TWI784847B

TWI784847B - 封裝結構及其製造方法

Info

Publication number: TWI784847B
Application number: TW110147359A
Authority: TW
Inventors: 黃仁義; 李彥佐; 黃崑永
Original assignee: 力成科技股份有限公司
Priority date: 2021-12-17
Filing date: 2021-12-17
Publication date: 2022-11-21
Also published as: TW202326960A

Abstract

一種封裝結構，其包括第一基底、第一電子元件、底部填充層以及封膠層。第一電子元件設置在第一基底上，並電連接第一基底的導電層。底部填充層設置在第一基底上，且底部填充層包括第一部分與第二部分，第一部分設置在第一電子元件與第一基底之間，且第一部分重疊於第一電子元件，第二部分接觸第一電子元件的側壁並連接於第一部分，第二部分不重疊於第一電子元件，其中第二部分具有第一切割結構，第二部分包括殘留部，殘留部存在於第一切割結構的底部與第一基底之間。封膠層設置在底部填充層上，其中封膠層的一部分填入第一切割結構中。

Description

封裝結構及其製造方法

本發明係關於一種高良率的封裝結構及其製造方法。

在現今的電子產品中，一些電子元件或結構(例如，較脆弱的電子元件或結構)可被封裝在封裝結構中，以對此些電子元件或結構予以保護。然而，封裝結構中的封裝材料的熱膨脹係數(Coefficient of thermal expansion,CTE)可能會彼此不匹配，使得所製造的封裝結構的整體應力過大，導致封裝結構的翹曲、破裂及/或沿著封裝結構內的元件邊緣而脫層(delamination)，進而影響封裝結構的良率。據此，業界致力於改善封裝結構，以提升封裝結構的良率。

因此，本發明的主要目的是提供一種封裝結構及其製造方法，其對封裝結構內的底部填充層(underfill)進行切割而形成切割結構，以釋放應力而減少封裝結構的不良問題，進而提升良率。

本發明的一實施例提供一種封裝結構，其包括第一基底、第一電子元件、底部填充層以及封膠層。第一基底包括至少一導電層。第一電子元件設置在第一基底上，並電連接第一基底的導電層。底部填充層設置在第一基底上，且底部填充層包括第一部分與第二部分，第一部分設置在第一電子元件與第一基底之間，且第一部分重疊於第一電子元件，第二部分接觸第一電子元件的側壁並連接於第一部分，第二部分不重疊於第一電子元件，其中第二部分具有第一切割結構，第二部分包括殘留部，殘留部存在於第一切割結構的底部與第一基底之間。封膠層設置在底部填充層上，其中封膠層的一部分填入第一切割結構中。

本發明的另一實施例提供一種封裝結構的製造方法，其包括：將第一電子元件接合在第一基底上，其中第一基底包括至少一導電層，且第一電子元件電連接第一基底的導電層；形成底部填充層在第一基底上，其中底部填充層包括第一部分與第二部分，第一部分設置在第一電子元件與第一基底之間，第一部分重疊於第一電子元件，第二部分接觸第一電子元件的側壁並連接於第一部分，第二部分不重疊於第一電子元件；對底部填充層進行切割製程，以在第二部分形成第一切割結構，其中第二部分包括殘留部，殘留部存在於第一切割結構的底部與第一基底之間；以及形成封膠層在底部填充層上，其中封膠層的一部分填入第一切割結構中。

100,200:封裝結構

110:第一基底

112:基底內電子元件

112a:晶片

112d:黏著層

120:第一電子元件

122:第二電子元件

122a:元件內晶片

122b:第二基底

122c:導電件

122m:元件內封膠材料

122s:元件內接合件

122u:元件內底部填充層

130:第一接合件

132:第二接合件

140:底部填充層

140a:第一部分

140b:第二部分

140c:第三部分

150:封膠層

160:球狀導電件

BP:連接結構

CB:載板

CL1,CL2,CL3,CL4,CL5:導電層

CN:導電連接件

CS1:第一切割結構

CS2:第二切割結構

CS3:第三切割結構

IL1,IL2,IL3,IL4,IL5:絕緣層

MC:金屬柱

P:頂點

RP:殘留部

TH:厚度

X,Y,Z:方向

第1圖所示為本發明第一實施例的封裝結構的剖面示意圖。

第2圖所示為本發明一實施例的第一切割結構的俯視示意圖。

第3圖所示為本發明另一實施例的第一切割結構的俯視示意圖。

第4圖至第10圖所示為處於本發明第一實施例的封裝結構的製造方法中的不同階段的結構的剖面示意圖。

第11圖所示為本發明第二實施例的封裝結構的剖面示意圖。

為使本領域的通常知識者能更進一步瞭解本發明，下文將詳細說明所列舉的本發明的實施例、關鍵元件的典型材料或參數範圍，並配合具有標記的附圖說明本發明的構成內容及所欲達成的功效。須注意的是，附圖均為簡化的示意圖，且基於目前技術說明了關鍵元件的材料和參數範圍，因此，僅顯示與本發明有關之元件與組合關係，以對本發明的基本架構、實施方法或操作提供更清楚的描述。實際的元件與佈局可能更為複雜，且所使用的材料或參數範圍可能會隨著未來技術的發展而變化。另外，為了方便說明，本發明的各附圖中所示之元件可非以實際數目、形狀、尺寸做等比例繪製，其詳細情況可依照設計的需求進行調整。

在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本發明的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。

須知悉的是，在說明書與申請專利範圍中，術語「鉛直方向」係表示為平行於附圖中方向Z的方向，術語「水平方向」係表示為垂直於鉛直方向(方向Z)的方向(例如，平行於附圖中方向X與方向Y的方向)，術語「俯視上」係表示沿著鉛直方向(方向Z)的觀看結果。

須知悉的是，在說明書與申請專利範圍中，術語「重疊」係表示兩構件在方向Z上的重疊，且在未指明的情況下，術語「重疊」可為部分重疊或完全重疊。須知悉的是，在說明書與申請專利範圍中，術語「平行」係表示是指兩構件之間的夾角可小於或等於特定角度，例如3度或1度。

在說明書與申請專利範圍中，當「A1構件由B1所形成」時，B1存在於A1構件的形成或B1使用在A1構件的形成，並且，A1構件的形成中不排除一個或多個其他的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在與使用。

說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。

須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本發明的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。

第1圖所示為本發明第一實施例的封裝結構的剖面示意圖。如第1圖所示，本實施例的封裝結構100可包括第一基底110，以作為封裝結構100的底結構，其中第一基底110可包括至少一導電層，而導電層的材料舉例可包括金屬(例如，但不限於，銅、鎳及/或金)、其他適合的導電材料或其組合。在本發明中，第一基底110可依據需求而設計，並包括任何其他所需的膜層、元件及/或結構。在一些實施例中(如第1圖)，第一基底110可由至少一導電層(如，導電層CL1、CL2、CL3、CL4、CL5)、至少一絕緣層(如，絕緣層IL1、IL2、IL3、IL4、IL5)以及其他適合的膜層所形成，其中絕緣層的材料舉例可包括氧化矽(SiO_x)、氮化矽(SiN_y)、氮氧化矽(SiO_xN_y)、有機絕緣材料(例如，環氧樹脂等封裝材料)、其他適合的絕緣材料或其組合，但不以此為限。在一些實施例中(圖未示)，第一基底110可包括基板以及設置在基板上的至少一導電層，並可選擇性包括設置在基板上的至少一絕緣層，其中基板可包括矽(silicon)、鍺(germanium)、玻璃、塑膠、石英、藍寶石、有機絕緣材料(例如，聚醯亞胺(polyimide,PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET))、其他適合的材料或其組合，但不以此為限。在一些實施例中，第一基底110可為包括積層板(laminate)(例如銅箔基板(copper clad laminate,CCL))、平面網格陣列板(land grid array board,LGA board)或任何其他包含導電層的電路板，但不以此為限。下文以第1圖所示的示例性結構為範例進行說明，但本發明並不以此為限。

如第1圖所示，第一基底110可包括多層的導電層CL1、CL2、CL3、CL4、CL5與多層的絕緣層IL1、IL2、IL3、IL4、IL5，其中絕緣層IL1、IL2、IL3、IL4、IL5用以分隔不同導電層CL1、CL2、CL3、CL4、CL5的至少一部分，而不同的導電層CL1、CL2、CL3、CL4、CL5之間可通過導電連接件CN彼此連接。在第1圖中，最頂層的導電層CL5(第1圖中最上側的導電層CL5)的至少一部分可被暴露，以作為第一基底110的連接結構BP(如，連接墊)，用以連接設置在第一基底110上的電子元件。

可選擇地，第一基底110可包括基底內電子元件112，設置在第一基底110的最頂層的導電層CL5與最底層的導電層CL1之間，其中基底內電子元件112可為任何適合的電子元件，如晶片、主動元件、被動元件或封裝後的電子件(下文稱為電子件封裝體)等。在本實施例中，第1圖所示的基底內電子元件112可包括晶片112a，並透過黏著層112d(如，晶圓貼覆膜(Die Attach Film,DAF))黏著在絕緣層IL1上，但不以此為限。在第1圖中，為了保護基底內電子元件112，覆蓋基底內電子元件112的絕緣層IL2可包括封裝材料(如，環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等)，但不以此為限。此外，第一基底110的導電層CL2可選擇性地為穿過絕緣層IL2的金屬柱MC(如，銅柱)，以使電訊號能通過絕緣層IL2，但不以此為限。

如第1圖所示，本實施例的封裝結構100包括至少一電子元件，設置在第一基底110上，並電連接第一基底110的導電層CL5，其中電子元件可為任何適合的元件，例如晶片、被動元件或電子件封裝體等。在本實施例中，電子元件可透過接合製程設置在第一基底110上並電連接第一基底110的導電層CL5。

詳細而言，本實施例的封裝結構100可包括第一電子元件120與第一接合件130，第一接合件130用以接合並電連接在第一電子元件120與第一基底110的導電層CL5的連接結構BP(如，連接墊)之間，使得第一電子元件120可透過第一接合件130而電連接於第一基底110的導電層CL5。可選擇地，本實施例的封裝結構100可包括第二電子元件122與第二接合件132，第二接合件132用以接合並電連接在第二電子元件122與第一基底110的導電層CL5的連接結構BP(如，連接墊)之間，使得第二電子元件122可透過第二接合件132而電連接於第一基底110的導電層CL5。舉例而言，第一接合件130與第二接合件132可為焊錫，但不以此為限。須說明的是，在第1圖中，基底內電子元件112舉例可電連接第一電子元件120與第二電子元件122。

在本實施例中，第一電子元件120與第二電子元件122可為相同類型的電子元件或不同類型的電子元件。在第1圖中，第一電子元件120與第二電子元件122可為不同類型的電子元件。舉例而言，第一電子元件120可為晶片(如，系統單晶片(System on Chip,SoC))，第二電子元件122可為電子件封裝體(如，記憶體封裝體)，但不以此為限。

在第二電子元件122為電子件封裝體的範例中(如第1圖)，第二電子元件122可包括第二基底與元件內晶片122a，其中元件內晶片122a設置在第二基底122b上(如，透過元件內接合件122s接合在第二基底122b上)，並電連接第二基底122b中的導電件122c。舉例而言，若第二電子元件122為記憶體封裝體，則元件內晶片122a可為記憶體晶片，但不以此為限。此外，第二電子元件122可選擇性地包括元件內底部填充層122u以及元件內封膠材料122m，以封裝並保護元件內晶片122a，其中元件內底部填充層122u設置在第二基底122b上並接觸元件內接合件122s，而元件內封膠材料122m設置在元件內底部填充層122u上。在第1圖中，元件內底部填充層122u的一部分設置在元件內晶片122a與第二基底122b之間(即，重疊於元件內晶片122a)，元件內底部填充層122u的另一部分接觸元件內晶片122a的側壁(即，不重疊於元件內晶片122a)，但不以此為限。在第1圖中，元件內封膠材料122m舉例可不覆蓋元件內晶片122a的上表面，以提升元件內晶片122a的散熱效果，但不以此為限。此外，元件內底部填充層122u與元件內封膠材料122m可使用任何適合的封裝材料，例如有機絕緣材料。舉例來說，元件內底部填充層122u可包括環氧樹脂，元件內封膠材料122m可包括熱固性樹脂(如，環氧樹脂)、熱塑性樹脂(如，聚醯亞胺樹脂)、填料(如，二氧化矽填料、玻璃填料、氧化鋁、氧化矽等)或其組合，但不以此為限。

在本實施例中，第一電子元件120與第二電子元件122的數量與設置位置可依據需求而設計。舉例而言，第1圖繪示一個第一電子元件120與兩個第二電子元件122，而第一電子元件120設置在兩個第二電子元件122之間，但不以此為限。

如第1圖所示，本實施例的封裝結構100包括底部填充層(underfill)140，設置在第一基底110上，用以保護電子元件(如，第一電子元件120與第二電子元件122)與第一基底110之間的接合結構(如，第一接合件130與第二接合件132)，進而提升接合處的結構強度，並提高封裝結構100的良率。底部填充層140可使用任何適合的封裝材料，例如有機絕緣材料。舉例來說，底部填充層140可包括環氧樹脂，但不以此為限。須說明的是，底部填充層140所使用的材料可相同或不同於第二電子元件122中的元件內底部填充層122u的材料。

如第1圖所示，底部填充層140可包括第一部分140a與第二部分140b。在第1圖中，第一部分140a可設置在第一電子元件120與第一基底110之間，且第一部分140a可重疊於第一電子元件120。舉例來說，第一部分140a可接觸第一接合件130，但不以此為限。在第1圖中，第二部分140b可接觸第一電子元件120的側壁並連接於第一部分140a，且第二部分140b可不重疊於第一電子元件120與第二電子元件122。也就是說，在俯視上，第二部分140b設置在第一電子元件120及/或第二電子元件122的周圍。舉例來說，第二部分140b可環繞第一電子元件120及/或第二電子元件122，但不以此為限。可選擇地，底部填充層140可另包括第三部分140c，其中第三部分140c可設置在第二電子元件122與第一基底110之間，第三部分140c可重疊於第二電子元件122，而第二部分140b的至少一部分可連接在第一部分140a與第三部分140c之間，但不以此為限。舉例來說，第三部分140c可接觸第二接合件132，但不以此為限。須說明的是，在第1圖所示的剖面中，底部填充層140的第二部分140b的最高點在第一電子元件120的頂表面與底表面之間。

在本發明中，底部填充層140的第二部分140b可具有第一切割結構CS1。也就是說，在俯視上，第一切割結構CS1位於第一電子元件120的至少一側及/或位於第二電子元件122的至少一側。在本實施例中，第一切割結構CS1可透過機械切割製程、雷射切割製程或其他適合的切割製程而形成，但不以此為限。在第1圖中，第一切割結構CS1可為凹槽結構。

須說明的是，如第1圖的剖面圖所示，關於底部填充層140的第一切割結構CS1的頂部的頂點P(即，凹槽結構的最頂處)，頂點P位於第一切割結構CS1內的側壁以及第一切割結構CS1外的邊緣(屬於底部填充層140)的交會處，而頂點P兩側的切線斜率實質上不相同(即，第一切割結構CS1的側壁中鄰近頂點P處的切線斜率實質上不同於第一切割結構CS1外的邊緣中鄰近頂點P處的切線斜率)。此外，第一切割結構CS1的側壁可平行或不平行於鉛直方向(方向Z)。

為了避免第一切割結構CS1切割到第一基底110的電路(如，避免切割到第一基底110的最頂層的導電層CL5)，在對底部填充層140的第二部分140b進行形成第一切割結構CS1的切割製程時，切割製程並未切割至底部填充層140的最底部，使得在底部填充層140的第二部分140b形成位於第一切割結構CS1下的殘留部RP(即，殘留部RP存在於第一切割結構CS1的底部與第一基底110之間)。在一些實施例中，殘留部RP的厚度TH舉例可為10微米(μm)至20微米，但不以此為限。在一些實施例中，第一切割結構CS1的底部可實質上對齊於第一電子元件120的底部及/或第二電子元件122的底部，但不以此為限。

在本發明中，第一切割結構CS1可為線形切割槽、由複數個孔洞所形成的孔洞線或其他適合的結構。舉例而言，在第2圖所示的俯視圖中，第一切割結構CS1可為線形切割槽，並設置在第一電子元件120與第二電子元件122的周圍。須說明的是，線形切割槽可為直線或曲線。須說明的是，第一切割結構CS1的線形切割槽可依據需求而彼此相連或不相連，且第一切割結構CS1可依據需求環繞或不環繞電子元件。舉例而言，在第2圖中，沿著方向X延伸的第一切割結構CS1與沿著方向Y延伸的第一切割結構CS1可彼此不連接，但不以此為限。舉例而言(圖未示)，位於第一電子元件120周圍的第一切割結構CS1可彼此連接而形成「口」字型、「凵」字型或「L」字型，但不以此為限。此外，在第2圖(或第3圖)中，第一切割結構CS1的其中一者可位於第一電子元件120與第二電子元件122之間，但不以此為限。

舉例而言，在第3圖所示的俯視圖中，第一切割結構CS1可為由複數個孔洞所形成的孔洞線，其中由孔洞所形成的孔洞線可為直線或曲線，但不以此為限。

如第1圖所示，本實施例的封裝結構100包括封膠層150，設置在底部填充層140上。在本實施例中，封膠層150可不覆蓋第一電子元件120與第二電子元件122的上表面，以提升第一電子元件120與第二電子元件122的散熱效果，但不以此為限。舉例而言，封膠層150的上表面、第一電子元件120的上表面與第二電子元件122的上表面可位在相同的平面上，但不以此為限。須說明的是，在第1圖中，由於底部填充層140具有第一切割結構CS1，因此，封膠層150的一部分會填入第一切割結構CS1中。

封膠層150可使用任何適合的封裝材料，例如有機絕緣材料。舉例來說，封膠層150可包括熱固性樹脂(如，環氧樹脂)、熱塑性樹脂(如，聚醯亞胺樹脂)、填料(如，二氧化矽填料、玻璃填料、氧化鋁、氧化矽等)或其組合，但不以此為限。須說明的是，封膠層150所使用的材料可相同或不同於第二電子元件122中的元件內封膠材料122m的材料。

由於底部填充層140具有第一切割結構CS1，因此，在封膠層150形成後，由封膠層150與底部填充層140之間的材料差異(如，熱膨脹係數的差異)所產生的應力可被降低。也就是說，第一切割結構CS1可具有釋放應力的效果。據此，可減少封裝結構100的翹曲、破裂及/或沿著封裝結構100內的元件邊緣而脫層等的不良問題，進而提升良率。

此外，可選擇地，電子元件中也可具有切割結構。舉例而言，如第1圖所示，第二電子元件122的元件內底部填充層122u可具有第二切割結構CS2，第二切割結構CS2位於元件內晶片122a的至少一側，而元件內封膠材料122m的一部分設置在第二切割結構CS2中。在本實施例中，第二切割結構CS2可透過機械切割製程、雷射切割製程或其他適合的切割製程而形成，但不以此為限。在第1圖中，第二切割結構CS2可為凹槽結構，且第二切割結構CS2在俯視上可為線形切割槽、由複數個孔洞所形成的孔洞線或其他適合的結構，其中線形切割槽可依據需求而彼此相連或不相連，但不以此為限。

在本發明中，封裝結構100還可依據需求而包括任何適合的元件、結構及/或膜層。舉例而言，在第1圖中，封裝結構100還可選擇地包括球狀導電件160(如，錫球)，球狀導電件160可電連接並接觸第一基底110中最底層的導電層CL1(第1圖中最下側的導電層CL1)，以連接外部導電結構，但不以此為限。

以下將以第4圖至第10圖與第1圖作為輔助來說明封裝結構100的製造方法，其中第4圖至第10圖所示為處於本發明第一實施例的封裝結構100的製造方法中的不同階段的結構的剖面示意圖，且封裝結構100的製造方法完成時可形成第1圖所繪示的結構。須說明的是，本發明的封裝結構100的製造方法並不以本文為限，封裝結構100的製造方法可依據需求而調整，例如，在本文所揭露的步驟的其中之一的之前或之後加入任何其他適合的步驟，或移除本文所揭露的步驟的其中之一，並且，可依據需求將一些步驟同時執行，或是以不同於本文所述的順序執行。

在下述製造方法中，形成膜層的製程可包括原子層沉積(atomic layer deposition,ALD)製程、化學氣相沈積(chemical vapor deposition,CVD)製程、塗布製程、接合製程、其他適合的製程或其組合。圖案化製程可例如包括微影(photolithography)製程、蝕刻製程(etching process)、任何其他適合的製程或其組合。

如第4圖所示，提供一載板CB，並在載板CB上形成至少一導電層(如，導電層CL1、CL2)，並對導電層進行圖案化製程。可選擇地，可在載板CB上形成至少一絕緣層(如，絕緣層IL1)，並可依據需求進行圖案化製程。此外，在第4圖中，導電層CL2可選擇性地為金屬柱MC，但不以此為限。

如第5圖所示，可在導電層CL1及/或絕緣層IL1上形成基底內電子元件112，其中第5圖的基底內電子元件112可透過黏著層112d(如，晶圓貼覆膜)黏著在絕緣層IL1上。

如第6圖所示，形成絕緣層IL2以保護基底內電子元件112。舉例而言，絕緣層IL2可包括封裝材料(如，環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂等)，且在形成含有封裝材料的絕緣層IL2的過程中，可在形成封裝材料之後對封裝材料進行熟化製程，以完成絕緣層IL2的製造。之後，可選擇地，對絕緣層IL2進行研磨，以暴露出金屬柱MC的一端以及基底內電子元件112的連接端。

如第7圖所示，在絕緣層IL2上形成至少一導電層(如，導電層CL3、CL4、CL5)，並對導電層進行圖案化製程，其中最頂層的導電層CL5可作為第一基底110的連接結構BP(如，連接墊)，用以連接設置在第一基底110上的電子元件。可選擇地，可在載板CB上形成至少一絕緣層(如，絕緣層IL3、IL4、IL5)，並可依據需求進行圖案化製程。據此，本實施例根據上述流程以在載板CB上製造第一基底110，但不以此為限。在其他實施例中(圖未示)，可直接提供一基板，並在基板上形成導電層，以完成第一基底110的製造，但不以此為限。

如第8圖所示，透過第一接合件130將第一電子元件120接合在第一基底110的連接結構BP(如，連接墊)上，並可選擇性地透過第二接合件132將第二電子元件122接合在第一基底110的連接結構BP(如，連接墊)上，以使第一電子元件120與第二電子元件122電連接第一基底110的導電層CL5。

之後，在第8圖中，在第一基底110上形成底部填充層140，其中底部填充層140的第一部分140a可設置在第一電子元件120與第一基底110之間，第一部分140a可重疊於第一電子元件120，底部填充層140的第二部分140b可接觸第一電子元件120的側壁，第二部分140b可不重疊於第一電子元件120，底部填充層140的第三部分140c可設置在第二電子元件122與第一基底110之間，第三部分140c可重疊於第二電子元件122，而第二部分140b的至少一部分可連接在第一部分140a與第三部分140c之間，但不以此為限。

如第9圖所示，對底部填充層140的第二部分140b進行切割製程，以在第二部分140b形成第一切割結構CS1。為了避免第一切割結構CS1切割到第一基底110的電路(如，避免切割到第一基底110的最頂層的導電層CL5)，在對底部填充層140的第二部分140b進行形成第一切割結構CS1的切割製程時，切割製程並未切割至底部填充層140的最底部，使得在底部填充層140的第二部分140b形成位於第一切割結構CS1下的殘留部RP(即，殘留部RP存在於第一切割結構CS1的底部與第一基底110之間)。

如第10圖所示，在底部填充層140上形成封膠層150，其中封膠層150的一部分填入第一切割結構CS1中。之後，可選擇地，對封膠層150進行研磨，以暴露出第一電子元件120與第二電子元件122的上表面，以提升第一電子元件120與第二電子元件122的散熱效果，但不以此為限。

如第1圖所示，可透過適當的製程(如，離型製程)將載板CB移除。之後，可選擇地，形成接觸並電連接第一基底110中最底層的導電層CL1的球狀導電件160(如，錫球)，以連接外部導電結構，但不以此為限。之後，可選擇地，可進行切割製程，以將封裝結構100切割成所需的尺寸，或是將不同的封裝結構100切割分離，但不以此為限。

第11圖所示為本發明第二實施例的封裝結構200的剖面示意圖。如第11圖所示，本實施例與第一實施例的差異在於本實施例的封裝結構200還具有第三切割結構CS3，其中第三切割結構CS3位於第一電子元件120及/或第二電子元件122的一側。詳細而言，在形成封膠層150後(例如，第10圖所示的結構)，對封膠層150進行切割製程，以切割出第三切割結構CS3。

第三切割結構CS3的深度可依據需求而設計，但第三切割結構CS3仍不能切割到第一基底110的電路，以避免電路毀損。在一些實施例中(如第11圖)，第三切割結構CS3可切割到底部填充層140(即，第三切割結構CS3的底部位於底部填充層140中)，但不以此為限。在一些實施例中(如第11圖)，第三切割結構CS3可只切割封膠層150(即，第三切割結構CS3的底部位於封膠層150中)，但不以此為限。據此，可以理解到，第三切割結構CS3的至少一部分是透過切割封膠層150而形成，而第三切割結構CS3可選擇性地切割到底部填充層140。

另外，如第11圖所示，封裝結構200可具有相同或不同深度的第三切割結構CS3，且第三切割結構CS3的切割情況也可依據需求而調整。舉例而言，在第11圖中，一些第三切割結構CS3可只切割封膠層150，另一些可切割到底部填充層140，但不以此為限。舉例而言，在第11圖中，第三切割結構CS3可具有不同的深度，但不以此為限。須說明的是，由於底部填充層140在各位置可能會有厚度差異，因此，在一些情況下，即使第三切割結構CS3都具有相同的深度，一些第三切割結構CS3可只切割封膠層150，而另一些可切割到底部填充層140。

類似於第一切割結構CS1，為了避免切割到第一基底110的電路(如，避免切割到第一基底110的最頂層的導電層CL5)，在進行形成第三切割結構CS3的切割製程時，第三切割結構CS3的底部與第一基板之間存在有適當的距離。舉例而言，第三切割結構CS3的底部與第一基板之間的距離可為10微米至20微米，但不以此為限。舉例而言，第三切割結構CS3的底部可實質上對齊於第一電子元件120的底部及/或第二電子元件122的底部，但不以此為限。

綜上所述，由於本發明的封裝結構具有切割結構，因此，由封膠層與底部填充層之間的材料差異(如，熱膨脹係數的差異)所產生的應力可被降低。據此，可減少封裝結構的翹曲、破裂及/或沿著封裝結構內的元件邊緣而脫層等的不良問題，進而提升良率。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100:封裝結構