TWI825302B - 自光罩基板移除光阻的方法 - Google Patents
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Abstract
提供用於從光罩基板移除光阻層的方法及裝置。在一個範例中，一種在腔室中用於從基板移除光阻層之方法，包括在處理腔室中從第一氣體混合物產生包括第一基團之第一電漿。方法包括將基板上光阻層的部分暴露至第一基團，以從基板移除光阻層的部分。方法進一步包括從第二氣體混合物產生包括第二基團的第二電漿。第二基團具有與第一基團不同的成分。額外地，方法包括將光阻層的另一部分暴露至第二基團，以移除光阻層的第二部分。
Description
本揭露案關於用於從基板（特別為光罩）移除光阻及其殘留物之裝置及方法。
在積體電路（IC）或晶片的製造中，藉由晶片設計者建立代表晶片的不同層的圖案。從此等圖案建立一連串可重複使用遮罩或光罩，以便在製造處理期間將各個晶片層的設計傳送至半導體基板上。遮罩圖案產生系統使用精確雷射或電子束以將晶片的各層的設計成像至分別的遮罩上。遮罩接著以類似於攝影底片使用而傳送各層的電路圖案至半導體基板上。此等層使用一連串處理建造且轉移至包括各個完成的晶片的小電晶體及電子電路中。因此，在遮罩中的任何缺陷可傳送至晶片，可能不利地影響效能。足夠嚴重的缺陷可導致遮罩完全無用。通常，15至30個遮罩的組用以建構晶片，且可重複地使用。
隨著縮小的關鍵尺寸（CD），目前光學光刻接近45奈米（nm）技術節點的技術限制。下一代光刻（NGL）預期取代傳統光學光刻方法，例如為32nm技術節點及超越。具有數個NGL候選方案，例如極紫外（EUV）光刻（EUVL）、電子投影光刻（EPL）、離子投影光刻（IPL）、奈米刻劃及X射線光刻。在此等之中，EUVL為最可能成功的，因為EUVL具有最多的光學光刻的特性，而相較於其他NGL方法為更成熟的技術。
通常，可重複使用例如標線的光罩以反覆印刷數千個基板。通常，例如標線的光罩通常為玻璃或石英基板，賦予具有多層的膜堆疊，其上佈置包括光吸收層及不透明層。當製造光罩時，在膜堆疊上佈置光阻層，以在後續圖案化處理期間促進將特徵傳送至膜堆疊中。在圖案化處理期間，藉由將光阻之部分暴露至極紫外光或紫外光，使得暴露的部分在顯像劑中可溶解，而將電路設計寫至光罩上。接著移除阻抗的可溶解部分，允許下層膜堆疊藉由待蝕刻的剩餘光阻暴露。蝕刻處理在阻抗被移除的地點處從光罩移除膜堆疊（即，移除暴露的膜堆疊）。
在處理期間，用於製造光罩來自膜堆疊的蝕刻的終點資料通常用以決定例如光阻層的某些材料是否已從光罩移除。在膜堆疊中形成所欲特徵之後，需要從光罩移除光阻層。當從基板移除及/或清潔光阻層時，不同的反應物種常常需要有效地移除光阻層。然而，可行進至光罩的表面用於反應的反應物種的實際量難以預測，而常常導致具有殘留物的未完成光阻移除及/或在基板上的粒子剩餘。此等殘留物及/或粒子通常導致缺陷，而可在光刻處理期間不利地影響特徵至基板的傳送。在一個範例中，於用於22nm技術節點的EUV光刻中，必須移除如18nm小的粒子或殘留物且保持遠離光罩，以便對基板保留高傳送精確度，用於製造積體電路。
因此，對光罩製作中用於增強光阻清潔及移除處理具有持續的需求。
提供用於從光罩移除光阻層的方法及裝置。在一個範例中，一種在腔室中用於從基板移除光阻之方法，包括在處理腔室中從第一氣體混合物產生包括第一基團之第一電漿。方法包括將基板上光阻層的部分暴露至第一基團，以從基板移除光阻層的部分。方法進一步包括從第二氣體混合物產生包括第二基團的第二電漿。第二基團具有與第一基團不同的成分。方法額外包括將光阻層的另一部分暴露至第二基團，以移除光阻層的第二部分。
在另一實施例中，一種處理腔室，包括腔室蓋及腔室側壁，在腔室主體中界定內部處理區域。遠端電漿源佈置於腔室主體上。窗形成於腔室側壁中。OES偵測器佈置於靠近窗，配置成收集在內部處理區域中產生的訊號。氣體產生器耦合至腔室側壁。
仍在另一實施例中，一種儲存程式的電腦可讀取儲存媒體，當藉由處理器執行時，實行用於操作處理腔室的操作。操作包括藉由OES偵測器，收集從反應物種發射的訊號，反應物種從光罩基板的表面上的遠端電漿源產生。此外，操作包括分析從OES偵測器收集的訊號。回應於來自OES偵測器的收集的訊號的分析，決定光阻移除處方。
本揭露案提供用於光阻移除處理而用於決定處方之裝置及方法，具有強化的處理監控、移除效率及移除效果。具有強化的處理監控的光阻移除處理可提供靠近光罩基板的表面的電漿狀態的估計，例如反應物種或基團的類型，因此提供在光阻移除處理期間表面反應所發生的良好的預測。結果，可偵測/決定相對精確且準確的終點，且可獲得更有效率及效果的清潔處理。
第1圖描繪可利用以實行光阻移除處理（例如，用於在光罩上移除光阻層）的處理腔室100之概要視圖。如第1圖中所顯示，處理腔室100包括遠端電漿源101（例如，微波或基於RF能量的源）。例如H2
O2
、H2
O、H2
、O2
及類似者的前驅物氣體通過入口孔110輸入至管道120中。在其他實施例中，前驅物氣體可為但非限於H2
O及Ar的混合物，O2
、N2
及H2
O的混合物，H2
O及O2
的混合物，H2
O及O3
的混合物或如所需的任何適合的結合。
管道120藉由鐵氧核心130環繞，且線路140環繞鐵氧核心130的至少一部分。藉由RF電源供應器150供應的RF能量個別耦合至流至且通過管道120的前驅物氣體，以在其中產生電漿。在管道120中產生的電漿反應物種流動通過出口管道163，且進入氣體分配氣室160。如第1圖中所顯示，出口管道163及氣體分配氣室160包括襯墊170，用於降低藉由遠端電漿源101產生的電漿物種的重新結合。具有複數個孔洞181的氣體分配板180形成氣體分配氣室160的底部部分。在一個實施例中，氣體分配板180為穿孔的板或噴淋頭，且如此有利地提供氣體良好的流動均勻性至處理區域190中。如所需的亦可在處理區域190中產生電漿，以比單獨藉由使用遠端電漿源101所獲得的進一步強化清潔速率。
如第1圖中進一步顯示，處理腔室100包括基板底座145。例如光罩或標線的基板102藉由機械手臂進出傳送腔室（未顯示），而傳送進出處理區域190。在清潔處理中，基板底座145加熱基板102，以提升基板上光阻層的反應，以與來自遠端電漿源101的反應物種反應，轉變成可汲取離開處理腔室100的揮發性化合物。進一步，藉由遠端電漿源101產生的電漿中的反應物種可提升除氣反應物至非腐蝕性揮發性化合物的轉化，因此增加從基板102移除殘留物的效率。
根據本揭露案的一個實施例，在加熱基板102的同時遠端電漿源101提供電漿。隨後，基板102暴露至來自電漿的反應物種（例如，基團）。換句話說，基板102的加熱及遠端電漿的產生可同時實行。舉例而言，當基板底座145開始加熱基板102時可衝擊遠端電漿。後續，當基板底座145加熱基板102時的部分或所有期間，維持電漿。以此方式，與當分開實行加熱及遠端電漿產生時所獲得者相比較，可增強光阻清潔效率。因此，光阻移除處理將佔據較少時間，且將不會減少半導體處理系統的製造產量。
因為氣體分配板180可幫助過濾出某些類型的物種，所以通常難以預測實際達到基板102的表面的反應物種的量及類型。因此，可行進至基板表面且在基板102上與光阻層主動反應以形成非腐蝕性揮發性化合物的反應物種的量及類型通常難以估計，因此在光阻清潔處理期間通常導致反應不足而可留下非所欲的殘留物，或過度反應而可造成基板損傷。因此，通常利用諸如光學發射光譜（OES）的感測器及/或偵測器134，以偵測橫跨基板102的表面分佈的反應物種，用於光阻移除效率強化。
OES偵測器134包括光學設定，用於在反射、干涉測量或透射模式之至少一者中操作，且配置用於不同類型的量測，例如反射或透射、干涉或光學發射光譜。取決於意圖的應用，例如經處理的材料層或基板結構，可基於反射或透射強度的改變、干涉條紋的數量、或在具體波長下光學發射強度的改變、或其結合來偵測訊號。在此處描繪的一個特定實施例中，OES偵測器134配置成偵測藉由基板表面反射的反射改變的訊號及/或從產生的電漿來自反應物種透射的透射改變的訊號。
在操作中，諸如光學發射光譜（OES）的感測器及/或偵測器134可傳送訊號至控制器，例如第1圖中描繪的控制器152，用於分析以便將其匹配至所欲的值設定。OES偵測器134可接收從反應物種136（例如，來自電漿的基團）傳送的訊號138，以監控腔室基團狀態。因此，OES偵測器134配置成以步階高度水平定位於基板底座145的頂部表面上方，使得在基板底座145的頂部表面上方產生的反應物種136可適當地收集、偵測且傳送至OES偵測器134。OES偵測器134可用以決定靠近基板102的表面的反應物種的狀態、類型、強度及量。再者，OES偵測器134亦可接收從基板102的表面反射的訊號143，使得在分析反射的訊號143後亦可決定表面條件。基於收集的訊號，可決定用於光阻移除處理的終點。來自分析反應物種訊號138及/或反射的訊號143兩者的分析的結果提供在基板102的表面上分佈的反應物種的接近真實的狀態，使得可決定有效率及效果的光阻移除處方，且亦可決定精確終點。
在第1圖中描繪的範例中，訊號138及反射的訊號143通過窗137而藉由OES偵測器134收集。窗137可藉由適合的透明材料製成，例如合成石英或熔融的二氧化矽。OES偵測器134接著分析訊號138、143且決定在處理區域190中靠近基板102的表面的反應物種的類型，及遺留在基板102上的光阻層的量。此分析的資料可進一步傳送至控制器152，以便計算即時或離線決定可利用以如所需的強化基板102上光阻移除效率的光阻移除處方。將進一步討論如何操作OES偵測器134以決定用於光阻移除處理的清潔處方之細節。
再者，處理腔室100亦包括氣體產生器154，例如高濃度臭氧產生器，用於藉由通過在腔室壁上形成的孔192/194排空或撤空處理腔室100，來控制處理腔室100中的壓力。高濃度臭氧產生器154可幫助維持處理區域190的壓力在所欲範圍下，並且在光阻移除處理期間供應臭氧（O3
）氣體至處理區域190，以幫助如所需的移除光阻殘留物。在一個範例中，氣體產生器154相對於OES偵測器134定位。在一個實施例中，可利用相對較高的壓力範圍，以幫助在處理區域190中的熱傳輸，使得在基板表面上的反應物種以及殘留物可在較高的壓力下驅離。因此，在光阻移除處理期間加熱基板102的同時，提升處理區域190中的壓力可強化移除效率。
控制器152耦合至處理腔室100。控制器152包括中央處理單元（CPU）、記憶體及支援電路。利用控制器152以控制處理程序，調節從遠端電漿源101流至處理區域190中的氣體。在控制器152中的CPU可為可在工業設定中使用的通用功能電腦處理器的任何形式。軟體常式可儲存於記憶體中，例如隨機存取記憶體、唯讀記憶體、軟碟或硬碟驅動，或其他形式的數位儲存。支援電路傳統耦合至CPU，且可包括快取、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源供應器及類似者。當藉由CPU執行時，軟體常式將CPU轉換成特定功能電腦（控制器）152，而控制處理腔室100，使得根據本揭露案實行處理。軟體常式亦可藉由第二控制器（未顯示）儲存及/或執行，而與腔室100遠端地定位。
第2圖根據本揭露案的一個實施例，圖示用於從在處理腔室中的基板移除光阻層以及其殘留物之方法200的流程圖。方法200可配置成在第1圖中所述的處理腔室100中實行。應考量方法可在其他適合的半導體處理腔室及系統中實行，包括來自其他製造商者。
方法200在操作202處，藉由在例如第1圖中描繪的處理腔室100的處理腔室上提供例如光罩的基板102而開始。如第3A圖中所顯示，基板102通常包括在光罩基板102上具有圖案化的光阻層356的膜堆疊360。膜堆疊360通常包括佈置於光罩基板102上的至少吸收層354及相移遮罩層352。在一個實施例中，光罩基板102包括光學穿透的基於矽的材料，例如石英或低熱膨脹玻璃層，具有佈置於其上藉由圖案化的光阻層356界定的吸收層。在一個實施例中，相移遮罩層352可如所需的佈置於光罩基板102及吸收層354之間。
在一個實施例中，光罩基板102具有矩形形狀，具有介於約5英吋至約9英吋之間的長度的側邊。光罩基板可為介於約0.15英吋及約0.25英吋之間的厚度。在一個實施例中，光罩基板102為約0.25英吋的厚度。吸收層354可為含金屬層，例如塗佈鉻的層，例如Cr金屬、氧化鉻（CrOx
）、氮化鉻（CrN）層、氮氧化鉻（CrON），或如所需的具有此等材料的多層。相移遮罩層352可為塗佈鉬的層，例如Mo層、MoSi層、MoSiN、MoSiON及類似者。圖案化的光阻層356形成於吸收層354上具有開口。在第3A圖中描繪的範例中，已蝕刻吸收層354的部分，暴露相移遮罩層352之某些部分。剩餘的光阻層356意圖在方法200的光阻移除處理期間移除。光阻層356可為任何適合的光敏感阻抗材料，例如電子束阻抗（舉例而言，化學放大的阻抗（CAR）），且以任何適合的方式沉積且圖案化。光阻層356可沉積至介於約50nm及約1000nm之間的厚度。
在操作204處，從遠端電漿源產生遠端電漿且接著傳輸至處理區域190，以實行光阻移除處理。從包括含氧氣體的第一氣體混合物產生遠端電漿。同時，可如所需的加熱基板102。來自遠端電漿的反應物種配置成與光阻層356反應，以便移除在光罩基板102上的光阻層356。
在光阻層356的移除期間，產生的反應物種（例如，基團）以反應或透射模式任一者監控。在一個實施例中，在第一氣體混合物中的含氧氣體，例如O2
、H2
O、H2
O2
、O3
、CO2
及類似者，用以移除光罩基板102的光阻層356。在一個範例中，基於氫的氣體，例如H2
O氣體，用於產生提供反應物種的遠端電漿，而可接著落至光罩基板102的表面上，以反應且移除光阻層356。
在操作206處，於移除光阻層356同時，利用電漿作為光源以藉由OES偵測器134收集。基團產生具有主要為光學光譜之波長的電磁發射（例如，從約180至1100奈米），然而亦可導致紫外及紅外波長兩者。此等電磁發射的（例如，電磁發射）部分提供行進通過藉由窗137提供的視線通口132的訊號138，且到達OES偵測器134。應理解來自電磁發射的訊號138可包括非常多的波長。
第4圖描繪來自OES偵測器134的輸出300的圖，圖示使用來自遠端電漿源101的H2
O前驅物供應的不同物種的強度。在第4圖中描繪的範例中，偵測到在波長300nm四周（例如，約309nm）的第一高峰強度302，表示存在大量的OH物種。再者，亦偵測到在波長660nm四周（例如，約656nm）的第二高峰強度303，表示存在大量的H物種（例如，但小於OH物種）。亦偵測到在波長770nm四周（例如，約777nm）的第三高峰強度304，表示存在小量的O物種。相信在光阻移除處理期間藉由利用相對高的OH物種（例如，富含OH的環境），可獲得有效率且更高的移除速率，因為OH物種可有效地與來自塊狀光阻層356的碳及/或矽元素反應。
相對地，第5圖描繪來自OES偵測器134的輸出的圖400，圖示使用來自遠端電漿源101或來自氣體產生器154的O2
前驅物的不同物種的強度。在此圖400中，反應物種具有在波長770nm四周（例如，約777nm）的高峰強度402，表示靠近光罩基板102的表面存在大量的氧原子物種。相信氧原子物種可供以作為強的氧化劑，以氧化遺留在基板表面上的含碳殘留物，以便幫助從基板表面清潔剩餘的碳殘留物。
再者，第6圖描繪波形504的圖500，以時間相對應至隨著時間從光罩基板102的表面反射的反射訊號143的變化強度來繪製。分析波形504以從基板102決定光阻層356的終點。在一個實施例中，以介於約200nm及約800nm之間的光波長獲得波形504的波長，例如約309nm。波形圖案通常在其他波長為不同的。收集波長的光譜將提供數個波形圖案。當在處理腔室100中移除光阻層356時即時偵測訊號143。在光阻移除處理期間消耗光阻層356，則隨著時間改變反射的訊號143的強度。接著分析在特定波長下波形504的隨時間變化的強度，以決定移除的光阻層的深度、移除速率及光阻移除處理的終點之至少一者。在第6圖中描繪的實施例中，反射訊號143的強度在第一時間段505上連續變化，直到在第二時間段506處變為飽和。當反射訊號143的強度飽和且在第二時間段506為穩定狀態時，此表示已移除光阻層356，因此決定時間點502作為用於從基板102移除光阻層356的適當終點。
在操作208處，如上所討論，基於光阻層356的表面上偵測到的反應物種的類型及量，以及決定的終點，可因此決定或調整光阻移除處方（例如，光阻清潔處方）。舉例而言，回應於藉由OES偵測器偵測到的反應物種的類型及量，亦可調整或改變在光阻移除處理期間供應的前驅物氣體的類型，處理參數，例如RF功率設定、處理前驅物或其他參數。因此，藉由偵測及分析藉由OES偵測器134收集的訊號，可獲得且理解在光罩基板102的表面上存在的反應物種的類型，以便調整及/或編輯具有高效率移除效果的光阻移除處方。再者，亦可因此獲得光阻移除處理的終點，使得如第3B圖中所顯示，在從光罩基板102移除光阻層356之後，可獲得不具有光阻殘留物的相對清潔表面。
在第2圖的方法200中描繪的範例中，可在光阻移除處理的不同移除階段期間供應第二或第三氣體混合物，以便強化清潔效率。氣體物種的類型及處理參數可藉由從操作208分析的資料來決定。
因此，藉由利用OES偵測器，可獲得靠近光罩基板的表面的反應物種及/或電漿的狀態，以便決定來自遠端電漿源適合的處理前驅物，而可有效率地從光罩基板移除光阻層。儘管此處所描繪的實施例提供使用電漿作為OES偵測的能量源，應理解亦可如所需的利用其他類型的能量源。
第7圖描繪光阻移除處方方法700的一個實施例，基於在處理腔室100中實施從OES偵測器134先前量測及偵測的訊號來決定。
在操作702處，於光罩基板傳送至處理腔室中之後，從遠端電漿源101供應第一氣體混合物至處理區域190，用於光阻層的移除。基於從OES偵測器收集的訊號分析，相信從水蒸氣產生的OH*物種，例如H2
O氣體，提供良好的塊狀光阻層移除效率。因此，供應至遠端電漿源101的第一氣體混合物包括至少H2
O氣體。在某些實施例中，亦選擇H*物種以強化光阻移除效率。因此，亦可在第一氣體混合物中利用H2
氣體或其他適合的含氫氣體。
在操作704處，可供應第二氣體混合物以繼續從基板移除光阻層。在供應第二氣體混合物的同時，可如所需的終結第一氣體混合物。在一個範例中，第二氣體混合物包括含氧氣體，例如O3
、O2
及類似者，以提供氧原子物種與來自光罩基板表面的光阻殘留物反應。相信氧原子物種可幫助從基板表面氧化殘留物，形成氣相的CO或CO2
，而可立即汲取離開處理腔室。因此，藉由在光阻移除處理的不同階段使用不同的氣體混合物，可獲得具有強化的移除效率的光阻移除處理。應理解第一及第二氣體混合物可以任何順序供應，例如如所需的相反的順序（例如，在實行操作702之前實行操作704）。在某些範例中，第一氣體混合物及第二氣體混合物可反覆供應，如迴圈706處表示，以如所需的強化移除效率。
如上所述，本揭露案提供具有強化的移除效率用於從基板移除光阻層之方法及系統。藉由在處理腔室中利用OES偵測器以偵測靠近光罩基板表面的反應物種狀態，可獲得更精確的光阻移除處理的終點決定以及具有所欲表面清潔的強化的移除效率。
儘管以上導向本揭露案的實施例，可衍生本揭露案的其他及進一步實施例而不會悖離其基板範疇，且其範疇藉由以下申請專利範圍來決定。
100:處理腔室
101:遠端電漿源
102:基板
110:入口孔
120:管道
130:鐵氧核心
132:視線通口
134:偵測器
136:反應物種
137:窗
138:訊號
140:線路
143:訊號
145:基板底座
150:RF電源供應器
152:控制器
154:氣體產生器
160:氣體分配氣室
163:出口管道
170:襯墊
180:氣體分配板
181:孔洞
190:處理區域
200:方法
202:操作
204:操作
206:操作
208:操作
300:輸出
302:第一高峰強度
303:第二高峰強度
304:第三高峰強度
352:相移遮罩層
354:吸收層
356:圖案化的光阻層
360:膜堆疊
400:圖
402:高峰強度
500:圖
502:時間點
504:波形
505:第一時間段
506:第二時間段
700:方法
702:操作
704:操作
706:迴圈
以此方式可詳細理解本揭露案以上所載的特徵，以上簡要概述的本揭露案的更具體說明可藉由參考實施例而獲得，某些實施例圖示於隨附圖式中。然而，應理解隨附圖式僅圖示本揭露案的通常實施例，且因此不應考慮為其範疇之限制，因為本揭露案認可其他均等效果的實施例。
第1圖根據本揭露案的一個實施例，描繪處理腔室的代表圖形；
第2圖描繪在第1圖的處理腔室中使用，用於決定清潔處方之方法的處理流程圖；
第3A-3B圖圖示在第2圖之方法期間，光罩基板的一個實施例的概要結構；
第4圖描繪在第1圖的處理腔室中實行光阻移除處理期間所偵測的反應物種的圖；
第5圖描繪在第1圖的處理腔室中實行光阻移除處理期間所偵測的反應物種的圖；及
第6圖描繪在第1圖的處理腔室中實行清潔處理期間，偵測用於終點決定的光學訊號的圖；及
第7圖描繪在光罩製造處理期間，用於光阻移除處理之方法的處理流程圖。
為了促進理解，已儘可能地使用相同的元件符號代表共通圖式中相同的元件。應考量一個實施例的元件及特徵可有益地併入其他實施例中而無須進一步說明。
然而，應理解隨附圖式僅圖示本發明的範例實施例，且因此不應考量為其範疇之限制，因為本發明認可其他均等效果的實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:處理腔室
101:遠端電漿源
102:基板
110:入口孔
120:管道
130:鐵氧核心
132:視線通口
134:偵測器
136:反應物種
137:窗
138:訊號
140:線路
143:訊號
145:基板底座
150:RF電源供應器
152:控制器
154:氣體產生器
160:氣體分配氣室
163:出口管道
170:襯墊
180:氣體分配板
181:孔洞
190:處理區域
Claims (20)
- 一種在一腔室中用於從一基板移除一光阻之方法，包含以下步驟： 在一處理腔室中從一第一氣體混合物產生包括第一基團之一第一電漿； 將一基板上一光阻的一部分暴露至該等第一基團，以從該基板移除該光阻的該部分； 從一第二氣體混合物產生包括第二基團的一第二電漿，其中該等第二基團具有與該等第一基團不同的一成分；及 將光阻的另一部分暴露至該等第二基團，以移除該光阻的一第二部分。
- 如請求項1所述之方法，其中該第一氣體混合物包含以下至少一者：H2 、H2 O2 、H2 O或O2 氣體。
- 如請求項1所述之方法，其中該第二氣體混合物包含一O3 氣體或O2 氣體。
- 如請求項3所述之方法，其中該第二氣體混合物包含一氧化劑。
- 如請求項1所述之方法，其中產生該第一電漿之步驟進一步包含以下步驟： 藉由一OES偵測器收集從該等第一基團發射的訊號；及 從收集的該等訊號分析資料，以決定佈置於該處理腔室中橫跨該基板的一表面分佈的該等第一基團的一狀態。
- 如請求項5所述之方法，進一步包含以下步驟： 藉由該OES偵測器收集從該等第二基團發射的訊號；及 從收集的該等訊號分析資料，以決定佈置於該處理腔室中橫跨該基板的一表面分佈的一第二群組的反應物種的一狀態。
- 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟： 收集從該基板的一表面反射的訊號；及 決定用於移除佈置於該基板上該光阻的該部分的一終點。
- 如請求項5所述之方法，進一步包含以下步驟： 回應於來自收集的該等訊號分析的該資料，調整在該第一氣體混合物或該第二氣體混合物中供應的一前驅物氣體。
- 如請求項5所述之方法，進一步包含以下步驟： 回應於來自收集的該等訊號分析的該資料，當供應該第一氣體混合物或該第二氣體混合物時調整一處理壓力。
- 如請求項5所述之方法，進一步包含以下步驟： 回應於來自收集的該等訊號分析的該資料，決定一光阻移除處方。
- 一種處理腔室，包含： 一腔室蓋及一腔室側壁，在一腔室主體中界定一內部處理區域； 一遠端電漿源，佈置於一腔室主體上； 一窗，形成於該腔室側壁中； 一OES偵測器，佈置於靠近該窗，配置成收集在該內部處理區域中產生的訊號；及 一氣體產生器，耦合至該腔室側壁。
- 如請求項11所述之處理腔室，其中該氣體產生器配置成產生一O3 或O2 氣體至該內部處理區域。
- 如請求項11所述之處理腔室，其中該處理腔室配置成處理佈置於其中的一光罩。
- 如請求項11所述之處理腔室，其中該氣體產生器相對於該OES偵測器而定位。
- 如請求項11所述之處理腔室，其中該OES偵測器與耦合至該處理腔室的一控制器通訊。
- 如請求項11所述之處理腔室，其中該OES偵測器水平定位於佈置於該處理腔室中一基板支撐件的一頂部表面上方。
- 一種儲存一程式的電腦可讀取儲存媒體，當藉由一處理器執行時，實行用於操作一處理腔室的一操作，該操作包含： 藉由一OES偵測器，收集從反應物種發射的訊號，該等反應物種從一光罩基板的一表面上的一遠端電漿源產生； 分析從該OES偵測器收集的該等訊號；及 回應於來自該OES偵測器的收集的該等訊號的該分析，決定一光阻移除處方。
- 如請求項17所述之電腦可讀取儲存媒體，其中收集來自該等反應物種的訊號包含： 將超過一個氣體前驅物供應至該光罩基板的該表面。
- 如請求項18所述之電腦可讀取儲存媒體，其中供應超過一個氣體前驅物進一步包含： 供應包含H2 O的一第一氣體前驅物；及 供應包含O2 的一第二氣體前驅物。
- 如請求項19所述之電腦可讀取儲存媒體，其中該第二氣體前驅物主要與來自該光罩基板上佈置的一光阻的殘留物反應。
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Also Published As
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