TWI805062B - 用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法，更具體而言，關於一種用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法，上述用於溶解拋光粒子的組合物包括：含硫有機酸；含氟離子化合物；及溶劑，其中，於60℃溫度下測量15分鐘之濁度變化降低率(%)為-80至-99。

Description

用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法
本發明係關於一種用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法，更具體而言，關於一種用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法，其中上述用於溶解拋光粒子的組合物可作為用於在化學機械拋光(CMP)後清潔基板之清潔液。
化學機械拋光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)是一種自半導體器件表面去除任意材料之過程，其中該表面藉由物理過程(如，拋光)與化學過程(如，氧化或螯合)進行拋光。於其最基本之形式中，CMP涉及將CMP漿料(例如，活性化合物與拋光粒子之溶液)施加至拋光墊上，該拋光墊拋光半導體晶圓之表面以實現去除、平坦化與拋光過程。於CMP步驟中拋光晶圓期間，CMP漿料溶液中所包括之拋光粒子趨向於彼此聚集。由於拋光粒子之此種聚集，即使CMP步驟已完成，仍可能有大量尺寸為幾μm以上之粒子殘留於晶圓上，並且晶圓表面上之劃痕(scratch)等缺陷可能於後續加工過程中由上述粒子引起。因此，於執行CMP步驟之後，需要一種清潔步驟以自晶圓表面去除諸如聚集粒子之類的污染物。
於使用二氧化矽漿料或二氧化鈰漿料等拋光粒子執行拋光步驟後，需要清潔步驟以去除殘留於基板表面上之拋光碎屑、拋光粒子、有機殘留物或副產物，並且，為了應對下一代半導體步驟技術，對研發新的清潔步驟及設備之要求亦越來越高。
用於清潔於其上執行CMP步驟之半導體晶圓之清潔步驟可以包括使用刷子(brush)擦洗(scrubbing)之清潔方法與使用清潔液之化學清潔方法。使用刷子進行擦洗之方法時用於去除吸附於晶圓上之污染物，例如CMP漿料及CMP殘留物，其於晶圓上噴灑去離子水(DI water)時使用刷子，藉此以機械方式去除吸附之污染物。然而，如果僅使用刷子之機械方法，污染物(如CMP漿料與CMP殘留物)可能無法完全去除，並且可能經常殘留，因此，難以執行後續步驟。於CMP步驟之後，有必要使用包含化學材料之清潔液藉由額外之清潔步驟完全去除殘留於晶圓上之污染物，然後執行後續步驟。
於使用清潔液之清潔步驟中，液相清潔於去除金屬污染方面有效，並且，通常使用HPM、SPM、臭氧水、DHF等進行處理。使用HPM與SPM難以完全去除金屬污染物，而DHF正被廣泛使用。
於使用二氧化鈰CMP漿料執行CMP步驟後，通常使用氫氟酸進行清潔，以去除殘留於基板表面上之二氧化鈰粒子作為拋光粒子。由於在使用氫氟酸進行清潔時對熱氧化膜之溶解度極高，因此可能會出現劃痕或表面缺陷，這可能會影響清潔後之步驟，並可能導致半導體器件之成品率與質量降低。
本發明之目的在於解決上述問題，即提供一種用於溶解拋光粒子的組合物，上述組合物包括含硫有機酸，以溶解及去除拋光步驟後殘留之拋光漿料、拋光粒子、源自拋光粒子之碎屑、拋光副產品等，並最小化缺陷。
本發明之另一目的在於在拋光步驟後提供一種使用根據本發明之用於溶解拋光粒子的組合物之清潔方法。
然而，本發明要解決之問題並非受限於以上言及之問題，未言及之其他問題能夠藉由以下記載由本領域普通技術人員所明確理解。
根據本發明一實施例之用於溶解拋光粒子的組合物，包括：含硫有機酸；含氟離子化合物；以及溶劑，其中，於60℃溫度下測量15分鐘之濁度變化降低率(%)為-80至-99。
根據本發明之一實施例，上述含硫有機酸可以占上述用於溶解拋光粒子的組合物之1重量%至10重量%。
根據本發明之一實施例，上述含硫有機酸可以包括選自由次磺酸(Sulfenic acid，RSOH)、亞磺酸(Sulfinic acid，RSO(OH))、有機磺酸(Sulfonic acid，RS(=0)2-OH)、硫代磺酸(Thiosulfonic acid，(RSO2SH))及硫代羧酸(Thiocarboxylic acid，RC(S)OH)所組成之群中之至少一種以上。
根據本發明之一實施例，上述有機磺酸可以包括選自由烷烴磺酸、烷醇磺酸、磺基琥珀酸及芳香族磺酸所組成之群中之至少一種以上。
根據本發明之一實施例，上述含氟離子化合物可以占上述 用於溶解拋光粒子的組合物之2重量%至10重量%。
根據本發明之一實施例，上述含氟離子化合物可以為離子氟化物化合物。
根據本發明之一實施例，上述含氟離子化合物可以包括選自由氟化銨(Ammonium fluoride)、二氟化銨(Ammonium bifluoride)、硼氟酸銨(Ammonium Fluoborate)、氟矽酸銨(Ammonium Silico Fluoride)、胺基三氟甲苯(Aminobenzotrifluoride)、四甲基氟化銨(Tetramethylammonium fluoride)、四乙基氟化銨(Tetraethylammonium fluoride)、四丁基二氟三苯矽酸銨(Tetrabutylammonium difluorotriphenylsilicate)、四丁基氟化銨(Tetrabutylammonium fluoride)及苄基三甲基氟化銨(Benzyltrimethylammonium fluoride)所組成之群中之至少一種以上。
根據本發明之一實施例，進而包括選自由硫代硫酸(Thiosulfuric acid，H2S2O3)、硫酸(Sulfuric acid)、硫化物(Sulfide)、二硫化物(Bisulfide，R-S-S-R')、硫化氫(Hydrogen sulfide，H2S)、三氧化硫(sulfur trioxide，SO3)、胺基磺酸(Sulfamic acid)、硫醇(Mercaptan，R-SH)及磺酸鹽所組成之群中之至少一種以上之含硫化合物，並且，上述含硫化合物可以占上述用於溶解拋光粒子的組合物之5重量%至15重量%。
根據本發明之一實施例，上述含硫化合物與含硫有機酸之質量比可以為2：1至5：1。
根據本發明之一實施例，上述磺酸鹽可以包含選自由烷基磺酸鹽(Alkyl sulfonate)、芳基磺酸鹽(Aryl sulfonate)、烷基芳基磺酸鹽 (Alkyl aryl sulfonate)、烷基醚磺酸鹽(Alkyl ether sulfonate)、聚苯乙烯磺酸鹽(Poly styrene sulfonate)、烷烴磺酸鹽(Alkane sulfonate)、α-烯烴磺酸鹽(α-olefin sulfonate)、十二烷基苯磺酸鹽(Dodecyl benzene sulfonate)及烷基苯磺酸鹽(Alkyl benzene sulfonate)所組成之群中之至少一種以上。
上述用於溶解拋光粒子的組合物可以用於拋光半導體器件晶圓後之清潔，其中，上述半導體器件包括選自由氮化矽膜、氧化矽膜、多晶矽膜及矽膜所組成之群中之至少一種膜。
根據本發明之一實施例，上述用於溶解拋光粒子的組合物可以於使用含有拋光粒子之化學機械拋光(CMP)用漿料來進行拋光後，溶解殘留之拋光粒子。
根據本發明之一實施例，上述拋光粒子可以包括二氧化鈰。
根據本發明一實施例之清潔方法，包括以下步驟：於半導體器件晶圓之化學機械拋光之後，使用根據本發明之用於溶解拋光粒子的組合物來清潔半導體器件晶圓。
根據本發明之一實施例，上述半導體器件晶圓可以包括選自由氮化矽膜、氧化矽膜、多晶矽膜及矽膜所組成之群中之至少一種膜。
本發明可以提供一種用於溶解拋光粒子的組合物，上述組合物包括含硫有機酸，以溶解及去除拋光步驟後殘留之拋光漿料、拋光粒子、源自拋光粒子之碎屑、拋光副產品等，並最小化缺陷。另外，根據本發明之用於溶解拋光粒子的組合物可以用作去除及清潔拋光污染物之清潔 液，尤其，可以用作可替代硫酸過氧化氫混合物(SPM，Sulfuric acid peroxide mixture)之清潔液。
以下，對本發明之實施例進行詳細說明。於說明本發明之過程中，當判斷對於相關公知功能或者構成之具體說明不必要地混淆本發明之要旨時，省略對其進行詳細說明。並且，本說明書中使用之術語用於準確地表達本發明之較佳之實施例，能夠根據使用者、利用者之意圖或者本發明所述技術領域之慣例有所不同。因此，對於本術語之定義應根據本說明書之整體內容進行定義。
於整體說明書中，當記載某個部件位於其他部件“上”時，不僅表示某一部件接觸其他部件之情況，亦包括兩個部件之間存在其他部件之情況。
於整體說明書中，當說明某一部分“包括”某一構成要素時，不表示排除其他構成要素，亦能夠包括其他構成要素。
以下，參照實施例對本發明之用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法進行具體說明。然而，本發明並非限定於上述實施例。
本發明涉及一種用於溶解拋光粒子的組合物，根據本發明之一實施例，上述用於溶解拋光粒子的組合物可以包括：含硫有機酸；含氟離子化合物；以及溶劑。
根據本發明之一實施例，上述含硫有機酸可以是於分子中具有硫及/或含硫官能團之有機酸，並且，其可以用作溶解活化劑來溶解拋光副產物，例如殘留拋光液、拋光碎片或粒子等。上述含硫有機酸可以 占上述用於溶解拋光粒子的組合物之1重量%至10重量%，當其含量小於上述範圍時，可能不進行溶解；當其超過上述範圍時，可能沈澱化學材料，或可能會降低溶解度。
作為本發明之一示例，上述含硫有機酸可以包括選自由次磺酸(Sulfenic acid，RSOH)、亞磺酸(Sulfinic acid，RSO(OH))、有機磺酸(Sulfonic acid，RS(=0)2-OH)、硫代磺酸(Thiosulfonic acid，(RSO2SH))及硫代羧酸(Thiocarboxylic acid，RC(S)OH)所組成之群中之至少一種以上。此處，R可選自氫、經取代或未經取代之烴(例如，具有1至20個碳數之烷基、具有6至30個碳數之經取代或未經取代之芳基以及經取代或未經取代之芳烷基)(例如，苄基、苯基、甲苯基、萘基等)及酯等，但並不限於此，將於下文中詳細描述。上述取代可以自羥基(-OH)、鹵素、羧基(-COOH)、具有1至10個碳數之烷基及具有6至10個碳數之芳基中之至少一個以上中被取代。上述鹽可以是無機鹽或有機鹽，例如，可以是鈉鹽、鉀鹽、鎂鹽或銨鹽等。
作為本發明之一示例，上述有機磺酸可以包括選自由烷烴磺酸(Alkane sulfonic acid)、烷醇磺酸、磺基琥珀酸及芳香族磺酸所組成之群中之至少一種以上。作為本發明之一示例，上述烷烴磺酸可以由CnH2n+1SO3H(例如，n=1至20)表示，並且例如，可以是甲磺酸、乙磺酸、1-丙磺酸、2-丙磺酸、1-丁磺酸、2-丁磺酸及戊磺酸等。
作為本發明之一示例，上述烷醇磺酸可以由CmH2m+1-CH(OH)-CpH2p-SO3H(例如，m=0至10，p=1至10)表示，並且例如，可以是2-羥基乙烷-1-磺酸(羥乙磺酸)、2-羥基丙烷-1-磺酸(2-丙醇磺酸)、3-羥基丙烷-1-磺酸、2-羥基丁烷-1-磺酸、2-羥基戊烷-1-磺酸、1-羥基丙烷- 2-磺酸、4-羥基丁烷-1-磺酸及2-羥基己烷-1-磺酸等。
作為本發明之一示例，上述芳香族磺酸可以是苯磺酸、烷基苯磺酸、胺基苯磺酸、硝基苯磺酸、磺基苯甲酸、羥基苯磺酸、甲苯磺酸、酚磺酸、萘磺酸、烷基萘磺酸、萘酚磺酸、二甲苯磺酸、甲苯酚磺酸、磺基水楊酸(5-磺基水楊酸)、聚苯乙烯磺酸、二苯胺-4-磺酸等。此處，可以自1至20個碳數中選擇烷基。
作為本發明之一示例，上述含硫有機酸可以是兩種或三種以上類型。第1化合物與第2化合物之比率可以為1至10：1至10；或1至5：1至5(w/w)，或者，第1化合物、第2化合物與第3化合物之比率可以為1至10：1至10：1至10；或1至5：1至5：1至5(w/w)。
作為本發明之一示例，上述用於溶解拋光粒子的組合物可以進而包括含硫化合物以進一步激活拋光粒子之溶解。
作為本發明之一示例，上述含硫化合物可以占上述用於溶解拋光粒子的組合物之5重量%至15重量%。當其含量小於5重量%時，可能不會增加拋光粒子之溶解活性；當其超過15重量%時，半導體基板可能受到影響以引起缺陷，並且溶液可能會沈澱，或者可能發生加成反應。
作為本發明之一示例，上述含硫化合物可以包括選自由硫代硫酸(Thiosulfuric acid，H2S2O3)、硫酸(Sulfuric acid)、硫化物(Sulfide)、二硫化物(Bisulfide，R-S-S-R')、硫化氫(Hydrogen sulfide，H2S)、三氧化硫(sulfur trioxide，SO3)、胺基磺酸(Sulfamic acid)、硫醇(Mercaptan，R-SH)、硫酸鹽(Sulfate)、磺酸鹽(Sulfonate，R-SO3 -，R-SO3-R')及其鹽及其酸酐所組成之群中之至少一種以上。此處，R與R'可選自氫、經取代或未經取代之烴(例如，具有1至20個碳數之烷基、具有6至 30個碳數之經取代或未經取代之芳基以及經取代或未經取代之芳烷基)(例如，苄基、苯基、甲苯基、萘基等)及酯等，但並不限於此，將於下文中詳細描述。上述取代可以自羥基(-OH)、羧基(-COOH)、具有1至10個碳數之烷基及具有6至10個碳數之芳基中之至少一個以上中被取代。上述鹽可以是無機鹽或有機鹽，例如，可以是鈉鹽、鉀鹽、鎂鹽或銨鹽等。
作為本發明之一示例，上述磺酸鹽(Sulfonate)可以是上述磺酸之鹽或酯，例如，可以是烷基磺酸鹽(Alkyl sulfonate)、芳基磺酸鹽(Aryl sulfonate)、烷基芳基磺酸鹽(Alkyl aryl sulfonate)、烷基醚磺酸鹽(Alkyl ether sulfonate)、聚苯乙烯磺酸鹽(Poly styrene sulfonate)、烷烴磺酸鹽(Alkane sulfonate)、α-烯烴磺酸鹽(α-olefin sulfonate)、十二烷基苯磺酸鹽(Dodecyl benzene sulfonate)及烷基苯磺酸鹽(Alkyl benzene sulfonate)等。此處，可以自1至20個碳數中選擇烷基及烷烴，可以自6至30個碳數中選擇上述芳基。
作為本發明之一示例，上述含硫化合物可以是兩種或三種以上類型。第1化合物與第2化合物之比率可以為1至10：1至10；或1至5：1至5(w/w)，或者，第1化合物、第2化合物與第3化合物之比率可以為1至10：1至10：1至10；或1至5：1至5：1至5(w/w)。
作為本發明之一示例，上述含氟離子化合物可以作為蝕刻劑與還原觸媒，以協助拋光步驟後殘留之拋光粒子、拋光粒子衍生之副產物等以水合物之形式溶解於水中。
作為本發明之一示例，上述含氟離子化合物可以占上述用於溶解拋光粒子的組合物之2重量%至10重量%，並且，當其含量小於2重量%時，可能不會生成水合物；當其超過10重量%時，可能會影響半導體 基板以導致缺陷。
作為本發明之一示例，上述含氟離子化合物可以是離子氟化物化合物。上述含氟離子化合物可以包括選自由氟化銨(Ammonium fluoride)、二氟化銨(Ammonium bifluoride)、硼氟酸銨(Ammonium Fluoborate)、氟矽酸銨(Ammonium Silico Fluoride)、胺基三氟甲苯(Aminobenzotrifluoride)、四甲基氟化銨(Tetramethylammonium fluoride)、四乙基氟化銨(Tetraethylammonium fluoride)、四丁基二氟三苯矽酸銨(Tetrabutylammonium difluorotriphenylsilicate)、四丁基氟化銨(Tetrabutylammonium fluoride)及苄基三甲基氟化銨(Benzyltrimethylammonium fluoride)所組成之群中之至少一種以上。
作為本發明之一示例，上述含硫化合物與含硫有機酸之質量比可以為2：1至5：1。作為本發明之一示例，上述含硫有機酸與上述含氟離子化合物之質量比(w/w)可以為1：1至1：15。即，當含硫有機酸與含氟離子化合物包括於上述質量比範圍內時，可以獲得拋光粒子及其副產物之優異溶解性，並且可以最小化對半導體基板之損傷。
根據本發明之一實施例，上述溶劑可以包括水及/或有機溶劑。上述組合物中之溶劑可用於溶解及/或分散組合物中之其他組分。溶劑較佳為儘可能不包括抑制其他組分作用之雜質。具體而言，上述溶劑可以包括離子交換水、或純水、超純水、去離子水或蒸餾水，其中，上述離子交換水使用離子交換樹脂來去除雜質離子後，藉由過濾器從中去除異物。
作為本發明之一示例，上述組合物之pH值可以在2至7之範圍內。當pH值於上述pH值範圍內時，並且當於其上執行CMP之基板(例 如，使用上述組合物處理半導體器件之晶圓)時，可以充分去除清潔步驟中殘留之拋光粒子、有機材料、雜質等污染物，從而最小化缺陷。
作為本發明之一示例，可以基於濁度之變化來確認上述組合物相對於拋光粒子、源自拋光粒子之碎屑及拋光副產物之溶解及去除性能。例如，於室溫(rt)至80℃；50℃至70℃或約60℃之溫度下，在包括上述組合物及拋光粒子、源自拋光粒子之碎屑及拋光副產物中之任一種之混合溶液中測量15分鐘的濁度變化降低率(%)可以為-80至-99。
根據本發明之一實施例，上述組合物可以用於清潔CMP步驟後之基板表面上之拋光粒子或黏附及/或殘留有源自拋光粒子之異物之基板。例如，上述基板可以是半導體器件用基板，例如矽基板、藍寶石基板、石英基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
作為本發明之一示例，上述半導體器件晶圓可以包括選自由氮化矽膜、氧化矽膜、多晶矽膜及矽膜所組成之群中之至少一種膜，並且，上述膜可以於拋光步驟中用作拋光對象膜或拋光停止膜。
作為本發明之一示例，上述組合物可以用於去除已被拋光之半導體器件之晶圓表面上之缺陷、殘留物及污染物，並且可以用於在CMP步驟之後溶解及/或去除拋光步驟殘留物(例如，拋光粒子、源自拋光粒子之異物)。
作為本發明之一示例，上述殘留物可以是CMP拋光漿料之拋光粒子、源自拋光粒子之材料、CMP漿料中存在之化學材料、CMP拋光漿料之副產物、富碳粒子、拋光墊粒子、刷卸粒子、設備材料、金屬及金屬氧化物等。例如，可以用於溶解及/或去除包括拋光粒子之CMP漿料之拋光粒子及/或自拋光粒子衍生之碎屑及粒子。
作為本發明之一示例，上述化學機械拋光漿料之拋光粒子可以包括選自由金屬氧化物、塗覆有有機物或無機物之金屬氧化物及處於膠體狀態之金屬氧化物所組成之群中之至少一種以上，並且，上述金屬氧化物可以包括選自由二氧化矽、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈦、鈦酸鋇、氧化鍺、氧化錳及氧化鎂所組成之群中之至少一種以上，較佳可為二氧化鈰。
作為本發明之一示例，上述拋光粒子可以包括10nm至200nm之單一尺寸粒子或具有10nm至200nm之兩種以上不同尺寸之混合粒子。
本發明係關於一種用於溶解拋光粒子的組合物及使用其的清潔方法，根據本發明之一實施例，上述清潔方法可以包括以下步驟：於半導體器件晶圓之化學機械拋光之後，使用本發明之用於溶解拋光粒子的組合物來清潔半導體器件晶圓。
下面，將參考以下實施例及比較例詳細描述本發明。然而，本發明之技術思想並不限於此。
實施例1
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例2
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)(含實施例1之10倍含量)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例3
製備了包括1重量%至10重量%之對甲苯磺酸(p-Toluene sulfonic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例4
製備了包括1重量%至10重量%之對甲苯磺酸(p-Toluene sulfonic acid)(實施例3之10倍含量)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例5
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例6
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)及5-磺基水楊酸(Sulfosalicylic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)(甲磺酸：5-磺基水楊酸：胺基磺酸=1：1：3(w/w))及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例7
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)(甲磺酸：胺基磺酸=1：2(w/w))及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例8
製備了包括1重量%至10重量%之聚苯乙烯磺酸 (Polystyrene sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例9
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之硫酸及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例10
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)(實施例7之6倍)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例11
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)(實施例7之1.1至1.5倍)之組合物。
實施例12
製備了包括1重量%至10重量%之乙磺酸(Ethane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例13
製備了包括1重量%至10重量%之苯磺酸(Benzene sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例14
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)及5-磺基水楊酸(Sulfosalicylic acid)(MSA：SSA=1：1(w/w)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例15
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及1重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
實施例16
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)(實施例15之5倍)之組合物。
實施例17
製備了包括1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)(實施例15之7倍)之組合物。
實施例18
製備了包括1重量%至10重量%之5-磺基水楊酸(Sulfosalicylic acid)、5重量%至15重量%之胺基磺酸(Sulfamic acid)及2重量%至10重量%之氟化銨(Ammonium fluoride)之組合物。
比較例1
市售之硫酸過氧化氫混合物(SPM，Sulfuric Peroxide Mixture)清潔液。
比較例2
包括磷酸及過氧化氫(3：1(w/w)，基於重量%)之清潔液。
比較例3
製備了包括0.1重量%至10重量%之甲磺酸(Methane sulfonic acid)及5重量%至20重量%之硫酸之組合物。
*於實施例及比較例中，溶劑為殘留量或適當量之去離子水。
Figure 110141267-A0305-02-0017-1
觀察濁度之變化(NTU_%)
為了驗證於實施例及比較例中製備之清潔液之二氧化鈰粒子之溶解性能，將每種清潔液添加至含有0.01重量%之二氧化鈰漿料之溶液中，並分別於室溫60℃及80℃下分別攪拌1分鐘至15分鐘，之後使用濁度變化評估設備(HACH 2100Q)來觀察濁度變化。其結果如表2所示。上述濁度變化之基準是含有0.01重量%之二氧化鈰漿料之溶液(濁度：169)。
Figure 110141267-A0305-02-0019-3
參考表2可以看出，根據本發明之組合物於溶解二氧化鈰粒子之過程中根據濁度之變化對二氧化鈰粒子之溶解性變得優異。此外，可以確認，於半導體器件基板之CMP步驟之後之清潔步驟中，二氧化鈰粒子之溶解性能優於SPM之溶解性能，因此，其可適用於在CMP步驟後之清潔步驟之SPM清潔步驟，或可用於可替代SPM之清潔液。此外，考慮到表2中所示之二氧化鈰粒子之溶解及去除性能，於CMP步驟後之清潔步驟中使用刷子(brush)模塊之清潔方法中，預期根據本發明之組合物可以用於去除拋光粒子及自其衍生之副產品、CMP步驟之殘留物等。
綜上，藉由有限之實施例對實施例進行了說明，於本技術領域內具有常識者能夠對上述記載進行多種修改與變化。例如，所說明之技術以與所說明之方法不同之順序執行，及/或所說明之構成要素以與所說明之方法不同之形態結合或組合，或者，由其他構成要素或等同物進行替換或置換也能夠獲得相同之效果。因此，其他體現、其他實施例及權利要求範圍之均等物全部屬於專利權利要求之範圍。

Claims (13)

  1. 一種用於溶解拋光粒子的組合物，其包括：含硫有機酸；含氟離子化合物；及溶劑；於60℃溫度下測量15分鐘之濁度變化降低率(%)為-80至-99；其中該含硫有機酸占該用於溶解拋光粒子的組合物之1重量%至10重量%；及其中該含氟離子化合物占該用於溶解拋光粒子的組合物之2重量%至10重量%。
  2. 如請求項1之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該含硫有機酸包括選自由次磺酸、亞磺酸、有機磺酸、硫代磺酸及硫代羧酸所組成之群中之至少一種以上。
  3. 如請求項2之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該有機磺酸包括選自由烷烴磺酸、烷醇磺酸、磺基琥珀酸及芳香族磺酸所組成之群中之至少一種以上。
  4. 如請求項1之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該含氟離子化合物為離子氟化物化合物。
  5. 如請求項1之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該含氟離子化合物包括選自由氟化銨、二氟化銨、硼氟酸銨、氟矽酸銨、胺基三氟甲苯、四甲基氟化銨、四乙基氟化銨、四丁基二氟三苯矽酸銨、四丁基氟化銨及苄基三甲基氟化銨所組成之群中之至少一種以上。
  6. 如請求項1之用於溶解拋光粒子的組合物，其進而包括：選自由硫代硫酸、硫酸、硫化物、二硫化物、硫化氫、三氧化硫、胺基磺酸、硫醇及磺酸鹽所組成之群中之至少一種以上之含硫化合物，該含硫化合物占該用於溶解拋光粒子的組合物之5重量%至15重量%。
  7. 如請求項6之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該含硫化合物與含硫有機酸之質量比為2：1至5：1。
  8. 如請求項6之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該磺酸鹽包含選自由烷基磺酸鹽、芳基磺酸鹽、烷基芳基磺酸鹽、烷基醚磺酸鹽、聚苯乙烯磺酸鹽、烷烴磺酸鹽、α-烯烴磺酸鹽、十二烷基苯磺酸鹽及烷基苯磺酸鹽所組成之群中之至少一種以上。
  9. 如請求項1之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該用於溶解拋光粒子的組合物用於拋光半導體器件晶圓後之清潔，其中，該半導體器件包括選自由氮化矽膜、氧化矽膜、多晶矽膜及矽膜所組成之群中之至少一種膜。
  10. 如請求項1之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該用於溶解拋光粒子的組合物於使用含有拋光粒子之化學機械拋光用漿料來進行拋光後，溶解殘留之拋光粒子。
  11. 如請求項10之用於溶解拋光粒子的組合物，其中該拋光粒子包括二氧化鈰。
  12. 一種清潔方法，其包括以下步驟：於半導體器件晶圓之化學機械拋光之後，使用如請求項1至11中任一項之用於溶解拋光粒子的組合物來清潔該半導體器件晶圓。
  13. 如請求項12之清潔方法，其中該半導體器件晶圓包括選自由氮化矽膜、氧化矽膜、多晶矽膜及矽膜所組成之群中之至少一種膜。
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110462795A (zh) * 2017-03-31 2019-11-15 关东化学株式会社 清洁液组合物
TW202037719A (zh) * 2019-02-08 2020-10-16 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 氧化鈰移除組成物

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7534753B2 (en) * 2006-01-12 2009-05-19 Air Products And Chemicals, Inc. pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue
US20080039356A1 (en) * 2006-07-27 2008-02-14 Honeywell International Inc. Selective removal chemistries for semiconductor applications, methods of production and uses thereof
CN101622695A (zh) * 2007-02-27 2010-01-06 日立化成工业株式会社 硅膜用cmp研磨液
US7687447B2 (en) * 2008-03-13 2010-03-30 Air Products And Chemicals, Inc. Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid
EP3385363B1 (en) * 2012-02-06 2022-03-16 Basf Se A post chemical-mechanical-polishing (post-cmp) cleaning composition comprising a specific sulfur-containing compound
KR20160109645A (ko) * 2015-03-12 2016-09-21 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 제거용 세정액 조성물
KR20160112401A (ko) * 2015-03-19 2016-09-28 동우 화인켐 주식회사 실리콘계 수지 제거용 조성물
SG11201707787SA (en) * 2015-03-31 2017-10-30 Versum Mat Us Llc Cleaning formulations
KR102427699B1 (ko) * 2015-04-27 2022-08-01 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
CN111465679A (zh) * 2017-12-08 2020-07-28 巴斯夫欧洲公司 用于从半导体基板及对应方法中移除蚀刻后或灰化后残余物的清洁组合物

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110462795A (zh) * 2017-03-31 2019-11-15 关东化学株式会社 清洁液组合物
TW202037719A (zh) * 2019-02-08 2020-10-16 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 氧化鈰移除組成物

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