TWI827926B - 射頻液晶天線系統 - Google Patents
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Abstract
本發明揭露一種射頻液晶天線系統，其包含印刷電路板、訊號饋入線、第一接地線、導電結構以及射頻天線單元。訊號饋入線設置於印刷電路板上，耦接於訊號輸入源。第一接地線設置於印刷電路板上，第一接地線設置於訊號饋入線的兩側並與訊號饋入線同一平面。導電結構設置於第一接地線上，導電結構與訊號饋入線相隔設置間距。射頻天線單元包含第一電極及第二電極，第一電極包含第二接地線，第二接地線藉由導電結構電性連接第一接地線。
Description
本發明是關於一種射頻液晶天線系統，特別是關於一種結合射頻天線單元與傳導線路的射頻液晶天線系統。
射頻液晶天線利用在電極周圍填充可調整介電係數的液晶，利用電壓控制液晶分子的轉向，改變液晶的介電係數，調整天線共振頻率，進而控制天線幅射的開關，達成天線場型控制與波束方向。可應用在自動駕駛輔助系統的毫米波雷達、無人機視線外的自動導航、衛星定位導航系統、無線通訊區域網路系統、生理特徵遠距監控、無線電力傳輸及第五代行動通訊等各種領域當中。
利用面板製程製作射頻液晶天線，具有陣列元件大面積製作與玻璃具有低損耗的材料特性，節省了以往陣列天線的製作成本，且減少使用高頻傳輸印刷電路版的使用。然而，射頻液晶天線系統的饋入訊號，需要經由訊號產生器及連接的傳輸線路提供，但使用玻璃載板對於上述晶片封裝及佈線上有較大的限制，例如玻璃基板不易鑽孔，難以連接接地線路，玻璃的單面製程需要多片玻璃貼合，射頻晶片的封裝難以用在玻璃載板上等。
本發明藉由設計一種射頻液晶天線系統，針對現有技術之缺失加以改善，進而增進產業上之實施利用。
有鑑於上述習知技術之問題，本發明之目的在於提供一種射頻液晶天線系統，使其能解決射頻晶片封裝及傳輸線佈線在玻璃載板上受到限制的問題。
根據上述目的，本發明之實施例提出一種射頻液晶天線系統，其包含印刷電路板、訊號饋入線、第一接地線、導電結構以及射頻天線單元。訊號饋入線設置於印刷電路板上，耦接於訊號輸入源。第一接地線設置於印刷電路板上，第一接地線設置於訊號饋入線的兩側並與訊號饋入線同一平面。導電結構設置於第一接地線上，導電結構與訊號饋入線相隔設置間距。射頻天線單元包含第一電極及第二電極，第一電極包含第二接地線，第二接地線藉由導電結構電性連接第一接地線。
在本發明的實施例中，導電結構與第二接地線之間可設置介電層，介電層包含介電材料。介電層的電容值範圍可為25~70nF。
在本發明的實施例中，設置間距的範圍可為10~1000µm。
在本發明的實施例中，射頻液晶天線系統可進一步包含第一玻璃基板、液晶層以及第二玻璃基板。第一玻璃基板包含第一表面及相對於第一表面的第二表面，第二表面貼合於印刷電路板及訊號饋入線上。液晶層設置於第一表面上。第二玻璃基板設置於液晶層上，射頻天線單元設置於第一玻璃基板與第二玻璃基板之間。
在本發明的實施例中，第一電極可包含輔助電極，輔助電極通過連接線路電性連接第二接地線。
在本發明的實施例中，第二電極可包含環形電極。
在本發明的實施例中，第二電極於訊號饋入線的重疊區域至訊號饋入線的末端可具有延伸距離，延伸距離可為0.15~0.3λ
eff，λ
eff為介電材料內之波長。
在本發明的實施例中，第一接地線於第一方向上可包含設置寬度，訊號饋入線於第一方向上可具有饋入線長度，設置寬度與饋入線長度具有預定比例。預定比例的範圍可為0.2~0.4。
承上所述，依本發明實施例所揭露的射頻液晶天線系統，可形成一種玻璃載板與印刷電路板結合的系統架構，通過在印刷電路板上設置射頻晶片以提供電磁波訊號，由共平面設置的接地線藉由導電結構傳送到玻璃基板上的接地線，再轉換成微帶線的形式傳遞至液晶天線單元，解決在玻璃基板製程當中難以進行封裝、佈線的問題，並且通過阻抗匹配來提升傳送與接收的效率。此外，通過介電層的設置，達到高通濾波器的功能，避免低頻液晶切換訊號影響高頻電磁波訊號，提升操作效率及準確性。
為利瞭解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的權利範圍，合先敘明。
在附圖中，為了淸楚起見，放大了層、膜、面板、區域、導光件等的厚度或寬度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的「連接」，其可以指物理及/或電性的連接。再者，「電性連接」或「耦接」係可為二元件間存在其它元件。此外，應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，其係用於將一個元件、部件、區域、層及/或部分與另一個元件、部件、區域、層及/或部分區分開。因此，僅用於描述目的，而不能將其理解為指示或暗示相對重要性或者其順序關係。
除非另有定義，本文所使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬技術領域的通常知識者通常理解的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地如此定義。
請同時參閱第1圖及第2圖，第1圖為本發明實施例之射頻液晶天線系統之示意圖，第2圖為本發明實施例之射頻液晶天線系統沿虛線A之剖面示意圖。如圖所示，射頻液晶天線系統10包含印刷電路板11、訊號饋入線12、第一接地線13、導電結構14以及射頻天線單元15。訊號饋入線12設置於印刷電路板11上，耦接於訊號輸入源21，訊號輸入源21可為單晶微波積體電路(MMIC)的射頻晶片，由晶片產生及接收高頻訊號，再搭配相關電路處理上述高頻訊號。在其他實施例中，訊號輸入源21還可包含訊號傳輸線，通過良好的阻抗設計，將高頻訊號傳送至訊號饋入線12或接收射頻天線單元15的高頻訊號。
第一接地線13與訊號饋入線12同樣設置於印刷電路板11上，第一接地線13設置於訊號饋入線12的兩側並與訊號饋入線12設置於同一平面。第一接地線13耦接於訊號輸入源21，第一接地線13由訊號輸入源21朝向射頻天線單元15的方向上具有設置寬度W，訊號饋入線12則由訊號訊號輸入源21朝向射頻天線單元15的方向上具有饋入線長度H。在一實施例中，設置寬度W與饋入線長度H具有預定比例，此預定比例的範圍可為0.2~0.4預定比例的範圍可能因射頻天線單元15的尺寸而改變饋入線長度，舉例來說，一個射頻天線單元15為2*2陣列天線，另一個射頻天線單元15為4*4陣列天線，此兩種射頻天線單元15的面積不同，饋入線12由最外邊饋入到射頻天線單元15的中心(2*2陣列天線中心和4*4陣列天線中心)，饋入線12再依序分布到各射頻天線單元15；因此，隨著射頻天線單元15所包含的天線數量不同，射頻天線單元15的面積大小也不同，饋入線12由最外側到射頻天線單元15的中心的長度也都為不同。因此，射頻天線單元15的預定比例可能因射頻天線單元15的面積而有所變更，前述預定比例的範圍僅為列舉，而未侷限於本發明所陳述的範圍。
導電結構14設置於第一接地線13上，導電結構14與訊號饋入線12的設置間距將於後續實施例進一步說明。射頻天線單元15設置在第一玻璃基板22與第二玻璃基板23之間，第一玻璃基板22包含第一表面及相對於第一表面的第二表面，射頻天線單元15設置於第一表面，第二表面則貼合於印刷電路板11及訊號饋入線12上。液晶層24設置於第一玻璃基板22的第一表面上，第二玻璃基板23設置於液晶層24上。射頻天線單元15包含第一電極及第二電極，第一電極包含第二接地線25，第二接地線25延伸至導電結構14，通過導電結構14與第一接地線13電性連接。通過第一接地線13與第二接地線25的設置，形成射頻液晶天線系統10當中的傳輸線路，也就是訊號輸入源21與射頻天線單元15之間訊號傳輸路徑；液晶層24透過第一電極及第二電極改變其電場，使液晶層24的液晶分子轉向來改變液晶層24的介電常數，進而影響射頻天線單元15的天線共振頻率。導電結構14的結構設置使得第一接地線13能電性連接於第二接地線25，無需通過在第一玻璃基板22進行鑽孔來連接第一接地線13與第二接地線25，減少玻璃載板因鑽孔製程產生不良的問題，同時簡化玻璃基板的製程。
請參閱第3A~3D圖，其為本發明實施例之訊號饋入線與第一接地線設置關係之示意圖，其中第3A圖為第2圖的射頻液晶天線系統10在不同區域的剖面線示意圖、第3B圖為第3A圖中沿虛線B1剖面之電場示意圖、第3C圖為第3A圖中沿虛線B2剖面之電場示意圖、第3D圖為第3A圖中沿虛線B3剖面之電場示意圖。在第3A圖中，射頻液晶天線系統10的訊號傳輸部分依據不同位置分為沿著訊號饋入線12與第一接地線13共平面的部分(虛線B1)、共平面朝向微帶線(Micro Strip)的部分(虛線B2)以及微帶線部分(虛線B3)，分別於以下圖中繪示，其中，與前述實施例相同的部分以相同標號標示。
請參閱第3B圖，在訊號饋入線12與第一接地線13共平面的部分，訊號饋入線12與第一接地線13均設置於印刷電路板11上，第一接地線13分別設置於訊號饋入線12的兩側，第一接地線13與訊號饋入線12之間相隔設置間距S。在共平面部分，訊號輸入所產生的電場，由兩側的第一接地線13水平朝向訊號饋入線12。
請參閱第3C圖，在共平面朝向微帶線的部分，第一接地線13上設置了導電結構14，導電結構14與訊號饋入線12之間同樣相隔設置間距S。第一接地線13通過導電結構14將訊號傳送至第二接地線25，因此，在此區的電場除了前述的水平電場，還增加了第二接地線25朝向訊號饋入線的垂直電場。
請參閱第3D圖，在微帶線的部分，由於訊號已通過導電結構14傳送到第二接地線25，因此第二接地線25與訊號饋入線12之間轉為垂直電場，形成了訊號傳輸的路徑，讓訊號輸入源能通過此傳輸路徑將訊號傳送到射頻天線單元。
在上述區域當中，微帶線的阻抗主要是依據訊號饋入線12的長度、寬度及高度來決定，但在共平面及共平面朝向微帶線的部分，其阻抗會受到第一接地線13與導電結構14影響。為了使得上述阻抗能互相匹配，取得在正反兩向的最佳訊號傳輸效率，上述設置間距S應設定在預設範圍而使得各區域的阻抗匹配，減少訊號漏失的問題。在本實施例中，設置間距S可為10~1000µm。
請同時參閱第4圖及第5圖，第4圖為本發明另一實施例之射頻液晶天線系統之示意圖，第5圖為本發明另一實施例之射頻液晶天線系統沿虛線C之剖面示意圖。如圖所示，射頻液晶天線系統30包含印刷電路板31、訊號饋入線32、第一接地線33、導電結構34以及射頻天線單元35。訊號饋入線32設置於印刷電路板31上，耦接於訊號輸入源41，訊號輸入源41可為射頻晶片或耦接於射頻晶片的訊號傳輸線。
第一接地線33與訊號饋入線32同樣設置於印刷電路板31上，第一接地線33設置於訊號饋入線32的兩側並與訊號饋入線32設置於同一平面。第一接地線33耦接於訊號輸入源41，導電結構34設置於第一接地線33上。導電結構34或者第一接地線33與訊號饋入線32之間的設置間距可在10~1000µm。
射頻天線單元35設置在第一玻璃基板42與第二玻璃基板43之間，第一玻璃基板42包含第一表面及相對於第一表面的第二表面，射頻天線單元35設置於第一表面，第二表面則貼合於印刷電路板31及訊號饋入線32上。液晶層44設置於第一玻璃基板42的第一表面上，第二玻璃基板43設置於液晶層44上。射頻天線單元35包含第一電極及第二電極，通過第一電極與第二電極間的電壓變化使得液晶層44當中液晶分子轉向，改變介電係數來調整射頻天線的共振頻率。射頻天線單元35的第一電極包含第二接地線45，第二接地線45延伸至導電結構34，通過導電結構34與第一接地線33電性連接。通過第一接地線33與第二接地線45的設置，形成射頻液晶天線系統30當中的傳輸線路。
由於第一接地線33及第二接地線45是同時做為控制液晶的電極以及作為傳送射頻訊號的接地端，為避免射頻訊號的高頻訊號(大約15GHz)受到液晶切換的低頻訊號(大約60Hz)影響，在本實施例中，導電結構34與第二接地線45之間進一步設置介電層36，介電層36可為介電材料，通過計算介電材料體積的電容值，例如範圍在25~70nF，進而達到高通濾波器的功能，阻絕第一接地線33與液晶材料切換的低頻訊號，保留高頻電磁波的傳遞路徑，避免受到低頻訊號的影響。其中，介電材料可包括氟化鎂(MgF
2)、二氧化矽(SiO
2)、氟化鈣(CaF
2)、氟化鋇(BaF
2)、金屬氮化物或氧化鋁(A1
2O
3)，前述材料僅為列舉，而未侷限於本發明所列舉的範圍。
請參閱第5圖，射頻天線單元35與訊號饋入線32重疊以形成重疊區域OA，訊號饋入線32由重疊區域OA一直到饋入線末端具有延伸距離Stub。在本實施例中，延伸距離Stub的範圍可為0.15~0.3λ
eff，在另一實施例中，延伸距離Stub可約為2.5λ
eff，λ
eff為介電材料內之波長。設定延伸距離Stub的原因是饋入線末端的結構在能量傳遞的過程會造成溢散，往兩側及末端產生洩漏波，對越高頻的天線其洩漏的能量越高。另外，訊號饋入線32尾端的背向輻射，由於破壞性的干涉而直接影響到正向的電場場型，在多個射頻天線單元35形成矩陣時，也會與其他天線共振而影響天線頻率。因此，設定延伸距離Stub可依據射頻天線單元35及其所需頻率進行調整。
請參閱第6A圖及第6B圖，其為本發明實施例之射頻天線單元之示意圖。如圖所示，第6A圖為射頻天線單元之平面示意圖，第6B圖為沿著第6A圖中虛線D之剖面示意圖。如圖所示，射頻天線單元50的訊號饋入線52設置在印刷電路板51與第一玻璃基板62之間，射頻天線單元50包含第一電極層E1及第二電極層E2，第一電極層E1設置在第一玻璃基板62的上表面上，第二電極層E2設置在第二玻璃基板63的下表面上，液晶層64設置在第一電極層E1與第二電極層E2之間，通過第一電極層E1與第二電極層E2的電壓控制液晶層64當中液晶分子的轉向，進而改變著液晶材料的介電係數，使得金屬電極與液晶材料之間形成等效電感與電容的共振電路(LC resonance circuit)，進而調整射頻天線單元的共振頻率。第一電極層E1為包含第二接地線65及輔助電極65A，輔助電極65A為矩形電極，輔助電極65A通過連接線路65L與第二接地線65電性連接。第二電極層E2為環形電極，矩形電極與環形電極部分重疊。
在本實施例中，第一電極層E1包含矩形電極，第二電極層E2包含環形電極，但本揭露不侷限於此，在其他的射頻天線單元當中，第一電極層E1也可為環狀電極而第二電極層E2包含矩形電極。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
10, 30:射頻液晶天線系統
11, 31, 51:印刷電路板
12, 32, 52:訊號饋入線
13, 33:第一接地線
14, 34:導電結構
15, 35, 50:射頻天線單元
21, 41:訊號輸入源
22, 42, 62:第一玻璃基板
23, 43, 63:第二玻璃基板
24, 44, 64:液晶層
25, 45, 65:第二接地線
36:介電層
65A:輔助電極
65L:連接線路
A, B1~B3, C, D:虛線
E1:第一電極層
E2:第二電極層
H:饋入線長度
OA:重疊區域
S:設置間距
Stub:延伸距離
W:設置寬度
為使本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達成之功效更為顯而易見，茲將本發明配合附圖，並以實施例之表達形式詳細說明如下：
第1圖為本發明實施例之射頻液晶天線系統之示意圖。
第2圖為本發明實施例之射頻液晶天線系統沿虛線A之剖面示意圖。
第3A~3D圖為本發明實施例之訊號饋入線與第一接地線設置關係之示意圖。
第4圖為本發明另一實施例之射頻液晶天線系統之示意圖。
第5圖為本發明另一實施例之射頻液晶天線系統沿虛線C之剖面示意圖。
第6A圖及第6B圖為本發明實施例之射頻天線單元之示意圖。
10:射頻液晶天線系統
11:印刷電路板
12:訊號饋入線
13:第一接地線
14:導電結構
15:射頻天線單元
21:訊號輸入源
22:第一玻璃基板
23:第二玻璃基板
24:液晶層
25:第二接地線
H:饋入線長度
W:設置寬度
Claims (8)
- 一種射頻液晶天線系統，其包含：一印刷電路板；一訊號饋入線，設置於該印刷電路板上，耦接於一訊號輸入源；一第一接地線，設置於該印刷電路板上，該第一接地線設置於該訊號饋入線的兩側並與該訊號饋入線同一平面；一導電結構，設置於該第一接地線上，該導電結構與該訊號饋入線相隔一設置間距；一射頻天線單元，包含一第一電極及一第二電極，該第一電極包含一第二接地線，該第二接地線藉由該導電結構電性連接該第一接地線；一第一玻璃基板，包含一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面，該第二表面貼合於該印刷電路板及該訊號饋入線上；一液晶層，設置於該第一表面上；以及一第二玻璃基板，設置於該液晶層上，該射頻天線單元設置於該第一玻璃基板與該第二玻璃基板之間。
- 如請求項1所述之射頻液晶天線系統，其中該導電結構與該第二接地線之間設置一介電層，該介電層包含一介電材料。
- 如請求項2所述之射頻液晶天線系統，其中該介電層的電容值範圍為25~70nF。
- 如請求項1所述之射頻液晶天線系統，其中該設置間距的範 圍為10~1000μm。
- 如請求項1所述之射頻液晶天線系統，其中該第一電極包含一輔助電極，該輔助電極通過一連接線路電性連接該第二接地線。
- 如請求項1所述之射頻液晶天線系統，其中該第二電極包含一環形電極。
- 如請求項2所述之射頻液晶天線系統，其中該第二電極於該訊號饋入線的重疊區域至該訊號饋入線的末端具有一延伸距離，該延伸距離為0.15~0.3λeff，λeff為該介電材料內之波長。
- 如請求項1所述之射頻液晶天線系統，其中該第一接地線於一第一方向上包含一設置寬度，該訊號饋入線於該第一方向上具有一饋入線長度，該設置寬度與該饋入線長度具有一預定比例。
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