TWI786852B - 天線結構和天線封裝 - Google Patents

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呂彥儒
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Abstract

本發明公開一種天線結構，包括：輻射天線元件，設置在第一導電層中；以及參考接地面，設置在該第一導電層下方的第二導電層中，其中，該輻射天線元件裝載有複數個槽，並該輻射天線元件透過複數個通孔電連接到參考接地面，以及其中，該通孔沿該輻射天線元件的第一條線放置，該槽沿垂直於該第一條線的第二條線放置。

Description

天線結構和天線封裝
本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種天線結構和天線封裝。
傳統的毫米波(mm波)扇形波束(fan-beam)高增益天線由線性、串聯饋電貼片(fed patch)天線構成。它們用於透過控制饋電貼片天線的饋電網路和每個貼片元件的尺寸來實現低旁瓣波束(side lobe beam)。然而，波束會隨著頻率的變化而傾斜，從而導致整個頻帶中的增益發生變化。
同樣如本領域中已知的，網格陣列天線(grid array antenna，GAA)結構通常由位於由金屬接地平面支撐的介電基板上的微帶線(microstrip line)的矩形網格構成，並且由穿過接地平面上的孔(aperture，或小孔或縫隙)的金屬通孔饋送。根據網格邊的電氣長度(electrical length)，網格陣列天線可以是諧振的或非諧振的。
然而，傳統的網格陣列天線在毫米波頻率(例如，77~89GHz)下表現不佳。因此，需要提供一種改進的天線結構，在毫米波頻率下具有高增益和所需的扇形波束輻射圖案或場型(pattern)。
有鑑於此，本發明提供一種天線結構和天線封裝，以解決上述問題。
根據本發明的第一方面，公開一種天線結構，包括：輻射天線元件以及參考接地面。輻射天線設置在第一導電層中。參考接地面設置在第一導電層下方的第二導電層中。其中，輻射天線元件裝載有複數個槽，並輻射天線元件透過複數個通孔電連接到參考接地面，以及其中，通孔沿輻射天線元件的第一條線放置，槽沿垂直於第一條線的第二條線放置。
根據本發明的第二方面，公開一種天線結構，包括：輻射天線元件、參考接地面以及饋電網路。輻射天線元件設置在第一導電層中。參考地平面設置於第一導電層下方的第二導電層中。饋電網路包括一對傳輸線，設置在第二導電層下方的第三導電層中，以及一對差分饋電端子，其中一對差分饋電端子設置為將一對傳輸線的一端電耦接至輻射天線元件，以及其中，輻射天線元件裝載有複數個槽並且輻射天線元件透過複數個通孔電連接到參考接地面。
根據本發明的第三方面，公開一種天線封裝，包括：天線結構以及半導體晶片。天線結構包括：輻射天線元件、參考接地面以及饋電網路。輻射天線元件設置在第一導電層中。參考接地面設置於第一導電層下方的第二導電層中，其中輻射天線元件載有複數個槽，並輻射天線元件透過複數個通孔電性連接至參考接地面。饋電網路包括一對傳輸線，設置在第二導電層下方的第三導電層中，以及一對差分饋入端，其中該一對差分饋入端用以將該一對傳輸線的一端電性耦接至輻射天線元件。半導體晶片透過饋電網路電耦接到天線結構。
本發明的天線結構由於包括：輻射天線元件，設置在第一導電層中；以及參考接地面，設置在該第一導電層下方的第二導電層中，其中，該輻射天線元件裝載有複數個槽，並該輻射天線元件透過複數個通孔電連接到參考接地面，以及其中，該通孔沿該輻射天線元件的第一條線放置，該槽沿垂直於該第一條線的第二條線放置。本發明可用於抑制整個結構中激發的任何偶數階TM模式，並在整個運行頻段上保持穩定的寬邊輻射方向圖，還可以獲得輻射方向圖 中的幅度逐漸變細，從而在寬頻率範圍內提供低旁瓣電平。
100:天線結構
110,710-1,710-2:輻射天線元件
120:參考接地面
SL-1,SL-2,SL-3,SL-4,SL-5,SL-6:槽
TL-1,TL-2:傳輸線
35-1,35-2:饋電端子
33:通孔
SG-1:第一傳輸線段
SG-2:第二傳輸線段
SG-3:第三傳輸線段
700:天線封裝
75:基板
730:RF半導體晶片
77:導電元件
35-TX,35-RX:饋電端子
TL_TX,TL_RX:傳輸線
透過閱讀後續的詳細描述和實施例可以更全面地理解本發明，本實施例參照附圖給出，其中：
圖1為本發明一實施例的天線結構示意圖。
圖2為本發明一實施例的天線結構的X-Z平面圖與電場示意圖。
圖3為本發明一實施例的天線結構的剖面示意圖。
圖4為本發明一實施例的天線結構的另一剖面示意圖。
圖5是根據本發明的實施例所提出的天線結構的示意性俯視圖。
圖6是根據本發明另一實施例所提出的天線結構的示意性俯視圖。
圖7是示出根據本發明的一個實施例的具有所提出的天線結構的示例性天線封裝的示意性橫截面圖。
圖8是示出根據本發明實施例的在電平面(Electric-plane，E-平面)中所提出的天線結構的輻射方向圖的示意圖。
圖9是示出根據本發明實施例的在磁平面(magnetic-plane，H平面)中所提出的天線結構的輻射方向圖的示意圖。
圖10是示出根據本發明實施例的在天線結構中實施的輻射天線元件的不同形狀的示意圖。
在下面對本發明的實施例的詳細描述中，參考了附圖，這些附圖構成了本發明的一部分，並且在附圖中透過圖示的方式示出了可以實踐本發明的 特定的優選實施例。對這些實施例進行了足夠詳細的描述，以使所屬技術領域具有通常知識者能夠實踐它們，並且應當理解，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以利用其他實施例，並且可以進行機械，結構和程式上的改變。本發明。因此，以下詳細描述不應被理解為限制性的，並且本發明的實施例的範圍僅由所附申請專利範圍限定。
將理解的是，儘管術語“第一”、“第二”、“第三”、“主要”、“次要”等在本文中可用於描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、這些層和/或部分不應受到這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個元素，組件，區域，層或部分與另一區域，層或部分。因此，在不脫離本發明構思的教導的情況下，下面討論的第一或主要元件、組件、區域、層或部分可以稱為第二或次要元件、組件、區域、層或部分。
此外，為了便於描述，本文中可以使用諸如“在...下方”、“在...之下”、“在...下”、“在...上方”、“在...之上”之類的空間相對術語，以便於描述一個元件或特徵與之的關係。如圖所示的另一元件或特徵。除了在圖中描述的方位之外，空間相對術語還意圖涵蓋設備在使用或運行中的不同方位。該裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)，並且在此使用的空間相對描述語可以同樣地被相應地解釋。另外，還將理解的是，當層被稱為在兩層“之間”時，它可以是兩層之間的唯一層，或者也可以存在一個或複數個中間層。
術語“大約”、“大致”和“約”通常表示規定值的±20%、或所述規定值的±10%、或所述規定值的±5%、或所述規定值的±3%、或規定值的±2%、或規定值的±1%、或規定值的±0.5%的範圍內。本發明的規定值是近似值。當沒有具體描述時，所述規定值包括“大約”、“大致”和“約”的含義。本文所使用的術語僅出於描述特定實施例的目的，並不旨在限制本發明。如本文所使 用的，單數術語“一”，“一個”和“該”也旨在包括複數形式，除非上下文另外明確指出。本文所使用的術語僅出於描述特定實施例的目的，並不旨在限制本發明構思。如本文所使用的，單數形式“一個”、“一種”和“該”也旨在包括複數形式，除非上下文另外明確指出。
將理解的是，當將元件或層稱為在另一元件或層“上”，“連接至”，“耦接至”或“鄰近”時，它可以直接在其他元素或層上，與其連接，耦接或相鄰，或者可以存在中間元素或層。相反，當元件稱為“直接在”另一元件或層“上”，“直接連接至”，“直接耦接至”或“緊鄰”另一元件或層時，則不存在中間元件或層。
注意：(i)在整個附圖中相同的特徵將由相同的附圖標記表示，並且不一定在它們出現的每個附圖中都進行詳細描述，並且(ii)一系列附圖可能顯示單個專案的不同方面，每個方面都與各種參考標籤相關聯，這些參考標籤可能會出現在整個序列中，或者可能只出現在序列的選定圖中。
本發明涉及高增益和扇形波束的天線結構以及具有這種天線結構的天線封裝(antenna-in-package，AiP)。一些合適的封裝類型可以包括但不限於扇出晶圓級封裝(fan-out wafer level package，FOWLP)、倒裝晶片晶片級封裝(flip-chip chip-scale package，FCCSP)或半導體嵌入基板(semiconductor-embedded in substrate，SESUB)。此外，本發明可適用於板載天線(antenna-on-board，AOB)應用。所公開的天線結構適用於汽車應用的雷達感測器或5G行動通訊系統，但不限於此。
圖1為本發明一實施例的天線結構示意圖。天線結構100可以包括輻射天線元件110和參考接地面120。輻射天線元件110設置在第一導電層中。參考接地面120設置在第一導電層下方的第二導電層中。根據本發明的實施例，輻射天線元件110是在橫向磁場(Transverse Magnetic)TM4n+1,0模式下運行的電長或 電性長度(electrically long)(幾個波長)貼片天線並且輻射天線元件110包括複數個蝕刻槽(slot)，例如槽(或稱為插槽、狹縫等)SL-1~SL-(2*n)。例如但不限於，在圖1所示的實施例中，輻射天線元件110工作在TM13,0模式並載入有六個槽SL-1~SL-6，其中n=3。需要注意的是，蝕刻在輻射天線元件上的槽的數量不限於六個，還可以是4、5、8、10等等。槽穿透輻射天線元件110。
根據本發明的一實施例，除了在輻射天線元件110上蝕刻複數個槽之外，天線結構100還可以包括複數個通孔33。通孔(或稱為穿孔、孔)33可以作為短路通孔並且輻射天線元件110是透過通孔33電連接至參考接地面120。還需要注意的是，雖然圖1中示出了六個通孔33，但是通孔的數量不限於六個，還可以是1、2、4、5、8、10等等。通孔33也可稱為導電通孔。
根據本發明的一個實施例，通孔33沿著輻射天線元件110的第一條線放置，並且縫隙SL-1~SL-(2*n)沿著垂直於第一條線的第二條線放置。在本發明的一個實施例中，第一條線是貼片天線(即輻射天線元件110)的中心線。具體來說，第一條線是沿輻射天線元件110在其寬度上的中心線，第一條線沿Y軸延伸，與輻射天線元件110的寬的邊平行，並且與輻射天線元件110的長的邊垂直。以第一條線劃分後，輻射天線元件110在第一條線的兩側的部分可以是軸對稱，第一條線為對稱軸。此外輻射天線元件110上槽的數量也可以是以第一條線為對稱軸，兩邊的數量相等。如圖1所示，通孔33的軌道沿著輻射天線元件110的中心放置，其中輻射天線元件110的中心線(或第一條線)是穿過輻射天線元件110的中心點的虛擬線，而輻射天線元件110的第二條線也是沿X軸延伸的虛擬線。第一條線穿過輻射天線元件110的中心，並且沿第一方向(例如Y軸方向)延伸(或也可以說，第一條線穿過輻射天線元件110的中心並且沿與輻射天線元件110的寬平行的方向延伸)，第二條線沿第二方向(例如X軸方向)延伸，第二方向與第一方向垂直。輻射天線元件110上槽的長度方向沿著Y軸方向延伸，並且沿著 X軸的方向平行均勻排布。複數個通孔33排列後延伸的方向與槽的長度方向相同，並且沿Y軸方向延伸。
根據本發明的一個實施例，如圖1所示，2*n個槽在通孔33的兩側均勻分佈或基本均勻分佈。也就是說，在通孔33的每一側可以有n個槽。
根據本發明的一個實施例，天線結構100還可以包括饋電網路(feeding network)。饋電網路可以包括設置在第二導電層下方的第三導電層中的一對傳輸線，和一對差分饋電端子。如圖1所示，饋電端子35-1和35-2分佈在通孔33的兩側，並且至少部分傳輸線TL-1和TL-2分別走線在通孔33的兩側。
在本發明的實施例中，天線結構100可以配置為以具有RF頻率和相應波長(例如，引導波長λ g)的預定射頻(radio frequency，RF)訊號運行。根據本發明的一個實施例，相鄰的槽之間的距離(例如，從一個槽的中心到相鄰槽的中心的距離)可以設計為等於或基本等於λ g，並且至少一個槽的長度為等於或基本等於λ g/2。在本發明的實施例中，透過控制輻射天線元件110和槽的形狀，可以獲得輻射場型的幅度逐漸變細，從而在寬頻率範圍內提供低旁瓣水平(side lobe level)。此外，透過控制每個或至少一個槽的長度，可以在整個頻帶內實現平坦的增益分佈。
根據本發明的一個實施例，每個縫隙可以作為磁流(magnetic current)元件，連同輻射天線元件110的兩個輻射邊緣，產生具有高方向性的線性磁流陣列。以此方式，天線結構100可激發橫向磁場TM4n+1,0模式並在整個運行頻帶上保持穩定的寬邊輻射圖案或場型。
圖2為本發明一實施例的天線結構100的X-Z平面圖與電場示意圖。在圖2所示的實施例中，輻射天線元件110是在TM13,0模式下運行的貼片天線。天線結構包括六個導波間隔開的槽(如圖1所示的SL-1~SL-6)，其中TM13,0模式下的槽位置如圖2所示，輻射天線元件110周圍的箭頭表示由天線結構100產生的電 場。圖2中指示的中心線示出了通孔33的設置位置。
在本發明的實施例中，由於槽SL-1~SL-(2 * n)的孔徑(或小孔)上的電場將透過適當地選擇槽SL-1~SL-(2 *n)的位置來產生輻射磁電流，使得SL-1~SL-(2*n)與輻射天線元件110的兩個邊緣一起形成具有高方向性的(2n+2)元件磁流陣列(element magnetic current array)。如圖2所示，形成了具有高方向性的8元件磁流陣列，也即槽SL-1~SL-6，再加上輻射天線元件110寬度上的兩個邊緣(輻射天線元件110的沿Y軸延伸的邊)。
圖3為本發明一實施例的天線結構的剖面示意圖。圖3還示出了天線結構100的X-Z平面圖。圖4是示出了根據本發明實施例的天線結構的另一示意性截面圖。圖4示出了天線結構100的Y-Z平面圖。
根據本發明的實施例，參考接地面120包括兩個孔(aperture)，每個孔(或稱為小孔、縫隙)用於容納饋電端子(或饋入端子)35-1和35-2中的一個。一對差分饋入端子(或饋電端子)35-1及35-2配置為將一對傳輸線TL-1及TL-2的一端電性耦接至輻射天線元件110。一對差分饋入端子35-1及35-2穿過參考接地面120的孔並且不與參考接地面120接觸，例如參考接地面120的孔的孔徑較大而差分饋入端子35-1及35-2的直徑較小，因此兩者之間具有絕緣材料(例如基板中的材料等)，這樣差分饋入端子35-1及35-2與參考接地面120之間沒有電性連接。
饋入端子35-1及35-2的上端電性耦接於輻射天線元件110，而饋入端子35-1及35-2的下端電性耦接於一對傳輸線的一端TL-1和TL-2，而傳輸線對TL-1和TL-2的另一端可以電耦接到半導體晶片(未示出)的焊盤。根據本發明的一個實施例，半導體晶片可以是射頻(RF)半導體晶片，其中去往或來自輻射天線元件110的諸如毫米波訊號的RF訊號可以透過一對傳輸線TL-1和TL-2以及一對差分饋電端子35-1和35-2傳輸。
根據本發明的一個實施例，輻射天線元件110的中心線上的任意固定點(例如，中心點)到每個饋電端子的距離相等。也就是說，在本發明的實施例中，饋電端子35-1和35-2設計為與輻射天線元件110的中心線等距。如圖2所示，與輻射天線元件110的中心線等距的點處的電場方向相反。例如，以圖2中的中心線為對稱軸，兩邊的電場方向呈現為180°反向，因此圖2中心線兩側的電場方向以中心線為中心對稱。因此，一對饋入端子35-1和35-2形成差分饋入結構，輻射天線元件110透過饋入端子35-1和35-2發送或接收的訊號之間會有180度的相位差。在本發明的實施例中，差分饋電結構用於激發TM4n+1,0模式並在整個運行頻帶上保持穩定的寬邊輻射圖。
圖5是根據本發明的實施例所提出的天線結構的示意性俯視圖，其是示出傳輸線的實施方式的透視圖。在圖5所示的實施例中，利用一對差分線作為饋電網路中的傳輸線TL-1和TL-2，以實現具有饋電端子35-1和35-2的差分饋電結構。另外，將相位差為180度的兩個饋電端子(或饋電通孔，可以是金屬通孔)35-1和35-2放置在通孔(例如短路通孔)33的兩側並連接到輻射天線元件110和傳輸線TL-1和TL-2。
圖6是根據本發明另一實施例所提出的天線結構的示意性俯視圖，其是示出傳輸線的另一實施方式的透視圖。在圖6所示的實施例中，利用兩條延遲線作為饋電網路中的一對傳輸線，以實現具有饋電端子35-1和35-2的差分饋電結構。另外，將相位差為180度的兩個饋電端子(或饋電通孔，可以是金屬通孔)35-1和35-2放置在通孔(例如短路通孔)33的兩側並連接到輻射天線元件110和一對傳輸線。
此外，該對傳輸線可以包括第一傳輸線段SG-1、第二傳輸線段SG-2和第三傳輸線段SG-3。第一傳輸線段SG-1的一端電性耦接饋入端子35-1的下端，第二傳輸線段SG-2的一端電性耦接饋入端子35-2的下端。第一傳輸線段SG-1 的另一端連接第三傳輸線段SG-3形成延遲線作為傳輸線TL-1，第二傳輸線段SG-2的另一端連接至第三傳輸線段SG-3形成另一條延遲線作為傳輸線TL-2。第一傳輸線段SG-1的長度11與第二傳輸線段SG-2的長度12之差可設計為等於或實質上等於λ g/2，以具有180度相位差。因此本發明中，設置為複數個槽的數量和佈置位置關於第一條線對稱，並且複數個通孔沿著第一條線設置，以及設置有差分饋入端子35-1和35-2，並且差分饋入端子35-1和35-2的位置也可以關於第一條線對稱，因此可以實現TM4n+1,0模式以及具有180°相位差的電場。此外第一傳輸線段SG-1的長度11與第二傳輸線段SG-2的長度12之差等於λ g/2可以實現差分饋入。
圖7是示出了根據本發明的一個實施例的具有所提出的天線結構的示例性天線封裝(antenna-in-package，AiP)的示意性截面圖。AiP 700可以包括一個或複數個天線結構，例如上面說明書提出的天線結構100，以及半導體晶片，例如RF半導體晶片730。
兩個輻射天線元件710-1和710-2被包括在AiP 700的天線結構中並且被佈置在第一導電層中。在圖7中，示出了輻射天線元件710-1和710-2的示意性側視圖，它們是如上所示的Y-Z平面圖。在該實施例中，輻射天線元件710-1可以充當發射(TX)天線並且輻射天線元件710-2可以充當接收(RX)天線。
輻射天線元件710-1和710-2都可以裝載有複數個縫隙並且都可以透過如上所示的複數個通孔電連接到參考接地面GND。
一個或複數個參考接地面GND包含在AiP 700的天線結構中，並且設置在第一導電層下方的至少第二導電層中。AiP 700的天線結構中包括兩個饋電網路。RF半導體晶片730透過饋電網路電耦接到AiP 700的天線結構。每個饋電網路可以包括設置在第二導電層下方的第三導電層中的一對傳輸線和一對差分饋電端子。由於圖7是饋電網路的側視示意圖，所以在每個饋電網路中僅示出了 一個饋電終端和一條傳輸線的一部分。如圖7所示，饋電端子35-TX將傳輸線TL_TX的一端電連接至輻射天線元件710-1，而饋電端子35-RX將傳輸線TL_RX的一端電連接至輻射天線元件710-2。
需要說明的是，除了第一、第二和第三導電層之外，在不脫離本發明的範圍的情況下，AiP 700的天線結構中還可以實現一個或複數個其他導電層。此外，AiP 700還可以包括基板75，並且一個或複數個天線結構可以設置在基板75中和基板75上。基板75可以是陶瓷基板、半導體基板、介電基板、玻璃基板，但不限於此。根據一個實施例，基板75可以是包括例如FR4材料或高性能毫米波PCB材料的封裝基板或印刷電路板(printed circuit board，PCB)，但不限於此。此外，可以在RF半導體晶片730周圍提供一個或複數個導電元件77，例如焊球、銅柱或插入式端子。
圖8是示出根據本發明實施例的在電平面(Electric-plane，E-平面)中所提出的天線結構的輻射方向圖的示意圖。圖9是示出根據本發明實施例的在磁平面(magnetic-plane，H平面)中所提出的天線結構的輻射方向圖的示意圖。圖8和圖9示出了歸一化增益圖(normalize gain plot)(或標準化增益圖)，其中每個輻射方向圖透過最大增益歸一化。如圖8和圖9所示，所提出的天線結構在毫米波頻率(例如77~89GHz)下表現良好。此外，可以在整個運行頻帶上保持穩定的寬邊輻射模式。另外，由於E面的輻射波束寬度窄，H面的輻射波束寬度寬，滿足了扇形波束天線的要求。
根據本發明的一個實施例，輻射天線元件的形狀也可以靈活設計，每個縫隙的長度和寬度可以變化和調諧以獲得平坦的增益和低旁瓣電平。
圖10是示出根據本發明實施例的在天線結構中實施的輻射天線元件的不同形狀的示意圖。在圖10中，輻射天線元件810中心的寬度w1和輻射天線元件810邊緣的寬度w2可以不同，其中設計w1>w2，以形成錐形貼片天線(tapered patch antenna)。此外，蝕刻槽的長度和寬度也可以不同。例如，在圖10中，最靠近中心線的槽的長度t1大於相鄰槽(夾層槽)的長度t2，夾層槽的長度t2大於最靠近輻射天線元件810邊緣的相鄰槽的長度t3。又例如，在圖10中，最靠近中心線的槽的寬度s1大於相鄰槽(夾層槽)的寬度s2，並且夾層槽的寬度s2大於最靠近輻射天線元件810邊緣的槽的寬度s3。透過調整每個縫隙的長度和寬度，可以調整每個孔徑輻射的能量，從而抑制旁瓣電平。
根據本發明的另一實施例，所提出的天線結構也可應用於陣列環境中，其中複數個所提出的天線結構可鄰近佈置以形成天線陣列。例如，在本發明的一個實施例中，兩個(或兩個以上)提議的天線結構可以相隔半波長放置，同時在整個頻帶內仍保持良好的隔離。
總之，所提出的天線結構是一種緊湊、低剖面的設計，用於高增益、低旁瓣和扇形波束模式。沿輻射天線元件的中心放置一排短路通孔，可用於抑制整個結構中激發的任何偶數階TM模式並隔離兩個饋電端子。此外，所提出的天線結構是差分饋電的，並且差分饋電結構用於激發TM4n+1,0模式並在整個運行頻段上保持穩定的寬邊輻射方向圖。此外，透過控制輻射天線元件和縫隙的形狀，可以獲得輻射方向圖中的幅度逐漸變細，從而在寬頻率範圍內提供低旁瓣電平。輻射天線元件的形狀也可以從矩形修改為梯形，這可以降低旁瓣電平。此外，透過控制每個或至少一個時隙的長度，可以在整個頻帶內實現平坦的增益分佈。本發明實現了所需要的天線樣態，如圖2所示，本發明中的差分饋電結構激發了TM4n+1,0模式，具體來說實現了13(4*3+1)個半波長的場型分佈。當然還可以根據需要設置不同數量的槽(改變n的數量)，以實現其他數量的半波長的場型分佈。
儘管已經對本發明實施例及其優點進行了詳細說明，但應當理解的是，在不脫離本發明的精神以及申請專利範圍所定義的範圍內，可以對本發明 進行各種改變、替換和變更。所描述的實施例在所有方面僅用於說明的目的而並非用於限制本發明。本發明的保護範圍當視所附的申請專利範圍所界定者為准。本領域技術人員皆在不脫離本發明之精神以及範圍內做些許更動與潤飾。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
100:天線結構
110:輻射天線元件
120:參考接地面
SL-1,SL-2,SL-3,SL-4,SL-5,SL-6:槽
TL-1,TL-2:傳輸線
35-1,35-2:饋電端子
33:通孔

Claims (10)

  1. 一種天線結構，包括：輻射天線元件，設置在第一導電層中；以及參考接地面，設置在該第一導電層下方的第二導電層中，其中，該輻射天線元件裝載有複數個槽，並該輻射天線元件透過複數個通孔電連接到參考接地面，以及其中，該複數個通孔沿該輻射天線元件的第一條線放置，該複數個槽沿垂直於該第一條線的第二條線放置；其中，該輻射天線元件是貼片天線。
  2. 如請求項1之天線結構，其中，該第一條線為該輻射天線元件的中心線，且該槽均勻分佈於該通孔的兩側。
  3. 如請求項1之天線結構，其中該天線結構配置為以具有射頻頻率和對應波長λ g的預定射頻訊號進行運行，並且其中相鄰槽之間的距離等於λ g。
  4. 如請求項3之天線結構，其中至少一個槽的長度等於λ g/2。
  5. 如請求項1之天線結構，還包括：饋電網路，包括一對傳輸線，該一對傳輸線設置在該第二導電層下方的第三導電層中，以及一對差分饋電端子，其中該一對差分饋電端子設置為將該一對傳輸線的一端電耦接至該輻射天線元件。
  6. 如請求項5之天線結構，其中該一對傳輸線是一對差分線。
  7. 如請求項5之天線結構，其中，該一對差分饋電端子分佈在該通孔的兩側。
  8. 如請求項5之天線結構，其中該天線結構配置為以具有射頻頻 率和對應波長λ g的預定射頻訊號運行，該一對傳輸線包括第一傳輸線段和第二傳輸線段，其中該第一傳輸線段的長度與該第二傳輸線段的長度之間的差值等於λ g/2。
  9. 一種天線結構，包括：輻射天線元件，設置在第一導電層中；參考地平面，設置於該第一導電層下方的第二導電層中；以及饋電網路，包括一對傳輸線，設置在第二導電層下方的第三導電層中，以及一對差分饋電端子，其中該一對差分饋電端子設置為將該一對傳輸線的一端電耦接至該輻射天線元件，以及其中，該輻射天線元件裝載有複數個槽並且該輻射天線元件透過複數個通孔電連接到該參考接地面；其中，該輻射天線元件是貼片天線。
  10. 一種天線封裝，包括：天線結構，包括：輻射天線元件，設置在第一導電層中；參考接地面，設置於該第一導電層下方的第二導電層中，其中該輻射天線元件載有複數個槽，並該輻射天線元件透過複數個通孔電性連接至該參考接地面；以及饋電網路，包括一對傳輸線，設置在該第二導電層下方的第三導電層中，以及一對差分饋入端，其中該一對差分饋入端用以將該一對傳輸線的一端電性耦接至該輻射天線元件；以及半導體晶片，透過該饋電網路電耦接到該天線結構。
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