TWI827856B - 導電層疊構和折疊式電子裝置 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 151
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 151
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 106
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 94
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 71
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 33
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 25
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 17
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 14
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 1
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 698
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 53
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=CC1=CC=CC=C1 AGBXYHCHUYARJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
一種導電層疊構，包含導電層和增厚層，導電層沿第一方向延伸。增厚層位於導電層上方或下方。導電層疊構在曲率半徑R=3毫米，垂直或平行第一方向彎折180°時，可承受折疊次數超過40000次不斷裂。在此亦提供折疊式電子裝置。
Description
本揭示內容係關於導電層疊構，特別是用於折疊式電子裝置的走線中的導電層疊構。
電子元件不斷趨向小型化、高速化發展，其中可保有高性能且讓電子元件具有柔軟性的可撓式電子技術為下一世代最受矚目的新技術，包含可撓式面板、顯示器、電池、穿戴式電子裝置等。
但是，在折疊式電子裝置中，在彎折處的走線經過多次彎折可能容易出現斷裂問題，從而影響信號的傳送，而影響折疊式電子裝置的性能。
有鑑於上述問題，本揭示內容的目的在於提供一種具有增厚層的導電層疊構，以提高折疊式電子裝置的耐彎折性。
本揭示內容的一些實施方式提供了一種導電層疊構，包含導電層以及增厚層。導電層沿第一方向延伸。增厚層位在導電層上方或下方，且導電層疊構在曲率半徑R=3毫米，垂直或平行第一方向延伸方向彎折180°時，可承受折疊次數超過40000次不斷裂。
在一些實施方式中，增厚層在第一方向上的長度大於9毫米且不超過導電層沿第一方向延伸的長度。
在一些實施方式中，增厚層在第一方向上的長度大於15毫米且不超過導電層沿第一方向延伸的長度。
在一些實施方式中，導電層疊構的彎折軸心與增厚層兩端的夾角為180°~360°。
在一些實施方式中，增厚層使導電層疊構彎折時的應力應變量增加0.1至10%，且導電層疊構的曲率半徑減小0.5至3毫米。
在一些實施方式中，增厚層位於導電層疊構彎折時的應力拉伸側。
在一些實施方式中，提出了一種折疊式電子裝置，其包含以上和以下的實施方式或實施例所描述的導電層疊構。
本揭示內容的一些實施方式提供了一種折疊式電子裝置，包含顯示區以及非顯示區。非顯示區位在顯示區外側，其中非顯示區具有複數條走線其沿第一方向延伸，所述複數條走線中的每一條走線包含：基板和導電層其位在基板上方。其中非顯示區具有局部增厚區域，其包含折疊式電子裝置的彎折處，在局部增厚區域中這些複數條走線中的每一條走線更包含增厚層，其在導電層上方或下方，且位在折疊式電子裝置彎折時的應力拉伸側。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，局部增厚區域的寬度其沿著垂直於第一方向的第二方向延伸，且這些走線中的一走線寬度為W1
，這些走線之間的間距為P1
，這些走線的數目為N，局部增厚區域的寬度範圍在介於W1
至 (W1
+P1
) x N 之間。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，增厚層沿第一方向的長度大於3毫米。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，增厚層為由金屬材料形成，且增厚層與導電層的厚度的比值為約0.05~5。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，增厚層為由非金屬材料或複合導電材料形成，且增厚層與導電層的厚度的比值為約0.1~50。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，增厚層為由金屬材料形成，且基板的厚度乘以基板的楊氏模量的值為約100~300，導電層的厚度乘以導電層的楊氏模量的值為約20~70，增厚增的厚度乘以楊氏模量的值為約5~30。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，增厚層為由非金屬材料或複合導電材料形成，且基板的厚度乘以基板的楊氏模量的值為約100~300，導電層的厚度乘以導電層的楊氏模量的值為約20~70，增厚層的厚度乘以增厚層的楊氏模量的值為約2~60。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，增厚層包含：第一聚合物層和第二聚合物層。第二聚合物層在第一聚合物層上方，其中第一聚合物層的材料不同於第二聚合物層的材料。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，第一聚合物層的楊氏模量與第二聚合物層的楊氏模量的比值為約103
~106
。
在一些實施方式中，在折疊式電子裝置中，第一聚合物的厚度與導電層的厚度的比值為約30~100，第二聚合物的厚度與導電層的厚度的比值為約30~100，且第一聚合物的厚度與第二聚合物的厚度的比值為約0.5~2。
本揭示內容提供了許多不同的實施方式或實施例，以實現本揭示內容的不同的特徵。以下描述組件和配置的具體實施例，以簡化本揭示內容。這些當然僅是實施例，並不意圖為限制性的。例如，在隨後的描述中，第二特徵形成於第一特徵上方或之上，可能包括其中第一和第二特徵形成直接接觸的實施方式，並且還可能包括在第一和第二特徵之間可能形成附加的特徵，因此第一和第二特徵可能不是直接接觸的實施方式。
可能在此使用空間上的相對用語，諸如「之下」、「低於」、「下部」、「高於」、「上部」、和類似用語，以描述如在圖式中所繪示的一個元件或特徵與另一個元件或特徵之間的關係。除了在圖式中所描繪的方向之外，空間上的相對用語旨在涵蓋裝置或設備在使用中或操作中的不同位向。裝置或設備可能有其他位向(旋轉90度或其他位向)，並且此處所使用的空間上相對用語也可能相應地解釋。
目前在顯示裝置中，常用例如氧化銦錫(ITO)的金屬氧化物為導電層疊構的材料，形成走線。但是，氧化銦錫等金屬氧化物材料脆性大、柔性差，因此製成的導電層疊構容易折斷。此外，在以奈米銀為導電層的導電層疊構中，由於在顯示裝置的彎折區除了奈米銀線外仍包含其他的金屬的導線，其金屬材料本身能承受的應力值相對小，易產生形變而造成電阻值升高。
折疊式電子裝置的走線設計有兩個重點：其一，由於彎折處必須承受數萬次的折疊，彎折處需要具有一定的結構強度；其二，折疊式電子裝置的走線需具有較好的可折疊性，亦即具有較小的彎折的曲率半徑。
本揭示內容的一些實施方式提供一種導電層疊構，在承受最大應力的彎折處的拉伸側，增加了增厚層，因此達到在較小的曲率半徑時折疊特性的提升。
在一些實施方式中，導電層疊構可形成為電子裝置的走線，應用於可折疊的電子裝置中，例如，具有面板的電子裝置，諸如，手機、平板、穿戴式電子裝置(例如智慧手環、智慧手錶、虛擬實境裝置等)、電視、顯示器、筆記型電腦、電子書、數位相框、導航儀、或類似者。
第1A圖繪示根據本揭示內容的一些實施方式的面板的示意圖。面板100為折疊式面板，可沿線AA為軸彎折(垂直走線延伸方向)，或是沿線BB為軸彎折(平行走線延伸方向)。在面板100的邊緣具有多個走線110用以傳導信號。如圖所示，面板100的走線110所在的位置具有多個局部增厚的區域112、114、和116。
第1B圖為根據一些實施方式，沿著第1A圖的局部增厚的區域114中的線CC的走線(導電層疊構)局部的截面示意圖。導電層疊構120包含基板122、在基板122上方的金屬層124、在金屬層124上方的增厚層126、以及在增厚層126上方的導電層128。其中，基板122、金屬層124、和導電層128為在走線110的其他區域也具有的層面。在一些實施方式中，在走線110的局部區域中(例如，在導電層疊構120中)，在金屬層124和導電層128之間增加了增厚層126。在另一些實施方式中，沿著走線110延伸方向的增厚層126的長度不大於導電層128的長度。
在一些實施方式中，基板122的材料可為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、環烯烴聚合物(Cyclo olefin polymer，COP)、聚醯亞胺(polyimide，PI)、聚碳酸酯(polycarbonate， PC)、無色聚醯亞胺(Colorless Polyimide，CPI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、或類似者。在一些實施方式中，金屬層124的材料可為金、鈀、銀、銅、鎳、其合金、或其組合。在一些實施方式中，導電層118的材料可為氧化銦錫(ITO)、奈米銀線、金屬網格、導電高分子(例如：聚(3,4－伸乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸) (PEDOT/PSS))、奈米碳管、石墨烯、或類似者。
在一些實施方式中，增厚層126的材料可為金屬、非金屬、或複合導電材料。金屬可例如為金、鈀、銀、銅、鎳、其合金、或其組合。非金屬可例如為高分子絕緣材料(例如：保護層)或高分子導電材料(例如：PEDOT/PSS)。複合導電材料可例如為奈米銀/碳黑/奈米碳管/石墨烯摻雜金屬粒子和樹酯。在一些實施方式中，增厚層的材料與在其下方的層的材料具有好的連接與附著而形成良導體。
在一些實施方式中，形成增厚層可經由圖案化製程達成，例如：微影(Lithography)、噴墨列印(IJP)、噴塗(Spray)、絲網印刷(Screen printing)、柔版印刷(Flexo printing)、或類似者。
請參看第1C圖，在另一些實施方式中，沿著第1A圖的局部增厚的區域114中的線CC的走線部分(導電層疊構)為第1C圖所示的導電層疊構130。導電層疊構130包含基板132、在基板132上方的導電層134、在導電層134上方的金屬層136、以及在金屬層136上方的增厚層138。其中，基板132、導電層134、和金屬層136為在走線110的其他區域也具有的層面。在一些實施方式中，在走線110的局部區域中(例如，在導電層疊構130中)，在導電層134和金屬層136上方增加了增厚層138。在另一些實施方式中，沿著走線110延伸方向的增厚層138的長度不大於導電層134的長度。
導電層疊構130的各個層的材料可與第1B圖的導電層疊構120的各個層的材料相同，並且可利用如上述相同的製程而形成。
請參看第1D圖，在又另一些實施方式中，沿著第1A圖的局部增厚的區域114中的線CC的走線部分(導電層疊構)為第1D圖所示的導電層疊構140。導電層疊構140包含基板142、在基板142上方的金屬層144、在金屬層144上方的導電層146、以及在導電層146上方的增厚層148。其中，基板142、金屬層144、和導電層146為在走線110的其他區域也具有的層面。在一些實施方式中，在走線110的局部區域中(例如，在導電層疊構140中)，在金屬層144和導電層146上方增加了增厚層148。在另一些實施方式中，沿著走線110延伸方向的增厚層138的長度不大於導電層134的長度。
導電層疊構140的各個層的材料可與第1B圖的導電層疊構120的各個層的材料相同，並且可利用如上述相同的製程而形成。
請參看第1E圖，其為第1A圖的局部增厚的區域114的放大示意圖。走線110的寬度尺寸為W1，走線間之間的間距尺寸為P1，第1A圖的虛線AA為裝置彎折時
的彎折線。在一些實施方式中，具有增厚層的區域為在非顯示區的走線的部分中。在第一方向(走線延伸的方向，亦即y方向)上，具有增厚層的區域的長度為L1。
在一些實施方式中，在第二方向上(與第一方向垂直的方向，亦即x方向)，增厚層的寬度可能為單個走線110的寬度，亦即，個別的增厚層位在不同的走線中。也就是說，增厚層的寬度尺寸為W1。在另一些實施方式中，當增厚層由非金屬材料形成，例如聚合物材料，可形成一整體的增厚層其位於複數條走線110的範圍中，亦即，一單獨的增厚層覆蓋複數條走線110的導電層。也就是說，當有N條走線時，增厚層的寬度尺寸Wt為等於或略大於N x W1+(N-1)x P1。或者，增厚層的寬度尺寸Wt為約等於N x(W1+P1)。因此，增厚層在第二方向上的寬度尺寸範圍可介於約W1和約(W1+P1)x N之間。
第2A圖和第2B圖繪示導電層疊構的彎折區在彎折狀態的示意圖。增厚層所覆蓋的區域的長度與彎折時的曲率半徑和彎折角度相關。在第2A圖所繪示的導電層疊構20中，導電層疊構沿著第一方向(x方向)延伸，增厚層26位於基板22和走線材料層(金屬或非金屬)24上方。在第2A圖中，曲率半徑為R1，彎折的角度為θ1，增厚層26的長度為W1。在第2B圖的導電層疊構30中，曲率半徑為R2，彎折的角度為θ2，增厚層36位於基板32和走線材料層34上方且長度為W2。
在一些實施方式中，增厚層沿第一方向的長度取決於可折疊的電子裝置的曲率半徑和彎折的角度。在一些實施方式中，導電層疊構的曲率半徑為1毫米，彎折的角度為180度，增厚層沿第一方向的長度至少為3毫米。
在一些實施方式中，導電層疊構沿著第一方向延伸，增厚層在第一方向上在彎折區的長度取決於電子元件裝置的彎折時的曲率半徑和彎折的角度，增厚層長度至少需要大於對應曲率半徑180°的弧長範圍。
在一些實施方式中，增厚層的長度範圍大於15毫米(mm)，彎折軸心與增厚層兩端的夾角為180°~360° (隨增厚層長度而異)；相較於沒有設置增厚層的導電層疊構，本揭示內容的實施方式中的導電層疊構對於彎折時的應力應變量能增加0.1至10%，導電層疊構的曲率半徑能減小0.5至3毫米。
在一些實施方式中，導電層疊構沿第一方向延伸，在第一方向上增厚層的長度為大於9毫米，當以曲率半徑為約3毫米彎折時，曲率半徑的中心點與增厚層兩端的夾角約180°。
在另一些實施方式中，導電層疊構沿第一方向延伸，在第一方向上增厚層的長度為大於15毫米，當以曲率半徑為約5毫米彎折時，曲率半徑的中心點與增厚層兩端的夾角約180°。
在一些實施方式中，導電層沿第一方向延伸，增厚層在第一方向上的長度與導電層沿第一方向延伸的長度比值為0.001~1，例如0.001、0.005、0.01、0.02、0.05、0.08、0.1、0.2、0.5、0.8。
在一些實施方式中，本揭示內容的導電層疊可應用於可折疊的電子裝置的走線。可折疊的電子裝置包含第一部分、可重覆折疊區域其連接第一部分、以及第二部分其連接可重覆折疊區域。走線在可重覆折疊區域中包含增厚層，位於可折疊的電子裝置折疊時的拉伸應力承受側，用以降低走線斷裂的風險。其中第一部分和第二部分在可折疊的電子裝置非折疊時的角度可能為150度-180度或180度-210度，且第一部分和第二部分在可折疊的電子裝置呈折疊時的角度可能為0度-30度或330度-360度。
當導電層疊構形成為導電的走線應用於折疊式電子裝置中，在多次彎折應力的作用下，導電的走線的電阻改變(增加)應盡可能小。一旦導電的走線發生破裂或斷裂，導電的走線的電阻增大甚至失效，會導致折疊式電子裝置的性能劣化甚至故障。其中本文所述定義之斷裂為導電的走線電阻增大超過10%。
以下結合比較例(參看第3A圖至第3B圖)和實驗例(參見第4圖至第4C圖)，說明本案實施方式的導電層疊構的彎折試驗的測試結果。
進行彎折試驗採用湯淺電池(Yuasa Battery)公司生產的型號為DMLHP-CS的彎折機進行對各實施例和對比例的導電層疊構進行測試。試驗條件為曲率半徑為3毫米，彎折頻率為每分鐘30次，最大的折疊力為4 Nm。然後記錄不同的導電層疊構的彎折次數及電阻變化百分比。
第3A圖繪示根據一些比較例的導電層疊構40在彎折狀態的示意圖；第3B圖繪示導電層疊構40在非彎折狀態的示意圖。導電層疊構40包含基板42、和在基板42上方的金屬層44。此外，導電層疊構40的線長為100μm。在導電層疊構40中，基板42的材料為PET，厚度為50微米，楊氏模量為2~3GP。金屬層44的材料為銅層，厚度為0.3微米，楊氏模量為140Gpa。在第3B圖中所示的虛線為彎折時的中性軸的位置。
以下表一為不同的比較例的導電層疊構，以曲率半徑3毫米，角度180°進行的彎折試驗的結果。其中比較例中的金屬層(銅層)分別以濺鍍、或不同的電鍍製程(亦即化學鍍(一)、(二)、(三))形成。
由表一可知，在以曲率半徑3毫米，經過2萬次的折疊後，上述各個比較例的導電層疊構的電阻明顯的增加。其中採用電鍍(一)、電鍍(二)、和電鍍(三)製程所形成的導電疊構走線電阻的變化大於10%。
第4A圖繪示根據一些實驗例的導電層疊構50在非彎折狀態的示意圖。導電層疊構50包含基板52、在基板52上方的導電層54、在導電層54上方的金屬層56、和在金屬層56上方的增厚層58。其中，增厚層58的材料為銅。在第4A圖中所示的虛線為彎折時的中性軸的位置。
第4B圖繪示根據一些實驗例的導電層疊構60在非彎折狀態的示意圖。導電層疊構60包含基板62、在基板62上方的導電層64、在導電層64上方的金屬層66，以及在金屬層66上方的增厚層68。其中，基板62由PET形成，厚度為50微米。導電層64包含奈米銀材料，厚度為0.2-0.5μm。金屬層66的材料為銅，厚度為0.2-0.5μm。增厚層68的為一聚合物層，其材料為壓克力，厚度為5至10μm。在第4B圖中所示的虛線為彎折時的中性軸的位置。
以下表二為不同的如第4B圖所示的實施例的導電層疊構，以曲率半徑3毫米，角度180°進行的彎折試驗的結果。其中對照組為未塗佈聚合物(不含增厚層)的導電疊構。
表二
| 銅層的形成方式 | 疊構的設計 | 走線電阻的變化(RL ) (%) | |||
| 1萬次 | 2萬次 | 4萬次 | 16萬5千次 | ||
| 電鍍(一) | 未塗佈聚合物 | 0 | 27 | 86 | - |
| 塗佈聚合物層 | -1 | - | 1 | 3536% | |
| 電鍍(二) | 未塗佈聚合物 | 0.4 | 57 | 6589 | - |
| 塗佈聚合物層 | -1 | - | 3 | 9653% |
由表二可知，在經過4萬次的折疊後，上述各個實施例的導電層疊構的電阻沒有明顯的變化；相反地，未塗佈聚合物的導電層疊構的走線電阻明顯地上升，代表有線路斷裂的情況。因此，實施例的導電層疊構有更好的耐彎折性，顯著地優於未塗佈聚合物的對照組導電層疊構。
第4C圖繪示根據一些實驗例的導電層疊構70在非彎折狀態的示意圖。導電層疊構70包含基板72、在基板72上方的導電層74、在導電層74上方的金屬層76，在金屬層76上方的第一聚合物層78、以及在第一聚合物層78上方的第二聚合物層80。也就是說，在導電層疊構70中，增厚層為異質性聚合物形成的多層，包含第一聚合物層78和第二聚合物層80。在導電層疊構70中，基板72由PET形成，厚度為50微米。導電層74包含奈米銀材料，厚度為100 nm以下。金屬層76的材料為銅，厚度為0.2~0.5μm。第一聚合物層78的材料為光學膠(OCA)，厚度為50微米。第二聚合物層80的材料為PET，厚度為50微米。在第4C圖中所示的虛線為彎折時的中性軸的位置。
以下表三為不同的實施例的導電層疊構，以曲率半徑3毫米，角度180°進行的彎折試驗的結果。其中對照組為未塗佈聚合物(不含增厚層)的導電疊構。在表三中，含OCA層/PET層的導電層疊構相當於第4C 圖所示的實施例的結構。
表三
| 銅層的形成方式 | 疊構的設計 | 走線電阻的變化(RL ) (%) | |||||
| 1萬次 | 2萬次 | 4萬次 | 6萬次 | 16萬5千次 | 20萬次 | ||
| 電鍍(一) | 未塗佈聚合物 | 0 | 27 | 86 | - | - | - |
| OCA層/PET層 | - | - | 1 | 1 | 1 | 1 | |
| 電鍍(二) | 未塗佈聚合物 | 0.4 | 57 | 6589 | - | - | - |
| OCA層/PET層 | - | - | 1 | 2 | 2 | 2 | |
| 電鍍(三) | 未塗佈聚合物 | 9.7 | 34 | 466 | - | - | - |
| OCA層/PET層 | - | - | 0 | 1 | 1 | 0 |
由表三可知，在經過4萬次的折疊後，上述具有第一聚合物層和第二聚合物層的實施例的導電層疊構的電阻沒有明顯的變化；並且，在經過6萬次、16萬5千次、和20萬次的折疊後，上述導電層疊構的電阻也沒有明顯的變化。亦即，在經過多次折疊後，導電層疊構沒有斷裂的情況。因此，這些實施例的導電層疊構有更好的耐彎折性，顯著地優於未塗佈聚合物的對照組導電層疊構。
第5A圖至第5D圖繪示根據本揭示內容的一些實施方式的導電層疊構的示意圖。
第5A圖繪示導電層疊構210，其包含基板212、在基板212上方的走線材料層214、和在走線材料層214上方的增厚層216。其中，走線材料層214的材料可為金屬、非金屬、或其組合。增厚層216的材料可為金屬、非金屬、或複合導電材料。
在一些實施方式中，當增厚層216的材料為金屬時，增厚層216的厚度與走線材料層214的厚度比值為0.05~5，例如，0.05~0.5、0.1~1、0.5~2、或2~5。
在一些實施方式中，當增厚層216的材料為非金屬或複合導電材料時，增厚層216的厚度與走線材料層214的厚度比值為0.1~50，例如0.1~10、10~20、或20~50。
在一些實施方式中，導電層疊構210的基板212的厚度(單位：μm)乘以楊氏模量(單位：Gpa)的值為約100~300，走線材料層214的厚度乘以楊氏模量的值為約20~70，增厚層216的材料為金屬，且增厚層216的厚度乘以楊氏模量的值為約5~30。
在一些實施方式中，導電層疊構210的基板212的厚度乘以楊氏模量的值為約100~300，走線材料層214的厚度乘以楊氏模量的值為約20~70，增厚層216的材料為非金屬或複合導電材料，且增厚層216的厚度乘以楊氏模量的值為約2~60。
第5B圖繪示導電層疊構220，其包含基板222、在基板222上方的走線材料層224、在走線材料層224上方的第一聚合物層226、和在第一聚合物層226上方的第二聚合物層228。在導電層疊構220中，基板222和走線材料層224的材料類似於第5A圖所示的導電層疊構210的基板212和走線材料層214。在導電層疊構220中，增厚層為異質性聚合物形成的多層，包含第一聚合物層226和第二聚合物層228。第一聚合物層226和第二聚合物層228為不同的聚合物材料。在一些實施方式中，第一聚合物層226與第二聚合物層228的楊氏模量的比值為約103
~106
，例如，第一聚合物層226由OCA形成，第二聚合物層228由PET形成。在導電層疊構220中，第一聚合物層226的厚度與走線材料層224的厚度的比值為約30至100，第二聚合物層228的厚度與走線材料層214的厚度的比值為約30至100，並且第一聚合物層的厚度與第二聚合物層的厚度的比值為約0.5至2。
在一些實施方式中，導電層疊構220的基板222的厚度乘以楊氏模量的值為約100~300，走線材料層224厚度乘以楊氏模量的值為約20~70，第一聚合物層226的厚度乘以楊氏模量的值為約2~60，第二聚合物層228的厚度乘以楊氏模量的值為約100~300。
第5C圖繪示導電層疊構230，其包含基板232、在基板232上方的觸媒層(Catalyst layer)234、在觸媒層234上方的導電層236、和在導電層236上方的增厚層238。在導電層疊構230中，基板232、和增厚層238類似於第5A圖所示的導電層疊構210中的基板212、和增厚層216。在一些實施方式中，觸媒層234的材料可能為鈀、銠、鉑、銥、鋨、金、鎳、鐵等其中任意一種金屬。在導電層疊構230中，導電層236的材料為金屬，例如可經由化學鍍製程而形成銅層在觸媒層234之上，並且導電層236的厚度與觸媒層234的厚度的比值為約0.5~5、或約2~10。
第5D圖繪示導電層疊構240，其包含基板242、在基板232上方的觸媒層244、在觸媒層244上方的導電層246、在導電層246上方的第一聚合物層248、和在第一聚合物層248上方的第二聚合物層250。在導電層疊構240中，基板242、第一聚合物層248、和第二聚合物層250類似於第5B圖所示的導電層疊構220中的基板222、第一聚合物層226、和第二聚合物層228。在一些實施方式中，觸媒層244的材料可能為鈀、銠、鉑、銥、鋨、金、鎳、鐵等其中任意一種金屬。在導電層疊構240中，導電層246的材料為金屬，例如可經由化學鍍製程而形成銅層在觸媒層244之上，並且導電層246的厚度與觸媒層244的厚度的比值為約0.5~5、或約2~10。
第6A至第6F圖繪示根據一些實施方式的導電層疊構應用於單面折疊式電子裝置的示意圖。
第6A圖為導電層疊構310以U型折疊時的示意圖，第6B圖為導電層疊構310展開時的示意圖。
導電層疊構310包含基板312、在基板312上方的金屬層314、和在金屬層上方的導電層318，增厚層316在形成在彎折處的金屬層314和導電層318之間。在一些實施方式中，在彎折處，金屬層314之上先局部增厚，形成材料為金屬或複合導電複合的增厚層316，之後塗覆包含奈米銀線的導電層318。
第6C圖為導電層疊構330以U型折疊時的示意圖，第6D圖為導電層疊構330展開時的示意圖。
導電層疊構330包含基板332、在基板332上方的金屬層334、和在金屬層上方的導電層336，增厚層338在形成在彎折處的導電層336之上。在一些實施方式中，在彎折處，先塗覆包含奈米銀線的導電層336，之後，在局部形成材料為金屬、非金屬、或複合導電材料的增厚層338。
第6E圖為導電層疊構350以U型折疊時的示意圖，第6F圖為導電層疊構350展開時的示意圖。
導電層疊構350包含基板352、在基板352上方的導電層354、和在導電層354上方的金屬層356，增厚層358在形成在彎折處的金屬層356之上。在一些實施方式中，在彎折處，在金屬層356之上局部地形成材料為金屬、非金屬、或複合導電材料的增厚層358。
第7A至第7F圖繪示根據一些實施方式的導電層疊構應用於雙面折疊式電子裝置的示意圖。
第7A圖為導電層疊構410以S型折疊時的示意圖，第7B圖為導電層疊構410展開時的示意圖。
導電層疊構410包含具有雙側金屬膜的結構層414、在具有雙側金屬膜的結構層414的兩側上的導電層412和418，以及位在彎折處的增厚層416。
具有雙側金屬膜的結構層414包含基板414B，在基板414B的雙側上形成金屬層414A和414C。在彎折處，增厚層416位在介於金屬層414A之間和導電層412之間，以及位在介於金屬層414C和導電層418之間。在一些實施方式中，在彎折處，金屬層314之上先局部增厚，形成材料為金屬或複合導電材料的增厚層416，之後塗覆包含奈米銀線的導電層412和418。
第7C圖為導電層疊構430以S型折疊時的示意圖，第7D圖為導電層疊構430展開時的示意圖。
導電層疊構430包含具有雙側金屬膜的結構層434、在具有雙側金屬膜的結構層434的兩側上的導電層432和436，以及位在彎折處的增厚層438。
具有雙側金屬膜的結構層434包含基板434B，在基板434B的雙側上形成金屬層434A和434C。在彎折處，增厚層438位在導電層432和436上。在一些實施方式中，先塗覆包含奈米銀線的導電層432和436之後，在彎折處，形成材料為金屬、非金屬、或複合導電材料的增厚層438。
第7E圖為導電層疊構450以S型折疊時的示意圖，第7F圖為導電層疊構450展開時的示意圖。
導電層疊構450包含具有雙側導電膜(例如，透明導電層)的結構層454、在具有雙側導電膜的結構層454的兩側上的金屬層452和456，以及位在彎折處的增厚層458。
具有雙側導電膜的結構層454包含基板454B，在基板454B的雙側上形成導電層454A和454C。在一些實施方式中，在彎折處，在金屬層452和456之上局部地形成材料為金屬、非金屬、或複合導電材料的增厚層458。
以下提供具有增厚層的導電層疊構的折疊式裝置製造方法。
第8A圖至第8I圖繪示根據一些實施方式的一製程，形成一折疊式電子裝置其層面依序包含單側的金屬膜(single-side metal film，SMF)、選擇性成長的金屬(selective growth metal，SGM)和導電層，其中增厚層為金屬材料。
如第8A圖所示，提供具有金屬層504的基板502。可能利用濺鍍或電鍍，將例如銅的金屬材料形成在基板502上。
如第8B圖所示，之後形成光阻層506在金屬層504上，並且進行曝光和顯影而圖案化光阻層506。
如第8C圖所示，之後進行蝕刻製程，將未被圖案化的光阻層506遮蓋的金屬層504的部分蝕刻，形成圖案化的金屬層504。之後剝離光阻層506。
如第8D圖所示，形成光阻層510於圖案化的金屬層504的間隔之間，並進行曝光和顯影。之後在金屬層504上方選擇性成長增厚層508。在一些實施方式中，經由濺鍍或電鍍，將銅材料形成在金屬層504之上。
如第8E圖所示，移除光阻層510，並且在基板502上、金屬層504上和增厚層508上設置導電層512。在一些實施方式中，可經由塗覆的方式，將含有奈米銀線或ITO的導電材料形成為導電層512。
如第8F圖所示，設置光阻層514，並且曝光和顯影而形成圖案化的光阻層514。
如第8G圖所示，之後進行蝕刻，蝕刻未被圖案化的光阻層遮蓋的導電層512、增厚層508、和金屬層504。因此，形成了複數個分隔的走線。
如第8H圖所示，將光阻層514剝離。
如第8I圖所示，在基板502、金屬層504、增厚層508、和導電層512上方設置保護層(over coating)516。在第8I圖所示的結構中，在走線中，增厚層508位於金屬層504和導電層512之間。
第9A圖至第9J圖繪示根據一些實施方式的一製程，形成一折疊式電子裝置其層面依序包含單側的金屬膜、導電層、和選擇性成長的金屬，其中增厚層為金屬材料。
如第9A圖所示，提供具有金屬層524的基板522。可能利用濺鍍或電鍍，將例如銅的金屬材料形成在基板522上。
如第9B圖所示，在金屬層524上方形成光阻層526，並經曝光和顯影而形成圖案化的光阻層526。
如第9C圖所示，之後進行蝕刻製程，將未被圖案化的光阻層526遮蓋的金屬層524的部分蝕刻，形成圖案化的金屬層。之後剝離光阻層526。
如第9D圖所示，在基板522和金屬層524之上設置導電層528。可經由塗覆的方式，將含有奈米銀線或ITO的導電材料形成為導電層528。
如第9E圖所示，形成光阻層530，並經曝光和顯影形成圖案化的光阻層530。
如第9F圖所示，在導電層上方未被圖案化的光阻層530覆蓋的區域設置增厚層532。在一些實施方式中，可經由選擇性成長，例如將銅材料濺鍍或電鍍在導電層528上。
如第9G圖所示，剝離光阻層530。
如第9H圖所示，形成光阻層534，並經曝光和顯影而形成圖案化的光阻層534。
如第9I圖所示，之後進行蝕刻，移除未被圖案化的光阻層534遮蓋的增厚層532、導電層528、和金屬層524。因此，形成複數個分隔的走線。之後剝離光阻層534。
如第9J圖所示，在基板522、金屬層524、導電層528、和增厚層532上方設置保護層536。在第9J圖所示的結構中，在走線中，增厚層532位於金屬層524和導電層528二者的上方。
第10A圖至第10G圖繪示根據一些實施方式的一製程，形成一折疊式電子裝置其層面依序包含導電層、單側的金屬膜、和選擇性成長的金屬，其中增厚層為金屬材料。
如第10A圖所示，首先提供提供包含導電層604(透明導電膜)的基板602，之後在導電層604之上設置金屬層606。在一些實施方式中，可經由濺鍍或電鍍，將銅材料形成在導電層604之上。
如第10B圖所示，形成光阻層608，並經曝光和顯影而形成圖案化的光阻層608。
如第10C圖所示，在金屬層606未被光阻層608遮蓋的部分之上設置增厚層610。在一些實施方式中，可經由選擇性成長金屬層，例如濺鍍或電鍍，將銅材料設置於金屬層606之上。
如第10D圖所示，剝離光阻層608。
如第10E圖所示，在增厚層610和金屬層606之上設置光阻層612，並經曝光和顯影而形成圖案化的光阻層612。
如第10F圖所示，之後進行蝕刻，移除未被圖案化的光阻層612遮蓋的增厚層610、金屬層、和導電層604。因此，形成複數個分隔的走線。
如第10G圖所示，移除在中間區域(例如之後將形成為電子裝置的顯示區)的金屬層606。之後在增厚層610、金屬層606、和導電層604上方設置保護層614。在第10G圖所示的結構中，在走線中，增厚層610位於導電層604和金屬層606二者的上方。
第11A圖至第11H圖繪示根據一些實施方式的一製程，形成一折疊式電子裝置其層面依序包含金屬層、導電層、和增厚層，其中增厚層為非金屬材料，例如聚合物材料。
如第11A圖所示，提供具有金屬層704的基板702。可能利用濺鍍或電鍍，將例如銅的金屬材料形成在基板702上。
如第11B圖所示，在金屬層704上方形成光阻層706，並經曝光和顯影而形成圖案化的光阻層706。
如第11C圖所示，蝕刻未被圖案化的光阻層706遮蓋的金屬層704。之後剝離光阻層706。
如第11D圖所示，在基板702和金屬層704上方設置導電層708。可經由塗覆的方式，將含有奈米銀線或ITO的導電材料形成為導電層708。
如第11E圖所示，在導電層708之上形成光阻層710，並經曝光和顯影而形成圖案化的光阻層710。
如第11F圖所示，之後進行蝕刻，移除未被圖案化的光阻層710遮蓋的導電層708和金屬層704的部分，形成複數個分隔的走線。
如第11G圖所示，之後剝離光阻層710。在隨後的製程中，形成保護層712在各個走線之上。保護層712可由聚合物材料形成。
如第11H圖所示，之後在保護層712之上形成增厚層714。增厚增714可由不同於保護層712的另一種聚合物材料形成。
第12A圖至第12H圖繪示根據一些實施方式的一製程，形成一折疊式電子裝置其層面依序包含導電層、金屬層、和增厚層，其中增厚層為非金屬材料，例如聚合物材料。
如第12A圖所示，首先提供提供包含導電層724的基板722，導電層724可例如為包含奈米銀線。在一些實施方式中，在導電層724之上為一保護層(未圖式)。之後在導電層724上方設置金屬層726。在一些實施方式中，可經由濺鍍或電鍍，將銅材料形成在導電層724上方。
如第12B圖所示，在金屬層726上方形成光阻層728，並經曝光和顯影而形成圖案化的光阻層728。
如第12C圖所示，蝕刻未被圖案化的光阻層728遮蓋的金屬層726和導電層724。因此形成複數個分隔的走線。
如第12D圖所示，剝離在中間區域的光阻層728。
如第12E圖所示，移除在中間區域的金屬層726。
如第12F圖所示，剝離光阻層728。
如第12G圖所示，形成第一聚合物層730在各個走線之上和導電層724之上。
如第12H圖所示，形成第二聚合物層732在裝置的外圍(亦即非顯示區)的基板722、導電層724、和金屬層726上方。在第12H圖所示的結構中，第二聚合物層732、或者第一聚合物層730和第二聚合物層732之組合相當於走線的增厚層。
本揭示內容的導電層疊構使折疊式電子裝置具有較小的彎折曲率半徑，可折疊性增強，並且在多次彎折後走線仍能夠具有較好的可靠性，提升產品的品質並且增加裝置的壽命。
以上概述了數個實施方式，以便本領域技術人員可以較佳地理解本揭示內容的各態樣。彼等熟習此技術者應理解，其可將本揭示內容用作設計或修飾其他製程與結構的基礎，以實現與本文介紹的實施方式或實施例相同的目的和/或達到相同的優點。本領域技術人員亦會理解，與這些均等的建構不脫離本揭示內容的精神和範圍，並且他們可能在不脫離本揭示內容的精神和範圍的情況下，進行各種改變、替換、和變更。
20:導電層疊構
22:基板
24:走線材料層
26:增厚層
30:導電層疊構
32:基板
34:走線材料層
36:增厚層
40:導電層疊構
42:基板
44:金屬層
50:導電層疊構
52:基板
54:導電層
56:金屬層
58:增厚層
60:導電層疊構
62:基板
64:導電層
66:金屬層
68:增厚層
70:導電層疊構
72:基板
74:導電層
76:金屬層
78:第一聚合物層
80:第二聚合物層
100:面板
110:走線
112、114、116:區域
120:導電層疊構
122:基板
124:金屬層
126:增厚層
128:導電層
130:導電層疊構
132:基板
134:導電層
136:金屬層
138:增厚層
140:導電層疊構
142:基板
144:金屬層
146:導電層
148:增厚層
210:導電層疊構
212:基板
214:走線材料層
216:增厚層
220:導電層疊構
222:基板
224:走線材料層
226:第一聚合物層
228:第二聚合物層
230:導電層疊構
232:基板
234:觸媒層
236:導電層
238:增厚層
240:導電層疊構
242:基板
244:觸媒層
246:導電層
248:第一聚合物層
250:第二聚合物層
310:導電層疊構
312:基板
314:金屬層
316:增厚層
318:導電層
330:導電層疊構
332:基板
334:金屬層
336:導電層
338:增厚層
350:導電層疊構
352:基板
354:導電層
356:金屬層
358:增厚層
410:導電層疊構
412:導電層
414:具有雙側金屬膜的結構層
414A:金屬層
414B:基板
414C:金屬層
416:增厚層
418:導電層
430:導電層疊構
432:導電層
434:具有雙側金屬膜的結構層
434A:金屬層
434B:基板
434C:金屬層
436:導電層
438:增厚層
450:導電層疊構
452:金屬層
454:具有雙側導電膜的結構層
454A:導電層
454B:基板
454C:導電層
456:金屬層
458:增厚層
502:基板
504:金屬層
506:光阻層
508:增厚層
510:光阻層
512:導電層
514:光阻層
516:保護層
522:基板
524:金屬層
526:光阻層
528:導電層
530:光阻層
532:增厚層
534:光阻層
536:保護層
602:基板
604:導電層
606:金屬層
608:光阻層
610:增厚層
612:光阻層
614:保護層
702:基板
704:金屬層
706:光阻層
708:導電層
710:光阻層
712:保護層
714:增厚層
722:基板
724:導電層
726:金屬層
728:光阻層
730:第一聚合物層
732:第二聚合物層
AA、BB、CC:線
R1
、R2
:曲率半徑
W1
、W2
:長度
θ1
、θ2
:角度
本揭示內容可由以下的詳細描述，並且與所附圖式一起閱讀，得到最佳的理解。要強調的是，根據產業中的標準實踐，各個特徵未按比例繪製，並且僅用於說明目的。事實上，為了討論的清楚性起見，各個特徵可能任意地增加或減小。
第1A圖為根據本揭示內容的一些實施方式的面板的示意圖。
第1B圖至第1D圖為根據本揭示內容的一些實施方式的走線的局部的截面視圖。
第1E圖為第1A圖中的面板的區域114的局部放大圖。
第2A圖和第2B圖為導電層疊構在彎折狀態的示意圖。
第3A圖和第3B圖為一比較例的導電層疊構的彎折狀態和非彎折狀態的示意圖。
第4A圖至第4C圖分別為根據一些實驗例的導電層疊構。
第5A圖至第5D圖為根據一些實施方式的導電層疊構的配置示意圖。
第6A圖和第6B圖為根據一些實施方式的導電層疊構在彎折狀態與展開狀態的示意圖。
第6C圖和第6D圖為根據一些實施方式的導電層疊構在彎折狀態與展開狀態的示意圖。
第6E圖和第6F圖為根據一些實施方式的導電層疊構在彎折狀態與展開狀態的示意圖。
第7A圖和第7B圖為根據一些實施方式的導電層疊構在彎折狀態與展開狀態的示意圖。
第7C圖和第7D圖為根據一些實施方式的導電層疊構在彎折狀態與展開狀態的示意圖。
第7E圖和第7F圖為根據一些實施方式的導電層疊構在彎折狀態與展開狀態的示意圖。
第8A圖至第8I圖為根據本揭示內容的一些實施方式的一折疊式電子裝置在製造製程中不同的中間階段的截面視圖。
第9A圖至第9J圖為根據本揭示內容的一些實施方式的一折疊式電子裝置在製造製程中不同的中間階段的截面視圖。
第10A圖至第10G圖為根據本揭示內容的一些實施方式的一折疊式電子裝置在製造製程中不同的中間階段的截面視圖。
第11A圖至第11H圖為根據本揭示內容的一些實施方式的一折疊式電子裝置在製造製程中不同的中間階段的截面視圖。
第12A圖至第12H圖為根據本揭示內容的一些實施方式的一折疊式電子裝置在製造製程中不同的中間階段的截面視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
210:導電層疊構
212:基板
214:走線材料層
216:增厚層
Claims (16)
- 一種導電層疊構，包含：一基板，一導電層，沿一第一方向延伸，該導電層位在該基板上方；一金屬層，沿該第一方向延伸，該金屬層位在該基板上方；以及一增厚層，在該導電層上方或下方，該增厚層的材料為金屬材料、非金屬材料、或複合導電材料，並且該增厚層位在該導電層疊構彎折時的一應力拉伸側，其中該導電層、該金屬層、和該增厚層設置為(i)該金屬層在該導電層之上，且該增厚層在該金屬層之上、(ii)該導電層在該金屬層之上，且該增厚層在該導電層之上、或(iii)該增厚層在該金屬層之上，且該導電層在該增厚層之上；其中該導電層疊構用於形成一走線，並且該增厚層使該導電層疊構彎折時的應力應變量增加0.1至10%，且該導電層疊構的曲率半徑減小0.5至3毫米。
- 如請求項1所述之導電層疊構，其中：該基板的材料為聚對苯二甲酸乙二酯，厚度為約50微米；該導電層包含奈米銀材料，厚度為0.2至0.5微米；該金屬層的材料為銅，厚度為0.2至0.5微米；該增厚層的材料為壓克力，厚度為4至10微米； 該導電層疊構在曲率半徑R=3毫米，垂直或平行該第一方向彎折180°時，可承受折疊次數超過40000次不斷裂。
- 如請求項1所述之導電層疊構，其中：該基板的材料為聚對苯二甲酸乙二酯，厚度為約50微米；該導電層包含奈米銀材料，厚度為小於100奈米；該金屬層的材料為銅，厚度為0.2至0.5微米；該增厚層包含：第一聚合物層，該第一聚合物層的材料為光學膠，厚度為約50微米；和第二聚合物層，該第二聚合物層的材料為聚對苯二甲酸乙二酯，厚度為約50微米；該導電層疊構在曲率半徑R=3毫米，垂直或平行該第一方向彎折180°時，可承受折疊次數超過40000次不斷裂。
- 如請求項1所述之導電層疊構，其中該增厚層在該第一方向上的長度大於9毫米且不超過該導電層沿該第一方向延伸的長度。
- 如請求項4所述之導電層疊構，其中該增厚層在該第一方向上的長度大於15毫米且不超過該導電層 沿該第一方向延伸的長度。
- 如請求項1所述之導電層疊構，其中該導電層疊構的一彎折軸心與該增厚層兩端的夾角為180°~360°。
- 如請求項1所述之導電層疊構，其中該增厚層在該第一方向上的長度與該導電層沿該第一方向延伸的長度比值為0.001~1。
- 一種折疊式電子裝置，包含如請求項1至7任一項所述之導電層疊構。
- 一種折疊式電子裝置，包含：一顯示區；以及一非顯示區，位在該顯示區之外側，其中該非顯示區具有複數條走線其沿一第一方向延伸，所述複數條走線中的每一條走線包含：一基板，一金屬層，位在該基板上方；以及一導電層，位在該基板上方；其中該非顯示區具有一局部增厚區域，其包含該折疊式電子裝置的一彎折處，在該局部增厚區域中該些複數條走線中的每一條走線更包含一增厚層，該增厚層的材料為 金屬材料、非金屬材料、或複合導電材料，且該增厚層位在該折疊式電子裝置彎折時的一應力拉伸側；其中該導電層、該金屬層、和該增厚層設置為(i)該金屬層在該導電層之上，且該增厚層在該金屬層之上、(ii)導電層在該金屬層之上，且該增厚層在該導電層之上、或(iii)該增厚層在該金屬層之上，且該導電層在該增厚層之上；和其中，該增厚層為由該金屬材料形成，且該基板的厚度乘以該基板的楊氏模量的值為約100~300，該導電層的厚度乘以該導電層的楊氏模量的值為約20~70，該增厚層的厚度乘以該增厚層的楊氏模量的值為約5~30；或該增厚層為由該非金屬材料或該複合導電材料形成，且該基板的厚度乘以該基板的楊氏模量的值為約100~300，該導電層的厚度乘以該導電層的楊氏模量的值為約20~70，該增厚增的厚度乘以該楊氏模量的值為約2~60。
- 如請求項9所述之折疊式電子裝置，其中該局部增厚區域具有一寬度，其沿著垂直於該第一方向的一第二方向延伸，且該些走線中的一走線寬度為W1，該些走線之間的間距為P1，該些走線的數目為N，該局部增厚區域的寬度範圍在介於W1至(W1+P1)x N之間。
- 如請求項9所述之折疊式電子裝置，其中該 增厚層沿該第一方向的長度大於3毫米。
- 如請求項9所述之折疊式電子裝置，其中該增厚層為由該金屬材料形成，且該增厚層與該導電層的厚度的比值為約0.05~5。
- 如請求項9所述之折疊式電子裝置，其中該增厚層為由該非金屬材料或該複合導電材料形成，且該增厚層與該導電層的厚度的比值為約0.1~50。
- 如請求項9所述之折疊式電子裝置，其中該增厚層包含：一第一聚合物層；和一第二聚合物層，在該第一聚合物層上方，其中該第一聚合物層的材料不同於該第二聚合物層的材料。
- 如請求項14所述之折疊式電子裝置，其中該第一聚合物層的楊氏模量與該第二聚合物層的楊氏模量的比值為約103~106。
- 如請求項14所述之折疊式電子裝置，其中該第一聚合物的厚度與該導電層的厚度的比值為約30~100，該第二聚合物的厚度與該導電層的厚度的比值為約30~100，且該第一聚合物的厚度與該第二聚合物的厚 度的比值為約0.5~2。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120326813A1 (en) * | 2009-12-09 | 2012-12-27 | Research In Motion Limited | Flexible cable and methods of manufacturing same |
| US20120325528A1 (en) * | 2009-09-18 | 2012-12-27 | Advanced Flexible Circuits Co., Ltd. | Bundled flexible flat circuit cable |
| US20140076607A1 (en) * | 2008-01-07 | 2014-03-20 | Apple Inc. | Flexible Data Cable |
| US20150200473A1 (en) * | 2014-01-15 | 2015-07-16 | Wistron Corporation | Flexible flat cable, electrical connector, and flexible flat cable assembly |
-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140076607A1 (en) * | 2008-01-07 | 2014-03-20 | Apple Inc. | Flexible Data Cable |
| US20120325528A1 (en) * | 2009-09-18 | 2012-12-27 | Advanced Flexible Circuits Co., Ltd. | Bundled flexible flat circuit cable |
| US20120326813A1 (en) * | 2009-12-09 | 2012-12-27 | Research In Motion Limited | Flexible cable and methods of manufacturing same |
| US20150200473A1 (en) * | 2014-01-15 | 2015-07-16 | Wistron Corporation | Flexible flat cable, electrical connector, and flexible flat cable assembly |
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