TWI790933B - 熱電致冷模組 - Google Patents
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- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 3
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenebismuth Chemical compound [Bi]=[Te] PDYNJNLVKADULO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
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- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
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- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
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Abstract
一種熱電致冷模組,包括多個P型熱電單元、多個N型熱電單元、多個導電件以及填充件。各導電件電性連接在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間。填充件配置於相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,且配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。
Description
本發明是有關於一種熱電致冷模組。
熱電材料是一種能夠在沒有其他特定外力或機件的協助下,使熱與電兩種不同型態的能量互相轉換的功能性半導體材料,其主要熱電轉換的模式包括發電效應和致冷效應。
以熱電致冷效應為例,其是以P型半導體與N型半導體串接後通入直流電,以讓其內的載子(電洞或電子)產生不同方向的移動,進而形成溫差。
一般而言,這些P型半導體與N型半導體多以單元陣列方式排列,然這些單元之間因存在間距或空隙,因此外部的水氣容易因此進入,進而造成電性短路。尤其是如上述溫差形成後,容易在冷側產生結露,更是提高水氣進入間距或空隙的可能,甚至對P型半導體與N型半導體造成腐蝕,嚴重影響其使用壽命。
本發明提供一種熱電致冷模組,其在相鄰的熱電單元之間與周圍處加入填充件,以形成無縫結構而有效阻隔水氣滲入。
熱電致冷模組,包括多個P型熱電單元、多個N型熱電單元、多個導電件以及填充件。各導電件電性連接在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間。填充件配置於相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,且配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。
基於上述,熱電致冷模組以填充件配置在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,同時也配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。如此一來,填充件能有效避免P型熱電單元與N型熱電單元因水氣而損壞的可能性,據以提高熱電致冷模組的結構強度與使用壽命。
圖1是依據本發明一實施例的熱電致冷模組的簡單示意圖。圖2是圖1的熱電致冷模組的部分結構示意圖。圖3是圖2的熱電致冷模組移除填充件的示意圖。請同時參考圖1至圖3,在本實施例中,熱電致冷模組100包括多個P型熱電單元P、多個N型熱電單元N、多個導電件120以及填充件140。各導電件120電性連接在相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間。填充件140配置於相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間,且配置於環繞P型熱電單元P與N型熱電單元N的周圍處。
在此,P型熱電單元P與N型熱電單元N例如是以碲化鉍(Bi
2Te
3 )所製成的雜質半導體結構,經由導電件120將兩者電性連接在一起而形成電偶對。
再者,本實施例的熱電致冷模組100還包括供電模組110與一對絕緣基板130,其中絕緣基板130例如是陶瓷基板,P型熱電單元P與N型熱電單元N陣列地立於該對絕緣基板130之間,同時導電件120也隨該對絕緣基板130而呈上層、下層的錯落分布。供電模組110電性串接起導電件120、P型熱電單元P與N型熱電單元N。當供電模組110供電至P型熱電單元P與N型熱電單元N時,P型熱電單元P與N型熱電單元N經由其中一絕緣基板130,如圖1所示位於上層的絕緣基板130,吸收外部環境的熱量,而成為熱電致冷模組100的吸熱側S1。同時,也經由另一絕緣基板130,如圖1所示位於下層的絕緣基板130,釋放熱量至所述外部環境,而成為熱電致冷模組100的散熱側S2。
進一步地說,本實施例的供電模組110包括(直流)電源113、導線一111與導線二112,電源113經由導線一111電性連接其中一N型熱電單元N,電源113經由導線二112電性連接其中一P型熱電單元P,以使電源113、導線一111、P型熱電單元P、N型熱電單元N、導電件120、導線二112形成電性通路。
如圖2所示,本實施例更重要的是,填充件140包括軟質填充部141與硬質填充部142,軟質填充部141位於任意相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間,硬質填充部142位於環繞P型熱電單元P與N型熱電單元N的周圍處。在此以不同型式的剖面線以利於辨識。
圖4至圖6繪示熱電致冷模組的部分製作流程示意圖。請參考圖4至圖6,同時可對照圖2。在本實施例中,軟質填充部141的材質例如是矽膠,硬質填充部142的材質例如是塑膠或高硬度橡膠。首先請參考圖4與圖5並對照圖2,在本實施例中,當熱電致冷模組100製作完成後,其如圖4(或圖3)所示,相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間是存在間距(空隙)的。如前所述,此狀態下的結構特徵常因水氣進入而導致損傷,故而需如圖4所示,先行以液態矽膠注入任意相鄰的P型熱電單元P與N型熱電單元N之間,以排出空氣與水氣並固化形成上述的軟質填充部141。最終,再以液態塑膠或液態橡膠注入環繞P型熱電單元P與N型熱電單元N的周圍處,並經固化而形成上述的硬質填充部142。據此,軟質填充部141能有效排除相鄰熱電單元間的空氣與水氣,而硬質填充部142則進一步地與絕緣基板130形成封閉結構,以有效阻絕這些熱電單元與外部環境的聯絡,同時也能使熱電致冷模組100具備較佳的結構強度。
在此並未限制上述液態材料的注入方式,其可因應熱電致冷模組100的外形結構而予以適當地調整。在本實施例中,熱電致冷模組100是呈長方體結構,因此可參考圖2或圖3,先將所示長方體結構的相鄰兩側面作為基準而使立起長方體結構,而使長方體結構的另兩側面位於上方,前述作為基準的相鄰兩側面通過治具予以支撐並阻擋,而後即可順利地將液態矽膠經由所述另兩側面注入長方體結構,據以有效地排出內部的空氣與水氣。待液態矽膠固化後,再沿長方體結構的前述四個側面,即前述周圍處注入液態塑膠或液態橡膠,待固化後即完成熱電致冷模組100的製作工藝。
綜上所述,在本發明的上述實施例中,熱電致冷模組以填充件配置在相鄰的P型熱電單元與N型熱電單元之間,同時也配置於環繞P型熱電單元與N型熱電單元的周圍處。進一步地說,填充件包括軟質填充部與硬質填充部,其中軟質填充部能有效地將水氣排出熱電致冷模組,而硬質填充部能消除P型熱電單元與N型熱電單元與外環環境的聯絡。據此,填充件能避免P型熱電單元與N型熱電單元因水氣而損壞的可能性,據以提高熱電致冷模組的結構強度與使用壽命。
100:熱電致冷模組
110:供電模組
111:導線一
112:導線二
113:電源
120:導電件
130:絕緣基板
140:填充件
141:軟質填充部
142:硬質填充部
N:N型熱電單元
P:P型熱電單元
S1:吸熱側
S2:散熱側
圖1是依據本發明一實施例的熱電致冷模組的簡單示意圖。
圖2是圖1的熱電致冷模組的部分結構示意圖。
圖3是圖2的熱電致冷模組移除填充件的示意圖。
圖4至圖6繪示熱電致冷模組的部分製作流程示意圖。
100:熱電致冷模組
110:供電模組
111:導線一
112:導線二
113:電源
120:導電件
130:絕緣基板
140:填充件
S1:吸熱側
S2:散熱側
Claims (5)
- 一種熱電致冷模組,包括:多個P型熱電單元;多個N型熱電單元;多個導電件,各該導電件電性連接在相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間;以及填充件,配置於相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間,且配置於環繞該些P型熱電單元與該些N型熱電單元的周圍處,其中該填充件包括軟質填充部與硬質填充部,該軟質填充部位於任意相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間,該硬質填充部位於環繞該些P型熱電單元與該些N型熱電單元的周圍處,該軟質填充部的材質是矽膠,該硬質填充部的材質是塑膠或高硬度橡膠。
- 如請求項1所述的熱電致冷模組,還包括一對絕緣基板,該些P型熱電單元與該些N型熱電單元陣列地立於該對絕緣基板之間,該些導電件隨該對絕緣基板而呈上層、下層分布。
- 如請求項2所述的熱電致冷模組,還包括供電模組,電性連接該些導電件、該些P型熱電單元與該些N型熱電單元,當該供電模組供電至該些P型熱電單元與該些N型熱電單元時,該些P型熱電單元與該些N型熱電單元經由其中一該絕緣基板吸收外部環境的熱量,並經由另一該絕緣基板釋放熱量至所述外部環境。
- 如請求項3所述的熱電致冷模組,其中該供電模組包括電源、導線一與導線二,該電源經由該導線一電性連接其中一該N型熱電單元,該電源經由該導線二電性連接其中一該P型熱電單元,以使該電源、導線一、該些N型熱電單元、該些P型熱電單元、該些導電件、該導線二形成電性通路。
- 如請求項1所述的熱電致冷模組,其中該填充件是先以液態材一注入任意相鄰的該P型熱電單元與該N型熱電單元之間,以排出空氣與水氣並固化形成該軟質填充部後,再以液態材二注入環繞該些P型熱電單元與該些N型熱電單元的周圍處,並經固化以形成該硬質填充部。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111107523A TWI790933B (zh) | 2022-03-02 | 2022-03-02 | 熱電致冷模組 |
US17/949,221 US20230284530A1 (en) | 2022-03-02 | 2022-09-21 | Thermoelectric cooling module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111107523A TWI790933B (zh) | 2022-03-02 | 2022-03-02 | 熱電致冷模組 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI790933B true TWI790933B (zh) | 2023-01-21 |
TW202336954A TW202336954A (zh) | 2023-09-16 |
Family
ID=86670326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW111107523A TWI790933B (zh) | 2022-03-02 | 2022-03-02 | 熱電致冷模組 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230284530A1 (zh) |
TW (1) | TWI790933B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06174329A (ja) * | 1992-10-05 | 1994-06-24 | Saamobonitsuku:Kk | 電子冷却装置 |
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JP2000244024A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 熱電素子モジュール |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1104746C (zh) * | 1996-05-28 | 2003-04-02 | 松下电工株式会社 | 热电组件的制造方法 |
-
2022
- 2022-03-02 TW TW111107523A patent/TWI790933B/zh active
- 2022-09-21 US US17/949,221 patent/US20230284530A1/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20230284530A1 (en) | 2023-09-07 |
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