TWI810357B - 基板處理方法 - Google Patents
基板處理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI810357B TWI810357B TW108131862A TW108131862A TWI810357B TW I810357 B TWI810357 B TW I810357B TW 108131862 A TW108131862 A TW 108131862A TW 108131862 A TW108131862 A TW 108131862A TW I810357 B TWI810357 B TW I810357B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- front surface
- processing
- edge
- substrate according
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 119
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 38
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 125000006502 nitrobenzyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- -1 2-nitrobenzyl Chemical group 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N trichloro(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)[Si](Cl)(Cl)Cl QRPMCZNLJXJVSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BWRBVBFLFQKBPT-UHFFFAOYSA-N (2-nitrophenyl)methanol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O BWRBVBFLFQKBPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YONZAARCRAUCRL-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-nitrophenyl)methyl]-11-trichlorosilylundecanoic acid Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCCCCCCCC(C(=O)O)CC1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O YONZAARCRAUCRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVPSRJKEWDSPN-UHFFFAOYSA-N 2-chloroundecane Chemical compound CCCCCCCCCC(C)Cl HQVPSRJKEWDSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVOXLRDCXOXJEX-UHFFFAOYSA-N 3,3,4-trichlorodithiolan-4-ol Chemical compound ClC1(C(SSC1)(Cl)Cl)O CVOXLRDCXOXJEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710162828 Flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 101710135409 Probable flavin-dependent thymidylate synthase Proteins 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical class [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SYFVDZKKYBYXCH-UHFFFAOYSA-N [N+](=O)([O-])C1=C(C=CC=C1)CO.[N+](=O)([O-])C1=C(C=CC=C1)CO Chemical compound [N+](=O)([O-])C1=C(C=CC=C1)CO.[N+](=O)([O-])C1=C(C=CC=C1)CO SYFVDZKKYBYXCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- MZFGYVZYLMNXGL-UHFFFAOYSA-N undec-10-enoyl chloride Chemical compound ClC(=O)CCCCCCCCC=C MZFGYVZYLMNXGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/165—Monolayers, e.g. Langmuir-Blodgett
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/002—Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
- B05D1/005—Spin coating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/02—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by spraying
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/32—Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
- B05D1/322—Removable films used as masks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D5/00—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
- B05D5/08—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface
- B05D5/083—Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain an anti-friction or anti-adhesive surface involving the use of fluoropolymers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B17/00—Methods preventing fouling
- B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/167—Coating processes; Apparatus therefor from the gas phase, by plasma deposition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Abstract
本發明係提供處理基板的方法。該方法包含接收一基板。該基板具有一前側表面、一背側表面、以及一側邊緣表面。該方法亦包含在該前側表面的一第一環形區域中形成一第一材料，以使該第一環形區域被塗佈以該第一材料。該第一環形區域係緊鄰該基板的一周邊。該第一環形區域具有一第一外周邊以及一第一內周邊，該第一外周邊係靠近該基板的該周邊，該第一內周邊係遠離該基板的該周邊。該方法亦包含在該前側表面的一內部區域中形成一第二材料，該第二材料塗佈該前側表面而不附著於該環形區域。
Description
[相關申請案之交互參照]本申請案係主張美國臨時申請案第62/726,605號的優先權，該優先權基礎案係申請於2018年9月4日，其整體內容乃藉由參考文獻方式合併於此。
本揭露內容係關於半導體晶圓的微加工。
矽晶圓被處理以製造積體電路與其他半導體裝置。半導體加工係涉及下列許多不同步驟：晶圓的沉積、成長、圖案化、移除、以及清理。各種不同材料被添加並且移除或部分地移除，而留下其他材料。各種製程控制試圖防止缺陷性(defectivity)與汙染。
上述先前技術說明係為了大致呈現本揭露內容背景之目的。在此先前技術段落中所述之發明人之工作、以及不可以其他方式認定為申請時之先前技術的實施態樣敘述皆不被明示或暗示地承認為針對本發明之先前技術。
在一實施態樣中，該方法包含接收一基板。該基板具有一前側表面、一背側表面、以及一側邊緣表面。該方法亦包含在該前側表面的一第一環形區域中形成一第一材料，以使該第一環形區域被塗佈以該第一材料。該第一環形區域係緊鄰該基板的一周邊。該第一環形區域具有一第一外周邊以及一第
一內周邊，該第一外周邊係靠近該基板的該周邊，該第一內周邊係遠離該基板的該周邊。該方法亦包含在該前側表面的一內部區域中形成一第二材料，該第二材料塗佈該前側表面而不附著於該環形區域。
在一實施態樣中，該方法包含接收一基板。該基板具有一前側表面、一背側表面、以及一側邊緣表面。該方法亦包含在該前側表面的一第一環形區域中形成一第一材料，以使該第一環形區域被塗佈以該第一材料，該第一環形區域係緊鄰該基板的一周邊，該第一環形區域具有一第一外周邊以及一第一內周邊，該第一外周邊係靠近該基板的該周邊，該第一內周邊係遠離該基板的該周邊；以及在該前側表面的一內部區域中形成一第二材料，該第二材料塗佈該前側表面而不附著於該環形區域。
在一實施態樣中，該方法包含接收一基板，該基板具有一前側表面、一背側表面、以及一側邊緣表面；使一氟化自組裝單層塗膜沉積在該基板之該前側表面的一周圍邊緣上，而不將該氟化自組裝單層塗膜分配在該前側表面的內部表面上，該周圍邊緣係緊鄰該基板的一周邊；以及使一第二材料沉積在該前側表面的該等內部表面上並且同時旋轉該基板，該旋轉步驟使該第二材料覆蓋該前側表面，但該氟化自組裝單層塗膜防止該第二材料附著於該前側表面的該周圍邊緣。
吾人注意到，本發明內容段落並非具體載明本揭露內容或所請發明之每一實施例及/或所增加的新穎態樣。相反地，本發明內容僅提供不同實施例及優於習知技術之對應新穎性的初步論述。關於本發明及實施例的額外細節及/或可行態樣，讀者可將注意力轉向如下所進一步論述之本揭露內容的實施方式段落與對應之圖式。
100:基板
102:前側表面
104:背側表面
106:側邊緣表面
108:邊緣區域
110:中央區域
200:系統
202:分配噴嘴
300:SAM
302:頭部
304:可裂解基
306:尾部
402:分子
404:分子
406:分子
408:分子
500:方法
502:步驟
504:步驟
506:步驟
藉由參考以下結合隨附圖式所考量的詳細說明內容，本揭露內容的更完整理解及其伴隨的諸多優點在變得更受人所瞭解時則將輕易地被獲得，其中：圖1係顯示依照一範例之用以在基板上沉積保護膜之系統的示意圖；圖2係顯示依照一範例之基板的示意圖；圖3係顯示依照一範例之示範自組裝單層(SAM，self-assembled monolayer)結構的示意圖；圖4係顯示依照一範例之SAM之示範分子的示意圖；以及圖5係依照一範例之藉由使用自組裝單層塗膜防止金屬汙染之方法的流程圖。
現在參考圖式，其中遍布於數個視圖，相似的參考符號係標出相同或對應的部分，以下說明內容係關於藉由使用自組裝單層塗膜防止金屬汙染的系統與相關方法論。在此所述之技術提供塗佈製程，其能夠使用含金屬材料並且同時防止因這些材料所引起的汙染、缺陷性、以及不必要膜成長。技術包含選擇性地塗佈自組裝單層(SAM)以作為阻擋層。
對應用含有金屬的先進光圖案化材料與蝕刻中止層而言，半導體晶圓上的金屬汙染係一個特別的挑戰。這些含金屬材料係有利於在晶圓上產生高解析圖案，並且能夠達成在光微影範圍內的三維邏輯、極限紫外光微影(EUV，extreme ultraviolet lithography)、以及其他先進圖案化方案。然而，因為汙染的潛在性，所以使用含金屬材料係具有挑戰性的。
存在有用以限制金屬汙染的單一與多模組法，其係藉由透過加法與減法兩者而選擇性地阻擋金屬粒子與含金屬光材料(例如含有光阻、背部抗反射塗膜(BARC，back anti-reflective coatings)、金屬硬遮罩(MHM，metal hardmask)之材料)的附著。對此製程的額外影響係試圖使用目前可用於生產之習知材料來提供更清潔的邊緣製程，以改善位在晶圓之邊緣與背側的缺陷性。
用以控制邊緣與背側缺陷性的習知技術在防止材料累積方面不太有效。例如，產生犧牲層的邊緣塗佈可能導致在晶圓上留下缺陷性。此外，不太有效的旋塗材料塗佈可能造成邊緣塗佈阻障，此可能會破壞塗佈性能。
然而，在此所述之技術提供塗佈製程，其能夠使用含金屬材料並且同時防止因這些材料所引起的汙染。於此，在一實施例中，將類鐵氟龍(Teflon-like)SAM(自組裝單層)直接分配在待保護而免於受金屬與缺陷影響的晶圓之前側的周圍邊緣或環形區域上。可使用設置在基板之邊緣區域上方的噴嘴來分配材料，或者可使用邊緣珠粒移除硬體。
某些SAM可被產生而具有非潤溼表面，此防止液體的附著。此種表面可被描述成疏水性。具體而言，此種表面可具有在抗水或防止水與包含若干溶劑之某些其他液體的附著之範圍內的表面接觸角。
因此，在此之技術包含用以在半導體基板(晶圓)之選擇部分上形成保護膜的方法。在一實施例中，如進一步在下文中所述，將特定的SAM塗佈在基板上。
圖1係顯示依照一範例之用以在基板100上沉積保護膜之系統200的示意圖。系統200可包含分配噴嘴202。基板100可包含前側表面102(即，工作表面)、背側表面104、以及側邊緣表面106。在一範例中，基板100為盤狀並且相對地薄。分配噴嘴202係設置靠近前側表面102的邊緣區域108。系統200亦可包
含基板支架(未顯示)及/或用以固定且可旋轉基板的旋轉卡盤、處理腔室、以及設置以控制系統200之一或多個構件的控制器。
基板100的俯視圖係顯示於圖2中。前側表面102的邊緣區域108為一環形區域，其係從該前側表面的周邊朝向該前側表面的中心點延伸一預定距離。該預定距離可在1mm到5mm的範圍內。此環形區域或第一環形區域可緊鄰基板的周邊。第一環形區域具有第一外周邊以及第一內周邊，該第一外周邊係靠近基板的周邊，該第一內周邊係遠離基板的周邊。在一範例中，邊緣區域108係相當於未建置主動裝置的區域。換言之，就圓形基板而言，噴嘴係設置在外邊緣(即，外周圍表面)或其上方。
可將用於邊緣珠粒移除的噴嘴與設備使用作為在此之分配噴嘴。邊緣珠粒為較厚材料的層，其係在塗佈製程期間累積在基板100的邊緣。例如，當以光阻來塗佈基板時，使液態光阻沉積在旋轉晶圓的中心點或其附近。接著，光阻朝向基板的外邊緣散開而覆蓋工作表面。當光阻到達基板的邊緣時，材料可在邊緣累積。此材料累積可能會妨礙後續的製程，因此移除此光阻材料的珠粒係有利的。邊緣珠粒移除噴嘴可將溶劑分配或噴灑在此外邊緣上，以自外邊緣將材料累積移除或將材料整個移除。此種硬體能夠可選地被修改，以將塗佈材料分配到基板之工作表面的邊緣上。
之後從分配噴嘴202將第一材料沉積到前側表面102的邊緣區域108(第一環形區域)上，並且同時旋轉基板100。此使得基板100的邊緣區域108被塗佈以第一材料。如進一步在下文中所述，此種第一材料可為自組裝單層、氟化材料(例如碳氟化合物層)、或造成疏水性表面的其他材料。可以液體或蒸氣方式來沉積第一材料。此種疏水性表面將會防止後續材料的附著。例如，SAM係藉由蒸氣製程或溶液製程所形成。在SAM的區域選擇性沉積之後，前側表面102能夠可選地被清理，以移除可能未附著的任何剩餘粒子。
在一範例中，邊緣區域可具有非圓形狀。
將第二材料沉積到前側表面102的中央區域110(內部區域)上，並且同時旋轉基板100。第二材料塗佈前側表面102而不附著於前側表面102的邊緣區域108或環形區域。因此，各種材料可被沉積而不留在基板100的邊緣區域108上。這些材料可包含光阻以及含金屬膜。在沉積第二材料之後，在下一個處理步驟之前，基板100能夠可選地被清理。
在此所述之技術可包含控制SAM沉積與SAM移除的量。注意到，各種材料可用於實施在此所述之技術。光催化製程可用於SAM移除(例如使用360nm波長的UV裂解)。SAM可被沉積成單層或雙層(例如在沉積一SAM層之後，沉積另一SAM層或材料層)。此外，可修改SAM的接觸角以改變SAM與基板100之表面之間的交互作用。
圖3係顯示在此可使用的示範材料。SAM 300為沉積在兩物質相位間之界面處的分子之組織化組件。一示範SAM300之設計可具有頭部302(或頭部基)、可裂解基304、以及尾部/抑制物質306(或尾部基)。頭部302被定向而朝向該界面，以及尾部306被定向而遠離該界面。
所沉積之SAM 300的厚度可依據應用而變化。針對某些應用而言，0.5nm到1.5nm的厚度為較佳。
頭部基302可為包含三氯單羥基二噻(Trichloro-Mono-Hydroxy-dithiolane)的任何適當化學物質。可裂解基304可以硝基苯甲基為基礎、以羰基為基礎、或以苯甲基為基礎。可裂解基304可根據波長而被加以選擇。
尾部基306可為相對長之惰性、線狀碳氫部分。尾部基306包含完全或部分氟化之碳氫鏈，其被定向而遠離該界面。尾部基306可包含2-30個碳長的烷類。尾部基306可包含額外分支並且具有不同形狀。
圖4進一步顯示在此可使用的示範分子。分子402與404為碳氫鏈。分子402係顯示2-硝基苯甲基，3-(11-羧基十一酸酯),5-十一烷的結構。分子404為2-硝基苯甲基-(11-三氯矽基)-十一酸酯。分子406與408係顯示氟化鏈的範例。尤其，分子406為2-硝基苯甲基，3-(11-氟羧基十一酸酯),5-十一烷。分子408為2-硝基苯甲基-(11-三氯矽基)-氟十一酸酯。
在一範例中，2-硝基苯甲基-11-(三氯矽基)-十一酸酯可如在下文中所述被加以合成。該反應較佳係在黑暗(dark)條件下被執行。例如，鋁箔可用以排除光參與該反應。
在第1步驟中，將2.0g(9.9mmol)的10-十一烯醯氯(undec-10-enoyl chloride)添加至1.68g(10.9mmol)之(2-硝基苯基)甲醇((2-nitrophenyl)methanol)的溶液。(2-硝基苯基)甲醇溶液係藉由將甲醇溶於0.88ml(10.9mmol)之吡啶與40ml之二氯甲烷的混合物中而獲得。該反應於室溫攪拌48h直到觀察到完全轉化為止。以用於移除過剩吡啶的3 x 20mL的5%氫氯酸溶液以及20mL的飽和碳酸氫鈉溶液來萃取有機層，然後透過硫酸鈉進行乾燥。在真空下移除溶劑，且接著執行使用環己烷/乙酸乙酯(8：1)的管柱分離，以進行產物純化。獲得2.63g的白色固體，其為理論產率的83%。
1H-NMR：(δ,400MHz,20℃,CDCl3)：8.05(dd,1H,ph3)；7.62(t,1H,ph4)；7.57(d,1H,ph6)；7.46(t,1H,ph5)；5.76(m,1H,=CH-)；5.48(s,2H,O-CH2-ph)；4.91(dd,2H,CH2=)；2.38(t,2H,-C2-(COO))；2.00(q,2H,C9)；1.63(quint,2H,C3)；1.27(m,10H,C4-C8)ppm。
13C-NMR：(δ,125MHz,20℃,CDCl3)：172.30(1C,COO)；147.56(1C,ph2-NO2)；137.13(1C,C10(C=C))；135.20(1C,ph1)；134.24(1C,ph5)；128.36(2C,ph4,6)；125.67(1C,ph3)；115.15(1C,C11(C=C))；63.76(1C,(COO)-CH2-ph)；
34.05(1C,C9)；34.00(1C,C2)；29.27(1C,C8)；29.18(1C,C7)；29.07(1C,C6)；29.04(1C,C5)；28.87(1C,C4)；24.93(1C,C3)ppm。
在第二步驟中，將1.0g(7.4mmol)的三氯矽烷添加至溶於5ml之二氯甲烷中的1.0g(3.1mmol)之10-十一烯酸2-硝基苯甲基酯(2-nitrobenzylundec-10-enoate)的溶液。使用六氯鉑酸(hexachloroplatinic acid)作為催化劑。該反應於室溫攪拌24小時直到觀察到完全轉化為止。
產出：1.38g的白色淡黃液體(理論產率的97.3%)。
1H-NMR：(δ,400MHz,20℃,CDCl3)：8.05(dd,1H,ph3)；7.59(t,1H,ph4)；7.53(d,1H,ph6)；7.43(t,1H,ph5)；5.48(s,2H,(O-CH2-ph))；2.35(t,2H,-C2-(COO))；1.61(m,2H,C3)；1.51(m,2H,C10)；1.35(quint,2H,C11)；1.28(m,12H,C4-C9)ppm。
13C-NMR：(δ,125MHz,20℃,CDCl3)：173.12(1C,COO)；147,64(1C,ph2-NO2)；133.61(1C,ph6)；132.23(1C,ph1)；129.1(1C,ph4)；128.73(1C,ph5)；125.01(1C,ph3)；62.76(1C,(COO)-CH2-ph)；34.13(1C,C2)；31.75(1C,C9)；29.32(1C,C8)；29.23(1C,C7)；29.15(1C,C6)；29.07(1C,C5)；28.94(1C,4)；24.84(1C,C3)；24.27(1C,C11)；22.23(1C,C10)ppm。
IR-資料(CaF2,cm-1)：2925；2853；1742；1613；1578；1528；1447；1343。
圖5係依照一範例之用於防止金屬汙染之方法500的流程圖。在步驟502，將分配噴嘴設置靠近基板之前側表面的邊緣區域(例如圖2的邊緣區域108)。在一範例中，為了進行處理而準備基板。例如，可清理基板以移除任何汙染物。
在步驟504，從分配噴嘴將第一材料沉積到基板之前側表面的邊緣區域上。可沉積第一材料並且同時旋轉基板。選擇基板的旋轉速度以產生均
勻層(例如介於800rpm上至2200rpm之間)。在一範例中，第一材料為自組裝單層。第一材料可為氟化材料。第一材料經選擇而為疏水性。可以液體或蒸氣形式來分配第一材料。例如，使用十八烷基三氯矽烷(OTS，octadecyltrichlorosilane)或全氟癸基三氯矽烷(FDTS，perfluorodecyltrichlorosilane)溶液來形成SAM。可藉由電漿增強化學氣相沉積(PECVD，plasma enhanced chemical vapor deposition)或旋轉塗佈來形成碳氟化合物層。
在一實施例中，在基板之前側表面的第一環形區域中形成第一材料。該環形區域可具有靠近基板之周邊的第一外周邊。基板可包含第二環形區域，於此處沉積另一材料。
在一範例中，在進行步驟506之前可清理前側表面。
在一範例中，分配噴嘴可設置成將溶劑分配在基板之邊緣部分上，以作為邊緣珠粒移除製程的部分。
在步驟506，將第二材料沉積到前側表面的中央區域(或內部區域)上，並且同時旋轉基板。在一範例中，第二材料可為光阻及/或含金屬膜。在一範例中，可在不旋轉基板的情況下沉積第二材料。第二材料塗佈基板的前側表面而不附著於基板的第一環形區域或邊緣區域。
在一範例中，在步驟506之後清理基板。
如先前在此所述，因為在邊緣上所塗佈的SAM材料，所以含金屬材料的後續塗膜將不會附著於晶圓邊緣。在旋轉澆注(spin cast)含金屬材料的情況下，剩餘的液滴將被以習知半導體溶劑輕易沖掉，而在含金屬膜的情況下，表面被鈍化，並且在該位置上將不會發生ALD式反應所需之表面化學作用。
當然，如在此所述之不同步驟的討論順序乃係為了清楚之目的而呈現。一般而言，這些步驟可以任何適當之順序被加以執行。此外，雖然在此之不同特徵、技術、構造等等可能係在本揭露內容的不同地方被討論，但此係
意指每一個概念可彼此單獨實施或彼此結合實施。因此，吾人可以諸多不同方式來實現並看待本發明。
在先前的說明內容中，已提出具體細節，例如處理系統的特定幾何以及其中所使用之各種構件與製程的描述。然而，吾人應理解，在此之技術可在背離這些具體細節的其他實施例中被加以實現，以及此種細節係為了解釋之目的而非限制。在此所揭露之實施例已參照隨附圖式加以說明。同樣地，為了解釋之目的，已提出具體的數量、材料、以及構造，以提供徹底的理解。然而，實施例可在不具有此種具體細節的情況下被加以實現。具有實質相同功能構造的構件係藉由相似的參考符號加以表示，因此可省略任何多餘的描述。
各種技術已被描述成多個分離的操作，以促進理解各種實施例。描述的順序不應被認為係暗示這些操作必須順序相依。確實，這些操作不必以描述的順序被執行。所述之操作可以與所述之實施例不同的順序被執行。在額外的實施例中，可執行各種額外的操作及/或可省略所述之操作。
根據本發明，如在此所使用的「基板」或「目標基板」一般係指受到處理的物件。基板可包括裝置(尤其係半導體或其他電子裝置)的任何材料部份或結構，並且例如可為基底基板結構，如半導體晶圓、光罩、或在基底基板結構上或覆蓋於其上的層(例如薄膜)。因此，基板不限於圖案化或未圖案化的任何特定基底結構、下伏層或覆蓋層，而係考量包括任何此種層或基底結構、以及層及/或基底結構的任何組合。本說明內容或許參照特定種類的基板，但這僅係為了說明之目的。
本技術領域中具有通常知識者亦將瞭解到，可對以上所解釋之技術的操作做出諸多變化並且仍同時達到本發明之相同目的。此種變化係意欲由本揭露內容的範圍所涵蓋。就此而論，本發明之實施例的上述說明並非意欲限制。本發明之實施例的任何限制反而係呈現在下列請求項中。
100:基板
108:邊緣區域
110:中央區域
Claims (18)
- 一種處理基板的方法，該方法包含下列步驟：接收一基板，該基板具有一前側表面、一背側表面、以及一側邊緣表面；將一分配噴嘴設置靠近該前側表面的一邊緣區域，該前側表面的該邊緣區域為一環形區域，該環形區域係從該前側表面的一周邊朝向該前側表面的一中心點延伸一預定距離；從該分配噴嘴將一第一材料沉積到該前側表面的該邊緣區域上、且從該分配噴嘴將一第二材料沉積到該前側表面的該邊緣區域上，以使該基板的該邊緣區域被塗佈以該第一材料及該第二材料；以及將一第三材料沉積到該前側表面的一中央區域上，該第三材料塗佈該前側表面而不附著於該前側表面的該邊緣區域，其中該第一材料與該第二材料不同，其中該第一材料為一自組裝單層。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該自組裝單層的一可裂解基係以硝基苯甲基為基礎、以羰基為基礎、或以苯甲基為基礎。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該第一材料為一氟化材料。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該第一材料經選擇而為疏水性。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該第一材料被以液體方式分配。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該第一材料被以蒸氣方式分配。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，更包含在沉積該第一材料與該第二材料之後並且在沉積該第三材料之前，清理該前側表面。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該第三材料為一光阻。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該第三材料為一含金屬膜。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中該分配噴嘴亦設置成將溶劑分配在該基板的一邊緣部分上，以作為邊緣珠粒移除製程的部分。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，更包含在沉積該第三材料之後，清理該基板。
- 如請求項第1項之處理基板的方法，其中沉積該第一材料、該第二材料、與該第三材料並且同時旋轉該基板。
- 一種處理基板的方法，該方法包含下列步驟： 接收一基板，該基板具有一前側表面、一背側表面、以及一側邊緣表面；在該前側表面的一環形區域中形成一第一材料與一第二材料，以使該環形區域被塗佈以該第一材料與該第二材料，該環形區域係緊鄰該基板的一周邊，該環形區域具有一外周邊以及一內周邊，該外周邊係靠近該基板的該周邊，該內周邊係遠離該基板的該周邊；以及在該前側表面的一內部區域中形成一第三材料，該第三材料塗佈該前側表面而不附著於該環形區域，其中該第一材料與該第二材料不同，其中該第一材料為一自組裝單層。
- 如請求項第13項之處理基板的方法，其中該第一材料為一氟化自組裝單層。
- 如請求項第13項之處理基板的方法，其中該第一材料、該第二材料、與該第三材料係經由一分配噴嘴所沉積。
- 如請求項第15項之處理基板的方法，其中該第一材料被以液體方式分配。
- 如請求項第15項之處理基板的方法，其中該第一材料被以蒸氣方式分配。
- 一種處理基板的方法，該方法包含下列步驟：接收一基板，該基板具有一前側表面、一背側表面、以及一側邊緣表面； 使一第一材料沉積在該基板之該前側表面的一周圍邊緣上，而不將該第一材料分配在該前側表面的內部表面上，該第一材料為氟化自組裝單層塗膜，該周圍邊緣係緊鄰該基板的一周邊；使一第二材料沉積在該基板之該前側表面的該周圍邊緣上，而不將該第二材料分配在該前側表面的該等內部表面上；以及使一第三材料沉積在該前側表面的該等內部表面上並且同時旋轉該基板，該旋轉步驟使該第三材料覆蓋該前側表面，且該第一材料與該第二材料防止該第三材料附著於該前側表面的該周圍邊緣，其中該第一材料與該第二材料不同。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862726605P | 2018-09-04 | 2018-09-04 | |
| US62/726,605 | 2018-09-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202025242A TW202025242A (zh) | 2020-07-01 |
| TWI810357B true TWI810357B (zh) | 2023-08-01 |
Family
ID=69641094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108131862A TWI810357B (zh) | 2018-09-04 | 2019-09-04 | 基板處理方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11460775B2 (zh) |
| JP (1) | JP7317320B2 (zh) |
| KR (1) | KR20210041094A (zh) |
| CN (1) | CN112638547A (zh) |
| TW (1) | TWI810357B (zh) |
| WO (1) | WO2020086164A2 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230063235A1 (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing semiconductor devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180046086A1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | Inpria Corporation | Methods of reducing metal residue in edge bead region from metal-containing resists |
| TW201824348A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-07-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 塗布顯影方法及塗布顯影裝置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461983B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Method for pretreating a substrate prior to application of a polymeric coat |
| US7601386B2 (en) * | 2003-07-11 | 2009-10-13 | Seiko Epson Corporation | Process for forming a film, process for manufacturing a device, electro-optical device and electronic equipment |
| JP4179288B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2008-11-12 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターン形成方法 |
| US7854873B2 (en) * | 2005-06-10 | 2010-12-21 | Obducat Ab | Imprint stamp comprising cyclic olefin copolymer |
| KR100994920B1 (ko) * | 2008-06-05 | 2010-11-17 | 주식회사 소로나 | 기상 자기조립 단분자막 코팅장치 |
| US8691331B2 (en) * | 2009-02-09 | 2014-04-08 | Prashant D. Santan | Surface modification of hydrophobic and/or oleophobic coatings |
| US8293658B2 (en) * | 2010-02-17 | 2012-10-23 | Asm America, Inc. | Reactive site deactivation against vapor deposition |
| US9078956B2 (en) * | 2010-06-10 | 2015-07-14 | Econous Systems Inc. | Modification of biomedical polymers for prevention of fouling and clotting |
| JP2014157941A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Fujikura Ltd | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
| CN106415803B (zh) | 2013-12-17 | 2019-01-29 | 东京毅力科创株式会社 | 在基底上旋涂自组装单分子层或周期性有机硅(酸盐)的系统和方法 |
-
2019
- 2019-09-04 WO PCT/US2019/049508 patent/WO2020086164A2/en active Application Filing
- 2019-09-04 JP JP2021512227A patent/JP7317320B2/ja active Active
- 2019-09-04 TW TW108131862A patent/TWI810357B/zh active
- 2019-09-04 KR KR1020217009302A patent/KR20210041094A/ko unknown
- 2019-09-04 CN CN201980056372.7A patent/CN112638547A/zh active Pending
- 2019-09-04 US US16/560,776 patent/US11460775B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180046086A1 (en) * | 2016-08-12 | 2018-02-15 | Inpria Corporation | Methods of reducing metal residue in edge bead region from metal-containing resists |
| TW201824348A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-07-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 塗布顯影方法及塗布顯影裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7317320B2 (ja) | 2023-07-31 |
| KR20210041094A (ko) | 2021-04-14 |
| TW202025242A (zh) | 2020-07-01 |
| CN112638547A (zh) | 2021-04-09 |
| WO2020086164A3 (en) | 2020-06-18 |
| WO2020086164A2 (en) | 2020-04-30 |
| JP2021535616A (ja) | 2021-12-16 |
| US11460775B2 (en) | 2022-10-04 |
| US20200073244A1 (en) | 2020-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6666917B2 (en) | Apparatus for coating of a semiconductor wafer | |
| US6576489B2 (en) | Methods of forming microstructure devices | |
| KR102095084B1 (ko) | 자외선 처리를 이용하여 금속 하드마스크의 제거를 강화시키는 시스템 및 방법 | |
| TWI810357B (zh) | 基板處理方法 | |
| TWI460807B (zh) | 晶圓狀物件之液體處理方法與設備 | |
| TW201110193A (en) | Method of particle contaminant removal | |
| JP6718216B2 (ja) | 基板を被覆する方法および被覆装置 | |
| JP5782460B2 (ja) | 材料除去及びパターン転写の方法及びシステム | |
| JP2015044186A (ja) | 相分離構造体の製造方法、パターン形成方法及び微細パターン形成方法 | |
| TWI790407B (zh) | 抑制晶圓上的缺陷性、金屬微粒汙染、及膜成長的系統及方法 | |
| US5185056A (en) | Method and apparatus for etching semiconductor wafers and developing resists | |
| KR101094679B1 (ko) | 기판 프로세싱 장치 및 방법 | |
| TWI745830B (zh) | 液處理裝置及液處理方法 | |
| JP2020006367A5 (ja) | スピンコーティング装置 | |
| JP2004111818A (ja) | パターン形成方法 | |
| US20140199481A1 (en) | Method for forming chemical layer and apparatus for forming chemical layer | |
| TWI710409B (zh) | 塗佈基板的方法及塗佈系統 | |
| TWI222129B (en) | Clean module of developing system and operation method thereof | |
| JPH0416012B2 (zh) | ||
| US20100092658A1 (en) | Coating of masked substrates | |
| JP2000049163A (ja) | 配線の形成方法 | |
| JPH0261619A (ja) | 表示用電極の形成方法 | |
| JPH04243117A (ja) | Ｘ線露光用マスク製造装置 |