TWI790933B - 熱電致冷模組 - Google Patents

熱電致冷模組 Download PDF

Info

Publication number
TWI790933B
TWI790933B TW111107523A TW111107523A TWI790933B TW I790933 B TWI790933 B TW I790933B TW 111107523 A TW111107523 A TW 111107523A TW 111107523 A TW111107523 A TW 111107523A TW I790933 B TWI790933 B TW I790933B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
type thermoelectric
thermoelectric units
units
filling part
power supply
Prior art date
Application number
TW111107523A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202336954A (zh
Inventor
王友史
黃奕達
蘇宏仁
劉志鈞
凌正南
戴文杰
Original Assignee
宏碁股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 宏碁股份有限公司 filed Critical 宏碁股份有限公司
Priority to TW111107523A priority Critical patent/TWI790933B/zh
Priority to US17/949,221 priority patent/US20230284530A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI790933B publication Critical patent/TWI790933B/zh
Publication of TW202336954A publication Critical patent/TW202336954A/zh

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80Constructional details
    • H10N10/85Thermoelectric active materials
    • H10N10/851Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/852Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Devices That Are Associated With Refrigeration Equipment (AREA)

Abstract

一種熱電致冷模組,包括多個P型熱電單元、多個N型熱電單元、多個導電件以及填充件。各導電件電性連接在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間。填充件配置於相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,且配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。

Description

熱電致冷模組
本發明是有關於一種熱電致冷模組。
熱電材料是一種能夠在沒有其他特定外力或機件的協助下,使熱與電兩種不同型態的能量互相轉換的功能性半導體材料,其主要熱電轉換的模式包括發電效應和致冷效應。
以熱電致冷效應為例,其是以P型半導體與N型半導體串接後通入直流電,以讓其內的載子(電洞或電子)產生不同方向的移動,進而形成溫差。
一般而言,這些P型半導體與N型半導體多以單元陣列方式排列,然這些單元之間因存在間距或空隙,因此外部的水氣容易因此進入,進而造成電性短路。尤其是如上述溫差形成後,容易在冷側產生結露,更是提高水氣進入間距或空隙的可能,甚至對P型半導體與N型半導體造成腐蝕,嚴重影響其使用壽命。
本發明提供一種熱電致冷模組,其在相鄰的熱電單元之間與周圍處加入填充件,以形成無縫結構而有效阻隔水氣滲入。
熱電致冷模組,包括多個P型熱電單元、多個N型熱電單元、多個導電件以及填充件。各導電件電性連接在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間。填充件配置於相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,且配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。
基於上述,熱電致冷模組以填充件配置在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,同時也配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。如此一來,填充件能有效避免P型熱電單元與N型熱電單元因水氣而損壞的可能性,據以提高熱電致冷模組的結構強度與使用壽命。
圖1是依據本發明一實施例的熱電致冷模組的簡單示意圖。圖2是圖1的熱電致冷模組的部分結構示意圖。圖3是圖2的熱電致冷模組移除填充件的示意圖。請同時參考圖1至圖3,在本實施例中,熱電致冷模組100包括多個P型熱電單元P、多個N型熱電單元N、多個導電件120以及填充件140。各導電件120電性連接在相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間。填充件140配置於相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間,且配置於環繞P型熱電單元P與N型熱電單元N的周圍處。
在此,P型熱電單元P與N型熱電單元N例如是以碲化鉍(Bi 2Te 3 所製成的雜質半導體結構,經由導電件120將兩者電性連接在一起而形成電偶對。
再者,本實施例的熱電致冷模組100還包括供電模組110與一對絕緣基板130,其中絕緣基板130例如是陶瓷基板,P型熱電單元P與N型熱電單元N陣列地立於該對絕緣基板130之間,同時導電件120也隨該對絕緣基板130而呈上層、下層的錯落分布。供電模組110電性串接起導電件120、P型熱電單元P與N型熱電單元N。當供電模組110供電至P型熱電單元P與N型熱電單元N時,P型熱電單元P與N型熱電單元N經由其中一絕緣基板130,如圖1所示位於上層的絕緣基板130,吸收外部環境的熱量,而成為熱電致冷模組100的吸熱側S1。同時,也經由另一絕緣基板130,如圖1所示位於下層的絕緣基板130,釋放熱量至所述外部環境,而成為熱電致冷模組100的散熱側S2。
進一步地說,本實施例的供電模組110包括(直流)電源113、導線一111與導線二112,電源113經由導線一111電性連接其中一N型熱電單元N,電源113經由導線二112電性連接其中一P型熱電單元P,以使電源113、導線一111、P型熱電單元P、N型熱電單元N、導電件120、導線二112形成電性通路。
如圖2所示,本實施例更重要的是,填充件140包括軟質填充部141與硬質填充部142,軟質填充部141位於任意相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間,硬質填充部142位於環繞P型熱電單元P與N型熱電單元N的周圍處。在此以不同型式的剖面線以利於辨識。
圖4至圖6繪示熱電致冷模組的部分製作流程示意圖。請參考圖4至圖6,同時可對照圖2。在本實施例中,軟質填充部141的材質例如是矽膠,硬質填充部142的材質例如是塑膠或高硬度橡膠。首先請參考圖4與圖5並對照圖2,在本實施例中,當熱電致冷模組100製作完成後,其如圖4(或圖3)所示,相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間是存在間距(空隙)的。如前所述,此狀態下的結構特徵常因水氣進入而導致損傷,故而需如圖4所示,先行以液態矽膠注入任意相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間,以排出空氣與水氣並固化形成上述的軟質填充部141。最終,再以液態塑膠或液態橡膠注入環繞P型熱電單元P與N型熱電單元N的周圍處,並經固化而形成上述的硬質填充部142。據此,軟質填充部141能有效排除相鄰熱電單元間的空氣與水氣,而硬質填充部142則進一步地與絕緣基板130形成封閉結構,以有效阻絕這些熱電單元與外部環境的聯絡,同時也能使熱電致冷模組100具備較佳的結構強度。
在此並未限制上述液態材料的注入方式,其可因應熱電致冷模組100的外形結構而予以適當地調整。在本實施例中,熱電致冷模組100是呈長方體結構,因此可參考圖2或圖3,先將所示長方體結構的相鄰兩側面作為基準而使立起長方體結構,而使長方體結構的另兩側面位於上方,前述作為基準的相鄰兩側面通過治具予以支撐並阻擋,而後即可順利地將液態矽膠經由所述另兩側面注入長方體結構,據以有效地排出內部的空氣與水氣。待液態矽膠固化後,再沿長方體結構的前述四個側面,即前述周圍處注入液態塑膠或液態橡膠,待固化後即完成熱電致冷模組100的製作工藝。
綜上所述,在本發明的上述實施例中,熱電致冷模組以填充件配置在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,同時也配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。進一步地說,填充件包括軟質填充部與硬質填充部,其中軟質填充部能有效地將水氣排出熱電致冷模組,而硬質填充部能消除P型熱電單元與N型熱電單元與外環環境的聯絡。據此,填充件能避免P型熱電單元與N型熱電單元因水氣而損壞的可能性,據以提高熱電致冷模組的結構強度與使用壽命。
100:熱電致冷模組 110:供電模組 111:導線一 112:導線二 113:電源 120:導電件 130:絕緣基板 140:填充件 141:軟質填充部 142:硬質填充部 N:N型熱電單元 P:P型熱電單元 S1:吸熱側 S2:散熱側
圖1是依據本發明一實施例的熱電致冷模組的簡單示意圖。 圖2是圖1的熱電致冷模組的部分結構示意圖。 圖3是圖2的熱電致冷模組移除填充件的示意圖。 圖4至圖6繪示熱電致冷模組的部分製作流程示意圖。
100:熱電致冷模組
110:供電模組
111:導線一
112:導線二
113:電源
120:導電件
130:絕緣基板
140:填充件
S1:吸熱側
S2:散熱側

Claims (5)

  1. 一種熱電致冷模組,包括:多個P型熱電單元;多個N型熱電單元;多個導電件,各該導電件電性連接在相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間;以及填充件,配置於相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間,且配置於環繞該些P型熱電單元與該些N型熱電單元的周圍處,其中該填充件包括軟質填充部與硬質填充部,該軟質填充部位於任意相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間,該硬質填充部位於環繞該些P型熱電單元與該些N型熱電單元的周圍處,該軟質填充部的材質是矽膠,該硬質填充部的材質是塑膠或高硬度橡膠。
  2. 如請求項1所述的熱電致冷模組,還包括一對絕緣基板,該些P型熱電單元與該些N型熱電單元陣列地立於該對絕緣基板之間,該些導電件隨該對絕緣基板而呈上層、下層分布。
  3. 如請求項2所述的熱電致冷模組,還包括供電模組,電性連接該些導電件、該些P型熱電單元與該些N型熱電單元,當該供電模組供電至該些P型熱電單元與該些N型熱電單元時,該些P型熱電單元與該些N型熱電單元經由其中一該絕緣基板吸收外部環境的熱量,並經由另一該絕緣基板釋放熱量至所述外部環境。
  4. 如請求項3所述的熱電致冷模組,其中該供電模組包括電源、導線一與導線二,該電源經由該導線一電性連接其中一該N型熱電單元,該電源經由該導線二電性連接其中一該P型熱電單元,以使該電源、導線一、該些N型熱電單元、該些P型熱電單元、該些導電件、該導線二形成電性通路。
  5. 如請求項1所述的熱電致冷模組,其中該填充件是先以液態材一注入任意相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間,以排出空氣與水氣並固化形成該軟質填充部後,再以液態材二注入環繞該些P型熱電單元與該些N型熱電單元的周圍處,並經固化以形成該硬質填充部。
TW111107523A 2022-03-02 2022-03-02 熱電致冷模組 TWI790933B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111107523A TWI790933B (zh) 2022-03-02 2022-03-02 熱電致冷模組
US17/949,221 US20230284530A1 (en) 2022-03-02 2022-09-21 Thermoelectric cooling module

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW111107523A TWI790933B (zh) 2022-03-02 2022-03-02 熱電致冷模組

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI790933B true TWI790933B (zh) 2023-01-21
TW202336954A TW202336954A (zh) 2023-09-16

Family

ID=86670326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111107523A TWI790933B (zh) 2022-03-02 2022-03-02 熱電致冷模組

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230284530A1 (zh)
TW (1) TWI790933B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06174329A (ja) * 1992-10-05 1994-06-24 Saamobonitsuku:Kk 電子冷却装置
JPH08228027A (ja) * 1994-12-22 1996-09-03 Union Material Kk 熱電半導体素子及びその製造方法
JP2000244024A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 熱電素子モジュール

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1104746C (zh) * 1996-05-28 2003-04-02 松下电工株式会社 热电组件的制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06174329A (ja) * 1992-10-05 1994-06-24 Saamobonitsuku:Kk 電子冷却装置
JPH08228027A (ja) * 1994-12-22 1996-09-03 Union Material Kk 熱電半導体素子及びその製造方法
JP2000244024A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Matsushita Electric Works Ltd 熱電素子モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US20230284530A1 (en) 2023-09-07
TW202336954A (zh) 2023-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9748466B2 (en) Wafer scale thermoelectric energy harvester
US20130135824A1 (en) Power Semiconductor Device
US20120001341A1 (en) Semiconductor device
US20150311420A1 (en) Thermoelectric module
US9125322B2 (en) Through-hole mounting system with heat sinking elements clamped to one another against insulating body
TW571415B (en) Double side connected type semiconductor apparatus
US20150179543A1 (en) Three-dimensional integrated circuit structures providing thermoelectric cooling and methods for cooling such integrated circuit structures
US20110309375A1 (en) Semiconductor device
US9490415B2 (en) Integrated thermoelectric generator
US9412929B2 (en) Thermoelectric conversion module
WO2014192199A1 (ja) 半導体装置及びその製造方法
TWI790933B (zh) 熱電致冷模組
US20140131845A1 (en) Semiconductor device
JP3554861B2 (ja) 薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス
JP4927822B2 (ja) 成形可能なペルチェ伝熱素子および同素子製造方法
US20140209141A1 (en) Method for Generation of Electrical Power within a Three-Dimensional Integrated Structure and Corresponding Link Device
JP6982549B2 (ja) 炭化ケイ素半導体装置の製造方法および炭化ケイ素半導体検査装置
JP2012174911A (ja) 熱電変換モジュール
Satoh et al. Sticky thermoelectric materials for flexible thermoelectric modules to capture low–temperature waste heat
JP2016164910A (ja) 熱電発電モジュールおよび熱電発電装置
JP2012089563A (ja) 半導体モジュール
US8039865B2 (en) Light emitting apparatus, and method for manufacturing the same, and lighting system
CN116801697A (zh) 热电致冷模块
JP3580406B2 (ja) 高温度熱電変換素子
JP2018032687A (ja) 熱電モジュール