TWI819497B - 微型發光二極體與微型發光二極體顯示面板 - Google Patents

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Abstract

一種微型發光二極體，包括一磊晶結構以及一絕緣層。 磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層及一第二型半導體層，且具有一第一離子佈植區。第一型半導體層的一表面至發光層鄰近表面的一頂面之間具有一第一距離。第一型半導體層的表面至第一離子佈植區的第一底側之間具有一第二距離。第二距離大於第一距離且小於平台的一高度。第一離子佈植區的第一內側的一第一延伸方向與發光層的一法線方向之間具有絕對值介於0至15度之間的一第一夾角。絕緣層覆蓋第一型半導體層的周圍與部分表面、發光層的周圍以及部分第二型半導體層的周圍。

Description

微型發光二極體與微型發光二極體顯示面板
本發明是有關於一種發光結構，且特別是有關於一種微型發光二極體與微型發光二極體顯示面板。
發光元件，例如是發光二極體(Light Emitting Diode,LED)可以藉由電子電流驅動發光二極體的發光層而發出光。現階段的發光二極體仍面臨到許多技術上的挑戰，而發光二極體的效率衰退(Efficiency Droop)效應為其中之一。具體而言，當發光二極體在一電流密度的操作範圍時，會對應一個外部量子效率(External Quantum Efficiency,EQE)的峰值。隨著發光二極體的電流密度持續升高，外部量子效率會隨之下降，而此現象即為發光二極體的效率衰退效應。
目前於製作微型發光二極體(micro LED)時會使用蝕刻製程進行平台(mesa)、絕緣(isolation)等程序。然而，蝕刻的過程中，可會造成微型發光二極體的側壁(sidewall)損傷，而影響微型發光二極體於發光時產生非發光輻射結合(non-radiative recombination)，造成外部量子效率(EQE)大幅下降。當微型發光二極體尺寸小於50微米以下時，由於側壁表面的表面積佔整體磊晶結構的表面積的比例越大，載子流經側壁的比例也會增加，因而造成外部量子效率大幅下降。
本發明提供一種微型發光二極體與微型發光二極體顯示面板，可提升外部量子效率(EQE)，且具有較佳的發光效率。
本發明的微型發光二極體，其包括一磊晶結構以及一絕緣層。磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，且具有第一離子佈植區。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層的一第一部分構成一平台。第二型半導體層的一第二部分形成相對於平台的一凹陷。第一離子佈植區具有一第一內側以及連接第一內側的一第一底側。第一型半導體層的一表面至發光層鄰近表面的一頂面之間具有一第一距離。第一型半導體層的表面至第一離子佈植區的第一底側之間具有一第二距離。第二距離大於第一距離且小於平台的一高度。第一離子佈植區的第一內側的一第一延伸方向與發光層的一法線方向之間具有一第一夾角，且第一夾角的絕對值介於0至15度之間。絕緣層配置於磊晶結構上，且覆蓋第一型半導體層的周圍與部分表面、發光層的周圍以及部分第二型半導體層的周圍。
在本發明的一實施例中，上述的絕緣層接觸並包覆平台的側壁，且平台緊鄰凹陷。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體還包括一電流分佈層，配置於絕緣層與第一型半導體層之間。電流分佈層於第一型半導體層的表面上的正投影小於表面。
在本發明的一實施例中，上述的電流分佈層的材質包括氧化銦錫、氧化銦、氧化錫、氧化鋁鋅、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅或上述材料的組合。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體，更包括一第一電極與一第二電極。第一電極與第一型半導體層電性連接。第二電極與第二型半導體層電性連接。第一電極與部分第二電極位於同一平面上。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體，更包括一電流分佈層，配置於絕緣層與第一型半導體層之間，且電流分佈層於第一型半導體層的表面上的正投影小於表面。絕緣層具有暴露出電流分佈層的一第一開口與暴露出第二型半導體層的第二部分的一第二開口。第一開口位於平台，且第二開口位於凹陷。第一電極配置於第一開口內，且延伸至絕緣層上。第二電極配置於絕緣層上且延伸至第二開口內。
在本發明的一實施例中，上述的第一離子佈植區的第一底側位於第二型半導體層的第一部分內。第一離子佈植區環繞第一型半導體層的周圍、發光層的周圍以及部分第一部分的周圍。
在本發明的一實施例中，上述的第一夾角絕對值介於7度至15度之間。
在本發明的一實施例中，上述的磊晶結構更具有一第二離子佈植區。第二離子佈植區具有一第二內側以及連接第二內側的一第二底側。第一型半導體層的表面至第二離子佈植區的第二底側之間具有一第三距離，且第三距離小於第一距離。
在本發明的一實施例中，上述的第二離子佈植區的第二底側位於第一型半導體層內且環繞部分第一型半導體層。第二離子佈植區的第二內側的一第二延伸方向與發光層的法線方向之間具有一第二夾角，而第二夾角的絕對值大於第一夾角的絕對值。
在本發明的一實施例中，上述的第二離子佈植區的離子濃度大於第一離子佈植區的離子濃度。
在本發明的一實施例中，上述的第一離子佈植區的第一底側位於發光層內。第一離子佈植區環繞第一型半導體層的周圍以及發光層的周圍。
在本發明的一實施例中，上述的第二距離大於0.7微米且小於1微米。
在本發明的一實施例中，上述的發光層的周圍直接接觸絕緣層。
本發明的微型發光二極體顯示面板，其包括一基板以及多個微型發光二極體。基板具有一控制元件。微型發光二極體陣列設置於基板上形成多個畫素並與控制元件電性連接。控制元件 分別控制微型發光二極體發光。每一微型發光二極體包括一磊晶結構以及一絕緣層。磊晶結構包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，且具有第一離子佈植區。發光層位於第一型半導體層與第二型半導體層之間。第一型半導體層、發光層以及第二型半導體層的一第一部分構成一平台。第二型半導體層的一第二部分形成相對於平台的一凹陷。第一離子佈植區具有一第一內側以及連接第一內側的一第一底側。第一型半導體層的一表面至發光層鄰近表面的一頂面之間具有一第一距離。第一型半導體層的表面至第一離子佈植區的第一底側之間具有一第二距離。第二距離大於第一距離且小於平台的一高度。第一離子佈植區的第一內側的一第一延伸方向與發光層的一法線方向之間具有一第一夾角，且第一夾角的絕對值介於0至15度之間。絕緣層配置於磊晶結構上，且覆蓋第一型半導體層的周圍與部分表面、發光層的周圍以及部分第二型半導體層的周圍。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光二極體包括發出紅光的一紅色微型發光二極體、發出綠光的一綠色微型發光二極體以及發出藍光的一藍色微型發光二極體。
基於上述，在本發明的微型發光二極體的設計中，磊晶結構具有第一離子佈植區，且第一型半導體層的表面至第一離子佈植區的第一底側之間的第二距離大於第一型半導體層的表面至發光層鄰近表面的頂面之間的第一距離且小於平台的高度，而第一離子佈植區的第一內側的第一延伸方向與發光層的法線方向之 間具有絕對值介於0至15度之間的第一夾角。也就是說，本發明的第一離子佈植區的深度超過發光層的深度，且第一離子佈植區的植入角度的絕對值介於0至15度之間。藉此設計，可降低微型發光二極體的側壁因非發光輻射結合造成外部量子效率大幅下降的問題，可提升外部量子效率，且可有效地改善乾蝕刻造成的側壁懸浮鍵，進而提升本發明的微型發光二極體的發光效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10:微型發光二極體顯示面板
20:基板
30:控制元件
100、100a、100b、100c、100d:微型發光二極體
110a、110b、110c、110d:磊晶結構
112:第一型半導體層
113:表面
114:發光層
115:頂面
116:第二型半導體層
116a:第一部分
116b:第二部分
120:絕緣層
122:第一開口
124:第二開口
130:電流分佈層
140:第一電極
150:第二電極
B:藍色微型發光二極體
B1、B2、B3、B6、B7:第一底側
B4、B5、B8、B9:第二底側
C:凹陷
D1、D2、D3、D6、D7:第一延伸方向
D4、D5、D8、D9:第二延伸方向
G:綠色微型發光二極體
H、T:高度
H1:第一距離
H2、H4:第二距離
H3、H5:第三距離
L:平面
M:平台
N:法線方向
P1、P2、P3、P6、P7:第一離子佈植區
P4、P5、P8、P9:第二離子佈植區
R:紅色微型發光二極體
S1、S2、S3、S6、S7:第一內側
S4、S5、S8、S9:第二內側
U:畫素
α1、α2、α3、α6、α7:第一夾角
α4、α5、α8、α9:第二夾角
圖1是依照本發明的一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。
圖5是依照本發明的一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部俯視示意圖。
圖1是依照本發明的一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。請參考圖1，在本實施例中，微型發光二極體100a包括一磊晶結構110a以及一絕緣層120。磊晶結構110a包括一第一型半導體層112、一發光層114以及一第二型半導體層116，且具有一第一離子佈植區P1。發光層114位於第一型半導體層112與第二型半導體層116之間。第二型半導體層116具有相連接的一第一部分116a與一第二部分116b，其中第一部分116a突出於第二部分116b並位於發光層114與第二部分116b之間。第一型半導體層112、發光層114以及第二型半導體層116的第一部分116a構成一平台M。也就是說，第二型半導體層116的第二部分116b相對於平台M形成一凹陷C。第一離子佈植區P1具有一第一內側S1以及連接第一內側S1的一第一底側B1。第一型半導體層112的一表面113至發光層114鄰近表面113的一頂面115之間具有一第一距離H1，即第一型半導體層112的厚度。第一型半導體層112的表面113至第一離子佈植區P1的第一底側B1之間具有一第二距離H2，即第一離子佈植區P1的深度。第二距離H2大於第一距離H1且小於平台M的一高度H。也就是說，從第一型半導體層112的表面113往下計算，第一離子佈植區P1的深度超過發光層114的深度，但第一離子佈植區P1的深度小於平台M的高度H。假若平台M的高度H小於第一離子佈植區P1的深度，則易造成第二型半導體層116的接觸電阻大幅上升。
再者，第一離子佈植區P1的第一內側S1的一第一延伸方向D1與發光層114的一法線方向N之間具有一第一夾角α1，且第一夾角α1的絕對值介於0至15度之間。也就是說，第一離子佈植區P1的離子植入角度的絕對值介於0至15度之間，且可以左上右下的方式或右上左下的方式植入，於此不加以限制。絕緣層120配置於磊晶結構110a上且包覆磊晶結構110a部分的表面與側表面。更詳細來說，絕緣層120覆蓋第一型半導體層112的周圍與部分表面113、發光層114的周圍以及部分第二型半導體層116的周圍。此處，第一型半導體層112的周圍、發光層114的周圍以及部分第二型半導體層116的周圍直接接觸絕緣層120。絕緣層120接觸並包覆平台M的側壁，且平台M緊鄰凹陷C。
進一步來說，在本實施例中，第一型半導體層112例如為一P型半導體層，而發光層114例如是多重量子井(Multi Quantum Well，MWQ)結構，且第二型半導體層116例如為一N型半導體層，但不以此為限。第一離子佈植區P1的第一底側B1具體化位於第二型半導體層116的第一部分116a內，意即超過發光層114的深度，且第一夾角α1絕對值，較佳地，介於7度至15度之間，可有效避免產生通道效應。此處，是以左上右下的植入方向進行離子佈植，因此第一夾角α1為負7度至負15度之間，且第一離子佈植區P1的形狀例如是梯形，但不以此為限。第一離子佈植區P1環繞第一型半導體層112的周圍、發光層114的周圍以及部分第一部分116a的周圍。第一離子佈植區P1相對於第一 內側S1的一側是直接接觸絕緣層120，而第一離子佈植區P1的第一內側S1以剖面觀之呈平行設置，但不以此為限。平台M的高度H例如是1微米至1.5微米，且凹陷C的高度T例如是1微米至3微米，而第二距離H2例如是大於0.7微米且小於1微米。
再者，本實施例的微型發光二極體100a還包括一電流分佈層130，配置於絕緣層120與第一型半導體層112之間，與第一型半導體層112形成歐姆接觸。如圖1所示，電流分佈層130於第一型半導體層112的表面113上的正投影小於表面113，可進一步限制往微型發光二極體100a側邊流動的載子、減少微型發光二極體100a側邊產生的電流。由於微型發光二極體100a的面積較小，可透過電流分佈層130內縮的設計來降低側面的漏電流以提升電洞的注入效率與電流分佈。於此，電流分佈層130的材質例如是氧化銦錫、氧化銦、氧化錫、氧化鋁鋅、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅或上述材料的組合。
此外，本實施例的絕緣層120具有一第一開口122與一第二開口124。第一開口122暴露出部分電流分佈層130，而第二開口124暴露出第二型半導體層116的部分第二部分116b。第一開口122位於平台M，而第二開口124位於凹陷C。微型發光二極體100a還包括一第一電極140以及一第二電極150。第一電極140配置於絕緣層120的第一開口122內，且延伸至絕緣層120上，其中第一電極140與第一型半導體層112電性連接。第二電極150配置於絕緣層120上，且延伸至第二開口124內，與第二 型半導體層116電性連接。此處，第一電極140與部分第二電極150位於同一平面L上，有利於提高後續晶粒接合的良率。由於本實施例的第一電極140與第二電極150位於磊晶結構110a的同一側，因此本實施例的微型發光二極體100a具體化為覆晶式(Flip chip type)微型發光二極體。
簡言之，本實施例是透過離子佈植的方式，使得半導體層(例如第一型半導體層112與第二型半導體層116)接近本質半導體性質並以絕對值介於0度至15度之間的植入角度，超過發光層114的深度植入至第二型半導體層116的第一部分116a。藉此設計，可減少電子、電洞在靠近發光層114側壁的非發光輻射結合，可提升外部量子效率，且可有效地改善乾蝕刻造成的側壁懸浮鍵，進而提升本實施例的微型發光二極體100a的發光效率。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。請同時參考圖1以及圖2，本實施例的微型發光二極體100b與圖1的微型發光二極體100a相似，兩者差異在於：在本實施例中，以剖面觀之，磊晶結構110b的右側的第一離子佈植區P2的形狀與左側的第一離子佈植區P1形狀呈鏡射圖案，且第一離子佈植區P1、P2環繞第一型半導體層112的周圍、發光層 114的周圍以及部分第一部分116a的周圍。
詳細來說，以剖面觀之，右側的第一離子佈植區P2具有第一內側S2以及連接第一內側S2的第一底側B2。第一離子佈植區P2的第一內側S2的第一延伸方向D2與發光層114的法線方向N之間具有第一夾角α2，且第一夾角α2的絕對值，較佳地，介於0至15度之間。更進一步來說，左側的第一離子佈植區P1的第一內側S1是以從左上至右下的斜面設置於第二型半導體層116的第一部分116a，其中第一夾角α1為負7度至負15度。右側的第一離子佈植區P2則是以從右上至左下的斜面設置於第二型半導體層116的第一部分116a，其中第一夾角α2較佳為正7度至正15度。此時，第一夾角α1與第一夾角α2的絕對值仍介於0至15度之間。此處，第一離子佈植區P1的第一內側S1與第一離子佈植區P2的第一內側S2不平行且呈鏡射設置。
圖3是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。請同時參考圖1以及圖3，本實施例的微型發光二極體100c與圖1的微型發光二極體100a相似，兩者差異在於：在本實施例中，以剖面觀之，第一離子佈植區P3的第一夾角α3的角度不同於上述第一離子佈植區P1的第一夾角α1的角度，且磊晶結構110c更具有一第二離子佈植區P4、P5。此處，第一離子不同於第二離子，其中第一離子例如氪、氬或砷，而第二離子例如磷或砷。
詳細來說，第一離子佈植區P3具有第一內側S3以及連 接第一內側S3的第一底側B3。第一離子佈植區P3的第一內側S3的第一延伸方向D3與發光層114的法線方向N之間具有第一夾角α3，且第一夾角α3絕對值，較佳地，介於0至5度之間。此處，第一離子佈植區P3是以從左上至右下的植入方向植入至第二型半導體層116的第一部分116a，其中第一夾角α3為0至負5度。
再者，以剖面觀之，左側的第二離子佈植區P4與右側的第二離子佈植區P5分別具有一第二內側S4、S5以及連接第二內側S4、S5的一第二底側B4、B5。第一型半導體層112的表面113至第二離子佈植區P4、P5的第二底側B4、B5之間具有一第三距離H3(即第二離子佈植區P4、P5的深度)，且第三距離H3小於第一距離H1。此處，第二離子佈植區P4、P5的第二底側B4、B5位於第一型半導體層112內且環繞部分第一型半導體層112的周圍，意即第二離子佈植區P4、P5的深度沒有超過發光層114的深度。如圖3所示，第二離子佈植區P4、P5的第二內側S4、S5的一第二延伸方向D4、D5與發光層114的法線方向N之間具有一第二夾角α4、α5，而第二夾角α4、α5的絕對值，較佳地，介於7度至15度之間。
更具體來說，以剖面觀之，左側的第二離子佈植區P4是以從左上至右下的植入方向植入至第一型半導體層112，其中第二夾角α4為負7度至負15度。右側的第二離子佈植區P5是以從右上至左下的植入方向植入至第一型半導體層112，其中第二夾角α 5為正7度至正15度。特別是，第二離子佈植區P4、P5的離子濃度大於第一離子佈植區P3的離子濃度。也就是說，植入角度大，深度較淺(即不超過發光層114)；植入角度小，深度較深(即超過發光層114，但不超過平台M的高度H)。此處，第一離子佈植區P3有部分區域與第二離子佈植區P4、P5重疊。
簡言之，本實施例是先在第一型半導體層112內形成高電阻區(即第二離子佈植區P4、P5)，以減少載子的產生與通過，之後，再於第二型半導體層116的第一部分116a形成第一離子佈植區P3，來破壞發光層114邊緣的電子電洞複合，可兼顧阻值夠高且表面損傷小。
圖4是依照本發明的另一實施例的一種微型發光二極體的剖面示意圖。請同時參考圖1以及圖4，本實施例的微型發光二極體100d與圖1的微型發光二極體100a相似，兩者差異在於：在本實施例中，以剖面觀之，第一離子佈植區P6、P7的形狀不同於上述第一離子佈植區P1的形狀，且磊晶結構110d更具有一第二離子佈植區P8、P9。
詳細來說，以剖面觀之，第一離子佈植區P6、P7具有第一內側S6、S7以及連接第一內側S6、S7的第一底側B6、B7。第一離子佈植區P6、P7的第一內側S6、S7的第一延伸方向D6、D7與發光層114的法線方向N之間具有第一夾角α6、α7，且第一夾角α6、α7絕對值，較佳地，介於7至15度之間。第一離子佈植區P6、P7的第一底側B6、B7位於發光層114內，且第一離子 佈植區P6、P7環繞第一型半導體層112的周圍以及發光層114的周圍。此處，左側的第一離子佈植區P6是以從左上至右下的植入方向植入至發光層114內，其中第一夾角α6為負7至負15度。右側的第一離子佈植區P7是以從右上至左下的植入方向植入至發光層114內，其中第一夾角α7為正7至正15度。第一型半導體層112的表面113至第一離子佈植區P6、P7的第一底側B6、B7之間具有一第二距離H4，其中第二距離H4大於第一距離H1且小於平台M的高度H。
再者，第二離子佈植區P8、P9具有一第二內側S8、S9以及連接第二內側S8、S9的一第二底側B8、B9。第一型半導體層112的表面113至第二離子佈植區P8、P9的第二底側B8、B9之間具有一第三距離H5，且第三距離H5小於第一距離H1。更進一步來說，第二離子佈植區P8、P9位於第一型半導體層112內的第二底側B8、B9且環繞部分第一型半導體層112的周圍。第二離子佈植區P8、P9的第二內側S8、S9的一第二延伸方向D8、D9與發光層114的法線方向N之間具有一第二夾角α8、α9，而第二夾角α8、α9的絕對值，較佳地，介於0度至5度之間。此處，左側的第二離子佈植區P8是以從左上至右下的植入方向植入至第一型半導體層112內，其中第二夾角α8為0至負5度。右側的第二離子佈植區P9是以從右上至左下的植入方向植入至第一型半導體層112內，其中第二夾角α9為0至正5度。特別是，第二離子佈植區P8、P9的離子濃度大於第一離子佈植區P6、P7的離子濃 度。也就是說，植入角度大，深度較深(即超過發光層114，但不超過平台M的高度H)；植入角度小，深度較淺(即不超過發光層114)。此處，左側的第一離子佈植區P6有部分區域與左側的第二離子佈植區P8重疊，而右側的第一離子佈植區P7有部分區域與右側的第二離子佈植區P9重疊。
簡言之，本實施例是先在第一型半導體層112內形成高電阻區(即第二離子佈植區P8、P9)，以減少載子的產生與通過，之後，再於發光層114形成第一離子佈植區P6、P7，來破壞發光層114邊緣的電子電洞複合，可兼顧阻值夠高且表面損傷小。
圖5是依照本發明的一實施例的一種微型發光二極體顯示面板的局部俯視示意圖。請參考圖5，在本實施例中，微型發光二極體顯示面板10包括一基板20以及上述的多個微型發光二極體100。微型發光二極體100選自上述實施例中的微型發光二極體100a、100b、100c、100d。較佳地，微型發光二極體100包括發出紅光的紅色微型發光二極體R、發出綠光的綠色微型發光二極體G以及發出藍光的藍色微型發光二極體B。詳細來說，基板20包括控制元件30與多個畫素U。微型發光二極體100陣列設置於基板20上以形成畫素U並與控制元件30電性連接。控制元件30分別控制微型發光二極體100發光，以形成顯示畫面。
綜上所述，在本發明的微型發光二極體的設計中，磊晶結構具有第一離子佈植區，且第一型半導體層的表面至第一離子佈植區的第一底側之間的第二距離大於第一型半導體層的表面至 發光層鄰近表面的頂面之間的第一距離且小於平台的高度，而第一離子佈植區的第一內側的第一延伸方向與發光層的法線方向之間具有絕對值介於0至15度之間的第一夾角。也就是說，本發明的第一離子佈植區的深度超過發光層的深度，且第一離子佈植區的植入角度的絕對值介於0至15度之間。藉此設計，可降低微型發光二極體的側壁因非發光輻射結合造成外部量子效率大幅下降的問題，可提升外部量子效率，且可有效地改善乾蝕刻造成的側壁懸浮鍵，進而提升本發明的微型發光二極體的發光效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a:微型發光二極體
110a:磊晶結構
112:第一型半導體層
113:表面
114:發光層
115:頂面
116:第二型半導體層
116a:第一部分
116b:第二部分
120:絕緣層
122:第一開口
124:第二開口
130:電流分佈層
140:第一電極
150:第二電極
B1:第一底側
C:凹陷
D1:第一延伸方向
H、T:高度
H1:第一距離
H2:第二距離
L:平面
M:平台
N:法線方向
P1:第一離子佈植區
S1:第一內側
α1:第一夾角

Claims (16)

  1. 一種微型發光二極體，包括：一磊晶結構，包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，且具有一第一離子佈植區，該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間，該第一型半導體層、該發光層以及該第二型半導體層的一第一部分構成一平台，該第二型半導體層的一第二部分形成相對於該平台的一凹陷，該第一離子佈植區具有一第一內側以及連接該第一內側的一第一底側，該第一型半導體層的一表面至該發光層鄰近該表面的一頂面之間具有一第一距離，該第一型半導體層的該表面至該第一離子佈植區的該第一底側之間具有一第二距離，其中該第二距離大於該第一距離且小於該平台的一高度，且該第一離子佈植區的該第一內側的一第一延伸方向與該發光層的一法線方向之間具有一第一夾角，且該第一夾角的絕對值大於0度且小於等於15度；以及一絕緣層，配置於該磊晶結構上，且覆蓋該第一型半導體層的周圍與部分該表面、該發光層的周圍以及部分該第二型半導體層的周圍。
  2. 如請求項1所述的微型發光二極體，其中該絕緣層接觸並包覆該平台的側壁，且該平台緊鄰該凹陷。
  3. 如請求項1所述的微型發光二極體，更包括： 一電流分佈層，配置於該絕緣層與該第一型半導體層之間，其中該電流分佈層於該第一型半導體層的該表面上的正投影小於該表面。
  4. 如請求項3所述的微型發光二極體，其中該電流分佈層的材質包括氧化銦錫、氧化銦、氧化錫、氧化鋁鋅、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅或上述材料的組合。
  5. 如請求項1所述的微型發光二極體，更包括：一第一電極，與該第一型半導體層電性連接；以及一第二電極，與該第二型半導體層電性連接，其中該第一電極與部分該第二電極位於同一平面上。
  6. 如請求項5所述的微型發光二極體，更包括：一電流分佈層，配置於該絕緣層與該第一型半導體層之間，且該電流分佈層於該第一型半導體層的該表面上的正投影小於該表面，其中該絕緣層具有暴露出該電流分佈層的一第一開口與暴露出該第二型半導體層的該第二部分的一第二開口，該第一開口位於該平台，而該第二開口位於該凹陷，該第一電極配置於該第一開口內且延伸至該絕緣層上，該第二電極配置於該絕緣層上且延伸至該第二開口內。
  7. 如請求項1所述的微型發光二極體，其中該第一離子佈植區的該第一底側位於該第二型半導體層的該第一部分內，且該第一離子佈植區環繞該第一型半導體層的周圍、該發光層的周圍以及部分該第一部分的周圍。
  8. 如請求項1所述的微型發光二極體，其中該第一夾角絕對值介於7度至15度之間。
  9. 如請求項1所述的微型發光二極體，其中該磊晶結構更具有一第二離子佈植區，該第二離子佈植區具有一第二內側以及連接該第二內側的一第二底側，該第一型半導體層的該表面至該第二離子佈植區的該第二底側之間具有一第三距離，且該第三距離小於該第一距離。
  10. 如請求項9所述的微型發光二極體，其中該第二離子佈植區的該第二底側位於該第一型半導體層內且環繞部分該第一型半導體層的周圍，該第二離子佈植區的該第二內側的一第二延伸方向與該發光層的該法線方向之間具有一第二夾角，而該第二夾角的絕對值大於該第一夾角的絕對值。
  11. 如請求項10所述的微型發光二極體，其中該第二離子佈植區的離子濃度大於該第一離子佈植區的離子濃度。
  12. 如請求項1所述的微型發光二極體，其中該第一離子佈植區的該第一底側位於該發光層內，且該第一離子佈植區環繞該第一型半導體層的周圍以及該發光層的周圍。
  13. 如請求項1所述的微型發光二極體，其中該第二距離大於0.7微米且小於1微米。
  14. 如請求項1所述的微型發光二極體，其中該發光層的周圍直接接觸該絕緣層。
  15. 一種微型發光二極體顯示面板，包括： 一基板，具有一控制元件；以及多個微型發光二極體，陣列設置於該基板上形成多個畫素並與該控制元件電性連接，該控制元件分別控制該些微型發光二極體發光，其中各該微型發光二極體包括：一磊晶結構，包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，且具有一第一離子佈植區，該發光層位於該第一型半導體層與該第二型半導體層之間，該第一型半導體層、該發光層以及該第二型半導體層的一第一部分構成一平台，該第二型半導體層的一第二部分形成相對於該平台的一凹陷，該第一離子佈植區具有一第一內側以及連接該第一內側的一第一底側，該第一型半導體層的一表面至該發光層鄰近該表面的一頂面之間具有一第一距離，該第一型半導體層的該表面至該第一離子佈植區的該第一底側之間具有一第二距離，其中該第二距離大於該第一距離且小於該平台的一高度，且該第一離子佈植區的該第一內側的一第一延伸方向與該發光層的一法線方向之間具有一第一夾角，且該第一夾角的絕對值大於0度且小於等於15度；以及一絕緣層，配置於該磊晶結構上，且覆蓋該第一型半導體層的周圍與部分該表面、該發光層的周圍以及部分該第二型半導體層的周圍。
  16. 如請求項15所述的微型發光二極體顯示面板，其中該些微型發光二極體包括發出紅光的一紅色微型發光二極體、發 出綠光的一綠色微型發光二極體以及發出藍光的一藍色微型發光二極體。
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