TWI801344B - 具有薄膜階梯被覆性之塗覆膜、具備該膜之構造基體 - Google Patents

Abstract

提供一種構造基體及其之製造方法，該構造基體具備具有優異活體物質之附著抑制能力，且不對光學測量等造成影響，均勻且薄之塗覆膜。 　　其係在至少一部分之表面具備最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下之塗覆膜之構造基體及其之製造方法。上述塗覆膜包含包含含有下述式（a）所示之基之重複單位，與含有下述式（b）所示之基之重複單位之共聚物。

（式中，U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 、U^b3 及An^- 係如說明書或申請專利範圍之記載所示。）

Description

具有薄膜階梯被覆性之塗覆膜、具備該膜之構造基體

[0001] 本發明係關於在至少一部分之表面具備最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下之塗覆膜（coating film）之構造基體、及其之製造方法。

[0002] 對由各種材料所構成之構造基體賦予塗覆膜，使其表面之性質因應目的而進行改質之塗覆技術係在藉由各種塗覆劑之開發，來逐漸擴大其之用途。例如，在從電子材料用途到醫療用材料用途上已開發・市售即使係對於具有複雜形狀之構造基體，仍可賦予沿著其之表面形狀進行塗覆之共形塗覆劑。 　　[0003] 例如，由以2：3之比例配置有6、24、96、384等之多數凹陷（洞或孔（well）；容量：數μL~數mL）之平面基板所構成之實驗・檢査器具，即微孔板（microwell plate）係在醫療領域中所使用之典型構造基體。通常基板係從樹脂來作成，且設置於該基板之各孔係利用作為試管或培養皿，且使用於有機反應、生物化學分析或臨床檢査等。於此之際，因應基板材料之性質或孔之目的，亦可對基板或各孔之內表面施加塗覆膜。 　　[0004] 已提出有為了緩和在化學反應及生物分析中與使用光纖面板有關之問題（例如，在近接之反應室間內之光流失及物理干涉等）用之具備基板之陣列（array），且前述基板係為具有具備複數反應室之表面與前述表面上之薄膜塗覆（thin film coating）之光纖面板，該薄膜為厚度0.1~5.0微米且對水為非浸透性之陣列，例如，作為薄膜塗覆之例，可舉出如二氧化矽（例如，參照專利文獻1）。又作為細胞培養用之擔體之表面修飾，已提出有賦予可從熱應答性聚合物、pH應答性聚合物或該組合所製作之塗覆，例如，作為pH應答性聚合物之例，可舉出如丙烯酸、二甲基胺基乙基丙烯酸酯及羥基乙基丙烯酸酯之共聚物（例如，參照專利文獻2）。 　　[0005] 並且，本發明者等著眼於作為具有各種活體物質之附著抑制能力之塗覆材料而受到期待之具有磷酸酯基之聚合物，並重複進行檢討。其結果提出，由於表面之至少一部分受到包含特定之陰離子性基與陽離子性基之共聚物所塗覆之細胞培養容器，可抑制細胞之對容器表面（內部表面）之附著，且塗覆可強韌地固定於容器表面，故能有用作為塗覆（coating）對培養液之析出或放射線耐性受到改善之細胞培養容器（例如，參照專利文獻3）。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］ 　　[0006] 　　［專利文獻1］日本特表2008-537679號公報 　　［專利文獻2］日本特表2014-501099號公報 　　［專利文獻3］國際公開第2014／0196652號公報

［發明欲解決之課題］ 　　[0007] 可與生物試料接觸之構造基體會在基體表面產生由源自生物試料之細胞或蛋白質所造成之接著，而導致有堵塞或分析精度或感度降低之問題。為了解決此問題，已嘗試使用具有活體物質附著抑制能力之塗覆劑來塗覆構造基體，但如存在有數μL~數mL容量之多數之孔之微孔板之具有複雜且微細構造之基體會在各孔之邊緣部分或底面產生塗覆劑之淤積，而有無法取得均勻厚度之塗覆膜之問題。又，在使用微盤分析儀（microplate reader）等之光學測量之際，塗覆膜厚若超出測量波長時，則會有對光學測量造成影響等之問題。 　　[0008] 因此，本發明之目的在於提供一種具備具有優異活體物質之附著抑制能力，且不對光學測量等造成影響，均勻且薄之塗覆膜之構造基體及其之製造方法。 ［用以解決課題之手段］ 　　[0009] 本發明者等發現具有活體物質之附著抑制能力之聚合物，尤其係包含特定之陰離子構造與特定之陽離子構造之共聚物在極簡便之操作下，即可在構造基體之表面形成最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下，較佳為300Å以下之塗覆膜，且藉此操作所得之塗覆膜具有優異活體物質之附著抑制能力，且不對光學測量等造成影響，進而完成了本發明。 　　本發明係如以下所示。 　　[0010] ［1］一種構造基體，其係在至少一部分之表面具備最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下之塗覆膜， 　　上述塗覆膜包含共聚物，該共聚物包含含有下述式（a）所示之基之重複單位，與含有下述式（b）所示之基之重複單位；

（式中，U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子（isothiocyanate ion）所成群之陰離子）。 　　[0011] ［2］如［1］之構造基體，其中上述共聚物包含下述式（a1）及（b1）所示之重複單位；

［式中， T^a 及T^b 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； Q^a 及Q^b 係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵； R^a 及R^b 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基； U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子； m表示0至6之整數］。 　　[0012] ［3］如［1］或［2］之構造基體，其中上述共聚物係藉由使包含下述式（A）及（B）所示之化合物之單體混合物進行聚合而得者；

［式中， T^a 、T^b 、U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； Q^a 及Q^b 係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵； R^a 及R^b 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基； An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子； m表示0至6之整數］。 　　[0013] ［4］如上述［3］之構造基體，其中上述共聚物係藉由使更包含下述式（D）或（E）所示之化合物之單體混合物進行聚合而得者；

［式中， T^d 、T^e 及U^e 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； R^d 及R^e 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基；n表示1至6之整數］。 　　[0014] ［5］如［1］~［4］中任一項之構造基體，其中上述構造基體包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為0＜θ＜180°之構造部分。 　　[0015] ［6］如［1］~［5］中任一項之構造基體，其中塗覆膜為活體物質附著抑制塗覆膜。 　　[0016] ［7］如［1］~［6］中任一項之構造基體，其中構造基體為細胞培養容器及／或光學測量用基體。 　　[0017] ［8］如［1］~［7］中任一項之構造基體，其中構造基體表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為80~180°。 　　[0018] ［9］一種［1］之構造基體之製造方法，其係包含：以單一步驟對構造基體塗佈塗覆劑，而在該構造基體之至少一部分之表面形成最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下之塗覆膜之步驟； 　　上述塗覆劑包含共聚物，該共聚物包含含有下述式（a）所示之基之重複單位，與含有下述式（b）所示之基之重複單位；

（式中，U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子）。 　　[0019] ［10］如［9］之製造方法，其中上述共聚物包含下述式（a1）及（b1）所示之重複單位；

［式中， T^a 及T^b 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； Q^a 及Q^b 係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵； R^a 及R^b 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基； U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子； m表示0至6之整數］。 　　[0020] ［11］如［9］或［10］之製造方法，其中上述共聚物係藉由使包含下述式（A）及（B）所示之化合物之單體混合物進行聚合而得者；

［式中， T^a 、T^b 、U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； Q^a 及Q^b 係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵； R^a 及R^b 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基； An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子； m表示0至6之整數］。 　　[0021] ［12］如上述［11］之構造基體之製造方法，其中上述共聚物係藉由使更包含下述式（D）或（E）所示之化合物之單體混合物進行聚合而得者；

［式中， T^d 、T^e 及U^e 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； R^d 及R^e 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基；n表示1至6之整數］。 　　[0022] ［13］如［9］~［12］中任一項之製造方法，其中上述構造基體包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為0＜θ＜180°之構造部分。 　　[0023] ［14］如［9］~［13］中任一項之製造方法，其中塗覆膜為活體物質附著抑制塗覆膜。 　　[0024] ［15］如［9］~［14］中任一項之製造方法，其中構造基體表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為80~180°。 　　[0025] ［16］一種方法，其係對構造基體上之至少一部分之表面，僅以塗佈及乾燥步驟而賦予塗覆膜，且該塗覆膜之最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下。 　　[0026] ［17］如［16］之方法，其中構造基體表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為80~180°。 　　[0027] ［18］如［1］~［7］中任一項之構造基體，其中構造基體所具備之塗覆膜表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為130~180°。 　　[0028] ［19］如［9］~［14］中任一項之製造方法，其中構造基體所備具之塗覆膜表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為130~180°。 　　[0029] ［20］如［16］之方法，其中構造基體所具備之塗覆膜表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為130~180°。 ［發明之效果］ 　　[0030] 本發明之構造基體係在其之至少一部分之表面上，以最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下，較佳為300Å以下之方式，具備包含具有活體物質附著抑制能力之聚合物，尤其係包含特定之陰離子構造與特定之陽離子構造之共聚物之塗覆膜。塗覆膜具有優異活體物質之附著抑制能力。又，能以簡便之操作對玻璃、含金屬化合物或含半金屬化合物、活性碳或樹脂等之各種材料賦予塗覆膜。又，根據情況，藉由對前述共聚物導入疎水性基，可賦予與塑料等之樹脂之密著性良好，且固定後對水系溶劑之耐久性更加優異之塗覆膜。 　　並且，本發明之構造基體即使係包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為0＜θ＜180°之構造部分者，仍可具備在該構造部分之邊緣部分或底面上塗覆劑不會淤積，且在邊緣部分或底面之厚度不會顯著增加，最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下，較佳為300Å以下之均勻之共形塗覆膜。因此，塗覆膜為具有活體物質附著抑制能力之塗覆膜之情況，例如在包含包含含有上述式（a）所示之基之重複單位，與含有上述式（b）所示之基之重複單位之共聚物的情況，構造基體可為在不希望活體物質附著之用途上所使用之構造基體，例如細胞培養容器，尤其係微孔板。且，具備最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下，較佳為300Å以下之均勻之共形塗覆膜之微孔板由於不僅具有充分活體物質附著抑制能力，且膜厚在一般微盤分析儀之測量波長（例如，340~850nm）以下，故在不對光學測量造成影響之面上亦為有用。

[0032] ≪用語說明≫ 　　本發明中使用之用語在未特別界定時，具有以下之定義。 　　[0033] 本發明中，「鹵素原子」意指氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。 　　[0034] 本發明中，「烷基」意指直鏈或分枝之飽和脂肪族烴之1價基。作為「碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」，可舉出例如，甲基、乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、s-丁基、t-丁基、n-戊基、1-甲基丁基、2-甲基丁基、3-甲基丁基、1,1-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、2,2-二甲基丙基或1-乙基丙基。作為「碳原子數1至18之直鏈或分枝烷基」，除可舉出上述碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基之例，尚可舉出如己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、十六基、十七基或十八基、或該等之異構物。作為「碳原子數1至10之直鏈或分枝烷基」，同樣除可舉出「碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」之例，尚可舉出如己基、庚基、辛基、壬基、癸基、或該等之異構物。 　　[0035] 本發明中，「可經鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」意指上述碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，或被1個以上之上述鹵素原子取代之上述碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基。「碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」之例係如以上所述。另一方面，「經1個以上之鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」係意指上述碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基之1個以上之任意之氫原子被鹵素原子取代者，作為其例，可舉出如氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氯甲基、二氯甲基、三氯甲基、溴甲基、碘甲基、2,2,2-三氟乙基、2,2,2-三氯乙基、全氟乙基、全氟丁基、或全氟戊基等。 　　[0036] 本發明中，「酯鍵」意指-C(=O)-O-或-O-C(=O)-，「醯胺鍵」意指-NHC(=O)-或-C(=O)NH-，「醚鍵」意指-O-。 　　[0037] 本發明中，「可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基」係意指碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基，或被1個以上之鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基。在此，「伸烷基」意指對應上述烷基之2價有機基。作為「碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基」之例，可舉出如亞甲基、伸乙基、伸丙基、三亞甲基、四亞甲基、1-甲基伸丙基、2-甲基伸丙基、二甲基伸乙基、乙基伸乙基、五亞甲基、1-甲基-四亞甲基、2-甲基-四亞甲基、1,1-二甲基-三亞甲基、1,2-二甲基-三亞甲基、2,2-二甲基-三亞甲基、1-乙基-三亞甲基、六亞甲基、八亞甲基及十亞甲基等，此等之中係以伸乙基、伸丙基、八亞甲基及十亞甲基為佳，以例如伸乙基、伸丙基、三亞甲基、四亞甲基等之碳原子數1至5之直鏈或分枝伸烷基為較佳，特別以伸乙基或伸丙基為佳。「經1個以上之鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基」係意指上述伸烷基之1個以上之任意之氫原子被鹵素原子取代者，特別係以伸乙基或伸丙基之氫原子之一部分或全部被鹵素原子取代者為佳。 　　[0038] 本發明中，「碳原子數3至10之環式烴基」意指碳原子數3至10之單環式或多環式之飽和或部分不飽和之脂肪族烴之1價基。其中係以碳原子數3至10之單環式或二環式之飽和脂肪族烴之1價基為佳，可舉出例如，環丙基、環丁基或環己基等之碳原子數3至10之環烷基，或雙環［3.2.1］辛基、莰基、異莰基等之碳原子數4至10之雙環烷基。 　　[0039] 本發明中，「碳原子數6至10之芳基」意指碳原子數6至10之單環式或多環式之芳香族烴之1價基，可舉出例如，苯基、萘基或蒽基等。「碳原子數6至10之芳基」可經1個以上之上述「可經鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」取代。 　　[0040] 本發明中，「碳原子數7至15之芳烷基」意指基-R-R’（在此，R表示上述「碳原子數1至5之伸烷基」，R’表示上述「碳原子數6至10之芳基」），可舉出例如，苄基、苯乙基、或α-甲基苄基等。「碳原子數7至15之芳烷基」之芳基部分係可經1個以上之上述「可經鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」取代。 　　[0041] 本發明中，「碳原子數7至15之芳氧基烷基」意指基-R-O-R’（在此，R表示上述「碳原子數1至5之伸烷基」，R’表示上述「碳原子數6至10之芳基」），可舉出例如，苯氧基甲基、苯氧基乙基、或苯氧基丙基等。「碳原子數7至15之芳氧基烷基」之芳基部分係可經1個以上之上述「可經鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基」取代。 　　[0042] 本發明中，「鹵化物離子」意指氟化物離子、氯化物離子、溴化物離子或碘化物離子。 　　本發明中，「無機酸離子」意指碳酸離子、硫酸離子、磷酸離子、磷酸氫離子、磷酸二氫離子、硝酸離子、過氯酸離子或硼酸離子。 　　作為上述An^- 之較佳者為鹵化物離子、硫酸離子、磷酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子，特佳者為鹵化物離子。 　　[0043] 本發明中，（甲基）丙烯酸酯化合物意指丙烯酸酯化合物與甲基丙烯酸酯化合物之雙方。例如（甲基）丙烯酸意指丙烯酸與甲基丙烯酸。 　　[0044] 本發明中，作為活體物質，可舉出如蛋白質、糖、核酸及細胞或該等之組合。例如作為蛋白質，可舉出如血纖維蛋白原、牛血清白蛋白（BSA）、人血清白蛋白、各種球蛋白、β-脂蛋白質、各種抗體（IgG、IgA、IgM）、過氧化物酶、各種補體、各種凝集素、纖連蛋白（fibronectin）、溶菌酶、溫韋伯氏因子（vWF）、血清γ-球蛋白、胃蛋白酶、卵清白蛋白、胰島素、組織蛋白、核糖核酸酶、膠原蛋白、細胞色素c，例如作為糖，可舉出如葡萄糖、半乳糖、甘露糖、果糖、肝素、玻尿酸，例如作為核酸，可舉出如去氧核醣核酸（DNA）、核糖核酸（RNA），例如作為細胞，可舉出如纖維母細胞、骨髄細胞、B淋巴球、T淋巴球、嗜中性球、紅血球、血小板、巨噬細胞、單核球、骨細胞、骨髄細胞、外被細胞、樹枝狀細胞、角質細胞、脂肪細胞、間葉細胞、上皮細胞、表皮細胞、內皮細胞、血管內皮細胞、肝實質細胞、軟骨細胞、卵丘細胞、神經系細胞、神經膠質細胞、神經元、寡樹突細胞（oligodendrocyte）、小神經膠質細胞、星狀膠細胞、心臓細胞、食道細胞、肌肉細胞（例如，平滑肌細胞或骨架肌細胞）、胰臟β細胞、黑素細胞、造血前驅細胞、單核細胞、胚胎幹細胞（ES細胞）、胚胎腫瘤細胞、胚胎生殖幹細胞、人工多能性幹細胞（iPS細胞）、神經幹細胞、造血幹細胞、間葉系幹細胞、肝幹細胞、胰腺幹細胞、肌肉幹細胞、生殖幹細胞、腸幹細胞、癌幹細胞、毛囊幹細胞、巨核細胞、源自CD34陽性脊髓之巨核細胞及各種細胞株（例如，HCT116、Huh7、HEK293（人胎腎細胞）、HeLa（人子宮頸癌細胞株）、HepG2（人肝癌細胞株）、UT7／TPO（人白血病細胞株）、CHO（中國倉鼠卵巢細胞株）、MDCK、MDBK、BHK、C-33A、HT-29、AE-1、3D9、Ns0／1、Jurkat、NIH3T3、PC12、S2、Sf9、Sf21、High Five、Vero）等，本發明之塗覆膜特別係對於細胞及蛋白質具有高附著抑制能力。 　　[0045] ≪本發明之說明≫ 　　本發明之構造基體只要係在至少一部分之表面具備至少1500Å以下，較佳為10~1300Å，更佳為10~1100Å，較更佳為10~1000Å，特佳為10~500Å，最佳為10~300Å之膜厚之塗覆膜者，即無特別限制，以具備該構造基體之全表面積之10%以上為佳，以20%以上為較佳，以30%以上為更佳，以40%以上為特佳，以50%以上為最佳。例如，在為平板狀之構造基體時，以具備一側之單面之全表面積之10%以上為佳，以30%以上為較佳，以50%以上為更佳，以80%以上為最佳。 　　所具備之塗覆膜之最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下，以500Å以下為佳，較佳為400Å以下，更佳為300Å以下。塗覆膜係以包含具有活體物質之附著抑制能力之聚合物之活體物質附著抑制塗覆膜為佳。 　　[0046] 具有活體物質之附著抑制能力係意指，例如活體物質為纖維母細胞之情況，以實施例記載之方法實施之與無塗覆膜比較時之由吸光度計所得之相對吸光度（WST O.D.450nm）（%）（（實施例之吸光度（WST O.D.450nm））／（比較例之吸光度（WST O.D.450nm）））為9%以下，以6%以下為佳，更佳為3%以下。 　　具有活體物質之附著抑制能力係意指，例如活體物質為蛋白質之情況，以實施例記載之方法實施與無塗覆膜比較時之TMB溶液之相對光學濃度（450nm）（%）（（實施例之光學濃度（450nm））／（比較例之光學濃度（450nm））為40%以下，以30%以下為佳，較佳為20%以下，更佳為10%以下，較更佳為5%以下。 　　[0047] 本說明書中，作為具有活體物質之附著抑制能力之聚合物之例，可舉出如乙烯性不飽和單體之聚合物、或多糖類若或其衍生物。作為乙烯性不飽和單體之聚合物之例，可舉出如選自由（甲基）丙烯酸及其酯；乙酸乙烯酯；乙烯吡咯啶酮；伸乙基；乙烯基醇；以及該等之親水性之官能性衍生物所成群之1種或2種以上之乙烯性不飽和單體之聚合物。作為多糖類或其衍生物之例，可舉出如羥基烷基纖維素（例如，羥基乙基纖維素或羥基丙基纖維素）等之纖維素系高分子、澱粉、葡聚醣、卡德蘭。 　　[0048] 作為親水性之官能性衍生物之親水性官能性基之例，可舉出如磷酸、膦酸及該等之酯構造；甜菜鹼構造；醯胺構造；伸烷二醇殘基；胺基；以及亞磺醯基等。 　　[0049] 在此，磷酸及其之酯構造意指下述式所示之基

［在此，R¹¹ 、R¹² 及R¹³ 係互相獨立為氫原子或有機基（例如，碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基等）］， 　　膦酸及其之酯構造意指下述式所示之基

［在此，R¹⁴ 及R¹⁵ 係互相獨立為氫原子或有機基（例如，碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基等）］。 　　作為具有此種構造之乙烯性不飽和單體之例，可舉出如酸式磷醯氧基乙基（甲基）丙烯酸酯（acid phosphoxy ethyl methacrylate）、乙烯膦酸等。 　　[0050] 甜菜鹼構造意指具有第4級銨型陽離子構造，與酸性陰離子構造之兩性中心之化合物之一價或二價基，可舉出例如磷酸膽鹼基：

。作為具有此種構造之乙烯性不飽和單體之例，可舉出如2-甲基丙烯醯氧基乙基磷酸膽鹼（MPC）等。 　　[0051] 醯胺構造意指下述式所示之基

［在此，R¹⁶ 、R¹⁷ 及R¹⁸ 係互相獨立為氫原子或有機基（例如，甲基、羥基甲基或羥基乙基等）］。 　　作為具有此種構造之乙烯性不飽和單體之例，可舉出如（甲基）丙烯醯胺、N-（羥基甲基）（甲基）丙烯醯胺等。並且，具有此種構造之單體或聚合物係已揭示在例如日本特開2010-169604號公報等。 　　[0052] 伸烷二醇殘基係意指、伸烷二醇（HO-Alk-OH；在此Alk為碳原子數1至10之伸烷基）之單側末端或兩末端之羥基與其他化合物縮合反應後殘留之伸烷氧基（-Alk-O-），亦包括重複有伸烷氧基單位之聚（伸烷氧）基。作為具有此種構造之乙烯性不飽和單體之例，可舉出如2-羥基乙基（甲基）丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯等。並且，具有此種構造之單體或聚合物係已揭示在例如日本特開2008-533489號公報等。 　　[0053] 胺基係意指式：-NH₂ 、-NHR¹⁹ 或-NR²⁰ R²¹ ［在此，R¹⁹ 、R²⁰ 及R²¹ 係互相獨立為有機基（例如，碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基等）］所示之基。本說明書中之胺基係包括4級化或經氯化之胺基。作為具有此種構造之乙烯性不飽和單體之例，可舉出如二甲基胺基乙基（甲基）丙烯酸酯、2-（t-丁基胺基）乙基（甲基）丙烯酸酯、氯化甲基丙烯醯基膽鹼等。 　　[0054] 亞磺醯基係意指下述式所示之基

［在此，R²² 為有機基（例如，碳原子數1至10之有機基，較佳係具有1個以上羥基之碳原子數1至10之烷基等）］。 　　作為具有此種構造之聚合物，可舉出如日本特開2014-48278號公報等所揭示之共聚物。 　　[0055] 其中亦以具備塗覆膜之構造基體為佳，該塗覆膜包含包含含有下述式（a）所示之基之重複單位，與含有下述式（b）所示之基之重複單位之共聚物： 　　[0056]

[0057] ［式中，U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子］。 　　[0058] 又前述塗覆膜所包含之共聚物亦可更包含含有下述式（c）所示之基之重複單位；

［式中，R^c 表示碳原子數1至18之直鏈或分枝烷基、碳原子數3至10之環式烴基、碳原子數6至10之芳基、碳原子數7至15之芳烷基或碳原子數7至15之芳氧基烷基（在此，前述芳基部分係可受到可經鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基所取代）］。 　　[0059] 前述塗覆膜所含之共聚物只要係為包含含有上述式（a）所示之基之重複單位，與含有上述式（b）所示之基之重複單位，與根據情況之含有上述式（c）所示之基之重複單位之共聚物，即無特別限制。尚且，含有上述式（c）所示之基之重複單位係與含有上述式（a）所示之基之重複單位及含有上述式（b）所示之基之重複單位相異。共聚物係以使含有上述式（a）所示之基之單體，與含有上述式（b）所示之基之單體，及根據情況之含有上述式（c）所示之基之單體進行自由基聚合而得者為理想，但亦可使用縮聚合、加成聚合反應而成者。作為共聚物之例，可舉出如烯烴反應而成之乙烯基聚合聚合物、聚醯胺、聚酯、聚碳酸酯、聚胺基甲酸酯等，此等之中特別係以使烯烴反應而成之乙烯基聚合聚合物或使（甲基）丙烯酸酯化合物聚合而成之（甲基）丙烯酸聚合物為理想。 　　[0060] 共聚物中之含有式（a）所示之基之重複單位之比例為3莫耳%至80莫耳%。尚且，共聚物亦可包含2種以上含有式（a）所示之基之重複單位。 　　[0061] 共聚物中之含有式（b）所示之基之重複單位之比例為3莫耳%至80莫耳%。尚且，共聚物亦可包含2種以上含有式（b）所示之基之重複單位。 　　[0062] 共聚物中之含有式（c）所示之基之重複單位之比例可為相對於全共聚物減去上述式（a）及（b）之剩餘部分，例如為0莫耳%至90莫耳%。尚且，共聚物亦可包含2種以上含有式（c）所示之基之重複單位。 　　[0063] 前述塗覆膜所包含之共聚物之一種實施態樣為包含下述式（a1）及（b1）之重複單位之共聚物。 　　[0064]

[0065] 式中，T^a 及T^b 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，Q^a 及Q^b 係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵，R^a 及R^b 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基，U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子，m表示0至6之整數。 　　[0066] 共聚物可更包含下述式（c1）之重複單位。

[0067] 式中，T^c 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，Q^c 表示單鍵、醚鍵或酯鍵，R^c 表示碳原子數1至18之直鏈或分枝烷基、碳原子數3至10之環式烴基、碳原子數6至10之芳基、碳原子數7至15之芳烷基或碳原子數7至15之芳氧基烷基（在此，前述芳基部分係可受到可經鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基所取代）。 　　[0068] 式（a1）中，m表示0至6之整數，較佳表示1至6之整數，更佳表示1至5之整數，特佳為1。 　　[0069] 共聚物中所包含之式（a1）所示之重複單位之比例為3莫耳%至80莫耳%。尚且，共聚物亦可包含2種以上式（a1）所示之重複單位。 　　[0070] 共聚物所包含之式（b1）所示之重複單位之比例為3莫耳%至80莫耳%。尚且，共聚物亦可包含2種以上式（b1）所示之重複單位。 　　[0071] 本發明之共聚物所包含之式（c1）所示之重複單位之比例可為相對於全共聚物而減去上述式（a1）及式（b1）之剩餘部分，例如0莫耳%至90莫耳%。尚且，本發明之共聚物亦可包含2種以上式（c1）所示之重複單位。 　　[0072] 前述塗覆膜所包含之共聚物之另一實施態樣為藉由使包含下述式（A）及（B）所示之化合物之單體混合物在溶劑中進行反應（聚合）而得之共聚物；

[0073] ［式中， 　　T^a 及T^b 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； 　　Q^a 及Q^b 係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵； 　　R^a 及R^b 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基； 　　U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； 　　An^- 表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子； 　　m表示0至6之整數］。 　　[0074] 共聚物可為由更包含下述式（C）所示之化合物之單體混合物而得之共聚物；

[0075] ［式中， 　　T^c 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基； 　　Q^c 表示單鍵、醚鍵或酯鍵； 　　R^c 表示碳原子數1至18之直鏈或分枝烷基、碳原子數3至10之環式烴基、碳原子數6至10之芳基、碳原子數7至15之芳烷基或碳原子數7至15之芳氧基烷基（在此，前述芳基部分係可受到可經鹵素原子取代之碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基所取代）］。 　　[0076] 作為T^a 、T^b 及T^c ，以氫原子、甲基或乙基為佳，以氫原子或甲基為較佳。作為Q^a 、Q^b 及Q^c ，以單鍵或酯鍵為佳，以酯鍵為較佳。作為R^a 及R^b ，以碳原子數1至5之直鏈或分枝伸烷基為佳，以亞甲基、伸乙基或伸丙基為較佳。作為R^c ，以碳原子數4至18之直鏈或分枝烷基或碳原子數3至10之環烷基為佳，以丁基、戊基、己基或該等之異構物、或環己基為較佳。作為U^a1 、U^a2 、U^b1 、U^b2 及U^b3 ，以氫原子、甲基、乙基或t-丁基為佳，作為式（a）之U^a1 及U^a2 ，以氫原子為較佳，作為式（b）之U^b1 、U^b2 及U^b3 ，以氫原子、甲基、乙基或t-丁基為較佳。 　　[0077] 作為上述式（A）之具體例，可舉出如乙烯膦酸、酸式磷醯氧基乙基（甲基）丙烯酸酯、3-氯-2-酸式磷醯氧基丙基（甲基）丙烯酸酯、酸式磷醯氧基丙基（甲基）丙烯酸酯、酸式磷醯氧基甲基（甲基）丙烯酸酯、酸式磷醯氧基聚氧基乙二醇單（甲基）丙烯酸酯、酸式磷醯氧基聚氧基丙二醇單（甲基）丙烯酸酯等，其中較佳使用乙烯膦酸、酸式磷醯氧基乙基甲基丙烯酸酯（=磷酸2-（甲基丙烯醯氧基）乙基）或酸式磷醯氧基聚氧基乙二醇單甲基丙烯酸酯，最佳為酸式磷醯氧基乙基甲基丙烯酸酯（=磷酸2-（甲基丙烯醯氧基）乙基）。 　　[0078] 乙烯膦酸、酸式磷醯氧基乙基甲基丙烯酸酯（=磷酸2-（甲基丙烯醯氧基）乙基）、酸式磷醯氧基聚氧基乙二醇單甲基丙烯酸酯及酸式磷醯氧基聚氧基丙二醇單甲基丙烯酸酯之構造式係分別如下述式（A-1）~式（A-4）所示。 　　[0079]

[0080] 此等化合物在合成時會有如後述之一般式（D）或（E）所示之包含具有2個官能基之（甲基）丙烯酸酯化合物之情況。 　　[0081] 作為上述式（B）之具體例，可舉出如二甲基胺基乙基（甲基）丙烯酸酯、二乙基胺基乙基（甲基）丙烯酸酯、二甲基胺基丙基（甲基）丙烯酸酯、2-（t-丁基胺基）乙基（甲基）丙烯酸酯、氯化甲基丙烯醯基膽鹼等，其中較佳係使用二甲基胺基乙基（甲基）丙烯酸酯、氯化甲基丙烯醯基膽鹼或2-（t-丁基胺基）乙基（甲基）丙烯酸酯，最佳係使用二甲基胺基乙基（甲基）丙烯酸酯。 　　[0082] 二甲基胺基乙基丙烯酸酯（=丙烯酸2-（二甲基胺基）乙基）、二乙基胺基乙基甲基丙烯酸酯（=甲基丙烯酸2-（二乙基胺基）乙基）、二甲基胺基乙基甲基丙烯酸酯（=甲基丙烯酸2-（二甲基胺基）乙基）、氯化甲基丙烯醯基膽鹼及2-（t-丁基胺基）乙基甲基丙烯酸酯（=甲基丙烯酸2-（t-丁基胺基）乙基）之構造式係分別如下述式（B-1）~式（B-5）所示。 　　[0083]

[0084] 作為上述式（C）之具體例，可舉出如丁基（甲基）丙烯酸酯、2-乙基己基（甲基）丙烯酸酯、月桂基（甲基）丙烯酸酯、硬脂醯基（甲基）丙烯酸酯等之（甲基）丙烯酸之直鏈或分枝烷基酯類；環己基（甲基）丙烯酸酯、異莰基（甲基）丙烯酸酯等之（甲基）丙烯酸之環狀烷基酯類；苄基（甲基）丙烯酸酯、苯乙基（甲基）丙烯酸酯等之（甲基）丙烯酸之芳烷基酯類；苯乙烯、甲基苯乙烯、氯甲基苯乙烯等之苯乙烯系單體；甲基乙烯基醚、丁基乙烯基醚等之乙烯基醚系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等之乙烯基酯系單體。其中較佳係使用丁基（甲基）丙烯酸酯或環己基（甲基）丙烯酸酯。 　　[0085] 丁基甲基丙烯酸酯（=甲基丙烯酸丁酯）及環己基甲基丙烯酸酯（=甲基丙烯酸環己酯）之構造式係分別如下述式（C-1）及式（C-2）所示。 　　[0086]

[0087] 前述塗覆膜所包含之共聚物之另一實施態樣可為使上述式（A）、（B）及依據情況之（C）所示之化合物之外，再加上任意之第4成分進行共聚合而成者。例如，第4成分可為具有2個以上官能基之（甲基）丙烯酸酯化合物進行共聚合，且聚合物之一部分係部分地經3次元交聯。作為此種第4成分，例如可舉出如下述式（D）或（E）所示之2官能性單體； 　　[0088]

[0089] ［式中，T^d 、T^e 及U^e 係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，R^d 及R^e 係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基；n表示1至6之整數］。即本發明之共聚物較佳係包含由此種2官能性單體所衍生之交聯構造者。 　　[0090] 式（D）及（E）中，T^d 及T^e 係以各自獨立為氫原子、甲基或乙基為佳，較佳係各自獨立為氫原子或甲基。 　　[0091] 式（E）中，U^e 係以氫原子、甲基或乙基為佳，較佳為氫原子。 　　[0092] 式（D）中，R^d 係以可經鹵素原子取代之碳原子數1至3之直鏈或分枝伸烷基為佳，較佳係各自獨立為伸乙基或伸丙基，或經1個氯原子取代之伸乙基或伸丙基，特佳為伸乙基或伸丙基。又式（D）中，n較佳表示1至5之整數，特佳為1。 　　[0093] 式（E）中，R^e 係以可經鹵素原子取代之碳原子數1至3之直鏈或分枝伸烷基為佳，較佳係各自獨立為伸乙基或伸丙基，或經1個氯原子取代之伸乙基或伸丙基，特佳為伸乙基或伸丙基。又式（E）中，n較佳表示1至5之整數，特佳為1。 　　[0094] 式（D）所示之2官能性單體較佳可舉出如乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丙二醇二（甲基）丙烯酸酯，或源自上述式（A-3）或（A-4）之2官能性單體等。 　　式（E）所示之2官能性單體較佳可舉出如磷酸雙（甲基丙烯醯氧基甲基）、磷酸雙［（2-甲基丙烯醯氧基）乙基］、磷酸雙［3-（甲基丙烯醯氧基）丙基］，或源自上述式（A-3）或（A-4）之2官能性單體。 　　[0095] 又，作為3官能（甲基）丙烯酸酯化合物，可舉出如三丙烯酸氧次膦基參（氧基-2,1-乙烷二基）。 　　[0096] 此等第4成分當中，特別係以乙二醇二甲基丙烯酸酯，源自上述式（A-3）及（A-4）之2官能性單體之中，具有乙二醇及丙二醇之重複單位之二甲基丙烯酸酯、磷酸雙［2-（甲基丙烯醯氧基）乙基］，以及源自上述式（A-3）及（A-4）之2官能性單體之中，經由磷酸酯基而具有乙二醇及丙二醇之重複單位之二甲基丙烯酸酯為佳，其之構造式係分別如下述式（D-1）~（D-3）及式（E-1）~（E-3）所示。 　　[0097]

[0098] 共聚物中可包含此等第4成分之1種或2種以上。 　　上述共聚物中之第4成分，例如由上述式（D）或（E）所示之2官能性單體所衍生之交聯構造之比例為0莫耳%至50莫耳%，較佳為5莫耳%至45莫耳%，最佳為10莫耳%至40莫耳%。 　　[0099] 式（A）所示之化合物之相對於形成上述共聚物之單體全體之比例為3莫耳%至80莫耳%。又，式（A）所示之化合物可為2種以上。 　　式（B）所示之化合物之相對於形成上述共聚物之單體全體之比例為3莫耳%至80莫耳%。又，式（B）所示之化合物可為2種以上。 　　[0100] 式（C）所示之化合物之相對於形成上述共聚物之單體全體之比例可為減去上述式（A）及（B）之比例後之剩餘部分，例如0莫耳%至90莫耳%。又，式（C）所示之化合物可為2種以上。 　　[0101] 前述塗覆膜所包含之共聚物係可藉由一般丙烯酸聚合物或甲基丙烯酸聚合物等之合成方法即自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等之方法來進行合成。其之形態能為溶液聚合、懸濁聚合、乳化聚合、塊狀聚合等各種方法。 　　[0102] 作為聚合反應中之溶劑，可為水、磷酸緩衝液或乙醇等之醇或組合該等之混合溶劑，以包含水或乙醇為理想。更以包含水或乙醇10質量%以上100質量%以下為佳。更以包含水或乙醇50質量%以上100質量%以下為佳。更以包含水或乙醇80質量%以上100質量%以下為佳。更以包含水或乙醇90質量%以上100質量%以下為佳。較佳係水與乙醇之合計為100質量%。 　　[0103] 作為反應濃度，以例如將上述式（A）或式（B）所示之化合物在反應溶劑中之濃度作成0.01質量%至4質量%為佳。濃度超過4質量%時，例如由於式（A）所示之磷酸基具有強結合性而有導致共聚物在反應溶劑中膠化之情況。濃度未滿0.01質量%時，由於取得之清漆濃度過低，故，難以作成取得充足膜厚之塗覆膜用之塗覆劑。濃度係以0.01質量%至3質量%，例如3質量%、2質量%或1質量%為較佳。 　　[0104] 又在前述塗覆膜所包含之共聚物之合成中，亦可例如在作成下述式（1）記載之鹽後，根據情況與式（C）所示之化合物一同進行聚合而製成共聚物。 　　[0105]

[0106] 由於含磷酸基單體係容易集合之單體，故在滴入於反應系統中時，亦可以能快速分散之方式逐步少量滴入於反應溶劑中。 　　[0107] 並且，反應溶劑為了提高單體及聚合物之溶解性，亦可加溫（例如40℃至100℃）。 　　[0108] 為了使聚合反應有效率的地進行，以使用聚合起始劑為理想。作為聚合起始劑之例，可使用如2,2’-偶氮雙（異丁腈）、2,2’-偶氮雙（2-甲基丁腈）、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）（和光純藥工業（股）製；VA-065、10小時半衰期溫度；51℃）、4,4’-偶氮雙（4-氰基吉草酸）、2,2’-偶氮雙（4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈）、1,1’-偶氮雙（環己烷-1-甲腈）、1-［（1-氰基-1-甲基乙基）偶氮］甲醯胺、2,2’-偶氮雙［2-（2-咪唑啉-2-基）丙烷］、2,2’-偶氮雙（2-甲基丙脒）二鹽酸鹽、2,2’-偶氮雙［2-甲基-N-（2-羥基乙基）丙醯胺］（和光純藥工業（股）製；VA-086、10時間半衰期溫度；86℃）、過氧化苄醯基（BPO）、2,2’-偶氮雙［N-（2-羧基乙基）-2-甲基丙脒］n-水合物（和光純藥工業（股）製；VA-057、10時間半衰期溫度；57℃）、4,4’-偶氮雙（4-氰基戊酸）（和光純藥工業（股）製；V-501）、2,2’-偶氮雙［2-（2-咪唑啉-2-基）丙烷］二氫氯化物（和光純藥工業（股）製；VA-044、10時間半衰期溫度；44℃）、2,2’-偶氮雙［2-（2-咪唑啉-2-基）丙烷］二硫酸酯二水合物（和光純藥工業（股）製；VA-046B、10時間半衰期溫度；46℃）、2,2’-偶氮雙［2-（2-咪唑啉-2-基）丙烷］（和光純藥工業（股）製；VA-061、10時間半衰期溫度；61℃）、2,2’-偶氮雙（2-脒基丙烷）二氫氯化物（和光純藥工業（股）製；V-50、10時間半衰期溫度；56℃）、過氧二硫酸或t-丁基氫過氧化物等。 　　在考量到對水之溶解性、離子平衡及與單體之相互作用時，則以選自2,2’-偶氮雙［2-甲基-N-（2-羥基乙基）丙醯胺］、2,2’-偶氮雙［N-（2-羧基乙基）-2-甲基丙脒］n-水合物、4,4’-偶氮雙（4-氰基戊酸）、2,2’-偶氮雙［2-（2-咪唑啉-2-基）丙烷］二氫氯化物、2,2’-偶氮雙［2-（2-咪唑啉-2-基）丙烷］二硫酸酯二水合物、2,2’-偶氮雙［2-（2-咪唑啉-2-基）丙烷］、2,2’-偶氮雙（2-脒基丙烷）二氫氯化物及過氧二硫酸為佳。 　　在考量到對有機溶劑之溶解性、離子平衡及與單體之相互作用時，以使用2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）或2,2’-偶氮雙（異丁腈）為理想。 　　[0109] 聚合起始劑之添加量係相對於聚合使用之單體之合計重量為0.05質量%~10質量%。 　　[0110] 反應條件係藉由將反應容器在油浴等中加熱至50℃至200℃攪拌1小時至48小時，較佳為加熱至80℃至150℃攪拌5小時至30小時，使聚合反應進行而取得本發明之共聚物。反應環境係以氮環境為佳。 　　[0111] 作為反應程序，可將全反應物質放入室溫之反應溶劑後，加熱至上述溫度使其聚合，或亦可在預先經加溫之溶劑中逐步些許滴入反應物質之混合物全部或一部分。 　　[0112] 根據後者之反應程序，本發明之共聚物係可藉由包括將包含上述式（A）、（B）及根據情況（C）所示之化合物、溶劑及聚合起始劑之混合物滴入於保持在比聚合起始劑之10小時半衰期溫度還高之溫度下之溶劑，使其反應（聚合）之步驟之製造方法進行調製。 　　[0113] 前述塗覆膜所包含之共聚物之分子量係數千至數百萬程度即可，以5,000至5,000,000為較佳。較佳為5,000至2,000,000，更佳為5,000至1,000,000。又，可為無規共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物之任一者，製造該共聚物用之共聚合反應其自身並無特別限制，可使用利用自由基聚合或離子聚合或光聚合、乳化聚合之聚合等之公知之溶液中進行合成之方法。此等係可因應目的之用途，可單獨使用本發明之共聚物之中之任一者，亦可混合複數之共聚物，且改變其之比率來使用。 　　[0114] 用來形成前述塗覆膜所使用之塗覆劑係可藉由將所欲之共聚物在根據情況適當溶劑中稀釋成規定之濃度進行調製。 　　[0115] 作為此種溶劑，可舉出如水、磷酸緩衝生理食鹽水（PBS）、醇。作為醇，可舉出如碳數2至6之醇，例如，乙醇、丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、異丁醇、t-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、1-庚醇、2-庚醇、2,2-二甲基-1-丙醇（=新戊基醇）、2-甲基-1-丙醇、2-甲基-1-丁醇、2-甲基-2-丁醇（=t-戊基醇）、3-甲基-1-丁醇、3-甲基-3-戊醇、環戊醇、1-己醇、2-己醇、3-己醇、2,3-二甲基-2-丁醇、3,3-二甲基-1-丁醇、3,3-二甲基-2-丁醇、2-乙基-1-丁醇、2-甲基-1-戊醇、2-甲基-2-戊醇、2-甲基-3-戊醇、3-甲基-1-戊醇、3-甲基-2-戊醇、3-甲基-3-戊醇、4-甲基-1-戊醇、4-甲基-2-戊醇、4-甲基-3-戊醇及環己醇，可單獨使用或使用該等組合之混合溶劑，但從共聚物溶解之觀點，以選自水、PBS、乙醇、丙醇、及該等之混合溶劑為佳，以選自水、乙醇、及該等之混合溶劑為較佳。 　　[0116] 塗覆劑亦可從含共聚物之清漆來調製。含共聚物之清漆係藉由包括例如使上述式（A）、（B）及（C）所示之化合物在溶劑中，化合物之合計濃度為0.01質量%至20質量%下使其反應（聚合）之步驟之製造方法進行調製。 　　[0117] 作為塗覆劑中之固體成分之濃度，為了均勻地使塗覆膜形成，以0.01至50質量%為理想。又，作為塗覆劑中之共聚物之濃度，以0.01至4質量%為佳，較佳為0.01至3質量%，特佳為0.01至2質量%，再更佳為0.01至1質量%。共聚物之濃度若未滿0.01質量%時，塗覆劑中之共聚物之濃度過低而無法形成充足膜厚之塗覆膜，若超過4質量%時，塗覆劑之保存安定性變差，而有引起溶解物之析出或膠化之可能性。 　　[0118] 並且，塗覆劑在因應必要且不損及取得之塗覆膜之性能範圍內，除上述共聚物與溶劑之外，尚可添加其他物質。作為其他物質，可舉出如防腐劑、界面活性劑、提高與基材密著性之底漆、防黴劑及糖類等。 　　[0119] 為了調節塗覆劑中之共聚物之離子平衡，亦可更包含預先調整塗覆劑中之pH之步驟。pH調整係可實施藉由對例如包含上述共聚物與溶劑之組成物添加pH調整劑，將該組成物之pH作成3.5~8.5，更佳作成4.0~8.0。能使用之pH調整劑之種類及其之量係因應上述共聚物之濃度，或其陰離子與陽離子之存在比等而適宜選擇。 　　作為pH調整劑之例，可舉出如氨、二乙醇胺、吡啶、N-甲基-D-還原葡糖胺、參（羥基甲基）胺基甲烷等之有機胺；氫氧化鉀、氫氧化鈉等之鹼金屬氫氧化物；氯化鉀、氯化鈉等之鹼金屬鹵化物；硫酸、磷酸、鹽酸、碳酸等之無機酸或其之鹼金屬鹽；膽鹼等之4級銨陽離子、或該等之混合物（例如，磷酸緩衝生理食鹽水等之緩衝液）。此等之中，以氨、二乙醇胺、氫氧化鈉、膽鹼、N-甲基-D-還原葡糖胺、參（羥基甲基）胺基甲烷為佳，特別係以氨、二乙醇胺、氫氧化鈉及膽鹼為佳。 　　[0120] 本發明之構造基體係在至少一部分之表面上具備最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下之塗覆膜。 　　上述構造基體係可包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度θ為0＜θ＜180°，較佳為30°＜θ＜150°，特佳為70°＜θ＜110°之構造部分。尚且，平面之一側或兩側之一部分或全部亦可為曲面。具有此種構造部分之構造基體在藉由先前技術進行塗覆時，雖然有在具有上述角度θ之邊緣部分或底面上會產生塗覆劑之淤積之缺點，但塗覆膜藉由包含尤其係包含含有上述式（a）所示之基之重複單位、含有上述式（b）所示之基之重複單位、及根據情況含有上述式（c）所示之基之重複單位之共聚物，即可迴避此種缺點。 　　[0121] 典型之構造基體可為實驗機器類、分析機器類、或醫療機器類。構造基體尤其可為在實驗機器類、分析機器類、或醫療機器類中，與活體內組織或血液接觸使用之機器之全體、或至少其之一部分之構造物。作為實驗機器類之例，可舉出如細胞之培養所一般使用之細菌培養皿、培養皿等之皿／培養皿類、培養燒瓶、旋轉角瓶等之燒瓶類、培養袋、鐵弗龍（註冊商標）袋等之塑料袋類、多碟（multidish）／多盤（multiplate）、微盤（microplate）／微孔板（micro well plate）、深孔盤等之多孔盤（multi well plate）類、細胞培養玻片（Chamber slide）等之載玻片及其相關製品、培養管、離心管、微試管等之管類、托盤、滾珠瓶等之培養容器，較佳可舉出如6~1536孔之多孔盤及碟／培養皿。在此，前述多孔盤之各孔之形狀可為略半球狀、略長方體狀或略圓柱狀等，其底面可為平底亦可為圓底。例如，各孔之形狀為略長方體狀或略圓柱狀時，前述「互為相接之至少2個平面」意指孔之底面之內部表面與壁面之內部表面，前述「2個平面相交之角度θ」意指以各孔之底面之內部表面與壁面之內部表面構成之角度。尚且，底面為圓底時，前述「底面之內部表面」可置換成圓底之最底部之切平面。並且各孔之形狀為略半球狀時，前述「互為相接之至少2個平面」可置換成半球狀之孔之最底部上之切平面，與從最底部到端部為止之弧之中點上之切平面，且前述「2個平面相交之角度θ」意指以前述2個切平面構成之角度。 　　作為醫療機器類之例，可舉出如體內埋入型之人工器官或治療器具、體外循環型之人工臓器類、導管、管件、人造膜瓣（artificial valve）、導引管（stent）、人工關節等之全體或至少其之一部分之構造物。 　　尤其，作為光學測量用基體，只要係提供至光學測量用之基體（基材）即無特別限定，例如以上述構造基體提供至光學測量（測量波長為例如340~850nm）者之外，尚可舉出例如微盤分析儀所使用之基體（基材）（細胞培養盤等）、位相差顯微鏡用之盤、UV測量用元件、透明電極（ITO電極）等。 　　[0122] 又，作為構造基體之材質，可舉出如玻璃、金屬、含金屬化合物或含半金屬化合物、活性炭或樹脂。金屬係可舉出如典型金屬：（鹼金屬：Li、Na、K、Rb、Cs；鹼土類金屬：Ca、Sr、Ba、Ra）、鎂族元素：Be、Mg、Zn、Cd、Hg；鋁族元素：Al、Ga、In；希土類元素：Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu；錫族元素：Ti、Zr、Sn、Hf、Pb、Th；鐵族元素：Fe、Co、Ni；土酸元素：V、Nb、Ta、鉻族元素：Cr、Mo、W、U；錳族元素：Mn、Re；貴金屬：Cu、Ag、Au；鉑族元素：Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt等。含金屬化合物或含半金屬化合物係可舉出例如，基本成分為金屬氧化物且藉由在高溫下之熱處理來燒結固定而成之燒結體即如陶瓷、矽之半導體、金屬氧化物或半金屬氧化物（矽氧化物、氧化鋁等）、金屬碳化物或半金屬碳化物、金屬氮化物或半金屬氮化物（矽氮化物等）、金屬硼化物或半金屬硼化物等之無機化合物之成形體等無機固體材料、鋁、鎳鈦、不鏽鋼（SUS304、SUS316、SUS316L等）。 　　[0123] 作為構造基體之材質之樹脂，可為天然樹脂或其衍生物，或合成樹脂之任一者，作為天然樹脂或其衍生物，較佳可使用纖維素、三乙酸纖維素（CTA）、硝基纖維素（NC）、固定化有葡聚醣硫酸之纖維素等，作為合成樹脂，較佳可使用聚丙烯腈 （PAN）、聚酯系聚合物合金（PEPA）、聚苯乙烯（PS）、聚碸（PSF）、聚對酞酸乙二酯（PET）、聚甲基甲基丙烯酸酯（PMMA）、聚乙烯醇（PVA）、聚胺基甲酸酯（PU）、伸乙基乙烯醇（EVAL）、聚乙烯（PE）、聚酯、聚丙烯（PP）、聚偏二氟乙烯（PVDF）、聚醚碸（PES）、聚碳酸酯（PC）、聚氯乙烯（PVC）、聚四氟乙烯（PTFE）、超高分子量聚乙烯（UHPE）、聚二甲基矽氧烷（PDMS）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂（ABS）、鐵氟龍（註冊商標）、尼龍、聚甲基戊烯（PMP）或各種離子交換樹脂等。 　　[0124] 構造基體中，附加塗覆膜之表面材質可為1種類亦可為2種類以上之組合。此等材質之中，以玻璃、矽、矽氧化物、聚苯乙烯（PS）、聚丙烯（PP）、鐵氟龍（註冊商標）、環烯烴聚合物（COP）、聚二甲基矽氧烷（PDMS）之單獨者或不鏽鋼（SUS304、SUS316、SUS316L等），或選自該等之組合為佳。本發明之塗覆膜由於係可在低溫乾燥下形成，故亦能適用低耐熱性之樹脂等。 　　[0125] 上述構造基體所使用之基體係直接使用於使用水或適當媒介進行洗淨後，或施以電漿處理等之表面處理後。 　　[0126] 本發明之另一其他實施態樣係關於一種構造基體之製造方法，其係包括，以單一步驟塗佈如上述之塗覆劑，在構造基體之至少一部分之表面形成最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下之塗覆膜之步驟，且在至少一部分之表面具備最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下之塗覆膜。「單1步驟」係指對本案之構造基體單僅塗佈一次本案之塗覆劑。將塗覆劑塗佈於構造基體之手段並無特別限制，可適宜採用公知之手段。又「塗佈」亦包括：將構造基體浸漬於塗覆劑，或使塗覆劑流延在構造基體之具有角度θ之部分，並靜置規定時間等之方法。浸漬或靜置之時間或溫度係因應構造基體之材質或塗覆劑之種類而適宜選擇，例如在30秒至24小時，較佳為1分鐘至3小時，10~35℃，較佳在周圍溫度（例如25℃）下實施。藉此，可製作出構造基體之表面之至少一部分，較佳係全體表面皆具備塗覆膜之構造基體。 　　[0127] 又，藉由該方法所得之構造基體之表面之塗覆膜係可在上述塗佈步驟後，較佳施以乾燥步驟（例如，亦可為不經乾燥步驟直接之狀態），並且較佳係使用水或適當媒介進行洗淨後，使用作為構造基體。 　　[0128] 上述乾燥步驟係在大氣下或真空下，較佳係在溫度-200℃至200℃之範圍內進行。藉由乾燥步驟，上述塗覆劑中之溶劑受到去除，並且塗覆膜所包含之共聚物之式（a）及式（b）彼此形成離子結合而完全地固定在基體上。 　　塗覆膜係在例如以在室溫（10℃至35℃，例如25℃）下之乾燥亦能形成，但為了更迅速地形成塗覆膜，可在例如40℃至50℃下使其乾燥。又，亦可使用運用冷凍乾燥法之在極低溫~低溫（-200℃至-30℃前後）下之乾燥步驟。冷凍乾燥係稱為真空冷凍乾燥，使用冷卻使已通常乾燥者冷卻，且在真空狀態下藉由使溶劑昇華來去除之方法。冷凍乾燥使用之一般冷媒係可舉出如乾冰與甲醇之混合媒體（-78℃）、液體氮（-196℃）等。 　　[0129] 乾燥溫度若未滿-200℃時，則必須使用非一般性冷媒，而缺乏泛用性，與為了使溶劑昇華而需要長時間乾燥，故效率差。乾燥溫度若超過200℃超時，塗覆膜表面之離子結合反應過度進行而使該表面喪失親水性，且部會發揮活體物質附著抑制能力。較佳之乾燥溫度為10℃至180℃，更佳之乾燥溫度為25℃至150℃，最佳為40℃至80℃。 　　[0130] 又，為了去除殘留於塗覆膜中之雜質、未反應單體等，並且為了調節塗覆中之共聚物之離子平衡，亦可實施使用選自包含水及電解質之水溶液之至少1種溶劑進行洗淨之步驟。洗淨係以流水洗淨或超音波洗淨等為理想。上述包含水及電解質之水溶液亦可為加溫至例如40℃至95℃之範圍內者。包含電解質之水溶液係以PBS、生理食鹽水（僅包含氯化鈉者）、杜氏磷酸緩衝生理食鹽水（Dulbecco's Phosphate Buffered Saline）、參緩衝（tris buffer）生理食鹽水、HEPES緩衝生理食鹽水及佛羅那緩衝（Veronal buffer）生理食鹽水為佳，以PBS為特佳。固定後即使以水、PBS及醇等進行洗淨，塗覆膜仍不會析出而強固地固定於基體上。以已形成之塗覆即使附著活體物質，藉由其後之水洗等仍可容易去除，且已形成塗覆膜之構造基體之表面具有活體物質之附著抑制能力為佳。 　　[0131] 在上述塗佈後不經乾燥步驟而直接製造構造基體時，可在經過對上述構造基體之表面之至少一部分之塗佈步驟後，在48小時以內，較佳為24小時以內，更佳為12小時以內，較更佳為6小時以內，再更佳為3小時以內，又再更佳為1小時以內，不經過乾燥步驟而直接，或使用例如包含水或適當媒介，例如電解質之水溶液進行洗淨後，使用作為構造基體。洗淨條件係與施以乾燥步驟後之洗淨步驟為相同。 　　[0132] 本案所使用之構造基體之表面在大氣中之對水接觸角顯示0~120°，以顯示50~115°為佳，較佳顯示60~115°，或在水中之氣泡接觸角顯示80~180°，以顯示80~180°為佳，較佳顯示80~170°，特佳顯示80~160°。上述對水接觸角係藉由例如實施例記載之靜態接觸角進行評價。 　　[0133] 本案之賦予有塗覆膜之構造基體之表面不僅具有充分活體物質附著抑制能力，並且具有親水性。親水性係藉由例如實施例記載之靜態接觸角進行評價，本發明之構造基體之表面在大氣中之對水接觸角顯示0~120°，較佳顯示10~110°，更佳顯示20~110°，或在水中之氣泡接觸角顯示130~180°，較佳顯示140~170°，更佳顯示145~160°，特佳顯示149~159°。 ［實施例］ 　　[0134] 以下，根據合成例、實施例、試驗例等，更加詳細說明本發明，但本發明係並非受限於該等。 　　[0135] 下述合成例所示之共聚物之重量平均分子量係由膠體過濾層析法（Gel Filtration Chromatography）（以下，略稱為GFC）所得之測量結果。測量條件等係如以下所示。 ・裝置：Prominence（島津製作所製） ・GFC管柱：TSKgel GMPWXL（7.8mmI.D.×30cm）×2~3支 ・流速：1.0 mL／min ・溶析液：含離子性物質之水溶液、或EtOH之混合溶液 ・管柱溫度：40℃ ・檢測器：RI ・注入濃度：聚合物固體成分0.05~0.5質量% ・注入量：100 μL ・檢量線：三次元近似曲線 ・標準試料：聚環氧乙烷（Agilent公司製）×10種 　　[0136] ＜合成例1＞ 　　將酸式磷醯氧基乙基甲基丙烯酸酯（製品名；Phosmer M，Uni-Chemical（股）公司製、乾固法100℃・1小時之不揮發分：91.8%、酸式磷醯氧基乙基甲基丙烯酸酯（44.2質量%）、磷酸雙［2-（甲基丙烯醯氧基）乙基］（28.6質量%）、其他物質（27.2質量%）之混合物）28.00g維持在60℃進行攪拌，並滴入甲基丙烯酸2-（二甲基胺基）乙酯21.37g。保持在20℃以下，並同時對此依序加入純水133.96g，其次乙醇（東京化成工業（股）製）44.65g、2,2’-偶氮雙（N-（2-羧基乙基）-2-甲基丙脒）n-水合物（製品名；VA-057、和光純藥工業（股）製）0.25g。將裝有充分攪拌且變均勻之上述全部成分之混合液導入於滴下漏斗。另一方面，將另外之純水267.93g裝入附有冷卻管之3頸燒瓶，使其流通氮氣，攪拌並同時升溫至迴流溫度。維持此一狀態，將已導入上述混合液之滴下漏斗裝置於3頸燒瓶，花費2小時將混合液滴入於純水之沸騰液內。滴入後，藉由在維持24小時上述環境之狀態下進行加熱攪拌而取得固體成分約9.70質量%之含共聚物之清漆496.16g。取得之透明液體之由GFC所得之重量平均分子量為約280,000。 　　[0137] ＜合成例2＞ 　　將酸式磷醯氧基乙基甲基丙烯酸酯（製品名；Phosmer M，Uni-Chemical（股）公司製、乾固法100℃・1小時之不揮發分：91.8%、酸式磷醯氧基乙基甲基丙烯酸酯（44.2質量%）、磷酸雙［2-（甲基丙烯醯氧基）乙基］（28.6質量%）、其他物質（27.2質量%）之混合物）25.00g冷卻至35℃以下並同時加入膽鹼（48-50%水溶液：東京化成工業（股）製）29.95g進行攪拌直到均勻為止。 　　保持在35℃以下，並同時對此混合液依序加入氯化甲基丙烯醯基膽鹼80%水溶液（東京化成工業（股）製）20.95g、甲基丙烯酸丁酯（東京化成工業（股）製）28.67g、2,2’-偶氮雙（2,4-二甲基戊腈）（製品名；V-65、和光純藥工業（股）製）0.70g、乙醇110.84g。更進一步，保持在35℃以下並同時將使2,2’-偶氮雙（N-（2-羧基乙基）-2-甲基丙脒）n-水合物（製品名；VA-057、和光純藥工業（股）製）0.70g溶解於純水27.71g而成之水溶液添加至上述溶液，又將含有充分攪拌且變均勻之上述全部成分之混合液導入於滴下漏斗。另一方面，將另外之純水56.81g與乙醇131.62g加入附有冷卻管之3頸燒瓶，使其流通氮氣，攪拌並同時升溫至迴流溫度。維持在此狀態，並將導入有上述混合液之滴下漏斗裝置於3頸燒瓶，花費1小時將混合液滴入於純水與乙醇之沸騰液內。滴入後，藉由維持24小時上述環境之狀態且加熱攪拌。24小時後藉由冷卻而取得固體成分約19.68質量%之含共聚物之清漆432.92g。取得之膠狀液體之由GFC所得之重量平均分子量為約8,500。 　　[0138] ＜實施例1＞ 　　對上述合成例1取得之含共聚物之清漆5.00g添加純水28.73g、乙醇13.95g、1mol／L氫氧化鈉水溶液（1N）（關東化學（股）製）0.85g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為7.5。在取得之塗覆劑中，浸漬半導體評價用市售之矽晶圓及培養平板（Corning（註冊商標）#351172（96孔；容積0.37mL）（材質：聚苯乙烯）），在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為147Å。 　　[0139] ＜實施例2＞ 　　對上述合成例1取得之含共聚物之清漆4.00g添加純水50.14g、乙醇22.80g、1mol／L氫氧化鈉水溶液（1N）（關東化學（股）製）0.68g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為7.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為90Å。 　　[0140] ＜實施例3＞ 　　對上述合成例1取得之含共聚物之清漆3.00g添加純水64.77g、乙醇28.74g、1mol／L氫氧化鈉水溶液（1N）（關東化學（股）製）0.51g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為7.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為53Å。 　　[0141] ＜實施例4＞ 　　對上述合成例1取得之含共聚物之清漆1.00g添加純水66.86g、乙醇28.98g、1mol／L氫氧化鈉水溶液（1N）（關東化學（股）製）0.17g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為7.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，浸漬於PBS24小時並以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為38Å。 　　[0142] ＜實施例5＞ 　　對上述合成例2取得之含共聚物之清漆20.00g添加1mol／L鹽酸（1N）（關東化學（股）製）2.45g與純水46.61g、乙醇130.19g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為3.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為723Å。 　　[0143] ＜實施例6＞ 　　對上述合成例2取得之含共聚物之清漆10.00g添加1mol／L鹽酸（1N）（關東化學（股）製）1.23g與純水52.83g、乙醇133.97g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為3.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為174Å。 　　[0144] ＜實施例7＞ 　　對上述合成例2取得之含共聚物之清漆5.00g添加1mol／L鹽酸（1N）（關東化學（股）製）0.61g與純水55.93g、乙醇135.87g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為3.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為74Å。 　　[0145] ＜實施例8＞ 　　對上述合成例2取得之含共聚物之清漆5.00g添加1mol／L鹽酸（1N）（關東化學（股）製）2.31g與純水95.29g、乙醇227.71g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為3.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為52Å。 　　[0146] ＜實施例9＞ 　　對上述合成例2取得之含共聚物之清漆1.00g添加1mol／L鹽酸（1N）（關東化學（股）製）0.12g與純水58.42g、乙醇137.38g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為3.5。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為18Å。 　　[0147] ＜比較例1＞ 　　使聚（2-羥基乙基甲基丙烯酸酯）（西格瑪奧瑞奇日本（股）製）1.2g溶解於乙醇29.98g與純水2g中並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為1960Å。 　　[0148] ＜比較例2＞ 　　使聚（2-羥基乙基甲基丙烯酸酯）（西格瑪奧瑞奇日本（股）製）1.0g溶解於乙醇95.0g與純水4.0g中並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為311Å。 　　[0149] ＜比較例3＞ 　　使聚（2-羥基乙基甲基丙烯酸酯）（西格瑪奧瑞奇日本（股）製）0.5g溶解於乙醇95.0g與純水4.5g中並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為96Å。 　　[0150] ＜比較例4＞ 　　使聚（2-羥基乙基甲基丙烯酸酯）（西格瑪奧瑞奇日本（股）製）0.3g溶解於乙醇95.0g與純水4.7g中並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為61Å。 　　[0151] ＜比較例5＞ 　　使聚（2-羥基乙基甲基丙烯酸酯）（西格瑪奧瑞奇日本（股）製）0.1g溶解於乙醇95.0g與純水4.9g中並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。在取得之塗覆劑中，浸漬與實施例1相同之矽晶圓及培養平板，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以純水充分進行洗淨，而在矽晶圓或板上取得塗覆膜。使用橢圓偏光計確認到矽晶圓之塗覆膜之膜厚為20Å。 　　[0152] ＜實施例10／比較例6＞ 　　對Corning（註冊商標）#3712（384孔；容積100μL／孔）（材質：聚苯乙烯）之個別之孔分別注入各100μL之實施例1及比較例1所調製之塗覆劑。使該等在在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以100μL之PBS與純水個別進行洗淨3次，從上部拍攝孔內部之照片並將結果展示於圖1。在照片上部2個孔（實施例10）中，觀察到孔底部之透明性並無問題且膜均勻地受到塗覆，相對於此，照片下部2個孔（比較例6）中，觀察到膜不均勻地凝聚。 　　[0153] 又，為了更詳細觀察此等，實施了剖面SEM觀察。結果係如圖2（A）及（B）所示。在圖1之照片之上部孔（實施例10）之剖面SEM照片圖2（A）中明確觀察到底部與壁面部之角（約90~95°）之邊緣。由於上述實施例1中已形成147Å之膜厚，故可推定形成有100~200Å程度之膜，但剖面照上並無法確認（由於基板與本案之膜皆為有機物，且膜厚極薄，故在SEM觀察下無法確認對比）。相對於此，圖1之照片之下部孔（比較例1）之剖面SEM照片圖2（B）上，特別係觀察到在基板凹部之邊緣部分淤積有膜（存在有最大20μm以上之膜）。 　　即，藉由實施例1中調製之塗覆劑，能以1步驟之塗佈步驟，在包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為0＜θ＜180°之構造部分之構造基體上形成均勻之極度薄膜（例如300Å以下）。 　　[0154] ＜試驗例1：細胞附著抑制效果＞ （塗覆板之調製） 　　在Corning #351172（96孔；容積0.37mL）（材質：聚苯乙烯）上之個別之孔（No.1~4）分別注入實施例1~4之塗覆劑各200μL，使該等靜置1小時後，去除並在烤箱中以50℃乾燥24小時。將比較例1~5之塗覆劑分別注入個別之孔（No.5~9）各30μL，在烤箱中以50℃乾燥24小時。其後，以200μL之純水分別洗淨被實施例1~4及比較例1~5之塗覆劑所塗覆之孔（No.1~9）各3次，，並使用於試驗。作為陽性對照之試樣，使用市售之細胞低接著板（Corning公司製，#3474）。作為陰性對照，使用未施加塗覆之96孔細胞培養平板（Corning公司製、#351172）。 　　[0155] （細胞之調製） 　　細胞係使用小鼠胚胎纖維母細胞C3H10T1／2（DS生化製藥公司製）。細胞之培養所用之培養基係使用包含10%FBS（HyClone公司製）與L-穀氨醯胺-青黴素-鏈黴素安定化溶液（Sigma-Aldrich公司製）之BME培養基（賽默飛世爾科技公司製）。細胞係在37℃／CO₂ 培養箱內保持在5%二氧化碳濃度之狀態下，使用直徑10cm之培養皿（培養基10mL）靜置培養2天以上。其次，以PBS 5mL洗淨本細胞後，添加胰蛋白-EDTA溶液（英傑公司製）1mL來剝離細胞，而分別懸浮在上述培養基10mL中。使本懸濁液離心分離（股份有限公司湯米精工製、型號LC-200、1000rpm／3分、室溫）後，去除上層清液，添加上述培養基而調製細胞懸濁液。 　　[0156] （細胞附著實驗） 　　對於上述調製之板之各孔（No.1~9）、陽性對照及陰性對照，以成為2×10³ cells／well之方式，將個別之細胞懸濁液添加各100μL。其後，保持5%二氧化碳濃度之狀態下，在37℃下靜置於CO₂ 培養箱內4天。 　　[0157] （細胞附著之觀察） 　　培養4天後，根據使用倒立型顯微鏡（奧林巴斯公司製、CKX31）所得之觀察（倍率：4倍），來比較細胞對於上述調製之板之各孔（No.1~9）、陽性對照、及陰性對照之附著。在以實施例1~3、比較例1之塗覆劑所塗覆之板之各孔（No.1~3、5）、及陽性對照之板之孔上並未發現細胞之附著。在以實施例4及比較例2~5之塗覆劑所塗覆之板之各孔（No.4、6~9）上觀察到細胞之附著。分別將各孔（陽性對照及陰性對照、以及No.1、3、5及6）之結果（培養4天後）展示於圖3（A）~（F）。又，將Cell Counting Kit-8溶液（同仁化學研究所製）對每1孔添加10μL，在37℃下靜置於CO₂ 培養箱內2小時。其後，以吸光度計（Molecular Devices公司製，SpectraMax）測量450nm之吸光度。各測量值係減去個別僅添加培養基之孔中之測量值。其結果係如表1所示。 　　[0158]

[0159] 在以實施例1~3、比較例1之塗覆劑所塗覆之板之各孔、及陽性對照之板之孔上並未附著細胞。於此之際，未附著之細胞已形成細胞凝聚塊（球形體）。 　　[0160] ＜試驗例2：蛋白質吸附抑制效果＞ （塗覆板之調製） 　　對佑肯科學公司製平底板（96孔；容積0.37mL）（材質：聚苯乙烯）將實施例6~9與比較例1~5之塗覆劑注入於個別之孔各250μL。使該等靜置1小時後，去除並在室溫下乾燥18小時。其後，以250μL之純水分別洗淨已塗覆之孔（No.10~18）各3次並使其乾燥而使用於試驗。作為陰性對照，使用未施加塗覆之96孔板。 　　[0161] （蛋白質吸附實驗） 　　將辣根過氧化物酶（Horseradish peroxidase）（略稱為HRP）標識Goat Anti-Mouse IgG（Souther Bioteck公司製）以磷酸緩衝生理食鹽水進行稀釋，並放入上述已塗覆之孔內，在室溫下靜置30分鐘。以磷酸緩衝生理食鹽水洗淨後，加入TMB 單成分微孔過氧化物酶基板（1-Component Microwell Peroxidase Substrate）, SureBlue（Kirkegaard & Perry Laboratories, Inc.製，略稱為TMB），使其與HRP反應，加入TMB停止液（Kirkegaard & Perry Laboratories, Inc.製）使反應停止。藉由微盤分析儀（SPECTRAMAX 190, Molecular Devices）測量此時之TMB溶液之光學濃度（450nm），來評價作為蛋白質吸附量。其結果係如表2所示。 　　[0162]

[0163] 確認到實施例6~9、比較例1之塗覆膜具有蛋白質之附著抑制能力。 　　[0164] ＜試驗例3：階梯被覆性之評價＞ （塗覆階梯基板之調製） 　　在包括L／S=1／1、50μm節距、階梯差100μm之構造物之矽基板上滴下實施例1及比較例1所調製之塗覆劑，以1500rpm／1min進行旋轉塗佈，藉由在50℃／24h下進行乾燥而作成塗覆階梯基板（No.1及2）。 　　[0165] （塗覆階梯基板之SEM評價） 　　將塗覆階梯基板（No.1、2）切出成L／S=1／1、50μm節距、階梯差100μm之構造物之剖面形狀露出，在表面蒸鍍鉑後進行剖面形狀之SEM評價。分別觀察階梯基板之凸部中央、凹部中央、壁面中央，測量附著於矽階梯基板上之使用實施例1及比較例1之塗覆劑所得之塗覆膜之膜厚（Å）。其結果係如表3、以及圖4A~圖4E及圖5A~圖5E所示。 　　[0166]

[0167] 使用實施例1之塗覆劑所得之塗覆膜在不論包含構造物之矽基板之凸部中央、凹部中央、壁面中央之場所上，皆成為400Å以下，最大膜厚與最小膜厚之差為350Å以下之薄膜。 　　[0168] ＜實施例11＞ 　　對上述合成例1取得之含共聚物之清漆5.00g添加純水31.5g、乙醇1.35g、1mol／L氫氧化鈉水溶液（1N）（關東化學（股）公司製）0.24g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為7.3。在取得之塗覆劑中，浸漬下述矽晶圓及各種基板，在烤箱中以45℃乾燥24小時。其後，以PBS與以純水充分進行洗淨，而取得已形成塗覆膜之矽晶圓及各種基板。使用光學式干涉膜厚計確認矽晶圓之塗覆膜之膜厚為90Å。 　　[0169] ＜實施例12＞ 　　對上述合成例2取得之含共聚物之清漆10.00g添加1mol／L鹽酸（1N）（關東化學（股）公司製）1.19g與純水26.78g、乙醇62.54g並充分進行攪拌而調製成塗覆劑。pH為3.5。使用與實施例11相同之方法，取得已形成塗覆膜之矽晶圓及各種基板。使用光學式干涉膜厚計確認矽晶圓之塗覆膜之膜厚為112Å。 　　[0170] （矽晶圓） 　　直接使用半導體評價用之市售矽晶圓。 　　[0171] （各種基板） 　　使用之各種基板係如以下所示：聚氯乙烯（PVC）、細胞培養用聚苯乙烯培養皿（PS培養皿）、聚苯乙烯（PS）、聚醚碸（PES）、聚對酞酸乙二酯（PET）、聚丙烯（PP）、聚乙烯（PE）、玻璃、2種環烯烴聚合物（COP）片（Zeonor（日本傑恩製）、Zeonex（日本傑恩製））、2種聚二甲基矽氧烷（PDMS）片。玻璃係準備了無電漿處理與有電漿處理之兩者。 　　[0172] 電漿處理條件： 裝置：Meiwafosis（股）製SEDE-GE（Softetching device） 蝕刻氣體；Air 電漿處理時間：1分鐘 加熱階段溫度：25℃ 電流值：5mA 　　[0173] ＜試驗例4＞ ［靜態接觸角計之評價］ 　　使用全自動接觸角計（協和界面化學股份有限公司、DM-701）評價已形成有實施例11及12取得之塗覆膜之各種基板。評價係在溫度25℃下進行（大氣中及水中）。靜態接觸角係除了測量大氣中之水滴接觸角，以及在水中將各種基板設置成倒向而測量氣泡接觸角之水中接觸角之兩者進行評價。將大氣中之測量結果展示於表4，將水中之測量結果展示於表5。 　　[0174]

[0175]

[0176] 從大氣中之測量結果，已形成塗覆膜之各種基板之接觸角在與未塗佈之情況相比，皆無法發現有意義之差。即，並無法確認到藉由塗覆而使各種基板進行親水化之行為。另一方面，從在水中之測量結果，已形成塗覆膜之各種基板之接觸角在與未塗佈之情況比較，皆發現顯著親水化。而此係代表塗覆已形成於各種基板上。 ［產業上之可利用性］ 　　[0177] 本發明之構造基體係在其之至少一部分之表面具備最大膜厚與最小膜厚為1000Å以下，較佳為300Å以下之具有均勻階梯被覆性之塗覆膜。又本發明之構造基體即使係包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為0＜θ＜180°之構造部分者，仍可具備在該構造部分之邊緣部分或底面上塗覆劑不會淤積，且塗覆膜之厚度不會顯著增加，最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下，較佳為300Å以下之均勻塗覆膜。因此，塗覆膜為具有活體物質附著抑制能力之塗覆膜之情況，例如在包含包含含有上述式（a）所示之基之重複單位，與含有上述式（b）所示之基之重複單位之共聚物的情況，構造基體可為在不希望活體物質附著之用途上所使用之構造基體，例如細胞培養容器，尤其係微孔板。且，具備最大膜厚與最小膜厚之差為1000Å以下，較佳為300Å以下之均勻之塗覆膜之微孔板由於不僅具有充分活體物質附著抑制能力，且膜厚在一般微盤分析儀之測量波長（例如，340~850nm）以下，故不對光學測量造成影響之面上亦為優異。

[0031] 　　［圖1］在具有實施例10／比較例6取得之塗覆膜之微孔板中，從上面拍攝各孔內部之照片。 　　［圖2］（A）及（B）分別為具有實施例10及比較例6取得之塗覆膜之各孔剖面SEM照片。 　　［圖3］（A）至（F）係為使用倒立型顯微鏡（奧林巴斯公司製、CKX31）觀察（倍率：4倍）對於試驗例1（細胞附著之觀察）中培養4天後之陽性對照及陰性對照之孔、以及對於經實施例1、3、比較例1及2之塗覆劑所塗覆之孔（No.1、3、5及6）之細胞附著（奧林巴斯公司製、CKX31）的結果。 　　［圖4A］將實施例1之塗覆劑滴下於試驗例3之矽基板並進行旋轉塗佈、乾燥所形成之塗覆階梯基板之剖面SEM照片。 　　［圖4B］圖4A中之（B）之擴大圖。 　　［圖4C］圖4A中之（C）之擴大圖。 　　［圖4D］圖4A中之（D）之擴大圖。 　　［圖4E］圖4A中之（E）之擴大圖。 　　［圖5A］將比較例1之塗覆劑滴下於試驗例3之矽基板並進行旋轉塗佈、乾燥所形成之塗覆階梯基板之剖面SEM照片。 　　［圖5B］圖5A中之（B）之擴大圖。 　　［圖5C］圖5A中之（C）之擴大圖。 　　［圖5D］圖5A中之（D）之擴大圖。 　　［圖5E］圖5A中之（E）之擴大圖。

Claims (14)

1. 一種構造基體，其係在至少一部分之表面具備最大膜厚與最小膜厚之差為350Å以下之塗覆膜，該塗覆膜係以一次之塗佈所形成者，上述構造基體包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為70<θ<110°之構造部分，上述塗覆膜包含共聚物，該共聚物包含含有下述式(a)所示之基之重複單位，與含有下述式(b)所示之基之重複單位；

   

   

   式中，U^a1、U^a2、U^b1、U^b2及U^b3係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，An^-表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子，且該無機酸離子為選自碳酸離子、硫酸離子、磷酸離子、磷酸氫離子、磷酸二氫離子、硝酸離子、過氯酸離子及硼酸離子。
2. 如請求項1之構造基體，其中前述塗覆膜之膜厚不論在構造基體中之場所皆為400Å以下。
3. 如請求項1或2之構造基體，其中上述共聚物包含下述式(a1)及(b1)所示之重複單位；

   

   

   式中，T^a及T^b係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基；Q^a及Q^b係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵；R^a及R^b係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基；U^a1、U^a2、U^b1、U^b2及U^b3係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基；An^-表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子，且該無機酸離子為選自碳酸離子、硫酸離子、磷酸離子、磷酸氫離子、磷酸二氫離子、硝酸離子、過氯酸離子及硼酸離子；m表示0至6之整數。
4. 如請求項1或2之構造基體，其中塗覆膜為活體物質附著抑制塗覆膜。
5. 如請求項1或2之構造基體，其中構造基體為細胞培養容器及/或光學測量用基體。
6. 如請求項1或2之構造基體，其中構造基體表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為80~180°。
7. 一種構造基體之製造方法，其係包含：以單一步驟對構造基體塗佈塗覆劑，而在該構造基體之至少一部分之表面形成最大膜厚與最小膜厚之差為350Å以下之塗覆膜之步驟；上述構造基體包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為70<θ<110°之構造部分，上述塗覆劑包含共聚物，該共聚物包含含有下述式(a)所示之基之重複單位，與含有下述式(b)所示之基之重複單位；

   

   

   式中，U^a1、U^a2、U^b1、U^b2及U^b3係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基，An^-係表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子，且該無機酸離子為選自碳酸離子、硫 酸離子、磷酸離子、磷酸氫離子、磷酸二氫離子、硝酸離子、過氯酸離子及硼酸離子。
8. 如請求項7之製造方法，其中前述塗覆膜之膜厚不論在構造基體中之場所皆為400Å以下。
9. 如請求項7或8之製造方法，其中上述共聚物包含下述式(a1)及(b1)所示之重複單位；

   

   

   式中，T^a及T^b係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基；Q^a及Q^b係各自獨立表示單鍵、酯鍵或醯胺鍵；R^a及R^b係各自獨立表示可經鹵素原子取代之碳原子數1至10之直鏈或分枝伸烷基；U^a1、U^a2、U^b1、U^b2及U^b3係各自獨立表示氫原子或碳原子數1至5之直鏈或分枝烷基；An^-表示選自由鹵化物離子、無機酸離子、氫氧化物離子及異硫氰酸酯離子所成群之陰離子，且該無機酸離子為選自碳酸離子、硫酸離子、磷酸離子、磷酸氫離子、磷 酸二氫離子、硝酸離子、過氯酸離子及硼酸離子；m表示0至6之整數。
10. 如請求項7或8之製造方法，其中塗覆膜為活體物質附著抑制塗覆膜。
11. 如請求項7或8之製造方法，其中構造基體表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為80~180°。
12. 一種塗覆膜之形成方法，其係對構造基體上之至少一部分之表面，僅以1次之塗佈及乾燥步驟而賦予塗覆膜，其中上述構造基體包含由互為相接之至少2個平面所構成，且2個平面相交之角度為70<θ<110°之構造部分，又該塗覆膜之最大膜厚與最小膜厚之差為350Å以下。
13. 如請求項12之形成方法，其中前述塗覆膜之膜厚不論在構造基體中之場所皆為400Å以下。
14. 如請求項12或13之方法，其中構造基體表面在大氣中之對水接觸角為0~120°，或在水中之氣泡接觸角為80~180°。

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