TWI815106B - 資訊處理設備及資訊處理方法 - Google Patents

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Abstract

資訊處理設備包括：獲取單元，被配置為獲取關於基板處理的處理資訊，處理資訊包括處理資料和處理條件；以及顯示控制單元，被配置為基於由獲取單元獲取的處理資訊來控制顯示設備上的顯示，其中，顯示控制單元在顯示設備上選擇性地顯示第一畫面和第二畫面，第一畫面逐批次地顯示包括多個基板的批次的處理資料，第二畫面逐基板地顯示第一批次的處理資料，第一批次是由用戶從第一畫面上顯示的批次中指定的批次。

Description

資訊處理設備及資訊處理方法
本發明涉及資訊處理設備和資訊處理方法。
在半導體製造工廠中，通常安裝用於曝光基板的諸如半導體曝光設備之類的半導體製造設備，並且基板將被有效地處理同時檢查每個設備的操作狀況。另外，在半導體製造設備中出現故障的情況下，將迅速地執行用於克服故障的操作。 日本專利申請公開No.2009-170612討論了一種用於檢測半導體製造設備中的故障的技術。具體地，半導體製造設備的處理結果以各自包括多個基板的批次為單位進行統計處理，並且統計處理的結果被顯示為圖表。這使用戶容易立即標識已出現故障的批次。 根據基於各自包括多個基板的批次而顯示的圖表，當差異產生時，用戶可以識別批次間的差異，但用戶難以立即確定差異的原因。用戶需要根據以批次的晶片為單位的資料來確定批次間的差異的原因。除非用戶收集資料並分析資料，否則用戶不能確定批次間的差異的原因，並且克服故障要花費大量的時間。
根據本發明的一個方面，一種資訊處理設備包括：獲取單元，被配置為獲取關於基板處理的處理資訊，處理資訊包括處理資料和處理條件；以及顯示控制單元，被配置為基於由獲取單元獲取的處理資訊來控制顯示設備上的顯示，其中，顯示控制單元被配置為在顯示設備上選擇性地顯示第一畫面和第二畫面，第一畫面逐批次地顯示包括多個基板的批次的處理資料，第二畫面逐基板地顯示第一批次的處理資料，第一批次是由用戶從第一畫面上顯示的批次中指定的批次。 根據以下參考圖式對實施例的描述，本發明的其它特徵將變得清楚。
以下將參考圖式來詳細地描述本發明的各種實施例。 在第一實施例中，將描述包括多個設備以及管理該多個設備的管理設備的物品製造系統。圖1是顯示了物品製造系統的圖。根據本實施例的物品製造系統100包括圖案形成設備200、處理設備201、檢查設備202和管理設備300。圖案形成設備200在晶片(基板)上形成圖案。管理設備300管理圖案形成設備200、處理設備201和檢查設備202。另外，物品製造系統100的圖案形成設備200、處理設備201和檢查設備202各自包括一個或多個設備。 圖案形成設備200包括曝光設備，曝光設備用光照明其上形成有圖案的光罩(reticle)(光罩版、原始版)，並且用來自光罩的光將圖案投影到晶片上的壓射區域(shot region)上。另外，圖案形成設備200包括壓印設備，壓印設備透過例如使饋送到晶片上的壓印材料與鑄件(cast)(原始版、模具)接觸並對壓印材料施加用於固化的能量來形成其上轉印有鑄造形狀的組成物。另外，圖案形成設備200包括繪圖設備，繪圖設備經由帶電粒子光學系統用諸如電子束和離子束之類的帶電粒子束在基板上執行繪圖，以在基板上形成圖案。圖案形成設備200使用以上方法執行基板處理。 處理設備201包括在製造諸如設備之類的物品時執行除了由諸如曝光設備之類的裝置執行的處理之外的處理的製造設備。製造設備的示例是將感光媒體施加到基板表面的施加設備以及對其上轉印有的圖案的基板進行顯影的顯影設備。處理設備201還包括諸如刻蝕設備和膜形成設備之類的其它設備。 檢查設備202包括例如覆蓋檢查設備、線寬檢查設備、圖案檢查設備和電特性檢查設備。覆蓋檢查設備是檢查包括各自其上形成有圖案的多個層的基板的上層的圖案與下層的圖案之間的位移的精度的設備。另外，線寬檢查設備是檢查形成在基板上的圖案的諸如線寬之類的尺寸的精度的設備。另外，圖案檢查設備是檢查由於其上形成有圖案的基板上的異物顆粒或者由於缺少壓印材料而導致不滿足精度的圖案的存在或不存在的設備。另外，電特性檢查設備是檢查根據其上形成有圖案的基板而製造的半導體裝置的電特性的精度的設備。 下面將描述用來自其上形成有圖案的光罩的光對晶片進行曝光的曝光設備作為圖案形成設備200的示例。圖2是顯示了作為圖案形成設備200的示例的曝光設備的圖。下面將描述在同步驅動光罩台和晶片台的同時執行曝光的步進掃描方法的曝光設備作為根據本實施例的曝光設備204。另外，曝光設備204不限於掃描器，並且可以是在晶片台靜止的情況下執行曝光的分步重複方法的曝光設備。在圖2中顯示的示例中，曝光設備204包括光源7、照明光學系統8、光罩台2、投影光學系統3、晶片台6、晶片卡盤5和控制單元13。曝光設備204還包括雷射干涉儀9和雷射干涉儀10、聚焦感測器、晶片輸送單元12、光罩輸送單元14和對準觀察儀(alignment scope)15。另外，在圖2中，與投影光學系統3的光軸平行的方向是Z軸方向，並且在與Z軸方向垂直的平面中且彼此正交的兩個方向分別是X軸方向和Y軸方向。 光源7是例如高壓汞燈、氟化氬(ArF)準分子雷射器或氟化氪(KrF)準分子雷射器。另外，光源7不必位於曝光設備204的腔室內部，並且可以是外部光源。從光源7發射的光經由照明光學系統8照射光罩1。在光罩1上繪製要被轉印到其上施加有感光材料的晶片4上的圖案，並且光罩1被放置在光罩台2上。光罩台2經由光罩卡盤透過吸力保持光罩1，並且透過例如線性電機可移動。 投影光學系統3將繪製在光罩1上的圖案的圖像投影到放置在晶片卡盤5上的晶片4上。在將圖案的圖像投影到晶片4上時，顛倒且縮小的圖像經由投影光學系統3以投影倍率(例如，四分之一)被投影到晶片4上。投影有圖案的圖像的區域被稱為壓射區域，並且在晶片4上設置多個壓射區域。在壓射區域上順次地重複執行投影。 晶片台6由線性電機的致動器驅動以在X方向和Y方向上移動。晶片卡盤5被放置在晶片台6上並且保持晶片4。晶片台6在Z方向、θ方向、ωX方向和ωY方向上定位晶片卡盤5。因此，由晶片卡盤5保持的晶片4透過晶片台6和晶片卡盤5的驅動來移動。 雷射干涉儀9測量光罩台2在Y方向上的位置，並測量光罩台2的定向。雷射干涉儀9包括類似地測量光罩台2在X方向上的位置的雷射干涉儀。雷射干涉儀10測量其上放置有晶片4的晶片台6在Y方向上的位置，並測量晶片台6的定向。此外，雷射干涉儀10包括類似地測量晶片台6在X方向上的位置的雷射干涉儀。光罩台2和晶片台6的位置基於由雷射干涉儀9和雷射干涉儀10測得的位置由以下描述的控制單元13來控制。 聚焦感測器包括將光投影到晶片4上的光投影系統11a、接收來自晶片4的反射光的光接收系統11b以及檢測來自光接收系統11b的光並將檢測訊號輸出到控制單元13的檢測單元。光投影系統11a和光接收系統11b被定位成將投影光學系統3的發射部的附近夾在中間。光投影系統11a將斜入射光投影到晶片4上，並且光接收系統11b捕獲在相對側反射的光。下面描述的控制單元13根據由聚焦感測器檢測到的檢測訊號來測量晶片4在Z方向上的位置，並且透過晶片台6來控制晶片4的移動。 晶片輸送單元12輸送晶片4。晶片輸送單元12將晶片4從用於儲存晶片4的晶片儲存容器輸送到晶片台6。另外，晶片輸送單元12將晶片4從晶片台6輸送到晶片儲存容器。 光罩輸送單元14輸送光罩1。光罩輸送單元14將光罩1從用於儲存光罩1的光罩儲存容器輸送到光罩台2。另外，光罩輸送單元14將光罩1從光罩台2輸送到光罩儲存容器。 對準觀察儀15獲取形成在晶片4上的標記的捕獲圖像的數位圖像訊號，以定位(對準)保持在晶片卡盤5上的晶片4。對準觀察儀15包括圖像感測器和類比/數位(A/D)轉換單元。圖像感測器輸出基於來自晶片4的反射光的亮度-即強度的強度圖像訊號。A/D轉換單元將從圖像感測器獲取的強度圖像訊號轉換成數位圖像訊號。下述的控制單元13使用所獲取的數位圖像訊號來檢測形成在晶片4上的標記的位置，基於檢測到的標記的位置來控制晶片台6，並定位晶片4。 控制單元13透過控制曝光設備204的部件的操作和調整來控制晶片4上的曝光處理。控制單元13包括例如諸如場式可程式化閘陣列(FPGA)之類的可程式化邏輯裝置(PLD)、專用積體電路(ASIC)、其中嵌入有程式的電腦、或以上部件的所有或一些的組合。另外，控制單元13可以與曝光設備204的其它部分整合(控制單元13和其它部分可以被設置在相同的殼體中)，或者可以與曝光設備204的其它部分分開設置(控制單元13和其它部分可以被設置在不同的殼體中)。另外，控制單元13應用從以下描述的儲存設備獲取的資訊來控制晶片4上的曝光處理(圖案形成處理)的執行。 接下來，將描述管理設備300。圖3是顯示了資訊處理設備的硬體設定的圖。資訊處理設備包括中央處理單元(CPU)301、唯讀記憶體(ROM)302、隨機存取記憶體(RAM)303、儲存設備304、輸入設備305、顯示設備306和通訊設備307。資訊處理設備的每個硬體基於程式來運行。在圖3中顯示的示例中，CPU 301是基於程式來執行用於控制的計算並控制連接到匯流排308的每個部件的處理設備。ROM 302是用於讀取資料的專用記憶體，並儲存程式和資料。RAM 303是用於讀取和寫入資料的記憶體，並用於儲存程式和資料。RAM 303用於臨時儲存諸如由CPU 301進行的計算的結果之類的資料。儲存設備304用於儲存程式和資料。儲存設備304還用作用於臨時儲存資訊處理設備的作業系統(OS)的程式和資料的區域。 儲存設備304在資料登錄和輸出方面比RAM 303慢，但能夠儲存大量資料。儲存設備304期望是將資料儲存作為永久資料以用於長期參考的非揮發性儲存設備。儲存設備304主要包括磁儲存設備(硬碟驅動器(HDD))或固態驅動器(SSD)，但可以是諸如光碟(CD)、數位多功能影音光碟(DVD)、記憶卡等的外部媒體被附接以讀取和寫入資料的設備。 輸入設備305是用於向資訊處理設備輸入字元和資料的設備。輸入設備305是各種鍵盤和滑鼠。顯示設備306是充當管理設備300的用戶介面並顯示資訊處理設備的操作所需要的資訊和處理結果的設備。顯示設備306是陰極射線管(CRT)或液晶顯示器。可透過觸摸諸如觸控面板之類的螢幕來操作的顯示設備306也充當輸入設備305。雖然輸入設備305和顯示設備306被描述為管理設備300的一部分，但輸入設備305和顯示設備306不限於所描述的這些，並且可以例如是圖案形成設備200的一部分。 通訊設備307用於透過連接到網路並基於諸如透過網際網路協定的傳輸控制協定(TCP/IP)之類的通訊協定執行資料通訊來與其它設備通訊。另外，資訊處理設備可以包括圖形處理單元(GPU)以使得能夠進行高速計算處理。管理設備300是資訊處理設備並經由通訊設備307連接到多個曝光設備204，以與多個曝光設備204通訊資料。 圖4是顯示了管理設備300的CPU 301的配置的圖。CPU 301包括獲取單元401、累積單元402、計算單元403和顯示控制單元404。圖5是顯示了用於分析曝光設備204中出現的故障的顯示設備306的顯示處理的流程圖。 將參考圖4和圖5描述根據本實施例的管理設備300的顯示設備306的顯示處理。在本實施例中，顯示設備306的顯示減少了分析曝光設備204中的故障的原因所需的時間。在本實施例中術語「故障」是指足以使曝光設備204停止的故障，並且還是指降低曝光設備204的精度以影響生產率的故障。 將描述圖5中顯示的流程圖。在步驟S501中，獲取單元401獲取關於曝光設備204的處理資訊。關於曝光設備204的處理資訊包括曝光設備204的處理資料和在曝光處理中應用的處理條件。曝光設備204的處理資料是包括曝光設備204的操作結果和由曝光設備204曝光的晶片4的狀態的資訊。處理資料的內容具體地是同步精度資料和對準精度資料。同步精度資料是表示在例如在Y軸方向上同步地驅動光罩台2和晶片台6以曝光目標壓射區域的時段期間的光罩台2和晶片台6的相對位置的誤差的資料。另外，對準精度資料是表示透過捕獲在目標晶片4上形成的標記的圖像而獲取的數位圖像訊號的波形資料和數位圖像訊號的評估(波形資料的對稱性、數位圖像訊號的對比度)的資料。 在曝光處理中應用的處理條件是指針對每個要製造的晶片的配方(recipe)確定的配方和針對每個曝光設備204確定的設備參數。配方是由多個曝光設備204共用和使用的處理條件。設備參數是不由多個曝光設備204共用的處理條件。例如，配方是晶片曝光時的曝光量以及遵循曝光圖案的個體校正值和校正演算法的選擇。設備參數是例如投影光學系統3的校正值、控制晶片台6的方法和控制參數。另外，在表702中顯示的處理條件不限於以上描述的這些，並且可以顯示定義其它處理條件的參數。 接下來，在步驟S502中，在步驟S501中獲取的曝光設備204的處理資料和處理條件被累積在累積單元402中。關於處理資料，例如，基於晶片的(逐基板的)處理資料被累積在累積單元402中。 在步驟S503中，計算單元403基於累積單元402中累積的基於晶片的處理資料來計算作為基於批次的處理資料的批次資料。根據基於晶片的處理資料的統計值(例如，最大值、最小值、平均值、中位數值、標準差)來計算批次資料。另外，可以由曝光設備204替代計算單元403來計算批次資料。例如，獲取單元401可以從曝光設備204獲取由曝光設備204計算出的批次資料，並且處理前進到步驟S504。 在步驟S504中，顯示控制單元404將批次資料輸出到顯示設備306，並控制顯示設備306顯示如圖6中顯示的批次資料。圖6顯示了顯示批次資料的畫面。圖表601的水平軸表示由曝光設備204執行的批次的名稱，並且垂直軸表示作為基於批次的處理資料的值的批次資料值。 在設定欄602中，可以輸入或選擇要在圖表601中顯示的內容。用戶輸入或選擇曝光設備204所處的半導體生產線的名稱、標識設備的資訊(例如，標識設備的ID)、要顯示的資料以及用於計算統計值(例如，最大值、最小值、平均值、中位數值、標準差)的統計方法。顯示設備306基於輸入或選擇的內容來更新圖表601的顯示內容。在圖表601中，可以針對執行批次時的每個配方來改變顯示時的顏色和/或形狀。 在步驟S505中，顯示控制單元404確定用戶是否指定了批次。在批次被指定(步驟S505中為「是」)的情況下，處理前進至步驟S506。用戶透過選擇繪製在圖表601上的批次資料或者透過輸入批次名稱來指定批次。批次指定方法是透過諸如滑鼠、鍵盤或觸控板之類的電腦的輸入裝置以及控制輸入裝置的程式來實現的。用戶指定出現了故障的批次以透過下面描述的方法來標識故障的原因。 在步驟S506中，顯示控制單元404將步驟S505中指定的批次的處理資料輸出到顯示設備306，並且顯示設備306顯示圖7。圖7顯示了顯示處理資料的圖表701以及顯示了曝光處理的處理條件的表702的畫面。圖表701的水平軸表示晶片編號，並且圖表701的垂直軸表示作為基於晶片的處理資料的值的晶片資料值。 表702顯示批次的名稱和曝光設備204的處理條件。可以顯示所有的處理條件，或者可以只顯示與處理資料相關的處理條件。處理資料與和處理資料相關的處理條件之間的關係可以被儲存在儲存設備304中，並且用戶可以靜態地或動態地指定處理資料與和處理資料相關的處理條件之間的關係。 在圖表701中，按與用戶指定的批次的配方相同的配方經歷了曝光處理的每個批次的處理資料也被顯示作為相對於在步驟S506中指定的批次的顯示比較目標。表702顯示指定的批次和用於比較的批次的處理條件。雖然按與用戶指定的批次的配方相同的配方經歷了曝光處理的每個批次將被描述為比較目標批次，但比較目標批次不限於上述的批次，並且可以是使用與用戶指定的批次的處理條件相同的一個或多個處理條件經歷了曝光處理的批次。 用戶檢查在步驟S506中在顯示設備306上顯示的內容，並分析指定批次與其它批次之間的基於晶片的處理資料、趨勢和處理條件中的差異。用戶基於分析結果來標識曝光設備204中的故障的原因，並執行用於克服故障的操作。 在步驟S507中，在用戶確定要結束畫面的情況下，顯示設備306上的顯示結束。 下面，將透過將顯示設備306上顯示的畫面與用戶操作相關聯來更詳細地描述直到克服曝光設備204中的故障為止的上述處理。用戶首先顯示圖6中顯示的畫面，以檢查在曝光設備204中是否存在故障。透過檢查圖表601，用戶識別出批次BBB的批次資料顯著大於其它批次資料。然後，為了分析差異的原因，用戶在畫面上指定圖表601的批次BBB。顯示設備306的畫面顯示從圖表601切換到圖7中的圖表701和表702。此時，還顯示按與批次BBB的配方相同的配方經歷了曝光處理的批次CCC和批次EEE的基於晶片的處理資料和處理條件。 在圖表701中顯示的基於晶片的處理資料是計算在圖表601中顯示的批次資料的處理資料。透過檢查圖表701，用戶可以識別出批次BBB的十個晶片中的第一個晶片的處理資料的值大於第二個晶片至第十個晶片以及其它批次的晶片的處理資料的值。還識別出在表702中顯示的處理條件的設定值1至4當中的設定值1至3與其它批次的設定值不同。另外，設定值1和2是基本上相同的數值，並且因此被認為影響很小，使得確定了設定值3的差異是故障的原因。 結果，用戶確定批次間的差異是由於設定值3產生的，並迅速執行諸如將處理條件改變為與其它批次的處理條件相同的處理條件之類的操作。為了使分析操作更有效，可以突出顯示批次之間不同的每個處理條件。圖8顯示了突出顯示的處理條件的示例。在用戶指定批次BBB和批次EEE的情況下，僅突出顯示作為顯示的處理條件當中的不同的處理條件的設定值1和3。這使用戶容易在視覺上確定批次間的處理條件的差異。儘管在圖8中顯示的示例中透過改變字元以描繪字元來突出顯示表中的顯示，但例如字元的顏色、粗細和字體可以相對於其它內容的顏色、粗細和字體而改變，或者可以改變框架的顏色和粗細，或者可以使不同內容的每個部分閃爍。另外，如上所述，圖6和圖7中的顯示可以被選擇性地顯示在顯示設備306上，或者圖表601、設定欄602、圖表701和表702可以被顯示在如圖9中顯示的同一畫面上。 雖然在本實施例中描述了分析諸如曝光設備204之類的圖案形成設備200中的故障的原因的示例，但根據本實施例的資訊處理設備適用于除了圖案形成設備200之外的半導體製造設備中的故障的原因的分析。例如，根據本實施例的資訊處理設備適用於處理設備201和檢查設備202中的故障的原因的分析。 如上所述，在本實施例中，指定批次的基於晶片的處理資料在顯示設備306上被作為圖表顯示。這使得容易分析在哪個晶片中發生了故障。此外，由於還顯示了處理條件，因此可以立即分析可能是故障的原因的處理條件。這減少克服故障所需的時間。 在第二實施例中，將描述比第一實施例中的情形更具體的情形。在本實施例中，將描述分析與曝光設備204的台同步精度相關的故障的方法。台同步精度是表示例如在Y軸方向上同步地驅動光罩台2和晶片台6以曝光目標壓射區域的時段中的光罩台2和晶片台6的相對位置的誤差的資料。在本實施例中未描述的內容如在第一實施例中描述的。 用戶在與第一實施例中的圖5中的步驟S504對應的圖10中顯示的畫面上的設定欄602中輸入線名稱(line name) (例如，標識工廠、建築物或生產線的ID)和設備名稱(例如，標識設備的ID)。在圖10中，「L1」和「T1」分別被輸入作為線名稱和設備名稱。另外，用戶在設定欄602中輸入顯示資料。在圖10中，「同步精度測量結果」被輸入作為顯示資料。用戶還在設定欄602中輸入統計方法。統計方法是由計算單元403進行的批次資料的計算所採用的統計方法(例如，最大值、最小值、平均值、中位數值、標準差)。在圖10中，為了比較批次的晶片4當中同步精度測量結果的最低精度的晶片4，用於計算最大值的設定「MAX」被輸入作為統計方法。顯示設備306基於在設定欄602中輸入的設定來顯示圖表601。 透過檢查圖表601，用戶可以識別出批次BBB的統計值大於其它批次的統計值。用戶還可以識別出按與批次BBB的配方相同的配方經歷了曝光處理的批次CCC和批次EEE的值小於批次BBB的值。為了更詳細地分析差異，用戶指定批次BBB。 如圖11中顯示的，顯示設備306顯示在批次BBB中經歷了曝光處理的晶片4的同步精度測量結果的圖表、批次BBB的處理條件以及按與批次BBB的配方相同的配方經歷了曝光處理的批次CCC和批次EEE的同步精度測量結果和處理條件的圖表。此時，可以在表702中僅顯示與同步精度相關的處理條件。與台同步精度相關的處理條件是例如晶片台6的掃描速度、用於使用前饋(FF)技術來控制驅動晶片台6的線性電機的設定以及曝光期間的光源7的照度。透過檢查圖表701，用戶可以識別出批次BBB中經歷了曝光處理的所有晶片4的同步精度測量結果大於其它批次的同步精度測量結果。透過檢查表702並比較批次的處理條件，用戶可以確定批次BBB的掃描速度高於其它批次的掃描速度。 因此，用戶可以分析同步精度測量結果的差異是由於掃描速度的差異而導致的，並可以立即執行用於克服曝光設備204中的故障的操作。 在第三實施例中，將描述出現與第二實施例中的故障不同的故障的情況。在本實施例中，將描述分析與曝光設備204的對準測量結果相關的故障的方法。對準測量結果是透過捕獲在目標晶片4上形成的標記的圖像而獲取的數位圖像訊號的波形資料和數位圖像訊號的評估(波形資料的對稱性、數位圖像訊號的對比度)的資料。在本實施例中未描述的內容如在第一實施例中描述的。 用戶在與第一實施例中的圖5中的步驟S504對應的圖12中顯示的畫面上的設定欄602中輸入線名稱(例如，標識工廠、建築物或生產線的ID)和設備名稱(例如，標識設備的ID)。在圖12中，「L2」和「T2」分別被輸入作為線名稱和設備名稱。另外，用戶在設定欄602中輸入顯示資料。在圖12中，「對準測量結果」被輸入作為顯示資料。用戶還在設定欄602中輸入統計方法。統計方法是由計算單元403進行的批次資料的計算的統計方法(例如，最大值、最小值、平均值、中位數值、標準差)。在圖12中，為了比較批次的晶片4的平均值，用於計算平均值的設定「AVE」被輸入作為統計方法。顯示設備306基於在設定欄602中輸入的設定來顯示圖表601。 透過檢查圖表601，用戶可以識別出批次GGG的批次資料大於其它批次資料。用戶還可以識別出按與批次GGG的配方相同的配方經歷了曝光處理的批次HHH和批次JJJ的批次資料小於批次GGG的批次資料。為了詳細地分析差異，用戶指定批次GGG。 如圖13中顯示的，顯示設備306顯示批次GGG上的曝光處理的對準測量結果的圖表、批次GGG的處理條件以及按與批次GGG的配方相同的配方經歷了曝光處理的批次HHH和批次JJJ的對準測量結果和處理條件的圖表。此時，可以在表702中僅顯示與對準測量相關的處理條件。與對準測量相關的處理條件是例如照明模式、在出現故障的情況下選擇是否執行重試的設定、在晶片4上形成的標記的類型以及對準測量時的偏移值。透過檢查圖表701，用戶可以識別出在批次GGG的晶片4當中首先被曝光的晶片4的對準測量結果顯著不同，而其它晶片4的對準測量結果與其它批次的晶片4的對準測量結果沒有顯著不同。透過檢查表702並比較批次的處理條件，用戶可以識別出批次GGG的偏移值大於其它批次的偏移值。 因此，用戶可以分析對準測量結果的差異是由於偏移值的差異而導致的，並可以立即執行用於克服曝光設備204中的故障的操作。 ＜物品製造方法的實施例＞ 根據本發明的實施例的物品製造方法適於製造諸如微裝置-即，半導體裝置和具有精細結構的元件之類的物品。根據本實施例的物品製造方法可以包括使用物品製造系統在基板上形成原始版的圖案以及處理其上形成有圖案的基板。物品製造方法還可以包括其它已知的處理(氧化、膜形成、氣相沉積、摻雜、平坦化、刻蝕、抗蝕劑去除、切片、接合、封裝)。根據本實施例的物品製造方法在物品的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一個方面比傳統方法更有利。 本發明涉及有利於減少分析半導體製造設備中的故障的原因的時間的技術。 其它實施例 本發明的(一個或多個)實施例還可以透過讀出並執行記錄在儲存媒體(也可以被更完整地稱為“非暫態電腦可讀取儲存媒體”)上的電腦可執行指令(例如，一個或多個程式)以執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能和/或包括用於執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能一個或多個電路(例如，專用積體電路(ASIC))的系統或設備的電腦來實現，以及透過例如從儲存媒體讀出並執行電腦可執行指令以執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能和/或控制一個或多個電路以執行上述(一個或多個)實施例中的一個或多個實施例的功能而透過由系統或設備的電腦執行的方法來實現。電腦可以包括一個或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，並且可以包括單獨電腦或單獨處理器的網路，以讀出並執行電腦可執行指令。電腦可執行指令可以例如從網路或儲存媒體提供到電腦。儲存媒體可以包括例如硬碟、固態硬碟(SSD)、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分散式運算系統的儲存設備、光碟(optical disk)(諸如光碟(CD)、數位多功能影音光碟(DVD)或藍光碟(BD)TM )、快閃記憶體裝置、記憶卡等中的一個或多個。 雖然已經參考實施例描述了本發明，但要理解，本發明不限於所公開的實施例，而是由隨附申請專利範圍的範圍限定。
100:物品製造系統 200:圖案形成設備 201:處理設備 202:檢查設備 300:管理設備 204:曝光設備 1:光罩 2:光罩台 3:投影光學系統 4:晶片 5:晶片卡盤 6:晶片台 7:光源 8:照明光學系統 9:雷射干涉儀 10:雷射干涉儀 11a:光投影系統 11b:光接收系統 12:晶片輸送單元 13:控制單元 14:光罩輸送單元 15:對準觀察儀 301:中央處理單元 302:唯讀記憶體 303:隨機存取記憶體 304:儲存裝置 305:輸入裝置 306:顯示裝置 307:通訊裝置 308:匯流排 401:獲取單元 402:累積單元 403:計算單元 404:顯示控制單元 S501:獲取處理資料 S502:累積處理資料 S503:計算批次資料 S504:在圖表上顯示批次資料 S505:指定了批次資料嗎? S506:在圖表上顯示指定的批次資料的處理資料 S507:要結束顯示了嗎? 601:圖表 602:設定欄 701:圖表 702:表
[圖1]是繪示物品製造系統的圖。 [圖2]是繪示作為圖案形成設備的示例的曝光設備的圖。 [圖3]是繪示資訊處理設備的硬體設定的圖。 [圖4]是繪示管理設備的中央處理單元(CPU)的配置的圖。 [圖5]是繪示顯示設備的顯示處理的流程圖。 [圖6]是繪示根據第一實施例的批次資料的顯示的圖。 [圖7]是繪示根據第一實施例的處理資料的顯示的圖。 [圖8]是繪示指定批次的處理條件被突出顯示的顯示的圖。 [圖9]是繪示同一畫面上顯示的批次資料和處理資料的圖。 [圖10]是繪示根據第二實施例的批次資料的顯示的圖。 [圖11]是繪示根據第二實施例的處理資料的顯示的圖。 [圖12]是繪示根據第三實施例的批次資料的顯示的圖。 [圖13]是繪示根據第三實施例的處理資料的顯示的圖。

Claims (16)

  1. 一種資訊處理設備，包括：獲取單元，被配置為獲取關於基板處理的處理資訊，該處理資訊包括處理資料和配方；以及顯示控制單元，被配置為基於由該獲取單元獲取的處理資訊來控制顯示設備上的顯示，其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上選擇性地顯示第一畫面和第二畫面，該第一畫面逐批次地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料，該第二畫面逐基板地顯示第一批次的處理資料，該第一批次是由用戶從該第一畫面上顯示的該些批次中指定的批次，而且其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上顯示該第二畫面，該第二畫面逐基板地同時顯示該第一批次的處理資料和第二批次的處理資料，該第二批次按與處理該第一批次的配方相同的配方被處理。
  2. 一種資訊處理設備，包括：獲取單元，被配置為獲取關於基板處理的處理資訊，該處理資訊包括處理資料和配方；以及顯示控制單元，被配置為基於由該獲取單元獲取的處理資訊來控制顯示設備上的顯示，其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上將第一畫面和第二畫面一起顯示，該第一畫面逐批次地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料，該第二畫面逐基板地顯示第一批次的處理資料，該第一批次是由用戶從該 第一畫面上顯示的該些批次中指定的批次，而且其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上顯示該第二畫面，該第二畫面逐基板地同時顯示該第一批次的處理資料和第二批次的處理資料，該第二批次按與處理該第一批次的配方相同的配方被處理。
  3. 如請求項1所述的資訊處理設備，其中，該處理資料是包括執行基板處理的處理設備的操作的結果和經歷基板處理的基板的狀態的資訊。
  4. 如請求項1所述的資訊處理設備，其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上顯示該第二畫面，該第二畫面逐基板地顯示該第一批次的處理資料和第二批次的處理資料，該第二批次在包括與處理該第一批次的處理條件相同的一個或多個處理條件的處理條件下被處理。
  5. 如請求項4所述的資訊處理設備，其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上顯示該第二畫面，該第二畫面逐基板地顯示該第一批次的處理資料和該第二批次的處理資料以及該第一批次的處理條件和該第二批次的處理條件。
  6. 如請求項1所述的資訊處理設備，其中，該第一畫面和該第二畫面中的至少一個將處理資料作為圖表顯示。
  7. 如請求項1所述的資訊處理設備，其中，在該顯示設備上顯示該第二畫面的顯示方法是能夠改變 的，以突出顯示在由用戶指定的第三批次和第四批次的處理條件當中的具有差異的處理條件。
  8. 如請求項1所述的資訊處理設備，還包括計算單元，該計算單元被配置為基於由該獲取單元獲取的多個基於基板的處理資料來計算基於批次的處理資料。
  9. 如請求項8所述的資訊處理設備，其中，該計算單元被配置為基於來自該多個基於基板的處理資料的最大值、最小值、平均值、中位數值和標準差中的至少一個統計處理來計算基於批次的處理資料。
  10. 一種資訊處理方法，包括：獲取關於基板處理的處理資訊，該處理資訊包括處理資料和配方；以及基於所獲取的處理資訊來控制顯示設備上的顯示，其中，執行控制以在該顯示設備上選擇性地顯示第一畫面和第二畫面，該第一畫面逐批次地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料，該第二畫面逐基板地顯示第一批次的處理資料，該第一批次是由用戶從該第一畫面上顯示的該些批次中指定的批次，而且其中，該控制被配置為在該顯示設備上顯示該第二畫面，該第二畫面逐基板地同時顯示該第一批次的處理資料和第二批次的處理資料，該第二批次按與處理該第一批次的配方相同的配方被處理。
  11. 一種資訊處理方法，包括：獲取關於基板處理的處理資訊，該處理資訊包括處理 資料和配方；以及基於所獲取的處理資訊來控制該顯示設備上的顯示，其中，執行控制以在該顯示設備上將第一畫面和第二畫面一起顯示，該第一畫面逐批次地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料，該第二畫面逐基板地顯示第一批次的處理資料，該第一批次是由用戶從該第一畫面上顯示的該些批次中指定的批次，而且其中，該控制被配置為在該顯示設備上顯示該第二畫面，該第二畫面逐基板地同時顯示該第一批次的處理資料和第二批次的處理資料，該第二批次按與處理該第一批次的配方相同的配方被處理。
  12. 一種電腦可讀儲存媒體，儲存用於使電腦執行包括獲取和控制顯示的資訊處理方法的程式，其中，獲取關於基板處理的處理資訊，該處理資訊包括處理資料和配方；以及其中，基於所獲取的處理資訊來執行控制，以在該顯示設備上選擇性地顯示第一畫面和第二畫面，該第一畫面逐批次地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料，該第二畫面逐基板地顯示第一批次的處理資料，該第一批次是由用戶從該第一畫面上顯示的該些批次中指定的批次，而且其中，該控制被配置為在該顯示設備上顯示該第二畫面，該第二畫面逐基板地同時顯示該第一批次的處理資料和第二批次的處理資料，該第二批次按與處理該第一批次 的配方相同的配方被處理。
  13. 一種物品製造系統，包括：如請求項1至9中任一項所述的資訊處理設備；以及圖案形成設備，被配置為在基板上形成圖案，其中，資訊處理設備管理包括該圖案形成設備的多個設備。
  14. 一種物品製造方法，包括：透過使用如請求項13所述的物品製造系統在基板上形成圖案；以及對其上形成有圖案的基板執行來自氧化、膜形成、氣相沉積、摻雜、平坦化、刻蝕、抗蝕劑去除、切割、接合和封裝中的至少一個處理，其中，從經處理的基板製造物品。
  15. 一種資訊處理設備，包括：獲取單元，被配置為獲取關於基板處理的處理資訊，該處理資訊包括處理資料和處理條件；以及顯示控制單元，被配置為基於由該獲取單元獲取的處理資訊來控制顯示設備上的顯示，其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上選擇性地顯示第一畫面和第二畫面，該第一畫面逐批次地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料，該第二畫面逐基板地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料。
  16. 一種資訊處理設備，包括：獲取單元，被配置為獲取關於基板處理的處理資訊， 該處理資訊包括處理資料和處理條件；以及顯示控制單元，被配置為基於由該獲取單元獲取的處理資訊來控制顯示設備上的顯示，其中，該顯示控制單元被配置為在該顯示設備上將第一畫面和第二畫面一起顯示，該第一畫面逐批次地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料，該第二畫面逐基板地顯示各自包括多個基板的多個批次的處理資料。
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