TWI778825B - 顯示裝置及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置，包括顯示模組以及偏光模組。顯示模組包括顯示區以及非顯示區。偏光模組設置在顯示模組上。偏光模組包括偏光層、低延遲層以及四分之一波片層。低延遲層及四分之一波片層設置在偏光層與顯示模組之間，且四分之一波片層設置在低延遲層旁。一種顯示裝置的製作方法亦被提出。

Description

顯示裝置及其製作方法
本發明是有關於一種光學裝置及其製作方法，且特別是有關於一種顯示裝置及其製作方法。
目前市場上已有三側窄邊框的顯示裝置。然而，若要實現四側窄邊框的顯示裝置，仍要隱藏連接覆晶薄膜（Chip On Flex或Chip On Film, COF）處的金屬線。現行對於隱藏連接覆晶薄膜處的金屬線的提案例如是使用黑色材料（black material）來遮蔽金屬線。
然而，黑色材料若設置在透明膠層中，則有遮蔽反射效果差且存在漏光的問題。而黑色材料若設置在偏光層中，雖遮蔽反射效果較好，但其製程難度高且容易產生氣泡。
本發明提供一種顯示裝置及其製作方法，其製造的偏光模組具有良好的遮蔽反射效果，且其製程較為簡單。
本發明的一實施例提供一種顯示裝置，其包括顯示模組以及偏光模組。顯示模組包括顯示區以及非顯示區。偏光模組設置在顯示模組上。偏光模組包括偏光層、低延遲層以及四分之一波片層。低延遲層及四分之一波片層設置在偏光層與顯示模組之間，且四分之一波片層設置在低延遲層旁。
本發明的一實施例提供一種顯示裝置的製作方法，其包括：提供一顯示模組；以及在顯示模組上設置偏光模組。顯示模組包括顯示區以及非顯示區。偏光模組包括偏光層、低延遲層以及四分之一波片層。低延遲層與四分之一波片層設置在偏光層與顯示模組之間，且四分之一波片層設置在低延遲層旁。
基於上述，在本發明的一實施例的顯示裝置及其製作方法中，將偏光模組設計為低延遲層及四分之一波片層設置在偏光層與顯示模組之間，且四分之一波片層設置在低延遲層旁，使被顯示模組的非顯示區反射的環境光最後會被偏光層過濾。因此，本發明的一實施例的顯示裝置及其製作方法所製造的偏光模組具有良好的遮蔽反射效果，且其製程較為簡單。
圖1是根據本發明的一實施例的顯示裝置的分解示意圖。圖2是根據本發明的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。請參考圖1與圖2，本發明的一實施例提供一種顯示裝置10，其包括顯示模組100以及偏光模組200。顯示模組100可為液晶顯示面板，但本發明不以此為限。顯示模組100包括顯示區110以及非顯示區120。其中，非顯示區120例如是顯示模組100中設有覆晶薄膜處的金屬線區。
在本實施例中，偏光模組200設置在顯示模組100上。偏光模組200包括偏光層210、低延遲層（low retardation layer）220以及四分之一波片層（quarter-wave plate layer）230。偏光層210的材質例如是聚乙烯醇（polyvinyl alcohol, PVA）。其中，低延遲層220及四分之一波片層230設置在偏光層210與顯示模組100之間，且四分之一波片層230設置在低延遲層220旁。
在本實施例中，偏光模組200更包括表面處理層240、保護層250、補償層260以及透明膠層270。透明膠層270的材質例如是感壓膠（pressure sensitive adhesive, PSA）。其中，表面處理層240、保護層250、偏光層210、補償層260、低延遲層220與透明膠層270沿堆疊方向D依序堆疊，其中堆疊方向D由偏光模組200朝顯示模組100定義。然而，在另一實施例中，低延遲層220與四分之一波片層230可設置在偏光層210及補償層260之間。
在本實施例中，四分之一波片層230在顯示模組100上的正投影與顯示區110不互相重疊，且低延遲層220在顯示模組100上的正投影與非顯示區120不互相重疊。因此，低延遲層220或四分之一波片層230的設置位置較不影響顯示模組100的顯示。
在本實施例中，低延遲層220的光軸軸向與偏光層210的吸收軸方向相同。
圖3是當低延遲層的R0值約為140奈米時，顯示模組對比視角的示意圖。圖4是當低延遲層的R0值約為30奈米時，顯示模組對比視角的示意圖。圖5是當低延遲層的R0值約為20奈米時，顯示模組對比視角的示意圖。請參考圖3至圖5，當低延遲層220的R0值約為20奈米時，顯示裝置10的出光光形與未設置低延遲層的顯示裝置的出光光形相似。反之，當低延遲層的R0值約為30奈米時，顯示裝置的出光光形稍有變形。當低延遲層的R0值約為140奈米時，低延遲層明顯影響顯示裝置的顯示效果。因此，在一較佳的實施例中，低延遲層220在380奈米至780奈米範圍內的R0絕對值小於等於20奈米，R0=(nx-ny)*d，nx為在x軸方向上的折射率，ny為在y軸方向上的折射率，以及d為低延遲層220的厚度。其中，x軸方向與y軸方向分別為在低延遲層220表面上兩個互相垂直的軸向的折射率。
基於上述，在本發明的一實施例中，偏光模組200包括偏光層210、低延遲層220以及四分之一波片層230，低延遲層220及四分之一波片層230設置在偏光層210與顯示模組100之間，且四分之一波片層230設置在低延遲層220旁。在環境光穿過偏光模組200而入射至顯示模組100的過程中，環境光先穿過偏光層210而具有線偏振態。若此具有線偏振態環境光依序穿過四分之一波片層230、被顯示模組100的非顯示區120反射、再穿過四分之一波片層230後，則此具有線偏振態環境光的線偏振態會被90度轉換。因此，被顯示模組100的非顯示區120反射的環境光最後會被偏光層210過濾。據此，本發明的一實施例的顯示裝置10具有良好的遮蔽反射效果。
圖6是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法的流程圖。請參考圖6，本發明的一實施例提供一種顯示裝置10的製作方法，其包括以下步驟。提供顯示模組100，步驟S100。在顯示模組100上設置偏光模組200，步驟S120。其中，在顯示模組100上設置偏光模組200的方式例如是利用捲對捲（roll to roll）偏貼的方式。
圖7是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法，形成偏光模組的第一示例。請參考圖7，在本實施例中，顯示裝置10的製作方法更包括：形成偏光模組200。形成偏光模組200包括以下步驟。提供偏光基底層，其中偏光基底層包括依序堆疊的裁切前表面處理層、裁切前保護層、裁切前偏光層與裁切前補償層。也就是說，偏光基底層對應圖2的表面處理層240、保護層250、偏光層210與補償層260。
接著，在本實施例中，形成偏光模組200更包括以下步驟。在裁切前偏光層或裁切前補償層上形成第一裁切前低延遲層220-1’、第二裁切前低延遲層220-2’以及裁切前四分之一波片層230’，以形成第一裁切前偏光模組200-1’，其中裁切前四分之一波片層230’位於第一裁切前低延遲層220-1’與第二裁切前低延遲層220-2’之間。此外，第一裁切前低延遲層220-1’、第二裁切前低延遲層220-2’及裁切前四分之一波片層230’例如是液晶材質，並先塗佈在偏光基底層上後再利用光固化形成。
在本實施例中，形成偏光模組200更包括以下步驟。沿第一輪廓R1或第二輪廓R2裁切第一裁切前偏光模組200-1’，以形成偏光模組200，其中第一輪廓R1包括部分的第一裁切前低延遲層220-1’及部分的裁切前四分之一波片層230’，第二輪廓R2包括部分的第二裁切前低延遲層220-2’及部分的裁切前四分之一波片層230’，且第一輪廓R1的範圍與第二輪廓R2的範圍不互相重疊。
除此之外，圖7的本發明一實施例形成偏光模組200的第一示例例如是利用捲對捲塗佈的方式形成。也就是說，上述的偏光基底層為一捲基材。而在捲基材捲動的過程中，將第一裁切前低延遲層220-1’、第二裁切前低延遲層220-2’及裁切前四分之一波片層230’形成於捲基材上。而第一裁切前低延遲層220-1’、第二裁切前低延遲層220-2’及裁切前四分之一波片層230’以塗佈等方式形成在偏光基底層上使各膜層可均勻分布在偏光基底層上，除了可減少氣泡產生的問題，且較不影響後續的製程。此外，利用圖7的本發明一實施例形成偏光模組200的方式較佳是適用於小尺寸的顯示模組100。
圖8是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法，形成偏光模組的第二示例。請參考圖8，在圖8中形成偏光模組200的方法與圖7相似，其主要差異如下。在本實施例中，在裁切前偏光層上形成裁切前低延遲層220’、第一裁切前四分之一波片層230-1’以及第二裁切前四分之一波片層230-2’，以形成第二裁切前偏光模組200-2’，其中裁切前低延遲層220’位於第一裁切前四分之一波片層230-1’與第二裁切前四分之一波片層230-2’之間。
此外，在本實施例中，形成偏光模組200更包括以下步驟。沿第三輪廓R3或第四輪廓R4裁切第二裁切前偏光模組200-2’，以形成偏光模組200，其中第三輪廓R3包括部分的裁切前低延遲層220’及部分的第一裁切前四分之一波片層230-1’，第四輪廓R4包括部分的裁切前低延遲層220’及部分的第二裁切前四分之一波片層230-2’，且第三輪廓R3的範圍與第四輪廓R4的範圍不互相重疊。
同理，利用圖8的本發明一實施例形成偏光模組200的方式較佳是適用於小尺寸的顯示模組100。而圖8形成偏光模組200的第二示例的優點與圖7形成偏光模組200的第一示例相似，在此不再贅述。
圖9是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法，形成偏光模組的第三示例。請參考圖9，在圖9中形成偏光模組200的方法與圖7相似，其主要差異如下。在本實施例中，在裁切前偏光層上形成裁切前低延遲層220’以及裁切前四分之一波片層230’，以形成第三裁切前偏光模組200-3’，其中裁切前低延遲層220’位於裁切前四分之一波片層230’旁。
在本實施例中，形成偏光模組200更包括以下步驟。沿第五輪廓R5裁切第三裁切前偏光模組200-3’，以形成偏光模組200，其中第五輪廓R5包括部分的裁切前低延遲層220’及部分的裁切前四分之一波片層230’。
此外，利用圖9的本發明一實施例形成偏光模組的方式較佳是適用於大尺寸的顯示模組100。而圖9形成偏光模組200的第三示例的優點與圖7形成偏光模組200的第一示例相似，在此不再贅述。
綜上所述，在本發明的一實施例的顯示裝置及其製作方法中，將偏光模組設計為低延遲層及四分之一波片層設置在偏光層與顯示模組之間，且四分之一波片層設置在低延遲層旁。在環境光穿過偏光模組而入射至顯示模組的過程中，環境光先穿過偏光層而具有線偏振態。若此具有線偏振態環境光依序穿過四分之一波片層、被顯示模組的非顯示區反射、再穿過四分之一波片層後，則此具有線偏振態環境光的線偏振態會被90度轉換。因此，被顯示模組的非顯示區反射的環境光最後會被偏光層過濾。據此，本發明的一實施例的顯示裝置及其製作方法所製造的偏光模組具有良好的遮蔽反射效果，且其製程較為簡單。
10:顯示裝置 100:顯示模組 110:顯示區 120:非顯示區 200:偏光模組 200-1’:第一裁切前偏光模組 200-2’:第二裁切前偏光模組 200-3’:第三裁切前偏光模組 210:偏光層 220:低延遲層 220’:裁切前低延遲層 220-1’:第一裁切前低延遲層 220-2’:第二裁切前低延遲層 230:四分之一波片層 230’:裁切前四分之一波片層 230-1’:第一裁切前四分之一波片層 230-2’:第二裁切前四分之一波片層 240:表面處理層 250:保護層 260:補償層 270:透明膠層 D:堆疊方向 R1:第一輪廓 R2:第二輪廓 R3:第三輪廓 R4:第四輪廓 R5:第五輪廓 S100、S120:步驟
圖1是根據本發明的一實施例的顯示裝置的分解示意圖。 圖2是根據本發明的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。 圖3是當低延遲層的R0值約為140奈米時，顯示模組對比視角的示意圖。 圖4是當低延遲層的R0值約為30奈米時，顯示模組對比視角的示意圖。 圖5是當低延遲層的R0值約為20奈米時，顯示模組對比視角的示意圖。 圖6是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法的流程圖。 圖7是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法，形成偏光模組的第一示例。 圖8是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法，形成偏光模組的第二示例。 圖9是根據本發明的一實施例的顯示裝置的製作方法，形成偏光模組的第三示例。
10:顯示裝置
100:顯示模組
110:顯示區
120:非顯示區
200:偏光模組
210:偏光層
220:低延遲層
230:四分之一波片層
240:表面處理層
250:保護層
260:補償層
270:透明膠層
D:堆疊方向

Claims (8)

  1. 一種顯示裝置，包括：一顯示模組，包括一顯示區以及一非顯示區；以及一偏光模組，設置在該顯示模組上，包括：一偏光層；一低延遲層；以及一四分之一波片層，其中該低延遲層及該四分之一波片層設置在該偏光層與該顯示模組之間，且該四分之一波片層設置在該低延遲層旁，其中該四分之一波片層在該顯示模組上的正投影與該顯示區不互相重疊。
  2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該偏光模組更包括一表面處理層、一保護層、一補償層以及一透明膠層，該表面處理層、該保護層、該偏光層、該補償層、該低延遲層與該透明膠層沿一堆疊方向依序堆疊，其中該堆疊方向由該偏光模組朝該顯示模組定義。
  3. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該低延遲層在380奈米至780奈米範圍內的R0絕對值小於等於20奈米，R0=(nx-ny)*d，nx與ny分別為在該低延遲層表面上兩個互相垂直的軸向的折射率，以及d為該低延遲層的厚度。
  4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該低延遲層的光軸軸向與該偏光層的吸收軸方向相同。
  5. 一種顯示裝置的製作方法，包括：提供一顯示模組，其中該顯示模組包括一顯示區以及一非顯示區；以及在該顯示模組上設置一偏光模組，其中該偏光模組包括一偏光層、一低延遲層以及一四分之一波片層，該低延遲層與該四分之一波片層設置在該偏光層與該顯示模組之間，且該四分之一波片層設置在該低延遲層旁，其中該四分之一波片層在該顯示模組上的正投影與該顯示區不互相重疊。
  6. 如請求項5所述的顯示裝置的製作方法，更包括形成該偏光模組，包括：提供一偏光基底層，其中該偏光基底層包括一裁切前偏光層；在該裁切前偏光層上形成一第一裁切前低延遲層、一第二裁切前低延遲層以及一裁切前四分之一波片層，以形成一第一裁切前偏光模組，其中該裁切前四分之一波片層位於該第一裁切前低延遲層與第二裁切前低延遲層之間；以及沿一第一輪廓或一第二輪廓裁切該第一裁切前偏光模組，以形成該偏光模組，其中該第一輪廓包括部分的該第一裁切前低延遲層及部分的該裁切前四分之一波片層，且該第二輪廓包括部分的該第二裁切前低延遲層及部分的該裁切前四分之一波片層。
  7. 如請求項5所述的顯示裝置的製作方法，更包括形成該偏光模組，包括： 提供一偏光基底層，其中該偏光基底層包括一裁切前偏光層；在該裁切前偏光層上形成一裁切前低延遲層、一第一裁切前四分之一波片層以及一第二裁切前四分之一波片層，以形成一第二裁切前偏光模組，其中該裁切前低延遲層位於該第一裁切前四分之一波片層與該第二裁切前四分之一波片層之間；以及沿一第三輪廓或一第四輪廓裁切該第二裁切前偏光模組，以形成該偏光模組，其中該第三輪廓包括部分的該裁切前低延遲層及部分的該第一裁切前四分之一波片層，且該第四輪廓包括部分的該裁切前低延遲層及部分的該第二裁切前四分之一波片層。
  8. 如請求項5所述的顯示裝置的製作方法，更包括形成該偏光模組，包括：提供一偏光基底層，其中該偏光基底層包括一裁切前偏光層；在該裁切前偏光層上形成一裁切前低延遲層以及一裁切前四分之一波片層，以形成一第三裁切前偏光模組，其中該裁切前低延遲層位於該裁切前四分之一波片層旁；以及沿一第五輪廓裁切該第三裁切前偏光模組，以形成該偏光模組，其中該第五輪廓包括部分的該裁切前低延遲層及部分的該裁切前四分之一波片層。
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