TWI773298B - 顯示裝置的製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置的製造方法，包括：形成第一導電層於基 板的遮蔽區；形成改質層於第一導電層上，且改質層的厚度不大於第一導電層的厚度；形成第二導電層於改質層上，且第二導電層的厚度不小於第一導電層的厚度；形成緩衝層於第二導電層及基板的非遮蔽區上；形成畫素層於緩衝層上，畫素層包括多個子畫素；形成覆蓋層於畫素層上；將第二導電層之部分與改質層分離，以取得顯示單元，其中，顯示單元包括覆蓋層之部分、畫素層之部分、緩衝層之部分及第二導電層之部分；移除顯示單元上的第二導電層之部分；以及形成載板於顯示單元的緩衝層之部分上。

Description

顯示裝置的製造方法

本發明是有關於一種顯示裝置的製造方法。

在顯示裝置的製造過程中，為了使最終的顯示裝置具有所需性質的載板，例如可撓性載板，需將製造過程中使用的基板（例如玻璃基板）分離，然後再貼上所需的載板。為了可輕易地將基板分離，目前的做法是先在基板上形成疏水性的改質層、再於改質層上形成金屬層。由於金屬層與改質層之間具有弱鍵結，如此便可輕易地將金屬層與基板分離。

在形成改質層的裝置中，承載基板的承載台必須設置可容納升降棒的穿孔，以便於機械手臂取放基板。然而，在形成改質層的過程中，穿孔會影響承載台的電場分佈，導致所形成的改質層均勻度不佳，甚至在金屬層與玻璃基板分離之後仍有部分金屬層殘留在玻璃基板上，造成生產良率降低。因此，如何改善改質層的均勻度以防止金屬層殘留並提高生產良率，為目前極需解決的一個重要課題。

本發明提供一種顯示裝置的製造方法，具有提高的生產良率。

本發明的一個實施例提出一種顯示裝置的製造方法，包括：形成第一導電層於基板上，其中基板具有遮蔽區及非遮蔽區，且第一導電層位於遮蔽區；形成改質層於第一導電層上，且改質層的厚度不大於第一導電層的厚度；形成第二導電層於改質層上，第二導電層的厚度不小於第一導電層的厚度，且第一導電層及改質層與第二導電層堆疊於基板之遮蔽區上；形成緩衝層於遮蔽區的第二導電層上及基板的非遮蔽區上；形成畫素層於緩衝層上，畫素層包括多個子畫素，各子畫素包括至少一開關元件、至少一顯示元件及至少二條訊號線，且開關元件包括第一端、第二端及控制端，第一端電性連接顯示元件，第二端及控制端分別電性連接訊號線；形成覆蓋層於畫素層上；將第二導電層之部分與改質層分離，以取得顯示單元，其中，顯示單元包括覆蓋層之部分、畫素層之部分、緩衝層之部分及第二導電層之部分，且去除基板、第一導電層、改質層、第二導電層之另一部分、緩衝層之另一部分、該畫素層之另一部分及覆蓋層之另一部分；移除顯示單元上的第二導電層之部分；以及形成載板於顯示單元的緩衝層之部分上。

在本發明的一實施例中，上述的第一導電層的厚度介於10 nm至100 nm之間。

在本發明的一實施例中，上述的改質層的厚度小於第一導電層的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的改質層的厚度介於1Å至10 nm之間。

在本發明的一實施例中，用於形成上述的改質層的反應物可以包括碳氫化合物、氟碳化合物或上述化合物的組合。

在本發明的一實施例中，上述的改質層包含碳、氫、氟、矽、氧中之至少二者。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置的製造方法還包括：放置基板於承載台上以形成改質層，且承載台包括多個穿孔，各穿孔用以容納升降棒（lift pin）。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置的製造方法還包括：提供電漿源，其中，基板位於電漿源與承載台之間，且承載台可相對於電漿源移動。

在本發明的一實施例中，上述的承載台的移動速度介於1 mm/s至10 mm/s之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置的製造方法還包括：於形成改質層的過程中對第一導電層施加偏壓。

在本發明的一實施例中，上述的第二導電層的厚度大於第一導電層的厚度。

在本發明的一實施例中，上述的第二導電層的厚度介於10 nm至1000 nm之間。

在本發明的一實施例中，上述的將第二導電層之部分與改質層分離的步驟包括：切割鄰近於非遮蔽區的覆蓋層、畫素層、緩衝層以及第二導電層。

在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置的製造方法還包括：移除顯示單元上的覆蓋層之部分；以及形成封裝層於畫素層之部分及載板上。

在本發明的一實施例中，上述的顯示元件為自發光元件或非自發光元件。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1J為本發明一實施例的顯示裝置10的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。以下，配合圖式，說明顯示裝置10的製造方法的各個步驟的實施方式，但本發明不以此為限。

首先，請參照圖1A，於基板110上形成第一導電層120。在本實施例中，基板110可以具有遮蔽區SA及非遮蔽區NA，且第一導電層120位於遮蔽區SA。在一些實施例中，可以將基板110上形成第一導電層120的區域定義為遮蔽區SA。

基板110可以是透明基板，其材質可以是玻璃，但本發明不限於此。在一些實施例中，基板110的材料也可以是不透光/反射材料（例如：晶圓、陶瓷等）、或是其它可適用的材料。

第一導電層120的形成方法可以使用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法。在本實施例中，第一導電層120可以藉由物理氣相沉積法形成，例如第一導電層120可以藉由濺鍍法（Sputtering）形成。在一些實施例中，第一導電層120的形成方法還可以包括微影製程及蝕刻製程，以使第一導電層120具有所需的圖案或輪廓。

第一導電層120的材料可以包括金屬，例如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、銀（Ag）、鉻（Cr）、或釹（Nd）、或上述金屬的任意組合之合金。在本實施例中，第一導電層120的材料為鉬（Mo）。第一導電層120也可以使用其他導電材料，例如：金屬的氮化物、金屬的氧化物、金屬的氮氧化物、金屬與其它導電材料的堆疊層、或是其它具有導電性質之材料。

在本實施例中，第一導電層120的厚度可以介於10 nm至100 nm之間，例如50 nm，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一導電層120的厚度可以是10 nm、30 nm、80 nm或100 nm。

接著，請參照圖1B，形成改質層130於第一導電層120上，且改質層130的厚度不大於第一導電層120的厚度，也就是說，改質層130的厚度可以實質上等於或小於第一導電層120的厚度。在本實施例中，改質層130的厚度小於第一導電層120的厚度，且改質層130的厚度可以介於1Å（angstrom）至10 nm之間，例如1 nm，但本發明不以此為限。在一些實施例中，改質層130的厚度可以是5Å、2 nm或5 nm。

在本實施例中，可以利用電漿進行反應來形成改質層130。舉例而言，請同時參照圖2，圖2為本發明一實施例用於形成改質層130的反應裝置200的剖面示意圖。反應裝置200可以包括電漿源210以及承載台220。電漿源210與氣體源212流體連通，且具有出口214，氣體源212可供應反應物RA至電漿源210，且反應物RA於電漿源210中形成的中間物MR可通過出口214離開電漿源210。此外，反應裝置200還可包括與承載台220連接的傳動構件（圖未示），以使承載台220可相對於電漿源210移動。

在本實施例中，承載台220可以包括多個穿孔PH，各個穿孔PH可用以容納升降棒（lift pin）FP。舉例而言，當欲放置基板110於承載台220上時，可先使承載著基板110的機械手臂位於承載台220上方，隨後，使升降棒FP上升凸出於承載台220的上表面221，並使基板110被支撐於升降棒FP上而離開機械手臂。之後，移開機械手臂，再使升降棒FP降低，當升降棒FP的頂端回到穿孔PH中並低於承載台220的上表面221時，即可使基板110位於承載台220的上表面221上。另一方面，當欲取出基板110時，可先使升降棒FP升起並撐起整個基板110，而使基板110離開承載台220的上表面221。隨後，使機械手臂伸入升降棒FP之間，再使升降棒FP下降回到穿孔PH中，即可使基板110被承載於機械手臂上，而由機械手臂取出基板110。

在形成改質層130時，可將形成有第一導電層120的基板110放置於承載台220的上表面221上，同時，從氣體源212進入電漿源210的反應物RA可於電漿源210中離子化形成電漿PS，且電漿PS中的中間物MR可通過電漿源210的出口214離開電漿源210，進而沉積於第一導電層120的表面上。由於承載台220可以相對於電漿源210移動基板110，因此，中間物MR可連續沉積於第一導電層120的表面上，而形成改質層130。

在本實施例中，可在常壓下使承載台220在方向D1上移動，以使基板110相對於電漿源210在方向D1上移動，但本發明不以此為限。電漿源210中用以形成電漿PS的電壓可以介於1 kV至10 kV之間，例如3 kV，但本發明不以此為限。由於第一導電層120可以屏蔽因承載台220的穿孔PH所產生的不均勻電場，因此，所形成的改質層130可以具有良好的均勻度。

在一些實施例中，當基板110位於承載台220上時，基板110上的第一導電層120還可以藉由導線CW電性連接至承載台220，以在第一導電層120與承載台220處於相同電位之下形成改質層130。另外，承載台220還可以進一步電性連接至共用電極CE，以在形成改質層130的過程中對第一導電層120施加偏壓，以在電漿源210的電壓較大時將反應裝置200中的大電流導出，從而避免影響反應裝置200中電場的均勻度。如此一來，來自電漿PS的中間物MR可受第一導電層120的偏壓吸引而直接到達第一導電層120的表面上，以確保改質層130具有良好的均勻度。

在本實施例中，改質層130可以是具有低表面能的疏水性材料層，舉例而言，改質層130的材質可以包括長碳鏈的高分子（例如聚烷類）、含氟官能基的高分子、或矽氧烷有機材料等。因此，用於形成改質層130的反應物RA可以包括碳氫化合物（Hydrocarbon）、氟碳化合物（Fluorocarbon）、矽氧烷化合物（Siloxane）或上述化合物的組合，使得所形成的改質層130可以包含碳、氫、氟、矽、氧中之至少二者。在一些實施例中，還可以伴隨反應物RA輸入載氣，例如氬氣（Ar），以調整反應物RA的濃度，從而調整反應物RA的反應速率及控制改質層130的厚度。在本實施例中，反應物RA的濃度可以介於0.01%至50%之間，例如10%，但本發明不以此為限。

另外，還可以藉由調整反應物RA的流量來控制改質層130的厚度。反應物RA的流量可以介於0.1 L/cm至10 L/cm之間舉例而言，在本實施例中，反應物RA的流量可以約為2 L/cm，但本發明不以此為限。在其他實施例中，反應物RA的流量可以約為4 L/cm或8 L/cm。

此外，還可以藉由基板110的溫度來控制改質層130的沉積速率，從而調整改質層130的厚度。基板110的溫度可以介於室溫至100℃之間，舉例而言，在本實施例中，改質層130的厚度不需太厚，因此改質層130的沉積速率不需太快，此時基板110的溫度可處於室溫。在一些實施例中，而當需要增加改質層130的厚度時，可利用承載台220來加熱基板110，而使基板110的溫度上升至例如80℃，從而加快改質層130的沉積速率。

另一方面，還可以藉由調整承載台220的移動速度來控制改質層130的沉積時間，從而調整改質層130的厚度。承載台220的移動速度可以介於1 mm/s至10 mm/s之間，舉例而言，在本實施例中，改質層130的厚度不需太厚，因此承載台220的移動速度可以大約是2 mm/s。在一些實施例中，當需要增加改質層130的厚度時，可使承載台220的移動速度增加至例如8 mm/s。

接著，請參照圖1C，形成第二導電層140於改質層130上，且第一導電層120及改質層130與第二導電層140堆疊於基板110的遮蔽區SA上。第二導電層140的形成方法可以使用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法。在一些實施例中，第二導電層140的形成方法還可以包括微影製程及蝕刻製程，以使第二導電層140具有所需的圖案或輪廓。

第二導電層140的厚度不小於第一導電層120的厚度，在本實施例中，第二導電層140的厚度大於第一導電層120的厚度。在其他實施例中，第二導電層140的厚度可以實質上等於第一導電層120的厚度。第二導電層140的厚度可以介於10 nm至1000 nm之間，舉例而言，在本實施例中，第二導電層140的厚度可以約為200 nm，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第二導電層140的厚度可以是100 nm、500 nm或800 nm。

第二導電層140的材料可以包括金屬，例如銅（Cu）、鋁（Al）、鉬（Mo）、鈦（Ti）、銀（Ag）、鉻（Cr）、或釹（Nd）、或上述金屬的任意組合之合金。在本實施例中，第二導電層140的材料為鉬（Mo）。第二導電層140也可以使用其他導電材料，例如：金屬的氮化物、金屬的氧化物、金屬的氮氧化物、金屬與其它導電材料的堆疊層、或是其它具有導電性質之材料。

接著，請參照圖1D，形成緩衝層150於遮蔽區SA的第二導電層140上以及基板110之非遮蔽區NA上。緩衝層150可以防止雜質移入後續形成的畫素層160中，並增強畫素層160與下方膜層（例如第二導電層140）之間的黏合性。緩衝層150可以是單層或多層結構，且其材料可以是無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、或氮氧化矽）、有機材料（例如：聚亞醯胺（polyimide；PI）、聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate；PET）、或聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate；PEN））、或其它適合的材料。

接著，請參照圖1E，形成畫素層160於緩衝層150上，且畫素層160與緩衝層150重疊。請同時參照圖3，圖3為本發明一實施例的畫素層160的局部上視示意圖。畫素層160包括多個子畫素SP，且多個子畫素SP呈陣列排列。在本實施例中，各個子畫素SP可以包括至少一開關元件SW、至少一顯示元件LE及至少二條訊號線SL、DL，且開關元件SW可以包括第一端Ta、第二端Tb及控制端Tc，開關元件SW的第一端Ta電性連接顯示元件LE，開關元件SW的第二端Tb電性連接訊號線DL，且開關元件SW的控制端Tc電性連接訊號線SL。

訊號線SL與訊號線DL可傳遞電訊號至開關元件SW，訊號線SL例如是掃描線，而訊號線DL例如是資料線。在本實施例中，訊號線SL與訊號線DL可彼此正交，但本發明不以此為限。在一些實施例中，訊號線SL與訊號線DL也可以其他角度相交。在一些實施例中，各子畫素SP可包括兩個或更多個開關元件SW。在一些實施例中，各子畫素SP可進一步包括至少一個電容結構。在本實施例中，畫素層160中還可進一步設置有電源線、共用訊號線等其他訊號線，以提供電源訊號與共用訊號至各子畫素SP。

在本實施例中，顯示元件LE可呈陣列排列，並對應地與開關元件SW的第一端Ta電性連接。透過開關元件SW，顯示元件LE可對應地與多條訊號線DL的其中一者電性連接。與同一條訊號線DL電性連接的多個子畫素SP中的顯示元件LE（例如顯示元件E11、E12、E13）可發出相同顏色的光，且與同一條訊號線SL電性連接的多個子畫素SP中的顯示元件LE（例如顯示元件E11、E21、E31）可發出不同顏色的光。

在本實施例中，顯示元件LE可以是自發光元件，例如有機電激發光二極體（OLED）或微型發光二極體（Micro LED）等，但本發明不以此為限。在一些實施例中，顯示元件LE可以是非自發光元件。舉例而言，顯示元件LE可以包括畫素電極以及非自發光顯示介質，例如液晶層，其中開關元件SW可個別控制對應的畫素電極，以驅動液晶層中的液晶分子進行方向變換。

接著，請參照圖1F，形成覆蓋層170於畫素層160上。覆蓋層170可為單層或多層結構，且其材料可選用無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、或氮氧化矽）、有機材料（例如：聚亞醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯、或聚萘二甲酸乙二酯）、或其它適合的材料。

接著，請參照圖1G，切割鄰近於非遮蔽區NA的覆蓋層170、畫素層160、緩衝層150以及第二導電層140，其中第二導電層140被分割為部分140a及部分140b，緩衝層150被分割為部分150a及部分150b，畫素層160被分割為部分160a及部分160b，且覆蓋層170被分割為部分170a及部分170b。在本實施例中，可以使用雷射光束LS進行上述切割，但本發明不以此為限。在其他實施例中，也可以利用例如刀具或其它適合的用具沿著預定切割線來進行上述切割。

此外，在本實施例中，由於第一導電層120的鉬（Mo）的熔點約為2600℃，因此，當使用雷射光束LS進行切割時，第一導電層120不會被雷射光束LS熔融，如此一來，第一導電層120還可防止基板110中熔融的玻璃附著於第二導電層140。

接著，請參照圖1H，將第二導電層140的部分140a與改質層130分離，且去除基板110、第一導電層120、改質層130、第二導電層140的部分140b、緩衝層150的部分150b、畫素層160的部分160b及覆蓋層170的部分170b，以取得顯示單元DU，其中，顯示單元DU包括覆蓋層170的部分170a、畫素層160的部分160a、緩衝層150的部分150a及第二導電層140的部分140a。在本實施例中，由於第二導電層140的部分140a與改質層130之間為弱鍵結，因此，可以藉由機械力剝離顯示單元DU的方式來進行上述分離，但本發明不以此為限。在一些實施例中，還可以藉由雷射氧化第二導電層140的方式來進行上述分離。

圖4為圖1H的實施例的實測結果。在上述藉由機械力剝離顯示單元DU的過程中，同時量測機械力的載荷隨顯示單元DU的剝離位移的變化，而得到圖4顯示的實測結果。由圖4可知，在剝離顯示單元DU的過程中，機械力的載荷並無異常上升，表示第二導電層140的部分140a與第一導電層120之間存在均勻的改質層130。

接著，請參照圖1I，移除顯示單元DU上的第二導電層140的部分140a，而露出緩衝層150的部分150a的下表面151。在本實施例中，可以藉由濕蝕刻製程移除第二導電層140的部分140a，但本發明不以此為限。

接著，請參照圖1J，形成載板180於顯示單元DU的緩衝層150的部分150a的下表面151，而完成顯示裝置10的製作。舉例而言，在本實施例中，載板180可以藉由黏著劑附著於緩衝層150的部分150a的下表面151，但本發明不以此為限。在本實施例中，載板180的寬度稍大於顯示單元DU的寬度，但本發明不限於此。在某些實施例中，載板180的寬度可大致上等於或小於顯示單元DU的寬度。另外，載板180的材質可以包括聚亞醯胺（PI）或聚乙烯（PE）等，視最終產品的需求而定。

圖5為本發明一實施例的顯示裝置20的剖面示意圖。請參照圖5，在本實施例中，可進一步從圖1A至圖1J所完成的顯示裝置10中移除覆蓋層170的部分170a，隨後再形成封裝層190於畫素層160的部分160a及載板180上，而完成顯示裝置20的製作。封裝層190可以是單層或多層結構，且其各層的材質可以包括無機材料（例如：氧化矽、氮化矽、或氮氧化矽）、有機材料（例如：聚亞醯胺、聚對苯二甲酸乙二酯、或聚萘二甲酸乙二酯）、或其它適合的材料，視最終產品的需求而定。在一些實施例中，封裝層190可以包括無機材料與有機材料的疊層，以提供防濕的功能。在某些實施例中，封裝層190可以是可撓板。

圖6為一比較例的製造方法中藉由機械力剝離顯示單元DU’的步驟的剖面示意圖。圖7為圖6的比較例的實測結果。與圖1A至圖1H所示的製造方法的步驟流程相比，如圖6所示的比較例的不同之處在於：比較例未形成第一導電層120，也就是說，比較例直接於基板110上形成改質層130。圖7是在藉由機械力剝離顯示單元DU’的過程中同時量測機械力的載荷隨顯示單元DU’的剝離位移的變化而得。由圖7可知，在剝離的過程中，當顯示單元DU’的剝離位移介於22 mm至29 mm之間時，機械力的載荷異常上升。另外，在剝離結束後，可觀察到第二導電層140殘留於基板110上，表示改質層130的均勻度不佳，且第二導電層140的部分140a與基板110之間並未形成毯覆的改質層130，導致第二導電層140與基板110之間部分接觸。由圖4與圖7的測試結果相比可知，第一導電層120有助於提高改質層130的均勻度，從而使第二導電層140與第一導電層120之間能夠具有均勻的弱鍵結。

綜上所述，本發明藉由第一導電層來於改質層形成過程中屏蔽不均勻電場，使得所形成的改質層能夠具有良好的均勻度，如此一來，改質層能夠在第二導電層與第一導電層之間形成均勻的弱鍵結，而有利於基板的分離，從而提高生產良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20:顯示裝置 110:基板 120:第一導電層 130:改質層 140:第二導電層 140a、140b:部分 150:緩衝層 150a、150b:部分 151:下表面 160:畫素層 160a、160b:部分 170:覆蓋層 170a、170b:部分 180:載板 190:封裝層 200:反應裝置 210:電漿源 212:氣體源 214:出口 220:承載台 221:上表面 CE:共用電極 CW:導線 D1:方向 DL:訊號線 DU、DU’:顯示單元 E11、E12、E13、E21、E31、LE:顯示元件 FP:升降棒 LS:雷射光束 MR:中間物 NA:非遮蔽區 PH:穿孔 PS:電漿 RA:反應物 SA:遮蔽區 SL:訊號線 SP:子畫素 SW:開關元件 Ta:第一端 Tb:第二端 Tc:控制端

圖1A至圖1J為本發明一實施例的顯示裝置10的製造方法的步驟流程的剖面示意圖。 圖2為本發明一實施例用於形成改質層的反應裝置的剖面示意圖。 圖3為本發明一實施例的畫素層的局部上視示意圖。 圖4為圖1H的實施例的實測結果。 圖5為本發明一實施例的顯示裝置20的剖面示意圖。 圖6為一比較例的製造方法中藉由機械力剝離顯示單元DU’的步驟的剖面示意圖。 圖7為圖6的比較例的實測結果。

110:基板

120:第一導電層

130:改質層

140:第二導電層

140a、140b:部分

150:緩衝層

150a、150b:部分

160:畫素層

160a、160b:部分

170:覆蓋層

170a、170b:部分

DU:顯示單元

Claims (3)

1. 一種顯示裝置的製造方法，包括：形成一第一導電層於一基板上，其中該基板具有一遮蔽區及一非遮蔽區，且該第一導電層位於該遮蔽區；形成一改質層於該第一導電層上，且該改質層的厚度不大於該第一導電層的厚度；形成一第二導電層於該改質層上，該第二導電層的厚度不小於該第一導電層的厚度，且該第一導電層及該改質層與該第二導電層堆疊於該基板之該遮蔽區上；形成一緩衝層於該遮蔽區的該第二導電層上及該基板的該非遮蔽區上；形成一畫素層於該緩衝層上，該畫素層包括多個子畫素，各該子畫素包括至少一開關元件、至少一顯示元件及至少二條訊號線，且該至少一開關元件包括一第一端、一第二端及一控制端，該第一端電性連接該至少一顯示元件，該第二端及該控制端分別電性連接該至少二條訊號線；形成一覆蓋層於該畫素層上；將該第二導電層之一部分與該改質層分離，以取得一顯示單元，其中，該顯示單元包括該覆蓋層之一部分、該畫素層之一部分、該緩衝層之一部分及該第二導電層之該部分，且去除該基板、該第一導電層、該改質層、該第二導電層之另一部分、該緩衝層之另一部分、該畫素層之另一部分及該覆蓋層之另一部分； 移除該顯示單元上的該第二導電層之該部分；以及形成一載板於該顯示單元的該緩衝層之該部分上，其中，該改質層的厚度小於該第一導電層的厚度。
2. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中，該第一導電層的厚度介於10nm至100nm之間。
3. 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中，該改質層的厚度介於1Å至10nm之間。

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