KR101464567B1 - 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법 - Google Patents

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Abstract

실시 예는 웨이퍼를 준비하는 단계, 포토 루미네선스법을 이용하여 상기 준비된 웨이퍼의 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득하는 단계, 및 상기 열적 도너 줄무늬 패턴에 기초하여, 열 이력 정보를 획득하는 단계를 포함하며, 상기 열 이력 정보는 잉곳 냉각시 잉곳 내에 열적 도너라고 불리는 산소 분자 상이 생성되는 온도 구간에 대한 정보이다.

Description

잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법{A METHOD FOR OBTAINING AN INFORMATION OF THERMAL HISTORY IN COOLING INGOT}
실시 예는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법에 관한 것이다.
초크랄스키법으로 단결정 성장 후 냉각 과정에서 열적 도너(Thermal Donor)가 발생할 수 있다. 열적 도너는 450℃ 근처의 온도에서 성장 장치의 챔버 내에 혼입된 산소 원자가 서로 응집하여 전기적으로 활성화된 분자상을 말한다.
열적 도너는 저온에서 발생하는 산소의 응집(agglomeration)에 통하여 발생할 수 있으며, 600℃ 이상의 고온에서 실리콘을 다시 열처리할 경우 소멸할 수 있으며, 이로 인하여 소모되었던 산소가 다시 실리콘 격자 내로 회복될 수 있다.
냉각 과정에서 느린 속도로 실리콘 잉곳이 인상되거나, 냉각 속도가 느릴 경우에는 열적 도너의 발생량도 증가할 수 있으며, 이는 석출물 형성에도 영향을 줄 수 있다. 반대로 열적 도너의 발생 정도를 통하여 냉각 과정의 열 이력을 추정할 수 있다.
열적 도너는 전기적 평가 방법을 통하여 그 발생 정도를 추정할 수 있다. 이러한 전기적 평가 방법에는 4-포인트 프로브(point probe)를 이용하여 측정된 비저항 값을 통하여 열적 도너의 발생 정도를 추정하는 제1 방법, 및 라이프 타임(life-time) 측정값을 통하여 열적 도너의 발생 정도를 추정하는 제2 방법이 있을 수 있다.
제1 방법은 비파괴 분석이지만 탐침이 표면 접촉되어 될 수 있으며, 제2 방법은 웨이퍼 표면에 대한 열처리, 세정, 및 막 도포 등의 전처리가 요구되고, 분석 상 오염이 발생할 수 있다.
실시 예는 웨이퍼의 손상 없이 잉곳 냉각 시의 열 이력 정보 획득 방법을 제공한다.
실시 예에 따른 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법은 웨이퍼를 준비하는 단계; 포토 루미네선스(Photo Luminescence)법을 이용하여, 상기 준비된 웨이퍼의 열적 도너 줄무늬 패턴(Thermal Donor Striation Pattern)을 획득하는 단계; 및 상기 열적 도너 줄무늬 패턴에 기초하여, 열 이력 정보를 획득하는 단계를 포함하며, 상기 열 이력 정보는 잉곳 냉각시 잉곳 내에 열적 도너(Thermal donor)라고 불리는 산소 분자 상이 생성되는 온도 구간에 대한 정보이다.
상기 준비되는 웨이퍼는 상기 잉곳에 대한 슬라이싱(slicing) 공정을 거쳐 완성된 웨이퍼로서, 보론(boron)이 도핑된 것일 수 있다.
상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득하는 단계는 서로 다른 성장 장치들에 의하여 성장된 잉곳들로부터 준비된 웨이퍼들 각각에 대하여 상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득할 수 있다.
상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득하는 단계는 잉곳의 시드(seed) 부분, 잉곳의 중앙 부분, 및 잉곳의 테일(tail) 부분으로부터 준비된 웨이퍼들 각각에 대하여 상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득할 수 있다.
상기 열 이력 정보를 획득하는 단계는 상기 열적 도너 줄무늬 패턴에 포함되는 줄무늬들에 대응하는 포토 루미네선스 강도에 기초하여 열적 도너 발생량을 산출하는 단계; 및 상기 산출된 열적 도너 발생량에 기초하여 상기 열 이력 정보를 획득하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 산소 분자 상이 생성되는 온도 구간은 400℃ ~ 500℃일 수 있다.
상기 웨이퍼를 준비하는 단계에서 준비되는 웨이퍼의 저항값은 10Ω·㎝ ~ 27 Ω·㎝일 수 있다.
실시 예는 웨이퍼의 손상 없이 잉곳 냉각 시의 열 이력 정보를 획득할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 잉곳 냉각 시의 열 이력 정보 획득 방법에 대한 플로차트이다.
도 2는 잉곳 성장 장치별, 및 잉곳의 부위별 열적 도너 줄무늬 패턴을 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼에서 열적 도너로 소비된 산소 농도를 나타낸다.
도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼에서 열처리 전후의 열적 도너 줄무늬 패턴의 변화를 나타낸다.
도 5a 및 도 5b는 산소 혼입에 따라 매핑 프로파일의 동심원상의 줄무늬가 나타나는 것을 설명하기 위한 것이다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 잉곳 냉각 시의 열 이력 정보 획득 방법에 대하여 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 잉곳 냉각 시의 열 이력 정보 획득 방법에 대한 플로차트이다.
도 1을 참조하면, 먼저 열 이력을 분석하고자 하는 잉곳으로부터 슬라이싱된 웨이퍼를 준비한다(S110).
여기서 준비되는 웨이퍼는 성장된 잉곳에 대한 가공 공정, 예컨대, 슬라이싱 공정을 거쳐 완성된 웨이퍼로서, 낮은 농도의 불순물, 예컨대, 보론(boron)이 도핑된 웨이퍼일 수 있다. 예컨대, 낮은 농도는 1E15 atoms/㎤ 정도의 수준일 수 있다.
또한 준비되는 웨이퍼는 열처리, 세정, 및 기타 막 도포 등과 같은 전처리 작업을 거치지 않은 웨이퍼일 수 있다. 준비되는 웨이퍼의 저항값은 10Ω·㎝ ~ 27 Ω·㎝일 수 있고, 예컨대, 20Ω·㎝일 수 있다.
다음으로 포토 루미네선스(Photo Luminescence)법을 이용하여, 준비된 웨이퍼의 열적 도너 줄무늬 패턴(Thermal Donor Striation Pattern, TDSP)을 획득한다(S120).
예컨대, Nanometrics사의 SiPHER 측정기는 포토 루미네선스를 이용하여 웨이퍼의 면 내의 PL(Photo Luminecence) 강도를 실온으로 매핑(mapping)하는 장치이다. Nanometrics사의 SiPHER 측정기에 의하여 측정되는 이미지(image), 및 매핑 프로파일(mapping profile)에서는 PL 강도가 낮은 영역에 대해서는 어둡게 표시될 수 있, PL 강도가 높은 영역에 대해서는 밝게 표시될 수 있다.
불순물 농도가 높은 저저항 실리콘 웨이퍼에서는 불순물 농도에 따라서 웨이퍼의 면 내에서 저항률 변동이 발생할 수 있는데, 이러한 저항률의 변동이 PL 강도에 따른 매핑 프로파일에서는 동심원상의 줄무늬(striation)로 나타날 수 있다.
그런데 불순물 농도가 낮은 고저항 실리콘 웨이퍼에서는 산소 혼입에 따라 이러한 동심원상의 줄무늬가 나타날 수 있다. 여기서 고저항 실리콘 웨이퍼는 10Ω·㎝ ~ 27 Ω·㎝의 저항을 갖는 실리콘 웨이퍼일 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 산소 혼입에 따라 매핑 프로파일의 동심원상의 줄무늬가 나타나는 것을 설명하기 위한 것이다.
도 5a는 잉곳 냉각시 혼입된 산소의 농도가 낮은 웨이퍼에 대한 열처리 전후의 매핑 프로파일을 나타내고, 도 5b는 잉곳의 냉각시 혼입된 산소의 농도가 높은 웨이퍼에 대한 열처리 전후의 매핑 프로파일을 나타낸다. 예컨대, 열 처리는 열적 도너를 제거하기 위하여 700℃의 온도에서 30분간 수행될 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 보론 불순물 농도가 낮은 실리콘 웨이퍼에 열처리, 예컨대, 열적 도너 킬링(thermal donor killing) 열처리를 수행하자, 매핑 프로파일의 동심원상의 줄무늬가 사라지는 것을 알 수 있다.
예컨대, 열적 도너 킬링 열처리는 450℃에서 생성된 열적 도너를 제거하기 위하여 700℃의 온도 조건에서 10분간 웨이퍼를 열처리함으로써, 열적 도너를 제거하는 것일 수 있다.
보론 불순물 농도가 낮은 실리콘 웨이퍼를 열처리하면, 산소 석출물이 발생할 수 있는데, 열 처리 후 매핑 프로파일의 동심원상의 줄무늬가 사라진다는 것을 통하여 매핑 프로파일의 동심원상의 줄무늬는 열적 도너(thermal donor)를 반영함을 알 수 있다.
SiPHER 측정기를 통한 TDSP를 측정하는 방법은 4-포인트 프로브(point probe)를 이용하는 방법보다도 조밀한 간격(예컨대, 0.5mm)으로 측정이 가능하고, 웨이퍼의 면 내 열적 도너의 분포를 정확하게 파악할 수 있으며, 전처리를 수행하지 않고 비접촉 방식으로 측정하기 때문에 측정 방법으로 인한 오염 가능성을 줄일 수 있다.
잉곳 성장 장치(Grower)별, 또는 잉곳의 부위별 열적 도너 줄무늬 패턴(TDSP)을 획득할 수 있다.
예컨대, 서로 다른 성장 장치들에 의하여 성장된 잉곳들로부터 준비된 웨이퍼들 각각에 대하여 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득할 수 있다.
또한 예컨대, 잉곳의 시드(seed) 부분, 잉곳의 중앙 부분, 및 잉곳의 테일(tail) 부분으로부터 준비된 웨이퍼들 각각에 대하여 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득할 수 있다.
도 2는 잉곳 성장 장치별, 및 잉곳의 부위별 열적 도너 줄무늬 패턴을 나타낸다. A는 제1 성장 장치를 나타내고, B는 제2 성장 장치를 나타내고, C는 제3 성장 장치를 나타낸다.
Seed는 잉곳의 시드 부분을 나타내고, Middle은 잉곳의 중앙 부분을 나타내고, tail은 용융액과 인접하는 잉곳의 하단 부분을 나타낸다. 도 2에서 괄호 안의 숫자는 잉곳의 길이를 의미할 수 있다.
도 2를 참조하면, 잉곳은 단결정으로 고체화되어 성장되기 때문에, 잉곳 성장 장치의 챔버(chamber) 내의 온도 분위기 및 냉각 속도에 따라 잉곳의 부위(ingot position)별 산소(Oxygen) 농도, 및 보론(Boron) 농도에 차이가 발생할 수 있다. 예컨대, 도 2에 도시된 PL 매핑 프로파일에서의 줄무늬 패턴은 실리콘 용융액과 잉곳 간의 계면에서의 산소 농도의 차이로 발생할 수 있다.
도 2에는 3개의 성장 장치들 각각에 대하여 잉곳의 3개의 부위별 열적 도너 줄무늬 패턴을 도시한다. 즉 도 2는 총 9개의 열적 도너 줄무늬 패턴을 도시한다.
웨이퍼의 중심으로부터 웨이퍼의 에지(예컨대, (0,0)에서 (0,150))까지 PL 강도의 반경 프로파일(10-1 내지 10-3, 20-1 내지 20-3, 30-1 내지 30-3)을 산출한다.
도 2를 참조하면, 잉곳이 성장되는 성장 장치의 종류가 달라짐에 따라, 또는 측정하고자 하는 잉곳의 부위의 달라짐에 따라 열적 도너 줄무늬 패턴(TDSP)이 서로 다른 것을 알 수 있다.
열적 도너 줄무늬 패턴(TDSP)을 비교함으로써, 잉곳 성장 장치(Grower)별, 또는 잉곳의 부위별로 열적 도너의 발생 정도가 다름을 알 수 있다.
다음으로 열적 도너 줄무늬 패턴에 대응하는 PL 강도의 프로파일을 산출한다(S130).
예컨대, 0.5mm 간격으로 PL 강도의 수치를 측정하여 PL 강도의 프로파일을 산출할 수 있다.
예컨대, 열적 도너 줄무늬 패턴에 포함하는 줄무늬들에 대한 PL 강도 프로파일을 산출할 수 있으며, PL 강도의 프로파일은 줄무늬들에 대응하는 PL 강도의 변화를 나타낼 수 있다.
줄무늬의 하얀 부분은 PL 강도의 수치가 높아서 위로 피크가 나타날 수 있고, 줄무늬의 검은 부분은 PL 강도의 수치가 낮아서 아래쪽으로 피크가 나타날 수 있다.
도 2는 총 9개의 열적 도너 패턴들 각각에 포함되는 줄무늬들에 대응하는 PL 강도의 프로파일들(10-1 내지 10-3, 20-1 내지 20-3, 30-1 내지 30-3)을 도시할 수 있다.
다음으로 열적 도너 줄무늬 패턴, 및 PL 강도 프로파일에 기초하여, 잉곳 냉각 시의 열 이력 정보를 획득한다(S140).
예컨대, PL 강도 프로파일에 기초하여 열적 도너의 발생량을 산출할 수 있으며, 열적 도너 발생량에 기초하여 열 이력 정보를 획득할 수 있다.
여기서 열 이력 정보는 잉곳을 성장시키는 잉곳 성장 장치(Ingot Grower) 내의 냉각 열 이력을 의미할 수 있다. 예컨대, 열 이력 정보는 잉곳 냉각시 잉곳 내에 열적 도너(Thermal donor)라고 불리는 산소 분자 상이 생성되는 온도 구간(예컨대, 400℃ ~ 500℃)에 대한 정보를 의미할 수 있다.
예컨대, 실리콘 웨이퍼에 대하여 전기적 특성 검사를 통하여 측정된 열적 도너 발생량을 가지고, 잉곳 냉각 시에 산소 분자 상이 생성되는 온도 구간(예컨대, 400℃ ~ 500℃)을 얼마나 오랜 시간 동안 경과했는지에 대한 열 이력 정보를 획득할 수 있다.
여기서 전기적 특성 검사라 함은 포토 루미네선스법, 또는 4-포인트 프로브(point probe)를 이용한 방법일 수 있다. 예컨대, 포토 루미네선스법에 의하여 산출되는 PL 강도의 값, 및 4-포인트 프로브(point probe)를 이용하여 측정된 비저항 값을 통하여 열적 도너 발생량을 측정할 수 있다.
도 2를 참조하면, 열적 도너 줄무늬 패턴을 보고, 열적 도너의 발생 여부를 확인할 수 있다. 줄무늬 패턴이 발생하는 부위와 줄무늬 패턴이 발생하지 않는 부위의 PL 강도의 차이를 통하여, 잉곳의 부위별, 예컨대, 시드 부분(Seed), 중간 부분(Middle), 테일 부분(Tail) 간에 열적 도너의 상대적인 발생량을 비교할 수 있다.
열적 도너 줄무늬 패턴이 어두울수록, PL 강도의 유동(fluxion)도 심한 것을 알 수 있다.
예컨대, 3개의 성장 장치들(A,B,C) 모두에 대하여, 잉곳의 시드 부분(seed)의 열적 도너 줄무늬 패턴이 가장 어둡고, 잉곳의 테일 부분(Tail) 쪽으로 갈수록 줄무늬 패턴이 옅어지는 것을 알 수 있다.
그리고 잉곳의 시드 부분(seed)의 열적 도너 줄무늬 패턴에 대한 PL 강도 프로파일의 유동이 가장 강하고, 잉곳의 테일 부분(tail)의 열적 도너 줄무늬 패턴에 대한 PL 강도 프로파일의 유동이 가장 약한 것을 알 수 있다.
열적 도너 줄무늬 패턴, 및 PL 강도 프로파일에 기초하여 판단할 때, 잉곳의 시드 부분(seed)의 열적 도너의 발생 정도가 높고, 잉곳의 테일 부분(Tail) 쪽으로 갈수록 열적 도너의 발생 정도가 낮은 것을 알 수 있다.
이는 잉곳 냉각 시 잉곳의 시드 부분(sees)은 400℃ ~ 500℃ 온도 구간에서 냉각 속도가 느려 열 이력을 많이 받기 때문에 열적 도너 발생량이 많을 수 있다.
반면에, 잉곳의 테일 부분(tail)은 400℃ ~ 500℃ 온도 구간에서 냉각 속도가 느려 열 이력을 적게 받기 때문에 열적 도너 발생량이 적을 수 있다.
또한 400℃ ~ 500℃ 온도 구간에서 제1 성장 장치(A)의 냉각 속도가 가장 느리고, 제3 냉각 장치(C)의 냉각 속도가 가장 빠른 것을 알 수 있으며, 이를 통하여 성장 장치들 간에도 열 이력의 차이가 발생하는 것을 알 수 있다.
4 포인트 프로브 방법은 4개의 탐침을 이용하여 실리콘 웨이퍼에 전기적 신호를 가해서 열적 도너로 인한 저항값이 얼마나 발생했는지 알 수 있으나, 탐침이 웨이퍼 표면에 닿기 때문에 웨이퍼가 손상될 수 있고, 숫자로만 알 수가 있다.
반면에 실시 예는 웨이퍼의 손상 없이 웨이퍼 내의 열적 도너 줄무늬 패턴을 확인할 수 있고, 줄무늬 패턴에 대응하는 PL 강도를 통하여 열적 도너의 발생량을 수치적으로 산출하거나, 잉곳 부위별로 열적 도너의 발생 정도를 비교할 수 있으며, 이를 통하여 잉곳 냉각 시의 열 이력 정보를 획득할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼에서 열적 도너로 소비된 산소 농도를 나타낸다. intial은 열처리 이전을 의미하고, D/K 후는 열처리 이후를 의미할 수 있다.
도 3을 참조하면, 각 성장 장치(A,B,C)의 잉곳의 시드 부분(Seed)에 대한 열처리 전후의 열적 도너로 소비된 산소 농도의 차이가 가장 큰 것을 알 수 있다. 이는 잉곳의 시드 부분(Seed)에서 열적 도너 발생량이 가장 많은 것을 알 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 웨이퍼에서 열처리 전후의 열적 도너 줄무늬 패턴의 변화를 나타낸다.
도 4를 참조하면, 열처리 전에는 발생한 열적 도너 줄무늬 패턴이 열처리를 수행하면 사라지는 것을 알 수 있으며, 이를 통하여 보론 불순물 농도가 낮은 실리콘 웨이퍼에 대한 매핑 프로파일의 동심원상의 줄무늬는 열적 도너(thermal donor)를 반영함을 다시 한번 확인할 수 있다.
산소는 웨이퍼 내 결정 결함과 반응하여 반도체 디바이스 공정의 미세한 열 처리에 의하여 석출물을 발생할 수 있기 때문에, 실시 예는 포토 루미네선스를 이용하여 획득한 열적 도너 줄무늬 패턴, 및 PL 강도 프로파일을 통하여 반도체 디바이스 공정에 기인한 산소 석출물 발생 여부를 미리 가늠할 수 있는 자료로 사용할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
A: 제1 성장 장치 B: 제2 성장 장치
C: 제3 성장 장치 10-1 내지 10-3: 잉곳의 시드 부분
20-1 내지 20-3: 잉곳의 중앙 부분 30-1 내지 30-3: 잉곳의 테일 부분.

Claims (7)

  1. 웨이퍼를 준비하는 단계;
    포토 루미네선스(Photo Luminescence)법을 이용하여, 상기 준비된 웨이퍼의 열적 도너 줄무늬 패턴(Thermal Donor Striation Pattern)을 획득하는 단계;
    상기 열적 도너 줄무늬 패턴에 포함되는 줄무늬들에 대한 포토 루미네선스 강도 프로파일을 산출하는 단계;
    상기 포토 루미네선스 강도 프로파일에 기초하여 열적 도너 발생량을 산출하는 단계;
    상기 산출된 열적 도너 발생량에 기초하여 열 이력 정보를 획득하는 단계를 포함하며,
    상기 열 이력 정보는 잉곳 냉각시 잉곳 내에 열적 도너(Thermal donor)라고 불리는 산소 분자 상이 생성되는 온도 구간에 대한 정보인 것을 특징으로 하는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 준비되는 웨이퍼는 상기 잉곳에 대한 슬라이싱(slicing) 공정을 거쳐 완성된 웨이퍼로서, 보론(boron)이 도핑된 것을 특징으로 하는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득하는 단계는,
    서로 다른 성장 장치들에 의하여 성장된 잉곳들로부터 준비된 웨이퍼들 각각에 대하여 상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득하는 것을 특징으로 하는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득하는 단계는,
    잉곳의 시드(seed) 부분, 잉곳의 중앙 부분, 및 잉곳의 테일(tail) 부분으로부터 준비된 웨이퍼들 각각에 대하여 상기 열적 도너 줄무늬 패턴을 획득하는 것을 특징으로 하는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    0.5mm 간격으로 포토 루미네선스 강도의 수치를 측정하여, 상기 포토 루미네선스 강도 프로파일을 산출하는 것을 특징으로 하는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 산소 분자 상이 생성되는 온도 구간은 400℃ ~ 500℃인 것을 특징으로 하는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼를 준비하는 단계에서 준비되는 웨이퍼의 저항값은 10Ω·㎝ ~ 27 Ω·㎝인 것을 특징으로 하는 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법.
KR20130114305A 2013-09-26 2013-09-26 잉곳 냉각에 대한 열 이력 정보 획득 방법 KR101464567B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR19980072813A (ko) * 1997-03-07 1998-11-05 김광호 반도체 웨이퍼의 제조방법
KR20020072000A (ko) * 2001-03-08 2002-09-14 삼성전자 주식회사 반도체 웨이퍼 제조 방법
KR20090060499A (ko) * 2007-12-10 2009-06-15 주식회사 실트론 열처리를 이용한 고저항 실리콘 웨이퍼의 제조 방법

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