TWI801429B - 經定形狀光學膜及將光學膜定形狀之方法 - Google Patents

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Abstract

所描述者係經定形狀光學膜及將一光學膜定形狀之方法。該方法包括：將該光學膜之一周緣之至少部分緊固在一第一平面中，使得經緊固之該等部分不相對於彼此移動；及藉由將該光學膜之一部分沿垂直於該第一平面之至少一第一方向位移來拉伸該光學膜，使得該光學膜之一徑向及周向拉伸之一者從該光學膜之一中心至該周緣係實質恆定，且該光學膜之該徑向及周向拉伸之另一者實質上從該光學膜之該中心至該周緣變化。該光學膜可係一種包括複數個交替聚合層之反射偏振器。

Description

經定形狀光學膜及將光學膜定形狀之方法
諸如反射偏振器膜之光學膜係用於各種光學系統中。在一些情況中，光學膜可被彎曲。
在本說明之一些態樣中，提供一種將一光學膜定形狀之方法，該光學膜包括複數個交替聚合層。該方法包括以下步驟：將該光學膜之一周緣之至少部分緊固在一第一平面中，使得經緊固之該等部分不相對於彼此移動；及藉由將該光學膜之一部分沿垂直於該第一平面之至少一第一方向位移來拉伸該光學膜，使得該光學膜之一徑向及周向拉伸之一者從該光學膜之一中心至該周緣係實質恆定，且該光學膜之該徑向及周向拉伸之另一者實質上從該光學膜之該中心至該周緣變化。
在本說明之一些態樣中，提供一種將一光學膜定形狀之方法，該光學膜包含複數個交替聚合層。該方法包含以下步驟：設置該光學膜使得該光學膜之至少一第一部分實質設置在相鄰於一彎曲模具表面的一第一平面中；及拉伸該光學膜以使該光學膜之該第一部分 適形於該彎曲模具表面之至少一部分，使得在該拉伸步驟之前，該第一部分中之各點具有在該彎曲表面上於一錐體內的一部位，該錐體具有在該第一平面中之該點的一部位處之一頂點，其中該錐體沿垂直於該第一平面之一軸居中且具有不大於10度之一錐角。
在本說明之一些態樣中，藉由本說明之方法定形狀的該光學膜係一反射偏振器。在本說明之一些態樣中，提供一種經定形狀反射偏振器，該經定形狀反射偏振器得自於本文所描述之將一光學膜定形狀之方法。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長之法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率。該反射偏振器之一厚度在該反射偏振器之一中心處大於在至少一邊緣部位處至少5%。該反射偏振器之該厚度從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地減小。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000 mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長之法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率。該反射偏振器之一厚度在該反射偏振器之一中心處小於在至少一邊緣部位處至少5%。該反射偏振器之該厚度從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有在一第一反射頻帶中之一預定波長的法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率。該第一反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之一中心處大於在至少一邊緣部位處至少5%。該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地減小。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000 mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有在一第一反射頻帶中之一預定波長的法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率。該第一反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之一中心處小於在至少一邊緣部位處至少5%。該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個交替聚合干涉層。各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，使得對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸以及在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與第三軸之間的一角度係約45度，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第一邊緣之間沿該第一軸的一第一部位處係T1；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第二邊緣之間沿該第二軸的一 第二部位處係T2；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第三邊緣之間沿該第三軸的一第三部位處係T3；且在介於該反射偏振器之該中心部位與一第四邊緣之間沿該第四軸的一第四部位處係T4。T1及T2之一最大值小於T3及T4之一最小值。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個交替聚合干涉層。各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率。對於延伸於在該反射偏振器之不同第一邊緣與第二邊緣之間、具有該反射偏振器之一最大橫向尺寸之至少3%之一最小寬度、且界定該反射偏振器之不相交第二部分及第三部分的該反射偏振器之連續的一第一部分，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率在該第一部分之至少70%中之各部位處高於在該第二部分之至少70%中之各部位及在該第三部分之至少70%中之各部位處。
在本說明之一些態樣中，提供一種包括複數個聚合層之彎曲反射偏振器。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在 該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率。自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有在約0.001至約0.005之一範圍內的該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異。反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
在本說明之一些態樣中，提供一種包括複數個聚合層之彎曲反射偏振器。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率。至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差至少3.8%，其中該至少一第一部位及第二部位靠近該反射偏振器之一邊緣且在該中心部位處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
在本說明之一些態樣中，提供一種包括複數個聚合層之彎曲反射偏振器。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷 偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率。至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差至少3.8%，其中該至少一第一部位靠近該中心部位且該至少一第二部位靠近該反射偏振器之一邊緣。
在本說明之一些態樣中，提供一種包括複數個聚合層之彎曲反射偏振器。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率。在平面圖中，在實質上居中於該中心的一實質矩形區域中之至少70%部位之各者處的該通過偏振狀態之該最大透射率係在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率的1.5%內，且在該實質矩形區域外的該反射偏振器之至少大部分部位的該通過偏振狀態之該最大透射率小於在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率至少1.5%。
在本說明之一些態樣中，提供一種包括複數個交替聚合干涉層之彎曲反射偏振器。各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反 射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率。對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸，對於該通過偏振狀態的該反射偏振器之該最大透射率：在該中心部位處係Tc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係T1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係T2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係T3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係T4。Tc大於T1及T2之一最大值且小於T3及T4之一最小值。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率。至在該反射偏振器之一中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的一阻斷偏振狀態順時針旋轉，且至少一第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的該阻斷偏振狀態逆時針旋轉，其中該至 少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率。至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係相對於彼此旋轉大於2度，該至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使 得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有的該阻斷偏振狀態之一最大變異係：對於R小於R1，該最大變異小於約1度；且對於R大於R2，該最大變異大於約2度。該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm。R1係至少0.4Rm，且R2大於R1且不大於0.95Rm。
在本說明之一些態樣中，提供一種包含複數個交替聚合干涉層之彎曲反射偏振器。各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光。在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器上之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及一圓雙衰減(circular diattenuation)。對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸，該反射偏振器之該圓雙衰減：在該中心部位處係CDc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係CD1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係CD2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係CD3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處 係CD4。CDc小於CD3及CD4之一最小值且大於CD1及CD1之一最大值。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率。具有小於或等於該反射偏振器之一總面積的一面積的該反射偏振器之一區域具有至少0.04的一圓雙衰減之一最大變異。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有大於該反射偏振器之一總面積之一半的一面積的該反射偏振器之一區域具有不大於0.015的一圓雙衰減之一最大變異。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有大於該反射偏振器之一總面積之一半的一面積的該反射偏振器之一區域具有不大於0.007的一圓雙衰減之一最大絕對值。
在本說明之一些態樣中，提供一種彎曲反射偏振器。該反射偏振器包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑。對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域對於R小於0.8Rm具有小於約1度的該阻斷偏振狀態之一最大變異。
10‧‧‧部位
20‧‧‧阻斷偏振狀態
30‧‧‧通過偏振狀態
50‧‧‧部位
51‧‧‧部位
52‧‧‧部位
53‧‧‧部位
55‧‧‧部位
60‧‧‧邊緣
61‧‧‧邊緣
62‧‧‧邊緣
63‧‧‧邊緣
100‧‧‧光學膜
105‧‧‧中心
106‧‧‧部分
107‧‧‧周緣
108‧‧‧邊界部分
110‧‧‧部位
111‧‧‧軸
112‧‧‧平面
198‧‧‧光
199‧‧‧光
200‧‧‧光學膜
204‧‧‧徑向方向
205‧‧‧中心
206‧‧‧周向方向
207‧‧‧周緣
300‧‧‧光學膜
305‧‧‧中心
307‧‧‧周緣
308‧‧‧邊界部分
310‧‧‧部位
312‧‧‧平面
360‧‧‧模具
360b‧‧‧模具
362‧‧‧彎曲模具表面
362b‧‧‧彎曲模具表面
364‧‧‧過渡區域
370‧‧‧模具
372‧‧‧模具表面
380‧‧‧空間
381‧‧‧通道
382‧‧‧空間
396‧‧‧平直邊界部分
400‧‧‧光學膜
405‧‧‧中心
407‧‧‧周緣
408‧‧‧邊界部分
412‧‧‧平面
460‧‧‧模具
460b‧‧‧模具
462‧‧‧彎曲模具表面
462b‧‧‧彎曲模具表面
464‧‧‧過渡區域
468‧‧‧部分
473‧‧‧夾具
477‧‧‧區域
480‧‧‧點
481‧‧‧部位
482‧‧‧部位
484‧‧‧錐體
485‧‧‧頂點
486‧‧‧軸
488‧‧‧部分
491‧‧‧區域
493‧‧‧密封腔室
496‧‧‧邊界部分
500‧‧‧反射偏振器
505‧‧‧中心/中心部位
520‧‧‧第一方向
530‧‧‧第二方向
847‧‧‧反射頻帶
1200‧‧‧反射偏振器
1233‧‧‧非干涉層/層
1234‧‧‧干涉層
1236‧‧‧層/聚合層
1237‧‧‧層/聚合層
1238‧‧‧第一主側
1239‧‧‧第二主側
1300‧‧‧反射偏振器
1305‧‧‧中心部位
1313‧‧‧部位
1314‧‧‧部位
1315‧‧‧部位
1316‧‧‧部位
1317‧‧‧部位
1318‧‧‧部位
1319‧‧‧部位
1320‧‧‧軸
1321‧‧‧部位
1325‧‧‧軸
1330‧‧‧軸
1335‧‧‧軸
1360‧‧‧邊緣
1361‧‧‧邊緣
1362‧‧‧邊緣
1363‧‧‧邊緣
1372‧‧‧輪廓
1374‧‧‧邊緣
1375‧‧‧邊緣
1378‧‧‧邊緣
1379‧‧‧邊緣
1400‧‧‧反射偏振器
1466‧‧‧部分
1471‧‧‧部分
1472a‧‧‧輪廓
1472b‧‧‧輪廓
1474‧‧‧端部
1475‧‧‧端部
1476‧‧‧部分
1500‧‧‧反射偏振器
1566‧‧‧元件
1571‧‧‧部分/元件
1572a‧‧‧元件
1572b‧‧‧元件
1574‧‧‧端部/元件
1575‧‧‧端部/元件
1576‧‧‧元件
1600‧‧‧反射偏振器
1605‧‧‧中心部位/中心
1627‧‧‧區域
1723‧‧‧曲線
1726‧‧‧曲線
1800‧‧‧反射偏振器
1805‧‧‧中心
1805b‧‧‧阻斷軸/阻斷偏振軸
1810-1‧‧‧部位
1810-2‧‧‧部位
1810-3‧‧‧部位
1810-4‧‧‧部位
1810b-1‧‧‧阻斷軸
1810b-2‧‧‧阻斷軸
1810b-3‧‧‧阻斷軸/阻斷偏振軸
1810b-4‧‧‧阻斷軸/阻斷偏振軸
1900‧‧‧反射偏振器
1905‧‧‧中心
1905b‧‧‧阻斷軸/阻斷偏振軸
1910-1‧‧‧部位
1910-2‧‧‧部位
1910-3‧‧‧部位
1910-4‧‧‧部位
1910-5‧‧‧部位
1910b-1‧‧‧阻斷軸
1910b-2‧‧‧阻斷軸
1910b-3‧‧‧阻斷軸/阻斷偏振軸
1910b-4‧‧‧阻斷軸/阻斷偏振軸
1910b-5‧‧‧阻斷軸
2023‧‧‧曲線
2026‧‧‧曲線/反射偏振器
2100‧‧‧反射偏振器
2105‧‧‧中心
2127‧‧‧區域
2130‧‧‧軸
2172‧‧‧輪廓
2200‧‧‧反射偏振器
2205‧‧‧中心部位/中心
2213‧‧‧邊緣部位
2214‧‧‧邊緣部位
2215‧‧‧邊緣部位
2216‧‧‧邊緣部位
2220‧‧‧軸
2230‧‧‧軸
2260‧‧‧邊緣
2261‧‧‧邊緣
2262‧‧‧邊緣
2263‧‧‧邊緣
2272‧‧‧輪廓
2300‧‧‧反射偏振器
2305‧‧‧中心部位
2317‧‧‧邊緣部位
2318‧‧‧邊緣部位
2319‧‧‧邊緣部位
2320‧‧‧軸
2321‧‧‧邊緣部位
2325‧‧‧軸
2330‧‧‧軸
2335‧‧‧軸
2372‧‧‧輪廓
2374‧‧‧邊緣
2375‧‧‧邊緣
2378‧‧‧邊緣
2379‧‧‧邊緣
2423‧‧‧曲線
2426‧‧‧曲線
2500‧‧‧光學系統/光學組件
2510‧‧‧光學元件
2511‧‧‧主表面
2512‧‧‧主表面
2520‧‧‧光學堆疊
2522‧‧‧第一層
2523‧‧‧主表面
2524‧‧‧主表面
2526‧‧‧第二層
2527‧‧‧主表面
2528‧‧‧主表面
2530‧‧‧黏著劑層
2532‧‧‧黏著劑層
2600‧‧‧透鏡總成
2601‧‧‧光學系統
2610‧‧‧第一透鏡
2620‧‧‧光學堆疊
2622‧‧‧第一層
2626‧‧‧第二層
2635‧‧‧延遲器
2639‧‧‧延遲器
2640‧‧‧第二透鏡
2642‧‧‧部分反射器
2650‧‧‧顯示器
2653‧‧‧入射光錐
2655‧‧‧第一光分量
2657‧‧‧第二光分量
2660‧‧‧光軸
2661‧‧‧光線
2665‧‧‧觀看位置
5000‧‧‧光學堆疊
5100‧‧‧光學膜
5111‧‧‧第一額外層
5122‧‧‧第二額外層
D‧‧‧最大橫向尺寸
E‧‧‧東
L‧‧‧長度
N‧‧‧北
R‧‧‧圓柱座標半徑/圓柱徑向座標/半徑
R1‧‧‧曲率半徑/半徑
R2‧‧‧半徑
R3‧‧‧半徑
Rb‧‧‧平均反射率
Rc‧‧‧曲率半徑
Rm‧‧‧最大半徑
Rp‧‧‧平均反射率
r‧‧‧徑向距離/弧長
S‧‧‧垂度/南
Tb‧‧‧平均透射率
Tc‧‧‧厚度
Te‧‧‧厚度
Tint‧‧‧平均總厚度
Tnon‧‧‧平均總厚度
Tp‧‧‧平均透射率
W‧‧‧寬度/西
α1‧‧‧角度
α2‧‧‧角度
Φ‧‧‧角度
Φmax‧‧‧最大值
λ1‧‧‧預定波長
λ2‧‧‧預定波長
λ3‧‧‧長波長頻帶邊緣
λc‧‧‧長波長頻帶邊緣
λe‧‧‧長波長頻帶邊緣
ξ‧‧‧角度
圖1係光學膜的示意截面圖；圖2係光學膜的示意前視圖；圖3A係具有彎曲模具表面之第一模具的示意截面圖；圖3B至圖3C係設置在圖3A之第一模具與第二模具之間的光學膜的示意截面圖；圖3D係展示在圖3B至圖3C之光學膜之一部分適形於第一模具之彎曲模具表面的示意截面圖；圖3E係繪示於圖3D中之經形成光學膜的示意截面圖；圖3F係具有彎曲模具表面之第一模具的示意截面圖；圖4A係光學膜的示意俯視圖；圖4B係設置在模具上方的圖4A之光學膜之示意側視圖；圖4C係圖4A至圖4B之光學膜的示意側視圖，其中光學膜之一部分適形於彎曲模具表面之至少一部分；圖4D係設置在模具上的光學膜之示意側視圖；圖4E係模具的示意側視圖；圖5係彎曲反射偏振器的示意前視圖；圖6係從中心部位至邊緣部位的反射偏振器之厚度的示意標繪圖；圖7係從中心部位至邊緣部位的另一反射偏振器之厚度的示意標繪圖；圖8係反射偏振器的反射率對波長的示意標繪圖； 圖9係反射偏振器的透射率對波長的示意標繪圖；圖10係反射偏振器之從中心部位至邊緣部位的長波長頻帶邊緣的示意標繪圖；圖11係另一反射偏振器之從中心部位至邊緣部位的長波長頻帶邊緣的示意標繪圖；圖12係一體成形反射偏振器的示意截面圖；圖13至圖15係前視平面圖的反射偏振器之最小透射率(Tmin)的示意圖；圖16係一反射偏振器的示意前視圖；圖17係介於反射偏振器之中心與自法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸之一半徑R之間的反射偏振器之區域中的Tmin之最大變異的示意標繪圖；圖18至圖19係繪示阻斷偏振狀態之可能變異的反射偏振器的示意前平面圖；圖20係介於反射偏振器之中心與自法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸之一半徑R之間的反射偏振器之區域中的阻斷軸定向之最大變異的示意標繪圖；圖21至圖22示意性繪示前視平面圖的反射偏振器之最大透射率(Tmax)的可能模式(pattern)；圖23係前視平面圖的反射偏振器在預定波長的圓雙衰減的示意圖； 圖24係介於反射偏振器之中心與自法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸之一半徑R之間的反射偏振器之區域的圓雙衰減之最大變異的示意標繪圖；圖25至圖26係光學系統的示意截面圖；圖27係經形成反射偏振器的厚度對形成之前的其等之各自厚度的比率的標繪圖；圖28係在加壓程序中經定形狀之光學膜的徑向及周向拉伸比率的標繪圖；圖29係在下拉(pulldown)程序中經定形狀之光學膜的徑向及周向拉伸比率的標繪圖；圖30係經定形狀反射偏振器的透視圖，其中五個樣本係從反射偏振器切割出來；圖31係從在加壓程序中經定形狀之反射偏振器切割的樣本的阻斷狀態透射的標繪圖；圖32係從在下拉程序中經定形狀之反射偏振器切割的樣本的阻斷狀態透射的標繪圖；圖33A至圖33D係在下拉程序中經定形狀之反射偏振器樣本的雙衰減定向的標繪圖；圖34A至圖34D係在加壓程序中經定形狀之反射偏振器樣本的雙衰減定向的標繪圖；圖35係在下拉程序中經定形狀之反射偏振器膜的通過軸變異的經按比例調整標繪圖； 圖36係在加壓程序中經定形狀之反射偏振器膜的通過軸變異的經按比例調整標繪圖；圖37A係反射偏振器樣本之雙衰減定向之具有半徑R之區域中的平均的標繪圖；圖37B係反射偏振器樣本之雙衰減定向之具有半徑R之區域中的最大變異的標繪圖；圖38A至圖38D係在下拉程序中經定形狀之反射偏振器樣本的通過軸透射的標繪圖；圖39A至圖39D係在加壓程序中經定形狀之反射偏振器樣本的通過軸透射的標繪圖；圖40A係反射偏振器樣本之最大通過軸透射之具有半徑R之區域中的平均的標繪圖；圖40B係反射偏振器樣本之通過軸透射之具有半徑R之區域中的最大變異的標繪圖；圖41A至圖41D係在下拉程序中經定形狀之反射偏振器樣本的阻斷軸透射的標繪圖；圖42A至圖42D係在加壓程序中經定形狀之反射偏振器樣本的阻斷軸透射的標繪圖；圖43A係反射偏振器樣本之最大阻斷軸透射之具有半徑R之區域中的平均的標繪圖；圖43B係反射偏振器樣本之阻斷軸透射之具有半徑R之區域中的最大變異的標繪圖； 圖44A至圖44D係在下拉程序中經定形狀之反射偏振器樣本的線性雙衰減(linear diattenuation)的標繪圖；圖45A至圖45D係在加壓程序中經定形狀之反射偏振器樣本的線性雙衰減的標繪圖；圖46A係反射偏振器樣本之最大線性雙衰減之具有半徑R之區域中的平均的標繪圖；圖46B係反射偏振器樣本之線性雙衰減之具有半徑R之區域中的最大變異的標繪圖；圖47A至圖47D係在下拉程序中經定形狀之反射偏振器樣本的圓雙衰減的標繪圖；圖48A至圖48B係在加壓程序中經定形狀之反射偏振器樣本的圓雙衰減的標繪圖；圖49A係反射偏振器樣本之圓雙衰減之具有半徑R之區域中的平均的標繪圖；圖49B係反射偏振器樣本之圓雙衰減之具有半徑R之區域中的最大變異的標繪圖；圖50係包括兩個干涉層封包之反射偏振器的層厚度對層數目之標繪圖；及圖51係一光學堆疊的示意截面圖。
以下說明係參照所附圖式進行，該等圖式構成本文一部分且在其中係以圖解說明方式展示各種實施例。圖式非必然按比例繪 製。要理解的是，其他實施例係經設想並可加以實現而不偏離本說明的範疇或精神。因此，以下之詳細敘述並非作為限定之用。
藉由將膜拉伸至模具表面上來熱成型光學膜係已知的。根據本說明之一些態樣，已發現提供對拉伸光學膜的某些限制可導致膜的所欲光學性質。根據一些實施例，提供將一光學膜定形狀之方法，其中隨著該膜經拉伸成一可用形狀，該光學膜之徑向及周向拉伸中之一者(但非另一者)係實質恆定。在一些實施例中，該光學膜係一反射偏振器。在其他實施例中，例如該光學膜可係鏡膜。已發現當反射偏振器經拉伸使得徑向拉伸係實質恆定時，(本文別處進一步描述)所得經定形狀且彎曲反射偏振器的各種性質對於一些應用係所欲的；且當反射偏振器經拉伸使得周向拉伸係實質恆定時，(本文別處進一步描述)所得經定形狀且彎曲反射偏振器的各種性質對於一些應用係所欲的。得自於將徑向拉伸保持實質恆定的性質之一些者可不同於得自於將徑向拉伸保持恆定的性質，而其他性質可類似。
從光學膜之中心至周緣的實質恆定拉伸可被理解為意謂從中心至周緣的最大應變大於從中心至周緣的最小應變係小於5%。從光學膜之中心至周緣的實質變化拉伸可被理解為意謂從中心至周緣的最大應變大於從中心至周緣的最小應變係至少5%。在一些實施例中，從光學膜之中心至周緣實質恆定的光學膜拉伸具有從中心至周緣小於5百分比、或小於4百分比、或小於3百分比、或小於2百分比、或小於1百分比的拉伸變異。在一些實施例中，從光學膜之中心至周緣實質變化的光學膜拉伸具有從中心至周緣至少5百分比、或至少8百 分比、或至少10百分比、或至少15百分比、或至少20百分比的拉伸變異。
例如，光學膜(例如，反射偏振器)可係形成為繞兩個正交軸彎曲的形狀且可具有透鏡表面之彎曲形狀。例如，在光學膜經定形狀之後，光學透鏡可藉由插入模製來形成至光學膜上。具有光學膜的透鏡可係用在利用摺疊光學路徑的光學糸統中，諸如描述於例如美國專利第9,557,568號(Ouderkirk等人)中，該案以引用方式且不與本說明牴觸之程度併入本文中。此類光學系統一般包括相鄰於一反射偏振器且與該反射偏振器相隔開的一部分反射器，及經設置在該部分反射器與該反射偏振器之間的延遲器。一摺疊光學路徑係提供係此類光學系統，此係因為一光線可通過該部分反射器、自該反射偏振器反射回朝向該部分反射器、自該部分反射器反射且然後通過該反射偏振器。通常所欲的是此類光學系統中的該反射偏振器繞兩個正交軸彎曲。本文所描述之方法可提供適合用於摺疊式光學系統或其中彎曲反射偏振器係所欲的其他光學系統(例如，在一偏振分光器中的一棱鏡的一彎曲表面上)中的反射偏振器。當一反射偏振器係形成為繞兩個正交軸彎曲的形狀時，該反射偏振器之各種光學性質(例如，具有阻斷偏振狀態之光之最小透射率、阻斷軸、線性雙衰減、圓雙衰減、反射偏振器之厚度、及頻帶邊緣之一或多者的位置變異)一般係由形成程序而改變。在某些情況中，經改變光學性質之某些模式優於其他模式。哪個模式較佳可取決於光學系統的設計。例如，反射偏振器之一或多個性質的空間變異可補償或部分補償光學系統中的其他光學元件 之性質的空間變異，且反射偏振器之一或多個性質的較佳空間變異可取決於光學系統中的其他光學元件。
圖1係已經定形狀之光學膜100的示意截面圖。光學膜100具有中心105、周緣107、及邊界部分108。例如，周緣107係光學膜100之一部分106的周緣，其當在光學系統中使用時可係或可包括光學膜100之作用部分。邊界部分108相鄰於周緣107且當光學膜100經定形狀時可係經夾置或以其他方式緊固的光學膜100之一部分。繪示通過中心105之一軸111及垂直於軸111的平面112。該軸在中心105處法向於光學膜100。光學膜100具有最大橫向尺寸2Rm及最大垂度S。自中心105沿光學膜100之輪廓的徑向距離係r。徑向方向係沿該徑向距離。周向方向係沿垂直於該徑向方向的光學膜之輪廓的方向。參照圖1之x-y-z坐標系統，所繪示截面中的周向方向平行於y軸。光學膜上之點可係使用徑向弧長度距離r、使用自軸111的圓柱坐標半徑R、或使用介於軸111與從光學膜100之曲率中心至光學膜100上之點的線段之間的角度Φ來描述。在所繪示之實施例中，光學膜100具有曲率半徑Rc。在一些實施例中，光學膜100係非球面，且具有隨r或R而變化的曲率半徑。角度Φ具有最大值Φmax。在一些實施例中，該光學膜用於光學系統中，且軸111係該光學系統之光軸。角度2Φmax可理解為光學膜100之視場(FOV)。在一些實施例中，光學膜100之邊界部分108係在光學系統中使用光學膜100之前移除。
光學膜之性質可針對法向入射在光學膜上的光或沿平行於在一中心部位處法向於且通過光學膜的軸的方向入射在光學膜上的 光來指定。例如，在部位110處的光學膜100之性質可針對在部位110法向於光學膜100的光199來指定，及/或可針對沿平行於軸111的方向在部位110處入射在光學膜100上的光198來指定。在一些情況中，反射偏振器之性質可針對法向入射光199及針對沿平行於軸111的方向入射在光學膜100上的光198來指定。例如，沿阻斷軸及通過軸偏振的光之透射率及反射率可係針對光199及光198兩者來指定。反射率及透射率或其他光學性質可針對從光學膜100之任一側入射在光學膜100上的光來判定。在所繪示之實施例中，光學膜100凸出朝向入射光198及入射光199。若未指定入射光的方向，則可假設光係法向入射在該膜上。除非另外指明，反射率及透射率或其他光學性質係針對從反射偏振器之該側入射在反射偏振器上的光來判定，其中反射偏振器凸出朝向入射光，如圖1所繪示的情況中，。
彎曲光學膜之中心部位可取作為是在自參考平面的最大距離處的光學膜上之點，其中參考平面係與光學膜不相交且經設置使得至少大部分光學膜係朝向參考平面凹入的平面，且參考平面使得光學膜在參考平面中具有最大投影面積。
圖2係繞兩個相互正交之軸(x軸及y軸)彎曲之光學膜200的示意性前視圖。光學膜200具有中心205及周緣207。徑向方向204係從中心205大致上朝向周緣207。周向方向206正交於徑向方向204。光學膜200之中心205可與光學膜200之光軸或包括光學膜200的光學系統之光軸重合，其中該光學膜之光軸或包括該光學膜的光學系統之光軸與光學膜200相交。展示方位角φ。在一些情況 中，可能希望依據方位平均數量(諸如方位平均厚度或方位平均頻帶邊緣波長)來特徵化光學膜200。方位平均數量係針對固定半徑(自中心205的距離)之方位角內數量的未加權平均。方位範圍可取決於半徑。例如，對於在所繪示之實施例中的小半徑，方位角φ之範圍係從零到2π，且方位平均數量可係表示為從0到2之π的φ內之數量的積分除以2π。對於大半徑，方位角φ可僅在從0至2π範圍內的某一(或一些)子集內延伸。例如，對於在所繪示之實施例中的正負x方向的邊緣附近的半徑，方位角φ的範圍係繞0及π弧度居中的相對窄範圍。
徑向方向的拉伸可由徑向拉伸比率λr來特徵化，該徑向拉伸比率與徑向應變εr相關(當λr=1+εr)。類似地，周向方向拉伸可由周向拉伸比率λ θ 來特徵化，該周向拉伸比與周向應變ε θ 相關(當λθ=1+εθ)。在一些實施例中，光學膜在經定形狀之前係圓盤形或具有圓盤形部分，其經定形狀以適形於具有曲率半徑Rc的球面表面之一部分。在軸對稱變形情況中，徑向拉伸比率λr及周向拉伸比率λθ由以下方程式相關：
Figure 107135515-A0202-12-0022-97
 對於更一般的變形，拉伸比率λr及λθ可不滿足方程式1。在習知熱成型方法中，λr及λθ兩者從中心205至周緣207變化。根據本說明之一些實施例，已發現利用其中在形成程序期間λr及λθ中之一者(但非另一者)係實質上恆定的形成程序係有利的。
在一些實施例中，光學膜200可不繞穿過中心205的軸旋轉對稱，該軸在中心205處法向於光學膜200。在此情況中，λr及λθ中之一者(但非另一者)可係沿從中心205至周緣207之至少一方向實質上恆定。在一些實施例中，λr及λθ中之一者(但非另一者)係沿從中心205至周緣207之各方向實質上恆定。例如，此可係當光學膜200繞穿過中心205的軸旋轉對稱時的情況。
在一些實施例中，一模具係使用在將一光學膜定形狀之方法中。在一些實施例中，該光學膜之一周緣之至少部分係藉由將該光學膜之一邊界部分之至少部分緊固在一第一模具之部分與一第二模具之部分之間來緊固在一平面中。在一些實施例中，該第一模具具有一彎曲模具表面，且壓力(例如，空氣壓力)係用以將該光學膜之一部分位移，使得其適形於該彎曲模具表面。一般在拉伸該光學膜之前執行設置該膜在適當位置及/或緊固該光學膜之部分。
圖3A係具有彎曲模具表面362之第一模具360的示意截面圖。第一模具360可經由機械加工操作(例如，使用鑽石切削)製成。例如，模具360及本文描述的其他模具可由鋁或鋁合金、不鏽鋼、工具鋼、或其他合適合金製成。在一些實施例中，模具係由多孔材料(例如，多孔鋁)製成，該多孔材料包括開孔之孔(open pore cells)以允許空氣流動通過模具(例如，藉由施加真空)。彎曲模具表面362具有最大橫向尺寸D、最大垂度S、及垂度對直徑比率S/D。在一些實施例中，S/D係至少0.05、或至少0.1、或至少0.2，且可小於0.5、或小於0.4。在一些實施例中，彎曲模具表面362具有一最佳 擬合球面第一曲率半徑Rs，其在一些實施例中係在約30mm至約1000mm之範圍中。在一些實施例中，垂度S對最佳擬合球面第一曲率半徑Rs的比率係在約0.02至約0.2之範圍中、或約0.02至約0.15之範圍中、或約0.02至約0.12之範圍中、約0.03至約0.12之範圍中、或約0.04至約0.12之範圍中。在一些實施例中，光學膜300在形成為彎曲形狀之後具有在這些範圍中之任一者中的垂度對半徑比率。
圖3B係第一模具360及具有模具表面372之第二模具370的示意截面圖，其中光學膜300經設置在第一模具360與第二模具370之間，光學膜300之周緣307之至少部分經緊固在第一平面312中，使得該等經緊固部分不相對於彼此移動。在一些實施例中，經緊固部分係整個周緣307。由於光學膜300之邊界部分308經緊固在第一模具360與第二模具370的部分之間，因此周緣307經緊固。在其他實施例中，僅周緣307之部分經緊固。例如，第一及第二模具360可包括其中周緣307未經緊固的一或多個通道。此係繪示在例如圖3C之截面圖，其中展示通道381，且直接在通道381上方的光學膜300之部分未經緊固在第一模具360與第二模具370之間。在所繪示之實施例中，邊界部分308經設置在第一平面312中。例如，在其他實施例中，周緣307或周緣307之至少一部分經設置在平面312中，但是由於沿邊界部分308的第一模具360及第二模具370之斜率而邊界部分308係不完全設置在第一平面312中。
在一些實施例中，加熱第二模具370，且壓力係施加在第一模具360與光學膜300之間的空間380中，以迫使光學膜300接觸第二模具370之模具表面372，從而加熱光學膜300。壓力(例如，空氣壓力)可透過介於第一模具360與光學膜300之間的通道(未繪示)來施加。在其他實施例中，光學膜300係在經置於第一模具360與第二模具370之間之前被預熱，及/或第一模具360被加熱且當該光學膜經適形於彎曲模具表面362時加熱該光學膜。
在一些實施例中，在拉伸及形成該膜之前，光學膜300經加熱至大於光學膜300的玻璃轉移溫度的一溫度。光學膜300的玻璃轉移溫度可指光學膜300之任何層的玻璃轉移溫度。例如，光學膜300的玻璃轉移溫度：可係光學膜300之該等層之任一者的最高玻璃轉移溫度；可係光學膜300之該等層之任一者的最低玻璃轉移溫度；當光學膜300包括交替非雙折射層及雙折射層時，可係光學膜300之雙折射干涉層的玻璃轉移溫度；或當光學膜300包括交替之較高折射率干涉層及較低折射率干涉層時，可係光學膜300之較高折射率干涉層的玻璃轉移溫度。
在一些實施例中，光學膜300係藉由將光學膜300之一部分沿垂直於第一平面312的至少第一方向(z方向)位移來拉伸，使得該光學膜之徑向拉伸從光學膜300之中心305至周緣307係實質恆定，且該光學膜之周向拉伸從光學膜300之中心305至周緣307實質變化。相對於周緣307位移的該光學膜之部分一般包括靠近光學膜300之中心305之一部分。在一些實施例中，壓力係用以將光學膜300 的一部分位移。在一些實施例中，在加熱光學膜300後，壓力(例如，空氣壓力)係透過通道381來施加在光學膜300與第二模具370之間的空間382中，以將光學膜300適形於(或至少部分地適形於)彎曲模具表面362，如圖3D所繪示。在一些實施例中，第一模具360係多孔的。在一些實施例中，透過第一模具360抽真空或部分真空以輔助將光學膜300適形於彎曲模具表面362。在此情況中，在光學膜300及第一模具360之間的空間380中抽真空或部分真空。
光學膜300係隨後從第一模具360及第二模具370移除。所得的經定形狀光學膜300係繪示在圖3E中。在後續處理步驟中，透鏡或其他光學元件可經射出成型至光學膜300上。光學膜300之邊界部分308可係在射出成型步驟之前或之後移除。
在一些實施例中，光學膜300上之至少一部位310具有沿正交第一方向及第二方向(例如x方向及y方向)之各者的曲率半徑R1，該曲率半徑在約6mm至約1000mm之一範圍內、或在約12mm至約500mm之一範圍內。在一些實施例中，光學膜300上之各部位具有沿正交的第一方向及第二方向(例如，x方向及y方向)之各者的曲率半徑，該曲率半徑在約6mm至約1000mm之一範圍內、或在約12mm至約500mm之一範圍內。在一些實施例中，沿第一方向及第二方向的曲率半徑不同，但各係在約6mm至約1000mm之一範圍內、或在約12mm至約500mm之一範圍內。在一些實施例中，沿第一方向及第二方向的曲率半徑約相等。
圖3F係對應於且可用於取代第一模具360的模具360b的示意圖。模具360b具有彎曲模具表面362b及至少一過渡區域364。例如，至少一過渡區域364可係繞彎曲模具表面362b之邊緣的單一連續區域。至少一過渡區域364一般具有從彎曲模具表面362b至平直邊界部分396平滑地變化的曲率。可包括至少一過渡區域364以防止或降低該光學膜中的應力集中。已發現相較於使用不包括至少一過渡區域364的模具，此允許該光學膜以降低的壓力來形成。例如，模具360b可係多孔的，如針對第一模具360所描述。
在一些實施例中，一模具係使用在將一光學膜定形狀之方法中。在一些實施例中，該光學膜之一周緣之至少部分係藉由夾置該光學膜之部分而緊固在一第一平面中，使得經緊固之該等部分不相對於彼此移動。在一些實施例中，該模具具有一彎曲模具表面，且該模具及該光學膜相對於彼此移動以將該光學膜之一部分相對於該周緣之經緊固之該等部分位移，使得該光學膜適形於該彎曲模具表面。
圖4A係具有中心405、周緣407、及邊界部分408的光學膜400的示意性俯視圖。圖4B係經設置在模具460上方的光學膜400的示意性側視圖。邊界部分408之至少一部分係夾置在夾具473中以將周緣407之至少部分緊固在第一平面412(平行於x-y平面)中。模具460具有彎曲模具表面462。
在一些實施例中，光學膜400係藉由將光學膜400之一部分沿垂直於第一平面412的至少第一方向(z方向)移位來拉伸，使得該光學膜之周向拉伸從光學膜400之中心405至周緣407係實質 恆定，且光學膜400之徑向拉伸從光學膜400之中心405至周緣407實質變化。在一些實施例中，光學膜400之中心附近的光學膜400之部分係藉由沿第一方向改變介於彎曲模具表面462與光學膜400之周緣407之間的距離而位移，使得光學膜400之中心405附近的光學膜400之至少一部分接觸彎曲模具表面462。可藉由將模具460移動朝向光學膜400及/或藉由將緊固周緣407之至少部分的夾具473移動朝向模具460而改變介於彎曲模具表面462與周緣407之間的距離。圖4C係在夾具473及模具460與模具已相對於彼此移動之後的光學膜400及模具460的示意性側視圖。光學膜400之至少一部分適形於彎曲模具表面462之至少一部分。在一些實施例中，在模具460與光學膜400之間的區域477中抽真空或部分真空。在一些實施例中，模具460係在密封腔室493中，且施加壓力至與模具460相對的光學膜400。例如，可在區域491中施加空氣壓力。可進行抽真空及/或施加壓力以輔助將光學膜400適形於彎曲模具表面462。
在一些實施例中，光學膜400具有在本文別處所描述之任何範圍內的曲率半徑。例如，如針對光學膜300所述，光學膜400上之至少一部位可具有沿正交的第一方向及第二方向之各者在約6mm至約1000mm之一範圍內的曲率半徑。
圖4D係根據本說明之一些實施例之光學膜400上的點如何映射至彎曲模具表面462上的點的示意圖。在光學膜400的拉伸中，光學膜400之第一部分488係適形於彎曲模具表面462之至少一部分468。在一些實施例中，光學膜400經設置使得至少第一部分 488經實質上設置在第一平面412中而鄰近於彎曲模具表面462。第一平面412可經定位在自彎曲模具表面462上的最接近點之一距離處(在圖4D中，在z方向)，其係在零至100乘彎曲模具表面462之垂度或彎曲模具表面462之部分468之垂度的配置中。在一些實施例中，然後光學膜400經拉伸以將光學膜之第一部分488適形於彎曲模具表面462之至少一部分468。此拉伸可如圖4A至圖4C所繪示及描述而實現。在一些實施例中，拉伸使得在該拉伸之前，第一部分488中各點480具有在彎曲模具表面462上在一錐體484內的部位482，該錐體具有在第一平面412中之點480的一部位481之一頂點485。在一些實施例中，錐體484係沿垂直於第一平面412之軸486居中且具有不大於10度或不大於5度的錐角σ。
若一膜或一膜之一部分在一平面中，或若該膜或部分自該平面的最大偏差不大於該膜或部分之最大橫向尺寸(在前視平面圖中的最大尺寸)之20%，則可聲稱該膜或該部分實質上在該平面中。在一些實施例中，該膜或部分自該平面的最大偏差不大於最大橫向尺寸之10%、或不大於5%
圖4E係對應於且可用於取代模具460的模具460b的示意圖。模具460b具有彎曲模具表面462b及至少一過渡區域464。例如，至少一過渡區域464可係繞彎曲模具表面462b之邊緣的單一連續區域。至少一過渡區域464可具有從彎曲模具表面462b至邊界部分496平滑地變化的曲率。可包括至少一過渡區域464以防止或降低光學膜中的應力集中。當光學膜400係至少部分地適形於彎曲模具表面 462b時，過渡區域464之所欲形狀可取決於夾具473之位置。已發現相較於使用不包括至少一過渡區域464的模具，此允許該光學膜以降低的壓力來形成。
光學膜300或光學膜400可係反射偏振器或鏡膜(例如，可見光鏡(諸如可購自3M Company,St.Paul,MN,USA的增強型鏡面反射器(ESR))或近紅外光反射器)。反射偏振器或鏡膜可包括複數個交替干涉層，如本文別處進一步所描述(參見例如圖12)。
圖5係彎曲反射偏振器500的示意性前視圖。在一些實施例中，反射偏振器500包括複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向520及第二方向530而拉伸及定形狀，使得在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿第一方向520及第二方向530之各者在從約6mm至約1000mm、或約12mm至約500mm之範圍內的一曲率半徑。在一些實施例中，反射偏振器500上之各部位10具有對於阻斷偏振狀態20的大於約70%之最大反射率。在一些實施例中，反射偏振器500上之各部位10具有對於正交通過偏振狀態30的大於約70%之最大透射率。在一些實施例中，反射偏振器500上之各部位10具有對於阻斷偏振狀態20的小於約5%之最小透射率。對於在一預定波長處、在預定波長範圍內、或預定複數個波長(例如，在400nm至700nm之範圍內的波長)、或在反射偏振器500之反射頻帶內的法向入射光，最大反射率、最大透射率、及最小透射率可在這些範圍中。替代地或額外地，對於在一預定波長處、在預定波長範圍內、或預定複數個波長、或在反射偏振器500之反射頻帶內沿平行於在該反射偏 振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，最大反射率、最大透射率、及最小透射率可在這些範圍中。反射率及透射率可係表示為分率，而非百分比。例如，70%之反射率或透射率分別等效於0.7之反射率或透射率。
該預定波長範圍可係包括該光學膜之光學系統經設計操作的波長範圍。例如，該預定波長範圍可係可見光範圍(400nm至700nm)。舉另一實例而言，該預定波長範圍可包括一或多個可見光波長範圍。例如，該預定波長範圍可係多於一個窄波長範圍之聯集(例如，對應於一顯示面板之光發射顏色的斷續之紅色波長範圍、綠色波長範圍及藍色波長範圍之聯集)。此類波長範圍係進一步描述在美國專利申請公開案第2017/0068100號(Ouderkirk等人)中，該案以引用方式且不與本說明牴觸之程度併入本文中。在一些實施例中，該等預定波長範圍包括其他波長範圍(例如，紅外光(例如，近紅外光(約700nm至約2500nm))、或紫外光(例如，近紫外光(約300nm至約400nm))以及可見光波長範圍。預定波長可係預定波長範圍內之任何波長。例如，預定波長範圍可係從400nm至700nm，且預定波長可係500nm。
在一些實施例中，反射偏振器500之厚度在該反射偏振器之一中心505處大於在至少一邊緣部位(例如，分別靠近邊緣60、61、62及63的邊緣部位50、51、52及53)處至少5%。例如，在一些實施例中，當反射偏振器500係在周向拉伸係實質恆定且徑向拉伸隨徑向位置實質上變化的程序中定形狀時，厚度在中心505處係大於 在至少一邊緣部位處。合適的程序包括圖4A至圖4E中所描述及繪示者。在一些實施例中，反射偏振器500之厚度從反射偏振器500之中心505至該至少一邊緣部位實質上單調地減小。
靠近邊緣的邊緣部位係指與反射偏振器之中心相比更靠近邊緣的反射偏振器上之部位。在一些實施例中，從邊緣至邊緣部位之弧長小於從中心至邊緣部位之弧長之50%、或小於40%、或小於30%、或小於20%、或小於10%。
在一些實施例中，反射偏振器500之厚度在該反射偏振器之一中心505處小於在至少一邊緣部位(例如，邊緣部位50、51、52及53)處至少5%。例如，在一些實施例中，當反射偏振器500係在徑向拉伸係實質恆定且周向拉伸隨徑向位置實質上變化的程序中定形狀時，厚度在中心505處係小於在至少一邊緣部位處。在一些實施例中，此定形狀程序係如圖3A至圖3F中所繪示而描述者。在一些實施例中，反射偏振器500之厚度從反射偏振器500之中心505至該至少一邊緣部位實質上單調地增加。
在一些實施例中，對於具有一預定波長且沿平行於在中心505法向於且通過該反射偏振器的一軸(z軸)的一方向入射在反射偏振器500上的光，反射偏振器500上之各部位10具有對於阻斷偏振狀態20的大於約0.7之最大反射率，及對於正交通過偏振狀態30的大於約0.7之一最大透射率，使得至少一第一部位(例如，部位52或55)及至少一第二部位(例如，部位50)的通過偏振狀態30之最大透射率彼此相差至少3.8%、或至少4%、或至少4.2%、或至少 4.4%、或至少4.5%。在一些實施例中，至少一第一部位及至少一第二部位的通過偏振狀態30之最大透射率彼此相差(例如，(較大者減去較小者)/較大者乘100百分比)不大於6%、或不大於5.5%、或不大於5.0%。例如，最大透射率在第一部位處可係0.90，且在第二部位處可係0.86。在此情況中，最大透射率彼此相差(0.90-0.86)/0.90*100%，其係約4.4%。
在一些實施例中，至少一第一部位及第二部位(例如，部位50及52)靠近反射偏振器500之邊緣(分別係60及62)且在中心505處對向約70度至約110度之角度θ。在此情況中，最大透射率變異係其中徑向拉伸係實質恆定的形成反射偏振器之程序的特性。在一些實施例中，第一部位(例如，部位52)的通過偏振狀態30之最大透射率不小於0.83，且第二部位(例如，部位50)的通過偏振狀態之最大透射率不大於0.81。
在一些實施例中，至少一第一部位(例如，部位55)靠近中心部位505(與最近的邊緣相比，更靠近中心部位505)，且該至少一第二部位(例如，部位50)靠近反射偏振器500之邊緣。在此情況中，最大透射率變異係其中周向拉伸係實質恆定的形成反射偏振器之程序的特性。在一些實施例中，支配部位的通過偏振狀態之最大透射率不小於0.89，且第二部位的通過偏振狀態之最大透射率不大於0.87。
圖6係從中心部位至邊緣部位的反射偏振器之厚度的示意標繪圖。中心部位具有Tc之厚度，且邊緣部位具有Te之厚度。在 一些實施例中，Tc大於Te係至少5%。此條件可係表示為(Tc-Te)/Te
Figure 107135515-A0202-12-0034-102
0.05。在一些實施例中，(Tc-Te)/Te
Figure 107135515-A0202-12-0034-103
0.1、或0.15、或0.2。在所繪示之實施例中，該厚度從該中心至該邊緣部位實質上單調地減小。在一些實施例中，該厚度變異得自於在其中周向拉伸係實質恆定的程序中形成反射偏振器。合適的程序包括圖4A至圖4E所描述及繪示者，其可稱為下拉程序。在一些實施例中，該厚度沿從至少一邊緣部位中之該中心各部位的一弧而從該中心至少一邊緣部位實質上單調地減小。在一些實施例中，該厚度沿從靠近邊緣之該中心各部位的一弧而從該中心至邊緣實質上單調地減小。在一些情況中，可用的係依據厚度之方位平均來特徵化厚度。在一些實施例中，方位平均厚度係在反射偏振器之中心處大於在至少一邊緣部位中之一邊緣部位處。在一些實施例中，方位平均厚度從反射偏振器之中心至邊緣部位實質上單調地減小。在一些實施例中，方位平均厚度對應於圖6中繪示之厚度。
若從一範圍之第一端點(例如，反射偏振器之中心部位)至該範圍之第二端點(例如，反射偏振器之邊緣部位)的該範圍中的任何較大中間點處的數量(諸如厚度或頻帶邊緣波長)小於或約等於在該範圍中的任何較小中間點處的數量，則該數量可聲稱在該範圍中實質上單調地減小。類似地，若從一範圍之第一端點至該範圍之第二端點的該範圍中的任何較大中間點處的數量(諸如厚度或頻帶邊緣波長)大於或約等於在該範圍中的任何較小中間點處的數量，則該數量可聲稱在該範圍中實質上單調地增加。對於在一範圍內隨部位變化的數量(例如，從中心部位至邊緣部位之範圍內的厚度或頻帶邊緣 波長)，若在一點處的數量等於一值(例如，在另一點處的數量)，或若在該點處的數量係在該在範圍內的數量之最大值減去最小值的正負5%值之範圍內，則在該點處的數量可聲稱約等於該值。描述為實質上單調地減小或實質上單調地增加的數量可分別單調地減小或單調地增加。描述為實質上單調地減小或實質上單調地增加的數量可分別嚴格單調地減小或嚴格單調地增加。若任何x1及x2滿足x2
Figure 107135515-A0202-12-0035-104
x1、f(x2)
Figure 107135515-A0202-12-0035-105
f(x1)，則變數x之函數f(x)單調地減小。若任何x1及x2滿足x2>x1、f(x2)<f(x1)，則變數x之函數f(x)嚴格單調地減小。類似地，若任何x1及x2滿足x2
Figure 107135515-A0202-12-0035-106
x1、f(x2)
Figure 107135515-A0202-12-0035-107
f(x1)，則變數x之函數f(x)單調地增加；且若任何x1及x2滿足x2>x1、f(x2)>f(x1)，則變數x之函數f(x)是嚴格單調地增加。
圖7係從中心部位至邊緣部位的反射偏振器之厚度的示意標繪圖。中心部位具有Tc之厚度，且邊緣部位具有Te之厚度。在一些實施例中，Tc小於Te至少5%。此條件可表示為(Te-Tc)/Te
Figure 107135515-A0202-12-0035-108
0.05。在一些實施例中，(Te-Tc)/Te
Figure 107135515-A0202-12-0035-109
0.1、或0.15、或0.2。在所繪示之實施例中，該厚度從該中心至該邊緣部位實質上單調地增加。在一些實施例中，該厚度變異得自於在其中徑向拉伸係實質恆定的程序中形成反射偏振器。合適的程序包括圖3A至圖3F所描述及繪示者，其可稱為加壓程序。在一些情況中，可用的係依據厚度之方位平均來特徵化厚度。在一些實施例中，方位平均厚度在反射偏振器之中心處小於在至少一邊緣部位中之一邊緣部位處。在一些實施例中，該方位平 均厚度從該反射偏振器之該中心至該邊緣部位實質上單調地增加。在一些實施例中，方位平均厚度對應於圖7中繪示之厚度。
圖8係對於法向入射在於阻斷偏振狀態或通過偏振狀態的反射偏振器上的光，反射偏振器的反射率對波長的示意標繪圖。繪示從λ1至λ2的預定波長範圍。對於具有阻斷偏振狀態的法向入射光，在預定波長中的平均反射率係Rb，Rb可係至少70百分比、或至少80百分比、或至少85百分比、或至少90百分比。對於具有通過偏振狀態的法向入射光，在預定波長的平均反射率係Rp，Rp可小於20百分比、或小於15百分比、或小於10百分比、或小於5百分比。反射偏振器具有反射頻帶847，其具有長波長頻帶邊緣λ3。反射頻帶一般具有其中反射率快速下降的長波長頻帶邊緣及短波長頻帶邊緣兩者。在所繪示之實施例中，短波長頻帶邊緣小於λ1，且長波長頻帶邊緣λ3大於λ2。可針對法向入射光來判定頻帶邊緣，其中反射偏振器凸出朝向入射光。
圖9係對於法向入射在處於阻斷偏振狀態或通過偏振狀態的反射偏振器上的光，反射偏振器的透射率對波長的示意標繪圖。對於具有通過偏振狀態的法向入射光，在預定波長(從λ1至λ2)的平均透射率係Tp，Tp可係至少70百分比、或至少80百分比、或至少85百分比、或至少90百分比。對於具有阻斷偏振狀態的法向入射光，在預定波長的平均透射率係Tb，Tb可小於10百分比、或小於5百分比、或小於3百分比、或小於2百分比、或小於1百分比、或小於0.5百分比。
頻帶邊緣的精確波長可係使用數個不同準則來界定。由頻帶邊緣所展現的空間變異模式(例如，隨半徑而單調地減小或單調地增加)一般不取決於所使用的精確準則。例如，頻帶邊緣的波長可係取作其中具有阻斷偏振狀態的法向入射光的反射率下降至½Rb的波長，或其中具有阻斷偏振狀態的法向入射光的透射率增加至10%的波長。除非另外指明，頻帶邊緣可被理解為是指具有阻斷偏振狀態的法向入射光的透射率增加至10%的波長。
圖10係反射偏振器之從中心部位至邊緣部位的長波長頻帶邊緣的示意標繪圖。中心部位具有λc之長波長頻帶邊緣，且邊緣部位具有λe之長波長頻帶邊緣。在一些實施例中，λc係大於λe係至少5%。此條件可表示為(λc-λe)/λe
Figure 107135515-A0202-12-0037-110
0.05。在一些實施例中，(λc-λe)/λe
Figure 107135515-A0202-12-0037-111
0.1、或0.15、或0.2。在所繪示之實施例中，長波長頻帶邊緣從中心至邊緣部位實質上單調地減小。在一些實施例中，該長波長頻帶邊緣變異得自於在其中周向拉伸係實質恆定的程序中形成反射偏振器。合適的程序包括圖4A至圖4E中所描述及繪示者。在一些情況中，可用的係依據長波長頻帶邊緣之方位平均來特徵化長波長頻帶邊緣。在一些實施例中，方位平均長波長頻帶邊緣在反射偏振器之中心處大於在至少一邊緣部位中之一邊緣部位處。在一些實施例中，方位平均長波長頻帶邊緣從反射偏振器之中心至邊緣部位實質上單調地減小。在一些實施例中，方位平均長波長頻帶邊緣對應於圖10中描繪之長波長頻帶邊緣。
圖11係反射偏振器之從中心部位至邊緣部位的長波長頻帶邊緣的示意標繪圖。中心部位具有λc之長波長頻帶邊緣，且邊緣部位具有λe之長波長頻帶邊緣。在一些實施例中λc係至少5%小於λe。此條件可表達為(λe-λc)/λe
Figure 107135515-A0202-12-0038-112
0.05。在一些實施例中(λe-λc)/λe
Figure 107135515-A0202-12-0038-113
0.1、或0.15、或0.2。在所繪示之實施例中，長波長頻帶邊緣從中心至邊緣部位實質上單調地增加。在一些實施例中，該長波長頻帶邊緣變異得自於在其中徑向拉伸係實質恆定的程序中形成反射偏振器。合適的程序包括圖3A至圖3F中所描述及繪示者。在一些實施例中，方位平均長波長頻帶邊緣在反射偏振器之中心處小於在至少一邊緣部位中之一邊緣部位處。在一些實施例中，方位平均長波長頻帶邊緣從反射偏振器之中心至邊緣部位實質上單調地增加。在一些實施例中，方位平均長波長頻帶邊緣對應於圖11中描繪之長波長頻帶邊緣。
圖12係包括複數個干涉層1234及非干涉層1233的一體成形反射偏振器1200的示意截面圖。在一些實施例中，該複數個干涉層包括交替聚合層1236及1237。在所繪示之實施例中，包括單一非干涉層1233。當干涉層的反射率及透射率可藉由光學干涉來合理描述或如得自於光學干涉來合理準確模型化時，干涉層可描述為主要藉由光學干涉來反射或透射光。此類干涉層係描述於例如美國專利第5,882,774號(Jonza等人)、及美國專利第6,609,795號(Weber等人)中。當具有不同折射率的相鄰成對之干涉層具有光之½波長的組合光學厚度(折射率乘實體厚度)時，該對干涉層藉由光學干涉而反射光。干涉層一般具有小於約200奈米的實體厚度。非干涉層具有的 光學厚度太大而無法貢獻經由干涉的可見光反射。一般而言，非干涉層具有至少1微米之實體厚度。在一些實施例中，包括多於一個非干涉層。在一些實施例中，複數個干涉層1234經設置在至少一非干涉層1233之相同側上。在一些實施例中，至少一非干涉層(在所繪示之實施例中，非干涉層1233)係與複數個干涉層1234一體成形，且不主要藉由光學干涉來反射或透射光。在一些實施例中，非干涉層1233係非黏著劑可撓性光學層，如本文別處進一步所描述者。
適合用於反射偏振器膜(諸如反射偏振器1200)中之較高折射率干涉層的材料包括例如聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、含PEN及聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或二苯甲酸)的共聚物、乙二醇改質之聚對苯二甲酸乙二酯。適合用於反射偏振器膜(諸如反射偏振器1200)中之較低折射率干涉層的材料包括例如基於PEN之共聚酯、基於PET之共聚酯、聚碳酸酯(PC)、或此三類材料之摻合物。例如，為了在所欲層數的情況下達成高反射率，相鄰微層對於沿阻斷軸偏振之光可展現至少0.2之折射率差。
如本文中所使用，第一元件與第二元件「一體成形(integrally formed)」意指第一元件及第二元件一起製造，而非個別製造且接著後續結合。一體成形包括製造第一元件、後續接著製造第二元件在第一元件上。若將層製造在一起(例如，將膜從組合的熔融流澆鑄，然後定向該澆鑄膜)而不是分開製造然後隨後連接，則包括複數個層的反射偏振器係一體成形。
在一些實施例中，反射偏振器1200對於自第一主側1238入射的阻斷狀態之光具有與對於自第二主側1239入射的阻斷狀態之光不同的反射率，如本文別處進一步所描述者。
複數個干涉層1234之平均總厚度係Tint，且至少一非干涉層1233之平均總厚度係Tnon。在一些實施例中，Tint在約20微米至約70微米之範圍內，且Tnon在約40微米至約100微米之範圍內。例如，若非干涉層之一或多者的表面經結構化，則總厚度可變化。例如，總厚度亦可因尋常製造變異而變化。平均總厚度係整個層區的未加權平均厚度。在一些實施例中，反射偏振器之平均總厚度(Tint+Tnon)係至少50微米、或至少60微米、或至少70微米。
在一些實施例中，在膜形成為彎曲形狀之前，干涉層之至少一者經實質上單軸定向。例如，層1237之各者可經實質上單軸定向。若其係在一個面內方向實質上定向且在正交面內方向未實質上定向且在厚度方向未實質上定向，則反射偏振器或反射偏振器中之層係實質上單軸定向。實質上單軸經定向反射偏振器係可以商標名稱Advanced Polarizing Film或APF購自3M Company。亦可使用其他類型之多層光學膜反射偏振器(例如，可購自3M Company之Dual Brightness Enhancement Film或DBEF)。DBEF膜係實質上定向在一面內方向多於在該正交面內方向，且亦展現定向在厚度方向。DBEF膜未實質上單軸定向，其係因為在本文中使用「實質上單軸定向(substantially uniaxially oriented)」。
在一些實施例中，反射偏振器在形成為彎曲形狀之前係實質上單軸定向，此係因為其具有至少0.7、或至少0.8、或至少0.85之單軸特性程度U，其中U=(1/MDDR-1)/(TDDR1/2-1)，其中MDDR係定義為機器方向延伸比率且TDDR係定義為橫向方向延伸比率。此類實質上單軸經定向多層光學膜描述在美國專利第2010/0254002號(Merrill等人)中(該案以引用方式且不與本說明牴觸之程度併入本文中)，且可包括複數個交替第一聚合層及第二聚合層，其中第一聚合層具有在長度方向(例如，x方向)上及厚度方向(例如，z方向)上的折射率，該等折射率係實質上相同的，但實質上不同於在寬度方向(例如，y方向)上的折射率。例如，在x方向及z方向上之折射率之差的絕對值可小於0.02、或小於0.01，且在x方向及y方向上之折射率之差的絕對值可大於0.05、或大於0.10。除了另有指明之處外，折射率係指在550nm之波長的折射率。在形成為彎曲形狀之後，反射偏振器可具有在至少一部位上經實質上單軸定向的至少一層。在一些實施例中，至少一部位處之至少一層在沿層厚度的第一方向具有第一折射率、在沿正交於第一方向的第二方向具有第二折射率、及在正交於第一方向及第二方向的第三方向具有第三折射率，第一折射率與第三折射率之差值的絕對值小於約0.02、或小於約0.01，且第二折射率與第三折射率之差值的絕對值大於約0.05、或大於約0.10。在一些實施例中，在經形成為彎曲形狀之後，反射偏振器具有在複數個部位經實質上單軸定向的至少一層。
雖然未經實質上單軸定向的反射偏振器膜(例如DBEF膜)可具有大於100微米的總厚度，但經實質上單軸定向的膜(例如APF膜)一般更薄許多。例如，APF膜一般小於約35微米厚。根據本說明，已發現厚的(例如，大於約50微米厚)經實質上單軸定向的反射偏振器膜在經形成為彎曲形狀且用在光學系統中時提供改善的性質，如本文別處進一步所描述。改善的性質包括改善的機械性質及改善的光學性質。改善的機械性質包括對較高曲率或較高垂度對直徑比率的改善適形性，而不會在膜中產生缺陷。當在利用摺疊光學設計的光學系統中使用時，改善的光學性質包括改善的偏振對比度，如本文別處進一步所描述。除了使用厚反射偏振器膜之外或代替使用厚反射偏振器膜，在形成之前接合非黏著劑可撓性光學膜至反射偏振器係已經發現以改善物理性質。反射偏振器之厚度可係藉由包括給定厚度範圍內的額外干涉層及/或藉由增加非干涉層之厚度來增加。
在一些實施例中，反射偏振器包括交替聚合干涉層的二或更多個封包以提供高對比度。此類反射偏振器係進一步描述於美國臨時專利申請案第62/467712號(Haag等人)中，該案係於2017年3月6日申請，該案以引用方式且不與本說明牴觸之程度併入本文中。在一些實施例中，該反射偏振器包括複數個封包，其中各封包具有實質上係連續曲線的層厚度對層數目。圖50繪示包括兩個封包(封包1及封包2)的反射偏振器的層厚度對層數目。在一些實施例中，厚度輪廓實質上重疊(例如，封包1之厚度範圍之大於50百分比重疊 封包2之厚度範圍之大於50百分比)。在其他實施例中，厚度範圍內很少重疊或沒有重疊。
在反射偏振器經定形狀之後，先前經單軸定向之(多個)層在所有部位可不再經單軸定向。然而，在一些實施例中，在形成之後，至少一層在至少一部位處經實質上單軸定向。例如，反射偏振器膜可在形成該膜中經徑向拉伸，且沿自反射偏振器之中心部位的曲線的部位。例如，參考圖19，在一些實施例中，至少一層(例如，對應於圖12所描繪的層1237及/或層1236)在中心1905處及部位1910-5處經實質上單軸定向。在圖19所繪示之實施例中，部位1910-5處的定向係沿阻斷軸1910b-5，其在至x-y平面上之投影中係平行於中心1905處的阻斷軸1905b。在一些實施例中，反射偏振器經實質上單軸定向在反射偏振器之中心部位處及在遠離反射偏振器之中心部位的至少一部位處。
在一些實施例中，對於具有一預定波長且法向入射在該反射偏振器或沿平行於法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一軸的一方向入射的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態的最小透射率。在一些實施例中，該最大反射率大於約70%。在一些實施例中，該最大透射率大於約70%。在一些實施例中，該最小透射率小於約5%。
圖13係根據本說明之一些實施例的對於反射偏振器1300在預定波長(例如，約550nm)的最小透射率(Tmin)的示意 圖，該最小透射率係阻斷偏振狀態的透射率。可針對平行於z軸的光或針對法向入射光來判定所繪示之Tmin，其中反射偏振器凸出朝向入射光。展示恆定Tmin之輪廓1372。已發現，所繪示之輪廓1372係根據一些實施例之使用在其中周向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器膜之特性。
繪示在反射偏振器1300之中心部位1305處彼此相交的正交第一軸1320及第二軸1330，以及在反射偏振器1300之中心部位1305處彼此相交的正交第三軸1325及第四軸1335。介於第一軸1320與第三軸1325之間的角度ξ係約45度。在一些實施例中，Tmin沿第一軸1320及第二軸1330係小且大約恆定，且沿第三軸1325及第四軸1335之各者遠離中心部位1305係大致上增加。在一些實施例中，在中心部位1305處的反射偏振器1300之阻斷軸係沿第二軸1330。
在一些實施例中，反射偏振器1300對於阻斷偏振狀態之最小透射率：在介於反射偏振器1300之中心部位1305與第一邊緣1360之間沿第一軸1320的第一部位1313處係T1；在介於反射偏振器1300之中心部位1305與第二邊緣1362之間沿第二軸1330的第二部位1315處係T2；在介於反射偏振器之中心部位1305與第三邊緣1374之間沿第三軸1325的第三部位1317處係T3；且在介於反射偏振器1300之中心部位1305與第四邊緣1378之間沿第四軸1335的第四部位1319處係T4。在一些實施例中，T1及T2之一最大值小於T3及T4之一最小值。在一些實施例中，反射偏振器1300對於阻斷偏振狀態之最小透射率：在介於反射偏振器1300之中心部位1305與第五 邊緣1361(與第一邊緣1360相對)之間沿第一軸1320的第五部位1314處係T5；在介於反射偏振器之中心部位1305與第六邊緣1363(與第二邊緣1362相對)之間沿第二軸1330的第六部位1316處係T6；在介於反射偏振器1300之中心部位1305與第七邊緣1375(與第三邊緣1374相對)之間沿第三軸1325的第七部位1318處係T7；及在介於反射偏振器1300之中心部位1305與第八邊緣1379(與第四邊緣1378相對)之間沿第四軸1335的第八部位1321處係T8。在一些實施例中，T1、T2、T5、及T6之一最大值小於T3、T4、T7、及T8之一最小值。
在一些實施例中，對於該阻斷偏振狀態的反射偏振器1300之最小透射率Tmin繞法向於該反射偏振器通過反射偏振器1300之中心部位1305的一光軸係實質上4重旋轉對稱。若數量在繞360度/n的所有旋轉下對稱，則數量係n重旋轉對稱，其中n係大於1的整數。若一反射偏振器之一表面積之至少70百分比中在各點處的特徵化該反射偏振器之一數量與藉由一對稱操作所判定之一對應點處之該數量相差不大於該數量之最大變異之20百分比，則該數量可描述為在該對稱操作下實質上對稱。例如，若反射偏振器1300之一表面積之至少70百分比中在各點處的最小透射率(Tmin)與藉由繞光軸旋轉90度、180度、及270度之各者所判定之一對應點處之最小透射率相差不大於Tmin之最大變異之20百分比，則反射偏振器之Tmin可描述為繞光軸實質上4重對稱。在反射偏振器上，Tmin之最大變異係最大Tmin減去最小Tmin。在一些實施例中，在反射偏振器之一表面積之 至少70百分比、或至少80百分比、或至少90百分比、或至少95百分比中在各點處的一數量與藉由對稱操作所判定之一對應點處之該數量相差不大於該數量之最大變異之20百分比、或不大於15百分比、或不大於10百分比、或不大於5百分比。
在一些實施例中，在繞第一軸1320、第二軸1330、第三軸1325及第四軸1335中之任一或多者反射下，Tmin實質上對稱。繞一軸反射係指在平面圖中或在至垂直於通過反射偏振器之中心且法向於反射偏振器的光軸的一平面上之一投影中繞該軸反射。反射對稱性亦可由繞一平面反射而特徵化。描述為繞一軸對稱或反對稱的數量亦可繞含有該軸及反射偏振器之光軸的平面對稱或反對稱。在一些實施例中，在繞含有光軸及第一軸1320、第二軸1330、第三軸1325及第四軸1335中之任何者的一或多個平面之各者的反射下，Tmin實質上對稱。
在其他實施例中，Tmin在沿第三軸1325的反射偏振器之第一部分中係相對大，並沿第四軸1335遠離該部分減小。此係示意繪示於圖14中。
圖14係根據本說明之一些實施例的對於反射偏振器1400在預定波長的阻斷偏振狀態的最小透射率(Tmin)的示意圖。可針對平行於z軸的光或針對法向入射光來判定所繪示之Tmin，其中反射偏振器凸出朝向入射光。展示恆定Tmin之輪廓1472a及1472b。反射偏振器1400之連續第一部分1471延伸於反射偏振器1400之第一端部1474與第二端部1475之間，且具有反射偏振器1400之一最大橫 向尺寸D(前視平面圖中的最大尺寸)之至少3%、或至少5%、或至少8%、或至少10%之一最小寬度W。在一些實施例中，寬度W不大於D之80%、或不大於70%、或不大於60%、或不大於50%、或不大於40%。第一部分1471界定反射偏振器1400之不相交第二部分1466及第三部分1476，作為不包括在第一部分1471中的反射偏振器1400之部分。在一些實施例中，Tmin在第一部分1471中大致上較大，且在第二部分1466及第三部分1476中大致上較小。已發現，Tmin的此行為係根據一些實施例之使用在其中徑向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器膜之特性。Tmin在第一部分1471中大致上較大且在第二部分1466及第三部分1476中大致上較小可理解為意指，對於阻斷偏振狀態的反射偏振器1400之最小透射率在第一部分1471之大於50%中的各部位處高於在第二部分1466之大於50%中的各部位處及在第三部分1476之大於50%中的各部位處。換言之，對於第一部分1471中之第一區、第二部分1466中之第二區、及第三部分1476中之第三區(其中第一區大於第一部分1471之總面積之50%，第二區大於第二部分1466之總面積之50%，且第三區大於第三部分1476之總面積之50%)，對於阻斷偏振狀態的反射偏振器1400之最小透射率在第一區中之各部位處高於在第二區及在第三區中之各部位處。第一區、第二區、及/或第三區可係連續或不連續。在一些實施例中，對於阻斷偏振狀態的反射偏振器1400之最小透射率在第一部分1471之大於60%、或70%、或80%、或90%中的各部位處高於在第二部分1466之大於60%、70%、或80%、或90%中的各部位 處及在第三部分1476之大於60%、70%、或80%、或90%中的各部位處。
第一部分1471可實質上沿恆定方向延伸，如圖14所示意繪示，或第一部分1471可具有彎曲形狀。在其中第一部分1471實質上沿恆定方向延伸的實施例中，阻斷偏振狀態的最小透射率(Tmin)可在繞該恆定方向反射下實質上對稱，或可繞含有光軸(平行於z軸)及該恆定方向的平面反射下實質上對稱。在其中第一部分具有彎曲形狀的實施例中，Tmin可不具有對稱軸或對稱平面。圖15係根據本說明之一些實施例的對於反射偏振器1500之在預定波長的Tmin的示意圖。元件1571、1574、1575、1572a、1572b、1566、及1576分別如針對元件1571、1574、1575、1572a、1572b、1566、及1576所描述，惟第一部分1571沿反射偏振器1500之第一端部1574與第二端部1575之間的曲線延伸除外。圖14及圖15之反射偏振器可具有平行於y軸而在該反射偏振器之中心處的阻斷軸。
在一些情況中，本說明之反射偏振器可由依據區域而變動之在區域的一數量範圍來特徵化。區域的數量範圍係在該區域中之該數量的最大值減去該區域中之該數量的最小值，且可被稱為在該區域中之該數量之最大變異。在一些情況中，可用的係考慮在反射偏振器之中心之弧長r內或在反射偏振器之中心之半徑R(自通過反射偏振器之中心的軸的圓柱坐標距離；參見例如圖1)內的區域。圖16係反射偏振器1600的示意性前視平面圖，該反射偏振器具有中心部位1605，且具有在自法向於反射偏振器1600通過反射偏振器1600之中 心1605的光軸之一半徑R內的區域1627。反射偏振器1600具有自該光軸之一最大半徑Rm。在一些情況中，區域1627可係依據反射偏振器1600之區域1627的面積(彎曲表面的面積)而非半徑R來特徵化。
圖17係介於反射偏振器之中心與自法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸之一半徑R內的反射偏振器之區域中的Tmin之最大變異的示意標繪圖。曲線1726係對於使用在其中膜之周向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器在具有半徑R的區域內的Tmin之範圍(參見例如圖16所描繪之區域1627)。曲線1723係對於使用在其中膜之徑向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器在具有半徑R的區域內的Tmin之範圍。在一些實施例中，對於在0.4至0.7乘最大半徑Rm之一範圍內的R，該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異(表達為分率而不是百分比)在約0.001至約0.005之範圍內。在一些實施例中，對於R/Rm約0.6(例如，對於曲線1723)，該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異在約0.001至約0.003之範圍內。在一些實施例中，對於R/Rm約0.6(例如，對於曲線1726)，該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異在約0.001至約0.003之範圍內。
可用以特徵化反射偏振器的另一數量係阻斷偏振狀態的變異。例如，可指定在不同部位處的阻斷軸之相對方向，及/或可指定介於反射偏振器之中心與自法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸之半徑R之間的反射偏振器之區域中的阻斷偏振狀態之最大變 異。在至與法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸垂直的平面上之一投影中，阻斷偏振狀態或阻斷軸可藉由方向或定向來描述。此方向之角度變異係阻斷偏振狀態之變異，且可以度表示。阻斷軸可針對平行於通過且法向於反射偏振器之中心的一軸來判定，其中反射偏振器凸出朝向入射光。
圖18係繪示阻斷偏振狀態之可能變異的反射偏振器1800的示意前視平面圖。反射偏振器1800之中心1805具有由阻斷軸1805b特徵化的阻斷偏振狀態。部位1810-1、1810-2、1810-3、及1810-4具有分別由阻斷軸1810b-1、1810b-2、1810b-3、及1810b-4特徵化的阻斷偏振狀態。阻斷軸之變異可藉由如在至與法向於反射偏振器1800通過中心1805的軸正交的平面(x-y平面)上之投影中所判定之介於阻斷軸與在中心1805處之阻斷軸1805b之間的角度來量化。此平面可係取作在中心1805處與反射偏振器1800正切的平面。繪示阻斷軸1810b-1及1810b-2的角度α1及α2。在所繪示之實施例中，相對於阻斷軸1805b的順時針旋轉可係取作正值，使得α1係正的且α2係負的。部位1910-1、1910-2、1910-3及1910-4可係邊緣部位(與中心1805相比，更靠近反射偏振器1800之一邊緣)。第一部位1810-1及第二部位1810-2在反射偏振器1800之中心1805處對向可係在從約70度至約110度之範圍內的角度θ。第三部位1810-3及第四部位1810-4、及/或第二部位1810-2及第三部位1810-3、及/或第一部位1810-1及第四部位1810-4可類似地在反射偏振器之中心1805處對向從約70度至約110度之範圍內的角度。
圖19係繪示阻斷偏振狀態之另一可能變異的反射偏振器1900的示意前視平面圖。反射偏振器1900之中心1905具有由阻斷軸1905b特徵化的阻斷偏振狀態。部位1910-1、1910-2、1910-3、1910-4、及1910-5具有分別由阻斷軸1910b-1、1910b-2、1910b-3、1910b-4、及1910b-4特徵化的阻斷偏振狀態。繪示阻斷軸1910b-1及1810b-2的角度α1及α2。在圖19所繪示之實施例中，角度α1及α2具有與圖18所繪示之實施例的對應角度相反的符號。圖18之實施例表示使用其中徑向拉伸係實質恆定的程序所定形狀的反射偏振器，且圖19表示使用其中周向拉伸係實質恆定的程序所定形狀的反射偏振器。在一些實施例中，反射偏振器1900中之至少一層在中心1905處及部位1910-5處經實質上單軸定向，如本文別處進一步所描述。類似地，在一些實施例中，反射偏振器1800中之至少一層在至少一部位處經實質上單軸定向。
在一些實施例中，至少一第一邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的一阻斷偏振狀態順時針旋轉，且至少一第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的該阻斷偏振狀態逆時針旋轉，該至少一第一部位及第二部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度θ。在一些實施例中，第二部位係藉由繞通過一第一部位的該反射偏振器之該中心的一光軸順時針旋轉通過角度θ來界定。例如，部位1810-2可藉由繞通過部位1810-1的反射偏振器1800之中心1805的一光軸(平行於z軸)順時針旋轉通過角度θ來界定。在一些實施例中，第 二部位係藉由繞通過一第一部位的該反射偏振器之該中心的一光軸逆時針旋轉通過到角度θ來界定。例如，部位1910-1可藉由繞通過部位1910-2的反射偏振器1900之中心1905的一光軸(平行於z軸)逆時針旋轉通過角度θ來界定。
在一些實施例中，該至少一第一邊緣部位之該阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心的該阻斷偏振狀態順時針旋轉至少0.2度、或至少0.5度、或至少1度、或至少1.5度。在一些實施例中，至少一第一邊緣部位之該阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心的該阻斷偏振狀態順時針旋轉不大於4度、或不大於3.5度、或不大於3度。在一些實施例中，該至少一第二邊緣部位之該阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心的該阻斷偏振狀態逆時針旋轉至少0.2度、或至少0.5度、或至少1度、或至少1.5度。在一些實施例中，該至少一第二邊緣部位之該阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心的該阻斷偏振狀態順時針旋轉不大於4度、或不大於3.5度、或不大於3度。在一些實施例中，至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位的阻斷偏振狀態係相對於彼此旋轉大於2度、或大於2.5度。相對於彼此旋轉係指非負的旋轉，除非不同地指示。在一些實施例中，至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位的阻斷偏振狀態係相對於彼此旋轉不大於7度、或不大於6度、或不大於5度。在一些實施例中，至少一第三邊緣部位及第四邊緣部位的阻斷偏振狀態係相對於彼此旋轉小於2度、或小於1.5度。
在一些實施例中，至少一第三邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從在該反射偏振器之該中心處之一阻斷偏振狀態順時針旋轉，且至少一第四邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處之一阻斷偏振狀態逆時針旋轉。例如，阻斷偏振軸1810b-3係從在中心1805處的阻斷偏振軸1805b順時針旋轉，且阻斷偏振軸1810b-4係從在中心1805處的阻斷偏振軸1805b逆時針旋轉。作為另一實例，阻斷偏振軸1910b-4係從在中心1905處的阻斷偏振軸1905b順時針旋轉，且阻斷偏振軸1910b-3係從在中心1905處的阻斷偏振軸1905b逆時針旋轉。在一些實施例中，該至少一第一部位及第三部位在該反射偏振器之該中心處對向從約160度至約180度之一範圍內的一角度，且該至少一第二部位及第四部位在該反射偏振器之該中心處對向從約160度至約180度之一範圍內的一角度。
圖20係介於反射偏振器之中心與自法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸之一半徑R之間的反射偏振器之區域中的阻斷軸之最大變異的標繪圖。曲線2026係對於使用在其中膜之周向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器在具有半徑R的區域內的阻斷偏振狀態之最大變異(參見例如圖16所描繪之區域1627)。曲線2023係對於使用在其中膜之徑向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器在具有半徑R的區域內的阻斷偏振狀態之最大變異。在一些實施例中，阻斷偏振狀態之一最大變異：對於R小於R1係小於約1度；且對於R大於R2係大於約2度，其中R1係至少0.4Rm，且R2大於R1且不大於0.95Rm、或不大於0.9 Rm。在一些實施例中，R1係約0.45Rm，且R2係約0.7Rm。在一些實施例中，對於R大於0.75Rm，該最大變異大於約3度。在一些實施例中，對於R大於0.85Rm，該最大變異大於約3.5度。在一些實施例中，R1係約18mm，R2係約28mm，且Rm係約41.5mm。在一些實施例中，對於R等於Rm，該最大變異不大於7度、或不大於6度、或不大於5度。
在一些實施例中，在自該反射偏振器之一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域內，該反射偏振器具有的該阻斷偏振狀態之一最大變異小於約1度、或小於約0.8度、或小於約0.6度、或小於約0.5度、或小於約0.4度、或小於約0.3度，其中R小於0.8Rm、或小於0.9Rm、或小於或等於Rm。此可例如藉由切割出靠近該反射偏振器之該中心的該反射偏振器之一部分(例如，在自該反射偏振器之該中心的半徑R1內的反射偏振器2026之部分)來達成。在一些實施例中，該反射偏振器或該反射偏振器之該切割出部分具有約0.1或更大、或約0.15或更大、或約0.18或更大的最大垂度對直徑比率。
圖21至圖22示意性繪示根據本說明之一些實施例的在反射偏振器之預定波長對於通過偏振狀態所發生的最大透射率(Tmax)之可能模式。所繪示之Tmax可係針對平行於法向入射光之z軸的光來判定，其中反射偏振器凸出朝向入射光。圖21之實施例表示使用其中周向拉伸係實質恆定的程序所定形狀的反射偏振器，且圖22表示根據一些實施例使用其中徑向拉伸係實質恆定的程序所定形狀的反射偏振器。
圖21係根據本說明之一些實施例的對於反射偏振器2100在預定波長的通過偏振狀態之最大透射率的示意圖。繪示恆定Tmax之輪廓2172，其具有實質矩形形狀且實質居中在反射偏振器2100之中心2105上。實質矩形形狀大致上具有一長度及一寬度，其中該寬度小於或等於該長度。實質矩形形狀係矩形或可具有圓化隅角及/或彎曲側的大約矩形形狀，其中該側之一曲率半徑係至少5乘該側之長度，且該等圓化隅角之一曲率半徑不大於該矩形之1/5寬度。若介於該反射偏振器之一中心與該實質矩形形狀之一中心之間的距離不大於不大於該矩形之1/5寬度，則該實質矩形形狀實質居中於該反射偏振器之中心上。在一些實施例中，在輪廓2172內的區域2127中之部位之至少70%、或至少80%、或至少90%、或100%之各者處的通過偏振狀態之最大透射率係在反射偏振器2100之中心2105處的通過偏振狀態之最大透射率的通過偏振狀態之最大透射率的2%內、或在1.5%內、或在1.0%內。例如，中心2105可具有0.90之一最大透射率，且在區域2127中之各部位可具有在0.89至0.91之範圍內的一最大透射率，使得在區域2127中之各部位具有的一最大透射率係在反射偏振器2100之中心2105處的通過偏振狀態之最大透射率的1.11%(0.01/0.90*100%)。
若遍及區域中之總面積之至少指定百分比的一區滿足一性質，則該區域中的部位之至少指定百分比具有該性質。例如，藉由在該區域中測量足夠數目個點處的通過偏振狀態之最大透射率，以藉由在經測量之該最大透射率的該等點之間進行內插來判定遍及該區域 內的最大透射率，可判定遍及該區域內的最大透射率。例如，對於一區域之總面積之至少70%的一區(連續或不連續)，若以此方式判定的最大透射率係在中心點處的最大透射率之1百分比內，則對於該區域的部分之至少70%，該最大透射率係在中心點處的最大透射率之1百分比內。
在一些實施例中，在區域2127外的反射偏振器2100之部位的至少大部分、或至少60%、或至少70%、或至少80%之該通過偏振狀態之該最大透射率至少1%以下、或至少1.5%、或至少2%小於在反射偏振器2100之中心2105處的該通過偏振狀態之該最大透射率。
在一些實施例中，反射偏振器2100之中心2105處的阻斷軸係沿第二軸2130。在一些實施例中，區域2127具有實質上平行於反射偏振器2100之一最大橫向尺寸D之至少一半之阻斷偏振狀態的長度L。在一些實施例中，矩形區域2127具有實質上平行於反射偏振器2100之最大橫向尺寸D之至少25%之通過偏振狀態的一寬度W。
圖22係根據本說明之一些實施例的對於反射偏振器2200在預定波長(例如，約550nm)的通過偏振狀態之最大透射率的示意圖。繪示恆定Tmax之輪廓2272。正交的第一軸2220及第二軸2230在反射偏振器2200之中心部位2205處彼此相交。在一些實施例中，對於該通過偏振狀態的該反射偏振器之該最大透射率：在中心部位2205處係Tc；在沿第一軸2220靠近反射偏振器2200之第一 邊緣2260的第一邊緣部位2213係T1；在沿第一軸2220靠近反射偏振器2200之與第一邊緣2260相對之第二邊緣2261的第二邊緣部位2214係T2；在沿第二軸2230靠近反射偏振器之第三邊緣2262的第三邊緣部位2215係T3；且在沿第二軸2230靠近反射偏振器2200之與第三邊緣2262相對之第四邊緣2263的第四邊緣部位2216係T4。在一些實施例中，Tc大於T1及T2之一最大值，且小於T3及T4之一最小值。
在一些實施例中，在繞第一軸2220及第二軸2230中之一者或兩者反射下，Tmax實質上對稱。在一些實施例中，在繞含有在中心部位2205處平行於z軸的光軸及含有第一軸2220及第二軸2230之一者的一或兩個平面反射下，Tmin實質上對稱。在一些實施例中，反射偏振器2200之中心2205處的阻斷軸係沿第二軸2230。
線性雙衰減係藉由(Tmax-Tmin)/(Tmax+Tmin)給定。在一些實施例中，線性雙衰減中之空間變異由Tmin之空間變異主導。線性雙衰減之輪廓圖可外觀類似於Tmin之輪廓圖，其中相對高Tmin的區域對應於相對低線性雙衰減之區域，且相對較低Tmin之區域對應於相對高線性雙衰減之區域。在一些實施例中，對於在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域，當R係至少約0.4Rm、至少約0.5Rm、或至少約0.6Rm、或在Rm的0.4至0.7倍之範圍內時，該線性雙衰減不小於約0.98、或不小於約0.985、或不小於0.99。在一些實施例中，對於在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一 半徑R內的該反射偏振器之一區域，當R係至少約0.4Rm、至少約0.5Rm或至少約0.6Rm、或在0.4到0.7乘Rm之範圍內時，該線性雙衰減之最大變異不大於約0.015、或不大於約0.01、或不大於約0.008。
圖23係根據本說明之一些實施例的對於反射偏振器2300之預定波長的圓雙衰減的示意圖。圓雙衰減係指(TR-TL)/(TR+TL)，其中TR及TL分別係經右及左圓偏振的入射光之透射率。可針對平行於z軸的光或針對法向入射光來判定所繪示之圓雙衰減，其中反射偏振器凸出朝向入射光。繪示恆定圓雙衰減之輪廓2372。已發現，所繪示之輪廓2372係根據一些實施例之使用在其中周向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器膜之特性。
繪示在反射偏振器2300之中心部位2305處彼此相交的正交第一軸2325及第二軸2335，以及在反射偏振器2300之中心部位2305處彼此相交的正交第三軸2320及第四軸2330。在所繪示之實施例中，中心部位2305處的阻斷狀態係沿第四軸2330。介於第一軸2325與第三軸2320之間的角度
Figure 107135515-A0202-12-0058-115
係約45度。在一些實施例中，圓雙衰減：沿第三軸2320及第四軸2330係接近零且大約恆定；沿第一軸2325之各方向遠離中心部位2305係大致上減小；及沿第二軸2335之各方向遠離中心部位2305係大致上增加。在一些實施例中，反射偏振器2300之圓雙衰減：在該中心部位處係CDc；在沿第一軸2325靠近該反射偏振器之第一邊緣2374的一第一邊緣部位2317係CD1；在沿第一軸2325靠近反射偏振器2300之與第一邊緣2374相對之一第二 邊緣2375的一第二邊緣部位2318係CD2；在沿第二軸2335靠近該反射偏振器之第三邊緣2378的第三邊緣部位2319係CD3；且在沿第二軸2335靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四2379邊緣的一第四邊緣部位2321係CD4。在一些實施例中，Tc小於CD3及CD4之一最小值且大於CD1及CD2之一最大值。在一些實施例中，CD1及CD2之各者係負的，且CD3及CD4之各者係正的。
在一些實施例中，圓雙衰減在繞第一軸2325反射下實質上對稱。在一些實施例中，圓雙衰減在繞第二軸2335反射下實質上對稱。在一些實施例中，圓雙衰減在繞第一軸2325及第二軸2335之各者反射下實質上對稱。在一些實施例中，圓雙衰減在繞第三軸2320反射下實質上反對稱。在一些實施例中，圓雙衰減在繞第四軸2330反射下實質上反對稱。在一些實施例中，圓雙衰減在繞第三軸2320及第四軸2330之各者反射下實質上反對稱。
圖24係介於反射偏振器之中心與自法向於反射偏振器通過反射偏振器之中心的光軸之一半徑R內的反射偏振器之區域中的圓雙衰減之最大變異的示意標繪圖。曲線2426係對於使用在其中膜之周向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器在具有半徑R的區域內的圓雙衰減之最大變異(參見例如圖16所描繪之區域1627)。曲線2423係對於使用在其中膜之徑向拉伸係實質恆定的程序而形成為彎曲形狀的反射偏振器在具有半徑R的區域內的圓雙衰減之最大變異。反射偏振器之區域可係依據反射偏振器之區域的面積 (而不是半徑R)來定義。該區域可係或可不係圓形且可居中或可不居中在反射偏振器之中心。
在一些實施例中，具有小於或等於該反射偏振器之一總面積的一面積的該反射偏振器之一區域具有至少0.04、或至少0.06、或至少0.07、或至少0.08、或至少0.09的一圓雙衰減之一最大變異。在一些實施例中，在該區域之面積等於該反射偏振器之總面積的情況中，圓雙衰減之最大變異不大於0.15、或不大於0.12。例如，該反射偏振器可具有如曲線2426所示的圓雙衰減之最大變異，且在半徑R3內之一區域(其可具有大於該反射偏振器之總面積之一半的面積)可具有至少0.04的圓雙衰減之最大變異。在一些實施例中，該區域之面積係約0.3乘總面積，且該最大變異係至少0.06。在一些實施例中，該區域之面積係約0.5乘總面積，且該最大變異係至少0.07。在一些實施例中，該區域之面積係總面積，且該最大變異係至少0.09。
在一些實施例中，具有大於該反射偏振器之總面積之一半的面積的該反射偏振器之一區域具有不大於0.015、或不大於0.01、或不大於0.008、或不大於0.006的圓雙衰減之最大變異。例如，該反射偏振器可具有如曲線2423所示的圓雙衰減之最大變異，且在半徑R3內之一區域(其可具有大於該反射偏振器之總面積之一半的面積)可具有不大於0.015的圓雙衰減之最大變異。在一些實施例中，在該區域中的圓雙衰減之最大絕對值不大於0.007、或不大於0.005、或不大於0.004、或不大於0.003。在一些實施例中，最大圓雙衰減約等於最小圓雙衰減之負值，且圓雙衰減之最大絕對值係約圓 雙衰減之最大變異的一半。在一些實施例中，該區域之面積係反射偏振器之總面積的至少70百分比、或至少80%。在一些實施例中，該區域之面積係反射偏振器之總面積，且圓雙衰減之最大變異或圓雙衰減之最大絕對值係在各別上述範圍之任何者中。在一些實施例中，該區域之面積係該反射偏振器之總面積，且圓雙衰減之最大變異不大於0.01。在一些實施例中，該區域之面積係該反射偏振器之總面積，且圓雙衰減之最大絕對值不大於0.005。
在一些實施例中，在其中周向拉伸係實質恆定的程序中形成之反射偏振器的圓雙衰減範圍實質上大於未形成膜者。在一些實施例中，在其中徑向拉伸係實質恆定的程序中形成之反射偏振器的圓雙衰減範圍實質上相同於未形成膜者。
在一些實施例中，本說明之反射偏振器係用於光學堆疊中，該光學堆疊包括該反射偏振器及接合至該反射偏振器的至少一非黏著劑可撓性光學層。在一些實施例中，一光學系統包括接合至且適形於一光學元件之一彎曲第一主表面的該光學堆疊。該光學系統可進一步包括相鄰於該反射偏振器且與該反射偏振器相隔開的一部分反射器，且可包括經設置在該反射偏振器與該部分反射器之間的一延遲器。在一些實施例中，一光學系統包括本說明之反射偏振器(具或不具非黏著劑可撓性光學層)，且進一步包括相鄰於該反射偏振器且與該反射偏振器相隔開的一部分反射器，且可包括經設置在該反射偏振器與該部分反射器之間的一延遲器。
本文所描述之反射偏振器之任何者可具有由最佳擬合球面曲率半徑特徵化的形狀。一表面的最佳擬合球面曲率半徑係球面之半徑，其最小化沿從該球面至該表面之對該球面的法線的平方距離。該最佳擬合球面曲率半徑可係使用習知最小平方擬合技術來判定。光學膜(諸如反射偏振器膜)之最佳擬合球面曲率半徑係該膜之主表面的最佳擬合球面曲率半徑。在一些實施例中，該反射偏振器具有至少6mm、或至少10mm、或至少15mm、或至少20mm、或至少25mm、或至少30mm的最佳擬合球面曲率半徑。在一些實施例中，該反射偏振器具有不大於1000mm、或不大於500mm、或不大於250mm、或不大於200mm、或不大於150mm的最佳擬合球面曲率半徑。
圖25係光學系統2500之示意截面圖，該光學系統包括：第一光學元件2510，其具有彎曲第一主表面2511及相對的第二主表面2512；及光學堆疊2520，其經接合至且適形於第一光學元件2510之彎曲第一主表面2511。在一些實施例中，光學堆疊2520係透過可選之黏著劑層2532來接合至光學元件2510。在一些實施例中，憑藉藉由例如插入模製程序將光學元件2510一體成形在光學堆疊2520上，而使光學堆疊2520接合至光學元件2510，且可選之黏著劑層2532係省略。光學堆疊2520包括第一層2522及第二層2526。第一層2522具有相對的第一主表面2523及第二主表面2524，且第二層2526具有相對的第一主表面2527及第二主表面2528。在一些實施例中，第一層2522及第二層2526係透過可選之黏著劑層2530彼此接 合。在一些實施例中，第一層2522及第二層2526憑藉彼此一體成形而彼此接合，且可選之黏著劑層2530係省略。
在一些實施例中，第一層2522係本說明之反射偏振器；且第二層2526係經接合至該反射偏振器且具有實質上平行的相對的第一主表面2527及第二主表面2528的非黏著劑可撓性光學層。在一些實施例中，第二層2526係本說明之反射偏振器；且第一層2522係經接合至該反射偏振器且具有實質上平行的相對的第一主表面2523及第二主表面2524的非黏著劑可撓性光學層。
例如，非黏著劑可撓性光學層可係或包括下列一或多者：聚合膜、抗反射塗層、吸收偏振器、中性密度濾光器、延遲器、染色膜、濾光器、含有電路的膜、電極、紅外線反射膜、多層光學膜、及漫射器。在一些實施例中，非黏著劑可撓性光學層係光學清透膜基材，諸如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。若膜或黏著劑層在預定波長範圍(例如，400nm至700nm)中具有未偏振法向入射光之至少80百分比的透射率且具有小於20百分比的霧度，則該膜或黏著劑層可描述為光學清透的。在一些實施例中，非黏著劑可撓性光學層係光學清透膜，其在400nm至700nm之波長範圍中具有未偏振法向入射光至少85百分比的透射率且具有小於10百分比的霧度。在一些實施例中，非黏著劑可撓性光學層係染色膜及/或濾光器，且係用以調整所透射光之某些態樣(例如，顏色或強度)。例如，可包括中性密度濾光器以降低透射通過該濾光器的所有可見光之強度。例如，電路可係用以控 制顯示元件或觸敏元件。例如，可包括電極以用於暗色化液晶顯示元件。
在一些實施例中，非黏著劑可撓性光學層之至少一部位具有小於約100nm、或小於約80nm、或小於約60nm、或小於約40nm、或小於約30nm、或小於約20nm、或小於約10nm、或小於約5nm的光學延遲。在一些實施例中，非黏著劑可撓性光學層之至少一部位具有大於約200nm、或大於約400nm、或大於約800nm、或大於約1000nm、或大於約2000nm、或大於約3000nm、或大於約4000nm的光學延遲。在一層之一部位處的光學延遲係在該部位處法向入射在該層上的透射通過該層的光線的相位延遲。若該層係一偏振器，則相位延遲係針對具有偏振器之通過偏振狀態的法向入射光來判定。入射光線的波長係約550nm，除非不同地指明。例如，延遲可因尋常製造變異而隨部位而變化。在一些實施例中，非黏著劑可撓性光學層之各部位具有上文針對至少一部位所描述之範圍之一者中的光學延遲。
在一些實施例中，光學元件2510係光學透鏡，且光學系統2500係一透鏡總成。在一些實施例中。該光學透鏡在至少一方向具有屈光力。例如，光學透鏡可係在y方向具有屈光力的圓柱形透鏡，參考圖25之x-y-z坐標系統。作為另一實例，光學透鏡可在兩個相互正交的方向(例如，x方向及y方向)彎曲，且可在兩個相互正交的方向(例如，x方向及y方向)中具有屈光力。在一些實施例中，該光學透鏡具有實質上平坦表面(例如，第二主表面2512可係平坦的)。
圖26係包括透鏡總成2600的光學系統2601的示意截面圖。透鏡總成2600可對應於光學組件2500且包括第一透鏡2610及光學堆疊2620，該光學堆疊經設置在第一透鏡2610之彎曲主表面上且適形於該彎曲主表面。光學堆疊2620包括第一層2622及第二層2626。可選之黏著劑層可經設置在第一層2622與第二層2626之間及/或光學堆疊2620與第一透鏡2610之間。在一些實施例中，第一層2622及第二層2626之一者係本說明之反射偏振器，且第一層2622及第二層2626之另一者係非黏著劑可撓性光學層。光學系統2601進一步包括延遲器2635、延遲器2639、具有部分反射器2642之第二透鏡2640，該部分反射器經設置在第二透鏡2640之主表面上。在一些實施例中，光學系統2601經調適用於顯示由顯示器2650發射至觀看位置2665的影像。
黏著劑層之任何者可具有約1微米至約50微米的平均厚度。例如，黏著劑層可係或包括壓敏黏著劑、熱熔融黏著劑、熱固性黏著劑、基於溶劑之黏著劑、及基於水之黏著劑之一或多者。在一些實施例中，黏著劑層之折射率實質上與緊鄰層匹配。在一些實施例中，黏著劑係光學清透黏著劑層。合適的光學清透黏著劑包括可購自3M Company(例如，分別係1密耳及2密耳厚的3M Optically Clear Adhesive 8171及8172)以及可購自Norland Products Inc.(Cranbury,NJ)的Norland Optical Adhesives。
在一些實施例中，非黏著劑可撓性光學層具有實質上平行的第一主表面及第二主表面。若非黏著劑可撓性光學層之第一主表 面及第二主表面充分接近平行使得非黏著劑可撓性光學層具有可忽略的折射屈光力，或若第一主表面及第二主表面之至少80%上的各對相對點處之斜率相差不大於30度，則第一主表面及第二主表面可描述為實質上平行。在一些實施例中，在第一主表面及第二主表面之至少80%、或至少85%、或至少90%的相對點之各對之斜率相差不大於20度或不大於30度。該等相對點係指沿非黏著劑可撓性光學層之厚度方向的線的點，其中該線法向於第一主表面及第二主表面之至少一者。
在一些實施例中，第一透鏡2610及第一光學堆疊2620與第二透鏡2640相隔開。在一些實施例中，第一透鏡2610係具有實質上不平行第一主表面及第二主表面的第一光學元件，且第二透鏡2640係具有實質上不平行第一主表面及第二主表面的第二光學元件。若透鏡之第一主表面及第二主表面充分不同使得透鏡具有不可忽略的折射屈光力，或若第一主表面及第二主表面之上的至少一對相對點處之斜率相差至少於10度，則第一主表面及第二主表面可描述為實質上不平行。在一些實施例中，第一主表面及第二主表面上之至少一對相對點處的斜率相差至少20度或至少30度。該等相對點係指沿透鏡之厚度方向的線的點，其中該線法向於第一主表面及第二主表面之一者。若棱鏡之第一主表面與第二主表面之間的角度係至少約20度，則第一主表面與第二主表面實質上不平行。
光學系統2601的其他組態是可行的。在一些實施例中，延遲器2635可經設置在光學堆疊2620上而與第一透鏡2610相對，或可經設置在第二透鏡2640上而與部分反射器2642相對。在一 些實施例中，延遲器2639可經設置在部分反射器2642上或可經設置在顯示器2650上。在一些實施例中，可以單一透鏡(例如，其中部分反射器2642在一主表面上且光學堆疊2620在相對主表面上)取代第一透鏡2610及第二透鏡2640。在又其他實施例中，包括多於兩個透鏡。光學系統的其他可行排列係描述於美國專利申請公開案第2017/0068100號(Ouderkirk等人)中。光學堆疊2620可係用於取代美國專利申請公開案第2017/0068100號(Ouderkirk等人)中所描述之實施例之任何者之反射偏振器。
在一些實施例中，顯示器2650在反射偏振器之阻斷偏振狀態中發射光，且延遲器2635及2639經設置使得由顯示器發射的光首先入射在阻斷偏振狀態中的反射偏振器上。例如，延遲器2635及2639可具有相對於彼此定向在約90度的快軸。在預定波長範圍中之至少一波長處，延遲器2635及2639可各係四分之一波延遲器。其他組態亦係可行的。例如，延遲器2635及2639可係其等各別快軸對準的四分之一波延遲器。在此情況中，顯示器2650可在反射偏振器之通過偏振狀態中發射光，使得光首先入射在阻斷狀態中的反射偏振器上。
延遲器2635及/或2639可係在基材或透鏡上的塗層或可係延遲器膜，且可由任何適合材料所形成，例如描述於美國專利申請公開案第US 2002/0180916號(Schadt等人)、第US 2003/028048號(Cherkaoui等人)及第US 2005/0072959號(Moia等人)中之線性光可聚合聚合物(LPP)材料及液晶聚合物(LCP)材料。 合適的LPP材料包括ROP-131 EXP 306 LPP，且合適的LCP材料包括ROF-5185 EXP 410 LCP，兩者均可購自Rolic Technologies,Allschwil,Switzerland。在一些實施例中，在預定波長範圍(例如，400nm至700nm)中之至少一波長處，延遲器2635係四分之一波延遲器。
部分反射器2642可係任何合適的部分反射器。例如，可藉由塗佈金屬(例如，銀或鋁)之薄層在透明基材(例如，可接著黏附至透鏡之膜，或該基材可係透鏡)上來建構該部分反射器。亦可例如藉由沉積薄膜介質塗層至透鏡基材之表面上，或藉由沉積金屬塗層及介電質塗層之組合於透鏡之表面上來形成部分反射器。在一些實施例中，在一預定波長或在一預定波長範圍中，該部分反射器具有一平均光學反射率及一平均光學透射率，該平均光學反射率及該平均光學透射率各係在20%至80%之範圍內、或各係在30%至70%之範圍內，或各係在40%至60%之範圍內，或各係在45%至55%之範圍內。部分反射器可係例如半鏡。在一預定波長範圍中之該平均光學反射率及平均光學透射率分別指對該預定波長範圍及對在法向入射判定的該光學反射率及光學透射率之偏振的未加權平均值，除非另外指示。在一些實施例中，該部分反射器可係一反射偏振器或可具有一偏振相依之反射性。然而，一般較佳地，該法向入射光學反射率及光學透射率獨立於或實質上獨立於入射光之偏振狀態。可使用例如實質上等向性金屬層及/或介電層來獲得此類非偏振相依性。
在一些實施例中，第一透鏡2610及第二透鏡2640之各者在至少一方向具有大於零的一屈光力。在一些實施例中，對於在一預定波長範圍內之實質上法向入射光，部分反射器2642具有至少30%的一平均光學反射率。在一些實施例中，反射偏振器(第一層2622及第二層2626之一者)實質上透射在預定波長範圍內具有第一偏振狀態的光，且實質上反射在預定波長範圍內具有正交第二偏振狀態的光。光學系統2601具有光軸2660，該光軸可理解為係沿光軸2660傳播之光線2661實質上沿其無折射地行進通過第一透鏡2610、第二透鏡2640、部分反射器2642、及該反射偏振器的軸。實質上無折射地意謂在入射在表面之光線與透射穿過表面之光線之間的角度不超過15度。在一些實施例中，在光學系統2601的任何主表面，沿光軸2660傳播之光線無折射多於10度、或多於5度、或多於3度、或多於2度地行進通過第一透鏡2610、第二透鏡2640、部分反射器2642、及該反射偏振器。
在一些實施例中，光學系統2601經調適以接收入射光且在觀看位置2665處透射光至觀看者。藉由第一光分量2655及第二光分量2657示意繪示離開光學系統2601的光。
已發現，本說明之光學堆疊及反射偏振器允許光學系統達成比習知光學系統更高的偏振對比度。在一些實施例中，對於具有第二偏振狀態(對於反射偏振器，係阻斷狀態)及預定波長範圍中之波長且居中於光軸2660上的具從約100度至約160度之全錐角θ的入射光錐2653，離開該光學系統的該入射光具有第一偏振狀態(反射偏 振器之通過狀態)之第一光分量2655及具有第二偏振狀態之第二光分量2657，第一光分量2655之平均強度對第二光分量2657之平均強度的比率大於約100、或大於約110、或大於約120、或大於約130。
本說明之反射偏振器之任何者可用於在2017年10月9日申請之美國臨時專利申請案第62/569942號標題為「OPTICAL COMPONENTS AND OPTICAL SYSTEMS」中所描述之光學組件及光學系統之任何者中，該案以引用方式且不與本說明牴觸之程度併入本文中。
光學膜之任何者可包括在光學膜之一側上的離型襯墊或在光學膜之兩個相對側之各者上的離型襯墊。例如，光學膜100、300、及400中之任何者可包括(多個)離型襯墊。作為另一實例，反射偏振器1200之層1233可係離型襯墊，而不是與干涉層1234共擠製的層。離型襯墊可係在將光學膜形成為彎曲形狀之前施加至光學膜以保護光學膜(例如，使得來自模具的表面紋理未壓紋到光學膜上)。
接合至光學膜上但可從光學膜乾淨地移除而不會實質上損壞光學膜的襯墊可描述為經可釋離地接合至光學膜且可描述為離型襯墊。在一些實施例中，經可釋離地接合至光學膜的襯墊可自光學膜移除，而沒有對光學膜之可見的損壞。可釋離接合襯墊可包括具有黏著劑層的基材，該黏著劑層強力地接合至基材，但微弱地接合至光學膜。例如，襯墊可包括經施加至基材的低黏性黏著劑薄層，該基材具有經處理以增加其對黏著劑的接合之表面。其他適合的襯墊包括靜電 接合至光學膜者，如例如描述於美國專利第6,991,695號(Tait等人)中者。合適襯墊的一個實例係可購自Sun A Kaken Co,Ltd的OCPET NSA33T。
圖51係光學堆疊5000的示意截面圖，該光學堆疊亦可描述為光學膜，其包括光學膜5100(其可係反射偏振器)及適形於光學膜5100的第一額外層5111及第二額外層5122。可使用本文別處所描述方法之任一者將光學堆疊5000形成為所繪示之彎曲形狀。在其他實施例中，省略第一額外層5111及第二額外層5122之一者。在一些實施例中，第一額外層5111及第二額外層5122之一或兩者不與光學膜5100一體成形。在一些實施例中，第一額外層5111及第二額外層5122中之一或兩者係適形於且可釋離地接合至光學膜5100的襯墊。光學膜5100可係例如本文別處所描述之反射偏振器之任何者。
所屬技術領域中具有通常知識者應理解在本說明書中所使用及描述之內容脈絡中諸如「約(about)」等用語。若所屬技術領域中具有通常知識者不清楚在本說明書中所使用及描述之內容脈絡中如應用以量化表達特徵大小、量、及實體性質所使用的「約(about)」，則「約」將應理解為意謂在指定值之10百分比內。就一指定值給定的數量可精確係該指定值。例如，若所屬技術領域中具有通常知識者不清楚在本說明書中所使用及描述之內容脈絡中之具有約1的值的數量，意指該數量所具有的值在0.9與1.1之間，且該值可係1。
所屬技術領域中具有通常知識者應理解在本說明書中所使用及描述之內容脈絡中諸如「實質上(substantially)」等用語。若所 屬技術領域中具有通常知識者不清楚在本說明中所使用及描述之內容脈絡中所使用的「實質上平行(substantially parallel)」，則「實質上平行」將應理解為意謂在30度平行內。在一些實施例中，描述為實質上彼此平行的方向或表面可係在20度內、或10度內平行，或可係平行或標稱平行。
以下為本說明之例示性實施例的清單。
實施例1係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長之法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該反射偏振器之一厚度在該反射偏振器之一中心處大於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該反射偏振器之該厚度從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地減小。
實施例2係如實施例1之反射偏振器，其具有在該反射偏振器之該中心處大於在該至少一邊緣部位中之一邊緣部位處的一方位平均厚度。
實施例3係如實施例2之反射偏振器，其中該方位平均厚度從該反射偏振器之該中心至該邊緣部位實質上單調地減小。
實施例4係如實施例1之反射偏振器，其中對於具有該阻斷偏振狀態之該法向入射光，該反射偏振器具有一反射頻帶，該反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該預定波長在該反射頻帶中，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之該中心處大於在該至少一邊緣部位處至少5%。
實施例5係如實施例4之反射偏振器，其中該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣的一方位平均從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地減小。
實施例6係如實施例1之反射偏振器，其中對於具有該預定波長且沿平行於在該反射偏振器之該中心法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於該阻斷偏振狀態的小於約5%之一最小透射率。
實施例7係如實施例6之反射偏振器，其中對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸以及在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與第三軸之間的一角度係約45度，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第一邊緣之間沿該第一軸的一第一部位處係T1；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第二邊緣之間沿該第二軸的一第二部位處係T2； 在介於該反射偏振器之該中心部位與一第三邊緣之間沿該第三軸的一第三部位處係T3；且在介於該反射偏振器之該中心部位與一第四邊緣之間沿該第四軸的一第四部位處係T4，其中T1及T2之一最大值小於T3及T4之一最小值。
實施例8係如實施例7之反射偏振器，其中對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第五邊緣(與該第一邊緣相對)之間沿該第一軸的一第五部位處係T5；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第六邊緣(與該第二邊緣相對)之間沿該第二軸的一第六部位處係T6；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第七邊緣(與該第三邊緣相對)之間沿該第三軸的一第七部位處係T7；及在介於該反射偏振器之該中心部位與一第八邊緣(與該第四邊緣相對)之間沿該第四軸的一第八部位處係T8，其中T1、T2、T5、及T6之一最大值小於T3、T4、T7、及T8之一最小值。
實施例9係如實施例8之反射偏振器，其中在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有在約0.001至約0.005之一範圍內的該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異， 其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
實施例10係如實施例1之反射偏振器，其中對於具有該預定波長且法向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於該阻斷偏振狀態的小於約5%之一最小透射率。
實施例11係如實施例10之反射偏振器，其中對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸以及在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與第三軸之間的一角度係約45度，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第一邊緣之間沿該第一軸的一第一部位處係T1；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第二邊緣之間沿該第二軸的一第二部位處係T2；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第三邊緣之間沿該第三軸的一第三部位處係T3；且在介於該反射偏振器之該中心部位與一第四邊緣之間沿該第四軸的一第四部位處係T4，其中T1及T2之一最大值小於T3及T4之一最小值。
實施例12係如實施例11之反射偏振器，其中對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率： 在介於該反射偏振器之該中心部位與一第五邊緣(與該第一邊緣相對)之間沿該第一軸的一第五部位處係T5；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第六邊緣(與該第二邊緣相對)之間沿該第二軸的一第六部位處係T6；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第七邊緣(與該第三邊緣相對)之間沿該第三軸的一第七部位處係T7；及在介於該反射偏振器之該中心部位與一第八邊緣(與該第四邊緣相對)之間沿該第四軸的一第八部位處係T8，其中T1、T2、T5、及T6之一最大值小於T3、T4、T7、及T8之一最小值。
實施例13係如實施例10之反射偏振器，其中在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有在約0.001至約0.005之一範圍內的該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
實施例14係如實施例1之反射偏振器，其中在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有不大於約0.01的一線性雙衰減之一最大變異，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
實施例15係如實施例1之反射偏振器，其中遍及自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域的該反射偏振器之一線性雙衰減係至少約0.99，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R係至少0.4Rm。
實施例16係如實施例11之反射偏振器，其中在平面圖中，在實質上居中於該中心的一實質矩形區域中之至少70%部位之各者處的該通過偏振狀態之該最大透射率係在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率的1.5%內，且在該實質矩形區域外的該反射偏振器之至少大部分部位的該通過偏振狀態之該最大透射率小於在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率至少1.5%。
實施例17係如實施例1之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之一中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的一阻斷偏振狀態順時針旋轉，且至少一第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的該阻斷偏振狀態逆時針旋轉，該至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例18係如實施例17之反射偏振器，其中該至少一第一邊緣部位之該阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心的該阻斷偏振狀態順時針旋轉至少0.2度、或至少0.5度、或至少1度。
實施例19係如實施例1之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係相對於彼此旋轉大於2度，該至少一第一部位及第二部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例20係如實施例1之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有的該阻斷偏振狀態之一最大變異係：對於R小於R1，該最大變異小於約1度；且對於R大於R2，該最大變異大於約2度，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，R1係至少0.4Rm，R2大於R1且不大於0.95Rm。
實施例21係如實施例1之反射偏振器，其中對於具有該預定波長且沿平行於在該反射偏振器之該中心法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有一圓雙衰減，此對於在該反射偏振器之該中心處彼此相交的正交第一軸及第二軸，該反射偏振器之該圓雙衰減：在該中心部位處係CDc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係CD1； 在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係CD2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係CD3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係CD4；其中CDc小於CD3及CD4之一最小值且大於CD1及CD1之一最大值。
實施例22係如實施例1之反射偏振器，其中具有小於或等於該反射偏振器之一總面積的一面積的該反射偏振器之一區域具有至少0.04的一圓雙衰減之一最大變異。
實施例23係如實施例1之反射偏振器，其中具有小於或等於該反射偏振器之一總面積的一面積的該反射偏振器之一區域具有至少0.02的一圓雙衰減之一最大絕對值。
實施例24係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長之法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該反射偏振器之一厚度在該反射偏振器之一中心處小於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該 反射偏振器之該厚度從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加。
實施例25係如實施例24之反射偏振器，其中對於具有該阻斷偏振狀態之該法向入射光，該反射偏振器具有一反射頻帶，該反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該預定波長在該反射頻帶中，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之該中心處小於在該至少一邊緣部位處至少5%。
實施例26係如實施例25之反射偏振器，其中該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加。
實施例27係如實施例25之反射偏振器，其中該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣的一方位平均從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加。
實施例28係如實施例24之反射偏振器，其中在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有在約0.001至約0.005之一範圍內的該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
實施例29係如實施例24之反射偏振器，其中在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的 該反射偏振器之一區域具有不大於約0.01的一線性雙衰減之一最大變異，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
實施例30係如實施例24之反射偏振器，其中遍及自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域的該反射偏振器之一線性雙衰減係至少約0.99，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R係至少0.4Rm。
實施例31係如實施例24之反射偏振器，其中對於具有該預定波長且沿平行於在該反射偏振器之該中心法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於該通過偏振狀態的大於約70%之一第二最小透射率。
實施例32係如實施例31之反射偏振器，其中對於至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等第二最大透射率彼此相差至少3.8%，該至少一第一部位及第二部位靠近該反射偏振器之一邊緣，該至少一第一部位及該至少一第二部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例33係如實施例31之反射偏振器，其中對於在該反射偏振器之該中心處相交的正交第一軸及第二軸，對於該通過偏振狀態的該反射偏振器之該第二最大透射率： 在該中心處係Tc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係T1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係T2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係T3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係T4；其中Tc大於T1及T2之一最大值且小於T3及T4之一最小值。
實施例34係如實施例24之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態相對於彼此旋轉大於2度，該至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例35係如實施例24之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，在自法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之一中心的一光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有的該阻斷偏振狀態之一最大變異係：對於R小於R1，該最大變異小於約1度；且對於R大於R2，該最大變異大於約2度， 其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，R1係至少0.4Rm，R2大於R1且不大於0.95Rm。
實施例36係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有在一第一反射頻帶中之一預定波長的法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率、以及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該第一反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之一中心處大於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地減小。
實施例37係如實施例36之反射偏振器，其具有在該反射偏振器之該中心處大於該至少一邊緣部位中之一邊緣部位處的一方位平均長波長頻帶邊緣。
實施例38係如實施例37之反射偏振器，其中該方位平均長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該邊緣部位實質上單調地減小。
實施例39係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形 狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有在一第一反射頻帶中之一預定波長的法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率、以及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該第一反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之一中心處小於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加。
實施例40係如實施例39之反射偏振器，其具有在該反射偏振器之該中心處小於該至少一邊緣部位中之一邊緣部位處的一方位平均長波長頻帶邊緣。
實施例41係如實施例40之反射偏振器，其中該方位平均長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該邊緣部位實質上單調地增加。
實施例42係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，其中對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一 最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，使得對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸以及在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與第三軸之間的一角度係約45度，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第一邊緣之間沿該第一軸的一第一部位處係T1；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第二邊緣之間沿該第二軸的一第二部位處係T2；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第三邊緣之間沿該第三軸的一第三部位處係T3；且在介於該反射偏振器之該中心部位與一第四邊緣之間沿該第四軸的一第四部位處係T4，其中T1及T2之一最大值小於T3及T4之一最小值。
實施例43係如實施例42之反射偏振器，其中對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第五邊緣(與該第一邊緣相對)之間沿該第一軸的一第五部位處係T5；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第六邊緣(與該第二邊緣相對)之間沿該第二軸的一第六部位處係T6；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第七邊緣(與該第三邊緣相對)之間沿該第三軸的一第七部位處係T7；及 在介於該反射偏振器之該中心部位與一第八邊緣(與該第四邊緣相對)之間沿該第四軸的一第八部位處係T8，其中T1、T2、T5、及T6之一最大值小於T3、T4、T7、及T8之一最小值。
實施例44係如實施例42之反射偏振器，其中對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率在繞該第一軸及該第二軸之各者反射下實質上對稱。
實施例45係如實施例42之反射偏振器，其中對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率繞法向於該反射偏振器通過該反射偏振器之該中心部位的一光軸實質上4重旋轉對稱。
實施例46係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，其中對於延伸於在該反射偏振器之不同第一邊緣與第二邊緣之間、具有該反射偏振器之一最大橫向尺寸之至少3%之一最小寬度、且界定該反射偏振器之不相交第二部分及第三部分的該反射偏振器之連續的一第一部分，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率在該第一部分之至少 70%中之各部位處高於在該第二部分之至少70%中之各部位及在該第三部分之至少70%中之各部位處。
實施例47係如實施例46之反射偏振器，其中對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率在該第一部分之至少80%中之各部位處高於在該第二部分之至少80%中之各部位處及在該第三部分之至少80%中之各部位處。
實施例48係如實施例46之反射偏振器，其中該第一部分之該最小寬度係該反射偏振器之該最大橫向尺寸之至少5%。
實施例49係如實施例46之反射偏振器，其中該第一部分之該最小寬度不大於該反射偏振器之該最大橫向尺寸之80%。
實施例50係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，使得自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域上具有在約0.001至約0.005之一範圍內的該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
實施例51係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率，使得對於至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差至少3.8%，該至少一第一部位及第二部位靠近該反射偏振器之一邊緣，該至少一第一部位及該至少一第二部位在該中心部位處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例52係如實施例51之反射偏振器，其中對於該至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差不大於6.0%。
實施例53係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率，使得對於至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差至少3.8%，該至少一第一部位靠近該中心部位且該至少一第二部位靠近該反射偏振器之一邊緣。
實施例54係如實施例53之反射偏振器，其中對於該至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差不大於6.0%。
實施例55係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，使得在平面圖中，在實質上居中於該中心的一實質上矩形區域中之至少70%部位之各者處的該通過偏振狀態之該最大透射率係在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率的1.5%內，且在該實質矩形區域外的該反射偏振器之至少大部分部位的該通過偏振狀態之該最大透射率小於在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率至少1.5%。
實施例56係如實施例55之反射偏振器，其中該實質矩形區域具有實質上平行於該反射偏振器之一最大橫向尺寸之至少一半之該阻斷偏振狀態的一長度。
實施例57係如實施例55之反射偏振器，其中該實質上矩形區域具有實質上平行於該反射偏振器之一最大橫向尺寸之至少25%之該通過偏振狀態的一寬度。
實施例58係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，此對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸，對於該通過偏振狀態的該反射偏振器之該最大透射率：在該中心部位處係Tc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係T1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係T2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係T3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係T4；其中Tc大於T1及T2之一最大值且小於T3及T4之一最小值。
實施例59係如實施例58之彎曲反射偏振器，其中該最大透射率在繞該第一軸反射下實質上對稱且在繞該第二軸反射下實質上對稱。
實施例60係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，其中對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之一中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的一阻斷偏振狀態順時針旋轉，且至少一第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的該阻斷偏振狀態逆時針旋轉，該至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例61係如實施例60之反射偏振器，其中在該至少一第二邊緣部位中的一第二邊緣部位係藉由繞通過該至少一第一部位中之一第一部位的該反射偏振器之該中心的一光軸順時針旋轉通過角度θ來界定。
實施例62係如實施例60之反射偏振器，其中在該至少一第二邊緣部位中的一第二邊緣部位係藉由繞通過該至少一第一部位中之一第一部位的該反射偏振器之該中心的一光軸逆時針旋轉通過角度θ來界定。
實施例63係如實施例60之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的該平面上之該投影中，至少一第三邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的一阻斷偏振狀態順時針旋轉，及至少一第四邊緣部位之一阻斷偏振狀態從該反射偏振器之該中心處的該阻斷偏振狀態逆時針旋轉，該至少一第一部位及第三部位在該反射偏振器之該中心處對向從約160度至約180度之一範圍內的一角度，該至少一第二部位及第四部位在該反射偏振器之該中心處對向從約160度至約180度之一範圍內的一角度。
實施例64係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態相對於彼此旋轉大於2度，該至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例65係如實施例64之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的該平面上之該投影中，至少一第三邊緣部位及第四邊緣部位之一阻斷偏振狀態相對於彼此旋轉小於2度，該至少一第三部位及第四部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
實施例66係如實施例64之反射偏振器，其中至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的該平面上之該投影中，該至少一第一邊緣部位及該第二邊緣部位之該阻斷偏振狀態相對於彼此旋轉不大於7度。
實施例67係如實施例64之反射偏振器，其中該至少一第一邊緣部位之該阻斷偏振狀態相對於在該反射偏振器之該中心處之一阻斷偏振狀態順時針旋轉，且該至少一第二邊緣部位之該阻斷偏振狀態相對於該反射偏振器之該中心處之該阻斷偏振狀態逆時針旋轉。
實施例68係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，自該光軸之一半徑 R內的該反射偏振器之一區域具有的該阻斷偏振狀態之一最大變異係：對於R小於R1，該最大變異小於約1度；且對於R大於R2，該最大變異大於約2度，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，R1係至少0.4Rm，R2大於R1且不大於0.95Rm。
實施例69係如實施例68之反射偏振器，其中R1係約0.45Rm，且R2係約0.7Rm。
實施例70係如實施例68之反射偏振器，其中對於R大於0.75Rm，該最大變異大於約3度。
實施例71係如實施例68之反射偏振器，其中對於R等於Rm，該最大變異不大於7度。
實施例72係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及一圓雙衰減，此對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸，該反射偏振器之該圓雙衰減： 在該中心部位處係CDc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係CD1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係CD2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係CD3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係CD4；其中CDc小於CD3及CD4之一最小值且大於CD1及CD1之一最大值。
實施例73係如實施例72之反射偏振器，其中該圓雙衰減在繞該第一軸及該第二軸之各者反射下實質上對稱。
實施例74係如實施例72之反射偏振器，其中對於在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與該第三軸之間的一角度係約45度，該圓雙衰減在繞該第三軸及該第四軸之各者反射下實質上反對稱。
實施例75係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過 該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有小於或等於該反射偏振器之一總面積的一面積的該反射偏振器之一區域具有至少0.04的一圓雙衰減之一最大變異。
實施例76係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有大於該反射偏振器之一總面積之一半的一面積的該反射偏振器之一區域具有不大於0.015的一圓雙衰減之一最大變異。
實施例77係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反 射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有大於該反射偏振器之一總面積之一半的一面積的該反射偏振器之一區域具有不大於0.007的一圓雙衰減之一最大絕對值。
實施例78係如實施例1至77中任一項之反射偏振器，其中該反射偏振器包含在一或多個部位處經實質上單軸定向的至少一層。
實施例79係如實施例1至77中任一項之反射偏振器，其中該反射偏振器包含具有至少一部位的至少一層，其中介於沿該至少一部位之一厚度的一第一方向之一第一折射率與一正交第二方向之一第二折射率之間的一差值之一絕對值小於約0.02，且介於該第二折射率與一第三方向之一第三折射率之間的一差值之一絕對值大於約0.05，該第三方向正交於該第一方向及該第二方向。
實施例80係一種光學系統，其包含：一第一透鏡；一第二透鏡，該第一透鏡及該第二透鏡之各者在至少一方向具有大於零的一屈光力；一部分反射器，對於在一預定波長範圍內之實質上法向入射光，該部分反射器具有至少30%的一平均光學反射率；及如實施例1至79中任一項之反射偏振器，該光學系統具有一光軸，一光線沿該光軸傳播通過該第一透鏡、該第二透鏡、該部分反射器、及該反射偏振器而實質上未被折射，使得對於具有該阻斷偏振狀態及在該預定波長範圍內之一波長且以從約100度至約160度之一全錐角居 中在該光軸上的一入射光錐，離開該光學系統的該入射光含有具有該通過偏振狀態之一第一光分量及具有該阻斷偏振狀態之一第二光分量，該第一光分量之一平均強度對該第二光分量之一平均強度的一比率大於約100。
實施例81係一種將包含複數個交替聚合層之一光學膜定形狀之方法，該方法包含以下步驟：將該光學膜之一周緣之至少部分緊固在一第一平面中，使得經緊固之該等部分不相對於彼此移動；及藉由將該光學膜之一部分沿垂直於該第一平面之至少一第一方向位移來拉伸該光學膜，使得該光學膜之一徑向及周向拉伸之一者從該光學膜之一中心至該周緣係實質恆定，且該光學膜之該徑向及周向拉伸之另一者實質上從該光學膜之該中心至該周緣變化。
實施例82係如實施例81之方法，其進一步包含將該光學膜加熱至大於該光學膜之一玻璃轉移溫度的一溫度。
實施例83係一種將包含複數個交替聚合層之一光學膜定形狀之方法，該方法包含以下步驟：設置該光學膜使得該光學膜之至少一第一部分係實質設置在相鄰於一彎曲模具表面的一第一平面中；及拉伸該光學膜以使該光學膜之該第一部分適形於該彎曲模具表面之至少一部分，使得在該拉伸步驟之前，該第一部分中之各點具有在該彎曲表面上於一錐體內的一部位，該錐體具有在該第一平面中之該點的 一部位處之一頂點，該錐體沿垂直於該第一平面之一軸居中且具有不大於10度之一錐角。
實施例84係如實施例83之方法，其中該拉伸步驟包含：拉伸該光學膜，使得該光學膜之一周向拉伸從該光學膜之一中心至該光學膜之一周緣係實質恆定，且該光學膜之一徑向拉伸從該光學膜之該中心至該周緣實質上變化。
實施例85係一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域對於R小於0.8Rm具有小於約1度的該阻斷偏振狀態之一最大變異。
實例
反射偏振器膜係使用圖3A至圖3F所繪示之加壓程序及使用圖4A至圖4C所繪示之下拉程序來熱成型為基弧8透鏡(base 8 lens)形狀。
如下製作反射偏振器膜。共擠製兩個多層光學封包，且各封包包含聚萘二甲酸乙二酯(PEN)及一低折射率各向同性層的325個交替層，該低折射率各向同性層係以聚碳酸酯及共聚酯的摻合物(PC：coPET)製造，使得該折射率約1.57並在單軸定向上維持實質各向同性，其中PC：coPET莫耳比率係約42.5莫耳%的PC及57.5莫耳%的coPET，並具有攝氏105度的Tg。此各向同性材料經選擇使得拉伸後在兩個非拉伸方向該材料之折射率維持實質上匹配在非拉伸方向該雙折射材料之折射率，而在拉伸方向介於雙折射層與非雙折射層之間之折射率實質上不匹配。PEN及PC：coPET聚合物從分離的擠製機饋送至多層共擠製供料塊，在其中將彼等聚合物組裝成325個交替光學層(分別係「封包1」及「封包2」)，加上在該等堆疊光學封包外上的PC：coPET的一較厚保護邊界層，共652層。該膜係在如美國專利第6,916,440號(Jackson等人)中所描述的之拋物線拉幅機中實質上單軸拉伸。該膜係在約150℃的溫度拉伸至約6之延伸比率。圖50展示所得之反射偏振器之層厚度曲線，以封包1及2指示。反射偏振器具有如藉由電容量規所測量近似65μm之所得總厚度。保護性烯烴襯墊係施加至反射偏振器之各側。
基弧8透鏡形狀具有65.3mm的球面曲率半徑Rc(參見圖1)、83mm的直徑2Rm、39.5度的Φmax、14.9mm的垂度S、及0.179的垂度對直徑比率。
加壓程序及下拉程序中所使用的模具係經機械加工以提供對應於基弧8透鏡形狀的彎曲主表面的鋁模具。多孔鋁係用於第一 模具360，使得可透過模具抽真空。在下拉程序中，在區域477中施加真空，且未在區域491中添加正壓力。
加壓程序係在購自Hy-Tech Forming Systems(USA),Inc.(Phoenix,AZ)的形成機器上實施。兩片2.5密耳厚的額外襯墊經層壓至反射偏振器膜之兩側。大於6"×6"的一片膜係從層壓反射偏振器膜切割。該片膜係置放在形成機器中在一底部型樣之頂部上，該底部型樣包括由多孔鋁機械加工的母形式且維持在80℉溫度。然後，預加熱至350℉之上部平直板係向下閉合在下部型樣上而原地夾置該膜的邊緣。60psi之壓力係(透過多孔鋁)施加至該膜之底部側以將膜壓抵上方之平直加熱型樣。此壓力係維持達6秒。釋放底部側壓力，且475psi壓力係施加至該膜之上部側，以將該膜膨脹至下方之母形式。壓力係維持達6秒，然後經形成之部件(具有經形成之襯墊)係從機器移除。
下拉程序係在購自MAAC Machinery Corporation(Carol Stream,IL)的真空形成機器上實施。8"×8"的一方形片反射偏振器係切割出(烯烴襯墊經移除)。該膜係置放於一組四個夾鉗中，該四個夾具夾置該膜之全部四個邊緣。膜及夾鉗係向後滑動以係置放於預加熱至380℉溫度的加熱板下。然後，具有該膜的框架經滑動以置放膜之中心在(公)基弧8形式上方(經定位成稍微高於平直基部)，保持至100℉溫度。然後該形式(及基部)係向上移動到膜中，直到膜與基部接觸。在該形式到達其最終位置之後，進行抽真空 (其中埠位於該形式與平直基部之間的接縫中)以將膜更緊密地拉抵該形式。在幾秒的接觸之後，打開夾鉗且移除經形成之部件。
圖27至圖29展示厚度除以初始厚度及如基於方程式1之模型所判定的拉伸比率。圖28展示在下拉程序中定形狀之膜的拉伸比率，且圖29展示在加壓程序中定形狀之膜的拉伸比率。為了模型化用途，Φmax係延伸至45度。加壓程序導致在中心處最薄且厚度隨角度Φ而單調地增加的膜。下拉程序導致在中心處最厚且厚度隨Φ而單調地減小的膜。在加壓程序中所形成之膜中，拉伸比率在徑向方向(但不在周向方向)係實質恆定。在下拉程序中所形成之膜中，拉伸比率在周向方向(但不在徑向方向)係實質恆定。
針對藉由加壓程序所形成之反射偏振器樣本的所測得厚度之範圍係從靠近反射偏振器之中心的52微米至較接近反射偏振器之邊緣的約57微米。針對藉由下拉程序所形成之反射偏振器樣本的所測得厚度之範圍係從靠近反射偏振器之中心的65微米至較接近反射偏振器之邊緣的約52微米。表1列出根據加壓程序及下拉程序所形成之樣本而判定的厚度。列出在由圓柱徑向坐標R之x及y坐標及方位角任一者所判定的不同部位之厚度。阻斷軸係沿y軸在樣本之中心。
Figure 107135515-A0202-12-0102-98
Figure 107135515-A0202-12-0103-99
依中心(C)、北(N)、南(S)、東(E)及西(W)模式，從經形成反射偏振器樣本切割出22mm直徑部分，如圖30所示。橫向方向(TD)(其係反射偏振器之阻斷方向)係在該中心處沿東西方向。使用Lambda 950分光光度計(可購自PerkinElmer,Waltham,MA)，以法向入射測量依據波長而變動的阻斷狀態透射。圖31至圖32分別展示使用加壓程序及下拉程序所形成之樣本針對中心、北、南、東、及西部位的靠近長波長頻帶邊緣之阻斷狀態透射的標繪圖。長波長頻帶邊緣係判定為阻斷狀態透射到達10%的波長。表2記述長波長頻帶邊緣的結果(以nm為單位)。
Figure 107135515-A0202-12-0103-100
Figure 107135515-A0202-12-0104-101
使用Axometrics AxoScanTM Mueller矩陣偏光計(可購自Axometrics,Inc.,Huntsville,AL)進一步特徵化藉由加壓程序及下拉程序所形成的反射偏振器之光學性質。以沿平行於通過經形成之膜中心之光軸的方向而導引朝向該膜的光源執行測量。(例如，圖1之入射光198)，其中反射偏振器凸出朝向入射光。各種數量係對x軸及y軸來標繪，其中反射偏振器樣本經定向，其中橫向方向(TD)沿y軸在樣本之中心。實例之輪廓及三維表面標繪圖中之x軸及y軸係笛卡兒坐標，以mm為單位測量平面圖中自經定形狀膜之中心的距離。在加壓程序及下拉程序兩者中形成第一樣本及第二樣本。該等樣本係來自相同反射偏振器膜的不同部分。對於所測量的各數量，在各部位使用約2mm直徑光束進行20次測量且取平均。藉由以居中於一部位上的3×3網格中的九次測量之平均來取代在該部位之各值來平滑化此平均值。所記述的資料涵蓋自所形成樣本之中心之30mm內的所形成樣本的區域。
在圖33A至圖33D展示在下拉程序中所形成的反射偏振器樣本的雙衰減定向。圖33A及圖33B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖33C及圖33D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖分別係輪廓圖及三維表面圖。該雙衰減方向等效於通過軸定向。
在圖34A至圖34D展示在加壓程序中所形成的反射偏振器樣本的雙衰減定向。圖34A及圖34B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖34C及圖34D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖。
圖35至圖36分別繪示在下拉程序及加壓程序中所形成之反射偏振器樣本的通過軸變異。角度偏移經依10之因數來按比例調整(例如，經定形狀之膜中，顯現自垂直10度的線經定向為自垂直1度)，使得變異係清晰可見。
圖37A係依據藉由加壓程序(Pres)及下拉程序(PD)所形成之樣本的區域的圓柱徑向坐標R(例如，參見圖1)而變動的所形成反射偏振器樣本之一區域中的平均雙衰減定向(以度為單位)之標繪圖。圖37B係依據圓柱徑向坐標R而變動之在該區域中雙衰減定向(以度為單位)相對於在反射偏振器樣本之中心處之雙衰減定向的最大變異(最大值減去最小值)的標繪圖。
在圖38A至圖38D展示在下拉程序中所形成的反射偏振器樣本的通過軸透射(Tmax)。圖38A及圖38B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖38C及圖38D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖。該等標繪圖展示Tmax乘以100，使得數字表示百分比。
在圖39A至圖39D展示在加壓程序中所形成的反射偏振器膜的通過軸透射(Tmax)。圖39A及圖39B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖39C及圖39D分別係第二形成樣本的輪廓 圖及三維表面圖。該等標繪圖展示Tmax乘以100，使得數字表示百分比。
圖40A係依據藉由加壓程序(Pres)及下拉程序(PD)所形成之樣本的區域的圓柱徑向坐標R(例如，參見圖1)而變動的在所形成反射偏振器樣本之一區域中的平均Tmax(乘100%)的標繪圖。圖40B係依據圓柱徑向坐標R而變動的該區域中之Tmax之最大變異(最大Tmax百分比減去最小Tmax百分比)的標繪圖。
在圖41A至圖41D展示在下拉程序中所形成的反射偏振器樣本的阻斷軸透射(Tmin)。圖41A及圖41B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖41C及圖41D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖。該等標繪圖展示Tmin乘以100，使得數字表示百分比。來自Axometrics偏光計的Tmin測量低於儀器所記述的雜訊底(noise floor)。然而，據信標繪圖中所展示的Tmin之相對變異主要係由於反射偏振器樣本的性質，而不是測量誤差。
在圖42A至圖42D展示在加壓程序中所形成的反射偏振器膜的阻斷軸透射(Tmin)。圖42A及圖42B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖42C及圖42D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖。該等標繪圖展示Tmin乘以100，使得數字表示百分比。
圖43A係依據藉由加壓程序(Pres)及下拉程序(PD)所形成之樣本的區域的圓柱徑向坐標R(例如，參見圖1)而變動之在所形成反射偏振器樣本之一區域中的平均Tmin(乘100%)的標繪圖。 圖43B係依據圓柱徑向坐標R而變動的該區域中之Tmin之最大變異(最大Tmin百分比減去最小Tmin百分比)的標繪圖。
在圖44A至圖44D展示在下拉程序中所形成的反射偏振器樣本的線性雙衰減。圖44A及圖44B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖44C及圖44D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖。該等標繪圖展示線性雙衰減乘以100。
在圖45A至圖45D展示在加壓程序中所形成的反射偏振器膜的線性雙衰減。圖45A及圖45B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖45C及圖45D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖。該等標繪圖展示線性雙衰減乘以100。
圖46A係依據藉由加壓程序(Pres)及下拉程序(PD)所形成之樣本的區域的圓柱徑向坐標R(例如，參見圖1)而變動的在所形成反射偏振器樣本之一區域中的平均線性雙衰減的標繪圖。圖46B係依據圓柱徑向坐標R而變動的該區域中之線性雙衰減之最大變異(最大值減去最小值)的標繪圖。
在圖47A至圖47D展示在下拉程序中所形成的反射偏振器樣本的圓雙衰減。圖47A及圖47B分別係第一形成樣本的輪廓圖及三維表面圖，且圖47C及圖47D分別係第二形成樣本的輪廓圖及三維表面圖。該等標繪圖繪示圓雙衰減乘以100。
在圖48A至圖48B展示在下拉程序中所形成的反射偏振器樣本的圓雙衰減。圖48A係第一形成樣本的三維表面圖，且圖 48B係第二形成樣本的三維表面圖。該等標繪圖繪示圓雙衰減乘以100。
圖49A係依據藉由加壓程序(Pres)及下拉程序(PD)所形成之樣本的區域的圓柱徑向坐標R(例如，參見圖1)而變動的在所形成反射偏振器樣本之一區域中的平均圓雙衰減的標繪圖。圖49B係依據圓柱徑向坐標R而變動的該區域中之圓雙衰減之最大變異(最大值減去最小值)的標繪圖。
除非另有所指，對圖式中元件之描述應理解成同樣適用於其他圖式中相對應的元件。雖在本文中是以具體實施例進行說明及描述，但所屬技術領域中具有通常知識者將瞭解可以各種替代及/或均等實施方案來替換所示及所描述的具體實施例，而不偏離本揭露的範疇。本申請案意欲涵括本文所討論之特定具體實施例的任何調適形式或變化形式。因此，本揭露意圖僅受限於申請專利範圍及其均等者。
10‧‧‧部位
20‧‧‧阻斷偏振狀態
30‧‧‧通過偏振狀態
50‧‧‧部位
51‧‧‧部位
52‧‧‧部位
53‧‧‧部位
55‧‧‧部位
60‧‧‧邊緣
61‧‧‧邊緣
62‧‧‧邊緣
63‧‧‧邊緣
500‧‧‧反射偏振器
505‧‧‧中心/中心部位
520‧‧‧第一方向
530‧‧‧第二方向

Claims (21)

  1. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長之法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該反射偏振器之一厚度在該反射偏振器之一中心處大於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該反射偏振器之該厚度從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地減小，其中對於具有該預定波長且沿平行於在該反射偏振器之該中心法向且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於該阻斷偏振狀態的小於5%之最小透射率，且其中對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸以及在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與第三軸之間的角度係45度，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第一邊緣之間沿該第一軸的一第一部位處係T1；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第二邊緣之間沿該第二軸的一第二部位處係T2；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第三邊緣之間沿該第三軸的一第三部位處係T3；且在介於該反射偏振器之該中心部位與一第四邊緣之間沿該第四軸的一第四部位處係T4，其中T1及T2之最大值小於T3及T4之最小值。
  2. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長之法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該反射偏振器之一厚度在該反射偏振器之一中心處小於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該反射偏振器之該厚度從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加，其中對於具有該預定波長且沿平行於在該反射偏振器之該中心法向且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於該通過偏振狀態大於70%之第二最大透射率，且其中對於在該反射偏振器之一中心處彼此相交的正交第一軸及第二軸，對於該通過偏振狀態的該反射偏振器之該第二最大透射率：在該中心處係Tc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係T1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係T2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係T3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係T4；其中Tc大於T1及T2之最大值且小於T3及T4之最小值。
  3. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至 少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有在一第一反射頻帶中之一預定波長的法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率、以及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該第一反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之一中心處大於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地減小，其中對於具有該預定波長且沿平行於在該反射偏振器之該中心法向且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於該阻斷偏振狀態的小於5%之第二最小透射率，且其中對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸以及在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與第三軸之間的角度係45度，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該第二最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第一邊緣之間沿該第一軸的一第一部位處係T1；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第二邊緣之間沿該第二軸的一第二部位處係T2；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第三邊緣之間沿該第三軸的一第三部位處係T3；且在介於該反射偏振器之該中心部位與一第四邊緣之間沿該第四軸的一第四部位處係T4， 其中T1及T2之最大值小於T3及T4之最小值。
  4. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有在一第一反射頻帶中之一預定波長的法向入射光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率、以及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，其中該第一反射頻帶具有一長波長頻帶邊緣，該長波長頻帶邊緣在該反射偏振器之一中心處小於在至少一邊緣部位處至少5%，且其中該反射偏振器之該長波長頻帶邊緣從該反射偏振器之該中心至該至少一邊緣部位實質上單調地增加，其中對於具有該預定波長且沿平行於在該反射偏振器之該中心法向且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於該通過偏振狀態大於70%之第二最大透射率，且其中對於在該反射偏振器之一中心處彼此相交的正交第一軸及第二軸，對於該通過偏振狀態的該反射偏振器之該第二最大透射率：在該中心處係Tc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係T1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係T2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係T3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係T4； 其中Tc大於T1及T2之最大值且小於T3及T4之最小值。
  5. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，其中對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，使得對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸以及在該反射偏振器之該中心部位處彼此相交的正交第三軸及第四軸，介於該第一軸與第三軸之間的一角度係約45度，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率：在介於該反射偏振器之該中心部位與一第一邊緣之間沿該第一軸的一第一部位處係T1；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第二邊緣之間沿該第二軸的一第二部位處係T2；在介於該反射偏振器之該中心部位與一第三邊緣之間沿該第三軸的一第三部位處係T3；且在介於該反射偏振器之該中心部位與一第四邊緣之間沿該第四軸的一第四部位處係T4，其中T1及T2之一最大值小於T3及T4之一最小值。
  6. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過 該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，其中對於延伸於該反射偏振器之不同第一邊緣與第二邊緣之間、具有該反射偏振器之一最大橫向尺寸之至少3%之一最小寬度、且界定該反射偏振器之不相連第二部分及第三部分的該反射偏振器之連續的一第一部分，對於該阻斷偏振狀態的該反射偏振器之該最小透射率在該第一部分之至少70%中之各部位處高於在該第二部分之至少70%中之各部位處及在該第三部分之至少70%中之各部位處。
  7. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，使得自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有在約0.001至約0.005之一範圍內的該阻斷偏振狀態之該最小透射率之一最大變異，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，且R在Rm的0.4至0.7倍之一範圍內。
  8. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最 大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率，使得對於至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差至少3.8%，該至少一第一部位及第二部位靠近該反射偏振器之一邊緣，該至少一第一部位及該至少一第二部位在該中心部位處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
  9. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約0.7之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約0.7之一最大透射率，使得對於至少一第一部位及第二部位的該通過偏振狀態之該等最大透射率彼此相差至少3.8%，該至少一第一部位靠近該中心部位且該至少一第二部位靠近該反射偏振器之一邊緣。
  10. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、及對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率，使得在平面圖中，在實質上居中於該中心的一實質矩形區域中之至少70%部位之各者處的該通過偏振狀態之該最大透射率係在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率的1.5%內，且在該實質矩形區域外的該反射偏振器之至少大部分部位的該通過偏振狀態之該最大透射率小於在該反射偏振器之該中心處的該通過偏振狀態之該最大透射率至少1.5%。
  11. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及對於該阻斷偏振狀態之一最小透射率，此對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸，對於該通過偏振狀態的該反射偏振器之該最大透射率：在該中心部位處係Tc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係T1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係T2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係T3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係T4；其中Tc大於T1及T2之一最大值且小於T3及T4之一最小值。
  12. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，其中對於具有一預定波長且沿平行於在一中心部位處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之 一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之一中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的一阻斷偏振狀態順時針旋轉，且至少一第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係從該反射偏振器之該中心處的該阻斷偏振狀態逆時針旋轉，該至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
  13. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位之一阻斷偏振狀態係相對於彼此旋轉大於2度，該至少一第一邊緣部位及第二邊緣部位在該反射偏振器之該中心處對向從約70度至約110度之一範圍內的一角度。
  14. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小 於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域具有的該阻斷偏振狀態之一最大變異係：對於R小於R1，該最大變異小於約1度；且對於R大於R2，該最大變異大於約2度，其中該反射偏振器具有自該光軸之一最大半徑Rm，R1係至少0.4Rm，R2大於R1且不大於0.95Rm。
  15. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個交替聚合干涉層，各聚合干涉層主要藉由光學干涉來反射或透射光，在該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率、對於正交的一通過偏振狀態的大於約70%之一最大透射率、及一圓雙衰減(circular diattenuation)，此對於在該反射偏振器之一中心部位處彼此相交的正交第一軸及第二軸，該反射偏振器之該圓雙衰減：在該中心部位處係CDc；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之一第一邊緣的一第一邊緣部位處係CD1；在沿該第一軸靠近該反射偏振器之與該第一邊緣相對之一第二邊緣的一第二邊緣部位處係CD2；在沿該第二軸靠近該反射偏振器之一第三邊緣的一第三邊緣部位處係CD3；且在沿該第二軸靠近該反射偏振器之與該第三邊緣相對之一第四邊緣的一第四邊緣部位處係CD4； 其中CDc小於CD3及CD4之一最小值且大於CD1及CD1之一最大值。
  16. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有小於或等於該反射偏振器之一總面積的一面積的該反射偏振器之一區域具有至少0.04的一圓雙衰減之一最大變異。
  17. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有大於該反射偏振器之一總面積之一半的一面積的該反射偏振器之一區域具有不大於0.015的一圓雙衰減之一最大變異。
  18. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長 且沿平行於在該反射偏振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得具有大於該反射偏振器之一總面積之一半的一面積的該反射偏振器之一區域具有不大於0.007的一圓雙衰減之一最大絕對值。
  19. 一種將包含複數個交替聚合層之一光學膜定形狀之方法，該方法包含以下步驟：將該光學膜之一周緣之至少部分緊固在一第一平面中，使得經緊固之該等部分不相對於彼此移動；及藉由將該光學膜之一部分沿垂直於該第一平面之至少一第一方向位移來拉伸該光學膜，使得該光學膜之一徑向及周向拉伸之一者從該光學膜之一中心至該周緣係實質恆定，且該光學膜之該徑向及周向拉伸之另一者實質上從該光學膜之該中心至該周緣變化。
  20. 一種將包含複數個交替聚合層之一光學膜定形狀之方法，該方法包含以下步驟：設置該光學膜使得該光學膜之至少一第一部分係實質設置在相鄰於一彎曲模具表面的一第一平面中；及拉伸該光學膜以使該光學膜之該第一部分適形於該彎曲模具表面之至少一部分，使得在該拉伸步驟之前，該第一部分中之各點具有在該彎曲表面上於一錐體內的一部位，該錐體具有在該第一平面中之該點的一部位處之一頂點，該錐體沿垂直於該第一平面之一軸居中且具有不大於10度之一錐角。
  21. 一種彎曲反射偏振器，其包含複數個聚合層，該複數個聚合層沿至少正交的第一方向及第二方向而拉伸及定形狀，使得該彎曲反射偏振器上之至少一部位具有沿該第一方向及該第二方向之各者在從約6 mm至約1000mm之一範圍內的一曲率半徑，對於具有一預定波長且沿平行於在該反射偏振器之一中心處法向於且通過該反射偏振器的一光軸的一方向入射在該反射偏振器上的光，該反射偏振器上之各部位具有對於一阻斷偏振狀態的大於約70%之一最大反射率及小於約5%之一對應最小透射率，使得至在該反射偏振器之該中心處與該反射偏振器正切的一平面上之一投影中，自該光軸之一半徑R內的該反射偏振器之一區域對於R小於0.8Rm具有小於約1度的該阻斷偏振狀態之一最大變異。
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