TWI784017B - 有機分子，特別是用於光電裝置者 - Google Patents

有機分子，特別是用於光電裝置者 Download PDF

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Abstract

本發明係關於一種有機化合物，特別是應用於有機光電裝置。根據本發明，該有機化合物係由下列組成： - 具有式I之結構的第一化學部分，
Figure 107122064-A0101-11-0001-1
及 　　- 二個第二化學部分，在每次出現時獨立於另一個具有式II之結構，
Figure 107122064-A0101-11-0002-2
其中該第一化學部分經由單鍵來鍵聯至該二個第二化學部分中的每一者； 　　其中 　　LT 是N或C-R1 ；LV 是N或C-R1 ；LW 是N或C-W；及 　　選自由LT 、LV 與LW 所組成之群組的僅一個環原子是N， 　　選自由RT 、RV 與RW 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代， 　　選自由W、Y與X所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置，及 　　選自由RW 、RY 與RX 所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置。

Description

有機分子，特別是用於光電裝置者
本發明係關於有機分子及其在有機發光二極體(OLED)與在其他光電裝置方面的用途。
在這樣的用途之背景中，該有機光電裝置係更特別地選自由下列所組成的群組：有機發光二極體(OLED)，發光電化學電池，OLED感測器，特別是在非密閉式保護氣體與蒸氣感測器中者，有機二極體，有機太陽能電池，有機電晶體，有機場效電晶體，有機雷射，及下轉換元件。
本發明之目的是提供適用於有機光電裝置之分子。 　　本發明提供新一類有機分子來實現此目的。 　　根據本發明，有機分子純粹是有機分子，亦即其不含任何金屬離子，與已知用於有機光電裝置的金屬複合物形成對比。 　　根據本發明，有機分子展現出在藍色、天藍色或綠色光譜範圍內的最大發射峰。該有機分子特別地展現出在420 nm與520 nm之間，較佳為在440 nm與495 nm之間，更佳為在450 nm與470 nm之間的最大發射峰。根據本發明之有機分子的光致發光的量子產量特別是50%或更多。根據本發明之分子特別地展現出熱活化延遲螢光(TADF)。根據本發明之分子在例如是有機發光二極體(OLED)的光電裝置中的使用會導致該裝置之較高效率。對應的OLED具有比已知發光材料與可比較之顏色的OLED更高之穩定性。 　　本發明之有機發光分子包含或組成為：一個第一化學部分，其包含或組成為式I之結構，
Figure 02_image009
及 　　- 二個第二化學部分，各自獨立於另一個包含或包含由式II組成之結構：
Figure 02_image011
其中該第一化學部分經由單鍵來鍵聯至該二個第二化學部分中的每一者。 　　LT 是N或C-R1 。 　　LV 是N或C-R1 。 　　LW 是N或C-W。 　　X是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是R2 。 　　Y是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是R2 。 　　W是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是R2 。 　　RT 係選自由經二個RTz 取代基取代的1,3,5-三嗪基與RI 所組成之群組。 　　RV 係選自由經二個RTz 取代基取代的1,3,5-三嗪基與RI 所組成之群組。 　　RW 是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或係選自由以下所組成的群組：RI 與1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　RX 是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是RI 。 　　RY 是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是RI 。 　　#代表將該第二化學部分鍵聯至該第一化學部分之單鍵的結合位置； 　　Z在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：直接鍵、CR3 R4 、C=CR3 R4 、C=O、C=NR3 、NR3 、O、SiR3 R4 、S、S(O)與S(O)2 ； 　　R1 在每次出現時係彼此獨立地選自由下列所組成的群組： 　　氫、 　　氘、 　　C1 -C5 -烷基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； 　　C2 -C8 -烯基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； 　　C2 -C8 -炔基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代；及 　　C6 -C18 -芳基，其隨意經一或多個R6 取代基取代。 　　R2 在每次出現時係彼此獨立地選自由下列所組成的群組： 　　氫、 　　氘、 　　C1 -C5 -烷基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； 　　C2 -C8 -烯基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； 　　C2 -C8 -炔基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代；及 　　C6 -C18 -芳基，其隨意經一或多個R6 取代基取代。 　　RI 在每次出現時係彼此獨立地選自由下列所組成的群組： 　　氫、 　　氘、 　　C1 -C5 -烷基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； 　　C2 -C8 -烯基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； 　　C2 -C8 -炔基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代；及 　　C6 -C18 -芳基，其隨意經一或多個R6 取代基取代。 　　RTz 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： 　　氫、 　　氘、 　　C1 -C5 -烷基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； 　　C6 -C18 -芳基，其隨意經一或多個R6 取代基取代，及 　　C3 -C17 -雜芳基，其隨意經一或多個R6 取代基取代。 　　Ra 、R3 與R4 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫、氘、N(R5 )2 、OR5 、Si(R5 )3 、B(OR5 )2 、OSO2 R5 、CF3 、CN、F、Br、I、 　　C1 -C40 -烷基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C= CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C1 -C40 -烷氧基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C= CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C1 -C40 -烷硫基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C= CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C2 -C40 -烯基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C= CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C2 -C40 -炔基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C= CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C6 -C60 -芳基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代；及 　　C3 -C57 -雜芳基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代。 　　R5 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫、氘、N(R6 )2 、OR6 、Si(R6 )3 、B(OR6 )2 、OSO2 R6 、CF3 、CN、F、Br、I、 　　C1 -C40 -烷基， 　　其隨意經一或多個R6 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R6 C= CR6 、C≡C、Si(R6 )2 、Ge(R6 )2 、Sn(R6 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR6 、P(=O)(R6 )、SO、SO2 、NR6 、O、S或CONR6 ； 　　C1 -C40 -烷氧基， 　　其隨意經一或多個R6 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R6 C= CR6 、C≡C、Si(R6 )2 、Ge(R6 )2 、Sn(R6 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR6 、P(=O)(R6 )、SO、SO2 、NR6 、O、S或CONR6 ； 　　C1 -C40 -烷硫基， 　　其隨意經一或多個R6 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R6 C= CR6 、C≡C、Si(R6 )2 、Ge(R6 )2 、Sn(R6 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR6 、P(=O)(R6 )、SO、SO2 、NR6 、O、S或CONR6 ； 　　C2 -C40 -烯基， 　　其隨意經一或多個R6 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R6 C= CR6 、C≡C、Si(R6 )2 、Ge(R6 )2 、Sn(R6 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR6 、P(=O)(R6 )、SO、SO2 、NR6 、O、S或CONR6 ； 　　C2 -C40 -炔基， 　　其隨意經一或多個R6 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R6 C= CR6 、C≡C、Si(R6 )2 、Ge(R6 )2 、Sn(R6 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR6 、P(=O)(R6 )、SO、SO2 、NR6 、O、S或CONR6 ； 　　C6 -C60 -芳基， 　　其隨意經一或多個R6 取代基取代；及 　　C3 -C57 -雜芳基， 　　其隨意經一或多個R6 取代基取代。 　　R6 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫、氘、OPh、CF3 、CN、F、 　　C1 -C5 -烷基， 　　其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3 、或F； 　　C1 -C5 -烷氧基， 　　其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3 、或F； 　　C1 -C5 -烷硫基， 　　其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3 、或F； 　　C2 -C5 -烯基， 　　其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3 、或F； 　　C2 -C5 -炔基， 　　其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3 、或F； 　　C6 -C18 -芳基， 　　其隨意經一或多個C1 -C5 -烷基取代基取代； 　　C3 -C17 -雜芳基， 　　其隨意經一或多個C1 -C5 -烷基取代基取代； 　　N(C6 -C18 -芳基)2 ； 　　N(C3 -C17 -雜芳基)2 ；與 　　N(C3 -C17 -雜芳基)(C6 -C18 -芳基)。 　　Ra 、R3 、R4 或R5 取代基彼此獨立地能隨意地形成具有一或多個Ra 、R3 、R4 或R5 取代基的單環或多環、脂族、芳族與/或苯並稠環系統。 　　根據本發明，選自由LT 、LV 與LW 所組成之群組的僅一個環狀構件(原子或基團)是N；選自由RT 、RV 與RW 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代；選自由W、Y與X所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置；及選自由RW 、RY 與RX 所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置。 　　在本發明之一個實施方式中，第一化學部分包含或包含由式Ia所組成之結構：
Figure 02_image013
其中R1 、R2 、RI 與RTz 如上述的定義。 　　YD 是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置。 　　RD 是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置。 　　在一個實施方式中，R1 、R2 與RI 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫(H)、甲基、三甲苯基、甲苯基與苯基。用語甲苯基包含2-甲苯基、3-甲苯基與4-甲苯基。 　　在一個實施方式中，R1 、R2 與RI 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫(H)、甲基、與苯基。 　　在一個實施方式中，RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在一個實施方式中，RW 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在一個實施方式中，RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在一個實施方式中，LV 是N。 　　在一個實施方式中，LW 是N。 　　在一個實施方式中，LT 是N。 　　在一個實施方式中，RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LV 是N。 　　在一個實施方式中，RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LW 是N。 　　在一個實施方式中，RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LT 是N。 　　在一個實施方式中，RW 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LW 是N。 　　在一個實施方式中，RW 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LT 是N。 　　在一個實施方式中，RW 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LV 是N。 　　在一個實施方式中，RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LW 是N。 　　在一個實施方式中，RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LT 是N。 　　在一個實施方式中，RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代，且LV 是N。 　　在本發明之另一個實施方式中，RTz 係彼此獨立地選自由下列所組成的群組：H、甲基、 　　苯基，其隨意經一或多個R6 取代基取代， 　　1,3,5-三嗪基，其隨意經一或多個R6 取代基取代，及 　　嘧啶基，其隨意經一或多個R6 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，RTz 係彼此獨立地選自由下列所組成的群組：H、甲基與苯基。 　　在本發明之另一個實施方式中，RTz 在每次出現時是苯基。 　　在本發明之另一個實施方式中，二個第二化學部分在每次出現時獨立於另一個包含或包含由式IIa所組成之結構：
Figure 02_image015
其中#與Ra 如上述的定義。 　　在本發明之另一個實施方式中，Ra 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：H、 　　Me、i Pr、t Bu、 　　CN、 　　CF3 、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　吡啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　嘧啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　咔唑基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　及N(Ph)2 。 　　在本發明之另一個實施方式中，Ra 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：H、 　　Me、i Pr、t Bu、 　　CN、 　　CF3 、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　吡啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　嘧啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph；及 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph。 　　在本發明之另一個實施方式中，Ra 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：H、 　　Me、t Bu、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph。 　　在本發明之另一個實施方式中，Ra 在每次出現時是H。 　　在本發明之另一個實施方式中，二個第二化學部分在每次出現時獨立於另一個包含或包含由式IIb之結構、式IIb-2之結構、式IIb-3之結構或式IIb-4所組成之群組之結構：
Figure 02_image017
其中 　　Rb 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： 氘、 N(R5 )2 、 OR5 、 Si(R5 )3 、 B(OR5 )2 、 OSO2 R5 、 CF3 、 CN、 F、 Br、 I、 　　C1 -C40 -烷基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C=CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C1 -C40 -烷氧基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C=CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C1 -C40 -烷硫基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C=CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C2 -C40 -烯基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C=CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C2 -C40 -炔基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代及 　　其中一或多個非相鄰CH2 -基隨意經下列取代：R5 C=CR5 、C≡C、Si(R5 )2 、Ge(R5 )2 、Sn(R5 )2 、C=O、C=S、C=Se、C=NR5 、P(=O)(R5 )、SO、SO2 、NR5 、O、S或CONR5 ； 　　C6 -C60 -芳基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代；及 　　C3 -C57 -雜芳基， 　　其隨意經一或多個R5 取代基取代。 　　有别於上述的定義適用。 　　在本發明之另一個實施方式中，二個第二化學部分在每次出現時獨立於另一個包含或包含由式IIc之結構、式IIc-2之結構、式IIc-3之結構或式IIc-4所組成之群組之結構：
Figure 02_image019
其中上述的定義適用。 　　在本發明之另一個實施方式中，Rb 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： 　　Me、i Pr、t Bu、 　　CN、 　　CF3 、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　吡啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　咔唑基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　及N(Ph)2 。 　　在本發明之另一個實施方式中，Rb 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： 　　Me、i Pr、t Bu、 　　CN、 　　CF3 、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　吡啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　嘧啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph；及 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph。 　　在本發明之另一個實施方式中，Rb 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： 　　Me、t Bu、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph。 　　在下文中，第二化學部分之示範性實施方式被顯示：
Figure 02_image021
Figure 02_image023
其中對#、Z、Ra 、R3 、R4 與R5 而言，上述的定義適用。 　　在一個實施方式中，Ra 與R5 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫(H)、甲基(Me)、異丙基(CH(CH3 )2 )(i Pr)、三級丁基(t Bu)、苯基(Ph)、CN、CF3 、與二苯胺(NPh2 )。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式III所組成之結構：
Figure 02_image025
其中RZ 係選自由RI 與1,3,5-三嗪基所組成之群組，其係經二個RTz 取代基取代並有别於上述的定義，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個較佳實施方式中，有機分子包含或組成為式III之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式III-1與式III-2的群組所組成的群組之結構：
Figure 02_image027
其中上述的定義適用。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式IIIa-1與式IIIa-2的群組之所組成的群組結構：
Figure 02_image029
其中 　　Rc 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： 　　Me、i Pr、t Bu、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　吡啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　嘧啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　咔唑基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph； 　　及N(Ph)2 。 　　在本發明之一個較佳實施方式中，有機分子包含或組成為式IIIa-1之結構。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式IIIb-1與式IIIb-2所組成的群組之結構：
Figure 02_image031
其中上述的定義適用。 　　在本發明之一個較佳實施方式中，有機分子包含或包含由式IIIb-1所組成之結構。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式IV之所組成結構：
Figure 02_image033
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個優選實施方式中，有機分子包含或組成為式IV之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式IV-1與式IV-2組成的群組之結構：
Figure 02_image035
其中上述的定義適用。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式IVa-1與式IVa-2組成的群組之結構：
Figure 02_image037
其中上述的定義適用。 　　在本發明之一個較佳實施方式中，有機分子包含或包含由式IVa-1組成之結構。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式IVb-1與式IVb-2組成的群組之結構：
Figure 02_image039
其中上述的定義適用。 　　在本發明之一個較佳實施方式中，有機分子包含或包含由式IVb-1組成之結構。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式V組成之結構：
Figure 02_image041
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個優選實施方式中，有機分子包含或包含由式V組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式V-1與式V-2組成的群組之結構：
Figure 02_image043
其中上述的定義適用。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式VI之結構：
Figure 02_image045
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個優選實施方式中，有機分子包含或包含為式VI組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由選自式VI-1與式VI-2組成的群組之結構：
Figure 02_image047
其中上述的定義適用。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式VII組成之結構：
Figure 02_image049
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式VII組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式VIII組成之結構：
Figure 02_image051
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或組成為式VIII之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或組成為式IX之結構：
Figure 02_image053
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式IX組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式X組成之結構：
Figure 02_image055
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式X組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XI組成之結構：
Figure 02_image057
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XI組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XII組成之結構：
Figure 02_image059
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XII組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XIII組成之結構：
Figure 02_image061
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XIII組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XIV組成之結構：
Figure 02_image063
其中上述的定義適用，且其中選自由RT 、RV 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XIV組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XV組成之結構：
Figure 02_image065
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XV組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XVI組成之結構：
Figure 02_image067
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XVI組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XVII組成之結構：
Figure 02_image069
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XVII組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XVIII組成之結構：
Figure 02_image071
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XVIII組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或組成為式XIX之結構：
Figure 02_image073
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 或CN取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XIX組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或組成為式XX之結構：
Figure 02_image075
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XX組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXI組成之結構：
Figure 02_image077
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXI組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXII組成之結構：
Figure 02_image079
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXII組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXIII組成之結構：
Figure 02_image081
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXIII組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXIV組成之結構：
Figure 02_image083
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXIV組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXV組成之結構：
Figure 02_image085
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXV組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXVI組成之結構：
Figure 02_image087
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXVI組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXVII組成之結構：
Figure 02_image089
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXVII組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXVIII組成之結構：
Figure 02_image091
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXVIII組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXIX組成之結構：
Figure 02_image093
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或組成為式XXIX之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXX組成之結構：
Figure 02_image095
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXX組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXI組成之結構：
Figure 02_image097
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXI組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXII組成之結構：
Figure 02_image099
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXII組成之結構，且RV 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXIII組成之結構：
Figure 02_image101
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXIII組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXIV組成之結構：
Figure 02_image103
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 、RT 與RZ 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或組成為式XXXIV之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經一或多個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或組成為式XXXV之結構：
Figure 02_image105
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經一或多個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXV組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXVI組成之結構：
Figure 02_image107
其中上述的定義適用，且其中選自由RV 與RT 所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之另一個實施方式中，有機分子包含或包含由式XXXVI組成之結構，且RT 是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz 取代基取代。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或組成為： 　　- 第一化學部分，其包含或包含由式A1組成之結構：
Figure 02_image109
及 　　- 一個第二化學部分，其包含或包含由式II組成之結構：
Figure 02_image111
其中該第一化學部分經由單鍵來鍵聯至該第二化學部分， 　　及 　　其中上述的定義適用，且 　　其中選自由LT 、LV 與LW 所組成之群組的僅一個環原子是N，且選自由W、Y與X所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該第二化學部分之單鍵的結合位置。 　　在另一個實施方式中，有機分子包含或包含由以下所組成：第一化學部分，其包含或包含由式A1之結構組成及Y代表鍵聯該第一化學部分與該第二化學部分的單鍵之結合位置。 　　在本發明之一個實施方式中，有機分子包含或組成為： 　　- 第一化學部分，其包含或包含由式B1組成之結構：
Figure 02_image113
及 　　- 一個第二化學部分，其包含或包含由式II組成之結構：
Figure 02_image115
其中該第一化學部分經由單鍵來鍵聯至該第二化學部分， 　　及 　　其中上述的定義適用，且 　　其中選自由LT 、LV 與LW 所組成之群組的僅一個環原子是N，且選自由W、Y與X所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該第二化學部分之單鍵的結合位置。 　　在另一個實施方式中，有機分子包含或包含由：第一化學部分組成，該第一化學部分包含或組成為式B1之結構及Y代表鍵聯該第一化學部分與該第二化學部分的單鍵之結合位置。 　　在本發明之一個實施方式中，Rc 在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： 　　Me、i Pr、t Bu、 　　Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph；及 　　三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、i Pr、t Bu、CN、CF3 與Ph。
如本申請案全文中所使用，用語「芳基」與「芳族」可在最大範圍内理解為任何單環、雙環或多環芳族部分。因此，芳基含有6至60個芳族環原子，以及雜芳基含有5至60個芳族環原子，其中至少一者是雜原子。儘管如此，在本申請案全文中，可能在某些取代基之定義中給出芳族環原子數目的應用作為下標數字。特別地，該雜芳族環包括一至三個雜原子。又，用語「雜芳基」與「雜芳族」可在最大範圍内理解為包括至少一個雜原子之任何單環、雙環或多環雜芳族部分。雜原子在每次出現時可為相同的或不同的且個別地選自由N、O與S所組成之群組。因此，用語「伸芳基」乃指帶有鍵聯至其他分子結構的二個結合位置並藉此充當連接子結構之二價取代基。萬一，在示範性實施方式中的基團定義不同於此處所給出之定義，例如，芳族環原子數目或雜原子數目不同於所給出的定義，則適用在示範性實施方式中之定義。根據本發明，稠合(稠環化)芳族或雜芳族多環係由二或多個芳族或雜芳族單環建構，該單環經由縮合反應而形成多環。 　　特別地，如本申請案全文所用，用語芳基或雜芳基包含能經由芳族基或雜芳族基的任何位置來結合的基團，該芳族基或雜芳族基係由下列衍生：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、䓛、苝、芙(fluoranthene)、苯並蒽、苯並菲、稠四苯、稠五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、啡噻嗪、啡㗁嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、萘並咪唑、菲並咪唑、吡啶並咪唑、吡嗪並咪唑、喹㗁啉並咪唑、㗁唑、苯並㗁唑、萘並㗁唑、蒽並㗁唑、菲並㗁唑、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒嗪、苯並嗒嗪、嘧啶、苯並嘧啶、1,3,5-三嗪、喹㗁啉、吡嗪、啡嗪、萘啶、咔啉、苯並咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,2,3,4-四嗪、嘌呤、喋啶、吲嗪與苯並噻二唑，或上述基團的組合。 　　如本申請案全文所用，用語環基可在最大範圍内理解為任何單環、雙環或多環部分。 　　如本申請案全文所用，作為取代基之用語聯苯基可在最大範圍内理解為鄰聯苯基、間聯苯基、或對聯苯基，其中鄰、間與對定義結合至另一個化學部分的結合位置。 　　如本申請案全文所用，用語烷基可在最大範圍内理解為任何直鏈烷基、支鏈烷基、或環烷基取代基。特別地，用語烷基包含下列取代基：甲基(Me)、乙基(Et)、正丙基(n Pr)、異丙基(i Pr)、環丙基、正丁基(n Bu)、異丁基(i Bu)、二級丁基(s Bu)、三級丁基(t Bu)、環丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、三級戊基、2-戊基、新戊基、環戊基、正己基、二級己基、三級己基、2-己基、3-己基、新己基、環己基、1-甲基環戊基、2-甲基戊基、正庚基、2-庚基、3-庚基、4-庚基、環庚基、1-甲基環己基、正辛基、2-乙基己基、環辛基、1-雙環[2,2,2]辛基、2-雙環[2,2,2]-辛基、2-(2,6-二甲基)辛基、3-(3,7-二甲基)辛基、金剛烷基、2,2,2-三氟乙基、1,1-二甲基-正己-1-基、1,1-二甲基-正庚-1-基、1,1-二甲基-正辛-1-基、1,1-二甲基-正癸-1-基、1,1-二甲基-正十二烷-1-基、1,1-二甲基-正十四烷-1-基、1,1-二甲基-正十六烷-1-基、1,1-二甲基-正十八烷-1-基、1,1-二乙基-正己-1-基、1,1-二乙基-正庚-1-基、1,1-二乙基-正辛-1-基、1,1-二乙基-正癸-1-基、1,1-二乙基-正十二烷-1-基、1,1-二乙基-正十四烷-1-基、1,1-二乙基-正十六烷-1-基、1,1-二乙基-正十八烷-1-基、1-(正丙基)-環己-1-基、1-(正丁基)-環己-1-基、1-(正己基)-環己-1-基、1-(正辛基)-環己-1-基與1-(正癸基)-環己-1-基。 　　如本申請案全文所用，用語烯基包含直鏈烯基、支鏈烯基、與環烯基取代基。用語烯基示範性地包含下列取代基：乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基或環辛二烯基。 　　如本申請案全文所用，用語炔基包含直鏈炔基、支鏈炔基、與環炔基取代基。用語炔基示範性地包含：乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基。 　　如本申請案全文所用，用語烷氧基包含直鏈烷氧基、支鏈烷氧基、與環烷氧基取代基。用語烷氧基示範性地包含：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基與2-甲基丁氧基。 　　如本申請案全文所用，用語烷硫基包含直鏈烷硫基、支鏈烷硫基、與環烷硫基取代基，其中示範性烷氧基的O被S替換。 　　如本申請案全文所用，用語「鹵素」與「鹵基」可在最大範圍内理解成較佳為氟、氯、溴或碘。 　　每當本文中提到氫(H)時，其在每次出現時也可被氘替換。 　　應當理解，當分子片段被描述為取代基或被附接至另一個部分時，其名稱可寫成像是片段(例如萘基、二苯並呋喃基)或像是整個分子(例如萘、二苯並呋喃)。如本文所用，這些指定取代基或經附接之片段的不同方式被認為是等效的。 　　在一個實施方式中，在室溫下在具有10重量%之有機分子的聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)之薄膜中，根據本發明的有機分子具有不超過150 µs，不超過100 µs，特別是不超過50 µs，更佳為不超過10 µs或不超過7 µs之激態壽命。 　　在本發明之一個實施方式中，根據本發明的有機分子代表熱活化延遲螢光(TADF)發光體，其展現出ΔEST 值，其對應於少於5000 cm-1 ，較佳為少於3000 cm-1 ，更佳為少於1500 cm-1 ，甚至更佳為少於1000 cm-1 或甚至少於500 cm-1 的在第一激發單重態(S1)與第一激發三重態(T1)之間的能量差。 　　在本發明之另一個實施方式中，在室溫下在具有10重量%的有機分子之聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)的薄膜中，根據本發明之有機分子具有在可見光或近紫外光範圍內，亦即在從380至800 nm的波長範圍內，並具有少於0.50 eV，較佳為少於0.48 eV，更佳為少於0.45 eV，甚至更佳為少於0.43 eV或甚至少於0.40 eV之半峰全寬(full width at half marimum)的發射峰。 　　在本發明之另一個實施方式中，根據本發明的有機分子具有多於150，特別是多於200，較佳為多於250，更佳為多於300或甚至多於500之「藍色原料指數」(BMI)，其係藉由將光致發光的量子產量(PLQY) (%)除以所發出之光的CIEy色坐標而計算出。 　　藉助實驗方法或藉由使用量子化學方法(特別是密度泛函理論計算方法)的計算方法可以確定軌道與激發狀態能量。藉由具有0.1 eV之精度的循環伏安測量領域之習知技藝者熟悉的方法來確定最高佔用分子軌域能量EHOMO 。計算出最低未佔用分子軌域能量ELUMO 為EHOMO + Egap ，其中Egap 按下列方式來確定：除非另外指出，對主體化合物而言，在聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)中，將具有10重量%之主體的薄膜之發射光譜的開始作為Egap 。對發光體分子而言，確定Egap 為能量，在該能量下具有在PMMA的光譜切面中佔10重量%的發光體之薄膜的激發光譜與發射光譜。 　　由在低溫(典型為77K)下的發射光譜之開始來確定第一激發三重態T1的能量。對主體化合物而言，在該第一激發單重態能量與最低三重態能量由＞0.4 eV隔開時，在2-Me-THF中在穩態光譜中通常磷光是可以看見的。因此可以確定三重態能量為磷光光譜之開始。對TADF發光體分子而言，若無另外指出，由在具有10重量%的發光體之PMMA的薄膜中所測得之在77K下的延遲發射光譜之開始來確定第一激發三重態T1的能量。對主體與發光體化合物而言，若無另外指出，由在具有10重量%的主體或發光體化合物之PMMA的薄膜中所測得之發射光譜的開始來確定第一激發單重態S1之能量。 　　計算發射光譜之切線與x軸的交點來確定發射光譜之開始。發射光譜的切線設定在發射光譜帶之高能量側並設定在發射光譜的最大強度之半最大峰值的點上。 　　本發明之另一個態樣係關於用於製備根據本發明的有機分子(以隨意之後續反應)的方法，其中鹵代氟苯基-1,3,5-三嗪，其中中心苯環經三個RI 取代基取代且三嗪單元在4與6位置上經二個RTz 取代，作為反應物：
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較佳地，鹵代氟苯基-1,3,5-三嗪係選自溴-氟苯基-1,3,5-三嗪與氯-氟苯基-1,3,5-三嗪。示範性鹵代氟苯基-1,3,5-三嗪是2-(3-溴-4-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、2-(3-氯-4-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、2-(3-溴-4-氟苯基)-4,6-甲基-1,3,5-三嗪、2-(3-氯-4-氟苯基-4,6-甲基-1,3,5-三嗪、2-(4-溴-3-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、2-(4-氯-3-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪、2-(4-溴-3-氟苯基)-4,6-甲基-1,3,5-三嗪、2-(4-氯-3-氟苯基)-4,6-甲基-1,3,5-三嗪。較佳地，鹵代氟吡啶反應物係選自氯-氟吡啶與溴-氟吡啶。示範性鹵代氟吡啶是4-氯-3-氟吡啶、4-氯-2-氟吡啶、3-氯-4-氟吡啶、3-氯-5-氟吡啶、3-氯-6-氟吡啶、3-氯-2-氟吡啶、2-氯-3-氟吡啶、2-氯-4-氟吡啶、2-氯-5-氟吡啶、2-氯-6-氟吡啶、3-溴-4-氟吡啶、3-溴-5-氟吡啶、3-溴-6-氟吡啶、3-溴-2-氟吡啶、2-溴-3-氟吡啶、2-溴-4-氟吡啶、2-溴-5-氟吡啶與2-溴-6-氟吡啶，其各自在其餘位置上經一個R1 與二個R2 或經二個R1 與一個R2 取代。 　　相關技術領域之習知技藝者知道可以選擇替代合成路線來代替藉由鹵素物種與雙(頻哪醇)二硼反應，然後與如本文所述的另一種鹵素物種反應之硼酸酯的原位產生。例如，二種鹵素物種(亦即鹵代氟苯基-1,3,5-三嗪與鹵代氟吡啶)中的一者可以經對應硼酸或硼酸酯物種替換並與在典型交叉偶合反應中之個別其他鹵素物種反應。 　　對用芳基鹵化物(較佳為芳基氟)之親核芳族取代反應中的E1與含氮雜環之反應而言，典型條件包括將鹼(比如磷酸三鉀或氫化鈉)例如用於在非質子性之極性溶劑(比如二甲亞碸(DMSO)或N,N-二甲基甲醯胺(DMF))之用途。 　　替代合成路線包含經由銅或鈀催化偶合反應將含氮雜環導入芳基鹵化物或芳基擬鹵化物(較佳為芳基溴、芳基碘、芳基三氟甲磺酸酯或芳基甲苯磺酸酯)。 　　本發明的另一個態樣係關於根據本發明之有機分子的用途，其係作為在有機光電裝置中之發光體或吸收劑、與/或主體材料與/或電子傳輸材料、與/或電洞注入材料、與/或電洞阻擋材料。 　　有機電致發光裝置可在最大範圍内理解為以適合於發出在可見光或近紫外光(UV)範圍內(亦即在從380至800 nm之波長範圍內)的光之有機材料為基礎的任何裝置。更佳地，有機電致發光裝置可發出在可見光範圍內(亦即在從400至800 nm範圍內)的光。 　　在這樣的用途之背景中，該有機光電裝置係更特別地選自由下列所組成的群組： 　　•有機發光二極體(OLED)， 　　•發光電化學電池， 　　•OLED感測器，特別是在非密閉式保護氣體與蒸氣感測器中者， 　　•有機二極體， 　　•有機太陽能電池， 　　•有機電晶體， 　　•有機場效電晶體， 　　•有機雷射，及 　　•下轉換元件。 　　在一個較佳實施方式中，在這樣的用途之背景下，該有機電致發光裝置係選自由下列所組成的群組之裝置：有機發光二極體(OLED)、發光電化學電池(LEC)、及發光電晶體。 　　在該用途之情況下，在有機光電裝置中(更特別是在OLED中)的發光層中，根據本發明之有機分子的分率是1重量%至99重量%，更特別為5重量%至80重量%。在一個替代實施方式中，在發光層中之有機分子的比例是100重量%。 　　在一個實施方式中，該發光層不僅包含根據本發明的有機分子，還包含主體材料，其之三重態(T1)與單重態(S1)能階能量高於該有機分子的三重態(T1)與單重態(S1)能階能量。 　　本發明之另一個態樣係關於組成物，其包含或包含由以下所組成： 　　(a) 至少一種根據本發明之有機分子，特別是發光體與/或主體形式，及 　　(b) 一或多種發光體與/或主體材料，其不同於根據本發明之有機分子，及 　　(c) 隨意的一或多種染料與/或一或多種溶劑。 　　在一個實施方式中，該發光層包含組成物(或(實質)包含由組成物所組成)，其包含或包含由以下組成： 　　(a) 至少一種根據本發明之有機分子，特別是發光體與/或主體形式，及 　　(b) 一或多種發光體與/或主體材料，其不同於根據本發明之有機分子，及 　　(c) 隨意的一或多種染料與/或一或多種溶劑。 　　特佳地，該發光層EML包含組成物(或(實質)包含由組成物所組成)，其包含或包含由以下組成： 　　(i) 1至50重量%，較佳為5至40重量%，特別是10至30重量%，的一或多種根據本發明之有機分子E； 　　(ii) 5至99重量%，較佳為30至94.9重量%，特別是40至89重量%，的至少一種主體化合物H；及 　　(iii) 隨意地0至94重量%，較佳為0.1至65重量%，特別是1至50重量%，之至少一種另外的主體化合物D，其之結構不同於根據本發明之分子的結構；及 　　(iv) 隨意地0至94重量%，較佳為0至65重量%，特別是0至50重量%，的溶劑，及 　　(v) 隨意地0至30重量%，特別是0至20重量%，較佳為0至5重量%，之至少一種另外的發光體分子F，其之結構不同於根據本發明之分子的結構。 　　較佳地，能量可以從主體化合物H轉移到一或多種根據本發明之有機分子E，特別是從該主體化合物H的第一激發三重態T1(H)轉移到一或多種根據本發明之有機分子E的第一激發三重態T1(E)，與/或從該主體化合物H之第一激發單重態S1(H)轉移到一或多種根據本發明的有機分子E之第一激發單重態S1(E)。 　　在另一個實施方式中，該發光層EML包含(或(實質)組成為)組成物，其包含或組成為： 　　(i) 1至50重量%，較佳為5至40重量%，特別是10至30重量%，的一種根據本發明之有機分子E； 　　(ii) 5至99重量%，較佳為30至94.9重量%，特別是40至89重量%，的一種主體化合物H；及 　　(iii) 隨意地0至94重量%，較佳為0.1至65重量%，特別是1至50重量%，之至少一種另外的主體化合物D，其之結構不同於根據本發明之分子的結構；及 　　(iv) 隨意地0至94重量%，較佳為0至65重量%，特別是0至50重量%，的溶劑，及 　　(v) 隨意地0至30重量%，特別是0至20重量%，較佳為0至5重量%，之至少一種另外的發光體分子F，其之結構不同於根據本發明之分子的結構。 　　在一個實施方式中，該主體化合物H具有最高佔用分子軌域HOMO(H)，其具有在從-5至-6.5 eV的範圍內之能量EHOMO (H)，且該至少一種另外的主體化合物D具有具能量EHOMO (D)之最高佔用分子軌域HOMO(D)，其中EHOMO (H) ＞ EHOMO (D)。 　　在另一個實施方式中，該主體化合物H具有具能量ELUMO (H)之最低未佔用分子軌域LUMO(H)，且該至少一種另外的主體化合物D具有具能量ELUMO (D)之最低未佔用分子軌域LUMO(D)，其中ELUMO (H) ＞ ELUMO (D)。 　　在一個實施方式中，該主體化合物H具有具能量EHOMO (H)的最高佔用分子軌域HOMO(H)及具能量ELUMO (H)之最低未佔用分子軌域LUMO(H)，及 　　該至少一種另外的主體化合物D具有具能量EHOMO (D)之最高佔用分子軌域HOMO(D)及具能量ELUMO (D)的最低未佔用分子軌域LUMO(D)， 　　根據本發明之有機分子E具有具能量EHOMO (E)的最高佔用分子軌域HOMO(E)及具能量ELUMO (E)之最低未佔用分子軌域LUMO(E)， 　　其中 　　EHOMO (H) ＞ EHOMO (D)，且在根據本發明的有機分子E之最高佔用分子軌域HOMO(E)的能階(EHOMO (E))與主體化合物H之最高佔用分子軌域HOMO(H)的能階(EHOMO (H))之間的差是在-0.5eV與0.5eV之間，更佳為在-0.3eV與0.3eV之間，甚至更佳為在-0.2eV與0.2eV之間或甚至在-0.1eV與0.1eV之間；及 　　ELUMO (H) ＞ ELUMO (D)，且在根據本發明的有機分子E之最低未佔用分子軌域LUMO(E)的能階(ELUMO (E))與該至少一種另外的主體化合物D之最低未佔用分子軌域LUMO (D)的能階(ELUMO (D))之間的差是在-0.5eV與0.5eV之間，更佳為在-0.3eV與0.3eV之間，甚至更佳為在-0.2eV與0.2eV之間或甚至在-0.1eV與0.1eV之間。 　　在另一個態樣中，本發明係關於有機光電裝置，其包含有機分子或本文所述之類型的組成物，更特別是選自由下列所組成的群組之裝置形式：有機發光二極體(OLED)、發光電化學電池、OLED感測器(更特別是非密閉式保護氣體與蒸氣感測器)、有機二極體、有機太陽能電池、有機電晶體、有機場效電晶體、有機雷射及下轉換元件。 　　在一個較佳實施方式中，該有機電致發光裝置係選自由下列所組成的群組之裝置：有機發光二極體(OLED)、發光電化學電池(LEC)、及發光電晶體。 　　在本發明之有機光電裝置的一個實施方式中，該根據本發明之有機分子E作為在發光層EML中的發光材料。 　　在本發明之有機光電裝置的一個實施方式中，該發光層EML包含由本文所述之根據本發明的組成物所組成。 　　示範性地，在該有機電致發光裝置是OLED時，其可展現下列層結構： 　　1. 基板， 　　2. 陽極層A， 　　3. 電洞注入層(HIL)， 　　4. 電洞傳輸層(HTL)， 　　5. 電子阻擋層(EBL)， 　　6. 發光層(EML)， 　　7. 電洞阻擋層(HBL)， 　　8. 電子傳輸層(ETL)， 　　9. 電子注入層(EIL)， 　　10. 陰極層， 　　其中該OLED僅隨意地包含每一層，不同之層可能合併且該OLED可能包含上述各層類型中的多於一層。 　　此外，該有機電致發光裝置可隨意地包含一或多個保護層，其保護該裝置不受破壞性暴露於環境中的有害物種(包括示範性的水分、蒸氣與/或氣體)之害。 　　在本發明之一個實施方式中，該有機電致發光裝置是OLED，其展現下列反層結構： 　　1. 基板， 　　2. 陰極層， 　　3. 電子注入層(EIL)， 　　4. 電子傳輸層(ETL)， 　　5. 電洞阻擋層(HBL)， 　　6. 發光層(B)， 　　7. 電子阻擋層(EBL)， 　　8. 電洞傳輸層(HTL)， 　　9. 電洞注入層(HIL)， 　　10. 陽極層A。 　　其中該具有反層結構的OLED僅隨意地包含每一層，不同之層可能合併且該OLED可能包含上述各層類型中的多於一層。 　　在本發明之一個實施方式中，該有機電致發光裝置是OLED，其可展現出堆疊式架構。在此架構中，與典型配置相反，在該OLED並排配置時，個別單元堆疊在彼此上面。用展現出堆疊式架構的OLED可產生混合光，特別是藉由堆疊藍光、綠光與紅光OLED可產生白光。此外，展現出堆疊式架構的OLED可隨意地包含電荷產生層(CGL)，其典型地位於二個OLED子單元之間且典型地組成為具有典型地靠近陽極層的一個CGL之N型摻雜層的N型摻雜與P型摻雜之層。 　　在本發明的一個實施方式中，該有機電致發光裝置是OLED，其包含在陽極與陰極之間的二或多個發光層。特別地，這所謂串列OLED包含三個發光層，其中一個發光層發出紅光，一個發光層發出綠光及一個發光層發出藍光，且隨意地可能包含另外的層，比如在個別發光層之間的電荷產生層、阻擋層或傳輸層。在另一個實施方式中，發光層相鄰地堆疊。在另一個實施方式中，該串列OLED包含在每二個發光層之間的電荷產生層。此外，相鄰發光層或由電荷產生層隔開的發光層可合併。 　　基板可由任何材料或材料之組成物形成。最經常地，玻璃載片作為基板。或者，可使用薄金屬層(例如銅、金、銀或鋁膜)或塑膠膜或載片。這可允許較高撓度。該陽極層A大部分是由允許獲得(實質)透明薄膜的材料所構成。就兩個電極中之至少一者應為(實質)透明的以便允許從OLED發光而論，該陽極層A或陰極C是透明的。較佳地，該陽極層A包含大含量的或甚至組成為透明導電氧化物(TCO)。這樣之陽極層A可示範性地包含銦錫氧化物、鋁鋅氧化物、摻雜氟的錫氧化物、銦鋅氧化物、PbO、SnO、鋯氧化物、鉬氧化物、釩氧化物、鎢氧化物、石墨、經摻雜之Si、經摻雜的Ge、經摻雜之GaAs、經摻雜的聚苯胺、經摻雜之聚吡咯與/或經摻雜的聚噻吩。 　　特佳地，該陽極層A(實質)包含由銦錫氧化物(ITO)(例如(InO3 )0.9(SnO2 )0.1)組成。由透明導電氧化物(TCO)造成的該陽極層A之粗糙度可用電洞注入層(HIL)補償。另外，HIL可促進準電荷載子(亦即電洞)的注入，因為促進該準電荷載子從該TCO傳輸到電洞傳輸層(HTL)。電洞注入層(HIL)可包含聚-3,4-伸乙二氧基噻吩(PEDOT)、聚苯乙烯磺酸酯(PSS)、MoO2 、V2 O5 、CuPC或CuI，特別是PEDOT與PSS之混合物。電洞注入層(HIL)也可防止金屬從該陽極層A擴散到電洞傳輸層(HTL)中。HIL可示範性地包含PEDOT:PSS (聚-3,4-伸乙二氧基噻吩:聚苯乙烯磺酸酯)、PEDOT (聚-3,4-伸乙二氧基噻吩)、mMTDATA (4,4’,4”-參[苯基(間甲苯基)胺基]三苯胺)、Spiro-TAD (2,2’,7,7’-肆(n,n-二苯胺基)-9,9’-螺二茀)、DNTPD (N1,N1’-(聯苯-4,4’-二基)雙(N1-苯基-N4,N4-二間甲苯基苯-1,4-二胺)、NPB (N,N’-雙(1-萘基)-N,N’-聯苯基-(1,1’-聯苯基)-4,4’-二胺)、NPNPB (N,N’-二苯基-N,N’-二-[4-(N,N-二苯基-胺基)苯基]聯苯胺)、MeO-TPD (N,N,N’,N’-肆(4-甲氧基苯基)聯苯胺)、HAT-CN (1,4,5,8,9,11-六氮雜聯伸三苯基-六甲腈)與/或Spiro-NPD (N,N’-二苯基-N,N’-雙(1-萘基)-9,9’-螺二茀-2,7-二胺)。 　　典型地，電洞傳輸層(HTL)鄰接陽極層A或電洞注入層(HIL)。在本文中，可使用任何電洞傳輸化合物。示範性地，富集電子雜芳族化合物(比如三芳胺與/或咔唑)可作為電洞傳輸化合物。HTL可使在陽極層A與發光層EML之間的能量障壁減小。電洞傳輸層(HTL)也可為電子阻擋層(EBL)。較佳地，電洞傳輸化合物帶有其之三重態T1的可比較地高能階。示範性地，電洞傳輸層(HTL)可包含星形雜環，比如參(4-咔唑-9-基苯基)胺 (TCTA)、聚-TPD (聚(4-丁基苯基-二苯基-胺))、[α]-NPD (聚(4-丁基苯基-二苯基-胺))、TAPC (4,4’-亞環己基-雙[N,N-雙(4-甲基苯基)苯胺])、2-TNATA (4,4’,4”-參[2-萘基(苯基)胺基]三苯胺)、Spiro-TAD、DNTPD、NPB、NPNPB、MeO-TPD、HAT-CN與/或TrisPcz (9,9’-二苯基-6-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-9H,9’H-3,3’-雙咔唑)。此外，HTL可包含P型摻雜層，其可由在有機電洞傳輸基質中的無機或有機摻雜劑所構成。過渡金屬氧化物(比如釩氧化物、鉬氧化物或鎢氧化物)可示範性地作為無機摻雜劑。四氟四氰醌二甲烷(F4 -TCNQ)、五氟苯甲酸銅(Cu(I)pFBz)或過渡金屬複合物可示範性地作為有機摻雜劑。 　　EBL可示範性地包含mCP (1,3-雙(咔唑-9-基)苯)、TCTA、2-TNATA、mCBP (3,3-二(9H-咔唑-9-基)聯苯)、tris-Pcz、CzSi (9-(4-三級丁基苯基)-3,6-雙(三苯矽基)-9H-咔唑)、與/或DCB (N,N’-二咔唑基-1,4-二甲苯)。 　　典型地，發光層EML鄰接電洞傳輸層(HTL)。發光層EML包含至少一種發光分子。特別地，EML包含至少一種根據本發明之發光分子E。在一個實施方式中，發光層僅包含根據本發明的有機分子E。典型地，EML另外包含一或多種主體材料H。示範性地，主體材料H係選自CBP (4,4’-雙(N-咔唑基)-聯苯)、mCP、mCBP Sif87 (二苯並[b,d]噻吩-2-基三苯矽烷)、CzSi、Sif88 (二苯並[b,d]噻吩-2-基)二苯矽烷)、DPEPO (雙[2-(二苯膦基)苯基]醚氧化物), 9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-雙(2-二苯並呋喃基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-雙(2-二苯並噻吩基)苯基]-9H-咔唑、T2T (2,4,6-參(聯苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T (2,4,6-參(三苯-3-基)-1,3,5-三嗪)與/或TST (2,4,6-參(9,9’-螺二茀-2-基)-1,3,5-三嗪)。主體材料H典型地應該被選定以展現第一三重態(T1)與第一單重態(S1)能階，其之能量高於該有機分子的第一三重態(T1)與第一單重態(S1)能階能量。 　　在本發明之一個實施方式中，EML包含具有至少一種電洞主導主體與一種電子主導主體的所謂混合型主體系統。在一個特別實施方式中，EML包含僅一個根據本發明之發光分子E及混合型主體系統，其包含作為電子主導主體的T2T與作為電洞主導主體之選自下列的主體：CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-雙(2-二苯並呋喃基)苯基]-9H-咔唑與 9-[3,5-雙(2-二苯並噻吩基)苯基]-9H-咔唑。在另一個實施方式中，EML包含50至80重量%，較佳為60至75重量%之選自下列的主體：CBP、mCP、mCBP、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並呋喃-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3-(二苯並噻吩-2-基)苯基]-9H-咔唑、9-[3,5-雙(2-二苯並呋喃基)苯基]-9H-咔唑與9-[3,5-雙(2-二苯並噻吩基)苯基]-9H-咔唑；10至45重量%，較佳為15至30重量%之T2T及5至40重量%，較佳為10至30重量%的根據本發明之發光分子。 　　電子傳輸層(ETL)可鄰接發光層EML。在本文中，可使用任何電子傳輸子。示範性地，可使用貧電子化合物比如苯並咪唑、吡啶、三唑、㗁二唑(例如1,3,4-㗁二唑)、膦氧化物及碸。電子傳輸子也可為星形雜環，比如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯並[d]咪唑-2-基)苯 (TPBi)。ETL可包含NBphen (2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉)、Alq3 (鋁-參(8-羥喹啉))、TSPO1 (二苯基-4-三苯矽基苯基-膦氧化物)、BPyTP2 (2,7-二(2,2’-聯吡啶-5-基)聯伸三苯)、Sif87 (二苯並[b,d]噻吩-2-基三苯矽烷)、Sif88 (二苯並[b,d]噻吩-2-基)二苯矽烷)、BmPyPhB (1,3-雙[3,5-二(吡啶-3-基)苯基]苯)與/或BTB (4,4’-雙[2-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)]-1,1’-聯苯)。隨意地，ETL可被摻雜材料比如Liq。電子傳輸層(ETL)也可能阻擋電洞或電洞阻擋層(HBL)被導入。HBL可示範性地包含BCP (2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉=浴銅靈(Bathocuproine))、BAlq (雙(8-羥基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)鋁)、NBphen (2,9-雙(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-啡啉)、Alq3 (鋁-參(8-羥喹啉))、TSPO1 (二苯基-4-三苯矽基苯基-膦氧化物)、T2T (2,4,6-參(聯苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、T3T (2,4,6-參(三苯-3-基)-1,3,5-三嗪)、TST (2,4,6-參(9,9’-螺二茀-2-基)-1,3,5-三嗪)、與/或TCB/TCP (1,3,5-參(N-咔唑基)苯/1,3,5-參(咔唑)-9-基)苯)。 　　陰極層C可鄰接電子傳輸層(ETL)。示範性地，陰極層C可包含或可組成為金屬(例如Al、Au、Ag、Pt、Cu、Zn、Ni、Fe、Pb、LiF、Ca、Ba、Mg、In、W、或Pd)或金屬合金。出於實際原因，陰極層也可組成為(實質)不透明金屬比如Mg、Ca或Al。或者或此外，陰極層C也可包含石墨與/或碳奈米管(CNT)。或者，陰極層C也可包含由奈米銀線所組成。 　　OLED可隨意地另外包含在電子傳輸層(ETL)與陰極層C(其可被指定為電子注入層(EIL))之間的保護層。該層可包含氟化鋰、氟化銫、銀、Liq (8-羥基喹啉鋰)、Li2 O、BaF2 、MgO與/或NaF。 　　隨意地，電子傳輸層(ETL)與/或電洞阻擋層(HBL)也可包含一或多種主體化合物H。 　　為了進一步修改發光層EML之發射光譜與/或吸收光譜，該發光層EML可另外包含一或多種另外的發光體分子F。這樣之發光體分子F可為該領域已知的任何發光體分子。較佳地，這樣之發光體分子F是具有與根據本發明的分子E之結構不同的結構之分子。發光體分子F可隨意地為TADF發光體。或者，發光體分子F可隨意地為螢光與/或磷光發光體分子，其能夠使發光層EML的發射光譜與/或吸收光譜偏移。示範性地，三重態與/或單重態激子在藉由發出與發光體分子E所發出之光相較典型地紅移的光而緩解回到基態S0之前，可從根據本發明的發光體分子E轉移到發光體分子F。隨意地，發光體分子F也可能引起雙光子效應(亦即最大吸收峰一半能量之雙光子吸收)。 　　隨意地，有機電致發光裝置(例如OLED)可示範性地為實質白光有機電致發光裝置。示範性地，這樣的白光有機電致發光裝置可包含至少一種(深)藍光發光體分子與一或多種發出綠光與/或紅光之發光體分子。此外，在如上述的二或多種分子之間也可能隨意地有能量穿透。 　　如本文所用，若在特定上下文不更明確地定義，則所發出之光與/或所吸收的光之顏色的指定如下： 　　紫色： ＞380至420 nm之波長範圍； 　　深藍色： ＞420至480 nm的波長範圍； 　　天藍色： ＞480至500 nm之波長範圍； 　　綠色： ＞500至560 nm的波長範圍； 　　黃色： ＞560至580 nm之波長範圍； 　　橙色： ＞580至620 nm的波長範圍； 　　紅色： ＞620至800 nm之波長範圍。 　　與發光體分子有關，這樣的顏色乃指最大發射峰。因此，示範性地，深藍色發光體具有在從＞420至480 nm範圍內之最大發射峰，天藍色發光體具有在從＞480至500 nm範圍內的最大發射峰，綠色發光體具有在從＞500至560 nm範圍內之最大發射峰，紅色發光體具有在從＞620至800 nm範圍內的最大發射峰。 　　深藍色發光體可較佳地具有低於480 nm，更佳地低於470 nm，甚至更佳地低於465 nm或甚至低於460 nm，的最大發射峰。其典型為高於420 nm，較佳地高於430 nm，更佳地高於440 nm或甚至高於450 nm。 　　因此，本發明之另一個態樣係關於OLED，其展現出多於8%，更佳為多於10%，更佳為多於13%，甚至更佳為多於15%或甚至多於20%，的在1000 cd/m2 之外部量子效率，及/或展現出在420 nm與500 nm之間，較佳地在430 nm與490 nm之間，更佳地在440 nm與480 nm之間，甚至更佳地在450 nm與470 nm之間，的最大發射峰，及/或展現出多於100 h，較佳地多於200 h，更佳地多於400 h，甚至更佳地多於750 h或甚至多於1000 h，的在500 cd/m2 之LT80值。因此，本發明之另一個態樣係關於OLED，其之發光展現出少於0.45，較佳地少於0.30，更佳地少於0.20或甚至更佳地少於0.15或甚至少於0.10，的CIEy色坐標。 　　本發明之另一個態樣係關於OLED，其在不同色點發光。根據本發明，OLED發出具有窄發射光譜帶(小半峰全寬(FWHM))的光。在一個態樣中，根據本發明之OLED發出具有少於0.50 eV，較佳地少於0.48 eV，更佳地少於0.45 eV，甚至更佳地少於0.43 eV或甚至少於0.40 eV，的主發射峰之FWHM的光。 　　本發明之另一個態樣係關於OLED，其發出具有接近於如ITU-R Recommendation BT.2020 (Rec. 2020)所定義的原色藍色(CIEx = 0.131與CIEy = 0.046)之CIEx (= 0.131)與CIEy (= 0.046)色坐標的CIEx與CIEy色坐標之光，因此適用於超高定義(UHD)顯示器，例如UHD-TV。因此，本發明的另一個態樣係關於OLED，其之發光展現出在0.02與0.30之間，較佳地在0.03與0.25之間，更佳地在0.05與0.20之間或甚至更佳地在0.08與0.18之間或甚至在0.10與0.15之間，的CIEx色坐標，及/或展現出在0.00與0.45之間，較佳地在0.01與0.30之間，更佳地在0.02與0.20之間或甚至更佳地在0.03與0.15之間或甚至在0.04與0.10之間，的CIEy色坐標。 　　在另一個態樣中，本發明係關於用於產生光電組件的方法。在這種情況下，使用本發明之有機分子。 　　有機電致發光裝置，特別是根據本發明的OLED，可藉助任何氣相沉積法與/或液體加工法來製造。因此，至少一個層 　　- 係藉助昇華法來製備， 　　- 係藉助有機氣相沉積法來製備， 　　- 係藉助載體氣昇華法來製備， 　　- 被溶液加工或印刷。 　　用來製造有機電致發光裝置，特別是根據本發明之OLED，的方法是該領域已知的。藉助後續沉積法將不同之層個別地且連續地沉積在合適基板上。可使用相同或不同的沉積方法來沉積該個別層。 　　氣相沉積法，例如，包含熱(共)蒸發法、化學氣相沉積法及物理氣相沉積法。對主動矩陣OLED顯示器而言，AMOLED背板作為基板。個別層可經由溶液或使用適當溶劑之分散體來加工。溶液沉積法示範性地包含旋塗法、浸塗法及噴射印刷法。可隨意地在惰性氣氛下(例如在氮氣氣氛下)進行液體加工並可隨意地藉助在該工藝技術水準中已知的方式來完全地或部分地移除溶劑。 [實施例] 通用合成流程I
Figure 02_image119
通用合成程序AAV1 ：
Figure 02_image121
在110℃下於氮氣氣氛下在無水甲苯中把2-(3-溴-4-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E2 (1.0當量)、雙(頻哪醇)二硼(1.5當量, CAS：73183-34-3)、參(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0) Pd2 (dba)3 (0.02當量, CAS：51364-51-3)、X-Phos (0.04當量, CAS 564483-18-7)與乙酸鉀(KOAc, 3.0當量)攪拌16 h。然後，將3-溴-4-氟吡啶 (1.0當量, CAS 116922-60-2)、K3 PO4 (aq) (3當量)與額外部分的參(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0) (0.02當量, CAS：51364-51-3)與X-Phos (0.04當量, CAS 564483-18-7)加到熱反應混合物。把反應混合物在110℃下攪拌16 h。冷卻到室溫(RT)，接著以乙酸乙酯/鹽水萃取反應混合物。收集有機相，以鹽水清洗並在MgSO4 上乾燥。移除有機溶劑，藉由層析法純化粗製品Z2 並獲得白色固體(產率:86%)。 通用合成程序AAV1-A ：
Figure 02_image123
根據AAV1 進行Z2-A 之合成，其中用E 2-A (例如3-溴-4-咔唑基-吡啶) (1.00當量)代替在Suzuki-Miyaura交叉偶合反應中的3-溴-4-氟-吡啶(產率:80%)。 通用合成程序AAV2 ：
Figure 02_image125
根據AAV1 進行Z3 之合成，其中2-(3-溴-4-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E2 與4-溴-3-氟吡啶反應。 通用合成程序AAV2-A ：
Figure 02_image127
根據AAV1 進行Z3-A 之合成，其中用E 3-A (例如4-溴-3-咔唑基-吡啶) (1.00當量)代替在Suzuki-Miyaura交叉偶合反應中的3-溴-4-氟-吡啶。 通用合成程序AAV3 ：
Figure 02_image129
根據AAV1 進行Z4 之合成，其中2-(3-溴-4-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E2 與2-溴-3-氟吡啶反應。 通用合成程序AAV3-A ：
Figure 02_image131
根據AAV1 進行Z4-A 之合成，其中用E4 -A (例如2-溴-3-咔唑基-吡啶) (1.00當量)代替在Suzuki-Miyaura交叉偶合反應中的3-溴-4-氟-吡啶。 通用合成程序AAV4 ：
Figure 02_image133
根據AAV1 進行Z5 之合成，其中2-(3-溴-4-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E2 與3-溴-2-氟吡啶反應。 通用合成程序AAV4-A ：
Figure 02_image135
根據AAV1 進行Z5-A 之合成，其中用E5 -A (例如3-溴-2-咔唑基-吡啶) (1.00當量)代替在Suzuki-Miyaura交叉偶合反應中的3-溴-4-氟-吡啶。 通用合成程序AAV5 ：
Figure 02_image137
根據AAV1 進行Z6 之合成，其中2-(4-溴-3-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E3 與3-溴-4-氟吡啶反應。 通用合成程序AAV5-A ：
Figure 02_image139
根據AAV1 進行Z6-A 之合成，其中2-(4-溴-3-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E3 與在Suzuki-Miyaura交叉偶合反應中的E2 -A (例如3-溴-4-咔唑基-吡啶) (1.00當量)反應。 通用合成程序AAV6 ：
Figure 02_image141
根據AAV1 進行Z7 之合成，其中2-(4-溴-3-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E3 與4-溴-3-氟吡啶反應。 通用合成程序AAV6-A ：
Figure 02_image143
根據AAV1 進行Z7-A 之合成，其中2-(4-溴-3-氟苯基)-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪E3 與在Suzuki-Miyaura交叉偶合反應中的E3 -A (例如4-溴-3-咔唑基-吡啶) (1.00當量)反應。 通用合成程序AAV7 ：
Figure 02_image145
Figure 02_image147
Figure 02_image149
在氮氣氣氛下將Z2 、Z3 、Z4 、Z5 、Z6 或Z7 (1當量)、對應供體分子D-H (2.00當量)與磷酸三鉀(5.00當量)懸浮於DMSO中並在140℃下攪拌(48 h)。冷卻到室溫(RT)，接著以乙酸乙酯/鹽水萃取反應混合物。收集有機相，以鹽水清洗並在MgSO4 上乾燥。在減壓下蒸發溶劑。藉由再結晶化或藉由急速層析法純化粗製品。獲得如固體的產物。 　　在AAV7 中，將1.00當量之對應供體分子D-H用於Z2-A 、Z3-A 、Z4-A 、Z5-A 、Z6-A 或Z7-A 。 　　特別地，該供體分子D-H是3,6-經取代咔唑(例如3,6-二甲基咔唑、3,6-二苯基咔唑、3,6-二(三級丁基)咔唑)、2,7-經取代咔唑(例如2,7-二甲基咔唑、2,7-二苯基咔唑、2,7-二(三級丁基)咔唑)、1,8-經取代咔唑(例如1,8-二甲基咔唑、1,8-二苯基咔唑、1,8-二(三級丁基)咔唑)、1-經取代咔唑(例如1-甲基咔唑、1-苯基咔唑、1-三級丁基咔唑)、2-經取代咔唑(例如2-甲基咔唑、2-苯基咔唑、2-三級丁基咔唑)、或3-經取代咔唑(例如3-甲基咔唑、3-苯基咔唑、3-三級丁基咔唑)。 　　例如，鹵代咔唑，特別是3-溴咔唑，可以作為D-H。 　　在後續反應中，硼酸酯官能基或硼酸官能基可例如在一或多個鹵素取代基的位置被導入(其經由D-H被導入)，以產生對應咔唑-3-基硼酸酯或咔唑-3-基硼酸，例如經由與雙(頻哪醇)二硼(CAS No. 73183-34-3)之反應。接著，可經由與對應鹵代反應物Ra -鹵素(較佳為Ra -Cl與Ra -Br)的偶合反應導入一或多個Ra 取代基代替硼酸酯基或硼酸基。或者，一或多個Ra 取代基可在一或多個鹵素取代基的位置被導入(其經由D-H被導入)，經由與Ra [Ra -B(OH)2 ]取代基之硼酸或對應硼酸酯的反應。循環伏安法 循環伏安圖是從濃度10-3 mol/L的有機分子之二氯甲烷或合適溶劑與合適支持電解質(例如0.1 mol/L的六氟磷酸四丁銨)的溶液測得。測量是在室溫下於氮氣氣氛下用三電極組件(工作電極與相對電極：Pt線，參考電極：Pt線)進行及用FeCp2 /FeCp2 + 作為內標準來校正。HOMO數據是用二茂鐵作為內標準對照SCE(飽和甘汞電極)來校正。密度泛函理論計算方法 使用BP86鑑定功能及解析度的方法(RI)來優化分子結構。使用利用含時DFT (TD-DFT)方法的(BP86)優化之結構來計算出激發能。用B3LYP functional計算出軌道與激發狀態能量。使用Def2-SVP basis sets (與用於數值積分的m4-grid。將Turbomole套裝程式用於所有計算。光物理測量 樣本前處理：旋塗法 　　裝置：Spin150, SPS euro。 　　樣本濃度是10 mg/ml，溶於合適溶劑。 　　程序：1) 在400 U/min下3 s；在1000 U/min下在1000 Upm/s下20 s；3) 在4000 U/min下在1000 Upm/s下10 s。在塗佈後，在70℃下乾燥薄膜1 min。 光致發光光譜法與TCSPC( 時間相關單光子計數 ) 穩態發射光譜法係藉由下列測得：Horiba Scientific, Modell FluoroMax-4，其配備150 W Xenon-Arc燈、激發與發射光單色器與Hamamatsu R928 photomultiplier及時間相關單光子計數選項。使用標準校正擬合來校正發射與激發光譜。 　　激發態壽命係使用相同系統來測定，該系統使用具有FM-2013設備與Horiba Yvon TCSPC hub的TCSPC方法。 激發光源： 　　NanoLED 370 (波長：371 nm，脈衝持續時間：1.1 ns) 　　NanoLED 290 (波長：294 nm，脈衝持續時間：＜1 ns) 　　SpectraLED 310 (波長：314 nm) 　　SpectraLED 355 (波長：355 nm)。 　　數據分析(指數擬合)係使用軟體套DataStation與DAS6分析軟體來執行。該擬合係使用卡方檢定(chi-squared test)來指定。 光致發光的量子產量測量 　　對光致發光的量子產量(PLQY)測量而言，使用Absolute PL Quantum Yield Measurement C9920-03G system (Hamamatsu Photonics) 。使用軟體U6039-05 version 3.6.0測定量子產量與CIE坐標。 　　發射峰是以nm給出，量子產量Φ是以%給出，及CIE坐標是以x、y值給出。 PLQY係使用下列標準規範測定： 　　1) 品質保證：使用蒽之乙醇溶液(已知濃度)作為參考。 　　2) 激發波長：測定有機分子的吸收峰並使用此波長激發該分子。 　　3) 測量 　　在氮氣氣氛下測量溶液或薄膜的樣本的量子產量。該產量係使用下列方程式計算出：
Figure 02_image151
其中n光子 表示光子數及Int表示強度。有機電致發光裝置之製造與特性化 包含根據本發明之有機分子的OLED裝置可以經由真空沉積方法來製得。若一層含有多於一種化合物，則一或多種化合物的重量百分率是以%給出。總重量百分率值達到100%，因此若值未給出，則此化合物之分率等於在所給出的值與100%之間的差。 　　未完全優化之OLED係使用標準方法並測量電致發光光譜、使用由光電二極體所偵測到的光所計算出之強度相依的外部量子效率(以%計)、與電流來特性化。從在定電流密度下操作期間之亮度變化獲取OLED裝置壽命。LT50值對應於時間，在該時間所測得之亮度減少到初亮度的50%，類似地LT80對應於時間點，在該時間點所測得之亮度減少到初亮度的80%，LT95對應於時間點，在該時間點所測得之亮度減少到初亮度的95%等。進行加速壽命測定(例如施加增加之電流密度)。示範性地使用下列方程式確定在500 cd/m2 下的LT80值：
Figure 02_image153
其中L0 表示在所施加之電流密度下的初亮度。 　　該值對應於幾個像素(典型為二至八個)的平均數，在這些像素之間的標準偏差被給出。實施例 1
Figure 02_image155
根據AAV1 與AAV7 合成實施例1 (42%產率)。 　　HPLC-MS：10.33 min (716.50 m/z (100 %)。 　　圖1繪示實施例1 (在PMMA中佔10 重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在459 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是86%，半峰全寬(FWHM)是0.42 eV。確定所得CIEx 坐標是在0.15且CIEy 坐標是在0.17。實施例 2
Figure 02_image157
根據AAV1 與AAV5 合成實施例2 (50%產率)。 　　HPLC-MS：11.36 min (868.82 m/z (100 %))。 　　圖2繪示實施例2 (在PMMA中佔10 重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在469 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是88%，半峰全寬(FWHM)是0.41 eV。確定所得CIEx 坐標是在0.16且CIEy 坐標是在0.23。實施例 3
Figure 02_image159
根據AAV1 與AAV7 合成實施例3 (64%產率)。 　　HPLC-MS：13.07 min (940.72 m/z (100 %))。 　　圖3繪示實施例3 (在PMMA中佔10 重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在477 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是85%，半峰全寬(FWHM)是0.39 eV。確定所得CIEx 坐標是在0.17且CIEy 坐標是在0.28。實施例 4
Figure 02_image161
根據AAV1-A 與AAV7 合成實施例4 ，其中3-溴咔唑作為D-H。反應產物與雙(吡啶甲酸)二硼(bis(picolinato) diboron)在類似於產生硼酸酯衍生物之AAV1 的條件下反應。在下一步驟中，硼酸酯衍生物與2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪反應以給出實施例4 (37%產率)。 　　HPLC-MS：26.32 min (948.16 m/z (100 %))。 　　圖4繪示實施例4 (在PMMA中佔10重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在451 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是68%，半峰全寬(FWHM)是0.39 eV。確定所得CIEx 坐標是在0.15且CIEy 坐標是在0.12。實施例 5
Figure 02_image163
根據AAV1 與AAV7 合成實施例5 (61%產率)。 　　HPLC-MS：18.19 min (896.39 m/z (100 %))。 　　圖5繪示實施例5 (在PMMA中佔10重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在475 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是85%，半峰全寬(FWHM)是0.43 eV。確定所得CIEx 坐標是在0.17且CIEy 坐標是在0.27。實施例 6
Figure 02_image165
根據AAV2-A 與AAV7 合成實施例6 (64%產率)。 　　HPLC-MS：11.26 min (716.21 m/z (100 %))。 　　圖6繪示實施例6 (在PMMA中佔10重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在474 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是83%，半峰全寬(FWHM)是0.40eV。確定所得CIEx 坐標是在0.16且CIEy 坐標是在0.25。實施例 7
Figure 02_image167
根據AAV2-A 與AAV7 合成實施例7 (64%產率)。 　　HPLC-MS：12.09 min (792.27 m/z (100 %))。 　　圖7繪示實施例7 (在PMMA中佔10重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在476 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是92%，半峰全寬(FWHM)是0.39 eV。確定所得CIEx 坐標是在0.17且CIEy 坐標是在0.29。實施例 8
Figure 02_image169
根據AAV1-B (如在「通用合成程序AAV1-B 」中所描述)與根據AAV7 合成實施例8 (60%產率)，其中Z2-B 作為代替Z2 的反應物。 　　HPLC-MS：28.63 min (940.59 m/z (100 %))。 　　圖8繪示實施例8 (在PMMA中佔10 重量%)的發射光譜。最大發射峰(λmax )是在450 nm。光致發光之量子產量(PLQY)是76%，半峰全寬(FWHM)是0.41 eV。確定所得CIEx 坐標是在0.15且CIEy 坐標是在0.13。 通用合成程序AAV1-B ：
Figure 02_image171
在75℃下於氮氣氣氛下在THF/水混合物(4:1)中將2-氯-4,6-二-(3,5-二(三級丁基)苯基)-1,3,5-三嗪(經由三聚氯化氰(CAS 108-77-0)與1-溴-3,5-二(三級丁基)苯(CAS 22385-77-9)的Grignard反應所合成)E2-B (1.0當量, CAS 1870011-08-7)、3-(4-氟-苯基硼酸酯)-4-氟-吡啶(1.2當量)、肆(三苯膦)鈀(0) (0.1當量, CAS 14221-01-3)、與乙酸鉀(KOAc, 3.0當量)攪拌16 h。 　　冷卻到室溫(RT)，接著以二氯甲烷/鹽水萃取反應混合物。收集有機相，以鹽水清洗並在MgSO4 上乾燥。移除有機溶劑，藉由在乙醇中再結晶化來純化粗製品Z2-B 並獲得固體(產率:63%)。裝置 D1
Figure 02_image173
對D1 而言，確定12.1 ± 0.1 %之在1000 cd/m2 下的外部量子效率(EQE)及來自加速壽命測定之128 h的在500 cd/m2 下之LT80值。最大發射峰是在473 nm，在6V下的CIEx 是0.15且CIEy 是0.26。本發明之有機分子的額外實施例
Figure 02_image175
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Figure 02_image253
Figure 02_image255
圖1 在PMMA中的實施例1 (10重量%)之發射光譜。 　　圖2 在PMMA中的實施例2 (10重量%)之發射光譜。 　　圖3 在PMMA中的實施例3 (10重量%)之發射光譜。 　　圖4 在PMMA中的實施例4 (10重量%)之發射光譜。 　　圖5 在PMMA中的實施例5 (10重量%)之發射光譜。 　　圖6 在PMMA中的實施例6 (10重量%)之發射光譜。 　　圖7 在PMMA中的實施例7 (10重量%)之發射光譜。 　　圖8 在PMMA中的實施例8 (10重量%)之發射光譜。

Claims (16)

  1. 一種有機分子，其包含：- 第一化學部分，其包含式I之結構：
    Figure 107122064-A0305-02-0144-1
     及- 二個第二化學部分，各自獨立於另一個包含式II之結構：
    Figure 107122064-A0305-02-0144-2
     其中該第一化學部分經由單鍵來鍵聯至該二個第二化學部分中的每一者；其中LT是N或C-R1；LV是N或C-R1；LW是N或C-W； X是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是R2；Y是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是R2；W是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是R2；RT係選自由RI與1,3,5-三嗪基所組成之群組，其係經二個RTz取代基取代；RV係選自由RI與1,3,5-三嗪基所組成之群組，其係經二個RTz取代基取代；RW是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或係選自由RI與1,3,5-三嗪基所組成之群組，其係經二個RTz取代基取代；RX是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是RI；RY是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置或是RI；#代表將該第二化學部分鍵聯至該第一化學部分之單鍵的結合位置；Z係直接鍵；R1、R2、RI在每次出現時係彼此獨立地選自由下列所組成的群組：氫、氘、C1-C5-烷基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代； C2-C8-烯基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代；C2-C8-炔基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代；及C6-C18-芳基，其隨意經一或多個R6取代基取代；RTz在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫、氘、C1-C5-烷基，其中一或多個氫原子隨意經氘取代；C6-C18-芳基，其隨意經一或多個R6取代基取代，及C3-C17-雜芳基，其隨意經一或多個R6取代基取代；Ra在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫、氘、N(R5)2、OR5、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I、C1-C40-烷基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C1-C40-烷氧基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5； C1-C40-烷硫基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C2-C40-烯基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C2-C40-炔基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C6-C60-芳基，其隨意經一或多個R5取代基取代；及C3-C57-雜芳基，其隨意經一或多個R5取代基取代；R5在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫、氘、N(R6)2、OR6、Si(R6)3、B(OR6)2、 OSO2R6、CF3、CN、F、Br、I、C1-C40-烷基，其隨意經一或多個R6取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6；C1-C40-烷氧基，其隨意經一或多個R6取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6；C1-C40-烷硫基，其隨意經一或多個R6取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6；C2-C40-烯基，其隨意經一或多個R6取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或 CONR6；C2-C40-炔基，其隨意經一或多個R6取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R6C=CR6、C≡C、Si(R6)2、Ge(R6)2、Sn(R6)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR6、P(=O)(R6)、SO、SO2、NR6、O、S或CONR6；C6-C60-芳基，其隨意經一或多個R6取代基取代；及C3-C57-雜芳基，其隨意經一或多個R6取代基取代；R6在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氫、氘、OPh、CF3、CN、F、C1-C5-烷基，其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3、或F；C1-C5-烷氧基，其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3、或F；C1-C5-烷硫基，其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3、或F；C2-C5-烯基，其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代： 氘、CN、CF3、或F；C2-C5-炔基，其中一或多個氫原子隨意地彼此獨立地經下列取代：氘、CN、CF3、或F；C6-C18-芳基，其隨意經一或多個C1-C5-烷基取代基取代；C3-C17-雜芳基，其隨意經一或多個C1-C5-烷基取代基取代；N(C6-C18-芳基)2；N(C3-C17-雜芳基)2、與N(C3-C17-雜芳基)(C6-C18-芳基)；其中該Ra或R5取代基彼此獨立地隨意地形成具有一或多個Ra或R5取代基的單環或多環、脂族、芳族與/或苯並稠環系統；其中選自由LT、LV與LW所組成之群組的僅一個環原子是N,選自由RT、RV與RW所組成之群組的僅一個取代基是1,3,5-三嗪基，其係經二個RTz取代基取代，選自由W、Y與X所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置，及選自由RW、RY與RX所組成之群組的僅一個取代基代表鍵聯該第一化學部分與該二個第二化學部分中的一者之 單鍵的結合位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機分子，其中該第一化學部分包含式Ia之結構：
    Figure 107122064-A0305-02-0151-3
     其中YD是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置；RD是將該第一化學部分鍵聯至該二個第二化學部分中的一者之單鍵的結合位置；其中有別於申請專利範圍第1項中之定義適用。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之有機分子，其中R1、R2與RI在每次出現時係彼此獨立地選自由下列所組成的群組：H、甲基、三甲苯基、甲苯基及苯基。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之有機分子，其中RTz係彼 此獨立地選自由下列所組成的群組：H、甲基及苯基。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之有機分子，其中該二個第二化學部分在每次出現時獨立於另一個包含式IIb之結構：
    Figure 107122064-A0305-02-0152-5
     其中Rb在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氘、N(R5)2、OR5、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I、C1-C40-烷基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C1-C40-烷氧基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S 或CONR5；C1-C40-烷硫基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C2-C40-烯基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C2-C40-炔基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C6-C60-芳基，其隨意經一或多個R5取代基取代；及C3-C57-雜芳基，其隨意經一或多個R5取代基取代；及其中有別於申請專利範圍第1項中的定義適用。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之有機分子，其中該二個第二化學部分在每次出現時獨立於另一個包含式IIc之結構：
    Figure 107122064-A0305-02-0154-6
     其中Rb在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組：氘、N(R5)2、OR5、Si(R5)3、B(OR5)2、OSO2R5、CF3、CN、F、Br、I、C1-C40-烷基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C1-C40-烷氧基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C1-C40-烷硫基，其隨意經一或多個R5取代基取代及 其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C2-C40-烯基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C2-C40-炔基，其隨意經一或多個R5取代基取代及其中一或多個非相鄰CH2-基隨意經下列取代：R5C=CR5、C≡C、Si(R5)2、Ge(R5)2、Sn(R5)2、C=O、C=S、C=Se、C=NR5、P(=O)(R5)、SO、SO2、NR5、O、S或CONR5；C6-C60-芳基，其隨意經一或多個R5取代基取代；及C3-C57-雜芳基，其隨意經一或多個R5取代基取代；及其中有別於申請專利範圍第1項中的定義適用。
  7. 如申請專利範圍第5項之有機分子，其中Rb在每次出現時係獨立於另一個選自由下列所組成的群組： - Me、iPr、tBu、CN、CF3；- Ph，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、iPr、tBu、CN、CF3與Ph；- 吡啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、iPr、tBu、CN、CF3與Ph；- 嘧啶基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、iPr、tBu、CN、CF3與Ph；- 咔唑基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、iPr、tBu、CN、CF3與Ph；- 三嗪基，其隨意經一或多個彼此獨立地選自由下列所組成之群組的取代基取代：Me、iPr、tBu、CN、CF3與Ph；及- N(Ph)2。
  8. 一種如申請專利範圍第1至7項中任一項之有機分子的用途，其係作為在光電裝置中之發光體與/或主體材料與/或電子傳輸材料與/或電洞注入材料與/或電洞阻擋材料。
  9. 如申請專利範圍第8項之用途，其中該光電裝置係選自由下列所組成的群組： ‧有機發光二極體(OLED)，‧發光電化學電池，‧OLED感測器，‧有機二極體，‧有機太陽能電池，‧有機電晶體，‧有機場效電晶體，‧有機雷射，及‧下轉換元件。
  10. 一種組成物，其包含：(a)至少一種如申請專利範圍第1至7項中任一項之有機分子，及(b)一或多種發光體與/或主體材料，其不同於如申請專利範圍第1至7項中任一項之有機分子，及(c)隨意地，一或多種染料與/或一或多種溶劑。
  11. 如申請專利範圍第10項之組成物，其中該有機分子是發光體與/或主體形式。
  12. 一種光電裝置，其包含如申請專利範圍第1至7項中任一項之有機分子或如申請專利範圍第10項的組成物。
  13. 如申請專利範圍第12項之光電裝置，其中該光電裝置 是選自由下列所組成之群組的裝置形式：有機發光二極體(OLED)、發光電化學電池、OLED感測器、有機二極體、有機太陽能電池、有機電晶體、有機場效電晶體、有機雷射、及下轉換元件。
  14. 如申請專利範圍第12項之光電裝置，其包含：- 基板，- 陽極，及- 陰極，其中該陽極或該陰極被配置於該基板上及- 至少一個發光層，其被設置於該陽極與該陰極之間且其包含如申請專利範圍第1至7項中任一項的有機分子或如申請專利範圍第10項之組成物。
  15. 一種用於製造光電裝置之方法，其中使用如申請專利範圍第1至7項中任一項的有機分子或如申請專利範圍第10項之組成物。
  16. 如申請專利範圍第15項之方法，其中該方法包含藉由真空蒸發方法或經由溶液來加工該有機化合物。
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