42的下端固定於接合頭14的下部14d，可動構件42能夠與保持面20一起擺動。另外，可動構件42的上表面呈與固定構件40的凹狀半球面對應的凸狀半球面。支持器43以不妨礙可動構件42的擺動的方式保持可動構件42。
此種仿形機構22藉由自固定構件40的凹狀半球面噴出壓縮空氣，而使可動構件42與固定構件40分開，並以非接觸狀 態進行支撐。藉此，可動構件42的滑動阻力大幅降低，能夠以極輕的力精密地進行旋轉運動。另外，藉由停止壓縮空氣的供給並真空抽吸可動構件42，而可將可動構件42固定為規定的姿勢。以下，將噴出壓縮空氣並允許可動構件42的擺動的狀態稱為「自由狀態」，將真空抽吸可動構件42並限制可動構件42的擺動的狀態稱為「鎖定狀態」。
此種仿形機構22的自由狀態及鎖定狀態的切換是藉由仿形機構驅動部32來進行。仿形機構驅動部32具有用於供給壓縮空氣的壓縮機(compressor)、或用於進行真空抽吸的真空源等。另外，仿形機構驅動部32的驅動是由控制器34控制。
控制器34控制製造裝置10的各部的驅動。具體而言，控制器34執行安裝處理，所述安裝處理中，驅動移動機構26或加熱器驅動部28、真空源30等而將半導體晶片102接合到基板100。另外，本例的控制器34於該安裝處理之前，亦執行仿形處理，所述仿形處理中，藉由使保持面20仿效載置面18，而將兩者調整為平行。再者，以下，於保持面20及載置面18中，將作為能夠擺動的面的保持面20稱為「相向面50」，將作為固定面的載置面18稱為「基準面110」。
此種控制器34是具有執行各種運算的處理器、以及記憶資料及程式的記憶體的電腦。本例的控制器34於執行半導體晶片102的安裝處理之前，執行將相向面50調整成相對於基準面110平行的仿形處理。以下，對該仿形處理進行說明。
圖3是表示仿形處理的原理的示意圖。通常，裝置中存在軸或面的傾斜的偏移。由於此種偏移，有時相向面50(保持面20)會相對於基準面110(載置面18)傾斜。於圖3的例子中，接合頭14的上部14u的軸A相對於理想的軸A*傾斜。
為了校正此種傾斜，近年來提出有利用仿形機構22。具體而言，提出有於將仿形機構22設為自由狀態後，將相向面50推壓到基準面110，藉此進行相向面50的平行調整。於為自由狀態的情況下，可動構件42能夠以極小的力擺動。因此，理論上，若將相向面50推按到基準面110，則可動構件42擺動，直至相向面50整體與基準面110接觸的狀態為止、換言之、直至相向面50相對於基準面110而完全平行的狀態為止。而且，若於變得平行的時間點，將仿形機構22切換為鎖定狀態，並限制可動構件42的擺動，則可高精度地保持相向面50相對於基準面110的平行度。
但是，現實是，僅使相向面50抵接於基準面110，無法完全消除相向面50的傾斜，有時會殘留平行偏差。於在殘留有平行偏差的狀態下鎖定仿形機構22的情況下，無法高精度地維持相向面50相對於基準面110的平行度。
作為殘留此種平行偏差的理由，可列舉：使可動構件42擺動的力、和相向面50與基準面110之間的摩擦力均衡。即，於將相向面50推壓到基準面110時，可動構件42擺動，但此時，相向面50與基準面110的接點P向自接點P觀察時的接合頭的外側方向(圖3中的箭頭B方向)滑動。此時的摩擦力是摩擦係數 與垂直阻力的相乘值，隨著推壓力增加並且垂直阻力增加，摩擦力亦增加。即，於將相向面50推壓到基準面110的初期階段，由於垂直阻力小，因此接點P可於基準面110上滑動，但伴隨推壓力的增加，摩擦力亦增加。而且，若該摩擦力與使可動構件42擺動的力均衡，則於該時間點，可動構件42的擺動停止。結果，如圖3的右圖所示，有時殘存相向面50相對於基準面110的傾斜。
此處，於相向面50剛抵接於基準面110後，相向面50相對於基準面110的傾斜小的情況下，為了完全平行而所需的接點P的移動量變小。因此，該情況下，於摩擦力與進行擺動的力均衡之前，有可能可使相向面50相對於基準面110完全平行。但是，通常，於可動構件42及接合頭14的下部14d連接有電氣配線或空氣配管31、空氣配管47。因此，於使相向面50與基準面110分開的狀態下，將仿形機構22設為自由的情況下，如圖3的左圖所示，可動構件42因空氣配管31、空氣配管47等的自重而向一方向大幅傾斜，相向面50相對於基準面110的傾斜容易變大。結果，於該狀態下，即便將相向面50推按到基準面110，在變得完全平行之前，摩擦力亦容易與使可動構件42擺動的力均衡。
即，單純地於將仿形機構22切換為自由狀態後，僅將相向面50推壓到基準面110，難以使相向面50相對於基準面110完全平行。因此，於本例中，採用反覆進行相向面50向基準面110的推壓動作的結構。對此，參照圖4A~圖6B進行說明。圖4A~圖6B是表示本例的仿形處理的形態的示意圖。
本例的仿形處理包括初期處理以及調整處理。初期處理是於仿形處理的最初僅執行一次的處理。另一方面，調整處理是於初期處理之後執行一次或多次的處理。
初期處理為與現有的仿形處理大致相同的處理。即，於初期處理中，如圖4A所示，在相向面50與基準面110分開的狀態下，將仿形機構22切換為自由狀態。該情況下，可動構件42因空氣配管31(於圖4A~圖6B中並未圖示)等的自重而向一側大幅傾斜。
於該狀態下，使接合頭14下降，並以規定的載荷將相向面50推壓到基準面110。而且，其後，如圖4B所示，將仿形機構22從自由狀態切換為鎖定狀態。此處，於自由狀態下，直接將相向面50推壓到基準面110，藉此可動構件42以某種程度擺動，從而以某種程度消除相向面50相對於基準面110的傾斜。其中，於該時間點，完全消除傾斜的情況少，如圖4B所示，殘存平行偏差的情況多。
若以上的初期處理完成，則繼而執行調整處理。於調整處理中，在維持藉由初期處理或上次調整處理獲得的相向面50的傾斜的狀態下，將相向面50推壓到基準面110。若具體進行說明，則於初期處理或上次調整處理完成的階段，仿形機構22為鎖定狀態。如圖5A所示，調整處理是於該鎖定狀態下，直接自使接合頭14暫且上升後的狀態開始。其後，使接合頭14下降，如圖5B所示，使相向面50抵接於基準面110。關於該抵接，可基於來自基 準面110的反作用力來檢測，亦可基於接合頭14的軸向位置Pz的變化來檢測。無論哪種情況，若於鎖定狀態下相向面50直接抵接於基準面110，則如圖6A所示，將仿形機構22自鎖定狀態切換為自由狀態。然後，於該狀態下，以規定的載荷將相向面50推壓到基準面110。藉此，可動構件42向消除相向面50的傾斜的方向擺動。然後，於該推壓後，將仿形機構22從自由狀態切換為鎖定狀態。
於本例的仿形處理中，將以上調整處理執行一次或多次。此處，如藉由迄今為止的說明而明確般，於調整處理中，相向面50向基準面110的推壓開始時間點的相向面50的傾斜是維持藉由初期處理或上次調整處理獲得的相向面50的傾斜。換言之，於調整處理中，在將相向面50推壓到基準面110時，已經以某種程度消除了相向面50的傾斜。由於在以某種程度消除了相向面50的傾斜的狀態下開始相向面50向基準面110的推壓，因此與初期處理或上次調整處理相比，可使相向面50接近完全平行。即，藉由執行一次以上的在維持藉由初期處理或上次調整處理獲得的相向面50的傾斜的狀態下將相向面50推壓到基準面110的調整處理，可使相向面50相對於基準面110更確實地平行。
再者，調整處理的執行次數亦可預先規定。另外，作為其他形態，亦可反覆進行調整處理，直至可判斷為相向面50相對於基準面110變得充分平行為止。關於變得充分平行的判斷，例如可基於將相向面50推壓到基準面110時的接合頭14的軸向位 置Pz即推壓位置Pp[i]來進行。例如，相向面50變得充分平行時的軸向位置Pz可根據過去的測定、或載物台12及接合頭14的配置等以某種程度進行推測。因此，亦可將相向面50變得充分平行時的軸向位置Pz推測為基準位置Pdef，並反覆進行調整處理，直至藉由實際的調整處理獲得的推壓位置Pp[i]達到基準位置Pdef為止。另外，於相向面50相對於基準面110而變得充分平行的情況下，即便將相向面50推壓到基準面110，接合頭14的軸向位置Pz亦不會變化。因此，亦可反覆進行調整處理，直至藉由初期處理或上次調整處理獲得的推壓位置Pp[i-1]、與藉由此次調整處理獲得的推壓位置Pp[i]的變化量小於規定的基準值為止。無論哪種情況，藉由執行一次以上的調整處理，均可使相向面50相對於基準面110更確實地平行。
接著，參照圖7~圖9說明仿形處理的流程。圖7是說明仿形處理整體的流程的流程圖。如已經敘述般，另外，如圖7所示，控制器34首先執行初期處理作為仿形處理(S10)。圖8是表示該初期處理的流程的流程圖。於初期處理中，控制器34首先驅動仿形機構驅動部32，將仿形機構22設為自由狀態(S12)。仿形機構驅動部32接收來自控制器34的指示，並對球面空氣靜壓軸承44供給壓縮空氣，使可動構件42能夠擺動。若成為自由狀態，則可動構件42因配管等的自重而如圖4A所示，向一方向大幅傾斜。繼而，控制器34驅動移動機構26，使接合頭14朝向載物台12下降(S14)。控制器34於該下降時，監視相向面50是否抵接 於基準面110(S16)。
於下降的結果是相向面50抵接於基準面110的情況下(S16中為是(Yes))，控制器34驅動移動機構26，並以規定的載荷將相向面50推壓到基準面110(S18)。藉此，可動構件42受到來自基準面110的反作用力，並向消除傾斜的方向擺動。其中，隨著推壓的進行，相向面50與基準面110之間的摩擦力增加，並與使可動構件42擺動的力均衡。該情況下，可動構件42的擺動於殘存有相向面50相對於基準面110的傾斜的狀態下停止。再者，控制器34將該推壓動作完成時間點的接合頭14的軸向位置Pz記憶為推壓位置Pp[i]。
若能夠以規定的載荷推壓相向面50，則繼而控制器34驅動仿形機構驅動部32，將仿形機構22切換為鎖定狀態(S20)。然後，若使接合頭14上升到自載置面18分開的高度(S22)，則初期處理結束。
若初期處理結束，則如圖7所示，繼而執行調整處理(S30)。圖9是表示調整處理的流程的流程圖。於調整處理的開始時間點，仿形機構22為鎖定狀態。控制器34於維持該鎖定狀態的狀態下，驅動移動機構26，使接合頭14朝向載物台12下降(S32、S34)。由於維持鎖定狀態，因此於該時間點，維持藉由初期處理或上次調整處理獲得的相向面50的傾斜。控制器34於該下降時，監視相向面50是否抵接於基準面110(S36)。
於下降的結果是相向面50抵接於基準面110的情況下 (S36中為是(Yes))，控制器34驅動仿形機構驅動部32，將仿形機構22自鎖定狀態切換為自由狀態(S38)。藉此，允許可動構件42的擺動。此處，此時，由於相向面50的一部分已經抵接於基準面110，因此即便有配管等的自重，可動構件42亦不能向相向面50的傾斜增加的方向擺動。因此，剛切換為該自由狀態後的相向面50的傾斜是上次推壓動作結束的時間點的傾斜。
若仿形機構22成為自由狀態，則控制器34驅動移動機構26，並以規定的載荷將相向面50推壓到基準面110(S40)。藉此，可動構件42受到來自基準面110的反作用力，並向消除相向面50的傾斜的方向擺動。而且，若變得完全平行、或者與基準面110的摩擦力和使可動構件42擺動的力均衡，則可動構件42的擺動停止。再者，控制器34將該推壓動作完成時間點的接合頭14的軸向位置Pz記憶為推壓位置Pp[i]。
若能夠以規定的載荷推壓相向面50，則繼而控制器34將仿形機構22切換為鎖定狀態(S42)。藉此，維持藉由此次推壓動作獲得的相向面50的傾斜。然後，若使接合頭14上升到自載置面18分開的高度(S44)，則調整處理結束。
再次參照圖7。若調整處理結束，則控制器34確認相向面50相對於基準面110是否變得充分平行(S50)。該確認方法並無特別限定。因此，如上所述，控制器34可於藉由之前的推壓動作獲得的推壓位置Pp[i]達到規定的基準位置Pdef的情況下判斷為平行，亦可於藉由之前的推壓動作獲得的推壓位置Pp[i]與藉由 上次推壓動作獲得的推壓位置Pp[i-1]的變化量達到規定的基準值的情況下，判斷為平行。無論哪種情況，控制器34於判斷為相向面50相對於基準面110並未變得充分平行的情況下(S50中為否(No))，再次執行調整處理。另一方面，於判斷為相向面50相對於基準面110變得充分平行的情況下(S50中為是(Yes))，仿形處理結束。再者，此處，監視是否變得平行，但若調整處理的反覆次數達到事先規定的次數(例如2次等)，則亦可結束仿形處理。
如藉由以上說明而明確般，於本例中，執行一次以上的自維持藉由上次推壓動作獲得的傾斜的狀態進行此次推壓動作的調整處理。結果，可逐漸減低相向面50的傾斜，因此可使相向面50相對於基準面110更確實地平行。
再者，於所述說明中，仿形機構22搭載於接合頭14，但如圖10所示，亦可代替搭載於接合頭14的情況，將仿形機構22設置於載物台12。該情況下，載物台12的載置面18為能夠擺動的相向面50，接合頭14的保持面20為傾斜固定的基準面110。而且，該情況下，為了使相向面50(載置面18)相對於基準面110(保持面20)平行，亦是只要執行仿形處理即可。此時的仿形處理的順序與圖7~圖9的順序大致相同。另外，於在載物台12設置有仿形機構22的情況下，在將作為基準面110的保持面20推壓到載置面18時，推壓到載置面18中通過仿形機構22的擺動中心O的載置面18的法線L1與載置面18的交點Pc附近。
另外，於迄今為止的說明中，將相向面50直接推壓到 基準面110，但亦可將相向面50間接地推壓到基準面110。例如，於在接合頭14搭載有仿形機構22的情況下，亦可利用作為相向面50的保持面20保持晶片構件，並將該晶片構件推壓到基準面110。另外，該情況下，亦可利用作為基準面110的載置面18支撐基板100，並向該基板100推壓相向面50或由相向面50保持的晶片構件。
另外，於迄今為止的說明中，在調整處理之前執行初期處理，但亦可省略初期處理。即，亦可不進行圖8的處理，而是僅執行一次以上的圖9的處理。另外，於迄今為止的說明中，藉由使接合頭14移動來將相向面50抵接並推壓到基準面110，但亦可代替使接合頭14移動的情況而使載物台12移動，或者，除了使接合頭14移動以外亦使載物台12移動。
S10~S50:步驟

Claims (9)

  1. 一種半導體裝置的製造裝置，其特徵在於包括：載物台，具有載置基板的載置面；接合頭，具有抽吸保持晶片的保持面，且相對於所述載物台而能夠於所述載物台的面方向及法線方向上相對地移動；仿形機構，具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且搭載於所述載物台或所述接合頭，所述仿形機構使是所述載置面或所述保持面且與所述第二球面連接的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，並能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態；以及控制器，執行一次以上的調整處理，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，所述調整處理中，於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀態，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，其後，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態，所述控制器反覆進行所述調整處理，直至於所述調整處理中將所述相向面向所述基準面推壓時的所述接合頭的軸向位置即推壓位置達到規定的基準值為止。
  2. 如請求項1所述的半導體裝置的製造裝置，其中，所述仿形機構搭載於所述載物台， 所述控制器於所述調整處理中，將作為所述基準面的所述保持面向作為所述相向面的載置面、與通過所述仿形機構的擺動中心的載置面的法線的交點推壓。
  3. 一種半導體裝置的製造裝置，其特徵在於包括：載物台，具有載置基板的載置面；接合頭，具有抽吸保持晶片的保持面，且相對於所述載物台而能夠於所述載物台的面方向及法線方向上相對地移動；仿形機構，具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且搭載於所述載物台或所述接合頭，所述仿形機構使是所述載置面或所述保持面且與所述第二球面連接的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，並能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態；以及控制器，執行一次以上的調整處理，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，所述調整處理中，於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀態，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，其後，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態，所述控制器記憶將所述相向面向所述基準面推壓時的所述接合頭的軸向位置作為推壓位置。
  4. 所述控制器反覆進行所述調整處理，直至藉由上次 推壓獲得的所述推壓位置、與藉由此次推壓獲得的所述推壓位置的變化量達到規定的基準值為止。如請求項3所述的半導體裝置的製造裝置，其中，所述仿形機構搭載於所述載物台，所述控制器於所述調整處理中，將作為所述基準面的所述保持面向作為所述相向面的載置面、與通過所述仿形機構的擺動中心的載置面的法線的交點推壓。
  5. 一種半導體裝置的製造裝置，其特徵在於包括：載物台，具有載置基板的載置面；接合頭，具有抽吸保持晶片的保持面，且相對於所述載物台而能夠於所述載物台的面方向及法線方向上相對地移動；仿形機構，具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且搭載於所述載物台或所述接合頭，所述仿形機構使是所述載置面或所述保持面且與所述第二球面連接的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，並能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態；以及控制器，執行一次以上的調整處理，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，所述調整處理中，於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀態，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，其後，將所述仿形機構切換為所述鎖定 狀態，所述控制器進而於所述調整處理之前亦執行初期處理，所述控制器於所述初期處理中，在將所述仿形機構設為所述自由狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，進而，其後，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。
  6. 如請求項5所述的半導體裝置的製造裝置，其中，所述仿形機構搭載於所述載物台，所述控制器於所述調整處理中，將作為所述基準面的所述保持面向作為所述相向面的載置面、與通過所述仿形機構的擺動中心的載置面的法線的交點推壓。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，其藉由對載置於載物台的載置面的基板接合由具有仿形機構的接合頭的保持面抽吸保持的晶片來製造半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法的特徵在於：所述載物台或所述接合頭搭載有仿形機構，所述仿形機構具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且使作為所述載置面或所述保持面的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，所述仿形機構能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態，所述製造方法包括進行如下動作的調整步驟，所述動作中， 於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀態，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態，並且所述製造方法執行一次以上的所述調整步驟，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，反覆進行所述調整步驟，直至於所述調整步驟中將所述相向面向所述基準面推壓時的所述接合頭的軸向位置即推壓位置達到規定的基準值為止。
  8. 一種半導體裝置的製造方法，其藉由對載置於載物台的載置面的基板接合由具有仿形機構的接合頭的保持面抽吸保持的晶片來製造半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法的特徵在於：所述載物台或所述接合頭搭載有仿形機構，所述仿形機構具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且使作為所述載置面或所述保持面的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，所述仿形機構能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態，所述製造方法包括進行如下動作的調整步驟，所述動作中，於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀 態，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態，並且所述製造方法執行一次以上的所述調整步驟，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，所述調整步驟中，記憶將所述相向面向所述基準面推壓時的所述接合頭的軸向位置作為推壓位置，反覆進行所述調整步驟，直至藉由上次推壓獲得的所述推壓位置、與藉由此次推壓獲得的所述推壓位置的變化量達到規定的基準值為止。
  9. 一種半導體裝置的製造方法，其藉由對載置於載物台的載置面的基板接合由具有仿形機構的接合頭的保持面抽吸保持的晶片來製造半導體裝置，所述半導體裝置的製造方法的特徵在於：所述載物台或所述接合頭搭載有仿形機構，所述仿形機構具有第一球面以及相對於所述第一球面能夠擺動地設置的第二球面，且使作為所述載置面或所述保持面的相向面相對於與所述相向面相向且作為所述保持面或所述載置面的基準面擺動，所述仿形機構能夠切換為能夠實現所述相向面的擺動的自由狀態、以及所述相向面的擺動受到限制的鎖定狀態，所述製造方法包括：調整步驟，所述調整步驟進行如下動作，所述動作中，於將所述仿形機構設為所述鎖定狀態後，使所述相向面直接或間接地 抵接於所述基準面，之後，將所述仿形機構切換為所述自由狀態，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態；以及初期步驟，於所述調整步驟之前執行，所述製造方法執行一次以上的所述調整步驟，以將所述相向面調整為相對於所述基準面平行，於所述初期步驟中，在將所述仿形機構設為所述自由狀態後，使所述相向面直接或間接地抵接於所述基準面，之後，將所述相向面直接或間接地向所述基準面推壓，進而，其後，將所述仿形機構切換為所述鎖定狀態。
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