TWI780084B - 用於調諧經調變晶圓之敏感度及判定用於經調變晶圓之處理視窗之系統，方法以及非暫時性電腦可讀媒體 - Google Patents

用於調諧經調變晶圓之敏感度及判定用於經調變晶圓之處理視窗之系統，方法以及非暫時性電腦可讀媒體 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種用於調諧一經調變晶圓之敏感度及判定用於該經調變晶圓之一處理視窗之系統、方法及非暫時性電腦可讀媒體。基於一單組參數而動態地調諧該經調變晶圓之晶粒之敏感度。此外，依據先前所判定之參數特定標稱處理視窗而判定用於該經調變晶圓之該處理視窗。

Description

用於調諧經調變晶圓之敏感度及判定用於經調變晶圓之處理視窗之系統，方法以及非暫時性電腦可讀媒體
本發明係關於經調變晶圓之檢驗，且更特定而言係關於經調變晶圓之敏感度調諧及處理視窗表徵。
當前，可藉由比較晶圓上之一目標晶粒與晶圓上之參考晶粒而偵測晶圓中之缺陷。檢驗系統藉由出於比較目的而拍攝目標及參考晶粒之影像來實現此。特定而言，偵測缺陷通常涉及執行兩個單獨比較來產生兩個單獨結果，一個比較係在目標晶粒與參考晶粒中之一者之間，且另一比較係在目標晶粒與參考晶粒中之另一者之間。兩個單獨比較結果之間的任何類似性通常用作晶粒中之一缺陷之一指示符。然後使用所偵測缺陷作為用於驗證晶圓之設計(例如，判定系統地易於出現缺陷之設計區)且進一步用於表徵由用以製作晶圓之一製造工具使用之處理視窗(例如，製造工具在設計規格內製作晶圓之參數)之基礎。 先前技術圖1展示一晶圓之傳統佈局，該晶圓在一列102中具有複數個目標晶粒，每一目標晶粒係由參數(例如，聚焦(F)及曝光(E))值之一不同組合調變(亦即，放大)之一相同圖案，且該晶圓進一步在位於目標晶粒之列兩側之列104、106中具有複數個參考晶粒並且每一參考晶粒係該相同圖案之一標稱(亦即，未經調變)版本。因此，針對列102中之目標晶粒中之任何特定一者，可使用來自列104之一參考晶粒及來自列106之一參考晶粒來偵測特定目標晶粒中之缺陷(參見框108)。儘管將參考晶粒展示為毗鄰於目標晶粒，但此未必總是如此。舉例而言，在其他晶圓組態中，用於任何特定目標晶粒之參考晶粒可為最接近但未必毗鄰於特定目標晶粒之參考晶粒。 遺憾地，與上文所闡述缺陷偵測相關之傳統方法涉及低效且因此時間及資源密集性之技術。僅藉由實例方式，用於處理視窗表徵之當前方法(例如，處理視窗資格認證(PWQ)方法)需要眾多掃描反覆，包含針對每一晶粒之一單獨測試，該單獨測試進一步涉及針對晶粒之每一調變之一單獨掃描。 為了配合上文所提及之限制，當前方法進一步涉及針對每一調變單獨地估計檢驗敏感度。此可使用一初始臨限值測定器(Finder) (ITF)來實現，但無論如何需要對每個經調變晶粒進行一初步掃描來評估經調變晶粒之缺陷率且將敏感度指派至經調變晶粒，使得基於所指派敏感度而執行對經調變晶粒之後續檢驗掃描。 因此，需要解決與先前技術相關聯之此等及/或其他問題。
在一項實施例中，提供一種用於判定用於一經調變晶圓之一處理視窗之系統、方法及非暫時性電腦可讀媒體。在使用中，針對具有根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒之一晶圓界定一第一關心區區域。另外，基於該第一關心區區域而執行該晶圓之一第一缺陷掃描，且獲得該第一缺陷掃描之結果。此外，依據該第一缺陷掃描之該等結果且基於一屬性空間，針對該至少兩個參數中之一第一參數而判定一第一標稱處理視窗。此外，依據該第一缺陷掃描之該等結果且基於該屬性空間，針對該至少兩個參數中之一第二參數而判定一第二標稱處理視窗。另外，基於該第一標稱處理視窗及該第二標稱處理視窗而判定用於該晶圓之一預測處理視窗。另外，基於一最終關心區而在該預測處理視窗內執行該晶圓之一第二缺陷掃描，且獲得該第二缺陷掃描之結果。此外，依據該第二缺陷掃描之該等結果，判定用於該晶圓之一最終處理視窗。 在另一實施例中，提供一種用於調諧一經調變晶圓之敏感度之系統、方法及非暫時性電腦可讀媒體。在使用中，自具有根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒之一晶圓識別以下各項：一第一晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之調變之一低調變；一第二晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一中等調變；及一第三晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一高調變。另外，基於一泰勒級數展開函數(Taylor series expansion function)，自該第一晶粒估計一個一階偏移且自該第二晶粒及該第三晶粒中之每一者估計單獨二階偏移。此外，對該晶圓執行一檢驗，針對經受該檢驗之該晶圓之每一晶粒：(a)使用自該第一晶粒估計之該一階偏移及自該第二晶粒估計之該二階偏移來動態地計算對應於該晶粒中之一雜訊位準之一偏移，且(b)將該動態計算之偏移作為一敏感度應用於該晶粒。
相關申請案 本申請案主張2016年11月21日提出申請之美國臨時專利申請案第62/425,029號之權益，該美國臨時專利申請案之全部內容以引用之方式併入本文中。 以下說明揭示用於調諧一經調變晶圓之敏感度及判定用於該經調變晶圓之一處理視窗之方法，以及用於執行該方法之一系統及非暫時性電腦可讀媒體。應注意，下文所闡述之各種實施例可在任何檢驗系統(例如，晶圓檢驗、倍縮光罩檢驗、雷射掃描檢驗系統等)之內容脈絡中實施，諸如下文參考圖2B所闡述之檢驗系統。 一項實施例係關於一種非暫時性電腦可讀媒體，其儲存可在一電腦系統上執行以用於執行上文所提及之方法之程式指令。在圖2A中展示一項此實施例。特定而言，如圖2A中所展示，電腦可讀媒體200包含可在電腦系統204上執行之程式指令202。電腦實施方法包含下文參考圖5所闡述之方法之步驟。程式指令可針對其而執行之電腦實施方法可包含本文中所闡述之任何其他操作。 實施諸如本文中所闡述之彼等方法之方法之程式指令202可儲存於電腦可讀媒體200上。該電腦可讀媒體可為一儲存媒體，諸如一磁碟或光碟或者一磁帶或此項技術中已知之任何其他適合非暫時性電腦可讀媒體。作為一選項，電腦可讀媒體200可位於電腦系統204內。 可以包含基於程序之技術、基於組件之技術及/或物件導向之技術以及其他技術之各種方式中之任一者來實施程式指令。舉例而言，可視需要使用ActiveX控制項、C++物件、JavaBeans、微軟基礎類別(「MFC」)或者其他技術或方法來實施該等程式指令。 電腦系統204可採用各種形式，包含一個人電腦系統、影像電腦、主機電腦系統、工作站、網路器具、網際網路器具或其他裝置。一般而言，術語「電腦系統」可廣泛定義為囊括具有一或多個處理器之執行來自一記憶體媒體之指令之任何裝置。電腦系統204亦可包含此項技術中已知之任何適合處理器，諸如一平行處理器。另外，電腦系統204可包含具有高速處理及軟體之一電腦平台作為一獨立工具或一網路工具。 一額外實施例係關於一種經組態以執行上文所提及之方法之系統。在圖2B中展示此一系統之一項實施例。該系統包含經組態以產生針對在一晶圓(或其他裝置)上製作之一組件之輸出之檢驗系統205。該系統亦包含經組態以用於執行下文參考圖3及圖5所闡述之操作之一或多個電腦系統。一或多個電腦系統可經組態以根據本文中所闡述之實施例中之任一者而執行此等操作。該(等)電腦系統及該系統可經組態以執行本文中所闡述之任何其他操作且可如本文中所闡述而進一步組態。 在圖2B中所展示之實施例中，電腦系統中之一者係一電子自動化設計(EAD)工具之部分，且檢驗系統以及電腦系統中之另一者並非EAD工具之部分。舉例而言，此等電腦系統可包含上文參考圖2A所闡述之電腦系統204。舉例而言，如圖2B中所展示，電腦系統中之一者可為包含於EAD工具206中之電腦系統208。EAD工具206及包含於此一工具中之電腦系統208可包含任何市售之EAD工具。 檢驗系統205可經組態以藉由用光掃描一晶圓且在掃描期間自該晶圓偵測光而產生針對在該晶圓上製作之組件之輸出。舉例而言，如圖2B中所展示，檢驗系統205包含光源220，該光源可包含此項技術中已知之任何適合光源。來自光源之光可被引導至分束器218，該分束器可經組態以將光自光源引導至晶圓222。光源220可耦合至諸如一或多個聚光透鏡、準直透鏡、中繼透鏡、物鏡、光圈、光譜濾光器、偏光組件及諸如此類之任何其他適合元件(未展示)。如圖2B中所展示，可將光以一法向入射角度引導至晶圓222。然而，可將光以包含近乎法向及傾斜入射之任何適合入射角度引導至晶圓222。另外，可將光或多個光束以一個以上入射角度依序或同時引導至晶圓222。檢驗系統205可經組態而以任何適合方式使光在晶圓222上方掃描。 來自晶圓222之光可在掃描期間由檢驗系統205之一或多個通道收集並偵測。舉例而言，以相對接近於法向之角度自晶圓222反射之光(亦即，在入射係法向時鏡面反射之光)可通過分束器218從而到達透鏡214。透鏡214可包含一折射光學元件，如圖2B中所展示。另外，透鏡214可包含一或多個折射光學元件及/或一或多個反射光學元件。由透鏡214收集之光可被聚焦至偵測器212。偵測器212可包含此項技術中已知之任何適合偵測器，諸如電荷耦合裝置(CCD)或另一類型之成像偵測器。偵測器212經組態以產生響應於由透鏡214收集之所反射光之輸出。因此，透鏡214及偵測器212形成檢驗系統205之一個通道。檢驗系統205之此通道可包含此項技術中已知之任何其他適合光學組件(未展示)。 由於圖2B中所展示之檢驗系統經組態以偵測自晶圓222鏡面反射之光，因此檢驗系統205經組態為亮視場(BF)檢驗系統。然而，此一檢驗系統205亦可經組態以用於其他類型之晶圓檢驗。舉例而言，圖2B中所展示之檢驗系統亦可包含一或多個其他通道(未展示)。其他通道可包含經組態為一散射光通道之本文中所闡述之光學組件(諸如一透鏡及一偵測器)中之任一者。透鏡及偵測器可如本文中所闡述而進一步組態。以此方式，檢驗系統205亦可經組態以用於暗視場(DF)檢驗。 檢驗系統205亦可包含經組態以執行本文中所闡述之方法之一或多個步驟之一電腦系統210。舉例而言，上文所闡述之光學元件可形成檢驗子系統205之光學子系統211，該檢驗子系統亦可包含耦合至光學子系統211之電腦系統210。以此方式，可將由偵測器在掃描期間產生之輸出提供至電腦系統210。舉例而言，電腦系統210可耦合至偵測器212 (例如，藉由在圖2B中由虛線展示之可包含此項技術中已知之任何適合傳輸媒體之一或多個傳輸媒體)，使得電腦系統210可接收由偵測器產生之輸出。 檢驗系統205之電腦系統210可經組態以執行本文中所闡述之任何操作。另外，電腦系統210可經組態以執行本文中所闡述之任何其他步驟。此外，雖然本文中所闡述之操作中之某些操作可由不同電腦系統執行，但方法之所有操作可由一單個電腦系統(諸如檢驗系統205之電腦系統或一單獨電腦系統)執行。另外，該(等)電腦系統中之一或多者可經組態為一虛擬檢驗器，諸如2012年2月28日發佈之頒予Bhaskar等人之美國專利第8,126,255號中所闡述之虛擬檢驗器，該美國專利如同全面陳述於本文中一般以引用之方式併入。 檢驗系統205之電腦系統210亦可耦合至並非檢驗系統之部分之另一電腦系統，諸如電腦系統208，該電腦系統可包含於上文所闡述之諸如EAD工具206之另一工具中，使得電腦系統210可接收由電腦系統208產生之輸出(其可包含由彼電腦系統208產生之一設計)。舉例而言，兩個電腦系統可藉由一共用電腦可讀儲存媒體(諸如一晶圓廠資料庫)而有效地耦合或可藉由一傳輸媒體(諸如上文所闡述之傳輸媒體)而耦合，使得資訊可在兩個電腦系統之間傳輸。 應注意，本文中提供圖2B以大體上圖解說明可包含於本文中所闡述之系統實施例中之一檢驗系統之一組態。顯然，本文中所闡述之檢驗系統組態可經變更以最佳化檢驗系統之效能，如在設計一商業檢驗系統時通常執行。另外，可使用一現有檢驗系統(諸如可自KLA-Tencor公司商業購得之29xx/28xx系列工具) (例如，藉由將本文中所闡述之功能性添加至一現有檢驗系統)來實施本文中所闡述之系統。針對某些此等系統，可將本文中所闡述之方法作為系統之選用功能性(例如，除系統之其他功能性之外)而提供。另一選擇係，本文中所闡述之系統可「從頭開始」設計以提供一完全新的系統。 圖3圖解說明根據一項實施例之用於判定用於一經調變晶圓之一處理視窗之一方法300。如操作302中所展示，針對具有根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒之一晶圓而界定一第一關心區區域。晶圓可如上文參考先前技術圖1所闡述而組態為包含根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒(目標晶粒)。此等參數可為曝光、聚焦等，且調變可為對參數中之一或多者之任何放大(正的或負的)。以引用之方式併入本文中之美國專利第8,213,704號揭示了用於調變一晶圓之一晶粒之技術。 可針對晶圓將第一關心區區域界定為其中將執行缺陷偵測之一獨特圖案，且因此可依據晶圓之一影像將該第一關心區區域識別為表示該獨特圖案之一組經連接影像像素。第一關心區區域可具有任何形狀及大小，但如下文所提及係其中將最終執行缺陷偵測之一最終關心區之一子部分。在一項例示性實施例中，第一關心區區域可被指定為「密集細線」。舉例而言，可基於第一關心區將可能展現在處理視窗內之缺陷率發生之一判定而針對方法300預組態此關心區(例如，藉由一使用者等)。 另外，如操作304中所展示，基於第一關心區區域而執行晶圓之一第一缺陷掃描。特定而言，在第一關心區區域內執行晶圓之第一缺陷掃描。在一項實施例中，可使用晶圓之一個一步調諧掃描(OSTS)檢驗來執行第一缺陷掃描。2016年12月13日發佈之頒予Chen等人之美國專利第9,518,934號(其全部內容以引用之方式併入本文中)揭示了OSTS之一項實施方案。作為另一選項，可採用使用一標準MDAT演算法及已知缺陷減少取樣技術之OSTS。MDAT係由可自加利福尼亞州苗必達(Milpitas)之KLA-Tencor公司商業購得之晶圓檢驗工具使用之一缺陷偵測方法。2017年10月21日發佈之頒予Lin等人之美國專利第7,440,607號(其全部內容以引用之方式併入本文中)揭示了MDAT之一項實施方案。作為又一選項，可視情況針對第一缺陷掃描而實施下文關於圖5所闡述之方法500。 在操作306中，獲得第一缺陷掃描之結果。該等結果可指示第一關心區區域內之缺陷。此外，如操作308中所展示，依據第一缺陷掃描之結果且基於一屬性空間，針對至少兩個參數中之一第一參數而判定一第一標稱處理視窗。僅藉由實例方式，針對其而判定第一標稱處理視窗之第一參數可為聚焦參數。此外，屬性空間係指可藉以表徵缺陷之任何預定一或多個屬性，諸如位置、大小、極性等。 在一項實施例中，屬性空間可包含缺陷極性。在此實施例中，可藉由諸如針對亮缺陷(亦即，比其背景亮之缺陷，其諸如由導致晶粒上之線中之間隙之過度聚焦所致)及暗缺陷(亦即，比其背景暗之缺陷，其諸如由導致晶粒上之以其他方式分離之線之間的橋接件之聚焦不足所致)追蹤缺陷極性而判定第一標稱處理視窗。舉例而言，可追蹤針對第一參數(例如，聚焦)之每一不同值所偵測之一定數目個亮缺陷，以及針對第一參數之每一不同值所偵測之一定數目個暗缺陷。在其處亮缺陷之數目係最低的第一參數之值(在下文中Parameter1Value1)及在其處暗缺陷之數目係最低的第一參數之值(在下文中Parameter1Value2)可界定第一標稱處理視窗。換言之，第一標稱處理視窗可包含Parameter1Value1與Parameter1Value2之間的調變。在另一實施例中，可使用缺陷之一多項式擬合來判定第一標稱處理視窗。在任何情形中，第一標稱處理視窗排除具有在第一標稱處理視窗之外的第一參數(例如，聚焦)之一值之經調變晶粒。 此外，如操作310中所展示，依據第一缺陷掃描之結果且基於屬性空間，針對至少兩個參數中之一第二參數而判定一第二標稱處理視窗。僅藉由實例方式，針對其而判定第二標稱處理視窗之第二參數可為曝光參數。在任何情形中，基於與用於判定第一標稱處理視窗之屬性空間相同之屬性空間而判定第二標稱處理視窗。 再次，在一項實施例中，屬性空間可包含缺陷極性。在此實施例中，可藉由諸如針對亮缺陷(亦即，比其背景亮之缺陷，其諸如由導致晶粒上之線中之間隙之過度曝光所致)及暗缺陷(亦即，比其背景暗之缺陷，其諸如由導致晶粒上之以其他方式分離之線之間的橋接件之曝光不足所致)追蹤缺陷極性而判定第二標稱處理視窗。舉例而言，可追蹤針對第二參數(例如，曝光)之每一不同值所偵測之一定數目個亮缺陷，以及針對第二參數之每一不同值所偵測之一定數目個暗缺陷。在其處亮缺陷之數目係最低的第二參數之值(在下文中Parameter2Value1)及在其處暗缺陷之數目係最低的第二參數之值(在下文中Parameter2Value2)可界定第二標稱處理視窗。換言之，第二標稱處理視窗可包含Parameter2Value1與Parameter2Value2之間的調變。在另一實施例中，可使用缺陷之多項式擬合來判定第二標稱處理視窗。在任何情形中，第二標稱處理視窗排除具有在第二標稱處理視窗之外的第二參數(例如，曝光)之一值之經調變晶粒。 另外，如操作312中所展示，基於第一標稱處理視窗及第二標稱處理視窗而判定用於晶圓之一預測處理視窗。舉例而言，該預測處理視窗可組合第一標稱處理視窗與第二標稱處理視窗。在一項實施例中，可藉由以下操作而判定預測處理視窗：使用第一標稱處理視窗及第二標稱處理視窗來對晶圓進行減少取樣，使得預測處理視窗包含具有在第一標稱處理視窗及第二標稱處理視窗兩者內之經調變參數之晶粒。 此外，如操作314中所展示，基於一最終關心區而在預測處理視窗內執行晶圓之一第二缺陷掃描。特定而言，在最終關心區內執行晶圓之第二缺陷掃描。如上文所述，最終關心區可包含上文所闡述之第一關心區區域作為其一子部分。在一項實施例中，可使用晶圓之一個一步調諧掃描(OSTS)檢驗來執行第二缺陷掃描。作為另一選項，可採用使用一標準MDAT演算法及已知缺陷減少取樣技術之OSTS。作為又一選項，可視情況針對第二缺陷掃描而實施下文關於圖5所闡述之方法500。 如操作316中所展示，獲得第二缺陷掃描之結果。該等結果可指示最終關心區內之缺陷。此外，如操作318中所展示，依據第二缺陷掃描之結果，判定用於晶圓之一最終處理視窗。此可使用此項技術中已知之方法來實現。視情況，作為在操作318之後的另一步驟(未展示)，可使用一預定PWEC取樣演算法來進一步精細化最終處理視窗。 本發明方法300可因此基於比一最終所要關心區小之一關心區區域而預測處理視窗，且然後使用預測處理視窗來判定用於晶圓之最終關心區之一實際處理視窗。因此，在一項實施例中，方法300圖解說明用於一經調變晶圓之處理視窗表徵之一個兩遍次方法，其中(1)第一遍次(操作302至312)使用比第二遍次(操作314至318)小之一關心區區域，且(2)第二遍次係在較小(預測)處理視窗內執行。因此，(1)及(2)兩者將減少先前技術(其就最終關心區來掃描晶圓之每一經調變晶粒)原本所需要之反覆之數目，且因此減少得出結果(判定用於晶圓之最終處理視窗)之時間。 圖4A至圖4E圖解說明根據另一實施例之圖3之方法之第一遍次之一實施方案。圖4A展示一經調變晶圓之一實例。具體而言，圖4A展示具有使用一聚焦參數(F)及一曝光參數(E)之值之不同組合來以不同方式經調變之晶粒之一晶圓。對圖4A之經調變晶圓執行圖3之方法300中所闡述之第一遍次以獲得缺陷偵測結果，且依據彼等結果而判定一標稱聚焦處理視窗(如圖4B中所展示)，該標稱聚焦處理視窗消除經調變晶粒中之某些經調變晶粒(如圖4C中所展示)。特定而言，圖4B展示一圖表，其與聚焦參數值之改變相關聯地映射缺陷極性以判定標稱聚焦處理視窗。圖4C展示在標稱聚焦處理視窗之外的經調變晶粒(亦即，以一X來標記)。 亦依據在圖3之方法300中所闡述之第一遍次期間獲得之缺陷偵測結果，判定一標稱曝光處理視窗(如圖4D中所展示)，該標稱曝光處理視窗消除某些其他經調變晶粒(如圖4E中所展示)。具體而言，圖4D展示一圖表，其與曝光參數值之改變相關聯地映射缺陷極性以判定標稱曝光處理視窗。圖4E展示在標稱聚焦處理視窗及標稱曝光處理視窗兩者之外的經調變晶粒(亦即，以一X來標記)。因此，圖4E展示在用於圖4A之晶圓之預測處理視窗內之剩餘經調變晶粒(亦即，不以一X來標記)。圖3之方法300可然後使用圖4E中所展示之預測處理視窗來執行上文所闡述之第二遍次。 圖5圖解說明根據一項實施例之用於調諧一經調變晶圓之敏感度之一方法500。在一項實施例中，在運行時間執行方法500 (例如，用於缺陷偵測)。因此，可由一電腦系統經由此方法500動態地(亦即，即時自動地)調諧經調變晶圓之敏感度。如下文所闡述，方法500可基於雜訊位準而動態地調整一敏感度偏移及其導數。 如操作502中所展示，自具有根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒之一晶圓識別以下各項：一第一晶粒，其具有相對於複數個晶粒之調變之一低調變；一第二晶粒，其具有相對於複數個晶粒之調變之一中等調變；及一第三晶粒，其具有相對於複數個晶粒之調變之一高調變。舉例而言，該晶圓可為與上文關於圖3所闡述之晶圓相同之晶圓。 在一項實施例中，可使用晶圓上之晶粒之一預定義排名來識別第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒。每一晶粒之排名可隨晶粒之調變而變。因此，第一晶粒可基於其低排名(例如，相對於其他排名)而被識別(選擇)，第二晶粒可基於其中間排名(例如，相對於其他排名)而被識別(選擇)，且第三晶粒可基於其高排名(例如，相對於其他排名)而被選擇。當然，識別第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒所依據之特定排名可被預組態。此外，當根據彼等特定排名中之每一者而對多個晶粒進行分類時，則可針對彼等特定排名中之每一者而隨機地或系統地識別第一晶粒、第二晶粒及第三晶粒。然而，當然應注意，可以任何方式識別第一、第二及第三晶粒以獲得跨越晶圓之各種調變之一取樣。 另外，如操作504中所展示，基於一泰勒級數展開函數，自第一晶粒估計一個一階偏移且自第二晶粒及第三晶粒中之每一者估計單獨二階偏移。泰勒級數展開函數可為用作一雜訊調適(noise-adaptation)公式之一模型之一預定義函數，如下文較詳細地闡述。在一項實施例中，自第一晶粒估計之一階偏移可為泰勒級數展開中之零階項。在另一實施例中，自第二晶粒及第三晶粒中之每一者估計之單獨二階偏移可為應用於第二晶粒及第三晶粒之泰勒級數展開中之一階項。在一項例示性實施例中，一階偏移包含偵測到一缺陷之一參數(例如，灰階)偏移(例如，臨限值)。自第一晶粒估計之一階偏移可為非零的。 此外，如操作506中所展示，執行晶圓之一檢驗。在一項例示性實施例中，該檢驗可為一OSTS檢驗。在當前操作506中，針對經受檢驗之每一晶粒，該檢驗(a)使用自第一晶粒估計之一階偏移及自第二晶粒估計之二階偏移來動態地計算對應於晶粒中之一雜訊位準之一偏移，且(b)將動態計算之偏移作為一敏感度應用於晶粒。 在一項實施例中，可對晶圓之具有一初級晶粒類型之晶粒執行檢驗。因此，可視情況僅對晶圓之所有晶粒之一子集執行檢驗。MDAT之一通常特徵係界定晶圓之哪些晶粒具有初級晶粒類型之一MDAT檔案。MDAT檔案亦可界定晶圓之具有一次級晶粒類型之其他晶粒，該等其他晶粒可針對一選用次級檢驗(例如，如下文所闡述)而受關注。 在一項實施例中，可利用僅出於說明性目的而陳述之表1中所展示之函數來動態地計算對應於晶粒中之雜訊位準之偏移。表 1 偏移= (maximum(first order offset, second order offset_second die x Noise)， 其中Noise係晶粒中之雜訊位準。 應注意，應用於一特定晶粒之敏感度可控制針對彼特定晶粒所偵測之缺陷之數目，其中與一較高敏感度相比，一較低敏感度致使較少缺陷被偵測。藉由使用表1中所展示之函數而動態地計算一晶粒之敏感度，敏感度可具有與針對彼晶粒所偵測之雜訊之一直接相關。特定而言，晶圓之晶粒之敏感度可隨著彼等晶粒之雜訊增加而線性地降低(亦即，被解諧)，如圖7中所展示。此可允許較低經調變晶粒被過調諧且允許較高經調變晶粒被解諧。此外，藉由基於自第一晶粒估計之一階偏移及自第二晶粒估計之二階偏移而動態地計算每一晶粒之敏感度(如上文所闡述)，可利用一單組參數(亦即，自第一晶粒估計之一階偏移及自第二晶粒估計之二階偏移)使用一單個測試來判定敏感度，且因此可避免先前技術針對每一晶粒進行單獨測試之要求。 作為一選項，可對晶圓之具有次級晶粒類型之晶粒執行晶圓之一額外檢驗。此額外檢驗可由一使用者提示，或可經組態以(諸如)在對應於較高經調變晶粒之動態計算之偏移導致太高之一敏感度使得正偵測到太多缺陷時自動被提示。僅藉由實例方式，在已設定每晶粒及/或每晶圓待偵測之一最大缺陷數目之情況下，可在較高經調變晶粒致使滿足最大缺陷數目時提示進行額外檢驗。 因此，次級晶粒類型可包含此等較高經調變晶粒。針對晶圓之經受額外檢驗之每一其他晶粒，使用自第一晶粒估計之一階偏移及自第三晶粒估計之二階偏移來動態地計算對應於該其他晶粒之一其他偏移。此可使用表1中所展示之函數但利用自第三晶粒而非第二晶粒估計之二階偏移來實現。然後，將該其他偏移作為一其他敏感度應用於對應晶粒。藉由使用自第三晶粒估計之二階偏移，偏移可以與雜訊成比例的比在使用自第二晶粒估計之二階偏移來以其他方式被計算時高的一速率增加。此意指當使用自第三晶粒估計之二階偏移被計算時，偏移可允許在不滿足最大缺陷數目之情況下檢驗較高經調變晶粒。圖6展示與雜訊相關之偏移之一多項式模型，包含針對具有較高雜訊之較高經調變晶粒之偏移之不同軌跡。 此方法500避免了先前技術中針對不同經調變晶粒具有多個測試設置且因此執行單獨計算以針對晶圓之每一晶粒而單獨地估計檢驗敏感度之需要。特定而言，可使用本發明方法500之單個測試來判定晶粒之敏感度，如上文所闡述。因此，方法500使晶圓之測試處方管理比先前技術中所需之測試處方管理更可行。此外，方法500可將檢驗時間減少達大於先前技術所需時間之2倍。 此外，方法500可增加低調變晶粒之敏感度，同時亦透過一對應經降低敏感度而縮減高調變晶粒中之過度缺陷偵測。此可透過使用OSTS來達成。此與具體包含ITF之先前技術形成對比，該ITF易於解諧低調變晶粒及過調諧高調變晶粒，從而導致低調變晶粒中之低敏感度或高調變晶粒中之過度缺陷偵測。為此，相對於先前技術之較耗費時間且資源密集性方法，方法500提供用於調諧一經調變晶圓之敏感度之一較高效且準確之技術。 儘管上文已闡述各種實施例，但應理解，該等實施例僅以實例方式而非限制方式呈現。因此，一較佳實施例之廣度及範疇不應受上文所闡述之例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據隨附申請專利範圍及其等效內容來界定。
102‧‧‧列104‧‧‧列106‧‧‧列108‧‧‧框200‧‧‧電腦可讀媒體202‧‧‧程式指令204‧‧‧電腦系統205‧‧‧檢驗系統/檢驗子系統206‧‧‧電子自動化設計工具208‧‧‧電腦系統210‧‧‧電腦系統211‧‧‧光學子系統212‧‧‧偵測器214‧‧‧透鏡218‧‧‧分束器220‧‧‧光源222‧‧‧晶圓
圖1展示根據先前技術之一晶圓之一實例性佈局。 圖2A展示圖解說明一非暫時性電腦可讀媒體之一個實施例之一方塊圖，該非暫時性電腦可讀媒體包含可在一電腦系統上執行以用於執行本文中所闡述之電腦實施方法中之一或多者之程式指令。 圖2B係圖解說明經組態以偵測一經製作裝置上之缺陷之一檢驗系統之一項實施例之一側視圖的一示意圖。 圖3圖解說明根據一項實施例之用於判定用於一經調變晶圓之一處理視窗之一方法。 圖4A至圖4E圖解說明根據另一實施例之圖3之方法之第一遍次之一實施方案。 圖5圖解說明根據一項實施例之用於調諧一經調變晶圓之敏感度之一方法。 圖6圖解說明展示根據另一實施例之一多項式模型之一圖表，藉由該多項式模型而調諧一經調變晶圓之敏感度。 圖7圖解說明展示根據另一實施例之一線性模型之一圖表，藉由該線性模型而調諧一經調變晶圓之敏感度。

Claims (9)

  1. 一種儲存一電腦程式產品之非暫時性電腦可讀媒體，該電腦程式產品具有可由一處理器執行以執行一方法之程式碼，該方法包括：自具有根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒之一晶圓識別以下各項中之每一者：一第一晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之調變之一低調變，一第二晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一中等調變，及一第三晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一高調變；基於一泰勒級數展開函數，自該第一晶粒估計一個一階偏移且自該第二晶粒及該第三晶粒中之每一者估計單獨二階偏移；對該晶圓執行一檢驗，針對經受該檢驗之該晶圓之每一晶粒：(a)使用自該第一晶粒估計之該一階偏移及自該第二晶粒估計之該二階偏移來動態地計算對應於該晶粒中之一雜訊位準之一偏移，且(b)將該動態計算之偏移作為一敏感度來應用於該晶粒。
  2. 如請求項1之非暫時性電腦可讀媒體，其中使用每一晶粒在該複數個晶粒中之一預定義排名而識別該第一晶粒、該第二晶粒及該第三晶粒，每一晶粒之該排名隨該晶粒之該調變而變。
  3. 如請求項1之非暫時性電腦可讀媒體，其中該一階偏移係非零的。
  4. 如請求項1之非暫時性電腦可讀媒體，其中利用以下函數來動態地計算對應於該晶粒之該偏移：偏移=(maximum(first order offset,second order offset_second die x Noise)，其中Noise係該晶粒中之該雜訊位準。
  5. 如請求項1之非暫時性電腦可讀媒體，其中對該晶圓之具有一初級晶粒類型之晶粒執行該檢驗。
  6. 如請求項5之非暫時性電腦可讀媒體，其進一步包括對該晶圓之具有一次級晶粒類型之晶粒執行該晶圓之一額外檢驗，其中針對經受該額外檢驗的該晶圓之每一其他晶粒，該額外檢驗：(a)使用自該第一晶粒估計之該一階偏移及自該第三晶粒估計之該二階偏移來動態地計算對應於該其他晶粒中之一雜訊位準之一其他偏移，且(b)將該其他偏移作為一其他敏感度來應用於該其他晶粒。
  7. 如請求項6之非暫時性電腦可讀媒體，其中該額外檢驗由一使用者提示。
  8. 一種用於晶圓檢驗之方法，其包括：自具有根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒之一晶 圓識別以下各項中之每一者：一第一晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之調變之一低調變，一第二晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一中等調變，及一第三晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一高調變；基於一泰勒級數展開函數，自該第一晶粒估計一個一階偏移且自該第二晶粒及該第三晶粒中之每一者估計單獨二階偏移；對該晶圓執行一檢驗，針對經受該檢驗之該晶圓之每一晶粒：(a)使用自該第一晶粒估計之該一階偏移及自該第二晶粒估計之該二階偏移來動態地計算對應於該晶粒中之一雜訊位準之一偏移，且(b)將該動態計算之偏移作為一敏感度來應用於該晶粒。
  9. 一種用於晶圓檢驗之系統，其包括：一處理器，其用於：自具有根據至少兩個參數而以不同方式經調變之複數個晶粒之一晶圓識別以下各項中之每一者：一第一晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之調變之一低調變，一第二晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一中等調變，及一第三晶粒，其具有相對於該複數個晶粒之該等調變之一 高調變；基於一泰勒級數展開函數，自該第一晶粒估計一個一階偏移且自該第二晶粒及該第三晶粒中之每一者估計單獨二階偏移；對該晶圓執行一檢驗，針對經受該檢驗之該晶圓之每一晶粒：(a)使用自該第一晶粒估計之該一階偏移及自該第二晶粒估計之該二階偏移來動態地計算對應於該晶粒中之一雜訊位準之一偏移，且(b)將該動態計算之偏移作為一敏感度來應用於該晶粒。
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