TWI799352B - 晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置 - Google Patents

晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI799352B
TWI799352B TW111138575A TW111138575A TWI799352B TW I799352 B TWI799352 B TW I799352B TW 111138575 A TW111138575 A TW 111138575A TW 111138575 A TW111138575 A TW 111138575A TW I799352 B TWI799352 B TW I799352B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
defect
crystal
slip line
angle
parameter information
Prior art date
Application number
TW111138575A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202305321A (zh
Inventor
郝寧
王力
俎世琦
Original Assignee
大陸商西安奕斯偉材料科技有限公司
大陸商西安奕斯偉矽片技術有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商西安奕斯偉材料科技有限公司, 大陸商西安奕斯偉矽片技術有限公司 filed Critical 大陸商西安奕斯偉材料科技有限公司
Publication of TW202305321A publication Critical patent/TW202305321A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI799352B publication Critical patent/TWI799352B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/22—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
    • G01B21/20—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring contours or curvatures, e.g. determining profile
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

本發明公開了一種晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置，檢測方法包括：獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角；根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線。根據缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類可以準確地判斷該缺陷是否為滑移線，提高滑移線的識別準確率，有利於區別滑移線以及其他缺陷，提高晶體的檢測準確性。

Description

晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置
本發明實施例屬於晶體檢測技術領域，尤其關於一種晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置。
以拋光片為基板通過外延生長步驟在其上面生長的外延層，由於溫度分佈不均勻而導致矽片產生線性滑移。目前測定晶體缺陷的方法主要有：1）使用顯微鏡，在強光下通過目檢的方式對晶體滑移進行檢測，由於操作人員的不同對缺陷的感知也會不同同時出現漏檢的情況，對操作人員的專業技能要求較高；2）通過 Ｘ光繞射測試晶體滑移線測試時長較長，難以應用於矽片製程中實現大批量的檢測。拋光片有三類缺陷容易被誤判成滑移線，對晶體滑移線會出現誤判以及無法區別滑移線的情況。在半導體生產製程中，檢測晶體線性滑移的準確性不高，不利於晶體缺陷的檢測。
本發明實施例的目的是提供一種晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置，用以解決對晶體滑移線會出現誤判以及無法區別滑移線的問題。
第一方面，本發明實施例提供一種晶體缺陷的檢測方法，包括： 獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角； 根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線。
其中，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟包括： 根據該缺陷與晶體的切口之間的夾角判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷與晶體的切口之間的夾角為預定角度時，判斷該缺陷為滑移線。
其中，該參數資訊包括缺陷的形狀，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟包括： 根據該缺陷的形狀判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的形狀為線條狀時，判斷該缺陷為滑移線。
其中，該參數資訊包括缺陷的位置，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟包括： 根據該缺陷的位置判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的位置處於該晶體的邊緣區域時，判斷該缺陷為滑移線。
其中，該參數資訊包括晶體的缺陷區域的元素種類，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟包括： 根據該晶體的缺陷區域的元素種類判斷該缺陷是否為滑移線，在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線。
第二方面，本發明實施例提供一種晶體缺陷的檢測裝置，包括： 檢測模組，用於獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角； 判斷模組，用於根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線。
其中，該判斷模組用於根據該缺陷與晶體的切口之間的夾角判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷與晶體的切口之間的夾角為預定角度時，判斷該缺陷為滑移線。
其中，該判斷模組用於根據該缺陷的形狀判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的形狀為線條狀時，判斷該缺陷為滑移線。
其中，該判斷模組用於根據該缺陷的位置判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的位置處於該晶體的邊緣區域時，判斷該缺陷為滑移線。
其中，該判斷模組用於根據該晶體的缺陷區域的元素種類判斷該缺陷是否為滑移線，在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線。
第三方面，本發明實施例提供一種可讀存儲介質，該可讀存儲介質上存儲程式或指令，該程式或指令被處理器執行時實現上述實施例所述之方法的步驟。
第四方面，本發明實施例提供一種電子設備，包括處理器，記憶體及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的程式或指令，該程式或指令被該處理器執行時實現上述實施例所述之方法的步驟。
本發明實施例的晶體缺陷的檢測方法，包括：獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角；根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線。根據缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類可以準確地判斷該缺陷是否為滑移線，提高滑移線的識別準確率，有利於區別滑移線以及其他缺陷，提高晶體的檢測準確性。
為利 貴審查委員了解本發明之技術特徵、內容與優點及其所能達到之功效，茲將本發明配合附圖及附件，並以實施例之表達形式詳細說明如下，而其中所使用之圖式，其主旨僅為示意及輔助說明書之用，未必為本發明實施後之真實比例與精準配置，故不應就所附之圖式的比例與配置關係解讀、侷限本發明於實際實施上的申請範圍，合先敘明。
在本發明實施例的描述中，需要理解的是，術語“長度”、“寬度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“頂”、“底”“內”、“外”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明實施例和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特徵。在本發明實施例的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。
在本發明實施例中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係。對於本領域的具通常知識者而言，可以根據具體情況理解上述術語在本發明實施例中的具體含義。
本發明實施例的晶體缺陷的檢測方法包括： 獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種，比如，參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類，通過多種參數可以準確地確定缺陷是否為滑移線；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角；根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線。
不同晶向取向的晶體滑移線與晶體的切口之間的夾角為一定的角度，針對不同晶向取向的晶體，可以根據缺陷與晶體的切口之間的夾角來判斷是否為滑移線。滑移線為長條狀，其他的缺陷通常為不規則狀，根據缺陷的形狀可以判斷缺陷是否為滑移線。滑移線位於晶體的邊緣區域，通過缺陷的位置可以判斷缺陷是否為滑移線。缺陷為滑移線時，晶體的缺陷區域的元素種類是晶體的元素，未摻入其他元素，如果是其他缺陷，比如劃傷等，則缺陷區域的元素種類會發生變化，會引入新的元素，比如金屬元素，根據晶體的缺陷區域的元素種類可以判斷缺陷是否為滑移線。如圖3所示，包含切口a、滑移線d1、劃傷d2、點狀缺陷d3，根據點狀缺陷d3與晶體的切口a之間的夾角、點狀缺陷d3的形狀、點狀缺陷d3的位置、晶體的缺陷區域的元素種類可以準確地判斷該點狀缺陷d3是否為滑移線，提高滑移線的識別準確率，有利於區別滑移線以及其他缺陷，提高晶體的檢測準確性。
在一些實施例中，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟可以包括： 根據該缺陷與晶體的切口之間的夾角判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷與晶體的切口之間的夾角為預定角度時，判斷該缺陷為滑移線。
不同晶向取向的晶體滑移線與晶體的切口之間的夾角為一定的角度，針對不同晶向取向的晶體，可以根據缺陷與晶體的切口之間的夾角來判斷是否為滑移線。因此，在該缺陷與晶體的切口之間的夾角為預定角度時，判斷該缺陷為滑移線，可以準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
如圖1所示，包含切口a、缺陷b，晶向取向為＜110＞的晶體，在缺陷b與晶體的切口a之間的夾角為0°和 90°時，判斷缺陷b為滑移線；如圖2所示，a包含切口a、缺陷c，晶向取向為＜100＞的晶體，在缺陷c與晶體的切口a之間的夾角為45°和135°時，判斷該缺陷c為滑移線。針對不同晶向取向的晶體，可以根據缺陷與晶體的切口之間的夾角來準確判斷是否為滑移線。
為了準確的識別出晶體的線性滑移，可以設計如下測試流程： 1）首先採用KLA SP5設備，對於取向為＜100＞晶向的矽片，當ESL Angle選擇為45°/135°時，KLA SP5 可以準確識別滑移線並將滑移線（邊緣的黑色部分）的位置標識在圖4中；對於取向為＜110＞ 晶向的矽片，當ESL Angle選擇為0°/90°時，KLA SP5 可以準確識別滑移線並將滑移線（邊緣的黑色部分）的位置標識在圖5中；信噪比解釋此處為缺陷還是矽片自身的屬性；2）根據能譜元素的種類可以解釋圖中標識位置為晶體線性滑移；3）為了進一步驗證KLA SP5 對線性滑移線測試的準確性，可以使用顯微鏡通過目檢的方式對晶體滑移進行觀察。
在另一些實施例中，該參數資訊包括缺陷的形狀，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟可以包括： 根據該缺陷的形狀判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的形狀為線條狀時，判斷該缺陷為滑移線。
滑移線為長條狀，其他的缺陷通常為不規則狀，根據缺陷的形狀可以判斷缺陷是否為滑移線。在該缺陷的形狀為線條狀時，判斷該缺陷為滑移線，可以準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
可選地，該參數資訊包括缺陷的位置，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟可以包括： 根據該缺陷的位置判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的位置處於該晶體的邊緣區域時，判斷該缺陷為滑移線。
滑移線位於晶體的邊緣區域，通過缺陷的位置可以判斷缺陷是否為滑移線，在該缺陷的位置處於該晶體的邊緣區域時，判斷該缺陷為滑移線，可以準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
可選地，該參數資訊包括晶體的缺陷區域的元素種類，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟可以包括： 根據該晶體的缺陷區域的元素種類判斷該缺陷是否為滑移線，在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線。缺陷為滑移線時，晶體的缺陷區域的元素種類是晶體的元素，未摻入其他元素，如果是其他缺陷，比如劃傷等，則缺陷區域的元素種類會發生變化，會引入新的元素，比如金屬元素，根據晶體的缺陷區域的元素種類可以判斷缺陷是否為滑移線。在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線，可以更加準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
本發明實施例提供一種晶體缺陷的檢測裝置，如圖6所示，包括： 檢測模組10，用於獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角； 判斷模組20，用於根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線。
不同晶向取向的晶體滑移線與晶體的切口之間的夾角為一定的角度，針對不同晶向取向的晶體，判斷模組20可以根據缺陷與晶體的切口之間的夾角來判斷是否為滑移線。滑移線為長條狀，其他的缺陷通常為不規則狀，根據缺陷的形狀可以判斷缺陷是否為滑移線。滑移線位於晶體的邊緣區域，判斷模組20可以通過缺陷的位置可以判斷缺陷是否為滑移線。缺陷為滑移線時，晶體的缺陷區域的元素種類是晶體的元素，未摻入其他元素，如果是其他缺陷，比如劃傷等，則缺陷區域的元素種類會發生變化，會引入新的元素，比如金屬元素，判斷模組20可以根據晶體的缺陷區域的元素種類判斷缺陷是否為滑移線。根據缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類可以準確地判斷該缺陷是否為滑移線，提高滑移線的識別準確率，有利於區別滑移線以及其他缺陷，提高晶體的檢測準確性。
可選地，判斷模組20用於根據該缺陷與晶體的切口之間的夾角判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷與晶體的切口之間的夾角為預定角度時，判斷該缺陷為滑移線。可以準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
可選地，判斷模組20用於根據該缺陷的形狀判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的形狀為線條狀時，判斷該缺陷為滑移線。可以準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
可選地，判斷模組20用於根據該缺陷的位置判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的位置處於該晶體的邊緣區域時，判斷該缺陷為滑移線。滑移線位於晶體的邊緣區域，通過缺陷的位置可以判斷缺陷是否為滑移線，可以準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
可選地，判斷模組20用於根據該晶體的缺陷區域的元素種類判斷該缺陷是否為滑移線，在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線。缺陷為滑移線時，晶體的缺陷區域的元素種類是晶體的元素，未摻入其他元素，如果是其他缺陷，比如劃傷等，則缺陷區域的元素種類會發生變化，會引入新的元素，比如金屬元素，根據晶體的缺陷區域的元素種類可以判斷缺陷是否為滑移線。在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線，可以更加準確地判斷缺陷是否為滑移線，提高滑移線的檢測準確性。
本發明實施例提供一種可讀存儲介質，該可讀存儲介質上存儲程式或指令，該程式或指令被處理器執行時實現上述實施例所述之方法的步驟。可以準確地判斷該缺陷是否為滑移線，提高滑移線的識別準確率，有利於區別滑移線以及其他缺陷，提高晶體的檢測準確性。
本發明實施例提供一種電子設備，包括處理器，記憶體及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的程式或指令，該程式或指令被該處理器執行時實現上述實施例所述之方法的步驟。可以準確地判斷該缺陷是否為滑移線，提高滑移線的識別準確率，有利於區別滑移線以及其他缺陷，提高晶體的檢測準確性。
以上僅為本發明之較佳實施例，並非用來限定本發明之實施範圍，如果不脫離本發明之精神和範圍，對本發明進行修改或者等同替換，均應涵蓋在本發明申請專利範圍的保護範圍當中。
10：檢測模組 20：判斷模組 a：切口 b：滑移線 c：缺陷 d1：滑移線 d2：劃傷 d3：點狀缺陷
圖1為晶向取向為＜110＞的晶體缺陷為滑移線時的一個示意圖； 圖2為晶向取向為＜100＞的晶體缺陷為滑移線時的一個示意圖； 圖3為晶體缺陷的一個示意圖； 圖4為晶向取向為＜110＞的晶體缺陷為滑移線時的一個示意圖； 圖5為晶向取向為＜100＞的晶體缺陷為滑移線時的一個示意圖； 圖6為檢測裝置的一個連接示意圖。
10：檢測模組 20：判斷模組

Claims (10)

  1. 一種晶體缺陷的檢測方法，包括：獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角；根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線；其中，根據該晶體的缺陷區域的元素種類判斷該缺陷是否為滑移線，在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線，該預設元素為晶體的元素且未摻入其他元素。
  2. 如請求項1所述之晶體缺陷的檢測方法，其中，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟包括：根據該缺陷與晶體的切口之間的夾角判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷與晶體的切口之間的夾角為預定角度時，判斷該缺陷為滑移線。
  3. 如請求項1所述之晶體缺陷的檢測方法，其中，該參數資訊包括缺陷的形狀，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟包括：根據該缺陷的形狀判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的形狀為線條狀時，判斷該缺陷為滑移線。
  4. 如請求項1所述之晶體缺陷的檢測方法，其中，該參數資訊包括缺陷的位置，根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線的步驟包括： 根據該缺陷的位置判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的位置處於該晶體的邊緣區域時，判斷該缺陷為滑移線。
  5. 一種晶體缺陷的檢測裝置，包括：檢測模組，用於獲取晶體表面的缺陷的參數資訊，該參數資訊包括缺陷與晶體的切口之間的夾角、缺陷的形狀、缺陷的位置、晶體的缺陷區域的元素種類中的至少一種；其中，缺陷與晶體的切口之間的夾角為缺陷的延伸方向和切口與晶體的圓心連線之間的夾角；判斷模組，用於根據該參數資訊判斷該缺陷是否為滑移線；其中，根據該晶體的缺陷區域的元素種類判斷該缺陷是否為滑移線，在該晶體的缺陷區域的元素種類為預設元素時，判斷該缺陷為滑移線，該預設元素為晶體的元素且未摻入其他元素。
  6. 如請求項5所述之晶體缺陷的檢測裝置，其中，該判斷模組用於根據該缺陷與晶體的切口之間的夾角判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷與晶體的切口之間的夾角為預定角度時，判斷該缺陷為滑移線。
  7. 如請求項5所述之晶體缺陷的檢測裝置，其中，該判斷模組用於根據該缺陷的形狀判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的形狀為線條狀時，判斷該缺陷為滑移線。
  8. 如請求項5所述之晶體缺陷的檢測裝置，其中，該判斷模組用於根據該缺陷的位置判斷該缺陷是否為滑移線，在該缺陷的位置處於該晶體的邊緣區域時，判斷該缺陷為滑移線。
  9. 一種可讀存儲介質，該可讀存儲介質上存儲程式或指令，該程式或 指令被處理器執行時實現如請求項1至4中任一項所述之晶體缺陷的檢測方法的步驟。
  10. 一種電子設備，包括處理器，記憶體及存儲在該記憶體上並可在該處理器上運行的程式或指令，該程式或指令被該處理器執行時實現如請求項1所述之晶體缺陷的檢測方法的步驟。
TW111138575A 2022-02-14 2022-10-12 晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置 TWI799352B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210131296.5A CN114166171B (zh) 2022-02-14 2022-02-14 晶体缺陷的检测方法与检测装置
CN202210131296.5 2022-02-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202305321A TW202305321A (zh) 2023-02-01
TWI799352B true TWI799352B (zh) 2023-04-11

Family

ID=80489916

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111138575A TWI799352B (zh) 2022-02-14 2022-10-12 晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN114166171B (zh)
TW (1) TWI799352B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116071362B (zh) * 2023-03-20 2023-08-15 内蒙古晶环电子材料有限公司 拉晶断苞检测方法、装置、计算机设备和存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7728969B2 (en) * 2006-12-05 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for identifying defect types on a wafer
WO2012027788A1 (en) * 2010-09-02 2012-03-08 Bt Imaging Pty Ltd Systems and methods for detecting crystal defects in monocrystalline semiconductors
US10330608B2 (en) * 2012-05-11 2019-06-25 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for wafer surface feature detection, classification and quantification with wafer geometry metrology tools
CN110531047A (zh) * 2019-09-10 2019-12-03 青岛华翔航空科技有限公司 一种通过扫描电镜、显微镜分析缺陷类型的方法
CN113222967A (zh) * 2021-05-28 2021-08-06 长江存储科技有限责任公司 晶圆的检测方法及系统

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0868619A (ja) * 1994-08-30 1996-03-12 Japan Energy Corp 化合物半導体単結晶基板の評価方法
US10829866B2 (en) * 2017-04-03 2020-11-10 Infineon Technologies Americas Corp. Wafer carrier and method
CN109916363A (zh) * 2019-02-01 2019-06-21 天津中环领先材料技术有限公司 一种ic类抛光片缺陷检验方法
CN112229853B (zh) * 2019-06-26 2022-11-29 长鑫存储技术有限公司 液滴型缺陷的检测方法和检测系统
CN112435248B (zh) * 2020-11-30 2022-03-25 深圳市泰沃德技术有限公司 缺陷检测方法、装置、控制装置和可读存储介质
CN112767398B (zh) * 2021-04-07 2021-08-06 高视科技(苏州)有限公司 晶圆缺陷的检测方法及装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7728969B2 (en) * 2006-12-05 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for identifying defect types on a wafer
WO2012027788A1 (en) * 2010-09-02 2012-03-08 Bt Imaging Pty Ltd Systems and methods for detecting crystal defects in monocrystalline semiconductors
US10330608B2 (en) * 2012-05-11 2019-06-25 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for wafer surface feature detection, classification and quantification with wafer geometry metrology tools
CN110531047A (zh) * 2019-09-10 2019-12-03 青岛华翔航空科技有限公司 一种通过扫描电镜、显微镜分析缺陷类型的方法
CN113222967A (zh) * 2021-05-28 2021-08-06 长江存储科技有限责任公司 晶圆的检测方法及系统

Also Published As

Publication number Publication date
TW202305321A (zh) 2023-02-01
CN114166171B (zh) 2022-09-27
CN114166171A (zh) 2022-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4758492B2 (ja) 単結晶の欠陥密度測定方法
TWI799352B (zh) 晶體缺陷的檢測方法與檢測裝置
TW201708811A (zh) 半導體晶圓的評價方法
KR100706811B1 (ko) 실리콘 식각량 측정을 위한 테스트 패턴, 그리고 이를이용한 실리콘 식각량 측정 방법
KR101887730B1 (ko) 표면-아래 결함 검토를 위한 샘플들의 준비를 위한 시스템들 및 방법들
US6753955B2 (en) Inspection device for crystal defect of silicon wafer and method for detecting crystal defect of the same
JP4254584B2 (ja) 結晶欠陥の評価方法
US20210063321A1 (en) METHOD OF EVALUATING SiC SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SiC EPITAXIAL WAFER, AND METHOD OF MANUFACTURING SiC DEVICE
CN114300375A (zh) 一种晶圆缺陷检测方法、装置、设备及计算机存储介质
TWI447385B (zh) 一種使用聚焦離子束系統進行晶片平面成像的方法
TW202247314A (zh) 矽片邊緣粗糙度檢測治具及檢測方法
JP2020088011A (ja) 欠陥識別方法、ＳｉＣエピタキシャルウェハの評価方法及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
KR100279962B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 벌크디펙트의 모폴로지 분석방법 및 표면디펙트의 모폴로지 분석방법
JPH0862122A (ja) シリコンウェーハの酸素析出欠陥密度評価方法
Kugimiya Characterization of polished surfaces by “Makyoh”
JP7379952B2 (ja) ＳｉＣインゴットの評価方法、ＳｉＣデバイスの製造方法およびＳｉＣ種結晶の評価方法
McGuire et al. Automated mapping of micropipes in SiC wafers using polarized-light microscope
TWI855411B (zh) 測量晶圓表面損傷層深度的方法和系統
EP4310893A1 (en) Method for evaluating crystal defects of silicon carbide single crystal wafer
CN100514058C (zh) 酸槽与反应槽稳定度的侦测方法
CN115560701A (zh) 判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置
KR102060084B1 (ko) 웨이퍼의 결함 측정 방법
TW202312309A (zh) 測量晶圓表面損傷層深度的方法和系統
KR101464567B1 (ko) 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법
TW202332896A (zh) 單晶矽棒中缺陷的檢測方法及系統