TWI805180B - 電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法 - Google Patents

電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法 Download PDF

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Abstract

於本發明的一實施方式中，提供一種可事先高精度地預測陰極的壽命的電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法。根據本揭示的一形態，提供一種電子線描繪裝置，所述電子線描繪裝置包括：陰極，射出電子線；條件控制部，以多種方式改變自所述陰極射出所述電子線的條件；以及預測部，基於當改變所述條件時相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，來預測所述陰極的壽命。

Description

電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法
本揭示的一實施方式是有關於一種電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法。
[相關申請案] 本申請案享有以日本專利申請案2021-008117號（申請日：2021年1月21日）及日本申請案2021-206375號（申請日：2021年12月20日）為基礎申請案的優先權。本申請案藉由參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。
近年來，隨著半導體器件的微細化，用於在遮罩上形成圖案的電子線的射出尺寸變小。當射出尺寸變小時，遮罩描繪的產出量降低。為了提高產出量，需要提高電子線於試樣面上的電流密度，為了提高電流密度，需要增加射出電子線的陰極中流動的發射電流。
若增加發射電流，則陰極的壽命縮短，因此需要準確地預測陰極達到壽命的時期。先前，對孔徑的電流分佈或發射電流進行檢測以預測陰極的壽命，但於先前的方法中，有時會發現發射電流急劇減少後陰極達到壽命，從而無法事先高精度地預測陰極達到壽命的時期。
於本發明的一實施方式中，提供一種可事先高精度地預測陰極的壽命的電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法。
根據本揭示的一形態，提供一種電子線描繪裝置，其包括：陰極，射出電子線； 條件控制部，以多種方式改變自所述陰極射出所述電子線的條件；以及 預測部，基於當改變所述條件時相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，來預測所述陰極的壽命。
以下，參照附圖，對電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法的實施方式進行說明。以下，以電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法的主要構成部分為中心進行說明，但電子線描繪裝置及陰極壽命預測方法中，可能存在未圖示或未說明的構成部分或功能。以下的說明並不排除未圖示或未說明的構成部分或功能。
圖1是表示一實施方式的電子線描繪裝置2的概略結構的框圖。圖1的電子線描繪裝置2包括描繪部3及控制部4。描繪部3於試樣上描繪所需的圖案。控制部4控制描繪部3。
描繪部3具有電子鏡筒5及描繪室6。於電子鏡筒5的內部設置有電子槍7、照明透鏡8、遮沒偏轉器9、遮沒孔徑10、第一成形孔徑11、成形透鏡12、成形偏轉器13、第二成形孔徑14、縮小透鏡15、物鏡16、副偏轉器17、及主偏轉器18。於描繪室6的內部設置有以能夠移動的方式配置的XY工作台19。於XY工作台19設置有用於測定所照射的電子射束的電流的射束吸收電極（法拉第杯（Faraday cup））20。於XY工作台19上載置有成為描繪對象的試樣。試樣是於半導體晶圓上轉印圖案的曝光用遮罩基板等。亦可將半導體晶圓用作試樣，於半導體晶圓上直接描繪圖案。電子槍7具有陰極21及陽極22。陰極21具有發射極23、阱電極24、及一對燈絲25。對一對燈絲25間施加高壓電壓。發射極23連接於一對燈絲25的各一端部。阱電極24與發射極23相向地配置。陽極22接地。
控制部4具有電子槍電源部31及描繪控制部32。電子槍電源部31具有定流源33、可變電壓源34、電流計35、電壓計36及驅動控制部37。定流源33使規定的加熱電流流經發射極23的兩極。可變電壓源34對發射極23的兩極的中間電壓節點與阱電極24之間施加規定的偏壓（阱電壓）。於可變電壓源34的一端側經由直流電壓源38連接有電流計35。電流計35測量陰極21中流動的發射電流。另外，於可變電壓源34並聯連接有電壓計36。電壓計36測量所述偏壓（阱電壓）。驅動控制部37監視電流計35與電壓計36的測量結果，並且基於描繪控制部32的輸出訊號，控制可變電壓源34。
描繪控制部32具有電流密度測定部41及比例積分微分（Proportional-Integral-Derivative，PID）控制部42。電流密度測定部41測定試樣面的電流密度。PID控制部42基於利用電流密度測定部41測定出的試樣面的電流密度，運算發射電流的目標值。所運算出的目標值被發送至驅動控制部37。驅動控制部37基於自PID控制部42接收到的目標值來控制可變電壓源34。更具體而言，驅動控制部37基於目標值對偏壓進行反饋控制。
PID控制部42具有條件控制部43及預測部44。條件控制部43以多種方式改變自陰極21射出電子線的條件（以下亦稱為陰極條件）。陰極條件例如包含流經發射極23的發射電流、施加至燈絲25的偏壓、供給至燈絲25的燈絲功率、及燈絲25的溫度中的至少一個。
預測部44基於以多種方式改變陰極條件時相對於陰極條件的變化量而言的、電子線的射束特性的變動量的時間變化，來預測陰極21的壽命。射束特性的變動量的時間變化具體而言包含孔徑的透射電子量、反射電子的電流量、二次電子的電流量、及施加至陰極21的燈絲25上的偏壓的變化量中的至少一個。
預測部44例如基於相對於陰極條件的變化量而言的、射束特性的變動量的時間變化，來預測陰極21的壽命。於此情況下，PID控制部42可具有函數生成部45。函數生成部45基於多個時刻各自的相對於陰極條件的變化而言的、電子線的射束特性的變動量的時間變化，生成如下函數，所述函數用於求出任意時刻下相對於陰極條件的變化而言的、電子線的射束特性的變動量的時間變化。預測部44於根據函數求出的、相對於陰極條件的變化而言的電子線的射束特性的變動量的時間變化成為規定臨限值的時刻，判斷為達到了陰極21的壽命。
此處，於射束特性的變動量的時間變化由絕對值表示的情況下，預測部44於變動量的時間變化成為規定臨限值以上的時刻，判斷為達到了陰極21的壽命。另外，於將變動量的時間變化進一步變大的方向設為正值的情況下，於變動量的時間變化成為規定臨限值以上的時刻，判斷為達到了陰極21的壽命。另一方面，於將變動量的時間變化進一步變大的方向設為負值的情況下，於變動量的時間變化成為規定臨限值以下的時刻，判斷為達到了陰極21的壽命。
或者，預測部44可基於當改變陰極條件時射束特性的變動量的時間變化，來預測陰極21的壽命。於此情況下，PID控制部42內的函數生成部45生成如下函數，所述函數用於求出多個時刻各自的改變條件時射束特性的變動量的絕對值。預測部44於根據函數求出的射束特性的變化量成為臨限值的時刻，判斷為達到了陰極21的壽命。
於電子鏡筒5與描繪室6的多個部位設置有多個檢測器46。圖2是表示設置於電子鏡筒5與描繪室6中的多個檢測器46的設置場所的一例的圖。於圖2的例子中，於電子鏡筒5內的遮沒孔徑10上、第一成形孔徑11上、第二成形孔徑14上、物鏡16的下表面側分別設置有檢測器46，且於試樣面上亦設置有檢測器46。電子鏡筒5內的檢測器46檢測各孔徑的透射電子量或反射電子量或二次電子量。試樣面上的檢測器46檢測試樣面上的反射電子或二次電子的電流量。預測部44基於該些檢測器46的檢測電流，檢測射束特性的變動量之比的時間變化。
所述預測部44例如藉由第一預測方法或第二預測方法來事先預測陰極21的壽命。以下，依次說明第一預測方法與第二預測方法。
（第一預測方法） 圖3A及圖3B是說明第一預測方法的圖，圖4是表示第一預測方法的處理程序的流程圖。於第一預測方法中，如圖3A所示，繪製陰極條件與射束特性的對應關係。於圖3A的例子中，當自電子線描繪裝置2的電子槍7射出電子線時，將作為陰極條件的發射電流設為橫軸，將作為射束特性的透射電子量或反射電子量或二次電子量設為縱軸，繪製改變發射電流時的透射電子量或反射電子量或二次電子量的值。如圖3A所示，各點（plot）大致配置於共通的直線上。即，於陰極21未達到壽命的期間，相對於發射電流的變化量而言的、透射電子量或反射電子量或二次電子量的變動量幾乎為一定值。於規定的期間（例如，幾個月）內重覆多次求出所述變動量的處理。
於圖3B中，將橫軸設為時刻，將縱軸設為所述變動量，繪製求出圖3A的變動量的時刻與變動量的對應關係。於圖3B中，圖示出多個點，各點表示進行圖3A的處理的各期間的變動量的值。
所述函數生成部45基於圖3B的點並例如藉由擬合來生成函數（多項式）。擬合函數與第一預測方法同樣地根據過去的實測值而求出，但亦可藉由模擬來求出。此處，基於所有點來進行擬合處理及外插處理，求出擬合參數。擬合函數可藉由模擬來求出，且依存於陰極的運作狀態及光學系統中的至少一者。於本實施方式中，例如可較佳地使用二次函數。圖3B的函數隨著時間的經過，縱軸的變動量的值變小。這表示，相對於發射電流的變化量而言的、透射電子量或反射電子量或二次電子量的變化量隨著時間的經過而逐漸變小。成為此種特性的原因在於，當陰極21接近壽命時，即便增加發射電流，透射各孔徑的透射電子量或反射電子量或二次電子量亦不會增加。
預測部44藉由將由函數生成部45生成的函數與由圖3B的虛線所示的臨限值交叉的時刻判斷為陰極21的壽命，可於到達該時刻之前，催促更換陰極21。
臨限值例如是基於進行多次如下處理而得的結果來設定，即：求出相對於自開始使用陰極21至達到壽命為止的發射電流的變化量而言的、透射電子量或反射電子量或二次電子量的變動量的值。或者，亦可藉由模擬來生成函數，並根據函數的曲線形狀確定臨限值。
於圖3A中，繪製出改變發射電流時的透射電子量或反射電子量或二次電子量的值，但橫軸亦可為偏壓等其他陰極條件來代替發射電流。另外，縱軸亦可為試樣面上的射束尺寸等其他射束特性來代替透射電子量或反射電子量或二次電子量。
圖4是表示第一預測方法中的函數的生成程序的流程圖。首先，於某個時刻，藉由改變發射電流，求出相對於發射電流的變化量而言的、透射電子量或反射電子量或二次電子量的變動量的值（步驟S1）。如上所述，於步驟S1中求出變動量可能需要幾個月等的期間。接著，將進行步驟S1的處理的時刻與變動量的值的對應關係暫時保存於未圖示的記憶裝置中（步驟S2）。
接著，判定是否將步驟S1及步驟S2的處理重覆了M（M為2以上的整數）次（步驟S3）。重覆步驟S1～步驟S3的處理，直至重覆次數達到M次。即，例如重覆M次歷時幾個月求出變動量的處理。當達到M次時，如圖3B所示，將步驟S2中保存於記憶裝置中的M次的時刻與變動量的值的對應關係繪製於將橫軸設為時刻、將縱軸設為變動量的二維坐標空間內。
接著，基於二維坐標空間內的多個點並藉由擬合處理與外插處理生成圖3B所示的函數（步驟S4）。該步驟S4的處理由函數生成部45進行。步驟S4中生成的函數是以時刻為參數來求出變動量的值的函數，可利用規定的數式或表來表現，因此於步驟S4中，將表示函數的規定的數式或表預先記憶於記憶裝置中。
接著，藉由外插自步驟S4中生成的函數判斷陰極21的壽命（步驟S5）。步驟S5的處理是由預測部44進行。圖3B的虛線表示臨限值，函數與臨限值交叉的時刻表示陰極21的壽命。臨限值可預先規定，亦可根據函數的曲線形狀來設定臨限值。實際上，於達到陰極21的壽命之前，根據函數上新測定的繪製位置來預測陰極21的壽命，並於達到壽命之前更換陰極21。
如此，於第一預測方法中，於多個時刻的各個，求出相對於陰極條件的變化量而言的、射束特性的變動量的大小，並根據所求出的值生成函數，根據函數與臨限值交叉的時刻預測陰極21的壽命。藉此，可將陰極條件與射束特性考慮在內，於陰極21實際達到壽命之前，高精度地預測陰極21的更換時期。
（第二預測方法） 圖5A及圖5B是說明第二預測方法的圖，圖6是表示第二預測方法的處理程序的流程圖。於第二方法中，如圖5A所示，繪製陰極條件與射束特性的對應關係。於圖5A的例子中，當自電子線描繪裝置2的電子槍7射出電子線時，將作為陰極條件的燈絲溫度設為橫軸，將作為射束特性的檢測器46的檢測電流設為縱軸，描繪改變燈絲溫度時的檢測電流的值，並檢測改變燈絲溫度時的檢測電流的變動量。
與第一預測方法同樣地，陰極條件例如包含流經發射極23的發射電流、施加至燈絲25的偏壓、供給至燈絲25的燈絲功率、及燈絲25的溫度中的至少一個。另外，射束特性的變動量的時間變化包含孔徑的透射電子量、反射電子的電流量、二次電子的電流量、及施加至陰極21的燈絲25上的偏壓的變化量中的至少一個。
圖5B將橫軸設為時刻，將縱軸設為所述檢測電流的變動量，描繪求出圖5A的變動量的時刻與變動量的對應關係。於圖5B中，圖示出多個點，各點表示進行圖5A的處理的時刻下檢測電流的變動量。
所述函數生成部45基於圖5B的點並例如藉由擬合來生成函數（多項式）。擬合函數與第一預測方法同樣地根據過去的實測值而求出，但亦可藉由模擬來求出。此處，基於所有點來進行擬合處理及外插處理，求出擬合參數。圖5B的函數隨著時間的經過，縱軸的變動量變小。這表示，隨著接近陰極21的壽命，即便改變燈絲溫度，檢測電流亦不怎麼變化，靈敏度降低。因此，藉由將由函數生成部45生成的函數與由圖5B的虛線所示的臨限值交叉的時刻判斷為陰極21的壽命，可於陰極21達到壽命之前的適當時期更換陰極21。如此，於第二預測方法中，條件控制部43以多種方式改變自陰極21射出電子線的條件。預測部44基於在一定範圍內改變條件時射束特性的變動量的時間變化，來預測陰極21的壽命。更詳細而言，函數生成部45生成如下函數，所述函數用於求出多個時刻各自的改變陰極條件時射束特性的變動量的時間變化。預測部44於根據由函數生成部45生成的函數求出的變動量的時間變化成為規定臨限值的時刻，判斷為達到了陰極21的壽命。
圖5B的臨限值與圖3B的臨限值同樣地，基於實際達到壽命的陰極21的檢測電流的變動量來設定。或者，亦可藉由模擬來生成函數，並根據函數的曲線形狀來確定臨限值。
圖6是表示第二預測方法中的函數的生成程序的流程圖。首先，於某個時刻，藉由改變燈絲溫度，求出檢測器46的檢測電流的變動量（步驟S21）。接著，將進行步驟S21的處理的時刻與檢測器46的檢測電流的對應關係暫時保存於未圖示的記憶裝置中（步驟S22）。
接著，判定是否將步驟S21及步驟S22的處理重覆了N（N為2以上的整數）次（步驟S23）。重覆步驟S21～步驟S23的處理，直至重覆次數達到N次。當達到N次時，如圖5B所示，將步驟S22中保存於記憶裝置中的N次的時刻與變動量的值的對應關係繪製於將橫軸設為時刻、將縱軸設為變動量值的二維坐標空間內。
接著，藉由二維坐標空間內的多個點的擬合處理與外插處理，生成如圖5B所示的函數（步驟S24）。步驟S24中生成的函數是以時刻為參數來求出檢測電流的變動量的函數，可利用規定的數式或表來表現，因此於步驟S24中，將與函數對應的規定的數式或表預先記憶於記憶裝置中。
接著，基於步驟S24中生成的函數，判斷陰極21的壽命（步驟S25）。圖5B的虛線表示臨限值，且函數與臨限值交叉的時刻表示陰極21的壽命。臨限值可預先規定，亦可根據函數的曲線形狀來設定臨限值。實際上，於達到陰極21的壽命之前，根據函數上新測定的繪製位置來預測陰極21的壽命，並於達到壽命之前更換陰極21。
如此，於第二預測方法中，於多個時刻分別求出檢測器46的檢測電流的變動量，並根據求出的變動量生成函數，根據函數與臨限值交叉的時刻預測陰極21的更換時期。藉此，可將陰極條件與射束特性考慮在內而高精度地預測陰極21的更換時期。
於上文所述的第一預測方法及第二預測方法的任一個中，均基於以多種方式改變陰極條件時的射束特性的變化來預測陰極21的壽命，因此可於陰極21達到壽命之前，高精度地預測陰極21的壽命時期。
本揭示的形態並不限定於上文所述的各個實施方式，亦包含本領域技術人員能想到的各種變形，且本揭示的效果亦並不限定於上文所述的內容。即，能夠於不脫離申請專利範圍所規定的內容及自其均等物導出的本揭示的概念性思想與主旨的範圍內進行各種追加、變更及部分刪除。
2:電子線描繪裝置 3:描繪部 4:控制部 5:電子鏡筒 6:描繪室 7:電子槍 8:照明透鏡 9:遮沒偏轉器 10:遮沒孔徑 11:第一成形孔徑 12:成形透鏡 13:成形偏轉器 14:第二成形孔徑 15:縮小透鏡 16:物鏡 17:副偏轉器 18:主偏轉器 19:XY工作台 20:射束吸收電極 21:陰極 22:陽極 23:發射極 24:阱電極 25:燈絲 31:電子槍電源部 32:描繪控制部 33:定流源 34:可變電壓源 35:電流計 36:電壓計 37:驅動控制部 38:直流電壓源 41:電流密度測定部 42:PID控制部 43:條件控制部 44:預測部 45:函數生成部 46:檢測器 S1、S2、S3、S4、S5、S21、S22、S23、S24、S25:步驟
圖1是表示一實施方式的電子線描繪裝置2的概略結構的框圖。 圖2是表示設置於電子鏡筒與描繪室中的多個檢測器的設置場所的一例的圖。 圖3A是繪製出陰極條件與射束特性的對應關係的圖。 圖3B是繪製出求出圖3A的變動量的時刻與變動量的對應關係的圖。 圖4是表示第一預測方法中的函數的生成程序的流程圖。 圖5A是繪製出陰極條件與射束特性的對應關係的圖。 圖5B是繪製出求出圖5A的變動量的時刻與變動量的對應關係的圖。 圖6是表示第二預測方法中的函數的生成程序的流程圖。
2:電子線描繪裝置
3:描繪部
4:控制部
5:電子鏡筒
6:描繪室
7:電子槍
8:照明透鏡
9:遮沒偏轉器
10:遮沒孔徑
11:第一成形孔徑
12:成形透鏡
13:成形偏轉器
14:第二成形孔徑
15:縮小透鏡
16:物鏡
17:副偏轉器
18:主偏轉器
19:XY工作台
20:射束吸收電極
21:陰極
22:陽極
23:發射極
24:阱電極
25:燈絲
31:電子槍電源部
32:描繪控制部
33:定流源
34:可變電壓源
35:電流計
36:電壓計
37:驅動控制部
38:直流電壓源
41:電流密度測定部
42:PID控制部
43:條件控制部
44:預測部
45:函數生成部

Claims (20)

  1. 一種電子線描繪裝置，包括：陰極，射出電子線；條件控制部，以多種方式改變自所述陰極射出所述電子線的條件；以及預測部，基於當改變所述條件時相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，來預測所述陰極的壽命。
  2. 如請求項1所述的電子線描繪裝置，包括：函數生成部，基於多個時刻各自的相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，生成如下函數，所述函數用於求出任意時刻下相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，所述預測部於根據所述函數求出的、相對於所述條件的變化而言的所述電子線的射束特性的變動量的時間變化成為規定臨限值的時刻，判斷為達到了所述陰極的壽命。
  3. 如請求項2所述的電子線描繪裝置，其中，所述函數生成部基於多個時刻各自的相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，使用預先求出的擬合函數進行擬合，藉此生成所述函數。
  4. 如請求項3所述的電子線描繪裝置，其中，所述擬合函數是基於過去的實測值而求出。
  5. 如請求項1所述的電子線描繪裝置，其中，所述陰極具有燈絲及連接於所述燈絲的發射極，所述條件包含流經所述發射極的發射電流、施加至所述燈絲的偏壓、供給至所述燈絲的燈絲功率、及所述燈絲的溫度中的至少一個。
  6. 如請求項1所述的電子線描繪裝置，其中，所述射束特性的變動量為孔徑的透射電子量、反射電子的電流量、二次電子的電流量、及施加至所述陰極的燈絲上的偏壓中的至少一個的變化量。
  7. 如請求項1所述的電子線描繪裝置，其中，所述射束特性的變動量的時間變化為對所述陰極供給電力的高壓電源的、最小控制單位下的所述射束特性的變動量。
  8. 一種電子線描繪裝置，包括：陰極，射出電子線；條件控制部，以多種方式改變自所述陰極射出所述電子線的條件；以及預測部，基於當在一定的範圍內改變所述條件時所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，來預測所述陰極的壽命。
  9. 如請求項8所述的電子線描繪裝置，包括：函數生成部，生成如下函數，所述函數用於求出多個時刻各自的改變所述條件時所述射束特性的變動量；所述預測部於根據所述函數求出的所述變動量成為規定臨限 值的時刻，判斷為達到了所述陰極的壽命。
  10. 如請求項9所述的電子線描繪裝置，其中，所述函數生成部基於多個時刻各自的相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，使用預先求出的擬合函數進行擬合，藉此生成所述函數。
  11. 如請求項10所述的電子線描繪裝置，其中，所述擬合函數是基於過去的實測值而求出。
  12. 如請求項8所述的電子線描繪裝置，其中，所述陰極具有燈絲及連接於所述燈絲的發射極，所述條件包含流經所述發射極的發射電流、施加至所述燈絲的偏壓、供給至所述燈絲的燈絲功率、及所述燈絲的溫度中的至少一個。
  13. 如請求項8所述的電子線描繪裝置，其中，所述射束特性的變動量為孔徑的透射電子量、反射電子的電流量、二次電子的電流量、及施加至所述陰極的燈絲上的偏壓中的至少一個的變化量。
  14. 一種陰極壽命預測方法，其中，以多種方式改變自射出電子線的陰極射出電子線的條件，基於以多種方式改變所述條件時相對於所述條件的變化量而言的、所述電子線的射束特性的變動量之比的時間變化，來預測所述陰極的壽命。
  15. 如請求項14所述的陰極壽命預測方法，其中， 以多種方式改變自所述陰極射出所述電子線的條件，基於在一定的範圍內改變所述條件時所述射束特性的變動量的時間變化，來預測所述陰極的壽命。
  16. 如請求項14所述的陰極壽命預測方法，其中，基於多個時刻各自的相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，生成如下函數，所述函數用於求出任意時刻下相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，於根據所述函數求出的、相對於所述條件的變化而言的所述電子線的射束特性的變動量的時間變化成為規定臨限值的時刻，判斷為達到了所述陰極的壽命。
  17. 如請求項16所述的陰極壽命預測方法，其中，基於多個時刻各自的相對於所述條件的變化而言的、所述電子線的射束特性的變動量的時間變化，使用預先求出的擬合函數進行擬合，藉此生成所述函數。
  18. 如請求項17所述的陰極壽命預測方法，其中，所述擬合函數是基於過去的實測值而求出。
  19. 如請求項14所述的陰極壽命預測方法，其中，所述陰極具有燈絲及連接於所述燈絲的發射極，所述條件包含流經所述發射極的發射電流、施加至所述燈絲的偏壓、供給至所述燈絲的燈絲功率、及所述燈絲的溫度中的至少一個。
  20. 如請求項14所述的陰極壽命預測方法，其中，所述射束特性的變動量為孔徑的透射電子量、反射電子的電流量、二次電子的電流量、及施加至所述陰極的燈絲上的偏壓中的至少一個的變化量。
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