TWI822571B - 用於控制中心波長之系統及方法 - Google Patents

用於控制中心波長之系統及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI822571B
TWI822571B TW112103263A TW112103263A TWI822571B TW I822571 B TWI822571 B TW I822571B TW 112103263 A TW112103263 A TW 112103263A TW 112103263 A TW112103263 A TW 112103263A TW I822571 B TWI822571 B TW I822571B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
actuator
wavelength
determining
wavelength error
error
Prior art date
Application number
TW112103263A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202323979A (zh
Inventor
鄧國泰
趙穎博
詹姆士 麥可 西莫內里
Original Assignee
美商希瑪有限責任公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商希瑪有限責任公司 filed Critical 美商希瑪有限責任公司
Publication of TW202323979A publication Critical patent/TW202323979A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI822571B publication Critical patent/TWI822571B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1305—Feedback control systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02—Constructional details
    • H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/034—Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/0804—Transverse or lateral modes
    • H01S3/0805—Transverse or lateral modes by apertures, e.g. pin-holes or knife-edges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10069—Memorized or pre-programmed characteristics, e.g. look-up table [LUT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2383—Parallel arrangements
    • H01S3/2391—Parallel arrangements emitting at different wavelengths

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Mounting And Adjusting Of Optical Elements (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

本發明係關於用於控制一中心波長之系統與方法。在一個實例中，一種方法包括估計一中心波長誤差。該方法亦包括基於該估計中心波長誤差而判定控制一第一稜鏡之移動的一第一致動器的一第一致動量。該方法亦包括基於該致動量而致動該第一致動器。該方法亦包括判定該第一稜鏡是否偏離中心。該方法亦包括回應於判定該第一稜鏡偏離中心，判定該第一致動器之一第二致動量，且判定用於控制一第二稜鏡之移動的一第二致動器之一第三致動量。該方法亦包括分別基於該第二致動量及該第三致動量而致動該第一致動器及該第二致動器。該方法在多焦距成像操作中得到了應用。

Description

用於控制中心波長之系統及方法
本發明係關於諸如產生光之準分子激光器的雷射系統及用於控制其一中心波長之系統與方法。
微影設備為經建構以將所要之圖案施加至基板上之機器。微影設備可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。微影設備可例如將圖案化裝置(例如遮罩、倍縮光罩)之圖案投影至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)之層上。
為了將圖案投影在基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵的最小大小。微影設備可使用具有位於4至20 nm (例如，6.7 nm或13.5 nm)之範圍內的波長的極遠紫外(EUV)輻射，或具有介於約120至約400 nm (例如，193或248 nm)之範圍內的波長的深紫外線(DUV)輻射。
主控振盪器功率放大器(MOPA)為產生高度相干經放大光束之兩級光共振器配置。MOPA之效能可極其取決於主控振盪器(MO)之對準。MO之對準可包括氣體放電腔室之對準、輸入/輸出光學元件之對準及光譜特徵調節器之對準。
然而，MO之對準可費時，且需要幾個小時人工維護。此外，監視及調節MO對準可抑制或阻擋經輸出光束例如到達DUV微影設備。
另外，由於設備體驗熱及其他瞬態，因此波長穩定性受影響。在單色模式中，兩個致動器(亦即，步進電機及壓電換能器(PZT))結合彼此操作以穩定中心波長。在操作中，步進電機具有有限解析度，且因而，將PZT用作主要致動器。然而，在雙色模式中，波長穩定性係基於中心波長，亦即，具有兩個交替光譜之構件，且在此模式下，PZT具有產生生成交替波長之波形的任務。
因此，需要控制中心波長。
在一些實施例中，本發明係關於一種用於控制一成像操作之一中心波長的系統及方法。該系統可包括：一第一致動器，其經組態以控制一第一稜鏡之移動；一第二致動器，其經組態以控制一第二稜鏡之移動；及一控制器，其經組態以：估計一中心波長誤差；基於該估計中心波長誤差而判定該第一致動器之一第一致動量；致使該第一致動器基於該第一致動量而致動；判定該第一稜鏡是否偏離中心；回應於判定該第一稜鏡偏離中心，判定該第一致動器之一第二致動量，且判定該第二致動器之一第三致動量；及致使該第一致動器及該第二致動器分別基於該第二致動量及該第三致動量而致動。
該方法可包括估計一中心波長誤差。該方法亦可包括基於該估計中心波長誤差而判定控制一第一稜鏡之移動的一第一致動器的一第一致動量。該方法亦可包括基於該第一致動量而致動該第一致動器。該方法亦可包括判定該第一稜鏡是否偏離中心。該方法亦可包括回應於判定該第一稜鏡偏離中心，判定該第一致動器之一第二致動量，且判定用於控制一第二稜鏡之移動的一第二致動器之一第三致動量。該方法亦可包括分別基於該第二致動量及該第三致動量而致動該第一致動器及該第二致動器。在一些實施例中，該方法可使用該系統執行。
在一些實施例中，估計該中心波長誤差可包括計算一中心波長在奇數突發下之一第一平均值及該中心波長在偶數突發下之一第二平均值；及判定該第一平均值及該第二平均值之一平均值，其中該中心波長誤差係基於該第一平均值及該第二平均值之該平均值。
在一些實施例中，判定該第一致動量可包括判定一目標中心波長與該估計中心波長之間的一差；及基於該目標中心波長與該估計中心波長之間的該差而判定該第一致動量。
在一些實施例中，判定該目標中心波長與該估計中心波長之間的該差可包括使用一數位濾波器判定該差。
在一些實施例中，判定該第二致動器之該第三致動量可係基於該第一稜鏡在基於該第二致動量致動該第一致動器之後的一方位。
在一些實施例中，判定該第三致動量可進一步包括判定該第三致動量以減小該目標中心波長與該估計波長之間的該差。
在一些實施例中，該成像操作包含一多焦距成像操作，且該方法可進一步包括在一雙色模式中操作一光源。在一些實施例中，在該雙色模式中操作該光源可包括：使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束；使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射。在一些實施例中，估計一中心波長誤差可包括估計該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。在一些實施例中，在該雙色模式中，一波長目標可在一突發(例如，每一脈衝)內的兩個已知設定點之間替換，且可使用一PZT以便追蹤保留極少容限以控制該中心波長的快速變化目標。
在一些實施例中，本發明係關於一種用於控制一中心波長之系統及方法。該系統可包括：一光源，其經組態以產生一光束；一第一致動器，其經組態以控制一第一稜鏡之移動；一第二致動器，其經組態以控制一第二稜鏡之移動；及一控制器。該控制器可經組態以：判定藉由該光源產生之該光束的一波長誤差；判定該波長誤差是否大於一第一臨限值；回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值，致使該第一致動器移動一第一步長；回應於判定該波長誤差小於該第一臨限值：判定一平均波長誤差；判定該平均波長誤差是否大於不同於該第一臨限值之一第二臨限值；回應於判定該平均波長誤差大於該第二臨限值，致使該第一致動器移動一第二步長且啟用一低通濾波器；及回應於判定該平均波長誤差小於該第二臨限值，啟用該低通濾波器，更新施加至一第二致動器之一電壓，且致使該第一致動器移動一第三步長。
該方法可包括判定藉由一光源產生之一光束的一波長誤差。該方法亦可包括判定該波長誤差是否大於一第一臨限值。該方法亦可包括回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值，將一第一致動器移動一第一步長，該第一致動器經組態以控制一第一稜鏡之移動。回應於判定該波長誤差小於該第一臨限值，該方法亦可包括：判定一平均波長誤差；判定該平均波長誤差是否大於不同於該第一臨限值之一第二臨限值；回應於判定該平均波長誤差大於該第二臨限值，將該第一致動器移動一第二步長且啟用一低通濾波器；及回應於判定該平均波長誤差小於該第二臨限值，啟用該低通濾波器，更新施加至一第二致動器之一電壓，且將該第一致動器移動一第三步長，該第二致動器經組態以控制一第二稜鏡之移動。在一些實施例中，該方法可使用該系統執行。
在一些實施例中，判定該波長誤差可包括量測藉由該光源產生之該光束的一中心波長，且判定該中心波長與一目標中心波長之間的一差。
在一些實施例中，該方法可進一步包括判定該光源之一脈衝的一發射數目是否為一更新間隔之一倍數；及回應於判定該發射數目等於該更新間隔，更新施加至該第二致動器之該電壓。
在一些實施例中，該方法可進一步包括回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值而停用該低通濾波器及一第二致動器之移動。
在一些實施例中，該第一步長為該致動器之一固定步長。
在一些實施例中，該第二步長依據該波長誤差而變化。
在一些實施例中，該第三步長依據施加至第二致動器之該電壓而變化。
在一些實施例中，以該第二步長移動該第一致動器包括每n個脈衝移動該第一致動器一次，其中n大於1。
在一些實施例中，該平均波長誤差係基於該波長誤差，及若干脈衝上的複數個波長誤差之一平均值。
在一些實施例中，該方法包含在一多焦距成像操作中控制該中心波長，且該方法可進一步包括在一雙色模式中操作該光源。在一些實施例中，在該雙色模式中操作該光源可包括：使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束；使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射。在一些實施例中，判定藉由該光源產生的該光束之該波長誤差包含判定該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。在一些實施例中，在該雙色模式中，一波長目標可在一突發(例如，每一脈衝)內的兩個已知設定點之間替換，且可使用一PZT以便追蹤保留極少容限以控制該中心波長的快速變化目標。
在一些實施例中，本發明係關於一種用於控制一多焦距成像操作之一中心波長的系統及方法。該系統可包括：一致動器，其經組態以控制一稜鏡之移動；及一控制器，其經組態以：將一抖動波形與用於移動該致動器之一偏移值組合；基於該抖動波形及該偏移值而產生一脈衝間波長；基於複數個脈衝之該脈衝間波長而產生該中心波長之一滾動平均值；估計一漂移率以預測一未來脈衝之一中心波長；及基於該估計漂移率而更新該偏移值。
該方法可包括將一抖動波形與用於移動控制一稜鏡之移動之一致動器的一偏移值組合。該方法亦可包括基於該抖動波形及該偏移值而產生一脈衝間波長。該方法亦可包括基於複數個脈衝之該脈衝間波長而產生該中心波長之一滾動平均值。該方法亦可包括估計一漂移率以預測一未來脈衝之一中心波長。該方法亦可包括基於該估計漂移率而更新該偏移值。在一些實施例中，該方法可使用該系統執行。
在一些實施例中，該偏移值係基於一直流(DC)電壓。
在一些實施例中，該DC電壓之一初始值為零伏特。
在一些實施例中，該偏移值包含一第一偏移值，且估計該漂移率可包括基於該中心波長之該滾動平均值、該第一偏移值及移動控制一第二稜鏡之移動的一第二致動器的一第二偏移值而估計該漂移率。
在一些實施例中，估計該漂移率可包括使用一卡爾曼濾波器構架來估計一累積中心波長漂移率。
在一些實施例中，估計該漂移率可包括先於一當前脈衝N個脈衝預測該中心波長。
在一些實施例中，估計該漂移率可包括將該卡爾曼濾波器構架轉換成一卡爾曼預測子以先於該當前脈衝N個脈衝預測該中心波長。
在一些實施例中，用於複數個脈衝該之脈衝間波長包括一當前脈衝之一波長。
在一些實施例中，更新該偏移值可包括基於在一突發之一末端處的該中心波長之該滾動平均值而更新該偏移值。
在一些實施例中，該多焦距成像操作包括一雙色模式，且該方法可進一步包括在該雙色模式中操作一光源。在一些實施例中，在該雙色模式中操作該光源可包括：使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束；使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射。
下文參考隨附圖式詳細地描述實施例之另外特徵及例示性態樣以及各種實施例之結構及操作。應注意，實施例不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的來呈現此等實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。所揭示之實施例僅例示本發明。本發明之範疇不限於所揭示實施例。本發明由在此隨附之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一例示性實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但每一實施例可未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此等短語未必指代相同實施例。此外，當結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
為了易於描述，本文中可使用諸如「之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上」、「上部」等等空間相對術語以描述一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係，如圖式中所說明。除了諸圖中所描繪的定向以外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解釋。
如本文中所使用之術語「約」或「基本上」或「大致」指示可基於特定技術變化之給定量的值。基於特定技術，術語「約」或「基本上」或「大致」可指示在例如值之1%至15% (例如，值之±1%、±2%、±5%、±10%或±15%)內變化之給定量的值。
本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可被實施為儲存於有形機器可讀媒體上之指令，其可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號，等等)；及其他者。此外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅僅為方便起見，且此等動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等等之其他裝置引起。
然而，在更詳細地描述此等實施例之前，有指導性的為呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
例示性微影系統
圖1展示包含輻射源SO及微影設備LA之微影系統。輻射源SO經組態以產生EUV及/或EUV輻射光束B及將EUV及/或DUV輻射光束B供應至微影設備LA。微影設備LA包含照明系統IL、經組態以支撐圖案化裝置MA (例如光罩)之支撐結構MT、投影系統PS，及經組態以支撐基板W之基板台WT。
照明系統IL經組態以在EUV及/或DUV輻射光束B入射於圖案化裝置MA上之前調節EUV及/或DUV輻射光束B。另外，照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11。琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11一起向EUV及/或DUV輻射光束B提供所要橫截面形狀及所要強度分佈。除琢面化場鏡面裝置10及琢面化光瞳鏡面裝置11以外或代替該等裝置，照明系統IL可包括其他鏡面或裝置。
在因此調節之後，EUV及/或DUV輻射光束B與圖案化裝置MA相互作用(例如，對於DUV，透射性光罩或對於EUV，反射性光罩)。由於此相互作用，產生經圖案化EUV及/或DUV輻射射束B'。投影系統PS經組態以將經圖案化EUV及/或DUV輻射射束B'投影至基板W上。出於彼目的，投影系統PS可包含經組態以將經圖案化EUV及/或DUV輻射射束B'投影至由基板台WT固持之基板W上的複數個鏡面13、14。投影系統PS可將縮減因數應用至經圖案化EUV及/或DUV輻射光束B'，因此形成特徵小於圖案化裝置MA上之對應特徵的影像。舉例而言，可應用縮減因數4或8。儘管在圖1中將投影系統PS說明為僅具有兩個鏡面13、14，但該投影系統PS可包括不同數目之鏡面(例如，六個或八個鏡面)。
基板W可包括先前形成之圖案。在此情況下，微影設備LA使由經圖案化EUV及/或DUV輻射光束B'形成之影像與先前形成於基板W上之圖案對準。
可在輻射源SO中、在照明系統IL中及/或在投影系統PS中提供相對真空，亦即，處於充分地低於大氣壓力之壓力下之少量氣體(例如氫氣)。
例示性光源設備
如上文所論述，主控振盪器功率放大器(MOPA)為兩級光共振器配置。主控振盪器(MO)(例如，第一光共振器級)(例如，用種子雷射)產生高度相干光束。功率放大器(PA)(例如，第二光共振器級)增大光束之光功率同時保留光束性質。MO可包括氣體放電腔室、輸入/輸出光學元件(例如，光學耦合器(OC))及光譜特徵調節器(例如，線寬窄化模組(LNM))。輸入/輸出光學元件及光譜特徵調節器可圍繞氣體放電腔室以形成光共振器。
MOPA之效能極其取決於MO之對準。MO之對準可包括氣體放電腔室之對準、OC之對準及LNM之對準。對準(例如，腔室、OC、LNM等)中之每一者可有助於MO中隨時間推移之對準誤差及變化。然而，MO之對準可費時，且需要幾個小時人工維護(例如，經同步效能維護(SPM))。另外，若腔室、OC及LNM顯著不對準(例如，無初始參考點)，則初始對準可很難(例如試誤法)。此外，監視及調節MO對準可抑制(例如，阻擋)經輸出光束(例如，DUV光束)例如到達DUV微影設備。
成像光(例如，可見雷射光束)可(例如，依序或同時)投影於腔室、OC及LNM上以照明且OC及/或LNM沿腔室之光軸(例如，第一及第二光學埠)直接對準。來自氣體放電腔室的放大自發性發射(ASE)可充當信標(例如，參考點)以促進成像光沿MO腔體之光軸(例如，沿腔室、OC及LNM之光軸)的軸線校正(例如，雷射軸線校正)。另外，可使用ASE最初將腔室與MO腔體之光軸對準(例如，粗略對準)。此外，可使用感測設備(例如，攝影機)在視覺上調查MO (例如，腔室埠、OC孔徑、LNM孔徑等)內的不同目標平面且量化任何對準誤差(例如，影像比較)。舉例而言，感測設備可調查各種目標平面上的成像光之近場(NF)及遠場(FF)區，且例如藉由光束剖析(例如，水平對稱性、垂直對稱性等)應用調節(例如，精確對準)。
如下文所論述之光源設備及系統可縮減主控振盪器之對準時間(例如，SPM)、減少主控振盪器隨時間推移之對準變化，及監視且動態控制主控振盪器之可量化對準誤差，以將高度相干光束提供至(例如) DUV微影設備。
圖2至圖4說明根據各種例示性實施例之光源設備200。圖2為根據例示性實施例之光源設備200的示意性俯視規劃說明。圖3及圖4為根據例示性實施例的圖2中所示之光源設備200之氣體放電級220的示意性部分橫截面說明。
圖2說明根據各種例示性實施例之光源設備200。光源設備200可經組態以監視且動態控制氣體放電級220 (例如，MO)之可量化對準誤差，且將高度相干且對準光束(例如，光束202、經放大光束204)提供至(例如) DUV微影設備(例如，LA)。光源設備200可經進一步組態以縮減氣體放電級220 (例如，MO)之對準時間，且減少氣體放電級220 (例如，MO)隨時間推移之對準變化。儘管圖2中將光源設備200展示為獨立設備及/或系統，但本發明之實施例可與其他光學系統一起使用，該等其他光學系統諸如但不限於輻射源SO、微影設備LA及/或其他光學系統。在一些實施例中，光源設備200可為微影設備LA中之輻射源SO。舉例而言，DUV輻射光束B可為光束202及/或經放大光束204。
光源設備200可為藉由氣體放電級220 (例如，MO)及功率環放大器(PRA)級280 (例如，PA)形成的MOPA。光源設備200可包括氣體放電級220、線分析模組(LAM) 230、主控振盪器波前工程改造邏輯框(MoWEB) 240、功率環放大器(PRA)級280及控制器290。在一些實施例中，所有上文所列舉之組件可容納於三維(3D)框架210中。在一些實施例中，3D框架210可包括金屬(例如，鋁、鋼等)、陶瓷及/或任何其他合適的剛性材料。
氣體放電級220可經組態以輸出高度相干光束(例如，光束202)。氣體放電級220可包括第一光共振器元件254、第二光共振器元件224、輸入/輸出光學元件250 (例如，OC)、光學放大器260及光譜特徵調節器270 (例如，LNM)。在一些實施例中，輸入/輸出光學元件250可包括第一光共振器元件254，且光譜特徵調節器270可包括第二光共振器元件224。第一光共振器228可藉由輸入/輸出光學元件250 (例如，經由第一光共振器元件254)及光譜特徵調節器270 (例如，經由第二光共振器元件224)界定。第一光共振器元件254可為部分反射性的(例如，部分鏡面)，且第二光共振器元件224可為反射性的(例如，鏡面或光柵)以形成第一光共振器228。第一光共振器228可在固定數目次通過後將藉由光學放大器260 (例如，放大自發性發射(ASE) 201)產生的光導向至光學放大器260以形成光束202。在一些實施例中，如圖2中所展示，氣體放電級220可將光束202輸出至PRA級280作為MOPA配置之部分。
PRA級280可經組態以經由多通配置放大來自氣體放電級220之光束202，且輸出經放大光束204。PRA級280可包括第三光共振器元件282、功率環放大器(PRA) 286及第四光共振器元件284。第二光共振器288藉由第三光共振器元件282及第四光共振器元件284界定。第三光共振器元件282可為部分反射性的(例如，部分分束器)，且第四光共振器元件284可為反射性的(例如，鏡面或稜鏡或光束反向器)以形成第二光共振器288。第二光共振器288可在固定數目次通過後將來自氣體放電級220之光束202導向至PRA 286以形成經放大光束204。在一些實施例中，PRA級280可將經放大光束204輸出至微影設備，例如，微影設備(LA)。舉例而言，經放大光束204可為來自微影設備LA中之輻射源SO的EUV及/或DUV輻射光束B。
如圖2至圖4中所示，光學放大器260可以光學方式耦接至輸入/輸出光學元件250及光譜特徵調節器270。光學放大器260可經組態以輸出ASE 201及/或光束202。在一些實施例中，光學放大器260可將ASE 201用作信標，以導引腔室261之光軸及/或氣體放電級220 (例如，MO腔體)之光軸的軸線校正。光學放大器260可包括腔室261、氣體放電介質263及腔室調節器265。氣體放電介質263可安置於腔室261內，且腔室261可安置於腔室調節器265上。
腔室261可經組態以將氣體放電介質263固持於第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b內。腔室261可包括第一腔室光學埠262a及與第一腔室光學埠262a相反的第二腔室光學埠262b。在一些實施例中，第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b可形成腔室261之光軸。
如圖3中所展示，第一腔室光學埠262a可與輸入/輸出光學元件250光通信。第一腔室光學埠262a可包括第一腔室壁261a、第一腔室窗口266a及第一腔室孔徑264a。在一些實施例中，如圖3中所展示，第一腔室孔徑264a可為矩形開口。
如圖4中所展示，第二腔室光學埠262b可與光譜特徵調節器270光通信。第二腔室光學埠262b可包括第二腔室壁261b、第二腔室窗口266b及第二腔室孔徑264b。在一些實施例中，如圖4中所展示，第二腔室孔徑264b可矩形開口。在一些實施例中，腔室261之光軸穿過第一腔室孔徑264a及第二腔室孔徑264b。
氣體放電介質263可經組態以輸出ASE 201 (例如，193 nm)及/或光束202 (例如，193 nm)。在一些實施例中，氣體放電介質263可包括用於準分子雷射之氣體(例如，Ar2、Kr2、F2、Xe2、ArF、KrCl、KrF、XeBr、XeCl、XeF等)。舉例而言，氣體放電介質263可包括ArF或KrF，且在自腔室261中之周圍電極(圖中未示)激發(例如，施加電壓)時，經由第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b輸出ASE 201 (例如，193 nm)及/或光束202 (例如，193 nm)。在一些實施例中，氣體放電級220可包括電壓電源供應器(圖中未示)，其經組態以在腔室261中之電極(圖中未示)兩端施加高壓電脈衝。
腔室調節器265可經組態以(例如，橫向、在角度上等)空間調節腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)。如圖2中所展示，腔室調節器265可耦接至腔室261及第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b。在一些實施例中，腔室調節器265可具有六自由度(例如，6軸)。舉例而言，腔室調節器265可包括一或多個線性馬達及/或致動器，從而以六個自由度(例如，前/後、上/下、左/右、側傾、縱傾、側滾)提供腔室261之光軸之調節。在一些實施例中，腔室調節器265可橫向且在角度上調節腔室261，以將腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)與氣體放電級220 (例如，MO腔體)之光軸對準。舉例而言，如圖2中所展示，氣體放電級220 (例如，MO腔體)之光軸可藉由腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)、輸入/輸出光學元件250 (例如，OC孔徑252)及光譜特徵調節器270 (例如，LNM孔徑272)界定。
輸入/輸出光學元件250可經組態以與第一腔室光學埠262a光通信。在一些實施例中，輸入/輸出光學元件250可為經組態以部分反射光束並形成第一光共振器228的光學耦合器(OC)。舉例而言，OC先前已在2011年2月8日發佈的美國專利第7,885,309號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。如圖2中所展示，輸入/輸出光學元件250可包括第一光共振器元件254，以將光導向(例如，反射)至光學放大器260，且傳輸來自出自氣體放電級220 (例如，MO腔體)之光學放大器260的光(例如，光束202、ASE 201)。
如圖3中所展示，輸入/輸出光學元件250可包括OC孔徑252及第一光共振器元件254。第一光共振器元件254可經組態以相對於腔室261 (例如，第一腔室光學埠262a)在垂直及/或水平方向上經由OC孔徑252在角度上調節(例如，頂端及/或傾角)光。在一些實施例中，OC孔徑252可為矩形開口。在一些實施例中，氣體放電級220之對準可基於第一腔室孔徑264a與OC孔徑252之對準。在一些實施例中，第一光共振器元件254可在角度上調節輸入/輸出光學元件250 (例如，頂端及/或傾角)，使得來自輸入/輸出光學元件250之反射平行於氣體放電級220 (例如，MO腔體)之光軸。在一些實施例中，第一光共振器元件254可為能夠進行角度調節(例如，頂端及/或傾角)之可調節鏡面(例如，部分反射器、分束器等)。在一些實施例中，OC孔徑252可為固定的，且第一光共振器元件254可進行調節。在一些實施例中，OC孔徑252可進行調節。舉例而言，OC孔徑252可相對於腔室261在垂直及/或水平方向上進行空間調節。
光譜特徵調節器270 (例如，LNM)可經組態以與第二腔室光學埠262b光通信。在一些實施例中，光譜特徵調節器270可為經組態以將光譜線窄化提供至光束的線窄化模組(LNM)。舉例而言，LNM先前已在2012年2月28日發佈的美國專利第8,126,027號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。
如圖2中所展示，光譜特徵調節器270可包括第二光共振器元件224，以將來自光學放大器260的光(例如，光束202、ASE 201)向著輸入/輸出光學元件250導向(例如，反射)回至光學放大器260。
如圖4中所展示，光譜特徵調節器270可包括LNM孔徑272及傾斜角度調變器(TAM) 274。TAM 274可經組態以相對於腔室261 (例如，第二腔室光學埠262b)在垂直及/或水平方向上經由LNM孔徑272在角度上調節光。在一些實施例中，LNM孔徑272可為矩形開口。在一些實施例中，氣體放電級220之對準可基於第二腔室孔徑264b與LNM孔徑272之對準。在一些實施例中，TAM 274可在角度上調節光譜特徵調節器270 (例如頂端及/或傾角)，使得來自光譜特徵調節器270之反射平行於氣體放電級220 (例如，MO腔體)之光軸。在一些實施例中，TAM 274可包括能夠進行角度調節(例如，頂端及/或傾角)的可調節鏡面(例如，部分反射器、分束器等)及/或可調節稜鏡。在一些實施例中，LNM孔徑272可為固定的且TAM 274可進行調節。在一些實施例中，LNM孔徑272可進行調節。舉例而言，LNM孔徑272可相對於腔室261在垂直及/或水平方向上進行空間調節。
在一些實施例中，TAM 274之可調節鏡面(例如，部分反射器、分束器等)及/或可調節稜鏡可包括複數個稜鏡276a-d。稜鏡276a-d可經致動以操控入射光在第二光共振器元件224上的入射角，其可用來選擇波長之窄帶以沿光學路徑反射回去。在一些實施例中，稜鏡276a可裝配有具有有限步進解析度的步進電機，且可用於粗略波長控制。稜鏡276b可使用壓電換能器(PZT)致動器來致動，其相較於稜鏡276a提供經改良解析度及頻寬。在操作中，控制器290可在兩級組態中使用稜鏡276a、276b。
LAM 230可經組態以監視光束(例如，光束202、成像光206)之線中心(例如，中心波長)。LAM 230可經進一步組態以監視用於度量衡波長量測的光束(例如，ASE 201、光束202、成像光206)之能量。舉例而言，LAM先前已在2011年2月8日發佈的美國專利第7,885,309號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。
如圖2中所展示，LAM 230可以光學方式耦接至氣體放電級220及/或MoWEB 240。在一些實施例中，LAM 230可安置於氣體放電級220與MoWEB 240之間。舉例而言，如圖2中所展示，LAM 230可以光學方式直接耦接至MoWEB 240，且以光學方式耦接至氣體放電級220。在一些實施例中，如圖2中所展示，分束器212可經組態以向著PRA級280導向ASE 201及/或光束202，且向著成像設備導向ASE 201及/或光束202。在一些實施例中，如圖2中所展示，分束器212可安置於MoWEB 240中。
MoWEB 240可經組態以向光束(例如，光束202、成像光206)提供光束成形。MoWEB 240可經進一步組態以監視光束(例如，ASE 201、光束202、成像光206)之前向及/或後向傳播。舉例而言，MoWEB先前已在2011年2月8日發佈的美國專利第7,885,309號中描述，該美國專利全部內容以引用的方式併入本文中。如圖2中所展示，MoWEB 240可以光學方式耦接至LAM 230。在一些實施例中，LAM 230、MoWEB 240及/或成像設備可經由單個光學配置以光學方式耦接至氣體放電級220。
控制器290可經組態以與輸入/輸出光學元件250、腔室調節器265及/或光譜特徵調節器270通信。在一些實施例中，控制器290可經組態以將第一信號292提供至輸入/輸出光學元件250，將第二信號294提供至光譜特徵調節器270，且將第三信號296提供至腔室調節器265。在一些實施例中，控制器290可經組態以將信號(例如，第一信號292及/或第二信號294)提供至輸入/輸出光學元件250及/或光譜特徵調節器270，且基於來自成像設備400之輸出(例如，二維(2D)影像比較)調節輸入/輸出光學元件250 (例如，調節第一光共振器元件254)及/或光譜特徵調節器270 (例如，調節TAM 274)。
在一些實施例中，第一光共振器元件254、腔室調節器265及/或TAM 274可與控制器290實體及/或電子通信(例如，第一信號292、第二信號294及/或第三信號296)。舉例而言，第一光共振器元件254、腔室調節器265及/或TAM 274可藉由控制器290 (例如，橫向及/或在角度上)調節以將腔室261之光軸(例如，沿第一腔室光學埠262a及第二腔室光學埠262b)與藉由輸入/輸出光學元件250 (例如，OC孔徑252)及光譜特徵調節器270 (例如，LNM孔徑272)界定的氣體放電級220 (例如，MO腔體)之光軸對準。
在正常操作期間，雷射波長可能由於光學件經歷熱瞬態且由於雷射工作循環變化而受到干擾且漂移。主要波長致動器為LNM。如上文所論述，LNM可包括複數個稜鏡276a-d及第二光共振器元件224 (例如，光柵)。複數個稜鏡276a-d可經致動以操控入射光在第二光共振器元件224上的入射角，其可用來選擇波長之窄帶以沿光學路徑反射回去。在一些實施例中，入射角之量值可控制所選定波長。
在一些實施例中，為控制入射角之量值，且因此控制所選定波長，可使用複數個稜鏡276a-d調節最終入射角。舉例而言，稜鏡276a可相比276b對最終入射角具有更大控制。亦即，在一些實施例中，控制器290在兩級組態中使用稜鏡276a、276b，其中稜鏡276a用於大的跳變且將稜鏡276b去飽和，其用於最終入射角之更精細變化。控制稜鏡276a、276b對於MFI操作尤其重要，該等MFI操作需要圍繞設定點更多調整，且實情為，需要精確追蹤奈奎斯特頻率下的正弦波，以及精確控制正弦波之中心點(亦即，中心波長)。關於圖5、圖6A、圖6B及圖7至圖9所描述的程序提供用於控制諸如MFI操作之成像操作之中心波長的方法。
多焦距成像操作可包括雙色模式。在該雙色模式中操作該光源可包括：使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束；使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射。在該雙色模式中，一波長目標可在一突發(例如，每一脈衝)內的兩個已知設定點之間替換，且可使用該PZT以便追蹤保留極少容限以控制該中心波長的快速變化目標。
圖5說明根據一實施例的用於調節多焦距或其他成像之中心波長的方法500。應瞭解，未必需要圖5中之所有步驟來執行本文所提供之揭示內容。另外，可同時、依次及/或以與圖5中所示不同的次序執行該等步驟中之一些。方法500應參考圖1至圖4進行描述。然而，方法500不限於彼等實例實施例。
在一些實施例中，方法500涉及基於自LAM 230評估之平均中心波長誤差，藉由移動用於分別控制稜鏡276a及276b之移動的致動器來調配反饋迴路以調整雷射輻射光束之中心波長。為此，可使用LAM資料估計最近脈衝之中心波長。在一些實施例中，可將目標中心波長與估計中心波長之間的差提供至控制器290，以判定稜鏡276b之所要致動從而補償中心波長上的干擾。由於稜鏡276b具有有限行進範圍，因此控制器290亦可視需要藉由致動稜鏡276b來確保稜鏡276b置於中心。
在510，方法500可包括估計中心波長誤差。舉例而言，可基於中心波長在奇數突發下之第一平均值及中心波長在偶數突發下之第二平均值，且基於第一及第二平均值而判定第三平均值，來估計中心波長誤差。在一些實施例中，中心波長誤差可係基於中心波長與第三平均值之間的差。
在520，方法500可包括基於估計中心波長而判定控制稜鏡276b之移動的第一致動器的致動量。舉例而言，圖2之控制器290可判定目標中心波長與估計波長之間的差，且判定將控制稜鏡276b之移動的致動器致動多少以補償該差。在530，方法500可包括基於致動量而致動控制稜鏡276b之移動的致動器。
在540，方法500可包括判定稜鏡276b是否偏離中心。回應於判定稜鏡276b位於中心，方法500在550結束。回應於判定稜鏡276b偏離中心，在560，方法500可包括判定控制稜鏡276b之移動的致動器之第二致動量，且基於該第一致動器之第二致動而判定控制稜鏡276a之移動的第二致動器之第三致動量。亦即，控制器290可判定稜鏡276a、276b兩者需要多少致動來彌補中心波長誤差。
圖6A至圖6B、圖7及圖8說明根據一些實施例的用於調節諸如多焦距成像之成像操作之中心波長的方法。應瞭解，未必需要圖6至圖8中之所有步驟來執行本文所提供之揭示內容。此外，該等步驟中之一些可同時執行、依序執行，及/或以不同於圖6A至圖6B、圖7及圖8中所展示之次序執行。此等方法應參考圖1至圖4進行描述。然而，此等方法不限於彼等實例實施例。
圖6A至圖6B、圖7及圖8涉及用於諸如在雙色MFI模式中調整雷射輻射光束之中心波長的方法。雙色MFI模式可能面臨困難，諸如稜鏡276b在雙色模式中對中心波長控制具有極小容限、來自模式轉變之步進干擾，及/或峰值間隔變化在使用純回饋處置時可能造成瞬態，且中心波長控制器可與其他控制器(例如，峰值間隔控制器)互動，此可導致效能降級或甚至不穩定性。為解決此等困難，在一些實施例中，可在突發內移動稜鏡276a，以補償大的中心波長誤差，同時限制稜鏡276b之移動以補償小的且經低通濾光之誤差。此外，在一些實施例中，可移動稜鏡276a以將稜鏡276b去飽和。在一些實施例中，可在偵測到雙色模式轉變或峰值間隔目標變化時超出突發之範圍移動稜鏡276a。在一些實施例中，中心波長控制器與其他控制器(例如，峰值間隔控制器)之間的控制頻寬可彼此隔開。
如圖6A至圖6B中所說明，在610，方法600可包括激發光源，諸如MFI系統中之雷射腔室。在620，方法600可包括判定光源之波長誤差，該光源可為來自第一雷射腔室模組的處於第一波長下之第一雷射輻射光束或使用第二雷射腔室模組產生的處於第二波長下之第二雷射輻射光束任一者。在一些實施例中，判定該波長誤差可包括量測藉由光源產生的光束之中心波長，且判定中心波長與目標中心波長之間的差。
在630，方法600可包括判定該波長誤差是否大於第一臨限值。舉例而言，臨限值可為200飛米。一般熟習此項技術者應理解，此僅為一實例臨限值，且根據本發明之態樣進一步設想其他臨限值。
在一些實施例中，在640，回應於判定波長誤差大於臨限值，方法600可包括移動用於控制稜鏡276a之移動的第一致動器。舉例而言，當濾波器(諸如低通濾波器)及用於控制稜鏡276b之移動的第二致動器之移動停用時，可每一脈衝將第一致動器移動第一步長。舉例而言，可在減小波長誤差的方向上移動第一致動器。第一步長可為固定步長，諸如第一致動器之一個完整步長。藉由在濾波器及第二致動器停用時移動第一致動器，方法600為波長誤差提供總變化，且將稜鏡276b去飽和。在一些實施例中，在將第一致動器移動第一步長之後，在698，方法600結束並等待光源之下一脈衝。
在一些實施例中，在650，回應於判定波長誤差小於第一臨限值，方法600可包括判定平均波長誤差。在一些實施例中，平均波長誤差可為基於低通濾光技術之滾動平均值，如一般熟習此項技術者應理解。在660，方法600可包括判定平均波長誤差是否大於第二臨限值。在一些實施例中，第二臨限值可不同於第一臨限值。舉例而言，第二臨限值可為100飛米。一般熟習此項技術者應理解，此僅為一實例臨限值，且根據本發明之態樣進一步設想其他臨限值。在一些實施例中，平均波長誤差可基於波長誤差以及若干脈衝n上的複數個波長誤差之平均值，其中n為大於壹(1)之脈衝數目。亦即，平均波長誤差可為波長誤差之滾動平均值。
在一些實施例中，在670，回應於判定平均波長誤差大於第二臨限值，方法600可包括將第一致動器移動第二步長，啟用低通濾波器，且停用第二致動器之移動。舉例而言，可在減小波長誤差的方向上移動第一致動器。在一些實施例中，第二步長大小可與波長誤差成比例，例如，平均波長誤差愈小，第一致動器之步長愈小，且反之亦然。在一些實施例中，第二步長可小於完整步長。在一些實施例中，第二步長可大於完整步長。藉由將第一致動器移動與平均波長誤差成比例的步長，方法600防止過沖稜鏡276a之所要位置。在一些實施例中，在將第一致動器移動第二步長之後，在698，方法600結束並等待光源之下一脈衝。
在一些實施例中，在680，回應於判定平均波長誤差小於第二臨限值，方法600可包括將第一致動器移動第三步長。在一些實施例中，第三步長可與施加至第二致動器之電壓成比例，且重設施加至該第二致動器之該電壓。因此，在一些實施例中，第三步長可基於施加至第二致動器之電壓，而非平均波長誤差。
在一些實施例中，在690，方法600可包括判定脈衝之發射數目是否為更新間隔之倍數。發射數目可為例如光束之脈衝的數目。在一些實施例中，更新間隔可為例如每五個(5)或十個(10)脈衝。一般熟習此項技術者應理解，此等僅為實例更新間隔，且根據本發明之態樣進一步設想其他更新間隔。亦即，在一些實施例中，方法600可包括判定脈衝為例如第五個脈衝抑或第十個脈衝。在一些實施例中，當發射數目不等於更新間隔時，在698，方法600結束並等待光源之下一脈衝。
在一些實施例中，當發射數目等於更新間隔時，在695，方法600可包括更新施加至第二致動器之電壓。舉例而言，施加至第二致動器之電壓可基於平均波長誤差，從而稜鏡276b之移動在後續脈衝中適應平均波長誤差。在一些實施例中，在更新施加至第二致動器之電壓之後，在698，方法600結束並等待光源之下一脈衝。
在一些實施例中，可在光源之脈衝之間執行圖7之方法700。在此週期期間，光源可在操作模式之間轉換，例如，在單色模式與雙色模式之間轉換，且因此，中心波長可歸因於操作狀態之改變而改變。為解決此問題，如圖7中所展示，方法700亦可包括在710，偵測光源之操作狀態的變化。在720，回應於偵測到光源之操作狀態的變化，方法700可包括判定中心波長變化。舉例而言，判定中心波長變化可包括判定目標峰值間隔之中點。在730，方法700可包括基於中心波長變化而將第一致動器移動一步長。在一些實施例中，可在光源之突發之間執行關於圖7所描述之程序。藉此，方法700提供在下一次光源啟動時減小波長誤差。
在一些實施例中，可在光源之脈衝之間執行圖8之方法800。在此週期期間，目標峰值間隔可改變。為解決此問題，如圖8中所展示，方法800可包括在810，偵測峰值間隔之變化。在820，回應於偵測到峰值間隔之變化，方法800亦可包括判定中心波長變化。舉例而言，判定中心波長變化可包括判定先前峰值間隔目標與新峰值間隔目標之間的平均值。在830，方法800可包括基於中心波長變化而將第一致動器移動一步長。在一些實施例中，可在光源之突發之間執行關於圖7及圖8所描述之程序。藉此，方法700及800提供在下一次光源啟動時減小波長誤差。另外，使用圖7及圖8中描述之程序，本發明減小完成不同操作模式之間的轉換所需的突發之數目。
圖9說明根據一實施例的用於調節諸如可用於多焦距成像之中心波長的方法900。應瞭解，未必需要圖9中之所有步驟來執行本文所提供之揭示內容。另外，可同時、依次及/或以與圖9中所示不同的次序執行該等步驟中之一些。方法900應參考圖1至圖4進行描述。然而，方法900不限於彼等實例實施例。
在一些實施例中，關於圖9論述之程序提供在突發期間移動控制稜鏡276b之移動的致動器。亦即，關於圖9論述之程序提供用於解決中心波長之變化的星形突發解決方案，該中心波長諸如可出自來自第一雷射腔室模組的處於第一波長下之第一雷射輻射光束或在MFI模式中使用第二雷射腔室模組產生的處於第二波長下之第二雷射輻射光束任一者。為此，在一些實施例中，關於圖9所描述之程序估計中心波長之漂移率以便補償中心波長之量測延遲。
在一些實施例中，抖動波形(或序列)可與用於移動稜鏡276b之致動器的偏移組合。舉例而言，抖動波形可為用以使量化隨機化的所應用形式之雜訊。可在突發結束(EOB)及/或以設定脈衝間隔更新偏移。在一些實施例中，EOB更新可移動用於稜鏡276b之致動器，以將藉由取整個突發之波長量測結果的平均值而獲得的估計中心波長漂移清零。在一些實施例中，間隔更新可基於本文中所描述之估計程序。在一些實施例中，本文中所描述之估計程序可基於達至當前脈衝的中心波長之移動平均估計值，且可提供有對用於稜鏡276b之致動器的偏移及用於稜鏡276a之致動器的第二偏移兩者的存取。換言之，在一些實施例中，用於估計漂移率之程序可基於稜鏡276a、276b之當前方位，以及在每一致動器的各別偏移下，及中心波長之滾動平均值，且使用卡爾曼濾波器構架估計總累積中心波長漂移。在一些實施例中，為補償LAM 230之延遲，可藉由將卡爾曼濾波器轉換成卡爾曼預測子來提前兩個發射預測漂移。亦即，藉由使用已知輸入及任何干擾，可使用開路傳播估計漂移率以先於當前突發兩步預測漂移率。
在一些實施例中，卡爾曼濾波器可使用方程式1及2模型化。在一些實施例中，在任何給定點，相對於中心波長目標之中心波長可基於藉由適當增益按比例縮放的稜鏡276a、276b之方位與時間k下的累積波長漂移D(k)之和。在一些實施例中，累積波長漂移可模型化為線性漂移，其具有被定義為DSR(k)的在時間k下之未知速率。因此，漂移率可在無問題的情況下隨時間推移而變化，且可併入至狀態向量中由此允許漂移率得以估計。
在使用因此建構之模型的情況下，可如方程式3中實施穩態卡爾曼濾波器，其中A、B、C及D界定於方程式1及2中，Q及R為調諧參數，且S為方程式4中給定之代數Ricatti方程式的解。
在一些實施例中，控制器(例如，控制器290)可具備總累積漂移及估計漂移率，從而中心波長之變化可得以補償。
在一些實施例中，偏移P3 offset可使用如同方程式5界定。藉由使用已知輸入及併入至模型中的任何干擾，可提前兩步使用模型之開放迴路傳播估計漂移率。
基於前述，可基於波長量測即時估計漂移率。該漂移率可用以預測波長漂移之量值且用以在發射間補償該量值。在一些實施例中，漂移率可經模型化為具有可變累積速率之累積器，且卡爾曼濾波器可用以基於中心波長之估計值而估計累積速率(例如，當前突發中所有波長量測的算術平均值)。在一些實施例中，為補償LAM 230中之量測延遲，可先於N個脈衝(例如，兩個脈衝)預測中心波長，且將其用以判定應用於稜鏡276b之致動器的偏移。舉例而言，在一些實施例中，N個脈衝可為兩個脈衝，但一般熟習此項技術者應理解，此僅為脈衝之實例數目，且根據本發明之態樣設想更多或更少脈衝。在一些實施例中，可在發射間以子飛米解析度更新此偏移。
在910，方法900可包括將抖動波形與用於致動稜鏡之偏移值組合。在一些實施例中，偏移值可用以移動用於控制稜鏡276b之移動的致動器。在一些實施例中，偏移值基於施加至用於控制稜鏡276b之移動的致動器的直流(DC)電壓。在一些實施例中，該DC電壓之一初始值為零伏特。
在920，方法900可包括基於抖動波形及偏移值而產生脈衝間波長。舉例而言，可使用LAM 230產生脈衝間波長。在一些實施例中，脈衝間波長亦可基於來自微影設備LA內的其他干擾。
在930，方法900可包括基於用於複數個脈衝之脈衝間波長而產生中心波長之滾動平均值。在一些實施例中，用於複數個脈衝之脈衝間波長包括當前脈衝之波長。
在940，方法900可包括估計漂移率以預測未來脈衝之中心波長。在一些實施例中，用於移動與稜鏡276b相關聯之致動器的偏移值可為第一偏移值，且估計漂移率可包括基於中心波長之滾動平均值、第一偏移值及移動控制第二稜鏡276a之移動之第二致動器的第二偏移值而估計漂移率。在一些實施例中，估計漂移率包含使用卡爾曼濾波器構架來估計累積中心波長漂移率。舉例而言，卡爾曼濾波器構架可基於中心波長之滾動平均值、第一偏移值及第二偏移值而估計累積中心波長漂移率。另外，估計漂移率可包括先於當前脈衝N個脈衝(例如，兩個脈衝)預測中心波長。為此，可將卡爾曼濾波器構架轉換成卡爾曼預測子，以先於當前脈衝N個脈衝(例如，兩個脈衝)預測中心波長。
在950，方法900可包括基於估計漂移率而更新偏移值。在一些實施例中，除估計漂移率之外，更新偏移值亦可基於在突發之末端處的中心波長之滾動平均值。
實例電腦系統
可例如使用一或多個熟知電腦系統實施各種實施例及其中組件，諸如圖式中所展示或以其他方式論述的實例實施例、系統及/或設備。電腦系統1000可為能夠執行本文中所描述之功能的任何熟知電腦。
電腦系統1000包括一或多個處理器(亦被稱作中央處理單元或CPU)，諸如處理器1004。處理器1004連接至通信基礎架構或匯流排1006。
一或多個處理器1004可各自為圖形處理單元(GPU)。在一實施例中，GPU為處理器，其為經設計以處理數學上密集型應用程式的特殊化電子電路。GPU可具有有效地用於大資料塊之並行處理的並行結構，該等資料塊諸如，為電腦圖形應用程式、影像、視訊等共有的數學上密集型資料。
電腦系統1000亦包括經由使用者輸入/輸出介面1002與通信基礎架構1006通信的使用者輸入/輸出裝置1003，諸如監視器、鍵盤、指標裝置等。
電腦系統1000亦包括主記憶體或主要記憶體1008，諸如隨機存取記憶體(RAM)。主要記憶體1008可包括一或多個層級之快取記憶體。主要記憶體1008儲存有控制邏輯(亦即，電腦軟體)及/或資料。
電腦系統1000亦可包括一或多個次要儲存裝置或記憶體1010。次要記憶體1010可包括例如硬碟機1012及/或抽取式儲存裝置或磁碟機1014。抽取式儲存磁碟機1014可為軟碟機、磁帶機、緊密光碟機、光學儲存裝置、磁帶備份裝置，及/或任何其他儲存裝置/磁碟機。
抽取式儲存磁碟機1014可與抽取式儲存單元1018互動。抽取式儲存單元1018包括其上儲存有電腦軟體(控制邏輯)及/或資料的電腦可用或電腦可讀儲存裝置。抽取式儲存單元1018可為軟碟、磁帶、緊密光碟、DVD、光學儲存碟，及/任何其他電腦資料儲存裝置。抽取式儲存磁碟機1014以熟知方式自抽取式儲存單元1018讀取及/或寫入至抽取式儲存單元1018。
根據例示性實施例，次要記憶體1010可包括用於允許電腦程式及/或其他指令及/或資料待由電腦系統1000存取的其他構件、工具或其他方法。舉例而言，此類構件、工具或其他方法可包括抽取式儲存單元1022及介面1020。抽取式儲存單元1022以及介面1020的實例可包括程式匣及匣介面(諸如在視訊遊戲裝置中發現的程式匣及匣介面)、抽取式記憶體晶片(諸如EPROM或PROM)以及相關聯插口、記憶棒以及USB埠、記憶卡以及相關聯記憶卡插槽，及/或任何其他抽取式儲存單元以及相關聯介面。
電腦系統1000可進一步包括通信或網路介面1024。通信介面1024使得電腦系統1000能夠與遠端裝置、遠端網路、遠端實體等(以參考編號1028個別地及集體地參考)之任何組合通信及互動。舉例而言，通信介面1024可允許電腦系統1000經由通信路徑1026與遠端裝置1028通信，該通信路徑可為有線及/或無線的且可包括LAN、WAN、網際網路等之任何組合。控制邏輯及/或資料可經由通信路徑1026傳輸至電腦系統1000及自該電腦系統傳輸。
在實施例中，包含其上儲存有控制邏輯(軟體)之有形電腦可用或可讀媒體的有形裝置或製品在本文中亦被稱作電腦程式產品或程式儲存裝置。此有形裝置或製品包括但不限於：電腦系統1000、主要記憶體1008、次要記憶體1010以及抽取式儲存單元1018及1022，以及體現前述各者之任何組合的有形製品。此控制邏輯在由一或多個資料處理裝置(諸如，電腦系統1000)執行時致使此等資料處理裝置如本文中所描述進行操作。
基於本發明中含有之教示，如何使用除圖10中所展示之資料處理裝置、電腦系統及/或電腦架構之外的資料處理裝置、電腦系統及/或電腦架構來製造及使用本發明之實施例對於熟習相關技術者而言將顯而易見。具體而言，實施例可運用除本文中所描述之軟體、硬體及/或作業系統實施之外的軟體、硬體及/或作業系統實施進行操作。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對實施例之使用，但應瞭解，實施例可用於其他應用(例如，壓印微影)中，且在內容背景允許時不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定產生於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本說明書之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
如本文所使用之術語「基板」描述材料層經添加至其上之材料。在一些實施例中，可圖案化基板自身，且亦可圖案化添加於基板之頂部上之材料，或添加於基板之頂部上之材料可保持不圖案化。
以下實例說明而非限制本發明之實施例。通常在該領域中遇到且對熟習相關技術者將顯而易見的多種條件及參數的其他適合修改及調適在本發明之精神及範疇內。
儘管可在本文中特定地參考設備及/或系統在IC之製造中的使用，但應明確理解，此類設備及/或系統具有多種其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及檢測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等中。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被認為分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替代。
儘管上文已描述特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐實施例。該描述不意欲限制申請專利範圍之範疇。
應瞭解，實施方式章節而非發明內容及中文發明摘要章節意欲用以解譯申請專利範圍。發明內容及摘要章節可闡述如由本發明者所設想之一或多個但並非所有例示性實施例，且因此並不意欲以任何方式限制實施例及所附申請專利範圍。
上文已藉助於功能建置區塊描述實施例，該等功能建置區塊說明指定功能及其關係之實施。為了便於描述，本文已任意地界定此等功能建置組塊之邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。
特定實施例之前述描述將充分地揭示實施例之一般性質，使得在不脫離實施例之一般概念的情況下，其他人可藉由應用此項技術之技能範圍內之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適此等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文所呈現之教示內容及指導，希望此等調適及潤飾屬於所揭示實施例之等效物的含義及範圍內。
在以下編號條項中闡述本發明之其他態樣。 1.        一種用於控制一成像操作之一中心波長的方法，其包含： 估計一中心波長誤差； 基於該估計中心波長誤差而判定控制一第一稜鏡之移動的一第一致動器的一第一致動量； 基於該第一致動量而致動該第一致動器； 判定該第一稜鏡是否偏離中心； 回應於判定該第一稜鏡偏離中心，判定該第一致動器之一第二致動量，且判定用於控制一第二稜鏡之移動的一第二致動器之一第三致動量；及 分別基於該第二致動量及該第三致動量而致動該第一致動器及該第二致動器。 2.        如條項1之方法，其中估計該中心波長誤差包含： 計算一中心波長在奇數突發下之一第一平均值及該中心波長在偶數突發下之一第二平均值；及 判定該第一平均值及該第二平均值之一平均值，其中該中心波長誤差係基於該第一平均值及該第二平均值之該平均值。 3.        如條項1之方法，其中判定該第一致動量包含： 判定一目標中心波長與該估計中心波長之間的一差；及 基於該目標中心波長與該估計中心波長之間的該差而判定該第一致動量。 4.        如條項3之方法，其中判定該目標中心波長與該估計中心波長之間的該差包含使用一數位濾波器判定該差。 5.        如條項1之方法，其中判定該第二致動器之該第三致動量係基於該第一稜鏡在基於該第二致動量致動該第一致動器之後的一方位。 6.        如條項5之方法，其中判定該第三致動量進一步包含判定該第三致動量以減小該目標中心波長與該估計波長之間的該差。 7.        如條項1之方法，其中該成像操作包含一多焦距成像操作，且該方法進一步包含在一雙色模式中操作一光源，其中在該雙色模式中操作該光源包括： 使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束； 使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及 使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射， 其中估計一中心波長誤差包含估計該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。 8.        一種用於控制一中心波長之方法，其包含： 判定藉由一光源產生之一光束的一波長誤差； 判定該波長誤差是否大於一第一臨限值； 回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值，將一第一致動器移動一第一步長，該第一致動器經組態以控制一第一稜鏡之移動； 回應於判定該波長誤差小於該第一臨限值： 判定一平均波長誤差； 判定該平均波長誤差是否大於不同於該第一臨限值之一第二臨限值； 回應於判定該平均波長誤差大於該第二臨限值，將該第一致動器移動一第二步長且啟用一低通濾波器；及 回應於判定該平均波長誤差小於該第二臨限值，啟用該低通濾波器，更新施加至一第二致動器之一電壓，且將該第一致動器移動一第三步長，該第二致動器經組態以控制一第二稜鏡之移動。 9.        如條項8之方法，其中判定該波長誤差包含： 量測藉由該光源產生之該光束的一中心波長；及 判定該中心波長與一目標中心波長之間的一差。 10.      如條項8之方法，其進一步包含： 判定該光源之一脈衝的一發射數目是否為一更新間隔之一倍數；及 回應於判定該發射數目等於該更新間隔，更新施加至該第二致動器之該電壓。 11.      如條項8之方法，其進一步包含回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值而停用該低通濾波器及一第二致動器之移動。 12.      如條項8之方法，其中該第一步長為該致動器之一固定步長。 13.      如條項8之方法，其中該第二步長依據該波長誤差而變化。 14.      如條項8之方法，其中該第三步長依據施加至第二致動器之該電壓而變化。 15.      如條項8之方法，其中以該第二步長移動該第一致動器包含每n個脈衝移動該第一致動器一次，其中n大於1。 16.      如條項8之方法，其中該平均波長誤差係基於該波長誤差，及若干脈衝上的複數個波長誤差之一平均值。 17.      如條項8之方法，其中該方法包含在一多焦距成像操作中控制該中心波長，且該方法進一步包含在一雙色模式中操作一光源，其中在該雙色模式中操作該光源包含： 使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束； 使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及 使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射， 其中判定藉由該光源產生的該光束之該波長誤差包含判定該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。 18.      一種用於控制一多焦距成像操作之一中心波長的方法，其包含： 將一抖動波形與用於移動控制一稜鏡之移動之一致動器的一偏移值組合； 基於該抖動波形及該偏移值而產生一脈衝間波長； 基於複數個脈衝之該脈衝間波長而產生該中心波長之一滾動平均值； 估計一漂移率以預測一未來脈衝之一中心波長；及 基於該估計漂移率而更新該偏移值。 19.      如條項18之方法，其中該偏移值係基於一直流(DC)電壓。 20.      如條項19之方法，其中該DC電壓之一初始值為零伏特。 21.      如條項18之方法，其中： 該偏移值包含一第一偏移值，且 估計該漂移率包含基於該中心波長之該滾動平均值、該第一偏移值及移動控制一第二稜鏡之移動的一第二致動器的一第二偏移值而估計該漂移率。 22.      如條項21之方法，其中估計該漂移率包含使用一卡爾曼濾波器構架估計一累積中心波長漂移率。 23.      如條項22之方法，其中估計該漂移率包含先於一當前脈衝N個脈衝預測該中心波長。 24.      如條項23之方法，其中估計該漂移率包含將該卡爾曼濾波器構架轉換成一卡爾曼預測子以先於該當前脈衝N個脈衝預測該中心波長。 25.      如條項18之方法，其中複數個脈衝的該脈衝間波長包含一當前脈衝之一波長。 26.      如條項18之方法，其中更新該偏移值進一步包含基於在一突發之一末端處的該中心波長之該滾動平均值而更新該偏移值。 27.      一種系統，其包含： 一第一致動器，其經組態以控制一第一稜鏡之移動； 一第二致動器，其經組態以控制一第二稜鏡之移動；及 一控制器，其經組態以： 估計一中心波長誤差； 基於該估計中心波長誤差而判定該第一致動器之一第一致動量； 致使該第一致動器基於該第一致動量而致動； 判定該第一稜鏡是否偏離中心； 回應於判定該第一稜鏡偏離中心，判定該第一致動器之一第二致動量，且判定該第二致動器之一第三致動量；及 致使該第一致動器及該第二致動器分別基於該第二致動量及該第三致動量而致動。 28.      如條項27之系統，其中，為估計該中心波長誤差，該控制器經進一步組態以： 計算一中心波長在奇數突發下之一第一平均值及該中心波長在偶數突發下之一第二平均值；及 判定該第一平均值及該第二平均值之一平均值，其中該中心波長誤差係基於該第一平均值及該第二平均值之該平均值。 29.      如條項27之系統，其中為判定該第一致動量，該控制器經進一步組態以： 判定一目標中心波長與該估計中心波長之間的一差；及 基於該目標中心波長與該估計中心波長之間的該差而判定該第一致動量。 30.      如條項29之系統，其中為判定該目標中心波長與該估計中心波長之間的該差，該控制器經進一步組態以使用一數位濾波器判定該差。 31.      如條項27之系統，其中該第二致動器之該第三致動量係基於該第一稜鏡在基於該第二致動量致動該第一致動器之後的一方位。 32.      如條項31之系統，其中，為判定該第三致動量，該控制器經進一步組態以判定該第三致動量，以減小該目標中心波長與該估計波長之間的該差。 33.      如條項27之系統，其中： 該成像操作包含一多焦距成像操作， 該系統進一步包含在一雙色模式中操作之一光源， 該控制器經進一步組態以藉由以下操作在該雙色模式中操作該光源： 使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束； 使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及 使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射， 其中估計一中心波長誤差包含估計該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。 34.      一種系統，其包含： 一光源，其經組態以產生一光束； 一第一致動器，其經組態以控制一第一稜鏡之移動； 一第二致動器，其經組態以控制一第二稜鏡之移動；及 一控制器，其經組態以： 判定藉由該光源產生之該光束的一波長誤差； 判定該波長誤差是否大於一第一臨限值； 回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值，致使該第一致動器移動一第一步長；及 回應於判定該波長誤差小於該第一臨限值： 判定一平均波長誤差；及 判定該平均波長誤差是否大於不同於該第一臨限值之一第二臨限值； 回應於判定該平均波長誤差大於該第二臨限值，致使該第一致動器移動一第二步長且啟用一低通濾波器；及 回應於判定該平均波長誤差小於該第二臨限值，啟用該低通濾波器，更新施加至一第二致動器之一電壓，且致使該第一致動器移動一第三步長。 35.      如條項34之系統，其中，為判定該波長誤差，該控制器經進一步組態以： 量測藉由該光源產生之該光束的一中心波長；及 判定該中心波長與一目標中心波長之間的一差。 36.      如條項34之系統，其中該控制器經進一步組態以： 判定該光源之一脈衝的一發射數目是否為一更新間隔之一倍數；及 回應於判定該發射數目等於該更新間隔，更新施加至該第二致動器之該電壓。 37.      如條項34之系統，其中該控制器經進一步組態以回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值而停用該低通濾波器及一第二致動器之移動。 38.      如條項34之系統，其中該第一步長為該致動器之一固定步長。 39.      如條項34之系統，其中該第二步長依據該波長誤差而變化。 40.      如條項34之系統，其中該第三步長依據施加至第二致動器之該電壓而變化。 41.      如條項34之系統，其中，為致使該第一致動器移動該第二步長，該控制器經進一步組態以致使該第一致動器每n個脈衝移動一次，其中n大於1。 42.      如條項34之系統，其中該平均波長誤差係基於該波長誤差，及若干脈衝上的複數個波長誤差之一平均值。 43.      如條項34之系統，其中： 該系統經組態以執行多焦距成像操作，及 該控制器經進一步組態以藉由以下操作在一雙色模式中操作該光源： 使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束； 使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及 使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射， 其中判定藉由該光源產生的該光束之該波長誤差包含判定該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。 44.      一種用於控制一多焦距成像操作之一中心波長的系統，其包含： 一致動器，其經組態以控制一稜鏡之移動；及 一控制器，其經組態以： 將一抖動波形與用於移動該致動器之一偏移值組合； 基於該抖動波形及該偏移值而產生一脈衝間波長； 基於複數個脈衝之該脈衝間波長而產生該中心波長之一滾動平均值； 估計一漂移率以預測一未來脈衝之一中心波長；及 基於該估計漂移率而更新該偏移值。 45.      如條項44之系統，其中該偏移值係基於一直流(DC)電壓。 46.      如條項45之系統，其中該DC電壓之一初始值為零伏特。 47.      如條項44之系統，其中： 該偏移值包含一第一偏移值，且 估計該漂移率包含基於該中心波長之該滾動平均值、該第一偏移值及移動控制一第二稜鏡之移動的一第二致動器的一第二偏移值而估計該漂移率。 48.      如條項47之系統，其中為估計該漂移率，該控制器經進一步組態以使用一卡爾曼濾波器構架來估計一累積中心波長漂移率。 49.      如條項48之系統，其中，為估計該漂移率，該控制器經進一步組態以先於一當前脈衝N個脈衝預測該中心波長。 50.      如條項49之系統，其中，為估計該漂移率，該控制器經進一步組態以將該卡爾曼濾波器構架轉換成一卡爾曼預測子以先於該當前脈衝N個脈衝預測該中心波長。 51.      如條項44之系統，其中複數個脈衝的該脈衝間波長包含一當前脈衝之一波長。 52.      如條項44之系統，其中，為更新該偏移值，該控制器經進一步組態以基於在一突發之一末端處的該中心波長之該滾動平均值而更新該偏移值。
本發明之廣度及範疇不應由上述例示性實施例中任一者限制，而應僅根據所附申請專利範圍及其等效物進行界定。
10:琢面化場鏡面裝置 11:琢面化光瞳鏡面裝置 13:鏡面 14:鏡面 200:光源設備 201:放大自發性發射(ASE) 202:光束 204:經放大光束 206:成像光 210:三維(3D)框架 212:分束器 220:氣體放電級 224:第二光共振器元件 228:第一光共振器 230:線分析模組(LAM) 240:主控振盪器波前工程改造邏輯框(MoWEB) 250:輸入/輸出光學元件 252:光學耦合器(OC)孔徑 254:第一光共振器元件 260:光學放大器 261:腔室 261a:第一腔室壁 261b:第二腔室壁 262a:第一腔室光學埠 262b:第二腔室光學埠 263:氣體放電介質 264a:第一腔室孔徑 264b:第二腔室孔徑 265:腔室調節器 266a:第一腔室窗口 266b:第二腔室窗口 270:光譜特徵調節器 272:線寬窄化模組(LNM)孔徑 274:傾斜角度調變器(TAM) 276a:稜鏡 276b:稜鏡 276c:稜鏡 276d:稜鏡 280:功率環放大器(PRA)級 282:第三光共振器元件 284:第四光共振器元件 286:功率環放大器(PRA) 288:第二光共振器 290:控制器 292:第一信號 294:第二信號 296:第三信號 400:成像設備 500:方法 510:步驟 520:步驟 530:步驟 540:步驟 550:步驟 560:步驟 600:方法 610:步驟 620:步驟 630:步驟 640:步驟 650:步驟 660:步驟 670:步驟 680:步驟 690:步驟 695:步驟 698:步驟 700:方法 710:步驟 720:步驟 730:步驟 800:方法 810:步驟 820:步驟 830:步驟 900:方法 910:步驟 920:步驟 930:步驟 940:步驟 950:步驟 1000:電腦系統 1002:使用者輸入/輸出介面 1003:使用者輸入/輸出裝置 1004:處理器 1006:通信基礎架構 1008:主要記憶體 1010:次要記憶體 1012:硬碟機 1014:抽取式儲存磁碟機 1018:抽取式儲存單元 1020:介面 1022:抽取式儲存單元 1024:通信介面 1026:通信路徑 1028:遠端裝置、網路、實體 B:EUV及/或DUV輻射光束 B':經圖案化EUV及/或DUV輻射射束 IL:照明系統 LA:微影設備 MA:圖案化裝置 MT:支撐結構 PS:投影系統 SO:輻射源 W:基板 WT:基板台
併入本文中且形成本說明書之一部分之隨附圖式說明實施例，且連同描述一起進一步用以解釋實施例之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用實施例。
圖1為根據一例示性實施例之微影設備的示意性說明。
圖2為根據例示性實施例之光源設備之示意性俯視規劃說明。
圖3為根據例示性實施例的圖2中所示之光源設備之氣體放電級的示意性部分橫截面圖示。
圖4為根據例示性實施例的圖2中所示之光源設備之氣體放電級的示意性部分橫截面圖示。
圖5說明根據一實施例的用於調節多焦距成像之中心波長的方法。
圖6A至圖6B、圖7及圖8說明根據一些實施例的用於調節多焦距成像之中心波長的方法。
圖9說明根據例示性實施例的用於對準氣體放電級之流程圖。
圖10為適用於實施本發明之各種實施例的實例電腦系統。
實施例之特徵及例示性態樣將自結合圖式在以下闡述之詳細描述變得顯而易見，在圖式中，相同參考標號貫穿全文識別對應元件。在該等圖式中，相同參考數字通常指示相同、功能上相似及/或結構上相似之元件。另外，通常，元件符號之最左側數字識別首次出現該元件符號之圖式。除非另有指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應被解譯為按比例圖式。
500:方法
510:步驟
520:步驟
530:步驟
540:步驟
550:步驟
560:步驟

Claims (20)

  1. 一種用於控制一中心波長之方法，其包含： 判定藉由一光源產生之一光束的一波長誤差； 判定該波長誤差是否大於一第一臨限值(threshold value)； 回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值，將一第一致動器移動一第一步長，該第一致動器經組態以控制一第一稜鏡之移動； 回應於判定該波長誤差小於該第一臨限值： 判定一平均波長誤差； 判定該平均波長誤差是否大於不同於該第一臨限值之一第二臨限值； 回應於判定該平均波長誤差大於該第二臨限值，將該第一致動器移動一第二步長且啟用一低通濾波器(low pass filter)；及 回應於判定該平均波長誤差小於該第二臨限值，啟用該低通濾波器，更新施加至一第二致動器之一電壓，且將該第一致動器移動一第三步長，該第二致動器經組態以控制一第二稜鏡之移動。
  2. 如請求項1之方法，其中判定該波長誤差包含： 量測藉由該光源產生之該光束的一中心波長；及 判定該中心波長與一目標中心波長之間的一差。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含： 判定該光源之一脈衝的一發射數目是否為一更新間隔之一倍數；及 回應於判定該發射數目等於該更新間隔，更新施加至該第二致動器之該電壓。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包含回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值而停用該低通濾波器及一第二致動器之移動。
  5. 如請求項1之方法，其中該第一步長為該致動器之一固定步長。
  6. 如請求項1之方法，其中該第二步長依據該波長誤差而變化。
  7. 如請求項1之方法，其中該第三步長依據施加至第二致動器之該電壓而變化。
  8. 如請求項1之方法，其中以該第二步長移動該第一致動器包含每n個脈衝移動該第一致動器一次，其中n大於1。
  9. 如請求項1之方法，其中該平均波長誤差係基於該波長誤差，及若干脈衝上的複數個波長誤差之一平均值。
  10. 如請求項1之方法，其中該方法包含在一多焦距成像操作中控制該中心波長，且該方法進一步包含在一雙色模式中操作一光源，其中在該雙色模式中操作該光源包含： 使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束； 使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及 使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射， 其中判定藉由該光源產生的該光束之該波長誤差包含判定該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。
  11. 一種雷射系統，其包含： 一光源，其經組態以產生一光束； 一第一致動器，其經組態以控制一第一稜鏡之移動； 一第二致動器，其經組態以控制一第二稜鏡之移動；及 一控制器，其經組態以： 判定藉由該光源產生之該光束的一波長誤差； 判定該波長誤差是否大於一第一臨限值； 回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值，致使該第一致動器移動一第一步長；及 回應於判定該波長誤差小於該第一臨限值： 判定一平均波長誤差；及 判定該平均波長誤差是否大於不同於該第一臨限值之一第二臨限值； 回應於判定該平均波長誤差大於該第二臨限值，致使該第一致動器移動一第二步長且啟用一低通濾波器；及 回應於判定該平均波長誤差小於該第二臨限值，啟用該低通濾波器，更新施加至一第二致動器之一電壓，且致使該第一致動器移動一第三步長。
  12. 如請求項11之系統，其中，為判定該波長誤差，該控制器經進一步組態以： 量測藉由該光源產生之該光束的一中心波長；及 判定該中心波長與一目標中心波長之間的一差。
  13. 如請求項11之系統，其中該控制器經進一步組態以： 判定該光源之一脈衝的一發射數目是否為一更新間隔之一倍數；及 回應於判定該發射數目等於該更新間隔，更新施加至該第二致動器之該電壓。
  14. 如請求項11之系統，其中該控制器經進一步組態以回應於判定該波長誤差大於該第一臨限值而停用該低通濾波器及一第二致動器之移動。
  15. 如請求項11之系統，其中該第一步長為該致動器之一固定步長。
  16. 如請求項11之系統，其中該第二步長依據該波長誤差而變化。
  17. 如請求項11之系統，其中該第三步長依據施加至第二致動器之該電壓而變化。
  18. 如請求項11之系統，其中，為致使該第一致動器移動該第二步長，該控制器經進一步組態以致使該第一致動器每n個脈衝移動一次，其中n大於1。
  19. 如請求項11之系統，其中該平均波長誤差係基於該波長誤差，及若干脈衝上的複數個波長誤差之一平均值。
  20. 如請求項11之系統，其中： 該系統經組態以執行多焦距成像操作，及 該控制器經進一步組態以藉由以下操作在一雙色模式中操作該光源： 使用一第一雷射腔室模組產生處於一第一波長下的一第一雷射輻射光束； 使用一第二雷射腔室模組產生處於一第二波長下的一第二雷射輻射光束；及 使用一光束組合器沿一共用輸出光束路徑組合該第一雷射輻射及該第二雷射輻射， 其中判定藉由該光源產生的該光束之該波長誤差包含判定該第一雷射輻射光束之一中心波長誤差。
TW112103263A 2020-06-09 2021-05-14 用於控制中心波長之系統及方法 TWI822571B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063036700P 2020-06-09 2020-06-09
US63/036,700 2020-06-09
US202063079191P 2020-09-16 2020-09-16
US63/079,191 2020-09-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202323979A TW202323979A (zh) 2023-06-16
TWI822571B true TWI822571B (zh) 2023-11-11

Family

ID=76181222

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112148863A TW202416051A (zh) 2020-06-09 2021-05-14 用於控制中心波長之系統及方法
TW112103263A TWI822571B (zh) 2020-06-09 2021-05-14 用於控制中心波長之系統及方法
TW110117439A TWI828984B (zh) 2020-06-09 2021-05-14 用於控制中心波長之系統及方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112148863A TW202416051A (zh) 2020-06-09 2021-05-14 用於控制中心波長之系統及方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110117439A TWI828984B (zh) 2020-06-09 2021-05-14 用於控制中心波長之系統及方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230223734A1 (zh)
JP (2) JP7523587B2 (zh)
KR (1) KR20230010237A (zh)
CN (1) CN115699482A (zh)
TW (3) TW202416051A (zh)
WO (1) WO2021252103A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024030478A1 (en) * 2022-08-05 2024-02-08 Cymer, Llc Apparatus for and method of control for multifocal imaging

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080285602A1 (en) * 2004-07-09 2008-11-20 Komatsu Ltd. Narrow-Spectrum Laser Device
US20150070673A1 (en) * 2013-06-11 2015-03-12 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
TW201640246A (zh) * 2015-04-08 2016-11-16 希瑪有限責任公司 光學源之波長穩定化
US20180107017A1 (en) * 2016-10-17 2018-04-19 Cymer, Llc Spectral feature control apparatus
TWI652554B (zh) * 2016-12-07 2019-03-01 美商希瑪有限責任公司 在duv光源中用於逐一脈波(pulse-by-pulse)波長目標追蹤之波長控制系統

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4937619A (en) * 1986-08-08 1990-06-26 Hitachi, Ltd. Projection aligner and exposure method
US5528612A (en) * 1993-11-19 1996-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Laser with multiple gain elements
JP2006073883A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Komatsu Ltd レーザ装置の高精度波長制御方法
US7366219B2 (en) 2004-11-30 2008-04-29 Cymer, Inc. Line narrowing module
US7885309B2 (en) 2005-11-01 2011-02-08 Cymer, Inc. Laser system
US7659529B2 (en) * 2007-04-13 2010-02-09 Cymer, Inc. Method and apparatus for vibration reduction in laser system line narrowing unit wavelength selection optical element
US9207119B2 (en) * 2012-04-27 2015-12-08 Cymer, Llc Active spectral control during spectrum synthesis
KR101666408B1 (ko) * 2015-09-01 2016-10-14 울산과학기술원 나노초 Ti:Sapphire 레이저 장치
US9989866B2 (en) * 2016-10-17 2018-06-05 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
US9997888B2 (en) * 2016-10-17 2018-06-12 Cymer, Llc Control of a spectral feature of a pulsed light beam

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080285602A1 (en) * 2004-07-09 2008-11-20 Komatsu Ltd. Narrow-Spectrum Laser Device
US20150070673A1 (en) * 2013-06-11 2015-03-12 Cymer, Llc Wafer-based light source parameter control
TW201640246A (zh) * 2015-04-08 2016-11-16 希瑪有限責任公司 光學源之波長穩定化
US20180107017A1 (en) * 2016-10-17 2018-04-19 Cymer, Llc Spectral feature control apparatus
TWI652554B (zh) * 2016-12-07 2019-03-01 美商希瑪有限責任公司 在duv光源中用於逐一脈波(pulse-by-pulse)波長目標追蹤之波長控制系統

Also Published As

Publication number Publication date
US20230223734A1 (en) 2023-07-13
JP7523587B2 (ja) 2024-07-26
JP2024123026A (ja) 2024-09-10
WO2021252103A1 (en) 2021-12-16
KR20230010237A (ko) 2023-01-18
CN115699482A (zh) 2023-02-03
JP2023529807A (ja) 2023-07-12
TW202201123A (zh) 2022-01-01
TW202323979A (zh) 2023-06-16
TWI828984B (zh) 2024-01-11
TW202416051A (zh) 2024-04-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101576109B1 (ko) 광원의 액티브 스펙트럼 제어
US9599510B2 (en) Estimation of spectral feature of pulsed light beam
KR20150004398A (ko) 스펙트럼 합성 중의 능동 스펙트럼 제어
JP2024123026A (ja) 中心波長を制御するためのシステム及び方法
CN102834988A (zh) 用于控制光带宽的方法和设备
JP7530407B2 (ja) リソグラフィシステム帯域幅制御
CN110036331B (zh) 用于duv光源中的逐脉冲波长目标跟踪的波长控制系统
KR102628796B1 (ko) 반복률 편차에 의해 유도된 파장 오차를 보상하는 방법
JP2022532488A (ja) 光源波長を変調するための装置及び方法
JP6886525B2 (ja) パルス光ビームのスペクトル特徴制御
JP7480275B2 (ja) 露光システム、レーザ制御パラメータの作成方法、及び電子デバイスの製造方法
US20240006838A1 (en) Apparatus for and method of modulating a wavelength of an excimer laser as a function of its repetition frequency
US20230349762A1 (en) Laser system, spectrum waveform calculation method, and electronic device manufacturing method