TWI826271B - 偏壓產生電路 - Google Patents

Abstract

一種偏壓產生電路，包括一第一電路子單元、一第二電路子單元與一第三電路子單元。第一電路子單元用以響應於一第一電流與一第一輸入電壓於一第一節點產生一第一偏壓。第二電路子單元耦接至第一電路子單元，用以接收第一偏壓，並且產生流經一第二節點之一第二電流，其中第二電流係鏡射自第一電流。第三電路子單元耦接至第二節點，用以響應於第二電流與一第二輸入電壓於一第三節點產生一第二偏壓。

Description

偏壓產生電路

本發明係關於一種偏壓產生電路，尤指一種用以產生一功率放大器電路所需之穩定偏壓之偏壓產生電路。

放大器電路為通訊系統內經常使用的電路，用以增加訊號的輸出功率。放大器電路通常透過電源取得能量來源，控制輸出訊號的波形與輸入訊號一致，並增加其幅度，從而在輸出端比例地產生更大幅度的訊號。

一般而言，放大器電路的設計需在功耗與線性度之間做權衡。例如，非線性的放大器電路通常具有較高的功率放大器效率(power amplifier efficiency，縮寫PAE)，而線性的放大器電路通常具有相對較低的功率放大器效率。

藉由適當的偏壓設計，可使得放大器電路可在線性度與放大效率之間取得較佳的平衡。此外，若放大器電路內部的直流電流可被精準控制，也可有效調節放大器電路的功耗，並能使得透過不同晶片實作出的相同放大器電路可有相近的效能。

因此，如何產生功率放大器電路所需之穩定的偏壓與精準的直流電流為放大器電路設計領域中值得關注的課題。

本發明之一目的在於提供一種偏壓產生電路，以產生功率放大器電路所需之穩定的偏壓與精準的直流電流。

根據本發明之一實施例，一種偏壓產生電路，包括一第一電路子單元、一第二電路子單元與一第三電路子單元。第一電路子單元用以響應於一第一電流與一第一輸入電壓於一第一節點產生一第一偏壓。第二電路子單元耦接至第一電路子單元，用以接收第一偏壓，並且產生流經一第二節點之一第二電流，其中第二電流係鏡射自第一電流。第三電路子單元耦接至第二節點，用以響應於第二電流與一第二輸入電壓於一第三節點產生一第二偏壓。

根據本發明之另一實施例，一種偏壓產生電路，包括一第一電路子單元、一第二電路子單元與一第三電路子單元。第一電路子單元用以響應於一第一電流與一第一輸入電壓於一第一節點產生一第一偏壓。第二電路子單元耦接至第一電路子單元，用以接收第一偏壓，並且產生流經一第二節點之一第二電流，其中第二電流係鏡射自第一電流。第三電路子單元耦接至第二節點，用以響應於第二電流與一第二輸入電壓於一第三節點產生一第二偏壓。第一節點更耦接至一功率放大器電路之一第一偏壓輸入端，用以將第一偏壓供應至功率放大器電路，並且第三節點更耦接至功率放大器電路之一第二偏壓輸入端，用以將第二偏壓供應至功率放大器電路。

100,200:偏壓產生電路

110,210:第一電路子單元

120,220:第二電路子單元

130,230:第三電路子單元

300:功率放大器電路

310:放大電路

320:匹配電路

Bias_1,Bias_2:偏壓輸入端

I1_dc,I1’_dc,I2_dc,I2’_dc,Idn,Idp:電流

Iin:輸入訊號

IN:訊號輸入端

Io:輸出訊號

IS-1,IS-2:電流源

N11,N12,N13,N21,N22,N23:節點

OP11,OP12,OP21,OP22:放大器電路

T1,T11,T12,T13,T2,T21,T22,T23:電晶體

V1_dc,V1’_dc,V2_dc,V2’_dc:輸入電壓

Vdc,VGN,VGN-1,VGN-2,VGP,VGP-1,VGP-2:偏壓

第1圖係顯示根據本發明之第一實施例所述之偏壓產生電路之範例電路圖。

第2圖係顯示根據本發明之第二實施例所述之偏壓產生電路之範例電路圖。

第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之功率放大器之範例電路圖。

第1圖係顯示根據本發明之第一實施例所述之偏壓產生電路之範例電路圖。偏壓產生電路100可包括第一電路子單元110、第二電路子單元120與第三電路子單元130。第一電路子單元110用以響應於電流I1_dc與輸入電壓V1_dc於節點N11產生偏壓VGP-1。第二電路子單元120耦接至第一電路子單元110，用以接收偏壓VGP-1，並且產生流經節點N12之電流I1’_dc，其中電流I1’_dc係鏡射自電流I1_dc。第三電路子單元130耦接至節點N12，用以響應於電流I1’_dc與輸入電壓V1’_dc於節點N13產生偏壓VGN-1。

第一電路子單元110可包括放大器電路OP11、電晶體T11與電流源IS-1。放大器電路OP11包括一非反相輸入端、一反相輸入端與一輸出端。放大器電路OP11之非反相輸入端接收輸入電壓V1_dc。電晶體T11包括一第一極耦接至放大器電路OP11之輸出端、一第二極耦接至放大器電路OP11之反相輸入端，與一第三極耦接至一第一電壓源。根據本發明之一實施例，電晶體T11可以是一P型金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，縮寫MOSFET)，簡稱PMOS電晶體，並且所述第一極可以是PMOS電晶體之閘極、所述第二極可以是PMOS電晶體之源極並且所述第三極可以是PMOS電晶體之汲極。此外，於本發明之第一實施例中，第一電壓源可以是用以提供接地電壓之電壓源。電流源IS-1則用以提供電流I1_dc。

於本發明之實施例中，電晶體T11之閘極會同時耦接放大器電路OP11之輸出端與節點N11，並且透過節點N11進一步耦接至第二電路子單元120。

根據本發明之一實施例，假設放大器電路OP11具有極大之增益，則其反相輸入端與非反相輸入端會是虛短路(virtual ground)，因此，於放大器電路OP11之反相輸入端的電壓，其也就是響應於電流I1_dc與輸入電壓V1_dc於電晶 體T11之第二極(例如，源極)所產生之一電壓，將會相等於或大體相等於輸入電壓V1_dc。

第二電路子單元120可包括電晶體T12。電晶體T12包括一第一極耦接至放大器電路OP11之輸出端、一第二極耦接至節點N12，與一第三極耦接至第一電壓源。根據本發明之一實施例，電晶體T12可以是一PMOS電晶體，並且所述第一極可以是PMOS電晶體之閘極、所述第二極可以是PMOS電晶體之源極並且所述第三極可以是PMOS電晶體之汲極。電晶體T12之第一極可與電晶體T11之第一極電性相接，並且同時耦接放大器電路OP11之輸出端與節點N11。於本發明之實施例中，電晶體T11與電晶體T12可被設計具有相同寬度，例如，圖中所標記之Mp=1。由於電晶體T11與電晶體T12被設計具有相同寬度，且電晶體T11與電晶體T12之閘極電壓與汲極電壓相同，因此流經電晶體T12的電流I1’_dc可以是電流I1_dc的鏡射電流，並且電流I1’_dc的電流大小可相等於或大體相等於電流I1_dc的電流大小。

第三電路子單元130可包括放大器電路OP12與電晶體T13。放大器電路OP12包括一非反相輸入端、一反相輸入端與一輸出端。放大器電路OP11之非反相輸入端可接收輸入電壓V1’_dc。電晶體T13包括一第一極耦接至放大器電路OP12之輸出端、一第二極耦接至放大器電路OP12之反相輸入端、一第三極耦接至一第二電壓源。根據本發明之一實施例，電晶體T13可以是一N型金屬氧化物半導體場效電晶體，簡稱NMOS電晶體，並且所述第一極可以是NMOS電晶體之閘極、所述第二極可以是NMOS電晶體之源極並且所述第三極可以是NMOS電晶體之汲極。此外，於本發明之第一實施例中，第二電壓源可以是用以提供電壓VDD之電壓源，且電晶體T13之第二極耦接節點N12，電晶體T13之第一極耦接節點N13，用以提供偏壓VGN-1。

假設放大器電路OP12具有極大之增益，則其反相輸入端與非反相輸 入端會是虛短路(virtual ground)，因此，於放大器電路OP12之反相輸入端的電壓將會相等於或大體相等於輸入電壓V1’_dc。根據本發明之一實施例，放大器電路OP11與OP12可以是運算放大器。

根據本發明之一實施例，第一電路子單元110所接收之輸入電壓V1_dc與第三電路子單元130所接收之輸入電壓V1’_dc可以是相同的電壓。此外，於本發明之實施例中，電流源IS-1用以提供直流的電流I1_dc，其中電流I1_dc可以是透過一帶隙(bandgap)電路產生，因此，於本發明之實施例中，電流I1_dc會是非常精準的直流電流。

根據本發明之第一實施例，第一電路子單元110用以於電晶體T11之第二極建立起穩定的I1_dc，並且將電流I1_dc鏡射至第二電路子單元120。由於第二電路子單元120之電晶體T12與第三電路子單元130之電晶體T13耦接於節點N12，因此鏡射出的穩定電流I1’_dc會流過電晶體T12與電晶體T13。此外，於本發明之實施例中，偏壓產生電路100可透過節點N11與N13將偏壓VGP-1與VGN-1分別提供至一功率放大器電路(第1圖未示)，用以作為其偏壓輸入，藉此提供功率放大器電路所需之穩定的偏壓。穩定的偏壓可進一步使功率放大器電路內部響應於流經電晶體T12與電晶體T13的電流I1’_dc鏡射出另一穩定的電流，且功率放大器電路內部的電流大小可以是電流I1’_dc的倍數，藉此產生功率放大器電路所需之精準的直流電流。

需注意的是，本發明並不限於第1圖中所示之電晶體類型。於本發明之第二實施例中，也可透過NMOS電晶體建立起穩定的直流電流。

第2圖係顯示根據本發明之第二實施例所述之偏壓產生電路之範例電路圖。偏壓產生電路200可包括第一電路子單元210、第二電路子單元220與第三電路子單元230。第一電路子單元210用以響應於電流I2_dc與輸入電壓V2_dc於節點N21產生偏壓VGN-2。第二電路子單元220耦接至第一電路子單元210，用 以接收偏壓VGN-2，並且產生流經節點N22之電流I2’_dc，其中電流I2’_dc係鏡射自電流I2_dc。第三電路子單元230耦接至節點N22，用以響應於電流I2’_dc與輸入電壓V2’_dc於節點N23產生偏壓VGP-2。

第一電路子單元210可包括放大器電路OP21、電晶體T21與電流源IS-2。放大器電路OP21包括一非反相輸入端、一反相輸入端與一輸出端。放大器電路OP21之非反相輸入端接收輸入電壓V2_dc。電晶體T21包括一第一極耦接至放大器電路OP21之輸出端、一第二極耦接至放大器電路OP21之反相輸入端，與一第三極耦接至一第一電壓源。根據本發明之一實施例，電晶體T21可以是一NMOS電晶體，並且所述第一極可以是NMOS電晶體之閘極、所述第二極可以是NMOS電晶體之源極並且所述第三極可以是NMOS電晶體之汲極。此外，於本發明之第二實施例中，第一電壓源可以是用以提供電壓VDD之電壓源。電流源IS-2則用以提供電流I2_dc。

於本發明之實施例中，電晶體T21之閘極會同時耦接放大器電路OP21之輸出端與節點N21，並且透過節點N21進一步耦接至第二電路子單元220。

根據本發明之一實施例，假設放大器電路OP21具有極大之增益，則其反相輸入端與非反相輸入端會是虛短路(virtual ground)，因此，於放大器電路OP21之反相輸入端的電壓，其也就是響應於電流I2_dc與輸入電壓V2_dc於電晶體T21之第二極(例如，源極)所產生之一電壓，將會相等於或大體相等於輸入電壓V2_dc。

第二電路子單元220可包括電晶體T22。電晶體T22包括一第一極耦接至放大器電路OP21之輸出端、一第二極耦接至節點N22，與一第三極耦接至第一電壓源。根據本發明之一實施例，電晶體T22可以是一NMOS電晶體，並且所述第一極可以是NMOS電晶體之閘極、所述第二極可以是NMOS電晶體之源極並且所述第三極可以是NMOS電晶體之汲極。電晶體T22之第一極可與電晶體T21 之第一極電性相接，並且同時耦接放大器電路OP21之輸出端與節點N21。於本發明之實施例中，電晶體T21與電晶體T22可被設計具有相同寬度，例如，圖中所標記之Mn=1。由於電晶體T21與電晶體T22被設計具有相同寬度，且電晶體T21與電晶體T22之閘極電壓與汲極電壓相同，因此流經電晶體T22的電流I2’_dc可以是電流I2_dc的鏡射電流，並且電流I2’_dc的電流大小可相等於或大體相等於電流I2_dc的電流大小。

第三電路子單元230可包括放大器電路OP22與電晶體T23。放大器電路OP22包括一非反相輸入端、一反相輸入端與一輸出端。放大器電路OP21之非反相輸入端可接收輸入電壓V2’_dc。電晶體T23包括一第一極耦接至放大器電路OP22之輸出端、一第二極耦接至放大器電路OP22之反相輸入端、一第三極耦接至一第二電壓源。根據本發明之一實施例，電晶體T23可以是一PMOS電晶體，並且所述第一極可以是PMOS電晶體之閘極、所述第二極可以是PMOS電晶體之源極並且所述第三極可以是PMOS電晶體之汲極。此外，於本發明之第二實施例中，第二電壓源可以是用以提供接地電壓之電壓源，且電晶體T23之第二極耦接節點N22，電晶體T23之第一極耦接節點N23，用以提供偏壓VGP-2。

假設放大器電路OP22具有極大之增益，則其反相輸入端與非反相輸入端會是虛短路(virtual ground)，因此，於放大器電路OP22之反相輸入端的電壓將會相等於或大體相等於輸入電壓V2’_dc。根據本發明之一實施例，放大器電路OP21與OP22可以是運算放大器。

根據本發明之一實施例，第一電路子單元210所接收之輸入電壓V2_dc與第三電路子單元230所接收之輸入電壓V2’_dc可以是相同的電壓。此外，於本發明之實施例中，電流源IS-2用以提供直流的電流I2_dc，其中電流I2_dc可以是透過一帶隙電路產生，因此，於本發明之實施例中，電流I2_dc會是非常精準的直流電流。

根據本發明之第二實施例，第一電路子單元210用以於電晶體T21之第二極建立起穩定的電流I2_dc，並且將電流I2_dc鏡射至第二電路子單元220。由於第二電路子單元220之電晶體T22與第三電路子單元230之電晶體T23耦接於節點N22，因此鏡射出的穩定電流I2’_dc會流過電晶體T22與電晶體T23。此外，於本發明之實施例中，偏壓產生電路200可透過節點N21與N23將偏壓VGP-2與VGN-2分別提供至一功率放大器電路(第2圖未示)，用以作為其偏壓輸入，藉此提供功率放大器電路所需之穩定的偏壓。穩定的偏壓可進一步使功率放大器電路內部響應於流經電晶體T22與電晶體T23的電流I2’_dc鏡射出另一穩定的電流，且功率放大器電路內部的電流大小可以是電流I2’_dc的倍數，藉此產生功率放大器電路所需之精準的直流電流。

第3圖係顯示根據本發明之一實施例所述之功率放大器之範例電路圖。功率放大器電路300可包括訊號輸入端IN、偏壓輸入端Bias_1與Bias_2、放大電路310與匹配電路320。訊號輸入端IN用以接收輸入訊號Iin，其中輸入訊號Iin可以是一電流訊號。偏壓輸入端Bias_1與Bias_2分別用以接收偏壓VGN與VGP，其中，偏壓VGN可以是由偏壓產生電路100產生之偏壓VGN-1或者由偏壓產生電路200產生之偏壓VGN-2，偏壓VGP可以是由偏壓產生電路100產生之偏壓VGP-1或者由偏壓產生電路200產生之偏壓VGP-2。

放大電路310耦接輸入端IN，用以接收輸入訊號Iin，並且產生電流Idn與Idp。匹配電路320耦接放大電路310，用以使功率放大器電路300之輸出阻抗與天線之阻抗達到匹配。根據本發明之實施例，匹配電路320可更用於結合電流Idn與Idp，以產生一輸出訊號Io。輸出訊號Io可經由耦接於天線之耦合電路被進一步耦合至天線端。經由所述耦合效應可產生最終提供給天線之輸出訊號。

根據本發明之一實施例，功率放大器電路300之偏壓輸入端Bias_1與Bias_2可分別被耦接至偏壓產生電路對應的節點，例如，偏壓輸入端Bias_1可被 耦接至偏壓產生電路100的節點N13或者被耦接至偏壓產生電路200的節點N21，偏壓輸入端Bias_2可被耦接至偏壓產生電路100的節點N11或者被耦接至偏壓產生電路200的節點N23，用以被供應或被施加對應的偏壓。

此外，於本發明之實施例中，偏壓產生電路100內之電晶體T13與T12或偏壓產生電路200內之電晶體T22與T23可分別組形成一鏡射電路，用以將電流I1’_dc或I2’_dc鏡射至功率放大器電路300。

響應於偏壓VGN(即，偏壓VGN-1或VGN-2)之供應，以及前述鏡射電路的作用，電流Idn會被產生於功率放大器電路300中。同理，響應於偏壓VGP(即，偏壓VGP-1或VGP-2)之供應，以及前述鏡射電路的作用，電流Idp會被產生於功率放大器電路300中，其中電流Idn與電流Idp係鏡射自流經電晶體T13與T12的電流I1’_dc或鏡射自流經電晶體T23與T22的電流I2’_dc。

根據本發明之一實施例，放大電路310可為一推拉式(push-pull)放大電路，並且可包括電晶體T1與T2。電晶體T1與T2可以是不同類型的電晶體，例如，於本發明之一實施例中，電晶體T1為NMOS電晶體，電晶體T2為PMOS電晶體。於本發明之實施例中，偏壓VGN(即，由偏壓產生電路100產生之偏壓VGN-1或者由偏壓產生電路200產生之偏壓VGN-2)會被供應至電晶體T1之第一極，例如，閘極，並且偏壓VGP(即，由偏壓產生電路100產生之偏壓VGP-1或者由偏壓產生電路200產生之偏壓VGP-2)會被供應至電晶體T2之第一極，例如，閘極。

此外，根據本發明之一實施例，電晶體T1之寬度可被設計為大於偏壓產生電路內之用以產生對應之偏壓VGN-1或VGN-2之電晶體(例如，電晶體T13或T22)之寬度，舉例而言，電晶體T1之寬度可以是電晶體T13與T22之N倍，例如圖中所標記之Mn=N，其中N為一正數。同理，電晶體T2之寬度可被設計為大於偏壓產生電路內之用以產生對應之偏壓VGP-1或VGP-2之電晶體(例如，電晶體T12或T23)之寬度，舉例而言，電晶體T2之寬度可以是電晶體T12與T23之寬 度N倍，例如圖中所標記之Mp=N。需注意的是，此技藝中已有多種用以設計不同寬度之電晶體之方法，例如，可直接於電路中配置不同寬度的電晶體，如上所述，電晶體T1的寬度被設計為電晶體T13或T22的寬度的N倍，電晶體T2的寬度被設計為電晶體T12或T23的寬度的N倍。或者，於電路中配置寬度相同的電晶體，但電晶體並聯的數量與寬度之倍數正相關。舉例而言，若偏壓產生電路內之電晶體寬度為其所對應之功率放大器電路內之電晶體寬度的(1/N)倍，則於功率放大器電路中，可藉由並聯耦接N個寬度與偏壓產生電路內對應之電晶體之寬度相同的電晶體來實作。因此，圖中所標記之Mn=1、Mp=1、Mn=N與Mp=N中的M代表多個(multiple)電晶體之涵義，n或p代表電晶體類型，等號後的數值代表寬度的倍數或具相等寬度之電晶體的數量，並且其中被並聯耦接N個具相等寬度的電晶體之閘極會共同耦接於一閘極接點、源極會共同耦接於一源極接點，以及汲極會共同耦接於一汲極接點。

於本發明之實施例中，將電晶體T1與T2之寬度設計為大於偏壓產生電路內之用以產生其所接收之偏壓之電晶體之寬度，如此可達到放大鏡射電流的效果。舉例而言，假設電晶體T1與T2之寬度被設計為偏壓產生電路內之用以產生對應之偏壓之電晶體之寬度的N倍，則電流Idn與電流Idp分別會是I1’_dc或I2’_dc的N倍。若以電流Idc共同表示流經電晶體T13與T12的電流I1’_dc與流經電晶體T23與T22的電流I2’_dc，則功率放大器電路與偏壓產生電路之電流之大小關係可表示如下：Idn=N* Idc；Idp=N* Idc。

其中電流Idn與電流Idp也會是精準的直流電流。一旦精準控制了電流Idn與電流Idp以及偏壓VGN與VGP，便可自然地於訊號輸入端IN產生偏壓Vdc，其中，於本發明之一實施例中，於功率放大器電路300中所產生的偏壓Vdc會相 等於或大體相等於偏壓產生電路的輸入電壓V1_dc/V2_dc。

於本發明之實施例中，藉由精準控制偏壓Vdc、偏壓VGN與偏壓VGP的電壓位準，放大電路310可被偏壓在A類、AB類或深度A(deep A)類放大操作。此外，藉由精準控制這些偏壓，可使得功率放大器電路300在線性度與放大效率之間取得較佳的平衡。此外，藉由精準控制這些偏壓，也可達到穩定功率放大器電路之直流電流的效果。

需注意的是，本發明並不限於將所提出之偏壓產生電路應用於如第3圖所示之功率放大器電路。本發明所提出之偏壓產生電路，例如，偏壓產生電路100/200，也可被應用於其他功率放大器電路，用以提供對應的偏壓，並利用其內部穩定的小直流電流促使功率放大器電路產生對應的鏡射電流，且此鏡射電流可以是相對大且穩定的直流電流。

綜上所述，本發明所提出之偏壓產生電路利用兩個輸入訊號(例如：輸入電壓V1_dc/V2_dc與電流I1_dc/I2_dc)產生穩定的偏壓與直流電流，再將穩定的偏壓提供給一功率放大器電路，藉由偏壓的控制可使功率放大器電路被偏壓在特定類型(例如，A類、AB類或深度A(deep A)類)放大操作。此外，藉由偏壓的提供，功率放大器電路可鏡射出精準的直流電流，有效調節功率放大器電路的功耗，並能使得透過不同晶片實作出的相同功率放大器電路可有相近的效能。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100:偏壓產生電路

110:第一電路子單元

120:第二電路子單元

130:第三電路子單元

I1_dc,I1’_dcp:電流

IS-1:電流源

N11,N12,N13:節點

OP11,OP12:放大器電路

T11,T12,T13:電晶體

V1_dc,V1’_dc:輸入電壓

VGN-1,VGP-1:偏壓

Claims (9)

1. 一種偏壓產生電路，包括：一第一電路子單元，用以響應於一第一電流與一第一輸入電壓於一第一節點產生一第一偏壓；一第二電路子單元，耦接至該第一電路子單元，用以接收該第一偏壓，並且產生流經一第二節點之一第二電流，其中該第二電流係鏡射自該第一電流；以及一第三電路子單元，耦接至該第二節點，用以響應於該第二電流與一第二輸入電壓於一第三節點產生一第二偏壓；其中該第一電路子單元包括：一第一放大器電路，包括一非反相輸入端、一反相輸入端與一輸出端，其中該非反相輸入端接收該第一輸入電壓；一第一電晶體，包括一第一極耦接至該第一放大器電路之該輸出端、一第二極耦接至該第一放大器電路之該反相輸入端，與一第三極耦接至一第一電壓源；以及一電流源，耦接至該第一電晶體之該第二極，用以提供該第一電流；其中該第一電晶體之該第一極更耦接至該第一節點。
2. 如申請專利範圍第1項所述之偏壓產生電路，其中該第一輸入電壓與該第二輸入電壓為相同的電壓。
3. 如申請專利範圍第1項所述之偏壓產生電路，其中響應於該第一電流與該第一輸入電壓於該第一電晶體之該第二極產生之一電壓相等於或大體相等於該第一輸入電壓。
4. 如申請專利範圍第1項所述之偏壓產生電路，其中該第二電路子單元包括：一第二電晶體，包括一第一極耦接至該第一放大器電路之該輸出端、一第二極耦接至該第二節點，與一第三極耦接至該第一電壓源。
5. 如申請專利範圍第4項所述之偏壓產生電路，其中該第三電路子單元包括：一第二放大器電路，包括一非反相輸入端、一反相輸入端與一輸出端，其中該非反相輸入端接收該第二輸入電壓；以及一第三電晶體，包括一第一極耦接至該第二放大器電路之該輸出端、一第二極耦接至該第二放大器電路之該反相輸入端，與一第三極耦接至一第二電壓源，其中該第三電晶體之該第二極耦接至該第二節點，該第三電晶體之該第一極耦接至該第三節點。
6. 如申請專利範圍第5項所述之偏壓產生電路，其中該第二電晶體與該第三電晶體組形成一鏡射電路，用以將該第二電流鏡射至一功率放大器電路。
7. 如申請專利範圍第6項所述之偏壓產生電路，其中該第一節點更耦接至該功率放大器電路之一第一偏壓輸入端，用以將該第一偏壓供應至該功率放大器電路，並且該第三節點更耦接至該功率放大器電路之一第二偏壓輸入端，用以將該第二偏壓供應至該功率放大器電路。
8. 如申請專利範圍第7項所述之偏壓產生電路，其中響應於該第一偏 壓之供應，一第三電流被產生於該功率放大器電路中，以及響應於該第二偏壓之供應，一第四電流被產生於經該功率放大器電路中，其中該第三電流與該第四電流係鏡射自該第二電流。
9. 如申請專利範圍第1項所述之偏壓產生電路，其中該第一電流之電流大小相等於或大體相等於該第二電流之電流大小。

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