CN210805998U - 封装天线、射频芯片封装模组及雷达封装芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种封装天线、射频芯片封装模组及雷达封装芯片。该封装天线包括依次叠置的参考地层、中间介质层、辐射单元和顶部介质层；所述辐射单元具有辐射边和非辐射边，所述中间介质层中设置有馈电结构和若干金属化过孔；所述馈电结构与所述参考地层电连接，该馈电结构还与所述辐射单元电耦合，用于利用所述辐射单元的所述辐射边发射或接收电磁波信号；以及所述若干金属化过孔贯穿所述中间介质层，将所述辐射单元与所述参考地层电连接；其中；所述若干金属化过孔沿所述非辐射边延伸方向，临近所述辐射单元的边缘依次排布，用于抑制表面波在所述顶部介质层的传播。本申请可抑制表面波在顶部介质层的传播，提升封装天线的辐射性能。

Description

封装天线、射频芯片封装模组及雷达封装芯片

技术领域

本实用新型涉及裸片封装技术领域，特别是涉及一种封装天线、射频芯片封装模组及雷达封装芯片。

背景技术

在高频射频(如毫米波)频段，由于电磁波的波长达到毫米级别，为天线和芯片的集成提供了可能。AiP(Antenna-in-Package，封装天线)技术是通过封装材料与工艺将天线集成在携带芯片的封装内，可以很好地兼顾天线性能、成本及体积，为系统级芯片提供了良好的天线方案。

在通常所用的工艺下，在芯片上会采用厚厚的塑封层进行封装以增加强度。塑封层的厚度会受到芯片厚度的限制，但是至少也需要数百微米。在毫米波频段，这种级别的塑封层厚度很容易达到电磁波波长的量级，对天线的辐射方向带来很大的扰动，使得波束指向出现问题。塑封层的尺寸通常是和封装尺寸的大小相近，远远大于天线的尺寸。随着塑封层尺寸的增加，会使得原本最大辐射方向指向0deg的端射天线的方向图出现凹坑，并且随着塑封层尺寸的增加，天线的辐射方向图会持续恶化，最后分裂成为两瓣，这种情况会严重影响天线的性能。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种封装天线、射频芯片封装模组及雷达封装芯片。

一种封装天线，包括依次叠置的参考地层、中间介质层、辐射单元和顶部介质层；所述辐射单元具有辐射边和非辐射边，所述中间介质层中设置有馈电结构和若干金属化过孔；

所述参考地层与所述馈电结构电连接；

所述馈电结构与所述辐射单元电耦合，用于利用所述辐射单元的所述辐射边发射或接收电磁波信号；以及

各金属化过孔均贯穿所述中间介质层，且任一所述金属化过孔的两端分别与所述辐射单元和所述参考地层电连接；

其中，临近所述辐射单元的边缘，各金属化过孔沿所述非辐射边延伸方向依次排布，用于抑制表面波在所述顶部介质层的传播。

在其中一个实施例中，所述若干金属化过孔临近所述非辐射边形成至少一列金属化过孔；

其中，在任意一列金属化过孔中，相邻金属化过孔之间的间距大于等于制造所述封装天线的工艺特征尺寸，和/或

所述相邻金属化过孔之间的间距均相同。

在其中一个实施例中，在任意一列金属化过孔中，位于该列金属化过孔两端的金属化过孔与相邻辐射边之间的间距，小于等于该列金属化过孔中相邻金属化过孔之间的间距。

在其中一个实施例中，所述若干金属化过孔沿所述非辐射边的延伸方向，对称分布在所述馈电结构于所述中间介质层中投影的相对两侧。

在其中一个实施例中，所述若干金属化过孔位于所述辐射单元投影至所述参考地层的区域中；和/或

所述电磁波信号为毫米波信号；和/或

所述顶部介质层为塑封层。

在其中一个实施例中，所述封装天线为贴片天线；优选的，所述贴片天线为同轴馈电天线、微带馈电天线、缝隙馈电天线或叠层贴片。

在其中一个实施例中，所述缝隙馈电天线具有图案化的缝隙结构；

其中，所述若干金属化过孔沿垂直于所述缝隙结构的延伸方向，对称分布在所述缝隙结构相对的两侧。

在其中一个实施例中，所述贴片天线为侧射天线。

上述封装天线，通过在中间介质层中设置馈电结构和若干金属化过孔，而馈电结构一方面与参考地层电连接，另一方面还与辐射单元电耦合，可实现通过辐射单元的辐射边发射或接受电磁波信号；并且，所述若干金属化过孔贯穿所述中间介质层实现辐射单元与所述参考地层之间的电连接，另外，若干金属化过孔沿辐射单元的非辐射边延伸方向，临近所述辐射单元的边缘依次排布设置，可抑制表面波在顶部介质层的传播，从而提升封装天线的辐射性能。

本申请还提供一种射频芯片封装模组，可包括：

射频裸片；

封装结构，用于密封保护所述射频裸片；以及

如前述任一所述的封装天线，设置于所述封装结构中。

其中，所述射频裸片通过所述封装天线发射和接收射频信号，用以进行无线通信，或者生成辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。

上述射频芯片封装模组，通过采用前述所述的封装天线，在中间介质层中设置馈电结构和若干金属化过孔，而馈电结构一方面与射频裸片的射频端电连接，另一方面还与辐射单元电耦合，可实现通过辐射单元的辐射边发射或接受电磁波信号；并且，所述若干金属化过孔贯穿所述中间介质层实现辐射单元与所述参考地层之间的电连接，另外，若干金属化过孔沿辐射单元的非辐射边延伸方向，临近所述辐射单元的边缘依次排布设置，可抑制表面波在顶部介质层的传播，从而提升射频芯片封装模组的辐射性能。

本申请还提供一种雷达封装芯片，可包括：

雷达裸片；

封装层，用于密封保护所述雷达裸片；以及

如前述任一所述的封装天线，集成于所述封装层上形成AiP结构；

其中，所述雷达裸片通过所述封装天线发射射频信号，并接收回波信号，用以生成通信数据、辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。

上述雷达封装芯片，通过采用前述所述的封装天线，在中间介质层中设置馈电结构和若干金属化过孔，而馈电结构一方面与雷达裸片的射频端电连接，另一方面还与辐射单元电耦合，可实现通过辐射单元的辐射边发射或接受电磁波信号；并且，所述若干金属化过孔贯穿所述中间介质层实现辐射单元与所述参考地层之间的电连接，另外，若干金属化过孔沿辐射单元的非辐射边延伸方向，临近所述辐射单元的边缘依次排布设置，可抑制表面波在顶部介质层的传播，从而提升雷达封装芯片的辐射性能。

附图说明

图1为一实施例中的封装天线的截面示意图；

图2为图1中封装天线的爆炸图；

图3为图1中封装天线的俯视图；

图4为一实施例中的封装天线的俯视图；

图5为一实施例中的同轴馈电贴片天线的俯视图；

图6为一实施例中的微带馈电贴片天线的俯视图；

图7为一实施例中的缝隙馈电贴片天线的俯视图；

图8为一实施例中的叠层贴片天线的俯视图；

图9为示例性天线的输入反射系数示意图；

图10为示例性天线的封装尺寸接近天线尺寸时的辐射方向图；

图11为一实施例中天线的封装尺寸远大于天线尺寸时的辐射方向图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

近年来，低功耗高频率的毫米波通信受到越来越多的关注，尤其是高清视频流、移动排布式计算、无线游戏、高速大容量文件传输等应用对通信系统提出了比较高的要求，传统的6GHz以下黄金频段已经无法找到理想的连续频段，严重制约了通信行业的发展。相比较之下，高频毫米波拥有着丰富的频谱资源，可以胜任未来超高速、大容量的通信需求。

毫米波技术在带来丰富的频谱资源的同时，由于毫米波波长达到毫米级别，对设计和生产加工提出了挑战。首先，微小的误差都有可能会达到其波长的量级，对设计的性能带来影响。对此，需要通过不断的优化加工工艺提升工艺误差，才能满足毫米波对于精度的高要求。其次，随着工作频率的提升，趋附深度减小，基板材料的正切损耗角增大，导致损耗成为系统级互联的关注点。

天线作为导行电磁波和传输点电磁波的变换器，在通信系统(或者雷达系统) 中起着重要的作用。在总能量保持不变的情况下，天线通过增加某些区域的能量排布，同时减少某些方向的能量，使得能量在所需要的方向进行传播。根据天线辐射特性的不同，可以大致分为全向天线、定向天线、机械天线和电调天线等四种类型的天线。

请同时参阅图1和图2，为一实施例中封装天线的截面示意图和爆炸图。该封装天线可以包括依次叠置的参考地层10，中间介质层20，辐射单元30及顶部介质层40；其中，如图2所示，辐射单元30可以为矩形，其中，将沿矩形辐射单元30长度方向延伸的边定义为“辐射边”，“辐射边”可以理解为用于能量辐射的边，将沿矩形辐射单元30宽度方向延伸的边定义为“非辐射边”，“非辐射边”可以理解为不能用于能量辐射的边；为了便于描述，本申请将其中一条辐射边分别记为辐射边S1，其中一条非辐射边记为非辐射边S2，不难看出，图 2所示的矩形辐射单元30具有两条辐射边和两条非辐射边，并且，所述辐射边与所述非辐射边相邻设置。

请继续参阅图1和图2，所述中间介质层20中设置有馈电结构210，所述参考地层10与所述馈电结构210电连接，具体地，如图1所示，馈电结构210 可以通过一金属柱(图未示)穿过参考地层10连接至裸片的射频端电连接；所述馈电结构210与所述辐射单元30电耦合，也即是说，馈电结构210与辐射单元30之间无物理连接，通过空间耦合实现电连接；该馈电结构210用于利用所述辐射单元30的所述辐射边S1发射或接收电磁波信号，该电磁波信号可以为毫米波信号。

具体地，本申请的封装天线在辐射单元30的上方设置顶部介质层40，顶部介质层40可以为塑封层，该塑封层的材料可以包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的任意一种。本申请对于封装体的厚度没有限制，在已有的工艺条件下，希望顶部介质层40的厚度越薄越好。

但是，随着顶部介质层40的厚度变得越来越薄，其对于封装内的各器件的保护作用就相应变小，所以即便在已有的工艺条件下，用于封装的顶部介质层40 的厚度也会在几百微米的范围内，在毫米波频段，这样的顶部介质层40厚度很容易达到电磁波波长的量级，从而对封装天线的辐射方向带来很大的扰动，使得波束指向出现问题。具体来说，顶部介质层40会使得原本最大辐射方向指向0 deg的端射天线方向图出现凹坑，而随着封装尺寸的增加，封装天线的辐射方向图会持续恶化，最后分裂成为两瓣，这种情况会严重损坏天线的性能。如图9和图10所示，为示例性天线中封装尺寸接近天线尺寸时的输入反射系数和辐射方向图。可以看出，示例性的天线的阻抗带宽(S11≤10dB)覆盖74.5GHz到81.4GHz，其天线的最大辐射方向指向0deg。

考虑到顶部介质层40的厚度对封装端射天线的辐射方向图和波束指向带来的不利影响。请继续参阅图2，同时辅助参阅图3，本申请的封装天线在中间介质层20中还设置有若干金属化过孔H，金属化过孔一般通过在介质基板内开设通孔，然后在通孔内壁镀上金属形成；本申请的各金属化过孔H均贯穿所述中间介质层20，且任一所述金属化过孔H的两端分别与所述辐射单元30和所述参考地层10电连接。可选地，如图2所示，临近所述辐射单元30的边缘，本申请的若干金属化过孔H可以设置为沿所述非辐射边S2的延伸方向依次排布；更可选地，可参照图3，本申请的若干金属化过孔H位于所述辐射单元30投影至所述参考地层10的区域中，并且，所述若干金属化过孔H沿所述非辐射边S2 的延伸方向，对称分布在所述馈电结构210于所述中间介质层20中投影的相对两侧。也就是说，若干金属化过孔H开设在沿辐射单元30向参考地层10的投影方向，贯穿所述中间介质层20；通过在沿辐射单元30向参考地层10的投影方向设置若干位于馈电结构210两侧的金属化过孔H，并且若干金属化过孔H 沿非辐射边S2的延伸方向设置，可以抑制表面波在所述顶部介质层40的传播，从而提升封装天线的辐射性能，克服随着顶部介质层40的厚度和面积增加所带来的辐射性能恶化的问题。

可选地，可继续参阅图3，由于本申请的若干金属化过孔H沿非辐射边S2 的延伸方向，并且临近所述辐射单元30的边缘依次排布，而本申请的辐射单元 30可选为矩形辐射单元；所以，若干金属化过孔H可以仅临近所述辐射单元30 的一条非辐射边S2设置，也可以临近所述辐射单元30的两条非辐射边设置；本申请中，临近非辐射边设置的若干金属化过孔H可以以列的方式排布，本具体实施例中在临近所述非辐射边的位置形成有至少一列金属化过孔；也即是说，本申请可以在临近一条非辐射边的位置形成一列金属化过孔，在实际产品的性能需要时，也可以在临近一条非辐射边的位置形成多列金属化过孔；其中，为了便于描述，本申请分别在临近所述辐射单元30的两条非辐射边的位置设置两列金属化过孔H，其中，两列金属化过孔H分别记为第一列金属化过孔HH1和第二列金属化过孔HH2，所述第一列金属化过孔HH1邻近所述辐射单元30的其中一条非辐射边设置，所述第二列金属化过孔HH2邻近所述辐射单元30的另一条非辐射边设置，所述辐射单元30通过所述第一列金属化过孔HH1和所述第二列金属化过孔HH2实现与所述参考地层10的电连接。请辅助参阅图11，为本具体实施例中的封装天线的辐射方向图，从图中可以看出，本申请封装天线的辐射单元30的最大辐射方向仍然指向0deg，但是本申请的封装尺寸可以做到远大于天线尺寸(封装尺寸为天线单元尺寸八倍左右)。同时对比图10和图11 可知，采用本申请实施例中封装尺寸远大于天线尺寸的封装天线，天线的辐射性能并未发生太大改变，依然在可接受的范围内，而若是采用传统的封装天线，其天线的辐射性能会严重变差，甚至无法正常使用。所以，从另一方面亦可论证本申请的封装天线设计能够缓解甚至消除顶部介质层40对于封装天线方向图的影响。

可选地，请继续参阅图3，本申请的第一列金属化过孔HH1和第二列金属化过孔HH2中，相邻金属化过孔H之间的间距大于等于制造所述封装天线的工艺特征尺寸(CD)，和/或所述相邻金属化过孔H之间的间距均相同。也就是说，以第二列金属化过孔HH2中的相邻金属化过孔H之间的间距为例，其可以大于等于制造所述封装天线的工艺特征尺寸，并且相邻金属化过孔H之间的间距还相等；还可以在大于等于制造所述封装天线的工艺特征尺寸的基础上，相邻金属化过孔H之间的间距不相等；可以理解，本具体实施例中的所描述的金属化过孔H之间的间距均是指相邻两个金属化过孔H中临近点之间的距离，另外，任意一列金属化过孔中，各金属化过孔的孔径、相邻金属化过孔之间的间距以及金属化过孔分布的密度等参数，均可基于需求和工艺参数进行适应性的调整。

更可选地，请继续参阅图3，本申请在任意一列金属化过孔中，位于该列金属化过孔两端的金属化过孔H与相邻辐射边S1之间的间距，小于等于该列金属化过孔中相邻金属化过孔H之间的间距。具体地，本具体实施例还是以第二列金属化过孔HH2为例，位于该列金属化过孔HH2两端的金属化过孔H与相邻辐射边S1之间的间距(图未示)，可以设置为小于等于该列金属化过孔HH2中相邻金属化过孔H之间的间距。通过合理的设置金属化过孔H与辐射边S1之间间距与金属化过孔H之间间距的大小关系，可以最大化的抑制表面波在塑封层中的传播，最大化的提升封装天线的辐射性能。

在一个实施例中，请继续参阅图3，第一列金属化过孔HH1中，过各金属化过孔H几何中心的直线平行于所述辐射单元30的非辐射边S2。也就是说，第一列金属化过孔HH1中的若干个第三金属化过孔H主要沿着非辐射边S2的延伸方向进行排列，从而使得第一列金属化过孔HH1中的若干个金属化过孔H 的排列方向与非辐射边S2的延伸方向平行、与辐射边S1的延伸方向垂直；相应的，第二列金属化过孔HH2中的各金属化过孔H的排列关系也可以参照第一列金属化过孔HH1中各金属化过孔H的排列方式进行；通过将若干金属化过孔 H设置为沿平行于非辐射边S2的延伸方向，垂直于辐射边S1的延伸方向，一方面既不会影响辐射边S1的辐射性能，另一方面也可抑制表面波在塑封层中的传播，从而提升封装天线的性能。

可选地，如图4所示，还可以选择在非辐射边S2的两端各设置一个金属化过孔H，该金属化过孔H设置在所述第一辐射边S1、非辐射边S2形成的夹角处；相应地，当辐射单元40为矩形辐射单元时，在中间介质层20中设置的金属化过孔H的数量就可以为4个(设置于矩形的四个直角处)。通过在辐射单元30的四个角处开设金属化过孔，也能在一定程度上抑制表面波在顶部介质层 40的传播，提升封装天线的辐射性能。

在一个实施例中，本申请的封装天线可以为贴片天线；可选地，本申请的贴片天线可以为同轴馈电天线，微带馈电天线、缝隙馈电天线或叠层贴片；具体地，可参照图5，为一实施例中的同轴馈电贴片天线的俯视图。该同轴馈电贴片天线中除了包括前述实施例中的参考地层10、中间介质层20、辐射单元30和顶部介质层40之外，还可以包括一同轴结构50，该同轴结构50主要用于为辐射单元30馈电；其中，所述同轴结构50通过贯穿中间介质层20连接到参考地层10 的金属条带(图未示)，并通过金属条带的电磁耦合为本具体实施例中的封装天线馈电；可以理解，本具体实施例的封装天线同样在辐射单元30上设有若干金属化过孔，但是，本具体实施例的封装天线与前述实施例中的封装天线的区别在于馈电方式的不同，本具体实施例的馈电方式主要通过同轴结构所实现的同轴馈电方式。

可选地，请参阅图6，为一实施例中的微带馈电贴片天线的俯视图。该微带馈电贴片天线除了包括前述实施例中的参考地层10、中间介质层20、辐射单元 30和顶部介质层40之外，还可以包括一微带传输线W1，所述微带传输线W1 与所述辐射单元30同层设置，具体可以设于所述辐射单元30的辐射边S1的中部，所述微带传输线W1的延伸方向垂直于所述辐射边S1的延伸方向，微带传输线W1的宽度主要由阻抗匹配的需要进行确定；该微带传输线W1主要用于为辐射单元30馈电。可以理解，本具体实施例的天线同样在辐射单元30上设有两组金属化过孔，但是，本具体实施例的天线与前述实施例中的天线的区别在于馈电方式的不同，本具体实施例的馈电方式主要通过微带传输线W1所实现的微带馈电方式。

可选地，请参阅图7，为一实施例中的缝隙馈电贴片天线的俯视图。该缝隙馈电贴片天线具有经图案化处理后形成的缝隙结构60，该缝隙结构60设置在参考地层10中；所述图案化处理后形成的缝隙结构60位于所述第一列金属化过孔HH1和所述第二列金属化过孔HH2之间，换句话说，所述第一列金属化过孔HH1和所述第二列金属化过孔HH2沿垂直于所述缝隙结构的延伸方向，对称分布在所述缝隙结构相对的两侧。图案化处理可以是通过光刻处理所形成的需要的图案。进一步地，本申请的所述图案化处理后形成的缝隙结构60可以为条形结构，通过在参考地层10上进行图案化处理形成一条形结构(缝隙)，可使本申请的封装天线通过引入另一个谐振点，提高封装天线的阻抗带宽。更进一步地，所述图案化处理后形成的结构60为U形结构。该U形结构与条形结构的原理类似，在此不再进一步赘述。

可选地，请参阅图8，为一实施例中的叠层贴片天线的俯视图。该叠层贴片天线除了包括前述实施例中的参考地层10、中间介质层20、辐射单元30和顶部介质层40之外，还包括一叠层贴片70，所述辐射单元30通过叠层贴片70实现馈电；具体地，所述叠层贴片70可以设于所述辐射单元30上并且位于两组金属化过孔HH1、HH2之间。叠层贴片70的形状、材料可以和辐射单元30的形状材料相同。可以理解，本具体实施例的封装天线同样在辐射单元30上设有若干金属化过孔，但是，本具体实施例的封装天线与前述实施例中的封装天线的区别在于馈电方式的不同，本具体实施例的馈电方式主要通过叠层贴片进行馈电。可选地，本具体实施例还可以在叠层贴片70的非辐射边(与辐射单元30中非辐射边S2平行的边)上添加接地过孔(连接参考地层10的金属化过孔)，也能抑制表面波在封装天线表面的传播，提升封装天线的辐射性能。

综上，本申请的封装天线通过在中间介质层中设置馈电结构和若干金属化过孔，而馈电结构一方面与裸片的射频端连接，另一方面还与辐射单元电耦合，可实现通过辐射单元的辐射边发射或接受电磁波信号；并且，所述若干金属化过孔贯穿所述中间介质层实现辐射单元与所述参考地层之间的电连接，另外，若干金属化过孔沿辐射单元的非辐射边延伸方向，临近所述辐射单元的边缘依次排布设置，可抑制表面波在顶部介质层的传播，从而提升封装天线的辐射性能。

本申请还提供一种射频芯片射频模组(图未示)，可以包括射频裸片(图未示)，密封保护射频芯片的封装结构以及前述任一所述的封装天线；其中，所述封装天线设置于所述封装结构中；其中，所述射频裸片通过所述封装天线发射和接收射频信号，用以进行无线通信，或者生成辅助驾驶数据、安检成像数据和/ 或人体生命特征参数数据。本申请的射频芯片封装模组，由于采用前述所述的封装天线，所以，对于与前述封装天线具有的相同有益效果部分可参照前述的描述，在此不再进一步赘述。可选地，本申请的射频芯片封装模组可以应用至通信领域、自动辅助驾驶领域、安检成像领域以及搜救设备领域。

本申请还提供一种雷达封装芯片，可以包括雷达裸片(图未示)、封装层以及前述任一所述的封装天线；其中，封装层可用于密封保护雷达裸片，而所述封装天线则可集成于所述封装层上形成的AiP结构；其中，AiP结构就是采用AiP (Antenna-in-Package)工艺形成的结构；所述雷达裸片(例如毫米波雷达芯片) 通过所述封装天线发射射频信号，并接收回波信号，用以生成通信数据、辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。本申请的雷达封装芯片由于采用前述所述的封装天线，所以，对于与前述封装天线具有的相同有益效果部分可参照前述的描述，在此不再进一步赘述。可选地，本申请的雷达封装芯片可以应用至通信领域、自动辅助驾驶领域、安检成像领域以及搜救设备领域。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (13)

1.一种封装天线，其特征在于，包括依次叠置的参考地层、中间介质层、辐射单元和顶部介质层；所述辐射单元具有辐射边和非辐射边，所述中间介质层中设置有馈电结构和若干金属化过孔；

所述参考地层与所述馈电结构电连接；

所述馈电结构与所述辐射单元电耦合，用于利用所述辐射单元的所述辐射边发射或接收电磁波信号；以及

各金属化过孔均贯穿所述中间介质层，且任一所述金属化过孔的两端分别与所述辐射单元和所述参考地层电连接；

其中，临近所述辐射单元的边缘，各金属化过孔沿所述非辐射边延伸方向依次排布，用于抑制表面波在所述顶部介质层的传播。

2.根据权利要求1所述的封装天线，其特征在于，所述若干金属化过孔临近所述非辐射边形成至少一列金属化过孔；

其中，在任意一列金属化过孔中，相邻金属化过孔之间的间距大于等于制造所述封装天线的工艺特征尺寸，和/或

所述相邻金属化过孔之间的间距均相同。

3.根据权利要求2所述的封装天线，其特征在于，在任意一列金属化过孔中，位于该列金属化过孔两端的金属化过孔与相邻辐射边之间的间距，小于等于该列金属化过孔中相邻金属化过孔之间的间距。

4.根据权利要求1所述的封装天线，其特征在于，所述若干金属化过孔沿所述非辐射边的延伸方向，对称分布在所述馈电结构于所述中间介质层中投影的相对两侧。

5.根据权利要求1所述的封装天线，其特征在于，所述若干金属化过孔位于所述辐射单元投影至所述参考地层的区域中。

6.根据权利要求1或5所述的封装天线，其特征在于，所述电磁波信号为毫米波信号。

7.根据权利要求1或5所述的封装天线，其特征在于，所述顶部介质层为塑封层。

8.根据权利要求1所述的封装天线，其特征在于，所述封装天线为贴片天线。

9.根据权利要求8所述的封装天线，其特征在于，所述贴片天线为同轴馈电天线、微带馈电天线、缝隙馈电天线或叠层贴片。

10.根据权利要求9所述的封装天线，其特征在于，所述缝隙馈电天线具有图案化的缝隙结构；

其中，所述若干金属化过孔沿垂直于所述缝隙结构的延伸方向，对称分布在所述缝隙结构相对的两侧。

11.根据权利要求8所述的封装天线，其特征在于，所述贴片天线为侧射天线。

12.一种射频芯片封装模组，其特征在于，包括：

射频裸片；

封装结构，用于密封保护所述射频裸片；以及

如权利要求1-11中任意一项所述的封装天线，设置于封装结构中；

其中，所述射频裸片通过所述封装天线发射和接收射频信号，用以进行无线通信，或者生成辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。

13.一种雷达封装芯片，其特征在于，包括：

雷达裸片；

封装层，用于密封保护所述雷达裸片；以及

如权利要求1-11中任意一项所述的封装天线，集成于所述封装层上形成AiP结构；

其中，所述雷达裸片通过所述封装天线发射射频信号，并接收回波信号，用以生成通信数据、辅助驾驶数据、安检成像数据和/或人体生命特征参数数据。

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