TWI787297B - 具有散熱的光學收發器 - Google Patents

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大衛 郎山姆
金格徐 Ｈ 沙
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Abstract

一種光學收發器係在一積體電路(IC)晶粒以及一和該IC晶粒電性連通的光學元件之間提供實質的熱隔離。該IC晶粒係進一步和一支承該光學元件以及該IC晶粒的基板電性連通。該收發器係包含一IC散熱片，其係被配置以耗散從該IC晶粒產生的熱。該IC晶粒以及該光學元件可以與彼此實質熱隔離，以便於避免從該IC晶粒所產生的熱造成該些光學元件的過熱。

Description

具有散熱的光學收發器
本發明關於具有散熱的光學收發器。
相關申請案的交互參照
此申請案係主張2017年6月30日申請的美國臨時專利申請案序號62/527,711、以及2018年1月8日申請的美國臨時專利申請案序號62/614,626的優先權，該些美國臨時專利申請案的每一個的揭露內容係藉此如同以其整體被闡述於此地被納入作為參考。
光學收發器一般係包含一光學發送器以及一光學接收器。該光學發送器典型係接收電性信號，並且啟動一光源以產生對應於該接收到的電性信號的光學載波信號以用於一光學通訊系統。該光源通常是一雷射光源，例如是一VCSEL或是某種其它類型的雷射。該光學發送器通常係包含一積體電路(IC)晶粒，該IC晶粒係被配置為一電連接至該VCSEL並且驅動該VCSEL的脈動的驅動器。然而，VCSEL的效能係因為操作在高溫下而劣化。根據所用的VCSEL的類型，在超過70℃、80℃或85℃的溫度下操作VCSEL可能會導致不能接受的VCSEL使用壽命或是電性至光學的轉換效率。一般而言，該VCSEL操作溫度的上限係顯著地低於一IC的操作溫度限制，該IC可能是位在相鄰該VCSEL之處。例如，該IC可能具有一100℃的操作溫度限制。儘管該IC可以承受一較高的操作溫度，但其通常係產生比該VCSEL高一個數量級的廢熱。例 如，該IC在操作中可能會產生2.0W的廢熱，而該VCSEL可能只產生0.1W的廢熱。
該光學接收器一般包含一或多個光檢測器，其係從一光纜接收光學信號，並且轉換該光學信號成為電性信號，該些電性信號可以具有成比例於在該些光學信號中接收到的每單位時間的光子的數量的電流位準。該光學接收器通常進一步包含一電流至電壓轉換器，例如一跨阻抗放大器(TIA)，其係放大該些電性信號成為在資料通訊系統中可利用的電壓位準。該TIA通常是被建構為一積體電路(IC)晶粒。提供該TIA的IC晶粒可以是與提供該VCSEL驅動器相同的IC晶粒、或是該IC晶粒可以根據需要而為分開的IC晶粒。該些光檢測器通常被配置為光二極體，其在高的操作溫度下係如同該些VCSEL受到不利的影響。該發送器的光源以及該接收器的光二極體可以大致被稱為光學元件，因為它們都是牽涉到一電性信號至一光學信號的轉變、或者反之亦然。
儘管該些光學元件的效能係受到高的操作溫度不利地影響，但將這些構件設置成相鄰其個別的產生及/或接收高速的電性信號的IC晶粒通常是所期望的。該些高速的電性信號可以是具有通訊速率大於10Gpbs的數位信號，並且在某些情形中例如是28Gpbs、56Gpbs的顯著較高的速率、或甚至是更高的資料速率。為了在這些高速的信號上維持可接受的信號完整性，使得在該IC以及該些光學元件之間的導電的電性路徑盡可能的短是所期望的。一種製造一導電的電性路徑的便利的低成本的方法是利用引線接合，其係電連接位在一IC晶粒的頂端上的導電的墊以及在一光學元件上的導電的墊。
因此，有需要提供一熱路徑以耗散在操作期間，由該些緊密設置的光學元件以及電性構件所產生的熱。亦有需要在該IC以及光學元件之間提供熱隔離，使得由該IC產生的熱並不會升高該些光學元件的溫度超出其操作限制。
在本揭露內容的一特點中，一種光學收發器係包含一基板，其係界定彼此沿著一橫斷的方向相對的一上表面以及一下表面、以及至少一被設置在該上表面上的第一電性墊。該收發器亦可包含一IC散熱片、以及一和該IC散熱片熱連通的IC晶粒、一被設置在該IC晶粒上的第一群組的至少一IC電性墊、以及一被設置在該IC晶粒上的第二群組的至少一IC電性墊。該收發器亦可包含一導熱體、以及一和該導熱體熱連通的光學元件。該收發器亦可包含至少一被設置在該光學元件上的光學元件電性墊。該收發器亦可包含至少一第一電性導體，其係從該基板的該至少一第一電性墊的一個別的第一電性墊延伸至該第一群組的該至少一IC電性墊的一個別的IC電性墊。該收發器亦可包含至少一第二電性導體，其係從該第二群組的該至少一IC電性墊的一個別的IC電性墊延伸至該至少一光學元件電性墊的一個別的光學元件電性墊。
20‧‧‧光學收發器
22‧‧‧收發器基板
24‧‧‧電性構件
26‧‧‧IC晶粒
28‧‧‧光學元件
30‧‧‧光源
34‧‧‧IC散熱片
35‧‧‧凸起的區域
36‧‧‧光學元件散熱片
37‧‧‧末端區域
38‧‧‧基板主體
38a‧‧‧第一基板主體
38b‧‧‧第二基板主體
39‧‧‧中間的區域
40‧‧‧上表面
41‧‧‧上表面
42‧‧‧下表面
44‧‧‧側向的邊緣
45‧‧‧選擇方向
46‧‧‧縱長邊緣
48‧‧‧安裝區域
50‧‧‧安裝孔
52‧‧‧第一電性墊
53‧‧‧電性線路
54‧‧‧第二電性墊
55‧‧‧傳熱區域
56‧‧‧缺口
58‧‧‧第一腳及第二腳
60‧‧‧凹陷邊緣
62‧‧‧上表面
64‧‧‧下表面
65‧‧‧基底
66‧‧‧底座
68‧‧‧IC電性墊
68a‧‧‧第一群組
68b‧‧‧第二群組
69‧‧‧第一邊緣
70‧‧‧選擇邊緣
71‧‧‧第二邊緣
72‧‧‧光學元件電性墊
73‧‧‧方向
74a‧‧‧第一電性導體
74b‧‧‧第二電性導體
75‧‧‧光學元件安裝區域
76‧‧‧散熱器
76a‧‧‧第一區段
76b‧‧‧第二區段
77‧‧‧下方的散熱器表面
78‧‧‧導熱層
79‧‧‧末端區域
80‧‧‧中央導熱層
81‧‧‧傳熱區域
82‧‧‧週邊柱
83‧‧‧間隙
84‧‧‧中央柱
85‧‧‧第一散熱路徑
85a‧‧‧第一區段
85b‧‧‧第二區段
85c‧‧‧第三區段
86‧‧‧散熱結構
87‧‧‧第二散熱路徑
88‧‧‧凹陷區域
89‧‧‧安裝孔
90‧‧‧突起
91‧‧‧凸起的區域
93‧‧‧缺口
95‧‧‧間隙
96‧‧‧槽
98‧‧‧邊界
100‧‧‧導熱體
102‧‧‧上表面
104‧‧‧下表面
106‧‧‧板孔
107‧‧‧中間的區域
108‧‧‧隔熱槽
109‧‧‧終端/末端
110‧‧‧第一區域
112‧‧‧第二區域
114‧‧‧凹陷部分
116‧‧‧傾斜的部分
A‧‧‧側向的方向
L‧‧‧縱長方向
T‧‧‧橫斷的方向
圖1A是根據一例子的一種光學收發器的一部分的分解立體圖；圖1B是在圖1中所描繪的一種光學收發器的部分的立體圖；圖1C是根據另一例子所建構的一種光學收發器的部分的立體圖；圖2是根據一實施例所建構的一收發器基板的概要的俯視平面圖；圖3A是根據一實施例的在圖2中所描繪的收發器基板的俯視平面圖，但其係包含一對缺口；圖3B是根據一替代實施例的在圖3A中所描繪的收發器基板的一部分的分解的俯視平面圖，但其係包含一對缺口； 圖4A是一IC散熱組件的概要的俯視平面圖，其係包含一IC散熱片以及一藉由該IC散熱片支承的IC晶粒；圖4B是在圖4A中所描繪的IC散熱組件沿著線4B-4B所取的截面的側立視圖；圖4C是在圖4A中所描繪的IC散熱組件沿著線4C-4C所取的截面的側立視圖；圖5A是一光學元件散熱組件的概要的俯視平面圖，其係包含一光學元件散熱片以及一藉由該光學元件散熱片支承的光學元件；圖5B是在圖5A中所描繪的光學元件散熱組件沿著線5B-5B所取的側立視圖；圖5C是在圖5A中所描繪的光學元件散熱組件沿著線5C-5C所取的側立視圖；圖6是一種光學收發器的一部分的概要的俯視平面圖，其係包含被安裝至圖3A中所描繪的收發器基板的圖4A所描繪的IC散熱組件以及圖5A的光學元件散熱組件；圖7A是在圖6中所描繪的光學收發器的部分沿著線7A-7A所取的截面的側立視圖；圖7B是類似於圖7A的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係展示該IC晶粒處於一傾斜的位置；圖7C是類似於圖7A的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係包含在圖3B中所描繪的收發器基板；圖8A是在圖6中所描繪的光學收發器的部分沿著線8A-8A所取的截面的側立視圖，其係描繪該電性構件的一散熱路徑；圖8B是類似於圖8A的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係展示該 收發器基板為包含一和IC散熱片熱連通的導熱層；圖8C是類似於圖8B的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係展示該收發器基板為包含一和該IC晶粒以及該IC散熱片熱連通的導熱的中央層、以及和該IC散熱片熱連通的週邊導熱層；圖9A是該光學收發器的一部分的截面的側立視圖，其係描繪該光學元件的一散熱路徑；圖9B是根據一替代實施例的光學收發器的俯視平面圖；圖10A是在一實施例中的圖9A中所描繪的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係包含一散熱器；圖10B是類似於圖10A的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係展示根據一替代實施例所建構的散熱器；圖11是根據一替代實施例的一種包含一分開的散熱片的光學收發器的一部分的俯視平面圖；圖12A是根據又一例子的一種包含一導熱體的光學收發器的一部分的分解立體圖，其係包含一分開至少一光學元件與一IC晶粒的槽、以及一和該導熱體熱連通的散熱片，以便於建立導熱的一路徑；圖12B是在圖12A中所描繪的光學收發器的部分的立體圖；圖12C是在圖12A中所描繪的光學收發器的部分的截面的側立視圖，其係展示該IC散熱片接觸該導熱體；圖12D是類似於圖12C的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係展示該導熱體具有不同高度的第一及第二區域，以便於增加該光學元件的高度；圖12E是類似於圖12C的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係展示該導熱體在另一例子中具有不同高度的第一及第二區域，以便於減小該IC晶粒的高度； 圖12F是類似於圖12C的光學收發器的部分的截面的側立視圖，但其係展示該導熱體支承處於一傾斜的位置的IC晶粒；圖13A是該導熱體的俯視左正面立體圖；圖13B是該導熱體的仰視右後立體圖；圖13C是該導熱體的俯視平面圖；圖13D是該導熱體的仰視平面圖；圖13E是該導熱體的前立視圖；圖13F是該導熱體的後立視圖；圖13G是該導熱體的右側立視圖；以及圖13H是該導熱體的左側立視圖。
最初是參考到圖1A-1C，一種光學收發器20係包含一收發器基板22、以及至少一藉由該基板22所支承的光學元件28。如同在此所用的術語"至少一個"係指包含一個的例子、以及包含複數個的例子。再者，除非另有指出，否則參考到在此所述的一元件的對於"一"或"該"的參照亦可以包含複數個該元件。類似地，參考到在此所述的一元件的對於"複數個"的參照亦可以包含單一元件。因此，除非另有指出，否則該些術語"一"或"一個"或"該"、該術語"至少一個"以及該術語"複數個"在此可以是可交換地使用。
在一例子中，該光學收發器20可包含一光學發送器。該光學發送器可被配置以接收電性信號，並且啟動一光源以產生對應於該接收到的電性信號的光學載波信號以用於一光學通訊系統。因此，該光學收發器可包含一電性構件24。該電性構件24可被配置為一電性發送器構件。譬如，該電性發送器構件可被配置為一積體電路(IC)。該積體電路可被建構為一IC晶粒26。因此， 對於該積體電路的參照可以適用於該IC晶粒26，並且反之亦然。該發送器以及因此該光學收發器20的光學元件28可被配置為至少一光源30，其係產生並且發射對應於該接收到的電性信號的光學載波信號。該光源通常是一雷射光源，例如是一VCSEL或是一替代類型的雷射。該IC晶粒26可以和該收發器基板22以及該光源30兩者電性連通。因此，該IC晶粒26可被配置為一光源驅動器，其係驅動該光源30的脈動。因此，該IC晶粒26係和該光學元件28電性連通。該光源的效能在高的操作溫度下可能會受到不利地影響。應該體認到的是，該至少一光學元件可以根據需要而包含複數個光學元件。通常是包含有複數個光源30。
儘管該光學收發器20的各種的元件已經相關一光學發送器來加以敘述，但應該體認到的是該光學收發器20可以替代或額外地包含一光學接收器。該光學接收器係被配置以接收光學信號，並且轉換該接收到的光學信號成為適合用於在一資料通訊系統中發送的電性信號。因此，該光學元件28可被配置為一陣列的光檢測器，其係從一光纜接收光學信號，並且轉換該些光學信號成為電性信號，該些電性信號可以具有與在該些光學信號中接收到的每單位時間的光子數量成比例的電流位準。該些光檢測器可被配置為光二極體，其效能在高的操作溫度下可能會受到不利地影響。該電性構件24可被配置為一電流至電壓轉換器，例如是一跨阻抗放大器(TIA)，其係從該些光檢測器接收該些電性信號，放大該些電性信號至資料通訊系統中可用的電壓位準。該TIA可被建構為一IC晶粒，使得該IC晶粒26可被配置為一TIA。提供該TIA的IC晶粒26可以是和提供該光源驅動器相同的IC晶粒26。或者是，分開的IC晶粒可以分別界定該TIA以及該光源驅動器。應該體認到的是，該些光學元件28可以根據需要來包含至少一光源30以及至少一光檢測器的一或兩者。
如同從以下的說明將會體認到的，相較於習知的光學收發器，該光學收發器20係包含一散熱系統，其係容許從該IC晶粒26以及該光學元件28 兩者所產生的熱能夠耗散，同時消除從該IC晶粒26至該光學元件28的傳熱、或是降低該傳熱至不會不利地影響該光學元件28的操作的位準。該散熱系統可包含一IC散熱片34，其可被安裝或者是耦接至該基板22。尤其，該IC散熱片34可以藉由任何適當的附接構件，例如是一或多個緊固件、焊料、黏著劑、或類似者來機械式地耦接至該基板22。因此，可以說成是該IC散熱片34可以藉由該基板22所支承的、或是耦接至該基板22。或者是，該IC散熱片34可以根據需要用任何適當的替代的方式來加以支承，以便於被設置在一與該基板22並排的位置處。該IC散熱片34亦可被稱為一電性構件散熱片。譬如，該IC散熱片34在被納入一光學發送器中時可被稱為一驅動器散熱片。替代或是額外地，該IC散熱片34在被納入一光學接收器中，而使得該電性構件是一電流至電壓轉換器時可被稱為一轉換器散熱片。因為該電流至電壓的轉換可被配置為一TIA，因此該IC散熱片34亦可被稱為一TIA散熱片。
該IC散熱片34可以是和該IC晶粒26熱連通，並且因此被配置以從該IC晶粒26散熱。譬如，該IC晶粒26可被安裝在該IC散熱片34之上。該散熱系統可進一步包含一和該光學元件28熱連通的導熱體100。譬如，該光學元件28可被安裝在導熱體100之上。該導熱體100可被配置以從該光學元件28散熱。就此點而言，該導熱體100在某些例子中可被稱為一光學元件散熱片36。因此，除非另有指出，否則該術語"導熱體"以及"光學元件散熱片"可以是可交換地被使用。在如同在以下參考圖12A-12F敘述的某些例子中，該IC晶粒26亦可被安裝到該導熱體100之上。該光學元件散熱片36在被納入一光學發送器中時亦可被稱為一光源散熱片。替代或是額外地，該光學元件散熱片36在被納入一光學接收器中時亦可被稱為一光檢測器散熱片。在一例子中，該導熱體100可被配置為一導熱板。該導熱體100可被設置成相鄰該IC散熱片34。
該IC散熱片34以及該導熱體100可以是由一種具有高導熱度的材 料所製成的，例如是金屬或陶瓷。在某些實施例中，該IC散熱片34可以具有一熱膨脹係數是實質匹配該IC晶粒26的熱膨脹係數。類似地，該光學元件散熱片36可以具有一熱膨脹係數是實質匹配該光學元件28。一非限制性的可被使用作為該IC散熱片34的材料的表列係包含銅、銅鎢、鉬、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、鑽石、鋁氮化物、奈米碳管、硼氮化物、石墨、銀、或是任何其它普遍使用於需要散熱的應用的材料。類似地，一非限制性的可被使用作為該導熱體100的材料的表列係包含銅、銅鎢、鉬、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、鑽石、鋁氮化物、奈米碳管、硼氮化物、石墨、銀、或是任何其它普遍使用於需要散熱的應用的材料。該IC散熱片34可以是由和該光學元件散熱片36相同的材料所做成的。或者是，該IC散熱片34可以是由一種不同於該光學元件散熱片36的材料所做成的。該IC散熱片34可以具有一種異質的結構，例如是具有一相鄰該IC晶粒26的鑽石層以進一步協助從該IC晶粒26移除熱。類似地，該光學元件散熱片36可以具有一種異質的結構，例如是具有一相鄰該光學元件28的鑽石層以進一步協助從該光學元件28移除熱。
現在參照圖1A-2，該收發器基板22係被配置以支承該積體電路以及該光學元件28。譬如，該積體電路可以藉由該IC散熱片34來加以支承，其於是藉由該基板22來加以支承、或者是耦接至該基板22。因此，可以說成是該積體電路係藉由該基板22來加以支承。類似地，該光學元件28可以藉由該光學元件散熱片36來加以支承，其於是藉由該基板22來加以支承、或者是耦接至該基板22。因此，可以說成是該光學元件係藉由該基板22來加以支承。如上所述，該積體電路可被配置為該IC晶粒26。因此，該基板22可被配置以支承該IC晶粒26。該收發器基板22在一例子中可被配置為一印刷電路板。該收發器基板22係具有一基板主體38，其係界定一第一或上表面40以及一沿著一橫斷的方向T與該上表面相對的第二或下表面42(參見圖7A)。該上表面可被說成是被設置 在該下表面42之上。類似地，該下表面42可被說成是被設置在該上表面40之下。因此，除非另有指出，否則如同在此所用的術語"上方的"、"向上"、"之上"以及其之衍生語可以是指從該下表面42至該上表面40的一方向。類似地，除非另有指出，否則如同在此所用的術語"下方的"、"向下"、"之下"以及其之衍生語可以是指從該上表面40至該下表面42的一方向。儘管該橫斷的方向T在圖式中係為了清楚及便利性起見而被描繪為一垂直的方向，但所體認到的是該橫斷的方向T的方位可以在使用期間改變。
該導熱體100係界定一第一或上表面102以及一沿著該橫斷的方向T與該上表面102相對的第二或下表面104。該導熱體100可被安裝至該基板22的上表面40、或者是耦接至該基板22、或是藉由該基板22所支承的，使得該下表面104係面對該基板22的上表面40。因此，除非另有指出，否則如同在此所用的術語"上方的"、"向上"、"之上"以及其之衍生語可以是指從該下表面104至該上表面102的一方向。類似地，除非另有指出，否則如同在此所用的術語"下方的"、"向下"、"之下"以及其之衍生語可以是指從該上表面102至該下表面104的一方向。儘管該橫斷的方向T在圖式中係為了清楚及便利性起見而被描繪為一垂直的方向，但所體認到的是該橫斷的方向T的方位可以在使用期間改變。
該基板主體38係進一步界定兩對相對的第一及第二外側的邊緣。尤其，該基板主體38可以定義相對的第一及第二外側的側向的邊緣44，其係與彼此沿著一側向的方向A間隔開，該側向的方向A係被定向成實質垂直於該橫斷的方向T(參見圖6)。該基板主體38係進一步界定與彼此沿著一縱長方向L間隔開的相對的第一及第二外側的縱長邊緣46，該縱長方向L係被定向成實質垂直於該橫斷的方向T以及該側向的方向A的每一個。該基板22係界定一沿著該橫斷的方向從該上表面40至該下表面42量測的厚度。該基板22係界定一沿著該側向的方向A從該些側向的邊緣44中之一至該些側向的邊緣44的另一個量測的 寬度。該基板22係界定一沿著該縱長方向L從該些縱長邊緣46中之一至該些縱長邊緣46的另一個量測的長度。該厚度係小於該寬度以及該長度。該寬度可以是小於該長度。該上表面40以及下表面42分別可以沿著由該縱長方向L以及該側向的方向A兩者所界定的個別的平面而被定向。
該IC散熱片34可包含至少一凸起的區域35。在一例子中，如同在圖1A-1B中所繪的，該凸起的區域35可以其整體而被設置在該基板22之下。或者是，如同在圖1C中所繪，該凸起的區域可以延伸在該基板22的下表面42之上。譬如，該凸起的區域35可以延伸在該基板22的上表面40之上。因此，該凸起的區域35可以延伸至一高度，使得該基板22的上表面40係被設置在該下表面42以及該IC散熱片34在該凸起的區域35的一上表面62之間。在一例子中，該IC散熱片34可包含相對的凸起的區域。該些凸起的區域35可被設置在該IC散熱片34的個別的末端處。因此，該些凸起的區域35可被設置在該IC散熱片34的個別的末端區域37處。因此，該些末端區域37可被說成是界定該些凸起的區域35。或者是，該些末端區域37可以沒有凸起的區域，使得該IC散熱片34在該些末端區域的上表面62並不高於該IC散熱片34在一延伸至一底座66(參見圖4A-4C)的中間的區域的上表面62。該些末端區域37可以沿著一選擇方向45來界定該IC散熱片的終端。該些末端區域37可以同樣地沿著該選擇方向45來與彼此對齊。在以下更詳細敘述的某些例子中，該些末端區域37可以沒有凸起的區域35。該些凸起的區域35可以與彼此沿著該選擇方向45間隔開。該選擇方向45可以沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面來加以界定。該些凸起的區域35可以相鄰該基板22的第一及第二相對的外側的邊緣來加以設置，使得該些外側的邊緣係相關該選擇方向45而被設置在該些凸起的區域35之間。在一例子中，該基板22都沒有沿著該選擇方向45，相對於該些凸起的區域35向外延伸。譬如，該第一及第二相對的外側的邊緣可以沿著其個別的整個長度都是連續直 線且線性的。
在一例子中，該IC散熱片34可被定向成使得該選擇方向45係由該側向的方向A所界定的。於是，該些凸起的區域35可以是與彼此沿著該側向的方向A間隔開。因此，該些凸起的區域35可以同樣地與彼此沿著該側向的方向A對齊。因此，該第一及第二相對的外側的邊緣可以是藉由該些側向的邊緣44所界定的。該些側向的邊緣44可以是從相對的縱長邊緣46到縱長邊緣46實質連續直線且線性的，使得該些凸起的區域35的側向最外側的邊緣係相對於該些相對的側向的邊緣44的個別的整體而被設置在板外。
然而，應該體認到該選擇方向45可以根據需要而為任何適當的方向。譬如，該選擇方向45可以是藉由該縱長方向L所界定的。於是，該些凸起的區域35可以與彼此沿著該側向的方向A間隔開。再者，該些凸起的區域35可以與彼此沿著該側向的方向L對齊。因此，該第一及第二相對的外側的邊緣可以是藉由該些縱長邊緣46所界定的。該些縱長邊緣46可以是從該些相對的側向的邊緣44到側向的邊緣44實質連續直線且線性的，使得該些凸起的區域35的側向最外側的邊緣係相對於該些相對的縱長邊緣46的個別的整體而被設置在板外。
繼續參考到圖1A-2，該基板22可以界定一被配置以支承該積體電路的安裝區域48。在一例子中，該安裝區域48可以是藉由一安裝孔50所界定的，該安裝孔50係沿著該橫斷的方向T，從該上表面40至該下表面42延伸穿過該基板主體38。如以下更詳細所述的，該IC晶粒26可被安裝到該IC散熱片34的一部分之上，該IC散熱片34係接著被設置在該安裝孔50中。該安裝孔50可以具有沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面的一封閉的週邊。該封閉的週邊可以是藉由該基板主體38所界定的。
該基板22可進一步包含至少一被設置在該上表面40上的第一電 性墊52，例如是複數個第一電性墊52。在一例子中，該些電性墊52以及在此所述的所有電性墊都可被配置為引線接合墊，其係被配置以在無任何額外的填充物或例如是焊料、導電的環氧樹脂、或類似者的接合劑之下附接至一電性導體。該些電性墊52可被設置成相鄰該安裝孔50。尤其，如同在以下更詳細描述的，該些電性墊52可被設置成接近該安裝孔50的週邊，以便於最小化一電性導體從該電性墊52沿著該橫斷的方向T延伸至被設置在該安裝孔50中、或是與該安裝孔50對齊的IC晶粒26的一距離。
再者，該些電性墊52可以界定基準標記，其係使得該安裝孔50相對於該些電性墊52的精確的定位變得容易。尤其，該安裝孔50可以在該收發器基板22中的一位置處加以產生，使得該安裝孔50的週邊係與該些電性墊52間隔開在一預設的距離處。
該安裝孔50的最終的尺寸可以根據需要來用任何適當的方式加以形成，以便於界定該安裝孔50的週邊。譬如，該安裝孔50的最終的尺寸可以藉由雷射切割來加以形成，其中一高能的雷射射束係被掃描橫跨該基板22的表面，以準確地從該基板主體38移除材料。或者是，該安裝孔50的最終的尺寸可以藉由水刀切割、習知的切割、或是任何適當的替代的製造技術來加以形成。相較於利用傳統機械式切割方法可獲得的，某些製造方法係提供更精確的尺寸的容限。例如，該安裝孔50沿著該側向的方向A以及該縱長方向L的尺寸可以利用雷射切割而在±25微米(±0.001")之內加以製造。類似地，在該安裝孔50的週邊與該些電性墊52之間的距離可以具有一±25微米(±0.001")的容限。在從該電性墊52至該安裝孔50之間的距離可以是在一從約50微米到約300微米的範圍內，例如是從約75微米到約200微米，並且尤其是約100微米(0.004")。所體認到的是，如同在此所述的術語"實質"以及"約"係體認到各種的距離及量測可能會由於包含製造容限的一些原因而不會總是剛好的。應該進一步體認到的是，在 此提出的距離及量測只是舉例而已，因而除非在此另有指出，否則本揭露內容並不欲被解釋為受限制於這些例子。譬如，如同在此所用的術語"實質"以及"約"可包含高達10%的所述值的變化。該安裝孔50可以被製作尺寸以使得該IC晶粒26在該IC晶粒26與該安裝孔50的週邊之間(尤其是相鄰該些電性墊52的區域)的最小間隙下緊密地裝入該安裝孔50中。例如，用於該IC晶粒26以及安裝孔50的一代表性的尺寸可以是具有一約3mm的寬度以及約5mm的長度，儘管較小及較大的IC晶粒以及安裝孔都可被使用。
現在參照圖3A，該基板22可包含至少一第二電性墊54，例如是複數個第二電性墊54。該些第二電性墊54可被設置在該基板22的上表面40上。當然，應該體認到該第一及第二電性墊52及54可以藉由該基板22的任何表面(包含該上表面40以及該下表面42)來加以承載。該些第二電性墊54可被設置在相對於該安裝孔50以及該IC晶粒26的遠端。就此點而言，該基板22的第一電性墊52可被稱為近端的電性墊，因為它們係被設置在接近該安裝孔50以及該IC晶粒26之處。該基板22的第二電性墊54可被稱為遠端的電性墊。該些第二電性墊54可被設置成相鄰該基板22的外側的邊緣中之一邊緣。譬如，該些第二電性墊54可被設置成相鄰該些縱長邊緣46中之一邊緣。該基板22可包含一或多個藉由該基板主體38所承載的電性線路53，其係分別和該些近端的電性墊52以及該些遠端的電性墊54的個別的電性墊電性連通。因此，該基板22可被配置以在該一或多個第二電性墊54以及該一或多個近端的電性墊52之間發送高速的電性信號。
該些第二電性墊54可被設置以電性及機械式接觸一電連接器。該電連接器可被配置為一邊緣卡連接器。在一例子中，該邊緣卡連接器可以是如同由主要業務地是在印第安納州New Albany的Samtec Inc.所製造的UEC5連接器。因此，當該電連接器和該些遠端的電性墊54電性連通，並且該IC晶粒26被設置成和該些近端的電性墊52電性連通時，該電連接器係被設置成和該IC晶粒 26電性連通。
如同在圖3B中所繪，該基板22可以界定至少一傳熱區域55。尤其，該傳熱區域55可被配置以使得沿著該橫斷的方向T透過該基板22的傳熱變得容易。該傳熱區域55係從該安裝區域48沿著該縱長方向L以及該側向的方向A的一或兩者偏置的。因此，可以說成是該傳熱區域55係從該安裝區域48沿著一方向偏置的，該方向係沿著一於是藉由該基板22的上表面40所界定的平面延伸的。類似地，可以說成是該傳熱區域55係從該安裝區域48沿著一方向偏置的，該方向係沿著一於是藉由該基板22的下表面42所界定的平面延伸的。因此，該方向可以是藉由該縱長方向L以及該側向的方向A的一或兩者所界定的。在一例子中，該至少一傳熱區域55可包含至少一開口，該開口係沿著該橫斷的方向T延伸穿過該基板22。該開口可被配置為一缺口56，其係沿著該選擇方向延伸到該第一及第二相對的外側的邊緣中的一個別的至少一邊緣內。譬如，該基板22可以界定一對缺口56，其係沿著該選擇方向延伸到該第一及第二相對的外側的邊緣中的個別的邊緣內。如同從以下的說明將會體認到的，該IC散熱片34可以延伸到該至少一缺口56(例如是該些缺口56的每一個)中，以沿著該橫斷的方向T向上透過該基板22來傳熱。
因此，該基板22可以界定一個別的凹陷邊緣60，其係被設置在該基板22的外側的邊緣的相鄰的區段之間以界定每一個缺口56。該些缺口56可以是與彼此沿著該選擇方向間隔開。譬如，該些缺口56可以與彼此沿著該選擇方向對齊。當該些缺口56沿著該側向的方向A延伸到該基板主體38中時，該基板22沿著該側向的方向A從該第一及第二相對的側向的邊緣44到側向的邊緣44的寬度係大於從該些相對的凹陷邊緣60沿著該側向的方向A到凹陷邊緣60的距離。
在一例子中，該些缺口56係具有一沿著該選擇方向45的深度， 其係大於或等於該些個別的凸起的區域35沿著該選擇方向的個別的長度。因此，該IC散熱片34的整體可以相關該選擇方向而被設置在該相對的第一及第二外側的邊緣之間。或者是，該IC散熱片34的沿著該選擇方向45的相對的外表面可以是與該基板22的沿著該選擇方向與彼此相對的邊緣實質對齊。不論該相對的第一及第二外側的邊緣是否為實質直線且連續的、或是缺口的，該IC散熱片34都在該基板22的上表面40與該基板的下表面42之間提供一具有低熱阻的熱路徑。
如上所述，在一例子中，該選擇方向45可以是藉由該側向的方向A所界定。因此，該些缺口56可以延伸到該些外側的側向的邊緣44中。或者是，該選擇方向45可以是藉由該縱長方向L所界定。因此，該些缺口56可以延伸到該些外側的縱長邊緣46中。
如同在圖1A-2中所繪，該基板主體38可以是單一單石基板主體，其係界定該些相對的側向的邊緣44以及該些相對的縱長邊緣46的個別的整體。或者是，現在參照圖3B，該基板22可以是一複合的基板，其係包含複數個(亦即，至少兩個)基板主體，其係結合以界定該些相對的側向的邊緣44以及該些相對的縱長邊緣46的整體。譬如，該基板22可包含第一及第二個別的基板主體38a及38b，其係結合以界定該些相對的側向的邊緣44以及該些相對的縱長邊緣46的個別的整體。因此，可以說成是該基板22可包含至少一界定該些相對的側向的邊緣44以及該些相對的縱長邊緣46的個別的整體的基板主體。
該第一基板主體38a可以界定該些近端及遠端的電性墊52及54、以及延伸在該些近端及遠端的電性墊52及54之間的電性線路。該第一及第二基板主體38a及38b可以結合以界定該安裝孔50。譬如，該第一及第二基板主體38a及38b中之一可以界定相對的第一及第二腳58，其係在該第一及第二基板主體38a及38b被結合在一起時，界定該安裝孔50的外側的週邊的個別的部分。該些 腳58可以是藉由該第一及第二基板主體38a及38b中之一所界定的。或者是，該些腳58中之一可以是藉由該第一基板主體38a所界定，而該些腳58的另一個可以是藉由該第二基板主體38b所界定。因此，可以說成是該第一及第二基板主體38a及38b的每一個可以界定該安裝孔50的至少一部分。
類似地，包含該第一及第二基板主體38a及38b的基板22亦可以界定該些缺口56。尤其，該些缺口56可以是藉由該第一及第二基板主體38a及38b中的至少一個所界定的。譬如，該第二基板主體38b可以界定相對的凹陷邊緣60，其係界定該些缺口56的個別的最內側的邊界。或者是，該第一基板主體38a可以界定該些凹陷邊緣60。又或者是，該第一基板主體38a可以界定該些凹陷邊緣60中之一，而該第二基板主體38b可以界定該些凹陷邊緣60的另一個。又或者是，該第一及第二基板主體38a及38b的每一個可以界定該些凹陷邊緣60的至少一或兩者的一個別的部分。在另一例子中，該複合的基板22可以是沒有缺口的。
現在參照圖4A-4C，該IC散熱片34係界定一中間的區域39，其係延伸在該些末端區域37之間。譬如，該中間的區域39可以從該些末端區域37中之一延伸至該些末端區域37的另一個。該IC散熱片34係界定一第一或上表面62、以及一沿著該橫斷的方向T與該上表面62相對的第二或下表面64。該IC晶粒26可被安裝至該IC散熱片34的上表面。尤其，該IC晶粒26可被安裝至該IC散熱片34在該中間的區域39的上表面。
在一例子中，該IC散熱片34可以界定一基底65以及一從該基底65向上延伸的底座66。該基底65可以是沿著該選擇方向45為細長的。該些凸起的區域35亦可以從該基底65向上延伸。因此，該IC散熱片34在該底座66的上表面62可被設置成高於該IC散熱片34在一介於該底座66與該些末端區域37的每一個之間的位置處的中間的部分的上表面62。該IC散熱片34在該中間的部分的上 表面62可以延伸到低於該基板22的下表面。該IC晶粒26可以利用一導熱的環氧樹脂、焊料、或是任何適當的替代的附接機構而被安裝至該IC散熱片34，其係在該IC晶粒26以及該IC散熱片34之間提供一低熱阻路徑。譬如，該IC晶粒可被安裝至該底座66。尤其，該IC晶粒26可以在該上表面62被安裝至該底座66。即使該IC晶粒26係被設置在該基板22的上表面之上，但是該IC晶粒26仍然可被說成是被安裝在該安裝區域48，因為該IC晶粒26係被安裝到延伸穿過該安裝孔50的結構。因此，可以說成是該底座66以及該IC晶粒26中的至少一個係至少延伸到該安裝孔50之中、或是穿過該安裝孔50。
再次參照圖1A-1B，該導熱體100可進一步包含一板孔106，該板孔106係從該上表面102延伸穿過其而至該下表面104。該板孔106可以被製作尺寸以接收該IC散熱片34的底座66以及該IC晶粒26的一或兩者。如上相關該基板22的安裝孔50所述的，該板孔106可被製作尺寸以使得該IC晶粒26係在該IC晶粒26以及該板孔106的週邊之間，特別是在相鄰該基板22的電性墊52的區域中的最小間隙下緊密地裝入該板孔106中。因此，該孔106可以沿著該橫斷的方向T與該基板22的安裝孔50實質對齊。該板孔106可以沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面界定一外側的週邊，該外側的週邊係藉由該導熱體100所封閉的。或者是，一或多個末端可以沿著藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面是開放的。
在一例子中，該底座66、該中間的區域39的其餘部分、以及該些末端區域37與該些凸起的區域35可以都是與彼此為單石的。或者是，該IC散熱片34可以是由彼此附接的個別的構件所做成的。譬如，該底座66、該中間的區域39的其餘部分、以及該些末端區域37與該些凸起的區域35中的一或多個到高達全部都可以界定個別的結構，其係彼此附接並且被設置成和彼此熱連通。
該IC晶粒26可以具有沿著該橫斷的方向的任何適當的厚度。作 為一非限制性的代表性的例子，該IC晶粒的厚度可以是約250微米，但是較薄或較厚的晶粒亦可被使用。該IC晶粒26以及該底座66可以界定個別的寬度。在一例子中，該IC晶粒26的寬度可以是大於該底座66的寬度。於是，該IC晶粒26可以從該底座66的一或兩個界定該底座66的寬度的相對的邊緣突出。該些個別的寬度可以沿著該側向的方向A來加以界定。或者是，該些個別的寬度可以沿著該縱長方向L來加以界定。
該IC晶粒26可包含至少一被設置在該IC晶粒26的上表面上的IC電性墊68，例如是複數個IC電性墊68。因此，該些IC電性墊68可以沿著該橫斷的方向T，從該IC晶粒26的上表面延伸出。在一例子中，該些IC電性墊68可被配置為引線接合墊。該些IC電性墊68可包含一第一群組68a的至少一IC電性墊68，其係被設置成相鄰該基板22的至少一第一電性墊52。該第一群組68a可包含複數個IC電性墊68。該第一群組68a的IC電性墊68可被設置成相鄰該IC晶粒26的一第一邊緣69。譬如，該第一群組68a的IC電性墊68可以沿著該IC晶粒26的第一邊緣69與彼此對齊。在一例子中，該第一群組68a的電性墊68可以與該第一邊緣69沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面間隔開相關於一距離，其範圍是從約10到約200微米，例如是從約20到約50微米。
該些IC電性墊68可包含一第二群組68b的至少一IC電性墊68，其係被設置成相鄰該光學元件28。該第二群組68b可包含複數個IC電性墊68。該第二群組68b的IC電性墊68可被設置成相鄰該IC晶粒26的一第二邊緣71。譬如，該第二群組68b的IC電性墊68可以沿著該IC晶粒26的第二邊緣71來與彼此對齊。該第一及第二邊緣69及71可以與彼此沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面間隔開。譬如，該第一及第二邊緣69及71可以是與彼此相對的。在一例子中，該第一及第二邊緣69及71可以是沿著該縱長方向L與彼此相對的。在另一例子中，該第一及第二邊緣69及71可以是沿著該側向的方 向A與彼此相對的。在一例子中，該第二群組68b的電性墊68可以是與該第二邊緣71間隔開一距離，其範圍是從約10到約200微米，例如是從約20到約50微米。
如上所述，該IC散熱片34可包含該些相對的凸起的區域35，其係被設置成使得該底座66係被設置在該些相對的凸起的區域35之間。該些凸起的區域35以及該底座66可以具有沿著該橫斷的方向T的個別的高度。該凸起的區域35的高度可以是大於該底座66的高度。因此，該IC散熱片34在該些凸起的區域35的上表面62可被設置成高於該IC散熱片34在該底座66的上表面62。或者是，該凸起的區域35的高度可以是實質等於該底座66的高度。因此，該IC散熱片34在該些凸起的區域35的上表面62可以是沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面與該IC散熱片的34在該底座66的上表面62實質共平面的。又或者是，該些凸起的區域35的高度可以是小於該底座66的高度。因此，該IC散熱片34在該些凸起的區域35的上表面62可被設置成低於該IC散熱片34在該底座66的上表面62。
如同在此所用的術語"實質共平面的"可以適用於位在相同的平面中、或是在位於相同的平面中的一距離之內的結構。該距離在一例子中可以是高達200微米。譬如，該距離可以是100微米。尤其，該距離可以是50微米。再者，除非另有指出，否則該些術語"實質共平面的"以及"共平面的"係在此被使用為沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面。因此，該些術語"實質共平面的"以及"共平面的"係同樣地在此被使用為沿著一藉由該選擇方向45以及垂直於該選擇方向的方向73所界定的平面。應該進一步體認到的是，沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面與彼此實質共平面的構件亦可被說成是位於在該橫斷的方向T上的實質相同的位置處。譬如，除非另有指出，否則該術語"實質共平面的"可包含一沿著該橫斷的方向T的高 達約100微米的偏置。譬如，該偏置可以是約50微米。亦應該體認到的是，該術語"實質共平面的"可包含共平面的，此表示一不超過10微米的偏置。在一例子中，"共平面的"可以表示沒有沿著該橫斷的方向T的偏置。
當該IC晶粒26被安裝在該底座66之上時，該IC散熱片34在該些凸起的區域35的上表面62可被設置成高於該IC晶粒26的上表面62。在另一例子中，該IC散熱片34在該些凸起的區域35的上表面62可以是與該IC晶粒26的上表面實質共平面的。又或者是，該IC散熱片34在該些凸起的區域35的上表面62可以是低於該IC晶粒26的上表面。在另外其它例子中，如上所述，該IC散熱片34可以沒有該些凸起的區域35。
現在參照圖5A-5C，該光學元件28可被安裝至該光學元件散熱片36的上表面41。尤其，該光學元件28可以利用一導熱的環氧樹脂、焊料、或是任何適當的附接機構而被安裝至該光學元件散熱片36，其係在該光學元件28以及該光學元件散熱片36之間提供一低熱阻路徑。例如，用於該光學元件28的代表性的尺寸可以是約120微米乘約300微米乘約3mm，儘管較小及較大的光學元件亦可被使用。
該光學元件28可以沿著該光學元件散熱片36的一選擇邊緣70來加以安裝。該選擇邊緣70可以界定該光學元件28在一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面中的一外側的週邊的一部分。譬如，該選擇邊緣70可以界定該光學元件28的外側的週邊相關該縱長方向L的一邊界。或者是，該選擇邊緣70可以界定該光學元件28的外側的週邊相關該側向的方向A的一邊界。該選擇邊緣70可以面對該IC散熱片34的第二邊緣71。該光學元件28可包含至少一光學元件電性墊72，例如是複數個光學元件電性墊72。譬如，該些光學元件電性墊72可被設置在該光學元件28的上表面上。該些光學元件電性墊72可以沿著該選擇邊緣70來加以設置。譬如，該些光學元件電性墊72可以沿著該選 擇邊緣70與彼此對齊。在一例子中，該些光學元件電性墊72可以沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面與該選擇邊緣70間隔開一距離，該距離範圍是從約10到約200微米，例如是從約20到約50微米。
例如，用於該光學元件散熱片36的代表性的尺寸可以是沿著藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面約3mm乘約10mm，儘管較小及較大的光學元件亦可被使用。在一例子中，該光學元件散熱片36可以是一矩形平行六面體。該光學元件散熱片可以是由例如是先前相關於該IC散熱片34所敘述的一種具有高導熱度的材料所製成的。該光學元件散熱片36可以具有一熱膨脹係數是實質匹配該光學元件28的熱膨脹係數。在一例子中，該光學元件28以及該光學元件散熱片36可以是由相同的材料所製成的。或者是，該光學元件28以及該光學元件散熱片36可以是由不同的材料所製成的。該光學元件散熱片36可以具有一種異質的結構，例如是具有一相鄰該光學元件28而被設置的鑽石層，以進一步協助從該光學元件28移除熱。
亦參考到圖6，該IC散熱片34的基底65可以沿著該基板22的下表面42延伸。該底座66可以沿著該橫斷的方向T，從該基底65至少延伸到該安裝孔50之中。譬如，在一例子中，該底座66可以從該基底65延伸穿過該安裝孔50。因此，該IC散熱片34的上表面62的一部分可被設置成高於該基板22的上表面40。或者是，該IC散熱片34的上表面62可被設置成低於該基板22的上表面40。又或者是，該IC散熱片34的上表面62可以是與該基板22的上表面40實質共平面的。因此，當該IC晶粒26被安裝至該底座66時，該IC晶粒26的整體可被設置成高於該基板22的上表面40。或者是，該基板22的上表面40可以相關一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面而與該IC晶粒26的一部分對齊。
該IC散熱片34的末端區域37可以沿著該橫斷的方向T而與該基板22的缺口56的個別的缺口對齊。因此，在一例子中，相關於一藉由該側向的 方向A以及該縱長方向L所界定的平面，該IC散熱片34並不相對於該基板22延伸出。或者是，相關於一藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的平面，該IC散熱片34可以從該缺口56延伸至一相對於該基板22向外間隔開的位置。或者是，如同在圖1-2中所繪，若該基板22並無缺口，則該IC散熱片的末端區域37可以沿著一藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的平面相對於該基板22延伸出。在一例子中，該IC散熱片的末端區域37可以相對於該基板22的外側的側向的邊緣44的一個別的邊緣，沿著該側向的方向A向外延伸。因此，該些凸起的區域35同樣地可以相關藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的平面，而相對於該基板22向外地被設置。譬如，該些凸起的區域35可以沿著該側向的方向A，相對於該基板22的外側的側向的邊緣44的一個別的邊緣向外地被設置。因此，該末端區域37以及該些凸起的區域35可被設置在由該基板22所界定的一覆蓋區之外。
該光學元件散熱片36可被安裝到該基板22之上、或者是耦接至該基板22。在一例子中，該光學元件散熱片36可被安裝到該基板22的上表面40之上。譬如，該光學元件散熱片36可以藉由任何適當的附接構件，例如是一或多個緊固件、焊料、黏著劑、或類似者來機械式地附接至該基板22。或者是，該光學元件散熱片36可被置放在該基板22的上表面40之上，但是並未機械式地附接至該基板22。因此，該光學元件散熱片36的至少一部分可以沿著該基板22的上表面40延伸。上述的IC散熱片34的至少一部分可以沿著該基板22的下表面42延伸。因此，該基板22可以沿著該橫斷的方向而被設置在該光學元件散熱片36的該至少一部分以及該IC散熱片34的該至少一部分之間。於是，該基板22可以熱隔離該光學元件散熱片36的該至少一部分與該IC散熱片34的該至少一部分。在一例子中，該光學元件散熱片36的該至少一部分可以界定該光學元件散熱片36的該至少一部分的一大部分。譬如，該光學元件散熱片36的該至少一部 分可以界定該光學元件散熱片36的一整體。類似地，該IC散熱片34的該至少一部分可以界定該IC散熱片34的一大部分，可以界定該IC散熱片34的一整體。
該光學元件散熱片36可以具有一沿著該選擇方向45的長度是實質等於該IC散熱片34沿著該選擇方向45的長度。該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36可以具有一沿著該選擇方向45的實質相等的長度。該長度可以是實質等於該基板22沿著該選擇方向45的從該相對的邊緣到相對的邊緣的寬度，該些相對的邊緣係沿著該選擇方向45與彼此相對的。因此，該些邊緣可以是藉由該相對的第一及第二外側的側向的邊緣44所界定的。或者是，該些邊緣可以是藉由該相對的第一及第二縱長邊緣46所界定的。若該基板22包含該些缺口56，則該基板22的寬度可被界定在一相鄰該些缺口56的位置處(並且因此該寬度並非藉由該些凹陷邊緣60所界定的)。
因此，該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36可以相對於該基板22來加以設置，使得該光學收發器20沿著該側向的方向A的整體寬度係藉由該基板22的最大寬度所界定。譬如，該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36都未延伸超過該基板22沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面的一覆蓋區。在一例子中，該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36都未延伸超過該基板22沿著該選擇方向45的一覆蓋區。因此，在一例子中，該IC散熱片34或是該光學元件散熱片都未橫向地延伸到該基板22的側向的邊緣44的板外，並且該IC散熱片或是該光學元件散熱片36都未縱向延伸到該基板22的縱長邊緣46的板外。當該基板22包含該些缺口56時，該IC散熱片34可以沿著該選擇方向45，從該基板22的凹陷邊緣60向外延伸。因此，該IC散熱片34的末端區域37可以沿著該橫斷的方向T與該些缺口56實質對齊。當該IC散熱片包含該些凸起的區域35時，該些凸起的區域35可被設置在該些缺口56的個別的缺口中。例如，該些凸起的區域35可以實質填入該些缺口56。
當該基板22在某些例子中並不包含該些缺口56時，該光學收發器20沿著藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面的覆蓋區可以是部分藉由該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36的一或兩者所界定的。譬如，該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36的一或兩者可以從該基板22的與彼此沿著該選擇方向45間隔開的外側的邊緣向外延伸。
現在參考到圖7A，該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36可以是個別的結構，其係沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面與彼此間隔開。尤其，該IC散熱片34可以沿著藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面來與該光學元件散熱片36間隔開，以便於在兩者之間界定一間隙83(參見圖1A-1C)。因此，該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36可以是沿著該選擇方向45以及垂直於該選擇方向45的方向73與彼此實質熱隔離的。因此，在一例子中，該IC散熱片34可以是沒有來自該光學元件散熱片36的機械式接觸。譬如，空氣可以熱隔離該IC散熱片34與該光學元件散熱片36。當然，應該體認到的是，任何替代的熱絕緣體都可以根據需要而被設置在該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36之間。應該體認到的是，此揭露內容並不欲被限制為因而該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36係以其整體與彼此隔離的例子。譬如，一最小量的IC散熱片34可以是和該光學元件散熱片36機械式接觸或是熱連通。在一例子中，該IC散熱片34的末端區域37的一或兩者可以接觸該導熱體100。替代或是額外地，該IC散熱片34的末端區域37的一或兩者可以是與該導熱體100間隔開。因此，可以說成是該IC散熱片34係至少實質與該光學元件散熱片36熱隔離的。
由於至少在該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36之間的實質的熱隔離，由該IC晶粒26所產生的熱可以在不以一足以實質影響該光學元件28的操作的量行進至該光學元件28下被耗散。換言之，該IC散熱片34可以界定該 IC晶粒26被安裝在其上的一表面，並且其係從該IC晶粒26接收熱能，而且實質並不從該光學元件28接收熱能。換言之，在一例子中，相較於透過該光學元件散熱片36，較多的由該IC晶粒26所產生的熱係透過該IC散熱片34而被耗散。譬如，相較於透過該光學元件散熱片36，至少75%的由該IC晶粒26所產生的熱係透過該IC散熱片34而被耗散。
繼續參考到圖7A，該收發器20可包含至少一第一電性導體74a，其係在一第一端電連接至該基板22的至少一第一電性墊52的一個別的第一電性墊，並且在一第二端連接至該第一群組68a的至少一IC電性墊68的一個別的IC電性墊。譬如，該收發器20可包含複數個第一電性導體74a，其係在一第一端電連接至該基板22的複數個第一電性墊52的一個別的第一電性墊，並且在一第二端連接至該第一群組68a的複數個IC電性墊68的一個別的IC電性墊。該收發器20可包含至少一第二電性導體74b，其係在一第一端電連接至該第二群組68b的至少一IC電性墊68的一個別的IC電性墊，並且在一第二端電連接至該至少一光學元件電性墊72。譬如，該收發器20可包含複數個第二電性導體74b，其係在一個別的第一端電連接至該第二群組68b的複數個IC電性墊68的一個別的IC電性墊，並且在一第二端電連接至該複數個光學元件電性墊72的一個別的光學元件電性墊。在一例子中，該些電性導體74a及74b可以是藉由導線或導帶中的一或多個所界定的，其係利用眾所週知的導線及/或導帶接合技術而被接合到墊。
當該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36被耦接至該基板22時，該第二群組68b的IC電性墊的電性墊68可以沿著該橫斷的方向T，相對於該些光學元件電性墊72來加以偏置。尤其，所體認到的是，將該IC晶粒的上表面相關該橫斷的方向T來設置在該基板22的上表面40以及該光學元件28的上表面之間可能是所期望的。因此，該基板22的第一電性墊52可以沿著該橫斷的方向 T相對於該第一群組68a的IC電性墊68而被偏置的，並且該第二群組68b的IC電性墊68可以沿著該橫斷的方向T相對於該些光學元件電性墊72而被偏置的。譬如，該IC晶粒26的第一及第二群組68a及68b的電性墊可以沿著該橫斷的方向T而被設置在該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72之間。
譬如，所體認到的是，該光學元件散熱片36係被安裝至該基板22的上表面40，並且該光學元件28係被安裝至該光學元件散熱片36的上表面41。因此，該光學元件散熱片36的上表面41係沿著該橫斷的方向相對於該基板22的上表面40而被偏置的。尤其，該光學元件散熱片36的上表面41可以是間隔開在該基板22的上表面40之上。為了維持該第一及第二電性導體74a及74b的長度彼此實質相等的(因而並不增加該電性導體74a及74b中之一到一非所要的長度)，將該IC晶粒26的上表面設置在一相關該橫斷的方向T而介於該基板22的上表面40與該光學元件28的上表面之間的位置處可能是所期望的。因此，可以說成是該IC晶粒26的上表面係相關該基板22的上表面40以及該光學元件28的上表面的每一個而為階梯狀的。在一例子中，該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68可以是相關該橫斷的方向T而與該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72實質等距地間隔開。因此，該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68可以是沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的個別的平面而與彼此實質共平面的。在一例子中，該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68可被設置成相關該橫斷的方向T，與該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72的每一個均等地間隔開約100微米之內。譬如，該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68可被設置成相關該橫斷的方向T，與該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72的每一個均等地間隔開約50微米之內。再者，該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68可以相關該橫斷的方向T，與該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72的每一個均等地間隔開。
如上所述，該IC晶粒26可被安裝至在該IC散熱片34的上表面62的底座66。藉由將該IC晶粒26的上表面設置在該基板22的上表面40以及該光學元件28的上表面之間，該些電性導體74a及74b的長度可被保持為短的。譬如，該些電性導體74a及74b的長度可被保持彼此實質相等的。藉由縮短該些電性導體74a及74b的長度，該些電性導體74a及74b可以載有高速的電性信號，同時降低或最小化阻抗的不連續性。
在一例子中，該第一及第二電性導體74a及74b分別可以具有一低於1mm的長度。譬如，該長度可以是約500微米或更小。在一例子中，該長度可以是在約50微米到約250微米的範圍內。應該體認到的是，該IC散熱片底座66的高度可以相關該基板22的上表面40而被調整，使得該第一群組68a的IC電性墊68係沿著該橫斷的方向T相對於該基板22的第一電性墊52被偏置一距離是實質等於該第二群組68b的IC電性墊68以及該些光學元件電性墊72沿著該橫斷的方向T的偏置。該些引線接合可以被想成是在該些連續的元件之間形成一階梯步階，此係最小化每一個電性導體需要橋接該個別的間隙的高度差。
該第一群組68a的電性墊可以沿著一藉由該橫斷的方向T以及實質垂直於該選擇方向45的方向73所界定的平面，來與該基板22的第一電性墊52的個別的第一電性墊對齊。該第二群組68b的電性墊可以沿著藉由該橫斷的方向T以及實質垂直於該選擇方向45的方向73所界定的平面，來與該些光學元件電性墊72的個別的光學元件電性墊對齊。
該IC晶粒26的下表面可以位在和該基板22的上表面40實質相同的平面中。或者是，該IC晶粒26的下表面可以沿著該橫斷的方向T相對於該基板22的上表面40來加以偏置。該IC晶粒26的上表面可以沿著該橫斷的方向，從該基板22的上表面40被偏置一距離是該IC晶粒26沿著該橫斷的方向T的厚度、以及一將該IC晶粒26接合至該IC散熱片34的上表面62的接合層的厚度的總和。 因此，在一例子中，若該IC晶粒26係約200微米厚的，並且該接合層係約25微米厚的，則該IC晶粒的上表面將會是沿著該橫斷的方向T在該基板22的上表面40之上約250微米。
類似地，該光學元件28的上表面可以沿著該橫斷的方向T從該基板22的上表面40被偏置一距離是該光學元件28沿著該橫斷的方向T的厚度、該光學元件散熱片36的厚度、以及一將該光學元件接合至該光學元件散熱片36的上表面41的接合層的厚度的總和。因此，舉例而言，若該光學元件係150微米厚的，該接合層係25微米厚的，並且該光學元件散熱片36係250微米厚的，則該光學元件28的上表面將會是在該基板22的上表面40之上425微米。此甚至是小於在該IC晶粒26以及該基板22的近端的電性墊52之間的一沿著該橫斷的方向T的位移。
或者是，應該體認到的是，該IC晶粒26可以位在一相對於一藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的平面傾斜的平面中。譬如，如同在圖7B中所繪，該IC晶粒26可以是傾斜的，使得該第一邊緣69係相對於該第二邊緣71沿著該橫斷的方向T而被偏置的。尤其，該第一邊緣69可被設置成低於該第二邊緣71。因此，該第一群組68a的電性墊68可以相對於該第二群組68b的電性墊68沿著該橫斷的方向T而被偏置的。尤其，該第一群組68a可被設置成低於該第二群組68b。該第一群組68a的電性墊68可以沿著該橫斷的方向T相對於該基板22的第一電性墊52而被偏置一距離，該距離係小於當該IC晶粒26係如上相關圖7A所述地被定向在藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面中時，該第一群組68a的電性墊68相對於該基板22的第一電性墊52沿著該橫斷的方向T的偏置。在一例子中，該第一群組68a的電性墊68可以是與該基板22的第一電性墊52實質共平面的。類似地，該第二群組68b的電性墊68可以沿著該橫斷的方向T相對於該些光學元件電性墊72而被偏置一距離，該距離係小於當該 IC晶粒26係如上相關圖7A所述地被定向在藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面中時，該第二群組68b的電性墊68沿著該橫斷的方向T相對於該些光學元件電性墊72的偏置。在一例子中，該第二群組68b的電性墊68可以是與該光學元件28的電性墊52實質共平面的。
在一例子中，該IC散熱片34在該底座66的上表面可以是相對於藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面傾斜的。因此，當該IC晶粒26被安裝至該IC散熱片34在該底座的上表面時，該IC晶粒26的上表面可以是以上述相關圖7B的方式傾斜的。
或者是，現在參照圖7C，該些電性導體74a及74b的長度可以進一步藉由將該第一及第二群組墊68a及68b的IC電性墊68設置成與該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72實質共平面的來加以縮短。該共平面可以沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面來加以定向。當該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68係與該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72實質共平面時，該些電性導體74a及74b並不跨越一垂直的偏置，並且因此相對於當該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68係相對於該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72沿著該橫斷的方向T而被偏置時的電性導體74a及74b的長度而可被縮短。如同在圖7C中所繪，該IC晶粒26的上表面62可以是與該光學元件28實質共平面的。
在一例子中，如上相關圖3B所述的，該基板22可以是一包含第一及第二個別的基板主體38a及38b的複合的基板，該些基板主體38a及38b係結合以界定該些相對的側向的邊緣44以及該些相對的縱長邊緣46的個別的整體。該IC散熱片34可被安裝至該第一基板主體38a，並且該光學元件散熱片36可被安裝至該第二基板主體38b。該第二基板主體38b可以沿著該橫斷的方向相對於該第一基板主體38a而被偏置。尤其，該第二基板主體38b可以被偏置在該第一 基板主體38a之下。因此，該基板22在該第二基板主體38b的上表面40可以被偏置在該基板22在該第一基板主體38a的上表面40之下。類似地，該基板22在該第二基板主體38b的下表面42可以被偏置在該基板22在該第一基板主體38a的下表面42之下。
因此，該些光學元件電性墊72可被設置成與該基板22的第一電性墊52實質共平面的。再者，當該些光學元件電性墊72係沿著該橫斷的方向T相對於該基板22的電性墊52而被偏置、以及當該些光學元件電性墊72係與該基板22的電性墊52實質共平面時，該些電性墊72都可以沿著一包含該橫斷的方向T以及實質垂直於該選擇方向45的方向73的平面，與該基板22的第一電性墊52的個別的第一電性墊對齊。
再者，該IC散熱片34的底座66的高度可被選擇成使得該第一群組68a的該些IC電性墊68係沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面與該基板22的第一電性墊52實質共平面的，並且該第二群組68b的IC電性墊68係沿著藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面與該些光學元件電性墊72實質共平面的。該第一群組68a的電性墊可以進一步沿著一藉由該橫斷的方向T以及實質垂直於該選擇方向45的方向73所界定的平面來與該基板22的第一電性墊52的個別的第一電性墊對齊。該第二群組68b的電性墊可以進一步沿著藉由該橫斷的方向T以及實質垂直於該選擇方向45的方向73所界定的平面來與該些光學元件電性墊72的個別的光學元件電性墊對齊。
在另一例子中，該基板22可以是如同在圖3A中所繪地藉由單一單石主體38所界定的。如上所述，該IC散熱片34的底座66的高度可被選擇成使得該第一群組68a的IC電性墊68係沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面，與該基板22的第一電性墊52實質共平面的。再者，一凹處可被形成到該基板主體38的上表面40中。該凹處可以沿著該橫斷的方向具有一深度 是足以使得當該光學元件散熱片36藉由該基板22而被支承在該凹處中時，該第二群組68b的IC電性墊68係沿著藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面，與該些光學元件電性墊72實質共平面的。
在另一例子中，該基板22可以是如同在圖3A中所繪地藉由單一單石主體38所界定。該IC散熱片34的底座66的高度可被選擇成使得該第二群組68b的IC電性墊68係沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面，與該些光學元件電性墊72實質共平面的。再者，該基板22的第一電性墊52可以具有一相對於該基板22的上表面40的高度，該高度係足以使得它們係與該第一群組68a的IC電性墊68實質共平面的。
不論是否沿著該橫斷的方向T偏置或是實質共平面的，都可以說成是1)該第一群組68a的IC電性墊68可被設置成沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面相鄰該基板22的第一電性墊52，以及2)該第二群組68b的IC電性墊68可被設置成沿著該平面相鄰該些光學元件電性墊72。譬如，該第一群組68a的IC電性墊68可被設置成沿著一實質垂直於該選擇方向45的方向73相鄰該基板22的第一電性墊52。類似地，該第二群組68b的IC電性墊68可被設置成沿著一實質垂直於該選擇方向45的方向73相鄰該些光學元件電性墊72。
現在參照圖8A，在操作期間，由該IC晶粒26所產生的熱的至少一部分係沿著一第一散熱路徑85流動，以便於從該光學元件28移除該產生的熱。該第一散熱路徑85可以是藉由該IC散熱片34所界定的。或者是，如同從以下的說明將會體認到的，該第一散熱路徑85可以是藉由該IC散熱片34以及該基板22兩者所界定。因此，可以說成是該第一散熱路徑85可以是至少部分藉由該IC散熱片34所界定的。
該第一散熱路徑85可包含一實質沿著該橫斷的方向T流過該基 板22的第一區段85a。因此，可以說成是該第一區段85a沿著該橫斷的方向T橫跨該基板22。尤其，該第一區段可以向下延伸穿過該安裝區域48。因此，當該安裝區域48係藉由該安裝孔50所界定時，該第一區段85a可以行進穿過該安裝孔50。就此點而言，應該體認到的是，該第一區段85a可以沿著該橫斷的方向T而被定向、或是可以沿著一具有該橫斷的方向T作為一方向性成分的方向延伸。譬如，該第一區段85a可以從該IC向下流動並且進入到該IC散熱片34之中。當該IC散熱片34包含該底座66時，該散熱路徑85的第一區段85a可以流過該底座並且進入到該基底65之中。再者，該第一區段85a可以是實質線性的，亦即該熱流動可以主要是在一實質平行於該橫斷的方向T的方向上向下的。或者是，該第一區段85a可以界定一或多個彎曲。
該第一散熱路徑85可進一步包含一第二區段85b，其係從該第一區段85a沿著一朝向該IC散熱片34的末端區域37的方向延伸。因此，該第二區段85b可以沿著該基板22延伸。該第二區段85b可以進一步被設置成低於該基板22的下表面42。因此，應該體認到該第二區段85b可以具有一沿著該縱長方向L以及該側向的方向A的一或兩者延伸的方向性成分。因此，該第二區段85b可以實質沿著該選擇方向45，從該IC晶粒26延伸離開。所體認到的是，該第二區段85b亦可以具有一沿著該橫斷的方向T的方向性成分。然而，該第二區段85b的方向性成分可以主要是沿著該縱長方向L以及該側向的方向A的一或兩者。再者，該第二區段85b可以是實質線性的，亦即該熱流動可以主要是在一實質平行於該選擇方向45的方向上。或者是，該第二區段85b可以界定一或多個彎曲。
該第一散熱路徑85可進一步包含一第三區段85c，其係從該第二區段85b實質沿著該橫斷的方向T延伸。在一例子中，該第三區段85c可以向上延伸穿過該基板22。譬如，當該基板22包含該傳熱區域55時(參見圖3A)，該第 三區段85c可以向上行進穿過該傳熱區域55。在一例子中，藉由該些末端區域37所界定的第三區段85c可被侷限至一位置是不延伸在該基板22相關藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的一個別的平面(參見圖1A-1B)的一外部的覆蓋區之外。如同在圖1A-1B中所繪，該IC散熱片的一整體可被設置成低於該基板22。或者是，當該些傳熱區域55被配置為缺口56時，該第三區段85c可以向上延伸穿過該些缺口56(參見圖12B)。或者是，藉由該些末端區域37所界定的第三區段85c可以延伸至一在該基板22的覆蓋區(參見圖1C)之外的位置。
無論如何，如同在圖1C中所繪，當該IC散熱片34在一例子中包含該些凸起的區域35時，該第三區段85c可被說成是沿著該橫斷的方向T橫跨該基板22。尤其，該第三區段85c可以從一在該基板22的下表面42之下的第一位置向上延伸。該第三區段85c可以從該第一位置向上延伸至一在該基板22的下表面42之上的第二位置。譬如，該第三區段85c可以從該第一位置向上延伸至一在該基板22的上表面40之上的第二位置。不論該IC散熱片34是否包含該些凸起的區域35，該第三區段85c都可以從該第二區段85b向上延伸。
因此，該第三區段85c可被導引成與該第一區段85a實質相反的。再者，該第三區段85c可以沿著一垂直於該橫斷的方向T的方向與該第一區段85a間隔開。譬如，該第三區段85c可以沿著垂直於該橫斷的方向T的方向與該安裝區域48間隔開。垂直於該橫斷的方向T的方向可以是藉由該選擇方向45所界定的。該第三區段85c可以沿著該橫斷的方向T延伸。所體認到的是，該第三區段85c亦可以具有一沿著該縱長方向L以及該側向的方向A的一或兩者的方向性成分。然而，可以說成是該第三區段85c係主要沿著該橫斷的方向T行進。再者，該第三區段85c可以是實質線性的，亦即該熱流動可以主要是在一實質平行於該橫斷的方向T的方向上而為向上的。或者是，該第三區段85c可以界定一或多個彎曲。
現在參照圖8B，該基板22的至少一傳熱區域55係包含一個別的至少一導熱層78。該至少一導熱層78可以將該基板22的上表面40設置成和該基板22的下表面42熱連通。因為該至少一導熱層78可以相關該安裝區域48而在週邊地加以設置，所以該導熱層78可被稱為一週邊導熱層。在一例子中，該至少一導熱層78可以界定該基板22的一外側的邊緣的至少一部分。譬如，該至少一導熱層78可以界定該外側的側向的邊緣44的一個別的邊緣的至少一部分。因此，該基板22藉由導熱層78所界定的個別的邊緣可以與彼此沿著該選擇方向來加以間隔開。或者是，該至少一導熱層78可以沿著一藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的平面，藉由該基板主體38來加以封閉的。該至少一導熱層78可以從該安裝區域48向外地被設置。譬如，該至少一導熱層78可以從該安裝區域48，沿著該選擇方向45向外地被設置。
在一例子中，該些傳熱區域55的每一個可包含一導熱層78。或者是，該些傳熱區域55的一或兩者可包含該導熱層78，並且該些傳熱區域55中的另一個可以界定接收該IC散熱片34的缺口56。在一例子中，該週邊導熱層78例如可以是藉由一高導熱度的金屬或陶瓷的塊所界定的、或者可以是藉由一陣列的導熱的週邊柱82所界定的，該些週邊柱82係從該上表面40延伸穿過該基板主體38至該下表面42。該些週邊柱82可以是藉由從該上表面40延伸穿過該基板主體38至該下表面42的電鍍及填入金屬(例如銅)的貫孔所界定的。該層78可以是與該基板主體38為單石的、或是根據需要來附接至該基板主體38。在此例子中，應該體認到的是，該第一散熱路徑85的第三區段85c的至少一部分可以是藉由在該傳熱區域55的導熱層78所界定的。
此外，參照圖8C，該基板22可包含一在該安裝區域48的導熱的中央層80。該中央導熱層80可以將該基板22的上表面40設置成和該基板22的下表面42熱連通。就此點而言，該安裝區域48亦可被稱為一中央傳熱區域。因 此，該IC散熱片34的底座66可以在高度上被降低、或是完全被移除，使得該IC散熱片34的上表面62係機械式接觸並且因此熱連通該中央導熱層80。該中央導熱層80例如可以是藉由一高導熱度的金屬或陶瓷的塊所界定的、或者可以是藉由一陣列的導熱的中央柱84所界定的，該些中央柱84係從該上表面40延伸穿過該基板主體38至該下表面42。該些中央柱84可以是藉由從該上表面40延伸穿過該基板主體38至該下表面42的電鍍及填入金屬(例如銅)的貫孔所界定的。該層80可以是與該基板主體38為單石的、或是根據需要來附接至該基板主體38。在一例子中，該些週邊導熱層78可以是與如上所述的中央導熱層80分開的。或者是，該些週邊導熱層78的一或兩者可以是與該中央導熱層80為連續的。例如，該些週邊導熱層78的一或兩者可以接觸該中央導熱層80。替代或是額外地，該些週邊導熱層78的一或兩者可以是與該中央導熱層80為單石的。在此例子中，應該體認到的是，該第一散熱路徑85的第一區段85a的至少一部分可以是藉由在該安裝區域48的導熱層80所界定的。應該進一步體認到的是，在某些例子中，該第一散熱路徑85沿著其長度的整體都可以是一導熱的散熱路徑。
該IC晶粒26可被安裝至該中央導熱層80的上表面。因此，由該IC晶粒26所耗散的熱可以用上述的方式向下流動穿過該中央導熱層80至該IC散熱片34，並且可以流到該些末端區域37。該熱接著可以向上流動穿過該週邊導熱層78。
從以上的說明將會體認到的是，用於該IC晶粒26的第一散熱路徑85係延伸穿過基板22，並且環繞該基板22的至少一部分。
對照之下，參照圖9A，該光學元件散熱片36係被設置在該基板22的上表面40之上。因此，該光學元件散熱片36可以至少部分或是完全地界定一用於該光學元件28的第二散熱路徑87。該第二散熱路徑87係被設置在該基板22之上。在一例子中，該第二散熱路徑87並未沿著該橫斷的方向T橫越該基板 22。再者，在一例子中，該第二散熱路徑87並不環繞該基板22。而是，藉由該光學元件散熱片36所界定的第二散熱路徑87的整體都被維持在該基板22之上。因此，該基板22可以相關該橫斷的方向T分開該光學元件28的第二散熱路徑87與該IC晶粒26的第一散熱路徑85的至少一部分。在其中該第一及第二散熱路徑85及87係沿著一包含該縱長方向L以及該側向的方向A的平面對齊的一或多個位置處，該第一及第二散熱路徑可以與彼此間隔開，以便於維持該第一及第二散熱路徑85及87與彼此至少實質的熱隔離。應該體認到在某些例子中，該第二散熱路徑87可以沿著其長度的整體都是一導熱的散熱路徑。
應該體認到的是，一種用於從該光學收發器散熱之方法可被提出。該方法可包含在被支承於該基板22的安裝區域48的電性構件24產生熱的步驟。該方法可進一步包含透過和該電性構件24熱連通的電性構件散熱片34，沿著該第一散熱路徑85來耗散在該電性構件24產生的熱的至少一部分的步驟。如上所述，該第一散熱路徑85可以具有從該電性構件24延伸穿過該基板22的第一區段85a、一從該第一區段85a在該基板22之下的一位置沿著該基板22延伸的第二區段85b、以及從該第二區段85b向上延伸以便於在一與該第一區段85a間隔開的位置跨過該基板22的第三區段85c。該方法可進一步包含在該光學元件28產生熱的步驟，該光學元件28係藉由該基板22來加以支承，並且和該電性構件24電性連通。該方法可進一步包含透過該光學元件散熱片36來耗散在該光學元件28產生的熱的至少一部分的步驟，該光學元件散熱片36係和該光學元件28熱連通，並且與該IC散熱片34至少實質熱隔離的。
或者是，參照圖9B，應該體認到的是，該光學元件散熱片36可以如上相關該IC散熱片34所述地加以配置。因此，該光學元件散熱片可包含一底座，其係延伸穿過該基板22的一光學元件安裝區域75。因此，該光學元件安裝區域75可被配置為一安裝孔89，其係如上相關該安裝孔50所述地沿著該橫斷 的方向T延伸穿過該基板22。該安裝孔50以及該光學元件安裝區域75的孔可以與彼此間隔開。譬如，該安裝孔50以及該光學元件安裝區域75的孔可以沿著該縱長方向L與彼此間隔開。或者是，該光學元件安裝區域75可以如上相關該中央導熱層80所述地被配置為一個別的中央導熱層。因此，該光學元件安裝區域75的中央導熱層可以是和該光學元件散熱片36熱連通。該光學元件散熱片36可包含一基底，其係如上相關該IC散熱片34所述地延伸在該基板22的下表面之下。
該光學元件散熱片36可進一步包含相對的末端區域79，其可以如上相關該IC散熱片34的末端區域37所述地加以配置。因此，在一例子中，該光學元件散熱片36可包含至少一凸起的區域91，其係如上相關該IC散熱片34的凸起的區域35所述地加以建構。尤其，該光學元件散熱片36可包含一對末端區域79，其係與彼此間隔開，並且沿著該選擇方向45與彼此對齊。再者，該基板22可包含至少一用於該光學元件散熱片36的傳熱區域81。該傳熱區域81可以如上相關該傳熱區域55所述地加以建構。於是，該傳熱區域81可被配置為至少一開口，其係沿著該橫斷的方向T延伸穿過該基板22。該凸起的區域91可以至少延伸到該至少一開口的一個別的開口之中、或是穿過該開口。該開口可被配置為一缺口93，其係如上相關該些缺口56所述地加以建構。該缺口93以及因此該開口可被配置以接收該光學元件散熱片36的凸起的區域91。該凸起的區域91可以至少延伸到該缺口93之中、或是穿過該缺口93。該光學元件散熱片36的凸起的區域91可以與該IC散熱片34的凸起的區域35間隔開以便於界定一間隙95，該間隙95係維持該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36至少與彼此實質熱隔離的。任何適當的熱絕緣材料都可以根據需要而被設置在該間隙95中，例如是空氣或任何替代的材料。
或者是，該傳熱區域81可包含至少一用於該光學元件散熱片36 的週邊導熱層，例如是一對週邊導熱層。用於該光學元件散熱片36的週邊導熱層可以如上相關該IC散熱片34的週邊導熱層78所述地加以配置。因此，該光學元件散熱片36的末端區域79可以用上述相關該些末端區域37以及該導熱層78的方式，而被設置成和用於該光學元件散熱片36的導熱層的一下表面熱連通。因此，應該體認到該第二傳熱路徑87可包含如上相關該第一傳熱路徑85的第一、第二及第三區段85a-85c(參見圖8A)所述的第一、第二及第三區段。
現在參照圖10A，該收發器20可包含一導熱的散熱器76，其係機械式接觸並且因此熱連通該IC散熱片34的上表面62。應該體認到的是，除非另有指出，否則如同在此所用的術語"熱連通"不應該被解釋為受限制於直接的機械式接觸。譬如，該散熱器76可以具有一下方的散熱器表面77，其係機械式接觸並且因此熱連通該IC散熱片34在該些末端區域37的上表面62。當該些末端區域37界定該些凸起的區域35時，該散熱器76可以是機械式接觸並且因此熱連通該IC散熱片34在該些凸起的區域35的上表面62。由該IC晶粒26產生的熱因此可以流經該IC散熱片34到該散熱器76之中。該散熱器76可包含複數個散熱結構86，例如鰭片或針腳，以將熱散到周圍的大氣之中。該散熱器76可以進一步具有一凹陷區域88，其係向上延伸到該下表面77之內。該凹陷區域可以沿著該橫斷的方向與該IC晶粒26對齊，以便於提供用於該些電性導體74a及74b(參見圖7A)、該光學元件28、以及往返於該光學元件28的光學耦合的間隙。
亦應該體認到的是，當該基板22界定至少一週邊導熱層78時，該散熱器76可以是機械式接觸並且因此熱連通該至少一週邊導熱層78的上表面。因此，由該IC晶粒26耗散的熱可以流經該安裝區域48並且穿過該IC散熱片34。
現在參照圖10B，由該IC晶粒26耗散的熱的至少一部分可以在不行進穿過該IC散熱片34下，從該IC晶粒26流到該散熱器76。尤其，該散熱器 76可以進一步機械式接觸，並且因此熱連通該IC晶粒26的上表面的一部分。尤其，散熱器76可以界定一突起90，其係沿著該橫斷的方向T向下延伸，並且機械式接觸該IC晶粒26。譬如，該突起90可以接觸該IC晶粒26的上表面的至少一部分。該突起90可以在與該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68間隔開的位置處接觸該IC晶粒26的上表面。因此，該散熱器76可以界定一來自該IC晶粒26的輔助的散熱路徑。尤其，該散熱路徑可以直接從該IC晶粒26的上表面、透過該突起向上、而至該散熱器76的一被設置在該IC晶粒26之上的其餘部分來加以界定。一導熱膠或是導熱膏可被設置在該散熱器76以及IC散熱片34之間(並且若可適用的話，則進一步被設置在該散熱器76以及該IC晶粒26之間)，以助於提供從該IC晶粒26至該散熱器76的一連續的熱傳導路徑。該散熱器76可進一步根據需要來機械式接觸並且因此熱連通該光學元件散熱片36。
因此，一組件可包含被配置以與一第一構件建立一導熱的路徑的散熱器76。譬如，該散熱器76可以機械式地接觸該第一構件。在一例子中，該散熱器76可以用上述的方式，直接在該突起90接觸該第一構件。該第一構件可以是如上相關圖1B所述的一電性構件24。因此，在一例子中，該電性構件24可被配置為一IC晶粒26。然而，應該體認到該第一構件可以是任何適當的產生熱的構件。譬如，在另一例子中，該第一構件可以替代地被配置為一光學構件。例如，該第一構件可被配置為一VCSEL。
該散熱器76可以進一步在該散熱器76的下表面以及一第二構件之間界定一間隙。該間隙可以沿著該橫斷的方向T而被定向。譬如，該間隙的上方端可以是藉由該散熱器76在該凹陷區域88的下表面所界定的。該間隙的下方端可以是藉由該第二構件所界定的。因此，在一例子中，該散熱器76並不接觸該第二構件。於是，該散熱器76可以相關該第二構件維持導熱的隔離，因為該散熱器76並不以提供一與該第二構件的導熱的路徑的此種方式來接觸該第二 構件。因此，該第一及第二構件係在導熱方面與彼此熱隔離的。
該第二構件可以是和該第一構件通訊的。換言之，信號可以從該第一及第二構件中的至少一個被傳遞至該第一及第二構件的另一個。在一例子中，該第二構件可被配置為一具有上述類型的光學構件28。因此，該光學構件28在一例子中可被配置為一VCSEL。然而，應該體認到該第二構件可以根據需要而被配置為任何適當的構件。在其它例子中，譬如，所思及的是該第二構件可被配置為一電連接器，其係和該第一構件電性連通。在一例子中，該電連接器可以傳送電性信號至該第一構件。替代或是額外地，該第一構件可以傳送電性信號至該第二構件。該些電性信號可被配置為電性資料。或者是，該些電性信號可被配置為電源。在該第一構件藉此是一積體電路，並且該第二構件是一電連接器的例子中，所思及的是該第一及第二構件可被安裝到一基板之上，使得該基板的至少一電性線路可以使得該第一及第二構件和彼此通訊。在一例子中，該第二構件可包含複數個電連接器，其係分別和該第一構件通訊。譬如，該些電連接器可以沿著一圍繞該第二構件的路徑來加以配置。該散熱器76可以根據需要來藉由該基板或是任何適當的替代的結構來加以機械式地支承。在一例子中，該散熱器76可被安裝至該基板。
當然，應該體認到該散熱器76可被建構以便於維持在該第一構件以及該第二構件之間的實質熱隔離。再者，該散熱器76可被建構以便於維持在該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36之間的實質熱隔離。在一例子中，現在參照圖11，該散熱器76的一第一區段76a可以是和該IC晶粒26熱連通，並且該散熱器76的一第二區段76b可以是和該光學元件28熱連通。譬如，該第一區段76a可以是和該IC散熱片34熱連通，並且因此和該IC晶粒26熱連通。替代或是額外地，該第一區段76a可以是機械式接觸該IC晶粒26。類似地，該第二區段76b可以是和該光學元件散熱片36熱連通，並且因此和該光學元件28熱連通。 替代或是額外地，該第二區段76b可以是機械式接觸該光學元件28。因此，至少百分之75的從該IC晶粒26發射的熱可以從該散熱器76被散出。類似地，至少百分之75的從該光學元件28發射的熱可以從該散熱器76被散出。該第一區段76a可以是與該第二區段76b為單石的。因此，一共同的散熱器76可以界定該第一區段76a以及該第二區段76b兩者。
該共同的散熱器76可以進一步維持在該IC晶粒26以及該光學元件28之間的實質熱隔離。譬如，該共同的散熱器76可以界定一槽96，該槽96係在一位置處從該上表面至該下表面延伸穿過其，該位置係介於該第一及第二區段76a及76b分別和該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36熱連通的位置之間。該槽96可包含一隔熱體，例如是空氣或任何適當的替代材料。譬如，一種具有低導熱度的玻璃或聚合物材料可被設置在該槽96中。因此，該槽96可以在該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36之間界定一隔熱的區域，藉此只容許從該IC晶粒26最小的傳熱至該光學元件28。
應該體認到的是，該共同的散熱器76可以界定延伸在該第一及第二部分76a及76b之間的邊界98。該些邊界98可以與該槽96的伸長的一中心軸對齊。然而，該些邊界98可以具有一沿著該槽96的伸長的中心軸的累積長度，其係小於該槽96沿著該伸長的中心軸的長度。在一例子中，該累積距離可以是小於該槽96沿著該伸長的中心軸的長度的25%。該共同的散熱器76可被稱為一分開的散熱器，因為其係被分成該第一及第二區段76a及76b，而有關該分開的散熱器76的一其餘的部分的熱阻，該第一及第二區段76a及76b係在其之間具有增大的熱阻。或者是，該第一及第二區段76a及76b可以與彼此分開，並且可以界定分別和該IC散熱片34以及該光學元件散熱片36熱連通的第一及第二散熱器。
因此，該IC散熱片34可以界定該IC晶粒26被安裝到的一表面， 並且該光學元件散熱片36可以界定該光學元件28被安裝到的一表面。該表面可以是與彼此實質熱隔離，使得該IC晶粒26可以運作在一比該光學元件28更高的溫度下，而不使得該光學元件28在溫度上增高到一實質影響該光學元件28的效能或壽命的位準。所體認到的是，藉由該IC散熱片34所界定的表面以及藉由該光學元件散熱片36所界定的表面可以是兩個如上所述被設置成彼此相鄰並且與彼此間隔開的個別的散熱片的表面。
現在大致參考到圖12A-12F以及13A-13H，儘管該IC晶粒26以及該光學元件28可以用上述的方式藉由該基板22來加以支承，但是根據另一例子，該IC晶粒26以及該光學元件28的一或兩者可以藉由該基板22來加以支承。譬如，該IC晶粒26以及該光學元件28可被安裝至該導熱體100。尤其，該IC晶粒26以及該光學元件28可被安裝至該導熱體100的上表面102。該IC晶粒26以及該光學元件28可以沿著垂直於該選擇方向45的方向73相對於彼此偏置的。
該導熱體100可進一步包含一隔熱槽108，該隔熱槽108係從該上表面102至該下表面104地延伸穿過其。該隔熱槽108係沿著垂直於該選擇方向45的方向73而被設置在該IC晶粒26以及該光學元件28之間。因此，該隔熱槽108可以沿著該縱長方向L而被設置在該IC晶粒26以及該光學元件28之間。在一例子中，該隔熱槽108可以是藉由一外側的週邊所界定的，該外側的週邊係以其整體藉由該導熱體100來加以封閉的。該外側的週邊可以是藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的一平面來界定的。該隔熱槽108可以沿著一在該側向的方向A上的距離延伸，以便於橫跨該導熱體100沿著該側向的方向A的寬度的一大部分。譬如，該隔熱槽108可以跨越該導熱體100沿著該側向的方向A的寬度的至少80%。在一例子中，該隔熱槽108可以跨越該導熱體100沿著該側向的方向A的寬度的至少90%。例如，該隔熱槽108可以跨越該導熱體100沿著該側向的方向A的寬度的至少95%。
因為該隔熱槽108係被設置在該IC晶粒26以及該光學元件28之間，因此該隔熱槽係被配置以中斷從該IC晶粒26至該光學元件28沿著該導熱體100的一線性的導熱路徑。因此，在一例子中，在不穿越該隔熱槽108下，並不存在從該IC晶粒26至該光學元件28的任一個的直線。因此，有關沿著該導熱體100的導熱，該隔熱槽108可以至少實質熱隔離該IC晶粒26與該光學元件28。該隔熱槽108可以界定一空氣間隙、或是可以替代地藉由任何適當的隔熱材料所界定的。
該隔熱槽108可以界定一中間的區域107、以及從該中間的區域107的相對的末端延伸出的個別的第一及第二終端109。該些末端109可以是沿著該選擇方向45或是該側向的方向A與彼此相對的。因此，應該體認到的是，該隔熱槽108可以是沿著該選擇方向45細長的。該中間的區域107可以延伸在該IC晶粒26以及該光學元件28之間。再者，該中間的區域107可以與該IC晶粒26以及該光學元件28的一或兩者對齊。就此點而言，所體認到的是，該IC晶粒26以及該光學元件28可以沿著該選擇方向45或是側向的方向A具有不同的長度。因此，該中間的區域107的一第一部分可以沿著該縱長方向L與該IC晶粒26以及該光學元件28的每一個對齊。
再者，該中間的區域107的一第二部分可以相關該側向的方向A，從相關該IC晶粒26以及該光學元件28中之一延伸出板外的，並且可以沿著該縱長方向L與該IC晶粒26以及該光學元件28的另一個對齊。因此，該IC晶粒26以及該光學元件28的每一個都可以相關該選擇方向45而被完全地設置在該些末端109之間。該槽108的末端109的至少一部分可以沿著該縱長方向L，從該中間的區域107在一遠離該IC晶粒26的方向上延伸。於是，該些末端109的至少一部分可以沿著該選擇方向45與該光學元件28對齊。因此，該些末端109的至少一部分可以沿著縱長方向A與該光學元件28對齊。於是，該中間的區域107以及 該些末端109可以結合以便於至少部分地圍繞該光學元件28的三個側邊。在一例子中，該些末端109可以呈現一凸面的表面，其係面對該光學元件28並且沿著該側向的方向A與該光學元件間隔開。譬如，該些末端109可以是彎曲的、或者是在幾何上被配置為它們遠離該中間的區域107的相對的末端向外張開。
該導熱體100可以界定一第一區域110以及一第二區域112，該第二區域112係和該第一區域110沿著該縱長方向L，藉由該隔熱槽108來加以分開的。換言之，該第一及第二區域110及112係被設置在該槽108相關該縱長方向L的相對的側邊上。該IC晶粒26可被安裝至在該第一區域110的上表面102，並且該光學元件28可被安裝至在該第二區域112的上表面102。在操作期間，該導熱體100可以從該光學元件28散熱。因此，即使該IC晶粒26係被安裝至該導熱體100，該導熱體也可被稱為一光學元件散熱片。譬如，該導熱體的第二區域112可以界定該光學元件散熱片。
該隔熱槽108可以界定一寬度是適合隔熱該IC晶粒26與該光學元件28。該寬度可以是垂直於該導熱體100的厚度，並且進一步垂直於該隔熱槽108在該寬度被量測的位置處的長度。當該導熱體100是沿著一藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的平面為平的時候，該厚度係沿著該橫斷的方向T而被定向。在一例子中，例如在低資料傳輸速度的應用中，該寬度可以是在一具有一約25微米的較低限度、以及一500微米的較高限度的範圍內。在高資料速度的應用中，該範圍的較低限度可以是約25微米，並且該範圍的較高限度可以是約200微米。譬如，該範圍的較低限度可以是約50微米，並且該範圍的較高限度可以是約150微米。應該體認到在一例子中，該槽108從該上表面102至該下表面104的寬度可以是固定的。在另一例子中，該槽108可以隨著其向下延伸在該上表面102以及該下表面104之間而為向外展開的。例如，該槽108可以從該上表面102至該下表面104向外展開的。在一例子中，該槽108可以向外直 線且線性地展開。或者是，該槽108的至少一部分可以曲線地向外展開。又或者是，該槽108可以沿著一或多個直線且線性的區段向外展開。因此，該槽108在該上表面102的寬度可以是小於該槽在該下表面104的寬度。
該導熱體100的厚度可以是在一具有一約150微米的較低限度以及一約300微米的較高限度的範圍內。譬如，該導熱體100的厚度可以是約150微米。該厚度可以是在該槽、或是在該IC晶粒26以及該光學元件28之間的任何位置處加以量測的。該厚度可以是沿著在該側向的方向A以及該縱長方向L共平面的區域的導熱體100都為固定的。因此，當該導熱體100的一整體是平的時候，該導熱體100的厚度可以是沿著該導熱體100的整體固定的。
該IC散熱片34可以用上述的方式來加以建構。譬如，該IC散熱片34的基底65可以如上所述地沿著該基板22的下表面42延伸。因此，該IC散熱片34的基底65可以沿著該橫斷的方向T與該導熱體100間隔開。該些凸起的區域35可以沿著該橫斷的方向T至少延伸到該基板22的缺口56之中。因此，該IC散熱片34在該些凸起的末端區域37的上表面62可被設置成相關該橫斷的方向T高於該基板22的下表面42。在一例子中，該IC散熱片34在該些凸起的末端區域37的上表面62可以相關該橫斷的方向T而被設置在該基板22的下表面42以及該上表面40之間。在另一例子中，該些凸起的末端區域37可以延伸在該基板22之上。因此，該基板22的上表面40可以相關該橫斷的方向T而被設置在該基板22的下表面42以及該IC散熱片34在該些凸起的末端區域37的上表面62之間。該些凸起的末端區域37可以與該導熱體100間隔開。或者是，該些凸起的末端區域37可以根據需要而接觸該導熱體100。再者，在一例子中，該些末端區域37可被侷限在該基板22沿著一藉由該側向的方向A以及該縱長方向L所界定的平面的一覆蓋區之內。因此，在一例子中，該些凸起的末端區域37並不相對於該基板22的覆蓋區而延伸出。
再者，該底座66可以沿著該橫斷的方向T，從該基底65至少延伸到該基板22的安裝孔50之中。譬如，在一例子中，該底座66可以從該基底65延伸穿過該安裝孔50。該IC散熱片34在該底座66的上表面62可以接觸該導熱體100的下表面104。因此，該IC散熱片34可被設置成和該導熱體100導熱連通。就此點而言，應該體認到的是，該導熱體100可以延伸在該基板22的安裝孔50的至少一部分之上。譬如，該導熱體100可以延伸在該安裝孔50的一整體之上。在一例子中，該IC散熱片34在該底座66的上表面62的至少一部分可以表面接觸該導熱體100的下表面104。例如，該IC散熱片34在該底座66的上表面62的一整體可以表面接觸該導熱體100的下表面104。
再者，該底座66的至少一部分可以沿著該橫斷的方向T與被安裝至該上表面102的IC晶粒26的至少一部分對齊。在一例子中，該底座66可以沿著該橫斷的方向T來與該IC晶粒26對齊。因此，該IC晶粒26係被設置成透過該導熱體100而與該IC散熱片34為導熱的。尤其，熱可以從該IC晶粒26藉由沿著該橫斷的方向T流過該導熱體100而導熱地耗散至該底座66。該IC散熱片34可以用上述相關8A-8C的方式來傳導及耗散來自該底座66的熱。該隔熱槽108係實質熱隔離該光學元件28與該IC散熱片34。
如上所述，該至少一第一電性導體74a的第一端可以電連接至該基板22的至少一第一電性墊52的一個別的電性墊，並且該至少一第一電性導體74a的第二端可以電連接至該第一群組68a的至少一IC電性墊68的一個別的電性墊。譬如，該收發器20可包含複數個第一電性導體74a，其係在一第一端電連接至該基板22的複數個第一電性墊52的一個別的電性墊，並且在一第二端連接至該第一群組68a的複數個IC電性墊68的一個別的電性墊。再者，如上所述，該至少一第二電性導體74b的第一端可以電連接至該第二群組68b的至少一IC電性墊68的一個別的電性墊，並且該至少一第二電性導體74b的第二端可以電連 接至該至少一光學元件電性墊72。譬如，該收發器20可包含複數個第二電性導體74b，其係在一個別的第一端電連接至該第二群組68b的複數個IC電性墊68的一個別的電性墊，並且在一第二端電連接至該複數個光學元件電性墊72的一個別的電性墊。在一例子中，該些電性導體74a及74b可以是藉由導線或導帶中的一或多個所界定的，其係利用眾所週知的導線及/或導帶接合技術而被接合到墊。
如同在圖12C中所繪，該IC晶粒26可以具有一大於該光學元件28的高度。因此，該光學元件28的上表面可以相關該橫斷的方向T而被設置在該IC晶粒26的上表面以及該基板22的上表面之間。因此，該至少一第一電性導體74a的長度可以是大於該至少一第二電性導體74b的長度。在該第一區域110的上表面102可以是與在該第二區域112的上表面102實質共平面的。
現在參照圖12D，在一例子中，該第二群組68b的至少一IC電性墊68可以是至少與該至少一光學元件電性墊72實質共平面的。譬如，該導熱體100在該第二區域112的上表面102可以具有一沿著該橫斷的方向T的高度是大於該導熱體在該第一區域110的上表面102的高度。在一例子中，該導熱體的第二區域112可以沿著該橫斷的方向T界定從該上表面102至該下表面104的一厚度，其係大於該第一區域110的厚度。於是，當該些光學元件28被安裝至在該第二區域112的上表面102時，該第二群組68b的至少一IC電性墊68可以是至少與該至少一光學元件電性墊72實質共平面的。
如同在圖12E中所繪，該基板22的第一電性墊52可以沿著該橫斷的方向T，相對於該第一群組68a的IC電性墊68而被偏置，並且該第二群組68b的IC電性墊68可以沿著該橫斷的方向T，相對於該些光學元件電性墊72而被偏置。譬如，該IC晶粒26的第一及第二群組68a及68b的電性墊可以沿著該橫斷的方向T而被設置在該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72之 間。譬如，該導熱體100的第一區域110的上表面102的至少一凹陷部分114可以沿著該橫斷的方向T，相對於該導熱體100的第二區域112的上表面102凹陷的。再者，該第一區域110的上表面102的一部分114可以相對於該第一區域110的上表面102的至少一其它部分凹陷的。該部分114可以延伸到該基板22的安裝孔50中。因此，該部分114的上表面102可以相對於該基板22的上表面40凹陷的。
該IC晶粒26可被安裝至在該凹陷部分114的上表面102。在一例子中，在該凹陷部分114的上表面102可以沿著該橫斷的方向，相對於在該第二區域112的上表面102凹陷一距離，使得該基板22的第一電性墊52係沿著該橫斷的方向T相對於該第一群組68a的IC電性墊68而被偏置，並且該第二群組68b的IC電性墊68可以沿著該橫斷的方向T相對於該些光學元件電性墊72而被偏置。例如，該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68可以相關該橫斷的方向T而與該基板22的第一電性墊52以及該些光學元件電性墊72實質等距地間隔開。因此，該第一及第二群組68a及68b的IC電性墊68可以沿著一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的個別的平面，而與彼此實質共平面的。或者是，在該凹陷部分114的上表面102可以沿著該橫斷的方向T相對於在該第二區域112的上表面102凹陷一距離，使得該第二群組68b的IC電性墊68係與該些光學元件電性墊72實質共平面的。
又或者是，參照圖12F，該第一群組68a的IC電性墊可以至少與該基板22的電性墊52實質共平面的。再者，該第二群組68b的IC電性墊可以至少與該些光學元件電性墊72實質共平面的。譬如，該IC晶粒26可以是傾斜的，使得該第一邊緣69係沿著該橫斷的方向T相對於該第二邊緣71而被偏置。尤其，該第一邊緣69可被設置成低於該第二邊緣71。因此，該第一群組68a的電性墊68可以沿著該橫斷的方向T，相對於該第二群組68b的電性墊68而被偏置。尤其，該第一群組68a可被設置成低於該第二群組68b。該第一群組68a的電性墊 68可以沿著該橫斷的方向T，相對於該基板22的第一電性墊52而被偏置一距離，該距離係小於當該IC晶粒26係如上相關圖7A所述地被定向在藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面中時，該第一群組68a的電性墊68沿著該橫斷的方向T相對於該基板22的第一電性墊52的偏置。在一例子中，該第一群組68a的電性墊68可以是與該基板22的第一電性墊52實質共平面的。類似地，該第二群組68b的電性墊68可以沿著該橫斷的方向T，相對於該些光學元件電性墊72而被偏置一距離，該距離係小於當該IC晶粒26係如上相關圖7A所述地被定向在藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面中時，該第二群組68b的電性墊68沿著該橫斷的方向T相對於該些光學元件電性墊72的偏置。在一例子中，該第二群組68b的電性墊68可以是與該光學元件28的電性墊52實質共平面的。
在一例子中，該導熱體100的第一區域110的上表面102的至少一傾斜的部分116可以相對於一藉由該縱長方向L以及該側向的方向A所界定的平面傾斜的。因此，該傾斜的部分116可以是沿著該橫斷的方向T，相對於該導熱體100的第二區域112的上表面102傾斜的。再者，該第一區域110的上表面102的傾斜的部分116可以相對於該第一區域110的上表面102的至少一其它部分凹陷的。該傾斜的部分116可以延伸到該基板22的安裝孔50中。因此，當該IC晶粒26是在該導熱體100的傾斜的部分116被安裝至該導熱體100的上表面102時，該IC晶粒26的上表面可以用上述的方式傾斜的。應該體認到的是，該IC散熱片34在該底座66的上表面62可以同樣是傾斜的，以便於保持與該導熱體100在該傾斜的部分116的下表面104的表面接觸。
再者，如上相關圖10A-10B所述，該導熱的散熱器76可被設置成機械式接觸並且因此熱連通該IC散熱片34以及該IC晶粒26的至少一或兩者。因此，該散熱器76可以是機械式接觸該些凸起的末端區域37。該散熱器76可進 一步界定與該IC晶粒26對齊的凹陷區域88，並且該第一及第二電性導體74a及74b係與該凹陷區域88對齊。再者，該散熱器76可以在一與該第一及第二電性導體74a及74b間隔開的位置處界定接觸該IC晶粒26的突起90。如同在圖11中所繪的，該散熱器76可以界定和該IC晶粒26熱連通的第一區段76a、以及和該光學元件28熱連通的第二區段76b。再者，該散熱器76可以界定被設置在該第一及第二區段76a及76b之間的槽96，以便於將該IC晶粒26以及該光學元件28設置成彼此實質熱隔離的。
應該體認到的是，在圖式中所示的實施例的圖示及討論只是為了範例的目的而已，因而不應該被解釋為限制本揭露內容的。例如，前面的說明大致已經可應用於一中板安裝的光學收發器；然而，本發明並非限於此的。其可被用在一前面板安裝的光學收發器。在此例中，該電性元件散熱片以及該光學元件散熱片可以是和一收發器殼體熱連通，而不是和一散熱器熱連通。當該收發器被插入在一前面板中時，該收發器殼體係和一在該收發器外部的散熱器熱連通。熟習此項技術者將會體認到本揭露內容係思及各種的實施例。此外，應瞭解的是，在以上和上述實施例有關所敘述的概念可以單獨、或是結合上述其它實施例的任一個來加以採用。應該進一步體認到除非另有指出，否則以上相關一所描繪的實施例敘述的各種替代實施例都可以應用到如同在此所述的所有實施例。
20‧‧‧光學收發器
22‧‧‧收發器基板
24‧‧‧電性構件
26‧‧‧IC晶粒
28‧‧‧光學元件
30‧‧‧光源
34‧‧‧IC散熱片
35‧‧‧凸起的區域
36‧‧‧光學元件散熱片
37‧‧‧末端區域
40‧‧‧上表面
42‧‧‧下表面
44‧‧‧側向的邊緣
45‧‧‧選擇方向
46‧‧‧縱長邊緣
50‧‧‧安裝孔
52‧‧‧第一電性墊
55‧‧‧傳熱區域
60‧‧‧凹陷邊緣
62‧‧‧上表面
65‧‧‧基底
66‧‧‧底座
68a‧‧‧第一群組
68b‧‧‧第二群組
73‧‧‧方向
100‧‧‧導熱體
102‧‧‧上表面
104‧‧‧下表面
106‧‧‧板孔
A‧‧‧側向的方向
L‧‧‧縱長方向
T‧‧‧橫斷的方向

Claims (160)

  1. 一種光學收發器，其係包括：一基板，其係界定一上表面以及一沿著一橫斷的方向與該上表面相對的下表面、以及至少一被設置在該上表面上的第一電性墊；一IC散熱片、以及和該IC散熱片熱連通的一IC晶粒；一被設置在該IC晶粒上的第一群組的至少一IC電性墊；一被設置在該IC晶粒上的第二群組的至少一IC電性墊；一導熱體、以及一和該導熱體熱連通的光學元件；至少一被設置在該光學元件上的光學元件電性墊；至少一第一電性導體，其係從該基板的該至少一第一電性墊的一個別的第一電性墊延伸，且和該第一群組的該至少一IC電性墊的一個別的IC電性墊電性連通；以及至少一第二電性導體，其係從該至少一光學元件電性墊的一個別的光學元件電性墊延伸，且和該第二群組的該至少一IC電性墊的一個別的IC電性墊電性連通，其中該基板係界定彼此沿著一選擇方向相對的邊緣，並且該IC散熱片係界定彼此沿著該選擇方向相對的末端區域。
  2. 如請求項1所述之光學收發器，其中該第一及第二電性導體的每一個係具有一小於1mm的個別的長度。
  3. 如請求項2所述之光學收發器，其中該個別的長度係小於500微米。
  4. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該IC晶粒係被安裝至該IC散熱片。
  5. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該光學元件係 被安裝至該導熱體。
  6. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該第一及第二群組的至少一IC電性墊係相關該橫斷的方向而被設置在該基板的該至少一第一電性墊以及該至少一光學元件電性墊之間。
  7. 如請求項6所述之光學收發器，其中該第一及第二群組的至少一IC電性墊係相關該橫斷的方向，而在該近端的至少一電性墊以及該至少一光學元件電性墊之間實質等距地間隔開。
  8. 如請求項7所述之光學收發器，其中該第一群組的至少一IC晶粒係至少與該第二群組的至少一IC晶粒實質共平面的。
  9. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該第一群組的至少一IC晶粒係至少與該近端的至少一電性墊實質共平面的，並且該第二群組的至少一IC晶粒係至少與該至少一光學元件電性墊實質共平面的。
  10. 如請求項9所述之光學收發器，其中該第一群組的至少一IC晶粒係至少與該第二群組的至少一IC晶粒實質共平面的。
  11. 如請求項9所述之光學收發器，其中該基板係包括第一及第二分開的基板主體，該IC散熱片係藉由該第一基板主體來加以支承，並且該導熱體係藉由該第二基板主體來加以支承。
  12. 如請求項11所述之光學收發器，其中該第一及第二基板主體係沿著該橫斷的方向與彼此偏置的。
  13. 如請求項9所述之光學收發器，其中該上表面係沿著一藉由一縱長方向以及一側向的方向所界定的平面延伸，該縱長方向係實質垂直於該橫斷的方向，並且該側向的方向係實質垂直於該縱長方向以及該橫斷的方向的每一個，並且該IC晶粒係相對於該平面傾斜的。
  14. 如請求項13所述之光學收發器，其中該IC晶粒係界定一被設置 成相鄰該基板的第一邊緣、以及一被設置成相鄰該光學元件的第二邊緣，並且該第二邊緣係相關該橫斷的方向而被設置成高於該第一邊緣。
  15. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該基板係包括第一及第二分開的基板主體，該IC散熱片係藉由該第一基板主體來加以支承，並且該導熱體係藉由該第二基板主體來加以支承。
  16. 如請求項15所述之光學收發器，其中該第一及第二基板主體係沿著該橫斷的方向與彼此偏置的。
  17. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該上表面係沿著一藉由一縱長方向以及一側向的方向所界定的平面延伸，該縱長方向係實質垂直於該橫斷的方向，並且該側向的方向係實質垂直於該縱長方向以及該橫斷的方向的每一個，並且該IC晶粒係相對於該平面傾斜的。
  18. 如請求項17所述之光學收發器，其中該IC晶粒係界定一被設置成相鄰該基板的第一邊緣、以及一被設置成相鄰該光學元件的第二邊緣，並且該第二邊緣係相關該橫斷的方向而被設置成高於該第一邊緣。
  19. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該基板係界定一被配置以支承該IC晶粒的安裝區域。
  20. 如請求項19所述之光學收發器，其中該安裝區域係包括一安裝孔，其係從該上表面至該下表面延伸穿過該基板。
  21. 如請求項20所述之光學收發器，其中該IC散熱片係包括一基底，其係沿著該基板的該下表面延伸。
  22. 如請求項21所述之光學收發器，其中該IC散熱片係包括一底座，其係從該基底向上延伸。
  23. 如請求項22所述之光學收發器，其中該底座以及該IC晶粒中的至少一個係至少延伸到該安裝孔之中。
  24. 如請求項23所述之光學收發器，其中該導熱體係界定一沿著該橫斷的方向延伸穿過其的孔，使得該底座以及該IC晶粒中的至少一個係進一步延伸到該導熱體的該孔中。
  25. 如請求項22所述之光學收發器，其中該IC晶粒係被安裝到該IC散熱片在該底座的一上表面。
  26. 如請求項25所述之光學收發器，其中該底座係至少延伸到該安裝孔以及該導熱體的該孔的每一個之中。
  27. 如請求項19所述之光學收發器，其中該基板係包括一在該安裝區域的導熱的中央層。
  28. 如請求項27所述之光學收發器，其中該IC散熱片係包括一基底，其係沿著該基板的該下表面延伸。
  29. 如請求項27所述之光學收發器，其中該IC晶粒係被安裝至該導熱的中央層。
  30. 如請求項29所述之光學收發器，其中該IC散熱片的一上表面係和該中央層熱連通。
  31. 如請求項30所述之光學收發器，其中該IC晶粒係機械式接觸該導熱的中央層。
  32. 如請求項27所述之光學收發器，其中該導熱體係沿著該基板的該上表面延伸。
  33. 如請求項1所述之光學收發器，其中該基板係界定至少一沿著該選擇方向與該IC晶粒偏置的傳熱區域。
  34. 如請求項33所述之光學收發器，其中該傳熱區域係包括一延伸到該基板的該些邊緣中之一內的缺口。
  35. 如請求項34所述之光學收發器，其中該缺口係包括延伸到該些 邊緣的個別的邊緣中的一對缺口。
  36. 如請求項35所述之光學收發器，其中該IC散熱片係界定個別的末端區域，其係具有延伸到該些缺口的個別的缺口中的凸起的區域。
  37. 如請求項36所述之光學收發器，其中該些末端區域係延伸穿過該些缺口。
  38. 如請求項37所述之光學收發器，其中該些凸起的末端區域並不相對於該基板的一覆蓋區延伸出。
  39. 如請求項36所述之光學收發器，其進一步包括一機械式接觸該些凸起的區域的散熱器，該散熱器係界定一與該IC晶粒對齊的凹陷區域，其中該第一及第二電性導體係與該凹陷區域對齊。
  40. 如請求項39所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一突起，其係在一與該第一及第二電性導體間隔開的位置處接觸該IC晶粒。
  41. 如請求項39所述之光學收發器，其中該散熱器係包括一和該IC晶粒熱連通的第一區段。
  42. 如請求項41所述之光學收發器，其中該散熱器係包括一和該光學元件熱連通的第二區段。
  43. 如請求項42所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一槽，其係被設置在該第一及第二區段之間，以便於將該IC晶粒以及該光學元件設置成與彼此實質熱隔離。
  44. 如請求項33所述之光學收發器，其中該基板進一步包括至少一週邊導熱層，以便於界定該傳熱層。
  45. 如請求項44所述之光學收發器，其中該至少一週邊導熱層係至少部分地界定該基板的一個別的外側的邊緣。
  46. 如請求項44所述之光學收發器，其中該至少一週邊導熱層係藉 由該基板沿著一平面封閉的。
  47. 如請求項44所述之光學收發器，其進一步包括一散熱器，其係機械式接觸該至少一週邊導熱層。
  48. 如請求項47所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一與該IC晶粒對齊的凹陷區域。
  49. 如請求項47所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一突起，其係在一與該第一及第二群組的至少一IC電性墊間隔開的位置處接觸該IC晶粒。
  50. 如請求項48所述之光學收發器，其中該散熱器係包括一和該IC晶粒熱連通的第一區段。
  51. 如請求項50所述之光學收發器，其中該散熱器係包括一和該光學元件熱連通的第二區段。
  52. 如請求項51所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一槽，其係被設置在該第一及第二區段之間，以便於將該IC晶粒以及該光學元件設置成與彼此實質熱隔離。
  53. 如請求項1所述之光學收發器，其中該些末端區域係沿著該選擇方向，相對於該些邊緣延伸出。
  54. 如請求項53所述之光學收發器，其中該IC散熱片進一步包括凸起的區域，其係從該些末端區域向上延伸至一間隔開在該基板之上的位置。
  55. 如請求項54所述之光學收發器，其進一步包括一機械式接觸該些凸起的區域的每一個的散熱器。
  56. 如請求項55所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一與該IC晶粒對齊的凹陷區域。
  57. 如請求項55所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一突起， 其係在一與該第一群組的至少一IC電性墊以及該第二群組的至少一IC電性墊的每一個間隔開的位置處接觸該IC晶粒。
  58. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該導熱體係藉由該基板的該上表面來加以支承。
  59. 如請求項58所述之光學收發器，其中該至少一光學元件電性墊係相關該橫斷的方向而被設置在該基板的該至少一第一電性墊之上。
  60. 如請求項58所述之光學收發器，其中該第一及第二群組的至少一IC電性墊係相關該橫斷的方向而被設置在該近端的至少一電性墊以及該至少一光學元件電性墊之間。
  61. 如請求項60所述之光學收發器，其中該第一及第二群組的至少一IC電性墊係相關該橫斷的方向，而在該近端的至少一電性墊以及該至少一光學元件電性墊之間實質等距地間隔開。
  62. 如請求項61所述之光學收發器，其中該第一群組的至少一IC晶粒係至少與該近端的至少一電性墊實質共平面的，並且該第二群組的至少一IC晶粒係至少與該至少一光學元件電性墊實質共平面的。
  63. 如請求項62所述之光學收發器，其中該第一群組的至少一IC晶粒係至少與該第二群組的至少一IC晶粒實質共平面的。
  64. 如請求項63所述之光學收發器，其中該基板係包括第一及第二分開的基板主體，該IC散熱片係藉由該第一基板主體來加以支承，並且該導熱體係藉由該第二基板主體來加以支承。
  65. 如請求項64所述之光學收發器，其中該第一及第二基板主體係沿著該橫斷的方向與彼此偏置的。
  66. 如請求項63所述之光學收發器，其中該上表面係沿著一藉由一縱長方向以及一側向的方向所界定的平面延伸，該縱長方向係實質垂直於該橫 斷的方向，並且該側向的方向係實質垂直於該縱長方向以及該橫斷的方向的每一個，並且該IC晶粒係相對於該平面傾斜的。
  67. 如請求項64所述之光學收發器，其中該IC晶粒係界定一被設置成相鄰該基板的第一邊緣、以及一被設置成相鄰該光學元件的第二邊緣，並且該第二邊緣係相關該橫斷的方向而被設置成高於該第一邊緣。
  68. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該IC散熱片係至少與該導熱體實質熱隔離。
  69. 如請求項68所述之光學收發器，其中該IC散熱片係與該導熱體分開的，以便於在兩者之間界定一間隙。
  70. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該些電性導體係包括導線或是導帶。
  71. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該些電性墊是引線接合墊。
  72. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該光學元件係包括一VCSEL，並且該IC晶粒係包括一VCSEL驅動器。
  73. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該光學元件係包括一光檢測器，並且該IC晶粒係包括一跨阻抗放大器。
  74. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該IC散熱片的至少一部分係沿著該基板的底部延伸，並且該導熱體的至少一部分係藉由該基板的頂端來加以支承。
  75. 如請求項74所述之光學收發器，其中該IC散熱片的至少一大部分係沿著該基板的底部延伸，並且該導熱體的至少一大部分係沿著該基板的頂端延伸。
  76. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該光學元件係 包括一光源，並且該IC晶粒係包括一用於該光源的驅動器。
  77. 如請求項76所述之光學收發器，其中該光學元件係包括至少一VCSEL。
  78. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該IC晶粒係包括一電流至電壓轉換器，並且該光學元件係包括至少一光二極體。
  79. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該IC晶粒係包括一跨阻抗放大器。
  80. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中該基板係包括至少一第二電性墊、以及一電性線路，該電性線路係和該基板的該至少一第一電性墊的一個別的第一電性墊以及該至少一第二電性墊的一個別的第二電性墊電性連通。
  81. 如請求項1所述之光學收發器，其中該IC晶粒係位在一相對於該基板的該上表面的角度下。
  82. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中被設置在該IC晶粒上的該第一群組的至少一IC電性墊係在該橫斷的方向上位於和被設置在該基板的該上表面上的該至少一第一電性墊實質相同的位置。
  83. 如請求項1至3的任一項所述之光學收發器，其中被設置在該IC晶粒上的該第二群組的至少一IC電性墊係在該橫斷的方向上位於和至少一被設置在該光學元件上的光學元件電性墊實質相同的位置。
  84. 一種光學收發器，其係包括：一基板，其係界定一上表面以及一沿著一橫斷的方向與該上表面相對的下表面、至少一被設置在該上表面上的第一電性墊、以及一安裝孔，其係從該上表面至該下表面延伸穿過該基板；一導熱體，其係界定一上表面以及一下表面，其中該導熱體的該下表面係 面對該基板的該上表面，並且該導熱體係延伸在該基板的該安裝孔的至少一部分之上，其中該導熱體係界定一隔熱槽，該隔熱槽係從該導熱體的該上表面至該導熱體的該下表面延伸穿過該導熱體；一IC散熱片，其係延伸穿過該基板的該孔並且接觸該導熱體的該下表面；一光學元件，其係被安裝至該導熱體的該上表面、以及至少一被設置在該光學元件上的光學元件電性墊；一IC晶粒，其係被安裝至該導熱體的該上表面，其中該隔熱槽係被設置在該光學元件以及該IC晶粒之間；一被設置在該IC晶粒上的第一群組的至少一IC電性墊、以及一被設置在該IC晶粒上的第二群組的至少一IC電性墊；至少一第一電性導體，其係從該基板的該至少一第一電性墊的一個別的第一電性墊延伸，且和該第一群組的該至少一IC電性墊的一個別的IC電性墊電性連通；以及至少一第二電性導體，其係從該至少一光學元件電性墊的一個別的光學元件電性墊延伸，且和該第二群組的該至少一IC電性墊的一個別的IC電性墊電性連通，其中該基板係界定一延伸到該基板的至少一邊緣中的缺口。
  85. 如請求項84所述之光學收發器，其中該IC散熱器係界定一基底，其係沿著該基板的該下表面延伸、以及一底座，其係從該基底向上延伸並且穿過該基板的該孔，其中該底座係接觸該導熱體的該下表面。
  86. 如請求項85所述之光學收發器，其中該底座的至少一部分係沿著該橫斷的方向來與該IC晶粒的至少一部分對齊。
  87. 如請求項85或86所述之光學收發器，其中該基底係沿著一選擇方向細長的，並且該槽係沿著該選擇方向細長的。
  88. 如請求項87所述之光學收發器，其中該槽係界定第一及第二終端，並且該至少一光學元件以及該IC晶粒的每一個係相關該選擇方向而完全地被設置在該第一及第二終端之間。
  89. 如請求項84所述之光學收發器，其中該缺口係包括延伸到該些邊緣的個別的邊緣中的一對缺口。
  90. 如請求項89所述之光學收發器，其中該IC散熱片係界定個別的末端區域，其係具有延伸到該些缺口的個別的缺口中的凸起的區域。
  91. 如請求項90所述之光學收發器，其中該些末端區域係延伸穿過該些缺口。
  92. 如請求項91所述之光學收發器，其中該些凸起的末端區域並不相對於該基板的一覆蓋區而延伸出。
  93. 如請求項90所述之光學收發器，其進一步包括一機械式接觸該些凸起的區域的散熱器，該散熱器係界定一與該IC晶粒對齊的凹陷區域，其中該第一及第二電性導體係與該凹陷區域對齊。
  94. 如請求項93所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一突起，其係在一與該第一及第二電性導體間隔開的位置處接觸該IC晶粒。
  95. 如請求項93所述之光學收發器，其中該散熱器係包括一和該IC晶粒熱連通的第一區段。
  96. 如請求項95所述之光學收發器，其中該散熱器係包括一和該光學元件熱連通的第二區段。
  97. 如請求項96所述之光學收發器，其中該散熱器係界定一槽，其係被設置在該第一及第二區段之間，以便於將該IC晶粒以及該光學元件設置成與彼此實質熱隔離。
  98. 如請求項84至86的任一項所述之光學收發器，其中該第二群組 的該至少一IC電性墊係至少與該至少一光學元件電性墊實質共平面的。
  99. 如請求項98所述之光學收發器，其中該IC晶粒係在該導熱體的一第一區域被安裝至該導熱體，該光學元件係被安裝到該導熱體的一第二區域，並且該第二區域係具有一相對於該第一區域的增大的高度。
  100. 如請求項84至86的任一項所述之光學收發器，其中該第一及第二群組的至少一IC電性墊係相關該橫斷的方向而被設置在該基板的該至少一第一電性墊以及該至少一光學元件電性墊之間。
  101. 如請求項100所述之光學收發器，其中該第一及第二群組的至少一IC電性墊係相關該橫斷的方向，而在該近端的至少一電性墊以及該至少一光學元件電性墊之間實質等距地間隔開。
  102. 如請求項100所述之光學收發器，其中該IC晶粒係在該導熱體的一第一區域被安裝至該導熱體，該光學元件係被安裝到該導熱體的一第二區域，並且該第一區域係相對於該第二區域凹陷的。
  103. 如請求項84至86的任一項所述之光學收發器，其中該第一群組的至少一IC電性墊係至少與該基板的該至少一第一電性墊實質共平面的，並且該第二群組的至少一IC電性墊係至少與該至少一光學元件電性墊實質共平面的。
  104. 如請求項103所述之光學收發器，其中該IC晶粒係相關一被定向成垂直於該橫斷的方向的平面傾斜的。
  105. 如請求項104所述之光學收發器，其中該IC晶粒係在該導熱體的一第一區域被安裝至該導熱體，該光學元件係被安裝到該導熱體的一第二區域，並且該第一區域係相對於該第二區域傾斜的。
  106. 如請求項84至86的任一項所述之光學收發器，其中該槽係具有一完全封閉的週邊。
  107. 一種光學收發器，其係包括：一基板，其係具有彼此沿著一橫斷的方向相對的上表面以及下表面，該基板係界定一安裝區域；一電性構件，其係被支承在該安裝區域；以及一電性構件散熱片，其係和該電性構件熱連通；一光學元件，其係由該基板所支承，並且和該電性構件電性連通；以及一導熱體，其係和該光學元件熱連通，並且至少與該電性構件散熱片實質熱隔離；其中該電性構件散熱片係至少部分地界定一第一散熱路徑，該第一散熱路徑係具有一第一區段，其係從該電性構件延伸通過該基板、一第二區段，其係從該第一區段而在該基板之下的一位置沿著該基板延伸、以及一第三區段，其係從該第二區段沿著該橫斷的方向向上延伸以便於橫跨該基板，其中該第三區段係沿著一實質垂直於該橫斷的方向之方向與該第一區段間隔開；且其中該安裝區域係界定一安裝孔，並且該電性構件散熱片係界定一至少部分地延伸到該安裝孔之中的底座。
  108. 如請求項107所述之光學收發器，其中該電性構件係包括一驅動器，並且該光學元件係包括一藉由該驅動器加以驅動的VCSEL。
  109. 如請求項107或108所述之光學收發器，其中該電性構件係包括一電流至電壓轉換器，並且該光學元件係包括一光檢測器，其係接收光子並且轉換該光子成為電流，其係傳送該電流至該電流至電壓轉換器。
  110. 如請求項109所述之光學收發器，其中該導熱體係界定一來自該光學元件的第二散熱路徑，其中該第二散熱路徑的一部分係被設置在該基板的該上表面之上。
  111. 如請求項110所述之光學收發器，其中該第二散熱路徑的一整 體係被設置在該基板的該上表面之上。
  112. 如請求項107所述之光學收發器，其中底座係延伸穿過該安裝孔。
  113. 如請求項112所述之光學收發器，其中該電性構件係被安裝至該底座。
  114. 如請求項107所述之光學收發器，其中該第一區段係延伸穿過該底座。
  115. 如請求項107或108所述之光學收發器，其中該基板係界定一在該安裝區域的導熱層，並且該電性構件係被安裝至該導熱層。
  116. 如請求項115所述之光學收發器，其中該電性構件散熱片係接觸該導熱層。
  117. 如請求項115所述之光學收發器，其中該第一區段的至少一部分係延伸穿過該導熱層至該電性構件散熱片。
  118. 如請求項107或108所述之光學收發器，其中該第三區段係被設置成從該基板的至少一外側的邊緣向外的。
  119. 如請求項107或108所述之光學收發器，其中該基板係界定至少一傳熱區域，其係沿著一垂直於該橫斷的方向之方向與該安裝區域間隔開。
  120. 如請求項119所述之光學收發器，其中該至少一傳熱區域係界定一開口，並且該電性構件散熱片係界定一至少部分地延伸到該開口之中的凸起的區域。
  121. 如請求項120所述之光學收發器，其中該凸起的區域係延伸穿過該開口。
  122. 如請求項121所述之光學收發器，其中該第三區段係延伸穿過該凸起的區域。
  123. 如請求項121所述之光學收發器，其中該開口是一缺口，其係沿著一垂直於該橫斷的方向之方向延伸到該基板的一外側的邊緣中。
  124. 如請求項119所述之光學收發器，其中該基板係界定一在該傳熱區域的週邊導熱層，並且該週邊導熱層係和該電性構件散熱器熱連通。
  125. 如請求項124所述之光學收發器，其中該第三區段係行進通過該週邊導熱層。
  126. 一種耗散來自一光學收發器的熱之方法，該方法係包括以下步驟：在一電性構件產生熱，該電性構件係被支承在一基板的一安裝區域；透過一電性構件散熱片來耗散在該電性構件產生的該熱的至少一部分，該電性構件散熱片係沿著一第一散熱路徑來和該電性構件熱連通，該第一散熱路徑係具有一第一區段，其係從該電性構件延伸穿過該基板、一第二區段，其係從該第一區段而在該基板之下的一位置沿著該基板延伸、以及一第三區段，其係從該第二區段向上延伸，以便於在一與該第一區段間隔開的位置處橫跨該基板；在一光學元件產生熱，該光學元件係由該基板所支承，並且和該電性構件電性連通；以及透過一導熱體來耗散在該光學元件產生的該熱的至少一部分，該導熱體係和該光學元件熱連通，並且至少與該電性構件散熱片實質熱隔離，其中該安裝區域係界定一安裝孔，並且該電性構件散熱片係界定一至少部分地延伸到該安裝孔之中的底座。
  127. 如請求項126所述之方法，其中該電性構件係包括一驅動器，並且該光學元件係包括一藉由該驅動器而被驅動的VCSEL。
  128. 如請求項126或127所述之方法，其中該電性構件係包括一電 流至電壓轉換器，並且該光學元件係包括一光檢測器，其係接收光子並且轉換該光子成為電流，其係傳送該電流至該電流至電壓轉換器。
  129. 如請求項128所述之方法，其中該第二耗散步驟係包括沿著來自該光學元件的一第二散熱路徑來耗散在該光學元件產生的該熱的至少一部分，其中該第二散熱路徑的一部分係被設置在該基板的該上表面之上。
  130. 如請求項129所述之方法，其中該第二散熱路徑係至少部分藉由該導熱體所界定的。
  131. 如請求項129所述之方法，其中該第二散熱路徑的一整體係被設置在該基板的該上表面之上。
  132. 如請求項126所述之方法，其中該底座係延伸穿過該安裝孔。
  133. 如請求項132所述之方法，其中該電性構件係被安裝至該底座。
  134. 如請求項126所述之方法，其中該第一區段係延伸穿過該底座。
  135. 如請求項126或127所述之方法，其中該基板係界定一在該安裝部分的導熱層，並且該電性構件係被安裝至該導熱層。
  136. 如請求項135所述之方法，其中該第一區段的至少一部分係延伸穿過該導熱層至該電性構件散熱片。
  137. 如請求項126或127所述之方法，其中該第三區段並不延伸到該基板的一覆蓋區之外。
  138. 如請求項126所述之方法，其中該基板係界定至少一沿著一垂直於該橫斷的方向之方向與該安裝區域間隔開的傳熱區域。
  139. 如請求項138所述之方法，其中該至少一傳熱區域係界定一開口，並且該電性構件散熱片係界定一至少部分地延伸到該開口之中的凸起的區 域。
  140. 如請求項139所述之方法，其中該凸起的區域係延伸穿過該開口。
  141. 如請求項139所述之方法，其中該第三區段係延伸穿過該凸起的區域。
  142. 如請求項139所述之方法，其中該開口是一缺口，其係沿著一垂直於該橫斷的方向之方向延伸到該基板的一外側的邊緣中。
  143. 如請求項138所述之方法，其中該基板係界定一在該傳熱區域的週邊導熱層，並且該週邊導熱層係和該電性構件散熱器熱連通。
  144. 如請求項143所述之方法，其中該第三區段係行進通過該週邊導熱層。
  145. 一種組件，其係包括：一第一構件，其係被配置以安裝到一基板，其中該第一構件包括一積體電路；一第二構件，其係被配置以安裝至該基板，並且被設置成和該第一構件電性連通，其中該第一及第二構件中的至少一個係被配置以傳送信號至該第一及第二構件的另一個；一散熱器，其係被配置以和該第一構件沿著一方向界定一導熱的路徑，同時與該第二構件間隔開以在兩者之間界定一間隙，該間隙係沿著該方向而被定向，以便於維持與該第二構件導熱的隔離。
  146. 如請求項145所述之組件，其進一步包括該基板。
  147. 如請求項146所述之組件，其中該基板係界定一上表面以及一沿著該方向與該上表面相對的下表面，並且該第一及第二構件係被安裝至該上表面。
  148. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該散熱器係被安裝至該基板。
  149. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該散熱器係直接接觸該第一構件。
  150. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該散熱器並沒有部分係直接接觸該第二構件。
  151. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該第二構件係包括至少一光學元件。
  152. 如請求項151所述之組件，其中該第二構件係包括複數個光學元件。
  153. 如請求項151所述之組件，其中至少一光學元件係包括至少一VCSEL。
  154. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該第二構件係包括至少一電連接器。
  155. 如請求項154所述之組件，其中該至少一電連接器係包括複數個電連接器。
  156. 如請求項155所述之組件，其中該些電連接器係沿著一圍繞該第二構件的路徑來加以配置。
  157. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該第一構件係被配置以傳送信號至該第二構件。
  158. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該第二構件係被配置以傳送信號至該第一構件。
  159. 如請求項145至147的任一項所述之組件，其中該些信號是電性信號。
  160. 如請求項159所述之組件，其中該些電性信號係包括電性資料。
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