CN115598794A - 成像镜头与电子装置 - Google Patents

Abstract

一种成像镜头与电子装置，成像镜头包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶。结构连接层设置于第一透镜的表面与纳米结构层之间及第二透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触。当成像镜头满足特定条件时，可维持成像品质。

Description

成像镜头与电子装置

技术领域

本揭示内容是关于一种成像镜头，且特别是一种应用在可携式电子装置上的成像镜头。

背景技术

近年来，可携式电子装置发展快速，例如智能电子装置、平板计算机等，已充斥在现代人的生活中，而装载在可携式电子装置上的成像镜头也随之蓬勃发展。随着技术进步，成像镜头逐渐增加透镜数量以追求更佳的成像品质，但增加透镜数量容易衍生诸多问题，如穿透率下降及杂散光反射等问题。因此，发展一种可维持成像品质、减少研发成本浪费及缩短研发时程的成像镜头遂成为产业上重要且急欲解决的问题。

发明内容

本揭示内容提供一种成像镜头与电子装置，通过透过透镜设置纳米结构层与结构连接层，使成像镜头在增加透镜数量后仍可维持成像品质，同时通过穿透率衰减指标辅助模拟成像镜头的穿透率，借以减少研发成本浪费及缩短研发时程。

依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。第一透镜与第二透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于第一透镜的表面与纳米结构层之间及第二透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)²/10]^2E，c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.9；90％≤T₅₄₅₉；以及0.065≤Δn≤0.82。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₂₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₃₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₃₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像透镜组的透镜的数量为E，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其可满足下列条件：0.8≤N_CS/2E≤1。

依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的成像镜头。

依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。第一透镜与第二透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于第一透镜的表面与纳米结构层之间及第二透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉，第一透镜的折射率为n1，第二透镜的折射率为n2，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)²/10]^2E,c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.9；90％≤T₅₄₅₉；n1>1.6；以及n2<1.6。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₂₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₃₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₃₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像透镜组的透镜的数量为E，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其可满足下列条件：0.8≤N_CS/2E≤1。

依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的成像镜头。

依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜中至少三透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于各透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像透镜组中透镜分为一第一镜群与一第二镜群，第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜。第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜，且第二镜群包含至少一高折射率透镜。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)²/10]^2E，c＝0.008；0.85≤Tdi≤0.88；90％≤T₅₄₅₉；以及0.5≤N_CS/2E≤1。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₂₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₃₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₃₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像透镜组的透镜的数量为E，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其可满足下列条件：0.8≤N_CS/2E≤1。

依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的成像镜头。

依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜中至少三透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于各透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像透镜组中透镜分为一第一镜群与一第二镜群，第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜。第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜，且第二镜群包含至少一高折射率透镜。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)²/10]^2E,c＝0.008；0.81≤Tdi≤0.84；87.6％≤T₅₄₅₉≤92％；以及0.59≤N_CS/2E≤1。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄，其可满足下列条件：86％≤T₅₂₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₃₅₄，其可满足下列条件：86％≤T₅₃₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像透镜组的透镜的数量为E，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其可满足下列条件：0.9≤N_CS/2E≤1。

依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的成像镜头。

依据本揭示内容一实施方式提供一种成像镜头，包含一成像透镜组，且一光轴通过成像镜头。成像透镜组包含多个透镜，其中透镜中至少三透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于各透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像透镜组中透镜分为一第一镜群与一第二镜群，第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜。第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜，且第二镜群包含至少一高折射率透镜。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)²/10]^2E,c＝0.008；0.78≤Tdi≤0.80；86％≤T₅₄₅₉≤91％；以及0.67≤N_CS/2E≤1。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄，其可满足下列条件：84％≤T₅₂₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₃₅₄，其可满足下列条件：84％≤T₅₃₅₄。

依据前段所述实施方式的成像镜头，其中成像透镜组的透镜的数量为E，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其可满足下列条件：0.96≤N_CS/2E≤1。

依据本揭示内容一实施方式提供一种电子装置，包含如前述实施方式的成像镜头。

附图说明

图1A绘示依照本揭示内容第一实施方式中成像镜头的示意图；

图1B绘示依照图1A第一实施方式中纳米结构层的扫描式电子显微镜影像；

图1C绘示依照图1A第一实施方式中纳米结构层的另一扫描式电子显微镜影像；

图1D绘示依照图1A第一实施方式中透镜的一剖面的扫描式电子显微镜影像；

图1E绘示依照图1A第一实施方式中透镜的另一剖面的扫描式电子显微镜影像；

图1F绘示依照图1A第一实施方式中透镜的再一剖面的扫描式电子显微镜影像；

图1G绘示依照图1A第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例于波长400nm至700nm的穿透率曲线图；

图1H绘示依照图1A第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例于波长540nm至590nm的穿透率曲线图；

图1I绘示依照图1A第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例于波长520nm至540nm的穿透率曲线图；

图2A绘示依照本揭示内容第二实施方式中成像镜头的示意图；

图2B绘示依照图2A第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例于波长400nm至700nm的穿透率曲线图；

图2C绘示依照图2A第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例于波长540nm至590nm的穿透率曲线图；

图2D绘示依照图2A第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例于波长520nm至540nm的穿透率曲线图；

图3A绘示依照本揭示内容第三实施方式中成像镜头的示意图；

图3B绘示依照图3A第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例于波长400nm至700nm的穿透率曲线图；

图3C绘示依照图3A第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例于波长540nm至590nm的穿透率曲线图；

图3D绘示依照图3A第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例于波长520nm至540nm的穿透率曲线图；

图4绘示依照本揭示内容第四实施方式中成像镜头的示意图；

图5绘示依照本揭示内容第五实施方式中成像镜头的示意图；

图6绘示依照本揭示内容第六实施方式中成像镜头的示意图；

图7A绘示依照本揭示内容第七实施方式中电子装置的示意图；以及

图7B绘示依照图7A第七实施方式中电子装置的方块图；

图8A绘示依照本揭示内容的穿透率衰减指标与透镜数量的关系图；以及

图8B绘示依照本揭示内容的模拟穿透率与透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数的关系图。

【符号说明】

100,200,300,400,500,600:成像镜头

111,112,113,114,115,116,117,118,211,212,213,214,215,216,217,218,311,312,313,314,315,316,317,318,411,412,413,414,415,416,417,511,512,513,514,515,516,517,611,612,613,614,615,616,617,618:透镜

120,220,320,420,520,620:镜筒

130,230,330,430,530,630:纳米结构层

140:结构连接层

141,241,341,441,5411,641:二氧化硅膜层

451,452:抗反射膜层

5412:二氧化钛膜层

70:电子装置

711:长焦望远镜头

712:超广角镜头

713:超长焦望远镜头

714:广角主镜头

72:镜头盖板

73:电子感光元件

74:使用者界面

75:成像信号处理元件

76:光学防手震组件

77:感测元件

78:闪光灯模块

79:对焦辅助模块

X:光轴

T1,T3:厚度

T2:结构尺度

Tdi:穿透率衰减指标

E:成像透镜组的透镜的数量

c:穿透率衰减模拟常数

T₅₂₅₄,T₅₃₅₄,T₅₄₅₉:平均穿透率

T_sim:模拟穿透率

n1:第一透镜的折射率

n2:第二透镜的折射率

Δn:第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的差值

N_CS:透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数

FOV1:第一视角

FOV2:第二视角

FOV3:第三视角

FOV4:第四视角

具体实施方式

本揭示内容提供一种成像镜头，一光轴通过成像镜头，且包含一成像透镜组，其中成像透镜组包含多个透镜。透镜包含一第一透镜与一第二透镜，且第一透镜与一第二透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层；或者，透镜中至少三透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。纳米结构层呈不规则状排列，纳米结构层包含一氧化铝结晶，纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm。结构连接层设置于各透镜的表面与纳米结构层之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，二氧化硅膜层与纳米结构层的底部实体接触，且二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm。成像镜头具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关。穿透率衰减指标为Tdi，成像透镜组的透镜的数量为E，穿透率衰减模拟常数为c，其满足下列条件：Tdi＝[(π+c)²/10]^2E,c＝0.008。透过结构连接层可稳固纳米结构层，使纳米结构层可设置于各种不同材料的透镜，且提升纳米结构层的附着稳定性。再者，透镜设置纳米结构层可使电子装置在切换成像镜头时，成像镜头间的成像品质趋近一致，减少切换成像镜头时的顿挫感。

纳米结构层具有孔隙，使纳米结构层的等效折射率往1.00渐变，降低界面之间的折射率变化，减少光线发生反射的机会。再者，结构连接层也可为一高折射率层与低折射率层交替堆叠而成的膜层，顶部为二氧化硅膜层与纳米结构层实体接触，且成像镜头中可包含一模造玻璃。或者，透镜也可为菲涅耳透镜(Fresnel lens)或超颖透镜(Meta lens)等，但不以此为限。

请参照表一与图8A，其中表一为透镜数量对应不同的穿透率衰减模拟常数的穿透率衰减指标，图8A绘示依照本揭示内容的穿透率衰减指标与透镜数量的关系图。由表一与图8A可知，穿透率衰减模拟常数为c，穿透率衰减指标为Tdi，其中穿透率衰减指标为可模拟成像镜头穿透率的数学模型，而穿透率衰减模拟常数可由实验数据建构而得，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量为负相关，与穿透率衰减模拟常数为正相关，而与纳米结构层无关。再者，穿透率衰减模拟常数可能会受到镜头品质以及测试条件等变化影响。具体而言，当穿透率衰减模拟常数为0.008时为最优选条件，符合本揭示内容的穿透率预测模型。必须说明的是，穿透率衰减模拟常数亦可递增或递减，即穿透率衰减模拟常数可为0.007、0.009或0.01，并不以此为限。镀膜后的镜头穿透率可由穿透率模拟公式模拟，由实验数据估算可得知镜头每设置一面纳米结构层镀膜可提升约0.28％的穿透率，因此由穿透率模拟公式可模拟透镜中设置有纳米结构层的表面数量的镜头穿透率。

请参照表二与图8B，其中表二为透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面对应不同表面总数的模拟穿透率，图8B绘示依照本揭示内容的模拟穿透率与透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数的关系图。由表二与图8B可知，模拟穿透率为T_sim，穿透率衰减指标为Tdi，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，成像透镜组的透镜的数量为E，其中以透镜的数量为八为例，借以模拟不同透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数对应的穿透率。详细来说，模拟穿透率T_sim会随着透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数N_CS增加而提升，其可满足下列条件：T_sim＝Tdi×100％+0.28％×N_CS。必须说明的是，上述条件式适用于波长最佳范围于540nm至590nm。举例来说，当成像透镜组无设置纳米结构层时，其可满足下列条件：T_sim＝Tdi×100％；当透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS时，其可满足下列条件：T_sim＝Tdi×100％+0.28％×N_CS；当成像透镜组所有的透镜皆设置纳米结构层时，其可满足下列条件：T_sim＝Tdi×100％+0.28％×2E。据此，透过穿透率衰减指标与模拟穿透率可预先模拟满足镜头规格所需要的镀膜面数，可减少不必要的成本浪费并可缩短研发时程。并且，透过模拟穿透率可得知透镜的数量为八时，透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数至少为八，可使模拟穿透率达90％以上。必须说明的是，模拟穿透率T_sim仅为模拟值，并不以此为限。

请参照表三，其为不同透镜的数量对应的模拟穿透率。由表三可知，Tdi×100％用以模拟成像镜头设置不同数量的透镜且所有透镜皆无设置纳米结构层的情况下，成像镜头理论上可达到的穿透率最大值；N_CS＝2E用以模拟成像镜头设置不同数量的透镜且所有透镜皆设置纳米结构层的情况下，成像镜头理论上可达到的穿透率最大值。

成像透镜组中透镜可分为一第一镜群与一第二镜群，第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量，其中第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜；第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜，且第二镜群包含至少一高折射率透镜。可透过在高折射率透镜上设置纳米结构层，减少光线在界面间发生反射的机会。具体而言，高折射率透镜可为折射率大于1.6的透镜，或者在成像镜头中高于平均折射率的透镜；低折射率透镜可为折射率小于1.6的透镜，或者在成像镜头中低于平均折射率的透镜。

穿透率衰减指标为Tdi，其可满足下列条件：0.85≤Tdi≤0.9。或者，其可满足下列条件：0.85≤Tdi≤0.88。再者，其可满足下列条件：0.81≤Tdi≤0.84。或者，其可满足下列条件：0.78≤Tdi≤0.80。

成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉，其可满足下列条件：90％≤T₅₄₅₉。必须说明的是，平均穿透率的测量方法为成像透镜组设于一镜筒内进行测量波长540nm至590nm的光线平均穿透率，其中测量时成像透镜组不包含滤光片。或者，其可满足下列条件：87.6％≤T₅₄₅₉≤92％。再者，其可满足下列条件：86％≤T₅₄₅₉≤91％。

第一透镜的折射率为n1，第二透镜的折射率为n2，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn，其可满足下列条件：0.065≤Δn≤0.82；n1>1.6；以及n2<1.6。必须说明的是，第一透镜的折射率可与第二透镜的折射率不同，且透镜的折射率使用波长587.6nm(d-line)的光线作为量测光线。

透镜中设置有纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，成像透镜组的透镜的数量为E，其可满足下列条件：0.5≤N_CS/2E≤1。借此，可进一步提升成像镜头的光学性能。进一步说明，成像镜头中至少一半以上的透镜设置纳米结构层时，可使成像镜头的成像品质更加稳定。或者，其可满足下列条件：0.59≤N_CS/2E≤1。借此，成像镜头增加透镜数量时仍可维持成像品质。或者，其可满足下列条件：0.67≤N_CS/2E≤1。或者，其可满足下列条件：0.8≤N_CS/2E≤1。或者，其可满足下列条件：0.9≤N_CS/2E≤1。或者，其可满足下列条件：0.96≤N_CS/2E≤1。

成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₂₅₄。借此，可提升成像镜头的成像品质。另外，其可满足下列条件：86％≤T₅₂₅₄。再者，其可满足下列条件：84％≤T₅₂₅₄。

成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₃₅₄，其可满足下列条件：90％≤T₅₃₅₄。另外，其可满足下列条件：86％≤T₅₃₅₄。再者，其可满足下列条件：84％≤T₅₃₅₄。

上述本揭示内容成像镜头中的各技术特征皆可组合配置，而达到对应的功效。

本揭示内容提供一种电子装置，包含前述的成像镜头。

根据上述实施方式，以下提出具体实施方式及实施例并配合附图予以详细说明。

＜第一实施方式＞

请参照图1A，其绘示依照本揭示内容第一实施方式中成像镜头100的示意图。由图1A可知，成像镜头100包含一成像透镜组(图未标示)，一光轴X通过成像镜头100，成像镜头100的视角为85度，且成像镜头100为主镜头。成像透镜组包含多个透镜与一镜筒120。

具体来说，成像透镜组由物侧至像侧依序包含透镜111、112、113、114、115、116、117、118，且透镜111、112、113、114、115、116、117、118设置于镜筒120中，其中透镜的结构、面形等光学特征可依照不同成像需求配置，并不以此为限。

请参照图1B至图1F，其中图1B绘示依照图1A第一实施方式中纳米结构层130的扫描式电子显微镜影像，图1C绘示依照图1A第一实施方式中纳米结构层130的另一扫描式电子显微镜影像，图1D绘示依照图1A第一实施方式中透镜111的一剖面的扫描式电子显微镜影像，图1E绘示依照图1A第一实施方式中透镜111的另一剖面的扫描式电子显微镜影像，图1F绘示依照图1A第一实施方式中透镜111的再一剖面的扫描式电子显微镜影像。由图1A至图1F可知，透镜111、112、113、114、115、116、117、118的物侧表面与像侧表面皆包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。以透镜111的物侧表面为例，纳米结构层130呈不规则状排列，纳米结构层130包含一氧化铝结晶，纳米结构层130的结构尺度T2介于98nm至420nm；结构连接层140设置于透镜111的物侧表面与纳米结构层130之间，结构连接层140包含至少一二氧化硅膜层141，二氧化硅膜层141与纳米结构层130的底部实体接触，且二氧化硅膜层141的厚度T1介于20nm至150nm。

由图1D可知，结构连接层140的厚度T3为73.68nm，纳米结构层130的结构尺度T2为200.3nm；由图1E可知，结构连接层140的厚度T3为76.62nm，纳米结构层130的结构尺度T2为232.7nm；由图1F可知，结构连接层140的厚度T3为75.15nm，纳米结构层130的结构尺度T2为247.4nm。

透过结构连接层140可稳固纳米结构层130，使纳米结构层130可设置于各种不同材料的透镜，且提升纳米结构层130的附着稳定性。详细来说，纳米结构层130具有孔隙，使纳米结构层130的等效折射率往1.00渐变，降低界面之间的折射率变化，减少光线发生反射的机会。

请参照表四，表四为透镜111、112、113、114、115、116、117、118的折射率，其中折射率使用波长587.6nm(d-line)的光线作为量测光线。

第一实施方式中，透镜112可作为第一透镜，透镜111可作为第二透镜，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。

再者，成像透镜组中透镜111、112、113、114、115、116、117、118分为一第一镜群与一第二镜群，其中第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第一实施方式中，透镜111、112为第一镜群，透镜113、114、115、116、117、118为第二镜群，其中第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜(即透镜112)，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜(即透镜111)；第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜(即透镜113、114、115、116、117、118)，且第二镜群包含至少一高折射率透镜(即透镜113)。可透过在高折射率透镜上设置纳米结构层130，减少光线在界面间发生反射的机会。

具体而言，高折射率透镜可为折射率大于1.6的透镜，或者在成像镜头100中高于平均折射率的透镜；低折射率透镜可为折射率小于1.6的透镜，或者在成像镜头100中低于平均折射率的透镜。

请参照表五、表六及图1G至图1I，其中表五为第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例于波长400nm至700nm的穿透率，表六为第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例的成像镜头对应波长区间540nm至590nm、波长区间520nm至540nm及波长区间530nm至540nm的光线的平均穿透率，图1G绘示依照图1A第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例于波长400nm至700nm的穿透率曲线图，图1H绘示依照图1A第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例于波长540nm至590nm的穿透率曲线图，图1I绘示依照图1A第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例于波长520nm至540nm的穿透率曲线图，其中第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例的成像镜头对应波长区间540nm至590nm的光线的平均穿透率为T₅₄₅₉；第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例的成像镜头对应波长区间520nm至540nm的光线的平均穿透率为T₅₂₅₄；第一实施方式的第一实施例、第二实施例及第一比较例、第二比较例的成像镜头对应波长区间530nm至540nm的光线的平均穿透率为T₅₃₅₄。必须说明的是，第一比较例、第二比较例及第一实施方式的第一实施例、第二实施例同样包含八个透镜，但第一比较例与第二比较例的透镜皆未包含纳米结构层与结构连接层。

成像镜头100具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关，其中穿透率衰减指标为Tdi；成像透镜组的透镜的数量为E；成像镜头100对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉；成像镜头100对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄；成像镜头100的一模拟穿透率为T_sim，其为对应波长区间540nm至590nm的光线的模拟穿透率；第一透镜(即透镜112)的折射率为n1，第二透镜(即透镜111)的折射率为n2，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn；透镜中设置有纳米结构层130的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，所述参数满足下列表七条件。

＜第二实施方式＞

请参照图2A，其绘示依照本揭示内容第二实施方式中成像镜头200的示意图。由图2A可知，成像镜头200包含一成像透镜组(图未标示)，一光轴X通过成像镜头200，成像镜头200的视角为85度，且成像镜头200为主镜头。成像透镜组包含多个透镜与一镜筒220。

具体来说，成像透镜组由物侧至像侧依序包含透镜211、212、213、214、215、216、217、218，且透镜211、212、213、214、215、216、217、218设置于镜筒220中，其中透镜的结构、面形等光学特征可依照不同成像需求配置，并不以此为限。

透镜211、212、213、214、215、216、217、218的物侧表面与像侧表面皆包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。以透镜211的物侧表面为例，纳米结构层230呈不规则状排列，纳米结构层230包含一氧化铝结晶，纳米结构层230的结构尺度T2介于98nm至420nm；结构连接层(图未标示)设置于透镜211的物侧表面与纳米结构层230之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层241，二氧化硅膜层241与纳米结构层230的底部实体接触，且二氧化硅膜层241的厚度T1介于20nm至150nm。

透过结构连接层可稳固纳米结构层230，使纳米结构层230可设置于各种不同材料的透镜，且提升纳米结构层230的附着稳定性。详细来说，纳米结构层230具有孔隙，使纳米结构层230的等效折射率往1.00渐变，降低界面之间的折射率变化，减少光线发生反射的机会。

请参照表八，表八为透镜211、212、213、214、215、216、217、218的折射率，其中折射率使用波长587.6nm(d-line)的光线作为量测光线。

第二实施方式中，透镜212可作为第一透镜，透镜211可作为第二透镜，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。

再者，成像透镜组中透镜211、212、213、214、215、216、217、218分为一第一镜群与一第二镜群，其中第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第二实施方式中，透镜211、212为第一镜群，透镜213、214、215、216、217、218为第二镜群，其中第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜(即透镜212)，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜(即透镜211)；第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜(即透镜213、214、215、216、217、218)，且第二镜群包含至少一高折射率透镜(即透镜214)。可透过在高折射率透镜上设置纳米结构层230，减少光线在界面间发生反射的机会。

具体而言，高折射率透镜可为折射率大于1.6的透镜，或者在成像镜头200中高于平均折射率的透镜；低折射率透镜可为折射率小于1.6的透镜，或者在成像镜头200中低于平均折射率的透镜。

请参照表九、表十、表十一及图2B至图2D，其中表九为第二实施方式的第一实施例至第五实施例于波长400nm至700nm的穿透率，表十为第三比较例至第七比较例于波长400nm至700nm的穿透率，表十一为第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例的成像镜头对应波长区间540nm至590nm、波长区间520nm至540nm及波长区间530nm至540nm的光线的平均穿透率，图2B绘示依照图2A第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例于波长400nm至700nm的穿透率曲线图，图2C绘示依照图2A第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例于波长540nm至590nm的穿透率曲线图，图2D绘示依照图2A第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例于波长520nm至540nm的穿透率曲线图，其中第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例的成像镜头对应波长区间540nm至590nm的光线的平均穿透率为T₅₄₅₉；第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例的成像镜头对应波长区间520nm至540nm的光线的平均穿透率为T₅₂₅₄；第二实施方式的第一实施例至第五实施例及第三比较例至第七比较例的成像镜头对应波长区间530nm至540nm的光线的平均穿透率为T₅₃₅₄。必须说明的是，第三比较例至第七比较例及第二实施方式的第一实施例至第五实施例同样包含八个透镜，但第三比较例至第七比较例的透镜皆未包含纳米结构层与结构连接层。

成像镜头200具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关，其中穿透率衰减指标为Tdi；成像透镜组的透镜的数量为E；成像镜头200对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉；成像镜头200对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄；成像镜头200的一模拟穿透率为T_sim，其为对应波长区间540nm至590nm的光线的模拟穿透率；第一透镜(即透镜212)的折射率为n1，第二透镜(即透镜211)的折射率为n2，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn；透镜中设置有纳米结构层230的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，所述参数满足下列表十二条件。

＜第三实施方式＞

请参照图3A，其绘示依照本揭示内容第三实施方式中成像镜头300的示意图。由图3A可知，成像镜头300包含一成像透镜组(图未标示)，一光轴X通过成像镜头300，成像镜头300的视角为85度，且成像镜头300为主镜头。成像透镜组包含多个透镜与一镜筒320。

具体来说，成像透镜组由物侧至像侧依序包含透镜311、312、313、314、315、316、317、318，且透镜311、312、313、314、315、316、317、318设置于镜筒320中，其中透镜的结构、面形等光学特征可依照不同成像需求配置，并不以此为限。

透镜311、312、313、315、316、318的物侧表面与像侧表面皆包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。以透镜311的物侧表面为例，纳米结构层330呈不规则状排列，纳米结构层330包含一氧化铝结晶，纳米结构层330的结构尺度T2介于98nm至420nm；结构连接层(图未标示)设置于透镜311的物侧表面与纳米结构层330之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层341，二氧化硅膜层341与纳米结构层330的底部实体接触，且二氧化硅膜层341的厚度T1介于20nm至150nm。

透过结构连接层可稳固纳米结构层330，使纳米结构层330可设置于各种不同材料的透镜，且提升纳米结构层330的附着稳定性。详细来说，纳米结构层330具有孔隙，使纳米结构层330的等效折射率往1.00渐变，降低界面之间的折射率变化，减少光线发生反射的机会。

请参照表十三，表十三为透镜311、312、313、314、315、316、317、318的折射率，其中折射率使用波长587.6nm(d-line)的光线作为量测光线。

第三实施方式中，透镜312可作为第一透镜，透镜311可作为第二透镜，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。

再者，成像透镜组中透镜311、312、313、314、315、316、317、318分为一第一镜群与一第二镜群，其中第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第三实施方式中，透镜311、312为第一镜群，透镜313、314、315、316、317、318为第二镜群，其中第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜(即透镜312)，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜(即透镜311)；第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜(即透镜313、314、315、316、317、318)，且第二镜群包含至少一高折射率透镜(即透镜314)。可透过在高折射率透镜上设置纳米结构层330，减少光线在界面间发生反射的机会。

具体而言，高折射率透镜可为折射率大于1.6的透镜，或者在成像镜头300中高于平均折射率的透镜；低折射率透镜可为折射率小于1.6的透镜，或者在成像镜头300中低于平均折射率的透镜。

请参照表十四、表十五及图3B至图3D，其中表十四为第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例于波长400nm至700nm的穿透率，表十五为第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例的成像镜头对应波长区间540nm至590nm、波长区间520nm至540nm及波长区间530nm至540nm的光线的平均穿透率，图3B绘示依照图3A第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例于波长400nm至700nm的穿透率曲线图，图3C绘示依照图3A第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例于波长540nm至590nm的穿透率曲线图，图3D绘示依照图3A第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例于波长520nm至540nm的穿透率曲线图，其中第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例的成像镜头对应波长区间540nm至590nm的光线的平均穿透率为T₅₄₅₉；第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例的成像镜头对应波长区间520nm至540nm的光线的平均穿透率为T₅₂₅₄；第三实施方式的第一实施例至第三实施例及第八比较例至第十比较例的成像镜头对应波长区间530nm至540nm的光线的平均穿透率为T₅₃₅₄。必须说明的是，第八比较例至第十比较例及第三实施方式的第一实施例至第三实施例同样包含八个透镜，但第八比较例至第十比较例的透镜皆未包含纳米结构层与结构连接层。

成像镜头300具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关，其中穿透率衰减指标为Tdi；成像透镜组的透镜的数量为E；成像镜头300对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₄₅₉；成像镜头300对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，平均穿透率为T₅₂₅₄；成像镜头300的一模拟穿透率为T_sim，其为对应波长区间540nm至590nm的光线的模拟穿透率；第一透镜(即透镜312)的折射率为n1，第二透镜(即透镜311)的折射率为n2，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn；透镜中设置有纳米结构层330的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，所述参数满足下列表十六条件。

＜第四实施方式＞

请参照图4，其绘示依照本揭示内容第四实施方式中成像镜头400的示意图。由图4可知，成像镜头400包含一成像透镜组(图未标示)，一光轴X通过成像镜头400，成像镜头400的视角为79度，且成像镜头400为主镜头。成像透镜组包含多个透镜与一镜筒420。

具体来说，成像透镜组由物侧至像侧依序包含透镜411、412、413、414、415、416、417，且透镜411、412、413、414、415、416、417设置于镜筒420中，其中透镜的结构、面形等光学特征可依照不同成像需求配置，并不以此为限。

透镜411、413、415、416、417的物侧表面与像侧表面皆包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。以透镜417的像侧表面为例，纳米结构层430呈不规则状排列，纳米结构层430包含一氧化铝结晶，纳米结构层430的结构尺度T2介于98nm至420nm；结构连接层(图未标示)设置于透镜417的像侧表面与纳米结构层430之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层441，二氧化硅膜层441与纳米结构层430的底部实体接触，且二氧化硅膜层441的厚度T1介于20nm至150nm。

透镜411为菲涅耳透镜，且抗反射膜层451设置于透镜411的物侧表面。再者，透镜413为超颖透镜，且抗反射膜层452设置于透镜413的像侧表面。具体来说，抗反射膜层451、452为纳米结构层与结构连接层所组成。

透过结构连接层可稳固纳米结构层430，使纳米结构层430可设置于各种不同材料的透镜，且提升纳米结构层430的附着稳定性。详细来说，纳米结构层430具有孔隙，使纳米结构层430的等效折射率往1.00渐变，降低界面之间的折射率变化，减少光线发生反射的机会。

请参照表十七，表十七为透镜411、412、413、414、415、416、417的折射率，其中折射率使用波长587.6nm(d-line)的光线作为量测光线。

第四实施方式中，透镜412可作为第一透镜，透镜411可作为第二透镜，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。

再者，成像透镜组中透镜411、412、413、414、415、416、417分为一第一镜群与一第二镜群，其中第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第四实施方式中，透镜411、412为第一镜群，透镜413、414、415、416、417为第二镜群，其中第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜(即透镜412)，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜(即透镜411)；第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜(即透镜413、414、415、416、417)，且第二镜群包含至少一高折射率透镜(即透镜414)。可透过在高折射率透镜上设置纳米结构层430，减少光线在界面间发生反射的机会。

具体而言，高折射率透镜可为折射率大于1.6的透镜，或者在成像镜头400中高于平均折射率的透镜；低折射率透镜可为折射率小于1.6的透镜，或者在成像镜头400中低于平均折射率的透镜。

成像镜头400具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关，其中穿透率衰减指标为Tdi；成像透镜组的透镜的数量为E；成像镜头400的一模拟穿透率为T_sim，其为对应波长区间540nm至590nm的光线的模拟穿透率；第一透镜(即透镜412)的折射率为n1，第二透镜(即透镜411)的折射率为n2，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn；透镜中设置有纳米结构层430的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，所述参数满足下列表十八条件。

＜第五实施方式＞

请参照图5，其绘示依照本揭示内容第五实施方式中成像镜头500的示意图。由图5可知，成像镜头500包含一成像透镜组(图未标示)，一光轴X通过成像镜头500，成像镜头500的视角为128度，且成像镜头500为超广角镜头。成像透镜组包含多个透镜与一镜筒520。

具体来说，成像透镜组由物侧至像侧依序包含透镜511、512、513、514、515、516、517，且透镜511、512、513、514、515、516、517设置于镜筒520中，其中透镜的结构、面形等光学特征可依照不同成像需求配置，并不以此为限。

透镜511、512、514、515、516、517的物侧表面与像侧表面皆包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。以透镜512的物侧表面为例，纳米结构层530呈不规则状排列，且纳米结构层530包含一氧化铝结晶；结构连接层(图未标示)设置于透镜512的物侧表面与纳米结构层530之间，结构连接层包含二氧化硅膜层5411与二氧化钛膜层5412，且二氧化硅膜层5411与纳米结构层530的底部实体接触。

第五实施方式中，结构连接层为高折射率层与低折射率层交替堆叠而成的膜层，且透镜513为模造玻璃透镜，其中二氧化钛膜层5412与二氧化硅膜层5411分别为高折射率层与低折射率层，但其高低折射率的分布并不以此为限，透过高折射率层与低折射率层交替堆叠可进一步提升抗反射效果。

透过结构连接层可稳固纳米结构层530，使纳米结构层530可设置于各种不同材料的透镜，且提升纳米结构层530的附着稳定性。详细来说，纳米结构层530具有孔隙，使纳米结构层530的等效折射率往1.00渐变，降低界面之间的折射率变化，减少光线发生反射的机会。

请参照表十九，表十九为透镜511、512、513、514、515、516、517的折射率，其中折射率使用波长587.6nm(d-line)的光线作为量测光线。

第五实施方式中，透镜512可作为第一透镜，透镜511可作为第二透镜，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。

再者，成像透镜组中透镜511、512、513、514、515、516、517分为一第一镜群与一第二镜群，其中第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第五实施方式中，透镜511、512为第一镜群，透镜513、514、515、516、517为第二镜群，其中第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜(即透镜512)，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜(即透镜511)；第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜(即透镜513、514、515、516、517)，且第二镜群包含至少一高折射率透镜(即透镜515)。可透过在高折射率透镜上设置纳米结构层530，减少光线在界面间发生反射的机会。

具体而言，高折射率透镜可为折射率大于1.6的透镜，或者在成像镜头500中高于平均折射率的透镜；低折射率透镜可为折射率小于1.6的透镜，或者在成像镜头500中低于平均折射率的透镜。

成像镜头500具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关，其中穿透率衰减指标为Tdi；成像透镜组的透镜的数量为E；成像镜头500的一模拟穿透率为T_sim，其为对应波长区间540nm至590nm的光线的模拟穿透率；第一透镜(即透镜512)的折射率为n1，第二透镜(即透镜511)的折射率为n2，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn；透镜中设置有纳米结构层530的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，所述参数满足下列表二十条件。

＜第六实施方式＞

请参照图6，其绘示依照本揭示内容第六实施方式中成像镜头600的示意图。由图6可知，成像镜头600包含一成像透镜组(图未标示)，一光轴X通过成像镜头600，成像镜头600的视角为85度，且成像镜头600为主镜头。成像透镜组包含多个透镜与一镜筒620。

具体来说，成像透镜组由物侧至像侧依序包含透镜611、612、613、614、615、616、617、618，且透镜611、612、613、614、615、616、617、618设置于镜筒620中，其中透镜的结构、面形等光学特征可依照不同成像需求配置，并不以此为限。

透镜611的像侧表面、透镜613、614、615、617的物侧表面与像侧表面及透镜618的物侧表面皆包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。以透镜615的物侧表面为例，纳米结构层630呈不规则状排列，且纳米结构层630包含一氧化铝结晶；结构连接层(图未标示)设置于透镜615的物侧表面与纳米结构层630之间，结构连接层包含至少一二氧化硅膜层641，且二氧化硅膜层641与纳米结构层630的底部实体接触。

透过结构连接层可稳固纳米结构层630，使纳米结构层630可设置于各种不同材料的透镜，且提升纳米结构层630的附着稳定性。详细来说，纳米结构层630具有孔隙，使纳米结构层630的等效折射率往1.00渐变，降低界面之间的折射率变化，减少光线发生反射的机会。

请参照表二十一，表二十一为透镜611、612、613、614、615、616、617、618的折射率，其中折射率使用波长587.6nm(d-line)的光线作为量测光线。

第六实施方式中，透镜612可作为第一透镜，透镜611可作为第二透镜，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率不同。

再者，成像透镜组中透镜611、612、613、614、615、616、617、618分为一第一镜群与一第二镜群，其中第一镜群较第二镜群靠近物侧，且第一镜群的透镜数量少于第二镜群的透镜数量。第六实施方式中，透镜611、612为第一镜群，透镜613、614、615、616、617、618为第二镜群，其中第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜(即透镜612)，高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜(即透镜611)；第二镜群包含第一镜群的一像侧端的其余透镜(即透镜613、614、615、616、617、618)，且第二镜群包含至少一高折射率透镜(即透镜613)。可透过在高折射率透镜上设置纳米结构层630，减少光线在界面间发生反射的机会。

具体而言，高折射率透镜可为折射率大于1.6的透镜，或者在成像镜头600中高于平均折射率的透镜；低折射率透镜可为折射率小于1.6的透镜，或者在成像镜头600中低于平均折射率的透镜。

成像镜头600具有一穿透率衰减指标，穿透率衰减指标与成像透镜组的透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关，其中穿透率衰减指标为Tdi；成像透镜组的透镜的数量为E；成像镜头600的一模拟穿透率为T_sim，其为对应波长区间540nm至590nm的光线的模拟穿透率；第一透镜(即透镜612)的折射率为n1，第二透镜(即透镜611)的折射率为n2，第一透镜的折射率与第二透镜的折射率的一差值为Δn；透镜中设置有纳米结构层630的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，所述参数满足下列表二十二条件。

＜第七实施方式＞

请参照图7A与图7B，其中图7A绘示依照本揭示内容第七实施方式中电子装置70的示意图，图7B绘示依照图7A第七实施方式中电子装置70的方块图。由图7A与图7B可知，电子装置70是一智能手机，且包含一成像镜头(图未绘示)，其中成像镜头包含一成像透镜组(图未绘示)，且成像透镜组包含多个透镜(图未绘示)。进一步来说，透镜包含一第一透镜与一第二透镜，其中第一透镜与第二透镜分别包含至少一纳米结构层(图未绘示)与至少一结构连接层(图未绘示)；或者，透镜中至少三透镜分别包含至少一纳米结构层与至少一结构连接层。借此，透过透镜设置纳米结构层可使电子装置在切换成像镜头时，成像镜头间的成像品质趋近一致，减少切换成像镜头时的顿挫感。

第七实施方式中，电子装置70包含四成像镜头，分别为长焦望远镜头711、超广角镜头712、超长焦望远镜头713及广角主镜头714。再者，可透过切换不同视角的成像镜头，使电子装置70实现光学变焦的功能。必须说明的是，镜头盖板72仅为示意电子装置70内部的长焦望远镜头711、超广角镜头712、超长焦望远镜头713及广角主镜头714，并不表示镜头盖板72为可拆卸式的。具体而言，广角主镜头714可为前述第一实施方式至第四实施方式及第六实施方式的成像镜头，超广角镜头712可为前述第五实施方式的成像镜头，但并不以此为限。

电子装置70还包含一电子感光元件73与一使用者界面74，其中电子感光元件73设置于长焦望远镜头711、超广角镜头712、超长焦望远镜头713及广角主镜头714的成像面(图未绘示)，且使用者界面74可为触控屏幕或显示屏幕，并不以此为限。

进一步来说，使用者透过电子装置70的使用者界面74进入拍摄模式。此时长焦望远镜头711、超广角镜头712、超长焦望远镜头713及广角主镜头714汇集成像光线在电子感光元件73上，并输出有关影像的电子信号至成像信号处理元件(Image Signal Processor，ISP)75。

因应电子装置70的相机规格，电子装置70可还包含一光学防手震组件76，是可为OIS防抖回馈装置，进一步地，电子装置70可还包含至少一个辅助光学元件(图未标示)及至少一个感测元件77。第七实施方式中，辅助光学元件为闪光灯模块78与对焦辅助模块79，闪光灯模块78可用以补偿色温，对焦辅助模块79可为红外线测距元件、激光对焦模块等。感测元件77可具有感测物理动量与作动能量的功能，如加速计、陀螺仪、霍尔元件(Hall EffectElement)，以感知使用者的手部或外在环境施加的晃动及抖动，进而有利于电子装置70中成像镜头(即长焦望远镜头711、超广角镜头712、超长焦望远镜头713及广角主镜头714)配置的自动对焦功能及光学防手震组件76的发挥，以获得良好的成像品质，有助于依据本发明的电子装置70具备多种模式的拍摄功能，如优化自拍、低光源HDR(High Dynamic Range，高动态范围成像)、高解析4K(4K Resolution)录影等。此外，使用者可由触控屏幕直接目视到相机的拍摄画面，并在触控屏幕上手动操作取景范围，以达成所见即所得的自动对焦功能。

此外，电子装置70可还包含但不限于显示单元(Display)、控制单元(ControlUnit)、储存单元(Storage Unit)、随机存取存储器(RAM)、只读储存单元(ROM)或其组合。

详细来说，长焦望远镜头711具有第一视角，超广角镜头712具有第二视角，超长焦望远镜头713具有第三视角，广角主镜头714具有第四视角，其中第一视角为FOV1，第二视角为FOV2，第三视角为FOV3，第四视角为FOV4，所述参数满足下列表二十三条件。

另外，第七实施方式与第一实施方式至第六实施方式其余的元件的结构及配置关系皆相同，在此将不另赘述。

虽然本发明已以实施方式与实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (25)

1.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：

一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜包含：

一第一透镜与一第二透镜，其中该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率不同，且分别包含：

至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及

至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于该第一透镜的表面与该至少一纳米结构层之间及该第二透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；

其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；

其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₄₅₉，该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率的一差值为Δn，其满足下列条件：

Tdi＝[(π+c)²/10]^2E，c＝0.008；

0.85≤Tdi≤0.9；

90％≤T₅₄₅₉；以及

0.065≤Δn≤0.82。

2.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₂₅₄，其满足下列条件：

90％≤T₅₂₅₄。

3.如权利要求2所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₃₅₄，其满足下列条件：

90％≤T₅₃₅₄。

4.如权利要求1所述的成像镜头，其特征在于，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，所述多个透镜中设置有该至少一纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

0.8≤N_CS/2E≤1。

5.一种电子装置，其特征在于，包含：

如权利要求1所述的成像镜头。

6.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：

一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜包含：

一第一透镜与一第二透镜，其中该第一透镜的折射率与该第二透镜的折射率不同，且分别包含：

至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及

至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于该第一透镜的表面与该至少一纳米结构层之间及该第二透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；

其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；

其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₄₅₉，该第一透镜的折射率为n1，该第二透镜的折射率为n2，其满足下列条件：

Tdi＝[(π+c)²/10]^2E，c＝0.008；

0.85≤Tdi≤0.9；

90％≤T₅₄₅₉；

n1>1.6；以及

n2<1.6。

7.如权利要求6所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₂₅₄，其满足下列条件：

90％≤T₅₂₅₄。

8.如权利要求7所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₃₅₄，其满足下列条件：

90％≤T₅₃₅₄。

9.如权利要求6所述的成像镜头，其特征在于，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，所述多个透镜中设置有该至少一纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

0.8≤N_CS/2E≤1。

10.一种电子装置，其特征在于，包含：

如权利要求6所述的成像镜头。

11.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：

一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜中至少三透镜分别包含：

至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及

至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于各该透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；

其中，该成像透镜组中所述多个透镜分为一第一镜群与一第二镜群，该第一镜群较该第二镜群靠近物侧，且该第一镜群的透镜数量少于该第二镜群的透镜数量；

其中，该第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，该高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜；

其中，该第二镜群包含该第一镜群的一像侧端的其余透镜，且该第二镜群包含至少一高折射率透镜；

其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；

其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₄₅₉，所述多个透镜中设置有所述多个纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

Tdi＝[(π+c)²/10]^2E，c＝0.008；

0.85≤Tdi≤0.88；

90％≤T₅₄₅₉；以及

0.5≤N_CS/2E≤1。

12.如权利要求11所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₂₅₄，其满足下列条件：

90％≤T₅₂₅₄。

13.如权利要求12所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₃₅₄，其满足下列条件：

90％≤T₅₃₅₄。

14.如权利要求11所述的成像镜头，其特征在于，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，所述多个透镜中设置有所述多个纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

0.8≤N_CS/2E≤1。

15.一种电子装置，其特征在于，包含：

如权利要求11所述的成像镜头。

16.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：

一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜中至少三透镜分别包含：

至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及

至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于各该透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；

其中，该成像透镜组中所述多个透镜分为一第一镜群与一第二镜群，该第一镜群较该第二镜群靠近物侧，且该第一镜群的透镜数量少于该第二镜群的透镜数量；

其中，该第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，该高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜；

其中，该第二镜群包含该第一镜群的一像侧端的其余透镜，且该第二镜群包含至少一高折射率透镜；

其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；

其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₄₅₉，所述多个透镜中设置有所述多个纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

Tdi＝[(π+c)²/10]^2E，c＝0.008；

0.81≤Tdi≤0.84；

87.6％≤T₅₄₅₉≤92％；以及

0.59≤N_CS/2E≤1。

17.如权利要求16所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₂₅₄，其满足下列条件：

86％≤T₅₂₅₄。

18.如权利要求17所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₃₅₄，其满足下列条件：

86％≤T₅₃₅₄。

19.如权利要求16所述的成像镜头，其特征在于，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，所述多个透镜中设置有该至少一纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

0.9≤N_CS/2E≤1。

20.一种电子装置，其特征在于，包含：

如权利要求16所述的成像镜头。

21.一种成像镜头，其特征在于，一光轴通过该成像镜头，且包含：

一成像透镜组，包含多个透镜，所述多个透镜中至少三透镜分别包含：

至少一纳米结构层，该至少一纳米结构层呈不规则状排列，该至少一纳米结构层包含一氧化铝结晶，该至少一纳米结构层的结构尺度介于98nm至420nm；以及

至少一结构连接层，该至少一结构连接层设置于各该透镜的表面与该至少一纳米结构层之间，该至少一结构连接层包含至少一二氧化硅膜层，该至少一二氧化硅膜层与该至少一纳米结构层的底部实体接触，且该至少一二氧化硅膜层的厚度介于20nm至150nm；

其中，该成像透镜组中所述多个透镜分为一第一镜群与一第二镜群，该第一镜群较该第二镜群靠近物侧，且该第一镜群的透镜数量少于该第二镜群的透镜数量；

其中，该第一镜群于最像侧包含一高折射率透镜，该高折射率透镜的一物侧端的相邻透镜为一低折射率透镜；

其中，该第二镜群包含该第一镜群的一像侧端的其余透镜，且该第二镜群包含至少一高折射率透镜；

其中，该成像镜头具有一穿透率衰减指标，该穿透率衰减指标与该成像透镜组的所述多个透镜的数量及一穿透率衰减模拟常数相关；

其中，该穿透率衰减指标为Tdi，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，该穿透率衰减模拟常数为c，该成像镜头对应波长区间540nm至590nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₄₅₉，所述多个透镜中设置有所述多个纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

Tdi＝[(π+c)₂/10]^2E，c＝0.008；

0.78≤Tdi≤0.80；

86％≤T₅₄₅₉≤91％；以及

0.67≤N_CS/2E≤1。

22.如权利要求21所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间520nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₂₅₄，其满足下列条件：

84％≤T₅₂₅₄。

23.如权利要求22所述的成像镜头，其特征在于，该成像镜头对应波长区间530nm至540nm的一光线具有一平均穿透率，该平均穿透率为T₅₃₅₄，其满足下列条件：

84％≤T₅₃₅₄。

24.如权利要求21所述的成像镜头，其特征在于，该成像透镜组的所述多个透镜的数量为E，所述多个透镜中设置有所述多个纳米结构层的物侧表面与像侧表面的表面总数为N_CS，其满足下列条件：

0.96≤N_CS/2E≤1。

25.一种电子装置，其特征在于，包含：

如权利要求21所述的成像镜头。

Images