TWI793836B - 成像鏡頭與電子裝置 - Google Patents

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TWI793836B TW110140486A TW110140486A TWI793836B TW I793836 B TWI793836 B TW I793836B TW 110140486 A TW110140486 A TW 110140486A TW 110140486 A TW110140486 A TW 110140486A TW I793836 B TWI793836 B TW I793836B
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周明達
張建邦
林正峰
朱國強
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Abstract

一種成像鏡頭，包含一成像透鏡組，且一光軸通過成像鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡，其中透鏡包含一第一透鏡與一第二透鏡，且分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。奈米結構層呈不規則狀排列，奈米結構層包含一氧化鋁結晶。結構連接層包含至少一二氧化矽膜層，二氧化矽膜層與奈米結構層的底部實體接觸。結構連接層中至少一者設置於第一透鏡的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，且結構連接層中至少另一者設置於第二透鏡的至少一表面與奈米結構層中至少另一者之間。當成像鏡頭滿足特定條件時，可維持成像品質。

Description

成像鏡頭與電子裝置
本揭示內容係關於一種成像鏡頭，且特別是一種應用在可攜式電子裝置上的成像鏡頭。
近年來，可攜式電子裝置發展快速，例如智慧型電子裝置、平板電腦等，已充斥在現代人的生活中，而裝載在可攜式電子裝置上的成像鏡頭也隨之蓬勃發展。隨著技術進步，成像鏡頭逐漸增加透鏡數量以追求更佳的成像品質，但增加透鏡數量容易衍生諸多問題，如穿透率下降及雜散光反射等問題。因此，發展一種可維持成像品質、減少研發成本浪費及縮短研發時程的成像鏡頭遂成為產業上重要且急欲解決的問題。
本揭示內容提供一種成像鏡頭與電子裝置，藉由透過透鏡設置奈米結構層與結構連接層，使成像鏡頭在增加透鏡數量後仍可維持成像品質，同時藉由穿透率衰減指標輔助模擬成像鏡頭的穿透率，藉以減少研發成本浪費及縮短研發時程。
依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭，包含一成像透鏡組，且一光軸通過成像鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡，其中透鏡包含一第一透鏡與一第二透鏡，且第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率不同。第一透鏡與第二透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。奈米結構層呈不規則狀排列，奈米結構層包含一氧化鋁結晶，奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm。結構連接層包含至少一二氧化矽膜層，二氧化矽膜層與奈米結構層的底部實體接觸，且二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm。結構連接層中至少一者設置於第一透鏡的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，且結構連接層中至少另一者設置於第二透鏡的至少一表面與奈米結構層中至少另一者之間。成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關。穿透率衰減指標為Tdi，成像透鏡組的透鏡的數量為E，穿透率衰減模擬常數為c，成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的一差值為△n，其滿足下列條件：
Figure 110140486-A0305-02-0004-54
，c=0.008；0.85
Figure 110140486-A0305-02-0004-55
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0004-56
0.9；90%
Figure 110140486-A0305-02-0004-57
T5459；以及0.065
Figure 110140486-A0305-02-0004-193
△n
Figure 110140486-A0305-02-0004-194
0.82。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿 透率，平均穿透率為T5254，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0005-129
T5254。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5354，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0005-130
T5354。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像透鏡組的透鏡的數量為E，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其可滿足下列條件：0.8
Figure 110140486-A0305-02-0005-131
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0005-132
1。
依據本揭示內容一實施方式提供一種電子裝置，包含如前述實施方式的成像鏡頭。
依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭，包含一成像透鏡組，且一光軸通過成像鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡，其中透鏡包含一第一透鏡與一第二透鏡，且第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率不同。第一透鏡與第二透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。奈米結構層呈不規則狀排列，奈米結構層包含一氧化鋁結晶，奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm。結構連接層包含至少一二氧化矽膜層，二氧化矽膜層與奈米結構層的底部實體接觸，且二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm。結構連接層中至少一者設置於第一透鏡的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，且結構連接層中至少另一者設置於第二透鏡的至少一表面與奈米結構層中 至少另一者之間。成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關。穿透率衰減指標為Tdi，成像透鏡組的透鏡的數量為E，穿透率衰減模擬常數為c，成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459，第一透鏡的折射率為n1，第二透鏡的折射率為n2，其滿足下列條件：
Figure 110140486-A0305-02-0006-58
，c=0.008；0.85
Figure 110140486-A0305-02-0006-59
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0006-60
0.9；90%
Figure 110140486-A0305-02-0006-61
T5459；n1>1.6；以及n2<1.6。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0006-62
T5254。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5354，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0006-63
T5354。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像透鏡組的透鏡的數量為E，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其可滿足下列條件：0.8
Figure 110140486-A0305-02-0006-133
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0006-134
1。
依據本揭示內容一實施方式提供一種電子裝置，包含如前述實施方式的成像鏡頭。
依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭，包 含一成像透鏡組，且一光軸通過成像鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡，其中透鏡中至少三透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。奈米結構層呈不規則狀排列，奈米結構層包含一氧化鋁結晶，奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm。結構連接層包含至少一二氧化矽膜層，二氧化矽膜層與奈米結構層的底部實體接觸，且二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm。結構連接層中至少一者設置於透鏡中一者的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，結構連接層中至少另一者設置於透鏡中另一者的至少一表面與奈米結構層中至少另一者之間，且結構連接層中至少再一者設置於透鏡中再一者的至少一表面與奈米結構層中至少再一者之間。成像透鏡組中透鏡分為一第一鏡群與一第二鏡群，第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡。第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡。成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關。穿透率衰減指標為Tdi，成像透鏡組的透鏡的數量為E，穿透率衰減模擬常數為c，成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：Tdi=
Figure 110140486-A0305-02-0008-136
，c=0.008；0.85
Figure 110140486-A0305-02-0008-196
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0008-211
0.88；90%
Figure 110140486-A0305-02-0008-195
T5459；以及0.5
Figure 110140486-A0305-02-0008-140
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0008-141
1。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0008-142
T5254。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5354，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0008-143
T5354。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像透鏡組的透鏡的數量為E，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其可滿足下列條件：0.8
Figure 110140486-A0305-02-0008-144
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0008-145
1。
依據本揭示內容一實施方式提供一種電子裝置，包含如前述實施方式的成像鏡頭。
依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭，包含一成像透鏡組，且一光軸通過成像鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡，其中透鏡中至少三透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。奈米結構層呈不規則狀排列，奈米結構層包含一氧化鋁結晶，奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm。結構連接層包含至少一二氧化矽膜層，二氧化矽膜層與奈米結構層的底部實體接觸，且二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm。結構連接層中至 少一者設置於透鏡中一者的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，結構連接層中至少另一者設置於透鏡中另一者的至少一表面與奈米結構層中至少另一者之間，且結構連接層中至少再一者設置於透鏡中再一者的至少一表面與奈米結構層中至少再一者之間。成像透鏡組中透鏡分為一第一鏡群與一第二鏡群，第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡。第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡。成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關。穿透率衰減指標為Tdi，成像透鏡組的透鏡的數量為E，穿透率衰減模擬常數為c，成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：Tdi=
Figure 110140486-A0305-02-0009-121
，c=0.008；0.81
Figure 110140486-A0305-02-0009-199
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0009-127
0.84；87.6%
Figure 110140486-A0305-02-0009-122
T5459
Figure 110140486-A0305-02-0009-123
92%；以及0.59
Figure 110140486-A0305-02-0009-124
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0009-125
1。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254，其可滿足下列條件：86%
Figure 110140486-A0305-02-0009-128
T5254。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭 對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5354，其可滿足下列條件：86%
Figure 110140486-A0305-02-0010-146
T5354。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像透鏡組的透鏡的數量為E，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其可滿足下列條件：0.9
Figure 110140486-A0305-02-0010-147
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0010-148
1。
依據本揭示內容一實施方式提供一種電子裝置，包含如前述實施方式的成像鏡頭。
依據本揭示內容一實施方式提供一種成像鏡頭，包含一成像透鏡組，且一光軸通過成像鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡，其中透鏡中至少三透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。奈米結構層呈不規則狀排列，奈米結構層包含一氧化鋁結晶，奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm。結構連接層包含至少一二氧化矽膜層，二氧化矽膜層與奈米結構層的底部實體接觸，且二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm。結構連接層中至少一者設置於透鏡中一者的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，結構連接層中至少另一者設置於透鏡中另一者的至少一表面與奈米結構層中至少另一者之間，且結構連接層中至少再一者設置於透鏡中再一者的至少一表面與奈米結構層中至少再一者之間。成像透鏡組中透鏡分為一第一鏡群與一第二鏡群，第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第一鏡 群於最靠近像側包含一高折射率透鏡，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡。第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡。成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關。穿透率衰減指標為Tdi，成像透鏡組的透鏡的數量為E，穿透率衰減模擬常數為c，成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：Tdi=
Figure 110140486-A0305-02-0011-67
，c=0.008；0.78
Figure 110140486-A0305-02-0011-200
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0011-69
0.80；86%
Figure 110140486-A0305-02-0011-202
T5459
Figure 110140486-A0305-02-0011-72
91%；以及0.67
Figure 110140486-A0305-02-0011-71
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0011-70
1。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254，其可滿足下列條件：84%
Figure 110140486-A0305-02-0011-74
T5254。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5354，其可滿足下列條件：84%
Figure 110140486-A0305-02-0011-66
T5354。
依據前段所述實施方式的成像鏡頭，其中成像透鏡組的透鏡的數量為E，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其可滿足下列條件：0.96
Figure 110140486-A0305-02-0011-64
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0011-65
1。
依據本揭示內容一實施方式提供一種電子裝置，包含如前述實施方式的成像鏡頭。
100,200,300,400,500,600:成像鏡頭
111,112,113,114,115,116,117,118,211,212,213,214,215,216,217,218,311,312,313,314,315,316,317,318,411,412,413,414,415,416,417,511,512,513,514,515,516,517,611,612,613,614,615,616,617,618:透鏡
120,220,320,420,520,620:鏡筒
130,230,330,430,530,630:奈米結構層
140:結構連接層
141,241,341,441,5411,641:二氧化矽膜層
451,452:抗反射膜層
5412:二氧化鈦膜層
70:電子裝置
711:長焦望遠鏡頭
712:超廣角鏡頭
713:超長焦望遠鏡頭
714:廣角主鏡頭
72:鏡頭蓋板
73:電子感光元件
74:使用者介面
75:成像訊號處理元件
76:光學防手震組件
77:感測元件
78:閃光燈模組
79:對焦輔助模組
X:光軸
T1,T3:厚度
T2:結構尺度
Tdi:穿透率衰減指標
E:成像透鏡組的透鏡的數量
c:穿透率衰減模擬常數
T5254,T5354,T5459:平均穿透率
Tsim:模擬穿透率
n1:第一透鏡的折射率
n2:第二透鏡的折射率
△n:第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的差值
NCS:透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數
FOV1:第一視角
FOV2:第二視角
FOV3:第三視角
FOV4:第四視角
第1A圖繪示依照本揭示內容第一實施方式中成像鏡頭的示意圖；第1B圖繪示依照第1A圖第一實施方式中奈米結構層的掃描式電子顯微鏡影像；第1C圖繪示依照第1A圖第一實施方式中奈米結構層的另一掃描式電子顯微鏡影像；第1D圖繪示依照第1A圖第一實施方式中透鏡的一剖面的掃描式電子顯微鏡影像；第1E圖繪示依照第1A圖第一實施方式中透鏡的另一剖面的掃描式電子顯微鏡影像；第1F圖繪示依照第1A圖第一實施方式中透鏡的再一剖面的掃描式電子顯微鏡影像；第1G圖繪示依照第1A圖第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例於波長400nm至700nm的穿透率曲線圖；第1H圖繪示依照第1A圖第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例於波長540nm至590nm的穿透率曲線圖；第1I圖繪示依照第1A圖第一實施方式的第一實施例、第 二實施例及第一比較例、第二比較例於波長520nm至540nm的穿透率曲線圖；第2A圖繪示依照本揭示內容第二實施方式中成像鏡頭的示意圖；第2B圖繪示依照第2A圖第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例於波長400nm至700nm的穿透率曲線圖；第2C圖繪示依照第2A圖第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例於波長540nm至590nm的穿透率曲線圖；第2D圖繪示依照第2A圖第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例於波長520nm至540nm的穿透率曲線圖；第3A圖繪示依照本揭示內容第三實施方式中成像鏡頭的示意圖；第3B圖繪示依照第3A圖第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例於波長400nm至700nm的穿透率曲線圖；第3C圖繪示依照第3A圖第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例於波長540nm至590nm的穿透率曲線圖；第3D圖繪示依照第3A圖第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例於波長520nm至540nm的穿透率曲線圖； 第4圖繪示依照本揭示內容第四實施方式中成像鏡頭的示意圖；第5圖繪示依照本揭示內容第五實施方式中成像鏡頭的示意圖；第6圖繪示依照本揭示內容第六實施方式中成像鏡頭的示意圖；第7A圖繪示依照本揭示內容第七實施方式中電子裝置的示意圖；以及第7B圖繪示依照第7A圖第七實施方式中電子裝置的方塊圖；第8A圖繪示依照本揭示內容的穿透率衰減指標與透鏡數量的關係圖；以及第8B圖繪示依照本揭示內容的模擬穿透率與透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數的關係圖。
本揭示內容提供一種成像鏡頭，一光軸通過成像鏡頭，且包含一成像透鏡組，其中成像透鏡組包含複數透鏡。透鏡包含一第一透鏡與一第二透鏡，且第一透鏡與一第二透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層；或者，透鏡中至少三透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。奈米結構層呈不規則狀排列，奈米結構層包含一氧化鋁結晶，奈米結構層的結構尺度介於98nm至 420nm。結構連接層包含至少一二氧化矽膜層，二氧化矽膜層與奈米結構層的底部實體接觸，且二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm。進一步來說，結構連接層中至少一者設置於第一透鏡的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，且結構連接層中至少另一者設置於第二透鏡的至少一表面與奈米結構層中至少另一者之間；或者，結構連接層中至少一者設置於透鏡中一者的至少一表面與奈米結構層中至少一者之間，結構連接層中至少另一者設置於透鏡中另一者的至少一表面與奈米結構層中至少另一者之間，且結構連接層中至少再一者設置於透鏡中再一者的至少一表面與奈米結構層中至少再一者之間。成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關。穿透率衰減指標為Tdi，成像透鏡組的透鏡的數量為E，穿透率衰減模擬常數為c，其滿足下列條件：
Figure 110140486-A0305-02-0015-203
，c=0.008。透過結構連接層可穩固奈米結構層，使奈米結構層可設置於各種不同材料的透鏡，且提升奈米結構層的附著穩定性。再者，透鏡設置奈米結構層可使電子裝置在切換成像鏡頭時，成像鏡頭間的成像品質趨近一致，減少切換成像鏡頭時的頓挫感。
奈米結構層具有孔隙，使奈米結構層的等效折射率往1.00漸變，降低介面之間的折射率變化，減少光線發生反射的機會。再者，結構連接層也可為一高折射率層與低折射率層交替堆疊而成的膜層，頂部為二氧化矽膜層與奈 米結構層實體接觸，且成像鏡頭中可包含一模造玻璃。或者，透鏡也可為菲涅耳透鏡(Fresnel lens)或超穎透鏡(Meta lens)等，但不以此為限。
請參照表一與第8A圖，其中表一為透鏡數量對應不同的穿透率衰減模擬常數的穿透率衰減指標，第8A圖繪示依照本揭示內容的穿透率衰減指標與透鏡數量的關係圖。由表一與第8A圖可知，穿透率衰減模擬常數為c，穿透率衰減指標為Tdi，其中穿透率衰減指標為可模擬成像鏡頭穿透率的數學模型，而穿透率衰減模擬常數可由實驗數據建構而得，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量為負相關，與穿透率衰減模擬常數為正相關，而與奈米結構層無關。再者，穿透率衰減模擬常數可能會受到鏡頭品質以及測試條件等變化影響。具體而言，當穿透率衰減模擬常數為0.008時為最優選條件，符合本揭示內容的穿透率預測模型。必須說明的是，穿透率衰減模擬常數亦可遞增或遞減，即穿透率衰減模擬常數可為0.007、0.009或0.01，並不以此為限。鍍膜後的鏡頭穿透率可由穿透率模擬公式模擬，由實驗數據估算可得知鏡頭每設置一面奈米結構層鍍膜可提升約0.28%的穿透率，因此由穿透率模擬公式可模擬透鏡中設置有奈米結構層的表面數量的鏡頭穿透率。
Figure 110140486-A0305-02-0016-205
Figure 110140486-A0305-02-0017-2
請參照表二與第8B圖，其中表二為透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面對應不同表面總數的模擬穿透率，第8B圖繪示依照本揭示內容的模擬穿透率與透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數的關係圖。由表二與第8B圖可知，模擬穿透率為Tsim，穿透率衰減指標為Tdi，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，成像透鏡組的透鏡的數量為E，其中以透鏡的數量為八為例，藉以模擬不同透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數對應的穿透率。詳細來說，模擬穿透率Tsim會隨著透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數NCS增加而提升，其可滿足下列條件：Tsim=Tdi×100%+0.28%×NCS。必須說明的是，上述條件式適用於波長最佳範圍於540nm至590nm。舉例來說，當成像透鏡組無設置奈米結構層時，其可滿足下列條件：Tsim=Tdi×100%；當透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS時，其可滿足下列條件：Tsim=Tdi×100%+0.28%×NCS；當成像透鏡組所有的透鏡皆設置奈米結構層時，其可滿足下列條件：Tsim= Tdi×100%+0.28%×2E。據此，透過穿透率衰減指標與模擬穿透率可預先模擬滿足鏡頭規格所需要的鍍膜面數，可減少不必要的成本浪費並可縮短研發時程。並且，透過模擬穿透率可得知透鏡的數量為八時，透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數至少為八，可使模擬穿透率達90%以上。必須說明的是，模擬穿透率Tsim僅為模擬值，並不以此為限。
Figure 110140486-A0305-02-0018-3
請參照表三，其為不同透鏡的數量對應的模擬穿透率。由表三可知，Tdi×100%用以模擬成像鏡頭設置不同數量的透鏡且所有透鏡皆無設置奈米結構層的情況下，成像鏡頭理論上可達到的穿透率最大值；NCS=2E用以模擬成像鏡頭設置不同數量的透鏡且所有透鏡皆設置奈米結構層的情況下，成像鏡頭理論上可達到的穿透率最大值。
Figure 110140486-A0305-02-0018-4
成像透鏡組中透鏡可分為一第一鏡群與一第二鏡群，第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數 量少於第二鏡群的透鏡數量，其中第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡；第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡。可透過在高折射率透鏡上設置奈米結構層，減少光線在介面間發生反射的機會。具體而言，高折射率透鏡可為折射率大於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭中高於平均折射率的透鏡；低折射率透鏡可為折射率小於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭中低於平均折射率的透鏡。
穿透率衰減指標為Tdi，其可滿足下列條件：0.85
Figure 110140486-A0305-02-0019-149
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0019-150
0.9。或者，其可滿足下列條件：0.85
Figure 110140486-A0305-02-0019-151
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0019-152
0.88。再者，其可滿足下列條件：0.81
Figure 110140486-A0305-02-0019-154
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0019-153
0.84。或者，其可滿足下列條件：0.78
Figure 110140486-A0305-02-0019-156
Tdi
Figure 110140486-A0305-02-0019-155
0.80。
成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0019-157
T5459。必須說明的是，平均穿透率的測量方法為成像透鏡組設於一鏡筒內進行測量波長540nm至590nm的光線平均穿透率，其中測量時成像透鏡組不包含濾光片。或者，其可滿足下列條件：87.6%
Figure 110140486-A0305-02-0019-159
T5459
Figure 110140486-A0305-02-0019-160
92%。再者，其可滿足下列條件：86%
Figure 110140486-A0305-02-0019-158
T5459
Figure 110140486-A0305-02-0019-161
91%。
第一透鏡的折射率為n1，第二透鏡的折射率為n2，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的一差值為△n，其可滿足下列條件：0.065
Figure 110140486-A0305-02-0019-75
△n
Figure 110140486-A0305-02-0019-76
0.82；n1>1.6；以 及n2<1.6。必須說明的是，第一透鏡的折射率可與第二透鏡的折射率不同，且透鏡的折射率使用波長587.6nm(d-line)的光線作為量測光線。
透鏡中設置有奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，成像透鏡組的透鏡的數量為E，其可滿足下列條件：0.5
Figure 110140486-A0305-02-0020-162
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0020-163
1。藉此，可進一步提升成像鏡頭的光學性能。進一步說明，成像鏡頭中至少一半以上的透鏡設置奈米結構層時，可使成像鏡頭的成像品質更加穩定。或者，其可滿足下列條件：0.59
Figure 110140486-A0305-02-0020-164
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0020-169
1。藉此，成像鏡頭增加透鏡數量時仍可維持成像品質。或者，其可滿足下列條件：0.67
Figure 110140486-A0305-02-0020-165
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0020-166
1。或者，其可滿足下列條件：0.8
Figure 110140486-A0305-02-0020-168
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0020-167
1。或者，其可滿足下列條件：0.9
Figure 110140486-A0305-02-0020-170
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0020-171
1。或者，其可滿足下列條件：0.96
Figure 110140486-A0305-02-0020-173
NCS/2E
Figure 110140486-A0305-02-0020-172
1。
成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0020-174
T5254。藉此，可提升成像鏡頭的成像品質。另外，其可滿足下列條件：86%
Figure 110140486-A0305-02-0020-175
T5254。再者，其可滿足下列條件：84%
Figure 110140486-A0305-02-0020-176
T5254。
成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5354，其可滿足下列條件：90%
Figure 110140486-A0305-02-0020-177
T5354。另外，其可滿足下列條件：86%
Figure 110140486-A0305-02-0020-178
T5354。再者，其可滿足下列條件：84%
Figure 110140486-A0305-02-0020-179
T5354。
上述本揭示內容成像鏡頭中的各技術特徵皆可組 合配置，而達到對應之功效。
本揭示內容提供一種電子裝置，包含前述的成像鏡頭。
根據上述實施方式，以下提出具體實施方式及實施例並配合圖式予以詳細說明。
<第一實施方式>
請參照第1A圖，其繪示依照本揭示內容第一實施方式中成像鏡頭100的示意圖。由第1A圖可知，成像鏡頭100包含一成像透鏡組(圖未標示)，一光軸X通過成像鏡頭100，成像鏡頭100的視角為85度，且成像鏡頭100為主鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡與一鏡筒120。
具體來說，成像透鏡組由物側至像側依序包含透鏡111、112、113、114、115、116、117、118，且透鏡111、112、113、114、115、116、117、118設置於鏡筒120中，其中透鏡的結構、面形等光學特徵可依照不同成像需求配置，並不以此為限。
請參照第1B圖至第1F圖，其中第1B圖繪示依照第1A圖第一實施方式中奈米結構層130的掃描式電子顯微鏡影像，第1C圖繪示依照第1A圖第一實施方式中奈米結構層130的另一掃描式電子顯微鏡影像，第1D圖繪示依照第1A圖第一實施方式中透鏡111的一剖面的掃描式電子顯微鏡影像，第1E圖繪示依照第1A圖第一實施方式中透鏡111的另一剖面的掃描式電子顯微鏡影像，第1F圖繪示依照第1A圖第一實施方式中透鏡111的再一剖面 的掃描式電子顯微鏡影像。由第1A圖至第1F圖可知，透鏡111、112、113、114、115、116、117、118皆包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層，進一步來說，透鏡111、112、113、114、115、116、117、118的物側表面與像側表面皆包含奈米結構層與結構連接層。以透鏡111的物側表面為例，奈米結構層130呈不規則狀排列，奈米結構層130包含一氧化鋁結晶，奈米結構層130的結構尺度T2介於98nm至420nm；結構連接層140設置於透鏡111的物側表面與奈米結構層130之間，結構連接層140包含至少一二氧化矽膜層141，二氧化矽膜層141與奈米結構層130的底部實體接觸，且二氧化矽膜層141的厚度T1介於20nm至150nm。
由第1D圖可知，結構連接層140的厚度T3為73.68nm，奈米結構層130的結構尺度T2為200.3nm；由第1E圖可知，結構連接層140的厚度T3為76.62nm，奈米結構層130的結構尺度T2為232.7nm；由第1F圖可知，結構連接層140的厚度T3為75.15nm，奈米結構層130的結構尺度T2為247.4nm。
透過結構連接層140可穩固奈米結構層130，使奈米結構層130可設置於各種不同材料的透鏡，且提升奈米結構層130的附著穩定性。詳細來說，奈米結構層130具有孔隙，使奈米結構層130的等效折射率往1.00漸變，降低介面之間的折射率變化，減少光線發生反射的機會。
請參照表四，表四為透鏡111、112、113、114、 115、116、117、118的折射率，其中折射率使用波長587.6nm(d-line)的光線作為量測光線。
Figure 110140486-A0305-02-0023-5
第一實施方式中，透鏡112可作為第一透鏡，透鏡111可作為第二透鏡，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率不同。
再者，成像透鏡組中透鏡111、112、113、114、115、116、117、118分為一第一鏡群與一第二鏡群，其中第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第一實施方式中，透鏡111、112為第一鏡群，透鏡113、114、115、116、117、118為第二鏡群，其中第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡(即透鏡112)，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡(即透鏡111)；第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡(即透鏡113、114、115、116、117、118)，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡(即透鏡113)。可透過在高折射率透鏡上設置奈米結構層130，減少光線在介面間發生反射的機會。
具體而言，高折射率透鏡可為折射率大於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭100中高於平均折射率的透鏡；低折射率透鏡可為折射率小於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭100中低於平均折射率的透鏡。
請參照表五、表六及第1G圖至第1I圖，其中表五為第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例於波長400nm至700nm的穿透率，表六為第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例的成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm、波長區間520nm至540nm及波長區間530nm至540nm的光線的平均穿透率，第1G圖繪示依照第1A圖第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例於波長400nm至700nm的穿透率曲線圖，第1H圖繪示依照第1A圖第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例於波長540nm至590nm的穿透率曲線圖，第1I圖繪示依照第1A圖第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例於波長520nm至540nm的穿透率曲線圖，其中第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例的成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的光線的平均穿透率為T5459；第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例的成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的光線的平均穿透率為T5254；第一實施方式的第一實施例、第二實施例及第一比較例、第二比較例的成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的光線的平均穿透率為T5354。必須說明的是，第一比較例、第二比較例及第一實施方式的第一實施例、第二實施例同樣包含八個透鏡，但第一比較例與第二比較例的透鏡 皆未包含奈米結構層與結構連接層。
Figure 110140486-A0305-02-0025-206
Figure 110140486-A0305-02-0026-7
Figure 110140486-A0305-02-0027-8
Figure 110140486-A0305-02-0028-9
Figure 110140486-A0305-02-0029-10
Figure 110140486-A0305-02-0030-11
Figure 110140486-A0305-02-0031-12
Figure 110140486-A0305-02-0032-13
Figure 110140486-A0305-02-0032-14
成像鏡頭100具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關，其中穿透率衰減指標為Tdi；成像透鏡組的透鏡的數量為E；成像鏡頭100對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459；成像鏡頭100對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254；成像鏡頭100的一模擬穿透率為Tsim，其為對應波長區間540nm至590nm的光線的模擬穿透率；第一透鏡(即透鏡112)的折射率為n1，第二透鏡(即透鏡111)的折射率為n2，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的一差值為△n；透鏡中設置有奈米結構層130的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，所述參數滿足下列表七條件。
Figure 110140486-A0305-02-0033-15
<第二實施方式>
請參照第2A圖，其繪示依照本揭示內容第二實施方式中成像鏡頭200的示意圖。由第2A圖可知，成像鏡頭200包含一成像透鏡組(圖未標示)，一光軸X通過成像鏡頭200，成像鏡頭200的視角為85度，且成像鏡頭200為主鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡與一鏡筒220。
具體來說，成像透鏡組由物側至像側依序包含透鏡211、212、213、214、215、216、217、218，且透鏡211、212、213、214、215、216、217、218設置於鏡筒220中，其中透鏡的結構、面形等光學特徵可依照不同成像需求配置，並不以此為限。
透鏡211、212、213、214、215、216、217、218皆包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。以透鏡211的物側表面為例，奈米結構層230呈不規則狀排列，奈米結構層230包含一氧化鋁結晶，奈米結構層230的結構尺度T2介於98nm至420nm；結構連接層(圖未標示)設置於透鏡211的物側表面與奈米結構層230之間，結構連接層包含至少一二氧化矽膜層241，二氧化矽膜層241與奈米結構層230的底部實體接觸，且二氧化矽膜層241的厚度T1介於20nm至150nm。
透過結構連接層可穩固奈米結構層230，使奈米結構層230可設置於各種不同材料的透鏡，且提升奈米結構層230的附著穩定性。詳細來說，奈米結構層230具有孔隙，使奈米結構層230的等效折射率往1.00漸變，降低介面之間的折射率變化，減少光線發生反射的機會。
請參照表八，表八為透鏡211、212、213、214、215、216、217、218的折射率，其中折射率使用波長587.6nm(d-line)的光線作為量測光線。
Figure 110140486-A0305-02-0034-16
第二實施方式中，透鏡212可作為第一透鏡，透鏡211可作為第二透鏡，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率不同。
再者，成像透鏡組中透鏡211、212、213、214、215、216、217、218分為一第一鏡群與一第二鏡群，其中第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第二實施方式中，透鏡211、212為第一鏡群，透鏡213、214、215、216、217、218為第二鏡群，其中第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡(即透鏡212)，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡(即透鏡211)；第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡(即透鏡213、214、215、216、217、218)，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡 (即透鏡214)。可透過在高折射率透鏡上設置奈米結構層230，減少光線在介面間發生反射的機會。
具體而言，高折射率透鏡可為折射率大於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭200中高於平均折射率的透鏡；低折射率透鏡可為折射率小於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭200中低於平均折射率的透鏡。
請參照表九、表十、表十一及第2B圖至第2D圖，其中表九為第二實施方式的第一實施例至第五實施例於波長400nm至700nm的穿透率，表十為第三比較例至第七比較例於波長400nm至700nm的穿透率，表十一為第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例的成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm、波長區間520nm至540nm及波長區間530nm至540nm的光線的平均穿透率，第2B圖繪示依照第2A圖第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例於波長400nm至700nm的穿透率曲線圖，第2C圖繪示依照第2A圖第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例於波長540nm至590nm的穿透率曲線圖，第2D圖繪示依照第2A圖第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例於波長520nm至540nm的穿透率曲線圖，其中第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例的成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的光線的平均穿透率為T5459；第二實施方式的第一實施例至 第五實施例及第三比較例至第七比較例的成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的光線的平均穿透率為T5254；第二實施方式的第一實施例至第五實施例及第三比較例至第七比較例的成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的光線的平均穿透率為T5354。必須說明的是，第三比較例至第七比較例及第二實施方式的第一實施例至第五實施例同樣包含八個透鏡，但第三比較例至第七比較例的透鏡皆未包含奈米結構層與結構連接層。
Figure 110140486-A0305-02-0036-17
Figure 110140486-A0305-02-0037-18
Figure 110140486-A0305-02-0038-19
Figure 110140486-A0305-02-0039-20
Figure 110140486-A0305-02-0040-21
Figure 110140486-A0305-02-0041-22
Figure 110140486-A0305-02-0042-23
Figure 110140486-A0305-02-0043-24
Figure 110140486-A0305-02-0043-25
Figure 110140486-A0305-02-0044-26
Figure 110140486-A0305-02-0045-27
Figure 110140486-A0305-02-0046-28
Figure 110140486-A0305-02-0047-29
Figure 110140486-A0305-02-0048-30
Figure 110140486-A0305-02-0049-31
Figure 110140486-A0305-02-0050-32
Figure 110140486-A0305-02-0050-33
Figure 110140486-A0305-02-0051-34
成像鏡頭200具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關，其中穿透率衰減指標為Tdi；成像透鏡組的透鏡的數量為E；成像鏡頭200對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459；成像鏡頭200對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254；成像鏡頭200的一模擬穿透率為Tsim，其為對應波長區間540nm至590nm的光線的模擬穿透率；第一透鏡(即透鏡212)的折射率為n1，第二透鏡(即透鏡211)的折射率為n2，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的一差值為△n；透鏡中設置有奈米結構層230的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，所述參數滿足下列表十二條件。
Figure 110140486-A0305-02-0051-207
<第三實施方式>
請參照第3A圖，其繪示依照本揭示內容第三實施方式中成像鏡頭300的示意圖。由第3A圖可知，成像鏡 頭300包含一成像透鏡組(圖未標示)，一光軸X通過成像鏡頭300，成像鏡頭300的視角為85度，且成像鏡頭300為主鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡與一鏡筒320。
具體來說，成像透鏡組由物側至像側依序包含透鏡311、312、313、314、315、316、317、318，且透鏡311、312、313、314、315、316、317、318設置於鏡筒320中，其中透鏡的結構、面形等光學特徵可依照不同成像需求配置，並不以此為限。
透鏡311、312、313、315、316、318皆包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層，進一步來說，透鏡311、312、313、315、316、318的物側表面與像側表面皆包含奈米結構層與結構連接層。以透鏡311的物側表面為例，奈米結構層330呈不規則狀排列，奈米結構層330包含一氧化鋁結晶，奈米結構層330的結構尺度T2介於98nm至420nm；結構連接層(圖未標示)設置於透鏡311的物側表面與奈米結構層330之間，結構連接層包含至少一二氧化矽膜層341，二氧化矽膜層341與奈米結構層330的底部實體接觸，且二氧化矽膜層341的厚度T1介於20nm至150nm。
透過結構連接層可穩固奈米結構層330，使奈米結構層330可設置於各種不同材料的透鏡，且提升奈米結構層330的附著穩定性。詳細來說，奈米結構層330具有孔隙，使奈米結構層330的等效折射率往1.00漸變，降低介面之間的折射率變化，減少光線發生反射的機會。
請參照表十三，表十三為透鏡311、312、313、314、315、316、317、318的折射率，其中折射率使用波長587.6nm(d-line)的光線作為量測光線。
Figure 110140486-A0305-02-0053-208
第三實施方式中，透鏡312可作為第一透鏡，透鏡311可作為第二透鏡，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率不同。
再者，成像透鏡組中透鏡311、312、313、314、315、316、317、318分為一第一鏡群與一第二鏡群，其中第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第三實施方式中，透鏡311、312為第一鏡群，透鏡313、314、315、316、317、318為第二鏡群，其中第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡(即透鏡312)，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡(即透鏡311)；第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡(即透鏡313、314、315、316、317、318)，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡(即透鏡314)。可透過在高折射率透鏡上設置奈米結構層330，減少光線在介面間發生反射的機會。
具體而言，高折射率透鏡可為折射率大於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭300中高於平均折射率的透鏡；低折射率透鏡可為折射率小於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭 300中低於平均折射率的透鏡。
請參照表十四、表十五及第3B圖至第3D圖，其中表十四為第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例於波長400nm至700nm的穿透率，表十五為第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例的成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm、波長區間520nm至540nm及波長區間530nm至540nm的光線的平均穿透率，第3B圖繪示依照第3A圖第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例於波長400nm至700nm的穿透率曲線圖，第3C圖繪示依照第3A圖第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例於波長540nm至590nm的穿透率曲線圖，第3D圖繪示依照第3A圖第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例於波長520nm至540nm的穿透率曲線圖，其中第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例的成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的光線的平均穿透率為T5459；第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例的成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的光線的平均穿透率為T5254；第三實施方式的第一實施例至第三實施例及第八比較例至第十比較例的成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的光線的平均穿透率為T5354。必須說明的是，第八比較例至第十比較例及第三實施方式的 第一實施例至第三實施例同樣包含八個透鏡，但第八比較例至第十比較例的透鏡皆未包含奈米結構層與結構連接層。
Figure 110140486-A0305-02-0055-209
Figure 110140486-A0305-02-0056-38
Figure 110140486-A0305-02-0057-39
Figure 110140486-A0305-02-0058-40
Figure 110140486-A0305-02-0059-41
Figure 110140486-A0305-02-0060-42
Figure 110140486-A0305-02-0061-43
Figure 110140486-A0305-02-0062-44
Figure 110140486-A0305-02-0062-45
成像鏡頭300具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關，其中穿透率衰減指標為Tdi；成像透鏡組的透鏡的數量為E；成像鏡頭300對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5459；成像鏡頭300對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，平均穿透率為T5254；成像鏡頭300的一模擬穿透率為Tsim，其為對應波長區間540nm至590nm的光線的模擬穿透率；第一透鏡(即透鏡312) 的折射率為n1，第二透鏡(即透鏡311)的折射率為n2，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的一差值為△n；透鏡中設置有奈米結構層330的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，所述參數滿足下列表十六條件。
Figure 110140486-A0305-02-0063-46
<第四實施方式>
請參照第4圖，其繪示依照本揭示內容第四實施方式中成像鏡頭400的示意圖。由第4圖可知，成像鏡頭400包含一成像透鏡組(圖未標示)，一光軸X通過成像鏡頭400，成像鏡頭400的視角為79度，且成像鏡頭400為主鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡與一鏡筒420。
具體來說，成像透鏡組由物側至像側依序包含透鏡411、412、413、414、415、416、417，且透鏡411、412、413、414、415、416、417設置於鏡筒420中，其中透鏡的結構、面形等光學特徵可依照不同成像需求配置，並不以此為限。
透鏡411、413、415、416、417皆包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層，進一步來說，透鏡411、413、415、416、417的物側表面與像側表面皆包含奈米結構層與結構連接層。以透鏡417的像側表面為例，奈米結構層430呈不規則狀排列，奈米結構層430包含一氧化 鋁結晶，奈米結構層430的結構尺度T2介於98nm至420nm；結構連接層(圖未標示)設置於透鏡417的像側表面與奈米結構層430之間，結構連接層包含至少一二氧化矽膜層441，二氧化矽膜層441與奈米結構層430的底部實體接觸，且二氧化矽膜層441的厚度T1介於20nm至150nm。
透鏡411為菲涅耳透鏡，且抗反射膜層451設置於透鏡411的物側表面。再者，透鏡413為超穎透鏡，且抗反射膜層452設置於透鏡413的像側表面。具體來說，抗反射膜層451、452為奈米結構層與結構連接層所組成。
透過結構連接層可穩固奈米結構層430，使奈米結構層430可設置於各種不同材料的透鏡，且提升奈米結構層430的附著穩定性。詳細來說，奈米結構層430具有孔隙，使奈米結構層430的等效折射率往1.00漸變，降低介面之間的折射率變化，減少光線發生反射的機會。
請參照表十七，表十七為透鏡411、412、413、414、415、416、417的折射率，其中折射率使用波長587.6nm(d-line)的光線作為量測光線。
Figure 110140486-A0305-02-0064-210
第四實施方式中，透鏡412可作為第一透鏡，透鏡411可作為第二透鏡，第一透鏡的折射率與第二透鏡的 折射率不同。
再者，成像透鏡組中透鏡411、412、413、414、415、416、417分為一第一鏡群與一第二鏡群，其中第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第四實施方式中，透鏡411、412為第一鏡群，透鏡413、414、415、416、417為第二鏡群，其中第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡(即透鏡412)，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡(即透鏡411)；第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡(即透鏡413、414、415、416、417)，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡(即透鏡414)。可透過在高折射率透鏡上設置奈米結構層430，減少光線在介面間發生反射的機會。
具體而言，高折射率透鏡可為折射率大於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭400中高於平均折射率的透鏡；低折射率透鏡可為折射率小於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭400中低於平均折射率的透鏡。
成像鏡頭400具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關，其中穿透率衰減指標為Tdi；成像透鏡組的透鏡的數量為E；成像鏡頭400的一模擬穿透率為Tsim，其為對應波長區間540nm至590nm的光線的模擬穿透率；第一透鏡(即透鏡412)的折射率為n1，第二透鏡(即透鏡411)的折射率為n2，第一透鏡的折射率與第二透鏡的 折射率的一差值為△n；透鏡中設置有奈米結構層430的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，所述參數滿足下列表十八條件。
Figure 110140486-A0305-02-0066-48
<第五實施方式>
請參照第5圖，其繪示依照本揭示內容第五實施方式中成像鏡頭500的示意圖。由第5圖可知，成像鏡頭500包含一成像透鏡組(圖未標示)，一光軸X通過成像鏡頭500，成像鏡頭500的視角為128度，且成像鏡頭500為超廣角鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡與一鏡筒520。
具體來說，成像透鏡組由物側至像側依序包含透鏡511、512、513、514、515、516、517，且透鏡511、512、513、514、515、516、517設置於鏡筒520中，其中透鏡的結構、面形等光學特徵可依照不同成像需求配置，並不以此為限。
透鏡511、512、514、515、516、517皆包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層，進一步來說，透鏡511、512、514、515、516、517的物側表面與像側表面皆包含奈米結構層與結構連接層。以透鏡512的物側表面為例，奈米結構層530呈不規則狀排列，且奈米結構層530包含一氧化鋁結晶；結構連接層(圖未標示)設置 於透鏡512的物側表面與奈米結構層530之間，結構連接層包含二氧化矽膜層5411與二氧化鈦膜層5412，且二氧化矽膜層5411與奈米結構層530的底部實體接觸。
第五實施方式中，結構連接層為高折射率層與低折射率層交替堆疊而成的膜層，且透鏡513為模造玻璃透鏡，其中二氧化鈦膜層5412與二氧化矽膜層5411分別為高折射率層與低折射率層，但其高低折射率的分布並不以此為限，透過高折射率層與低折射率層交替堆疊可進一步提升抗反射效果。
透過結構連接層可穩固奈米結構層530，使奈米結構層530可設置於各種不同材料的透鏡，且提升奈米結構層530的附著穩定性。詳細來說，奈米結構層530具有孔隙，使奈米結構層530的等效折射率往1.00漸變，降低介面之間的折射率變化，減少光線發生反射的機會。
請參照表十九，表十九為透鏡511、512、513、514、515、516、517的折射率，其中折射率使用波長587.6nm(d-line)的光線作為量測光線。
Figure 110140486-A0305-02-0067-49
第五實施方式中，透鏡512可作為第一透鏡，透鏡511可作為第二透鏡，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率不同。
再者，成像透鏡組中透鏡511、512、513、514、 515、516、517分為一第一鏡群與一第二鏡群，其中第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第五實施方式中，透鏡511、512為第一鏡群，透鏡513、514、515、516、517為第二鏡群，其中第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡(即透鏡512)，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡(即透鏡511)；第二鏡群包含第一鏡群的一像側端的其餘透鏡(即透鏡513、514、515、516、517)，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡(即透鏡515)。可透過在高折射率透鏡上設置奈米結構層530，減少光線在介面間發生反射的機會。
具體而言，高折射率透鏡可為折射率大於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭500中高於平均折射率的透鏡；低折射率透鏡可為折射率小於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭500中低於平均折射率的透鏡。
成像鏡頭500具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關，其中穿透率衰減指標為Tdi；成像透鏡組的透鏡的數量為E；成像鏡頭500的一模擬穿透率為Tsim，其為對應波長區間540nm至590nm的光線的模擬穿透率；第一透鏡(即透鏡512)的折射率為n1，第二透鏡(即透鏡511)的折射率為n2，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的一差值為△n；透鏡中設置有奈米結構層530的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，所述參數滿足下 列表二十條件。
Figure 110140486-A0305-02-0069-50
<第六實施方式>
請參照第6圖，其繪示依照本揭示內容第六實施方式中成像鏡頭600的示意圖。由第6圖可知，成像鏡頭600包含一成像透鏡組(圖未標示)，一光軸X通過成像鏡頭600，成像鏡頭600的視角為85度，且成像鏡頭600為主鏡頭。成像透鏡組包含複數透鏡與一鏡筒620。
具體來說，成像透鏡組由物側至像側依序包含透鏡611、612、613、614、615、616、617、618，且透鏡611、612、613、614、615、616、617、618設置於鏡筒620中，其中透鏡的結構、面形等光學特徵可依照不同成像需求配置，並不以此為限。
透鏡611、透鏡613、614、615、617、618皆包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層，進一步來說，透鏡611的像側表面、透鏡613、614、615、617的物側表面與像側表面及透鏡618的物側表面皆包含奈米結構層與結構連接層。以透鏡615的物側表面為例，奈米結構層630呈不規則狀排列，且奈米結構層630包含一氧化鋁結晶；結構連接層(圖未標示)設置於透鏡615的物側表面與奈米結構層630之間，結構連接層包含至少一二氧化矽膜層641，且二氧化矽膜層641與奈米結構層630 的底部實體接觸。
透過結構連接層可穩固奈米結構層630，使奈米結構層630可設置於各種不同材料的透鏡，且提升奈米結構層630的附著穩定性。詳細來說，奈米結構層630具有孔隙，使奈米結構層630的等效折射率往1.00漸變，降低介面之間的折射率變化，減少光線發生反射的機會。
請參照表二十一，表二十一為透鏡611、612、613、614、615、616、617、618的折射率，其中折射率使用波長587.6nm(d-line)的光線作為量測光線。
Figure 110140486-A0305-02-0070-51
第六實施方式中，透鏡612可作為第一透鏡，透鏡611可作為第二透鏡，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率不同。
再者，成像透鏡組中透鏡611、612、613、614、615、616、617、618分為一第一鏡群與一第二鏡群，其中第一鏡群較第二鏡群靠近物側，且第一鏡群的透鏡數量少於第二鏡群的透鏡數量。第六實施方式中，透鏡611、612為第一鏡群，透鏡613、614、615、616、617、618為第二鏡群，其中第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡(即透鏡612)，高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡(即透鏡611)；第二鏡群包含 第一鏡群的一像側端的其餘透鏡(即透鏡613、614、615、616、617、618)，且第二鏡群包含至少一高折射率透鏡(即透鏡613)。可透過在高折射率透鏡上設置奈米結構層630，減少光線在介面間發生反射的機會。
具體而言，高折射率透鏡可為折射率大於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭600中高於平均折射率的透鏡；低折射率透鏡可為折射率小於1.6的透鏡，或者在成像鏡頭600中低於平均折射率的透鏡。
成像鏡頭600具有一穿透率衰減指標，穿透率衰減指標與成像透鏡組的透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關，其中穿透率衰減指標為Tdi；成像透鏡組的透鏡的數量為E；成像鏡頭600的一模擬穿透率為Tsim，其為對應波長區間540nm至590nm的光線的模擬穿透率；第一透鏡(即透鏡612)的折射率為n1，第二透鏡(即透鏡611)的折射率為n2，第一透鏡的折射率與第二透鏡的折射率的一差值為△n；透鏡中設置有奈米結構層630的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，所述參數滿足下列表二十二條件。
Figure 110140486-A0305-02-0071-52
<第七實施方式>
請參照第7A圖與第7B圖，其中第7A圖繪示依照本揭示內容第七實施方式中電子裝置70之示意圖，第 7B圖繪示依照第7A圖第七實施方式中電子裝置70的方塊圖。由第7A圖與第7B圖可知，電子裝置70係一智慧型手機，且包含一成像鏡頭(圖未繪示)，其中成像鏡頭包含一成像透鏡組(圖未繪示)，且成像透鏡組包含複數透鏡(圖未繪示)。進一步來說，透鏡包含一第一透鏡與一第二透鏡，其中第一透鏡與第二透鏡分別包含至少一奈米結構層(圖未繪示)與至少一結構連接層(圖未繪示)；或者，透鏡中至少三透鏡分別包含至少一奈米結構層與至少一結構連接層。藉此，透過透鏡設置奈米結構層可使電子裝置在切換成像鏡頭時，成像鏡頭間的成像品質趨近一致，減少切換成像鏡頭時的頓挫感。
第七實施方式中，電子裝置70包含四成像鏡頭，分別為長焦望遠鏡頭711、超廣角鏡頭712、超長焦望遠鏡頭713及廣角主鏡頭714。再者，可透過切換不同視角的成像鏡頭，使電子裝置70實現光學變焦的功能。必須說明的是，鏡頭蓋板72僅為示意電子裝置70內部的長焦望遠鏡頭711、超廣角鏡頭712、超長焦望遠鏡頭713及廣角主鏡頭714，並不表示鏡頭蓋板72為可拆卸式的。具體而言，廣角主鏡頭714可為前述第一實施方式至第四實施方式及第六實施方式的成像鏡頭，超廣角鏡頭712可為前述第五實施方式的成像鏡頭，但並不以此為限。
電子裝置70更包含一電子感光元件73與一使用者介面74，其中電子感光元件73設置於長焦望遠鏡頭711、超廣角鏡頭712、超長焦望遠鏡頭713及廣角主鏡 頭714的成像面(圖未繪示)，且使用者介面74可為觸控螢幕或顯示螢幕，並不以此為限。
進一步來說，使用者透過電子裝置70的使用者介面74進入拍攝模式。此時長焦望遠鏡頭711、超廣角鏡頭712、超長焦望遠鏡頭713及廣角主鏡頭714匯集成像光線在電子感光元件73上，並輸出有關影像的電子訊號至成像訊號處理元件(Image Signal Processor，ISP)75。
因應電子裝置70的相機規格，電子裝置70可更包含一光學防手震組件76，係可為OIS防抖回饋裝置，進一步地，電子裝置70可更包含至少一個輔助光學元件(圖未標示)及至少一個感測元件77。第七實施方式中，輔助光學元件為閃光燈模組78與對焦輔助模組79，閃光燈模組78可用以補償色溫，對焦輔助模組79可為紅外線測距元件、雷射對焦模組等。感測元件77可具有感測物理動量與作動能量的功能，如加速計、陀螺儀、霍爾元件(Hall Effect Element)，以感知使用者的手部或外在環境施加的晃動及抖動，進而有利於電子裝置70中成像鏡頭(即長焦望遠鏡頭711、超廣角鏡頭712、超長焦望遠鏡頭713及廣角主鏡頭714)配置的自動對焦功能及光學防手震組件76的發揮，以獲得良好的成像品質，有助於依據本發明的電子裝置70具備多種模式的拍攝功能，如優化自拍、低光源HDR(High Dynamic Range，高動態範圍成像)、高解析4K(4K Resolution)錄影等。此外，使用者可由 觸控螢幕直接目視到相機的拍攝畫面，並在觸控螢幕上手動操作取景範圍，以達成所見即所得的自動對焦功能。
此外，電子裝置70可更包含但不限於顯示單元(Display)、控制單元(Control Unit)、儲存單元(Storage Unit)、暫儲存單元(RAM)、唯讀儲存單元(ROM)或其組合。
詳細來說，長焦望遠鏡頭711具有第一視角，超廣角鏡頭712具有第二視角，超長焦望遠鏡頭713具有第三視角，廣角主鏡頭714具有第四視角，其中第一視角為FOV1，第二視角為FOV2，第三視角為FOV3，第四視角為FOV4，所述參數滿足下列表二十三條件。
Figure 110140486-A0305-02-0074-53
另外，第七實施方式與第一實施方式至第六實施方式其餘的元件之結構及配置關係皆相同，在此將不另贅述。
雖然本發明已以實施方式與實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:成像鏡頭
111,112,113,114,115,116,117,118:透鏡
120:鏡筒
130:奈米結構層
141:二氧化矽膜層
X:光軸
T1:厚度
T2:結構尺度

Claims (25)

  1. 一種成像鏡頭，一光軸通過該成像鏡頭，且包含：一成像透鏡組，包含複數透鏡，該些透鏡包含：一第一透鏡與一第二透鏡，其中該第一透鏡的折射率與該第二透鏡的折射率不同，且分別包含：至少一奈米結構層，該至少一奈米結構層呈不規則狀排列，該至少一奈米結構層包含一氧化鋁結晶，該至少一奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm；以及至少一結構連接層，包含至少一二氧化矽膜層，該至少一二氧化矽膜層與該至少一奈米結構層的底部實體接觸，且該至少一二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm；其中，該些結構連接層中至少一者設置於該第一透鏡的至少一表面與該些奈米結構層中至少一者之間，且該些結構連接層中至少另一者設置於該第二透鏡的至少一表面與該些奈米結構層中至少另一者之間；其中，該成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，該穿透率衰減指標與該成像透鏡組的該些透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關；其中，該穿透率衰減指標為Tdi，該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該穿透率衰減模擬常數為c，該成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿 透率，該平均穿透率為T5459，該第一透鏡的折射率與該第二透鏡的折射率的一差值為△n，其滿足下列條件：
    Figure 110140486-A0305-02-0078-99
    ，c=0.008；0.85
    Figure 110140486-A0305-02-0078-100
    Tdi
    Figure 110140486-A0305-02-0078-101
    0.9；90%
    Figure 110140486-A0305-02-0078-102
    T5459；以及0.065
    Figure 110140486-A0305-02-0078-103
    △n
    Figure 110140486-A0305-02-0078-104
    0.82。
  2. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5254，其滿足下列條件：90%
    Figure 110140486-A0305-02-0078-105
    T5254。
  3. 如請求項2所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5354，其滿足下列條件：90%
    Figure 110140486-A0305-02-0078-204
    T5354。
  4. 如請求項1所述的成像鏡頭，其中該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：0.8
    Figure 110140486-A0305-02-0078-107
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0078-108
    1。
  5. 一種電子裝置，包含： 如請求項1所述的成像鏡頭。
  6. 一種成像鏡頭，一光軸通過該成像鏡頭，且包含：一成像透鏡組，包含複數透鏡，該些透鏡包含：一第一透鏡與一第二透鏡，其中該第一透鏡的折射率與該第二透鏡的折射率不同，且分別包含：至少一奈米結構層，該至少一奈米結構層呈不規則狀排列，該至少一奈米結構層包含一氧化鋁結晶，該至少一奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm；以及至少一結構連接層，包含至少一二氧化矽膜層，該至少一二氧化矽膜層與該至少一奈米結構層的底部實體接觸，且該至少一二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm；其中，該些結構連接層中至少一者設置於該第一透鏡的至少一表面與該些奈米結構層中至少一者之間，且該些結構連接層中至少另一者設置於該第二透鏡的至少一表面與該些奈米結構層中至少另一者之間；其中，該成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，該穿透率衰減指標與該成像透鏡組的該些透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關；其中，該穿透率衰減指標為Tdi，該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該穿透率衰減模擬常數為c，該成像鏡頭 對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5459，該第一透鏡的折射率為n1，該第二透鏡的折射率為n2，其滿足下列條件：
    Figure 110140486-A0305-02-0080-87
    ，c=0.008；0.85
    Figure 110140486-A0305-02-0080-88
    Tdi
    Figure 110140486-A0305-02-0080-89
    0.9；90%
    Figure 110140486-A0305-02-0080-91
    T5459；n1>1.6；以及n2<1.6。
  7. 如請求項6所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5254，其滿足下列條件：90%
    Figure 110140486-A0305-02-0080-95
    T5254。
  8. 如請求項7所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5354，其滿足下列條件：90%
    Figure 110140486-A0305-02-0080-94
    T5354。
  9. 如請求項6所述的成像鏡頭，其中該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：0.8
    Figure 110140486-A0305-02-0080-92
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0080-93
    1。
  10. 一種電子裝置，包含：如請求項6所述的成像鏡頭。
  11. 一種成像鏡頭，一光軸通過該成像鏡頭，且包含：一成像透鏡組，包含複數透鏡，該些透鏡中至少三透鏡分別包含：至少一奈米結構層，該至少一奈米結構層呈不規則狀排列，該至少一奈米結構層包含一氧化鋁結晶，該至少一奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm；以及至少一結構連接層，包含至少一二氧化矽膜層，該至少一二氧化矽膜層與該至少一奈米結構層的底部實體接觸，且該至少一二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm；其中，該些結構連接層中至少一者設置於該至少三透鏡中一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少一者之間，該些結構連接層中至少另一者設置於該至少三透鏡中另一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少另一者之間，且該些結構連接層中至少再一者設置於該至少三透鏡中再一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少再一者之間；其中，該成像透鏡組中該些透鏡分為一第一鏡群與一第二鏡群，該第一鏡群較該第二鏡群靠近物側，且該第一鏡群的透鏡數量少於該第二鏡群的透鏡數量； 其中，該第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡，該高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡；其中，該第二鏡群包含該第一鏡群的一像側端的其餘透鏡，且該第二鏡群包含至少一高折射率透鏡；其中，該成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，該穿透率衰減指標與該成像透鏡組的該些透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關；其中，該穿透率衰減指標為Tdi，該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該穿透率衰減模擬常數為c，該成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5459，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：
    Figure 110140486-A0305-02-0082-181
    ，c=0.008；0.85
    Figure 110140486-A0305-02-0082-182
    Tdi
    Figure 110140486-A0305-02-0082-183
    0.88；90%
    Figure 110140486-A0305-02-0082-184
    T5459；以及0.5
    Figure 110140486-A0305-02-0082-185
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0082-186
    1。
  12. 如請求項11所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5254，其滿足下列條件：90%
    Figure 110140486-A0305-02-0082-187
    T5254。
  13. 如請求項12所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5354，其滿足下列條件：90%
    Figure 110140486-A0305-02-0083-188
    T5354。
  14. 如請求項11所述的成像鏡頭，其中該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：0.8
    Figure 110140486-A0305-02-0083-189
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0083-190
    1。
  15. 一種電子裝置，包含：如請求項11所述的成像鏡頭。
  16. 一種成像鏡頭，一光軸通過該成像鏡頭，且包含：一成像透鏡組，包含複數透鏡，該些透鏡中至少三透鏡分別包含：至少一奈米結構層，該至少一奈米結構層呈不規則狀排列，該至少一奈米結構層包含一氧化鋁結晶，該至少一奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm；以及至少一結構連接層，包含至少一二氧化矽膜層，該至少一二氧化矽膜層與該至少一奈米結構層的底部實體 接觸，且該至少一二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm；其中，該些結構連接層中至少一者設置於該至少三透鏡中一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少一者之間，該些結構連接層中至少另一者設置於該至少三透鏡中另一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少另一者之間，且該些結構連接層中至少再一者設置於該至少三透鏡中再一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少再一者之間；其中，該成像透鏡組中該些透鏡分為一第一鏡群與一第二鏡群，該第一鏡群較該第二鏡群靠近物側，且該第一鏡群的透鏡數量少於該第二鏡群的透鏡數量；其中，該第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡，該高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡；其中，該第二鏡群包含該第一鏡群的一像側端的其餘透鏡，且該第二鏡群包含至少一高折射率透鏡；其中，該成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，該穿透率衰減指標與該成像透鏡組的該些透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關；其中，該穿透率衰減指標為Tdi，該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該穿透率衰減模擬常數為c，該成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5459，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿 足下列條件：
    Figure 110140486-A0305-02-0085-78
    ，c=0.008；0.81
    Figure 110140486-A0305-02-0085-79
    Tdi
    Figure 110140486-A0305-02-0085-80
    0.84；87.6%
    Figure 110140486-A0305-02-0085-84
    T5459
    Figure 110140486-A0305-02-0085-81
    92%；以及0.59
    Figure 110140486-A0305-02-0085-83
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0085-82
    1。
  17. 如請求項16所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5254，其滿足下列條件：86%
    Figure 110140486-A0305-02-0085-191
    T5254。
  18. 如請求項17所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5354，其滿足下列條件：86%
    Figure 110140486-A0305-02-0085-192
    T5354。
  19. 如請求項16所述的成像鏡頭，其中該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：0.9
    Figure 110140486-A0305-02-0085-85
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0085-86
    1。
  20. 一種電子裝置，包含：如請求項16所述的成像鏡頭。
  21. 一種成像鏡頭，一光軸通過該成像鏡頭，且包含：一成像透鏡組，包含複數透鏡，該些透鏡中至少三透鏡分別包含：至少一奈米結構層，該至少一奈米結構層呈不規則狀排列，該至少一奈米結構層包含一氧化鋁結晶，該至少一奈米結構層的結構尺度介於98nm至420nm；以及至少一結構連接層，包含至少一二氧化矽膜層，該至少一二氧化矽膜層與該至少一奈米結構層的底部實體接觸，且該至少一二氧化矽膜層的厚度介於20nm至150nm；其中，該些結構連接層中至少一者設置於該至少三透鏡中一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少一者之間，該些結構連接層中至少另一者設置於該至少三透鏡中另一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少另一者之間，且該些結構連接層中至少再一者設置於該至少三透鏡中再一者的至少一表面與該些奈米結構層中至少再一者之間；其中，該成像透鏡組中該些透鏡分為一第一鏡群與一第二鏡群，該第一鏡群較該第二鏡群靠近物側，且該第一鏡群的透鏡數量少於該第二鏡群的透鏡數量；其中，該第一鏡群於最靠近像側包含一高折射率透鏡，該高折射率透鏡的一物側端的相鄰透鏡為一低折射率透鏡； 其中，該第二鏡群包含該第一鏡群的一像側端的其餘透鏡，且該第二鏡群包含至少一高折射率透鏡；其中，該成像鏡頭具有一穿透率衰減指標，該穿透率衰減指標與該成像透鏡組的該些透鏡的數量及一穿透率衰減模擬常數相關；其中，該穿透率衰減指標為Tdi，該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該穿透率衰減模擬常數為c，該成像鏡頭對應波長區間540nm至590nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5459，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：
    Figure 110140486-A0305-02-0087-110
    ，c=0.008；0.78
    Figure 110140486-A0305-02-0087-111
    Tdi
    Figure 110140486-A0305-02-0087-112
    0.80；86%
    Figure 110140486-A0305-02-0087-114
    T5459
    Figure 110140486-A0305-02-0087-115
    91%；以及0.67
    Figure 110140486-A0305-02-0087-118
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0087-116
    1。
  22. 如請求項21所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間520nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5254，其滿足下列條件：84%
    Figure 110140486-A0305-02-0087-119
    T5254。
  23. 如請求項22所述的成像鏡頭，其中該成像鏡頭對應波長區間530nm至540nm的一光線具有一平均穿透率，該平均穿透率為T5354，其滿足下列條件： 84%
    Figure 110140486-A0305-02-0088-96
    T5354。
  24. 如請求項21所述的成像鏡頭，其中該成像透鏡組的該些透鏡的數量為E，該些透鏡中設置有該些奈米結構層的物側表面與像側表面的表面總數為NCS，其滿足下列條件：0.96
    Figure 110140486-A0305-02-0088-97
    NCS/2E
    Figure 110140486-A0305-02-0088-98
    1。
  25. 一種電子裝置，包含：如請求項21所述的成像鏡頭。
TW110140486A 2021-07-09 2021-10-29 成像鏡頭與電子裝置 TWI793836B (zh)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2012023274A1 (ja) * 2010-08-19 2012-02-23 パナソニック株式会社 回折格子レンズおよびそれを用いた撮像装置
TWM503575U (zh) * 2015-03-20 2015-06-21 Largan Precision Co Ltd 攝影光學鏡片組、取像裝置及電子裝置
US20150226931A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-13 Largan Precision Co., Ltd. Optical lens assembly having an optical refractive index matching layer

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012023274A1 (ja) * 2010-08-19 2012-02-23 パナソニック株式会社 回折格子レンズおよびそれを用いた撮像装置
US20150226931A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-13 Largan Precision Co., Ltd. Optical lens assembly having an optical refractive index matching layer
TWM503575U (zh) * 2015-03-20 2015-06-21 Largan Precision Co Ltd 攝影光學鏡片組、取像裝置及電子裝置

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