TWI786640B - 用於驗證光罩設計之特徵之電腦可讀媒體 - Google Patents

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艾曼 哈木達
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荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司
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Abstract

本發明描述了一種用於驗證一光罩設計之一特徵的方法。該方法包含判定該特徵之局部形狀；以及基於該等局部形狀判定是否存在該特徵對驗證準則之一違反。該驗證準則指定一圖案特性之一臨限值與一局部形狀之間的對應關係。舉例而言，該光罩設計之該特徵可為一自由曲線光罩特徵。該等局部形狀可包含該特徵之區段上的個別位置之局部曲率。在一些實施例中，該圖案特性之該臨限值係一間距臨限值，且該驗證準則將該間距臨限值指定為該等局部曲率之一函數。該方法可有助於增強型光罩規則檢查(MRC)，包括針對自由曲線光罩之MRC準則之較佳定義及驗證，及/或具有其他優勢。

Description

用於驗證光罩設計之特徵之電腦可讀媒體
本說明書係關於驗證光罩設計之自由曲線特徵。
微影投影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。圖案化器件(例如，光罩)可含有或提供對應於IC之個別層的圖案(「設計佈局」)，且此圖案可藉由諸如通過圖案化器件上之圖案照射目標部分的方法經轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一或多個晶粒)上，該目標部分已塗佈有一層輻射敏感材料(「抗蝕劑」)。一般而言，單一基板包括複數個鄰近目標部分，圖案藉由微影投影裝置連續地轉印至該等鄰近目標部分，一次一個目標部分。在一種微影投影裝置中，在一個操作中將整個圖案化器件上之圖案轉印至一個目標部分上。此類裝置通常被稱作步進器。在通常被稱作步進掃描裝置之替代裝置中，投影光束在給定參考方向(「掃描」方向)上遍及圖案化器件掃描，同時平行或反平行於此參考方向同步移動基板。圖案化器件上之圖案的不同部分逐步經轉印至一個目標部分。一般而言，由於微影投影裝置將具有縮減比M(例如4)且x及y方向特徵中之縮減比可不同，故基板移動之速度F將為投影光束掃描圖案化器件之速度的1/M倍。可例如自以引用方式併入本文中之US 6,046,792 搜集到關於如本文中所描述之微影器件的更多資訊。
在將圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經受其他工序(「曝光後工序」)，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤及經轉印圖案之量測/檢測。此一系列工序係用作製造例如IC之器件之個別層的基礎。基板接著可經歷各種程序，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若器件中需要若干層，則針對每一層重複完整工序或其變體。最終，器件將存在於基板上之每一目標部分中。接著藉由諸如切割或鋸割之技術使此等器件彼此分離，由此可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘等等。
因此，製造器件，諸如半導體器件通常涉及使用數個製造程序來處理基板(例如，半導體晶圓)以形成器件之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此類層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製作多個器件，且接著將該等器件分成個別器件。此器件製造程序可被視為圖案化程序。圖案化程序涉及圖案化步驟，諸如使用微影裝置中之圖案化器件將圖案化器件上的圖案轉印至基板之光學及/或奈米壓印微影術，但該圖案化程序視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置利用圖案進行蝕刻等等。
如所提及，微影(lithography)係在如IC之器件之製造中的中心步驟，其中形成於基板上之圖案界定器件之功能元件，該等功能元件諸如微處理器、記憶體晶片等等。類似微影技術亦用於形成平板顯示器、微機電系統(MEMS)及其他器件。
隨著半導體製造程序繼續發展，幾十年來，功能元件之尺寸已不斷地減小，而每個器件的諸如電晶體之功能元件之數目已在穩固地增加，此遵循通常被稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。在當前技術狀態下，使用微影投影裝置來製造器件之層，該等微影投影裝置使用來自深紫外線照明源之光照而將設計佈局投影至基板上，從而產生尺寸遠低於100nm，亦即小於來自照明源(例如，193nm照明源)之輻射的波長的一半的個別功能元件。
供列印尺寸小於微影投影裝置之經典解析度極限之特徵的此程序根據解析度公式CD(臨界尺寸)=k1×λ/NA通常被稱作低k1微影，其中λ係所使用輻射之波長(如今大多數情況下為248nm或193nm)，NA係微影投影裝置中之投影光學件之數值孔徑，CD係「臨界尺寸」，其通常為所列印之最小特徵大小，且k1係經驗解析度因數。一般而言，k1愈小，則在基板上再現類似於由設計者規劃之形狀及尺寸以便達成特定電功能及效能的圖案變得愈困難。為克服此等困難，將複雜微調步驟應用於微影投影裝置、設計佈局或圖案化器件。此等步驟包括例如但不限於NA及光學相干設定之最佳化、定製照明方案、相移圖案化器件之使用、設計佈局中之光學近接校正(OPC，有時亦被稱作「光學及程序校正」)，或通常被定義為「解析度提昇技術」(RET)之其他方法。
根據實施例，提供一種用於驗證光罩設計之特徵的方法。該方法包含判定特徵之局部形狀；以及基於局部形狀判定是否存在特徵對驗證準則之違反。該驗證準則指定圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係。
在實施例中，局部形狀包含特徵之區段上的個別位置之局部曲率。
在實施例中，判定局部曲率包含對個別區段執行曲線擬合，及/或判定個別區段之局部角度偏差。
在實施例中，圖案特性之臨限值係間距臨限值，且驗證準則將間距臨限值指定為局部曲率之函數。
在實施例中，方法進一步包含將類似局部曲率分組，及判定不同組之不同驗證準則。
在實施例中，方法進一步包含識別特徵上之兩個位置或不同特徵上之兩個位置，及基於位置之局部曲率判定兩個位置之間的圖案特性之臨限值。
在實施例中，兩個位置之間的圖案特性之臨限值係間距臨限值，且判定兩個位置之間的間距臨限值包含：基於第一位置之局部曲率判定第一臨限值；基於第二位置之局部曲率判定第二臨限值；及/或判定第一臨限值與第二臨限值之加權組合。
在實施例中，圖案特性包含最小線寬、臨界尺寸或彎曲形狀之間的最小間距。
在實施例中，光罩設計之特徵係自由曲線光罩特徵。
在實施例中，方法進一步包含回應於特徵對驗證準則之違反而基於該違反調整特徵。
在實施例中，違反係藉由以下操作來偵測：(1)判定特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置；以及(2)將該等特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩 設計中之特徵之位置及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置與驗證準則之對應臨限值進行比較。
在實施例中，調整包含改變特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置。
在實施例中，調整包含識別特徵之兩個或兩個以上相關個別區段，判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，以及判定對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的調整程度。
在實施例中，基於對該兩個或兩個以上相關個別區段中之一個別者的調整減去或除去對應違反之程度，判定調整兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，及對給定區段的調整程度。
在實施例中，調整包含一或多個懲罰調整。一或多個懲罰調整可包含對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的相等調整、對兩個或兩個以上相關個別區段中之僅一者的調整，或對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的不等調整。
根據另一實施例，提供一種其上具有指令之非暫時性電腦可讀媒體。該等指令在由電腦執行時使電腦：判定光罩設計之特徵之局部形狀；及基於局部形狀判定是否存在特徵對驗證準則之違反。該驗證準則指定圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係。
在實施例中，局部形狀包含特徵之區段上的個別位置之局部曲率。
在實施例中，判定局部曲率包含對個別區段執行曲線擬合，及/或判定個別區段之局部角度偏差。
在實施例中，圖案特性之臨限值係間距臨限值，且其中驗證準則將間距臨限值指定為局部曲率之函數。該函數可經定義為連續函數、離散函數或分段定義函數。
在實施例中，指令進一步經組態以使電腦將類似局部曲率分組，且判定不同組之不同驗證準則。
在實施例中，指令進一步經組態以使電腦識別特徵上之兩個位置或不同特徵上之兩個位置，且基於位置之局部曲率判定兩個位置之間的圖案特性之臨限值。
在實施例中，兩個位置之間的圖案特性之臨限值係間距臨限值，且判定兩個位置之間的間距臨限值包含：基於第一位置之局部曲率判定第一臨限值；基於第二位置之局部曲率判定第二臨限值；及/或判定第一臨限值與第二臨限值之加權組合。
在實施例中，圖案特性包含最小線寬、臨界尺寸或彎曲形狀之間的最小間距。
在實施例中，光罩設計之特徵係自由曲線光罩特徵。
在實施例中，指令進一步經組態以回應於特徵對驗證準則之違反而使電腦基於該違反調整特徵。
在實施例中，違反係藉由以下操作來偵測：(1)判定特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置；以及(2)將該等特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置與驗證準則之對應臨限值進行比較。
在實施例中，調整包含改變特徵之尺寸、特徵之形狀、光 罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置。
在實施例中，調整包含識別特徵之兩個或兩個以上相關個別區段，判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，以及判定對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的調整程度。
在實施例中，基於對該兩個或兩個以上相關個別區段中之一個別者的調整減去或除去對應違反的程度，判定調整兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，及對給定區段的調整程度。
在實施例中，調整包含一或多個懲罰調整。一或多個懲罰調整包含對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的相等調整、對兩個或兩個以上相關個別區段中之僅一者的調整，或對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的不等調整。
根據另一實施例，提供一種用於調整光罩設計之特徵的方法。該方法包含：判定特徵之局部形狀；基於局部形狀判定是否存在特徵對驗證準則之違反，其中該驗證準則指定圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係；以及基於偵測到之違反調整特徵。
在實施例中，調整包含改變特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置。
在實施例中，局部形狀包含特徵之區段上的個別位置之局部曲率。
在實施例中，判定局部曲率包含對區段執行曲線擬合，及/或判定區段之局部角度偏差。
在實施例中，圖案特性之臨限值係間距臨限值，且驗證準則將間距臨限值指定為局部曲率之函數。
1D,2D,404,406,504,506,900,902:區段
10A,LPA:微影投影裝置
12A:輻射源
14A,16Aa,16Ab:光學組件
16Ac:透射光學件/光學組件
18A:圖案化器件/光罩
20A:光瞳
21,B:輻射光束
22:琢面化場鏡面器件
22A:基板平面
24:琢面化光瞳鏡面器件
26:經圖案化光束
28,30:反射元件
200,300:方法
201:初始影像
202:增強影像
203:光罩變數/位準光罩變數
205:曲線光罩圖案
207:光罩影像
209:程序影像
210:EUV輻射發射電漿/熱電漿/輻射發射電漿/高度離子化電漿
211:源腔室
212:收集器腔室
215:梯度圖
220:圍封結構
221:開口
230:污染物截留器/污染物障壁
240:光柵光譜濾光器
251:上游輻射收集器側
252:下游輻射收集器側
253,254,255:掠入射反射器
302,304,500:判定/操作
306:調整/調整操作
400,R1,R2,R3,R4,704,C1,C2:局部曲率
402,502,600,602,604,606,608,706,708,804,806,904:光罩特徵/特徵
408:擬合曲線
610:正局部曲率
612:負局部曲率
702:驗證準則圖案特性臨限值/臨限值/驗證準則臨限值
710:光罩特徵/特徵/最大臨限值
800,802:位置
810:曲率
812,830:間距臨限值/臨限值
820:第一臨限值
822:第二臨限值
832:更高權重
834:權重
AD:調整構件
BD:光束遞送系統
BS:匯流排
C:目標部分
CC:游標控制件
CI:通信介面
CO:輻射收集器/收集器/收集器光學件/聚光器/近正入射收集器光學件
CS:電腦系統
DS:顯示器
HC:主電腦
ID:輸入器件
IF:干涉量測構件/虛擬源點/中間焦點
IL:照明系統/照明器/照明光學件單元
IN:積光器
INT:網際網路
L:長度/局部區段長度
LA:雷射器
LAN:區域網路
M1,M2:圖案化器件對準標記
MA:圖案化器件
MM:主記憶體
MT:第一物件台/物件台/支撐結構
NDL:網路鏈路/網路資料鏈路
O:線/光軸
P1,P2:基板對準標記
P201,P205,P207,P209,P211,P213,P215,P217:程序
P203:程序/影像增強程序
PM:第一定位器
PRO:處理器
PS:投影系統
PS1,PS2:位置感測器
PW:第二定位器
ROM:唯讀記憶體
SD:儲存器件
SO:輻射源/源/源收集器模組
W:基板
WT:第二物件台/物件台/基板台
X,Y,Z:方向
△θ:局部角度偏差
圖1展示微影系統之各種子系統的方塊圖。
圖2係根據實施例之用於判定待列印於基板上之圖案化器件圖案或目標圖案之方法的流程圖。
圖3示出根據實施例之用於驗證光罩設計之曲線特徵的本發明方法之實例。
圖4示出根據實施例之使用曲線擬合來判定個別光罩特徵區段之局部曲率。
圖5示出根據實施例之基於個別區段之局部角度偏差而判定個別光罩特徵區段之局部曲率。
圖6展示根據實施例之光罩設計之各種特徵之正曲率及負曲率的實例。
圖7展示根據實施例之使驗證準則臨限值基於曲率而變化的實例。
圖8示出根據實施例之識別不同特徵上之兩個位置，且基於位置之局部曲率判定兩個位置之間的圖案特性之臨限值。
圖9示出根據實施例之識別特徵904之兩個或兩個以上相關個別區段900，判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，以及判定對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的調整程度。
圖10係根據實施例之實例電腦系統的方塊圖。
圖11係根據實施例之微影投影裝置的示意圖。
圖12係根據實施例之另一微影投影裝置的示意圖。
圖13係根據實施例之微影投影裝置的詳細視圖。
圖14係根據實施例之微影投影裝置之源收集器模組的詳細視圖。
諸如微影光罩之圖案化器件可包含或可形成一或多個設計佈局。可利用電腦輔助設計(CAD)程式及/或其他工具來產生設計佈局。此程序常常被稱作EDA(電子設計自動化)。大多數CAD程式遵循預定規則集合，以便產生功能設計佈局及/或諸如光罩之圖案化器件。基於處理及設計限制而設定此等規則。舉例而言，設計規則界定器件(諸如閘、電容器等等)、互連線及/或其他特徵之間的空間容許度，以確保器件、線及/或其他特徵不會以非所要方式彼此相互作用。規則試圖確保(經由圖案化器件)在基板上如實地再現原始設計意圖。類似規則控管圖案化器件(例如，光罩)設計。
可針對光罩特定地執行光罩規則檢查(MRC)。可執行MRC以驗證光罩設計之特徵不會以非所要方式彼此相互作用，光罩經適當地組態以確保在基板上再現設計意圖，及/或出於其他原因。MRC技術很好地適用於典型曼哈頓(Manhattan)光罩。典型光罩具有具線性(例如，非彎曲)邊緣之特徵，該等特徵常常彼此成直角地定位。然而，對於自由曲線光罩，MRC規則定義及特徵驗證具有挑戰性。迄今為止，尚未存在具有用於處置曲線自由光罩之嚴密且高效方法的可靠MRC技術。舉例而言，基於影像之MRC技術難以確保無MRC之光罩，且在界定各種MRC規則時， 該基於影像之MRC技術所具有之靈活性亦比光罩房屋所要之靈活性少得多。無MRC之光罩係不具有MRC違反之光罩。
有利地，本發明描述用於在任意幾何形狀之MRC期間驗證包括曲線自由特徵及曼哈頓特徵之光罩特徵的有效且靈活的技術。在使用本發明技術之情況下，判定不同光罩特徵輪廓區段之單獨局部形狀，諸如曲率。此促進界定指定各種圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係之驗證準則。因此，可使用方程式、經由分組(例如，將類似局部曲率分組，及判定不同組之不同驗證準則)及/或其他運算來界定自由曲線光罩之MRC驗證準則。此方法給出關於如何以常見及/或可理解方式將自由曲線光罩之MRC驗證準則(例如，自廠房)提供至光罩房屋之巨大靈活性。舉例而言，可在物理上理解局部曲率，且此提議方法在其極限下收斂至曼哈頓光罩1D-2D MRC定義。此技術亦促進解決每一局部特徵邊緣形狀之MRC驗證準則違反(volation/breach)，且使對應特徵形狀調整作為懲罰成本(例如，自由形式)傳遞至最佳化器。
儘管在本文中可特定地參考IC製造，但應明確地理解，本文之描述具有許多其他可能應用。舉例而言，該描述可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之上下文中，本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應視為可分別與更一般術語「光罩」、「基板」及「目標部分」互換。
如本文中所採用之術語「光罩」、「倍縮光罩」或「圖案化器件」可廣泛地解釋為係指可用以向入射輻射光束賦予圖案化橫截面之通用圖案化器件，該圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖 案。在此上下文中，亦可使用術語「光閥」。除典型光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例亦包括可程式化鏡面陣列。此類器件之實例係具有黏彈性控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置所隱含之基本原理係(例如)反射表面之經定址區域使入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域使入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當濾光器之情況下，可自經反射光束濾出該非繞射輻射，從而僅留下繞射輻射；以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。可使用合適電子構件來執行所需矩陣定址。其他此類圖案化器件之實例亦包括可程式化LCD陣列。在以引用方式併入本文中之第5,229,872號美國專利中給出實例。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及極紫外線輻射(EUV，例如，具有在約5nm至100nm之範圍內之波長)。
如本文所用之術語「投影光學件」應被廣泛地解譯為涵蓋各種類型之光學系統，包括例如折射光學件、反射光學件、光圈及反射折射光學件。術語「投影光學件」亦可包括根據此等設計類型中任一者操作以用於共同地或單一地引導、塑形或控制投影輻射光束之組件。術語「投影光學件」可包括微影投影裝置中之任何光學組件，無論光學組件定位於微影投影裝置之光學路徑上何處。投影光學件可包括用於在來自源之輻射通過圖案化器件之前對該輻射進行塑形、調整及/或投影的光學組件，及/或用於在該輻射通過圖案化器件之後對該輻射進行塑形、調整及/或投影的光學組件。投影光學件一般不包括源及圖案化器件。
作為簡要介紹，圖1示出例示性微影投影裝置10A。主要組件為：輻射源12A，其可為深紫外線(DUV)準分子雷射源或包括極紫外線(EUV)源之其他類型的源(如上文所述，微影投影裝置本身無需具有輻射源)；照明光學件，其例如界定部分相干性(表示為均方偏差)且其可包括對來自輻射源12A之輻射進行塑形的光學組件14A、光學組件16Aa及光學組件16Ab；圖案化器件(或光罩)18A；以及透射光學件16Ac，其將圖案化器件圖案之影像投影至基板平面22A上。
光瞳20A可包括於透射光學件16Ac中。在一些實施例中，在光罩18A前及/或後可存在一或多個光瞳。如本文中進一步詳細地描述，光瞳20A可提供最終到達基板平面22A之光之圖案化。在投影光學件之光瞳平面處的可調整濾光器或孔徑可約束照射於基板平面22A上之光束角度之範圍，其中最大可能角度界定投影光學件之數值孔徑NA=n sin(Θmax)，其中n係基板與投影光學件之最末元件之間的介質之折射率，且Θmax係自投影光學件射出的仍可照射於基板平面22A上之光束的最大角度。
在微影投影裝置中，源將光照(亦即，輻射)提供至圖案化器件，且投影光學件經由圖案化器件(例如，光罩)將該光照引導至基板上且對其進行塑形。投影光學件可包括光學組件14A、16Aa、16Ab及16Ac中之至少一些。空中影像(AI)係基板位準處之輻射強度分佈。抗蝕劑模型可用以根據空中影像計算抗蝕劑影像，其實例可在其全部揭示內容特此以引用方式併入之第US 2009-0157630號美國專利申請公開案中找到。抗蝕劑模型僅與抗蝕劑層之屬性(例如，在曝光、曝光後烘烤(PEB)及顯影期間發生的化學程序之效應)相關。微影投影裝置之光學屬性(例如，照明、圖 案化器件及投影光學件之屬性)指示空中影像且可界定於光學模型中。由於可改變用於微影投影裝置中之圖案化器件(例如，光罩)，故需要使圖案化器件之光學屬性與至少包括源及投影光學件的微影投影裝置之其餘部分的光學屬性分離。用於將設計佈局變換成各種微影影像(例如，空中影像、抗蝕劑影像等)之技術及模型、使用彼等技術及模型應用光學近接校正(OPC)且評估效能(例如，就程序窗而言)的細節描述於第US 2008-0301620、2007-0050749、2007-0031745、2008-0309897、2010-0162197及2010-0180251號美國專利申請公開案中，每一美國專利申請公開案之揭示內容特此以其全文引用之方式併入。
理解微影程序之一個態樣係理解輻射與圖案化器件(例如，光罩)之相互作用。可自在輻射到達圖案化器件之前的輻射之電磁場及表徵相互作用之函數判定在輻射通過圖案化器件之後的輻射之電磁場。此函數可被稱作光罩透射函數(其可用以描述透射圖案化器件及/或反射圖案化器件之相互作用)。
光罩透射函數可具有各種不同形式。一種形式係二元的。二元光罩透射函數在圖案化器件上的任何給定位置處具有兩個值(例如，零及正常數)中之任一者。呈二元形式之光罩透射函數可被稱作二元光罩。另一形式係連續的。亦即，圖案化器件之透射率(或反射率)的模數係圖案化器件上之位置的連續函數。透射率(或反射率)之相位亦可為圖案化器件上之位置的連續函數。呈連續形式之光罩透射函數可被稱作連續色調光罩或連續透射光罩(CTM)。舉例而言，可將CTM表示為像素化影像，其中可向每一像素指派介於0與1之間的值(例如，0.1、0.2、0.3等等)而非0或1之二元值。在實施例中，CTM可為經像素化灰階影像，其中每一像 素具有值(例如，在範圍[-255,255]內、在範圍[0,1]或[-1,1]或其他適當範圍內之歸一化值)。
薄光罩近似(亦稱為克希荷夫(Kirchhoff)邊界條件)廣泛地用以簡化對輻射與圖案化器件之相互作用之判定。薄光罩近似假定圖案化器件上之結構之厚度相比於波長極小，且光罩上之結構的寬度相比於波長極大。因此，薄光罩近似假定在圖案化器件之後的電磁場為入射電磁場與光罩透射函數之乘積。然而，當微影程序使用具有愈來愈短之波長的輻射，且圖案化器件上之結構變得愈來愈小時，可打破對薄光罩近似之假定。舉例而言，由於結構(例如，頂表面與側壁之間的邊緣)之有限厚度，輻射與該結構之相互作用(「光罩3D效應」或「M3D」)可變得顯著。在光罩透射函數中涵蓋此散射可使得光罩透射函數能夠更好地捕捉輻射與圖案化器件之相互作用。在薄光罩近似下之光罩透射函數可被稱作薄光罩透射函數。涵蓋M3D之光罩透射函數可被稱作M3D光罩透射函數。
圖2係用於根據影像(例如，連續透射光罩影像、二元光罩影像、曲線光罩影像等等)判定圖案化器件圖案(或下文中之光罩圖案)之方法200的流程圖，該影像對應於待經由涉及微影程序之圖案化程序列印於基板上的目標圖案。在實施例中，設計佈局或目標圖案可為二元設計佈局、連續色調設計佈局，或具有另一合適形式之設計佈局。
方法200係反覆程序，其中初始影像(例如，增強影像、自CTM影像初始化之光罩變數等等)經逐步修改以根據本發明之不同程序產生不同類型之影像，以最終產生包含進一步用以製作/製造光罩之光罩圖案或影像(例如，對應於最終曲線光罩之光罩變數)的資訊。初始影像之反覆修改可基於成本函數，其中在反覆期間，初始影像可經修改以使得成本 函數減小，在一實施例中，初始影像可經修改以使得成本函數最小化。在實施例中，方法200亦可被稱作二進位化CTM程序，其中初始影像係經最佳化CTM影像，該經最佳化CTM影像進一步根據本發明進行處理以產生曲線光罩圖案(例如，曲線光罩或曲線圖案之幾何形狀或多邊形表示形狀)。在實施例中，初始影像可為CTM影像之增強影像。曲線光罩圖案可呈向量、表、數學方程式之形式或表示幾何/多邊形形狀之其他形式。
在實施例中，程序P201可涉及獲得初始影像(例如，CTM影像或最佳化CTM影像，或二元光罩影像)。在實施例中，初始影像201可為由CTM產生程序基於待列印於基板上之目標圖案產生的CTM影像。CTM影像可接著藉由程序P201接收。在實施例中，程序P201可經組態以產生CTM影像。舉例而言，在CTM產生技術中，將逆微影問題公式化為最佳化問題。變數與光罩影像中之像素值相關，且諸如EPE或旁瓣列印之微影度量用作成本函數。在最佳化之反覆中，自變數建構光罩影像且接著應用程序模型(例如，迅子模型)以獲得光學影像或抗蝕劑影像且計算成本函數。成本計算接著給出梯度值，該等梯度值用於最佳化求解程序中以更新變數(例如，像素強度)。在最佳化期間之若干次反覆之後，產生進一步用作圖案提取之導引映圖(例如，如實施於迅子SMO軟體中)的最終光罩影像。此初始影像(例如，CTM影像)可包括對應於待經由圖案化程序列印於基板上的目標圖案之一或多個特徵(例如，目標圖案之特徵、SRAF、SRIF等等)。
在實施例中，CTM影像(或CTM影像之增強版)可用以初始化可用作初始影像201之光罩變數，該初始影像如下文所述經反覆修改。
程序P201可涉及基於初始影像201產生增強影像202。增強 影像202可為其中初始影像201內之某些選定像素經放大的影像。選定像素可為初始影像201內具有相對較低值(或弱信號)之像素。在實施例中，選定像素係具有信號值之像素，該等信號值低於例如遍及初始影像之像素的平均強度或給定臨限值。換言之，初始影像201內具有較弱信號之像素經放大，因此增強初始影像201內之一或多個特徵。舉例而言，目標特徵周圍之二階SRAF可具有可經放大的弱信號。因此，增強影像202可突出顯示或識別可包括於光罩影像(在方法中稍後產生)內之額外特徵(或結構)。在判定光罩影像之習知方法(例如，CTM方法)中，初始影像內之弱信號可被忽略，且因而光罩影像可不包括可由初始影像201中之弱信號形成的特徵。
增強影像202之產生涉及應用諸如濾光器(例如，邊緣偵測濾光器)之影像處理操作以放大初始影像201內之弱信號。替代地或另外，影像處理操作可為去模糊、平均化及/或特徵提取或其他類似操作。邊緣偵測濾光器之實例包括普瑞維特(Prewitt)運算子、拉普拉斯(Laplacian)運算子、高斯拉普拉斯(LoG)濾光器等。產生步驟可進一步涉及在修改或不修改初始影像201之原始強信號的情況下組合初始影像201之經放大信號與初始影像201之原始信號。舉例而言，在實施例中，對於橫越初始影像201之一或多個位置處(例如，接觸孔處)的一或多個像素值，原始信號可相對較強(例如，高於諸如150之某一臨限值或低於-50)，則該一或多個位置處(例如，接觸孔處)的原始信號可不經修改或不與彼位置之經放大信號組合。
在實施例中，初始影像201中之雜訊(例如，亮度或顏色或像素值之隨機變化)亦可經放大。因此，替代地或另外，可應用平滑化程 序以減少經組合影像中之雜訊(例如，亮度或顏色或像素值的隨機變化)。影像平滑化方法之實例包括高斯模糊、流動平均值、低通濾光器等。
在實施例中，可使用邊緣偵測濾光器來產生增強影像202。舉例而言，可將邊緣偵測濾光器應用至初始影像201以產生經濾光影像，該經濾光影像突出顯示初始影像201內之一或多個特徵的邊緣。所得經濾光影像可進一步與原始影像(亦即初始影像201)組合以產生增強影像202。在實施例中，初始影像201與在邊緣濾光之後獲得之影像的組合可涉及僅修改初始影像201之具有弱信號的彼等部分而不修改具有強信號之區域，且組合程序可基於信號強度而經加權。在實施例中，放大弱信號亦可放大經濾光影像內之雜訊。因此，根據實施例，可對經組合影像執行平滑化程序。影像之平滑化可指逼近函數，該逼近函數試圖捕捉影像中之重要圖案(例如，目標圖案、SRAF)，同時排除雜訊或其他精細標度結構/快速現象。在平滑化中，信號之資料點可經修改，使得個別點(大致由於雜訊)可減小，且可能低於鄰近點之點可增大，從而產生更平滑信號或更平滑影像。因此，在平滑化操作之後，根據本發明之實施例，可獲得雜訊減少之增強影像202之進一步平滑版本。
在程序P203中，方法可涉及基於增強影像202產生光罩變數203。在第一反覆中，增強影像202可用以初始化光罩變數203。在稍後反覆中，可反覆更新光罩變數203。
n個實數變數之實數值函數f的輪廓提取係以下形式之集合：L c (f)={(x 1 ,x 2 ,...x n )|f(x 1 ,x 2 ,...x n )=c}
在二維空間中，該集合界定表面上之函數f等於給定值c的點。在二維 空間中，函數f能夠提取將向光罩影像呈現之閉合輪廓。
在以上方程式中，x 1 ,x 2 ,...x n 指諸如個別像素之強度之光罩變數，該強度判定曲線光罩邊緣以給定恆定值c存在之位置(例如，在如以下程序P205中論述之臨限平面)。
在實施例中，在反覆，光罩變數203之產生可涉及基於例如初始化條件或梯度圖(其可在方法中隨後產生)修改增強影像202內之變數之一或多個值(例如，一或多個位置處之像素值)。舉例而言，可增大或減小一或多個像素值。換言之，可增大或減小增強影像202內之一或多個信號之振幅。信號之經修改振幅可能夠取決於信號之振幅的改變量而產生不同曲線圖案。因此，曲線圖案逐漸演變，直至成本函數減小，在一實施例中，直至成本函數最小化。在實施例中，可對位準光罩變數203執行進一步平滑化。
此外，程序P205涉及基於光罩變數203產生曲線光罩圖案205(例如，具有以向量形式表示之多邊形形狀)。曲線光罩圖案205之產生可涉及光罩變數203之定限以根據光罩變數203追蹤或產生曲線(或彎曲)圖案。舉例而言，可使用具有固定值的與光罩變數203之信號相交的臨限平面(例如，x-y平面)來執行定限。臨限平面與光罩變數203之信號的相交產生跡線或輪廓(亦即，彎曲多邊形形狀)，該等跡線或輪廓形成充當曲線光罩圖案205之曲線圖案的多邊形形狀。舉例而言，光罩變數203可與平行於(x,y)平面之零平面相交。因此，曲線光罩圖案205可為如上產生之任何曲線圖案。在實施例中，自光罩變數203追蹤或產生之曲線圖案視增強影像202之信號而定。如此，影像增強程序P203有助於改進針對最終曲線光罩圖案產生之圖案。最終曲線光罩圖案可由光罩製造商進一步使用以製 造用於微影程序中之光罩。
程序P207可涉及呈現曲線光罩圖案205以產生光罩影像207。呈現係對曲線光罩圖案執行之操作，其係與將矩形光罩多邊形轉換為離散灰階影像表示類似的程序。此類程序大體上可理解為將連續座標(多邊形)之框函數(box function)取樣成影像像素之每一點處之值。
方法進一步涉及使用程序模型進行圖案化程序之前向模擬，該等程序模型基於光罩影像207產生或預測可列印於基板上之圖案。舉例而言，程序P209可涉及使用光罩影像207作為輸入來執行及/或模擬製程序程模型，以及在基板上產生程序影像209(例如，空中影像、抗蝕劑影像、蝕刻影像等等)。在實施例中，程序模型可包括耦合至光學件模型之光罩透射模型，該光學件模型進一步耦合至抗蝕劑模型及/或蝕刻模型。程序模型之輸出可為在模擬程序期間分解在不同程序變化中的程序影像209。程序影像可藉由例如追蹤程序影像內之圖案的輪廓來進一步用以判定圖案化程序的參數(例如，邊緣置放誤差、臨界尺寸、疊對、旁瓣等)。參數可進一步用以界定成本函數，該成本函數進一步用以最佳化光罩影像207，使得成本函數減小，或在一實施例中使得成本函數最小化。
在程序P211中，可基於程序影像209(亦被稱作經模擬基板影像或基板影像或晶圓影像)來評估成本函數。因此，成本函數在圖案化程序變化之情況下可被認為係程序感知的，從而使得能夠產生對圖案化程序之變化做出解釋的曲線光罩圖案。舉例而言，成本函數可為邊緣置放誤差(EPE)、旁瓣、均方誤差(MSE)、圖案置放誤差(PPE)、正規化影像對數或基於程序影像中之圖案輪廓所界定之其他適當變數。EPE可為與一或多個圖案相關聯之邊緣置放誤差及/或與程序模型影像209之所有圖案及對應 目標圖案相關之所有邊緣置放誤差的總和。在實施例中，成本函數可包括可同時減小或最小化之一個以上條件。舉例而言，除MRC違反(volation/breach)機率外，亦可包括缺陷之數目、EPE、疊對、CD或其他參數，且所有條件可同時減小(或最小化)。
此外，一或多個梯度圖可基於成本函數(例如，EPE)產生，且光罩變數可基於此類梯度圖修改。光罩變數(MV)係指
Figure 110118194-A0305-02-0022-3
之強度。因此，梯度計算可表示為dEPE/d
Figure 110118194-A0305-02-0022-2
，且藉由捕捉自光罩影像(MI)至曲線光罩多邊形至光罩變數之逆數學關係來更新梯度值。因此，可相對於光罩影像、自光罩影像至曲線光罩多邊形及自曲線光罩多邊形至光罩變數計算成本函數之一系列導數，此允許修改光罩變數處之光罩變數值。
在實施例中，可添加影像正則化以減小可產生之光罩圖案的複雜度。此類影像正則化可為光罩規則檢查(MRC)。MRC係指光罩製造程序或裝置之限制條件。因此，成本函數例如基於EPE及MRC違反懲罰而可包括不同分量。懲罰可為成本函數之項，其取決於違反量，例如光罩量測值與給定MRC或光罩參數(例如，光罩圖案寬度與所允許(例如，最小或最大)光罩圖案寬度)之差。因此，根據本發明之實施例，可設計光罩圖案，且對應光罩可不僅基於圖案化程序之前向模擬而且另外基於光罩製造裝置/程序之製造限制來製作。因此，可獲得依據例如EPE或經列印圖案上之疊對產生高良率(亦即，最小缺陷)及高準確度的可製造曲線光罩。
對應於程序影像之圖案應與目標圖案完全相同，然而，此類精確目標圖案可能並非可行的(例如，通常為尖角)，且歸因於圖案化程序自身中之變化及/或圖案化程序之模型中的近似而引入一些衝突。在方法之第一反覆中，光罩影像207可能並不產生類似於目標圖案之圖案(在抗 蝕劑影像中)。抗蝕劑影像(或蝕刻影像)中列印圖案之準確性或接受度的判定可係基於諸如EPE之成本函數。舉例而言，若抗蝕劑圖案之EPE高，則其指示使用光罩影像207之經列印圖案係不可接受的且光罩變數203中之圖案必須修改。
為判定光罩影像207是否為可接受的，程序P213可涉及判定成本函數是否減小或經最小化，或給定反覆數目是否達到。舉例而言，將先前反覆之EPE值可與當前反覆之EPE值進行比較以判定EPE是否已減小、最小化或收斂(亦即，未觀測到經列印圖案中之實質改進)。當成本函數經最小化時，方法可停止，且產生之曲線光罩圖案資訊被視為經最佳化結果。
然而，若成本函數並未減小或最小化，則可更新光罩相關變數或增強影像相關變數(例如，像素值)。在實施例中，更新可根據基於梯度之方法。舉例而言，若成本函數未減小，則方法200繼續進行至在執行指示如何進一步修改光罩變數203之程序P215及P217之後產生光罩影像的下一反覆。
程序P215可涉及基於成本函數產生梯度圖215。梯度圖可為成本函數之導數及/或偏導數。在實施例中，可相對於光罩影像之像素判定成本函數之偏導數，且可將導數進一步鏈接以判定相對於光罩變數203之偏導數。此類梯度計算可涉及判定光罩影像207與光罩變數203之間的逆關係。此外，必須考慮在程序P205及P203中執行之任何平滑化操作(或函數)的逆關係。
梯度圖215可提供關於以使得成本函數減小，在一實施例中使得成本函數最小化之方式增大或減小光罩變數之值的建議。在實施例 中，可將最佳化演算法應用至梯度圖215以判定光罩變數值。在實施例中，最佳化求解程序可用以執行基於梯度之計算(在程序P217中)。
在實施例中，對於反覆，光罩變數可改變，而臨限平面可保持固定或不變以便逐漸減小或最小化成本函數。因此，所產生之曲線圖案可在反覆期間逐漸演變，使得成本函數減小，或在一實施例中使得成本函數最小化。在另一實施例中，光罩變數以及臨限平面兩者可皆改變以達成最佳化程序的更快收斂。在成本函數之若干次反覆及/或最小化後可能產生最終二進位化CTM結果集合(亦即，增強影像、光罩影像或曲線光罩之經修改版本)。
在本發明之實施例中，自藉由灰階影像進行之CTM最佳化至藉由曲線光罩進行之二進位化CTM最佳化的轉變可藉由用不同程序替換定限程序(亦即，P203及P205)來簡化，在該不同程序處，S型變換應用於增強影像202，且執行梯度計算之對應改變。增強影像202之S型變換產生經變換影像，該經變換影像在最佳化程序(例如，最小化成本函數)期間逐漸演變為曲線圖案。在反覆或最佳化步驟期間，與S型函數相關之變數(例如，陡度及/或臨限值)可基於梯度計算來修改。隨著S型變換在連續反覆期間變得更陡(例如，S型變換之斜率之陡度增大)，可達成自CTM影像至最終二進位化CTM影像之逐漸轉變，從而允許藉由曲線光罩圖案進行之最終二進位化CTM最佳化之改良結果。
在本發明之實施例中，額外步驟/程序可插入至最佳化之反覆的循環中，以加強結果從而具有選定或所要屬性。舉例而言，可藉由添加平滑化步驟來確保平滑度，或可使用其他濾光器以加強影像以促進水平/豎直結構。
隨著微影節點不斷縮小，需要愈來愈複雜之光罩。可運用DUV掃描器、EUV掃描器及/或其他掃描器在關鍵層中使用本發明方法。可在包括源光罩最佳化(SMO)、光罩最佳化及/或OPC之光罩最佳化程序之不同態樣中包括根據本發明之方法。
舉例而言，全文以引用方式併入之題為「源、光罩及投影光學件之最佳化流程(Optimization Flows of Source,Mask and Projection Optics)」之第9,588,438號美國專利中描述了先前技術源光罩最佳化程序。針對典型佈局剪輯上之隙縫中心執行此先前技術源光罩最佳化程序。源及光罩變數之所得最佳化被認為表示隙縫上之所有位置(及/或其他位置)。
光學近接校正(OPC)藉由補償處理期間發生之失真而增強積體電路圖案化程序。失真發生於處理期間，此係因為列印於晶圓上之特徵小於用於圖案化及列印程序中之光的波長。OPC驗證識別OPC後晶圓設計中之OPC誤差或弱點，該等誤差或弱點可潛在地導致晶圓上之圖案化缺陷。舉例而言，ASML迅子微影可製造性檢查(LMC)係OPC驗證產品。
OPC解決如下事實：投影於基板上之設計佈局的影像之最終大小及置放將不相同於或簡單地僅取決於該設計佈局在圖案化器件上之大小及置放。在諸如OPC之解析度增強技術(RET)的上下文中，不必使用實體圖案化器件，但可使用設計佈局以表示實體圖案化器件。對於存在於一些某一設計佈局上之小特徵大小及高特徵密度，給定特徵之特定邊緣之位置將在某種程度上受其他鄰近特徵之存在或不存在影響。此等近接效應起因於自一個特徵耦合至另一特徵的微量輻射或諸如繞射及干涉之非幾何光學效應。相似地，近接效應可起因於在通常在微影後進行之曝光後烘烤 (PEB)、抗蝕劑顯影及蝕刻期間之擴散及其他化學效應。
為增加設計佈局之經投影影像係根據給定目標電路設計之要求的機率，可使用設計佈局之複雜數值模型、校正或預失真來預測及補償近接效應。論文「全晶片微影模擬與設計分析-OPC如何改變IC設計(Full-Chip Lithography Simulation and Design Analysis-How OPC Is Changing IC Design)」,C.Spence，Proc.SPIE，第5751卷，第1至14頁(2005年)提供當前「基於模型」之光學近接校正程序之綜述。在典型高端設計中，幾乎設計佈局之每一特徵皆進行一定修改，以便達成經投影影像至目標設計之高保真度。此等修改可包括邊緣位置或線寬之移位或偏置，以及意欲輔助其他特徵之投影的「輔助」特徵之應用。
OPC之一種形式為選擇性偏置。在給定CD與節距曲線之情況下，可至少在最佳聚焦及曝光處藉由在圖案化器件位準處改變CD而迫使所有不同節距產生相同CD。因此，若特徵在基板位準處列印過小，則圖案化器件位準特徵將偏置為稍微大於標稱，且反之亦然。由於自圖案化器件位準至基板位準之圖案轉印程序為非線性的，因此偏置量並非僅為在最佳聚焦及曝光處之經量測CD誤差乘以縮減比，但藉由運用模型化及實驗，可判定適當偏置。選擇性偏置係對近接效應之問題的不完整解決方案，特別是在其僅應用於標稱程序條件之情況下。儘管此類偏置原則上可應用以給出最佳聚焦及曝光處之均一CD相對於節距曲線，但一旦曝光程序自標稱條件變化，每一偏置節距曲線就將作出不同的回應，從而引起用於不同特徵之不同程序窗。程序窗為完全適當地產生特徵所根據之兩個或兩個以上程序參數(例如，微影裝置中之聚焦及輻射劑量)之值範圍(例如，特徵之CD在某一範圍，諸如±10%或±5%內)。因此，為給出相同CD 與節距之「最佳」偏置甚至可對總程序窗造成負面影響，從而減小而非放大所有目標特徵在所要製程序容許度內列印於基板上之聚焦及曝光範圍。
已開發優於以上一維偏置實例之應用的其他OPC技術。二維近接效應係線端縮短的。線端趨向於依據曝光及聚焦而自其所要端點位置「拉回」。在許多狀況下，長線端之末端縮短程度可比對應線窄化大若干倍。此類型之線端拉回可在線端不能完全橫越其意欲覆蓋之底層，諸如源極-汲極區域上方之多晶矽閘極層之情況下導致所製造器件出現致命性故障。由於此類型之圖案對聚焦及曝光高度敏感，故使線端簡單地偏置成長於設計長度係不適當的，此係因為最佳聚焦及曝光處或在曝光不足條件下之線將過長，從而在延伸之線端接觸相鄰結構時造成短路，或在電路中之個別特徵之間增加更多空間的情況下導致電路大小不必要地較大。由於積體電路設計及製造之目標中之一者為最大化功能元件之數目，同時最小化每晶片所需之面積，故增加過量間距係非所要的解決方案。
二維OPC方法可有助於解決線端拉回問題。諸如「錘頭」或「襯線」之額外結構(亦被稱為「輔助特徵」)可添加至線端以將該等線端有效地錨定於適當位置且提供遍及整個程序窗之縮減之拉回。即使在最佳聚焦及曝光處，此等額外結構仍未經拆分，但其更改主要特徵之外觀，而未經獨自完全拆分。如本文所使用之「主要特徵」意謂在程序窗中之一些或全部條件下意欲列印於基板上之特徵。輔助特徵可呈現比添加至線端之簡單錘頭更具攻擊性之形式，而達圖案化器件上之圖案不再簡單地為大小增加縮減比之所要基板圖案之程度。諸如襯線之輔助特徵可應用於更多情形，而非僅僅縮減線端拉回。內襯線或外襯線可應用至任何邊緣，尤其是二維邊緣，以減小隅角圓化或邊緣擠壓。在運用足夠選擇性偏置以及所 有大小及極性之輔助特徵的情況下，圖案化器件上之特徵與基板位準處所要之最終圖案的類似性愈來愈小。一般而言，圖案化器件圖案變為基板位準圖案之經預失真版本，其中失真意欲抵消或反轉將在製造程序期間出現的圖案變形以在基板上產生儘可能接近於設計者所預期之圖案的圖案。
代替使用連接至主要特徵之彼等輔助特徵(例如，襯線)或除使用連接至主要特徵之彼等輔助特徵(例如，襯線)以外，另一OPC技術亦涉及使用完全獨立及不可解析輔助特徵。此處之術語「獨立」意謂此等輔助特徵之邊緣並不連接至主要特徵之邊緣。此等獨立輔助特徵不意欲或不希望作為特徵列印於基板上，而係意欲修改附近主要特徵之空中影像以增強彼主要特徵之可列印性及程序容許度。此等輔助特徵(常常被稱作「散射條紋」或「SBAR」)可包括：次解析度輔助特徵(SRAF)，其為主要特徵之邊緣外部之特徵；及次解析度逆特徵(SRIF)，其為自主要特徵之邊緣內部取出之特徵。SBAR之存在為圖案化器件圖案添加又一層複雜度。散射條紋之使用之簡單實例為：其中在經隔離線特徵之兩側上獲取不可解析散射條紋之規則陣列，此情形具有自空中影像之觀點使經隔離線呈現為更表示緻密線陣列內之單一線之效應，從而引起程序窗在聚焦及曝光容許度方面更接近於密集圖案之聚焦及曝光容許度。此類經裝飾隔離特徵與密集圖案之間的共同程序窗相比於如在圖案化器件位準處隔離而獲取之特徵之情形將具有對聚焦及曝光變化之更大的共同容許度。
輔助特徵可被視為圖案化器件上之特徵與設計佈局中之特徵之間的差異。術語「主要特徵」及「輔助特徵」並不暗示圖案化器件上之特定特徵必須標記為主要特徵或輔助特徵。
可執行光罩規則檢查(MRC)作為圖2中所展示之操作中之 一或多者之部分。如上所述，設計者遵循一系列預定設計規則，以便產生諸如光罩之功能性圖案化器件。基於處理及設計限制而設定此等規則。舉例而言，設計規則界定光罩上之特徵之間的空間容許度及/或其他容許度，以確保一旦製造，光罩特徵就不會以非所要方式彼此相互作用。本發明技術提供驗證曲線自由光罩特徵。舉例而言，該驗證可在MRC期間執行。在使用本發明技術之情況下，判定不同光罩特徵輪廓區段之單獨局部形狀，諸如曲率。此促進界定指定各種圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係之驗證準則。因此，可使用方程式、經由分組(例如，將類似局部曲率分組，及判定不同組之不同驗證準則)及/或其他運算來界定自由曲線光罩之MRC驗證準則。此方法給出關於如何以常見及/或可理解方式將自由曲線光罩之MRC驗證準則(例如，自廠房)提供至光罩房屋之巨大靈活性。
圖3示出根據本發明之實施例的用於驗證光罩設計之特徵之例示性方法300的實例。在一些實施例中，特徵可為自由曲線光罩特徵。舉例而言，方法300可與光罩規則檢查(MRC)相關聯。圖3中所展示之方法300包括：判定302一或多個光罩特徵之局部形狀；基於局部形狀判定304是否存在一或多個光罩特徵對驗證準則之違反；回應於該違反而調整306特徵中之一或多者及/或進行其他操作。
方法300之操作意欲係說明性的。在一些實施例中，方法300可用未描述之一或多個額外操作及/或不用所論述之操作中之一或多者來實現。舉例而言，在一些實施例中，方法300不必包括調整操作306。另外，在圖3中說明及在下文描述方法300之操作所藉以的次序並不意欲為限制性的。在一些實施例中，方法300之一或多個部分可實施(例如，藉 由模擬、模型化等)於一或多個處理器件中。一或多個處理器件可包括回應於以電子方式儲存於電子儲存媒體上之指令而執行方法300之操作中之一些或全部的一或多個器件。一或多個處理器件可包括經由硬體、韌體及/或軟體組態之一或多個器件，該等硬體、韌體及/或軟體經專門設計用於執行例如方法300之操作中之一或多者。
方法300包括判定302一或多個光罩特徵之局部形狀。局部形狀可包括特徵之子部分之形狀。子部分可包括特徵上之個別點位置、特徵之個別區段、特徵之包含小於整個特徵之某物的區域，及/或其他子部分。形狀可包括角度、長度、曲率及/或與點位置、區段、區域及/或其他子部分相關聯之其他形狀。在一些實施例中，可相對於彼此、相對於參考形狀、相對於光罩設計之一或多個位置及/或其他特徵及/或以其他方式判定局部形狀。在一些實施例中，局部形狀包含特徵區段上之個別位置的局部曲率，及/或其他局部形狀。
在一些實施例中，判定局部曲率包含對個別區段執行曲線擬合，判定個別區段之局部角度偏差及/或其他判定。藉助於非限制性實例，圖4示出使用根據本發明之實施例的曲線擬合來判定個別光罩特徵402區段404之局部曲率400。將特徵402分成多個區段404。區段404可按任何角度定向，使得其一起形成特徵402之曲線邊緣。在一些實施例中，操作302(圖3)包含判定個別區段404之局部曲率。如此實例中所示，局部曲率可藉由曲線擬合判定。圖4示出所關注區段406及擬合曲線408。曲線擬合可包含使用N個鄰近區段404(及/或使用者界定之鄰接長度內的多個區段404)之二次、三次及/或高階曲線擬合。舉例而言，可根據以下方程式執行曲線擬合： k=-y"/(1+y'2)3/2 [1]
其中k係輪廓之曲率，y'係輪廓的y位置相對於其x位置之一階導數，且y"係輪廓的y位置相對於其x位置之二階導數。
藉助於另一非限制性實例，圖5示出基於區段504之局部角度偏差△θ判定500個別光罩特徵502區段504之局部曲率R1、R2、R3及R4。圖5示出具有長度L之初始所關注區段506。局部角度偏差經歸一化至局部區段長度。在圖5中，曲率=△θ/L，其中L表示局部區段長度。在圖5中，L=Ln-1+Ln+Ln+1，且△θ=θn+1-θn-1。在此實例中，R1=R2<R3=-R4。
返回至圖3，方法300包括基於局部形狀判定304是否存在一或多個光罩特徵對驗證準則之違反。驗證準則指定圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係。此對應關係可經程式化至當前系統及方法中，基於先前相似光罩特徵之先前資料而判定，藉由使用者手動判定(例如，經由使用者介面)及/或藉由其他方法判定。在先前系統中，此靈活性不可用。相比而言，本發明系統及方法可經組態以使得使用者可針對任何形狀相互作用設定單一值。在一些實施例中，此對應關係包含界定為MRC之部分的規則。
如上文所描述，局部形狀可包含曲率及/或其他局部形狀。在一些實施例中，驗證準則將圖案特性之臨限值指定為局部曲率之函數。函數可為數學函數及/或可包括其他規格機制，諸如分組或查找表。在一些實施例中，圖案特性包含最小線寬、臨界尺寸、彎曲形狀之間的最小間距及/或其他圖案特性。藉助於非限制性實例，在一些實施例中，圖案特性之臨限值係間距臨限值，且驗證準則將間距臨限值指定為局部曲率之函 數。函數可經定義為連續函數、離散函數及/或分段定義函數等等。驗證準則可基於局部曲率為正抑或負(例如，曲率之定向或方向)、基於局部曲率之經判定值(其亦可指示局部曲率為正抑或負)及/或其他資訊而指定臨限值。
圖6展示(例如，光罩設計之)各種特徵600、602、604、606、608之正曲率及負曲率的實例。箭頭指向特徵中之每一者上的正局部曲率610及負局部曲率612之實例。如本文中所描述，MRC(圖案特性)臨限值(例如，包括於驗證準則中)可經定義為光罩特徵局部曲率之函數。該函數可包括區分正局部曲率及負局部曲率，如此處所展示，且相應地界定MRC(圖案特性)臨限值。舉例而言，圖案特性臨限值及/或其他驗證準則可對應於及/或區分正曲率及負曲率、自一個正局部曲率至另一個正局部曲率之轉變、自正局部曲率至負局部曲率之轉變、自一個負局部曲率至另一個負局部曲率及/或其他曲率之轉變。作為另一實例，圖案特性臨限值可作為局部曲率值之數學函數變化。
圖7展示700經界定為局部曲率704之函數的驗證準則圖案特性臨限值702之實例。在此實例中，臨限值702係針對例如光罩特徵706、708及710之間距特性。當局部曲率704橫越實例特徵706、708及710自負變為正(如由每一特徵上之虛線圓所指示)，驗證準則臨限值702因此改變700。在此實例中，臨限值702在局部曲率704為零時處於其最大值710。除了其他優勢以外，基於局部曲率而界定臨限值之此靈活性有助於光罩房屋MRC程序/檢測限制的更準確映射。此等實例並不意欲為限制性的。
返回至圖3，在一些實施例中，操作304包含將類似局部曲 率分組，以及判定不同組之不同驗證準則。舉例而言，可針對不同組之局部曲率判定不同間距(僅作為一個實例)臨限值。各組可對應於個別局部曲率值(例如，出現之任何曲率值X之臨限值1)、局部曲率值之範圍(例如，Y-Z範圍內之任何局部曲率值之臨限值1)、正局部曲率及負局部曲率(例如，正局部曲率之臨限值1及負局部曲率之臨限值2)及/或其他局部曲率值。在一些實施例中，針對不同組判定之不同驗證準則可對鄰近特徵及/或相對於組中之一或多個曲率的曲率做出解釋。舉例而言，不同組之驗證準則可考慮不同正局部曲率之間的轉變(例如，第一正局部曲率之臨限值1及鄰近正局部曲率之臨限值2)、正局部曲率與負局部曲率之間的轉變(例如，正局部曲率之臨限值1及鄰近負局部曲率之臨限值2)、不同負局部曲率之間的轉變(例如，負局部曲率之臨限值1及鄰近負局部曲率之臨限值2)等等。分組可藉由使用者手動完成，或分組參數可藉由系統最佳化及推薦至使用者。
在一些實施例中，操作304包括識別特徵之區段上的兩個位置或不同特徵之不同區段上的兩個位置(及/或任何數目個區段及/或特徵上的任何數目個位置)，及基於該等位置之局部曲率判定該等位置之間的圖案特性之臨限值。在此等實施例中，使用第一及第二位置作為實例，可基於第一位置處之局部曲率判定第一位置之第一臨限值。第二位置之第二臨限值可基於第二位置處之局部曲率而判定。然而，第一位置處之局部曲率可不同於第二位置處之局部曲率，使得每一位置之臨限值不同(例如，此係因為第一臨限值及第二臨限值係基於如本文所描述之不同的第一及第二局部曲率而判定)。操作304包含基於此等不同臨限值判定圖案特性之臨限值。當存在具有不同臨限值之不同曲率時，決定可為必需的。在一些實 施例中，操作304包含藉由判定不同臨限值之更保守性或更積極性、對不同臨限值進行加權判定圖案特性之臨限值，及/或以其他方式判定圖案特性之臨限值。所使用之實際方法(例如，更保守、更積極、加權組合)可經程式化至當前系統及/或方法中，基於先前類似光罩特徵之先前資料、藉由使用者手動判定(例如，經由使用者介面)及/或藉由其他方法判定。
圖8示出識別不同特徵804、806上之區段的兩個位置800、802，及基於位置800、802處之區段之局部曲率C1及C2而判定兩個位置之間的圖案特性之臨限值。在此實例中，兩個位置之間的圖案特性之臨限值可為間距臨限值。如圖8中所展示，曲率C1及C2繪製在與間距臨限值812曲線相對之曲率810上。臨限值812依據曲率810改變814，如所展示。在一些實施例中，判定位置800與802之間的間距臨限值812包含：基於位置800之局部曲率C1判定第一臨限值820；基於位置802之局部曲率C2判定第二臨限值822；及基於臨限值820及822判定圖案特性之臨限值。在一些實施例中，此判定可包括將對應於位置800及曲率C1之臨限值820判定為位置800及802之圖案特性之臨限值。此可表示相對積極的方法，此係因為曲率C1之臨限值820大於曲率C2之臨限值822。或替代地，在一些實施例中，此判定可包括將對應於位置802及曲率C2之臨限值822判定為位置800及802之圖案特性之臨限值。此可表示相對保守的方法，此係因為曲率C2之臨限值822小於曲率C1之臨限值820。
在一些實施例中，操作304(圖3)可包括判定第一臨限值820與第二臨限值822之加權組合。在一些實施例中，加權組合中針對不同臨限值820、822提供之權重可基於曲率及/或其他資訊而判定。舉例而言，如圖8中所展示，曲率C1及C2亦繪製在與間距臨限值830曲線相對之 曲率810上。此處，相比於C2之臨限值822之權重834，曲率C1之臨限值820具有更高權重832。在一些實施例中，可根據以下方程式對臨限值820及822進行加權：[(W(C1)x THRESH(C1))+(W(C2)x THRESH(C2))]/[W(C1)+W(C2)] [2]
其中W(C1)及W(C2)分別表示與C1或C2相關聯之權重，且THRESH(C1)及THRESH(C2)分別表示與C1或C2相關聯之臨限值。
此等不同可能方法(例如，更積極、更保守、加權)為使用者提供界定驗證準則之靈活性。此等不同可能方法可降低推進可能光罩特徵之限制(例如，得到圖案設計者最大自由度)，同時仍保持光罩可製造性。在一些實施例中，更積極、更保守及/或加權方法可與作為曲率(例如，如圖8中所示)之函數而變化的驗證準則、分組及/或本文所述之其他概念組合。
圖8中所示實例中的準確權重與曲率之相關性並不意欲為限制性的。在一些實施例中，此相關性可由本發明系統及方法基於先前相似光罩特徵之先前資料，藉由使用者手動(例如，經由使用者介面)及/或藉由其他方法界定。應注意，此實例可擴展至具有對應局部曲率及經判定臨限值的任何數目個位置。
返回至圖3，在一些實施例中，方法300包括回應於對驗證準則之違反而調整306一或多個特徵。調整306可基於違反之量及/或類型及/或基於其他資訊而執行。舉例而言，可基於光罩設計中的兩個特徵之間距違反間距臨限值(其中間距臨限值係基於如上文所描述的兩個特徵之對應區段之曲率而判定)的量而進行調整306。作為另一實例，可基於是否 存在對間距驗證準則臨限值、臨界尺寸驗證準則臨限值、線寬驗證準則臨限值及/或其他違反類型之違反而進行調整306。
在一些實施例中，違反係藉由以下操作來偵測：(1)判定特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置；以及(2)將特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置與驗證準則之對應臨限值進行比較。如本文中所描述，對應臨限值隨在如本文中所描述之特徵之區段上的位置處之局部曲率變化。回應於該比較顯示特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置違反驗證準則之對應臨限值，可檢測到違反。在一些實施例中，調整306包含改變特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置，及/或其他調整。
在一些實施例中，調整306包含識別特徵之兩個或兩個以上相關個別區段，判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，以及判定對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的調整程度。在一些實施例中，基於對該兩個或兩個以上相關個別區段中之一個別者的調整減去或除去對應違反的程度及/或其他資訊，判定調整兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，及對給定區段的調整程度。
在一些實施例中，調整306可包含一或多個懲罰調整及/或其他調整。在一些實施例中，可回應於對驗證準則之違反而調整一或多個區段以最佳化成本函數。對違反之調整可視為與成本函數相關聯之懲罰。 一或多個懲罰調整可包含對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的相等調整、對兩個或兩個以上相關個別區段中之僅一者的調整，或對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的不等調整。在一些實施例中，懲罰調整可包含對鄰近於兩個或兩個以上相關個別區段中之一者的一或多個區段之調整。
舉例而言，圖9示出特徵904之兩個相關個別區段900、902，該特徵可經識別、用於判定調整兩個相關個別區段900、902中之哪一區段或哪些區段900、902且用於判定對兩個相關個別區段900、902中之每一者的調整程度。區段900及902具有不同局部曲率。如上文所描述，驗證準則隨區段900及902上之位置的局部曲率變化。驗證準則可指定隨局部曲率變化之圖案特性臨限值。驗證準則可分別與區段900及902相關聯，及/或驗證準則可與區段900及902(例如，如上文所描述之兩個特徵上之兩個位置)一起相關聯。
在一些實施例中，可回應於對驗證準則之違反而調整一或多個區段900、902以最佳化成本函數。如上文所描述，對違反之調整可視為與成本函數相關聯之懲罰。成本函數可用於判定調整兩個相關個別區段900、902中之哪一區段或哪些區段，及用於判定對兩個或兩個以上相關個別區段900、902中之每一者的調整程度(例如，以致力於最佳化成本函數)。在此實例中，每一區段900、902可具有與其各別局部曲率相關聯之不同個別圖案特性臨限值，及/或基於區段900、902兩者之局部曲率而判定的共同圖案特性臨限值。
在一些實施例中，區段900、902之間的共同臨限值(例如，積極性、保守性、加權、分組等等)可如上文所描述來界定。在一些 實施例中，為最佳化成本函數，可判定及/或進行區段900、902之間的共同或相等懲罰調整(例如，每一區段可經調整相同量)。在一些實施例中，本系統及方法可經組態以使得使用者界定之懲罰共用旋鈕(例如，可經由使用者介面接近之虛擬旋鈕)可用於以不同方式基於其曲率而懲罰(例如，調整)光罩區段900、902(例如，2D區段可相對於1D區段受更大程度之懲罰，具有較大曲率之區段可比具有較小曲率之區段受更大程度之懲罰等等)。在一些實施例中，額外懲罰擴散參數可用以使鄰近(同一側)區段共用懲罰。在一些實施例中，本發明系統及方法經組態以在不計算區段900、902之經解析臨限值之情況下基於使用者界定之懲罰權重共用參數直接促進區段之間的懲罰調整。此調整可藉由共用局部輪廓MRC違反成本連同相對光罩輪廓區段來進行。因此，相對光罩輪廓區段將對此違反作出反應，即使根據其局部曲率規則其並未違反。成本共用之量可由基於曲率之權重控制，其中與其他相比，一些局部曲率可將更多權重轉移至相對區段。
作為非限制性實例，若區段900單獨地未違反驗證準則臨限值，且區段902違反驗證準則臨限值，則在區段900、902之間共用懲罰調整可能係有用的。在一些實施例中，使共用懲罰調整加權(例如，基於使用者設定)及/或以其他方式將其參數化可能係有用的。此允許使用者控制懲罰及/或以其他方式調整每一區段的程度。舉例而言，懲罰調整分佈參數可為界定在校正(調整)反覆期間經傳送至相對及/或其他相關區段的懲罰調整之程度的任何參數。在一些實施例中，此懲罰調整分佈參數亦可為曲率之函數，使得使用者可控制對哪一區段進行調整之程度以解決違反。舉例而言，本發明系統及方法可經組態以決定具有相對較大曲率值之區段 受到大部分調整之以解決違反，即使該區段為實際上造成違反之具有相對較小曲率值的對應區段。另外，懲罰調整可級聯至鄰近區段(例如，具有相同負或正曲率)以確保群組區段集體通過適當成本以用於成本函數最佳化。
返回至圖3，在一些實施例中，調整306包括首先判定實際調整。此可為尺寸改變、形狀改變、間距改變、曲率改變等之量或值。可使用如所描述之經判定調整以調整光罩設計之一或多個特徵。然而，替代地及/或另外，在不執行任何實際調整之情況下，經判定調整可傳達至不同系統及/或使用者，及/或用於其他操作中。此可呈推薦及/或建議之形式，例如及/或其他形式。此推薦及/或建議可經由使用者介面傳達至使用者，例如以電子方式傳達至不同系統，及/或以其他方式傳達。
在一些實施例中，操作306包括判定對光罩圖案之一或多個調整。該操作亦可包括判定投影光學件、照明源及/或其他組件之對應調整。舉例而言，圖案、投影光學件、照明源及/或其他組件可經調整直至滿足終止條件為止。終止條件可為臨限值違反(如上文所描述)之減少及/或消除，及或其他終止條件。在一些實施例中，終止條件包含經圖案化至基板上之特徵實質上匹配目標設計之判定。在一些實施例中，給定之一或多個光罩特徵可與其他可調式微影旋鈕組合調整以減少及/或消除臨限值違反。換言之，光罩圖案、投影光學件、照明源及/或其他組件可經調整直至經圖案化(例如，實體地經圖案化及/或模型化)至基板中之特徵之尺寸、位置及/或其他屬性處於針對彼等尺寸、位置及/或其他屬性之設計容許度內。
在一些實施例中，舉例而言，調整可為對光罩圖案、照明 源之參數、投影光學件之參數的反覆調整，及/或其他反覆調整。反覆調整可繼續進行直至滿足終止條件為止(例如，直至經圖案化於基板上之一或多個特徵完全匹配目標設計為止)。在一些實施例中，對圖案之調整包括對設計變數(例如，特徵尺寸、位置等；增加及/或減去輔助特徵；等等)之調整。對照明源之參數的調整包括對照明之劑量、波長、強度及/或其他參數之調整。對投影光學件之參數的調整可包括光瞳調整，從而調整投影光學件之隙縫及/或其他參數。
在一些實施例中，在滿足終止條件之前對圖案、照明源之參數、投影光學件之參數之反覆調整及/或其他反覆調整係在無限制可調變數之可能值範圍的約束條件之情況下執行。在一些實施例中，在滿足終止條件之前對圖案、照明源之參數、投影光學件之參數之反覆調整及/或其他反覆調整係在具有至少一個隨曲率變化的限制至少一個可調變數之可能值範圍的約束條件(例如，臨界尺寸、最小線寬、彎曲形狀之間的最小間距等)之情況下執行。在一些實施例中，至少一個約束條件係與光罩及/或製造該光罩之實體特性、微影投影裝置之實體特性，或設計變數(例如，第一特徵之區段的曲率)對於一或多個其他設計變數(例如，第二特徵之相關區段的曲率)之依賴性中的一或多者相關聯。
圖10係可用於本文中所描述之操作中之一或多者的實例電腦系統CS之圖式。電腦系統CS包括匯流排BS或用於傳送資訊之其他通信機構，及與該匯流排BS耦合以用於處理資訊之處理器PRO(或多個處理器)。電腦系統CS亦包括耦合至匯流排BS以用於儲存待由處理器PRO執行之資訊及指令的主記憶體MM，諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件。主記憶體MM亦可用於在處理器PRO執行指令期間儲存暫時性變 數或其他中間資訊。電腦系統CS進一步包括耦合至匯流排BS以用於儲存用於處理器PRO之靜態資訊及指令的唯讀記憶體(ROM)ROM或其他靜態儲存器件。提供諸如磁碟或光碟之儲存器件SD，且該儲存器件SD耦合至匯流排BS以用於儲存資訊及指令。
電腦系統CS可經由匯流排BS耦合至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器DS，諸如陰極射線管(CRT)，或平板或觸控面板顯示器。包括文數字按鍵及其他按鍵之輸入器件ID耦合至匯流排BS以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器PRO。另一類型之使用者輸入器件係用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器PRO且用於控制顯示器DS上之游標移動的游標控制件CC，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向按鍵。此輸入器件通常在兩個軸，第一軸(例如，x)及第二軸(例如，y)上具有兩個自由度，這允許器件指定平面中之位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
在一些實施例中，本文中所描述之一或多種方法的部分可藉由電腦系統CS回應於處理器PRO執行主記憶體MM中所含有之一或多個指令的一或多個序列而執行。可將此類指令自諸如儲存器件SD之另一電腦可讀媒體讀取至主記憶體MM中。主記憶體MM中所包括之指令序列的執行使處理器PRO執行本文中所描述之程序步驟(操作)。亦可使用呈多處理配置之一或多個處理器以執行主記憶體MM中所含有之指令序列。在一些實施例中，硬線電路系統可用於替代軟體指令或與軟體指令組合。因此，本文中之描述不限於硬線電路系統與軟體之任何特定組合。
本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器PRO以供執行之任何媒體。此類媒體可呈許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟 或磁碟，諸如儲存器件SD。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體MM。傳輸媒體包括同軸纜線、銅線及光纖，包括包含匯流排BS之電線。傳輸媒體亦可呈聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外線(IR)資料通信期間產生之彼等聲波或光波。電腦可讀媒體可為非暫時性的，例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁性媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣。非暫時性電腦可讀媒體可具有記錄於其上之指令。指令可在由電腦執行時實施本文中所描述之操作中之任一者。暫時性電腦可讀媒體可包括例如載波或其他傳播電磁信號。
各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器PRO以供執行。舉例而言，最初可將指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線發送指令。在電腦系統CS本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外傳輸器將資料轉換為紅外信號。耦合至匯流排BS之紅外偵測器可接收紅外信號中所攜載之資料且將資料置放於匯流排BS上。匯流排BS將資料攜載至主記憶體MM，處理器PRO自該主記憶體MM擷取且執行指令。由主記憶體MM接收到之指令可視情況在由處理器PRO執行之前或之後儲存於儲存器件SD上。
電腦系統CS亦可包括耦合至匯流排BS之通信介面CI。通信介面CI提供對網路鏈路NDL之雙向資料通信耦合，該網路鏈路NDL連接至區域網路LAN。舉例而言，通信介面CI可為整合服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供與相應類型之電話線的資料通信連接。作為另 一實例，通信介面CI可為區域網路(LAN)卡以提供對相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈路。在任何此類實施方案中，通信介面CI發送及接收電信號、電磁信號或光信號，該等信號攜載表示各種類型之資訊的數位資料串流。
網路鏈路NDL通常經由一或多個網路而向其他資料器件提供資料通信。舉例而言，網路鏈路NDL可經由區域網路LAN提供至主電腦HC之連接。此可包括經由現通常被稱作「網際網路」INT之全球封包資料通信網路提供的資料通訊信服務。區域網路LAN(網際網路)可使用攜載數位資料串流之電信號、電磁信號或光學信號。通過各種網路之信號及在網路資料鏈路NDL上且通過通信介面CI之信號係輸送資訊的例示性載波形式，該等信號將數位資料攜載至電腦系統CS且自該電腦系統攜載數位資料。
電腦系統CS可經由網路、網路資料鏈路NDL及通信介面CI發送訊息及接收資料，包括程式碼。在網際網路實例中，主電腦HC可經由網際網路INT、網路資料鏈路NDL、區域網路LAN以及通信介面CI傳輸應用程式之經請求程式碼。舉例而言，一個此類經下載應用程式可提供本文中所描述之全部或部分方法。所接收程式碼可在其被接收時由處理器PRO執行，及/或儲存於儲存器件SD或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統CS可獲得呈載波之形式之應用程式碼。
圖11係根據實施例之微影投影裝置的示意圖。微影投影裝置可與本文中所描述的操作中之一或多者相關聯。舉例而言，經驗證光罩設計可用於以可拆卸方式與微影投影裝置耦合的光罩。微影投影裝置可包括照明系統IL、第一物件台MT、第二物件台WT及投影系統PS。照明系 統IL可調節輻射光束B。在此實例中，照明系統亦包含輻射源SO。第一物件台(例如，圖案化器件台)MT可具備用以固持圖案化器件MA(例如，光罩或倍縮光罩)之圖案化器件固持器，且連接至用以相對於項目PS準確定位圖案化器件之第一定位器。第二物件台(例如基板台)WT可設有用以固持基板W(例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓)之基板固持器，且連接至用以相對於項目PS準確定位基板之第二定位器。投影系統(例如，其包括透鏡)PS(例如折射、反射或反射折射光學系統)可將圖案化器件MA之經輻照部分成像至基板W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。可例如使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來使圖案化器件MA與基板W對準。
如所描繪，裝置可為透射型(亦即，具有透射圖案化器件)。然而，一般而言，其亦可為反射型，例如(具有反射圖案化器件)。裝置可採用用於典型光罩之不同種類之圖案化器件；實例包括可程式化鏡面陣列或LCD矩陣。
源SO(例如，汞燈或準分子雷射器、雷射產生電漿(laser produced plasma；LPP)EUV源)產生輻射光束。此光束係直接地或在已橫穿諸如擴束器或光束遞送系統BD(包含導向鏡、擴束器等)之調節構件之後饋入至照明系統(照明器)IL中。舉例而言，照明器IL可包含調整構件AD以用於設定光束中之強度分佈的外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器一般將包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。以此方式，入射於圖案化器件MA上之光束B在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
在一些實施例中，源SO可在微影投影裝置之外殼內(常常 為在源SO為例如汞燈時之情況)，但其亦可遠離微影投影裝置。舉例而言，源產生之輻射光束可(例如，藉助於合適之導向鏡面)經導引至裝置中。此後一情境可為例如在源SO為準分子雷射器(例如，基於KrF、ArF或F2雷射作用)時之狀況。
光束B可隨後攔截固持於圖案化器件台MT上之圖案化器件MA。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，光束B可穿過投影系統PS，該透鏡將光束B聚焦於基板W之目標部分C上。憑藉第二定位構件(及干涉量測構件IF)，可準確地移動基板台WT，例如以使不同目標部分C定位於光束B之路徑中。類似地，第一定位構件可用以例如在自圖案化器件庫機械地擷取圖案化器件MA之後或在掃描期間相對於光束B之路徑準確定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現物件台MT、WT之移動。然而，就步進器(相對於步進掃描工具)而言，圖案化器件台MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。
可在兩種不同模式(步進模式及掃描模式)下使用所描繪工具。在步進模式中，圖案化器件台MT基本上保持靜止，且整個圖案化器件影像經一次性(亦即，單次「閃光」)投影至目標部分C上。基板台WT可在x及/或y方向上移位，使得不同目標部分C可由光束PB照射。在掃描模式中，適用於基本上相同的情形，不同之處在於不在單次「閃光」中曝光給定目標部分C。替代地，圖案化器件台MT可以速度v在給定方向(例如「掃描方向」，或「y」方向)上移動，使得使投影光束B遍及圖案化器件(例如，光罩)影像掃描。並行地，基板台WT以速度V=Mv在相同方向或相對方向上同時移動，其中M係透鏡之放大率(通常M=1/4或1/5)。以此方式，可在不必損害解析度的情況下曝光相對較大的目標部分C。
圖12係可用於及/或結合本文中所描述之操作中之一或多者的另一實例微影投影裝置(LPA)之示意圖。LPA可包括源收集器模組SO、經組態以調節輻射光束B(例如，EUV輻射)之照明系統(照明器)IL、支撐結構MT、基板台WT及投影系統PS。支撐結構(例如，圖案化器件台)MT可經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩或倍縮光罩)MA且連接至經組態以準確定位圖案化器件之第一定位器PM。基板台(例如，晶圓台)WT可經建構以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確定位基板之第二定位器PW。投影系統(例如，反射性投影系統)PS可經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W的目標部分C(例如，包含一或多個晶粒)上。
如在此實例中所展示，LPA可屬於反射型(例如，採用反射圖案化器件)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，故圖案化器件可具有包含例如鉬與矽之多堆疊的多層反射器。在一個實例中，多堆疊反射器具有40層對鉬與矽，其中每一層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生甚至更小波長。由於大多數材料在EUV及x射線波長下具吸收性，故圖案化器件構形上之經圖案化吸收材料薄件(例如，多層反射器之頂部上之TaN吸收器)界定特徵將列印(正性抗蝕劑)或不列印(負性抗蝕劑)之處。
照明器IL可自源收集器模組SO接收極紫外輻射光束。產生EUV輻射之方法包括但不一定限於利用EUV範圍內之一或多個發射譜線將材料轉換成具有例如氙鋰或錫之至少一種元素之電漿狀態。在一類常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)之方法中，可藉由運用雷射光束輻照燃料，諸如具有譜線發射元素之材料液滴、串流或群集而產生電漿。源收集 器模組SO可為包括雷射器(圖12中未展示)之EUV輻射系統之部分，該雷射器用於提供激發燃料之雷射束。所得電漿發射例如EUV輻射之輸出輻射，該輸出輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射器及源收集器模組可為分離實體。在此實例中，可不將雷射器認為形成微影裝置之部分，且輻射光束可藉助包含例如合適之導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統而自雷射器傳遞至源收集器模組。在其他實例中，舉例而言，當源係通常稱為DPP源之放電產生電漿EUV產生器時，源可為源收集器模組之整體部分。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部及σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B可入射於固持於支撐結構(例如，圖案化器件台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由該圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如，光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如，干涉器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確移動基板台WT(例如，以便將不同目標部分C定位在輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確定位圖案化器件(例如光罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來使圖案化器件(例 如，光罩)MA與基板W對準。
所描繪裝置LPA可用於以下模式中之至少一者：步進模式、掃描模式及靜止模式。在步進模式中，賦予至輻射光束之整個圖案經一次性(亦即，單次靜態曝光)投影至目標部分C上時，支撐結構(例如，圖案化器件台)MT及基板台WT保持基本上靜止。接著，基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在掃描模式中，賦予至輻射光束之圖案經投影至目標部分C上時，同步掃描支撐結構(例如，圖案化器件台)MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。基板台WT相對於支撐結構(例如，圖案化器件台)MT之速度及方向可由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性予以判定。在靜止模式中，賦予至輻射光束之圖案經投影至目標部分C上時，固持可程式化圖案化器件之支撐結構(例如，圖案化器件台)MT保持基本上靜止，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在每次移動基板台WT之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件，諸如如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列之無光罩微影。
圖13係圖14中所展示之微影投影裝置之更詳細視圖。如圖13中所展示，LPA可包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經組態以使得可在源收集器模組SO之圍封結構220中維持真空環境。EUV輻射發射電漿210可由放電產生電漿源形成。可藉由氣體或蒸汽，例如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽產生EUV輻射，其中產生熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。舉例而言，熱電漿210係藉由引起至少部分離子化電漿之放電而產生的。為輻射之高效產生，可需 要為例如10Pa之分壓之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適氣體或蒸汽。在一些實施例中，提供經激發錫(Sn)之電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方的視情況選用之氣體障壁或污染物截留器230(在一些情況下，亦被稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。污染物截留器或污染物障壁230(描述如下)亦包括通道結構。收集器腔室211可包括可為掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以沿著由線「O」指示之光軸聚焦於虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常被稱作中間焦點，且源收集器模組經組配以使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF係輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，該等器件經組配以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所要角分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所要均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處反射輻射光束21後，隨即形成經圖案化光束26，且該經圖案化光束26藉由投影系統PS經由反射元件28、30成像至由基板台WT固持之基板W上。比所展示元件更多之元件通常可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於例如微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。另外，可存在相較於諸圖所展示之鏡面更多的鏡面，例如在投影系統PS中可存在比圖13所展示之反射元件多1至6個之額外反射元件。
描繪為具有掠入射反射器253、254及255的巢套式收集器之如圖13中所示出之收集器光學件CO僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255經安置為圍繞光軸O軸向對稱，且此類型之收集器光學件CO可與常常稱為DPP源之放電產生電漿源組合使用。
圖14係(先前圖式中所展示之)微影投影裝置LPA之源收集器模組SO之詳細視圖。源收集器模組SO可為LPA輻射系統之部分。雷射器LA可經組配以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特(eV)之電子溫度之高度離子化電漿210。在此等離子之去激發及再結合期間所產生之高能輻射自電漿發射，由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
本文中所揭示之概念可模擬用於使子波長特徵成像之任何通用成像系統或以數學方式使其模型化，且可尤其供能夠產生愈來愈短波長之新興成像技術使用。已在使用中之新興技術包括能夠藉由使用氟雷射器產生193nm波長且甚至能夠藉由使用氟雷射器產生157nm波長之極紫外線(EUV)、DUV微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由運用高能電子撞擊材料(固體或電漿)而產生在20nm至5nm之範圍內的波長，以便產生在此範圍內之光子。
可藉由以下條項進一步描述本發明之實施例。
1.一種用於調整光罩設計之特徵的方法，該方法包含：判定特徵之局部形狀；基於局部形狀判定是否存在特徵對驗證準則之違反，其中該驗證準則指定圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係；以及基於所偵測之違反調整特徵。
2.如條項1之方法，其中調整包含改變特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置。
3.如條項1或2之方法，其中局部形狀包含特徵之區段上的個別位置之局部曲率。
4.如條項3之方法，其中判定局部曲率包含對區段執行曲線擬合，及/或判定區段之局部角度偏差。
5.如條項3至4中任一項之方法，其中圖案特性之臨限值係間距臨限值，且其中驗證準則將間距臨限值指定為局部曲率之函數。
6.一種用於驗證光罩設計之特徵的方法，該方法包含：判定特徵之局部形狀；以及基於局部形狀判定是否存在特徵對驗證準則之違反，其中該驗證準則指定圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係。
7.如條項6之方法，其中局部形狀包含特徵之區段上的個別位置之局部曲率。
8.如條項7之方法，其中判定局部曲率包含對個別區段執行曲線擬合，及/或判定個別區段之局部角度偏差。
9.如條項7至8中任一項之方法，其中圖案特性之臨限值係間距臨限值，且其中驗證準則將間距臨限值指定為局部曲率之函數。
10.如條項7至9中任一項之方法，其進一步包含將類似局部曲率分組，且針對不同組判定不同驗證準則。
11.如條項7至10中任一項之方法，其進一步包含識別特徵上之兩個位置或不同特徵上之兩個位置，及基於位置之局部曲率判定兩個位置之間 的圖案特性之臨限值。
12.如條項11之方法，其中兩個位置之間的圖案特性之臨限值係間距臨限值，且其中判定兩個位置之間的間距臨限值包含：基於第一位置之局部曲率判定第一臨限值；基於第二位置之局部曲率判定第二臨限值；及/或判定第一臨限值與第二臨限值之加權組合。
13.如條項6至12中任一項之方法，其中圖案特性包含最小線寬、臨界尺寸或彎曲形狀之間的最小間距。
14.如條項6至13中任一項之方法，其中光罩設計之特徵係自由曲線光罩特徵。
15.如條項6至14中任一項之方法，其進一步包含回應於特徵對驗證準則之違反而基於該違反調整特徵。
16.如條項15之方法，其中違反係藉由以下操作來偵測：(1)判定特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置；以及(2)將特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置與驗證準則之對應臨限值進行比較。
17.如條項15至16中任一項之方法，其中調整包含改變特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置。
18.如條項15至17中任一項之方法，其中調整包含識別特徵之兩個或兩個以上相關個別區段，判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，以及判定對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一 者的調整程度。
19.如條項18之方法，其中基於對該兩個或兩個以上相關個別區段中之個別者的調整減去或除去對應違反的程度，判定調整兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，及對給定區段的調整程度。
20.如條項18至19中任一項之方法，其中調整包含一或多個懲罰調整，該一或多個懲罰調整包含對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的相等調整、對該兩個或兩個以上相關個別區段中之僅一者的調整，或對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的不等調整。
21.一種其上具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由電腦執行時使得該電腦：判定光罩設計之特徵之局部形狀；以及基於局部形狀判定是否存在特徵對驗證準則之違反，其中該驗證準則指定圖案特性之臨限值與局部形狀之間的對應關係。
22.如條項21之媒體，其中局部形狀包含特徵之區段上的個別位置之局部曲率。
23.如條項22之媒體，其中判定局部曲率包含對個別區段執行曲線擬合，及/或判定個別區段之局部角度偏差。
24.如條項22至23中任一項之媒體，其中圖案特性之臨限值係間距臨限值，且其中驗證準則將間距臨限值指定為局部曲率之函數。
25.如條項22至24之媒體，其中指令進一步經組態以使電腦將類似局部曲率分組，且針對不同組判定不同驗證準則。
26.如條項22至25中任一項之媒體，其中指令進一步經組態以使電腦識別特徵上之兩個位置或不同特徵上之兩個位置，且基於位置之局部曲率 判定兩個位置之間的圖案特性之臨限值。
27.如條項26之媒體，其中兩個位置之間的圖案特性之臨限值係間距臨限值，且其中判定兩個位置之間的間距臨限值包含：基於第一位置之局部曲率判定第一臨限值；基於第二位置之局部曲率判定第二臨限值；及/或判定第一臨限值與第二臨限值之加權組合。
28.如條項21至27中任一項之媒體，其中圖案特性包含最小線寬、臨界尺寸或彎曲形狀之間的最小間距。
29.如條項21至28中任一項之媒體，其中光罩設計之特徵係自由曲線光罩特徵。
30.如條項21至29中任一項之媒體，其中指令進一步經組態以回應於特徵對驗證準則之違反而使電腦基於該違反調整特徵。
31.如條項30之媒體，其中違反係藉由以下操作來偵測：(1)判定特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置；以及(2)將特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置與驗證準則之對應臨限值進行比較。
32.如條項30至31中任一項之媒體，其中調整包含改變特徵之尺寸、特徵之形狀、光罩設計中之特徵之位置，及/或光罩設計中之特徵相對於其他特徵之位置。
33.如條項30至32中任一項之媒體，其中調整包含識別特徵之兩個或兩個以上相關個別區段，判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，以及判定對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一 者的調整程度。
34.如條項33之媒體，其中基於對該兩個或兩個以上相關個別區段中之個別者的調整減去或除去對應違反的程度，判定調整兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，及對給定區段的調整程度。
35.如條項33至34中任一項之媒體，其中調整包含一或多個懲罰調整，該一或多個懲罰調整包含對兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的相等調整、對該兩個或兩個以上相關個別區段中之僅一者的調整，或對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的不等調整。
儘管本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如用於在不同於矽晶圓的基板上成像之彼等微影成像系統。此外，所揭示元件之組合及子組合可包含單獨實施例。舉例而言，判定增強MRC準則可包含其自身的單獨實施例，或其可包括亦包括執行實際檢查之一或多個其他實施例，如本文中所描述。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見的是，可在不脫離下文所陳述之申請專利範圍之範疇的情況下如所描述一般進行修改。
1D:區段
702:驗證準則圖案特性臨限值/臨限值/驗證準則臨限值
704:局部曲率
706,708:光罩特徵/特徵
710:光罩特徵/特徵/最大臨限值

Claims (13)

  1. 一種其上具有指令之非暫時性電腦可讀媒體，該等指令在由一電腦執行時使得該電腦：判定一光罩設計之一特徵之局部形狀，其中該等局部形狀包含該特徵之區段上的個別位置之局部曲率(local curvatures)；以及基於該等局部形狀判定是否存在該特徵對驗證準則之一違反(breach)，其中該驗證準則指定一圖案特性之一臨限值與一局部形狀之間的對應關係，其中該圖案特性之該臨限值包含一間距臨限值，且其中該驗證準則將該間距臨限值指定為該等局部曲率之一函數。
  2. 如請求項1之媒體，其中判定該等局部曲率包含：對個別區段執行曲線擬合；及/或判定該等個別區段之局部角度偏差。
  3. 如請求項1之媒體，其中該等指令進一步經組態以使該電腦將類似局部曲率分組，且針對不同組判定不同驗證準則。
  4. 如請求項1之媒體，其中該等指令進一步經組態以使該電腦識別該特徵上之兩個位置或不同特徵上之兩個位置，且基於該等位置之局部曲率判定該兩個位置之間的該圖案特性之該臨限值。
  5. 如請求項4之媒體，其中該兩個位置之間的該圖案特性之該臨限值包含一間距臨限值，且其中判定該兩個位置之間的該間距臨限值包含： 基於一第一位置之一局部曲率判定一第一臨限值；基於一第二位置之一局部曲率判定一第二臨限值；及/或判定該第一臨限值與該第二臨限值之一加權組合。
  6. 如請求項1之媒體，其中該圖案特性包含一最小線寬、一臨界尺寸或彎曲形狀之間的一最小間距。
  7. 如請求項1之媒體，其中該光罩設計之該特徵係一自由曲線光罩特徵。
  8. 如請求項1之媒體，其中該等指令進一步經組態以回應於該特徵對該驗證準則之一違反而使該電腦基於該違反調整該特徵。
  9. 如請求項8之媒體，其中該違反係藉由以下操作來偵測：(1)判定該特徵之一尺寸、該特徵之一形狀、該光罩設計中之該特徵之一位置，及/或該光罩設計中之該特徵相對於其他特徵之一位置；以及(2)將該特徵之該尺寸、該特徵之該形狀、該光罩設計中之該特徵之該位置及/或該光罩設計中之該特徵相對於其他特徵之該位置與該驗證準則之一對應臨限值進行比較。
  10. 如請求項8之媒體，其中該調整包含改變該特徵之一尺寸、該特徵之一形狀、該光罩設計中之該特徵之一位置，及/或該光罩設計中之該特徵相對於其他特徵之一位置。
  11. 如請求項8之媒體，其中該調整包含：識別該特徵之兩個或兩個以上相關個別區段；判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段；以及判定對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的調整程度。
  12. 如請求項11之媒體，其中基於對該兩個或兩個以上相關個別區段中之一個別者的一調整減去或除去一對應違反之一程度，判定調整該兩個或兩個以上相關個別區段中之哪一區段或哪些區段，及對給定區段的調整程度。
  13. 如請求項12之媒體，其中該調整包含一或多個懲罰調整，該一或多個懲罰調整包含對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的相等調整、對該兩個或兩個以上相關個別區段中之僅一者的一調整，或對該兩個或兩個以上相關個別區段中之每一者的不等調整。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6818362B1 (en) * 2004-02-19 2004-11-16 Freescale Semiconductor, Inc. Photolithography reticle design
US20140215414A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Mentor Graphics Corporation Mask Rule Checking Based on Curvature
WO2019158682A1 (en) * 2018-02-18 2019-08-22 Asml Netherlands B.V. Binarization method and freeform mask optimization flow
WO2019179747A1 (en) * 2018-03-19 2019-09-26 Asml Netherlands B.V. Method for determining curvilinear patterns for patterning device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
WO2007019269A2 (en) 2005-08-08 2007-02-15 Brion Technologies, Inc. System and method for creating a focus-exposure model of a lithography process
US7695876B2 (en) 2005-08-31 2010-04-13 Brion Technologies, Inc. Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control
US7694267B1 (en) 2006-02-03 2010-04-06 Brion Technologies, Inc. Method for process window optimized optical proximity correction
US7882480B2 (en) 2007-06-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. System and method for model-based sub-resolution assist feature generation
US7707538B2 (en) 2007-06-15 2010-04-27 Brion Technologies, Inc. Multivariable solver for optical proximity correction
US20090157630A1 (en) 2007-10-26 2009-06-18 Max Yuan Method of extracting data and recommending and generating visual displays
NL2003699A (en) 2008-12-18 2010-06-21 Brion Tech Inc Method and system for lithography process-window-maximixing optical proximity correction.
JP2010177374A (ja) * 2009-01-28 2010-08-12 Toshiba Corp パターン検証方法および半導体装置の製造方法
NL2007642A (en) 2010-11-10 2012-05-14 Asml Netherlands Bv Optimization flows of source, mask and projection optics.
US10444734B2 (en) * 2014-08-22 2019-10-15 Mentor Graphics Corporation Manufacture of non-rectilinear features

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6818362B1 (en) * 2004-02-19 2004-11-16 Freescale Semiconductor, Inc. Photolithography reticle design
US20140215414A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Mentor Graphics Corporation Mask Rule Checking Based on Curvature
WO2019158682A1 (en) * 2018-02-18 2019-08-22 Asml Netherlands B.V. Binarization method and freeform mask optimization flow
WO2019179747A1 (en) * 2018-03-19 2019-09-26 Asml Netherlands B.V. Method for determining curvilinear patterns for patterning device
TW201945829A (zh) * 2018-03-19 2019-12-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於圖案化裝置之判定曲線圖案之方法

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Publication number Publication date
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