TWI774330B - 閘極驅動裝置及顯示面板 - Google Patents

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TWI774330B TW110114407A TW110114407A TWI774330B TW I774330 B TWI774330 B TW I774330B TW 110114407 A TW110114407 A TW 110114407A TW 110114407 A TW110114407 A TW 110114407A TW I774330 B TWI774330 B TW I774330B
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Abstract

一種閘極驅動裝置，包括基板及移位暫存器。第N級的移位暫存器包括上拉單元。上拉單元具有控制端以接收控制信號，依據控制信號以提供時脈信號至輸出端以產生第N級閘極驅動信號。上拉單元包括第一及第二電晶體。第一電晶體位於上拉單元的最外側，各第一電晶體沿著列方向具有長度L1。第二電晶體被第一電晶體環繞，各第二電晶體沿列方向具有長度L2，n*L1+(n-1)*(x2-x1)=m*L2+(m-1)*x2，各第一電晶體與其相鄰之第二電晶體其中之一沿列方向具有間距x1，各第二電晶體之間沿列方向具有間距x2，x2＞(x1-x2)*1.3。

Description

閘極驅動裝置及顯示面板
本發明是有關於一種閘極驅動裝置及顯示面板。
近年來，為了螢幕尺寸的最大化，窄邊框的顯示面板廣泛地應用於各種裝置上。目前已發展出閘極驅動電路技術(Gate driver on Array，GOA)，此技術是將顯示面板的閘極驅動電路製作於顯示面板的周邊區，以代替外接之驅動晶片的技術。然而，當大尺寸的顯示面板操作於高電壓及高電流的狀況下，閘極驅動電路的元件容易發生自熱效應(self-heating effect)，導致此元件發生劣化。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。
本發明提供一種閘極驅動裝置，具有提升的可靠度。
本發明的一種閘極驅動裝置包括玻璃基板及多個移位暫存器。移位暫存器形成於玻璃基板上且每級相互串聯耦接，並分別產生多個閘極驅動訊號，第N級的移位暫存器包括上拉單元。上拉單元具有控制端以接收控制信號，依據控制信號以提供時脈信號至輸出端以產生第N級閘極驅動信號，上拉單元包括多個第一電晶體及多個第二電晶體。第一電晶體位於上拉單元的最外側，各第一電晶體沿著列方向具有長度L1。第二電晶體被第一電晶體環繞，其中各第二電晶體沿著列方向具有長度L2，且滿足n*L1+(n-1)*(x2-x1)=m*L2+(m-1)*x2，各第一電晶體與其相鄰之第二電晶體其中之一沿著列方向具有間距x1，各第二電晶體之間沿著列方向具有間距x2，且滿足x2＞(x1-x2)*1.3。
本發明的一種閘極驅動裝置包括基板及多個移位暫存器。移位暫存器形成於玻璃基板上且每級相互串聯耦接，並分別產生多個閘極驅動訊號，第N級的移位暫存器包括上拉單元。上拉單元具有控制端以接收控制信號，依據控制信號以提供時脈信號至輸出端以產生第N級閘極驅動信號，上拉單元包括多個第一電晶體及多個第二電晶體。第一電晶體位於上拉單元的最外側。第二電晶體被第一電晶體環繞，各第一電晶體和與其相鄰之第二電晶體其中之一沿著行方向錯位。
本發明提供一種顯示面板具有顯示區及周邊區，周邊區位於顯示區之至少一側且包括如前述之閘極驅動裝置及畫素陣列。前述之閘極驅動裝置位於周邊區。畫素陣列位於顯示區。
基於上述，在本發明一實施例的閘極驅動裝置中，第二電晶體被第一電晶體環繞，其中各第二電晶體沿著列方向具有長度L2，且滿足n*L1+(n-1)*(x2-x1)=m*L2+(m-1)*x2，各第一電晶體與其相鄰之第二電晶體其中之一沿著列方向具有間距x1，各第二電晶體之間沿著列方向具有間距x2，且滿足x2＞(x1-x2)*1.3，因此可以增加上拉單元中央的散熱面積，避免上拉單元中央因為自熱效應對其電性造成負面影響。因此，本發明的閘極驅動裝置具有提升的可靠度。基於類似的理由，本發明的顯示面板具有提升的可靠度。
以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中之各構件的尺寸和厚度會為了清楚起見而進行適當的調整，本發明不以此為限。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
第1圖是依照本發明一實施例的閘極驅動裝置10的俯視示意圖。閘極驅動裝置10包括玻璃基板100及多個移位暫存器SR，移位暫存器SR形成於玻璃基板100上且每級相互串聯耦接，並分別產生多個閘極驅動訊號。
第2圖為依照本發明一實施例的閘極驅動裝置10的電路方塊示意圖，請一併參照第1圖及第2圖，在本實施例中，閘極驅動裝置10的各移位暫存器SR分別有一個啟動脈波，表示為STV。在本實施例中，當開始進行一個圖框的驅動時，啟動脈波STV會被致能。閘極驅動裝置10具有至少一匯流線(bus line；未示)。匯流線(未示)用以接收時脈訊號CK。移位暫存器SR接收來自匯流線(未示)的時脈訊號CK後，將時脈訊號CK轉換為對應掃描線(未示)的閘極驅動訊號G1-Gn，並產生用以傳遞至下一級的移位暫存器SR的推動訊號，進而周而復始地驅動所有掃描線(未示)。直到最後一個移位暫存器SR輸出閘極驅動訊號Gn後，時脈訊號CK被禁能。但本發明不以此為限，移位暫存器SR更可具有其他電極結構或元件。
第3圖是第N級的移位暫存器SR的等效電路示意圖，第4圖是第3圖的第N級的移位暫存器SR的時序圖，請參照第3圖及第4圖，第N級的移位暫存器SR包括上拉控制單元102、上拉單元104及下拉單元106。上 拉控制單元102包括第一開關T1，上拉單元104包括第二開關T2，下拉單元106包括第三開關T3及第四開關T4。其中上述的N為正整數。
上拉單元104具有控制端以接收控制信號，依據控制信號以提供時脈信號至輸出端以產生一第N級閘極驅動信號G[N]。舉例而言，第一開關T1接收輸入訊號G[N-1]，第四開關T4接收輸入訊號G[N+1]。輸入訊號G[N-1]及輸入訊號G[N+1]來自於前一級和後一級的移位暫存器SR的輸入端。第二開關T2的第一端(可以是源/汲極端其中之一)接收時脈訊號CK，第二開關T2的控制端耦接於節點QN，而第二開關T2的第二端(可以是源/汲極端其中另一)耦接於第N級移位暫存器SR的輸出端GOUT[N]，以輸出第N級閘極驅動信號G[N]。
第四開關T4的第一端耦接於節點QN，第三開關T3的第一端耦接於移位暫存器SR的輸出端GOUT[N]，第四開關T4的第二端及第三開關T3的第二端皆耦接於系統電壓端VSS。系統電壓端VSS的電位可與閘極低電壓VGL相同。輸入訊號G[N+1]被傳送到第四開關T4的控制端及第三開關T3的控制端，以控制第四開關T4及第三開關T3的開啟和關閉。時脈訊號CK會在閘極高電壓VGH及閘極低電壓VGL之間切換。
第5圖是上拉單元104的電路佈局俯視示意圖。第6圖是第5圖沿著剖線A-A’的剖面示意圖。第7圖是第5圖沿著剖線B-B’的剖面示意圖。請一併參照第5圖 至第7圖，上拉單元104包括多個第一電晶體108及多個第二電晶體110。換言之，由多個第一電晶體108及多個第二電晶體110構成第二開關T2(見第3圖)。第一電晶體108位於上拉單元104的最外側。舉例而言，第一電晶體108的至少一側無配置第一電晶體108且無配置第二電晶體110。各第一電晶體108沿著列方向具有長度L1。為了方便說明，第5圖中繪示了第一方向a1及第二方向a2，第一方向a1和第二方向a2相交。舉例而言，第一方向a1和第二方向a2可實質上互相垂直。於本實施例中，列方向例如是第5圖中的第一方向a1。第二電晶體110被第一電晶體108環繞。舉例而言，第二電晶體110的四側皆配置第二電晶體110或第一電晶體108。其中每一第二電晶體110沿著列方向具有長度L2，且滿足n*L1+(n-1)*(x2-x1)=m*L2+(m-1)*x2，m>0，n>0，各第一電晶體108與其相鄰之第二電晶體110其中之一沿著列方向具有間距x1。每一第二電晶體110之間沿著列方向具有間距x2，且滿足x2>(x1-x2)*1.3。因此，在幾乎不影響上拉單元104在移位暫存器SR(見第1圖)之占地面積的狀況下，可以增加上拉單元104中央的散熱面積，避免上拉單元104中央因為自熱效應(self-heating effect)對其電性造成負面影響，使閘極驅動裝置10(見第1圖)提升其可靠度。舉例而言，可避免自熱效應所造成的第二電晶體110的閾值電壓(threshold voltage；Vth)的改變，且可降低自熱效應所造成的第二電晶體110的啟 動電流(Ion)的劣化程度。當閘極驅動裝置10(見第1圖)應用於需要高電壓及高電流來操作的大尺寸的顯示面板時，可有效降低上述的自熱效應所造成的負面影響。
第一電晶體108可包括源極S1、汲極D1、閘極G1與通道層CH1。各第一電晶體108沿著列方向的長度L1等同於其通道層CH1沿著列方向的長度。第二電晶體110可包括源極S2、汲極D2、閘極G2與通道層CH2。各第二電晶體110沿著列方向的長度L2等同於其通道層CH2沿著列方向的長度。基於電子遷移率的考量，通道層CH1及通道層CH2的材料包括低溫多晶矽(low temperature crystalline silicon，LTPS)、氧化物半導體(例如是銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)等)或其類似者。通道層CH1及通道層CH2配置於玻璃基板100上。
上拉單元104還包括閘絕緣層112、層間介電層114及絕緣層116。閘絕緣層112配置於通道層CH1及閘極G1之間以及通道層CH2及閘極G2之間。舉例而言，在本實施例中，第一電晶體108的閘極G1配置於通道層CH1的上方，第二電晶體110的閘極G2配置於通道層CH2的上方，以形成頂部閘極型薄膜電晶體(top-gate TFT)，但本發明不以此為限。根據其他的實施例，第一電晶體108的閘極G1亦可配置在通道層CH1的下方，第二電晶體110的閘極G2亦可配置在通道層CH2的下方，即閘極G1、閘極G2位於通道層CH1、通道層CH2與玻璃基板100之間，以形成底部閘極型薄膜電晶體(bottom-gate TFT)。
層間介電層114覆蓋閘極G1、G2，源極S1、S2與汲極D1、D2貫穿層間介電層114及閘絕緣層112以分別與通道層CH1、CH2電性連接。絕緣層116配置於層間介電層114上，以覆蓋源極S1、S2與汲極D1、D2。在本實施例中，閘絕緣層112、層間介電層114以及絕緣層116的材料可為無機材料或有機材料或上述組合。無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或上述至少二種材料的堆疊層，但本發明不以此為限。
於本實施例中，各第一電晶體108和與其相鄰之第二電晶體110其中之一沿著行方向具有間距y1，且滿足x2＞y1。於本實施例中，行方向例如是第5圖中的第二方向a2。藉此，可以增加上拉單元104中央的散熱面積。
於本實施例中，各第二電晶體110沿著行方向具有間距y2，且滿足y2＞y1。舉例而言，滿足y2＞1.3*y1。藉此，可以增加上拉單元104中央的散熱面積。
第8圖是依照本發明另一實施例的第一電晶體108a的俯視示意圖，第9圖是第8圖的剖線C-C’的剖面示意圖，本實施例的第一電晶體108a與第6圖的第一電晶體108之差異在於本實施例的第一電晶體108a具有第一閘極G1a、第一源極S1a與第一汲極D1a，第一汲極D1a與第一閘極G1a之間的距離d1大於第一源極S1a與第一閘極G1a之間的距離d2。藉此，可使第一汲極D1a有效散熱。當閘極驅動裝置10應用於需要高電壓及高電流來操作的大尺寸的顯示面板時，可有效降低第一電晶體108a的第一汲極D1a因上述的自熱效應所造成的負面影響，且採用本實施例的第一電晶體108a的上拉單元適用於單向操作。
第10圖是依照本發明另一實施例的第二電晶體110a的俯視示意圖，第11圖是第10圖的剖線D-D’的剖面示意圖，本實施例的第二電晶體110a與第7圖的第二電晶體110之差異在於本實施例的第二電晶體110a具有第二閘極G2a、第二源極S2a與第二汲極D2a，第二汲極D2a與第二閘極G2a之間的距離d3大於第二源極S2a與第二閘極G2a之間的距離d4。藉此，可使第二汲極D2a有效散熱。當閘極驅動裝置10應用於需要高電壓及高電流來操作的大尺寸的顯示面板時，可有效降低第二電晶體110a的第二汲極D2a因上述的自熱效應所造成的負面影響，且採用本實施例的第二電晶體110a的上拉單元適用於單向操作。
第12圖是依照本發明另一實施例的閘極驅動裝置20的上拉單元204的俯視示意圖，第13圖是對比例的上拉單元304的俯視示意圖。請先參照第12圖，本實施例的上拉單元204包括多個第一電晶體208及多個第二電晶體210。第一電晶體208位於上拉單元204的最外側。第二電晶體210被第一電晶體208環繞，其中各第一電晶體208和與其相鄰之第二電晶體210其中之一沿著行方向錯位。接著，請參照第13圖，對比例的第一電晶體308和與其相鄰之第二電晶體310其中之一沒有沿著行方向錯位。如第12圖及第13圖所示，將上拉單元204及上拉單元304沿著列方向劃分為多個具有長方形形狀的區域R1時，第12圖的第一電晶體208及第二電晶體210在各個區域R1的覆蓋面積小於第13圖的第一電晶體308及第二電晶體310在各個區域R1的覆蓋面積。換言之，本實施例的上拉單元204的第一電晶體208及第二電晶體210的占用面積相較於對比例的上拉單元304的第一電晶體308及第二電晶體310的占用面積小，因此，本實施例的上拉單元204散熱面積增加，且第一電晶體208及與其相鄰之第二電晶體210其中之一的間距x3增加，因此可避免上拉單元204中央因為自熱效應對其電性造成負面影響，使閘極驅動裝置提升其可靠度。此處的間距x3指的是，在俯視圖中，第一電晶體208的頂側及與其相鄰的第二電晶體210的頂側的連線距離或是第一電晶體208的底側及與其相鄰的第二電晶體210的底側的連線距離。本實施例的閘極驅動裝置的其他構件類似於第1圖的閘極驅動裝置，於此不再贅述。
第14圖是依照本發明另一實施例的閘極驅動裝置的上拉單元204a的俯視示意圖。本實施例的上拉單元204a與第12圖的上拉單元204的差異在於各第二電晶體210a排列成第1~n行，n為大於或等於2的正整數，相鄰的兩行所具有的第二電晶體210a沿著行方向錯位。如前所述，可避免上拉單元204a中央因為自熱效應對其電性造成負面影響，使閘極驅動裝置提升其可靠度。
請回到第12圖，第12圖的第一電晶體208的結構可類似於第6圖的第一電晶體108或第9圖的第一電晶體108a的結構，第12圖的第二電晶體210的結構可類似於第7圖的第二電晶體110或第11圖的第二電晶體110a的結構。舉例而言，第15圖是第12圖沿剖線E-E’的剖面示意圖，第16圖是第12圖沿剖線F-F’的剖面示意圖，且第15圖及第16圖繪示了第12圖的第一電晶體208的結構及第二電晶體210的結構分別類似於第9圖及第11圖的第一電晶體108a的結構及第二電晶體110a的結構的例子，請參照第15圖及第16圖，各第一電晶體208具有第一閘極G1b、第一源極S1b與第一汲極D1b，第一汲極D1b與第一閘極G1b之間的距離d5大於第一源極S1b與第一閘極G1b之間的距離d6。各第二電晶體210具有第二閘極G2b、第二源極S2b與第二汲極D2b，第二汲極D2b與第二閘極G2b之間的距離d7大於第二源極S2b與第二閘極G2b之間的距離d8。如此一來，藉此，可使第一汲極D1b及第二汲極D2b有效散熱。當閘極驅動裝置應用於需要高電壓及高電流來操作的大尺寸的顯示面板時，可有效降低第一電晶體208的第一汲極D1b及第二電晶體210的第二汲極D2b因上述的自熱效應所造成的負面影響，且採用本實施例的第一電晶體208及第二電晶體210的上拉單元204適用於單向操作。
第17圖是依照本發明一實施例的顯示面板40的俯視示意圖。顯示面板40具有顯示區AA及周邊區PA，周邊區PA位於顯示區AA之至少一側。顯示面板40包括至少一個閘極驅動裝置42，閘極驅動裝置10位於周邊區PA。畫素陣列AR位於顯示區AA。閘極驅動裝置42的配置類似於先前實施例的閘極驅動裝置10，因此基於類似的理由，本發明的顯示面板40具有提升的可靠度。
第18圖繪示第17圖的畫素陣列AR的部分剖面圖及閘極驅動裝置42的部分剖面圖。請一併參考第17圖及第18圖，如同之前所述，閘極驅動裝置42包括多個第一電晶體408及多個第二電晶體410。於一實施例中，第一電晶體408具有第一閘極G1c、第一源極S1c與第一汲極D1c，第一汲極D1c與第一閘極G1c之間的距離d9大於第一源極S1c與第一閘極G1c之間的距離d10。藉此，可使第一汲極D1c有效散熱。當閘極驅動裝置42應用於需要高電壓及高電流來操作的大尺寸的顯示面板時，可有效降低第一電晶體408的第一汲極D1c因上述的自熱效應所造成的負面影響，且本實施例的閘極驅動裝置42適用於單向操作。第二電晶體410具有第二閘極G2c、第二源極S2c與第二汲極D2c，第二汲極D2c與第二閘極G2c之間的距離d11大於第二源極S2c與第二閘極G2c之間的距離d12。藉此，可使第二汲極D2c有效散熱。當閘極驅動裝置42應用於需要高電壓及高電流來操作的大尺寸的顯示面板時，可有效降低第二電晶體410的第二汲極D2c因上述的自熱效應所造成的負面影響，且本實施例的閘極驅動裝置42適用於單向操作。
畫素陣列AR包括多個畫素PX。為了方便說明，第17圖中繪示了第三方向a3與第四方向a4，且第三方向a3與第四方向a4相異，例如第三方向a3與第四方向a4分別為第17圖的橫向方向與縱向方向，且其彼此呈正交關係。各畫素PX沿著第三方向a3及第四方向a4排列。
各畫素PX可包括主動元件T5及電性連接至主動元件T5的畫素電極PE。主動元件T5配置於玻璃基板100上，且具有閘極G5、源極S5、汲極D5以及通道層CH5。閘絕緣層112配置於通道層CH5及閘極G5之間。舉例而言，主動元件T5的閘極G5可選擇性地配置於通道層CH5的上方，以形成頂部閘極型薄膜電晶體(top gate TFT)，但本發明不以此為限。根據其他的實施例，主動元件T5的閘極G5也可配置在通道層CH5的下方，即閘極G5位於通道層CH5與玻璃基板100之間，以形成底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate TFT)。
基於電子遷移率的考量，主動元件T5的通道層CH5的材料包括低溫多晶矽(low temperature crystalline silicon，LTPS)、氧化物半導體(例如是銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)等)或其類似者。通道層CH5配置於玻璃基板100上。於本實施例中，第一電晶體108的通道層CH1及主動元件T5的通道層CH5其中一者為低溫多晶矽(low temperature crystalline silicon，LTPS)，其中另一者為氧化物半導體(例如是銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)等)，也就是說，顯示面板40為低溫多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)顯示面板。
層間介電層114覆蓋主動元件T5的閘極G5。主動元件T5的源極S5與汲極D5配置於層間介電層114上。舉例而言，主動元件T5的源極S5與汲極D5都貫穿層間介電層114以及閘絕緣層112，以電性連接通道層CH5。
綜上所述，在本發明一實施例的閘極驅動裝置中，第二電晶體被第一電晶體環繞，其中各第二電晶體沿著列方向具有長度L2，且滿足n*L1+(n-1)*(x2-x1)=m*L2+(m-1)*x2，各第一電晶體與其相鄰之第二電晶體其中之一沿著列方向具有間距x1，各第二電晶體之間沿著列方向具有間距x2，且滿足x2＞(x1-x2)*1.3，因此可以增加上拉單元中央的散熱面積，避免上拉單元中央因為自熱效應對其電性造成負面影響。因此，本發明的閘極驅動裝置具有提升的可靠度。基於類似的理由，本發明的顯示面板具有提升的可靠度。
10,20,42:閘極驅動裝置
40:顯示面板
100:基板
102:上拉控制單元
104,204,204a,304:上拉單元
106:下拉單元
108,108a,208,208a:第一電晶體
110,110a,210,210a:第二電晶體
308,408:第一電晶體
310,410:第二電晶體
112:閘絕緣層
114:層間介電層
116:絕緣層
a1:第一方向
a2:第二方向
a3:第三方向
a4:第四方向
AA:顯示區
AR:畫素陣列
A-A’,B-B’:剖線
CH1,CH2,CH5:通道層
CK:時脈訊號
C-C’,D-D’,E-E’,F-F’:剖線
D1,D1a,D1b,D1c:汲極
D2,D2a,D2b,D2c,D5:汲極
d1,d2,d3,d4,d5,d6,d7:距離
d8,d9,d10,d11,d12:距離
G1,G1a,G1b,G1c:閘極
G2,G2a,G2c,G5:閘極
G[N]:第N級閘極驅動信號
G[N-1],G[N+1]:輸入訊號
GOUT[N]:輸出端
L1,L2:長度
PA:周邊區
PE:畫素電極
PX:畫素
QN:節點
R1:區域
S1,S1a,S1b,S1c:源極
S2,S2a,S2c,S5:源極
SR:移位暫存器
STV:啟動脈波
T1:第一開關
T2:第二開關
T3:第三開關
T4:第四開關
T5:主動元件
x1,x2,x3,y1,y2:間距
閱讀以下詳細敘述並搭配對應之圖式，可了解本揭露之多個樣態。需留意的是，圖式中的多個特徵並未依照該業界領域之標準作法繪製實際比例。事實上，所述之特徵的尺寸可以任意的增加或減少以利於討論的清晰性。 第1圖是依照本發明一實施例的閘極驅動裝置的俯視示意圖。 第2圖為依照本發明一實施例的閘極驅動裝置的電路方塊示意圖。 第3圖是第N級的移位暫存器的等效電路示意圖。 第4圖是第3圖的第N級的移位暫存器的時序圖。 第5圖是上拉單元的電路佈局俯視示意圖。 第6圖是第5圖沿著剖線A-A’的剖面示意圖。 第7圖是第5圖沿著剖線B-B’的剖面示意圖。 第8圖是依照本發明另一實施例的第一電晶體的俯視示意圖。 第9圖是第8圖的剖線C-C’的剖面示意圖。 第10圖是依照本發明另一實施例的第二電晶體的俯視示意圖。 第11圖是第10圖的剖線D-D’的剖面示意圖。 第12圖是依照本發明另一實施例的閘極驅動裝置的上拉單元的俯視示意圖。 第13圖是對比例的上拉單元的俯視示意圖。 第14圖是依照本發明另一實施例的閘極驅動裝置的上拉單元的俯視示意圖。 第15圖是第12圖沿剖線E-E’的剖面示意圖。 第16圖是第12圖沿剖線F-F’的剖面示意圖。 第17圖是依照本發明一實施例的顯示面板的俯視示意圖。 第18圖繪示第17圖的畫素陣列的部分剖面圖及閘極驅動裝置的部分剖面圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
104:上拉單元
108:第一電晶體
110:第二電晶體
a1:第一方向
a2:第二方向
A-A’,B-B’:剖線
L1,L2:長度
x1,x2,y1,y2:間距

Claims (10)

  1. 一種閘極驅動裝置，包括：一玻璃基板；及多個移位暫存器，形成於該玻璃基板上且每級相互串聯耦接，並分別產生多個閘極驅動訊號，其中第N級的移位暫存器包括：一上拉單元，具有一控制端以接收一控制信號，依據該控制信號以提供一時脈信號至一輸出端以產生一第N級閘極驅動信號，其中N為正整數，該上拉單元包括：多個第一電晶體，位於該上拉單元的最外側，各該第一電晶體沿著列方向具有長度L1；及多個第二電晶體，被該些第一電晶體環繞，其中各該第二電晶體沿著列方向具有長度L2，且滿足n*L1+(n-1)*(x2-x1)=m*L2+(m-1)*x2，各該第一電晶體與其相鄰之該些第二電晶體其中之一沿著列方向具有間距x1，各該第二電晶體之間沿著列方向具有間距x2，且滿足x2>(x1-x2)*1.3，m>0，n>0。
  2. 如請求項1所述之閘極驅動裝置，其中各該第一電晶體和與其相鄰之該些第二電晶體其中之該一沿著行方向具有間距y1，且滿足x2>y1。
  3. 如請求項2所述之閘極驅動裝置，其中各該第二電晶體沿著行方向具有間距y2，且滿足 y2>1.3*y1。
  4. 如請求項1所述之閘極驅動裝置，其中各該第一電晶體具有一第一閘極、一第一源極與一第一汲極，該第一汲極與該第一閘極之間的距離大於該第一源極與該第一閘極之間的距離。
  5. 如請求項1所述之閘極驅動裝置，其中各該第二電晶體具有一第二閘極、一第二源極與一第二汲極，該第二汲極與該第二閘極之間的距離大於該第二源極與該第二閘極之間的距離。
  6. 一種閘極驅動裝置，包括：一玻璃基板；及多個移位暫存器，形成於該玻璃基板上且每級相互串聯耦接，並分別產生多個閘極驅動訊號，其中第N級的移位暫存器包括：一上拉單元，具有一控制端以接收一控制信號，依據該控制信號以提供一時脈信號至一輸出端以產生一第N級閘極驅動信號，其中N為正整數，該上拉單元包括：多個第一電晶體，位於該上拉單元的最外側；及多個第二電晶體，被該些第一電晶體環繞，其中各該第一電晶體和與其相鄰之該些第二電晶體其中之一沿著行方向錯位。
  7. 如請求項6所述之閘極驅動裝置，其中各該第二電晶體排列成第1~n行，n為大於或等於2的正整數，相鄰的兩行所具有的該些第二電晶體沿著行方向錯位。
  8. 如請求項6所述之閘極驅動裝置，其中各該第一電晶體具有一第一閘極、一第一源極與一第一汲極，該第一汲極與該第一閘極之間的距離大於該第一源極與該第一閘極之間的距離。
  9. 如請求項6所述之閘極驅動裝置，其中各該第二電晶體具有一第二閘極、一第二源極與一第二汲極，該第二汲極與該第二閘極之間的距離大於該第二源極與該第二閘極之間的距離。
  10. 一種顯示面板，具有一顯示區及一周邊區，該周邊區位於該顯示區之至少一側，且包括：一如請求項1至9所述之閘極驅動裝置，位於該周邊區；及一畫素陣列，位於該顯示區。
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