TWI791216B - 判定用於基板上之圖案的部分之度量 - Google Patents

Abstract

本發明描述用於判定用於一基板上之一圖案的一部分之一或多個特性度量的系統及方法。接收用於該基板上之該圖案的圖案資訊。該基板上之該圖案具有第一部分及第二部分。該圖案之該第一部分係基於該圖案資訊例如運用一幾何阻擋光罩來阻擋，使得該圖案之該第二部分保持經解除阻擋。判定用於該圖案之該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量。在一些實施例中，該圖案之該第一部分及該第二部分對應於一半導體微影程序中之不同曝光。該半導體微影程序可為一多重圖案化技術程序，例如一雙重圖案化程序、一三重圖案化程序或一間隔雙重圖案化程序。

Description

判定用於基板上之圖案的部分之度量

本說明書係關於判定用於基板上之圖案的特性度量。

微影投影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於IC之個別層的圖案(「設計佈局」)，且此圖案可藉由諸如經由圖案化器件上之圖案照射目標部分的方法經轉印於一基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)上，該目標部分已塗佈有一層輻射敏感材料(「抗蝕劑」)。一般而言，單一基板包括複數個鄰近目標部分，圖案藉由微影投影裝置順次地轉印至該等目標部分，一次一個目標部分。在一種類型之微影投影裝置中，在一個操作中將整個圖案化器件上之圖案轉印至一個目標部分上。此裝置通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描裝置之替代裝置中，投影束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件進行掃描，同時平行或反平行於此參考方向而同步地移動基板。將圖案化器件上之圖案之不同部分漸進地轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影裝置將具有縮減比率M(例如4)且在x及y方向特徵中之縮減比率可不同，故基板移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的1/M倍。可(例如)自以引用的方式 併入本文中之US 6,046,792搜集到關於如本文中所描述之微影器件的更多資訊。

在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如，上底漆、抗蝕劑塗佈，及軟烘烤。在一或多次曝光之後，基板可經受其他程序(「後曝光程序」)，諸如後曝光烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及對經轉印圖案之量測/檢測。此工序陣列係用作製造一器件(例如，IC)之個別層的基礎。基板接著可經受諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械研磨等各種程序，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對每一層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之每一目標部分中將存在一器件。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，由此，可將個別器件安裝於載體上、連接至接腳，等等。

因此，製造器件(諸如半導體器件)通常涉及使用數個製造程序來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用(例如)沈積、微影、蝕刻、沈積、化學機械研磨及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製造多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造程序可被認為係圖案化程序。圖案化程序涉及使用微影裝置中之圖案化器件進行圖案化步驟(諸如光學及/或奈米壓印微影)以將圖案化器件上之圖案轉印至基板，且圖案化程序通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置而使用圖案進行蝕刻等等。

微影為在諸如IC之器件之製造中之中心步驟，其中形成於 基板上之圖案界定器件之功能元件，諸如微處理器、記憶體晶片等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。

隨著半導體製造程序繼續進步，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每器件的諸如電晶體之功能元件之數目已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影裝置來製造器件之層，該等微影投影裝置使用來自深紫外線照明源之照明將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸充分低於100nm，亦即小於來自照明源(例如193nm照明源)之輻射的波長之一半的個別功能元件。

供印刷尺寸小於微影投影裝置之經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD(臨界尺寸)=k₁×λ/NA可稱為低k₁微影，其中λ為所使用輻射之波長(例如，248nm或193nm)，NA為微影投影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD為「臨界尺寸」(通常為所印刷之最小特徵大小)，且k₁為經驗解析度因數。一般而言，k₁愈小，則在基板上再生類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能性及效能的圖案變得愈困難。為了克服此等困難，將複雜微調步驟應用至微影投影裝置、設計佈局或圖案化器件。此等步驟包括例如但不限於NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化裝置之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度增強技術」(RET)之其他方法。

根據一實施例，提供一種判定基板上之圖案的一部分之一或多個度量的方法。方法包含接收基板上之圖案的圖案資訊。該基板上之 該圖案具有第一部分及第二部分。方法包含基於圖案資訊阻擋圖案之第一部分，使得圖案之第二部分保持經解除阻擋(unblocked)；及判定用於圖案之經解除阻擋第二部分的一或多個度量。

在一些實施例中，該一或多個度量包含臨界尺寸及/或邊緣置放誤差。

在一些實施例中，判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量包含：對準並平均化基板上的圖案之影像；對經平均影像執行輪廓提取；及對準經提取輪廓與基板上之圖案的圖案資訊。對準經執行用於圖案之兩個部分，兩個部分包括經阻擋第一部分及經解除阻擋第二部分。在一些實施例中，判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量進一步包含：在圖案之經解除阻擋第二部分的輪廓中產生一或多個量規；及量測該一或多個量規。該一或多個量規指定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量。

在一些實施例中，圖案之第一部分及第二部分經合併，且影像為包含基板上之圖案的經合併第一部分及第二部分的掃描電子顯微鏡(SEM)影像。在一些實施例中，判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量包含分解SEM影像中之圖案的第一部分及第二部分。

在一些實施例中，阻擋包含基於圖案資訊產生用於第一部分之幾何阻擋光罩(geometrical block mask)。

在一些實施例中，圖案資訊指定圖案之第一部分的幾何形狀。產生光罩包含相對於在圖案資訊中指定的第一部分之幾何形狀使該第一部分之幾何形狀經偏置變大或變小。

在一些實施例中，圖案資訊指定圖案之第一部分的幾何形 狀，且產生光罩包含藉由相對於在圖案資訊中指定的第一部分之幾何形狀使該第一部分之幾何形狀經偏置變大而產生第一光罩區域，藉由相對於在圖案資訊中指定的第一部分之幾何形狀使該第一部分之幾何形狀經偏置變小而產生第二光罩區域，及自第一光罩區域減去第二光罩區域以產生該光罩。

在一些實施例中，光罩之至少一部分亦藉由圖案之切割層形成。

在一些實施例中，圖案之第一部分及第二部分經合併。基板上的圖案之經合併第一部分及第二部分對應於一半導體微影程序中之不同曝光。

在一些實施例中，半導體微影程序為多重圖案化技術程序。在一些實施例中，多重圖案化技術程序為雙重圖案化程序、三重圖案化程序，或間隔雙重圖案化程序。

在一些實施例中，方法進一步包含基於用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量而調整半導體製造程序。

在一些實施例中，調整包含改變圖案之第二部分中之特徵的尺寸、形狀及/或位置；及/或改變與圖案之第二部分相關聯的光罩、劑量、焦點及/或曝光。

在一些實施例中，該方法進一步包含基於圖案資訊解除阻擋第一部分；基於圖案資訊阻擋第二部分，使得第一部分保持經解除阻擋；及判定用於經解除阻擋第一部分之一或多個度量。

根據另一實施例，提供一種其上具有指令之非暫時性電腦可讀媒體。當由電腦執行時指令使電腦執行以下操作：接收用於基板上之 圖案的圖案資訊，基板上之圖案具有第一部分及第二部分；基於該圖案資訊阻擋第一部分，使得第二部分保持經解除阻擋；及判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量。

在一些實施例中，該一或多個度量包含臨界尺寸及/或邊緣置放誤差。

在一些實施例中，判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量包含：對準並平均化基板上的圖案之影像；對經平均影像執行輪廓提取；及對準經提取輪廓與基板上之圖案的圖案資訊。對準經執行用於圖案之兩個部分，兩個部分包括經阻擋第一部分及經解除阻擋第二部分。在一些實施例中，判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量進一步包含：在圖案之經解除阻擋第二部分的輪廓中產生一或多個量規；及量測該一或多個量規，該一或多個量規指定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量。

在一些實施例中，圖案之第一部分及第二部分經合併，且影像為包含基板上之圖案的經合併第一部分及第二部分的掃描電子顯微鏡(SEM)影像。在一些實施例中，判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量包含分解SEM影像中之圖案的第一部分及第二部分。

在一些實施例中，阻擋包含基於圖案資訊產生用於第一部分之幾何阻擋光罩。

在一些實施例中，圖案資訊指定圖案之第一部分的幾何形狀，且產生光罩包含相對於圖案資訊中指定的第一部分之幾何形狀使該第一部分之幾何形狀經偏置變大或變小。

在一些實施例中，圖案資訊指定圖案之第一部分的幾何形 狀，且產生光罩包含藉由相對於在圖案資訊中指定的第一部分之幾何形狀使該第一部分之幾何形狀經偏置變大而產生第一光罩區域，藉由相對於在圖案資訊中指定的第一部分之幾何形狀使該第一部分之幾何形狀經偏置變小而產生第二光罩區域，及自第一光罩區域減去第二光罩區域以產生該光罩。

在一些實施例中，光罩之至少一部分進一步藉由圖案之切割層形成。

在一些實施例中，基板上的圖案之第一部分及第二部分經合併且對應於一半導體微影程序中之不同曝光。在一些實施例中，半導體微影程序為多重圖案化技術程序。在一些實施例中，多重圖案化技術程序為雙重圖案化程序、三重圖案化程序，或間隔雙重圖案化程序。

在一些實施例中，指令經進一步組態以使電腦基於用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量而調整半導體製造程序。

在一些實施例中，調整包含改變圖案之第二部分中之特徵的尺寸、形狀及/或位置；及/或改變與圖案之第二部分相關聯的光罩、劑量、焦點及/或曝光。

在一些實施例中，指令經進一步組態以使電腦：基於圖案資訊解除阻擋第一部分；基於圖案資訊阻擋第二部分，使得第一部分保持經解除阻擋；及判定用於經解除阻擋第一部分之一或多個度量。

10A:例示性微影投影裝置

12A:輻射源

14A:光學件

16Aa:光學件

16Ab:光學件

16Ac:透射光學件

18A:圖案化器件/光罩

20A:光瞳

21:輻射光束

22:琢面化場鏡面器件

22A:基板平面

24:琢面化光瞳鏡面器件

26:經圖案化光束

28:反射元件

30:反射元件

200:方法

201:初始影像

202:增強型影像

203:光罩變數

205:曲線光罩圖案

207:光罩影像

209:程序影像

210:EUV輻射發射電漿/熱電漿

211:源腔室

212:收集器腔室

215:梯度圖

220:封閉結構

221:開口

230:污染物截留器

240:光柵光譜濾光器

251:上游輻射收集器側

252:下游輻射收集器側

253:掠入射反射器

254:掠入射反射器

255:掠入射反射器

300:方法

302:接收

304:阻擋

306:判定

308:調整

400:阻擋

401:種子量規

402:阻擋

403:種子量規

404:部分

405:偏置

406:部分

407:偏置

408:光罩

410:光罩

500:種子量規/內部量規/外部量規/組合量規

502:種子量規/內部量規/外部量規/組合量規

504:偏置量

506:偏置量

508:偏置量

510:偏置量

512:偏置量

514:偏置量

520:光罩

522:光罩

524:光罩

526:光罩

530:量測

532:量測

534:量測

536:量測

600:切割層

601:使用

700:量測

702:量測

704:量測

706:量測

800:工作流程

802:層圖產生步驟

804:原始影像處理

806:影像對準步驟

808:步驟

810:輪廓提取

812:步驟

814:步驟

816:產生步驟

818:量測步驟

900:經阻擋第一部分

902:經解除阻擋第二部分

904:總體圖案

906:光罩

1050:經阻擋第一部分

1052:經解除阻擋第二部分

1054:總體圖案

1056:光罩

1100:經合併圖案特徵

1102:部分

1104:部分

1110:位置/區

AD:調整構件

B:輻射光束

BD:光束遞送系統

BS:匯流排

CC:游標控制件

CI:通信介面

CO:輻射收集器

CS:電腦系統

DS:顯示器

HC:主電腦

ID:輸入器件

IF:干涉量測構件/虛擬源點

IL:照明系統/照明器

IN:積光器

INT:網際網路

LA:雷射

LAN:區域網路LAN

LPA:微影投影裝置

M1:光罩對準標記

M2:光罩對準標記

MA:圖案化器件

MM:主記憶體

MT:支撐結構

NDL:網路資料鏈路

O:光軸/線

P1:基板對準標記

P2:基板對準標記

P201:程序

P203:程序

P205:程序

P207:程序

P209:程序

P211:程序

P213:程序

P215:程序

P217:程序

PM:第一定位器

PRO:處理器

PS:投影系統

PS1:位置感測器

PS2:位置感測器

PW:第二定位器

ROM:唯讀記憶體

SD:儲存器件

SO:輻射源

W:基板

WT:基板台

圖1展示根據一實施例之微影系統之各種子系統的方塊圖。

圖2為根據一實施例之用於判定待印刷於基板上之圖案化 器件圖案或目標圖案之方法的流程圖。

圖3說明根據一實施例之用於判定用於基板上之圖案的一部分之一或多個度量的呈現方法之實例。

圖4說明根據一實施例之藉由產生不同部分之幾何阻擋光罩而阻擋圖案之兩個不同部分。

圖5說明根據一實施例之藉由以各種方式使圖案之第一部分及第二部分的幾何形狀偏置而創建各種形狀之光罩。

圖6說明根據一實施例之使用切割層作為阻擋光罩以阻擋圖案的一部分。

圖7說明根據一實施例之使用切割層結合如圖5中所展示藉由以各種方式使圖案之部分的幾何形狀偏置而創建各種形狀之光罩。

圖8說明根據一實施例之用於判定圖案之經解除阻擋部分的一或多個度量之自動工作流程。

圖9說明根據一實施例之圖案之經阻擋第一部分及圖案之經解除阻擋第二部分的實例。

圖10說明根據一實施例之圖案之經阻擋第一部分及圖案之經解除阻擋第二部分的另一實例。

圖11說明根據一實施例之包含圖案之兩個不同部分的經合併圖案特徵。

圖12為根據一實施例之實例電腦系統的方塊圖。

圖13為根據一實施例的一微影投影裝置之示意圖。

圖14為根據一實施例之另一微影投影裝置的示意圖。

圖15為根據一實施例之微影投影裝置之詳細視圖。

圖16為根據一實施例的微影投影裝置之源收集器模組的詳細視圖。

多重圖案化技術(MPT)(包括雙重、三重、間隔雙重圖案化、切割層等)為減少圖案特徵間隔並改良半導體器件中之特徵之整合的有效方式。MPT廣泛用於進階半導體製造程序中。歸因於MPT之複雜度，出於度量衡及/或模擬模型校準目的，需要對臨界尺寸(CD)、邊緣置放(EP)(或邊緣置放誤差(EPE))、疊對及/或其他度量進行準確控制。舉例而言，MPT需要經組態以識別整合式MPT設計中之薄弱點或缺陷並對其進行校正的用於模擬之高準確度光學近接校正(OPC)模型。

參考SEM系統詳細地描述本發明之實施例；然而本發明不限於用於掃描晶圓及產生用於量測圖案之信號的任何特定類型之度量衡或檢測系統，如下文所描述。在一些實施例中，基板之掃描電子顯微鏡影像(SEM)用於在MPT程序中產生度量衡資料。來自MPT程序之基板的SEM影像為基板中之MPT圖案的經合併部分之影像。然而，對於圖案(例如，具有由MPT程序流程中之不同程序產生的個別圖案部分)之個別經合併部分中之每一者需要單獨度量衡資料，例如以表徵圖案之個別部分。需要單獨度量衡資料經產生用於圖案之個別部分而不干擾圖案之其他合併部分。常規地，用以產生圖案之個別部分的度量衡資料的通常使用之解決方案包含對於圖案之每一個別部分一個接一個地手動量測所需要度量(例如，CD、EP、疊對、EPE及等等)。手動執行量測的個人判定哪些特徵屬於SEM影像中之圖案的哪一個別部分，並因此量測所需要度量。

一個接一個地手動量測圖案之個別部分的所需要度量存在 許多缺點。手動量測並不高效，且總計量測轉回時間係極長的。為得到準確模型，執行模型校準必需數千個量測。舉例而言，雙重圖案化程序中可存在對於圖案之每一個別部分需要的5000個量測。可花費約十秒來執行一個量測。此量測時間將進一步隨圖案之額外個別部分而增大。作為另一實例，當圖案之若干個別部分在MPT程序中合併時，可難以甚至手動識別基板中之哪些特徵屬於圖案之哪些部分。此可引起量測誤差且減小模型準確度。作為第三實例，包括在圖案之一個部分的臨界位置中之CD量測的許多所要量測可藉由圖案之不同部分的特徵來防止。此可導致模型擬合過度及減小之準確度。

有利地，本發明所揭示之系統及方法的實施例經組態用於準確地及自動地判定基板上之圖案的單獨部分之度量。經判定度量可用以建立及/或驗證OPC模型，及/或用於其他目的。指定基板上之圖案之幾何形狀的圖案資訊經接收並用於阻擋圖案之第一部分。阻擋可例如運用幾何阻擋光罩來執行，使得圖案之第二部分保持經解除阻擋且可經量測而不干擾圖案之第一部分。遮蔽及量測可經重複用於圖案之任何數目個部分。與上文所描述的手動程序相比，呈現技術節省時間且更準確，此係因為阻擋促進自動量測。舉例而言，不需要在特徵之間進行手動決策，此係因為不屬於所量測圖案之特徵被阻擋。另外，與傳統手動度量衡(其僅僅量測CD)相比，所呈現系統及方法之實施例經組態以輸出CD及邊緣置放(EP)(或邊緣置放誤差(EPE))兩者。此意謂不能用於產生CD量測之位置處的量測資訊可以EP(或EPE)補充，且改良對應OPC模型之準確性。

儘管在本文中可特定地參考IC之製造，但應明確地理解，本文中之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光 學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之情況下，本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別可與更一般之術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。

如本文中所使用之術語「光罩」、「倍縮光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此上下文中，亦可使用術語「光閥」。除典型光罩(透射性或反射性；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列。此器件之實例為具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理為(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光片的情況下，可自經反射光束濾出非繞射輻射，從而之後僅留下繞射輻射；以此方式，光束變得根據矩陣可定址表面之定址圖案而圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。其他此類圖案化器件之實例亦包括可程式化LCD陣列。在以引用的方式併入本文中之美國專利第5,229,872號中給出實例。

在本發明之文件中，術語「輻射」及「光束」可用以涵蓋不同類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有為365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如具有在約5nm至100nm之範圍內之波長)。一般而言，多重圖案化技術程序使用深紫外線(DUV)輻射，但對於一般熟習此項技術者而言應用本文中所描述之原理用於其他類型之輻射可係可行的。

如本文所使用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括(例如)折射光學件、反射光學件、孔徑及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括根據此等設計類型中之任一者而操作的組件，以用於集體地或單一地導向、塑形或控制投影輻射束。術語「投影光學件」可包括微影投影裝置中之任何光學組件，而不管光學組件定位於微影投影裝置之光學路徑上之何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件，及/或用於在輻射通過圖案化器件之後塑形、調整及/或投影該輻射的光學組件。投影光學件通常不包括光源及圖案化器件。

作為簡要介紹，圖1說明例示性微影投影裝置10A。主要組件為：輻射源12A，其可為深紫外線(DUV)準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源之其他類型的源(如上文所論述，微影投影裝置本身無需具有輻射源)；照明光學件，其例如界定部分相干性(經表示為均方偏差)且可包括塑形來自輻射源12A之輻射的光學件14A、光學件16Aa及光學件16Ab；圖案化器件(或光罩)18A；及透射光學件16Ac，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面22A上。

光瞳20A可包括於透射光學件16Ac中。在一些實施例中，在光罩18A之前及/或之後可存在一或多個光瞳。如本文中進一步詳細地描述，光瞳20A可提供最終到達基板平面22A之光之圖案化。在投影光學件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑可限定照射於基板平面22A上之光束角度之範圍，其中最大可能角度界定投影光學件之數值孔徑NA=n sin(Θ_max)，其中n為基板與投影光學件之最後元件之間的媒體之折射率，且Θ_max為自投影光學件射出的仍可照射於基板平面22A上之光束的最大角 度。

在微影投影裝置中，源將照明(亦即，輻射)提供至圖案化器件，且投影光學件經由該圖案化器件(例如，光罩)將該照明導向至基板上且塑形該照明。投影光學件可包括組件14A、16Aa、16Ab及16Ac中之至少一些。空中影像(AI)為在基板位階處之輻射強度分佈。可使用抗蝕劑模型以自空中影像計算抗蝕劑影像，可在全部揭示內容據此以引用方式併入之美國專利申請公開案第US 2009-0157630號中找到此情形之實例。抗蝕劑模型僅與抗蝕劑層之性質(例如在曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間發生的化學程序之效應)相關。微影投影裝置之光學性質(例如，照明、圖案化器件及投影光學件之性質)規定空中影像且可定義於光學模型中。由於可改變用於微影投影裝置中之圖案化器件(例如，光罩)，所以需要使圖案化器件之光學性質與至少包括源及投影光學件的微影投影裝置之其餘部分之光學性質分離。用以將設計佈局變換至各種微影影像(例如，空中影像、抗蝕劑影像等)、使用彼等技術及模型應用光學近接校正(OPC)且評估效能(例如，依據程序窗)的技術及模型之細節描述於美國專利申請公開案第US 2008-0301620、2007-0050749、2007-0031745、2008-0309897、2010-0162197及2010-0180251號中，前述各案之揭示內容特此以全文引用之方式併入。

理解微影程序之一個態樣係理解輻射與圖案化器件(例如，光罩)之相互作用。在輻射通過圖案化器件之後的輻射之電磁場可自在輻射到達圖案化器件之前的輻射之電磁場及特性化該相互作用之函數予以判定。此函數可稱為光罩透射函數(其可用於描述透射圖案化器件及/或反射圖案化器件之相互作用)。

光罩透射函數可具有各種不同形式。一種形式為二元的。二元光罩透射函數在圖案化器件上之任何給定位置處具有兩個值(例如零及正常數)中之任一者。呈二元形式之光罩透射函數可被稱作二元光罩。另一種形式為連續的。即，圖案化器件之透射率(或反射率)之模數為圖案化器件上之位置的連續函數。透射率(或反射率)之相位亦可為圖案化器件上之位置的連續函數。呈連續形式之光罩透射函數可稱為連續色調光罩或連續透射光罩(CTM)。舉例而言，可將CTM表示為像素化影像，其中可向每一像素指派介於0與1之間的值(例如0.1、0.2、0.3等)來代替0或1之二元值。在一實施例中，CTM可為像素化灰階影像，其中每一像素具有若干值(例如在範圍[-255,255]內、在範圍[0,1]或[-1,1]或其他適當範圍內之正規化值)。

薄光罩近似(亦稱為克希荷夫(Kirchhoff)邊界條件)廣泛地用於簡化對輻射與圖案化器件之相互作用之判定。薄光罩近似假定圖案化器件上之結構之厚度與波長相比極小，且光罩上的結構之寬度與波長相比極大。因此，薄光罩近似假定在圖案化器件之後的電磁場為入射電磁場與光罩透射函數之乘積。然而，當微影程序使用具有愈來愈短之波長的輻射，且圖案化器件上之結構變得愈來愈小時，對薄光罩近似之假定可分解。舉例而言，由於結構(例如頂面與側壁之間的邊緣)之有限厚度，輻射與結構之相互作用(「光罩3D效應」或「M3D」)可變得重要。在光罩透射函數中涵蓋此散射可使得光罩透射函數能夠較佳地俘獲輻射與圖案化器件之相互作用。在薄光罩近似下之光罩透射函數可稱為薄光罩透射函數。涵蓋M3D的光罩透射函數可被稱作M3D光罩透射函數。

圖2為用於自影像(例如，連續透射光罩影像、二元光罩影 像、曲線光罩影像等)判定圖案化器件圖案(或下文中之光罩圖案)之方法200的流程圖，該影像對應於待經由涉及微影程序之圖案化程序印刷於基板上的目標圖案。在一實施例中，設計佈局或目標圖案可為二元設計佈局、連續色調設計佈局，或另一合適形式之設計佈局。

方法200為反覆程序，其中初始影像(例如，增強型影像、自CTM影像初始化之光罩變數等)經漸進地修改以根據本發明之不同程序產生不同類型之影像，以最終產生包含進一步用以製作/製造光罩之光罩圖案或影像(例如，對應於最終曲線光罩之光罩變數)的資訊。初始影像之反覆修改可係基於成本函數，其中在反覆期間，初始影像可經修改，使得成本函數減小，在一實施例中經最小化。在一實施例中，方法200亦可稱為二進位化CTM程序，其中初始影像為經最佳化CTM影像，該經最佳化CTM影像進一步根據本發明來處理以產生曲線光罩圖案(例如曲線光罩或曲線圖案之幾何形狀或多邊形表示形狀)。在一實施例中，初始影像可為CTM影像之增強型影像)。曲線光罩圖案可呈向量、表、數學方程式之形式或表示幾何/多邊形形狀之其他形式。

在一實施例中，程序P201可涉及獲得初始影像(例如，CTM影像或經最佳化CTM影像，或二元光罩影像)。在一實施例中，初始影像201可為藉由CTM產生程序基於待印刷於基板上之目標圖案產生的CTM影像。可接著藉由程序P201接收CTM影像。在一實施例中，程序P201可經組態以產生CTM影像。舉例而言，在CTM產生技術中，將逆微影問題公式化為最佳化問題。變數與光罩影像中之像素值相關，且諸如EPE或旁瓣印刷之微影度量係用作成本函數。在最佳化之反覆中，自變數建構光罩影像且接著應用程序模型以獲得光學或抗蝕劑影像且計算成本函 數。成本計算接著給出梯度值，該等梯度值用於最佳化求解程序中以更新變數(例如，像素強度)。在最佳化期間的若干反覆之後，產生最終光罩影像，其進一步用作導引圖以用於圖案抽取。此初始影像(例如CTM影像)可包括對應於待經由圖案化程序印刷於基板上的目標圖案之一或多個特徵(例如目標圖案之特徵、SRAF、SRIF等)。

在一實施例中，CTM影像(或CTM影像之增強型版本)可用以初始化可用作初始影像201之光罩變數，該初始影像如下文所論述經反覆修改。

程序P201可涉及基於初始影像201產生增強型影像202。增強型影像202可為其中初始影像201內之某些選定像素經放大的影像。選定像素可為初始影像201內具有相對較低值(或弱信號)的像素。在一實施例中，選定像素為具有信號值之像素，該等信號值低於例如貫穿初始影像之像素的平均強度或給定臨限值。換言之，初始影像201內具有較弱信號之像素經放大，因此增強初始影像201內之一或多個特徵。舉例而言，目標特徵周圍之二階SRAF可具有可經放大的弱信號。因此，增強型影像202可突出顯示或識別可包括於光罩影像(在方法中稍後產生)內之額外特徵(或結構)。在判定光罩影像之習知方法(例如CTM方法)中，可忽略初始影像內之弱信號，且如此，光罩影像可不包括可由初始影像201中之弱信號形成的特徵。

增強型影像202之產生涉及應用諸如濾波器(例如，邊緣偵測濾波器)之影像處理操作以放大初始影像201內之弱信號。替代地或另外，影像處理操作可為去模糊、平均化及/或特徵提取或其他類似操作。邊緣偵測濾波器之實例包括普瑞維特(Prewitt)運算子、拉普拉斯 (Laplacian)運算子、高斯(Gaussian)拉普拉斯(LoG)濾波器等。產生步驟可進一步涉及在修改或不修改初始影像201之原始強信號的情況下組合初始影像201之經放大信號與初始影像201之原始信號。舉例而言，在一實施例中，對於橫越初始影像201之一個或多個位置處(例如，接觸孔處)的一或多個像素值，原始信號可為相對強的(例如，高於某臨限值諸如150或低於-50)，則該一個或多個位置處(例如，接觸孔處)的原始信號可能並不經修改或與彼位置之經放大信號組合。

在一實施例中，亦可放大初始影像201中之雜訊(例如亮度或顏色或像素值之隨機變化)。因此，可替代地或另外，可應用平滑化程序以減小經組合影像中之雜訊(例如亮度或顏色或像素值的隨機變化)。影像平滑化方法之實例包括高斯模糊、流動平均、低通濾波器等。

在一實施例中，可使用邊緣偵測濾波器來產生增強型影像202。舉例而言，可將邊緣偵測濾波器應用於初始影像201以產生經濾波影像，該經濾波影像突出顯示初始影像201內之一或多個特徵的邊緣。所得經濾波影像可進一步與原始影像(亦即初始影像201)組合以產生增強型影像202。在一實施例中，初始影像201與在邊緣濾波之後獲得之影像的組合可涉及僅修改初始影像201之具有弱信號的彼等部分而不修改具有強信號之區，且組合程序可基於信號強度經加權。在一實施例中，放大弱信號亦可放大經濾波影像內之雜訊。因此，根據實施例，可對經組合影像執行平滑化程序。影像之平滑化可指近似函數，該近似函數試圖俘獲影像中之重要圖案(例如目標圖案、SRAF)，同時省去雜訊或其他精細尺度結構/快速現象。在平滑化中，信號之資料點可經修改，使得個別點(大致由於雜訊)可減小，且可能低於鄰近點之點可增大，從而導致更平滑信號或更 平滑影像。因此，在平滑化操作之後，根據本發明之一實施例，可獲得具有減小之雜訊的增強型影像202之進一步平滑版本。

在程序P203中，該方法可涉及基於增強型影像202來產生光罩變數203。在第一反覆中，增強型影像202可用以初始化遮罩變數203。在稍後反覆中，可反覆更新光罩變數203。

n個實數變數之實數值函數f的輪廓提取為以下形式之集合：L _c (f)={(x ₁ ,x ₂ ,...x _n )|f(x ₁ ,x ₂ ,...x _n )=c}

在二維空間中，該集合定義在函數f等於給定值c之表面上的點。在二維空間中，函數f能夠提取將向光罩影像呈現之封閉輪廓。

在以上方程式中，x ₁ ,x ₂ ,...x _n 指諸如個別像素之強度之光罩變數，其判定曲線光罩邊緣以給定恆定值c存在之位置(例如，在如以下程序P205中論述之臨限平面)。

在一實施例中，在一反覆處，光罩變數203之產生可涉及基於例如初始化條件或梯度圖(其可隨後在該方法中產生)來修改增強型影像202內之變數的一或多個值(例如一或多個位置處之像素值)。舉例而言，可增大或減小一或多個像素值。換言之，可增大或減小增強型影像202內之一或多個信號之振幅。信號之經修改振幅可使能夠取決於信號之振幅的改變量而產生不同曲線圖案。因此，曲線圖案逐漸地演變，直至成本函數減小，在一實施例中經最小化。在一實施例中，可對位準光罩變數203執行進一步平滑化。

此外，程序P205涉及基於光罩變數203產生曲線光罩圖案205(例如，具有以向量形式表示之多邊形形狀)。曲線光罩圖案205之產 生可涉及光罩變數203之臨限值設定以自光罩變數203追蹤或產生曲線(或彎曲)圖案。舉例而言，可使用具有固定值的與光罩變數203之信號相交的臨限平面(例如x-y平面)來執行臨限值設定。臨限平面與光罩變數203之信號的相交產生跡線或輪廓(亦即，彎曲多邊形形狀)，該等跡線或輪廓形成充當曲線光罩圖案205之曲線圖案的多邊形形狀。舉例而言，光罩變數203可與平行於(x,y)平面之零平面相交。因此，曲線光罩圖案205可為如上產生的任何曲線圖案。在一實施例中，自光罩變數203追蹤或產生之曲線圖案視增強型影像202之信號而定。如此，影像增強製程P203促進改良針對最終曲線光罩圖案產生之圖案。最終曲線光罩圖案可藉由光罩製造商進一步使用以製作用於微影程序中之光罩。

程序P207可涉及再現曲線光罩圖案205以產生光罩影像207。再現為對曲線光罩圖案執行之操作，其係與將矩形光罩多邊形轉換為離散灰階影像表示類似的程序。此程序大體上可被理解為將連續座標(多邊形)之框函數(box function)取樣成影像像素之每一點處之值。

方法進一步涉及使用程序模型進行圖案化程序之前向模擬，該等程序模型基於光罩影像207產生或預測可印刷於基板上之圖案。舉例而言，程序P209可涉及使用光罩影像207作為輸入來實行及/或模擬程序模型，以及在基板上產生程序影像209(例如，空中影像、抗蝕劑影像、蝕刻影像等)。在一實施例中，程序模型可包括耦接至光學件模型之光罩透射模型，該光學件模型進一步耦接至抗蝕劑模型及/或蝕刻模型。程序模型之輸出可為在模擬程序期間用不同程序變化因數表示的程序影像209。程序影像可藉由例如追蹤程序影像內之圖案的輪廓來進一步用以判定圖案化程序的參數(例如，邊緣置放誤差、臨界尺寸、疊對、旁瓣等)。 參數可進一步用以定義成本函數，該成本函數進一步用以最佳化光罩影像207，使得成本函數減小，或在一實施例中經最小化。

在程序P211中，可基於程序影像209(亦被稱作經模擬基板影像或基板影像或晶圓影像)來評估成本函數。因此，成本函數在圖案化程序變化的情況下可被認為係程序感知的，從而使得能夠產生考量圖案化程序之變化的曲線光罩圖案。舉例而言，成本函數可為邊緣置放誤差(EPE)、旁瓣、均方誤差(MSE)、圖案置放誤差(PPE)、正規化影像對數或基於程序影像中之圖案輪廓所定義之其他適當變數。作為一個實例，EPE可為與一或多個圖案相關聯之邊緣置放誤差及/或與程序模型影像209之所有圖案及對應目標圖案相關之所有邊緣置放誤差的總和。在一實施例中，成本函數可包括可同時減小或最小化之多於一個條件。舉例而言，除了MRC違反機率以外，亦可包括缺陷之數目、EPE、疊對、CD或其他參數，且可同時減小(或最小化)全部條件。

此外，一或多個梯度圖可基於成本函數(例如EPE)來產生，且光罩變數可基於此類梯度圖來修改。光罩變數(MV)係指ø之強度。因此，梯度計算可表示為dEPE/d

，且藉由俘獲自光罩影像(MI)至曲線光罩多邊形至光罩變數之逆數學關係來更新梯度值。因此，可相對於光罩影像自光罩影像至曲線光罩多邊形及自曲線光罩多邊形至光罩變數計算成本函數之導數鏈，此允許修改光罩變數處之光罩變數之值。

在一實施例中，影像正則化可經添加以減小可產生之光罩圖案的複雜度。此類影像正則化可為光罩規則檢查(MRC)。MRC係指光罩製造程序或裝置之限制條件。因此，成本函數例如基於EPE及MRC違反懲罰而可包括不同分量。懲罰可為成本函數之項，其取決於違反量，例 如光罩量測值與給定MRC或光罩參數(例如，光罩圖案寬度與所允許(例如，最小或最大)光罩圖案寬度)之間的差。因此，根據本發明之一實施例，光罩圖案可經設計，且對應光罩可不僅基於圖案化程序之前向模擬而且另外基於光罩製造裝置/程序之製造限制來製作。因此，可獲得依據例如EPE、CD或印刷圖案上之疊對產生高良率(亦即，最小缺陷)及高準確度的可製造曲線光罩。

對應於程序影像之圖案應與目標圖案準確地相同，然而，此類準確目標圖案可能並非可行的(例如，典型地尖銳拐角)，且一些衝突歸因於該圖案化程序自身中之變化及/或圖案化程序之模型中的近似被引入。在方法之第一反覆中，光罩影像207可能並不產生類似於目標圖案之圖案(在抗蝕劑影像中)。抗蝕劑影像(或蝕刻影像)中印刷圖案之準確性或接受度的判定可係基於諸如EPE之成本函數。舉例而言，若抗蝕劑圖案之EPE高，則其指示使用光罩影像207之印刷圖案係不可接受的且光罩變數203中之圖案必須經修改。

為了判定光罩影像207是否為可接受的，程序P213可涉及判定成本函數是否減小或經最小化，或給定反覆數目是否達到。舉例而言，先前反覆之EPE值可與當前反覆之EPE值比較以判定EPE是否已減小、最小化或收斂(亦即，未觀測到印刷圖案中之實質改良)。當成本函數經最小化時，方法可停止，且產生之曲線光罩圖案資訊被視為最佳化結果。

然而，若成本函數並未經減小或最小化，則可更新光罩相關變數或增強型影像相關變數(例如，像素值)。在一實施例中，更新可係基於以梯度為基礎之方法。舉例而言，若成本函數未減小，則方法200前 進至在執行指示如何進一步修改光罩變數203之程序P215及P217之後產生光罩影像的下一反覆。

程序P215可涉及基於成本函數而產生梯度圖215。梯度圖可為成本函數之導數及/或偏導數。在一實施例中，可相對於光罩影像之像素判定成本函數之偏導數，且可將導數進一步鏈接以判定相對於光罩變數203之偏導數。此梯度計算可涉及判定光罩影像207與光罩變數203之間的逆關係。此外，必須考慮在程序P205及P203中執行之任何平滑化操作(或函數)的逆關係。

梯度圖215可提供關於以使得減小(在一實施例中最小化)成本函數之值之方式增大或減小光罩變數之值的推薦。在一實施例中，可將最佳化演算法應用於梯度圖215以判定光罩變數值。在一實施例中，最佳化求解程序可用以執行基於梯度之計算(在程序P217中)。

在一實施例中，對於反覆，光罩變數可改變，而臨限平面可保持固定或不變以便逐漸減小或最小化成本函數。因此，所產生之曲線圖案可在反覆期間逐漸演變，使得成本函數減小，或在一實施例中最小化。在另一實施例中，光罩變數以及臨限平面兩者可皆改變以達成最佳化程序的更快收斂。在成本函數之若干次反覆及/或最小化後可產生二進位化CTM結果之最終集合(亦即增強影像、光罩影像或曲線光罩之經修改版本)。

在本發明之一實施例中，自藉由灰階影像進行之CTM最佳化至藉由曲線光罩進行之二進位化CTM最佳化的轉變可藉由用不同程序替換臨限值設定程序(亦即，P203及P205)來簡化，在該不同程序處，S型變換應用於增強型影像202，且執行梯度計算之對應改變。增強型影像 202之S型變換產生經變換影像，該經變換影像在最佳化程序(例如，最小化成本函數)期間逐漸地演變成曲線圖案。在反覆或優化步驟期間，與S型函數相關之變數(例如，陡度及/或臨限值)可基於梯度計算來修改。由於S型變換在連續反覆期間變得更陡(例如，S型變換之斜率之陡度增大)，故可達成自CTM影像至最終二進位化CTM影像之逐漸轉變，從而允許藉由曲線光罩圖案進行之最終二進位化CTM最佳化之改良的結果。

在本發明之一實施例中，可將額外步驟/程序插入至優化之反覆的循環中，以加強結果從而具有所選或所要性質。舉例而言，可藉由添加平滑化步驟來確保平滑度，或可使用其他濾波器以加強影像以有利於水平/豎直結構。

隨著微影節點不斷縮小，需要愈來愈複雜之光罩。可運用DUV掃描器及/或其他掃描器在關鍵層中使用本發明方法。可在包括源光罩最佳化(SMO)、光罩最佳化及/或OPC之光罩最佳化程序的不同態樣中包括根據本發明之方法。

舉例而言，全文以引用方式併入之題為「Optimization Flows of Source,Mask and Projection Optics」之美國專利第9,588,438號中描述了先前技術源光罩最佳化程序。針對典型佈局剪輯上之隙縫中心執行此先前技術源光罩最佳化程序。源及光罩變數之所得最佳化被認為表示隙縫上之所有位置(及/或其他位置)。

光學近接校正(OPC)藉由補償在處理期間發生之失真而增強積體電路圖案化程序。失真在處理期間發生，此係因為印刷於晶圓上之特徵小於用於圖案化及印刷程序中之光的波長。OPC驗證識別OPC後晶圓設計中之OPC誤差或弱點，其可潛在地導致晶圓上之圖案化缺陷。

OPC處理如下事實：投影於基板上之設計佈局之影像的最終大小及置放將不相同於或簡單地僅取決於該設計佈局在圖案化器件上之大小及置放。在諸如OPC之解析度增強技術(RET)的上下文中，不必使用實體圖案化器件，但設計佈局可用於表示實體圖案化器件。對於存在於一些設計佈局上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受到其他鄰近特徵之存在或不存在影響。此等近接效應起因於自一個特徵耦接至另一特徵的微小量之輻射或諸如繞射及干涉之非幾何光學效應。類似地，近接效應可起因於在通常後繼微影之曝光後烘烤(PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應。

為了增加設計佈局之經投影影像係根據給定目標電路設計之要求的機會，可使用設計佈局之複雜數值模型、校正或預失真來預測及補償近接效應。論文「Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is Changing IC Design」(C.Spence，Proc.SPIE，第5751卷，第1至14頁(2005年))提供當前「以模型為基礎」之光學近接校正程序的綜述。在典型的高端設計中，設計佈局之幾乎每一特徵皆具有某種修改，以便達成經投影影像至目標設計之高保真度。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置，以及意欲輔助其他特徵之投影的「輔助」特徵之應用。

在一些實施例中，OPC可基於來自例如實際或模擬影像(諸如SEM影像)之所量測度量，及/或其他資訊。舉例而言，CD、EP及/或EPE、疊對及/或其他度量可經量測並作為輸入提供至OPC模型以用於訓練、進行預測及/或其他原因。

如上文所描述，多重圖案化技術(MPT)程序(包括雙重、三 重、間隔雙重圖案化、切割層等)在減少圖案特徵間隔及改良半導體器件中之特徵之整合方面係有效的。舉例而言，MPT需要經組態以識別整合式MPT設計中之薄弱點或缺陷並對其進行校正的用於模擬之高準確度OPC模型。為建立準確OPC模型，需要高度可靠度量衡資料。來自MPT程序之基板的SEM影像為基板中之MPT圖案的影像。舉例而言，在序列(例如，包括微影、蝕刻微影、蝕刻及蝕刻程序)之多個步驟之後製作MPT圖案之後俘獲影像。亦即，影像可包括MPT圖案之部分中的全部或一些。然而，對於圖案(例如，具有對應於MPT程序流程中之不同程序步驟的個別圖案部分)之個別部分中之每一者需要單獨度量衡資料以表徵圖案之個別部分及相關聯程序步驟。單獨度量衡資料需要經產生用於圖案之個別部分而不干擾圖案之其他部分。

在所呈現系統及方法之實施例中，指定基板上之圖案之幾何形狀的圖案資訊經接收並用於阻擋圖案之第一部分。阻擋可例如運用幾何阻擋光罩來執行，使得圖案之第二部分保持經解除阻擋且可經量測而不干擾圖案之第一部分。幾何阻擋光罩可基於該圖案設計(例如，圖形資料系統(GDS)設計或其他)及/或晶粒至資料庫(D2DB)對準程序而產生。遮蔽可經重複用於圖案之任何數目個部分。

圖3說明根據本發明之實施例的用於判定基板上的圖案之部分之一或多個度量的例示性方法300之實例。圖3中所展示之方法300包括接收302基板上之圖案的圖案資訊，基於圖案資訊阻擋304圖案之第一部分使得圖案之第二部分保持經解除阻擋，及判定306用於圖案之經解除阻擋第二部分的一或多個度量。在一些實施例中，視需要基於經解除阻擋第二部分之一或多個度量調整308半導體製造程序及/或其他操作可包括於 方法300中。

方法300之操作意欲係說明性的。在一些實施例中，方法300可用未描述之一或多個額外操作及/或不用所論述之操作中之一或多者來實現。舉例而言，在一些實施例中，方法300不必包括調整操作308。另外，在圖3中說明及在下文描述方法300之操作所藉以的次序並不意欲為限制性的。在一些實施例中，方法300之一或多個部分可實施(例如，藉由模擬、模型化等)於一或多個處理器件中。一或多個處理器件可包括回應於以電子方式儲存於電子儲存媒體上之指令而執行方法300之操作中之一些或全部的一或多個器件。一或多個處理器件可包括經由硬體、韌體及/或軟體組態之一或多個器件，該硬體、韌體及/或軟體經專門設計用於實行例如方法300之操作中之一或多者。

應注意儘管下文描述之實例一般指圖案之經阻擋第一部分及經解除阻擋第二部分，但方法300亦可包括基於圖案資訊解除阻擋第一部分；基於該圖案資訊阻擋第二部分，使得該第一部分保持經解除阻擋；及判定用於經解除阻擋第一部分之一或多個度量。此等操作可依次地或實質上並行發生。阻擋及解除阻擋之此等原理亦可經擴展至圖案之任何數目個部分。

接收302包含接收基板上之圖案的圖案資訊。圖案資訊可以電子方式(例如，自一該計算系統至另一計算系統、自計算系統之一個部分至計算系統之另一部分，等)及/或藉由其他方法傳達。基板上之圖案可能已經具有複數個不同部分。此等部分可對應於製造程序流中(例如，MPT程序中)之不同程序步驟。舉例而言，基板上之圖案可具有第一、第二、第三、第四、第五等部分，且各部分對應於程序層。此等部分可係獨 特的及/或可在整個圖案中及/或橫越基板重複一次或多次。為了簡單起見，本文中之描述聚焦於僅僅兩個不同部分(例如，第一部分及第二部分)，但本文中所描述的原理可經擴展至圖案之任何數目個部分。

不同部分可為或包括總體圖案內之不同圖案設計，及/或其他部分。圖案資訊指定圖案之不同部分的不同圖案設計之幾何形狀。幾何形狀可包括特徵形狀、特徵尺寸、圖案中之特徵位置、特徵之間的間隔、特徵之相對位置等及/或不同圖案設計之其他特性。圖案資訊可為及/或包括一GDS檔案，該GDS檔案指定圖案的個別部分之幾何形狀，及/或其他類型的資訊。借助於非限制性實例，圖案資訊可指定圖案之第一部分的幾何形狀、圖案之第二部分的幾何形狀、第一部分及第二部分相對於彼此的幾何形狀，及/或其他資訊。

在一些實施例中，不同部分經合併於基板上之圖案中。經合併部分可包括彼此接近而定位的不同部分、不同部分之摻和特徵(例如，位於圖案之另一部分的一或多個特徵之間、位於該一或多個特徵內部及/或圍繞該一或多個特徵而定位的圖案之一個部分的特徵)、觸碰或重疊(及/或看起來觸碰或重疊)的不同部分之特徵，及/或其他合併。繼續上述實例，圖案之第一部分及第二部分可經合併。如上文所描述，在一些實施例中，基板上之圖案的經合併部分可對應於不同程序層。舉例而言，基板上之圖案的經合併第一部分及第二部分可對應於半導體微影程序(例如，MPT程序，諸如雙重圖案化程序、三重圖案化程序、間隔雙重圖案化程序及/或其他程序)中之第一及第二曝光。

在一些實施例中，度量衡裝置(或檢測設備)用於產生MDT圖案之偵測到之信號(例如，俘獲影像)，包括MDT圖案之部分中之一些或 全部。裝置可為經組態以產生用於量測CD、EP、EPE、疊對及其他度量的偵測到之信號的電子束度量衡裝置或光學度量衡裝置。根據本發明，度量衡裝置可獲取原始信號或原始資料。原始信號或原始資料接著藉由安裝於裝置上或單獨計算器件上的自動程式來量測及處理。阻擋光罩可在量測及資料處理中實質上與原始資料獲得程序並行或在離線資料後處理中應用。

阻擋304包括阻擋圖案之一部分使得圖案之另一部分保持經解除阻擋。舉例而言，圖案之第一部分可經阻擋使得圖案之第二部分保持經解除阻擋。作為另一實例，圖案之一部分可包括各種特定設計的度量衡目標。在一些實施例中，阻擋304可包括阻擋給定度量衡目標之一個部分，同時使度量衡目標之另一部分經解除阻擋。

阻擋係基於圖案資訊及/或其他資訊。由於圖案資訊指定不同部分之幾何形狀，因此圖案資訊可以用於判定總體圖案之哪些部分係單獨的(例如，第一部分及第二部分、度量衡目標之不同部分，等)。阻擋總體圖案中之一個部分或另一者可有利地防止該圖案之彼部分干擾對圖案之經解除阻擋部分的量測(例如，一個部分之經阻擋特徵將不意外地用於量測用於圖案之不同經解除阻擋部分的度量)。阻擋總體圖案中之一個部分或另一者促進藉由自動檢驗程序對圖案之經解除阻擋部分中之量測位置的自動識別。舉例而言，自動檢測設備可經程式化以僅在待用以進行量測的特徵之圖案設計之經解除阻擋部分中搜尋。進一步舉例而言，自動檢測設備將不意外地俘獲在與用於量測之目標特徵相同的位置中或接近於該等目標特徵的阻擋特徵。

在一些實施例中，阻擋304可包含經組態以產生阻擋光罩 的模型模擬及複雜GDS操作。該模型模擬可產生例如模型輪廓，及/或用於其他目的。複雜GDS操作可包括例如多邊形布耳運算，及/或其他複雜GDS操作。

阻擋304包含基於圖案資訊及/或其他資訊產生用於圖案之給定部分(例如，第一部分)的幾何阻擋光罩。阻擋位置及幾何形狀可基於例如自圖案設計及D2DB對準導出的個別圖案部分之位置及幾何形狀而判定。舉例而言，在一些實施例中，產生光罩進一步包含相對於如在圖案資訊中指定的彼部分之幾何形狀使待被阻擋的部分(例如，在此實例中之第一部分)之幾何形狀經偏置變大或變小。圖4說明藉由產生用於不同部分404、406之幾何阻擋光罩408、410阻擋400、402圖案之彼此接近定位的兩個不同部分404(A)、406(B)。在一些實施例中，GDS檔案及D2DB對準指示兩個部分之位置。圖4展示可用以判定圖案之彼部分的度量的量測位置(如由箭頭指示)。舉例而言，此等可為種子量規401、403。種子量規可為經指示用於量測的初始位置。在一些實施例中，其他等效位置可在種子量規附近發現以執行更多量測。舉例而言，種子量規401及403可在圖案中彼此接近而定位。如圖4中所展示，部分404之幾何形狀經偏置405變大以形成光罩408以使得光罩408可用於阻擋部分404及其相關聯種子量規401(包括藉由箭頭展示的量測位置)以促進用於部分406及/或種子量規403之度量量測。類似地，部分406之幾何形狀可經偏置407變大以形成光罩410以使得光罩410可用於阻擋區塊部分406/種子量規403(包括藉由箭頭展示之量測位置)以促進用於部分404及/或種子量規401的度量量測。

作為另一實例，產生光罩可包含藉由相對於圖案資訊中指定的彼部分之幾何形狀使圖案之一部分(例如，第一部分)的幾何形狀經偏 置變大而產生第一光罩區域，藉由相對於圖案資訊中指定的彼部分之幾何形狀使彼部分之幾何形狀經偏置變小而產生第二光罩區域，及自第一光罩區域減去第二光罩區域以產生光罩。此等經偏置變大/變小技術結合將偏置彼此相加及/或相減可結合使用以創建各種形狀之光罩。

舉例而言，圖5說明在本發明之一實施例中藉由偏置圖案之第一部分404及第二部分406之幾何形狀創建各種形狀之例示性光罩。特定言之，圖5說明用於間隔雙重圖案化程序之實例光罩的創建。圖5說明彼此接近定位的兩個種子量規500(對應於部分404)、502(對應於部分406)，各自包含內部量測位置及外部量測位置(再次藉由箭頭指示)。在此實例中，單獨內部量規及外部量規在其經量測部分為不同程序層時被使用。在此實例中，部分404以兩個不同量504、506經偏置變大，且亦經偏置變小508。部分406以兩個不同量510、512經偏置變大，且亦經偏置變小514。如圖5中所展示，偏置量506可自偏置量504減去以創建光罩520。偏置量506可用作光罩及/或界定該光罩。偏置量508可自偏置量504減去以創建光罩522。偏置量512可自偏置量510減去以創建光罩524。偏置量512可用作光罩及/或界定該光罩。偏置量514可自偏置量510減去以創建光罩526。此等光罩可以不同方式(例如，如用箭頭以及「+」及「-」符號所展示)組合以阻擋給定圖案中之一個部分或另一部分。在此實例中，光罩可以如所展示之不同方式組合以促進部分404之外部量規500的量測530(藉由阻擋圖案之組合量規500、502的其他部分)、促進部分404之內部量規500的量測532、促進部分406之外部量規502的量測534，或促進部分406之內部量規502的量測536。

在一些實施例中，光罩之至少一部分經形成用於圖案之切 割層。舉例而言，在進階半導體節點中，其可創建稍後經切割成較小線以建構複雜結構的簡單長線。切割層需要用於此切割程序。借助於非限制性實例，圖6說明使用601一切割層600作為阻擋光罩以阻擋圖案之一部分404。在此實例中，圖案之部分為來自部分404之種子量規401。如圖6中所展示，切割層600用於阻擋種子量規401之末端，使得僅僅自種子量規401之中間部分(例如，如由未由切割層600覆蓋的剩餘箭頭所指示)進行度量量測。

作為另一實例，圖7說明使用切割層600結合如圖5中所展示藉由以各種方式使圖案之第一部分404及第二部分406的幾何形狀偏置而創建各種形狀之光罩。在圖7中所展示的實例中，光罩可以如所展示之不同方式組合以促進部分404之外部量規500之切割部分的量測700(藉由阻擋圖案之組合量規500、502的其他部分)、促進部分404之內部量規500的量測702、促進部分406之外部量規502的量測704，或促進部分406之內部量規502的量測706。如圖7中所展示，切割層600用於阻擋種子量規500及502之末端，使得僅僅自種子量規500或502之中間部分(例如，如由未由切割層600覆蓋的剩餘箭頭所指示)進行度量量測。

返回至圖3，判定306包括判定用於圖案之經解除阻擋(例如，第二)部分的一或多個度量。該一或多個度量包含臨界尺寸、邊緣置放及/或邊緣置放誤差、疊對、線邊緣粗糙度及/或其他度量。在一些實施例中，判定用於經解除阻擋部分之一或多個度量包含：對準並平均化基板上的圖案之影像；對經平均影像執行輪廓提取；及對準經提取輪廓與基板上之圖案的圖案資訊。判定用於經解除阻擋(例如，第二)部分之一或多個度量進一步包含：在圖案之經解除阻擋部分的輪廓中產生一或多個量規； 及量測該一或多個量規。此等操作係在圖8中說明並在下文進一步描述。

圖8說明用於判定圖案之經解除阻擋部分的一或多個度量之自動工作流程800(例如，在MPT程序中)。判定操作306(圖3)可包括工作流程800之步驟中之一些或全部。然而，工作流程800亦可包括包括於本文中所描述之其他操作中的其他步驟。工作流程800以層圖產生步驟802開始。層圖產生步驟802可包含上文所描述的接收302及阻擋304操作之至少部分。舉例而言，層圖產生步驟802可包括基於圖案資訊及/或其他資訊產生用於圖案之給定部分(例如，第一部分、第二部分等)之幾何阻擋光罩。此可包括如本文所描述偏置及/或添加/減去圖案幾何形狀以促進光罩產生及阻擋。

工作流程800繼續原始影像處理804。影像為掃描電子顯微鏡(SEM)影像、光學影像及/或可藉由度量衡或檢測系統產生的其他信號或資料。舉例而言，SEM影像可為實際或模擬之SEM影像。SEM影像包含基板上之圖案之經給定合併(例如，第一及第二)重複部分的多個影像。隨著工作流程800繼續，判定用於經解除阻擋第二部分之一或多個度量包含分解SEM影像中之圖案的經合併(例如，第一及第二)部分。原始影像處理804可包含濾波、減噪、裁剪、翻轉、旋轉及/或其他原始影像處理操作。

工作流程800包括影像對準步驟806。對準步驟806可包含識別在整個SEM影像中之常見特徵及基於常見特徵對準影像。舉例而言，可識別影像中之對應邊緣、線、拐角、度量衡目標及/或其他特徵。影像可基於所識別特徵而定向及/或以其他方式相對於彼此定位，使得常見特徵以相同方式在不同影像中定向及/或定位。

經對準影像可在步驟808處平均化。平均化經對準影像可產生SEM影像中的圖案之單一代表性影像。平均化經對準影像可進一步減小影像雜訊並促進自平均影像的輪廓提取，及/或具有其他目的。

輪廓提取810可包含識別平均影像中之圖案特徵的輪廓。輪廓可為圖案之特徵的邊緣之軌跡，例如及/或其他輪廓。影像之其他部分可經丟棄，例如使得獲得影像中之圖案的清晰表示。

在步驟812處，經提取輪廓與圖案資訊對準。在一些實施例中，對準經執行用於圖案之部分的實質上全部，包括經阻擋部分及經解除阻擋部分(例如，第一部分及第二部分)。如上文所描述，圖案資訊指定圖案之不同部分的不同圖案設計之幾何形狀。幾何形狀可包括特徵形狀、特徵尺寸、圖案中之特徵位置、特徵之間的間隔、特徵之相對位置等及/或不同圖案設計之其他特性。舉例而言，圖案資訊可為及/或包括一GDS檔案，該GDS檔案指定圖案的個別部分之幾何形狀，及/或其他類型的資訊。輪廓形狀、輪廓尺寸、輪廓特徵之間的間隔、輪廓特徵之相對位置等及/或所提取輪廓之其他特性可與特徵形狀、特徵尺寸、圖案中之特徵位置、特徵之間的間隔、特徵之相對位置等及/或圖案資訊中所描述的不同圖案設計之其他特性對準。在一些實施例中，舉例而言，步驟812可包含將座標系統自基於影像像素之座標系統轉換成GDS座標，及/或其他操作。

在步驟814處，可調整所提取輪廓。輪廓調整可包含磨銳及/或以其他方式增強輪廓之部分。舉例而言，具有空隙、看起來模糊、看起來不相交等的所提取輪廓之部分可經調整(例如，使空隙經填充、使線經平滑等)使得該輪廓形成圖案之尖銳清晰實質上連續表示。

最終，工作流程800包含產生816量規且接著量測818量規。量規可指定一或多個度量。產生量規可包含指定用於量測的經提取輪廓中之量測位置。舉例而言，給定度量可為兩個不同特徵之間的間隔。產生對應量規可包含識別兩個不同特徵之邊緣及判定兩個邊緣之間的距離應被量測。作為另一實例，給定度量可為特徵的邊緣之位置或置放(例如，絕對位置、邊緣相對於其他特徵的位置，等)。產生對應量規可包含識別特徵之邊緣及判定邊緣之位置應被量測。在一些實施例中，量測818量規包含使度量衡裝置判定藉由量規指定的距離、位置等。在一些實施例中，量測818量規包含基於經提取輪廓之性質來判定距離、位置等(例如，以電子方式直接在輪廓影像中或基於輪廓影像來執行量測)，及/或其他判定。在一些實施例中，可使用基於經提取輪廓產生的模型及/或以其他方式執行量測818。

如圖8中所展示，層圖產生802(例如，所產生阻擋光罩)可用於步驟812及816以產生用於圖案之經解除阻擋部分的量規。以此方式，該一或多個量規可指定用於經解除阻擋部分之一或多個度量。舉例而言，步驟816可包含不包括圖案之經阻擋部分及僅僅產生用於圖案之經解除阻擋部分的量規。在步驟812中，執行座標系統自基於影像像素之座標系統至GDS座標的轉換。可基於經轉換座標進行哪些量規在阻擋光罩區內的判定。

圖9及圖10說明根據本發明之一實施例的圖案之經阻擋第一部分及圖案之經解除阻擋第二部分的實例。圖9說明經阻擋第一部分900，及經解除阻擋第二部分902。部分900及902包含總體圖案904之經合併部分。舉例而言，部分900及902彼此接近而定位，且不同部分900、 902之特徵位於該圖案之另一部分900、902之一或多個特徵之間、位於該一或多個特徵內部及/或圍繞該一或多個特徵定位。如圖9中所展示，若干量測位置(例如，量規)已經識別用於如由橫越部分902之箭頭頭部指示的經解除阻擋部分902。相反，無量測位置已經識別用於部分900。此係因為部分900已藉由光罩906遮蔽。在此實例中，光罩906包含經偏置變大使得部分900及部分900之任何對應量測位置藉由光罩906阻擋的部分900之幾何形狀。此促進部分902之準確量測(例如，部分900之特徵將不被意外地量測，此係因為其係由光罩906阻擋)。

圖10說明經阻擋第一部分1050，及經解除阻擋第二部分1052。部分1050及1052包含總體圖案1054之經合併部分。舉例而言，部分1050及1052彼此接近而定位。如圖10中所展示，若干量測位置(例如，量規)已經識別用於如由橫越部分1052之箭頭頭部指示的經解除阻擋部分1052。相反，無量測位置已經識別用於部分1050。此係因為部分1052已藉由光罩1056遮蔽。在此實例中，光罩1056包含經偏置變大使得部分1050及部分1050之任何對應量測位置藉由光罩1056阻擋的部分1050之幾何形狀。此促進部分1052之準確量測(例如，部分1050之特徵將不被意外地量測，此係因為其係由光罩1056阻擋)。

圖11說明包含圖案之兩個不同部分1102、1104的經合併圖案特徵1100。如上文所描述，與典型量測方法相比，本發明方法經組態以促進CD及EP兩者的判定。在MPT程序中，可難以量測在一些位置處之CD。舉例而言，在圖11中所展示之位置1110處，CD/EP不能被量測，此係因為部分1102及1104重疊以形成特徵1100。在來自圖案之兩個不同部分1102、1104的多邊形之間存在重疊。在此情形下，CD/EP並不歸於光 罩圖案之單一部分。本發明方法將不包括區1110中之量測。舉例而言，使用本發明方法，接收圖案之圖案資訊，基於該圖案資訊阻擋圖案之第一部分(例如，部分1102)，使得圖案之第二部分(例如，部分1104)保持經解除阻擋，且判定圖案之經解除阻擋第二部分的EP，且反之亦然。

返回至圖3，調整308包含基於藉由使用如上文所描述之阻擋光罩獲得的圖案之個別部分的一或多個度量來調整半導體製造程序、程序模擬模型，或OPC模型。在一些實施例中，調整308包含例如基於經解除阻擋部分的經量測度量來改變光罩設計中之圖案中之特徵的尺寸、形狀及/或位置；或改變與圖案之經解除阻擋部分相關聯的光罩、劑量、焦點及/或曝光，及/或其他調整。在一些實施例中，調整308包含基於用於圖案之經解除阻擋部分的一或多個度量執行OPC。

在一些實施例中，調整308包括首先判定實際調整。此可為尺寸變化、形狀變化、位置變化、劑量變化、曝光變化等之量或值。替代地及/或另外，在不執行任何實際調整的情況下，經判定調整可傳達至不同系統及/或使用者，及/或用於其他操作中。此可採用推薦及/或建議之形式，例如及/或其他形式。此推薦及/或建議可經由使用者介面傳達至使用者，例如以電子方式傳達至不同系統，及/或以其他方式傳達。

在一些實施例中，操作308包括判定器件圖案、光罩圖案、投影光學件、照明源及/或其他組件之一或多個調整。舉例而言，該(等)圖案、投影光學件、照明源及/或其他組件可經調整直至滿足終止條件為止。在一些實施例中，終止條件包含經圖案化至基板上之特徵(例如，實體地及/或在電子模型中)實質上匹配目標設計的判定。在一些實施例中，調整可為例如器件圖案、光罩圖案、照明源之參數、投影光學件之參 數的反覆調整，及/或其他反覆調整。反覆調整可繼續直至滿足終止條件為止(例如，直至經圖案化於基板上之一或多個特徵充分匹配目標設計為止)。在一些實施例中，該圖案之調整包括設計變數(例如，特徵尺寸、位置等；添加及/或減去輔助特徵；等)的調整。照明源之參數的調整包括照明之劑量、波長、強度及/或其他參數的調整。投影光學件之參數的調整可包括光瞳調整，從而調整投影光學件之隙縫及/或其他參數。

在一些實施例中，圖案、照明源之參數、投影光學件之參數的反覆調整，及/或直至滿足終止條件為止的其他反覆調整係在無約束條件限制可調變數之可能值的範圍情況下執行。在一些實施例中，圖案、照明源之參數、投影光學件之參數的反覆調整，及/或直至滿足終止條件為止的其他反覆調整係在至少一個約束條件(例如，臨界尺寸、最小線寬、彎曲形狀之間的最小間隔等)限制至少一個可調變數之可能值的範圍情況下執行。在一些實施例中，至少一個約束條件係與光罩及/或製造該光罩之實體特性、微影投影裝置之實體特性，或設計變數(例如，第一特徵之區段的曲率)對於一或多個其他設計變數(例如，第二特徵之相關區段的曲率)之依賴性中的一或多者相關聯。

圖12為可用於本文中所描述之操作中之一或多者的實例電腦系統CS之圖。電腦系統CS包括用於傳達資訊之匯流排BS或其他通信機構，及與匯流排BS耦接以處理資訊之處理器PRO(或多個處理器)。電腦系統CS亦包括耦接至匯流排BS以用於儲存待由處理器PRO實行之資訊及指令的主記憶體MM，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體MM亦可用於在由處理器PRO實行指令期間儲存暫時性變數或其他中間資訊。電腦系統CS進一步包括耦接至匯流排BS以用於儲存用於處 理器PRO之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)ROM或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件SD，且將其耦接至匯流排BS以用於儲存資訊及指令。

電腦系統CS可經由匯流排BS耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器DS，諸如陰極射線管(CRT)，或平板或觸控面板顯示器。包括文數字及其他按鍵之輸入器件ID耦接至匯流排BS以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器PRO。另一類型之使用者輸入器件為用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器PRO且用於控制顯示器DS上之游標移動的游標控制件CC，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸(例如，x)及第二軸(例如，y))上之兩個自由度，從而允許該器件指定平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可被用作輸入器件。

在一些實施例中，本文中所描述之一或多種方法的部分可藉由電腦系統CS回應於處理器PRO執行主記憶體MM中所含有之一或多個指令的一或多個序列來執行。可將此等指令自另一電腦可讀媒體(諸如儲存器件SD)讀取至主記憶體MM中。主記憶體MM中所包括之指令序列的實行使得處理器PRO執行本文中所描述之程序步驟(操作)。呈多處理配置之一或多個處理器亦可用於實行主記憶體MM中所含有之指令序列。在一些實施例中，可代替或結合軟體指令而使用硬連線電路系統。因此，本文中之描述不限於硬體電路系統及軟體之任何特定組合。

如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器PRO以供實行之任何媒體。此媒體可採取許多形式，包括(但不限於)非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例 如光碟或磁碟，諸如儲存器件SD。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體MM。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排BS之導線。傳輸媒體亦可採取聲波或光波之形式，諸如，在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之聲波或光波。電腦可讀媒體可為非暫時性的，例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣。非暫時性電腦可讀媒體可具有記錄於其上之指令。該等指令可在由電腦實行時實施本文中所描述之操作中之任一者。暫時性電腦可讀媒體可包括例如載波或其他傳播電磁信號。

可在將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器PRO以供實行時涉及電腦可讀媒體之各種形式。舉例而言，初始地可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體內，且使用數據機經由電話線而發送指令。在電腦系統CS本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器將資料轉換為紅外線信號。耦接至匯流排BS之紅外偵測器可接收紅外信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排BS上。匯流排BS將資料攜載至主記憶體MM，處理器PRO自該主記憶體擷取且實行指令。由主記憶體MM接收之指令可視情況在由處理器PRO實行之前或之後儲存於儲存器件SD上。

電腦系統CS亦可包括耦接至匯流排BS之通信介面CI。通信介面CI提供與網路鏈路NDL之雙向資料通信耦接，該網路鏈路NDL連接至區域網路LAN。舉例而言，通信介面CI可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與相應類型之電話線的資料通信連接。作為另 一實例，通信介面CI可為區域網路(LAN)卡以提供與相容LAN的資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此實施中，通信介面CI發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料流的電信號、電磁信號或光學信號。

網路鏈路NDL通常經由一或多個網路提供與其他資料器件之資料通信。舉例而言，網路鏈路NDL可經由區域網路LAN提供與主電腦HC之連接。此可包括經由全球封包資料通信網路(現在通常稱為「網際網路」INT)而提供資料通信服務。區域網路LAN(網際網路)可使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。經由各種網路之信號及在網路資料鏈路NDL上且經由通信介面CI之信號為輸送資訊的例示性載波形式，該等信號將數位資料攜載至電腦系統CS且自該電腦系統CS攜載數位資料。

電腦系統CS可經由網路、網路資料鏈路NDL及通信介面CI發送訊息及接收資料(包括程式碼)。在網際網路實例中，主機電腦HC可經由網際網路INT、網路資料鏈路NDL、區域網路LAN及通信介面CI傳輸用於應用程式之經請求程式碼。舉例而言，一個此經下載應用程式可提供本文中所描述之方法的全部或部分。所接收程式碼可在接收其時由處理器PRO實行，及/或儲存於儲存器件SD或其他非揮發性儲存器中以供稍後實行。以此方式，電腦系統CS可獲得呈載波形式之應用程式碼。

圖13為根據一實施例的一微影投影裝置之示意圖。微影投影裝置可與本文中所描述的操作中之一或多者相關聯。舉例而言，經驗證光罩設計可用於以可拆卸方式與微影投影裝置耦接的光罩。微影投影裝置可包括照明系統IL、第一物件台MT、第二物件台WT及投影系統PS。照明系統IL可調節輻射光束B。在此實例中，照明系統亦包含輻射源SO。第 一物件台(例如，圖案化器件台)MT可具備用以固持圖案化器件MA(例如，光罩或倍縮光罩)之圖案化器件固持器，且連接至用以相對於項目PS來精確地定位圖案化器件之第一定位器。第二物件台(例如，基板台)WT可具備用以固持基板W(例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS來精確地定位該基板的第二定位器。投影系統(例如其包括透鏡)PS(例如折射、反射或反射折射光學系統)可將圖案化器件MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。可使用例如圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。

如所描繪，該裝置可屬於透射類型(亦即，具有透射圖案化器件)。然而，一般而言，其亦可屬於反射類型，例如(具有反射圖案化器件)。裝置可採用與經典光罩不同種類之圖案化器件；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。

源SO(例如，水銀燈或準分子雷射、LPP(雷射產生電漿)EUV源)產生輻射光束。舉例而言，此光束係直接地或在已橫穿諸如光束擴展器或光束遞送系統BD(包含導向鏡、光束擴展器等)之調節構件之後饋入至照明系統(照明器)IL中。照明器IL可包含調整構件AD，以用於設定光束中之強度分佈之外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL通常將包含各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。以此方式，入射於圖案化器件MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

在一些實施例中，源SO可在微影投影裝置之外殼內(此常常為在源SO為例如水銀燈時之情況)，但其亦可遠離微影投影裝置。舉例 而言，其產生之輻射光束可(例如憑藉合適之導向鏡面)經導引至該裝置中。此後一情形可為例如在源SO為準分子雷射(例如基於KrF、ArF或F2雷射作用)時之情況。

光束B可隨後截取固持於圖案化器件台MT上之圖案化器件MA。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束B可穿過透鏡PL，該透鏡將光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。類似地，第一定位構件可用於例如在自圖案化器件庫機械擷取圖案化器件MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，在步進器(相對於步進掃描工具)之情況下，圖案化器件台MT可連接至短衝程致動器，或可為固定的。

可在兩種不同模式-步進模式及掃描模式中使用所描繪工具。在步進模式中，將圖案化器件台MT保持基本上靜止，且將整個圖案化器件影像在一個操作中投影(亦即，單次「閃光」)至目標部分C上。可使基板台WT在x及/或y方向上移位，使得不同目標部分C可藉由光束B輻照。在掃描模式中，基本上相同的情形適用，惟不在單次「閃光」中曝光給定目標部分C除外。替代地，圖案化器件台MT可以速度v在給定方向(例如「掃描方向」，或「y」方向)上移動，使得使投影光束B遍及圖案化器件(例如，光罩)影像進行掃描。同時，基板台WT以速度V=Mv在相同方向或相對方向上同時移動，其中M為透鏡之放大率(通常M=1/4或1/5)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對大目標部分C。

圖14為可用於及/或結合本文中所描述之操作中之一或多者的另一實例微影投影裝置(LPA)之示意圖。LPA可包括源收集器模組SO、經組態以調節輻射光束B(例如EUV輻射)的照明系統(照明器)IL、支撐結構MT、基板台WT及投影系統PS。支撐結構(例如，圖案化器件台)MT可經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)MA且連接至經組態以精確地定位圖案化器件之第一定位器PM。基板台(例如晶圓台)WT可經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W並連接至經組態以準確地定位基板的第二定位器PW。投影系統(例如，反射性投影系統)PS可經組態以將藉由圖案化器件MA賦予給輻射光束B之圖案投影於基板W的目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。

如在此實例中所展示，LPA可屬於反射類型(例如，採用反射圖案化器件)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化器件可具有包含(例如)鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有鉬與矽之40個層對，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生甚至更小的波長。因為大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，所以圖案化器件構形上之經圖案化吸收材料薄片段(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將印刷(正型抗蝕劑)或不印刷(負型抗蝕劑)之處。

照明器IL可自源收集器模組SO接收極紫外輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但未必限於用在EUV範圍內之一或多種發射譜線將具有至少一元素(例如，氙、鋰或錫)之材料轉換成電漿狀態。在一種此類方法(常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」))中，可藉由用雷射束來輻照燃料(諸如，具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。 源收集器模組SO可為包括雷射器(圖14中未展示)之EUV輻射系統之部分，該雷射器用於提供激發燃料之雷射束。所得電漿發射輸出輻射(例如EUV輻射)，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射束時，雷射與源收集器模組可為分離實體。在此實例中，可不認為雷射形成微影裝置之部分，且輻射光束可憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他實例中，舉例而言，當源為放電產生電漿EUV產生器(通常稱為DPP源)時，源可為源收集器模組之整體部分。

照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如，琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。

輻射光束B可入射於固持於支撐結構(例如，圖案化器件台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由該圖案化器件來圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT(例如，以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如，光罩) MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA與基板W。

所描繪裝置LPA可用於以下模式中之至少一者：步進模式、掃描模式及靜止模式。在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構(例如，圖案化器件台)MT及基板台WT保持基本上靜止(例如，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，以使得可曝光不同目標部分C。在掃描模式下，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構(例如，圖案化器件台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，圖案化器件台)MT之速度及方向。在靜止模式下，在將賦予至輻射光束之圖案投射至目標部分C上時，使固持可程式化圖案化器件之支撐結構(例如圖案化器件台)MT保持基本上靜止，且移動或掃描基板台WT。在此模式下，通常採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。

圖15為圖14中所展示之微影投影裝置之更詳細視圖。如圖15中所展示，LPA可包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經組態以使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿輻射源來形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸汽(例如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)產生EUV輻射，其中產生熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由例如產 生至少部分地離子化之電漿之放電來產生熱電漿210。為了輻射之有效率產生，可需要為(例如)10Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一些實施例中，提供受激發錫(Sn)之電漿以產生EUV輻射。

由熱電漿210發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中或後方的視情況選用的氣體障壁或污染物截留器230(在一些情況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。污染物截留器或污染物障壁230(下文所描述)亦包括通道結構。收集器腔室212可包括可為掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射，以沿著由線「O」指示之光軸而聚焦在虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經配置以使得中間焦點IF位於封閉結構220中之開口221處或靠近開口221。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。

隨後，輻射橫穿照明系統IL，照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24經配置以提供在圖案化器件MA處之輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處之輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射輻射光束21後，隨即形成經圖案化光束26，且經圖案化光束26藉由投影系統PS經由反射元件28、30成像至由基板台WT固持之基板W上。比所展示元件多的元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於例如微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光片240。此外，可存在比諸圖中所展示之鏡面更多的鏡面， 例如，與圖15中所展示相比，在投影系統PS中可存在1至6個額外反射元件。

如圖15中所說明之收集器光學件CO被描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢狀收集器，僅僅作為收集器(或收集器鏡面)之一實例。掠入射反射器253、254及255經安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學件CO可結合常常被稱為DPP源之放電產生電漿源而使用。

圖16為微影投影裝置LPA(先前圖式中所展示)之源收集器模組SO之詳細視圖。源收集器模組SO可為LPP輻射系統之部分。雷射LA可經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再組合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。

可藉由使用以下條項進一步描述本發明之實施例。

1.一種在其上具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時使得該電腦執行包含以下各者之一方法：接收一基板上之一圖案的圖案資訊，該基板上之該圖案具有第一部分及第二部分；基於該圖案資訊阻擋該第一部分，使得該第二部分保持經解除阻擋；及判定用於該經解除阻擋第二部分之一或多個度量。

2.如條項1之媒體，其中該一或多個度量包含一臨界尺寸及/或邊緣置放誤差。

3.如條項1或2中任一項之媒體，其中判定用於該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量包含：對準並平均化該基板上之該圖案的影像；對一經平均影像執行輪廓提取；及對準一經提取輪廓與該基板上之該圖案的該圖案資訊，該對準經執行用於該圖案之兩個部分，該兩個部分包括該經阻擋第一部分及經解除阻擋第二部分。

4.如條項3之媒體，其中判定用於該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量進一步包含：在該圖案之該經解除阻擋第二部分的該輪廓中產生一或多個量規；及量測該一或多個量規，該一或多個量規指定用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量。

5.如條項3或4之媒體，其進一步包含獲得表示該等影像之資料，其中該圖案之該第一部分及該第二部分經合併，其中該等影像為包含該基板上的該圖案之該經合併第一部分及第二部分的掃描電子顯微鏡(SEM)影像，且其中判定用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量包含分解該等SEM影像中之該圖案的該第一部分及該第二部分。

6.如條項1至5中任一項之媒體，其中阻擋包含基於該圖案資訊產生用於該第一部分之一幾何阻擋光罩。

7.如條項6之媒體，其中該圖案資訊指定該圖案之該第一部分的幾何形狀，且其中產生該光罩包含相對於該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變大或變小。

8.如條項6之媒體，其中該圖案資訊指定該圖案之該第一部分的幾何形狀，且其中產生該光罩包含藉由相對於在該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變大而產生一第一光罩區域，藉由相對於在該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變小而產生一第二光罩區域，及自該第一光罩區域減去該第二光罩區域以產生該光罩。

9.如條項6至8中任一項之媒體，其中該光罩之至少一部分進一步藉由該圖案之一切割層形成。

10.如條項1至9中任一項之媒體，其中該基板上的該圖案之該第一部分及該第二部分經合併且對應於一半導體微影程序中之不同曝光。

11.如條項10之媒體，其中該半導體微影程序為一多重圖案化技術程序。

12.如條項11之媒體，其中該多重圖案化技術程序為一雙重圖案化程序、一三重圖案化程序，或一間隔雙重圖案化程序。

13.如條項1至12中任一項之媒體，其中該等指令經進一步組態以使該電腦基於用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量而調整一半導體製造程序。

14.如條項13之媒體，其中該調整包含改變該圖案之該第二部分中之一特徵的一尺寸、一形狀及/或一位置；及/或改變與該圖案之該第二部分相關聯的一光罩、一劑量、一焦點及/或一曝光。

15.如條項1至14中任一項之媒體，其中該等指令經進一步組態以使該電腦：基於該圖案資訊解除阻擋該第一部分； 基於該圖案資訊阻擋該第二部分，使得該第一部分保持經解除阻擋；及判定用於該經解除阻擋第一部分之一或多個度量。

16.一種用於判定一基板上之一圖案的一部分之一或多個度量的方法，該方法包含：接收該基板上之該圖案的圖案資訊，該基板上之該圖案具有第一部分及第二部分；基於該圖案資訊阻擋該圖案之該第一部分，使得該圖案之該第二部分保持經解除阻擋；及判定用於該圖案之該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量。

17.如條項16之方法，其中該一或多個度量包含一臨界尺寸及/或邊緣置放誤差。

18.如條項16或17中任一項之方法，其中判定用於該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量包含：對準並平均化該基板上之該圖案的影像；對一經平均影像執行輪廓提取；及對準一經提取輪廓與該基板上之該圖案的該圖案資訊，該對準經執行用於該圖案之兩個部分，該兩個部分包括該經阻擋第一部分及經解除阻擋第二部分。

19.如條項18之方法，其中判定用於該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量進一步包含：在該圖案之該經解除阻擋第二部分的該輪廓中產生一或多個量規；及量測該一或多個量規，該一或多個量規指定用於該經解除阻擋第二 部分之該一或多個度量。

20.如條項18或19中任一項之方法，其中該圖案之該第一部分及該第二部分經合併，其中該等影像為包含該基板上之該圖案之該經合併第一部分及第二部分的掃描電子顯微鏡(SEM)影像，且其中判定用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量包含分解該等SEM影像中之該圖案的該第一部分及該第二部分。

21.如條項16至20中任一項之方法，其中阻擋包含基於該圖案資訊產生用於該第一部分之一幾何阻擋光罩。

22.如條項21之方法，其中該圖案資訊指定該圖案之該第一部分的幾何形狀，且其中產生該光罩包含相對於該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變大或變小。

23.如條項21之方法，其中該圖案資訊指定該圖案之該第一部分的幾何形狀，且其中產生該光罩包含藉由相對於在該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變大而產生一第一光罩區域，藉由相對於在該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變小而產生一第二光罩區域，及自該第一光罩區域減去該第二光罩區域以產生該光罩。

24.如條項21至23中任一項之方法，其中該光罩之至少一部分進一步藉由該圖案之一切割層形成。

25.如條項16至24中任一項之方法，其中該圖案之該第一部分及該第二部分經合併，且其中該基板上之該圖案的該經合併第一部分及第二部分對應於一半導體微影程序中之不同曝光。

26.如條項25之方法，其中該半導體微影程序為一多重圖案化技術 程序。

27.如條項26之方法，其中該多重圖案化技術程序為一雙重圖案化程序、一三重圖案化程序，或一間隔雙重圖案化程序。

28.如條項16至27中任一項之方法，其進一步包含基於用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量而調整一半導體製造程序。

29.如條項28之方法，其中該調整包含改變該圖案之該第二部分中之一特徵的一尺寸、一形狀及/或一位置；及/或改變與該圖案之該第二部分相關聯的一光罩、一劑量、一焦點及/或一曝光。

30.如條項16至29中任一項之方法，其進一步包含：基於該圖案資訊解除阻擋該第一部分；基於該圖案資訊阻擋該第一部分，使得該第二部分保持經解除阻擋；及判定用於該經解除阻擋第一部分之一或多個度量。

31.如條項1至15之媒體，其中該阻擋包含基於D2DB對準產生一幾何阻擋光罩。

32.如條項21至30之方法，其中該阻擋包含基於D2DB對準產生一幾何阻擋光罩。

本文中所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193nm波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157nm波長之極紫外線(EUV)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20nm至5nm之範圍內的波 長，以便產生在此範圍內之光子。

雖然本文所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上之成像，但應理解，所揭示概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如，用於在除了矽晶圓以外的基板上之成像之微影成像系統。此外，所揭示元件之組合及子組合可包含單獨實施例。舉例而言，阻擋圖案之單一部分可形成其自身實施例，或其可與亦包括阻擋圖案之其他部分的一或多個其他實施例一起包括，如本文所描述。

以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述進行修改。

400:阻擋

401:種子量規

402:阻擋

403:種子量規

404:部分

405:偏置

406:部分

407:偏置

408:光罩

410:光罩

Claims (15)

1. 一種在其上具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時使得該電腦：接收一基板上之一圖案的圖案資訊，該基板上之該圖案具有第一部分及第二部分；基於該圖案資訊阻擋該第一部分，使得該第二部分保持經解除阻擋(unblocked)；及判定用於該經解除阻擋第二部分之一或多個度量。
2. 如請求項1之媒體，其中該一或多個度量包含一臨界尺寸及/或邊緣置放誤差。
3. 如請求項1之媒體，其中判定用於該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量包含：對準並平均化該基板上之該圖案的影像；對一經平均影像執行輪廓提取；及對準一經提取輪廓與該基板上之該圖案的該圖案資訊，該對準經執行用於該圖案之兩個部分，該兩個部分包括該經阻擋第一部分及經解除阻擋第二部分。
4. 如請求項3之媒體，其中判定用於該經解除阻擋第二部分的該一或多個度量進一步包含： 在該圖案之該經解除阻擋第二部分的該輪廓中產生一或多個量規；及量測該一或多個量規，該一或多個量規指定用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量。
5. 如請求項3之媒體，其中該圖案之該第一部分及該第二部分經合併，其中該等影像為包含該基板上之該圖案之該經合併第一部分及第二部分的掃描電子顯微鏡(SEM)影像，且其中判定用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量包含分解該等SEM影像中之該圖案的該第一部分及該第二部分。
6. 如請求項1之媒體，其中阻擋包含基於該圖案資訊產生用於該第一部分之一幾何阻擋光罩(geometrical block mask)。
7. 如請求項6之媒體，其中該圖案資訊指定該圖案之該第一部分的幾何形狀，且其中產生該光罩包含相對於該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變大或變小。
8. 如請求項6之媒體，其中該圖案資訊指定該圖案之該第一部分的幾何形狀，且其中產生該光罩包含藉由相對於在該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變大而產生一第一光罩區域，藉由相對於在該圖案資訊中指定的該第一部分之該幾何形狀使該第一部分之該幾何形狀經偏置變小而產生一第二光罩區域，及自該第一光罩 區域減去該第二光罩區域以產生該光罩。
9. 如請求項6之媒體，其中該光罩之至少一部分進一步藉由該圖案之一切割層形成。
10. 如請求項1之媒體，其中該基板上的該圖案之該第一部分及該第二部分經合併且對應於一半導體微影程序中之不同曝光。
11. 如請求項10之媒體，其中該半導體微影程序為一多重圖案化技術程序。
12. 如請求項6之媒體，其中該阻擋包含進一步基於D2DB對準產生用於該第一部分之一幾何阻擋光罩。
13. 如請求項1之媒體，其中該等指令經進一步組態以使該電腦基於用於該經解除阻擋第二部分之該一或多個度量而調整一半導體製造程序。
14. 如請求項13之媒體，其中該調整包含改變該圖案之該第二部分中之一特徵的一尺寸、一形狀及/或一位置；及/或改變與該圖案之該第二部分相關聯的一光罩、一劑量、一焦點及/或一曝光。
15. 如請求項1之媒體，其中該等指令經進一步組態以使該電腦：基於該圖案資訊解除阻擋該第一部分； 基於該圖案資訊阻擋該第二部分，使得該第一部分保持經解除阻擋；及判定用於該經解除阻擋第一部分之一或多個度量。

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